[go: up one dir, main page]

CN105379422B - 柔性显示装置的制造方法和柔性显示装置 - Google Patents

柔性显示装置的制造方法和柔性显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105379422B
CN105379422B CN201480039916.6A CN201480039916A CN105379422B CN 105379422 B CN105379422 B CN 105379422B CN 201480039916 A CN201480039916 A CN 201480039916A CN 105379422 B CN105379422 B CN 105379422B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display device
flexible
terminals
flexible display
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480039916.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105379422A (zh
Inventor
安田有希
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN105379422A publication Critical patent/CN105379422A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105379422B publication Critical patent/CN105379422B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458Terminal pads
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/13439Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302Rigid substrates, e.g. inorganic substrates
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/28Adhesive materials or arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841Self-supporting sealing arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1795Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供能够不损伤端子地进行端子的取出并且充分地防止显示元件的特性的劣化的柔性显示装置的制造方法、和适合利用上述柔性显示装置的制造方法制造的柔性显示装置。本发明的柔性显示装置的制造方法是具备隔着第一粘接层贴合的第一柔性基材和第二柔性基材的柔性显示装置的制造方法,依次包括:工序(1),形成配线和多个端子;工序(2),形成直接覆盖上述多个端子的剥离层;工序(3),依次配置包括上述第一粘接层和上述第二柔性基材的多个层,使得在位于上述剥离层与上述第二柔性基材之间的界面,得到比上述剥离层与上述多个端子的界面的密合力更强的密合力;和工序(4),使上述多个端子露出。

Description

柔性显示装置的制造方法和柔性显示装置
技术领域
本发明涉及柔性显示装置的制造方法和柔性显示装置。更详细而言,涉及具备有机电致发光元件或液晶层等显示元件的柔性显示装置的制造方法和柔性显示装置。
背景技术
近年来,液晶显示装置、有机电致发光显示装置等薄型显示装置快速普及,为了进一步提高这些薄型显示装置的商品性,正在进行具备新的功能的下一代显示装置的开发。作为这样的下一代显示装置之一,可以列举能够弯曲的柔性显示装置。
为了制造柔性显示装置,需要在柔性的基板上形成薄膜晶体管等元件。作为用于进行该形成的方法,已知有将在玻璃基板上预先形成的薄膜晶体管转印至柔性的基板上的方法(例如,参照专利文献1、2)。在该方法中,在专利文献2中,用于与外部端子连接的端子的取出,通过利用蚀刻将位于端子上部的层的规定部分除去来进行。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2004-214281号公报
专利文献2:日本特开2009-205941号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在柔性显示装置的制造中,根据端子的取出方法,存在使端子受到损伤、发生显示元件的特性的劣化的情况。例如,在上述专利文献2中记载的发明中,通过利用氢氟酸对如上述专利文献2的图9所示的玻璃基板进行蚀刻,并利用反应性离子蚀刻法将保护膜蚀刻除去,使端子露出。但是,在进行使用氢氟酸的湿式蚀刻的情况下,通常在湿式蚀刻之后存在清洗工序,因此,不能充分地防止水分从如上述专利文献2的图9所示的柔性基板和密封件侵入,可认为会发生有机电致发光元件的特性劣化的问题。
这样,在具备有机电致发光元件的柔性显示装置的情况下,当通过利用湿式蚀刻等将位于端子上部的密封用的柔性基材或粘接层等除去而进行端子的取出时,存在有机电致发光元件的特性劣化的情况。这是因为,有机电致发光元件具有易受水分和氧气影响的性质。此外,即使在以覆盖有机电致发光元件的方式形成密封膜的情况下,也不能充分地防止由湿式蚀刻等引起的水分等的侵入的影响。
另一方面,在柔性显示装置的制造方法中,为了使得不进行端子的取出工序,例如可以考虑使密封用的柔性基材和粘接层有选择地与端子上部(覆盖端子的部分)以外的部分贴合。但是,在该情况下,在作为贴合与密封用的柔性基材相对的柔性基材的前阶段,将玻璃基板剥离时,没有支承端子的部件(例如,密封用的柔性基材和粘接层),因此,存在在玻璃基板的剥离时产生端子的破损和褶皱等损伤的情况。
本发明是鉴于上述现状而做出的,其目的是提供能够不损伤端子地进行端子的取出并且充分地防止显示元件的特性的劣化的柔性显示装置的制造方法、和能够利用上述柔性显示装置的制造方法制造的柔性显示装置。
用于解决技术问题的手段
本发明的发明人对能够不损伤端子地进行端子的取出并且充分地防止显示元件的特性的劣化的柔性显示装置的制造方法进行了各种研究,着眼于在端子上预先形成与端子的界面的密合力弱的剥离层。发现了,通过使剥离层与端子的界面的密合力在位于剥离层与没有设置端子的相对侧的柔性基材之间的界面中最弱,从相对侧的柔性基材侧将剥离层的上层切断,进一步在剥离层形成切口直至不到达与端子的界面的深度,将被切断的剥离层剥离,将被切断的剥离层的上层和剥离层除去,能够不损伤端子地进行端子的取出。此外,发现了,因为不是利用湿式蚀刻等湿式的方法而是利用干式的方法进行端子的取出,所以能够充分地防止显示元件的特性的劣化。由此,想到能够很好地解决上述技术问题,实现了本发明。
即,根据本发明的一个方式,可以为一种柔性显示装置的制造方法,该柔性显示装置具备通过第一粘接层贴合的第一柔性基材和第二柔性基材,该柔性显示装置的制造方法的特征在于,依次包括下述工序(1)~(4):
工序(1),在上述第一柔性基材或临时的支承基板的主面上的显示区域形成配线,并且在上述主面上的端部区域形成从上述配线导出的多个端子;
工序(2),形成直接覆盖上述多个端子的剥离层;
工序(3),在上述显示区域和上述端部区域依次配置包括上述第一粘接层和上述第二柔性基材的多个层,使得在位于上述剥离层与上述第二柔性基材之间的界面,得到比上述剥离层与上述多个端子的界面的密合力更强的密合力;和
工序(4),在上述端部区域的上述显示区域侧,将上述多个层切断,并在上述剥离层形成切口直至不到达与上述多个端子的界面的深度,进一步,将被切断的上述剥离层的与上述显示区域侧相反的一侧的部分剥离,将被切断的上述多个层和上述剥离层的与上述显示区域侧相反的一侧的部分除去,由此,使上述多个端子的至少一部分露出。
此外,根据本发明的另一个方式,可以为一种柔性显示装置,该柔性显示装置包括:第一柔性基材;配置在上述第一柔性基材的主面上的显示区域的配线和显示元件;配置在上述第一柔性基材的主面上的端部区域,从上述配线导出的多个端子;至少配置在上述显示区域的第一粘接层;和通过上述第一粘接层至少与上述显示区域贴合的第二柔性基材,上述柔性显示装置的特征在于:上述多个端子在上述显示区域侧具有被剥离层覆盖的部分,上述剥离层与上述多个端子的界面的密合力在位于上述剥离层与上述第二柔性基材之间的界面中最弱。
另外,上述本发明的另一个方式的柔性显示装置能够利用上述本发明的一个方式的柔性显示装置的制造方法来制造。
发明效果
根据本发明,能够提供能够不损伤端子地进行端子的取出并且充分地防止显示元件的特性的劣化的柔性显示装置的制造方法、和适合利用上述柔性显示装置的制造方法制造的柔性显示装置。
附图说明
图1是实施方式1~6的柔性显示装置的平面示意图。
图2是表示实施方式1的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。
图3是有机电致发光元件的截面示意图。
图4-1是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式1的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序A~D)。
图4-2是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式1的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序E~F)。
图4-3是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式1的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序G~H)。
图4-4是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式1的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序I~J)。
图4-5是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式1的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序K)。
图5是表示实施方式2和3的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。
图6-1是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式2的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序A~D)。
图6-2是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式2的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序E~F)。
图6-3是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式2的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序G)。
图7是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式3的柔性显示装置的制造流程的截面示意图。
图8是表示实施方式4的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。
图9-1是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式4的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序A~C)。
图9-2是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式4的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序D~E)。
图9-3是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式4的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序F~G)。
图9-4是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式4的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序H)。
图10是表示实施方式5的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。
图11-1是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式5的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序A~C)。
图11-2是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式5的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序D~E)。
图11-3是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式5的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序F~G)。
图11-4是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式5的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序H)。
图12是表示实施方式6的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。
图13-1是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式6的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序A~C)。
图13-2是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式6的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序D~E)。
图13-3是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式6的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序F~G)。
图13-4是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式6的柔性显示装置的制造流程的截面示意图(工序H)。
具体实施方式
以下给出实施方式,参照附图对本发明进行更详细的说明,但是本发明并不仅限定于这些实施方式。此外,以下的实施方式中的各方式在不脱离本发明的主旨的范围内可以适当组合也可以适当变更。另外,本说明书中,第一柔性基材或临时的支承基板的主面是指第一柔性基材或临时的支承基板的、第二柔性基材侧的面。此外,第二柔性基材的主面是指第二柔性基材的、第一柔性基材或临时的支承基板侧的面。
[实施方式1]
在实施方式1中,将在有机电致发光元件上形成的密封膜在端子上也形成,作为剥离层使用。此外,通过在玻璃基板的主面上形成有机电致发光元件等,然后将玻璃基板剥离而改贴在柔性基材上的工艺,制造柔性显示装置。
图1是实施方式1的柔性显示装置的平面示意图。图2是表示实施方式1的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。如图1和图2所示,在实施方式1的柔性显示装置1a中,在柔性基材2a(第一柔性基材)的主面上的显示区域AR1配置有配线5和有机电致发光元件6,在柔性基材2a的主面上的端部区域AR2配置有从配线5导出的多个端子3。在柔性基材2a,通过粘接层4b(第一粘接层)贴合有柔性基材2b(第二柔性基材)。
在柔性基材2a的主面上,依次叠层有粘接层4a(第二粘接层)、聚酰亚胺层7和保护膜8。上述的显示区域AR1的配线5和端部区域AR2的端子3设置在保护膜8上。此外,有机电致发光元件6设置在配线5上。在显示区域AR1,进一步配置有覆盖有机电致发光元件6的密封膜9a、9b和9c。在端部区域AR2,也在显示区域AR1附近在端子3上叠层有密封膜9b’和9c。此外,在端部区域AR2的端子3露出的部分,隔着各向异性导电膜10叠层有柔性印刷基板11。
参照图3对有机电致发光元件6进行说明。图3是有机电致发光元件的截面示意图。如图3所示,有机电致发光元件6包括电极13a(第一电极)、有机电致发光层14和电极13b(第二电极)。电极13a通过在覆盖配线5的绝缘膜12a设置的开口部分与配线5电连接。在配置在电极13a上的有机电致发光层14的周围设置有边缘罩15,覆盖电极13a的端部。电极13b覆盖有机电致发光层14和边缘罩15。
实施方式1的柔性显示装置1a,在电极13a为具有光透射性或光半透射性的电极、且电极13b为具有光反射性的电极的情况下,成为从配线5侧射出光的底部发光型。此外,在电极13a为具有光反射性的电极、且电极13b为具有光透射性或光半透射性的电极的情况下,成为从密封膜9a侧射出光的顶部发光型。以下对顶部发光型的情况进行说明。
接着,参照图4-1~4-5对实施方式1的柔性显示装置的制造方法进行说明。图4-1~4-5是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式1的柔性显示装置的制造流程的截面示意图。
(A)吸热层和聚酰亚胺层的形成
如图4-1的(A)所示,首先,在作为临时的支承基板的玻璃基板16的主面上的显示区域AR1和端部区域AR2形成吸热层17。作为吸热层17,例如通过溅射方式形成厚度为10nm~50nm的钼(Mo)膜。接着,以覆盖吸热层17的方式,例如利用旋涂法、狭缝涂敷法或丝网印刷法,形成由聚酰亚胺的前体构成的膜。
另外,在形成由聚酰亚胺的前体构成的膜之前,出于改善润湿性和粘接性的目的,可以进行作为吸热层17的Mo膜的表面处理。表面处理既可以以干式进行,也可以以湿式进行。作为干式的表面处理,可以列举减压等离子体处理、常压等离子体处理、UV(Ultraviolet:紫外线)处理等。作为湿式的表面处理,可以列举在玻璃基板16上涂敷表面处理剂的方法等。作为上述表面处理剂,例如可以使用硅烷偶联剂、铝类偶联剂或钛酸酯类偶联剂等偶联剂。特别优选硅烷偶联剂。
通过对由聚酰亚胺的前体构成的膜进行烧制来形成聚酰亚胺层7。烧制温度优选比在之后的工序中形成配线5、端子3等时的处理温度高,例如为350℃~500℃。通过使烧制温度高,能够防止由于由聚酰亚胺层7产生的气体而产生的、柔性显示装置的显示不良和特性劣化。
聚酰亚胺层7的厚度优选为5μm以上50μm以下。当聚酰亚胺层7的厚度小于5μm时,难以确保机械强度。当聚酰亚胺层7的厚度超过50μm时,有可能由于聚酰亚胺层7剥离等的影响而不能稳定地形成叠层体。
(B)保护膜的形成
如图4-1的(B)所示,以覆盖聚酰亚胺层7的方式形成保护膜8。在之后的工序中形成的有机电致发光元件6具有易受水分和氧气影响的性质,形成保护膜8是用于防止来自玻璃基板16侧的水分等侵入。
作为保护膜8的材料,例如可以列举防湿性高的硅(Si)或铝(Al)等的氧化物或氮化物。作为上述氧化物,例如可以列举二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)。作为上述氮化物,例如可以列举氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCN)。作为保护膜8的成膜方法,例如可以列举等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition:化学蒸镀)方式、热CVD方式、溅射方式。为了提高防湿性,保护膜8也可以为叠层体。
(C)配线和端子的形成
如图4-1的(C)所示,在保护膜8上的显示区域AR1形成配线5,在保护膜8上的端部区域AR2形成从配线5导出的端子3。在此,配线5和端子3可以与构成薄膜晶体管元件的要素同时形成。
另外,在设置薄膜晶体管元件的情况下,作为薄膜晶体管元件内的半导体层的材料,例如可以列举低温多晶硅、氧化物半导体。其中,优选使用作为氧化物半导体的一种的、由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Ga-Zn-O)。这是因为,通常氧化物半导体的处理温度为比低温多晶硅的处理温度(通常为600℃左右)低的400℃左右,能够比在半导体层之前形成的聚酰亚胺层7的耐热温度(通常为500℃左右)低。
(D)有机电致发光元件的形成
如图4-1的(D)所示,在配线5上形成有机电致发光元件6。如图3所示,有机电致发光元件6通过依次形成电极13a、有机电致发光层14和电极13b等而得到。
作为电极13a,例如可以为通过真空蒸镀方式等形成具有导电性和光反射性的铝(Al)等金属的电极。作为电极13b,例如可以为通过溅射方式等形成具有导电性和光透射性的铟锡氧化物(ITO:Indium Tin Oxide)等的电极。此外,作为彩色化技术,可以为分别涂敷红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的RGB分涂方式或同时使用白色发光层和彩色滤光片层的方式等。
(E)密封膜的形成
如图4-2的(E)所示,在显示区域AR1,以覆盖有机电致发光元件6的方式形成密封膜9a。接着,在显示区域AR1,在密封膜9a上形成密封膜9b,在端部区域AR2,以覆盖端子3和保护膜8的一部分的方式,形成作为剥离层的密封膜9b’。然后,形成密封膜9c,使得该密封膜9c在显示区域AR1覆盖密封膜9b和配线5的一部分,在端部区域AR2覆盖密封膜9b’。另外,密封膜是以覆盖有机电致发光元件的方式形成的膜,是出于保护有机电致发光元件不受水分等的影响的目的而形成的。
密封膜9a、9c为无机膜,密封膜9b、9b’为相同组成的有机膜。并不限定于上述说明,作为密封膜的结构,可以为仅由无机膜构成的单层型、无机膜叠层而形成的多层型、或者无机膜和有机膜叠层而形成的多层型。作为上述无机膜的材料,例如可以列举防湿性高的硅(Si)或铝(Al)等的氧化物或氮化物。作为上述氧化物,例如可以列举二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)。作为上述氮化物,例如可以列举氮化硅(SiNx)、碳氮化硅(SiCN)。作为上述无机膜的成膜方法,可以列举等离子体CVD方式、热CVD方式、真空蒸镀方式、溅射方式等。作为上述有机膜的材料,例如可以列举丙烯酸酯、聚脲、聚对二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺。作为上述有机膜的成膜方法,可以列举真空蒸镀方式。此外,作为无机膜叠层而形成的多层型的密封膜,例如可以列举SiNx/SiCN/SiNx。作为无机膜和有机膜叠层而形成的多层型的密封膜,例如可以列举SiNx/丙烯酸酯/SiNx。
此外,在无机膜和有机膜叠层而形成的多层型的密封膜的情况下,因为有机膜的防湿性低,所以优选如图4-2的(E)所示,以由防湿性高的无机膜(密封膜9c)覆盖有机膜(密封膜9b)的端面的方式形成。在此,在图4-2的(E)所示的结构中,有机膜(密封膜9b)发挥填埋无机膜(密封膜9a)的针孔、覆盖在有机膜(密封膜9b)成膜前和成膜中产生的异物的作用。因此,优选有机膜(密封膜9b)的膜厚为3μm以上5μm以下。当为5μm左右时,能够覆盖通常的针孔和异物。
另外,密封膜9b’是为了使得在之后的工序中容易取出端子而形成的膜,密封膜9b’与端子3的界面的密合力,在密封膜9b’为有机膜时,比在之后的工序中配置的柔性基材2b与粘接层4b的界面、粘接层4b与密封膜9c的界面以及密封膜9c与密封膜9b’的界面的密合力弱。在密封膜9b’为无机膜时,当下层由SiCN构成时,如上述那样密合性变弱。通常,有机膜的密合力比无机膜的密合力低,但是无机膜的密合力能够通过成膜条件进行调整。
作为密封膜9a、9b、9b’、9c的形成方法,使用掩模形成作为第1层的密封膜9a,使用同一掩模以成为如图4-2的(E)所示的分隔的图案的方式同时形成作为第2层的密封膜9b、9b’,以覆盖密封膜9b的方式形成作为第3层的密封膜9c。因此,不需要追加仅用于形成密封膜9b’的掩模。在此,以如图4-2的(E)所示的分隔的图案形成作为第2层的密封膜9b、9b’是因为,如果不分隔而整面地形成第2层的密封膜(有机膜),则第2层的密封膜(有机膜)在端子3以外与配线5的一部分接触,因此,当在之后的工序中进行端子的取出时,当将端子3的上层(覆盖端子3的部分)剥离时,有可能与配线5的一部分接触的第2层的密封膜(有机膜)也被剥离,端子3以外的部分(配线5的一部分)也露出。此外,当在之后的工序中进行端子的取出时,端子3的上层被剥离,因此,可以如图4-2的(E)所示,密封膜9c以在端部区域AR2覆盖密封膜9b’的方式形成。
密封膜9a、9b、9b’、9c,从充分地防止特性的劣化的观点出发,优选以不使有机电致发光元件的温度大幅上升的方式形成。例如,有机电致发光层14的温度优选为100℃以下,更优选为80℃以下。另外,有机电致发光层14的温度更优选为接近室温的程度,但是作为密封膜9a、9b、9b’、9c,在利用CVD形成无机膜的情况下,因为膜的防湿性能低,所以与有机电致发光层的特性的劣化成为此消彼长的关系。
(F)第二柔性基材的贴合
如图4-2的(F)所示,隔着粘接层4b以与玻璃基板16相对的方式贴合柔性基材2b。在贴合时,为了防止气泡的产生,优选在真空中进行贴合。作为柔性基材2b,优选使用以芳香族聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺、聚芳酯或聚酰亚胺等为材质的薄膜。作为粘接层4b,例如能够使用反应固化型粘接剂、热固化型粘接剂、紫外线固化型粘接剂。
另外,在以成为顶部发光型的方式形成有机电致发光元件6的情况下,优选柔性基材2b不仅为柔性而且透明。具体而言,例如可以列举透明的薄膜、透明的塑料基板。
柔性基材2b的厚度没有特别限定,但是在过薄的情况下(例如,5μm以上20μm以下),当在之后的工序中剥离玻璃基板16时,柔性基材2b不能支承其它部件,有可能由于密封膜9a、9b、9b’、9c、配线5、端子3和保护膜8等的应力而在玻璃基板16剥离之后产生褶皱。因此,优选柔性基材2b的厚度为不产生上述那样的褶皱的厚度,例如优选为50μm以上。此外,例如,只要使用在厚度为5μm左右的薄的薄膜上贴合厚度为100μm左右的带自吸附层的薄膜(例如,聚对苯二甲酸乙二醇酯)而得到的膜,在之后的工序中剥离玻璃基板16之后,将带自吸附层的薄膜剥离,就能够制造使用薄的薄膜的柔性显示装置,能够实现柔性显示装置的薄型化。
(G)贴合后的基板切断
沿图4-3的(G)所示的线段a-a’从柔性基材2b侧将柔性基材2b和粘接层4b切断,接着从玻璃基板16侧将剩余的层和玻璃基板16切断。在此,由线段a-a’表示的切断位置只要为横切吸热层17而不横切配线5和端子3的位置即可,这是因为,作为在之后的工序中剥离玻璃基板16的方法,采用从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面进行剥离的方法。作为从柔性基材2b侧切断的切断方法,没有特别限定,可以列举使用激光的方法等。此外,作为从玻璃基板16侧切断的切断方法,能够使用将玻璃基板切断的通常的方法,例如,可以列举利用金刚石砂轮等形成切口,通过施加外力而从切口部进行切断的方法。
(H)对吸热层的激光照射
如图4-3的(H)中的箭头符号所示,从被切断的玻璃基板16侧照射激光。由此,吸热层17吸收热,因此,吸热层17与聚酰亚胺层7之间的密合性降低,在之后的工序中,能够从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面将玻璃基板16和吸热层17一起剥离。在此,作为激光,例如可以使用紫外线,优选使用准分子激光(例如,波长308nm)。另外,激光照射前后的薄膜晶体管元件的特性没有变化。
(I)玻璃基板的剥离
如图4-4的(I)所示,从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面将玻璃基板16和吸热层17一起剥离。在此,作为剥离方法,例如可以由人剥掉,也可以由驱动辊或机器人等装置剥掉。
上述的对吸热层的激光照射时,当在不存在柔性基材2b的状态下进行激光照射时,不能支承密封膜9a、9b、9b’、9c、配线5、端子3和保护膜8等,有可能由于它们的应力而在玻璃基板16剥离之后产生褶皱。因此,在剥离玻璃基板16时,在端子3的上层(覆盖端子3的部分)也设置有柔性基材2b和粘接层4b。假如,在为了使得不进行端子的取出而在端子3的上层以外的部分有选择地贴合柔性基材2b和粘接层4b的情况下,在将玻璃基板16剥离时,有可能产生上述那样的褶皱。
此外,在本实施方式中,采用了从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面进行剥离的方法,但是也可以使用上述专利文献1中公开的剥离方法。即,可以使用如下方法:在玻璃基板16的主面上形成金属膜,在该金属膜上形成含有该金属的氧化物层,通过进行加热处理使氧化物层结晶,从氧化物层的层内或氧化物层与金属膜的界面进行剥离。
(J)第一柔性基材的贴合
如图4-4的(J)所示,隔着粘接层4a以与柔性基材2b相对的方式贴合柔性基材2a。在贴合时,为了防止气泡的产生,优选在真空中进行贴合。作为柔性基材2a,优选使用以芳香族聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺、聚芳酯或聚酰亚胺等为材质的薄膜。此外,也可以使用透明塑料基板等透明的柔性基材。此外,作为粘接层4a,能够使用反应固化型粘接剂、热固化型粘接剂、紫外线固化型粘接剂等。此外,作为柔性基材2a和粘接层4a,分别优选使用与柔性基材2b和粘接层4b相同的材质的柔性基材和粘接层。这是因为,在作为柔性显示装置完成的状态下,不会由于应力等而弯曲。
(K)端子的取出
沿图4-5的(K)所示的线段b-b’从柔性基材2b侧将柔性基材2b、粘接层4b和密封膜9c切断,进一步在密封膜9b’形成切口。作为切断方法,优选激光照射。在此,作为激光,能够使用与在上述的贴合后的基板切断时使用的激光相同的激光。
接着,将被切断的密封膜9b’的端部区域AR2侧的部分剥离。这是因为,如上所述,密封膜9b’与端子3的界面的密合力比柔性基材2b与粘接层4b的界面、粘接层4b与密封膜9c的界面以及密封膜9c与密封膜9b’的界面的密合力弱,因此,只要在密封膜9b’形成切口,就能够剥离。
此外,由线段b-b’表示的切断位置的终端b’的位置,在图4-5的(K)中的横方向上位于端部区域AR2内的显示区域AR1附近,在图4-5的(K)中的纵方向上位于不到达密封膜9b’与端子3的界面的深度。在此,切断位置的终端b’优选为密封膜9b’的端子3上的厚度的50%以上90%以下被切断的位置(深度)。另外,密封膜9b’被切断的深度越深,越能够更容易地将被切断的密封膜9b’的一部分剥离。当密封膜9b’被切断的深度小于密封膜9b’的端子3上的厚度的50%时,有可能难以剥离,在密封膜9b’被切断的深度超过密封膜9b’的端子3上的厚度的90%的情况下,有可能在切断时对端子3造成损伤。
接着,将被切断的柔性基材2b、粘接层4b、密封膜9c和密封膜9b’的端部区域AR2侧的部分除去,由此使端子3露出。端子的取出在剥离玻璃基板16之前进行会使得后述的柔性印刷基板11的压接容易进行,假如在端子3的上层不存在柔性基材2b和粘接层4b等的状态下进行上述的对吸热层的激光照射,则柔性基材2b不能支承端子3,有可能由于密封膜9a、9b、9b’、9c、配线5、端子3和保护膜8等的应力而在玻璃基板16剥离之后产生褶皱。
根据以上说明,能够不损伤端子3地进行端子3的取出。此外,因为利用干式的方法进行端子的取出,所以能够充分地防止有机电致发光元件6的特性的劣化。
在如上述那样进行端子3的取出后,使用各向异性导电膜10在露出的端子3上压接柔性印刷基板11,图2所示的柔性显示装置1a完成。
在此,在柔性显示装置1a,在柔性印刷基板11附近残留有在上述的端子的取出时被切断的密封膜9b’。由此,在制造后的状态下也能够确认使用了本实施方式的制法。
以下说明密封膜9b’残留的理由。当考虑使用掩模形成密封膜9b’(有机膜)时的模糊量(毛边量)(设计上的成膜宽度与实际的成膜宽度的差)等时,难以在与密封膜9b’的端部完全相同的位置进行切断以使被切断的密封膜9b’不残留。通常,在使用蒸镀方式的情况下,上述模糊量大,此外,在使用CVD方式的情况下,根据装置的腔室的不同,上述模糊量也大幅变化,因此,也存在密封膜9b’的端部的膜厚与设计上的目标值不同的情况。因此,当为了提高制造效率而想要在密封膜9b’的膜厚稳定的位置进行切断时,每次都要进行切断位置等的调整。进一步,当也考虑切断装置的切断精度等时,难以在密封膜9b’的端部进行切断。因此,在柔性显示装置1a会残留密封膜9b’。
[实施方式2]
在实施方式2中,在端子上也形成在有机电致发光元件上形成的密封膜,将该密封膜作为剥离层使用。此外,通过在玻璃基板的主面上贴合柔性基材,进一步形成有机电致发光元件等,然后将玻璃基板剥离的工艺,制造柔性显示装置。
实施方式2的柔性显示装置的平面的结构与实施方式1同样,其平面示意图如图1所示。图5是表示实施方式2的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。如图5所示,实施方式2的柔性显示装置1b,除了在柔性基材2a与保护膜8之间不存在粘接层4a和聚酰亚胺层7以外,与实施方式1的柔性显示装置1a同样。如图5所示,在柔性基材2a的主面上配置有保护膜8。
接着,参照图6-1~6-3对实施方式2的柔性显示装置的制造方法进行说明。图6-1~6-3是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式2的柔性显示装置的制造流程的截面示意图。
实施方式2的柔性显示装置的制造方法,除了将玻璃基板、吸热层和聚酰亚胺层一体化的结构替换成在玻璃基板的主面上贴合柔性基材的结构以外,与实施方式1的柔性显示装置的制造方法同样,因此,对重复之处适当地省略说明。
(A)玻璃基板与柔性基材的贴合和保护膜的形成
如图6-1的(A)所示,在作为临时的支承基板的玻璃基板16的主面上,使用能够在之后工序中剥离的树脂剥离层等,贴合柔性基材2a。作为树脂剥离层,已知有UV固化型和热固化型的树脂剥离层。作为树脂剥离层的材质,可以列举丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺等。此外,因为树脂的耐热性(400℃左右),薄膜晶体管元件制造时的温度也需要一并降低。接着,在柔性基材2a的主面上的显示区域AR1和端部区域AR2形成保护膜8。
(B)配线和端子的形成
如图6-1的(B)所示,在保护膜8上的显示区域AR1形成配线5,在保护膜8上的端部区域AR2形成从配线5导出的端子3。
(C)有机电致发光元件的形成
如图6-1的(C)所示,在配线5上形成有机电致发光元件6。
(D)密封膜的形成
如图6-1的(D)所示,在显示区域AR1,以覆盖有机电致发光元件6的方式形成密封膜9a。接着,在显示区域AR1,在密封膜9a上形成密封膜9b,在端部区域AR2,以覆盖端子3和保护膜8的一部分的方式,形成作为剥离层的密封膜9b’。然后,形成密封膜9c,使得该密封膜9c在显示区域AR1覆盖密封膜9b和配线5的一部分,在端部区域AR2覆盖密封膜9b’。
密封膜9a、9c是无机膜,密封膜9b、9b’是相同组成的有机膜。密封膜9b’是为了使得在之后的工序中容易取出端子而形成的膜,密封膜9b’与端子3的界面的密合力,在密封膜9b’为有机膜时,比在之后的工序中配置的柔性基材2b与粘接层4b的界面、粘接层4b与密封膜9c的界面以及密封膜9c与密封膜9b’的界面的密合力弱。在密封膜9b’为无机膜时,当下层由SiCN构成时,如上述那样密合性变弱。在此,密封膜9b’只要满足上述那样的密合力的关系,也可以为无机膜。
(E)第二柔性基材的贴合
如图6-2的(E)所示,隔着粘接层4b以与玻璃基板16相对的方式贴合柔性基材2b。
(F)玻璃基板的剥离
如图6-2的(F)所示,从柔性基材2a与树脂剥离层的界面将玻璃基板16物理地剥离。因此,树脂剥离层在玻璃基板16侧残留,在柔性基材2a侧没有树脂剥离层。在实施方式2中,使用了树脂剥离层,因此,与实施方式1不同,可以不进行用于将玻璃基板16剥离的激光照射(对吸热层的激光照射)等。
(G)端子的取出
如图6-3的(G)所示,使用激光等,沿线段b-b’从柔性基材2b侧将柔性基材2b、粘接层4b和密封膜9c切断,并进一步在密封膜9b’形成切口。
接着,将被切断的密封膜9b’的端部区域AR2侧的部分剥离。这是因为,如上所述,密封膜9b’与端子3的界面的密合力比柔性基材2b与粘接层4b的界面、粘接层4b与密封膜9c的界面以及密封膜9c与密封膜9b’的界面的密合力弱,因此,只要在密封膜9b’形成切口,就能够进行剥离。
此外,由线段b-b’表示的切断位置的终端b’的位置,在图6-3的(G)中的横方向上位于端部区域AR2内的显示区域AR1附近,在图6-3的(G)中的纵方向上位于不到达密封膜9b’与端子3的界面的深度。
接着,将被切断的柔性基材2b、粘接层4b、密封膜9c和密封膜9b’的端部区域AR2的部分除去,由此使端子3露出。此外,在图6-3的(G)的状态至图5的状态之间,端部区域AR2的柔性基材2a和保护膜8的一部分在面板切断线被激光切割。
根据以上说明,能够不损伤端子3地进行端子3的取出。此外,因为利用干式的方法进行端子3的取出,所以能够充分地防止有机电致发光元件6的特性的劣化。
在如上述那样进行端子3的取出后,使用各向异性导电膜10在露出的端子3上压接柔性印刷基板11,图5所示的柔性显示装置1b完成。
在此,在柔性显示装置1b,在柔性印刷基板11附近残留有在上述的端子的取出时被切断的密封膜9b’。由此,在制造后的状态下也能够确认使用了本实施方式2的制法。
此外,实施方式2的制造工序数比实施方式1的制造工序数少,根据实施方式2的柔性显示装置的制造方法,能够提高制造效率。
[实施方式3]
实施方式3的柔性显示装置的制造方法,除了将玻璃基板、吸热层和聚酰亚胺层一体化的结构替换成柔性基材以外,与实施方式1的柔性显示装置的制造方法同样,因此对重复之处适当地省略说明。
实施方式3的柔性显示装置的平面的结构与实施方式1同样,其平面示意图如图1所示。此外,实施方式3的柔性显示装置的截面的结构与实施方式2同样,其截面示意图如图5所示。
参照图7对实施方式3的柔性显示装置的制造方法进行说明。图7是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式3的柔性显示装置的制造流程的截面示意图。
(A)保护膜的形成
如图7的(A)所示,在柔性基材2a的主面上的显示区域AR1和端部区域AR2形成保护膜8。
(B)配线和端子的形成
如图7的(B)所示,在保护膜8上的显示区域AR1形成配线5,在保护膜8上的端部区域AR2,形成从配线5导出的端子3。
(C)有机电致发光元件的形成
如图7的(C)所示,在配线5上形成有机电致发光元件6。
(D)密封膜的形成
如图7的(D)所示,在显示区域AR1,以覆盖有机电致发光元件6的方式形成密封膜9a。接着,在显示区域AR1,在密封膜9a上形成密封膜9b,在端部区域AR2,以覆盖端子3和保护膜8的一部分的方式形成作为剥离层的密封膜9b’。然后,形成密封膜9c,使得该密封膜9c在显示区域AR1覆盖密封膜9b和配线5的一部分,在端部区域AR2覆盖密封膜9b’。
密封膜9a、9c是无机膜,密封膜9b、9b’是相同组成的有机膜。密封膜9b’是为了在之后的工序中适当地进行端子的取出而形成的膜,密封膜9b’与端子3的界面的密合力,在密封膜9b’为有机膜时,比在之后的工序中配置的柔性基材2b与粘接层4b的界面、粘接层4b与密封膜9c的界面以及密封膜9c与密封膜9b’的界面的密合力弱。在密封膜9b’为无机膜时,当下层由SiCN构成时,如上述那样密合性变弱。
(E)第二柔性基材的贴合
如图7的(E)所示,隔着粘接层4b以与柔性基材2a相对的方式贴合柔性基材2b。
(F)端子的取出
在本实施方式中,端子的取出能够与实施方式2同样地进行。根据以上说明,能够不损伤端子3地进行端子3的取出。此外,因为利用干式的方法进行端子3的取出,所以能够充分地防止有机电致发光元件6的特性的劣化。
在如上述那样进行端子3的取出后,使用各向异性导电膜10在露出的端子3上压接柔性印刷基板11,如图5所示的柔性显示装置1b完成。
此外,实施方式3的制造工序数比实施方式1和2的制造工序数少,根据实施方式3的柔性显示装置的制造方法,能够提高制造效率。
[实施方式4]
在实施方式4中,在端子上也形成有机电致发光元件的有机电致发光层,将该有机电致发光层作为剥离层使用。此外,通过在玻璃基板的主面上形成有机电致发光元件等,然后将玻璃基板剥离而改贴在柔性基材上的工艺,制造柔性显示装置。
实施方式4的柔性显示装置的平面的结构与实施方式1同样,其平面示意图如图1所示。图8是表示实施方式4的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。如图8所示,实施方式4的柔性显示装置1c,除了密封膜9c的形状和使用有机电致发光层14’代替密封膜9b’以外,与实施方式1的柔性显示装置1a同样,因此,对重复之处适当地省略说明。
如图8所示,在柔性基材2a的主面上,依次叠层有粘接层4a、聚酰亚胺层7和保护膜8。在保护膜8上的显示区域AR1配置有配线5,在保护膜8上的端部区域AR2配置有从配线5导出的端子3。在显示区域AR1,在配线5上设置有包含有机电致发光层14的有机电致发光元件6,并设置有覆盖有机电致发光元件6的密封膜9a、9b和9c。在端部区域AR2,也在显示区域AR1附近在端子3上叠层有有机电致发光层14’。此外,在端子3露出的部分,隔着各向异性导电膜10叠层有柔性印刷基板11。
接着,参照图9-1~9-4对实施方式4的柔性显示装置的制造方法进行说明。图9-1~9-4是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式4的柔性显示装置的制造流程的截面示意图
实施方式4的柔性显示装置的制造方法,除了密封膜9c的形状和形成有机电致发光层14’代替密封膜9b’以外,与实施方式1同样,因此,对重复之处适当地省略说明。
在本实施方式中,吸热层、聚酰亚胺层、保护膜、配线和端子的形成分别与实施方式1同样,因此,对重复之处适当地省略说明。
(A)有机电致发光元件的形成
如图9-1的(A)所示,在显示区域AR1,在配线5上形成有机电致发光元件6,在端部区域AR2,以覆盖端子3和保护膜8的一部分的方式形成作为剥离层的有机电致发光层14’。
有机电致发光元件6具有参照图3已经说明的那样的结构。有机电致发光元件6具备的有机电致发光层14既可以为仅由发光层构成的单层型,也可以为除发光层以外,还叠层有空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层等的多层型。也可以包括如将空穴注入层与空穴输送层一体化而形成的空穴注入层兼空穴输送层、将电子输送层与电子注入层一体化而形成的电子注入层兼电子输送层那样具有2个以上功能的层。
作为有机电致发光层14的层的结构,例如可以列举下述(a)~(e)所示的结构。
(a)发光层
(b)空穴注入层/空穴输送层/发光层/电子输送层/电子注入层
(c)空穴注入层兼空穴输送层/发光层/电子注入层兼电子输送层
(d)空穴注入层/空穴输送层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子输送层/电子注入层
(e)空穴注入层兼空穴输送层/电子阻挡层/发光层/空穴阻挡层/电子注入层兼电子输送层
有机电致发光层14’是与有机电致发光层14中包含的层中的至少1个层同时形成的层,并具有相同的组成。有机电致发光层14’是为了在之后的工序中适当地进行端子的取出而形成的层,有机电致发光层14’与端子3的界面的密合力,比在之后的工序中配置的柔性基材2b与粘接层4b的界面以及粘接层4b与有机电致发光层14’的界面的密合力弱。
有机电致发光层14和14’如图9-1所示相互分离地配置,但是能够使用同一掩模同时形成。因此,不需要追加仅用于形成有机电致发光层14’的掩模。在此,将有机电致发光层14和14’分离是因为,假如不将有机电致发光层分离而整面地形成,则在之后的工序中进行端子的取出时,当将覆盖端子3的端部区域AR2的上层剥离时,会剥离至显示区域AR1的有机电致发光层,有可能端子3以外的部分(配线5的一部分)也露出。
(B)密封膜的形成
如图9-1的(B)所示,在显示区域AR1,以覆盖有机电致发光元件6的方式形成密封膜9a。接着,在显示区域AR1,在密封膜9a上形成密封膜9b。然后,以覆盖密封膜9b和配线5的一部分的方式形成密封膜9c。在此,密封膜9a、9c为无机膜,密封膜9b为有机膜。
作为密封膜9a、9b、9c的形成方法,使用掩模形成作为第1层的密封膜9a,使用形成密封膜9a时的同一掩模形成作为第2层的密封膜9b,以覆盖密封膜9b的方式形成作为第3层的密封膜9c。因此,能够使实施方式4的密封膜的形成中使用的掩模的块数比实施方式1的密封膜的形成中使用的掩模的块数减少1块。
(C)第二柔性基材的贴合
如图9-1的(C)所示,隔着粘接层4b以与玻璃基板16相对的方式贴合柔性基材2b。
(D)贴合后的基板切断
如图9-2的(D)所示,沿线段a-a’,使用激光等从柔性基材2b侧将柔性基材2b和粘接层4b切断,接着,从玻璃基板16侧将剩余的层和玻璃基板16切断。在此,由线段a-a’表示的切断位置只要是横切吸热层17而不横切配线5和端子3的位置即可,这是因为,作为在之后的工序中剥离玻璃基板16的方法,采用从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面进行剥离的方法。
(E)对吸热层的激光照射
如图9-2的(E)中的箭头符号所示,从被切断的玻璃基板16侧照射激光。由此,吸热层17吸收热,因此,吸热层17与聚酰亚胺层7之间的密合性降低,在之后的工序中,能够从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面将玻璃基板16和吸热层17一起剥离。
(F)玻璃基板的剥离
如图9-3的(F)所示,从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面将玻璃基板16和吸热层17一起剥离。
(G)第一柔性基材的贴合
如图9-3的(G)所示,隔着粘接层4a以与柔性基材2b相对的方式贴合柔性基材2a。
(H)端子的取出
沿图9-4的(H)所示的线段b-b’从柔性基材2b侧将柔性基材2b和粘接层4b切断,并进一步在有机电致发光层14’形成切口。作为切断方法,优选激光照射。在此,作为激光,能够使用与在上述的贴合后的基板切断中使用的激光相同的激光。
接着,将被切断的有机电致发光层14’的端部区域AR2侧的部分剥离。这是因为,如上所述,有机电致发光层14’与端子3的界面的密合力比柔性基材2b与粘接层4b的界面以及粘接层4b与有机电致发光层14’的界面的密合力弱,因此,只要在有机电致发光层14’形成切口,就能够进行剥离。
此外,由线段b-b’表示的切断位置的终端b’的位置,在图9-4的(H)中的横方向上位于端部区域AR2内的显示区域AR1附近,在图9-4的(H)中的纵方向上位于不到达有机电致发光层14’与端子3的界面的深度。在此,切断位置的终端b’优选为有机电致发光层14’的端子3上的厚度的50%以上90%以下被切断的位置(深度)。另外,有机电致发光层14’被切断的深度越深,就越能够更容易地将被切断的有机电致发光层14’的一部分剥离。当有机电致发光层14’被切断的深度小于有机电致发光层14’的端子3上的厚度的50%时,有可能变得难以剥离,在有机电致发光层14’被切断的深度超过有机电致发光层14’的端子3上的厚度的90%的情况下,有机电致发光层14’的厚度通常薄至200nm以上400nm以下左右,因此,有可能在切断时对端子3造成损伤。
接着,将被切断的柔性基材2b、粘接层4b和有机电致发光层14’的端部区域AR2侧的部分除去,由此使端子3露出。
根据以上说明,能够不损伤端子3地进行端子3的取出。此外,因为利用干式的方法进行端子的取出,所以能够充分地防止有机电致发光元件6的特性的劣化。
在如上述那样进行端子3的取出后,使用各向异性导电膜10在露出的端子3压接柔性印刷基板11,如图8所示的柔性显示装置1c完成。
在此,在柔性显示装置1c,在柔性印刷基板11附近残留有在上述的端子的取出中被切断的有机电致发光层14’。由此,在制造后的状态下也能够确认使用了本实施方式的制法。
以下说明有机电致发光层14’残留的理由。当考虑使用掩模蒸镀有机电致发光层14’时的模糊量等,难以在与有机电致发光层14’的端部完全相同的位置进行切断以使被切断的有机电致发光层14’不残留。通常,在使用蒸镀方式的情况下,上述模糊量大,因此,也存在有机电致发光层14’的端部的膜厚与设计上的目标值不同的情况。因此,当为了提高制造效率而想要在有机电致发光层14’的膜厚稳定的位置进行切断时,每次都要进行切断位置等的调整。进一步,当也考虑切断装置的切断精度等时,难以在有机电致发光层14’的端部进行切断。因此,在柔性显示装置1c会残留有机电致发光层14’。
在本实施方式中,采用了在玻璃基板的主面上形成有机电致发光元件等,然后将玻璃基板剥离而改贴在柔性基材上的工艺,作为本实施方式的变形例,可以列举采用在将柔性基材贴合在玻璃基板的主面上而得到的结构上形成有机电致发光元件等、并在之后的工序中将玻璃基板剥离的工艺的情况。在该情况下,除了密封膜9c的形状和形成有机电致发光层14’代替密封膜9b’以外,与实施方式2的柔性显示装置的制造方法同样。
此外,作为本实施方式的其它变形例,可以列举采用在柔性基材的主面上形成有机电致发光元件等的工艺的情况。在该情况下,除了密封膜9c的形状和形成有机电致发光层14’代替密封膜9b’以外,与实施方式3的柔性显示装置的制造方法同样。
[实施方式5]
在实施方式5中,使用具有自吸附层的薄膜作为剥离层。此外,通过在玻璃基板的主面上形成有机电致发光元件等,然后将玻璃基板剥离而改贴在柔性基材上的工艺,制造柔性显示装置。
实施方式5的柔性显示装置的平面的结构与实施方式1同样,其平面示意图如图1所示。图10是表示实施方式5的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。如图10所示,实施方式5的柔性显示装置1d,除了密封膜9c的形状和使用具有自吸附层19的薄膜18代替密封膜9b’以外,与实施方式1的柔性显示装置1a同样,因此,对重复之处适当地省略说明。
如图10所示,在柔性基材2a的主面上依次叠层有粘接层4a、聚酰亚胺层7和保护膜8。在保护膜8上的显示区域AR1配置有配线5,在保护膜8上的端部区域AR2配置有从配线5导出的端子3。在显示区域AR1,在配线5上设置有有机电致发光元件6,并设置有覆盖有机电致发光元件6的密封膜9a、9b和9c。在端部区域AR2,也在显示区域AR1附近在端子3上叠层有自吸附层19和薄膜18。此外,在端子3露出的部分,隔着各向异性导电膜10叠层有柔性印刷基板11。
接着,参照图11-1~11-4对实施方式5的柔性显示装置的制造方法进行说明。图11-1~11-4是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式5的柔性显示装置的制造流程的截面示意图。
实施方式5的柔性显示装置的制造方法,除了密封膜9c的形状和使用具有自吸附层19的薄膜18代替密封膜9b’以外,与实施方式1同样,因此,对重复之处适当地省略说明。
在本实施方式中,吸热层、聚酰亚胺层、保护膜、配线、端子和有机电致发光元件的形成分别与实施方式1同样,因此,对重复之处适当地省略说明。
(A)密封膜的形成
如图11-1的(A)所示,在显示区域AR1,以覆盖有机电致发光元件6的方式形成密封膜9a。接着,在显示区域AR1,在密封膜9a上形成密封膜9b,以覆盖密封膜9b和配线5的一部分的方式形成密封膜9c。在此,密封膜9a、9c为无机膜,密封膜9b为有机膜。
作为密封膜9a、9b、9c的形成方法,使用掩模形成作为第1层的密封膜9a,使用形成密封膜9a时的同一掩模形成作为第2层的密封膜9b,以覆盖密封膜9b的方式形成作为第3层的密封膜9c。因此,能够使实施方式5的密封膜的形成中使用的掩模的块数比实施方式1的密封膜的形成中使用的掩模的块数减少1块。
(B)薄膜的贴合
如图11-1的(B)所示,在端部区域AR2,以覆盖端子3和保护膜8的一部分的方式,贴合作为剥离层的具有自吸附层19的薄膜18。在此,可以使用粘接剂等贴合薄膜18,但是在使用具有自吸附层19的薄膜18时,当在之后的工序中将薄膜18和自吸附层19一起剥离时,端子3不会附着粘接剂等,因此,能够适当地进行端子的取出。作为薄膜18的材质,例如可以列举聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。此外,作为自吸附层19,例如可以列举对薄膜18实施表面加工而形成的层、烯烃类的粘接层、密合力通过UV照射而降低的树脂的层。
具有自吸附层19的薄膜18是为了在之后的工序中适当地进行端子的取出而形成的薄膜,自吸附层19与端子3的界面的密合力比柔性基材2b与粘接层4b的界面以及粘接层4b与薄膜18的界面的密合力弱。如果在自吸附层19与端子3的界面的密合力比柔性基材2b与粘接层4b的界面以及粘接层4b与薄膜18的界面的密合力强的情况下,当在之后的工序中将具有自吸附层19的薄膜18剥离时,会对端子3造成损伤,或者产生剥离残留,需要利用剥离剂等将该剥离残留除去。
另外,在本实施方式中,薄膜的贴合在密封膜的形成之后进行,其理由是因为,当利用CVD方式、蒸镀方式等时,在真空中形成密封膜,因此,有可能由于从薄膜18产生的气体的原因而引起有机电致发光元件6的特性的劣化。在使用即使在真空中也不会对有机电致发光元件6的特性产生影响的薄膜18的情况下,也可以在密封膜的形成前进行本实施方式的薄膜贴合。
此外,关于本实施方式的柔性显示装置的制造工序数,由于存在薄膜的贴合的工序而比实施方式1增加,但是有机电致发光元件6和密封膜9a、9b、9c等为与通常的有机电致发光显示装置同样的图案,能够共用掩模,因此,可以不追加新的掩模。
(C)第二柔性基材的贴合
如图11-1的(C)所示,隔着粘接层4b以与玻璃基板16相对的方式贴合柔性基材2b。
(D)贴合后的基板切断
使用激光等沿图11-2的(D)所示的线段a-a’从柔性基材2b侧将柔性基材2b、粘接层4b、薄膜18和自吸附层19切断,接着从玻璃基板16侧将剩余的层和玻璃基板16切断。在此,由线段a-a’表示的切断位置只要为横切吸热层17而不横切配线5和端子3的位置即可,这是因为,作为在之后的工序中将玻璃基板16剥离的方法,采用从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面进行剥离的方法。
(E)对吸热层的激光照射
如图11-2的(E)中的箭头符号所示,从被切断的玻璃基板16侧照射激光。由此,吸热层17吸收热,因此,吸热层17与聚酰亚胺层7之间的密合性降低,在之后的工序中,能够从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面将玻璃基板16和吸热层17一起剥离。
(F)玻璃基板的剥离
如图11-3的(F)所示,从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面将玻璃基板16和吸热层17一起剥离。
(G)第一柔性基材的贴合
如图11-3的(G)所示,隔着粘接层4a以与柔性基材2b相对的方式贴合柔性基材2a。
(H)端子的取出
沿图11-4的(H)所示的线段b-b’从柔性基材2b侧将柔性基材2b、粘接层4b和薄膜18切断,并进一步在自吸附层19形成切口。作为切断方法,优选激光照射。在此,作为激光,能够使用与在上述的贴合后的基板切断中使用的激光相同的激光。
接着,将被切断的薄膜18和自吸附层19的端部区域AR2侧的部分剥离。这是因为,如上所述,自吸附层19与端子3的界面的密合力比柔性基材2b与粘接层4b的界面以及粘接层4b与薄膜18的界面的密合力弱,因此,只要在自吸附层19形成切口,就能够进行剥离。
此外,由线段b-b’表示的切断位置的终端b’的位置,在图11-4的(H)中的横方向上位于端部区域AR2的显示区域AR1附近,在图11-4的(H)中的纵方向上位于不到达自吸附层19与端子3的界面的深度。在此,切断位置的终端b’优选为自吸附层19的端子3上的厚度的50%以上90%以下被切断的位置(深度)。另外,自吸附层19被切断的深度越深,就越能够更容易地将被切断的薄膜18和自吸附层19的一部分剥离。当自吸附层19被切断的深度小于自吸附层19的端子3上的厚度的50%时,有可能变得难以剥离,在自吸附层19被切断的深度超过自吸附层19的端子3上的厚度的90%的情况下,有可能在切断时对端子3造成损伤。
接着,将被切断的柔性基材2b、粘接层4b、薄膜18和自吸附层19的端部区域AR2侧的部分除去,由此使端子3露出。
根据以上说明,能够不损伤端子3地进行端子3的取出。此外,因为利用干式的方法进行端子的取出,所以能够充分地防止有机电致发光元件6的特性的劣化。
在如上述那样进行端子3的取出后,使用各向异性导电膜10在露出的端子3上压接柔性印刷基板11,如图10所示的柔性显示装置1d完成。
在此,在柔性显示装置1d,在柔性印刷基板11附近残留有在上述的端子的取出中被切断的薄膜18和自吸附层19。由此,在制造后的状态下也能够确认使用了本实施方式的制法。在上述的端子的取出中,当考虑切断装置的切断精度等时,难以在与薄膜18和自吸附层19的端部完全相同的位置进行切断。因此,在柔性显示装置1d会残留薄膜18和自吸附层19。
在本实施方式中,采用了在玻璃基板的主面上形成有机电致发光元件等,然后将玻璃基板剥离而改贴在柔性基材上的工艺,作为本实施方式的变形例,可以列举采用在将柔性基材贴合在玻璃基板的主面上而得到的结构上形成有机电致发光元件等、并在之后的工序中将玻璃基板剥离的工艺的情况。在该情况下,除了密封膜9c的形状和形成具有自吸附层19的薄膜18代替密封膜9b’以外,与实施方式2的柔性显示装置的制造方法同样。
此外,作为本实施方式的其它变形例,可以列举采用在柔性基材的主面上形成有机电致发光元件等的工艺的情况。在该情况下,除了密封膜9c的形状和形成具有自吸附层19的薄膜18代替密封膜9b’以外,与实施方式3的柔性显示装置的制造方法同样。
[实施方式6]
实施方式6涉及具备液晶层的柔性显示装置,使用层间膜作为剥离层。此外,通过在玻璃基板的主面上配置液晶层等,然后将玻璃基板剥离而改贴在柔性基材上的工艺,制造柔性显示装置。
实施方式6的柔性显示装置的平面的结构与实施方式1同样,其平面示意图如图1所示。图12是表示实施方式6的柔性显示装置的沿图1中的线段A-A’的截面的截面示意图。如图12所示,实施方式6的柔性显示装置1e具有在柔性基材2a与柔性基材2b之间配置有液晶层23和密封件22的结构。
在柔性基材2a的主面上,依次叠层有粘接层4a、聚酰亚胺层7和保护膜8。在保护膜8上的显示区域AR1配置有配线5,在保护膜8上的端部区域AR2配置有从配线5导出的端子3。在显示区域AR1,在配线5上配置有设置有开口的层间膜12b、和通过层间膜12b的开口与配线5电连接的像素电极20。在端部区域AR2,也在显示区域AR1附近在端子3上叠层有层间膜12b’。此外,在柔性基材2b的液晶层23侧的面上,配置有与像素电极20相对的彩色滤光片层21。此外,在端子3露出的部分,隔着各向异性导电膜10叠层有柔性印刷基板11。
接着,参照图13-1~13-4对实施方式6的柔性显示装置的制造方法进行说明。图13-1~13-4是在沿图1中的线段A-A’的截面表示实施方式6的柔性显示装置的制造流程的截面示意图。
在本实施方式中,吸热层、聚酰亚胺层、保护膜、配线和端子的形成分别与实施方式1同样,因此,对重复之处适当地省略说明。
(A)层间膜的形成
如图13-1的(A)所示,在显示区域AR1,在配线5上形成设置有开口的层间膜12b,在端部区域AR2,以覆盖端子3和保护膜8的一部分的方式形成作为剥离层的层间膜12b’。在此,层间膜12b、12b’为相同组成。此外,层间膜12b’是为了在之后的工序中适当地进行端子的取出而形成的膜。作为层间膜12b、12b’的材质,例如可以列举丙烯酸类的树脂。
层间膜12b和12b’如图13-1的(A)所示相互分离地配置,但是使用同一掩模同时形成。因此,不需要追加仅用于形成层间膜12b’的掩模。在此,将层间膜12b和12b’分离是因为,假如不将层间膜分离而整面地形成,则在之后的工序中进行端子的取出时,当将覆盖端子3的端部区域AR2的上层剥离时,会剥离至显示区域AR1的层间膜和密封件22,有可能端子3以外的部分(配线5的一部分)也露出。
(B)像素电极的形成
如图13-1的(B)所示,在显示区域AR1,以通过层间膜12b的开口与配线5电连接的方式,在层间膜12b上和上述开口内的配线5上形成像素电极20。
(C)第二柔性基材的贴合
如图13-1的(C)所示,将在主面上形成有彩色滤光片层21的柔性基材2b(以下也称为彩色滤光片基板)以隔着密封件22与玻璃基板16相对的方式贴合。在此,以彩色滤光片层21与像素电极20相对的方式贴合。另外,形成液晶层23的液晶材料可以预先滴下在玻璃基板16的主面上形成有上述的多个层的基板或彩色滤光片基板上的任一方,也可以在贴合基板之后封入。此外,作为彩色滤光片基板的制造方法,例如可以为在柔性基材2b的主面上直接形成彩色滤光片层21的方法,也可以为在玻璃基板上设置剥离用的透明膜,在该透明膜上形成彩色滤光片层21,在将玻璃基板剥离之后使用粘接剂等贴合柔性基材2b的方法。
(D)贴合后的基板切断
使用激光等沿图13-2的(D)所示的线段a-a’从柔性基材2b侧将柔性基材2b切断,接着从玻璃基板16侧将玻璃基板16和端部区域AR2的端子3以外的层切断。在此,由线段a-a’表示的切断位置只要为横切吸热层17而不横切配线5和端子3的位置即可,这是因为,作为在之后的工序中将玻璃基板16剥离的方法,采用从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面进行剥离的方法。
(E)对吸热层的激光照射
如图13-2的(E)中的箭头符号所示,从被切断的玻璃基板16侧照射激光。由此,吸热层17吸收热,因此,吸热层17与聚酰亚胺层7之间的密合性降低,能够在之后的工序中从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面将玻璃基板16和吸热层17一起剥离。
(F)玻璃基板的剥离
如图13-3的(F)所示,从吸热层17与聚酰亚胺层7的界面将玻璃基板16和吸热层17一起剥离。
(G)第一柔性基材的贴合
如图13-3的(G)所示,隔着粘接层4a以与柔性基材2b相对的方式贴合柔性基材2a。
(H)端子的取出
沿图13-4的(H)所示的线段b-b’从柔性基材2b侧将柔性基材2b切断,并进一步在层间膜12b’形成切口。作为切断方法,优选激光照射。在此,作为激光,能够使用与在上述的贴合后的基板切断中使用的激光相同的激光。
接着,将被切断的层间膜12b’的端部区域AR2侧的部分剥离。这是因为,层间膜12b’与端子3的界面的密合力弱,因此,只要在层间膜12b’形成切口,就能够进行剥离。
此外,由线段b-b’表示的切断位置的终端b’的位置,在图13-4的(H)中的横方向上位于端部区域AR2的显示区域AR1附近,在图13-4的(H)中的纵方向上位于不到达层间膜12b’与端子3的界面的深度。在此,优选切断位置的终端b’为层间膜12b’的端子3上的厚度的50%以上90%以下被切断的位置(深度)。另外,层间膜12b’被切断的深度越深,就越能够更容易地将被切断的层间膜12b’的一部分剥离。当层间膜12b’被切断的深度小于层间膜12b’的端子3上的厚度的50%时,有可能变得难以剥离,在层间膜12b’被切断的深度超过层间膜12b’的端子3上的厚度的90%的情况下,有可能在切断时对端子3造成损伤。
接着,将被切断的柔性基材2b和层间膜12b’的端部区域AR2侧的部分除去,由此使端子3露出。
根据以上说明,能够不损伤端子3地进行端子3的取出。此外,因为利用干式的方法进行端子的取出,所以能够充分地防止液晶层23的特性的劣化。
在如上述那样进行端子3的取出后,使用各向异性导电膜10在露出的端子3上压接柔性印刷基板11,如图12所示的柔性显示装置1e完成。
在此,在柔性显示装置1e,在柔性印刷基板11附近残留有在上述的端子的取出中被切断的层间膜12b’。由此,在制造后的状态下也能够确认使用了本实施方式的制法。
以下说明层间膜12b’残留的理由。当考虑使用掩模形成层间膜12b’时的模糊量等时,难以在与层间膜12b’的端部完全相同的位置进行切断以使被切断的层间膜12b’不残留。此外,也存在层间膜12b’的端部的膜厚与设计上的目标值不同的情况。因此,当为了提高制造效率而想要在层间膜12b’的膜厚稳定的位置进行切断时,每次都要进行切断位置等的调整。进一步,当还考虑切断装置的切断精度等时,难以在层间膜12b’的端部进行切断,进一步,在切断位置向显示区域AR1侧偏移的情况下,会对密封件22造成损伤。因此,在柔性显示装置1e会残留层间膜12b’。
在本实施方式中,采用了在玻璃基板的主面上形成液晶层等,然后将玻璃基板剥离而改贴在柔性基材上的工艺,作为本实施方式的变形例,可以列举采用在将柔性基材贴合在玻璃基板的主面上而得到的结构上形成液晶层等、并在之后的工序中将玻璃基板剥离的工艺的情况。在该情况下,除了形成层间膜12b、12b’、像素电极20、密封件22和液晶层23代替有机电致发光元件6、密封膜9a、9b、9b’、9c和粘接层4b以外,与实施方式2的柔性显示装置的制造方法同样。
此外,作为本实施方式的其它变形例,可以列举采用在柔性基材的主面上形成液晶层等的工艺的情况。在该情况下,除了形成层间膜12b、12b’、像素电极20、密封件22和液晶层23代替有机电致发光元件6、密封膜9a、9b、9b’、9c和粘接层4b以外,与实施方式3的柔性显示装置的制造方法同样。
[附记]
以下列举本发明的柔性显示装置的制造方法的优选方式的例子。各例子可以在不脱离本发明的主旨的范围内适当地进行组合。
优选上述剥离层与上述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。由此,能够容易地将被切断的上述剥离层的一部分剥离,能够不损伤端子地进行端子的取出。在上述密合力小于0.05N/25mm的情况下,有可能在剥离层形成以后的工艺中剥离层自身随便地剥离。在上述密合力超过0.5N/25mm的情况下,剥离变得困难,有可能其它层(剥离层上部或与端子相比的下层)剥离或者在端子上部产生剥离的残渣。上述密合力能够通过对玻璃的90°剥离试验等进行测定。作为测定上述密合力的装置,能够使用岛津制作所制造的自动绘图试验装置(autograph device)等。
优选不到达与上述多个端子的界面的深度为上述剥离层的上述多个端子上的厚度的50%以上90%以下被切断的深度。由此,能够容易地将被切断的上述剥离层的一部分剥离,能够不损伤端子地进行端子的取出。另外,上述剥离层被切断的深度越深,就越能够更容易地将被切断的上述剥离层的一部分剥离。此外,在上述剥离层被切断的深度小于上述剥离层的上述多个端子上的厚度的50%的情况下,有可能难以容易地将被切断的上述剥离层的一部分剥离,在上述剥离层被切断的深度超过上述剥离层的上述多个端子上的厚度的90%的情况下,有可能在切断时对端子造成损伤。
优选上述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,上述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。氧化物半导体的处理温度通常比低温多晶硅的处理温度低。因此,在考虑在半导体层之前形成的其它部件的耐热性的情况下,形成包含氧化物半导体的半导体层能够更适当地制造柔性显示装置。
此外,氧化物半导体具有与非晶硅相比迁移率高、特性偏差也小的优点。因此,包含氧化物半导体的薄膜晶体管元件,与包含非晶硅的薄膜晶体管元件相比,能够以高速进行驱动,驱动频率高,能够使在1像素中所占的比例减小,因此,适合于更高精细的下一代显示装置的驱动。此外,氧化物半导体膜与多晶硅膜相比能够由更简便的工艺形成,因此,具有也能够应用于需要大面积的装置的优点。
此外,作为氧化物半导体,例如可以列举由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Ga-Zn-O)、由铟(In)、锡(Tin)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Tin-Zn-O)、由铟(In)、铝(Al)、锌(Zn)和氧(O)构成的化合物(In-Al-Zn-O)等。
在上述工序(2)中,可以在上述显示区域,与上述剥离层分开配置与上述剥离层为相同组成的层。由此,不需要追加仅用于形成上述剥离层的工序,能够提高制造效率。
作为上述柔性显示装置,可以列举具备有机电致发光元件的柔性显示装置。在该情况下,作为与上述剥离层分开配置与上述剥离层为相同组成的层的方式,例如可以列举以下的方式:[1]上述柔性显示装置在上述显示区域具备有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与上述配线电连接的第一电极、第二电极和位于上述第一电极与上述第二电极之间的有机电致发光层,与上述剥离层为相同组成的层是覆盖上述有机电致发光元件的密封膜的至少一部分,在上述工序(2)中形成上述剥离层时,一起形成上述密封膜的至少一部分的方式;[2]上述柔性显示装置在上述显示区域具备有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与上述配线电连接的第一电极、第二电极和位于上述第一电极与上述第二电极之间的有机电致发光层,与上述剥离层为相同组成的层是上述有机电致发光层,在上述工序(2)中形成上述剥离层时,一起形成上述有机电致发光层的方式。
另外,在本说明书中,“在形成剥离层时,一起形成特定的层”是指,例如利用共同的装置同时形成膜,使用共同的掩模将该膜同时成膜(图案化)。
在上述工序(2)中,可以在上述显示区域,与上述剥离层分开配置与上述剥离层不同组成的层。作为具体例子,例如可以列举以下的方式:上述柔性显示装置还在上述显示区域具备有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与上述配线电连接的第一电极、第二电极和位于上述第一电极与上述第二电极之间的有机电致发光层,上述剥离层是具有自吸附层的薄膜的方式。在该情况下,以覆盖上述有机电致发光元件的方式形成密封膜的工序,可以在上述工序(1)与上述工序(2)之间,也可以在上述工序(2)与上述工序(3)之间。即,可以在上述工序(1)与上述工序(2)之间,以覆盖上述有机电致发光元件的方式形成密封膜,也可以在上述工序(2)与上述工序(3)之间,以覆盖上述有机电致发光元件的方式形成密封膜。由此,能够适当地制造具备有机电致发光元件的柔性显示装置。
作为上述密封膜的结构,可以列举为无机膜的情况、为无机膜叠层而形成的膜的情况、为无机膜和有机膜叠层而形成的膜的情况。无机膜的防湿性高,因此,通过将无机膜作为密封膜使用,能够有效地防止由水分导致的有机电致发光元件的特性的劣化。此外,有机膜容易形成厚膜,因此,通过将有机膜作为密封膜使用,能够覆盖异物,能够充分地防止异物对显示品质产生影响。
作为上述柔性显示装置,可以列举具备液晶层的柔性显示装置。在该情况下,作为与上述剥离层分开配置与上述剥离层为相同组成的层的方式,例如可以列举以下的方式:上述柔性显示装置在上述第一柔性基材或上述临时的支承基板的主面上的上述显示区域具备与上述配线电连接的像素电极和位于上述配线与上述像素电极之间的层间膜,与上述剥离层为相同组成的层是上述层间膜,在上述工序(2)中形成上述剥离层时,一起形成上述层间膜的方式。由此,能够适当地制造具备液晶层的柔性显示装置。
接着,列举本发明中的柔性显示装置的优选方式的例子。各例子可以在不脱离本发明的主旨的范围内适当地进行组合。另外,对于与上述的本发明的柔性显示装置的制造方法的优选方式的说明重复之处,适当省略。
优选上述剥离层与上述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
优选上述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,上述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
可以在上述显示区域配置有与上述剥离层为相同组成的层,上述剥离层和与上述剥离层为相同组成的层分开配置。
作为上述柔性显示装置,可以列举具备有机电致发光元件的柔性显示装置,例如可以列举上述显示元件为具有与上述配线电连接的第一电极、第二电极和位于上述第一电极与上述第二电极之间的有机电致发光层的有机电致发光元件的柔性显示装置。在该情况下,作为与上述剥离层分开配置与上述剥离层为相同组成的层的方式,例如可以列举以下的方式:[1]与上述剥离层为相同组成的层是以覆盖上述有机电致发光元件的方式配置的密封膜的至少一部分的方式;[2]与上述剥离层为相同组成的层是上述有机电致发光层的方式。
作为上述密封膜的结构,可以列举为无机膜的情况、为无机膜叠层而形成的膜的情况、为无机膜和有机膜叠层而形成的膜的情况。
可以在上述显示区域配置有与上述剥离层不同组成的层,上述剥离层和与上述剥离层不同组成的层分开配置。作为具体例子,例如可以列举以下的方式:上述显示元件是有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与上述配线电连接的第一电极、第二电极和位于上述第一电极与上述第二电极之间的有机电致发光层,上述剥离层是具有自吸附层的薄膜。
作为上述柔性显示装置,可以列举具备液晶层的柔性显示装置。在该情况下,作为与上述剥离层分开配置与上述剥离层为相同组成的层的方式,例如可以列举以下的方式:上述显示元件为液晶层,上述柔性显示装置还具有与上述配线电连接的像素电极和位于上述配线与上述像素电极之间的层间膜,与上述剥离层为相同组成的层是上述层间膜。
可以在上述第一柔性基材与上述配线之间依次配置有第二粘接层、聚酰亚胺层和保护膜。
符号说明
1a、1b、1c、1d、1e:柔性显示装置
2a、2b:柔性基材
3:端子
4a、4b:粘接层
5:配线
6:有机电致发光元件
7:聚酰亚胺层
8:保护膜
9a、9b、9b’、9c:密封膜
10:各向异性导电膜
11:柔性印刷基板
12a:绝缘膜
12b、12b’:层间膜
13a、13b:电极
14、14’:有机电致发光层
15:边缘罩
16:玻璃基板
17:吸热层
18:薄膜
19:自吸附层
20:像素电极
21:彩色滤光片层
22:密封件
23:液晶层
AR1:显示区域
AR2:端部区域

Claims (45)

1.一种柔性显示装置的制造方法,该柔性显示装置具备通过第一粘接层贴合的第一柔性基材和第二柔性基材,所述柔性显示装置的制造方法的特征在于,依次包括下述工序(1)~(4):
工序(1),在所述第一柔性基材或临时的支承基板的主面上的显示区域形成配线,并且在所述主面上的端部区域形成从所述配线导出的多个端子;
工序(2),形成直接覆盖所述多个端子的剥离层;
工序(3),在所述显示区域和所述端部区域依次配置包括所述第一粘接层和所述第二柔性基材的多个层,使得在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面,得到比所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力更强的密合力;和
工序(4),在所述端部区域的所述显示区域侧,将所述多个层切断,并在所述剥离层形成切口直至不到达与所述多个端子的界面的深度,进一步,将被切断的所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分剥离,将被切断的所述多个层和所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分除去,由此,使所述多个端子的至少一部分露出,
在所述工序(2)中,在所述显示区域,与所述剥离层分开配置与所述剥离层为相同组成的层,
所述柔性显示装置在所述显示区域具备有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与所述配线电连接的第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机电致发光层,
与所述剥离层为相同组成的层是覆盖所述有机电致发光元件的密封膜的至少一部分,
在所述工序(2)中形成所述剥离层时,一起形成所述密封膜的至少一部分,
所述密封膜为无机膜。
2.如权利要求1所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
不到达与所述多个端子的界面的深度为所述剥离层的所述多个端子上的厚度的50%以上90%以下被切断的深度。
3.如权利要求1或2所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
4.如权利要求1或2所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
5.一种柔性显示装置的制造方法,该柔性显示装置具备通过第一粘接层贴合的第一柔性基材和第二柔性基材,所述柔性显示装置的制造方法的特征在于,依次包括下述工序(1)~(4):
工序(1),在所述第一柔性基材或临时的支承基板的主面上的显示区域形成配线,并且在所述主面上的端部区域形成从所述配线导出的多个端子;
工序(2),形成直接覆盖所述多个端子的剥离层;
工序(3),在所述显示区域和所述端部区域依次配置包括所述第一粘接层和所述第二柔性基材的多个层,使得在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面,得到比所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力更强的密合力;和
工序(4),在所述端部区域的所述显示区域侧,将所述多个层切断,并在所述剥离层形成切口直至不到达与所述多个端子的界面的深度,进一步,将被切断的所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分剥离,将被切断的所述多个层和所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分除去,由此,使所述多个端子的至少一部分露出,
在所述工序(2)中,在所述显示区域,与所述剥离层分开配置与所述剥离层为相同组成的层,
所述柔性显示装置在所述显示区域具备有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与所述配线电连接的第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机电致发光层,
与所述剥离层为相同组成的层是覆盖所述有机电致发光元件的密封膜的至少一部分,
在所述工序(2)中形成所述剥离层时,一起形成所述密封膜的至少一部分,
所述密封膜为无机膜叠层而形成的膜。
6.如权利要求5所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
不到达与所述多个端子的界面的深度为所述剥离层的所述多个端子上的厚度的50%以上90%以下被切断的深度。
7.如权利要求5或6所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
8.如权利要求5或6所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
9.一种柔性显示装置的制造方法,该柔性显示装置具备通过第一粘接层贴合的第一柔性基材和第二柔性基材,所述柔性显示装置的制造方法的特征在于,依次包括下述工序(1)~(4):
工序(1),在所述第一柔性基材或临时的支承基板的主面上的显示区域形成配线,并且在所述主面上的端部区域形成从所述配线导出的多个端子;
工序(2),形成直接覆盖所述多个端子的剥离层;
工序(3),在所述显示区域和所述端部区域依次配置包括所述第一粘接层和所述第二柔性基材的多个层,使得在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面,得到比所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力更强的密合力;和
工序(4),在所述端部区域的所述显示区域侧,将所述多个层切断,并在所述剥离层形成切口直至不到达与所述多个端子的界面的深度,进一步,将被切断的所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分剥离,将被切断的所述多个层和所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分除去,由此,使所述多个端子的至少一部分露出,
在所述工序(2)中,在所述显示区域,与所述剥离层分开配置与所述剥离层为相同组成的层,
所述柔性显示装置在所述显示区域具备有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与所述配线电连接的第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机电致发光层,
与所述剥离层为相同组成的层是覆盖所述有机电致发光元件的密封膜的至少一部分,
在所述工序(2)中形成所述剥离层时,一起形成所述密封膜的至少一部分,
所述密封膜为无机膜和有机膜叠层而形成的膜。
10.如权利要求9所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
不到达与所述多个端子的界面的深度为所述剥离层的所述多个端子上的厚度的50%以上90%以下被切断的深度。
11.如权利要求9或10所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
12.如权利要求9或10所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
13.一种柔性显示装置的制造方法,该柔性显示装置具备通过第一粘接层贴合的第一柔性基材和第二柔性基材,所述柔性显示装置的制造方法的特征在于,依次包括下述工序(1)~(4):
工序(1),在所述第一柔性基材或临时的支承基板的主面上的显示区域形成配线,并且在所述主面上的端部区域形成从所述配线导出的多个端子;
工序(2),形成直接覆盖所述多个端子的剥离层;
工序(3),在所述显示区域和所述端部区域依次配置包括所述第一粘接层和所述第二柔性基材的多个层,使得在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面,得到比所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力更强的密合力;和
工序(4),在所述端部区域的所述显示区域侧,将所述多个层切断,并在所述剥离层形成切口直至不到达与所述多个端子的界面的深度,进一步,将被切断的所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分剥离,将被切断的所述多个层和所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分除去,由此,使所述多个端子的至少一部分露出,
在所述工序(2)中,在所述显示区域,与所述剥离层分开配置与所述剥离层为相同组成的层,
所述柔性显示装置在所述显示区域具备有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与所述配线电连接的第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机电致发光层,
与所述剥离层为相同组成的层是所述有机电致发光层,
在所述工序(2)中形成所述剥离层时,一起形成所述有机电致发光层。
14.如权利要求13所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
不到达与所述多个端子的界面的深度为所述剥离层的所述多个端子上的厚度的50%以上90%以下被切断的深度。
15.如权利要求13或14所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
16.如权利要求13或14所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
17.一种柔性显示装置的制造方法,该柔性显示装置具备通过第一粘接层贴合的第一柔性基材和第二柔性基材,所述柔性显示装置的制造方法的特征在于,依次包括下述工序(1)~(4):
工序(1),在所述第一柔性基材或临时的支承基板的主面上的显示区域形成配线,并且在所述主面上的端部区域形成从所述配线导出的多个端子;
工序(2),形成直接覆盖所述多个端子的剥离层;
工序(3),在所述显示区域和所述端部区域依次配置包括所述第一粘接层和所述第二柔性基材的多个层,使得在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面,得到比所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力更强的密合力;和
工序(4),在所述端部区域的所述显示区域侧,将所述多个层切断,并在所述剥离层形成切口直至不到达与所述多个端子的界面的深度,进一步,将被切断的所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分剥离,将被切断的所述多个层和所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分除去,由此,使所述多个端子的至少一部分露出,
在所述工序(2)中,在所述显示区域,与所述剥离层分开配置与所述剥离层为相同组成的层,
所述柔性显示装置在所述第一柔性基材或所述临时的支承基板的主面上的所述显示区域具备液晶层、与所述配线电连接的像素电极和位于所述配线与所述像素电极之间的层间膜,
与所述剥离层为相同组成的层是所述层间膜,
在所述工序(2)中形成所述剥离层时,一起形成所述层间膜。
18.如权利要求17所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
不到达与所述多个端子的界面的深度为所述剥离层的所述多个端子上的厚度的50%以上90%以下被切断的深度。
19.如权利要求17或18所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
20.如权利要求17或18所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
21.一种柔性显示装置的制造方法,该柔性显示装置具备通过第一粘接层贴合的第一柔性基材和第二柔性基材,所述柔性显示装置的制造方法的特征在于,依次包括下述工序(1)~(4):
工序(1),在所述第一柔性基材或临时的支承基板的主面上的显示区域形成配线,并且在所述主面上的端部区域形成从所述配线导出的多个端子;
工序(2),形成直接覆盖所述多个端子的剥离层;
工序(3),在所述显示区域和所述端部区域依次配置包括所述第一粘接层和所述第二柔性基材的多个层,使得在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面,得到比所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力更强的密合力;和
工序(4),在所述端部区域的所述显示区域侧,将所述多个层切断,并在所述剥离层形成切口直至不到达与所述多个端子的界面的深度,进一步,将被切断的所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分剥离,将被切断的所述多个层和所述剥离层的与所述显示区域侧相反的一侧的部分除去,由此,使所述多个端子的至少一部分露出,
所述柔性显示装置还在所述显示区域具备有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与所述配线电连接的第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机电致发光层,
所述剥离层是具有自吸附层的薄膜。
22.如权利要求21所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
不到达与所述多个端子的界面的深度为所述剥离层的所述多个端子上的厚度的50%以上90%以下被切断的深度。
23.如权利要求21所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述工序(1)与所述工序(2)之间,以覆盖所述有机电致发光元件的方式形成密封膜。
24.如权利要求21所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
在所述工序(2)与所述工序(3)之间,以覆盖所述有机电致发光元件的方式形成密封膜。
25.如权利要求23或24所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述密封膜为无机膜。
26.如权利要求23或24所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述密封膜为无机膜叠层而形成的膜。
27.如权利要求23或24所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述密封膜为无机膜和有机膜叠层而形成的膜。
28.如权利要求21~24中任一项所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
29.如权利要求21~24中任一项所述的柔性显示装置的制造方法,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
30.一种柔性显示装置,其包括:
第一柔性基材;
配置在所述第一柔性基材的主面上的显示区域的配线和显示元件;
配置在所述第一柔性基材的主面上的端部区域,从所述配线导出的多个端子;
至少配置在所述显示区域的第一粘接层;和
通过所述第一粘接层至少与所述显示区域贴合的第二柔性基材,
所述柔性显示装置的特征在于:
所述多个端子在所述显示区域侧具有被剥离层覆盖的部分,
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力,在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面中最弱,
在所述显示区域配置有与所述剥离层为相同组成的层,
所述剥离层和与所述剥离层为相同组成的层分开配置,
所述显示元件为液晶层,
所述柔性显示装置还具有与所述配线电连接的像素电极和位于所述配线与所述像素电极之间的层间膜,
与所述剥离层为相同组成的层是所述层间膜。
31.如权利要求30所述的柔性显示装置,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
32.如权利要求30或31所述的柔性显示装置,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
33.如权利要求30或31所述的柔性显示装置,其特征在于:
在所述第一柔性基材与所述配线之间依次配置有第二粘接层、聚酰亚胺层和保护膜。
34.一种柔性显示装置,其包括:
第一柔性基材;
配置在所述第一柔性基材的主面上的显示区域的配线和显示元件;
配置在所述第一柔性基材的主面上的端部区域,从所述配线导出的多个端子;
至少配置在所述显示区域的第一粘接层;和
通过所述第一粘接层至少与所述显示区域贴合的第二柔性基材,
所述柔性显示装置的特征在于:
所述多个端子在所述显示区域侧具有被剥离层覆盖的部分,
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力,在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面中最弱,
所述显示元件是有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与所述配线电连接的第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机电致发光层,
所述剥离层是以覆盖所述有机电致发光元件的方式配置的密封膜的至少一部分、所述有机电致发光层或具有自吸附层的薄膜,
所述密封膜为无机膜。
35.如权利要求34所述的柔性显示装置,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
36.如权利要求34或35所述的柔性显示装置,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
37.如权利要求34或35所述的柔性显示装置,其特征在于:
在所述第一柔性基材与所述配线之间依次配置有第二粘接层、聚酰亚胺层和保护膜。
38.一种柔性显示装置,其包括:
第一柔性基材;
配置在所述第一柔性基材的主面上的显示区域的配线和显示元件;
配置在所述第一柔性基材的主面上的端部区域,从所述配线导出的多个端子;
至少配置在所述显示区域的第一粘接层;和
通过所述第一粘接层至少与所述显示区域贴合的第二柔性基材,
所述柔性显示装置的特征在于:
所述多个端子在所述显示区域侧具有被剥离层覆盖的部分,
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力,在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面中最弱,
所述显示元件是有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与所述配线电连接的第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机电致发光层,
所述剥离层是以覆盖所述有机电致发光元件的方式配置的密封膜的至少一部分、所述有机电致发光层或具有自吸附层的薄膜,
所述密封膜为无机膜叠层而形成的膜。
39.如权利要求38所述的柔性显示装置,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
40.如权利要求38或39所述的柔性显示装置,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
41.如权利要求38或39所述的柔性显示装置,其特征在于:
在所述第一柔性基材与所述配线之间依次配置有第二粘接层、聚酰亚胺层和保护膜。
42.一种柔性显示装置,其包括:
第一柔性基材;
配置在所述第一柔性基材的主面上的显示区域的配线和显示元件;
配置在所述第一柔性基材的主面上的端部区域,从所述配线导出的多个端子;
至少配置在所述显示区域的第一粘接层;和
通过所述第一粘接层至少与所述显示区域贴合的第二柔性基材,
所述柔性显示装置的特征在于:
所述多个端子在所述显示区域侧具有被剥离层覆盖的部分,
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力,在位于所述剥离层与所述第二柔性基材之间的界面中最弱,
所述显示元件是有机电致发光元件,该有机电致发光元件具有与所述配线电连接的第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机电致发光层,
所述剥离层是以覆盖所述有机电致发光元件的方式配置的密封膜的至少一部分、所述有机电致发光层或具有自吸附层的薄膜,
所述密封膜为无机膜和有机膜叠层而形成的膜。
43.如权利要求42所述的柔性显示装置,其特征在于:
所述剥离层与所述多个端子的界面的密合力为0.05N/25mm以上0.5N/25mm以下。
44.如权利要求42或43所述的柔性显示装置,其特征在于:
所述配线具有构成薄膜晶体管元件的部分,
所述薄膜晶体管元件具有包含氧化物半导体的半导体层。
45.如权利要求42或43所述的柔性显示装置,其特征在于:
在所述第一柔性基材与所述配线之间依次配置有第二粘接层、聚酰亚胺层和保护膜。
CN201480039916.6A 2013-07-16 2014-07-07 柔性显示装置的制造方法和柔性显示装置 Active CN105379422B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-148002 2013-07-16
JP2013148002 2013-07-16
PCT/JP2014/068009 WO2015008642A1 (ja) 2013-07-16 2014-07-07 フレキシブル表示装置の製造方法、及び、フレキシブル表示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105379422A CN105379422A (zh) 2016-03-02
CN105379422B true CN105379422B (zh) 2017-05-31

Family

ID=52346110

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480039916.6A Active CN105379422B (zh) 2013-07-16 2014-07-07 柔性显示装置的制造方法和柔性显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9887384B2 (zh)
JP (1) JP6139680B2 (zh)
CN (1) CN105379422B (zh)
WO (1) WO2015008642A1 (zh)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104393014B (zh) * 2014-10-22 2017-09-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、柔性显示面板和显示装置
TWI696108B (zh) * 2015-02-13 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 功能面板、功能模組、發光模組、顯示模組、位置資料輸入模組、發光裝置、照明設備、顯示裝置、資料處理裝置、功能面板的製造方法
US10177347B2 (en) 2015-07-01 2019-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing display device
KR102288354B1 (ko) * 2015-08-10 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
JP6474337B2 (ja) * 2015-08-27 2019-02-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR102446425B1 (ko) * 2015-11-17 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
EP3388887A4 (en) 2015-12-11 2019-07-31 Shenzhen Royole Technologies Co., Ltd. METHOD FOR BONDING FLEXIBLE DISPLAY MODULE
KR102474203B1 (ko) * 2015-12-22 2022-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치
CN108475692B (zh) * 2015-12-28 2022-07-22 3M创新有限公司 具有流体腔设计的柔性电子设备
KR102520559B1 (ko) * 2016-02-03 2023-04-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6701777B2 (ja) * 2016-02-15 2020-05-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
WO2017170056A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 シャープ株式会社 有機el表示装置
KR102512040B1 (ko) * 2016-05-04 2023-03-20 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
KR102675011B1 (ko) * 2016-11-28 2024-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
WO2018163337A1 (ja) * 2017-03-08 2018-09-13 シャープ株式会社 可撓性表示パネル、可撓性表示装置及び可撓性表示パネルの製造方法
US10636996B2 (en) * 2017-03-29 2020-04-28 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, production method of display device, production device of display device, and film formation device
JP7213330B2 (ja) * 2017-03-31 2023-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 剥離方法
JP2018173542A (ja) * 2017-03-31 2018-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 素子、半導体装置、発光装置、表示装置、剥離方法、半導体装置の作製方法、発光装置の作製方法及び表示装置の作製方法
JP6889007B2 (ja) * 2017-04-11 2021-06-18 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置の製造方法
WO2018211355A1 (ja) * 2017-05-19 2018-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置およびその作製方法
US11239453B2 (en) * 2017-10-12 2022-02-01 Sharp Kabushiki Kaisha Non-flexible substrate having base layer including inorganic film between resin layers, flexible display device and method for producing same
JP2019153551A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
US11735604B2 (en) 2018-03-08 2023-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Method for producing flexible display device to suppress peeling of a layered structure
WO2019186771A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 シャープ株式会社 表示デバイスの製造方法
JP6899477B2 (ja) * 2019-07-26 2021-07-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 フレキシブルoledデバイス、その製造方法及び支持基板
KR20210060718A (ko) * 2019-11-18 2021-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN113826232B (zh) * 2020-03-31 2023-07-04 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1274091A (zh) * 1999-05-17 2000-11-22 夏普株式会社 液晶显示器制造方法与去除液晶显示器中除去部分的设备
CN1516288A (zh) * 2002-12-27 2004-07-28 ��ʽ����뵼����Դ�о��� 半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW494447B (en) * 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4374765B2 (ja) * 2000-11-09 2009-12-02 株式会社デンソー 有機el素子の製造方法
JP3875130B2 (ja) * 2002-03-26 2007-01-31 株式会社東芝 表示装置及びその製造方法
JP4397814B2 (ja) * 2002-10-09 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の製造方法
US8144140B2 (en) * 2007-06-13 2012-03-27 Sony Corporation Display apparatus and method of manufacturing the same
JP5260029B2 (ja) * 2007-11-19 2013-08-14 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置の製造方法
JP5071152B2 (ja) * 2008-02-28 2012-11-14 ソニー株式会社 表示装置の製造方法および照明装置の製造方法
JP2012003988A (ja) * 2010-06-17 2012-01-05 Hitachi Displays Ltd 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
US9076989B2 (en) * 2010-12-27 2015-07-07 Sharp Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film, and method for producing display device
DE102012214325B4 (de) * 2012-08-10 2017-06-08 Osram Oled Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes und Verfahren zum Strukturieren eines organischen, optoelektronischen Bauelementes
JP6462325B2 (ja) * 2014-11-14 2019-01-30 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法および表示装置の端子露出方法
JP2016208020A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
JP6517643B2 (ja) * 2015-09-16 2019-05-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、および、表示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1274091A (zh) * 1999-05-17 2000-11-22 夏普株式会社 液晶显示器制造方法与去除液晶显示器中除去部分的设备
CN1516288A (zh) * 2002-12-27 2004-07-28 ��ʽ����뵼����Դ�о��� 半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105379422A (zh) 2016-03-02
JPWO2015008642A1 (ja) 2017-03-02
US20160164030A1 (en) 2016-06-09
JP6139680B2 (ja) 2017-05-31
WO2015008642A1 (ja) 2015-01-22
US9887384B2 (en) 2018-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105379422B (zh) 柔性显示装置的制造方法和柔性显示装置
KR101759029B1 (ko) 표시 장치의 제조 방법
US9356084B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
CN108962941B (zh) 显示装置
US8710739B2 (en) Flexible organic light emitting device and manufacturing method thereof
JP6224918B2 (ja) 表示装置及びその製造方法
US10177347B2 (en) Method for manufacturing display device
CN104037362A (zh) 用于制造显示元件的方法、显示元件及显示装置
CN103794628A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
WO2015043169A1 (zh) 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN106488603B (zh) 显示装置和其制造方法
TW201521196A (zh) 顯示裝置之製造方法及系統
JP2012178262A (ja) 発光装置の製造方法
KR20140096982A (ko) 표시 패널의 제조 방법, 표시 패널 및 표시 장치
KR20160066463A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP2012138547A (ja) フレキシブル電子デバイスの製造方法および樹脂層付積層基板、ならびにフレキシブル電子デバイス製造部材
JP6446507B2 (ja) 表示装置の製造方法
CN101645404B (zh) 有机el显示装置的制造方法
TWI765617B (zh) 顯示裝置
KR20190066385A (ko) 조명 장치용 플렉서블 oled 패널 및 그 제조 방법
CN110875439B (zh) 具有发光元件的装置
CN109967763B (zh) 有机el器件及光打印头
KR102621564B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
JP2011134627A (ja) 有機発光装置の製造方法
CN112714943A (zh) 电子装置的制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant