CN104637438B

CN104637438B - 柔性显示器及其制造方法

Info

Publication number: CN104637438B
Application number: CN201410612762.7A
Authority: CN
Inventors: 姜振圭
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2013-11-06
Filing date: 2014-11-04
Publication date: 2018-12-28
Anticipated expiration: 2034-11-04
Also published as: US9305984B2; US20160197129A1; EP2871685A2; CN104637438A; KR20150052645A; KR102180037B1; US9548343B2; EP2871685A3; US20150123098A1

Abstract

本发明提供了一种柔性显示器及制造柔性显示器的方法，其中该方法包括：在柔性基底上形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成第二阻挡层，其中第二阻挡层包括硅氮化物；释放第二阻挡层的应力；在第二阻挡层上形成第一缓冲层，其中第一缓冲层包括硅氮化物；在第一缓冲层上形成第二缓冲层；以及在第二缓冲层上形成薄膜晶体管。

Description

柔性显示器及其制造方法

技术领域

本公开涉及柔性显示器及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)已使用在各种领域中，包括在诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、以及电泳显示器的平板显示设备中作为开关与驱动元件。

薄膜晶体管通常包括与传输扫描信号的栅极线连接的栅极电极、与传输待施加至像素电极的信号的数据线连接的源极电极、朝向源极电极的漏极电极、以及与源极电极和漏极电极电连接的半导体。

薄膜晶体管的半导体一般由非晶硅或晶体硅形成。非晶硅可在低温进行沉积以形成薄膜，从而广泛地用于主要使用具有低熔点的玻璃作为基底的显示设备中，并且晶体硅具有高场效应迁移率、高频操作特性以及低漏电流的电特性。

为了在基底上形成薄膜晶体管，通常需要用于防止杂质等进入薄膜晶体管的缓冲层。

然而，在缓冲层包含大量氢气的情况下，在用于使薄膜晶体管的半导体结晶的过程期间产生了由于例如膜撕裂现象而导致的薄膜晶体管的故障。

此外，根据基底的位置，氢气呈现出不同的氢钝化效应，从而导致了不一致的元件特性。

另外，在如有机发光二极管显示器那样制造柔性显示器的情况下，由于柔性显示器的特性，缓冲层可能由于重复弯曲而与基底分离。

背景部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明背景的理解，因此其可以包括不形成在该国中对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开致力于提供一种柔性显示器及其制造方法，在该柔性显示器中不会产生由于氢气而导致的薄膜晶体管的故障。

此外，本公开致力于提供一种柔性显示器及其制造方法，在该柔性显示器中，即使柔性显示器重复地弯曲，薄膜也不会被分离。

一个实施方式提供了一种制造柔性显示器的方法，其包括：在柔性基底上形成第一阻挡层；在第一阻挡层上形成第二阻挡层，其中第二阻挡层包括硅氮化物；释放第二阻挡层的应力；在第二阻挡层上形成第一缓冲层，其中第一缓冲层包括硅氮化物；在第一缓冲层上形成第二缓冲层；以及在第二缓冲层上形成薄膜晶体管。

释放应力的步骤可包括将第二阻挡层暴露至空气。

柔性基底可包括具有聚酰亚胺的至少一个聚合材料层。

柔性基底可包括：第一柔性基底；形成在第一柔性基底上的中间阻挡层；以及形成在中间阻挡层上的第二柔性基底，其中中间阻挡层与第一阻挡层可包括相同的材料。

该方法还可包括在第一柔性基底与第二柔性基底之间形成粘合层，并且粘合层可包括其中掺杂有P型或N型导电杂质的非晶硅或氢化的非晶硅中至少之一。

中间阻挡层可形成为具有约至约的厚度。

第一柔性基底和第二柔性基底可包括聚酰亚胺。

第一柔性基底和第二柔性基底中的每个可形成为具有约8μm至约12μm的厚度。

另一实施方式提供了一种柔性显示器，其包括：第一柔性基底；定位在第一柔性基底上并且包括硅氧化物的中间阻挡层；定位在中间阻挡层上并且包括其中掺杂有P型或N型导电杂质的非晶硅或氢化的非晶硅中至少之一的粘合层；定位在粘合层上的第二柔性基底；定位在第二柔性基底上并且包括硅氧化物的第一阻挡层；定位在第一阻挡层上并且包括硅氮化物的第二阻挡层；定位在第二阻挡层上并且包括硅氧化物的缓冲层；定位在缓冲层上的薄膜晶体管；以及与薄膜晶体管相连接的有机发光元件。

第一柔性基底和第二柔性基底可包括聚酰亚胺。

中间阻挡层的厚度可以是约至约

缓冲层可包括定位在第二阻挡层上的第一子缓冲层以及定位在第一子缓冲层上的第二子缓冲层，并且第一子缓冲层可包括硅氮化物。

第一阻挡层的厚度可以为约至约第二阻挡层的厚度可以为约至约第一子缓冲层的厚度可以为约至约以及第二子缓冲层的厚度可以为约至约

粘合层的厚度可等于或小于约

根据本发明实施方式，当阻挡层和缓冲层如上文所述那样形成时，可通过使元件由于氢气而导致的故障最小化而提供高质量的柔性显示器。

此外，根据本发明实施方式，不会生成由于薄膜的应力而导致的裂缝，从而可提供使其中的薄膜分离现象最小化的柔性显示器。

附图说明

图1是示出了包括在根据一个实施方式的有机发光二极管显示器中的像素电路的电路图；

图2是图1的有机发光二极管显示器的一个像素的剖视图；

图3至图7是示出了根据实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的剖视图；以及

图8是示出了根据另一实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。

具体实施方式

在以下详细说明中，仅简单地通过例示示出和描述了本发明的某些实施方式。如本领域技术人员可以理解的，本文中描述的实施方式可以以多种方式进行修改，而不背离本发明的精神或范围。

在描述本公开时，将省略与描述无关的部分。在整个说明书中，相同的附图标记通常指示相同的元件。

另外，为了便于更好地理解和描述方便起见，随意地示出了附图中所示的每个元件的尺寸和厚度，但本发明的实施方式并不限于此。

在附图中，为了清晰起见并且为了更好地理解和便于描述，可能放大了层、膜、板、区域等的厚度。应当理解当元件如层、膜、区域、或衬底被称为“位于另一元件上”时，其可以直接位于另一元件上或者还可以存在插入的元件。

另外，除非明确地相反地说明，用语“包括(comprise)”及其变型如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”应理解为是指包括所述元件而非排除任何其他元件。此外，在说明书中，用语“位于…上”指位于对象部分之上或位于对象部分之下，而并非必须指基于重力方向位于该对象部分的上侧。

下面将参照附图详细描述根据本发明实施方式的柔性显示器及其制造方法。

根据实施方式的柔性显示器可以是包括有机发光二极管的有机发光二极管显示器。

图1是示出了包括在根据一个实施方式的有机发光二极管显示器中的像素电路的电路图。

该有机发光二极管显示器包括多个信号线121、171和172，以及与该多个信号线121、171和172相连接的像素PX。

信号线包括用于传输栅极信号(或扫描信号)的栅极线121、用于传输数据信号的数据线171、以及用于传输驱动电压的驱动电压线172。栅极线121大致在行方向延伸并且几乎彼此平行，以及数据线171大致在列方向延伸并且几乎彼此平行。示出了大致在列方向延伸的驱动电压线172，但是其可在行方向或列方向延伸或可形成为呈网格状。

一个像素PX包括开关晶体管Qs、驱动晶体管Qd、存储电容器Cst、以及有机发光元件70。

开关晶体管Qs具有控制端子、输入端子、以及输出端子。控制端子连接至栅极线121，输入端子连接至数据线171，以及输出端子连接至驱动晶体管Qd。开关晶体管Qs响应于从栅极线121接收的扫描信号，以将从数据线171接收的数据信号传输至驱动晶体管Qd。

驱动晶体管Qd也具有控制端子、输入端子、以及输出端子。控制端子连接至开关晶体管Qs，输入端子连接至驱动电压线172，以及输出端子连接至有机发光元件70。驱动晶体管Qd允许输出电流ILD流过，其中该输出电流ILD的大小根据施加在控制端子与输出端子之间的电压而改变。

存储电容器Cst连接在驱动晶体管Qd的输入端子与控制端子之间。存储电容器Cst被充电有施加至驱动晶体管Qd的控制端子的数据信号并且即使在开关晶体管Qs截止后依然维持该数据信号。

有机发光元件70例如为有机发光二极管(OLED)，并且具有与驱动晶体管Qd的输出端子连接的阳极和与公共电压Vss连接的阴极。有机发光元件70通过发光来显示图像并且其强度根据驱动晶体管Qd的输出电流ILD而改变。有机发光元件70可包括本质上发射具有原色如红、绿、以及蓝三原色中任一种的光或至少一种光的有机材料，并且有机发光二极管显示器通过颜色的空间总和来显示期望的图像。

在下文中，将参照图2详细描述根据实施方式的有机发光二极管显示器。

图2是图1的有机发光二极管显示器的一个像素的剖视图。

参照图2，将根据图1的驱动晶体管Qd和有机发光元件70的堆叠顺序详细描述一个像素。在下文中，驱动晶体管Qd被认为是薄膜晶体管。

如图2所示，缓冲层120形成在基底100上。

基底100可由有机材料制成，该有机材料具有绝缘性能并且是柔性的从而能够以等于或大于约450℃的温度进行热处理，并且基底100可形成为例如由聚酰亚胺形成的单个层或可形成为通过涂布和固化而重复地堆叠聚酰亚胺形成的多个层。

基底100可形成为具有约8μm至约12μm的厚度，并且由于基底的较小厚度而导致不易处理基底，所以例如由PET或PEN材料制成的辅助基底(未示出)可附接至基底100。

基底100上形成有阻挡层110。阻挡层110阻止诸如水分或氧气的不必要成分从外部进入有机发光二极管显示器。阻挡层110包括例如由硅氧化物形成的第一子阻挡层12和例如由硅氮化物形成的第二子阻挡层14。第一子阻挡层的厚度可以是约至约并且第二子阻挡层的厚度可以是约至

阻挡层110上形成有缓冲层120。

缓冲层120包括例如由硅氮化物形成的第一子缓冲层22以及例如由硅氧化物形成的第二子缓冲层24。

第二子阻挡层14和第一子缓冲层22可由具有相同膜质量(例如相同密度和相同薄膜应力)的硅氮化物形成，并且第二子阻挡层14与第一子缓冲层22之间的界面处可定位有氧化膜。氧化膜可以是在形成第二子阻挡层14和形成第一子缓冲层22的工艺之间形成的自然氧化膜，并且可具有几十埃或更小的厚度。

缓冲层120用来防止诸如杂质或水分的不必要成分渗入，并且使表面平坦化。此外，缓冲层120可防止可能由于阻挡层而生成的杂质。

第一子缓冲层22的厚度可约为至并且第二子缓冲层24的厚度可约为至

缓冲层120上形成有半导体135，其中该半导体135由多晶硅形成。

半导体135被划分成沟道区1355和形成在沟道区1355两侧的源极区1356以及漏极区1357。半导体135的沟道区1355为没有掺杂杂质的多晶硅，即，本征半导体。源极区1356和漏极区1357为掺杂有导电杂质的多晶硅，即，杂质半导体。掺杂在源极区1356和漏极区1357中的杂质可以是P型杂质和N型杂质中任一种。

半导体135上形成有栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以是包括四乙基原硅酸盐(四乙基原硅酸酯，TEOS)、硅氮化物、以及硅氧化物等中至少之一的多个层或单层。

栅极绝缘层140上形成有栅极电极155，并且栅极电极155与沟道区1355重叠。

栅极电极155可形成为包括低电阻材料如Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金，或具有高防腐性能的材料的多个层或单层。

栅极电极155上形成有第一层间绝缘层160。第一层间绝缘层160可形成为例如由四乙基原硅酸盐(四乙基原硅酸酯，TEOS)、硅氮化物、或硅氧化物形成的多个层或单层。

第一层间绝缘层160和栅极绝缘层140包括源极接触孔66和漏极接触孔67，源极区1356和漏极区1357分别通过源极接触孔66和漏极接触孔67被暴露。

第一层间绝缘层160上形成有源极电极176和漏极电极177。源极电极176穿过源极接触孔66与源极区1356连接，并且漏极电极177穿过漏极接触孔67与漏极区1357连接。

源极电极176和漏极电极177可形成为低电阻材料如Al、Ti、Mo、Cu、Ni、或其合金，或具有高防腐性能的材料的多个层或单层。例如，源极电极176和漏极电极177可以是Ti/Cu/Ti、Ti/Ag/Ti、或Mo/Al/Mo的三重层及其他。

栅极电极155、源极电极176、以及漏极电极177分别为图1中的控制电极、输入电极、以及输出电极，并且与半导体135一起形成薄膜晶体管。薄膜晶体管的沟道在源极电极176与漏极电极177之间形成在半导体135中。

源极电极176和漏极电极177上形成有第二层间绝缘层180。第二层间绝缘层180包括通孔85，漏极电极177通过通孔85被暴露。

第二层间绝缘层180可形成为例如由四乙基原硅酸盐(四乙基原硅酸酯，TEOS)、硅氮化物、或硅氧化物形成的多个层或单层，并且可由具有低介电常数的有机材料形成。

第二层间绝缘层180上形成有第一电极710。第一电极710穿过通孔85与漏极电极177电连接，并且可以是图1的有机发光二极管的阳极。

第一电极710上形成有像素限定层190。

像素限定层190具有开口95，第一电极710通过开口95被暴露。像素限定层190可形成为包括树脂，如聚丙烯酸酯或聚酰亚胺、硅石类的无机材料等。

像素限定层190的开口95中形成有有机发射层720。

有机发射层720由包括一个或多个发射层、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)的多个层形成。

在有机发射层720包括上述所有层的情况下，空穴注入层(HIL)可位于第一电极710(即，阳极)上，并且空穴传输层(HTL)、发射层、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)可顺序地层合在空穴注入层(HIL)上。

像素限定层190和有机发射层720上形成有第二电极730。

第二电极730为有机发光二极管的阴极。因此，第一电极710、有机发射层720和第二电极730形成有机发光元件70。

根据由有机发光元件70发射的光的方向，有机发光二极管显示器可具有顶部显示类型、底部显示类型、以及双显示类型中任一种结构。

在顶部显示类型中，第一电极710形成为反射层，并且第二电极730形成为半透射层或透射层。另一方面，在底部显示类型的情况下，第一电极710形成为半透射层，并且第二电极730形成为反射层。另外，在双显示类型的情况下，第一电极710和第二电极730形成为透明层或半透射层。

反射层和半透射层通过使用例如镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、和铝(Al)，或其合金中的一种或多种金属而制成。反射层和半透射层由厚度来确定，并且当其厚度变小时，透射率增大，所以半透射层可形成为具有约200nm或更小的厚度。

透明层由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)或铟氧化物(In₂O₃)的材料形成。

第二电极730上形成有封装层260。

封装层260可通过交替地层合一个或多个有机层和一个或多个无机层而形成。

无机层或有机层每个都可提供有多个。

有机层由聚合物形成，并且可以是例如由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯、以及聚丙烯酸酯中任一种形成的层合层或单层。有机层可由聚丙烯酸酯形成，具体地包括通过聚合包括基于二丙烯酸酯的单体和基于三丙烯酸酯的单体的单体组合物而获得的物质。单体组合物中还可包括基于单丙烯酸酯的单体。此外，单体组合物中还可包括公知的光引发剂如TPO，但单体组合物并不限于此。

无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的层合层或单层。例如，无机层可包括SiNx、Al₂O₃、SiO₂、以及TiO₂中任一种。

封装层260的暴露至外部的最上侧层可由无机层形成，以防止水分传输至有机发光二极管显示器内部。

封装层260可包括至少一个夹层结构，其中至少一个有机层插设在至少两个无机层之间。此外，封装层260可包括至少一个夹层结构，其中至少一个无机层插设在至少两个有机层之间。

封装层260可顺序地包括位于第二电极730上的第一无机层、第一有机层、以及第二无机层。此外，封装层260可顺序地包括位于第二电极730上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、以及第三无机层。此外，封装层260可顺序地包括位于第二电极730上的第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层、以及第四无机层。

第二电极730与第一无机层之间另外可包括卤化金属层，其中该卤化金属层包括例如LiF。卤化金属层可防止当第一无机层由溅射法或等离子体沉积法形成时第二电极730被破坏。

第一有机层具有比第二无机层的面积小的面积，而第二有机层具有比第三无机层的面积小的面积。此外，第一有机层完全由第二无机层覆盖，并且第二有机层完全由第三无机层覆盖。

下面将参照图3至图7以及上述的图2一起详细描述有机发光二极管显示器的制造方法。

图3至图7是示出了根据实施方式的有机发光二极管显示器的制造方法的剖视图。

首先，如图3所示，阻挡层110形成在基底100上。

基底100可以是通过将聚合材料如聚酰亚胺涂布在支承基底(未示出)上并使聚合材料固化而形成的柔性基底。在这种情况下，基底可通过重复地涂布和固化聚合材料而形成为多个层。支承基底可由玻璃、金属、或陶瓷形成，并且聚酰亚胺可通过诸如旋涂、狭缝涂覆、喷墨涂覆等涂布工艺而涂布在支承基底上。

在阻挡层110中，第一子阻挡层12通过沉积硅氧化物而形成，并且随后，第二子阻挡层14通过由原位工艺沉积硅氮化物而形成。

在这种情况下，第一子阻挡层12可由SiOx或SiON形成，并且第一子阻挡层12可形成为具有约至约的厚度。

此外，第二子阻挡层14可由SiNx或SiON形成，并且第二子阻挡层14可形成为具有约至约的厚度。

然后，如图4所示，缓冲层120形成在第二子阻挡层14上。

缓冲层120包括第一子缓冲层22和第二子缓冲层24。

在这种情况下，在形成第二子阻挡层14之后，通过将第二子阻挡层14暴露至空气而释放了第二子阻挡层14的应力，然后形成第一子缓冲层22。

第二子阻挡层14和第一子缓冲层22可通过将相同的材料连续地形成为单个薄膜而形成，但是在形成第二子阻挡层14之后，先释放第二子阻挡层14的应力，然后形成第一子缓冲层22，从而可能减少由于阻挡层110和缓冲层120导致的裂缝。

也就是说，随着薄膜的厚度变大，薄膜的应力增大，并且当在第二子阻挡层14形成之后通过暴露第二子阻挡层14至空气而释放第二子阻挡层14的应力，以及第一子缓冲层22再次由与第二子阻挡层14的材料相同的材料形成时，相比于一次性地形成厚的薄膜的情况，可减小应力。因此，减少了由于薄膜的应力而导致的薄膜的裂缝，从而可能防止半导体等被破坏以及薄膜被分离。

第一子缓冲层22由SiNx或SiON形成在第二子阻挡层14上，并且形成为具有与第二子阻挡层14的薄膜应力相同的薄膜应力。在这种情况下，第一子缓冲层22在与第一子阻挡层12形成的温度相等或更高的温度形成，并且可形成为具有约至约的厚度。

此外，第二子缓冲层24可通过原位工艺形成在第一子缓冲层22上，并且可由SiO₂或SiON形成。在这种情况下，第二子缓冲层24可形成为具有约至约的厚度。

缓冲层120上形成有非晶硅膜35，并且执行了脱氢工艺。脱氢工艺可在约450℃至约470℃执行约5分钟至约1小时。

执行脱氢工艺以除去非晶硅膜内的氢气。在这种情况下，还可部分地除去包括在第二子阻挡层14和第一子缓冲层22中的氢气。

然后，如图5所示，通过使非晶硅层结晶并且然后将非晶硅层图案化而形成半导体135。

然后，栅极绝缘层140由硅氧化物或硅氮化物形成在半导体135上，并且在栅极绝缘层140上形成金属膜，然后金属膜被图案化以形成栅极电极155。

然后，通过将栅极电极155用作掩模以高浓度在半导体135中掺杂导电杂质离子而形成源极区1356和漏极区1357。位于源极区1356和漏极区1357之间的空间变成了沟道区1355。

然后，执行活化工艺，以活化导电杂质离子。

活化工艺可在约450℃至约470℃执行约5分钟至约2小时，或可通过快速热退火(RTA)在约500℃或更高的温度在约2分钟内执行。在这种情况下，可活化杂质离子，并且还可部分地除去包括在第二子阻挡层14和第一子缓冲层22中的氢气。

然后，如图6所示，在栅极电极155上形成第一层间绝缘层160。

然后，通过蚀刻第一层间绝缘层160和栅极绝缘层140来形成接触孔66和接触孔67，其中半导体135通过接触孔66和接触孔67被暴露。

然后执行热处理工艺。热处理的目的为固化在用于形成接触孔的蚀刻工艺期间由于等离子体而被破坏的半导体135的表面和第一层间绝缘层160。氢钝化工艺可在约330℃至约380℃的温度执行约30分钟至约60分钟。

分别穿过接触孔66和接触孔67而与源极区1356和漏极区1357连接的源极电极176和漏极电极177通过在第一层间绝缘层160上形成金属膜然后将该金属膜图案化而形成。

如图7所示，然后在源极电极176和漏极电极177上形成第二层间绝缘层180。

然后，通过蚀刻第二层间绝缘层180形成通孔85，漏极电极177通过通孔85被暴露。

接着，如图2所示，通过在第二层间绝缘层180上形成金属膜然后将该金属膜图案化而形成第一电极710。

此外，在第一电极710上形成具有开口95的像素限定层190，在像素限定层190的开口95内形成有机发射层720，以及在有机发射层720上形成第二电极730。

然后，在第二电极上形成封装层260，并且除去支承基底(未示出)，从而完成有机发光二极管显示器。

图8是根据另一实施方式的有机发光二极管显示器的剖视图。

图8的有机发光二极管显示器的大部分层间配置与图2的有机发光二极管显示器的层间配置相同，所以将仅详细描述不同的部分。

图8的有机发光二极管显示器的基底102包括第一柔性基底10、中间阻挡层16、粘合层18、以及第二柔性基底20。

第一柔性基底10和第二柔性基底20可由相同材料如聚酰亚胺形成，中间阻挡层16可由例如包括SiOx和SiNx中至少之一的无机材料形成，以及粘合层18可由氢化非晶硅(a-Si:H)形成。

形成柔性基底的聚合材料的主要组分包括与碳(C)和中间阻挡层的硅具有极好结合力的氢，所以非晶硅可用作用于将柔性基底与中间阻挡层坚固地结合的粘合材料。

第一柔性基底10和第二柔性基底20另外可包括辅助基底(未示出)，如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，以便于在制造有机发光二极管显示器的工艺期间进行处理。

在基底102中，第一柔性基底10通过将聚合材料涂布在支承基底(未示出)上然后使该聚合材料固化而形成。支承基底可由玻璃、金属、或陶瓷形成，并且聚酰亚胺可通过诸如旋涂、狭缝涂覆、以及喷墨涂覆的涂布工艺而涂布在支承基底上。

此外，中间阻挡层16通过将硅氧化物沉积在第一柔性基底10上而形成。中间阻挡层16可形成为具有约至约的厚度。

然后，通过在中间阻挡层16上沉积其中掺杂有P型或N型半导体材料的非晶硅、或沉积氢化非晶硅而形成粘合层18。粘合层18形成为具有等于或小于约的厚度，并且提高了第一柔性基底10与第二柔性基底20之间的结合力。

第二柔性基底20通过涂布与第一柔性基底10的材料相同的材料并且使该材料固化而形成。第二柔性基底20例如可由聚酰亚胺形成，并且第二柔性基底20通过与形成第一柔性基底10的方法相同的方法形成。

第一柔性基底10和第二柔性基底20中的每个可形成为具有约8μm至约12μm的厚度。

如图8所示，当基底102由第一柔性基底10和第二柔性基底20形成时，在第一柔性基底10的制造期间形成的小孔、裂缝等由第二柔性基底20覆盖，从而可除去上述缺陷。

虽然已结合某些实施方式描述了本发明，但是应该理解本发明并不限于所公开的实施方式，而相反地旨在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims

1.一种柔性显示器，包括：

第一柔性基底；

中间阻挡层，定位在所述第一柔性基底上并且包括硅氧化物；

粘合层，定位在所述中间阻挡层上，并且包括其中掺杂有P型或N型导电杂质的非晶硅、或氢化的非晶硅中至少之一；

第二柔性基底，定位在所述粘合层上；

第一阻挡层，定位在所述第二柔性基底上并且包括硅氧化物；

第二阻挡层，定位在所述第一阻挡层上并且包括硅氮化物，

其中将所述第二阻挡层暴露至空气以便释放所述第二阻挡层的应力并在所述第二阻挡层上形成氧化膜；

缓冲层，定位在所述第二阻挡层上并且包括硅氧化物，

其中，所述缓冲层包括位于所述第二阻挡层上的与所述第二阻挡层具有相同的膜质量的第一子缓冲层，所述第一子缓冲层包括硅氮化物，以及位于所述第一子缓冲层上的第二子缓冲层；

薄膜晶体管，定位在所述缓冲层上；以及

有机发光元件，与所述薄膜晶体管相连接；

其中所述薄膜晶体管位于所述第二柔性基底和所述有机发光元件之间。

2.如权利要求1所述的柔性显示器，其中，

所述第一柔性基底和所述第二柔性基底包括聚酰亚胺。

3.如权利要求2所述的柔性显示器，其中，

所述第一柔性基底和所述第二柔性基底中的每个都形成为具有8μm至12μm的厚度。

4.如权利要求2所述的柔性显示器，其中，

所述中间阻挡层的厚度为至

5.如权利要求1所述的柔性显示器，其中，

所述第一阻挡层的厚度为与之间。

6.如权利要求1所述的柔性显示器，其中，

所述第二阻挡层的厚度为与之间。

7.如权利要求1所述的柔性显示器，其中，

所述第一子缓冲层的厚度为与之间。

8.如权利要求1所述的柔性显示器，其中，

所述第二子缓冲层的厚度为与之间。

9.如权利要求1所述的柔性显示器，其中，

所述粘合层的厚度等于或小于