CN100387051C - 固体摄像装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的固体摄像装置(IS1)包括插件(P1)、CCD芯片(11)、芯片电阻阵列(21)等。在插件(P1)上以向中空部(1)突出的方式而设置有用于放置CCD芯片(11)和芯片电阻阵列(21)的放置部(2)。放置部(2)具有第一平面部(3)和第二平面部(4)，第一平面部(3)和第二平面部(4)形成水平差。CCD芯片(11)通过隔板(13)而放置并固定在第一平面部(3)上。芯片电阻阵列(21)放置并固定在第二平面部(4)上。芯片电阻阵列(21)通过第一平面部(3)和第二平面部(4)的水平差而将CCD芯片(11)和芯片电阻阵列(21)靠近配置。
Description
技术领域
本发明涉及固体摄像装置。
背景技术
作为这种固体摄像装置，包括具有能量线感应部固体摄像元件、以及装入该固体摄像元件的插件，公知有在插件的外部设置处理从上述固体摄像元件输出信号的信号处理电路。(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本专利特开平-317280号公报
发明内容
然而，在将信号处理电路设置在插件外部的情况下，从固体摄像元件到信号处理电路的信号传递通路(电配线)变长，该信号传递通路的寄生电容变大。其结果，从固体摄像元件输出的信号的波形钝化，同时损害高速响应性能。
本发明是鉴于上述问题而进行的发明，其目的在于提供一种降低信号传递通路的寄生电容，抑制从固体摄像装置输出的信号波形的钝化，同时可以提高高速响应性能的固体摄像装置。
为了实现上述目的，本发明的固体摄像装置的特征在于，包括：具有能量线感应部的固体摄像元件、处理从固体摄像元件输出的信号的信号处理电路、和收纳固体摄像元件以及信号处理电路的插件，其中，信号处理电路配置有与在插件中配置的固体摄像元件的平面部不同的平面部。
在本发明的固体摄像装置中，由于信号处理电路配置有与在插件中配置的固体摄像元件的平面部不同的平面部，所以固体摄像元件和信号处理电路被配置成相互靠近。这样，从固体摄像元件到信号处理电路的信号传递通路变短，信号传递通路的寄生电容变小。其结果，可以抑制从固体摄像装置输出的信号波形的钝化，同时，可以提高高速响应性能的固体摄像装置。
此外，本发明的固体摄像装置的特征在于，包括：具有能量线感应部的固体摄像元件、处理从固体摄像元件输出的信号的信号处理电路、和收纳固体摄像元件以及信号处理电路的插件，其中，插件具有第一平面部、和形成为在第一平面部上具有水平差的第二平面部，固体摄像元件被配置在第一平面部上，信号处理电路被配置在第二平面部上。
在本发明的固体摄像装置中，通过第一平面部和第二平面部的水平差，信号处理电路被配置成靠近固体摄像元件。这样，从固体摄像元件到信号处理电路的信号传递通路变短，信号传递通路的寄生电容变小。其结果，可以抑制从固体摄像装置输出的信号波形的钝化，同时可以提高高速响应性能的固体摄像装置。
如上述这样，若分别采用本发明的固体摄像装置，则可以提供减小信号传递通路的寄生电容，抑制从固体摄像装置输出的信号波形的钝化，同时提高高速响应性能的固体摄像装置。
此外，优选信号处理电路包括与固体摄像元件的输出端子进行电气连接的负荷电阻。在这样构成的情况下，由于固体摄像元件和负荷电阻分开配置，即使在负荷电阻发热的情况下，也能防止对固体摄像元件的特性带来恶劣的影响(例如暗电流增加等)。
此外，优选信号电路包括：负荷电阻，它的一端与固体摄像元件的输出端子进行电气连接、另一端接地；和缓冲放大器，它具有与固体摄像元件的输出端子进行电气连接的场效应晶体管。在这样构成的情况下，由于固体摄像元件和负荷电阻分开配置，所以，即使在负荷电阻发热的情况下，也能防止对固体摄像元件的特性带来恶劣的影响(例如暗电流增加等)。此外，场效应晶体管由于对负荷电阻的驱动能力提高，可以用缓冲放大器减轻后段的信号传递通路的寄生电容的影响。
附图说明
图1是用于说明第一实施方式的固体摄像装置截面结构的简图。
图2是第一实施方式的固体摄像装置的俯视图。
图3是用于说明信号处理电路结构的电路图。
图4A是表示现有技术中的固体摄像装置的简图。
图4B是表示第一实施方式中的固体摄像装置的简图。
图5是用于说明第二实施方式的固体摄像装置截面结构的简图。
图6是第二实施方式的固体摄像装置的俯视图。
图7是表示图6中的缓冲放大器模块附近的结构的俯视图。
图8是用于说明缓冲放大器模块的结构的电路图。
图9A是表示现有技术中的固体摄像装置的简图。
图9B是表示第二实施方式中的固体摄像装置的简图。
图10是用于说明第二实施方式的固体摄像装置的变化例子的截面结构的简图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式的固体摄像装置进行说明。在说明中对相同的要素或具有相同功能的要素采用相同的标号，并省略了重复的说明。
(第一实施方式)
首先，根据图1～图3对第一实施方式的固体摄像装置的结构进行说明。图1是用于说明第一实施方式的固体摄像装置截面结构简图。图2是相同的第一实施方式的固体摄像装置的俯视图。图3是用于说明信号处理电路结构的电路图。其中，图2是从固体摄像装置的里面一侧(与能量线入射一侧相反的一侧)看的图。
第一实施方式的固体摄像装置IS1包括陶瓷制的插件P1、背面照射型的CCD芯片11(固体摄像元件)、和芯片电阻阵列21等。在插件P1的中央部位形成有向着插件P1的规定方向延伸的中空部1。在插件P1中，以从中空部1突出的方式而设置有用于放置CCD芯片11和芯片电阻阵列21的放置部2。放置部2具有用于放置CCD芯片11的第一平面部3和用于放置芯片电阻阵列21的第二平面部4。第一平面部3和第二平面部4形成为具有水平差。
放置部2还具有第三平面部5和第四平面部6。第三平面部5位于第一平面部3和第二平面部4之间，第一平面部3和第二平面部4形成为具有水平差。第四平面部6位于插件P1的背面7和第二平面4部之间，插件P1的背面7和第二平面4部形成为具有水平差。多个外部连接用的电极插头27被配置在插件P1的背面7上。
CCD芯片11具有将入射的能量线变换成电荷的能量线感应部12。该CCD芯片11通过隔板13而被放置在放置部2的第一平面部3上，使得背面一侧成为能量线入射面，被固定在该放置部2(插件P1)上。而CCD芯片11由厚度约300μm的硅基板构成。在背面照射型的CCD芯片11中，需要使基板变薄、以及形成来自入射面(背面)一侧的电位梯度。
在包括CCD芯片11的对应于能量线感应部12的区域的背面一侧区域(内侧区域)上，形成有厚度被去薄至10～30μm(因此被蚀刻270～290μm的深度)的薄型部分14。对于具有这样薄型部分14的结构，首先在硅基板上堆积硅氮化膜，通过光刻法工艺制作所希望形状的布线图案，并将其作为掩模，通过在由KOH构成的腐蚀液中将覆盖氮化硅的基板周围部分蚀刻到剩余厚度而形成硅基板。
隔板13由在规定温度区域(例如133℃)中的热膨胀系数比CCD芯片11(硅)的热膨胀系数大的材料所构成，在本实施方式中，由氧化铝等的陶瓷材料所构成。在133℃中的硅的热膨胀系数为2.5×10-6(/℃)，同样，在133℃中的氧化铝的热膨胀系数为6.5×10-6(/℃)。隔板13通过粘接剂(图中没有表示)而被粘接固定在插件P1上。此外，CCD芯片11的框架部分15的背面一侧通过粘接剂(图中没有表示)而被粘接固定在隔板13上。
密封圈31通过钎焊等而以包围中空部1(CCD芯片11)的状态被固定在中空部1周围的插件P1的表面(能量线入射一侧的面)8上。盖32通过缝焊而被封堵在密封圈31上。如上所述，对于盖32来说，其外围部分以放置的状态而被缝焊封堵在密封圈31上，并且具有设置在与CCD芯片11的薄型部分14相面对位置的开口部33。此外，盖32通过柯伐合金(covar)(铁镍钴合金(fernico))而一体成形，在其表面8进行镀金处理。
透过能量线(光线、电子射线等)的窗部件34被固定在盖32上，使得覆盖开口部33。窗部件34由板状的石英(水晶(quartz))玻璃的基体材料构成，可以透过紫外线，将能量线的入射面和能量线出射面进行研磨。此外，通过该能量线入射面端部沿着整个周边而经由粘接层(图中没有表示)被固定在盖32的上面(与面对CCD芯片11的面相反的面)，使得窗部件34被固定在盖32上。
其中，虽然在图中有所省略，但是与插件P1的中空部1的能量线入射一侧部分相反一侧部分可以通过底盖或者树脂材料填充等封住。
用于与CCD芯片11的CCD芯片一侧电极(图中没有表示)连接的多个第一插件一侧电极41被设置在放置部2的第三平面部5上。通过在插件P1内形成的内部配线(图中没有表示)，各第一插件一侧电极41与多个电极插头27中规定的电极插头进行电气连接。CCD芯片一侧电极和第一插件一侧电极41通过焊丝(图中没有表示)来进行电气连接。这样，通过规定的电极插头、内部配线、第一插件一侧电极41、焊丝和CCD芯片一侧电极，使得传递信号等的信号从外部被输送到CCD芯片11。
芯片电阻阵列21具有在基板21a上形成阵列形的多个电阻元件22。在基板21a上，在每个电阻元件22上形成输入端子(输入电极)23和输出端子(输出电极)24。此外，芯片电阻阵列21通过粘接层(图中没有表示)而放置在放置部2的第二平面部4上，并被固定在该放置部2(插件P1)上。输入端子23通过焊丝42与CCD芯片11的输出端子(电极)OS进行电气连接。
用于连接芯片电阻阵列21的输出端子24的多个第二插件一侧电极43被设置在放置部2的第四平面部6上。各第二插件一侧电极43通过在插件P1内形成的内部配线，与多个电极插头27中规定的电极插头进行电气连接。输出端子24和第二插件一侧电极43通过焊丝44进行电气连接。这样，通过CCD芯片11的输出端子OS、焊丝42、芯片电阻阵列21(电阻元件22)、焊丝44、第二插件一侧电极43、内部配线和规定的电极插头，使得信号从CCD芯片11向外部输出。
这里，参照图3对处理从CCD芯片11输出信号的信号处理电路进行说明。
信号处理电路具有在芯片电阻阵列21中所包括的电阻元件22和运算放大器51。运算放大器51在装有固体摄像装置IS1(插件P1)的外部基板(图中没有表示)等上形成。
CCD芯片11具有用于浮动扩散(floating diffusion)(图中没有表示)的电位变化的读出场效应晶体管16，该场效应晶体管16的栅极端子与浮动扩散进行电气连接。场效应晶体管16的源极端子与CCD芯片11的输出端子OS进行电气连接，通过该输出端子OS而连接在电阻元件22的输入端子23上。场效应晶体管16的漏电极端子与端子OD进行电气连接，该端子OD被输入显示一定的正电压值的电压。此时，电阻元件22起到作为负荷电阻的功能，场效应晶体管16和电阻元件22构成源跟随器电路(source follower)。
电阻元件22的输出端子24与运算放大器51的反转输入端子进行电气连接。在运算放大器51的反转输入端子和输出端子之间设置电阻元件52，可变电压源53与运算放大器51的非反转输入端子进行电气连接。此外，运算放大器51的反转输入端子和非反转输入端子具有虚拟短路关系。
在本实施方式中，对于CCD芯片11配置屏蔽部件35，屏蔽CCD芯片11的斜面部分(在薄型部分14和框架部分15之间的倾斜部分)的能量线入射方向前方。该屏蔽部件35由厚度约300μm的硅基板构成，屏蔽能量线(例如光)。在屏蔽部件35上，通过蚀刻而在与薄型部分14相面对位置形成矩形贯通孔36。屏蔽部件35通过由环氧树脂等组成的粘接剂而粘接固定在CCD芯片11的框架部分15的背面7一侧。在隔板13上，在对应于固定在CCD芯片11的框架部分15上的屏蔽部件35的位置上，以CCD芯片11和隔板13粘接并固定的状态而形成保持屏蔽部件35的凹陷部，以包围住屏蔽部件35的整个周边。
如上所述，在本实施方式中，芯片电阻阵列21被配置在与配置CCD芯片11的第一平面部3不同的第二平面部4上，通过第一平面部3和第二平面部4的水平差，而使CCD芯片11和芯片电阻阵列21靠近配置。因此，与在固体摄像装置101外侧配置多个电阻元件(负荷电阻)103的情况(参照图4A)相比，本实施方式的固体摄像装置IS1(参照图4B)从CCD芯片11到芯片电阻阵列21(电阻元件22)的信号传递通路变短，该信号传递通路的寄生电容变小。其结果，可以抑制从CCD芯片11输出的信号的波形的钝化，同时可以提高快速响应性能。
此外，在本实施方式中，芯片电阻阵列21包括与CCD芯片11的输出端子OS进行电气连接的电阻元件22。在这样构成的情况下，由于作为起到负荷电阻功能的电阻元件22与CCD芯片11分开配置，所以电阻元件22即使发热，也可以防止对CCD芯片11的特性带来恶劣影响(例如暗电流增加等)。
其中，由于运算放大器51的反转输入端子和非反转输入端子具有虚拟短路关系，所以，在这里电位总是固定的。因此不会产生电荷的充放电，可以忽略从芯片电阻阵列21到运算放大器51的信号传递通路的寄生电容造成的影响。
(第二实施方式)
下面，根据图5～图8对第二实施方式的固体摄像装置的结构进行说明。图5是用于说明第二实施方式的固体摄像装置截面结构的简图。图6是同样的第二实施方式的固体摄像装置的俯视图。图7是表示缓冲放大器模块附近的结构的俯视图。图8是用于说明缓冲放大器模块的结构的电路图。图6和图7是从固体摄像装置的背面一侧看的图。
第二实施方式的固体摄像装置IS2包括插件P2、CCD芯片11、和作为信号处理电路的缓冲放大器模块61等。
放置部2具有用于配置CCD芯片11的第一平面部3、用于配置缓冲放大器61的第二平面部4、和第三平面部9。第三平面部9位于插件P2的背面7和第二平面部4之间，插件P2的背面7和第二平面部4形成为具有水平差。其中，在与插件P2的中空部1的能量线入射一侧部分相反一侧的部分由底盖10封堵。
多个插件一侧电极45被设置在放置部2的第三平面部9上。各插件一侧电极45通过在插件P2内形成的内部配线(图中没有表示)，而与多个电极插头27中规定的电极插头进行电气连接。在CCD芯片11上形成CCD芯片一侧电极19中的规定的电极通过焊丝46，而与插件一侧电极45中的规定的电极进行电气连接。这样，通过规定的电极插头、内部配线、规定的插件一侧电极、焊丝46和规定的CCD芯片一侧电极，使得输送信号等的信号被从外部输送到CCD芯片11。
如图7和图8所示，缓冲放大器模块61包括负荷电阻62、双极晶体管63和场效应晶体管64，负荷电阻62、双极晶体管63和场效应晶体管64被配置在基板61a上。其中，缓冲放大器模块61(基板61a)通过粘接层(图中没有表示)而放置在放置部2的第二平面部4上，并被固定在该放置部2(插件P2)上。
CCD芯片11的输出端子OS 1(场效应晶体管16的源极端子)与缓冲放大器模块61的输入端子(电极)65进行电气连接。负荷电阻62的一个端子通过输入端子65与CCD芯片11的输出端子OS1进行电气连接，负荷电阻62的另一个端子接地。
双极晶体管63的基极通过输入端子65和电阻元件66而与CCD芯片11的输出端子OS1进行电气连接，发射极端子与场效应晶体管64的漏极端子和缓冲放大器模块61的输出端子(电极)67进行电气连接。双极晶体管63的集电极端子与端子(电极)70进行电气连接。该端子70与端子OD相同，被输入显示一定的正电压值的电压。场效应晶体管64的控制极和源极端子接地。此外，电阻元件66是用于控制双极晶体管63的基极电流的。场效应晶体管16和负荷电阻62构成源跟随器电路。
CCD芯片11的输出端子OS1和缓冲放大器模块61的输出端子65通过焊丝68进行连接。缓冲放大器模块61的输出端子67通过焊69而被连接在规定的插件一侧电极OS2上。端子OD通过焊丝71而连接在缓冲放大器模块61的端子72上，与端子70进行电气连接。端子70通过焊丝74而连接在规定的插件一侧电极上。
CCD芯片的端子SS通过焊丝75而连接在缓冲放大器模块61的端子(电极)76上，与该端子76进行电气连接的端子(电极)77通过焊丝78而被连接在规定的插件一侧电极上。该规定的插件一侧电极与电极插头27中的接地的规定的电极插头(接地插头)进行电气连接。
如上所述，在本实施方式中，缓冲放大器模块61被配置在与配置CCD芯片11的第一平面部3不同的第二平面部4上，通过第一平面部3和第二平面部4的水平差，CCD芯片11和缓冲放大器模块61可以靠近配置。这样，与在固体摄像装置201外侧配置多个缓冲放大器203的的情况(参照图9A)相比，本实施方式的固体摄像装置IS2(参照图9B)从CCD芯片11到缓冲放大器模块61的信号传递通路变短，该信号传递通路的寄生电容变小。其结果，可以抑制从CCD芯片11输出的信号的波形的钝化，同时可以提高快速响应性能。其中，图9A中的缓冲放大器模块203采用具有与本实施方式的缓冲放大器模块61相同结构。
此外，缓冲放大器模块61包括：负荷电阻62，它的一端与CCD芯片11的输出端子OS1进行电气连接，另一端与接地；和双极晶体管63，它与CCD芯片11的输出端子OS1进行电气连接。在这样构成的情况下，由于CCD芯片11和负荷电阻62分开配置，所以即使负荷电阻62发热的情况下，也能防止对CCD芯片11的特性带来恶劣的影响(例如暗电流增加等)。此外，由于双极晶体管63提高对负荷电阻62的驱动能力，所以用缓冲放大器模块61可以减轻后段的信号传递通路的寄生电容造成的影响。
下面，根据图10对第二实施方式的固体摄像装置的变化例进行说明。图10是用于说明第二实施方式的固体摄像装置的变化例的截面结构的简图。
第二实施方式变化例的固体摄像装置IS3包括插件P3、表面照射型的CCD芯片81、和作为信号处理电路的缓冲放大器模块61等。
插件P3具有由底部91和侧部92包围的坑洼部93，与上述的插件P1、P2相同，通过陶瓷制造。底部91具有用于配置CCD芯片81的第一平面部94、和用于配置缓冲放大器模块61的第二平面部95。第一平面部94和第二平面部95形成为具有水平差。此外，底部91还具有第三平面部96，该第三平面部96位于插件P3的表面8和第二平面部95之间，在插件P3的表面8和第二平面部95之间具有水平差。
CCD芯片81具有能量线感应部12，以表面一侧为能量线入射面的方式而放置在底部91的第一平面部94上，被固定在该底部91(插件P3)上。
如上述这样，在本变化例中，缓冲放大器模块61被配置在与配置CCD芯片81的第一平面部94不同的第二平面部95上，通过第一平面部94和第二平面部95的水平差，CCD芯片81和缓冲放大器模块61可以靠近配置。因此，从CCD芯片81到缓冲放大器模块61的信号传递通路变短，该信号传递通路的寄生电容变小。其结果，可以抑制从CCD芯片81输出的信号的波形的钝化，同时可以提高快速响应性能。
本发明并不是限定于上述的实施方式。例如，固体摄像元件不限定于是CCD芯片11、81，也可以是用非晶硅制的光电二极管(PD)阵列和薄膜晶体管(TFT)形成的，也可以是MOS型的图像传感器。
工业实用性
本发明可以利用在CCD图像传感器等的固体摄像装置中。
Claims (3)
1.一种固体摄像装置，其特征在于，包括：
具有能量线感应部的固体摄像元件；
处理从所述固体摄像元件输出的信号的信号处理电路；和
装入所述固体摄像元件以及所述信号处理电路的插件；其中，
所述信号处理电路包括，通过焊丝与所述固体摄像元件的输出端子电连接的负荷电阻；
所述插件具有第一平面部、和形成为在所述第一平面部上具有水平差的第二平面部；
所述固体摄像元件被配置在所述第一平面部上，所述信号处理电路被配置在所述第二平面部上。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
所述固体摄像元件，与所述负荷电阻构成源跟随电路，包括用于取出固体摄像元件的输出电位的场效应晶体管。
3.如权利要求1或2所述的固体摄像装置，其特征在于：
所述信号处理电路包括缓冲放大器，它具有与所述固体摄像元件的输出端子进行电气连接的双极晶体管。
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| JP6325920B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2018-05-16 | 日本放送協会 | 高精細撮像素子用パッケージ |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0236057U (zh) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | ||
| JPH1084509A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Matsushita Electron Corp | 撮像装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160370A (ja) | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Sony Corp | ビデオカメラ |
| JPH0698560B2 (ja) | 1988-07-26 | 1994-12-07 | 正久エンジニアリング株式会社 | 工業用刃物の刃先ホーニング装置 |
| JPH04317280A (ja) | 1991-04-17 | 1992-11-09 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
| JPH05183135A (ja) | 1991-10-14 | 1993-07-23 | Sony Corp | Ｃｃｄ撮像装置 |
| US5705807A (en) * | 1994-10-24 | 1998-01-06 | Nissan Motor Co., Ltd. | Photo detecting apparatus for detecting reflected light from an object and excluding an external light componet from the reflected light |
| EP1357741A1 (en) * | 1995-05-31 | 2003-10-29 | Sony Corporation | Image pickup apparatus |
| WO1997033444A1 (fr) | 1996-03-08 | 1997-09-12 | Ntt Mobile Communications Network Inc. | Procede de transfert de donnees par paquets pour des systemes de communication a postes radio mobiles |
| US6795120B2 (en) * | 1996-05-17 | 2004-09-21 | Sony Corporation | Solid-state imaging apparatus and camera using the same |
| JP3417225B2 (ja) | 1996-05-17 | 2003-06-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とそれを用いたカメラ |
| US6049470A (en) * | 1997-05-30 | 2000-04-11 | Dalsa, Inc. | Package with reticulated bond shelf |
| JP3466886B2 (ja) * | 1997-10-06 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP3503467B2 (ja) | 1998-03-20 | 2004-03-08 | ソニー株式会社 | カメラ |
| JP2001358997A (ja) * | 2000-06-12 | 2001-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0236057U (zh) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | ||
| JPH1084509A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Matsushita Electron Corp | 撮像装置およびその製造方法 |
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