CN100517036C

CN100517036C - 显示装置

Info

Publication number: CN100517036C
Application number: CNB2004100429719A
Authority: CN
Inventors: 大津亮一; 中山贵德; 宫崎贵弘
Original assignee: Hitachi Displays Ltd
Current assignee: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd; Japan Display Inc
Priority date: 2003-06-05
Filing date: 2004-06-04
Publication date: 2009-07-22
Anticipated expiration: 2024-06-04
Also published as: JP4424925B2; CN1573443A; US20040246425A1; US7821609B2; JP2004361700A; US7202929B2; US20070153193A1

Abstract

本发明提供一种显示装置。在中间间隔液晶而相对配置的各基板中的一方的基板的液晶一侧的各像素区中，具有：像素电极，经由由来自栅极信号线的扫描信号驱动的开关元件，被提供来自漏极信号线的图像信号；以及电容元件，中间间隔电介质膜地形成于上述像素电极和电容信号线之间。上述像素区被分割成多个区域，经由从上述开关元件分支后的路径，分别对该多个区域中的各像素电极和电容元件提供图像信号。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及一种显示装置，特别涉及一种具有适合于点缺陷的修复的结构的液晶显示装置。

背景技术

显示装置、例如液晶显示装置，其构成为：以中间间隔液晶而相对配置的基板为封装，在该液晶的扩展方向形成多个像素。而且，各像素具备在上述各基板的液晶一侧的面上层叠了用光刻法技术进行了微细加工的导电层、绝缘层及半导体层等的电子电路。

为此，有时会因制造工序中的上述导电层的断线而发生所谓的点缺陷(像素本身的缺陷)。其修复技术已为人们所知，通过使该像素总是进行黑显示，而使该缺陷难以被观察到(请参考日本专利申请公开特开平11-125840号公报、特开2001-135809号公报及其在美国的相应的专利申请US6,437,341)。

但是，近年来，有人指出：诸如TV用的液晶显示装置等那样，如果其每一个像素的尺寸变大，那么只用上述那样的修复是不够的，因点缺陷所引起的弊端已变得能够观察到。

例如，彩色用液晶显示装置，使相互邻接的3个像素分别负责红(R)、绿(G)、兰(B)的颜色而构成。为此，例如，在一个方向被并列设置的各像素，从其一方的一侧起按照诸如...红(R)、绿(G)、兰(B)、红(R)、绿(G)、兰(B)、红(R)、绿(G)...的顺序被配置。当其中例如负责红(R)颜色的一个像素产生了缺陷，将其修复并使得进行黑显示时，会也包含已修复的该像素在内，连同其两侧的各自1个或2个像素以青色被观察到。

因此，像以往那样地仅使产生了缺陷的一个像素进行黑显示是不充分的，从而要求进行修复以使得该黑显示的部分的面积被尽可能缩小。

发明内容

本发明是根据上述情况而做出的，其优点在于，提供一种避免因所谓点缺陷的修复所引起的黑显示的弊端的显示装置。

本申请所公开的发明的代表性的内容可以简单地概括为下述。

技术方案1

本发明的显示装置，例如，是一种液晶显示装置，在中间间隔液晶而相对配置的各基板中的一方的基板的液晶一侧的各像素区中，具有：开关元件，由漏极电极、源极电极、以及半导体层构成；像素电极，经由由来自栅极信号线的扫描信号驱动的上述开关元件，被提供来自漏极信号线的图像信号；以及电容元件，中间间隔电介质膜地形成于上述像素电极和电容信号线之间，其特征在于：

上述像素区被分割为多个区域，各区域具有像素电极和电容元件，该各区域的像素电极和上述开关元件经由被分支的上述源极电极相连接，上述源极电极形成在与上述像素电极不同的层。

技术方案2

本发明的显示装置，例如，是技术方案1中所述的液晶显示装置，其特征在于：上述源极电极，在其一部分上仅重叠绝缘膜地形成。

技术方案3

本发明的显示装置，例如，是技术方案2中所述的液晶显示装置，其特征在于：在另一方的基板的液晶一侧的面上，至少覆盖上述源极电极的上述一部分地形成有黑矩阵。

技术方案4

本发明的显示装置，例如，是技术方案1中所述的液晶显示装置，其特征在于：上述源极电极包括第一源极电极和第二源极电极，上述第一源极电极连接在与形成有开关元件的栅极信号线相邻的第一像素区的上述像素电极上，上述第二源极电极形成在隔着上述形成有开关元件的栅极信号线与上述第一像素区相邻地形成的第二像素区侧，上述第二源极电极形成在间隔绝缘膜与上述第二像素区中的像素电极重叠的位置，由此，在上述第二像素区中，通过修复，来自上述开关元件的图像信号能够提供到上述第二像素区的像素电极。

技术方案5

本发明的显示装置，例如，是技术方案1中所述的液晶显示装置，其特征在于：上述电容元件与电容信号线重叠地形成，将该电容信号线作为一方的电极构成。

技术方案6

本发明的显示装置，例如，是技术方案1中所述的液晶显示装置，其特征在于：上述像素电极由在一个方向延伸的带状的多个电极组构成，而且，与这些各像素电极之间产生电场的对置电极形成在与上述像素电极不同的基板上。

技术方案7

本发明的显示装置，例如，是技术方案1中所述的液晶显示装置，其特征在于：上述液晶显示装置是常态黑型。

技术方案8

本发明的显示装置，例如，是技术方案1中所述的液晶显示装置，，其特征在于：做成如下构造，即，在切断上述源极电极时，上述开关元件和上述像素电极分离，同时，上述电容元件和上述开关元件分离。

技术方案9

本发明的显示装置，是一种液晶显示装置，其特征在于：在中间间隔液晶而相对配置的各基板中的一方的基板的液晶一侧的各像素区中，具有：开关元件，由漏极电极、源极电极、以及半导体层构成；像素电极，经由由来自栅极信号线的扫描信号驱动的上述开关元件，被提供来自漏极信号线的图像信号；以及电容元件，与该像素电极对应；

上述像素电极被分割成多个，被分割的各像素电极的每一者具有上述电容元件，该像素电极和上述开关元件，经由从上述开关元件按照每个像素电极被分支的上述源极电极相连接，上述源极电极形成在与上述像素电极不同的层。

技术方案10

本发明的显示装置，是技术方案9中所述的液晶显示装置，其特征在于：上述电容元件与电容信号线重叠地形成，将该电容信号线作为一方的电极构成，而且，在该电容信号线的延伸部分构成上述遮光膜。

技术方案11

本发明的显示装置，是技术方案9中所述的液晶显示装置，其特征在于：上述液晶显示装置是常态黑型。

技术方案12

本发明的显示装置，是技术方案11中所述的液晶显示装置，其特征在于：做成如下构造，即，在切断上述源极电极时，上述开关元件和上述像素电极分离，同时，上述电容元件和上述开关元件分离。

此外，本发明不限于上述构成，在不脱离本发明的技术思想的范围内，能进行各种变更。

附图说明

图1A～图1C是表示本发明的显示装置的像素的一个实施例的平面图。

图2A～图2C是表示图1的主要部分的剖面的图。

图3是表示图1所示的显示装置的像素缺陷的修复状态的图。

图4是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图5是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图6A～图6C是表示图5的主要部分的剖面的图。

图7是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图8A～图8B是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图9A～图9D是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的结构图。

图10是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图11A～图11B是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的结构图。

图12A～图12B是表示图11所示的显示装置的像素缺陷的修复状态的图。

图13是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图14A～图14B是表示本发明的液晶显示装置的像素的另一实施例的结构图。

图15A～图15B是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的结构图。

图16是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图17是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图18A～图18B是沿图17的XVIII-XVIII线的剖面图。

图19是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图20A～图20B是沿图19的IIX-IIX线的剖面图。

图21A～图21B是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图和剖面图。

图22是剖面地表示在图21所示的结构中形成有电容元件的情况的图。

图23是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图24是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图25A～图25B是沿图24的IIXV-IIXV线的剖面图。

图26是表示本发明的显示装置的像素的另一实施例的平面图。

具体实施方式

以下，使用附图说明本发明的液晶显示装置的实施例。

[实施例1]

图1A是表示本发明的液晶显示装置的像素的构成的平面图。另外，在图2A中表示图1A的a-a线的剖面图，在图2B中表示b-b线的剖面图，在图2C中表示c-c线的剖面图。

本发明的液晶显示装置的各像素被配置成矩阵状。相对于图1A所示的像素，配置在其上下左右的各像素也是相同的结构。

在图1A中，在透明基板SUB1(参照图2)的液晶一侧的面上，首先，形成有在x方向延伸、在y方向并列设置的栅极信号线GL(在图1中只示出1个)。

这些栅极信号线GL与后述的漏极信号线DL一起包围矩形形状的区域，将该区域构成为像素区，这些像素区的集合构成为液晶显示区域。

另外，在各栅极信号线GL之间的区域，形成有靠近图中下侧的栅极信号线GL且平行地配置的电容信号线CL。这些栅极信号线GL和电容信号线CL，例如由相同材料构成，并用同一工序制造。

此外，该电容信号线CL，分别沿着后述的漏极信号线DL的形成区域的两侧成为一对分支信号线CTM并延伸到图中下侧，并形成有在栅极信号线GL的附近相互连接的图案。换言之，漏极信号线DL，在像素区内被电容信号线CL包围地形成。这是为了使来自漏极信号线DL的电场容易终止于形成在该漏极电极DL的两侧的电容信号线CL的分支信号线CTM，避免其终止于后述的像素电极PX。其理由为，如果来自漏极信号线DL的电场在该像素电极PX终止，那么该电场作为噪音而起作用。

在透明基板SUB1的表面，也覆盖栅极信号线GL和电容信号线CL地形成有第1绝缘膜GI。该第1绝缘膜GI，作为后述的薄膜晶体管TFT的栅极绝缘膜起作用，而且，具有作为后述的漏极信号线DL对于该栅极信号线GL和电容信号线CL的层间绝缘膜的功能。

在该第1绝缘膜GI的表面，与上述栅极信号线GL的一部分的区域重叠地形成有诸如由非晶形Si构成的半导体层a-Si。

该半导体层a-Si是薄膜晶体管TFT的半导体层，通过在其上面形成漏极电极DT和源极电极ST，能够构成以上述栅极信号线GL的一部分为栅极电极的反向交错构造的MIS型晶体管。

此处，在漏极信号线DL形成时，同时形成上述漏极电极DT和源极电极ST。

即，形成在y方向延伸、在x方向并列设置的漏极信号线DL，其一部分延伸到上述半导体层a-Si的上面并形成漏极电极DT，另外，与该漏极电极DT间隔薄膜晶体管TFT的沟道长度的量地形成有源极电极ST。

该源极电极ST，从半导体层a-Si面向像素区(在该图中，图中下侧的像素区)一侧的电容信号线CL的上方被如果干延伸，并构成用于通过该延伸部分谋求与后述的像素电极PX的连接的连接部。

此处，该连接部的面积比较大，例如被形成3个，该各连接部CNT1、CNT2、CNT3在上述电容信号线CL上被并列配置。

通过使各连接部CNT1、CNT2、CNT3配置在上述电容信号线CL上，在其间形成以第1绝缘膜GI为电介质膜的电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3。这些电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3，分别具有使供给后述的像素电极PX的图像信号较长时间地存储在该像素电极PX中等功能。

这样，在形成了薄膜晶体管TFT、漏极信号线DL、漏极电极DT源极电极ST的透明基板SUB1的表面，形成有例如由SiN构成的保护膜PAS1、例如由树脂构成的保护膜PAS2。这些保护膜PAS1、PAS2是用于避免上述薄膜晶体管TFT与液晶直接接触的膜，用于防止该薄膜晶体管TFT的特性恶化。另外，作为保护膜PAS2的材料而使用树脂的理由是，为了使保护膜PAS1、PAS2的整体的介电常数减小，以及为了使表面平坦化。

在上述保护膜PAS2的上面形成有像素电极PX。该像素电极PX由在y方向延伸、在x方向并列设置的例如6个电极组构成。这些各像素电极PX，按相邻接的电极每2个为1组，各组的像素电极PX通过贯穿上述连接部CNT中靠近的一个连接部上面的保护膜PAS2、PAS1的通孔TH，与该连接部电连接。

即，在被配置在像素内的各像素电极PX中的从图中左侧起的2个像素电极PX通过通孔TH1被连接到在与电容信号线CL之间构成电容元件Cstg1的连接部CNT1，并被连接到上述薄膜晶体管TFT的源极电极ST。另外，再向图中右侧数的2个像素电极PX通过通孔TH2被连接到在与电容信号线CL之间构成电容元件Cstg2的连接部CNT2，并被连接到上述薄膜晶体管TFT的源极电极ST。此外，再向图中右侧数的2个像素电极PX通过通孔TH3被连接到在与电容信号线CL之间构成电容元件Cstg3的连接部CNT3，并被连接到上述薄膜晶体管TFT的源极电极ST。

这样，在形成了像素电极PX的保护膜PAS2的表面，还形成有对置电极CT。作为对置电极CT的材料，如果是导电材料，则可以是任何一种。但是，在本实施例中，例如用ITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、SnO₂(氧化锡)、In₂O₃(氧化铟)等的光透射性材料构成。这是为了提高像素的开口率。

该对置电极CT，由在图中y方向延伸的上述各像素电极PX的两侧分别与该像素电极PX平行、在图中y方向延伸的7个电极组构成。

而且，其中2个以充分覆盖漏极信号线DL及其两侧的电容信号线CL的分支信号线CTM的线宽而构成。这是为了使来自漏极信号线DL的电场容易终止于形成在该漏极电极DL的上方的对置电极CT。

此外，构成对置电极CT的材料层，在被连接到该对置电极CT的状态下，避开上述电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3的形成区域并还充分覆盖栅极信号线地形成。这是为了相同的目的，即为了使来自栅极信号线GL的电场终止于该材料层(对置电压信号线COL)。此外，该材料层通过贯穿保护膜PAS2、保护膜PAS1、第1绝缘膜GI的通孔TH4被连接到电容信号线CL。这是为了使电容信号线CL和对置电极CT的电位相同。

因此，充分覆盖上述栅极信号线GL并且被保持为与对置电极CT相同的电位的上述材料层，具有作为用于向该对置电极CT提供信号的对置电压信号线COL的功能。

这样被构成的像素电极PX和对置电极CT，从一方的一侧的漏极信号线DL到另一方的一侧的漏极信号线DL，按照对置电极CT、像素电极PX、对置电极CT、像素电极PX、......、对置电极CT这样的顺序，分别等间隔地配置。在相互邻接配置的像素电极PX和对置电极CT之间，产生具有与透明基板SUB1的面大致平行的成分的电场，由该电场使液晶进行动作，并控制其光透射率。

此外，在本实施例中，像素电极PX和对置电极CT形成以像素区的大致中央为分界线而弯曲的图案，随之，漏极信号线DL及其两侧的分支信号线CTM(电容信号线CL)也形成弯曲的图案，采用所谓多区方式。即，液晶即使在其分子排列相同的状态下，因入射到液晶显示装置的光的入射方向不同，而改变透射光的偏振状态，所以，与入射方向对应地，光的透射率不同。这样的液晶显示装置的视角依赖性，具有这样的显示特性，即：如果使视点相对于视角方向倾斜，就会引起亮度的反转现象，在进行彩色显示时使图像带色。为此，将像素电极PX设定为在其延伸方向至少形成1个弯曲部分的图案，进而以平行移动了该图案的形状，形成对置电极CT，以连结了该各电极的弯曲点的假想的线为界线，在一方的区域和另一方的区域中使在各电极间作用的电场的方向不同，由此，对依赖于视角的图像的带色进行补偿。

这样，在形成了像素电极PX、对置电极CT等的保护膜PAS2的上面，也覆盖该像素电极PX、对置电极CT等地形成有取向膜AL。该取向膜AL是用于决定与其接触地配置的液晶的初始取向方向的膜。

此外，在与上述那样构成的透明基板SUB1中间间隔液晶地相对配置的透明基板SUB2的液晶的一侧的面上，如图2B、2C所示，形成有滤色片CF、黑矩阵BM、平坦膜OC、取向膜AL。黑矩阵BM，为了充分地覆盖栅极信号线GL和电容信号线CL，而构成在图中x方向延伸的呈带状延伸的图案。上述像素电极PX和对置电极CT的各自的顶端，因黑矩阵BM而不能被观察到。

此处，上述液晶使用被称做常态黑(normally black)的液晶。即，当在像素电极PX和对置电极CT之间没有产生电场时，进行黑显示；在产生了电场的场合，根据其电场的强度，从黑显示转移到白显示。

另外，对透明基板SUB1和透明基板SUB2的每一者，在与液晶相反一侧的面上粘贴偏振片POL1、POL2，由此，能使液晶的状态变化可视化。如图1B所示，构成为：一方的透明基板例如透明基板SUB1的偏振片POL1的偏振光透射轴与y方向一致，而透明基板SUB2的偏振片POL2的偏振光透射轴与x方向一致。

在如此构成的液晶显示装置中，将一个像素区分割为3个区域，使来自该像素所具备的1个薄膜晶体管TFT的图像信号分支成3路，分别将其提供到各区域的像素电极PX，并使上述各区域的每一者都具备用于存储该图像信号的电容元件。

因此，如图3所示，当在像素区的一部分中残留异物STM，并因该异物STM在像素电极PX和对置电极CT之间产生了短路时，可以借助于例如激光来切断该像素电极PX的与薄膜晶体管TFT的源极电极ST的连接部分，具体而言，切断由该像素电极PX形成的电容元件Cstg(在图中是电容元件Cstg1)和上述薄膜晶体管TFT的源极电极ST之间的连接部分，形成切断部分CUT。

由此，像素区的1/3在修复后进行黑显示，而在剩余的2/3的像素区中，恢复作为像素的功能。

而且，通过上述切断，相对于上述薄膜晶体管TFT，上述电容元件Cstg和液晶的电容也被分离开。这是因为，对于该薄膜晶体管TFT来说，要写入信号的电容成为残留区域的电容元件Cstg和液晶的电容，因此电容变小。其结果是，具有这样的效果，即，在进行了缺陷修正的像素中，薄膜晶体管TFT的写入特性得以提高，电压比其他像素高的信号被写入。

在常态黑的情况下，这意味着：该像素与其他正常的像素相比，对于相同的图像信号电压，提高子区域附近的亮度。由此，因缺陷修正而在像素内产生不进行动作的区域，其他区域为了比修正前提高中间色调的亮度，可以在某种程度上补偿因进行动作的区域的减小所引起的亮度下降。即，能够实现对因缺陷修正所引起像素整体的亮度下降的抑制，并对应在更大的面积进行的缺陷修正，实现成品率的显著改善。

此处，如作为液晶的对于被施加的电场(电压)的亮度特性图的图1C所示，尤其在变色光点成为问题的中间色调中，未产生短路的子区域的单位面积的亮度，在修复前，在写入电压为V1时成为亮度B1，而由于修正而减小了薄膜晶体管TFT的要写入的电容，因此，在修复后，在写入电压为V2时增大到亮度B2。由此，当通过缺陷修正来修正变色光点时，能抑制产生了缺陷的像素的亮度下降，并实现修正率的大幅度的提高。

此外，在上述的实施例中，设置3个电容元件Cstg，对各电容元件Cstg分配2个像素电极PX地构成。但是，上述数量并没有特别的限制，电容元件Cstg也可以是3个以上，另外，被分配给各电容元件Cstg的像素电极PX也可以是几个。在本实施例的场合，从减少通孔TH的数量的目的出发，优选的是，被分配给1个电容元件Cstg的像素电极PX为多个。

[实施例2]

图4是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的平面图，是与图1A对应的图。

与图1A比较，其不同的构成在于黑矩阵BM的配置位置。在栅极信号线GL的延伸方向平行配置的黑矩阵BM，充分地覆盖该栅极信号线。但是，在电容信号线CL一侧的边上，其被形成得使该电容信号线CL的一部分从该边露出。换言之，该边位于与该电容信号线CL重合的位置。

上述是基于下述的构成，即：在栅极信号线GL和像素电极PX之间容易产生所谓畴，与此相反，在电容信号线CL和像素电极PX之间难以产生该畴。由此，提高像素的所谓开口率。

此外，实施例1所示的构成也是相同的。栅极信号线GL及与其靠近的电容信号线CL之间的区域被上述黑矩阵BM覆盖。其理由是，该区域相当于在修复时借助于例如激光光线等将薄膜晶体管TFT的源极电极ST和与其连接的像素电极PX断开的部位，由此，必须用该黑矩阵BM遮蔽因该激光光线所引起的滤色片CF的变质或变色。

[实施例3]

图5是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的平面图，是与图1A对应的图。另外，图6A表示图5的a-a线的剖面图，图6B表示图5的b-b线的剖面图，图6C表示图5的c-c线的剖面图。

与图1A的场合比较，不同的构成在于，首先，对置电极CT不形成在与像素电极PX相同的层，而是形成在栅极信号线GL(电容信号线CL)和第1绝缘膜GI的下层。

另外，该对置电极CT，由ITO等透光性材料构成，覆盖像素区的大致整个区域地形成，并与上述电容信号线CL的一部分重叠地形成。

像素电极PX也可以由ITO等透光性材料构成，在该场合，透射率的提高得以实现。

即，是这样的构成，即：在形成为平板形状的对置电极CT的上面，中间间隔绝缘膜(第1绝缘膜GI、第1保护膜PAS1)地形成由多个电极组构成的像素电极PX。借助于在上述各电极之间产生的电场，控制液晶的光透射率。

而且，是这样的构成，即：用于避免薄膜晶体管TFT与液晶的直接接触的保护膜仅为第1保护膜PAS1，而未形成第2保护膜PAS2。这是为了降低在对置电极CT和像素电极PX之间产生的电场强度。

在如此构成的液晶显示装置中，也将一个像素区分割为例如3个区域，将来自该像素所具备的1个薄膜晶体管TFT的图像信号分支成3路，分别将其提供到各区域的像素电极PX，并使上述各区域的每一者都具备用于存储该图像信号的电容元件，取得与实施例1相同的效果。

在本实施例中，在像素电极PX和对置电极CT之间也形成电容元件。

此外，在该实施例中，黑矩阵BM，采用例如形成为格子形状的图案，以在各像素中划分与其他相邻接的像素的间隔。但是，当然并不受其限定。

[实施例4]

图7是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的平面图，是与图1A对应的图。

与图1A的场合比较，其不同的构成首先在于在薄膜晶体管TFT的源极电极ST和与其连接的像素电极PX之间所形成的电容元件Cstg的构成。

在图1A的场合，各电容元件Cstg被多个像素电极PX公用地构成。但是，在图7的场合，具有相对于一个像素电极PX具备一个电容元件Cstg的该像素电极PX。

由此，能够使从薄膜晶体管TFT的源极电极ST经由各电容元件Cstg向像素电极PX的分支数增大，并尽可能减小修复后的像素的亮度下降。

在该场合，在该电容元件Cstg的形成部分，用于使该电极和像素电极PX电连接的通孔TH随着上述分支数的增大而增大。为此，在本实施例中，考虑在图中x方向并列设置的各通孔TH在y方向上每隔一个地错开配置，从而，尽量使各通孔TH和与其邻接的其他通孔TH的间隔距离增大。

在本实施例中，如图7所示，在各电容元件Cstg中，也存在共同地负责多个像素电极PX的电容元件，这样的构成是由一个通孔TH和与其邻接的其他通孔TH的间隔距离所决定的，未必需要对每个像素电极PX规定来自薄膜晶体管TFT的源极电极的分支。

[实施例5]

图8A表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的平面图，是与图1A对应的图。

与图1A的场合比较，不同的构成在于，首先，采用薄膜晶体管TFT对于通过它提供图像信号的像素，准备将相同的图像信号也提供到沿漏极信号线DL与其邻接的其他像素(图中上侧的像素)的像素电极PX的结构。

即，首先，上述薄膜晶体管TFT，将与漏极信号线DL连接的漏极电极DT规定在中间，除在图中下侧形成的源极电极ST外，还在图中上侧形成有第2源极电极ST2。而且，该第2源极电极ST2构成为：延伸到形成它的一侧的像素区，并且被分支、延伸，直至分别与在上述像素区被分割的多个(在图中是3个)区域中的各像素电极PX的顶端部分重叠。

另外，由此，上述薄膜晶体管TFT共用漏极电极DT，可以将在与源极电极ST之间进行动作的薄膜晶体管TFT称作驱动用晶体管，将在与第2源极电极之间进行动作的薄膜晶体管TFT称作修正用晶体管。

在通常(修复前)的状态下，上述各像素电极PX的顶端部分和薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2不进行电连接。这是因为，如图8B的剖面图所示，薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2被配置在第1保护膜PAS1的下层，与此相反，上述各像素电极PX被配置在第2保护膜PAS2的上层。此外，图8B表示图8A的b-b线的剖面图。

在这样的构成中，在其制造工序中，如图9A所示，当在来自薄膜晶体管TFT的布线的一部分中产生了故障、例如断线(图中用FG表示)的场合，来自薄膜晶体管TFT的信号不被提供给像素电极PX，应由该薄膜晶体管TFT驱动的像素在整个区域变成了黑点。

在本实施例中，通过从由邻接的其他栅极信号线GL驱动的缺陷修正用的薄膜晶体管TFT对该故障像素提供信号，能够恢复显示。

即，在发生了上述缺陷FG，并由于该缺陷而不能从驱动用的薄膜晶体管TFT向像素电极PX提供信号时，对来自修正用的薄膜晶体管TFT的输出和像素电极，使用激光光等使其成为电导通状态(图中用SHRT表示)。由此，返回到从修正用薄膜晶体管TFT向像素电极PX提供图像信号的状态，因此，在显示上点缺陷被修复。

此处，由被修复过的像素所显示的图像偏移1个像素量。如果在相同颜色的邻接的像素间进行相同的显示，那么在通常的使用状态中难以识别到该像素存在缺陷，在实际使用上，能够恢复到大致正常的动作。

此外，由于利用激光光线的导通容易实现，因此，来自修正用薄膜晶体管TFT的输出，优选这样的构成，即：用金属层布线，使间隔绝缘膜与像素电极PX重叠。这是因为，借助于热吸收率良好的金属层，能够较容易地进行从透明基板SUB1的背面的激光照射的连接。

图9B表示图9A的b-b线的剖面图，表示通过激光光线的照射使薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2和像素电极PX电连接。

另外，图9C是表示被改良的另一实施例的图，是与图9B对应的图。在谋求薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2和像素电极PX的在修复时的连接的位置，在第2绝缘膜PAS2上进行开孔。因此，成为能够较容易地进行激光光线的上述各构件的连接的构成。图9D是表示在图9C的构成中谋求该连接时的剖面的图。

[实施例6]

图10是表示在图9所示的构成的液晶显示装置中，在漏极信号线DL和薄膜晶体管TFT的源极电极ST的进行分支前的部分发生了短路时(图中用FG表示)，其修复的状态的图。

在该场合，例如用激光光线切断用于进行从上述薄膜晶体管TFT的源极电极ST向像素区被分割的各区域中的像素电极PX的连接的分支部分(图中用CUT表示)，而且，连接该像素的位于图中下侧的驱动像素的薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2和该像素电极PX(在图中用SHRT表示)。

在进行上述修复时，由被修复过的像素所显示的图像也偏移1个像素量。如果在相同颜色的邻接的像素间进行相同的显示，那么在通常的使用状态中难以识别到该像素存在缺陷，在实际使用上，能够恢复到大致正常的动作。

[实施例7]

图11A是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的图，是与图9A对应的图。

与图9A的场合比较，其不同的构成在于，首先，薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2，其一部分覆盖栅极信号线GL和电容信号线CL，而且，从被保持为与对置电极CT相同电位的材料层(对置电压信号线COL)露出并延伸，然后被分支，该分支通路的一部分延伸到上述材料层一侧并再次重叠，通过被设置在该重叠部分的一部分的通孔TH5，使上述第2源极电极ST2和上述材料层成为导通状态。

在该场合，薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2和该像素的像素电极PX，如作为图11A的b-b线的剖面图的图11B所示，通过第2保护膜PAS2、第1保护膜PAS1重叠，在该部分产生电容。

为此，由于该电容，上述第2源极电极ST2的电位受到邻接的图中下侧的像素的像素电极PX的电位的影响。

另一方面，薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2与栅极信号线GL重叠地形成，如果上述第2源极电极ST2的电位有大幅度的变动，那么，有时会影响上述栅极信号线GL的写入特性。特别是，在显示图像的电压中有较大的差别的场合，例如在邻接的像素进行白显示和黑显示那样的场合，将对写入特性产生影响。

其结果是，在白与黑的边界部分的1行中亮度成为白与黑之间的值，可以有些模糊地看到边界。这也能够用重叠部分的电容等的设计来消除。但是，从增加设计的自由度，使薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2和像素电极PX的重叠部分的面积变大并使缺陷修正变得更容易进行这些方面来考虑，优选的是，在原理上避免之。

在本实施例的构成中，为了在正常的状态下使薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2的电位变成所谓公共电位并使之稳定化，使对该修正用的薄膜晶体管TFT的栅极的写入的影响在整个画面上变得均匀，在原理上局部的亮度变动将不会产生。因此，作为显示图像，修正用的薄膜晶体管TFT的影响在原理上被消除。

[实施例8]

图12A是表示在图11所示的构成的液晶显示装置中，在漏极信号线DL和薄膜晶体管TFT的源极电极ST的进行分支前的部分发生了短路时(在图中用FG表示)，其修复的状态的图。

而且，例如借助于激光的照射来切断上述薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2、覆盖栅极信号线GL和电容信号线CL并且被保持为与对置电极CT相同电位的材料层的连接路径(图中用CUT2表示)。

由此，能够从上述薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2向该像素提供图像信号，并能进行缺陷修复。

在图12B中，表示在缺陷修复后的图12A的b-b线的剖面图。

[实施例9]

图13是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的图，是与图11A对应的图。

与图11A的场合比较，其不同的构成首先在于薄膜晶体管TFT的源极电极ST的构造。

该薄膜晶体管TFT的沟道区域的沟道长度，与栅极信号线GL的延伸方向一致地形成。因此，该薄膜晶体管TFT的源极电极ST，在与栅极信号线GL的延伸方向正交的方向延伸，其一端延伸到位于图中下侧的像素区，另一端延伸到位于图中上侧的像素区地构成。

延伸到位于图中下侧的像素区的源极电极ST被构成，以使得用于驱动该像素的图像信号被提供。而延伸到位于图中上侧的像素区的源极电极ST被构成，以使得在修复时能与该像素的各像素电极PX连接。

在这样构成的场合，如图11所示，延伸到位于图中上侧的像素区的源极电极ST，也覆盖栅极信号线GL和电容信号线CL，并且不必与被保持为与对置电极CT相同的电位的材料层(对置电压信号线COL)进行电连接。

延伸到位于图中上侧的像素区的源极电极ST和延伸到位于图中下侧的像素区的源极电极ST为相同的电位。这是因为，其电位因形成在位于图中下侧的像素区的电容元件Cstg而变得稳定的缘故。

[实施例10]

图14A是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的图，是与图12A对应的图。此外，在图14B中表示图14A的b-b线的剖面图。

与图12A比较，不同的构成首先在于，相对于薄膜晶体管TFT，没有形成被延伸到位于图中上侧的像素区的该薄膜晶体管TFT的第2源极电极ST2。

而且，具有栅极信号线GL及与其靠近并邻接配置的电容信号线CL都交叉地形成的导电层PXM，该导电层PXM例如在与漏极信号线DL相同的层上形成。

该导电层PXM的一端，与位于图中上侧的像素区的像素电极PX的一端重叠地延伸，在该延伸部分上，通过贯穿第2保护膜PAS2、第1保护膜PAS1的通孔TH5，被连接在该像素电极PX。另外，该导电层PXM的另一端，通过第1绝缘膜GI，与上述电容信号线CL重叠。

在这样构成的场合，位于图中上侧的像素区的像素电极PX，在与不同于该像素区的邻接像素区的栅极信号线GL之间构成电容Cadd，在与电容信号线CL之间构成电容Cstg。

作为另一实施例，使位于图中上侧的像素区的像素电极PX以原状态延伸，并与不同于该像素区的邻接像素区的栅极信号线GL和电容信号线CL交叉，这种结构也能起到同样的效果。但是，在本实施例的场合，由于在与该像素电极PX相同的层上存在着覆盖上述栅极信号线GL和电容信号线CL并且电位与对置电极CT相同的材料层(对置电压信号线COL)，因此，借助于在与该像素电极PX不同的层上形成的上述导电层PXM，设置上述各电容Cadd、Cstg。

[实施例11]

图15A是表示在图14所示的构成的液晶显示装置中，例如在其薄膜晶体管TFT的源极电极ST在向图中下侧的像素区的各像素电极PX的连接路径中发生断线(图中用FG表示)，产生所谓点缺陷时的修复的状态的图。

首先，为了使图中下侧的像素区中的电容信号线CL电孤立，例如用激光光线切断将各电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3配置在中间的各旁边部分(在图中，用CUT1、CUT2表示)。由此，能得到浮置的导电层。

而且，例如使用激光光线，电连接该被浮置的导电层和上述导电层PXM(在图中用SHRT表示)。进而，例如使用激光光线，电连接该导电层PXM及其下层的电容信号线CL。

由此，图中下侧的像素区的各像素电极PX，其电位与图中上侧的像素区的各像素电极PX相同。换言之，对图中下侧的像素区的各像素电极PX提供图中上侧的像素区的图像信号。因此，能够恢复像素的缺陷。

如作为图15A的b-b线的剖面图的图15B所示，未示出源极电极ST和像素电极PX的连接。但是，从平面图可知，由于借助于通孔TH3连接该源极电极ST和像素电极PX，因此，如果连接源极电极ST和电容信号线CL，则能够电连接邻接的2个像素的像素电极PX。

此外，由于对置电极CT用通孔TH4与电容信号线CL连接，因此，即使像上述那样地切断电容信号线CL，也能经由其他像素正常地维持电容信号线CL和对置电极CT的电连接。

此处，也如图15A所示，充分地覆盖栅极信号线GL地形成并且被保持为与对置电极CT相同的电位的材料层(对置电压信号线COL)，被形成得露出电容信号线CL上的形成有电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3的部分，由此，比较容易地进行借助于激光光线的该电容信号线CL的切断。

另外，通过直线状地实施该切断，能够谋求修正时间的缩短、准确，因此，在本实施例中，将栅极信号线GL的一部分切口，确保栅极信号线GL从其他电极露出的直线状的区域。

[实施例12]

图16是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的图，是与图14A对应的图。与图14A的场合比较，不同的构成在于，在从薄膜晶体管TFT的源极电极ST分别被分支到分割为例如3个像素区的各像素电极PX并提供图像信号的路径中，又形成1个分支路径，经由第1绝缘膜GI使该分支路径SP与电容信号线CL重叠。

在该场合，当发生了实施例11所示那样的点缺陷时，如该实施例11所示那样，将电容信号线CL和被分割为例如3个像素区的各像素电极PX的短路作业替换成电容信号线CL和上述分支路径SP的短路作业。由此，可以谋求修复作业的效率化。

[实施例13]

图17是表示本发明的液晶显示装置的像素的另一实施例的平面图。

图17所示的像素与上述的各实施例所示的像素不同，是被称作所谓纵向电场方式的像素。即，在中间间隔液晶而相对配置的各透明基板中的一方的透明基板SUB1的液晶一侧的面的各像素区的每一者，覆盖其大致整个区域地形成由透光性的导电层构成的像素电极PX，在另一方的透明基板SUB2的液晶一侧的面上，形成有由透光性的导电层构成的在各像素区公用的对置电极CT。

在各像素区中独立地提供图像信号的像素电极PX和提供相对于该图像信号成为基准的基准信号的对置电极CT之间，产生相对于透明基板大致垂直方向的电场，从而能控制上述电极之间的液晶的光透射率。

此外，各像素区，与上述各实施例的像素同样地，例如设定为由在x方向延伸在y方向并列设置的栅极信号线GL和在y方向延伸在x方向并列设置的漏极信号线DL所包围的区域，对该像素区的上述像素电极PX，通过由来自单侧的栅极信号线GL的扫描信号导通的薄膜晶体管TFT，从一侧的漏极信号线DL提供图像信号。

而且，上述像素区在图中x方向例如被分割为3个区域，在各区域分别形成有电独立的像素电极PX1、PX2、PX3。

通过被分支为3路的路径，从驱动该像素的薄膜晶体管TFT的源极电极ST向上述各像素电极PX1、PX2、PX3提供图像信号。

另外，在上述各像素电极PX1、PX2、PX3和上述薄膜晶体管TFT之间形成有靠近驱动该薄膜晶体管TFT的栅极信号线GL且平行配置的电容信号线CL，在上述电容信号线CL上被分割的像素区的各区域的每一者，形成有电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3。

即，从上述薄膜晶体管TFT的源极电极ST并经由上述路径，把被分支的一个图像信号提供到像素电极PX1，并且该图像信号由电容元件Cstg1存储；把另一个图像信号提供到像素电极PX2，并且该图像信号由电容元件Cstg2存储；把另一个余下的图像信号提供到像素电极PX3，并且该图像信号由电容元件Cstg3存储。

此处，各电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3，与实施例1所示的构成同样地，分别由电容信号线CL、在其上面所形成的第1绝缘膜GI、在其上面所形成的源极电极ST的被分支的延伸部分、在其上面所形成的第1保护膜PAS1及第2保护膜PAS2、通过在其上面形成并贯穿第2保护膜PAS2及第1保护膜PAS1的通孔TH1、TH2、TH3与上述源极电极ST的被分支的各延伸部分进行电连接的像素电极PX1、PX2、PX3形成。

图18A表示图17的X VIII-X VIII线的剖面图，阐明了上述像素电极PX被分离成3个并由像素电极PX1、PX2、PX3构成的情况，另外，在透明基板SUB2的液晶一侧的面上具有由各像素公用地形成的对置电极CT。

在该场合，液晶LC使用由具有与透明基板SUB1、SUB2垂直的成分的电场而进行动作的液晶，因此，存在这样的问题，即，在各像素电极PX1、PX2、PX3的分离部分上会产生所谓的畴。

图18B是表示消除了上述问题的另一实施例的剖面图，是与图18A对应的图。在上述对置电极CT上例如形成缝SLT，该缝SLT与各像素电极PX1、PX2、PX3的大致中央相对并在y方向延伸地配置。换言之，在一个像素区中，由与各像素电极PX1、PX2、PX3大致相同的图案构成的各对置电极CT，相对于该像素电极PX错开地配置。在图中，作为一个实例，在x方向位移半节距地配置。

在该场合，作为液晶LC，使用由具有沿着相对于SUB2的垂直方向具有很小的角度的方向的成分的电场进行动作的液晶。这就是被称作所谓垂直取向方式的液晶。

根据上述构成，能够消除在使像素电极PX分离时发生的问题，而不会发生所谓畴。

[实施例14]

图19是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的平面图，是与图17对应的图。

与图17的场合比较，其不同的构成在于，在一个像素区的被分割的各区域中分别形成像素电极PX1、PX2、PX3，其结果是，在该像素电极PX1和PX2的分离部位、以及在该像素电极PX2和PX3的分离部位上分别形成遮光层SM，从而使得在该部分发生的所谓畴不能被观察到。

为此，该遮光层SM，为了充分覆盖各像素电极PX的分离部位，具有充分的宽度，以使得相对于其延伸方向左右两侧的边能够与被分离的各像素电极PX的边重叠。

如作为图19的IIX-IIX线的剖面图的图20A所示，例如，在透明基板SUB1一侧，在与漏极信号线DL相同的层上，即在第1绝缘膜GI的上面，用与该漏极信号线DL的材料相同的材料形成上述遮光层SM。

另外，作为另一实施例，也可以如作为与图20A对应的图的图20B所示，同样在透明基板SUB1一侧，在与栅极信号线GL相同的层上，即在透明基板SUB1的上面，用与该栅极信号线GL的材料相同的材料形成上述遮光层SM。

[实施例15]

图21A是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的平面图，是与图19对应的图。另外，图21B表示图21A的b-b线的剖面图。

与图19的场合比较，其不同的构成在于，在像素电极PX1和PX2的分离部位、以及像素电极PX2和PX3的分离部位所形成的遮光膜SM，被形成在与扫描信号线GL相同的层上、即透明基板SUB1的上面，而且，与该扫描信号线GL电连接地形成。

通过这样构成，各像素电极PX的分离部位中的与上述遮光膜SM的重叠部分，形成以第2保护膜PAS2、第1保护膜PAS1、第1绝缘膜GI为电介质膜的电容元件Cadd1、Cadd2、Cadd3。因此，取得这样的效果，即，能够与其他的电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3一起，较大地形成电容元件的电容。

此外，图22是与图21B对应的图，是用剖面表示在遮光膜SM与各像素电极PX之间形成有电容元件Cadd的图。

此外，该遮光膜SM可以与电容信号线CL连接，来取代与扫描信号线GL的连接。在该场合，作为电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3，能够增加电容元件Cstg的电容。

[实施例16]

图23是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的平面图，是与图21A对应的图。

与图21A比较，其不同的构成在于，首先，在像素电极PX1和PX2的分离部位所形成的遮光膜SM，被形成在与栅极信号线GL相同的层上，即透明基板SUB1的上面，而且，与该栅极信号线GL电连接地形成。并且，在该液晶显示装置中，采用不形成电容信号线CL的结构。

在各像素区中形成的电容元件，适用于在各像素电极PX的分离部位中的与上述遮光膜SL的重叠部分上所形成的电容元件Cadd1、Cadd2、Cadd3已足够的场合，因此，采用不特别地设置形成于像素电极PX和电容信号线CL之间的电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3的结构。

另外，根据这样的构成，由于采用未形成电容信号线CL的构成，因此能够增大各像素的面积。

[实施例17]

图24是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的平面图，是与图17对应的图。另外，在图25中表示图24的IIXV-IIXV线的剖面图。

与图17的场合比较，其不同的构成在于，各像素电极PX1、PX2、PX3形成在其中央部分被弯曲的图案，并大致形成“ㄑ”字形状。

随之，靠近像素电极PX1、PX3配置的漏极信号线DL也大致构成“ㄑ”字形状地形成。

在该场合，也与图17所示同样地，在上述各像素电极PX1、PX2、PX3和薄膜晶体管TFT之间，形成有靠近驱动该薄膜晶体管TFT的栅极信号线GL并且平行配置的电容信号线CL，在该电容信号线CL上被分割的像素区的各区域的每一者，形成有电容元件Cstg1、Cstg2、Cstg3。

即，从上述薄膜晶体管TFT的源极电极ST经由上述路径，把被分支的一个图像信号提供到像素电极PX1，并且该图像信号由电容元件Cstg1存储，把另一个图像信号提供到像素电极PX2，并且该图像信号由电容元件Cstg2存储，把另一个余下的图像信号提供到像素电极PX3，并且该图像信号由电容元件Cstg3存储。

在该场合，也如图25A所示，在透明基板SUB2一侧形成的对置电极CT，可以全面地形成由各像素公用的导电层而构成。另外，如图25B所示，在该对置电极CT上例如形成缝SLT，该缝SLT与各像素电极PX1、PX2、PX3的大致中央相对并且在y方向延伸地配置。当然，该场合的缝SLT具有弯曲。

[实施例18]

图26是表示本发明的液晶显示装置的另一实施例的平面图，是与图24对应的图。

与图24的场合比较，其不同的构成首先在于，成为不存在电容信号线CL的构成。而且，各像素电极PX1、PX2、PX3的各一端部分与栅极信号线GL重叠地延伸，在该重叠部分，分别构成电容元件Cadd1、Cadd2、Cadd3。

此外，在该构成中，透明基板SUB2一侧的对置电极CT，由与各像素电极PX1、PX2、PX3大致同样的图案构成，并相对于该像素电极PX在x方向错开半节距量地配置，由此，防止在各像素电极PX的分离部位的所谓畴的发生。

另外，上述电容元件Cadd1、Cadd2、Cadd3的形成区域被黑矩阵BM覆盖，换言之，在该黑矩阵BM的下方，形成有上述电容元件Cadd1、Cadd2、Cadd3，由此，能够提高像素的所谓开口率。

上述的各实施例可以分别单独使用，或者组合使用。这是因为，能够单独或相乘地取得各实施例的效果。

另外，当然，能够减少点缺陷的本发明，也可以适用于有机、有机EL等、液晶以外的显示装置。

由上述说明可知，根据本发明的显示装置，具有能够避免因点缺陷的修复所引起的黑显示的弊端的优点。

Claims

1.一种液晶显示装置，在中间间隔液晶而相对配置的各基板中的一方的基板的液晶一侧的各像素区中，具有：开关元件，由漏极电极、源极电极、以及半导体层构成；像素电极，经由由来自栅极信号线的扫描信号驱动的上述开关元件，被提供来自漏极信号线的图像信号；以及电容元件，中间间隔电介质膜地形成于上述像素电极和电容信号线之间，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：上述源极电极，在其一部分上仅重叠绝缘膜地形成。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于：在另一方的基板的液晶一侧的面上，至少覆盖上述源极电极的上述一部分地形成有黑矩阵。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：

上述源极电极包括第一源极电极和第二源极电极，

上述第一源极电极连接在与形成有开关元件的栅极信号线相邻的第一像素区的上述像素电极上，上述第二源极电极形成在隔着上述形成有开关元件的栅极信号线与上述第一像素区相邻地形成的第二像素区侧，

上述第二源极电极形成在间隔绝缘膜与上述第二像素区中的像素电极重叠的位置，由此，在上述第二像素区中，通过修复，来自上述开关元件的图像信号能够提供到上述第二像素区的像素电极。

5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：上述电容元件与电容信号线重叠地形成，将该电容信号线作为一方的电极构成。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：上述像素电极由在一个方向延伸的带状的多个电极组构成，而且，与这些各像素电极之间产生电场的对置电极形成在与上述像素电极不同的基板上。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：上述液晶显示装置是常态黑型。

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于：做成如下构造，即，在切断上述源极电极时，上述开关元件和上述像素电极分离，同时，上述电容元件和上述开关元件分离。

9.一种液晶显示装置，其特征在于：在中间间隔液晶而相对配置的各基板中的一方的基板的液晶一侧的各像素区中，具有：开关元件，由漏极电极、源极电极、以及半导体层构成；像素电极，经由由来自栅极信号线的扫描信号驱动的上述开关元件，被提供来自漏极信号线的图像信号；以及电容元件，与该像素电极对应；

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于：上述电容元件与电容信号线重叠地形成，将该电容信号线作为一方的电极构成，而且，在该电容信号线的延伸部分构成上述遮光膜。

11.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其特征在于：上述液晶显示装置是常态黑型。

12.根据权利要求11所述的液晶显示装置，其特征在于：做成如下构造，即，在切断上述源极电极时，上述开关元件和上述像素电极分离，同时，上述电容元件和上述开关元件分离。