JP2012178262A - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 封止膜に接着層を介して保護基板を貼り合わせた封止構成の発光装置の製造方法において、外部接続端子の上の封止膜を、簡便で安価な方法で除去する。
【解決手段】 素子基板に設けられた外部接続端子の上に剥離層を形成する工程と、前記素子基板の上に封止膜を形成する工程と、前記封止膜に接着層を介して保護基板を貼り合わせる工程と、前記保護基板を前記発光素子を覆う領域と前記外部接続端子を覆う領域とに分割する工程と、外部接続端子を覆う領域の前記保護基板と共に前記外部端子上の前記接着層と前記封止膜を除去する工程と、を含む発光装置の製造方法。
【選択図】 図２

Description

本発明は、封止膜と保護基板とが設けられた発光装置の製造方法に関する。

近年、発光素子として有機発光素子を用いた有機発光装置が注目されている。有機発光素子は、第１電極と、第２電極と、前記２つの電極に挟まれた有機化合物層を含む積層構造体である。有機発光素子は水分や酸素などによって劣化し易く、発光素子に水分や酸素が浸入するとダークスポット（非発光点）が発生してしまう。そのため、有機発光素子を水分や酸素等から保護するための封止技術が重要である。封止技術の１つとして、窒化シリコン膜などの絶縁材料からなる封止膜で有機発光素子を覆い、封止膜の上に接着層を介して封止基板（保護基板）を貼り付けた、いわゆる個体封止構造が開発されている。

とこで、発光装置には外部接続端子が設けられており、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）等を介して表示信号を表示装置に供給する外部回路に電気的に接続（実装）される。このとき、絶縁性の封止膜が外部接続端子の上に形成されていると、十分な接続を得ることができない。

そこで、特許文献１では、封止膜の上に外部接続端子が設けられた領域を避けて封止基板を貼り付け、封止基板をマスクとして異方性エッチングにより封止膜を除去し、外部接続端子の表面を露出する技術が開示されている。

特開２００７−２３４６１０号公報

特許文献１に開示されている封止膜を除去する方法の場合、封止膜除去のためのエッチング装置が必要となり、また封止膜のエッチングにかかる時間も長いため、量産には適さない。本発明の目的は、封止膜に接着層を介して封止基板（保護基板）を貼り合わせた封止構成の発光装置の製造方法であって、外部接続端子の上の封止膜を、簡便で安価な方法で除去する方法を提供するものである。

本発明にかかる発光装置の製造方法は、外部接続端子および複数の発光素子が設けられた素子基板に封止膜と保護基板とが設けられた発光装置の製造方法であって、
前記外部接続端子の上に剥離層を形成する工程と、
前記複数の発光素子および前記外部接続端子の上に前記封止膜を形成する工程と、
前記封止膜の上に接着層を介して前記保護基板を貼り合わせる工程と、
前記保護基板を、前記発光素子を覆う領域と前記外部接続端子を覆う領域とに分割する工程と、
前記外部接続端子を覆う領域の前記保護基板と共に、前記外部接続端子の上の前記接着層および前記封止膜を除去する工程と、
を含むことを特徴とする。

本発明によれば、外部接続端子上の保護基板の除去と同時に、外部接続端子上に形成された接着層および封止膜が取り除かれるため、専用工程や高価なエッチング装置を追加することなく、簡便かつ確実に外部接続端子を露出させることができる。その結果、信頼性の高い発光装置を低コストで製造することが可能となる。

一般的な有機発光装置の概略レイアウト斜視図である。 本発明の有機発光装置の実施形態の一例を模式的に示す断面模式図である。 本発明の有機発光装置の剥離層の形成位置の一例を示す平面図である。 本発明の有機発光装置の実施形態の一例を模式的に示す断面模式図である。 本発明の有機発光装置の剥離層の形成位置の一例を示す断面模式図である。 本発明の有機発光装置の接着層の形成位置の一例を示す平面図である。

以下、図面を用いて有機発光素子を用いた発光装置の例を説明する。ただし、本発明は有機発光素子を用いた表示装置に限定されるものではなく、無機発光素子やＬＥＤなどを用いた発光装置にも適用することができる。説明に用いる図面は、いずれも模式図であり、実物とは部材の寸法比率や形状が異なっている場合がある。

本発明にかかる表示装置の製造方法は、次の工程（ｉ）〜（ｖ）をこの順に含んでいる。
（ｉ）外部接続端子の上に剥離層を設ける工程（剥離層形成工程）
（ii）素子基板の上に封止膜を形成する工程（封止膜形成工程）
（iii）封止膜に接着層を介して保護基板を貼り合わせる工程（保護基板貼り合わせ工程）
（iv）保護基板をスクライブする工程（保護基板スクライブ工程）
（ｖ）外部接続端子領域の保護基板を、接着層および封止膜と共に除去する工程（外部接続端子露出工程）

最初に本発明の製造方法で形成される発光装置の構成を説明した後、（ｉ）乃至（ｖ）の各工程について説明する。
図１は素子基板の斜視図で、複数の発光素子が配置された領域Ａを含む発光領域Ｂと、外部接続端子４が設けられた外部接続端子領域Ｃを有している。図２は、図１のＸＩ−ＸＩＩ断面の概略を示している。

支持基板１には、発光素子を駆動するための画素回路や周辺回路を構成するトランジスタや配線、絶縁層２等を含む回路層３と、外部接続端子４が設けられている。支持基板１として、ガラス基板や合成樹脂等からなる絶縁性基板や表面に酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁層を形成した導電性基板や、半導体基板等を用いることができる。支持基板１は発光装置の光放出する方向次第で、透明であっても不透明であってもよい。なお、図２にはトランジスタを有するアクティブ型の発光装置を示しているが、パッシブ型の発光装置であってもよい。

外部接続端子４は、絶縁膜２の上に設けられ、回路層３に含まれる配線と同層、もしくは、後述する第１電極６と同層のいずれか一方、もしくはそれらの積層により構成される。図２では、外部接続端子が１辺にだけ形成されている場合を示しているが、２辺以上に外部接続端子が設けられていてもよい。

回路層３の上には、回路層３の構成に起因する凹凸を平坦化するため、平坦化膜５がフォトリソグラフィー法等を用いて所望のパターンに形成されている。平坦化膜５は、アクリル樹脂、ポリイミド系樹脂、ノルボルネン系樹脂、フッ素系樹脂等が好ましいが、絶縁材料であれば材料や製法は特に限定されない。尚、平坦化膜５と回路層３との間に、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料からなる絶縁膜を設けてもよい。

領域Ａ内の平坦化膜５の上の有機発光素子を形成する位置には、回路層３と電気的に接続された第１電極６が配置されている。第１電極６は透明電極であってもよいし反射電極であってもよいし、透明電極と反射電極の積層構成としてもよい。第１電極６を透明電極とする場合はＩＴＯ、ＩｎＺｎＯ等、第１電極６を反射電極とする場合は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｓｅ、Ｉｒ等の金属やこれら金属を組み合わせた合金、ヨウ化銅等の金属化合物等を好適に用いることができる。第１電極６の膜厚は、好ましくは０．０１μｍ乃至１μｍである。

第１電極６の周縁部には、第１電極６の端部を覆うように素子分離膜７が設けられている。素子分離膜７には、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等からなる無機絶縁材料や、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の樹脂絶縁材料が好適である。バンクの膜厚は、好ましくは０．１μｍ乃至３μｍである。素子分離膜７は発光素子ごとに発光面積を区画するものであるが、必要に応じて設ければよく、省略も可能である。

第１電極６上には有機化合物層８が設けられている。有機化合物層８は、単層で構成されてもよいし、複数の層で構成されていてもよい。有機化合物層８を構成する層として、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。これらの層は、公知の化合物材料を、公知の製法を用いて形成することができる。

有機化合物層８の上には第２電極１０が設けられ、第１電極６と有機化合物層８と第２電極１０とからなる有機発光素子が構成される。第２電極１０にも第１電極６と同様の材料を用いることができるが、光放出方向に応じて、第１電極６および第２電極１０の少なくとも一方に透明な材料を用いる。このように第２電極１０までが形成された支持基板を、本発明では素子基板１１と呼ぶ。素子基板１１の上には、封止膜１２が設けられており、封止膜１２の上には接着層１３を介して保護基板１４が設けられている。

次に、発光装置を１枚ずつ形成する場合を例にとり、本発明の製造方法の（ｉ）乃至（ｖ）の工程を、図４を用いて順に説明する。

（ｉ）剥離層形成工程
素子基板１１が完成した後、外部接続端子領域Ｃに、外部接続端子４を露出するための剥離層９を形成する。剥離層９の形成には、蒸着法、スパッタ法、印刷法、インクジェット法など、外部接続端子領域Ｃに精度よく形成できる方法を用いる。剥離層９は、図３（ａ）のように外部接続端子４の上にだけに形成してもよいし、図３（ｂ）のように、外部接続端子４を含んで外部接続端子４が形成された辺の端から端まで形成してもよい。

剥離層９には、外部接続端子４との密着力、あるいは、後に形成する封止膜１２との密着力が、他の界面の密着力よりも弱い材料を用いる。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物又は低分子有機化合物などを選択することができる。剥離層９に有機化合物層８と同一の材料を用いれば、同一の工程にて成膜することができるため好ましい。例えば、有機化合物層８を蒸着法にて形成する場合には、有機発光素子を形成する領域に対応する開口と、外部接続端子領域Ｃに対応する開口と、を有するマスクを用いて成膜領域を制限して設けるとよい。こうすることにより、領域Ａに形成される有機化合物層と外部接続端子領域Ｃに形成される有機化合物層が離間して形成されるため、有機化合物層を介して外部から水分が浸入するのを抑制することができる。

後に外部接続端子４にはフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）が接続（圧着）されるが、外部接続端子４に付着する異物の除去などの表面清浄化を目的に、ＦＰＣの接続前には基板洗浄工程が一般的に行われる。そこで、剥離層９に、基板洗浄工程に用いられる有機溶媒や水などの洗浄溶媒に可溶な材料を用いるのが好ましい。そのような材料を用いれば、外部接続端子４の上に剥離層９が残っても、基板洗浄工程で除去することができる。例えば、洗浄溶媒にエタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類やアセトン等を用いる場合は、剥離層９にアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物又は有機化合物を用いるとよい。

（ii）封止膜形成工程
素子基板１１の全面を覆うように封止膜１２を形成する（図４（ａ））。封止膜１２の材料は、電気絶縁性と気密性を有し、有機発光素子に水分等が浸入するのを抑制することができる材料であれば特に限定されるものではない。その形成方法には、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法などの公知の成膜方法を採用することができる。材料および成膜方法の選択に当たっては、高温高湿条件下（例えば、温度６０℃湿度９０％の条件下）における耐久試験で膜を評価し、防湿性等の性能を確認して決めるのが好ましい。例えば、ＣＶＤ法にて形成された窒化シリコン、酸化シリコン、窒化酸化シリコンは、耐久試験において優れた性能を示すため、封止膜には好適である。

工程（ｉ）にて外部接続端子４を覆う剥離層９を形成しておいたため、外部接続端子４の上に封止膜を形成しても、後の工程で簡単に除去することができる。つまり、外部接続端子領域Ｃをマスクで遮蔽しながら成膜する必要がない。そのため、マスクに付着したゴミや膜が剥落して封止膜１２に欠陥を生じさせる恐れがなく、防湿性の高い膜を形成することができるという効果もある。

（iii）保護基板貼り合わせ工程
図４（ｂ）に示した様に、封止膜１２上に接着層１３を介して保護基板１４を貼り合わせる。接着層１１は、封止膜１２と保護基板１４とを十分な接着力で貼り合わせて互いに固定できれば、材質、厚さ、製法は特に限定されない。例えば、硬化性樹脂組成物等からなるシート状の接着剤（接着シート）を貼付けたり、硬化性樹脂を塗布して形成することができる。ここで、十分な接着力とは、少なくとも封止膜１２と保護基板１４との間の接着力が、剥離層９と外部接続端子４との間の密着力、又は剥離層９と封止膜１２との間の密着力よりも強いことを意味する。接着力および密着力の大きさは、公知の引張り試験によって評価することができる。

接着層１１に接着シートを用いる場合は、減圧下で封止膜１２まで形成した基板上と保護基板１４との間に接着シートを介在させ、加熱等により素子基板１１と保護基板１４とを互いに貼り合わせて固定することができる（図４（ｂ））。接着シートは、素子基板１１の全面を覆うように設けてもよいが、図５のように、発光領域Ｂと外部接続端子領域Ｃとに分割して設けてもよい。硬化性樹脂を用いる場合には、封止膜１２の上に硬化性樹脂を塗布し、その上から位置を合わせて保護基板１４を乗せ、所定の厚みまで押し広げた後に加熱して硬化を行う。

保護基板１４は、押圧強度があれば、材質、厚さは特に限定されない。例えば、ガラス板やアクリル板、樹脂フィルム等を用いることができる。防湿性の高い基板であればより好ましい。なお、発光素子で発光された光を保護基板側から放出する場合は、接着層１３および保護基板１４に、光透過率が８０％以上の材料を選択するのが好ましい。

（iv）保護基板切断工程および（ｖ）外部接続端子露出工程
保護基板切断工程では、まず、図４（ｂ）に示すように、発光領域Ｂと外部端子領域Ｃとの間にスクライブライン１５ａを形成する。スクライブライン１５ａは、ダイヤモンド等で作られた刃を押し付けたり、レーザーを照射したりして、保護基板１４の表面に傷を入れることにより形成することができる。剥離層９にかかる位置にスクライブライン１５ａを設けておけば、外部接続端子領域Ｃの保護基板１４を取り外す際、封止膜１２が剥離しやすくなるため望ましい。続いて、スクライブライン１５ａに沿って保護基板を折曲げるように適度な力を加えると、保護基板１４および接着層１３がスクライブライン１５ａに沿って割れる。そして、素子基板１１を傷つけずに、発光領域Ｂを覆う保護基板１４と外部接続端子４を覆う保護基板１４とに分割することができる。接着層１３が割れにくい場合は、接着層１３にも、スクライブライン１５ａに沿ってスクライブラインを設けておくとよい。

その後、外部接続端子４を覆う保護基板１４を軽く引っ張ると、保護基板１４および接着層９は、剥離層９と封止膜１２との界面または剥離層９と外部接続端子４との界面のうち、密着力の弱い側で外部接続端子から剥がれ、外部接続端子４が露出する（図４（ｃ））。外部接続端子４の上に剥離層９が残る場合には、残さ剥離層９の除去工程を別に設けてもよいが、前述したように洗浄工程で用いる洗浄溶媒に可溶な材料を剥離層９に選択しておけば、洗浄工程で同時に除去することができる。

図５にように、スクライブライン１５ａを、発光領域Ｂと外部接続端子領域Ｃとの間の接着層１３のない領域の上に設けると、接着層１３を割る必要がなくなるので、より簡単に保護基板１４を除去できるので好ましい。

保護基板１４の取り外しは、保護基板１４を曲げた時に同時に除去することができる。もしうまく除去できない場合は、手作業で行ってよいし、例えば、保護基板１４を挟みこんで引っ張るような構成の専用治具もしくは専用装置を用いることもできる。

（ｉ）の工程において、剥離層９を図３（ａ）のように外部接続端子４の上にだけに形成する場合には、スクライブライン１５ａも剥離層９のパターンに合わせて形成するとよい。外部接続端子４の上に形成された封止膜１２だけを除去し、その周囲の封止膜１２を残すことにより、外部接続端子４と接続する配線を封止膜１２で被覆保護することができるため、配線の信頼性を高めることができる。

最後に、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）１７の電気接続工程が行なうが、工程（ｖ）で表面が露出された外部接続端子４の上には、保護基板１４の分割によって発生したカレットなどの異物や剥離層９の残さ等が付着していることがある。外部接続端子４の上に異物や剥離層９が付着していると、外部接続端子４とＦＰＣ１７との接続不良の原因になるため、除去する必要がある。そこで、ＦＰＣ１７の電気接続工程の前に異物や剥離層９を除去するため、外部接続端子４の表面を洗浄しておく。

洗浄工程には、エアーの吹き付けや超音波洗浄の他、水や有機溶媒等の洗浄溶媒を流しかけながらブラシ等でこすり直接的に落とす方法を用いることができる。前述したように、剥離層９に洗浄溶媒に可溶な材質を選択することにより、特別な工程を追加せずとも、外部接続端子４の洗浄工程で剥離層９の残さを一緒に除去することができる。洗浄後、有機発光装置を乾燥させる。このとき乾燥オーブンで有機発光装置を乾燥してもよいし、ドライエアーブローを行ってもよい。

続いて、外部接続端子４とＦＰＣ１７とを電気接続する。まず、異方性導電接着フィルム（ＡＣＦ）１６を外部接続端子４の上に低温で仮接着した後、ＦＰＣ１７と外部接続端子４との位置合わせを行い、その後熱圧着ヘッドにより熱圧着を行う。

ＡＣＦ１６に突起を有する導電粒子を含ませておくと、外部接続端子４との導通がとりやすいため好ましい。導電粒子は、金属粉末を含むものであってもよいし、樹脂に金属をコーティングしたものや、安価で劣化しにくいカーボンでもよい。また導電粒子の表面の突起の先端の角度は９０°以下が望ましい。
外部接続端子４とＦＰＣ１７とを電気接続した後は、その接続箇所に保護樹脂（不図示）を塗布しておくのが好ましい。保護樹脂は、接続箇所から水分が侵入するのを防止して、配線でイオンマイグレーションが発生するのを抑制すると共に、外部接続端子４とＦＰＣ１７との接着力を補強という役割を果たす。

以上、発光装置を１枚ずつ形成する場合を説明したが、本願発明は、１枚の支持基板に複数の発光領域Ｂおよび外部接続端子領域Ｃをマトリクス状に作り込み、保護基板を接着した後に分割し、複数の発光装置を作製する場合にも適用することができる。１枚の支持基板から複数の発光装置を得る場合について、１枚ずつ発光装置を製造する方法と同様の工程の説明は省略し、異なる工程に絞って説明する。

図６のように、大判の支持基板の上には複数の発光領域Ｂおよび外部接続端子領域Ｃをマトリクス状に配置し、大判の素子基板を形成する。それぞれの外部接続端子４の上に剥離層９を形成した後、大判の素子基板の表面には、素子基板とほぼ同じサイズの１枚の保護基板を接着層にて貼り合わせる。個々の発光領域Ｂに対して、発光装置１枚分のサイズの保護基板を貼り合わせる方法を選択することもできるが、生産性が著しく損なわれるため、量産には不向きである。

工程（iii）の保護基板切断工程では、図６に示したように、外部接続端子領域Ｃの保護基板を除去するためのスクライブライン１５ａを保護基板に設けると共に、保護基板および素子基板に発光装置ごとに分割するためのスクライブライン１５ｂを設ける。その後、スクライブライン１５ａ、１５ｂに外力が加えられ、個々の発光装置に分割され、外部接続端子４の上の保護基板も除去される。

以上のように、本発明の発光装置の製造方法では、外部接続端子のマスキング工程や、封止膜剥離除去工程を簡略化することができる。また、（ｖ）外部接続端子露出工程において、保護基板の除去と同時に外部接続端子の上に設けられる封止膜も除去できる。その結果、外部接続端子の上に設けられる封止膜を選択的に剥離除去するための工程や装置を新たに導入する必要がなく、その分発光装置の製造コストを削減することができる。

本実施例では、図６に示したように１枚の大判基板に複数の発光装置を形成した後、大判基板を分割して図２に示す有機発光装置を作製した。

まず、ガラス基板１の上に絶縁層２およびＴＦＴおよび配線を含む回路層３を形成した。回路層３を構成する配線と同層の導電層で外部接続端子４を形成した。次に、回路層３の上に平坦化膜５を形成し、ＴＦＴとのコンタクトをとるためのコンタクトホールをパターニングした。次に、平坦化膜５の上の発光素子を形成する位置に、アルミニウム（Ａｌ）とインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）の積層膜からなる第１電極６を形成した。第１電極６の膜厚は１５０ｎｍとした。次に、フォトリソ工程法により、第１電極６の周囲を囲むように素子分離膜７（ポリイミド製、商品名：フォトニース ＤＬ−１０００）を形成した。素子分離膜７の膜厚は２０００ｎｍとした。

素子分離膜７まで形成されたガラス基板１を、純水で約５分間洗浄し、約２００℃、２時間の条件でベイクして脱水処理をした。続いてガラス基板１に形成された第１電極６をＵＶ／オゾン洗浄処理した。続いて、真空蒸着法により第１電極に対応する開口を有する金属製のマスクを用いて、有機化合物層８を構成する正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層をこの順に形成した後、複数の有機発光素子にわたって共通する第２電極を形成した。具体的には、１×１０−３Ｐａの圧力条件下で、Ｎ，Ｎ’−α−ジナフチルベンジジン（α−ＮＰＤ）からなる正孔輸送層を４０ｎｍの膜厚に形成した。続いて、緑色発光することが知られているクマリン色素（クマリン−５４０）とトリス［８−ヒドロキシキノリナート］アルミニウム（Ａｌｑ３）とからなる発光層を共蒸着により形成した。クマリン色素が発光層の全体量に対して１．０体積％となるように共蒸着し、膜厚は３０ｎｍとした。

次に、発光層上に、下記に示されるフェナントロリン化合物を電子輸送層として形成した。電子輸送層の膜厚は１０ｎｍとした。

続いて電子輸送層上に、炭酸セシウムとフェナントロリン化合物とを共蒸着し、炭酸セシウムが電子注入層の全体量に対して２．９体積％となるように電子注入層を形成した。膜厚は４０ｎｍとした。電子注入層まで形成された基板を、スパッタ装置へ搬送し、電子注入層の上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を第２電極として形成した。第２電極１０の膜厚は６０ｎｍとした。

正孔輸送層の形成に使用した金属製のマスクには、第１電極に対応する開口に加えて外部接続端子領域Ｃに対応する位置にも開口を設けておき、発光領域Ａへの正孔輸送層の形成と同時に剥離層９の形成を行った。剥離層９は、外部接続端子領域Ｃが配置されている発光装置の１辺を覆うように形成された。

次に、金属マスク等を用いずに、ＶＨＦプラズマＣＶＤ法により素子基板１１の全体に封止膜１２を形成した。封止膜１２は、材料ガスとして、ＳｉＨ４ガスを４ｓｃｃｍ、Ｎ２ガスを２００ｓｃｃｍの流し、高周波電力４０Ｗ、圧力７０Ｐａの条件の下で成膜を行った。封止膜の膜厚は３μｍとした。

続いて、スクライブライン１５ａに対応する位置には接着層が形成されていないポリイミド製の接着層が形成された接着シートを位置合わせして封止膜１２上に配置し、保護基板としてガラス基板１２を減圧下にて貼り合わせた。大気圧に戻した後、１００℃１５分焼成して接着層を硬化させた。

次に図６のように、保護基板１４にスクライブライン１５ａおよび１５ｂ、素子基板１１にもスクライブライン１５ｂとほぼ同じ位置にスクライブラインを形成した。続いて、スクライブライン１５ｂで保護基板１４および素子基板１１をブレイクして個々の有機発光装置に分割した。スクライブライン１５ａは、剥離層９にかかる位置に形成した。

次に、切断された外部接続端子領域Ｃに位置する保護基板１４を専用の固定治具で挟み、引き倒すことにより樹脂層１３を分割し、保護基板１４を樹脂層１３および封止膜１２と共に除去した。保護基板１４の除去後、外部接続端子４の表面を観察したところ、封止膜１２は残っていなかったが、剥離層９が部分的に残っていた。また、封止膜１２は、接着層１３により引きちぎられたため、発光領域Ａを覆う封止膜１２の端部は、封止膜１２と接する位置の樹脂層１３の端部と揃う領域、また、樹脂層１３の端部より２０μｍ程度はみ出して、残っている領域ができていた。

外部接続端子４の上に残った剥離層９は、ＦＰＣの接続前に洗浄工程によって除去した。洗浄工程は、純水によるブラシ洗浄と、イソプロピルアルコールによる拭き取り洗浄を行い、ドライエアーで乾燥させた。洗浄工程後、再度除去した部分を観察し、外部接続端子の表面に剥離層が残っていないのを確認した。

次に、ＦＰＣ１７の実装を行った。有機発光装置の外部接続端子４の上にＡＣＦ１６を乗せて８０℃で１秒程度の条件で仮接着した。続いて、ＡＣＦ１６の上の保護シートを除去し、ＦＰＣ１７を外部接続端子４と位置合わせした。続いて、温度２３０℃に加熱した熱圧着ヘッドをＦＰＣ１７上に当て、圧着圧力３ＭＰａ、圧着時間１２秒の条件で加圧し、外部接続端子４とＦＰＣ１７とを熱圧着して有機発光装置を得た。

得られた有機発光装置のＦＰＣの実装には問題はなく、表示上の不良、輝度の低下およびむらなどは確認されなかった。温度６０℃湿度９０％環境にて５００時間、放置した後においても各発光素子に発光不良は現れず、本実施例の製造方法により得られた外部接続端子にはＦＰＣ実装が正常に行えることを確認した。

４ 外部接続端子
８ 有機発光層
９ 剥離層
１１素子基板
１２ 封止膜
１３ 接着層
１４ 保護基板
１５ スクライブライン

Claims (4)

1. 外部接続端子および複数の発光素子が設けられた素子基板に封止膜と保護基板とが設けられた発光装置の製造方法であって、
   前記外部接続端子の上に剥離層を形成する工程と、
   前記複数の発光素子および前記外部接続端子の上に前記封止膜を形成する工程と、
   前記封止膜の上に接着層を介して前記保護基板を貼り合わせる工程と、
   前記保護基板を、前記発光素子を覆う領域と前記外部接続端子を覆う領域とに分割する工程と、
   前記外部接続端子を覆う領域の前記保護基板と共に、前記外部接続端子の上の前記接着層および前記封止膜を除去する工程と、
   を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 前記発光素子は複数の有機化合物層を含む有機発光素子であり、
   前記剥離層を前記複数の有機化合物層の少なくとも１層と同層で形成することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記封止膜の上に接着層を介して前記保護基板を貼り合わせる工程は、
   前記外部接続端子の上の接着層と、前記発光素子の上の接着層とを離間して形成することを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記発光装置の製造方法は、前記封止膜を除去する工程の後に洗浄工程を含んでおり、
   前記剥離層は、前記洗浄工程で用いる洗浄溶媒に可溶な材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。

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