JP2015103337A - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化すること。
【解決手段】本発明の表示装置は第１端部を有する第１補助配線、第２端部を有する第２補助配線、および第１端部および第２端部との間に配置された１以上の島状補助配線を含む複数の補助配線であって、複数の画素電極の間の少なくとも一部において、補助配線と画素電極との距離よりも短い距離で、それぞれの補助配線が対向している補助配線と、画素電極の一部を露出する第１開口部と、第１端部、第２端部、島状補助配線の端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部とを有し、画素電極および補助配線上に配置された絶縁層と、第１開口部により露出された画素電極上および絶縁層上に配置された有機発光層と、画素電極上の有機発光層上に配置された電極、および第２開口部における補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む導電層と、を備える。
【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置の画質を改善する技術に関する。

近年、有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）など、供給される電流に応じた強度で発光する素子を用いた表示装置が開発されている。このような表示装置として、トップエミッション型アクティブマトリックス有機ＥＬディスプレイがある。この表示装置によれば、発光素子の発光方向が、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）とは逆の方向になる。そこで、発光素子の発光方向側（ＴＦＴとは逆側）の電極（以下、上部電極という）に、光透過性を有する程度に薄膜化した金属を用いたり、透明導電性酸化物を用いたりする必要がある。しかし、これらは、低抵抗化することが困難であり、電圧降下に伴う画面内の輝度分布が発生する。

この輝度分布は、高電流が必要な高輝度にするほど、また、大画面化するほど顕著になってくる。そのため、補助配線を用いて上部電極と接続することにより、電圧降下を減らす試みがなされている（例えば、特許文献１〜４）。

特開２００１−１９５００８号公報 特開２００１−２３００８６号公報 特開２００５−０１１８１０号公報 特開２００５−０９３３９８号公報

有機ＥＬ層を成膜する場合には、共通に成膜できる層が多いほど製造が容易になる。その場合には、特許文献３、４に開示された方法のように、補助配線上に成膜された有機膜を除去する工程を追加したり、有機膜を成膜するときに補助配線上に付着しないようにしたりする必要がある。したがって、工程が煩雑になるため、量産時の歩留まりを低下させる要因となり得る。

例えば、特許文献３に開示された方法においては、大画面のディスプレイに対して、必要な部分にだけレーザ照射をするための遮蔽マスクをアライメントして配置したり、真空中で高精細なアライメントを行いつつ多数回のレーザのスポット照射を行ったりする必要がある。

本発明の目的の一つは、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することにある。

本発明の一実施形態によると、複数の画素を有する表示装置であって、前記画素に対応して設けられた画素電極と、第１端部を有する第１補助配線、第２端部を有する第２補助配線、および前記第１端部および前記第２端部との間に配置された１以上の島状補助配線を含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記補助配線と前記画素電極との距離よりも短い距離で、それぞれの前記補助配線が対向している補助配線と、前記画素電極の一部を露出する第１開口部と、前記第１端部、前記第２端部、前記島状補助配線の端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部とを有し、前記画素電極および前記補助配線上に配置された絶縁層と、前記第１開口部により露出された前記画素電極上および前記絶縁層上に配置された有機発光層と、前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第２開口部における前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む導電層と、を備えることを特徴とする表示装置が提供される。

この表示装置によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。

また、別の好ましい態様において、前記端部間の距離が５マイクロメートル乃至１００マイクロメートルであってもよい。

この表示装置によれば、端部間近傍の有機発光層の除去を効率的に行うことができる。

また、別の好ましい態様において、前記第２開口部で電気的に接続された前記補助配線と前記導電層との接続部分が複数であり、前記複数の接続部分には、接続抵抗が２００ｋΩ以下である接続部分が含まれていてもよい。

この表示装置によれば、画面内の輝度分布を良好にすることができる。

また、別の好ましい態様において、前記有機発光層を発光させるための電力が供給される電源接続電極を備え、前記電源接続電極は、前記導電層が接続される一方、前記補助配線には前記導電層を介して間接的に接続されていてもよい。

この表示装置によれば、補助配線と電源接続電極とのレイアウトの自由度を向上させることができる。

本発明の一実施形態によると、複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、第１端部を有する第１補助配線、第２端部を有する第２補助配線、および前記第１端部および前記第２端部との間に配置された１以上の島状補助配線を含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記補助配線と前記画素電極との距離よりも短い距離で、それぞれの前記補助配線が対向している補助配線を形成し、前記画素電極の一部を露出する第１開口部と、前記第１端部、前記第２端部、前記島状補助配線の端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、前記第１開口部により露出された前記画素電極上、前記第２開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、前記第１補助配線と前記第２補助配線との間に交流電圧を印加して前記端部間に放電を起こして、前記第２開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第２開口部において露出させた前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む導電層を形成すること、を含むことを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。

この表示装置の製造方法によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。

本発明によれば、補助配線と上部電極との接続をするための工程を簡略化することができる。

本発明の第１実施形態における表示装置の構成を示す概略図である。 本発明の第１実施形態における補助配線のレイアウトを説明する図である。 本発明の第１実施形態における第２開口部近傍のレイアウトを説明する図である。 図２に示すＩＶ−ＩＶ方向にみた断面の模式図である。 本発明の第１実施形態における表示装置１の製造方法において、画素電極と補助配線が形成された基板の断面を示す模式図である。 本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、絶縁膜が形成された基板の断面を示す模式図である。 本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、有機ＥＬ層が形成された基板の断面を示す模式図である。 本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、端部間の有機ＥＬ層が除去された基板の断面を示す模式図である。 本発明の第２実施形態における表示装置の補助配線への分割した電圧印加を説明する図である。 本発明の第３実施形態における補助配線端部の形状の第１の例を説明する図である。 本発明の第３実施形態における補助配線端部の形状の第２の例を説明する図である。 接触抵抗測定のための補助配線のレイアウトを説明する図である。

以下、本発明の実施形態における表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本発明の実施形態の一例であって、本発明はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。また、基板上に形成される、とは、基板に接触して形成される場合だけでなく、基板との間に他の構成を挟んで形成される場合を含む。

＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態における表示装置について、図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、本発明の第１実施形態における表示装置の構成を示す概略図である。表示装置１は、トップエミッション型有機ＥＬディスプレイである。表示装置１は、スマートフォン、携帯電話、パーソナルコンピュータ、テレビなど、画像を表示する電子機器に用いられる。基板１０は、表示装置１を駆動するための素子等が形成されている。表示領域１００、表示領域１００の周囲に設けられた駆動回路７１、７２、７３、７４、および電圧印加部７０が、基板１０に備えられている。

表示領域１００には、ＴＦＴにより有機ＥＬ層の発光が制御される複数の画素、複数の画素を制御するための制御線が形成されている。また、表示領域１００には、有機ＥＬ層の上部電極と接続される２系統の補助配線が形成されている。補助配線の詳細の説明は後述する。駆動回路７１、７２、７３、７４は、制御線を介して表示領域１００の各画素に設けられた画素回路を制御するためのドライバである。また、表示領域１００の外側には有機ＥＬ層を発光させるための電力を供給する電源と上部電極とを接続するための電源接続電極が設けられている。電圧印加部７０は、２系統の補助配線に交流電圧を印加するための電源が接続される。なお、この例では交流電圧として説明するが、２系統の補助配線に直流電圧を印加するための電源が接続されてもよい。

図２は、本発明の第１実施形態における補助配線のレイアウトを説明する図である。図２は、表示領域１００における補助配線のレイアウトがわかりやすくなるように、一部の構成を省略して表した図である。

画素電極１１０Ｂ、１１０Ｇ、１１０Ｒ（以下、それぞれを区別しない場合には画素電極１１０という）は、それぞれ発光色が青、緑、赤の画素に対応する。各画素電極１１０は、ＴＦＴを用いて形成された画素回路に接続されている。以下に説明する設計値の例示は、画素ピッチＰＰが６３６μｍである場合を例としているが、この例に限られない。

補助配線２１０、２２０、２３０（以下、それぞれを区別しない場合には補助配線２００という）は、それぞれ分離して形成された複数系統の補助配線である。補助配線２１０、２２０が電圧印加部７０に接続され、補助配線２３０は電圧印加部７０に接続されず、島状に配置されている。補助配線２３０は、この例では複数である。補助配線２００は、隣接する画素電極１１０間に設けられている。なお、補助配線２００は、少なくとも一部の画素電極１１０間に設けられていればよい。補助配線２００の線幅Ｌ１、Ｌ２は、この例では、６６μｍ、２２μｍである。

画素電極１１０と補助配線２００とは、同一層の導電膜で形成されている。導電膜は、この例では、下層に銀合金（例えば、ＡｇＰｄＣｕ等）、上層に透明導電性酸化物（例えばＩＴＯ等）の積層で形成されている。なお、補助配線２００は、画素電極１１０とは異なる層の導電膜で形成されていてもよい。

絶縁層３００は、画素電極１１０の一部および補助配線２００の一部を露出しつつ、画素電極１１０および補助配線２００を覆うように形成されている。絶縁層３００は、ポリイミド等の有機樹脂で形成されている。

絶縁層３００には、画素電極１１０の一部を露出する第１開口部３１０、および補助配線２００の一部を露出する第２開口部３２０が設けられている。第１開口部３１０は、画素電極１１０と有機ＥＬ層とを接続し、有機ＥＬ層へ電流を流すための領域を形成する。第２開口部３２０は、有機ＥＬ層の上部電極と補助配線２００とを接続するために設けられた領域であり、画素電極１１０間に設けられている。

図３は、本発明の第１実施形態における第２開口部近傍のレイアウトを説明する図である。補助配線２１０の端部２１０Ｔと補助配線２３０の端部２３０Ｔとが対向する部分に、第２開口部３２０が設けられている。この例では、第２開口部３２０の開口寸法Ａ１、Ａ２は、１５μｍ（１０〜２０μｍ）、３５μｍ（３０〜４０μｍ）である。

端部２１０Ｔと端部２３０Ｔとの間ＢＷ（以下、端部間ＢＷという場合がある）の距離Ｗａは、例えば、５μｍ〜２０μｍであり、画素電極１１０と補助配線２００とが最も近い部分の距離Ｗｐ（図２参照）よりも短くなっている。なお、図示していないが、端部間ＢＷの距離は、画素回路のＴＦＴ等、補助配線２００以外の他の導電性を有する部材と補助配線２００との距離のいずれよりも短くなっていることが望ましい。

図２に戻って説明を続ける。表示領域１００の外側において、有機ＥＬ層を発光させるための電力を供給する電源と上部電極とを接続するための電源接続電極２５０が設けられている。電源接続電極２５０は、絶縁層３００に覆われ、その一部が第３開口部３５０によって露出されている。

図４は、図２に示すＩＶ−ＩＶ方向にみた断面の模式図である。基板１０００は、ガラス基板にＴＦＴ等で形成された画素回路を含む基板を示し、表面はポリイミド等の絶縁膜で平坦化されている。画素電極１１０Ｂは、スルーホールを介してこの画素回路に接続されている。画素電極１１０、補助配線２１０、２３０（図示しない補助配線２２０も含む、以下同じ）、および電源接続電極２５０は、同一の導電膜で形成されている。絶縁層３００は、画素電極１１０の一部を露出する第１開口部３１０、補助配線２００の一部を露出する第２開口部３２０、および電源接続電極２５０の一部を露出する第３開口部３５０が形成されている。上述した図２においては、画素電極１１０、補助配線２１０、２３０、電源接続電極２５０、および絶縁層３００が示されている。

有機ＥＬ層４００は、表示領域１００の絶縁層３００上に形成されている。有機ＥＬ層４００は、端部間ＢＷ近傍において後述するように除去されている。図示のとおり端部間ＢＷには、有機ＥＬ層４００の残渣物４５０が存在する場合がある。上部電極５００は、有機ＥＬ層４００上に形成された導電層である。なお、端部間ＢＷ近傍において、有機ＥＬ層４００が除去されているため、上部電極５００は、補助配線２１０の端部２１０Ｔと補助配線２３０の端部２３０Ｔとに接触して電気的に接続されている。すなわち、上部電極５００は、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００（有機ＥＬ層４００が発光する部分）上に形成された電極と、この電極と端部２１０Ｔおよび端部２３０Ｔとを接続するための接続部を有している。図示していないが、補助配線２２０と補助配線２３０との関係においても同様である。上部電極５００は、補助配線２２０の端部２２０Ｔと補助配線２３０の端部２３０Ｔとに接触して電気的に接続されている。すなわち、上部電極５００は、画素電極１１０上の有機ＥＬ層４００（有機ＥＬ層４００が発光する部分）上に形成された電極と、この電極と端部２２０Ｔおよび端部２３０Ｔとを接続するための接続部を有している。

また、この例では、電源接続電極２５０上にも上部電極５００が形成されている。そのため、電源接続電極２５０から画素電極１１０上の上部電極５００に有機ＥＬ層４００を発光させるための電力が供給される。この例では画素電極１１０は有機ＥＬ層４００のアノードとして用いられている。この際、補助配線２００が上部電極５００を介して間接的に電源接続電極２５０に接続されることになり、電源接続電極２５０から画素電極１１０上の上部電極５００までの電気抵抗を小さくすることができる。補助配線２００が上部電極５００を介して間接的に電源接続電極２５０に接続されることにより、補助配線と電源接続電極とのレイアウトの自由度を向上させることができる。このとき、電源接続電極２５０と電圧印加部７０とが上部電極５００を介して間接的に接続されていてもよい。

なお、補助配線２００と電源接続電極２５０とが直接的に接続していてもよく、その場合には、上部電極５００は、電源接続電極２５０と上記の通り直接的に接続していてもよいし、補助配線２００を介して間接的に接続していてもよい。

続いて、図４に示すような表示装置１の製造方法について、図５〜図８を用いて説明する。

図５は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、画素電極と補助配線が形成された基板の断面を示す模式図である。基板１０００上に導電膜が成膜され、フォトリソグラフィによるパターニングにより、画素電極１１０、補助配線２１０、２３０および電源接続電極２５０が形成される。

図６は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、絶縁膜が形成された基板の断面を示す模式図である。図５に示す工程の後に絶縁膜３００が成膜され、フォトリソグラフィによるパターニングにより、第１開口部３１０、第２開口部３２０および第３開口部３５０が形成される。絶縁膜３００は、感光性ポリイミド等を用い、露光、現像によりパターンが形成されてもよい。

図７は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、有機ＥＬ層が形成された基板の断面を示す模式図である。図６に示す工程の後に、酸素プラズマ処理を施し、マスク等を用いて表示領域１００に有機ＥＬ層４００を成膜する。有機ＥＬ層４００は、複数の有機層の積層構造であり、例えば、下層から上層に向けて「ｍ−ＭＴＤＡＴＡ」、「ＮＰＢ」、「Ｂｌｕｅ ＥＭＬ」、「Ａｌｑ」という積層構造になっている。なお、「Ｂｌｕｅ ＥＭＬ」については、少なくとも画素電極１１０Ｂ上に存在すればよいため、その他の領域においては存在しないように形成される場合もある。すなわち、図７等の記載において、有機ＥＬ層４００は、成膜される領域のいずれでも同様の厚さで記載しているが、領域によっては厚さ、積層構造が異なる場合がある。

図８は、本発明の第１実施形態における表示装置の製造方法において、端部間の有機ＥＬ層が除去された基板の断面を示す模式図である。図７に示す工程の後、電圧印加部７０を介して、交流電圧を補助配線２１０と補助配線２２０（図７では図示せず）との間に印加する。例えば、周波数１００ｋＨｚ、実行印加電圧が９００〜２５００Ｖｒｍｓ程度であると端部間ＢＷに放電が発生し、図８に示すように、有機ＥＬ層４００が除去される。ここでは、補助配線２３０には直接的に電圧が印加されるわけではないが、周波数および実行印加電圧によっては、補助配線２１０と補助配線２３０との間、補助配線２２０と補助配線２３０との間、隣接する補助配線２３０同士の間においても放電が発生する。このとき、補助配線２１０の端部２１０Ｔおよび補助配線２３０の端部２３０Ｔの少なくとも一部が露出されるが、一部に有機ＥＬ層４００の残渣物４５０が残ってもよい。なお、補助配線２２０と補助配線２３０との間、隣接する補助配線２３０同士の間においても同様である。

この例では、放電による有機ＥＬ層４００を除去するときには、表示領域１００に存在する全ての補助配線２１０、２２０に電圧を印加して、全ての端部間ＢＷで放電させる。ただし、一部の端部間ＢＷにおいて生じた放電によって端部間ＢＷに短絡を生じさせる場合もある。その場合には、その端部間ＢＷと同じ補助配線２１０、２２０、２３０によって構成される端部間ＢＷにおいては放電しにくくなる場合がある。したがって、必ずしも全ての端部間ＢＷで放電しない場合もある。

図８に示す工程の後、上部電極５００を成膜すると、図４に示すような構造となる。上部電極は、この例では、下層がＬｉＦ、上層がＭｇＡｇの積層構造である。この例では上部電極５００は有機ＥＬ層４００のカソードとして用いられている。なお、表示装置１は、さらに、窒素雰囲気下で透明封止ガラスを用いて、少なくとも表示領域１００の封止を行う。このとき、基板周囲がＵＶ硬化樹脂等で囲まれて、内部が封止される。

端部間ＢＷの距離は、有機ＥＬ膜４００を除去して端部２１０Ｔ、２３０Ｔの一部等、補助配線２００の端部の一部を露出されるためには、５μｍ以上１００μｍ以下であることが望ましい。端部間ＢＷの距離が５μｍ未満になると、大画面の表示装置の場合に、パターン形成を精度よく行うことが困難になり、短絡部が形成される等のリスクがある。一方、端部間ＢＷの距離が大きくなりすぎると、放電を起こす条件が厳しくなり、より印加電圧を増加させる必要があるため、ＴＦＴへの放電による熱および電気的ダメージの可能性が高くなってしまう。そのため、画素電極１１０と補助配線２００との間隔をさらに広げる必要があるなど、レイアウト上の制限が加わってしまう。そのため、端部間ＢＷの距離は、２０μｍ以下であることがさらに望ましい。

また、補助配線２００と上部電極５００との接続部分の電気抵抗が小さいほど、画面輝度の均一性確保、消費電力の低減に有利である。例えば、各画素に対して１箇所の接続部分を形成した場合、画素回路のＴＦＴのしきい電圧等を考慮すると、画面輝度の均一性確保のために、接続部分での電圧降下を２Ｖ以下に抑制することが望ましい。この場合、接続部分の電気抵抗は、有機ＥＬ層の発光のために要する１画素のピーク電流が１００μＡの高輝度ディスプレイにおいて、２００ｋΩ以下であることが望ましい。さらに接続部分での電圧降下を０．５Ｖ以下に抑制する、すなわち電気抵抗は５０ｋΩ以下であることがさらに望ましい。

なお、接続部分は、１画素に１箇所でなく、複数画素に１箇所であってもよい。例えば、Ｎ画素に対して１箇所であれば、接続部分での電圧降下を２Ｖ以下に抑制するためには、１箇所当たりの接続部分の電気抵抗は２００ｋΩ×（１／Ｎ）以下であることが望ましく、電圧降下を０．５Ｖ以下に抑制する、すなわち電気抵抗は５０ｋΩ×（１／Ｎ）以下であることが望ましい。

このように、本発明の第１実施形態における表示装置１においては、上部電極５００を成膜する前に補助配線２００に電圧を印加し、端部間ＢＷに放電を生じさせて有機ＥＬ層４００を除去する。したがって、上部電極５００を成膜するときには、端部２１０Ｔおよび端部２２０Ｔの少なくとも一部を露出させていることから、上部電極５００と補助配線２００とを電気的に接続することができる。

このように、放電により電気的に端部間ＢＷ近傍の有機ＥＬ層を除去することができるため、従来のように、精密なマスクのアライメント、選択的なレーザ照射等を行ったりする必要がないため、工程の簡略化が実現できる。この結果、画面の欠陥発生確率が増大することを抑制しつつ、上部電極の電圧降下を抑えて画面内の輝度分布を良好にすることができる。

＜第２実施形態＞
第１実施形態においては、端部間ＢＷで放電させるときには、表示領域１００全ての補助配線２１０、２２０に電圧が印加され、全ての端部間ＢＷにおいて放電を促していた。第２実施形態においては、表示領域１００を複数に分けて放電させる。

図９は、本発明の第２実施形態における表示装置の補助配線への分割した電圧印加を説明する図である。表示装置１Ａにおいては、表示領域は表示領域１００Ａ１、１００Ａ２の２領域に分割されている。表示装置１には、表示領域１００Ａ１の補助配線２１０、２２０に電圧を印加するための電圧印加部７０Ａ１、および表示領域１００Ａ２の補助配線２１０、２２０に電圧を印加するための電圧印加部７０Ａ２が設けられている。このようにすると、大面積を一度に処理することによる電流の増加を抑制することができ、過大な電流による焼損の不具合の発生を抑制することができる。また、表示領域１００Ａ１における放電で複数の端部間ＢＷの一部に短絡が生じた場合があっても、表示領域１００Ａ２における放電に影響を与えないようにすることができる。なお、表示領域１００を複数に分割して放電処理を行う場合には、各表示領域に電圧印加部７０に接続された補助配線２１０、２２０が必要となる。

＜第３実施形態＞
第１実施形態においては、補助配線２１０の端部２１０Ｔ、および補助配線２３０の端部２３０Ｔの形状は矩形状であったが、異なる形状であってもよい。第３実施形態では、端部２１０Ｔ、２３０Ｔの形状として、２つの例を説明する。なお、補助配線２１０の端部２１０Ｔと、補助配線２３０の端部２３０Ｔとの組み合わせを例として説明するが、補助配線２２０の端部２２０Ｔと、補助配線２３０の端部２３０Ｔとの組み合わせであっても同様である。

図１０は、本発明の第３実施形態における補助配線端部の形状の第１の例を説明する図である。図１０に示す第１の例では、いずれも三角形状の端部２１０ＴＢ、２３０ＴＢである。端部２１０ＴＢと端部２３０ＴＢとの距離は頂点同士の距離である。

図１１は、本発明の第３実施形態における補助配線端部の形状の第２の例を説明する図である。図１１に示す第２の例では、一方の端部２１０ＴＢは第１の例と同じであるが、端部２３０ＴＣは、矩形状である。ただし、第１実施形態の場合とは異なり、補助配線２２０の線幅よりも拡がっている。なお、端部２１０ＴＢについても端部２３０ＴＣと同じ形状であってもよいし、端部２１０ＴＢと端部２３０ＴＣとが入れ替わった形状であってもよい。

［実施例１］
第１実施形態における構成に類似した構成で補助配線と上部電極との接続部分の電気抵抗（以下接触抵抗という）を測定した。

図１２は、接触抵抗測定のための補助配線のレイアウトを説明する図である。この実施例では、２系統の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２を想定し、各画素ｐｉｘの４辺に対応して補助配線ＢＬ１、ＢＬ２が対向した端部間ＢＷを設けている。上述の実施形態に対応させると、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２が補助配線２１０、２２０に対応し、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２以外の部分の補助配線（島状に配置されている補助配線、以下、島状補助配線という）が補助配線２３０に対応する。この図では、画素ｐｉｘは、６行６列に配置されているが、以下に説明する実施例では１０行１０列に配置されたものを用いている。画素ｐｉｘの画素ピッチは３１８μｍとした。

まず、基板上に低温ポリシリコンを用いたＴＦＴで画素回路を形成し、ポリイミド２μｍを形成した後、画素電極と接続するためのスルーホールを形成した。そして、画素ｐｉｘに対応した画素電極と、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２、島状補助配線を形成した。画素電極、および電気的に分離された複数系統の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２、島状補助配線は、下層が銀合金（１５０ｎｍ）、上層がＩＴＯ（２０ｎｍ）の積層電極膜で形成されている。続いて、補助配線ＢＬ１と島状補助配線とが対向する端部、補助配線ＢＬ２と島状補助配線とが対向する端部、および端部間ＢＷを開口した絶縁膜を形成した。端部間ＢＷの距離は、どの部分でも同じに形成され、５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍの４種類の実験サンプルを作成した。なお、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２、島状補助配線と、画素電極との距離（最も近い部分）は２０μｍより大きく形成されている。

表面に酸素プラズマ処理を行った後、下層から上層に向けて、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（５０ｎｍ）、ＮＰＢ（７０ｎｍ）、Ｂｌｕｅ ＥＭＬ（３０ｎｍ）、Ａｌｑ（３０ｎｍ）という積層構造の有機ＥＬ層を成膜した。このとき、補助配線ＢＬ１、ＢＬ２の通電用パッド部分には有機ＥＬ層が成膜されないように、各層の蒸着時にマスクをした。

そして、窒素雰囲気下において、２系統の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２に対して、交流電源ＡＧを用いて通電用パッド部分から交流電圧を印加した。この交流電圧は、周波数１００ｋＨｚ、実行印加電圧９００Ｖ〜２５００Ｖｒｍｓの範囲で行った。交流電圧の印加により端部間ＢＷで放電が発生し、複数箇所の端部間ＢＷ近傍で有機ＥＬ層が除去された。

その後、画素ｐｉｘ周囲の補助配線ＢＬ１、ＢＬ２、島状補助配線を覆うように上部電極を成膜し、画素ｐｉｘおよびその周辺を含む領域をガラス基板で封止した。上部電極は、下層がＬｉＦ（１ｎｍ）、上層がＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（１５ｎｍ）とした。なお、上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されている。

このようにして作成した有機ＥＬディスプレイを駆動したところ、いずれの条件においても、３ｍＡの電流で駆動電圧７．１Ａ、発光効率４．５ｃｄ／Ａであった。また接続部分の電気抵抗を測定したところ一箇所当たりの平均が３００Ωであった。

［比較例１］
上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されるのではなく、上部電極とカソード電源とを直接接続したところ、３ｍＡの電流で駆動電圧７．０Ｖ、発光効率４．５ｃｄ／Ａであった。したがって、上記実施例１のように有機ＥＬ層を除去した部分において上部電極と補助配線とが接続し、上部電極とカソード電源とが補助配線を介して間接的に接続されている場合であっても、有機ＥＬ層の発光には大きな影響を与えていない、すなわち、実施例１における上部電極と補助電極との接触部分の電気抵抗が、有機ＥＬ層の発光に問題ない程度の抵抗として実現できていることが確認された。

［比較例２］
実施例１において放電による有機ＥＬ層の除去を行わなかったところ、接続部分の電気抵抗は測定限界（１ＧΩ）以上であった。上部電極とカソード電源とは補助配線を介して間接的に接続されているが、接続部分の抵抗は測定限界以上に高いため、電流が流れず有機ＥＬ層の点灯ができなかった。

１…表示装置、１０…基板、７０…電圧印加部、７１，７２，７３，７４…駆動回路、１００…表示領域、１１０，１１０Ｂ，１１０Ｇ，１００Ｒ…画素電極、２１０，２２０，２３０…補助配線、２１０Ｔ，２２０Ｔ，２３０Ｔ…端部、２５０…電源接続電極、３００…絶縁層、３１０…第１開口部、３２０…第２開口部、３５０…第３開口部、４００…有機ＥＬ層、４５０…残渣物、５００…上部電極、１０００…基板

Claims (5)

1. 複数の画素を有する表示装置であって、
   前記画素に対応して設けられた画素電極と、
   第１端部を有する第１補助配線、第２端部を有する第２補助配線、および前記第１端部および前記第２端部との間に配置された１以上の島状補助配線を含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記補助配線と前記画素電極との距離よりも短い距離で、それぞれの前記補助配線が対向している補助配線と、
   前記画素電極の一部を露出する第１開口部と、前記第１端部、前記第２端部、前記島状補助配線の端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部とを有し、前記画素電極および前記補助配線上に配置された絶縁層と、
   前記第１開口部により露出された前記画素電極上および前記絶縁層上に配置された有機発光層と、
   前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第２開口部における前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む導電層と、
   を備えることを特徴とする表示装置。
2. 前記端部間の距離が５マイクロメートル乃至１００マイクロメートルであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２開口部で電気的に接続された前記補助配線と前記導電層との接続部分が複数であり、
   前記複数の接続部分には、接続抵抗が２００ｋΩ以下である接続部分が含まれることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
4. 前記有機発光層を発光させるための電力が供給される電源接続電極を備え、
   前記電源接続電極は、前記導電層が接続される一方、前記補助配線には前記導電層を介して間接的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の表示装置。
5. 複数の画素に対応した画素電極を有する表示装置の製造方法であって、
   第１端部を有する第１補助配線、第２端部を有する第２補助配線、および前記第１端部および前記第２端部との間に配置された１以上の島状補助配線を含む複数の補助配線であって、複数の前記画素電極の間の少なくとも一部において、前記補助配線と前記画素電極との距離よりも短い距離で、それぞれの前記補助配線が対向している補助配線を形成し、
   前記画素電極の一部を露出する第１開口部と、前記第１端部、前記第２端部、前記島状補助配線の端部およびこれらの端部間を露出する第２開口部とを有する絶縁層を、前記画素電極および前記補助配線上に形成し、
   前記第１開口部により露出された前記画素電極上、前記第２開口部により露出された前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成し、
   前記第１補助配線と前記第２補助配線との間に交流電圧を印加して前記端部間に放電を起こして、前記第２開口部に露出された前記補助配線の少なくとも一部が露出するように前記有機発光層を除去し、
   前記画素電極上の前記有機発光層上に配置された電極、および前記第２開口部において露出させた前記補助配線と当該電極とを電気的に接続する接続部を含む導電層を形成すること、
   を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。

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