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WO2015107790A1 - 電界発光素子 - Google Patents

電界発光素子 Download PDF

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Publication number
WO2015107790A1
WO2015107790A1 PCT/JP2014/081886 JP2014081886W WO2015107790A1 WO 2015107790 A1 WO2015107790 A1 WO 2015107790A1 JP 2014081886 W JP2014081886 W JP 2014081886W WO 2015107790 A1 WO2015107790 A1 WO 2015107790A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
ring
quantum dot
light emitting
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/081886
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
昇太 広沢
Original Assignee
コニカミノルタ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コニカミノルタ株式会社 filed Critical コニカミノルタ株式会社
Priority to US15/110,857 priority Critical patent/US9773993B2/en
Priority to JP2015557731A priority patent/JP6657956B2/ja
Publication of WO2015107790A1 publication Critical patent/WO2015107790A1/ja

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

Definitions

  • the present invention relates to an electroluminescent element.
  • organic electroluminescence elements using organic substances among electroluminescence elements are promising for use as solid light-emitting inexpensive large-area full-color display elements and writing light source arrays. Research and development is actively underway.
  • An organic EL element is a thin film composed of a functional layer (single layer portion or multilayer portion) having a thickness of only about 0.1 ⁇ m containing an organic light emitting substance between a pair of anode and cathode formed on a film.
  • Type all-solid-state device is a functional layer (single layer portion or multilayer portion) having a thickness of only about 0.1 ⁇ m containing an organic light emitting substance between a pair of anode and cathode formed on a film.
  • a white light emitting panel for lighting is required to have high efficiency and long life.
  • an organic EL element when used, its performance is low with respect to fluorescent lamps and white LEDs for long life.
  • the quantum dot material is an inorganic light emitting material as a light emitting material.
  • the quantum dot material is an inorganic substance, so that it has good durability and is soluble in various solvents, so that it can be applied to a coating process.
  • Patent Document 1 discloses an electroluminescence element in which a quantum dot material is contained in a light emitting layer.
  • Patent Document 2 discloses an organic electroluminescence element in which a phosphorescent light emitting dopant is contained in a light emitting layer, and a quantum dot material is doped in the light emitting layer or its adjacent layer.
  • Patent Document 1 it is necessary to stack a plurality of light emitting layers in order to manufacture an element that emits white light required for lighting applications and the like, and thus the manufacturing method is complicated. In addition, the selection of the solvent used for forming each light emitting layer becomes complicated. In addition, since the emission spectrum is sharp, the color rendering is reduced. Further, according to the technique disclosed in Patent Document 2, since a phosphorescent material is used, the deterioration rate of the element is high, and there is a problem in durability. Strictly speaking, the technology disclosed in Patent Document 2 does not have a sufficient lifetime as an element that emits white light, and there is room for improvement in this regard.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems and circumstances, and the solution to the problem is to provide an electroluminescent device having excellent color rendering properties and a long lifetime as a device that emits white light, that is, high durability. It is to be.
  • An electroluminescent device having a first electrode, a functional layer including at least one light emitting layer, and a second electrode on a substrate, wherein the at least one light emitting layer includes a quantum dot material,
  • the quantum dot material satisfies d90 ⁇ d10 ⁇ 3 nm, where d10 (nm) represents a cumulative particle size of 10% in a volume-based cumulative particle size distribution and d90 (nm) represents a particle size of 90% cumulative.
  • the quantum dot material satisfies t / (d90 ⁇ d10)> 0.5 when the half-value width of the maximum peak in the volume-based particle size distribution is t (nm).
  • the electroluminescent device as described in 1.
  • an electroluminescent device that has excellent color rendering properties and a long lifetime as an element that emits white light, that is, high durability.
  • (A)-(e) is a graph of the particle size distribution of the quantum dot material used for the electroluminescent element which concerns on embodiment of this invention.
  • ⁇ is used to mean that the numerical values described before and after it are included as a lower limit value and an upper limit value.
  • an electroluminescent element 100 As shown in FIG. 1, an electroluminescent element 100 according to a preferred embodiment of the present invention has a flexible substrate (substrate) 1. An anode (first electrode) 2 is formed on the flexible substrate 1, a functional layer 20 is formed on the anode 2, and a cathode (second electrode) 8 is formed on the functional layer 20.
  • the functional layer 20 refers to each layer constituting the electroluminescent device 100 provided between the anode 2 and the cathode 8.
  • the functional layer 20 includes, for example, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, an electron transport layer 6, and an electron injection layer 7, and further includes a hole block layer and an electron block layer. May be.
  • the anode 2, the functional layer 20, and the cathode 8 on the flexible substrate 1 are sealed with a flexible sealing member 10 through a sealing adhesive 9.
  • the electroluminescent device 100 may have a layer structure of (i) to (viii).
  • the injection layer can be provided as necessary.
  • the injection layer includes an electron injection layer and a hole injection layer, and may be present between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer as described above.
  • the injection layer referred to in the present invention is a layer provided between the electrode and the functional layer for lowering the driving voltage and improving the light emission luminance.
  • Injection materials include triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives.
  • the details of the electron injection layer are described in, for example, JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, and JP-A-10-74586, and specific examples thereof include strontium and aluminum.
  • the buffer layer (injection layer) is desirably a very thin film, and potassium fluoride and sodium fluoride are preferable.
  • the film thickness is about 0.1 nm to 5 ⁇ m, preferably 0.1 to 100 nm, more preferably 0.5 to 10 nm, and most preferably 0.5 to 4 nm.
  • Hole transport layer 4 As the hole transport material constituting the hole transport layer, the same compounds as those applied in the hole injection layer can be used, and further, porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds, and styryl. It is preferable to use an amine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminoph
  • inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.
  • the hole transport layer is formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Can do.
  • the thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • n described in the above exemplary compounds represents the degree of polymerization and represents an integer having a weight average molecular weight in the range of 50,000 to 200,000. If the weight average molecular weight is less than this range, there is a concern of mixing with other layers during film formation due to the high solubility in the solvent. Even if a film can be formed, the light emission efficiency does not increase at a low molecular weight. When the weight average molecular weight is larger than this range, problems arise due to difficulty in synthesis and purification. As the molecular weight distribution increases and the residual amount of impurities also increases, the light emission efficiency, voltage, and life of the electroluminescent element deteriorate. These polymer compounds are disclosed in Makromol. Chem. , Pages 193, 909 (1992) and the like.
  • Electron transport layer 6 The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers. Conventionally, in the case of a single electron transport layer and a plurality of layers, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for an electron transport layer adjacent to the cathode side with respect to the light emitting layer is injected from the cathode. As long as it has a function of transmitting electrons to the light-emitting layer, any material can be selected and used from among conventionally known compounds.
  • fluorene derivatives for example, fluorene derivatives, carbazole derivatives, azacarbazole And metal complexes such as derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, silole derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, 8-quinolinol derivatives, and the like.
  • metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.
  • a carbazole derivative, an azacarbazole derivative, a pyridine derivative, and the like are preferable in the present invention, and an azacarbazole derivative is more preferable.
  • the electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, an LB method, and the like, preferably It can be formed by a wet process using a coating liquid containing an electron transport material and a fluorinated alcohol solvent.
  • the thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • an electron transport layer with high n property doped with impurities as a guest material can be used.
  • examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • the electron transport layer in the present invention preferably contains an organic alkali metal salt.
  • organic substance but formate, acetate, propionic acid, butyrate, valerate, caproate, enanthate, caprylate, oxalate, malonate, succinate Benzoate, phthalate, isophthalate, terephthalate, salicylate, pyruvate, lactate, malate, adipate, mesylate, tosylate, benzenesulfonate ,
  • the type of alkali metal of the alkali metal salt of the organic substance is not particularly limited, and examples thereof include Na, K, and Cs, preferably K, Cs, and more preferably Cs.
  • Examples of the alkali metal salt of the organic substance include a combination of the organic substance and the alkali metal, preferably, formic acid Li, formic acid K, formic acid Na, formic acid Cs, acetic acid Li, acetic acid K, Na acetate, acetic acid Cs, propionic acid Li, Propionic acid Na, propionic acid K, propionic acid Cs, oxalic acid Li, oxalic acid Na, oxalic acid K, oxalic acid Cs, malonic acid Li, malonic acid Na, malonic acid K, malonic acid Cs, succinic acid Li, succinic acid Na, succinic acid K, succinic acid Cs, benzoic acid Li, benzoic acid Na, benzoic acid K, benzoic acid Li,
  • the light-emitting layer constituting the electroluminescent device of the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light-emitting portion of the light-emitting layer It may be in the layer or the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.
  • the light emitting layer according to the present invention is not particularly limited in its configuration as long as the light emitting material contained satisfies the requirements defined by the present invention. Moreover, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength. It is preferable to have a non-light emitting intermediate layer between each light emitting layer.
  • the total thickness of the light emitting layers in the present invention is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably 50 nm or less because a lower driving voltage can be obtained.
  • the sum total of the film thickness of the light emitting layer as used in this invention is a film thickness also including the said intermediate
  • the film thickness of each light emitting layer is preferably adjusted in the range of 1 to 50 nm.
  • Each light emitting layer may emit light of each color of blue, green, and red, and the relationship between the film thicknesses of each light emitting layer is not particularly limited.
  • a light emitting material or a host compound which will be described later, is formed by forming a film by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, an ink jet method, or the like. it can.
  • the light emitting layer preferably contains a host compound and a quantum dot material and emits light from the quantum dot material.
  • (4.1) Host compound As a host compound contained in the light emitting layer of the electroluminescent element of the present invention, a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C) of less than 0.1 is preferable. More preferably, the phosphorescence quantum yield is less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
  • known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the efficiency of the electroluminescent element can be improved. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of luminescent material mentioned later, and can thereby obtain arbitrary luminescent colors.
  • the light emitting host used in the present invention may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (polymerizable light emission).
  • a high molecular weight material when used, a phenomenon in which the compound is likely to be difficult to escape, such as swelling or gelation, due to the compound taking in the solvent is likely to occur.
  • the known host compound a compound having a hole transporting ability and an electron transporting ability, preventing an increase in the wavelength of light emission, and having a high Tg (glass transition temperature) is preferable.
  • the glass transition point (Tg) is a value determined by a method based on JIS-K-7121 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).
  • Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents. For example, Japanese Patent Laid-Open Nos.
  • the host compound used in the present invention is preferably a carbazole derivative.
  • the host compound is preferably a compound represented by the general formula (1).
  • X represents NR ′, O, S, CR′R ′′ or SiR′R ′′.
  • R ′ and R ′′ each represent a hydrogen atom or a substituent.
  • Ar represents an aromatic ring.
  • N represents an integer of 0 to 8.
  • the substituents represented by R ′ and R ′′ are alkyl groups (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group).
  • cycloalkyl group eg cyclopentyl group, cyclohexyl group etc.
  • alkenyl group eg vinyl group, allyl group etc.
  • alkynyl group eg Ethynyl group, propargyl group, etc.
  • aromatic hydrocarbon ring group also called aromatic carbocyclic group, aryl group, etc.
  • phenyl group, p-chlorophenyl group mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, Anthryl, azulenyl, acenaphthenyl, fluorenyl, phenanthryl, indenyl, pyrenyl Group, biphenylyl group, etc.
  • aromatic heterocyclic group for example, pyri
  • X is preferably NR ′ or O
  • R ′ is an aromatic hydrocarbon group (also referred to as an aromatic carbocyclic group, an aryl group, etc., for example, a phenyl group, a p-chlorophenyl group, a mesityl group, A tolyl group, a xylyl group, a naphthyl group, an anthryl group, an azulenyl group, an acenaphthenyl group, a fluorenyl group, a phenanthryl group, an indenyl group, a pyrenyl group, a biphenylyl group), or an aromatic heterocyclic group (for example, a furyl group, a thienyl group, a pyridyl group) Group, pyridazinyl group, pyrimidinyl group, pyrazinyl group, triazinyl group, imidazolyl group,
  • aromatic hydrocarbon group and aromatic heterocyclic group may each have a substituent represented by R ′ or R ′′ in X of the general formula (1).
  • examples of the aromatic ring represented by Ar include an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring.
  • the aromatic ring may be a single ring or a condensed ring, and may be unsubstituted or may have a substituent represented by R ′ or R ′′ in X of the general formula (1).
  • examples of the aromatic hydrocarbon ring represented by Ar include a benzene ring, biphenyl ring, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring, triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, picene ring, pyrene ring, Examples include a pyranthrene ring and anthraanthrene ring. These rings may further have substituents each represented by R ′ and R ′′ in X of the partial structure represented by the
  • examples of the aromatic heterocycle represented by Ar include a furan ring, a dibenzofuran ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, and a pyrimidine ring.
  • These rings may further have substituents represented by R ′ and R ′′ in the general formula (1).
  • the aromatic ring represented by Ar is preferably a carbazole ring, a carboline ring, a dibenzofuran ring, or a benzene ring, and more preferably a carbazole ring, A carboline ring and a benzene ring, more preferably a benzene ring having a substituent, and particularly preferably a benzene ring having a carbazolyl group.
  • the aromatic ring represented by Ar is preferably a condensed ring of three or more rings, and the aromatic hydrocarbon condensed ring condensed with three or more rings is specifically exemplified.
  • aromatic heterocycle condensed with three or more rings include an acridine ring, a benzoquinoline ring, a carbazole ring, a carboline ring, a phenazine ring, a phenanthridine ring, a phenanthroline ring, a carboline ring, a cyclazine ring, Kindin ring, tepenidine ring, quinindrin ring, triphenodithiazine ring, triphenodioxazine ring, phenanthrazine ring, anthrazine ring, perimidine ring, diazacarbazole ring (any one of the carbon atoms constituting the carboline ring is a nitrogen atom Phenanthroline ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, naphthofuran ring, naphthothiophene ring, benzodifuran ring, benzod
  • n represents an integer of 0 to 8, preferably 0 to 2, particularly preferably 1 to 2 when X is O or S.
  • a host compound having both a dibenzofuran ring and a carbazole ring is particularly preferable.
  • the light emitting layer 5 of the electroluminescent element 100 of the present invention contains the quantum dot material 11, that is, the light emitting layer 5 is doped with the quantum dot material 11.
  • the quantum dot material is a fine particle having a particle diameter of several nanometers to several tens of nanometers, which is composed of a crystal of a semiconductor material, and can obtain the quantum dot effect shown below.
  • the particle diameter of the quantum dot material is not particularly limited as long as it satisfies the “particle size distribution” described later, but is, for example, 1 to 20 nm, preferably 1 to 10 nm.
  • Such an energy level E of the fine particles is generally represented by the formula (I) where the Planck constant is “h”, the effective mass of the electrons is “m”, and the radius of the fine particles is “R”. E ⁇ h 2 / mR 2 (I)
  • the band gap of the fine particles increases in proportion to “R ⁇ 2 ”, and a so-called quantum dot effect is obtained.
  • the band gap value of a quantum dot can be controlled by controlling and defining the particle diameter of the quantum dot. That is, by controlling and defining the particle diameter of the fine particles, it is possible to provide diversity not found in ordinary atoms. For this reason, electrical energy is converted into light of the desired wavelength by exciting electrons and applying voltage to electroluminescent devices including quantum dots to confine electrons and holes in the quantum dots and recombine them. Can be emitted.
  • Such a luminescent quantum dot material is also referred to as a “quantum dot luminescent material”.
  • the addition amount of the quantum dot material is preferably 0.01 to 50% by mass, more preferably 0.05 to 25% by mass with respect to 100 parts by mass of all the constituent substances of the added layer. Most preferably, it is 1 to 20% by mass. If the concentration is lower than this, white light emission with sufficient luminance efficiency and good color rendering cannot be obtained, and if the concentration is higher than this, the distance between the quantum dot particles is too close, and the quantum size effect cannot be sufficiently obtained.
  • Examples of the constituent material of the quantum dot material include a simple group 14 element of the periodic table such as carbon, silicon, germanium, and tin, a simple group 15 element of the periodic table such as phosphorus (black phosphorus), selenium, tellurium, and the like.
  • a simple substance of Group 16 element of the periodic table a compound comprising a plurality of Group 14 elements of the periodic table such as silicon carbide (SiC), tin oxide (IV) (SnO 2 ), tin sulfide (II, IV) (Sn (II)) Sn (IV) S 3 ), tin sulfide (IV) (SnS 2 ), tin sulfide (II) (SnS), tin selenide (II) (SnSe), tin telluride (II) (SnTe), lead sulfide ( II) (PbS), lead selenide (II) (PbSe), lead telluride (II) (PbTe) periodic table group 14 element and periodic table group 16 element compound, boron nitride (BN), Boron phosphide (BP), boron arsenide (BAs), aluminum nitride (AlN), phosphide
  • III-V group compound semiconductors aluminum sulfide ( Al 2 S 3 ), aluminum selenide (Al 2 Se 3 ), gallium sulfide (Ga 2 S 3 ), gallium selenide (Ga 2 Se 3 ), gallium telluride (Ga 2 Te 3 ), indium oxide (In 2) O 3), indium sulfide (In 2 S 3), indium selenide In 2 Se 3), compounds of tellurium indium (In 2 Te 3) periodic table group 13 elements and the periodic table group 16 element such as, thallium chloride (I) (TlCl), thallium bromide (I) ( Compounds of group 13 elements of the periodic table and elements of group 17 of the periodic table such as TlBr), thallium iodide (I) (TlI), zinc oxide (ZnO), zinc sulfide (ZnS), zinc selenide (ZnSe), Zinc telluride (ZnTe), cadmium oxide (CdO),
  • a compound of a group 13 element of the periodic table and a group 16 element of the periodic table, a group II-VI compound semiconductor such as ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, As 2 O 3 , As 2 S 3 , As 2 Se 3 , As 2 Te 3 , Sb 2 O 3 , Sb 2 S 3 , Sb 2 Se 3 , Sb 2 Te 3 , Bi 2 O 3 , Bi 2 S 3 , A compound of a periodic table group 15 element such as Bi 2 Se 3 or Bi 2 Te 3 and a group 16 element of the periodic table, a compound of periodic table group 2 element such as MgS or MgSe, and a group 16 element of the periodic table Preferably, among others, Si, Ge, GaN, GaP, InN, InP, Ga 2 O 3 , Ga 2 S 3 , In 2 O 3 ,
  • CdSe, ZnSe, and CdS are preferable in terms of light emission stability.
  • ZnO and ZnS quantum dots are preferable.
  • said material may be used by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.
  • the above-described quantum dot material can be doped with a small amount of various elements as impurities as necessary. By adding such a doping substance, the emission characteristics can be greatly improved.
  • the quantum dot material is preferably coated with an inert inorganic coating layer or a coating composed of an organic ligand. That is, the quantum dot material has a core region (core) composed of quantum dots and a shell region (shell) composed of an inert inorganic coating layer or an organic ligand. Is preferred.
  • the core / shell structure is preferably formed of at least two kinds of compounds, and a gradient structure may be formed of two or more kinds of compounds. This effectively prevents aggregation of the quantum dots in the coating liquid, improves the dispersibility of the quantum dots, improves the luminance efficiency, and prevents color shifts that occur when driven continuously. Can be suppressed. Further, the light emission characteristics can be stably obtained due to the presence of the shell structure.
  • the quantum dot material has a core / shell structure
  • a surface modifier as described later can be reliably supported near the surface of the quantum dot material.
  • the thickness of the shell is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 10 nm, and more preferably 0.1 to 5 nm.
  • the thickness of the shell is less than one quantum dot from the thickness corresponding to several atoms.
  • the quantum dots can be filled with high density, and a sufficient amount of light emission can be obtained.
  • the presence of the shell can suppress the transfer of non-emissive electron energy due to the defects existing on the surface of the core particles and the electron traps on the dangling bonds, thereby suppressing the decrease in quantum efficiency.
  • the quantum dot material used in the present invention has a 10% cumulative particle size of d10 (nm) and a 90% cumulative particle size of 90% in the volume-based cumulative particle size distribution. nm), d90 ⁇ d10 ⁇ 3 nm is satisfied, and d90 ⁇ d10 ⁇ 5 nm is preferably satisfied.
  • the particle diameter (d10) having a cumulative degree of 10% is specifically 10% in the volume-based cumulative particle size distribution curve (horizontal axis: particle diameter ( ⁇ m), vertical axis: cumulative frequency (%)).
  • the particle diameter indicates the cumulative frequency
  • the 90% cumulative particle diameter (d90) is the particle diameter indicating the 90% cumulative frequency in the cumulative particle size distribution curve.
  • the state in which the quantum dot material satisfies d90 ⁇ d10 ⁇ 3 nm is a case where the particle size distribution is represented by a curve (horizontal axis: particle diameter ( ⁇ m), vertical axis: abundance ratio (%)) as shown in FIG. Furthermore, it is a state as shown in FIGS. 2A, 2B, 2C, and 2D in which the distance between d90 and d10 is wide to some extent. Further, the state in which the quantum dot material satisfies d90 ⁇ d10 ⁇ 5 nm is a state as shown in FIGS. 2A and 2B in which the distance between d90 and d10 is considerably wide.
  • the quantum dot material used in the present invention is not a quantum dot material having a uniform particle diameter, but includes quantum dot materials having various particle diameters, that is, quantum dot materials having various emission peaks. .
  • quantum dot materials having various emission peaks when the electroluminescent device emits light, the emission spectrum becomes broad, and a white color with good color rendering properties (a white color close to natural light) can be emitted. .
  • the quantum dot material used in the present invention preferably satisfies t / (d90 ⁇ d10)> 0.5, where t (nm) is the half width of the maximum peak in the volume-based particle size distribution.
  • the half-value width (t) is an index indicating the extent of the mountain-shaped function. Specifically, in the volume-based particle size distribution curve as shown in FIG. 2, the abundance ratio is half of the maximum peak value. It is the width of the particle diameter showing the value (full width at half maximum).
  • the state in which the quantum dot material satisfies t / (d90-d10)> 0.5 is the distance between d90 and d10 (d90-d10) when the particle size distribution is represented by a curve as shown in FIG.
  • FIG. 2A shows a state in which the half width (t) is larger than the half value.
  • the quantum dot material used in the present invention preferably exhibits a gentle mountain shape, for example, a substantially trapezoidal shape as shown in FIG. 2A, rather than a mountain shape having a sharp particle size distribution curve.
  • the particle size distribution curve of the quantum dot material exhibits a gentle mountain shape (substantially trapezoidal), so that when the electroluminescent device emits light, the emission spectrum becomes broader and the color rendering property is very excellent. (White color close to natural light) can be emitted.
  • the particle size distribution of the quantum dot material in the one light emitting layer satisfies the above specification when a single light emitting layer is provided.
  • the state in which all of the quantum dot materials of the plurality of light emitting layers are added together may satisfy the above-mentioned definition of the particle size distribution of the quantum dot materials.
  • TEM transmission electron microscope
  • the number average particle size of the particle size distribution is obtained therefrom, or the particle size distribution of the quantum dots is measured by a dynamic light scattering method.
  • examples thereof include a method for obtaining the number average particle size and a method for deriving the particle size distribution from the spectrum obtained by the X-ray small angle scattering method using the particle size distribution simulation calculation of the quantum dots.
  • the surface modifier has adhered to the surface vicinity of the quantum dot in the coating liquid. Thereby, especially the dispersibility of the quantum dot in a coating liquid can be made excellent. Also, by attaching a surface modifier to the surface of the quantum dots during the manufacture of the quantum dots, the shape of the formed quantum dots has a high sphericity, and the particle size distribution of the quantum dots can be kept narrow. Therefore, for example, it can be made particularly excellent.
  • These functional surface modifiers may be directly attached to the core surface of the quantum dot, or those attached via a shell (the surface modifier is directly attached to the shell, and is attached to the quantum dot core. May not be in contact).
  • the surface modifier include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; tripropylphosphine, tributylphosphine, trihexylphosphine, trioctylphosphine, and the like.
  • Trialkylphosphines polyoxyethylene alkylphenyl ethers such as polyoxyethylene n-octylphenyl ether and polyoxyethylene n-nonylphenyl ether; tri (n-hexyl) amine, tri (n-octyl) amine, tri ( tertiary amines such as n-decyl) amine; tripropylphosphine oxide, tributylphosphine oxide, trihexylphosphine oxide, trioctylphosphine oxide
  • Organic phosphorus compounds such as tridecylphosphine oxide; polyethylene glycol diesters such as polyethylene glycol dilaurate and polyethylene glycol distearate; organic nitrogen compounds such as nitrogen-containing aromatic compounds such as pyridine, lutidine, collidine and quinolines; hexylamine and octyl Aminoalkanes such as amine, decylamine, dode
  • the surface modifier is coordinated to the fine particles in the high-temperature liquid phase.
  • trialkylphosphines, organic phosphorus compounds, aminoalkanes, tertiary amines, organic nitrogen compounds, dialkyl sulfides, dialkyl sulfoxides, organic sulfur compounds Higher fatty acids and alcohols are preferred.
  • the dispersibility of the quantum dots in the coating solution can be made particularly excellent.
  • the shape of the quantum dot formed at the time of manufacture of a quantum dot can be made into a higher sphericity, and the particle size distribution of a quantum dot can be made sharper.
  • the manufacturing method of the quantum dot material examples include the following conventional manufacturing methods of the quantum dot material, but are not limited thereto and are publicly known. Any method can be used.
  • the process under high vacuum includes molecular beam epitaxy, CVD, and the like.
  • the raw material aqueous solution is reversely mixed in a nonpolar organic solvent such as alkanes such as n-heptane, n-octane and isooctane, or aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene.
  • the hot soap method in which a thermally decomposable raw material is injected into a high-temperature liquid-phase organic medium, and the crystal is grown.
  • examples thereof include a solution reaction method that involves crystal growth at a relatively low temperature using an acid-base reaction as a driving force, and a high-frequency sputtering method.
  • a high-frequency sputtering method in which the particle size can be controlled relatively easily, that is, the particle size distribution can be controlled. Specifically, it can be manufactured through the following manufacturing process.
  • Step (1) Using silicon and silica as target materials, an amorphous silicon oxide thin film is produced on a substrate by high frequency sputtering.
  • Step (2) The amorphous silicon oxide thin film is subjected to heat treatment to form a quantum dot material (core portion) in the amorphous silicon oxide thin film.
  • Step (3) After the heat treatment, the amorphous silicon oxide thin film is treated with hydrofluoric acid to expose the quantum dot material.
  • the particle size can be controlled by the sputtering conditions and the heat treatment conditions.
  • Step (4) The substrate on which the quantum dot material is exposed is immersed in a solvent, whereby the quantum dot material is separated from the substrate to obtain a solution in which the quantum dot material is dispersed.
  • Process (5) The surface of the quantum dot material is naturally oxidized in an oxygen atmosphere or thermally oxidized by heating to form a shell layer made of silicon oxide around the core.
  • Step (6) The above quantum dot material is reacted in hydrogen peroxide water to hydroxylate the crystal surface. By the hydroxylation, the reaction with the silane coupling agent or the like can easily proceed.
  • the definition of the particle size distribution of the quantum dot material of the present invention is preferably achieved by controlling the processing such as high-frequency sputtering in step (1), etc., but a plurality of quantum dot materials having different particle sizes are combined. May be achieved.
  • an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used.
  • electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
  • conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO.
  • an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used.
  • these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a desired shape pattern may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not so high (about 100 ⁇ m or more)
  • a pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.
  • wet film-forming methods such as a printing system and a coating system, can also be used.
  • the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less.
  • the film thickness depends on the material, it is usually in the range of 10 to 1000 nm, preferably in the range of 10 to 200 nm.
  • a material having a low work function (4 eV or less) metal referred to as an electron injecting metal
  • an alloy referred to as an electrically conductive compound
  • Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.
  • a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.
  • the cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundred ⁇ / ⁇ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 to 200 nm.
  • the film thickness is advantageously improved.
  • a transparent or translucent cathode can be produced by forming the above metal on the cathode with a film thickness of 1 to 20 nm and then forming the conductive transparent material mentioned in the description of the anode thereon. By applying this, an electroluminescent element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.
  • a substrate (hereinafter also referred to as a base, a substrate, a substrate, a support, a support substrate, etc.) that can be used in the electroluminescent element of the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc., and it is transparent. It may be opaque. When extracting light from the substrate side, the substrate is preferably transparent. Examples of the transparent substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. In a substrate that is more flexible than a rigid substrate, the effect of suppressing high-temperature storage stability and chromaticity variation is significant, so a particularly preferable substrate has flexibility that can give flexibility to an electroluminescent element. It is a resin film.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (
  • an inorganic film, an organic film or a hybrid film of both may be formed on the surface of the resin film.
  • the film is preferably a high-barrier film having a degree of 10 ⁇ 3 cm 3 / (m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm) or less and a water vapor permeability of 10 ⁇ 3 g / (m 2 ⁇ 24 h) or less.
  • the degree is 10 ⁇ 5 g / (m 2 ⁇ 24 h) or less.
  • the material for forming the barrier film may be any material that has a function of suppressing the intrusion of factors such as moisture and oxygen that cause deterioration of the electroluminescent element.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like is used. Can do.
  • the method for forming the barrier film is not particularly limited.
  • a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used, but an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.
  • the opaque substrate examples include a metal plate such as aluminum and stainless steel, a film, an opaque resin substrate, a ceramic substrate, and the like.
  • the external extraction efficiency at room temperature for light emission is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.
  • the external extraction quantum efficiency (%) the number of photons emitted to the outside of the electroluminescent element / the number of electrons flowed to the electroluminescent element ⁇ 100.
  • a sealing means applicable to the electroluminescent element of the present invention for example, a method of adhering a sealing member, an electrode, and a substrate with an adhesive can be mentioned.
  • the sealing member may be disposed so as to cover the display area of the electroluminescent element, and may be concave or flat. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited. Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
  • polymer plate examples include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
  • metal plate examples include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicone, germanium, and tantalum.
  • a polymer film and a metal film can be preferably used because the element can be thinned.
  • the polymer film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 cm 3 / (m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm) or less, and conforms to JIS K 7129-1992.
  • the water vapor permeability (25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity (90 ⁇ 2)% RH) measured by the above method is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 g / (m 2 ⁇ 24 h) or less.
  • sandblasting, chemical etching, or the like is used for processing the sealing member into a concave shape.
  • the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups of acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. Can be mentioned. Moreover, heat
  • coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.
  • an inorganic or organic layer as a sealing film by covering the electrode and the functional layer on the outer side of the electrode facing the substrate with the functional layer interposed therebetween, and in contact with the substrate.
  • the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen.
  • silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.
  • vacuum deposition sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma
  • a polymerization method a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.
  • an inert gas such as nitrogen or argon, an inert gas such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil is used. It is preferable to inject a liquid. A vacuum is also possible.
  • a hygroscopic compound can also be enclosed inside. Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate).
  • metal halides eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.
  • perchloric acids eg perchloric acid Barium, magnesium perchlorate, and the like
  • anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.
  • Sealing includes casing type sealing (can sealing) and close contact type sealing (solid sealing), but solid sealing is preferable from the viewpoint of thinning.
  • the sealing member is also required to be flexible, solid sealing is preferable.
  • thermosetting adhesive such as an epoxy resin, an acrylic resin, or a silicone resin, more preferably moisture resistant.
  • a thermosetting adhesive such as an epoxy resin, an acrylic resin, or a silicone resin, more preferably moisture resistant.
  • It is an epoxy thermosetting adhesive resin that is excellent in water resistance and water resistance and has little shrinkage during curing.
  • the water content of the sealing adhesive according to the present invention is preferably 300 ppm or less, more preferably 0.01 to 200 ppm, and most preferably 0.01 to 100 ppm.
  • the moisture content referred to in the present invention may be measured by any method.
  • a volumetric moisture meter Karl Fischer
  • an infrared moisture meter a microwave transmission moisture meter
  • a heat-dry weight method GC / MS , IR, DSC (differential scanning calorimeter), TDS (temperature programmed desorption analysis).
  • a precision moisture meter AVM-3000 Omnitech
  • moisture can be measured from a pressure increase caused by evaporation of moisture, and moisture content of a film or a solid film can be measured.
  • the moisture content of the sealing adhesive can be adjusted by, for example, placing it in a nitrogen atmosphere with a dew point temperature of ⁇ 80 ° C. or lower and an oxygen concentration of 0.8 ppm, and changing the time.
  • the sealing adhesive can be dried in a vacuum state of 100 Pa or less while changing the time.
  • the sealing adhesive can be dried only with an adhesive, but can also be placed in advance on the sealing member and dried.
  • the sealing member for example, a 50 ⁇ m thick PET (polyethylene terephthalate) laminated with an aluminum foil (30 ⁇ m thick) is used.
  • a sealing adhesive is placed in advance, the resin substrate 1 and the sealing member 5 are aligned, and both are pressure-bonded ( 0.1-3 MPa) and a temperature of 80-180 ° C. for close contact / bonding (adhesion), and close sealing (solid sealing).
  • Heating or pressure bonding time varies depending on the type, amount, and area of the adhesive, but temporary bonding is performed at a pressure of 0.1 to 3 MPa, and heat curing time is in the range of 5 seconds to 10 minutes at a temperature of 80 to 180 ° C. Just choose.
  • the use of a heated crimping roll is preferred because it allows simultaneous crimping (temporary bonding) and heating, and eliminates internal voids at the same time.
  • a coating method such as roll coating, spin coating, screen printing, or spray coating, or a printing method can be used depending on the material.
  • solid sealing is a form in which there is no space between the sealing member and the electroluminescent element substrate and the resin is covered with a cured resin.
  • the sealing member include metals such as stainless steel, aluminum and magnesium alloys, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polystyrene, nylon, plastics such as polyvinyl chloride, and composites thereof, glass, and the like.
  • a laminate of gas barrier layers such as aluminum, aluminum oxide, silicon oxide, and silicon nitride can be used as in the case of a resin substrate.
  • the gas barrier layer can be formed by sputtering, vapor deposition or the like on both surfaces or one surface of the sealing member before molding the sealing member, or may be formed on both surfaces or one surface of the sealing member after sealing by a similar method.
  • the oxygen permeability is 1 ⁇ 10 ⁇ 3 ml / (m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm) or less
  • the water vapor permeability (25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity (90 ⁇ 2)% RH) is 1 ⁇ It is preferably 10 ⁇ 3 g / (m 2 ⁇ 24 h) or less.
  • the sealing member may be a film laminated with a metal foil such as aluminum.
  • a generally used laminating machine can be used.
  • the adhesive polyurethane-based, polyester-based, epoxy-based, acrylic-based adhesives and the like can be used. You may use a hardening
  • a hot melt lamination method, an extrusion lamination method and a coextrusion lamination method can also be used, but a dry lamination method is preferred.
  • the metal foil is formed by sputtering or vapor deposition and is formed from a fluid electrode material such as a conductive paste, it may be created by a method of forming a metal foil on a polymer film as a base. Good.
  • a protective film or a protective plate may be provided outside the sealing film on the side facing the substrate with the functional layer interposed therebetween or on the outer side of the sealing film.
  • the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate.
  • the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, etc. used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.
  • a light extraction member between the flexible substrate and the anode or at any location on the light emission side from the flexible substrate.
  • the light extraction member include a prism sheet, a lens sheet, and a diffusion sheet.
  • a diffraction grating or a diffusion structure introduced into an interface or any medium that causes total reflection can be used.
  • an electroluminescent device that emits light from a substrate, a problem arises in that part of the light emitted from the light emitting layer undergoes total reflection at the interface between the substrate and air, resulting in loss of light.
  • prismatic or lens-like processing is applied to the surface of the substrate, or prism sheets, lens sheets, and diffusion sheets are affixed to the surface of the substrate, thereby suppressing total reflection and light extraction efficiency.
  • prismatic or lens-like processing is applied to the surface of the substrate, or prism sheets, lens sheets, and diffusion sheets are affixed to the surface of the substrate, thereby suppressing total reflection and light extraction efficiency.
  • a method of introducing a diffraction grating or a method of introducing a diffusion structure in an interface or any medium that causes total reflection is known.
  • Electroluminescent Device 100 As an example of the method for producing an electroluminescent device of the present invention, a method for producing an electroluminescent device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode will be described.
  • a desired electrode material for example, a thin film made of an anode material is formed on a suitable substrate by a thin film forming method such as vapor deposition or sputtering so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably 10 to 200 nm.
  • An anode is produced.
  • a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and a functional layer (compound thin film) of the electron injection layer, which are electroluminescent element materials, are formed thereon.
  • the process of forming the functional layer is mainly (I) a step of applying and laminating the coating liquid constituting the functional layer on the anode of the substrate; (Ii) a step of drying the coating solution after coating and lamination; Consists of.
  • a vapor deposition method for example, spin coating method, casting method, die coating method, blade coating method, roll coating method, ink jet method, printing method, spray coating).
  • Method, curtain coating method, LB method Liangmuir Brodgett method and the like can be used
  • at least the layer containing the quantum dot material is preferably formed using a wet process.
  • a wet process is preferable in the present invention because a homogeneous film is easily obtained and pinholes are hardly generated.
  • Film formation by a coating method such as a die coating method, a blade coating method, a roll coating method or an ink jet method is preferred.
  • the liquid medium for dissolving or dispersing the EL material according to the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, mesitylene, Aromatic hydrocarbons such as cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin, and dodecane, and organic solvents such as dimethylformamide (DMF) and dimethyl sulfoxide (DMSO) can be used.
  • ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone
  • fatty acid esters such as ethyl acetate
  • halogenated hydrocarbons
  • dispersion method it can disperse
  • preparation process for dissolving or dispersing the EL material according to the present invention and the coating process until the EL material is coated on the substrate are preferably in an inert gas atmosphere, but depending on the material used, Even if it is not performed, film formation can be performed without degrading the performance of the electroluminescent element, and thus it may not always be performed in an inert gas atmosphere. In this case, the manufacturing cost can be suppressed, which is more preferable.
  • the coated / laminated functional layer is dried.
  • drying refers to a reduction to 0.2% or less when the solvent content of the film immediately after coating is 100%.
  • those generally used can be used, and examples thereof include reduced pressure or pressure drying, heat drying, air drying, IR drying, and electromagnetic wave drying.
  • heat drying is preferable, and the temperature is equal to or higher than the boiling point of the solvent having the lowest boiling point in the functional layer coating solvent, and is maintained at a temperature lower than (Tg + 20) ° C. of the material having the lowest Tg among the Tg of the functional layer material. Most preferably. In the present invention, more specifically, it is preferable to hold and dry at 80 ° C.
  • the atmosphere when drying the coating liquid after coating / lamination is preferably an atmosphere having a volume concentration of a gas other than the inert gas of 200 ppm or less, but it is not necessarily in an inert gas atmosphere as in the liquid preparation coating process. It may not be necessary. In this case, the manufacturing cost can be suppressed, which is more preferable.
  • the inert gas is preferably a rare gas such as nitrogen gas and argon gas, and most preferably nitrogen gas in terms of production cost.
  • the coating / laminating and drying steps of these layers may be single wafer manufacturing or line manufacturing. Further, the drying process may be performed while being conveyed on the line, but from the viewpoint of productivity, it may be deposited or rolled in a non-contact manner in a roll form.
  • a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 50 nm to 200 nm.
  • a desired electroluminescent element can be obtained.
  • An electroluminescent element can be manufactured by adhering the adhesive seal or the sealing member to the electrode and the substrate with an adhesive after the heat treatment.
  • the electroluminescent element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light sources.
  • light sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, and light sources for optical sensors.
  • it can be used in a wide range of applications such as general household appliances that require a display device, but it can be used effectively as a backlight for a liquid crystal display device combined with a color filter, and as a light source for illumination. it can.
  • patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like, as necessary, during film formation.
  • patterning only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned.
  • a conventionally known method is used. Can do.
  • the quantum dot material included in the light emitting layer satisfies d90 ⁇ d10 ⁇ 3 nm, it is not a quantum dot material with uniform particle diameters but quantum particles with various particle diameters. It includes a dot material, that is, a quantum dot material having various emission peaks. As a result, when the electroluminescent element is caused to emit light, the emission spectrum becomes broad, and white with good color rendering (white close to natural light) can be emitted.
  • the electroluminescent element since the quantum dot material is used as the light emission center (light emitting material), the deterioration rate is slow compared to the case of using the phosphorescent light emitting material, The device life can be extended.
  • the electroluminescent device according to the embodiment of the present invention when the quantum dot material in one light emitting layer satisfies d90 ⁇ d10 ⁇ 3 nm, white light emission can be realized with one light emitting layer. . Therefore, the light emitting layer can be formed by a single film formation operation, which can contribute to simplification of the manufacturing method.
  • the electroluminescent device uses the quantum dot material as the light emission center (light emitting material) and does not use the organic phosphorescent light emitting dopant.
  • the technique disclosed in Patent Document 2 is characterized in that a phosphorescent light-emitting dopant is used as a light emission center (light-emitting material) and a quantum dot material is used (see claim 1 of Patent Document 2).
  • the material is used for roles such as conversion of emission color. That is, since the role assumed for the quantum dot material is different between the electroluminescent element according to the embodiment of the present invention and the technique disclosed in Patent Document 2, the emission center (light emitting material) is different, and the light emission is performed. The principle itself is also different.
  • the quantum dot material included in the light emitting layer satisfies d90 ⁇ d10 ⁇ 5 nm, when the electroluminescent device is caused to emit light, the emission spectrum becomes broader. A white color with better color rendering can be emitted.
  • the electroluminescent element since the quantum dot material included in the light emitting layer satisfies t / (d90 ⁇ d10)> 0.5, the particle size distribution of the quantum dot material is as shown in FIG. A substantially trapezoidal shape as shown in a) will be exhibited. As a result, when the electroluminescent element is caused to emit light, the emission spectrum becomes broader, and white having very excellent color rendering can be emitted.
  • the quantum dot material included in the light emitting layer is composed of a core and a shell (Core / Shell structure), in the step of laminating the light emitting layer, aggregates are formed. Can be suppressed, and the occurrence of self-quenching (self-quenching) can be suppressed. As a result, the effect of improving the light emission efficiency and extending the life of the light emitting element can be exhibited.
  • the quantum dot material contained in the light emitting layer is surface-modified with the surface modifier, the formation of the aggregate is more reliably performed in the step of laminating the light emitting layer.
  • the occurrence of self-quenching (self-quenching) can be further suppressed.
  • the effect of improving the light emission efficiency and, in turn, extending the life of the light emitting element can be further ensured.
  • the electroluminescent device according to the embodiment of the present invention is as described above. However, other configurations that are not clearly described may be conventionally known as long as the effects obtained by the configuration are exhibited. However, it goes without saying that it is not limited.
  • the following multiple types of quantum dot materials were prepared.
  • the volume-based particle size distribution of the quantum dot material used for each sample had various particle size distributions as shown in FIGS. 2 (a) to 2 (e).
  • the volume-based particle size distribution and d10 and d90 were measured with a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring apparatus (manufactured by Beckman Coulter, Inc.).
  • Q3 CdSSe / ZnS
  • Samples 1 to 16 were produced as follows.
  • a polyethylene naphthalate film (a film made by Teijin DuPont Co., Ltd., hereinafter abbreviated as PEN) is formed on the entire surface on the side where the first electrode is formed.
  • PEN polyethylene naphthalate film
  • an inorganic gas barrier film made of SiOx is continuously formed on a flexible film so as to have a thickness of 500 nm, thereby allowing oxygen permeation.
  • the patterned ITO substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.
  • a solution of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (abbreviated as PEDOT / PSS, manufactured by Bayer, Baytron P Al 4083) diluted to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds.
  • PEDOT / PSS poly(ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate
  • a light emitting layer composition having the following composition and a composition diluted twice with the same solvent were each formed by spin coating at 1500 rpm for 30 seconds, and then held at 120 ° C. for 30 minutes. A 40 nm light emitting layer was formed.
  • Samples 1 to 3, 5 to 12, and 14 The light emitting layer compositions of Samples 1 to 3, 5 to 12, and 14 are as follows. ⁇ Light emitting layer composition> Illustrative compound a-38 14.00 parts by mass Quantum dot material (material shown in Table 1) 0.74 parts by mass Toluene 2,000 parts by mass
  • Sample 4 The light emitting layer composition of Sample 4 is as follows. ⁇ Light emitting layer composition> Illustrative Compound a-38 14.25 parts by mass of quantum dot material (material shown in Table 1: median value 2 nm) 0.20 parts by mass of quantum dot material (material shown in Table 1: median value 3.5 nm) 0.20 parts by mass Quantum dot material (material shown in Table 1: median value 5 nm) 0.20 parts by mass Toluene 2,000 parts by mass
  • the light emitting layer composition of Sample 13 is as follows. ⁇ Light emitting layer composition> Illustrative compound a-38 14.25 parts by mass Illustrative compound D-66 2.45 parts by mass Illustrative compound D-67 0.025 parts by mass Illustrative compound D-80 0.025 parts by mass Quantum dot material (materials shown in Table 1) 0.30 parts by mass Toluene 2,000 parts by mass
  • Sample 15 has three light emitting layers, and the following light emitting layer composition 1 is provided on the side close to the first electrode, and light emitting layer composition 3 is provided on the side close to the second electrode.
  • the light emitting layer composition of sample 16 is as follows. ⁇ Light emitting layer composition> Illustrative compound a-38 14.25 parts by mass Illustrative compound D-66 2.45 parts by mass Illustrative compound D-67 0.025 parts by mass Illustrative compound D-80 0.025 parts by mass Toluene 2,000 parts by mass
  • the substrate was attached to a vacuum deposition apparatus without being exposed to the atmosphere.
  • a molybdenum resistance heating boat containing sodium fluoride and potassium fluoride is attached to a vacuum deposition apparatus, and after the vacuum chamber is depressurized to 4 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa, the boat is energized and heated to heat the boat.
  • a thin film having a thickness of 1 nm is formed on the electron transport layer at a rate of 0.02 nm / second with sodium fluoride, and then an electron with a thickness of 1.5 nm on the sodium fluoride at a rate of 0.02 nm / second in the same manner.
  • An injection layer was formed.
  • 100 nm of aluminum was deposited to form a cathode.
  • a sealing member was adhered using a commercially available roll laminating apparatus to produce Samples 1 to 13 (electroluminescent elements).
  • a flexible aluminum foil manufactured by Toyo Aluminum Co., Ltd.
  • PET polyethylene terephthalate
  • Adhesive Adhesive laminated (adhesive layer thickness 1.5 ⁇ m) was used.
  • thermosetting adhesive As a sealing adhesive, a thermosetting adhesive was uniformly applied to the aluminum surface with a thickness of 20 ⁇ m along the adhesive surface (shiny surface) of the aluminum foil using a dispenser. This was dried under a vacuum of 100 Pa or less for 12 hours. Furthermore, it moved to a nitrogen atmosphere with a dew point temperature of ⁇ 80 ° C. or lower and an oxygen concentration of 0.8 ppm, dried for 12 hours or longer, and adjusted the water content of the sealing adhesive to 100 ppm or lower.
  • thermosetting adhesive an epoxy adhesive mixed with the following (A) to (C) was used.
  • DGEBA Bisphenol A diglycidyl ether
  • DIY Dicyandiamide
  • C Epoxy adduct curing accelerator
  • the sealing substrate is closely attached and arranged so as to cover the joint portion between the extraction electrode and the electrode lead so as to be in the form shown in FIG.
  • Samples 1 to 13 electroactive devices
  • Samples 1 to 13 were manufactured by tightly sealing at a temperature of 120 ° C., a pressure of 0.5 MPa, and an apparatus speed of 0.3 m / min.
  • the criteria for evaluating the lifetime of an element that emits white light is as follows. 1: LT50 / LT50 reference value ⁇ 1.0 2: 1.0 ⁇ LT50 / LT50 reference value ⁇ 1.5 3: 1.5 ⁇ LT50 / LT50 reference value ⁇ 2.0 4: 2.0 ⁇ LT50 / LT50 reference value ⁇ 2.5 5: 2.5 ⁇ LT50 / LT50 standard value In the above standard, “5” was the best result, and “5”, “4”, and “3” were judged to be acceptable. For samples that do not emit white light, the lifetime evaluation is impossible, and therefore, “-” (no result) was determined.
  • the criteria for evaluating the luminous efficiency are as follows. 1: 0% ⁇ EQ ⁇ 3% 2: 3% ⁇ EQ ⁇ 5% 3: 5% ⁇ EQE ⁇ 8% 4: 8% ⁇ EQE ⁇ 12% 5: 12% ⁇ EQE In the above criteria, “5” was the best result, and “5”, “4”, and “3” were judged to be acceptable.
  • Table 1 below shows “sample composition” and “sample evaluation”.
  • the notation of the item “shape of particle size distribution” in Table 1 corresponds to (a) to (e) of FIG. ing.
  • QDs is an abbreviation for “quantum dot material”
  • P is an abbreviation for “phosphorescent material”.
  • sample 13 contained a phosphorescent light emitting material as the light emitting material, “life evaluation as an element emitting white light” was rejected. In addition, “color rendering property evaluation” was also rejected. Sample 14 had a d90-d10 of 2.0 nm, which resulted in a color rendering evaluation failure. Furthermore, sample 14 emitted light only in a single color (blue), and “life evaluation as an element emitting white light” was “ ⁇ ” (no result).

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Abstract

　演色性に優れるとともに、白色に発光する素子としての寿命の長い、つまり、耐久性の高い電界発光素子を提供することである。基板（１）上に、第一電極（２）と、少なくとも１層の発光層（５）を含む機能層（２０）と、第二電極（８）と、を有する電界発光素子（１００）であって、前記少なくとも１層の発光層（５）は、量子ドット材料（１１）を含み、前記量子ドット材料（１１）は、体積基準の累積粒度分布における累積度１０％粒子径をｄ１０（ｎｍ）、累積度９０％の粒子径をｄ９０（ｎｍ）としたときに、ｄ９０－ｄ１０≧３ｎｍを満たすことを特徴とする電界発光素子（１００）により上記課題を解決する。

Description

電界発光素子
　本発明は、電界発光素子に関する。
　近年、電界発光素子の中でも有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、適宜「有機ＥＬ素子」という）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されており、研究開発が活発に進められている。
　有機ＥＬ素子は、フィルム上に形成された１対の陽極と陰極との間に、有機発光物質を含有する厚さ僅か０．１μｍ程度の機能層（単層部又は多層部）で構成する薄膜型の全固体素子である。このような有機ＥＬ素子に２～２０Ｖ程度の比較的低い電圧を印加すると、有機化合物層に陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。この電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られることが知られており、次世代の平面ディスプレイや照明として期待されている技術である。
　そして、地球温暖化防止策の１つとして、人類のエネルギー消費の多くを占める照明器具への応用が検討されはじめ、従来の照明器具に置き換わりうる白色発光パネルの実用化に向けて、性能向上やコストダウンの試みが盛んになっている。
　ただ、照明用白色発光パネルにおいては、高効率・長寿命が求められるが、有機ＥＬ素子を用いた場合、長寿命化について、蛍光灯や白色ＬＥＤに対して性能が低いのが現状である。
　これらの問題を解決する方法として、発光材料に無機発光物質である「量子ドット材料」を用いる方法がある。
　量子ドット材料はシャープな発光スペクトルに加え、無機物であるために耐久性が良く、また各種溶媒に可溶である特徴を持つことから塗布プロセスに適用可能である。
　たとえば、特許文献１では、発光層に量子ドット材料を含有させたエレクトロルミネッセンス素子が開示されている。
　また、特許文献２では、発光層にリン光発光ドーパントを含有させ、発光層またはその隣接層に量子ドット材料をドープしている有機エレクトロルミネッセンス素子が開示されている。
特開２００９－９９５４４号公報 特開２０１２－１６９４６０号公報
　しかしながら、特許文献１に開示された技術によると、照明用途等で求められる白色に発光する素子を製造するためには、複数の発光層を積層させる必要があることから、製造方法が複雑になるとともに、各発光層の形成に用いる溶媒の選択が煩雑になる。また、発光スペクトルがシャープであるため、演色性が低くなってしまう。
　また、特許文献２に開示された技術によると、リン光発光材料を用いているため、素子の劣化速度が速く、耐久性に問題がある。厳密には、特許文献２に開示された技術は、白色に発光する素子としての寿命は十分でなく、この点について改善の余地が存在する。
　本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、演色性に優れるとともに、白色に発光する素子としての寿命の長い、つまり、耐久性の高い電界発光素子を提供することである。
　すなわち、本発明の上記課題は、下記の構成により解決される。
　１．基板上に、第一電極と、少なくとも１層の発光層を含む機能層と、第二電極と、を有する電界発光素子であって、前記少なくとも１層の発光層は、量子ドット材料を含み、前記量子ドット材料は、体積基準の累積粒度分布における累積度１０％粒子径をｄ１０（ｎｍ）、累積度９０％の粒子径をｄ９０（ｎｍ）としたときに、ｄ９０－ｄ１０≧３ｎｍを満たすことを特徴とする電界発光素子。
　２．前記量子ドット材料は、ｄ９０－ｄ１０≧５ｎｍを満たすことを特徴とする前記１に記載の電界発光素子。
　３．前記量子ドット材料は、体積基準の粒度分布における最大ピークの半値幅をｔ（ｎｍ）としたときに、ｔ／（ｄ９０－ｄ１０）＞０．５を満たすことを特徴とする前記１または前記２に記載の電界発光素子。
　４．前記量子ドット材料は、コアと、当該コアを囲むシェルと、から構成されることを特徴とする前記１乃至前記３のいずれか１つに記載の電界発光素子。
　５．前記量子ドット材料は、表面修飾剤により表面修飾されていることを特徴とする前記１乃前記４のいずれか１つに記載の電界発光素子。
　本発明によれば、演色性に優れるとともに、白色に発光する素子としての寿命の長い、つまり、耐久性の高い電界発光素子を提供することができる。
本発明の実施形態に係る電界発光素子の概略構成を示す概略断面図である。 （ａ）～（ｅ）は、本発明の実施形態に係る電界発光素子に使用する量子ドット材料の粒度分布のグラフである。
　以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
　まず、本発明に係る電界発光素子の構成の概要を説明した後、主要各層の詳細を説明し、その後、電界発光素子の製造方法について説明する。
＜電界発光素子の構成（概要）＞
　図１に示すとおり、本発明の好ましい実施形態にかかる電界発光素子１００は、可撓性基板（基板）１を有している。可撓性基板１上には陽極（第一電極）２が形成され、陽極２上には機能層２０が形成され、機能層２０上には陰極（第二電極）８が形成されている。
　機能層２０とは、陽極２と陰極８との間に設けられている電界発光素子１００を構成する各層をいう。
　機能層２０には、例えば、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、電子輸送層６、電子注入層７が含まれ、そのほかに正孔ブロック層や電子ブロック層等が含まれてもよい。
　可撓性基板１上の陽極２、機能層２０、陰極８は封止接着剤９を介して可撓性封止部材１０によって封止されている。
　なお、電界発光素子１００のこれらの層構造（図１参照）は単に好ましい具体例を示したものであり、本発明はこれらに限定されない。たとえば、本発明に係る電界発光素子１００は（ｉ）～（ｖｉｉｉ）の層構造を有していてもよい。
（ｉ）可撓性基板／陽極／発光層／電子輸送層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
（ｉｉ）可撓性基板／陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
（ｉｉｉ）可撓性基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
（ｉｖ）可撓性基板／陽極／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
（ｖ）可撓性基板／陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロック層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極／熱伝導層／封止用接着剤／封止部材
（ｖｉ）ガラス支持体／陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極／封止部材
（ｖｉｉ）ガラス支持体／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極／封止部材
（ｖｉｉｉ）ガラス支持体／陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極／封止部材
＜電界発光素子の機能層２０＞
　次いで、本発明の電界発光素子を構成する機能層の詳細について説明する。
（１）注入層：正孔注入層３、電子注入層７
　本発明の電界発光素子においては、注入層は必要に応じて設けることができる。注入層としては電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
　本発明でいう注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と機能層間に設けられる層で、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
　正孔注入層は、例えば、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に適用可能な正孔注入材料としては、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体等を含むポリマーやアニリン系共重合体、ポリアリールアルカン誘導体、または導電性ポリマーが挙げられ、好ましくはポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体であり、さらに好ましくはポリチオフェン誘導体である。
　電子注入層は、例えば、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的には、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。本発明においては、上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、フッ化カリウム、フッ化ナトリウムが好ましい。その膜厚は０．１ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは０．１～１００ｎｍ、さらに好ましくは０．５～１０ｎｍ、最も好ましくは０．５～４ｎｍである。
（２）正孔輸送層４
　正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、上記正孔注入層で適用するのと同様の化合物を使用することができるが、さらには、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
　芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（ＴＰＤ）；２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル；１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン；ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル；４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン；４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン；３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ－フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４－３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
　さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型－Ｓｉ、ｐ型－ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
　また、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、特開２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）、特開平１１－２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）、特表２００３－５１９４３２号公報に記載されているような、いわゆるｐ型半導体的性質を有するとされる正孔輸送材料を用いることもできる。
　正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については、特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　以下、本発明の電界発光素子の正孔輸送材料に用いられる化合物の好ましい具体例（（１）～（６０））を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
  
　なお、上記例示化合物に記載のｎは重合度を表し、重量平均分子量が５０，０００～２００，０００の範囲となる整数を表す。重量平均分子量がこの範囲未満では、溶媒への溶解性の高さから製膜時に他の層と混合する懸念がある。また製膜できたとしても、低い分子量では発光効率が上がらない。重量平均分子量がこの範囲より大きい場合は、合成、精製の難しさにより問題が生じる。分子量分布が大きくなると共に、不純物の残存量も増加するため、電界発光素子の発光効率、電圧、寿命は悪化する。
　これらの高分子化合物は、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９３，９０９頁（１９９２）等に記載の公知の方法で合成することができる。
（３）電子輸送層６
　電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔ブロック層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
　従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔ブロック材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、シロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、８－キノリノール誘導体等の金属錯体等が挙げられる。
　その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。
　これらの中でもカルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ピリジン誘導体等が本発明では好ましく、アザカルバゾール誘導体であることがより好ましい。
　電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができ、好ましくは上記電子輸送材料、フッ化アルコール溶剤を含有する塗布液を用いたウェットプロセスにより形成することができる。
　電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
　また、不純物をゲスト材料としてドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、同１０－２７０１７２号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　本発明における電子輸送層には、有機物のアルカリ金属塩を含有することが好ましい。有機物の種類としては特に制限はないが、ギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、フタル酸塩、イソフタル酸塩、テレフタル酸塩、サリチル酸塩、ピルビン酸塩、乳酸塩、リンゴ酸塩、アジピン酸塩、メシル酸塩、トシル酸塩、ベンゼンスルホン酸塩が挙げられ、好ましくはギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩、吉草酸塩、カプロン酸塩、エナント酸塩、カプリル酸塩、シュウ酸塩、マロン酸塩、コハク酸塩、安息香酸塩、より好ましくはギ酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、酪酸塩等の脂肪族カルボン酸のアルカリ金属塩が好ましく、脂肪族カルボン酸の炭素数が４以下であることが好ましい。最も好ましくは酢酸塩である。
　有機物のアルカリ金属塩のアルカリ金属の種類としては特に制限はないが、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓが挙げられ、好ましくはＫ、Ｃｓ、さらに好ましくはＣｓである。有機物のアルカリ金属塩としては、前記有機物とアルカリ金属の組み合わせが挙げられ、好ましくは、ギ酸Ｌｉ、ギ酸Ｋ、ギ酸Ｎａ、ギ酸Ｃｓ、酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ、酢酸Ｃｓ、プロピオン酸Ｌｉ、プロピオン酸Ｎａ、プロピオン酸Ｋ、プロピオン酸Ｃｓ、シュウ酸Ｌｉ、シュウ酸Ｎａ、シュウ酸Ｋ、シュウ酸Ｃｓ、マロン酸Ｌｉ、マロン酸Ｎａ、マロン酸Ｋ、マロン酸Ｃｓ、コハク酸Ｌｉ、コハク酸Ｎａ、コハク酸Ｋ、コハク酸Ｃｓ、安息香酸Ｌｉ、安息香酸Ｎａ、安息香酸Ｋ、安息香酸Ｃｓ、より好ましくは酢酸Ｌｉ、酢酸Ｋ、酢酸Ｎａ、酢酸Ｃｓ、最も好ましくは酢酸Ｃｓである。
　これらドープ材の含有量は、添加する電子輸送層に対し、好ましくは１．５～３５質量％であり、より好ましくは３～２５質量％であり、最も好ましくは５～１５質量％である。
（４）発光層５
　本発明の電界発光素子を構成する発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
　本発明に係る発光層は、含まれる発光材料が本発明の規定する要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。
　また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。
　本発明における発光層の膜厚の総和は１～１００ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに好ましくは、より低い駆動電圧を得ることができることから５０ｎｍ以下である。なお、本発明でいう発光層の膜厚の総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む膜厚である。
　個々の発光層の膜厚としては１～５０ｎｍの範囲に調整することが好ましい。
　個々の発光層は青、緑、赤の各色発光を示しても良く、各発光層の膜厚の関係については、特に制限はない。
　発光層の作製には、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。
　本発明においては、発光層の構成として、ホスト化合物、量子ドット材料を含有し、量子ドット材料より発光させることが好ましい。
（４．１）ホスト化合物
　本発明の電界発光素子の発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらに好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
　ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、電界発光素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
　また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（重合性発光ホスト）でもよいが、高分子材料を用いた場合、化合物が溶媒を取り込んで膨潤やゲル化等、溶媒が抜けにくいと思われる現象が起こりやすいので、これを防ぐために分子量は高くない方が好ましく、具体的には塗布時での分子量が２，０００以下の材料を用いることが好ましく、塗布時の分子量１，０００以下の材料を用いることが更に好ましい。
　公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ－Ｋ－７１２１に準拠した方法により求められる値である。
　公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。例えば、特開２００１－２５７０７６号公報、同２００２－３０８８５５号公報、同２００１－３１３１７９号公報、同２００２－３１９４９１号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－３３４７８６号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－３３４７８７号公報、同２００２－１５８７１号公報、同２００２－３３４７８８号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－３３４７８９号公報、同２００２－７５６４５号公報、同２００２－３３８５７９号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３４３５６８号公報、同２００２－１４１１７３号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２０３６８３号公報、同２００２－３６３２２７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００３－３１６５号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００３－２７０４８号公報、同２００２－２５５９３４号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－２８０１８３号公報、同２００２－２９９０６０号公報、同２００２－３０２５１６号公報、同２００２－３０５０８３号公報、同２００２－３０５０８４号公報、同２００２－３０８８３７号公報等が挙げられる。
本発明に用いられるホスト化合物は、カルバゾール誘導体であることが好ましい。
　ホスト化合物は好ましくは一般式（１）で示される化合物が用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
  
　式（１）中、ＸはＮＲ′、Ｏ、Ｓ、ＣＲ′Ｒ″又はＳｉＲ′Ｒ″を表す。Ｒ′、Ｒ″は各々水素原子又は置換基を表す。Ａｒは芳香環を表す。ｎは０～８の整数を表す。
　一般式（１）におけるＸにおいて、Ｒ′、Ｒ″で各々表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ－ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４－トリアゾール－１－イル基、１，２，３－トリアゾール－１－イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２－ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２－エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２－エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２－エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２－ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２－ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２－エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２－ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２－エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２－ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２－エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２－ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）等が挙げられる。これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよい。これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
　中でも、ＸとしてはＮＲ′又はＯが好ましく、また、Ｒ′としては、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ－クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基）、又は芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）が特に好ましい。
　上記の芳香族炭化水素基、芳香族複素環基は、各々一般式（１）のＸにおいて、Ｒ′、Ｒ″で各々表される置換基を有してもよい。
　一般式（１）において、Ａｒにより表される芳香環としては、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環が挙げられる。また、該芳香環は単環でもよく、縮合環でもよく、更に未置換でも、一般式（１）のＸにおいて、Ｒ′、Ｒ″で各々表される置換基を有してもよい。
　一般式（１）において、Ａｒにより表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ－テルフェニル環、ｍ－テルフェニル環、ｐ－テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は更に、一般式（ａ）で表される部分構造のＸにおいて、Ｒ′、Ｒ″で各々表される置換基を有してもよい。
　一般式（１）で表される部分構造において、Ａｒにより表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。
　これらの環は、更に一般式（１）において、Ｒ′、Ｒ″で各々表される置換基を有してもよい。
　上記の中でも、一般式（１）において、Ａｒにより表される芳香環として、好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ジベンゾフラン環、ベンゼン環であり、更に好ましく用いられるのは、カルバゾール環、カルボリン環、ベンゼン環であり、より好ましくは置換基を有するベンゼン環であり、特に好ましくはカルバゾリル基を有するベンゼン環が挙げられる。
　また、一般式（１）において、Ａｒにより表される芳香環としては、各々３環以上の縮合環が好ましい一態様であり、３環以上が縮合した芳香族炭化水素縮合環としては、具体的には、ナフタセン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ヘキサセン環、フェナントレン環、ピレン環、ベンゾピレン環、ベンゾアズレン環、クリセン環、ベンゾクリセン環、アセナフテン環、アセナフチレン環、トリフェニレン環、コロネン環、ベンゾコロネン環、ヘキサベンゾコロネン環、フルオレン環、ベンゾフルオレン環、フルオランテン環、ペリレン環、ナフトペリレン環、ペンタベンゾペリレン環、ベンゾペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピラントレン環、コロネン環、ナフトコロネン環、オバレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。なお、これらの環は、更に上記の置換基を有していてもよい。
　また、３環以上が縮合した芳香族複素環としては、具体的には、アクリジン環、ベンゾキノリン環、カルバゾール環、カルボリン環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、カルボリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭素原子の任意の一つが窒素原子で置き換わったものを表す）、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環（ナフトチオフェン環）等が挙げられる。なお、これらの環は更に置換基を有していてもよい。
　また、一般式（１）において、ｎは０～８の整数を表すが、０～２であることが好ましく、特にＸがＯ、Ｓである場合には１～２であることが好ましい。
　本発明においては、特に、ジベンゾフラン環とカルバゾール環をともに有するホスト化合物が好ましい。
　以下に、一般式（１）で表されるホスト化合物の具体例（ａ－１～ａ－４１）を示すが、これらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
  
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
  
（４．２）量子ドット材料
　本発明の電界発光素子１００の発光層５は、量子ドット材料１１を含有している、つまり、発光層５には量子ドット材料１１がドープされている。
　そして、量子ドット材料とは、半導体材料の結晶で構成され、その粒子径が数ｎｍ～数十ｎｍ程度の微粒子であり、下記に示す量子ドット効果が得られるものを言う。
　なお、量子ドット材料の粒子径は、後述する「粒度分布」を満たせば特に限定されないが、例えば１～２０ｎｍであり、好ましくは１～１０ｎｍである。
　このような微粒子のエネルギー準位Ｅは、一般に、プランク定数を「ｈ」と、電子の有効質量を「ｍ」と、微粒子の半径を「Ｒ」としたとき、式（Ｉ）で表わされる。
　Ｅ∝ｈ２／ｍＲ２・・・（Ｉ）
　式（Ｉ）で示されるように、微粒子のバンドギャップは、「Ｒ－２」に比例して大きくなり、いわゆる、量子ドット効果が得られる。このように、量子ドットの粒子径を制御、規定することによって、量子ドットのバンドギャップ値を制御することができる。すなわち、微粒子の粒子径を制御、規定することにより、通常の原子には無い多様性を持たせることができる。そのため、光によって励起させたり、量子ドットを含む電界発光素子に対して電圧をかけることで、量子ドットに電子とホールを閉じ込めて再結合させたりすることで電気エネルギーを所望の波長の光に変換して出射させることができる。このような発光性の量子ドット材料は「量子ドット発光材料」とも示される。
　量子ドット材料の添加量は、添加する層の全構成物質１００質量部に対して０．０１～５０質量％であることが好ましく、０．０５～２５質量％であることがより好ましく、０．１～２０質量％であることが最も好ましい。これより低濃度では十分な輝度効率、演色性の良い白色発光を得ることができず、これより高濃度では量子ドット粒子間距離が近づきすぎるために量子サイズ効果が十分に得られない。
　量子ドット材料の構成材料としては、例えば、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、錫等の周期表第１４族元素の単体、リン（黒リン）等の周期表第１５族元素の単体、セレン、テルル等の周期表第１６族元素の単体、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の複数の周期表第１４族元素からなる化合物、酸化錫（IV）（ＳｎＯ２）、硫化錫（II，IV）（Ｓｎ（II）Ｓｎ（IV）Ｓ３）、硫化錫（IV）（ＳｎＳ２）、硫化錫（II）（ＳｎＳ）、セレン化錫（II）（ＳｎＳｅ）、テルル化錫（II）（ＳｎＴｅ）、硫化鉛（II）（ＰｂＳ）、セレン化鉛（II）（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（II）（ＰｂＴｅ）等の周期表第１４族元素と周期表第１６族元素との化合物、窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化ホウ素（ＢＰ）、砒化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）等の周期表第１３族元素と周期表第１５族元素との化合物（あるいはIII－Ｖ族化合物半導体）、硫化アルミニウム（Ａｌ２Ｓ３）、セレン化アルミニウム（Ａｌ２Ｓｅ３）、硫化ガリウム（Ｇａ２Ｓ３）、セレン化ガリウム（Ｇａ２Ｓｅ３）、テルル化ガリウム（Ｇａ２Ｔｅ３）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、テルル化インジウム（Ｉｎ２Ｔｅ３）等の周期表第１３族元素と周期表第１６族元素との化合物、塩化タリウム（Ｉ）（ＴｌＣｌ）、臭化タリウム（Ｉ）（ＴｌＢｒ）、ヨウ化タリウム（Ｉ）（ＴｌＩ）等の周期表第１３族元素と周期表第１７族元素との化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）等の周期表第１２族元素と周期表第１６族元素との化合物（あるいはII－VI族化合物半導体）、硫化砒素（III）（Ａｓ２Ｓ３）、セレン化砒素（III）（Ａｓ２Ｓｅ３）、テルル化砒素（III）（Ａｓ２Ｔｅ３）、硫化アンチモン（III）（Ｓｂ２Ｓ３）、セレン化アンチモン（III）（Ｓｂ２Ｓｅ３）、テルル化アンチモン（III）（Ｓｂ２Ｔｅ３）、硫化ビスマス（III）（Ｂｉ２Ｓ３）、セレン化ビスマス（III）（Ｂｉ２Ｓｅ３）、テルル化ビスマス（III）（Ｂｉ２Ｔｅ３）等の周期表第１５族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）、セレン化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｓｅ）等の周期表第１１族元素と周期表第１６族元素との化合物、塩化銅（Ｉ）（ＣｕＣｌ）、臭化銅（Ｉ）（ＣｕＢｒ）、ヨウ化銅（Ｉ）（ＣｕＩ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）等の周期表第１１族元素と周期表第１７族元素との化合物、酸化ニッケル（II）（ＮｉＯ）等の周期表第１０族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化コバルト（II）（ＣｏＯ）、硫化コバルト（II）（ＣｏＳ）等の周期表第９族元素と周期表第１６族元素との化合物、四酸化三鉄（Ｆｅ３Ｏ４）、硫化鉄（II）（ＦｅＳ）等の周期表第８族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化マンガン（II）（ＭｎＯ）等の周期表第７族元素と周期表第１６族元素との化合物、硫化モリブデン（IV）（ＭｏＳ２）、酸化タングステン（IV）（ＷＯ２）等の周期表第６族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化バナジウム（II）（ＶＯ）、酸化バナジウム（IV）（ＶＯ２）、酸化タンタル（Ｖ）（Ｔａ２Ｏ５）等の周期表第５族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化チタン（ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ５、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ５Ｏ９等）等の周期表第４族元素と周期表第１６族元素との化合物、硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、セレン化マグネシウム（ＭｇＳｅ）等の周期表第２族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化カドミウム（II）クロム（III）（ＣｄＣｒ２Ｏ４）、セレン化カドミウム（II）クロム（III）（ＣｄＣｒ２Ｓｅ４）、硫化銅（II）クロム（III）（ＣｕＣｒ２Ｓ４）、セレン化水銀（II）クロム（III）（ＨｇＣｒ２Ｓｅ４）等のカルコゲンスピネル類、バリウムチタネート（ＢａＴｉＯ３）等が挙げられるが、ＳｎＳ２、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ等の周期表第１４族元素と周期表第１６族元素との化合物、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ等のIII－Ｖ族化合物半導体、Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｔｅ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３等の周期表第１３族元素と周期表第１６族元素との化合物、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ等のII－VI族化合物半導体、Ａｓ２Ｏ３、Ａｓ２Ｓ３、Ａｓ２Ｓｅ３、Ａｓ２Ｔｅ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｓ３、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｔｅ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｓ３、Ｂｉ２Ｓｅ３、Ｂｉ２Ｔｅ３等の周期表第１５族元素と周期表第１６族元素との化合物、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ等の周期表第２族元素と周期表第１６族元素との化合物が好ましく、中でも、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｓ３、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＣｄＯ、ＣｄＳがより好ましい。これらの物質は、毒性の高い陰性元素を含まないので耐環境汚染性や生物への安全性に優れており、また、可視光領域で純粋なスペクトルを安定して得ることができるので、発光素子の形成に有利である。これらの材料のうち、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳは、発光の安定性の点で好ましい。発光効率、高屈折率、安全性の経済性の観点から、ＺｎＯ、ＺｎＳの量子ドットが好ましい。また、上記の材料は、１種で用いるものであってもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　なお、上述した量子ドット材料には、必要に応じて微量の各種元素を不純物としてドープすることができる。このようなドープ物質を添加することにより発光特性を大きく向上させることができる。
　量子ドット材料は、不活性な無機物の被覆層または有機配位子で構成された被膜で被覆されたものであるのが好ましい。すなわち、量子ドット材料は、量子ドットで構成されたコア領域（コア：Ｃｏｒｅ）と、不活性な無機物の被覆層または有機配位子で構成されたシェル領域（シェル：Ｓｈｅｌｌ）とを、有するものであるのが好ましい。
　コア／シェル構造は少なくとも２種類の化合物で形成さていることが好ましく、２種類以上の化合物でグラジエント構造を形成していても良い。これにより、塗布液中における量子ドットの凝集を効果的に防止することができ、量子ドットの分散性を向上させることができるとともに、輝度効率が向上し、連続駆動させた場合に生じる色ズレを抑制することができる。また、シェル構造の存在により安定的に発光特性が得られる。
　また、量子ドット材料がコア／シェル構造であると、後述するような表面修飾剤を量子ドット材料の表面付近に確実に担持させることができる。
　シェルの厚さは、特に限定されないが、０．１～１０ｎｍであるのが好ましく、０．１～５ｎｍであるのがより好ましい。一般に、量子ドットのサイズにより発光色が制御でき、被膜の厚さが前記範囲内の値であると、シェルの厚みが原子数個分に相当する厚さから量子ドット１個に満たない厚さであり、量子ドットを高密度で充填することができ、十分な発光量が得られる。また、シェルの存在によりお互いのコア粒子の粒子表面に存在する欠陥、ダングリングボンドへの電子トラップによる非発光の電子エネルギーの転移を抑制でき、量子効率の低下を抑えることができる。
（４．３）量子ドット材料の粒度分布
　本発明に用いられる量子ドット材料は、体積基準の累積粒度分布における累積度１０％粒子径をｄ１０（ｎｍ）、累積度９０％の粒子径をｄ９０（ｎｍ）としたときに、ｄ９０－ｄ１０≧３ｎｍを満たすことを特徴とし、ｄ９０－ｄ１０≧５ｎｍを満たすのが好ましい。
　なお、累積度１０％の粒子径（ｄ１０）とは、詳細には、体積基準の累積粒度分布曲線（横軸：粒子径（μｍ）、縦軸：累積頻度（％））において、１０％の累積頻度を示す粒子径であり、累積度９０％の粒子径（ｄ９０）とは、累積粒度分布曲線において、９０％の累積頻度を示す粒子径である。
　そして、量子ドット材料がｄ９０－ｄ１０≧３ｎｍを満たす状態とは、図２に示すように粒度分布を曲線（横軸：粒子径（μｍ）、縦軸：存在比率（％））で表した場合に、ｄ９０とｄ１０との間隔がある程度広い状態となっている図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のような状態である。
　また、量子ドット材料がｄ９０－ｄ１０≧５ｎｍを満たす状態とは、ｄ９０とｄ１０との間隔が、かなり広い状態となっている図２（ａ）、（ｂ）のような状態である。
　つまり、本発明に用いられる量子ドット材料は、粒子径の揃った量子ドット材料ではなく、様々な粒子径の量子ドット材料を含む、つまり、様々な発光ピークを有する量子ドット材料を含むこととなる。
　このように、様々な発光ピークを有する量子ドット材料を含むことにより、電界発光素子を発光させた際、発光スペクトルがブロードになり、演色性の良い白色（自然光に近い白色）を発することができる。
　さらに、本発明に用いられる量子ドット材料は、体積基準の粒度分布における最大ピークの半値幅をｔ（ｎｍ）としたときに、ｔ／（ｄ９０－ｄ１０）＞０．５を満たすのが好ましい。
　なお、半値幅（ｔ）とは、山形の関数の広がりの程度を示す指標であり、詳細には、図２に示すような体積基準の粒度分布曲線において、存在比率が最大ピーク値の半分の値を示す粒子径の幅（半値全幅）である。
　そして、量子ドット材料がｔ／（ｄ９０－ｄ１０）＞０．５を満たす状態とは、図２に示すように粒度分布を曲線で表した場合に、ｄ９０とｄ１０との距離（ｄ９０－ｄ１０）の半分の値よりも半値幅（ｔ）が大きくなるような状態となっている図２（ａ）のような状態である。
　つまり、本発明に用いられる量子ドット材料は、粒度分布曲線がシャープな山形を呈するよりも、なだらかな山形、例えば図２（ａ）のような略台形を呈するのが好ましい。
　このように、量子ドット材料の粒度分布曲線が、なだらかな山形（略台形）を呈することにより、電界発光素子を発光させた際、発光スペクトルが更にブロードになり、演色性の非常に優れた白色（自然光に近い白色）を発することができる。
　なお、前記した量子ドット材料の粒度分布の規定については、１層の発光層を設ける際、当該１層の発光層内における量子ドット材料の粒度分布が前記した規定を満たすのが好ましい。ただし、仮に、複数の発光層を設ける場合は、複数の発光層の量子ドット材料を全て足し合わせた状態（合計した状態）が、前記した量子ドット材料の粒度分布の規定を満たせばよい。
　体積基準の累積粒度分布曲線、粒度分布曲線を求める方法や平均粒子径の測定方法としては、公知の方法を用いることができる。
　たとえば、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により量子ドットの粒子観察を行い、そこから粒子径分布の数平均粒子径として求める方法や、動的光散乱法により量子ドットの粒子径分布を測定し、その数平均粒子径として求める方法、Ｘ線小角散乱法により得られたスペクトルから量子ドットの粒子径分布シミュレーション計算を用いて粒子径分布を導出する方法などが挙げられる。
（４．４）機能性表面修飾剤
　塗布液中において量子ドットの表面付近には、表面修飾剤が付着しているのが好ましい。これにより、塗布液中における量子ドットの分散性を特に優れたものとすることができる。また、量子ドットの製造時において量子ドットの表面に表面修飾剤を付着させることにより、形成される量子ドットの形状が真球度の高いものとなり、また、量子ドットの粒子径分布を狭く抑えられるため、例えば、特に優れたものとすることができる。
　これらの機能性表面修飾剤は、量子ドットのコア表面に直接付着したものであってもよいし、シェルを介して付着したもの（表面修飾剤が直接付着するのはシェルで、量子ドットコアには接触していないもの）であってもよい。
　表面修飾剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン類；ポリオキシエチレンｎ－オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ－ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類；トリ（ｎ－ヘキシル）アミン、トリ（ｎ－オクチル）アミン、トリ（ｎ－デシル）アミン等の第３級アミン類；トリプロピルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、トリヘキシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド、トリデシルホスフィンオキシド等の有機リン化合物；ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジエステル類；ピリジン、ルチジン、コリジン、キノリン類の含窒素芳香族化合物等の有機窒素化合物；ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等のアミノアルカン類；ジブチルスルフィド等のジアルキルスルフィド類；ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキシド等のジアルキルスルホキシド類；チオフェン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化合物；パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸；アルコール類；ソルビタン脂肪酸エステル類；脂肪酸変性ポリエステル類；３級アミン変性ポリウレタン類；ポリエチレンイミン類等が挙げられるが、量子ドットが後述するような方法で調製されるものである場合、表面修飾剤は、高温液相において微粒子に配位して安定化する物質であるのが好ましく、具体的には、トリアルキルホスフィン類、有機リン化合物、アミノアルカン類、第３級アミン類、有機窒素化合物、ジアルキルスルフィド類、ジアルキルスルホキシド類、有機硫黄化合物、高級脂肪酸、アルコール類が好ましい。このような表面修飾剤を用いることにより、塗布液中における量子ドットの分散性を特に優れたものとすることができる。また、量子ドットの製造時において形成される量子ドットの形状をより真球度の高いものとし、量子ドットの粒度分布をよりシャープなものとすることができる。
（４．５）量子ドット材料の製造方法
　量子ドット材料の製造方法としては、従来行われている下記のような量子ドット材料の製造方法等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく公知の任意の方法を用いることができる。
　例えば、高真空下のプロセスとしては、分子ビームエピタキシー法、ＣＶＤ法等が挙げられる。また、液相製造方法としては、原料水溶液を、例えば、ｎ－ヘプタン、ｎ－オクタン、イソオクタン等のアルカン類、又はベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等の非極性有機溶媒中の逆ミセルとして存在させ、この逆ミセル相中にて結晶成長させる逆ミセル法、熱分解性原料を高温の液相有機媒体に注入して結晶成長させるホットソープ法、さらに、ホットソープ法と同様に、酸塩基反応を駆動力として比較的低い温度で結晶成長を伴う溶液反応法、高周波スパッタリング法等が挙げられる。
　これらの中でも、特に粒子径のサイズを比較的容易に制御することができる、つまり、所望の粒度分布となるように制御することができる高周波スパッタリング法を採用することが好ましい。
　具体的には、下記の製造工程を経て製造することができる。
　工程（１）：ターゲット材料としてシリコーンとシリカを用い、高周波スパッタリング法により基板上にアモルファス酸化ケイ素薄膜を作製する。
　工程（２）：上記アモルファス酸化ケイ素薄膜に熱処理を施し、アモルファス酸化ケイ素薄膜内に量子ドット材料（コア部）を形成する。
　工程（３）：上記熱処理後アモルファス酸化ケイ素薄膜に、フッ酸による処理を施して、量子ドット材料を露出させる。上記スパッタリング条件および熱処理条件によって粒子径を制御することが可能である。
　工程（４）：上記量子ドット材料が露出した基板を溶媒中に浸漬させることで、量子ドット材料を基板より離散させて、量子ドット材料が分散した溶液を得る。
　工程（５）：量子ドット材料の表面を酸素雰囲気中で自然酸化、または加熱して熱酸化し、コアの周囲に酸化ケイ素からなるシェル層を形成する。
　工程（６）：上記量子ドット材料を過酸化水素水中で反応させ、結晶表面を水酸化させる。水酸化させることにより、シランカップリング剤などとの反応が容易に進行するようにできる。
　工程（７）：上記水酸化した量子ドット材料を熱水により洗浄する。
　工程（８）：必要に応じて、量子ドット材料の表面を表面修飾剤により表面修飾を行う。
　なお、本発明の量子ドット材料の粒度分布の規定については、工程（１）等の高周波スパッタリングなどの処理を制御することにより達成するのが好ましいが、複数の異なる粒径の量子ドット材料を組み合わせることで達成してもよい。
＜陽極２＞
　電界発光素子を構成する陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３－ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状パターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合（１００μｍ以上程度）は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常は、１０～１０００ｎｍの範囲であり、好ましくは１０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。
＜陰極８＞
　一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ～５μｍ、好ましくは５０～２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、電界発光素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
　また、陰極に上記金属を１～２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に形成することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する電界発光素子を作製することができる。
＜基板１＞
　本発明の電界発光素子に用いることのできる基板（以下、基体、基板、基材、支持体、支持基板等ともいう）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。基板側から光を取り出す場合には、基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。リジットな基板よりもフレキシブルな基板において、高温保存安定性や色度変動を抑制する効果が大きく現れるため、特に好ましい基板は、電界発光素子にフレキシブル性を与えることが可能な可撓性を備えた樹脂フィルムである。
　樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。
　樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、さらには、ＪＩＳ Ｋ ７１２６－１９８７に準拠した方法で測定した酸素透過度が、１０－３ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１０－３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度が１０－５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であることがさらに好ましい。
　バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等の電界発光素子の劣化を招く因子の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と機能層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
　バリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ－イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４－６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
　不透明な基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
　本発明の電界発光素子において、発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝電界発光素子外部に発光した光子数／電界発光素子に流した電子数×１００である。
＜封止（封止接着剤９、封止部材１０）＞
　本発明の電界発光素子に適用可能な封止手段としては、例えば、封止部材と電極、基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
　封止部材としては、電界発光素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。
　具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコーン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。
　本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ Ｋ ７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０－３ｃｍ３／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が１×１０－３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
　封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
　接着剤としては、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２－シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
　なお、電界発光素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
　また、機能層を挟み基板と対向する側の電極の外側に該電極と機能層を被覆し、基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ－イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
　封止部材と電界発光素子の表示領域との間隙には、気相及び液相を形成することを目的として、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
　吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
　封止にはケーシングタイプの封止（缶封止）と密着タイプの封止（固体封止）があるが、薄型化の観点からは固体封止が好ましい。また、可撓性の電界発光素子を作製する場合は、封止部材にも可撓性が求められるため、固体封止が好ましい。
　以下に、固体封止を行う場合の好ましい態様を説明する。
　本発明に係る封止用接着剤には、熱硬化接着剤や紫外線硬化樹脂などを用いることができるが、好ましくはエポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂など熱硬化接着剤、より好ましくは耐湿性、耐水性に優れ、硬化時の収縮が少ないエポキシ系熱硬化型接着性樹脂である。
　本発明に係る封止用接着剤の含水率は、３００ｐｐｍ以下であることが好ましく、０．０１～２００ｐｐｍであることがより好ましく、０．０１～１００ｐｐｍであることが最も好ましい。
　本発明でいう含水率は、いかなる方法により測定しても構わないが、例えば容量法水分計（カールフィッシャ－）、赤外水分計、マイクロ波透過型水分計、加熱乾燥重量法、ＧＣ／ＭＳ、ＩＲ、ＤＳＣ（示差走査熱量計）、ＴＤＳ（昇温脱離分析）が挙げられる。また、精密水分計ＡＶＭ－３０００型（オムニテック社製）等を用い、水分の蒸発によって生じる圧力上昇から水分を測定でき、フィルムまた固形フィルム等の水分率の測定を行うことができる。
　本発明おいて、封止用接着剤の含水率は、例えば、露点温度が－８０℃以下、酸素濃度０．８ｐｐｍの窒素雰囲気下に置き時間を変化させることで調整することが出来る。また、１００Ｐａ以下の真空状態で置き時間を変化させて乾燥させることもできる。また、封止用接着材は接着剤のみで乾燥させることも出来るが、封止部材へ予め配置し乾燥させることも出来る。
　密着封止（固体封止）を行う場合、封止部材としては、例えば、５０μｍ厚のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）にアルミ箔（３０μｍ厚）をラミネートしたものを用いる。これを封止部材として、アルミニウム面にディスペンサを使用して均一に塗布し封止用接着剤を予め配置しておき、樹脂基板１と封止部材５を位置合わせ後、両者を圧着して（０．１～３ＭＰａ）、温度８０～１８０℃で密着・接合（接着）して、密着封止（固体封止）する。
　接着剤の種類また量、そして面積等によって加熱また圧着時間は変わるが０．１～３ＭＰａの圧力で仮接着、また８０～１８０℃の温度で、熱硬化時間は５秒～１０分間の範囲で選べばよい。
　加熱した圧着ロールを用いると圧着（仮接着）と加熱が同時にでき、且つ内部の空隙も同時に排除でき好ましい。
　また、接着層の形成方法としては、材料に応じて、ディスペンサを用い、ロールコート、スピンコート、スクリーン印刷法、スプレーコートなどのコーティング法、印刷法を用いることができる。
　固体封止は以上のように封止部材と電界発光素子基板との間に空間がなく硬化した樹脂で覆う形態である。
　封止部材としては、ステンレス、アルミニウム、マグネシウム合金等の金属、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ナイロン、ポリ塩化ビニル等のプラスチック、およびこれらの複合物、ガラス等が挙げられ、必要に応じて、特に樹脂フィルムの場合には、樹脂基板と同様、アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素等のガスバリア層を積層したものを用いることができる。
　ガスバリア層は、封止部材成形前に封止部材の両面若しくは片面にスパッタリング、蒸着等により形成することもできるし、封止後に封止部材の両面若しくは片面に同様な方法で形成してもよい。これについても、酸素透過度が１×１０－３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０－３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
　封止部材としては、アルミニウム等の金属箔をラミネートしたフィルム等でも良い。金属箔の片面にポリマーフィルムを積層する方法としては、一般に使用されているラミネート機を使用することができる。接着剤としてはポリウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、アクリル系等の接着剤を用いることができる。必要に応じて硬化剤を併用してもよい。ホットメルトラミネーション法やエクストルージョンラミネート法および共押出しラミネーション法も使用できるがドライラミネート方式が好ましい。
　また、金属箔をスパッタや蒸着等で形成し、導電性ペースト等の流動性電極材料から形成する場合は、逆にポリマーフィルムを基材としてこれに金属箔を成膜する方法で作成してもよい。
＜保護膜、保護板＞
　機能層を挟み基板と対向する側の封止膜、あるいは封止用フィルムの外側に、電界発光素子の機械的強度を高めるため、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
　本発明において、可撓性基板から陽極との間、あるいは可撓性基板から光出射側の何れかの場所に光取出し部材を有することが好ましい。
　光取出し部材としては、プリズムシートやレンズシートおよび拡散シートが挙げられる。また、全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に導入される回折格子や拡散構造等が挙げられる。
　通常、基板から光を放射するような電界発光素子においては、発光層から放射された光の一部が基板と空気との界面において全反射を起こし、光を損失するという問題が発生する。この問題を解決するために、基板の表面にプリズムやレンズ状の加工を施す、もしくは基板の表面にプリズムシートやレンズシートおよび拡散シートを貼り付けることにより、全反射を抑制して光の取り出し効率を向上させる。
　また、光取り出し効率を高めるためには、全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法や拡散構造を導入する方法が知られている。
＜電界発光素子１００の製造方法＞
　本発明の電界発光素子の製造方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる電界発光素子の製造方法を説明する。
　はじめに、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０～２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の薄膜形成方法により形成させて、陽極を作製する。
　次に、この上に電界発光素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の機能層（化合物薄膜）を形成させる。
機能層を形成する工程は、主に、
（ｉ）その機能層を構成する塗布液を、基板の陽極上に塗布・積層する工程と、
（ｉｉ）塗布・積層後の塗布液を、乾燥させる工程と、
で構成される。
（ｉ）の工程では、各層の形成方法として、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス（例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等を挙げることができる。）を用いることができ、少なくとも量子ドット材料を含む層はウェットプロセスを用いて形成することが好ましい。
　正孔注入層以外の機能層の形成においても、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においてはウェットプロセスが好ましく、中でも、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法等の塗布法による成膜が好ましい。
　本発明に係るＥＬ材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の有機溶媒を用いることができる。また分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
　また、本発明に係るＥＬ材料を溶解または分散する調液行程、基材上に塗布されるまでの塗布工程は不活性ガス雰囲気下であることが好ましいが、使用素材により不活性ガス雰囲気下で行わなくとも電界発光素子性能を落とさずに成膜できるため、必ずしも不活性ガス雰囲気下で行わなくても良い場合がある。この場合、製造コストを抑えることができより好ましい。
（ｉｉ）の工程では、塗布・積層された機能層の乾燥を行う。
　ここでいう乾燥とは、塗布直後の膜の溶媒含有量を１００％とした場合に、０．２％以下まで低減されることを指す。
　乾燥の手段としては一般的に汎用されているものを使用でき、減圧あるいは加圧乾燥、加熱乾燥、送風乾燥、ＩＲ乾燥および電磁波による乾燥などが挙げられる。中でも加熱乾燥が好ましく、機能層塗布溶媒の中で最も低沸点の溶媒の沸点以上の温度であり、機能層材料のＴｇの中で最も低Ｔｇである材料の（Ｔｇ＋２０）℃より低い温度で保持することが最も好ましい。本発明において、より具体的には８０℃以上１５０℃以下で保持し乾燥することが好ましく、１００℃以上１３０℃以下で保持し乾燥することがより好ましい。
　塗布・積層後の塗布液を乾燥させる際の雰囲気は、不活性ガス以外の気体の体積濃度が２００ｐｐｍ以下の雰囲気とすることが好ましいが、調液塗布工程と同様に必ずしも不活性ガス雰囲気下で行わなくても良い場合がある。この場合、製造コストを抑えることができより好ましい。
　不活性ガスは好ましくは窒素ガスおよびアルゴンガス等の希ガスであり、製造コスト上最も好ましくは窒素ガスである。
　これらの層の塗布・積層および乾燥工程は枚葉製造であっても、ライン製造であっても良い。更に、乾燥工程はライン上で搬送中に行っても良いが、生産性の観点から堆積あるいはロール状に非接触で巻き取り乾燥しても良い。
　これらの層を乾燥後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ～２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の電界発光素子が得られる。
　該加熱処理後に前記密着封止あるいは封止部材と電極、基板とを接着剤で接着することで電界発光素子を製造することができる。
＜用途＞
　本発明の電界発光素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。
　発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源、さらには表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられるが、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
　本発明の電界発光素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
　本発明の実施形態に係る電界発光素子によれば、発光層に含まれる量子ドット材料がｄ９０－ｄ１０≧３ｎｍを満たすことから、粒子径の揃った量子ドット材料ではなく、様々な粒子径の量子ドット材料を含む、つまり、様々な発光ピークを有する量子ドット材料を含むこととなる。その結果、電界発光素子を発光させた際、発光スペクトルがブロードになり、演色性の良い白色（自然光に近い白色）を発することができる。
　さらに、本発明の実施形態に係る電界発光素子によれば、発光中心（発光材料）として量子ドット材料を用いていることから、リン光発光材料を用いる場合と比較して、劣化速度が遅く、素子寿命を長期化することができる。
　加えて、本発明の実施形態に係る電界発光素子によれば、１層の発光層内の量子ドット材料がｄ９０－ｄ１０≧３ｎｍを満たす場合、１層の発光層で白色発光が実現可能である。よって、１回の成膜作業で発光層を形成することができるため、製造方法の簡略化に資することができる。
　なお、前記のとおり、本発明の実施形態に係る電界発光素子は、発光中心（発光材料）として量子ドット材料を用いており、有機系のリン光発光ドーパントを用いていない。一方、特許文献２に開示された技術は、発光中心（発光材料）としてリン光発光ドーパントを用いるとともに、量子ドット材料を用いる点を特徴としており（特許文献２の請求項１参照）、量子ドット材料は、発光色の変換等の役割として用いられている。
　つまり、本発明に実施形態に係る電界発光素子と、特許文献２に開示された技術とでは、量子ドット材料に対して想定する役割が異なるため、発光中心（発光材料）が異なっており、発光の原理自体も異なっている。
　本発明の実施形態に係る電界発光素子によれば、発光層に含まれる量子ドット材料がｄ９０－ｄ１０≧５ｎｍを満たすことから、電界発光素子を発光させた際、発光スペクトルがよりブロードになり、演色性のより良い白色を発することができる。
　本発明の実施形態に係る電界発光素子によれば、発光層に含まれる量子ドット材料がｔ／（ｄ９０－ｄ１０）＞０．５を満たすことから、量子ドット材料の粒度分布が、図２（ａ）に示すような略台形を呈することとなる。その結果、電界発光素子を発光させた際、発光スペクトルが更にブロードになり、演色性の非常に優れた白色を発することができる。
　本発明の実施形態に係る電界発光素子によれば、発光層に含まれる量子ドット材料がコアとシェルとで構成（Ｃｏｒｅ／Ｓｈｅｌｌ構造）されることから、発光層を積層する工程において、凝集体の形成を抑制することができ、自己消光（自家消光）の発生を抑えることができる。その結果、発光効率の向上、ひいては、発光素子の長寿命化という効果を発揮することができる。
　本発明の実施形態に係る電界発光素子によれば、発光層に含まれる量子ドット材料が表面修飾剤により表面修飾されていることから、発光層を積層する工程において、凝集体の形成をより確実に抑制することができ、自己消光（自家消光）の発生を更に抑えることができる。その結果、発光効率の向上、ひいては、発光素子の長寿命化という効果をより確実なものとすることができる。
　本発明の実施形態に係る電界発光素子については、以上説明したとおりであるが、その他の明示していない構成等については、従来公知のものであればよく、前記構成によって得られる効果を奏する限りにおいて、限定されないことは言うまでもない。
　次に、本発明の要件を満たす実施例とそうでない比較例とを例示して、本発明に係る電界発光素子について説明する。
［量子ドット材料の調整］
　下記の複数種類の量子ドット材料（Ｃｏｒｅ／Ｓｈｅｌｌ）を準備した。そして、各サンプルに用いた量子ドット材料の体積基準の粒度分布は、図２（ａ）～（ｅ）に示すような様々な粒度分布のものであった。なお、体積基準の粒度分布およびｄ１０、ｄ９０は、レーザ回折・散乱法 粒度分布測定装置（ベックマン・コールター社製）により計測した。
　Ｑ１：ＣｄＳｅ／－
　Ｑ２：ＣｄＳｅ／ＺｎＯ
　Ｑ３：ＣｄＳＳｅ／ＺｎＳ
　その後、一部のものを除き、ＯＤＳ（オクタデシルシリル基：Ｃ１８Ｈ３７Ｓｉ）で表面修飾を実施し、ＯＤＳで修飾した量子ドット材料を得た。
［サンプルの作製］
　以下のとおり、サンプル１～１６を作製した。
（１）ガスバリア性の可撓性フィルムの作製
　可撓性フィルムとして、ポリエチレンナフタレートフィルム（帝人デュポン社製フィルム、以下、ＰＥＮと略記する）の第１電極を形成する側の全面に、特開２００４－６８１４３号に記載の構成からなる大気圧プラズマ放電処理装置を用いて、連続して可撓性フィルム上に、ＳｉＯｘからなる無機物のガスバリア膜を厚さ５００ｎｍとなるように形成し、酸素透過度０．００１ｍｌ／ｍ２／ｄａｙ以下、水蒸気透過度０．００１ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下のガスバリア性の可撓性フィルムを作製した。
（２）第１電極層の形成
　準備したガスバリア性の可撓性フィルム上に厚さ１２０ｎｍのＩＴＯ（インジウムチンオキシド）をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第１電極層（陽極）を形成した。なお、パターンは発光面積が５０ｍｍ平方になるようなパターンとした。
（３）正孔注入層の形成
　パターニング後のＩＴＯ基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。この基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）－ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと略記、Ｂａｙｅｒ製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を３０００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚３０ｎｍの正孔注入層を設けた。
（４）正孔輸送層の形成
　この基板を、窒素ガス（グレードＧ１）を用いた窒素雰囲気下に移し、前記正孔輸送材料である例示化合物（６０）（Ｍｗ＝８０，０００）をクロロベンゼンに０．５％溶解した溶液を、１５００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、１６０℃で３０分間保持し、膜厚３０ｎｍの正孔輸送層とした。
（５）発光層の形成
　次いで、下記組成の発光層組成物および同溶媒により倍希釈した組成物を１５００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法によりそれぞれ製膜した後、１２０℃で３０分間保持し膜厚４０ｎｍの発光層をそれぞれ形成した。
（５．１）サンプル１～３、５～１２、１４について
　サンプル１～３、５～１２、１４の発光層組成物は以下のとおりである。
〈発光層組成物〉
例示化合物ａ－３８　　　　　　　　　　　　　　　　　１４．００質量部
量子ドット材料（表１に示す材料）　　　　　　　　　　　０．７４質量部
トルエン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２，０００質量部
（５．２）サンプル４について
　サンプル４の発光層組成物は以下のとおりである。
〈発光層組成物〉
例示化合物ａ－３８　　　　　　　　　　　　　　　　　１４．２５質量部
量子ドット材料（表１に示す材料：中央値２ｎｍ）　　　　０．２０質量部
量子ドット材料（表１に示す材料：中央値３．５ｎｍ）　　０．２０質量部
量子ドット材料（表１に示す材料：中央値５ｎｍ）　　　　０．２０質量部
トルエン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２，０００質量部
（５．３）サンプル１３について
　サンプル１３の発光層組成物は以下のとおりである。
〈発光層組成物〉
例示化合物ａ－３８　　　　　　　　　　　　　　　　　１４．２５質量部
例示化合物Ｄ－６６　　　　　　　　　　　　　　　　　　２．４５質量部
例示化合物Ｄ－６７　　　　　　　　　　　　　　　　　０．０２５質量部
例示化合物Ｄ－８０　　　　　　　　　　　　　　　　　０．０２５質量部
量子ドット材料（表１に示す材料）　　　　　　　　　　　０．３０質量部
トルエン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２，０００質量部
（５．４）サンプル１５について
　サンプル１５の発光層組成物は以下のとおりである。
　なお、サンプル１５は発光層が３層であり、下記の発光層組成物１が第一電極に近い側に設けられ、発光層組成物３が第二電極に近い側に設けられる。
〈発光層組成物１〉
例示化合物ａ－３８　　　　　　　　　　　　　　　　　１４．００質量部
量子ドット材料（表１に示す材料：中央値２ｎｍ）　　　　０．３０質量部
トルエン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２，０００質量部
〈発光層組成物２〉
例示化合物ａ－３８　　　　　　　　　　　　　　　　　１４．００質量部
量子ドット材料（表１に示す材料：中央値３．５ｎｍ）　　０．７４質量部
トルエン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２，０００質量部
〈発光層組成物３〉
例示化合物ａ－３８　　　　　　　　　　　　　　　　　１４．００質量部
量子ドット材料（表１に示す材料：中央値５ｎｍ）　　　　０．７４質量部
トルエン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２，０００質量部
（５．５）サンプル１６について
　サンプル１６の発光層組成物は以下のとおりである。
〈発光層組成物〉
例示化合物ａ－３８　　　　　　　　　　　　　　　　　１４．２５質量部
例示化合物Ｄ－６６　　　　　　　　　　　　　　　　　　２．４５質量部
例示化合物Ｄ－６７　　　　　　　　　　　　　　　　　０．０２５質量部
例示化合物Ｄ－８０　　　　　　　　　　　　　　　　　０．０２５質量部
トルエン　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　２，０００質量部
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
  
（６）電子輸送層の形成
　続いて、２０ｍｇの一般式（Ａ）で表される化合物である例示化合物（化合物Ａ）を、４ｍｌのテトラフルオロプロパノール（ＴＦＰＯ）に溶解した溶液を、１５００ｒｐｍ、３０秒でスピンコート法により製膜した後、１２０℃で３０分間保持し、膜厚３０ｎｍの電子輸送層とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
  
（７）電子注入層、陰極の形成
　続いて、基板を大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。また、モリブデン製抵抗加熱ボートにフッ化ナトリウムおよびフッ化カリウムを入れたものを真空蒸着装置に取り付け、真空槽を４×１０－５Ｐａまで減圧した後、前記ボートに通電して加熱してフッ化ナトリウムを０．０２ｎｍ／秒で前記電子輸送層上に膜厚１ｎｍの薄膜を形成し、続けて同様にフッ化カリウムを０．０２ｎｍ／秒でフッ化ナトリウム上に膜厚１．５ｎｍの電子注入層を形成した。
　引き続き、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して陰極を形成した。
（８）封止及び電界発光素子の作製
　引き続き、市販のロールラミネート装置を用いて封止部材を接着し、サンプル１～１３（電界発光素子）を製作した。
　なお、封止部材として、可撓性の厚み３０μｍのアルミニウム箔（東洋アルミニウム株式会社製）に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（１２μｍ厚）をドライラミネーション用の接着剤（２液反応型のウレタン系接着剤）を用いラミネートした（接着剤層の厚み１．５μｍ）ものを用いた。
　アルミニウム面に封止用接着剤として、熱硬化性接着剤を、ディスペンサを使用してアルミ箔の接着面（つや面）に沿って厚み２０μｍで均一に塗布した。これを１００Ｐａ以下の真空下で１２時間乾燥させた。さらに露点温度が－８０℃以下、酸素濃度０．８ｐｐｍの窒素雰囲気下へ移動し、１２時間以上乾燥させ、封止用接着剤の含水率を１００ｐｐｍ以下となるように調整した。
　熱硬化接着剤としては下記の（Ａ）～（Ｃ）を混合したエポキシ系接着剤を用いた。
（Ａ）ビスフェノールＡジグリシジルエーテル（ＤＧＥＢＡ）
（Ｂ）ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）
（Ｃ）エポキシアダクト系硬化促進剤
　以上のようにして、図１に記載の形態になるよう、封止基板を、取り出し電極および電極リードの接合部を覆うようにして密着・配置して、圧着ロールを用いて厚着条件、圧着ロール温度１２０℃、圧力０．５ＭＰａ、装置速度０．３ｍ／ｍｉｎで密着封止して、サンプル１～１３（電界発光素子）を作製した。
［サンプルの評価］
　作製したサンプル１～１６について、下記のようにして「演色性評価」、「白色に発光する素子としての寿命評価」および「発光効率評価」を行った。
（演色性評価）
　作製した各サンプルに対し、室温（約２３～２５℃）で、１，０００ｃｄ／ｍ２の定輝度条件下による点灯を行い、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて、各サンプルの発光輝度を測定し、演色評価数を求め、平均演色評価数を導出した。
　なお、平均演色評価数Ｒａの算出は、ＪＩＳ　Ｚ８７２６－１９９０の記載に基づいて行った。
　演色性評価の基準は以下のとおりである。
１：Ｒａ＜８０
２：８０≦Ｒａ＜８４
３：８４≦Ｒａ＜８７
４：８７≦Ｒａ＜９１
５：９１≦Ｒａ
　なお、上記基準において、「５」が最も良い結果であり、「５」「４」「３」「２」を合格と判断した。
（白色に発光する素子としての寿命評価）
　作製した各サンプルを半径５ｃｍの円柱に巻き付け、その後、各サンプルを折り曲げた状態で連続駆動させ、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて輝度を測定し、測定した輝度が半減する時間（ＬＴ５０）を求めた。駆動条件は、連続駆動開始時に４０００ｃｄ／ｍ２となる電流値とした。
　なお、サンプル１６（参考例）のＬＴ５０を基準値（ＬＴ５０基準値）として、当該基準値に対する各サンプルのＬＴ５０の比率（＝ＬＴ５０／ＬＴ５０基準値）を評価に用いた。
　白色に発光する素子としての寿命評価の基準は以下のとおりである。
１：ＬＴ５０／ＬＴ５０基準値＜１．０
２：１．０≦ＬＴ５０／ＬＴ５０基準値＜１．５
３：１．５≦ＬＴ５０／ＬＴ５０基準値＜２．０
４：２．０≦ＬＴ５０／ＬＴ５０基準値＜２．５
５：２．５≦ＬＴ５０／ＬＴ５０基準値
　なお、上記基準において、「５」が最も良い結果であり、「５」「４」「３」を合格と判断した。そして、白色に発光しないサンプルについては、当該寿命評価は不可能であるため、「－」（結果なし）と判断した。
（発光効率評価）
　作製した各サンプルに対し、室温（約２３～２５℃）で、１，０００ｃｄ／ｍ２の定輝度条件下による点等を行い、分光放射輝度計ＣＳ－２０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて、各サンプルの発光輝度を測定し、発光輝度１，０００ｃｄ／ｍ２における外部量子効率（ＥＱＥ：Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を測定した。なお、外部量子効率の値が大きいほど、発光効率がよいと判断できる。
　発光効率評価の基準は以下のとおりである。
１：０％≦ＥＱＥ＜３％
２：３％≦ＥＱＥ＜５％
３：５％≦ＥＱＥ＜８％
４：８％≦ＥＱＥ＜１２％
５：１２％≦ＥＱＥ
　なお、上記基準において、「５」が最も良い結果であり、「５」「４」「３」を合格と判断した。
　以下、「サンプルの構成」および「サンプルの評価」を記載した表１を示すが、表１の「粒度分布の形状」の項目の表記は、図２の（ａ）～（ｅ）に対応している。また、表１の「ＱＤｓ」は「量子ドット材料」、「Ｐ」は「リン光発光材料」の略称である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000021
［結果の検討］
　表１に示す結果より明らかなように、サンプル１～１２、１５については、「演色性評価」、「白色に発光する素子としての寿命評価」、「発光効率評価」のいずれについても、合格という結果となった。
　特に、ｄ９０－ｄ１０≧５ｎｍを満たすサンプル５、６、７、８、１１、１２については、「演色性評価」、「白色に発光する素子としての寿命評価」の両者が「４」以上という好ましい評価となった。また、表面修飾がされたサンプル５、６、１０、１２は、「白色に発光する素子としての寿命評価」が「５」となり非常に好ましい結果となった。
　なお、粒子分布が３つの凸形状を呈したサンプル４、１５についても、合格基準を一応満たしているが、サンプル４はサンプル１５と比較して簡便に製造することができた。
　一方、サンプル１３は、発光材料としてリン光発光材料を含有させていたことから、「白色に発光する素子としての寿命評価」が不合格という結果となった。加えて、「演色性評価」についても不合格という結果となった。
　また、サンプル１４は、ｄ９０－ｄ１０が２．０ｎｍであったため、演色性評価が不合格という結果となった。さらに、サンプル１４は、単色（青色）にしか発光せず、「白色に発光する素子としての寿命評価」は「－」（結果なし）となった。
　　１　　　基板
　　２　　　第一電極（陽極）
　　５　　　発光層
　　８　　　第二電極（陰極）
　　１１　　量子ドット材料
　　２０　　機能層
　　１００　電界発光素子

Claims (5)

  1. 　基板上に、第一電極と、少なくとも１層の発光層を含む機能層と、第二電極と、を有する電界発光素子であって、
    　前記少なくとも１層の発光層は、量子ドット材料を含み、
    　前記量子ドット材料は、体積基準の累積粒度分布における累積度１０％粒子径をｄ１０（ｎｍ）、累積度９０％の粒子径をｄ９０（ｎｍ）としたときに、ｄ９０－ｄ１０≧３ｎｍを満たすことを特徴とする電界発光素子。
  2. 　前記量子ドット材料は、ｄ９０－ｄ１０≧５ｎｍを満たすことを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子。
  3. 　前記量子ドット材料は、体積基準の粒度分布における最大ピークの半値幅をｔ（ｎｍ）としたときに、ｔ／（ｄ９０－ｄ１０）＞０．５を満たすことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電界発光素子。
  4. 　前記量子ドット材料は、コアと、当該コアを囲むシェルと、から構成されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電界発光素子。
  5. 　前記量子ドット材料は、表面修飾剤により表面修飾されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電界発光素子。
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