CN101840117B - Tft-lcd阵列基板及其制造方法 - Google Patents
Tft-lcd阵列基板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101840117B CN101840117B CN200910080226.6A CN200910080226A CN101840117B CN 101840117 B CN101840117 B CN 101840117B CN 200910080226 A CN200910080226 A CN 200910080226A CN 101840117 B CN101840117 B CN 101840117B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- photoresist
- area
- completely
- semiconductor layer
- tft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 169
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 167
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 305
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 173
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 54
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 32
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 16
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 43
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 82
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N alumane;neodymium Chemical compound [AlH3].[Nd] VVTQWTOTJWCYQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000036244 malformation Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D86/00—Integrated devices formed in or on insulating or conducting substrates, e.g. formed in silicon-on-insulator [SOI] substrates or on stainless steel or glass substrates
- H10D86/01—Manufacture or treatment
- H10D86/021—Manufacture or treatment of multiple TFTs
- H10D86/0231—Manufacture or treatment of multiple TFTs using masks, e.g. half-tone masks
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。阵列基板包括栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素电极与薄膜晶体管的漏电极直接连接，且所述像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状。制造方法包括：沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，形成包括源电极和漏电极的图形；沉积半导体薄膜和透明导电薄膜，形成包括半导体层和像素电极的图形；沉积栅绝缘层和栅金属薄膜，形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形。本发明通过三次工艺即可实现TFT-LCD阵列基板的制备，简化了工艺步骤，缩短了工艺时间，降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。
背景技术
目前，制造薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)阵列基板是通过一组构图工艺形成结构图形来完成，一次构图工艺形成一层结构图形，构图工艺的次数可以衡量制造TFT-LCD阵列基板的繁简程度，减少构图工艺的次数就意味着制造成本的降低。现在技术的五次构图工艺包括：栅线和栅电极构图、有源层构图、源电极/漏电极构图、过孔构图和像素电极构图，每一次构图工艺中又分别包括薄膜沉积、掩膜曝光和刻蚀工艺，其中刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀。
现在技术采用的四次构图工艺技术是在五次构图工艺基础上，利用半色调(Half Tone Mask)或灰色调(Gray Tone Mask)掩模板技术，将有源层构图与源电极/漏电极构图合并成一个构图工艺，通过一次构图工艺完成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形的制作，其工艺过程主要包括：通过采用普通掩模板的第一次构图工艺形成栅线和栅电极图形；通过采用半色调或灰色调掩模板的第二次构图工艺形成数据线、有源层、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形；通过采用普通掩模板的第三次构图工艺形成钝化层过孔和引线区图形；通过采用普通掩模板的第四次构图工艺形成像素电极图形，像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接。
由于每次构图工艺均需要把掩模板的图形转移到薄膜图形上，而每一层薄膜图形都需要精确地罩在另一层薄膜图形上，因此现有技术五次构图工艺和四次构图工艺仍存在工艺复杂、生产周期长和使用掩模板数量多等缺陷，同时较长的工艺周期增加了不良发生率，造成良品率降低、成本增加。
发明内容
本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，采用三次构图工艺实现TFT-LCD阵列基板的制造，简化工艺步骤，缩短工艺时间，提高生产效率，降低生产成本。
为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素电极与薄膜晶体管的漏电极直接连接，且所述像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状。
所述薄膜晶体管包括：
源电极，形成在基板上，与数据线连接；
漏电极，形成在基板上，与像素电极直接连接，源电极与漏电极之间形成TFT沟道区域，且漏电极与像素电极直接连接；
掺杂半导体层，形成在源电极和漏电极上；
半导体层，形成在上述结构图形上，其形状与像素电极的形状呈互补状；
栅绝缘层，形成在上述结构图形上；
栅电极，形成在栅绝缘层上，位于TFT沟道区域的上方，并与栅线连接。
所述漏电极部分表面上的掺杂半导体层和半导体层被刻蚀掉，部分像素电极覆盖在所述漏电极暴露出的部分表面上，使像素电极通过搭接方式与漏电极连接。
位于像素显示区域上的栅绝缘层被刻蚀掉。
所述半导体层与像素电极之间形成有间隙。
在上述技术方案基础上，所述源电极、漏电极和TFT沟道区域的下方还设置有遮光图形。进一步地，所述遮光图形与数据线、源电极、漏电极和掺杂半导体层在同一次构图工艺中形成。
为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：
步骤1、在基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图形；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积半导体薄膜和透明导电薄膜，形成包括半导体层和像素电极的图形，像素电极与漏电极直接连接，且像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状；
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积栅绝缘层和栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形。
所述步骤1包括：在基板上沉积遮光层薄膜、源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜；在掺杂半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于源电极与漏电极之间沟道的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的掺杂半导体薄膜、源漏金属薄膜和遮光层薄膜；通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的掺杂半导体薄膜；通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，形成包括遮光图形、数据线、源电极、漏电极和掺杂半导体层的图形，且源电极与漏电极之间形成沟道图形；剥离剩余的光刻胶。
所述步骤2包括：在完成步骤1的基板上，沉积一层半导体薄膜；在半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，其中光刻胶完全去除区域对应于像素电极的图形所在区域，光刻胶完全保留区域对应于半导体层的图形所在区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的半导体薄膜，形成半导体层的图形，同时去除漏电极部分表面的半导体层和掺杂半导体层，使漏电极的部分表面暴露出来；在完成前述步骤的基板上，沉积一层透明导电薄膜；采用离地剥离技术剥离半导体薄膜上的光刻胶，光刻胶上的透明导电薄膜也一同去除，形成像素电极的图形，部分像素电极覆盖在所述漏电极暴露出的部分表面上，使像素电极与漏电极直接连接，像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状，且像素电极与半导体层之间形成有间隙。
所述步骤3可以包括：在完成步骤2的基板上，沉积栅绝缘层和栅金属薄膜；在栅金属薄膜上涂敷一层光刻胶；采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于栅电极和栅线的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于数据线接口过孔的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的栅金属薄膜、栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，形成数据线接口过孔的图形；通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的栅金属薄膜；通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的栅金属薄膜，形成栅电极和栅线的图形；剥离剩余的光刻胶。
所述步骤3也可以包括：在完成步骤2的基板上，沉积栅绝缘层和栅金属薄膜；在栅金属薄膜上涂敷一层光刻胶；采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于栅线和栅电极的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于像素显示区域和数据线接口过孔的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；通过第一次刻蚀工艺，完全刻蚀掉像素显示区域所在区域的栅金属薄膜和栅绝缘层，暴露出像素显示区域的像素电极，完全刻蚀掉数据线接口过孔的图形所在区域的栅金属薄膜、栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，形成数据线接口过孔的图形；通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的栅金属薄膜；通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的栅金属薄膜，形成栅线和栅电极的图形；剥离剩余的光刻胶。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，首先通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图形，然后采用离地剥离技术的工艺形成包括半导体层和像素电极的图形，最后通过第三次构图工艺形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形。本发明通过三次工艺即可实现TFT-LCD阵列基板的制备，简化了工艺步骤，缩短了工艺时间，提高了生产效率，降低了生产成本。此外，本发明像素电极与漏电极直接接触，形成了更稳定的电连接，有效提高了良品率。进一步地，本发明通过刻蚀掉像素显示区域的栅绝缘层，增加了像素显示区域的透光率，提高了显示品质；通过在源电极和漏电极下方设置遮光图形，有效避免了漏电流的产生，提高了薄膜晶体管的电特性。
附图说明
图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图；
图2为图1中A1-A1向的剖面图；
图3为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平面图；
图4为图3中A2-A2向剖面图；
图5为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形后的平面图；
图6为图5中A3-A3向的剖面图；
图7为图5中B-B向的剖面图；
图8为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中沉积半导体薄膜后A3-A3向的剖面图；
图9为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中沉积半导体薄膜后B-B向的剖面图；
图10为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中涂敷光刻胶后A3-A3向的剖面图；
图11为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中涂敷光刻胶后B-B向的剖面图；
图12为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中光刻胶曝光显影后A3-A3向的剖面图；
图13为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中光刻胶曝光显影后B-B向的剖面图；
图14为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中刻蚀工艺后A3-A3向的剖面图；
图15为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中刻蚀工艺后B-B向的剖面图；
图16为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中沉积透明导电薄膜后A3-A3向的剖面图；
图17为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中沉积透明导电薄膜后B-B向的剖面图；
图18为本发明栅线接口区域的结构示意图；
图19为本发明数据线接口区域的结构示意图；
图20为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的平面图；
图21为图20中A4-A4向的剖面图；
图22为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中沉积栅绝缘层和栅金属薄膜后A4-A4向的剖面图；
图23为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中光刻胶曝光显影后A4-A4向的剖面图；
图24为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中第一次刻蚀工艺后A4-A4向的剖面图；
图25为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中灰化工艺后A4-A4向的剖面图；
图26为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中第二次刻蚀工艺后A4-A4向的剖面图；
图27为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例的平面图；
图28为图27中A5-A5向的剖面图；
图29为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中沉积各层薄膜后A5-A5向的剖面图；
图30为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中光刻胶曝光显影后A5-A5向的剖面图；
图31为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中第一次刻蚀工艺后A5-A5向的剖面图；
图32为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中灰化工艺后A5-A5向的剖面图；
图33为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中第二次刻蚀工艺后A5-A5向的剖面图；
图34为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图；
图35为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例的流程图；
图36为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第二实施例的流程图；
图37为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第三实施例的流程图；
图38为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第四实施例的流程图；
图39为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第五实施例的流程图。
附图标记说明：
1-基板； 2-源电极； 3-漏电极；
4-掺杂半导体层； 5-半导体层； 6-栅绝缘层；
7-栅电极； 8-遮光图形； 11-栅线；
12-数据线； 13-像素电极； 21-透明导电薄膜；
22-栅金属薄膜； 23-遮光层薄膜； 24-源漏金属薄膜；
25-半导体薄膜； 26-掺杂半导体薄膜； 27-数据线接口过孔；
30-光刻胶。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图2为图1中A1-A1向的剖面图。如图1和图2所示，本实施例TFT-LCD阵列基板的主体结构包括栅线11、数据线12、像素电极13和薄膜晶体管，相互垂直的栅线11和数据线12定义了像素区域，薄膜晶体管和像素电极13形成在像素区域内，栅线11用于向薄膜晶体管提供开启信号，数据线12用于向像素电极13提供数据信号。具体地，本实施例TFT-LCD阵列基板包括形成在基板1上的数据线12、源电极2和漏电极3，源电极2与数据线12连接，漏电极3与源电极2相对设置，源电极2与漏电极3之间形成TFT沟道区域；掺杂半导体层4形成在源电极2和漏电极3上，半导体层5形成在上述结构图形上，并覆盖住源电极2与漏电极3之间的TFT沟道区域，漏电极3部分表面的掺杂半导体层4和半导体层5被刻蚀掉，像素电极13形成在基板1上，并覆盖在漏电极3暴露出的部分表面上，使漏电极3与形成在基板1上的像素电极13直接连接，且半导体层5的形状与像素电极13的形状呈互补状，像素电极13与半导体层5之间形成间隙；栅绝缘层6形成在上述结构图形上并覆盖整个基板1；栅线11和栅电极7形成在栅绝缘层6上，栅电极7位于TFT沟道区域的上方，并与栅线11连接。
本发明上述技术方案是一种顶栅电极结构，可以采用三次构图工艺制备完成，具有工艺步骤简化、工艺时间短、生产效率高和生产成本低等优点。
图3～图19为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例制造过程的示意图，可说明本实施例的技术方案，以下说明中，本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀、光刻胶剥离等工艺，光刻胶以正性光刻胶为例。
图3为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图4为图3中A2-A2向剖面图。首先采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉积一层源漏金属薄膜，然后采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或其它成膜方法，沉积一层掺杂半导体薄膜，源漏金属薄膜可以是钼、铝、铝钕合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层沉积形成的多层薄膜。使用普通掩模板通过构图工艺对掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜进行构图，在基板1上形成包括数据线12、源电极2、漏电极3和掺杂半导体层4的图形，源电极2与数据线12连接，漏电极3与源电极2相对设置，源电极2与漏电极3之间形成TFT沟道区域，掺杂半导体层4形成在源电极2和漏电极3上，如图3和图4所示。
图5为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形后的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图6为图5中A3-A3向的剖面图，图7为图5中B-B向的剖面图。在完成图3所示图形的基板上，通过沉积半导体薄膜、刻蚀、沉积透明导电薄膜和离地剥离工艺，形成包括半导体层5和像素电极13的图形，半导体层5的形状与像素电极13的形状为互补的形状，且像素电极13与半导体层5之间形成有间隙，如图5～图7所示。本次构图工艺的具体过程如下所述。
图8为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中沉积半导体薄膜后A3-A3向的剖面图，图9为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中沉积半导体薄膜后B-B向的剖面图。在完成图3所示图形的基板上，采用PECVD或其它成膜方法，沉积一层半导体薄膜25，如图8和图9所示。本次沉积后，在数据线12、源电极2和漏电极3图形区域，半导体薄膜25形成在掺杂半导体层4上，在其它区域(包括TFT沟道区域)，半导体薄膜25形成在基板1上。
图10为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中涂敷光刻胶后A3-A3向的剖面图，图11为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中涂敷光刻胶后B-B向的剖面图。在完成图8和图9所示图形的基板上，在半导体薄膜25上涂敷一层光刻胶30，如图10和图11所示。
图12为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中光刻胶曝光显影后A3-A3向的剖面图，图13为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中光刻胶曝光显影后B-B向的剖面图。采用普通掩模板对光刻胶30进行曝光，使光刻胶30形成完全曝光区域A和未曝光区域B，其中完全曝光区域A对应于像素电极的图形所在区域，未曝光区域B对应于半导体层的图形所在区域。显影处理后，未曝光区域B的光刻胶厚度没有变化，形成光刻胶完全保留区域，完全曝光区域A的光刻胶被完全去除，形成光刻胶完全去除区域，如图12和图13所示。本次工艺中，可以通过相应工艺使光刻胶30的端面形成向内倾斜的侧壁结构，即形成光刻胶30上表面突出、下表面内缩的倾斜侧壁。实际应用中，可以采用多种常规的技术手段使光刻胶端面形成向内倾斜的侧壁结构。例如，可以采用调整显影工艺参数的方法实现。又如，可以采用将显影后的基板浸泡在苯酚溶液中的方法实现。再如，可以采用负性光刻胶曝光和显影的方法实现。
图14为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中刻蚀工艺后A3-A3向的剖面图，图15为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中刻蚀工艺后B-B向的剖面图。通过刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域A的半导体薄膜，形成半导体层5的图形，如图14和图15所示。本次工艺中，漏电极3部分表面的掺杂半导体层4和半导体层5被刻蚀掉，暴露出漏电极3的部分表面。对半导体薄膜进行刻蚀时，可通过控制刻蚀条件可以使半导体层和掺杂半导体层的端部形成竖直的侧壁结构或内凹的侧壁结构。
图16为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中沉积透明导电薄膜后A3-A3向的剖面图，图17为本发明TFT-LCD阵列基板第一实施例形成半导体层和像素电极的图形中沉积透明导电薄膜后B-B向的剖面图。在完成图14和图15所示图形的基板上，保留半导体层5上方的光刻胶30，采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，沉积一层透明导电薄膜21，如图16和图17所示。透明导电薄膜21可采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等材料。
最后，采用离地剥离技术剥离半导体层5上的光刻胶，光刻胶上的透明导电薄膜也一同去除，在像素区域形成像素电极13图形，如图5～图7所示。由于前述工艺中光刻胶的端面具有向内倾斜的侧壁结构，因此在本次离地剥离工艺后，半导体层5的形状与像素电极13的形状为互补状，且像素电极13与半导体层5之间形成有间隙，该间隙可以保证像素电极13不会与数据线12电连接。
在完成图5所示图形的基板上，首先采用PECVD或其它成膜方法，沉积栅绝缘层6，之后采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，沉积一层栅金属薄膜，栅绝缘层6可以是SiNx、SiOx或SiOxNy的单层薄膜，或上述材料多层沉积形成的多层薄膜，栅金属薄膜可以是钼、铝、铝钕合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层沉积形成的多层薄膜。使用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺，形成包括栅电极7、栅线11和接口过孔的图形，栅电极7位于TFT沟道区域的上方且与栅线11连接，部分栅线11与像素电极13重叠，一起构成存储电容，如图1和图2所示。
本实施例使用半色调或灰色调掩模板通过构图工艺形成栅电极、栅线和接口过孔图形的过程具体为：沉积栅绝缘层和栅金属薄膜后，首先在栅金属薄膜上涂敷一层光刻胶；采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域(即完全曝光区域)、光刻胶完全保留区域(即未曝光区域)和光刻胶半保留区域(即半曝光区域)，其中光刻胶完全保留区域对应于栅电极和栅线的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于数据线接口过孔的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的栅金属薄膜、栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，形成数据线接口过孔的图形；通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的栅金属薄膜；通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的栅金属薄膜，形成栅电极和栅线的图形，栅电极位于TFT沟道区域的上方且与栅线连接，部分栅线与像素电极重叠，一起构成存储电容；剥离剩余的光刻胶，完成本次构图工艺。
图18为本发明栅线接口区域的结构示意图。如图18所示，栅线11形成在栅绝缘层6上，栅绝缘层6下方保留有半导体层5，半导体层5形成在基板1上，由于本实施例是顶栅型结构，栅线11在最上层，因此栅线接口区域的栅线11可以直接引出。图19为本发明数据线接口区域的结构示意图。如图19所示，数据线12形成在基板1上，数据线12上方分别形成有掺杂半导体层4、半导体层5和栅绝缘层6，数据线接口区域开设有数据线接口过孔27，数据线接口过孔27内的栅绝缘层6、半导体层5和掺杂半导体层4被刻蚀掉，暴露出数据线12的表面，使数据线12可以从数据线接口过孔27引出。
本实施例提供了一种TFT-LCD阵列基板，首先通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图形，然后采用离地剥离技术的工艺形成包括半导体层和像素电极的图形，最后通过第三次构图工艺形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形。本实施例通过三次工艺即可实现TFT-LCD阵列基板的制备，简化了工艺步骤，缩短了工艺时间，提高了生产效率，降低了生产成本。与现有技术其它三次工艺相比，本实施例前二次工艺均采用普通掩模板，因此在减少工艺步骤的同时，提高了生产质量。本实施例像素电极与漏电极直接接触，形成了更稳定的电连接，有效提高了良品率。
图20为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图21为图20中A4-A4向的剖面图。如图20和图21所示，本实施例是前述第一实施例的一种结构变形，主体结构与第一实施例相同，不同之处在于，像素电极13的部分区域，即位于像素显示区域上方的栅绝缘层被刻蚀掉，增加了像素区域的透光率，提高了显示品质。
本实施例TFT-LCD阵列基板也可以通过三次工艺制备，首先通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图形，然后采用离地剥离技术的工艺形成半导体层和像素电极的图形，最后通过第三次构图工艺形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形，并刻蚀掉部分像素电极13上方的栅绝缘层。其中，本实施例前二次工艺与前述第一实施例的前二次工艺过程完全相同，本实施例第三次构图工艺过程具体说明如下。
图22为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中沉积栅绝缘层和栅金属薄膜后A4-A4向的剖面图。在完成前述二次工艺图形的基板上，首先采用PECVD或其它成膜方法，沉积栅绝缘层6，之后采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，沉积一层栅金属薄膜22，如图22所示。栅绝缘层6可以是SiNx、SiOx或SiOxNy的单层薄膜，或上述材料多层沉积形成的多层薄膜，栅金属薄膜22可以是钼、铝、铝钕合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层沉积形成的多层薄膜。
图23为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中光刻胶曝光显影后A4-A4向的剖面图。在完成图22所示图形的基板上，在栅金属薄膜22上涂敷一层光刻胶30，采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成完全曝光区域A、未曝光区域B和半曝光区域C，其中未曝光区域B对应于栅线和栅电极的图形所在区域，完全曝光区域A对应于像素显示区域和数据线接口过孔的图形所在区域，半曝光区域C对应于上述图形以外的区域。显影处理后，未曝光区域B的光刻胶厚度没有变化，形成光刻胶完全保留区域，完全曝光区域A的光刻胶被完全去除，形成光刻胶完全去除区域，半曝光区域C的光刻胶厚度变薄，形成光刻胶半保留区域，如图23所示。本实施例中，像素显示区域是指像素电极中用于显示的区域。
图24为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中第一次刻蚀工艺后A4-A4向的剖面图。通过第一次刻蚀工艺，在完全曝光区域A的像素显示区域的所在区域，完全刻蚀掉栅金属薄膜22和栅绝缘层6，暴露出像素显示区域的像素电极；在完全曝光区域A的数据线接口过孔的图形的所在区域，完全刻蚀掉栅金属薄膜22、栅绝缘层6、半导体层5和掺杂半导体层4，形成数据线接口过孔的图形，如图24所示。其中数据线接口过孔的图形可参见前述实施例的图19所示。本次刻蚀工艺中，先采用湿法刻蚀去除栅金属薄膜，然后采用干法刻蚀去除栅绝缘层以及数据线接口过孔内的半导体层和掺杂半导体层，当像素显示区域的栅绝缘层被去除暴露出像素电极后，由于干法刻蚀对像素电极的刻蚀速率远远低于对半导体层和掺杂半导体层的刻蚀速率，因此通过干法刻蚀即可形成数据线接口过孔的图形，不会对像素电极造成损害。
图25为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中灰化工艺后A4-A4向的剖面图。通过灰化工艺，减少光刻胶30的厚度，完全去除半曝光区域C的光刻胶，暴露出该区域的栅金属薄膜22，如图25所示。由于未曝光区域B光刻胶的厚度大于半曝光区域C光刻胶的厚度，因此本次工艺后，未曝光区域B还覆盖有部分厚度的光刻胶。
图26为本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺中第二次刻蚀工艺后A4-A4向的剖面图。通过第二次刻蚀工艺对半曝光区域C的栅金属薄膜进行刻蚀，完全刻蚀掉该区域的栅金属薄膜，形成栅线11和栅电极7的图形，如图26所示。
最后，剥离剩余的光刻胶，完成本发明TFT-LCD阵列基板第二实施例第三次构图工艺，如图20和图21所示。本发明第三次构图工艺后，栅电极7位于TFT沟道区域的上方，部分栅线11与像素电极13重叠，一起构成存储电容，位于像素显示区域上方的栅绝缘层被刻蚀掉。
本实施例提供了一种TFT-LCD阵列基板，通过三次工艺即可实现TFT-LCD阵列基板的制备，不仅具有第一实施例的有益效果，而且通过刻蚀掉像素显示区域的栅绝缘层，增加了像素区域的透光率，提高了显示品质。
图27为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例的平面图，所反映的是一个像素单元的结构，图28为图27中A5-A5向的剖面图。如图27和图28所示，本实施例是前述第一实施例或第二实施例的一种结构变形，主体结构与第一实施例或第二实施例相同，不同之处在于，本实施例薄膜晶体管的下方设置有遮光图形8，遮光图形8形成在基板1上，源电极2、漏电极3和TFT沟道区域形成在遮光图形8上，遮光图形8可以遮挡TFT沟道区域，使来自背光源的光线不能照射到TFT沟道区域的半导体层，有效避免漏电流的产生，提高薄膜晶体管的电特性。
本实施例TFT-LCD阵列基板也可以通过三次工艺制备，首先通过第一次构图工艺形成包括遮光图形、数据线、源电极和漏电极的图形，然后采用离地剥离技术的工艺形成包括半导体层和像素电极的图形，最后通过第三次构图工艺形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形(也可以同时刻蚀掉像素显示区域的栅绝缘层)。其中，本实施例后二次工艺与前述二个实施例的后二次工艺过程完全相同，本实施例第一次构图工艺过程具体说明如下。
图29为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中沉积各层薄膜后A5-A5向的剖面图。首先在基板1(如玻璃基板或石英基板)上依次沉积遮光层薄膜23、源漏金属薄膜24和掺杂半导体薄膜26，如图29所示。源漏金属薄膜24可以是钼、铝、铝钕合金、钨、铬、铜等金属形成的单层薄膜，也可以是以上金属多层沉积形成的多层薄膜，可以采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积，掺杂半导体薄膜26可以采用PECVD或其它成膜方法沉积，遮光层薄膜23可以采用遮光效果好的树脂材料，树脂材料的遮光层薄膜23可以采用PECVD或其它成膜方法沉积。实际应用中，遮光层薄膜也可以采用遮光效果好的金属材料，可以采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积，但需要在遮光层薄膜与源漏金属薄膜之间增加一个绝缘层。
图30为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中光刻胶曝光显影后A5-A5向的剖面图。在完成图29所示图形基板上，在掺杂半导体薄膜26上涂敷一层光刻胶30，采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成完全曝光区域A、未曝光区域B和半曝光区域C，其中未曝光区域B对应于数据线、源电极和漏电极的图形所在区域，半曝光区域C对应于源电极与漏电极之间沟道的图形所在区域，完全曝光区域A对应于上述图形以外区域。显影处理后，未曝光区域B的光刻胶厚度没有变化，形成光刻胶完全保留区域，完全曝光区域A的光刻胶被完全去除，形成光刻胶完全去除区域，半曝光区域C的光刻胶厚度变薄，形成光刻胶半保留区域，如图30所示。
图31为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中第一次刻蚀工艺后A5-A5向的剖面图。通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉完全曝光区域A的掺杂半导体薄膜26、源漏金属薄膜24和遮光层薄膜23，如图31所示。
图32为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中灰化工艺后A5-A5向的剖面图。通过灰化工艺，减少光刻胶30的厚度，完全去除半曝光区域C的光刻胶，暴露出该区域的掺杂半导体薄膜26，如图32所示。由于未曝光区域B光刻胶的厚度大于半曝光区域C光刻胶的厚度，因此本次工艺后，未曝光区域B还覆盖有部分厚度的光刻胶30。
图33为本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺中第二次刻蚀工艺后A5-A5向的剖面图。通过第二次刻蚀工艺对半曝光区域C的掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜进行刻蚀，完全刻蚀掉该区域的掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，形成遮光图形8、数据线12、源电极2、漏电极3和掺杂半导体层4的图形，使遮光图形8遮挡住沟道区域，如图33所示。
最后，剥离剩余的光刻胶，完成本发明TFT-LCD阵列基板第三实施例第一次构图工艺，如图27和图28所示。本实施例第一次构图工艺后，遮光图形8形成在基板1上，源电极2和漏电极3形成在遮光图形8上，之间的沟道被遮光图形8遮挡，掺杂半导体层4形成在源电极2和漏电极3上。
本实施例提供了一种TFT-LCD阵列基板，通过三次工艺即可实现TFT-LCD阵列基板的制备，不仅具有前述第一实施例和第二实施例的优点，而且通过在源电极和漏电极下方设置遮光图形，有效避免了漏电流的产生，提高了薄膜晶体管的电特性。
图34为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法的流程图，包括：
步骤1、在基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图形；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积半导体薄膜和透明导电薄膜，形成包括半导体层和像素电极的图形，像素电极与漏电极直接连接，且像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状；
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积栅绝缘层和栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形。
本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，首先通过第一次构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图形，然后形成形状互补的半导体层和像素电极，最后通过第三次构图工艺形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形。本发明通过三次工艺即可实现TFT-LCD阵列基板的制备，简化了工艺步骤，缩短了工艺时间，提高了生产效率，降低了生产成本。本发明像素电极直接与漏电极连接提高了电接触，提高了良品率，具有广泛的应用前景。
图35为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第一实施例的流程图，在图34所示技术方案中，所述步骤1包括：
步骤11、在基板上沉积一层源漏金属薄膜；
步骤12、在完成步骤11的基板上沉积一层掺杂半导体薄膜；
步骤13、使用普通掩模板通过构图工艺对掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜进行构图，形成包括数据线、源电极、漏电极和掺杂半导体层的图形。
本实施例是一种采用普通掩模板通过构图工艺形成包括数据线、源电极、漏电极和掺杂半导体层的图形的技术方案，采用普通掩模板的构图工艺已广为本领域技术人员熟知，这里不再赘述。
图36为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第二实施例的流程图，在图34所示技术方案中，所述步骤1包括：
步骤21、在基板上沉积遮光层薄膜、源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜；
步骤22、在掺杂半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；
步骤23、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于源电极与漏电极之间沟道的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
步骤24、通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的掺杂半导体薄膜、源漏金属薄膜和遮光层薄膜；
步骤25、通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的掺杂半导体薄膜；
步骤26、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，形成包括遮光图形、数据线、源电极、漏电极和掺杂半导体层的图形，且源电极与漏电极之间形成沟道图形；
步骤27、剥离剩余的光刻胶。
本实施例是一种采用多步刻蚀工艺通过一次构图工艺同时形成遮光图形、数据线、源电极、漏电极和掺杂半导体层图形的技术方案，其过程已在前述图27～图33所示技术方案中详细介绍，这里不再赘述。
图37为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第三实施例的流程图，在图34所示技术方案中，所述步骤2包括：
步骤31、在完成步骤1的基板上，沉积一层半导体薄膜；
步骤32、在半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；
步骤33、采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，其中光刻胶完全去除区域对应于像素电极的图形所在区域，光刻胶完全保留区域对应于半导体层的图形所在区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除；
步骤34、通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的半导体薄膜，形成半导体层的图形，同时去除漏电极部分表面的半导体层和掺杂半导体层，使漏电极的部分表面暴露出来；
步骤35、在完成前述步骤的基板上，沉积一层透明导电薄膜；
步骤36、采用离地剥离技术剥离半导体层上的光刻胶，光刻胶上的透明导电薄膜也一同去除，形成像素电极的图形，部分像素电极覆盖在所述漏电极暴露出的部分表面上，使像素电极与漏电极直接连接，像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状，且像素电极与半导体层之间形成有间隙。
本实施例是一种采用离地剥离工艺同时形成半导体层和像素电极的图形的技术方案，其过程已在前述图5～图17所示技术方案中详细介绍，这里不再赘述。进一步地，为了使光刻胶的端面形成向内倾斜的侧壁结构，即形成光刻胶上表面突出、下表面内缩的倾斜侧壁，因此步骤33与步骤34之间还可以包括将显影后的基板浸泡在苯酚溶液中的步骤。
图38为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第四实施例的流程图，在图34所示技术方案中，所述步骤3包括：
步骤41、在完成步骤2的基板上，沉积栅绝缘层和栅金属薄膜；
步骤42、在栅金属薄膜上涂敷一层光刻胶；
步骤43、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于栅电极和栅线的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于数据线接口过孔的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
步骤44、通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的栅金属薄膜、栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，形成数据线接口过孔的图形；
步骤45、通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的栅金属薄膜；
步骤46、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的栅金属薄膜，形成栅电极和栅线的图形；
步骤47、剥离剩余的光刻胶。
本实施例是一种采用多步刻蚀工艺通过一次构图工艺形成栅线、栅电极和接口过孔图形的技术方案。
图39为本发明TFT-LCD阵列基板制造方法第五实施例的流程图，在图34所示技术方案中，所述步骤3包括：
步骤51、在完成步骤2的基板上，沉积栅绝缘层和栅金属薄膜；
步骤52、在栅金属薄膜上涂敷一层光刻胶；
步骤53、采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于栅线和栅电极的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于像素显示区域和数据线接口过孔的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
步骤54、通过第一次刻蚀工艺，完全刻蚀掉像素显示区域所在区域的栅金属薄膜和栅绝缘层，暴露出像素显示区域的像素电极，完全刻蚀掉数据线接口过孔的图形所在区域的栅金属薄膜、栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，形成数据线接口过孔的图形；
步骤55、通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的栅金属薄膜；
步骤56、通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的栅金属薄膜，形成栅线和栅电极的图形；
步骤57、剥离剩余的光刻胶。
本实施例是一种采用多步刻蚀工艺通过一次构图工艺形成栅线、栅电极和接口过孔图形的同时去除像素显示区域栅绝缘层的技术方案，其过程已在前述图20～图26所示技术方案中详细介绍，这里不再赘述。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (5)
1.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：
步骤1、在基板上沉积源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜，通过构图工艺形成包括数据线、源电极和漏电极的图形；
步骤2、在完成步骤1的基板上沉积半导体薄膜和透明导电薄膜，形成包括半导体层和像素电极的图形，像素电极与漏电极直接连接，且像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状；
步骤3、在完成步骤2的基板上沉积栅绝缘层和栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极和接口过孔的图形；
其中，所述步骤2包括：
在完成步骤1的基板上，沉积一层半导体薄膜；
在半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；
采用普通掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域，其中光刻胶完全去除区域对应于像素电极的图形所在区域，光刻胶完全保留区域对应于半导体层的图形所在区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除；
通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的半导体薄膜，形成半导体层的图形，同时去除漏电极部分表面的半导体层和掺杂半导体层，使漏电极的部分表面暴露出来；
在完成前述步骤的基板上，沉积一层透明导电薄膜；
采用离地剥离技术剥离半导体薄膜上的光刻胶，光刻胶上的透明导电薄膜也一同去除，形成像素电极的图形，部分像素电极覆盖在所述漏电极暴露出的部分表面上，使像素电极与漏电极直接连接，像素电极的形状与半导体层的形状呈互补状，且像素电极与半导体层之间形成有间隙。
2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1包括：
在基板上沉积遮光层薄膜、源漏金属薄膜和掺杂半导体薄膜；
在掺杂半导体薄膜上涂敷一层光刻胶；
采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于数据线、源电极和漏电极的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于源电极与漏电极之间沟道的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于上述图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的掺杂半导体薄膜、源漏金属薄膜和遮光层薄膜；
通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的掺杂半导体薄膜；
通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，形成包括遮光图形、数据线、源电极、漏电极和掺杂半导体层的图形，且源电极与漏电极之间形成沟道图形；
剥离剩余的光刻胶。
3.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，还包括将显影后的基板浸泡在苯酚溶液中以使光刻胶的端面形成向内倾斜的侧壁结构的步骤。
4.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤3包括：
在完成步骤2的基板上，沉积栅绝缘层和栅金属薄膜；
在栅金属薄膜上涂敷一层光刻胶；
采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于栅电极和栅线的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于数据线接口过孔的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
通过第一次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶完全去除区域的栅金属薄膜、栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，形成数据线接口过孔的图形；
通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的栅金属薄膜；
通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的栅金属薄膜，形成栅电极和栅线的图形；
剥离剩余的光刻胶。
5.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤3包括：
在完成步骤2的基板上，沉积栅绝缘层和栅金属薄膜；
在栅金属薄膜上涂敷一层光刻胶；
采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻胶完全去除区域、光刻胶完全保留区域和光刻胶半保留区域，其中光刻胶完全保留区域对应于栅线和栅电极的图形所在区域，光刻胶完全去除区域对应于像素显示区域和数据线接口过孔的图形所在区域，光刻胶半保留区域对应于上述图形以外的区域；显影处理后，光刻胶完全保留区域的光刻胶厚度没有变化，光刻胶完全去除区域的光刻胶被完全去除，光刻胶半保留区域的光刻胶厚度变薄；
通过第一次刻蚀工艺，完全刻蚀掉像素显示区域所在区域的栅金属薄膜和栅绝缘层，暴露出像素显示区域的像素电极，完全刻蚀掉数据线接口过孔的图形所在区域的栅金属薄膜、栅绝缘层、半导体层和掺杂半导体层，形成数据线接口过孔的图形；
通过灰化工艺完全去除光刻胶半保留区域的光刻胶，暴露出该区域的栅金属薄膜；
通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶半保留区域的栅金属薄膜，形成栅线和栅电极的图形；
剥离剩余的光刻胶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200910080226.6A CN101840117B (zh) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200910080226.6A CN101840117B (zh) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101840117A CN101840117A (zh) | 2010-09-22 |
| CN101840117B true CN101840117B (zh) | 2014-02-19 |
Family
ID=42743585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200910080226.6A Expired - Fee Related CN101840117B (zh) | 2009-03-16 | 2009-03-16 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101840117B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102637636A (zh) | 2011-08-24 | 2012-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| CN102543892B (zh) * | 2011-12-21 | 2013-12-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管基板及其制造方法和液晶显示装置 |
| CN102629059B (zh) | 2012-01-31 | 2015-05-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及制造方法、液晶面板和液晶显示器 |
| CN104808378B (zh) * | 2015-05-14 | 2017-12-29 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于制作液晶显示面板的方法及液晶显示面板 |
| US10153302B2 (en) * | 2015-08-18 | 2018-12-11 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Pixel structure |
| CN107331671A (zh) * | 2017-08-29 | 2017-11-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板和阵列基板的制备方法 |
| CN113161375B (zh) * | 2021-04-09 | 2024-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示装置及其制备方法 |
| CN113345919B (zh) * | 2021-05-25 | 2023-07-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1161464A (zh) * | 1995-11-20 | 1997-10-08 | 现代电子产业株式会社 | 液晶显示元件及其制造方法 |
| KR20020053580A (ko) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 3 마스크 반사형 에프에프에스 모드 액정표시소자 제조방법 |
| KR20050064929A (ko) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Ｔｆｔ 어레이 기판 및 그 제조방법 |
-
2009
- 2009-03-16 CN CN200910080226.6A patent/CN101840117B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1161464A (zh) * | 1995-11-20 | 1997-10-08 | 现代电子产业株式会社 | 液晶显示元件及其制造方法 |
| KR20020053580A (ko) * | 2000-12-27 | 2002-07-05 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 3 마스크 반사형 에프에프에스 모드 액정표시소자 제조방법 |
| KR20050064929A (ko) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Ｔｆｔ 어레이 기판 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101840117A (zh) | 2010-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101887897B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN102023433B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN101630640B (zh) | 光刻胶毛刺边缘形成方法和tft-lcd阵列基板制造方法 | |
| CN101840117B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN101526707B (zh) | Tft-lcd阵列基板制造方法 | |
| CN101614917B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN101825814B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN101630098B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN101957526B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN101807583B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN102156368A (zh) | 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法 | |
| US8895334B2 (en) | Thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same and electronic device | |
| CN103762199B (zh) | 一种液晶显示器的阵列基板的制造方法 | |
| CN102012590B (zh) | Ffs型tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN103489918A (zh) | 一种薄膜晶体管和阵列基板及其制造方法 | |
| CN101825816A (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN101807549B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN108107637A (zh) | 一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制作方法 | |
| CN101825815A (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN101807584B (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN102890378A (zh) | 一种阵列基板及其制造方法 | |
| CN101807586A (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| WO2021077674A1 (zh) | 阵列基板的制作方法及阵列基板 | |
| CN102768990A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN102054833A (zh) | 薄膜晶体管基板及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20141211 Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY Effective date: 20141211 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| COR | Change of bibliographic data |
Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100176 DAXING, BEIJING TO: 100015 CHAOYANG, BEIJING |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20141211 Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No. Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Patentee after: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, West Central Road, No. 8 Patentee before: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140219 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |