[go: up one dir, main page]

WO2018150856A1 - 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法 - Google Patents

研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018150856A1
WO2018150856A1 PCT/JP2018/002697 JP2018002697W WO2018150856A1 WO 2018150856 A1 WO2018150856 A1 WO 2018150856A1 JP 2018002697 W JP2018002697 W JP 2018002697W WO 2018150856 A1 WO2018150856 A1 WO 2018150856A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing
polishing composition
water
soluble polymer
styrene
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/002697
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
森　嘉男
恵 谷口
貴俊 向井
公亮 土屋
Original Assignee
株式会社フジミインコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社フジミインコーポレーテッド filed Critical 株式会社フジミインコーポレーテッド
Priority to EP18754174.3A priority Critical patent/EP3584298B1/en
Priority to CN201880011959.1A priority patent/CN110312776B/zh
Priority to JP2018568079A priority patent/JP7208019B2/ja
Priority to KR1020197023621A priority patent/KR102575250B1/ko
Publication of WO2018150856A1 publication Critical patent/WO2018150856A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a polishing composition, a method for producing a polishing composition, and a polishing method using the polishing composition.
  • polishing process typically includes a preliminary polishing process (preliminary polishing process) and a final polishing process (final polishing process).
  • a silicon wafer may be marked with a mark (hard laser mark) such as a bar code, a number, or a symbol by irradiating the front or back surface of the silicon wafer with laser light for the purpose of identification or the like.
  • a mark such as a bar code, a number, or a symbol by irradiating the front or back surface of the silicon wafer with laser light for the purpose of identification or the like.
  • Such a hard laser mark is generally applied after the lapping process of the silicon wafer is finished and before the polishing process is started.
  • Patent Document 1 discloses a polishing composition containing abrasive grains, a weak acid salt, and a quaternary ammonium compound, and the polishing composition suppresses pH fluctuations and maintains polishing efficiency. It is described that the bulge at the periphery of the hard laser mark can be eliminated.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a polishing composition excellent in performance for eliminating the bulge at the periphery of the hard laser mark.
  • an object of the present invention is to provide a method for producing the polishing composition.
  • an object of the present invention is to provide a method for polishing an object to be polished with a hard laser mark using the polishing composition.
  • the present inventors have found that the above problem can be solved by including a water-soluble polymer containing a structural unit derived from styrene or a derivative thereof in a polishing composition, and have completed the present invention.
  • the present invention includes abrasive grains, a water-soluble polymer, a basic compound, and water, and the water-soluble polymer includes a structural unit derived from styrene or a derivative thereof.
  • the present invention relates to a composition for use.
  • the present invention also relates to a method for producing the polishing composition and a method for polishing an object to be polished with a hard laser mark using the polishing composition.
  • a polishing composition excellent in performance for eliminating the bulge at the periphery of the hard laser mark.
  • the polishing composition of the present invention contains abrasive grains, a water-soluble polymer, a basic compound, and water, and the water-soluble polymer contains a structural unit derived from styrene or a derivative thereof.
  • polishing composition of the present invention it is possible to effectively eliminate the bulge at the periphery of the hard laser mark.
  • to eliminate the protrusion of the peripheral edge of the hard laser mark means to reduce the height of the protrusion on the peripheral edge of the hard laser mark of the silicon wafer.
  • the height of the protrusion on the periphery of the hard laser mark of the silicon wafer can be measured, for example, by the method described in Examples described later.
  • the water-soluble polymer when a water-soluble polymer containing a structural unit derived from styrene or a derivative thereof described in the present invention is added, the water-soluble polymer suitably acts on the surface of the silicon wafer other than the raised portion, The etching rate of the silicon wafer or the mechanical polishing rate by the abrasive grains can be suppressed as compared with the case where the water-soluble polymer is not included. Thereby, it is considered that the difference in the polishing rate between the altered portion and the other wafer portions is reduced.
  • the altered portion of the periphery of the hard laser mark and the other portions are polished at a polishing rate close to that, and the partial bulge can be eliminated.
  • the polishing composition of the present invention contains abrasive grains, a water-soluble polymer, a basic compound, and water, and the water-soluble polymer contains a structural unit derived from styrene or a derivative thereof.
  • the water-soluble polymer contains a structural unit derived from styrene or a derivative thereof.
  • the polishing composition of the present invention contains abrasive grains.
  • the abrasive grains contained in the polishing composition have an action of mechanically polishing the object to be polished.
  • the abrasive used may be any of inorganic particles, organic particles, and organic-inorganic composite particles.
  • the inorganic particles include particles made of metal oxides such as silica, alumina, ceria, titania, silicon nitride particles, silicon carbide particles, and boron nitride particles.
  • Specific examples of the organic particles include polymethyl methacrylate (PMMA) particles.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • silica is preferable, and colloidal silica is particularly preferable.
  • the lower limit of the average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 10 nm or more, more preferably 15 nm or more, further preferably 20 nm or more, and particularly preferably 30 nm or more.
  • the upper limit of the average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 200 nm or less, more preferably 150 nm or less, and further preferably 100 nm or less.
  • the polishing rate of the object to be polished by the polishing composition is further improved, and the occurrence of defects on the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition is further suppressed. be able to.
  • the average primary particle diameter of an abrasive grain is calculated based on the specific surface area of the abrasive grain measured by BET method, for example.
  • the lower limit of the average secondary particle diameter of the abrasive grains is preferably 15 nm or more, more preferably 30 nm or more, further preferably 50 nm or more, and particularly preferably 70 nm or more.
  • the upper limit of the average secondary particle diameter of the abrasive grains is preferably 300 nm or less, more preferably 260 nm or less, and further preferably 220 nm or less. Within such a range, the polishing rate of the object to be polished by the polishing composition is further improved, and the occurrence of defects on the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition is further suppressed. be able to.
  • the average secondary particle diameter of the secondary particles can be measured, for example, by a dynamic light scattering method.
  • the content of abrasive grains in the polishing composition according to the present invention is not particularly limited. As will be described later, in the case of a polishing composition (typically a slurry-like polishing liquid, sometimes referred to as a working slurry or a polishing slurry) used for polishing a polishing object as it is as a polishing liquid.
  • the content of the abrasive grains with respect to the polishing composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and 0.5% by mass or more. Is more preferable. By increasing the content of the abrasive grains, there is a tendency that higher bulge resolution is obtained.
  • the content of abrasive grains is usually suitably 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, and particularly preferably 1% by mass or less. Reducing the content of abrasive grains is also preferable from the viewpoint of economy.
  • the polishing composition according to the present invention can exhibit practically sufficient uplifting properties even at such a low abrasive content.
  • the content of abrasive grains is usually 30% by mass or less from the viewpoint of storage stability, filterability, and the like. It is suitable and it is more preferable that it is 15 mass% or less.
  • the content of the abrasive is preferably 1% by mass or more, more preferably 5% by mass or more.
  • the polishing composition according to the present invention contains water as a dispersion medium in order to disperse or dissolve each component. It is preferable that water does not contain impurities as much as possible from the viewpoint of inhibiting the contamination of the object to be cleaned and the action of other components.
  • water for example, water having a total content of transition metal ions of 100 ppb or less is preferable.
  • the purity of water can be increased by operations such as removal of impurity ions using an ion exchange resin, removal of foreign matters by a filter, distillation, and the like.
  • the water for example, deionized water (ion exchange water), pure water, ultrapure water, distilled water, or the like is preferably used.
  • the dispersion medium may be a mixed solvent of water and an organic solvent for dispersing or dissolving each component.
  • organic solvent examples include acetone, acetonitrile, ethanol, methanol, isopropanol, glycerin, ethylene glycol, propylene glycol and the like, which are organic solvents miscible with water.
  • these organic solvents may be used without being mixed with water, and each component may be dispersed or dissolved and then mixed with water. These organic solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • the polishing composition according to the present invention includes a water-soluble polymer, and the water-soluble polymer includes a structural unit derived from styrene or a derivative thereof.
  • the water-soluble polymer that can be used in the present invention includes a structural unit derived from styrene or a derivative thereof, and thus is considered to act suitably on the surface of a silicon wafer. Accordingly, it is considered that the polishing rate of the silicon wafer can be reduced, the difference in the polishing rate with the altered portion around the periphery of the hard laser mark can be reduced, and the bulge can be eliminated.
  • the water-soluble polymer that can be used in the present invention may be a polymer containing only a structural unit derived from styrene or a derivative thereof, a structural unit derived from styrene or a derivative thereof, and a structural unit derived from another monomer.
  • the copolymer containing these may be sufficient.
  • a copolymer containing a structural unit derived from the styrene or a derivative thereof and a structural unit derived from another monomer it is preferable because better uplifting properties can be obtained.
  • water-soluble polymer containing only a structural unit derived from styrene or a derivative thereof examples include polystyrene sulfonic acid or a salt thereof, polyvinyl benzoic acid or a salt thereof, and a styrene-styrene sulfonic acid copolymer.
  • a water-soluble polymer of a copolymer containing a structural unit derived from styrene or a derivative thereof and a structural unit derived from another monomer for example, a structural unit derived from styrene or a derivative thereof and a hydrophilic group
  • a copolymer containing a structural unit derived from a monomer having a carboxy group or an acid anhydride group can be used.
  • styrene-maleic acid copolymers examples include styrene-maleic acid copolymers, styrene-maleic anhydride copolymers, styrene sulfonic acid-maleic acid copolymers, copolymers of styrene sulfonate and maleic acid, styrene- (meth)
  • acrylic acid copolymers examples include acrylic acid copolymers, styrene sulfonic acid- (meth) acrylic acid copolymers, and copolymers of styrene sulfonate and (meth) acrylic acid.
  • a styrene-maleic acid copolymer or a styrene-maleic anhydride copolymer can be preferably used, and a styrene-maleic anhydride copolymer can be more preferably used.
  • the water-soluble polymer of the copolymer is suitable because it is easy to act on a silicon wafer because the hydrophobic group and the hydrophilic group are independent.
  • the water-soluble polymer of the copolymer can be produced, for example, by radical copolymerization of styrene or a derivative thereof and other monomers.
  • the copolymerization ratio of the structural unit derived from styrene or its derivative in the copolymer and the structural unit derived from the other monomer is not particularly limited, but from the viewpoint of hydrophilicity. Is preferably 1:10 or more, more preferably 1: 5 or more, and particularly preferably 1: 1 or more. Further, the copolymerization ratio is not particularly limited, but is preferably 10: 1 or less, more preferably 5: 1 or less, and particularly preferably 3: 1 or less, from the viewpoint of bulge resolution. preferable.
  • the weight average molecular weight of the water-soluble polymer that can be used in the present invention is not particularly limited, but is preferably 3,000 or more, more preferably 4,000 or more, and particularly preferably 5,000 or more. preferable.
  • the weight average molecular weight of the water-soluble polymer is not particularly limited, but is preferably 300,000 or less, more preferably 100,000 or less, and particularly preferably 30,000 or less.
  • the weight average molecular weight of the water-soluble polymer increases, the coverage of the silicon wafer increases, and it is considered that the bulge elimination can be improved.
  • the weight average molecular weight of the water-soluble polymer decreases, the number of water-soluble polymer chains that can act on the wafer increases and a denser protective film can be formed.
  • the value measured by GPC method aqueous type, polyethylene oxide conversion
  • the content of the water-soluble polymer is preferably 0.0001% by mass or more with respect to the polishing composition. More preferably, it is 001% by mass or more. By increasing the content of the water-soluble polymer, there is a tendency that higher bulge resolution can be obtained. Further, the content of the water-soluble polymer is usually suitably 0.1% by mass or less, more preferably 0.05% by mass or less. As the content of the water-soluble polymer in the polishing composition decreases, the decrease in the polishing rate is suppressed.
  • the content of the water-soluble polymer is usually 1% by mass or less from the viewpoint of storage stability, filterability, and the like. It is suitable and it is more preferable that it is 0.5 mass% or less. Further, from the viewpoint of taking advantage of the concentrated liquid, the content of the water-soluble polymer is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more.
  • the water-soluble polymer may be synthesized by a known method, or a commercially available product may be used.
  • the polishing composition according to the present invention contains a basic compound.
  • the basic compound refers to a compound having a function of increasing the pH of the composition when added to the polishing composition.
  • the basic compound serves to chemically polish the surface to be polished, and can contribute to an improvement in the polishing rate.
  • the basic compound can be useful for improving the dispersion stability of the polishing composition.
  • an organic or inorganic basic compound containing nitrogen, an alkali metal or alkaline earth metal hydroxide, various carbonates or hydrogencarbonates, and the like can be used.
  • alkali metal hydroxide, quaternary ammonium hydroxide or a salt thereof, ammonia, amine and the like can be mentioned.
  • Specific examples of the alkali metal hydroxide include potassium hydroxide and sodium hydroxide.
  • Specific examples of the carbonate or bicarbonate include ammonium bicarbonate, ammonium carbonate, potassium bicarbonate, potassium carbonate, sodium bicarbonate, sodium carbonate and the like.
  • quaternary ammonium hydroxide or a salt thereof examples include tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide and the like.
  • amines include methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, ethylenediamine, monoethanolamine, N- ( ⁇ -aminoethyl) ethanolamine, hexamethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, anhydrous piperazine , Piperazine hexahydrate, 1- (2-aminoethyl) piperazine, N-methylpiperazine, guanidine, azoles such as imidazole and triazole, and the like.
  • Preferred basic compounds from the viewpoint of improving the polishing rate include ammonia, potassium hydroxide, sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, ammonium hydrogen carbonate, ammonium carbonate, potassium hydrogen carbonate, potassium carbonate, hydrogen carbonate.
  • Sodium and sodium carbonate are mentioned. Of these, preferred are ammonia, potassium hydroxide, sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide. More preferred are potassium carbonate and tetramethylammonium hydroxide.
  • Such basic compounds can be used singly or in combination of two or more. When using 2 or more types in combination, for example, a combination of potassium carbonate and tetramethylammonium hydroxide is preferable.
  • the content of the basic compound with respect to the polishing composition is preferably 0.01% by mass from the viewpoint of promoting the polishing rate. As mentioned above, More preferably, it is 0.05 mass% or more, More preferably, it is 0.09 mass% or more. Stability can also be improved by increasing the content of the basic compound.
  • the upper limit of the content of the basic compound is suitably 1% by mass or less, and preferably 0.5% by weight or less from the viewpoint of surface quality and the like.
  • the said content refers to the total content of 2 or more types of basic compounds.
  • the content of the basic compound is usually 10% by mass or less from the viewpoint of storage stability, filterability, and the like. Is suitable, and it is more preferable that it is 5 mass% or less. Further, from the viewpoint of taking advantage of the concentrated liquid, the content of the basic compound is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, and further preferably 0.9% by mass or more. It is.
  • the polishing composition according to the present invention is a polishing composition (typically a silicon wafer) such as a chelating agent, a surfactant, an antiseptic and an antifungal agent, as long as the effects of the present invention are not significantly hindered.
  • a known additive that can be used in the polishing composition used in the polishing step) may be further contained as necessary.
  • Examples of chelating agents that may be included in the polishing composition include aminocarboxylic acid chelating agents and organic phosphonic acid chelating agents.
  • Examples of aminocarboxylic acid chelating agents include ethylenediaminetetraacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid sodium, nitrilotriacetic acid, nitrilotriacetic acid sodium, nitrilotriacetic acid ammonium, hydroxyethylethylenediaminetriacetic acid, hydroxyethylethylenediamine sodium triacetate, diethylenetriaminepentaacetic acid Diethylenetriamine sodium pentaacetate, triethylenetetramine hexaacetic acid and sodium triethylenetetramine hexaacetate.
  • organic phosphonic acid chelating agents examples include 2-aminoethylphosphonic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic).
  • ethylenediaminetetrakis methylenephosphonic acid
  • diethylenetriaminepenta methylenephosphonic acid
  • diethylenetriaminepentaacetic acid are preferable.
  • Particularly preferred chelating agents include ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid) and diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid).
  • a chelating agent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the content of the chelating agent is preferably 0.0001% by mass or more, more preferably 0.001% by mass with respect to the polishing composition. % Or more, more preferably 0.005 mass% or more.
  • the upper limit of the content of the chelating agent is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, still more preferably 0.3% by mass or less, and 0.15% by mass. % Or less is particularly preferable.
  • the content of the chelating agent is usually 5% by mass or less from the viewpoint of storage stability, filterability, and the like. It is suitable, it is more preferable that it is 3 mass% or less, and it is especially preferable that it is 1.5 mass% or less. Further, from the viewpoint of taking advantage of the concentrated liquid, the content of the chelating agent is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, and further preferably 0.05% by mass or more. is there.
  • preservatives and fungicides examples include 2-methyl-4-isothiazolin-3-one and 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one. And the like, isothiazoline-based preservatives such as paraoxybenzoates, and phenoxyethanol. These antiseptics and fungicides may be used alone or in combination of two or more.
  • the polishing composition according to the present invention is typically supplied to a polishing object in the form of a polishing liquid containing the polishing composition, and used for polishing the polishing object.
  • the polishing composition according to the present invention may be used, for example, as a polishing liquid after being diluted (typically diluted with water), or may be used as a polishing liquid as it is. Good. That is, the concept of the polishing composition in the technology according to the present invention is used for polishing by diluting with a polishing composition (working slurry) that is supplied to a polishing object and used for polishing the polishing object. Both concentrates (working slurry stock solutions) are included.
  • the concentration ratio of the concentrated liquid can be, for example, about 2 to 100 times on a volume basis, and usually about 5 to 50 times is appropriate.
  • the pH of the polishing composition is typically 9.0 or higher, preferably 9.5 or higher, more preferably 10. It is 0 or more, more preferably 10.2 or more, for example 10.5 or more.
  • the pH of the polishing liquid is suitably 12.0 or less and 11.8 or less from the viewpoint of preventing dissolution of the abrasive grains and suppressing a decrease in the mechanical polishing action by the abrasive grains. Preferably, it is 11.5 or less.
  • the pH of the polishing composition is typically 9.5 or higher, preferably 10.0 or higher, more preferably 10.2 or more.
  • the pH of the polishing composition is suitably 12.0 or less, and preferably 11.5 or less.
  • the pH of the polishing composition was measured using a pH meter (for example, a glass electrode type hydrogen ion concentration indicator (Model No. F-23) manufactured by Horiba, Ltd.) and a standard buffer solution (phthalate pH buffer solution pH: 4.01 (25 ° C), neutral phosphate pH buffer pH: 6.86 (25 ° C), carbonate pH buffer pH: 10.01 (25 ° C)) It can be grasped by putting the glass electrode into the polishing composition and measuring the value after 2 minutes or more has been stabilized.
  • a pH meter for example, a glass electrode type hydrogen ion concentration indicator (Model No. F-23) manufactured by Horiba, Ltd.
  • a standard buffer solution phthalate pH buffer solution pH: 4.01 (25 ° C), neutral phosphate pH buffer pH: 6.86 (25 ° C), carbonate pH buffer pH: 10.01 (25 ° C)
  • the present invention further provides a production method for producing the polishing composition.
  • the manufacturing method of the polishing composition which concerns on this invention is not specifically limited. For example, it can be obtained by stirring and mixing abrasive grains, water-soluble polymer, basic compound and other additives as required. That is, one method for producing a polishing composition according to the present invention includes a step of stirring and mixing abrasive grains, a water-soluble polymer, and a basic compound in water, wherein the water-soluble polymer is styrene or It is a manufacturing method of polishing composition containing the structural unit derived from the derivative
  • the temperature at the time of mixing is not particularly limited, but is preferably 10 to 40 ° C., and may be heated to increase the dissolution rate. Further, the mixing time is not particularly limited as long as uniform mixing can be performed.
  • a well-known mixing device such as a blade-type stirrer, an ultrasonic disperser, or a homomixer is used.
  • the aspect which mixes these components is not specifically limited, For example, all the components may be mixed at once and may be mixed in the order set suitably.
  • the polishing composition according to the present invention can be used for polishing a polishing object, for example, in an embodiment including the following operations.
  • a working slurry containing the polishing composition according to the present invention is prepared.
  • the polishing composition is supplied to the object to be polished and polished by a conventional method.
  • a polishing object is set in a general polishing apparatus, and the polishing composition is supplied to the surface (polishing object surface) of the polishing object through a polishing pad of the polishing apparatus.
  • the polishing pad is pressed against the surface of the object to be polished, and both are relatively moved (for example, rotated). The polishing of the object to be polished is completed through this polishing step.
  • the polishing pad used in the above polishing process is not particularly limited.
  • any of polyurethane foam type, non-woven fabric type, suede type, those containing abrasive grains, and those not containing abrasive grains may be used.
  • the polishing apparatus a double-side polishing apparatus that simultaneously polishes both surfaces of an object to be polished, or a single-side polishing apparatus that polishes only one surface of the object to be polished may be used.
  • the above polishing composition may be used in a disposable form (so-called “flowing”) once used for polishing, or may be repeatedly used after circulation.
  • a method of circulating and using the polishing composition there is a method of collecting a used polishing composition discharged from the polishing apparatus in a tank and supplying the recovered polishing composition to the polishing apparatus again. .
  • the environmental load can be reduced by reducing the amount of the used polishing composition to be treated as a waste liquid, compared with the case of using the polishing composition by pouring.
  • cost can be suppressed by reducing the usage-amount of polishing composition.
  • the polishing composition according to the present invention is excellent in the performance (uplift-removing property) for eliminating the uplift of the peripheral edge of the hard laser mark. Taking advantage of such features, the polishing composition can be preferably applied to polishing a polishing object including a surface with a hard laser mark. That is, in one embodiment of the present invention, a method for polishing an object to be polished with a hard laser mark using the polishing composition according to the present invention is provided.
  • the polishing object include a substrate on which an inorganic insulating film such as a silicon oxide film and a silicon nitride film is formed, a substrate on which a polycrystalline silicon film is formed, a silicon single crystal substrate (silicon wafer), and the like. .
  • the polishing composition according to the present invention is suitable as a polishing composition for polishing a silicon wafer with a hard laser mark. Further, the polishing composition according to the present invention is suitable as a polishing composition used in a polishing process of a silicon wafer having a hard laser mark. It is desirable to eliminate the bulge around the hard laser mark at the beginning of the polishing process. For this reason, the polishing composition according to the present invention can be particularly preferably used in the first polishing step (primary polishing step) after applying the hard laser mark.
  • the first polishing step is typically performed as a double-side polishing step in which both sides of a silicon wafer are simultaneously polished.
  • the polishing composition according to the present invention can be preferably used in such a double-side polishing step.
  • the present invention also improves the flatness of a silicon wafer with a hard laser mark using a polishing composition containing abrasive grains, a water-soluble polymer, a basic compound, and water.
  • a polishing composition containing abrasive grains, a water-soluble polymer, a basic compound, and water.
  • the water-soluble polymer includes a structural unit derived from styrene or a derivative thereof.
  • the polishing composition according to the present invention can also be used for polishing a surface to be polished that does not have a hard laser mark.
  • the present invention can be preferably applied to preliminary polishing of a lapped silicon wafer regardless of the presence or absence of a hard laser mark.
  • polishing composition A1 The content of colloidal silica (average primary particle size 55 nm) is 9% by mass, the content of potassium carbonate (K 2 CO 3 ) is 1.7% by mass, and the content of tetramethylammonium hydroxide (TMAH) is 2.5%.
  • % By mass, ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid) (EDTPO) content of 0.1% by mass, styrene-maleic anhydride copolymer (weight average molecular weight: 9,500, styrene / maleic anhydride (S / M)) 3/1)
  • EDTPO ethylenediaminetetrakis
  • S / M maleic anhydride
  • the polishing composition A1 was prepared by stirring and mixing the above components and ion-exchanged water at a room temperature of about 25 ° C. for about 30 minutes so that the content was 0.01% by mass. .
  • Polishing compositions A2 to A4, Polishing compositions C1 to C4 were the same as the polishing composition A1, except that the type or content of the water-soluble polymer was changed as shown in Table 1.
  • ⁇ C4 was prepared.
  • Each polishing composition was diluted 10 times with water, and the diluted liquid was used as a polishing
  • Examples 1-4 and Comparative Examples 1 to 4 were used.
  • a commercially available silicon etched wafer (Bare Si P- ⁇ 100>, thickness: 545 ⁇ m) having a diameter of 4 inches (100 mm) after lapping was used.
  • a hard laser mark based on the SEMI M1 (T7) standard is imprinted on the polished surface.
  • Polishing machine Nippon Engis Co., Ltd. single-side polishing machine, model “EJ-380IN” Polishing pressure: 12.0kPa Slurry flow rate: 100 ml / min Plate rotation speed: 50 rpm Head rotation speed: 40rpm Polishing amount: 3.5 ⁇ m Polishing pad: Nitta Haas Co., Ltd., trade name “MH-S15A” Polishing environment temperature: 20 ° C Polishing time: 20 minutes ⁇ Uplift elimination evaluation> About the silicon wafer after grinding
  • the results obtained by the above measurement are shown in Table 1.
  • polishing compositions of the present invention in Examples 1 to 4 all showed good bulge resolution.
  • polishing compositions containing a water-soluble polymer having a structural unit derived from styrene or a derivative thereof according to an example using a styrene-maleic anhydride copolymer, higher bulge resolving properties were obtained.
  • Comparative Example 1 in which a water-soluble polymer having a structural unit derived from styrene or a derivative thereof was not added was inferior to the bulge-removing property as compared with Examples.
  • Comparative Examples 2 to 4 another water-soluble polymer was added in place of the water-soluble polymer having a structural unit derived from styrene or a derivative thereof, but the bulge-removability was lower than that of the example. This is because when the copolymer having a structural unit derived from styrene is not included, the polishing rate of the silicon wafer is higher than the polishing rate of the denatured portion at the periphery of the hard laser mark, both compared with the polishing composition of the example. This is thought to be due to the widening of the height difference.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)

Abstract

【課題】ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消する性能に優れた研磨用組成物を提供する。 【解決手段】砥粒と、水溶性高分子と、塩基性化合物と、水と、を含み、前記水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位と、それ以外の単量体由来の構造単位とを含む共重合体である、研磨用組成物。

Description

研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法
　本発明は、研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法に関する。
　従来、金属や半金属、非金属、その酸化物等の材料表面に対して研磨用組成物を用いた精密研磨が行われている。例えば、半導体製品の構成要素等として用いられるシリコンウェーハの表面は、一般に、ラッピング工程とポリシング工程（精密研磨工程）とを経て高品位の鏡面に仕上げられる。上記ポリシング工程は、典型的には、予備ポリシング工程（予備研磨工程）とファイナルポリシング工程（最終研磨工程）とを含む。
　シリコンウェーハには、識別等の目的で、該シリコンウェーハの表面や裏面にレーザー光を照射することによって、バーコード、数字、記号等のマーク（ハードレーザーマーク）が付されることがある。このようなハードレーザーマークの付与は、一般に、シリコンウェーハのラッピング工程を終えた後、ポリシング工程を開始する前に行われる。
　通常、ハードレーザーマークを付すためのレーザー光の照射によって、ハードレーザーマーク周縁には変質層が生じる。変質層が生じた状況で一次研磨等の予備研磨を施すと、変質層が研磨されにくいことによりハードレーザーマークの周縁に隆起が生じてシリコンウェーハの平坦性が低下する場合がある。例えば、特許文献１では、砥粒と、弱酸塩と、第四級アンモニウム化合物を含む研磨用組成物が開示されており、当該研磨用組成物により、ｐＨ変動を抑制し研磨能率を維持することができ、ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消することが記載されている。
特開２０１５－２３３０３１号公報
　しかしながら、上記変質層部分はレーザー光のエネルギーによりポリシリコン等に変質し、硬くなっていることが多いため、特許文献１のような研磨用組成物では上記隆起を効果的に解消することがまだ不十分であった。
　本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消する性能に優れた研磨用組成物を提供することを目的とする。
　さらに、本発明は、前記研磨用組成物の製造方法を提供することを目的とする。
　さらに、本発明は、前記研磨用組成物を用いて、ハードレーザーマークの付された研磨対象物を研磨する方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含む水溶性高分子を研磨用組成物に含ませることにより、上記課題が解決されうることを見出し、本発明を完成させるに至った。
　すなわち、本発明は、砥粒と、水溶性高分子と、塩基性化合物と、水と、を含み、前記水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含むことを特徴とする研磨用組成物に関する。
　さらに、本発明は、前記研磨用組成物の製造方法、および前記研磨用組成物を用いてハードレーザーマークの付された研磨対象物を研磨する方法にも関する。
　本発明によれば、ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消する性能に優れた研磨用組成物が提供される。
　さらに、本発明によれば、前記研磨用組成物の製造方法が提供される。
　さらに、本発明によれば、前記研磨用組成物を用いて、ハードレーザーマークの付された研磨対象物を研磨する方法が提供される。
　本発明の研磨用組成物は、砥粒と、水溶性高分子と、塩基性化合物と、水と、を含み、前記水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含む。
　本発明の研磨用組成物によれば、ハードレーザーマーク周縁の隆起を効果的に解消することができる。なお、本明細書においてハードレーザーマーク周縁の隆起を解消するとは、シリコンウェーハのハードレーザーマーク周縁の突起の高さを小さくすることをいう。シリコンウェーハのハードレーザーマーク周縁の突起の高さは、例えば、後述する実施例に記載の方法により測定することができる。
　このような効果が得られるメカニズムは、以下の通りであると考えられる。ただし、下記メカニズムはあくまで推測であり、これによって本発明の範囲が限定されるものではない。
　シリコンウェーハにハードレーザーマークを付すために、レーザー光の照射処理を行うため、ハードレーザーマーク周縁の単結晶シリコン部には変質層が生じ、硬くなっていることが多い。そのため、従来の研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する際に、ハードレーザーマーク周縁の変質部分は、それ以外のウェーハ部分に比べて、エッチングまたは砥粒による機械的研磨がされにくくなり、研磨速度が遅くなる。結果として、ハードレーザーマーク周縁は隆起が解消されないままである。一方、本発明の研磨用組成物を用いてシリコンウェーハを研磨する際には、前述のような問題が解消される。具体的な理由としては、本発明に記載のスチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含む水溶性高分子を添加すると、当該水溶性高分子が隆起部以外のシリコンウェーハの表面に好適に作用し、シリコンウェーハのエッチング速度または砥粒による機械的研磨速度が当該水溶性高分子を含まない場合に比べて抑えられる。これにより、変質部分とそれ以外のウェーハ部分の研磨速度の差が小さくなると考えられる。
　したがって、本発明の研磨用組成物を用いて研磨することにより、ハードレーザーマーク周縁の変質部分と、それ以外の部分とは近い研磨速度で研磨されて、部分的な隆起が解消され得る。
　以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。
　また、本明細書において、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０～２５℃）／相対湿度４０～５０％ＲＨの条件で行う。
　本発明の研磨用組成物は、砥粒と、水溶性高分子と、塩基性化合物と、水と、を含み、前記水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含む。以下、本発明の研磨用組成物の各構成を説明する。
　＜砥粒＞
　本発明の研磨用組成物は、砥粒を含む。研磨用組成物中に含まれる砥粒は、研磨対象物を機械的に研磨する作用を有する。
　使用される砥粒は、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア等の金属酸化物からなる粒子、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。該砥粒は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。また、該砥粒は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
　これら砥粒の中でも、シリカが好ましく、特に好ましいのはコロイダルシリカである。
　砥粒の平均一次粒子径の下限は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましく、２０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、３０ｎｍ以上であることが特に好ましい。また、砥粒の平均一次粒子径の上限は、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度はより向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に欠陥が生じるのをより抑えることができる。なお、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて算出される。
　砥粒の平均二次粒子径の下限は、１５ｎｍ以上であることが好ましく、３０ｎｍ以上であることがより好ましく、５０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、７０ｎｍ以上が特に好ましい。また、砥粒の平均二次粒子径の上限は、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２６０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度はより向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面に欠陥が生じるのをより抑えることができる。この二次粒子の平均二次粒子径は、例えば動的光散乱法により測定することができる。
　本発明に係る研磨用組成物における砥粒の含有量は特に制限されない。後述するように、そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物（典型的にはスラリー状の研磨液であり、ワーキングスラリーまたは研磨スラリーと称されることもある。）の場合、当該研磨用組成物に対して砥粒の含有量は、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．１質量％以上であることがより好ましく、０．５質量％以上であることがさらに好ましい。砥粒の含有量の増大によって、より高い隆起解消性が得られる傾向にある。また、スクラッチ防止等の観点から、砥粒の含有量は、通常は１０質量％以下が適当であり、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が特に好ましい。砥粒の含有量を少なくすることは、経済性の観点からも好ましい。本発明に係る研磨用組成物は、このような低い砥粒含有量においても、実用上充分な隆起解消性を発揮するものとなり得る。
　また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、砥粒の含有量は、保存安定性や濾過性等の観点から、通常は、３０質量％以下であることが適当であり、１５質量％以下であることがより好ましい。また、濃縮液とすることの利点を活かす観点から、砥粒の含有量は、好ましくは１質量％以上、より好ましくは５質量％以上である。
　＜水＞
　本発明に係る研磨用組成物は、各成分を分散または溶解するために分散媒として水を含む。水は、洗浄対象物の汚染や他の成分の作用を阻害するという観点から、不純物をできる限り含有しないことが好ましい。このような水としては、例えば、遷移金属イオンの合計含有量が１００ｐｐｂ以下である水が好ましい。ここで、水の純度は、例えば、イオン交換樹脂を用いる不純物イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって高めることができる。具体的には、水としては、例えば、脱イオン水（イオン交換水）、純水、超純水、蒸留水などを用いることが好ましい。
　分散媒は、各成分の分散または溶解のために、水と有機溶媒との混合溶媒であってもよい。この場合、用いられる有機溶媒としては、水と混和する有機溶媒であるアセトン、アセトニトリル、エタノール、メタノール、イソプロパノール、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール等が挙げられる。また、これらの有機溶媒を水と混合せずに用いて、各成分を分散または溶解した後に、水と混合してもよい。これら有機溶媒は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。
　＜水溶性高分子＞
　本発明に係る研磨用組成物は、水溶性高分子を含み、前記水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含む。本発明に使用できる水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含むため、シリコンウェーハ表面に好適に作用すると考えられる。これにより、シリコンウェーハの研磨速度を低下させ、ハードレーザーマーク周縁の変質部分との研磨速度の差を減少し隆起を解消できると考えられる。
　本発明に使用できる水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位のみを含む重合体であってもよく、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位と、それ以外の単量体由来の構造単位とを含む共重合体であってもよい。その中でも、前記スチレンまたはその誘導体由来の構造単位と、それ以外の単量体由来の構造単位とを含む共重合体を使用するときに、より良い隆起解消性が得られるので好ましい。
　スチレンまたはその誘導体由来の構造単位のみを含む水溶性高分子の例として、ポリスチレンスルホン酸またはその塩、ポリビニル安息香酸またはその塩、スチレン－スチレンスルホン酸共重合体等が挙げられる。
　スチレンまたはその誘導体由来の構造単位と、それ以外の単量体由来の構造単位とを含む共重合体の水溶性高分子を使用する場合、例えば、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位と、親水基であるカルボキシ基または酸無水物基を有する単量体由来の構造単位とを含む共重合体が使用され得る。具体例としては、スチレン－マレイン酸共重合体、スチレン－無水マレイン酸共重合体、スチレンスルホン酸－マレイン酸共重合体、スチレンスルホン酸塩とマレイン酸との共重合体、スチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、スチレンスルホン酸－（メタ）アクリル酸共重合体、スチレンスルホン酸塩と（メタ）アクリル酸との共重合体等が挙げられる。隆起解消性の観点から、スチレン－マレイン酸共重合体またはスチレン－無水マレイン酸共重合体が好ましく使用でき、スチレン－無水マレイン酸共重合体がさらに好ましく使用できる。前記共重合体の水溶性高分子は、疎水基と親水基が独立しているため、シリコンウェーハに作用しやすく、好適である。前記共重合体の水溶性高分子は、例えば、スチレンまたはその誘導体と、それ以外の単量体とをラジカル共重合させることにより製造できる。共重合体を使用する場合に、共重合体におけるスチレンまたはその誘導体由来の構造単位と、それ以外の単量体由来の構造単位との共重合比は、特に制限されないが、親水性の観点から、１：１０以上であることが好ましく、１：５以上であることがさらに好ましく、１：１以上であることが特に好ましい。また、前記共重合比は、特に制限されないが、隆起解消性の観点から、１０：１以下であることが好ましく、５：１以下であることがさらに好ましく、３：１以下であることが特に好ましい。
　本発明に使用できる水溶性高分子の重量平均分子量は、特に制限されないが、３，０００以上であることが好ましく、４，０００以上であることがさらに好ましく、５，０００以上であることが特に好ましい。また、水溶性高分子の重量平均分子量は、特に制限されないが、３００，０００以下であることが好ましく、１００，０００以下であることがさらに好ましく、３０，０００以下であることが特に好ましい。水溶性高分子の重量平均分子量が大きくなるにつれて、シリコンウェーハへの被覆率が大きくなり、隆起解消性が向上できると考えられる。水溶性高分子の重量平均分子量が小さくなるにつれて、ウェーハに作用できる水溶性高分子鎖数が増加してより密な保護膜を形成できる。なお、本明細書において、重量平均分子量は、ＧＰＣ法（水系、ポリエチレンオキサイド換算）により測定された値を採用することができる。
　そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物の場合、当該研磨用組成物に対して水溶性高分子の含有量は、０．０００１質量％以上であることが好ましく、０．００１質量％以上であることがより好ましい。水溶性高分子の含有量の増大によって、より高い隆起解消性が得られる傾向にある。また、水溶性高分子の含有量は、通常は０．１質量％以下が適当であり、０．０５質量％以下がより好ましい。研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量が少なくなるにつれて、研磨速度の低下が抑制される。
　また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、水溶性高分子の含有量は、保存安定性や濾過性等の観点から、通常は、１質量％以下であることが適当であり、０．５質量％以下であることがより好ましい。また、濃縮液とすることの利点を活かす観点から、水溶性高分子の含有量は、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上である。
　本発明において、前記水溶性高分子は公知の方法により合成されてもよく、市販品を使用してもよい。
　＜塩基性化合物＞
　本発明に係る研磨用組成物は、塩基性化合物を含む。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物は、研磨対象となる面を化学的に研磨する働きをし、研磨速度の向上に寄与し得る。また、塩基性化合物は、研磨用組成物の分散安定性の向上に役立ち得る。
　塩基性化合物としては、窒素を含む有機または無機の塩基性化合物、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物、各種の炭酸塩や炭酸水素塩等を用いることができる。例えば、アルカリ金属の水酸化物、水酸化第四級アンモニウムまたはその塩、アンモニア、アミン等が挙げられる。アルカリ金属の水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。炭酸塩または炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。水酸化第四級アンモニウムまたはその塩の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等が挙げられる。アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類等が挙げられる。
　研磨速度向上等の観点から好ましい塩基性化合物として、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウムおよび炭酸ナトリウムが挙げられる。なかでも好ましいものとして、アンモニア、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化テトラエチルアンモニウムが例示される。より好ましいものとして炭酸カリウムおよび水酸化テトラメチルアンモニウムが挙げられる。このような塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。２種以上を組み合わせて用いる場合、例えば、炭酸カリウムと水酸化テトラメチルアンモニウムの組合せが好ましい。
　そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物の場合、当該研磨用組成物に対して塩基性化合物の含有量は、研磨速度の促進の観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．０９質量％以上である。塩基性化合物の含有量の増加によって、安定性も向上し得る。上記塩基性化合物の含有量の上限は、１質量％以下とすることが適当であり、表面品質等の観点から、好ましくは０．５重量％以下である。また、２種以上を組み合わせて用いる場合は、前記含有量は２種以上の塩基性化合物の合計含有量を指す。
　また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、塩基性化合物の含有量は、保存安定性や濾過性等の観点から、通常は、１０質量％以下であることが適当であり、５質量％以下であることがより好ましい。また、濃縮液とすることの利点を活かす観点から、塩基性化合物の含有量は、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは０．９質量％以上である。
　＜その他の成分＞
　本発明に係る研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、キレート剤、界面活性剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物（典型的には、シリコンウェーハのポリシング工程に用いられる研磨用組成物）に用いられ得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。
　研磨用組成物に必要であれば含まれうるキレート剤としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２－アミノエチルホスホン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン－１，１－ジホスホン酸、エタン－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１－ジホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１，２－ジカルボキシ－１，２－ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２－ジカルボン酸、１－ホスホノブタン－２，３，４－トリカルボン酸およびα－メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましい。なかでも好ましいものとして、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミン五酢酸が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。キレート剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物の場合、当該研磨用組成物に対してキレート剤の含有量は、好ましくは０．０００１質量％以上、より好ましくは０．００１質量％以上、さらに好ましくは０．００５質量％以上である。上記キレート剤の含有量の上限は、１質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、０．３質量％以下であることがさらに好ましく、０．１５質量％以下であることが特に好ましい。
　また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、キレート剤の含有量は、保存安定性や濾過性等の観点から、通常は、５質量％以下であることが適当であり、３質量％以下であることがより好ましく、１．５質量％以下であることが特に好ましい。また、濃縮液とすることの利点を活かす観点から、キレート剤の含有量は、好ましくは０．００１質量％以上、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上である。
　研磨用組成物に必要であれば含まれうる防腐剤および防カビ剤としては、例えば、２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オンや５－クロロ－２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、およびフェノキシエタノール等が挙げられる。これら防腐剤および防カビ剤は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。
　＜研磨用組成物＞
　本発明に係る研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物に供給されて、その研磨対象物の研磨に用いられる。本発明に係る研磨用組成物は、例えば、希釈（典型的には、水により希釈）して研磨液として使用されるものであってもよく、そのまま研磨液として使用されるものであってもよい。すなわち、本発明に係る技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨に用いられる濃縮液（ワーキングスラリーの原液）との双方が包含される。上記濃縮液の濃縮倍率は、例えば、体積基準で２倍～１００倍程度とすることができ、通常は５倍～５０倍程度が適当である。
　そのまま研磨液として研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物の場合、研磨用組成物のｐＨは、典型的には９．０以上であり、好ましくは９．５以上、より好ましくは１０．０以上、さらに好ましくは１０．２以上、例えば１０．５以上である。研磨液のｐＨが高くなると隆起解消性が向上する傾向にある。一方、砥粒の溶解を防ぎ、該砥粒による機械的な研磨作用の低下を抑制する観点から、研磨液のｐＨは、１２．０以下であることが適当であり、１１．８以下であることが好ましく、１１．５以下であることがさらに好ましい。
　また、希釈して研磨に用いられる研磨用組成物（すなわち濃縮液）の場合、研磨用組成物のｐＨは、典型的には９．５以上であり、好ましくは１０．０以上、より好ましくは１０．２以上である。また、研磨用組成物のｐＨは、１２．０以下であることが適当であり、１１．５以下であることが好ましい。
　なお、研磨用組成物のｐＨは、ｐＨメーター（例えば、堀場製作所製のガラス電極式水素イオン濃度指示計（型番Ｆ－２３））を使用し、標準緩衝液（フタル酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：４．０１（２５℃）、中性リン酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：６．８６（２５℃）、炭酸塩ｐＨ緩衝液　ｐＨ：１０．０１（２５℃））を用いて３点校正した後で、ガラス電極を研磨用組成物に入れて、２分以上経過して安定した後の値を測定することにより把握することができる。
　＜研磨用組成物の製造方法＞
　本発明において、さらに、前記研磨用組成物を製造する、製造方法を提供する。本発明に係る研磨用組成物の製造方法は特に限定されない。例えば、砥粒、水溶性高分子、塩基性化合物および必要に応じて他の添加剤を、水中で攪拌混合することにより得ることができる。すなわち、本発明に係る研磨用組成物の一製造方法は、砥粒と、水溶性高分子と、塩基性化合物とを、水中で攪拌混合する工程を含み、前記水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含む、研磨用組成物の製造方法である。混合する際の温度は特に制限されないが、１０～４０℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も、均一混合できれば特に制限されない。撹拌装置としては、例えば、翼式攪拌機、超音波分散機、ホモミキサー等の周知の混合装置が用いられる。これらの成分を混合する態様は特に限定されず、例えば全成分を一度に混合してもよく、適宜設定した順序で混合してもよい。
　＜研磨方法＞
　本発明に係る研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、研磨対象物の研磨に使用することができる。
　すなわち、本発明に係る研磨用組成物を含むワーキングスラリーを用意する。次いで、その研磨用組成物を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。例えば、一般的な研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて該研磨対象物の表面（研磨対象面）に研磨用組成物を供給する。典型的には、上記研磨用組成物を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動（例えば回転移動）させる。かかる研磨工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。
　上記研磨工程で使用される研磨パッドは特に限定されない。例えば、発泡ポリウレタンタイプ、不織布タイプ、スウェードタイプ、砥粒を含むもの、砥粒を含まないもの等のいずれを用いてもよい。また、上記研磨装置としては、研磨対象物の両面を同時に研磨する両面研磨装置を用いてもよく、研磨対象物の片面のみを研磨する片面研磨装置を用いてもよい。
　上記研磨用組成物は、いったん研磨に使用したら使い捨てにする態様（いわゆる「かけ流し」）で使用されてもよいし、循環して繰り返し使用されてもよい。研磨用組成物を循環使用する方法の一例として、研磨装置から排出される使用済みの研磨用組成物をタンク内に回収し、回収した研磨用組成物を再度研磨装置に供給する方法が挙げられる。研磨用組成物を循環使用する場合には、かけ流しで使用する場合に比べて、廃液として処理される使用済みの研磨用組成物の量が減ることにより環境負荷を低減できる。また、研磨用組成物の使用量が減ることによりコストを抑えることができる。
　＜用途＞
　本発明に係る研磨用組成物は、ハードレーザーマーク周縁の隆起を解消する性能（隆起解消性）に優れる。かかる特長を活かして、上記研磨用組成物は、ハードレーザーマークの付された表面を含む研磨対象物の研磨に好ましく適用することができる。すなわち、本発明の一実施形態においては、本発明に係る研磨用組成物を使用してハードレーザーマークの付された研磨対象物を研磨する方法が提供される。また、前記研磨対象物としては、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜等の無機絶縁膜が形成された基板、多結晶シリコン膜が形成された基板、およびシリコン単結晶基板（シリコンウェーハ）等が挙げられる。これらのうち、シリコンウェーハであることが好ましい。すなわち、本発明に係る研磨用組成物は、ハードレーザーマークの付されたシリコンウェーハを研磨する研磨用組成物として好適である。また、本発明に係る研磨用組成物は、ハードレーザーマークの付されたシリコンウェーハのポリシング工程において用いられる研磨用組成物として好適である。ハードレーザーマーク周縁の隆起は、ポリシング工程の初期に解消しておくことが望ましい。このため、本発明に係る研磨用組成物は、ハードレーザーマーク付与後の最初のポリシング工程（１次研磨工程）において特に好ましく使用され得る。上記最初のポリシング工程は、典型的には、シリコンウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨工程として実施される。本発明に係る研磨用組成物は、このような両面研磨工程において好ましく使用され得る。
　よって、本発明はまた、砥粒と、水溶性高分子と、塩基性化合物と、水と、を含む研磨用組成物を用いて、ハードレーザーマークの付されたシリコンウェーハの平坦性を向上する方法を提供する。なお、前記水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含む。
　本発明に係る研磨用組成物は、また、ハードレーザーマークを有しない研磨対象面の研磨にも使用され得る。例えば、ハードレーザーマークの有無に拘らず、ラッピングを終えたシリコンウェーハの予備ポリシングに好ましく適用することができる。
　本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。また、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）／相対湿度４０～５０％ＲＨの条件下で行われた。
　＜研磨用組成物の調製＞
　（研磨用組成物Ａ１）
　コロイダルシリカ（平均一次粒子径５５ｎｍ）の含有量が９質量％、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）の含有量が１．７質量％、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の含有量が２．５質量％、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）（ＥＤＴＰＯ）の含有量が０．１質量％、スチレン－無水マレイン酸共重合体（重量平均分子量：９，５００、スチレン／無水マレイン酸（Ｓ／Ｍ）＝３／１）の含有量が０．０１質量％になるように、前記各成分およびイオン交換水を、室温２５℃程度で約３０分間攪拌混合することにより、研磨用組成物Ａ１を調製した。
　（研磨用組成物Ａ２～Ａ４、研磨用組成物Ｃ１～Ｃ４）
　水溶性高分子の種類または含有量を表１の記載になるように変えたこと以外は、前記研磨用組成物Ａ１と同様な方法で、研磨用組成物Ａ２～Ａ４、および研磨用組成物Ｃ１～Ｃ４を調製した。
　また、各研磨用組成物において使用される水溶性高分子は、下記の通りである：
　・スチレン－無水マレイン酸共重合体（Ｍｗ＝９，５００　Ｓ／Ｍ＝３／１）
　・スチレン－無水マレイン酸共重合体（Ｍｗ＝９，５００　Ｓ／Ｍ＝３／１）
　・スチレン－無水マレイン酸共重合体（Ｍｗ＝５，５００　Ｓ／Ｍ＝１／１）
　・ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（Ｍｗ＝２０，０００）
　・ポリメチルビニルエーテル－無水マレイン酸共重合体（Ｍｗ＝２００，０００　Ｍｅ／Ｍ＝１／１）
　・ヒドロキシエチルセルロース（Ｍｗ＝２５０，０００）
　・ポリビニルアルコール（Ｍｗ＝１０，０００）
　＜シリコンウェーハの研磨＞
　各研磨用組成物を水で１０倍希釈し、希釈液を研磨液（ワーキングスラリー）として使用して、研磨対象物（試験片）の表面を下記の条件で研磨し、実施例１～４および比較例１～４とした。試験片としては、ラッピングを終えた直径４インチ（１００ｍｍ）の市販シリコンエッチドウェーハ（Ｂａｒｅ　Ｓｉ　Ｐ－＜１００＞、厚み：５４５μｍ）を使用した。本ウェーハには、ＳＥＭＩ　Ｍ１（Ｔ７）規格に基づくハードレーザーマークが研磨面に刻印されている。
　（研磨条件）
　研磨装置：日本エンギス株式会社製　片面研磨機、型式「ＥＪ－３８０ＩＮ」
　研磨圧力：１２．０ｋＰａ
　スラリー流量：１００ｍｌ／ｍｉｎ
　定盤回転数：５０ｒｐｍ
　ヘッド回転数：４０ｒｐｍ
　研磨量：３．５μｍ
　研磨パッド：ニッタ・ハース株式会社製、商品名「ＭＨ－Ｓ１５Ａ」
　研磨環境の温度：２０℃
　研磨時間：２０分
　＜隆起解消性評価＞
　研磨後のシリコンウェーハについて、ＳＵＲＦＣＯＭ　１５００ＤＸ（株式会社東京精密製）を用いて隆起の高さを測定し、隆起解消性を評価した。具体的には、シリコンウェーハの周縁部に直接針を走らせて突起高さを確認し、隆起がない部分との段差（＝突起高さ）を算出した。突起高さが大きいほど、隆起解消性が悪いとの評価結果になる。以上の測定により得られた結果を表１に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示されるように、実施例１～４における本発明の研磨用組成物によれば、いずれも良好な隆起解消性を示した。スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を有する水溶性高分子を含む研磨用組成物のうち、スチレン－無水マレイン酸共重合体を用いた実施例によると、より高い隆起解消性が得られた。
　一方、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を有する水溶性高分子を添加してない比較例１では、実施例に比べて隆起解消性に劣るものであった。また、比較例２～４では、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を有する水溶性高分子の代わりに他の水溶性高分子を添加したが、実施例に比べて隆起解消性が低かった。これは、スチレン由来の構造単位を有する共重合体を含まない場合に、シリコンウェーハの研磨速度がハードレーザーマーク周縁の変質部分の研磨速度よりも高く、実施例の研磨用組成物に比べて両者の高さの差が広がったためと考えられる。
　以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (7)

  1. 　砥粒と、水溶性高分子と、塩基性化合物と、水と、を含み、前記水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含む、研磨用組成物。
  2. 　前記水溶性高分子は、前記スチレンまたはその誘導体由来の構造単位と、それ以外の単量体由来の構造単位とを含む共重合体である、請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 　前記それ以外の単量体は、カルボキシ基または酸無水物基を有する単量体である、請求項２に記載の研磨用組成物。
  4. 　前記水溶性高分子は、スチレン－無水マレイン酸共重合体またはスチレン－マレイン酸共重合体である、請求項１～３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  5. 　砥粒と、水溶性高分子と、塩基性化合物とを、水中で攪拌混合する工程を含み、前記水溶性高分子は、スチレンまたはその誘導体由来の構造単位を含む、研磨用組成物の製造方法。
  6. 　ハードレーザーマークの付された研磨対象物の研磨に用いられる、請求項１～４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  7. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて、ハードレーザーマークの付された研磨対象物を研磨する方法。
PCT/JP2018/002697 2017-02-17 2018-01-29 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法 WO2018150856A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18754174.3A EP3584298B1 (en) 2017-02-17 2018-01-29 Polishing method using a polishing composition
CN201880011959.1A CN110312776B (zh) 2017-02-17 2018-01-29 研磨用组合物、其制造方法和使用研磨用组合物的研磨方法
JP2018568079A JP7208019B2 (ja) 2017-02-17 2018-01-29 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法
KR1020197023621A KR102575250B1 (ko) 2017-02-17 2018-01-29 연마용 조성물, 그 제조 방법 및 연마용 조성물을 사용한 연마 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017028303 2017-02-17
JP2017-028303 2017-02-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018150856A1 true WO2018150856A1 (ja) 2018-08-23

Family

ID=63169290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/002697 WO2018150856A1 (ja) 2017-02-17 2018-01-29 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP3584298B1 (ja)
JP (1) JP7208019B2 (ja)
KR (1) KR102575250B1 (ja)
CN (1) CN110312776B (ja)
TW (1) TWI767993B (ja)
WO (1) WO2018150856A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020035870A (ja) * 2018-08-29 2020-03-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JPWO2020196370A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01
WO2021061510A1 (en) * 2019-09-24 2021-04-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions and methods of use thereof
JP2022040139A (ja) * 2017-09-29 2022-03-10 昭和電工マテリアルズ株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
JP7440423B2 (ja) 2018-11-12 2024-02-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323444A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Kao Corp 研磨液組成物
JP2015233031A (ja) 2014-06-09 2015-12-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2016158648A1 (ja) * 2015-03-30 2016-10-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用処理組成物、化学機械研磨方法および洗浄方法
CN107304330A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 江苏天恒纳米科技股份有限公司 一种硅cmp浆料及其使用该cmp浆料的抛光方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4299749A (en) * 1980-06-30 1981-11-10 Sterling Drug Inc. Floor coating composition
US7677956B2 (en) * 2002-05-10 2010-03-16 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for dielectric CMP
US20050263407A1 (en) * 2004-05-28 2005-12-01 Cabot Microelectronics Corporation Electrochemical-mechanical polishing composition and method for using the same
US20060096179A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Cabot Microelectronics Corporation CMP composition containing surface-modified abrasive particles
JP2006193695A (ja) 2005-01-17 2006-07-27 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP2008112970A (ja) 2006-10-05 2008-05-15 Hitachi Chem Co Ltd 研磨用組成物
KR101406487B1 (ko) * 2006-10-06 2014-06-12 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 반도체 장치의 화학 기계연마 방법
US20100221918A1 (en) * 2007-09-03 2010-09-02 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and method for preparing the same, kit for preparing aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and chemical mechanical polishing method for semiconductor device
CN101463225A (zh) * 2007-12-21 2009-06-24 安集微电子（上海）有限公司 一种阻挡层化学机械抛光液
EP2237311A4 (en) 2008-02-01 2011-11-30 Fujimi Inc POLISHING COMPOSITION AND POLISHING METHOD THEREFOR
JP5769284B2 (ja) * 2009-01-20 2015-08-26 花王株式会社 磁気ディスク基板用研磨液組成物
US9685341B2 (en) * 2012-03-14 2017-06-20 Fujimi Incorporated Abrasive composition and method for producing semiconductor substrate
JP5822356B2 (ja) * 2012-04-17 2015-11-24 花王株式会社 シリコンウェーハ用研磨液組成物
JP2014234489A (ja) * 2013-06-05 2014-12-15 四日市合成株式会社 研磨スラリーの製造方法
TWI563073B (en) * 2014-06-03 2016-12-21 Cabot Microelectronics Corp Cmp compositions and methods for polishing rigid disk surfaces
US10032644B2 (en) * 2015-06-05 2018-07-24 Versum Materials Us, Llc Barrier chemical mechanical planarization slurries using ceria-coated silica abrasives

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000323444A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Kao Corp 研磨液組成物
JP2015233031A (ja) 2014-06-09 2015-12-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2016158648A1 (ja) * 2015-03-30 2016-10-06 Jsr株式会社 化学機械研磨用処理組成物、化学機械研磨方法および洗浄方法
CN107304330A (zh) * 2016-04-19 2017-10-31 江苏天恒纳米科技股份有限公司 一种硅cmp浆料及其使用该cmp浆料的抛光方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022040139A (ja) * 2017-09-29 2022-03-10 昭和電工マテリアルズ株式会社 研磨液、研磨液セット及び研磨方法
JP2020035870A (ja) * 2018-08-29 2020-03-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP7440423B2 (ja) 2018-11-12 2024-02-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JPWO2020196370A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01
WO2020196370A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP7534282B2 (ja) 2019-03-26 2024-08-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2021061510A1 (en) * 2019-09-24 2021-04-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions and methods of use thereof
CN112840003A (zh) * 2019-09-24 2021-05-25 富士胶片电子材料美国有限公司 抛光组合物及其使用方法
JP2022550331A (ja) * 2019-09-24 2022-12-01 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 研磨組成物及びその使用方法
JP7655902B2 (ja) 2019-09-24 2025-04-02 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 研磨組成物及びその使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190120192A (ko) 2019-10-23
CN110312776A (zh) 2019-10-08
KR102575250B1 (ko) 2023-09-06
EP3584298A4 (en) 2020-07-08
TW201835285A (zh) 2018-10-01
EP3584298A1 (en) 2019-12-25
TWI767993B (zh) 2022-06-21
EP3584298B1 (en) 2022-12-28
CN110312776B (zh) 2021-11-30
JPWO2018150856A1 (ja) 2019-12-26
JP7208019B2 (ja) 2023-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7208019B2 (ja) 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法
JP6357356B2 (ja) 研磨用組成物
JP6279593B2 (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウェーハ製造方法
WO2018180153A1 (ja) 研磨用組成物および研磨方法
WO2020100563A1 (ja) 研磨用組成物
JP7253335B2 (ja) 研磨用組成物、その製造方法および研磨用組成物を用いた研磨方法
JP7677898B2 (ja) 研磨用組成物
JP6295052B2 (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法およびシリコンウエハ製造方法
WO2019189124A1 (ja) 研磨用組成物
WO2019065357A1 (ja) 研磨用組成物
JP2020035870A (ja) 研磨用組成物
JP7550771B2 (ja) 研磨用組成物
JP6373029B2 (ja) 研磨用組成物
JP6905836B2 (ja) 研磨用組成物及び研磨用組成物の製造方法
US20220186077A1 (en) Method of polishing object to be polished containing material having silicon-silicon bond
JP6436638B2 (ja) 研磨用組成物
JP7666930B2 (ja) 研磨用組成物
JP2018129397A (ja) 研磨用組成物
TW202328394A (zh) 研磨用組成物
WO2023032714A1 (ja) 研磨用組成物
WO2024195576A1 (ja) 研磨用組成物
JP2018174321A (ja) 研磨用組成物および研磨方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18754174

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018568079

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197023621

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018754174

Country of ref document: EP

Effective date: 20190917