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WO2014119372A1 - 基板及びそれを用いたタッチパネル部材 - Google Patents

基板及びそれを用いたタッチパネル部材 Download PDF

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WO2014119372A1
WO2014119372A1 PCT/JP2014/050683 JP2014050683W WO2014119372A1 WO 2014119372 A1 WO2014119372 A1 WO 2014119372A1 JP 2014050683 W JP2014050683 W JP 2014050683W WO 2014119372 A1 WO2014119372 A1 WO 2014119372A1
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WO
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thin film
acid
group
substrate
compound
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/050683
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English (en)
French (fr)
Inventor
荒木斉
諏訪充史
Original Assignee
東レ株式会社
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Publication date
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Priority to KR1020157014398A priority patent/KR102131595B1/ko
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Priority to EP14745679.2A priority patent/EP2952342A4/en
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate and a touch panel member using the substrate.
  • Patent Documents 2 to 4 As a typical technique for reducing the pattern visibility of ITO for liquid crystal display devices, a technique has been developed in which an insulating layer thin film is formed above or below ITO to reduce interface reflection (Patent Documents 2 to 4). ). Further, as a technique for reducing the pattern visibility of ITO for a touch panel, a technique of providing a thin film of Nb 2 O 3 and SiO 2 as an undercoat layer or a topcoat layer has been developed (Patent Documents 5 and 6).
  • the conventional touch panel technology can certainly reduce the ITO pattern visibility, but has a high cost load because a plurality of layers must be formed by a vacuum process.
  • an object of the present invention is to provide a substrate capable of suppressing the cost or process load during production while reducing the ITO pattern visibility of the touch panel.
  • the ITO thin film (I) has a thickness of 0.01 to 0.4 ⁇ m and a refractive index of 1.58 from the upper surface of the transparent base substrate.
  • the substrate has a touch panel ITO having a portion where thin films are laminated in the order of an organic thin film (II) having a thickness of 0.01 to 10 ⁇ m and a silicon oxide thin film (III) having a thickness of 0.01 to 10 ⁇ m. It has been found that the problem of pattern visibility can be remarkably improved.
  • the present invention has the following configuration.
  • ITO thin film (I) From the top surface of the transparent base substrate, ITO thin film (I), An organic thin film (II) having a thickness of 0.01 to 0.4 ⁇ m and a refractive index of 1.58 to 1.85, A substrate having a portion where thin films are laminated in the order of a silicon oxide thin film (III) having a thickness of 0.01 to 10 ⁇ m.
  • the substrate according to [1] which has a portion where a transparent adhesive thin film (IV) having a refractive index of 1.46 to 1.52 is laminated on the upper surface of the silicon oxide thin film (III).
  • the organic thin film (II) contains a resin selected from the group consisting of polyimide, cardo resin, acrylic resin, polysiloxane, polybenzoxazole, phenol resin, polyamideimide, polyethersulfone, polyurethane and polyester. [1] The substrate according to any one of [3]. [5] The substrate according to any one of [1] to [4], wherein the organic thin film (II) has a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group. [6] The organic thin film (II) is formed using a resin composition including a precursor selected from the group consisting of a polyimide precursor, a polyamideimide precursor, and a polybenzoxazole precursor.
  • the ITO pattern visibility on the touch panel can be significantly reduced, and the durability of the touch panel can be improved because the ITO is protected by the organic thin film. Further, the substrate of the present invention can be manufactured by a method with low cost or process load.
  • the combination of the organic thin film (II) and the silicon oxide thin film (III) having different film thicknesses can reduce the reflected light at the upper interface and lower interface of the ITO thin film (I) formed in the lower layer.
  • the pattern visibility can be reduced.
  • the organic thin film refers to a thin film containing one or more organic components.
  • the film thickness of the organic thin film (II) is less than 0.01 ⁇ m or exceeds 0.4 ⁇ m, the phase is difficult to control, so that it is difficult to obtain the effect of reducing pattern visibility. If the refractive index of the organic thin film (II) is less than 1.58 or exceeds 1.85, the intensity of reflected light cannot be controlled, and the effect of reducing pattern visibility is difficult to obtain.
  • the film thickness of the silicon oxide thin film (III) is 0.01 to 10 ⁇ m
  • the intensity of the reflected light at the lower interface that is, the reflected light at the upper interface of the organic thin film (II)
  • the base metal containing ITO thin film (I) can be protected simultaneously, the reliability of a touch panel can be improved in a touch panel use.
  • the film thickness of the silicon oxide thin film (III) is less than 0.01 ⁇ m, the reflected light from the upper interface affects the pattern visibility, making it difficult to obtain the effect of reducing the pattern visibility, and further, the function of protecting the underlying metal cannot be obtained. If it exceeds 10 ⁇ m, cracks are likely to occur with slight distortion, and the reliability and appearance of the touch panel are impaired.
  • refractive index refers to the refractive index of light having a wavelength of 633 nm.
  • the refractive index can be measured by a prism coupler when the film thickness is 1 ⁇ m or more, and by ellipsometry when the film thickness is 1 ⁇ m or less.
  • the film thickness is a sufficiently wide region (for example, FIG. 2 or FIG. 3) in which the ITO thin film (I), the organic thin film (II), and the silicon oxide thin film (III) are laminated.
  • the film thickness can be measured with a stylus type step meter.
  • the material of the transparent base substrate that is the base of the substrate of the present invention is not particularly limited as long as it has a function of transmitting light, but the total line transmittance per thickness of 0.1 mm (conforming to JIS K7361-1) Is preferably 80% or more, and examples thereof include glass, acrylic resin, polyester resin, polycarbonate, polyarylate, polyethersulfone, polypropylene, polyethylene, polyimide, and cycloolefin polymer.
  • glass, acrylic resin, polyester resin, polycarbonate, or cycloolefin polymer is preferable from the viewpoint of transparency, and glass is more preferable from the viewpoint of heat resistance and chemical resistance.
  • the glass examples include alkali glass, non-alkali glass, heat tempered glass, and chemically tempered glass, but tempered glass widely used as a cover glass for touch panels, that is, heat tempered glass or chemically tempered glass is preferable.
  • Tempered glass refers to glass having a compressive stress layer formed on the surface.
  • the compressive stress of the compressive stress layer is generally 400 to 2000 MPa, and the thickness of the compressive stress layer is generally 10 to 70 ⁇ m.
  • acrylic resin polymethyl methacrylate is preferable.
  • polyester resin polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate or polybutylene terephthalate is preferable.
  • polycarbonate a resin obtained by polycondensation of bisphenol A and phosgene is preferable.
  • a resin having an aliphatic carboxylic dianhydride and / or an aliphatic diamine as a monomer is preferable from the viewpoint of transparency.
  • cycloolefin polymer for example, a polymer obtained by addition polymerization or ring-opening metathesis polymerization of cyclohexene, norbornene, or a derivative thereof is preferable.
  • the substrate of the present invention has an ITO thin film (I) on the upper surface of a transparent base substrate.
  • the ITO thin film is used as a transparent conductive film of a touch panel.
  • a sputtering method is preferable because a thin film having low resistance can be easily obtained and the film thickness can be precisely controlled.
  • the thickness of the ITO thin film (I) is preferably 1 to 200 nm.
  • the silicon oxide thin film (III) has a function as a protective film that protects the touch panel from scratches, moisture, and the like, and can improve yield and reliability.
  • the thickness of the organic thin film (II) is preferably 0.05 to 0.2 ⁇ m, more preferably 0.07 to 0.12 ⁇ m.
  • the refractive index of the organic thin film (II) is preferably 1.60 to 1.75, more preferably 1.63 to 1.70.
  • the film thickness of the silicon oxide thin film (III) is preferably 0.05 to 5 ⁇ m, more preferably 0.2 to 2 ⁇ m.
  • the organic thin film (II) is preferably formed as a composite of a resin having a refractive index of 1.58 to 1.85, another resin and metal oxide particles.
  • a method for forming the organic thin film (II) a method in which a resin composition is prepared and processed by a coating or printing technique is preferable because of low cost and process load.
  • a whole surface coating apparatus such as spin coating, dip coating, curtain flow coating, spray coating or slit coating, or printing such as screen printing, roll coating, micro gravure coating or ink jet. Apparatus.
  • Examples of the resin used for forming the organic thin film (II) include polyimide, cardo resin, acrylic resin, polysiloxane, polybenzoxazole, melamine resin, phenol resin, polyamideimide, polyethersulfone, polyurethane, and polyester.
  • polyimide, cardo resin, polybenzoxazole, polyamideimide, polyethersulfone or polyurethane is preferable because the refractive index can be easily adjusted to the range of 1.58 to 1.85 even with the resin component alone, and adhesion with ITO is preferable. Since polyimide is high, polyimide, polybenzoxazole or polyamideimide is more preferable. From the viewpoint of transmittance, acrylic resin or polysiloxane is preferable.
  • a resin having an alkali-soluble group such as a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group is also preferable.
  • the base resin of the photosensitive resin composition can be obtained, and simple pattern processing becomes possible.
  • the organic thin film (II) contains a resin selected from the group consisting of polyimide, cardo resin, acrylic resin, polysiloxane, polybenzoxazole, phenol resin, polyamideimide, polyethersulfone, polyurethane and polyester. It is preferable.
  • the organic thin film (II) preferably contains a resin having a carboxyl group and / or a phenolic hydroxyl group.
  • the polyimide precursor When polyimide is used to form the organic thin film (II), the polyimide precursor is applied to the transparent base substrate having the ITO thin film (I), and then a polyimide thin film is formed by a dehydration ring closure reaction.
  • the polyimide precursor include polyamic acid, polyamic acid ester, polyamic acid amide, and polyisoimide.
  • a polyamic acid having a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue is obtained by reacting tetracarboxylic acid or a corresponding tetracarboxylic dianhydride or tetracarboxylic diester dichloride with diamine or a corresponding diisocyanate compound or trimethylsilylated diamine.
  • Polyimide can be obtained by dehydrating and ring-closing polyamic acid by heat treatment or chemical treatment with acid or base. More specifically, it may be heat-treated by adding a solvent azeotropic with water such as m-xylene, or may be heat-treated at a low temperature of 100 ° C. or less by adding a weakly acidic carboxylic acid compound.
  • Examples of the ring-closing catalyst used in the above chemical treatment include a dehydrating condensing agent such as carboxylic acid anhydride or dicyclohexylcarbodiimide, or a base such as triethylamine.
  • the polybenzoxazole precursor is applied to the transparent base substrate having the ITO thin film (I), and then the polybenzoxazole thin film is formed by a dehydration cyclization reaction. It is preferable from the viewpoint of storage stability of the coating liquid, solubility of the resin, and ease of introduction of alkali-soluble groups.
  • the polybenzoxazole precursor include polyhydroxyamide, polyaminoamide, polyamide, and polyamideimide, and polyhydroxyamide is preferable.
  • a polyhydroxyamide having a dicarboxylic acid residue and a bisaminophenol residue can be obtained by reacting bisaminophenol with dicarboxylic acid or a corresponding dicarboxylic acid chloride or dicarboxylic acid active ester.
  • Polybenzoxazole can be obtained by dehydrating and ring-closing polyhydroxyamide by heat treatment or chemical treatment. More specifically, a solvent that azeotropes with water, such as m-xylene, may be added for heat treatment, or an acidic compound may be added for heat treatment at a low temperature of 200 ° C. or lower.
  • the ring-closing catalyst used in the chemical treatment include phosphoric anhydride, a base, and a carbodiimide compound.
  • the polyamide imide precursor When polyamide imide is used for forming the organic thin film (II), the polyamide imide precursor may be applied to the transparent base substrate having the ITO thin film (I), and then the polyamide imide thin film may be formed by a dehydration cyclization reaction. From the viewpoint of storage stability of the coating liquid, solubility of the resin, and ease of introduction of alkali-soluble groups.
  • the polyamideimide precursor having a tricarboxylic acid residue and a diamine residue can be obtained by polymerizing tricarboxylic acid or a derivative thereof and a diamine or a corresponding diisocyanate compound.
  • Polyamideimide can be obtained in the same manner as polyimide is obtained from a polyimide precursor.
  • the organic thin film (II) is formed using a resin composition containing a precursor selected from the group consisting of a polyimide precursor, a polyamideimide precursor, and a polybenzoxazole precursor.
  • a resin composition containing a precursor selected from the group consisting of a polyimide precursor, a polyamideimide precursor, and a polybenzoxazole precursor is preferred.
  • An organic thin film (II) is formed by forming an organic thin film (II) using a resin composition containing a precursor selected from the group consisting of a polyimide precursor, a polyamideimide precursor and a polybenzoxazole precursor.
  • a resin selected from the group consisting of polyimide, cardo resin, acrylic resin, polysiloxane, polybenzoxazole, phenol resin, polyamideimide, polyethersulfone, polyurethane, and polyester can be efficiently contained.
  • the polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, polyamideimide or polyamideimide precursor used for forming the organic thin film (II) is selected from the following general formulas (1) to (4) It is preferable to have a structural unit represented by the above formula. Moreover, you may contain 2 or more types of resin which has these structural units, and you may copolymerize 2 or more types of structural units.
  • the polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, polyamideimide or polyamideimide precursor used for forming the organic thin film (II) is one or more selected from the general formulas (1) to (4)
  • the structural unit represented by the formula is preferably 50 mol% or more, more preferably 70 mol% or more, and still more preferably 90 mol% or more in the structural unit of the resin.
  • a plurality of R 1 , R 2 and R 8 may be the same or different and each represents a divalent to octavalent organic group having 2 or more carbon atoms.
  • a plurality of R 7 represent 4- to 8-valent organic groups having 2 or more carbon atoms.
  • a plurality of R 3 and R 4 may be the same or different and each represents a phenolic hydroxyl group or a carboxyl group or a group in which they are alkylated.
  • the plurality of R 5 , R 6 , R 9 and R 10 may be the same or different and are selected from a hydrogen atom, a phenolic hydroxyl group, a sulfonic acid group, a thiol group, and a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. It is a group.
  • Y represents a terminal group.
  • n is in the range of 10 to 10,000
  • r, s and q are integers of 0 to 6
  • p, m and l are integers of 0 to 4, respectively.
  • R 1 (R 3 ) m (R 5 ) r (CO) 2 represents a di-, tri- or tetra-carboxylic acid residue
  • R 7 (R 9 ) p (CO) 4 represents a tetracarboxylic acid residue (hereinafter collectively referred to as “acid residue”).
  • these acid residues can be included in a structural unit by using the acid component corresponding to these acid residues at the time of superposition
  • an acid component such as R 1 (R 3 ) m (R 5 ) r (COOH) 2 or R 7 (R 9 ) p (COOH) 4 during polymerization
  • Acid residues such as r (CO) 2 or R 7 (R 9 ) p (CO) 4 can be included in the structural unit.
  • Examples of the acid component constituting R 1 (R 3 ) m (R 5 ) r (COOH) 2 and R 7 (R 9 ) p (COOH) 4 include terephthalic acid, isophthalic acid, diphenyl ether dicarboxylic acid, bis ( Carboxyphenyl) hexafluoropropane, biphenyl dicarboxylic acid, dicarboxylic acid such as benzophenone dicarboxylic acid or triphenyl dicarboxylic acid, trimellitic acid, trimesic acid, tricarboxylic acid such as diphenyl ether tricarboxylic acid or biphenyl tricarboxylic acid, or pyromellitic acid, 3, 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,2 ', 3,3'-biphenyltetracarboxylic acid,
  • Heptanetetracarboxylic acid bicyclo [3.3.1. ] Tetracarboxylic acid, bicyclo [3.1.1. ] Hept-2-enetetracarboxylic acid, bicyclo [2.2.2. ] Aliphatic tetracarboxylic acid such as octanetetracarboxylic acid or adamantanetetracarboxylic acid.
  • the preferred structure of the acid residue includes, for example, the following structures, or 1 to 4 hydrogen atoms in these structures: an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a fluoroalkyl group, an alkoxyl group, an ester group, a nitro group, And a structure substituted with a group, a cyano group, a fluorine atom or a chlorine atom.
  • acids can be used as they are or as acid anhydrides, acid chlorides or active esters.
  • J is a direct bond, —COO—, —CONH—, —CH 2 —, —C 2 H 4 —, —O—, —C 3 H 6 —, —SO 2 —, —S—, —Si ( CH 3 ) 2 —, —O—Si (CH 3 ) 2 —O—, —C 6 H 4 —, —C 6 H 4 —O—C 6 H 4 —, —C 6 H 4 —C 3 H 6 —C 6 H 4 — or —C 6 H 4 —C 3 F 6 —C 6 H 4 — is shown.
  • silicon atom-containing tetracarboxylic acid such as dimethylsilanediphthalic acid or 1,3-bis (phthalic acid) tetramethyldisiloxane
  • adhesion to a transparent substrate oxygen plasma used for cleaning, Resistance to UV ozone treatment can be increased.
  • silicon atom-containing dicarboxylic acids or tetracarboxylic acids are preferably used in an amount of 1 to 30 mol% of the total acid components.
  • R 2 (R 4 ) 1 (R 6 ) s (N—) 2 and R 8 (R 10 ) q (N—) 2 are diamine residues or bisaminophenol residues.
  • a group hereinafter collectively referred to as “amine residue”).
  • these amine residues can be included in a structural unit by using the diamine component or bisaminophenol component corresponding to these amine residues at the time of superposition
  • a diamine component or bisaminophenol component such as R 2 (R 4 ) 1 (R 6 ) s (NH 2 ) 2 or R 8 (R 10 ) q (NH 2 ) 2 during polymerization
  • R 2 ( Amine units such as R 4 ) 1 (R 6 ) s (N—) 2 and R 8 (R 10 ) q (N—) 2 can be included in the structural unit.
  • Diamine component and bisaminophenol component constituting R 2 (R 4 ) 1 (R 6 ) s (NH 2 ) 2 and R 8 (R 10 ) q (NH 2 ) 2 ”)
  • diamine component bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) propane, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) methylene, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) ether, bis (3-amino-4-hydroxy) biphenyl, bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) fluorene, etc.
  • Carboxyl group-containing diamines such as diaminodiphenyl ether, sulfonic acid-containing diamines such as 3-sulfonic acid-4,4′-diaminodiphenyl ether, or dithiohydroxyphenylene diamine, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3 , 4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenyl Sulfide, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzen
  • these diamines include one or more alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms such as a methyl group or an ethyl group, fluoroalkyl groups having 1 to 10 carbon atoms such as a trifluoromethyl group, one or more such as F, Cl, Br or I. It may be substituted with a group. In applications where heat resistance is required, it is preferable to use an aromatic diamine in an amount of 50 mol% or more of the total diamine component.
  • the following structures or 1 to 4 hydrogen atoms in these structures are substituted with an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a fluoroalkyl group, an alkoxyl group, an ester group, a nitro group, And a structure substituted with a group, a cyano group, a fluorine atom or a chlorine atom.
  • diamines can be used as they are or as the corresponding diisocyanate compounds or trimethylsilylated diamines.
  • J is a direct bond, —COO—, —CONH—, —CH 2 —, —C 2 H 4 —, —O—, —C 3 H 6 —, —SO 2 —, —S—, —Si ( CH 3 ) 2 —, —O—Si (CH 3 ) 2 —O—, —C 6 H 4 —, —C 6 H 4 —O—C 6 H 4 —, —C 6 H 4 —C 3 H 6 —C 6 H 4 — or —C 6 H 4 —C 3 F 6 —C 6 H 4 — is shown.
  • a silicon atom-containing diamine such as 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane or 1,3-bis (4-anilino) tetramethyldisiloxane
  • a transparent base substrate It is possible to increase the adhesion to the substrate and the resistance to oxygen plasma and UV ozone treatment used for cleaning and the like.
  • These silicon atom-containing diamines are preferably used in an amount of 1 to 30 mol% of the total diamine component.
  • the main chain end is end-capped such as a monoamine, acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound or monoactive ester compound. It is preferable to seal with a stopper.
  • the introduction ratio of the monoamine used as the terminal blocking agent is preferably from 0.1 to 60 mol%, more preferably from 5 to 50 mol%, based on the total amine component.
  • the introduction ratio of the acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound or monoactive ester compound used as the end-capping agent is preferably 0.1 to 100 mol%, more preferably 5 to 90 mol% with respect to the diamine component. .
  • Monoamines include aniline, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4-ethynylaniline, 5-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy-7-aminonaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1- Hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy-4-aminonaphthalene, 2-hydroxy-7-aminonaphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-carboxy-7-amino Naphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, 1-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6-aminonaphthalene, 2-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-amino Benzoic acid, 3-aminobenzoic acid 4-aminobenzoic acid, 4-aminosalicylic acid, 5-aminos
  • Examples of the acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound or monoactive ester compound include acid anhydrides such as phthalic anhydride, maleic anhydride, nadic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride or 3-hydroxyphthalic anhydride.
  • the end-capping agent introduced into the resin can be obtained, for example, by dissolving the resin into which the end-capping agent is introduced in an acidic solution and decomposing it into an amine component and an acid component, which are constituent units of the resin, and then performing gas chromatography. It can be easily detected by (GC) or NMR measurement. It can also be easily detected by detecting the resin into which the end-capping agent has been introduced by pyrolysis gas chromatograph (PGC), infrared spectrum or 13 CNMR spectrum measurement.
  • PPC pyrolysis gas chromatograph
  • the weight average molecular weight (hereinafter, “Mw”) of polyimide, polyimide precursor, polybenzoxazole, polybenzoxazole precursor, polyamideimide or polyamideimide precursor used for forming the organic thin film (II) is gel permeation chromatography. It is preferably 5000 to 200000 in terms of polystyrene measured by graphy (hereinafter referred to as “GPC”). By setting Mw within the above range, coating characteristics and solubility in a developing solution when forming a pattern are improved.
  • the cardo resin used for forming the organic thin film (II) a cured product of an epoxy compound or an acrylic compound having a cardo structure or a polyester compound having a cardo structure is preferable.
  • the epoxy compound having a cardo structure include 9,9-bis (4-glycidyloxyphenyl) fluorene or 9,9-bis [4- (2-glycidyloxyethoxy) phenyl] fluorene.
  • acrylic compound having a cardo structure examples include 9,9-bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene, 9,9-bis [4- (2-methacryloyloxyethoxy) phenyl] fluorene, 9 , 9-bis [4- (3-acryloyloxy-2-hydroxypropoxy) phenyl] fluorene or 9,9-bis [4- (2- (3-acryloyloxy-2-hydroxypropoxy) ethoxy) phenyl] fluorene Can be mentioned.
  • Examples of the polyethersulfone used for forming the organic thin film (II) include “Sumika Excel PES 3600P”, “Sumika Excel PES 4100P”, and “Sumika Excel PES 4800P” (all manufactured by Sumitomo Chemical).
  • the phenol resin used for forming the organic thin film (II) can be obtained, for example, by reacting a phenol compound and an aldehyde compound in the presence of an alkaline catalyst and then alkoxylating a methylol group in a conventional manner under acidic conditions. it can.
  • Phenol compounds include phenol, p-cresol, m-cresol, o-cresol, 2,3-dimethylphenol, 2,4-dimethylphenol, 2,5-dimethylphenol, 2,6-dimethylphenol, 3,4 -Dimethylphenol or 3,5-dimethylphenol is preferred.
  • aldehyde compound examples include formalin, paraformaldehyde, acetaldehyde, benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, and chloroacetaldehyde, but two or more of these may be used.
  • the polyurethane used for forming the organic thin film (II) is preferably one obtained by the reaction of a polyfunctional isocyanate and a polyol.
  • the polyfunctional isocyanate include hexamethylene diisocyanate, 1,3-bis (isocyanatemethyl) benzene, 1,3-bis (isocyanatemethyl) cyclohexane, norbornene diisocyanate, naphthalene-1,5-disocyanate, and diphenylmethane-4,4.
  • polyol examples include ethylene glycol, propylene glycol, pentaerythritol, dipentaerythritol, 1,4-bis (2-hydroxyethoxy) benzene, 1-diisocyanate and toluene-2,4-diisocyanate.
  • 3-bis (2-hydroxyethoxy) benzene, 4,4′-bis (2-hydroxyethoxy) biphenyl, 2,2-bis (4- (2-hydroxyethoxy) phenyl) propane or bis (4 (2-hydroxyethoxy) phenyl) but methane may be used two or more of these.
  • Examples of the melamine resin used for forming the organic thin film (II) include a resin obtained by a reaction between melamine and formaldehyde.
  • the polyester used for forming the organic thin film (II) is obtained through, for example, a polyaddition reaction between a polyfunctional epoxy compound and a polyvalent carboxylic acid compound or a polyaddition reaction between a polyol compound and a dianhydride. Is preferable because it is easy to synthesize and has few side reactions.
  • a polyol compound since it is easy to introduce a radical polymerizable group and an aromatic ring, those obtained by a reaction between a polyfunctional epoxy compound and a radical polymerizable group-containing monobasic acid compound are preferable.
  • a polyfunctional epoxy compound is added in an amount of 1.01 to 2 equivalents relative to the polyvalent carboxylic acid compound for polymerization, and then a radical polymerizable group-containing monobasic acid compound is added to the terminal epoxy site, Examples include a method of adding an acid anhydride to the hydroxyl group to be generated.
  • Examples of a method of undergoing a polyaddition reaction between a polyol compound and a dianhydride include, for example, polymerizing a polyol compound and a dianhydride in an arbitrary ratio in the presence of a catalyst, and then forming a part of the generated carboxyl group.
  • the method of adding a radically polymerizable group containing epoxy compound is mentioned.
  • a polyol compound has a radically polymerizable group, it does not need to add a radically polymerizable group containing epoxy compound.
  • Examples of the catalyst used for the polyaddition reaction and the addition reaction include ammonium catalysts such as tetrabutylammonium acetate, amino catalysts such as 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol or dimethylbenzylamine, and triphenylphosphine. And a phosphorus catalyst such as acetylacetonate chromium or chromium chloride.
  • ammonium catalysts such as tetrabutylammonium acetate
  • amino catalysts such as 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol or dimethylbenzylamine
  • triphenylphosphine triphenylphosphine
  • a phosphorus catalyst such as acetylacetonate chromium or chromium chloride.
  • the polyfunctional epoxy compound is preferably a compound represented by the following general formula (5) in order to adjust the refractive index of a cured film or the like and improve chemical resistance.
  • R 11 and R 12 each independently represent hydrogen, an alkyl or cycloalkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or a group in which they are substituted, or R 11 And R 12 together represent a cycloalkyl group having 2 to 12 carbon atoms, an aromatic ring having 5 to 12 carbon atoms, or a group in which they are substituted, R 13 and R 14 each independently represent hydrogen, A C 2-12 alkyl group, a C 6-20 aryl group, or a group in which they are substituted, m and l each independently represents an integer of 0-10.
  • R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a phenyl group, a naphthyl group, an o-tolyl group or a biphenyl group, or a substituent shown below. Is mentioned.
  • R 11 and R 12 may form a cyclic structure, but the cyclic structure is preferably a 5- to 7-membered ring. Specific examples of the case where R 11 and R 12 form a cyclic structure include the following substituents.
  • Examples of the polyfunctional epoxy compound include the following compounds.
  • polyvalent carboxylic acid compound examples include succinic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, phthalic acid, terephthalic acid, isophthalic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, 2,2′-biphenyldicarboxylic acid or 4, 4'-biphenyldicarboxylic acid is exemplified, but phthalic acid, terephthalic acid, isophthalic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, 2,2'-biphenyldicarboxylic acid are used to improve chemical resistance and insulation properties of cured films and the like. Acid or 4,4′-biphenyldicarboxylic acid is preferred.
  • polyol compound examples include aliphatic alcohol compounds such as ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, glycerin, trimethylolpropane and pentaerythritol, 9,9-bis [4- (2-hydroxyethoxy) phenyl] fluorene, A compound obtained by reaction of a functional epoxy compound and a radical polymerizable group-containing monobasic acid compound or a compound obtained by reaction of a bisphenol compound represented by the following general formula (6) and a radical polymerizable group-containing epoxy compound, etc.
  • an aromatic alcohol compound is mentioned, an aromatic alcohol compound is preferable.
  • R ⁇ 11 >, R ⁇ 12> , R ⁇ 13> and R ⁇ 14 > in General formula (6) are the same as General formula (5).
  • dianhydride examples include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic acid Dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3 3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (2,3-dicarboxyphenyl) hexafluoro Propandioic anhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethanedioic anhydride, 1,1-bis (2,3-dicarboxyphenyl) e
  • Heptanetetracarboxylic dianhydride bicyclo [3.3.1. ] Tetracarboxylic dianhydride, bicyclo [3.1.1. ] Hept-2-enetetracarboxylic dianhydride, bicyclo [2.2.2. ]
  • Aliphatic tetracarboxylic dianhydrides such as octane tetracarboxylic dianhydride or adamantane tetracarboxylic dianhydride may be mentioned. In order to improve chemical resistance and insulation properties of cured films, etc.
  • Is pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride is preferred, and in order to improve the transparency of the cured film, cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclo Pentanetetracarboxylic dianhydride or cyclohexanetetracarboxylic dianhydride is preferred.
  • Examples of the radically polymerizable group-containing monobasic acid compound include (meth) acrylic acid, succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl), phthalic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl), tetrahydrophthal Examples include acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl) or p-hydroxystyrene.
  • radical polymerizable group-containing epoxy compound examples include glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -ethylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -n-propyl glycidyl (meth) acrylate, and ⁇ -n- (meth) acrylate.
  • acid anhydrides examples include succinic acid anhydride, maleic acid anhydride, itaconic acid anhydride, phthalic acid anhydride, trimellitic acid anhydride, pyromellitic acid monoanhydride, and 2,3-biphenyldicarboxylic acid anhydride. 3,4-biphenyldicarboxylic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, glutaric anhydride, 3-methylphthalic anhydride, norbornene dicarboxylic anhydride, cyclohexene dicarboxylic anhydride or 3-trimethoxysilylpropyl succinic acid Anhydrides are mentioned.
  • the acrylic resin used for forming the organic thin film (II) a carboxyl group-containing acrylic resin is preferable from the viewpoint of pattern processability, and at least a part of the ethylenically unsaturated double bond group is introduced. It is preferable in terms of film hardness.
  • a method for synthesizing the acrylic resin radical polymerization of a (meth) acrylic compound is exemplified.
  • the (meth) acrylic compound include a carboxyl group and / or an acid anhydride group-containing (meth) acrylic compound or other (meth) acrylic acid ester.
  • radical polymerization catalyst an azo compound such as azobisisobutyronitrile or an organic peroxide such as benzoyl peroxide is generally used.
  • the conditions for radical polymerization may be set as appropriate.
  • a carboxyl group and / or an acid anhydride group-containing (meth) acrylic compound, other (meth) acrylic acid ester and a radical polymerization catalyst are added, and bubbling or reduced pressure is added. It is preferable to carry out the reaction at 60 to 110 ° C. for 30 to 300 minutes after sufficiently purging the inside of the reaction vessel with nitrogen by degassing or the like.
  • an acid anhydride group-containing (meth) acrylic compound When used, it is preferable to add a theoretical amount of water and react at 30 to 60 ° C. for 30 to 60 minutes. Moreover, you may use chain transfer agents, such as a thiol compound, as needed.
  • Examples of (meth) acrylic compounds used in the synthesis of acrylic resins include (meth) acrylic acid, (meth) acrylic anhydride, itaconic acid, itaconic anhydride, succinic acid mono (2-acryloyloxyethyl), phthalate Acid mono (2-acryloyloxyethyl), tetrahydrophthalate mono (2-acryloyloxyethyl), methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, cyclopropyl (meth) acrylate , (Meth) acrylic acid cyclopentyl, (meth) acrylic acid cyclohexyl, (meth) acrylic acid cyclohexenyl, (meth) acrylic acid 4-methoxycyclohexyl, (meth) acrylic acid 2-cyclopropyloxycarbonylethyl, (meth) acrylic Acid 2-cyclopentyloxycarbo Ruethyl, 2-
  • (Meth) acrylic acid is more preferable, and isobonyl (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate or dicyclopentenyl (meth) acrylate is more preferable from the viewpoint of heat resistance.
  • the acrylic resin may be a copolymer of a (meth) acrylic compound and other unsaturated double bond-containing monomer.
  • unsaturated double bond-containing monomers include, for example, styrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, ⁇ -methylstyrene, p-hydroxystyrene, maleic anhydride, norbornene, norbornene dicarboxylic acid , Norbornene dicarboxylic acid anhydride, cyclohexene, butyl vinyl ether, butyl allyl ether, 2-hydroxyethyl vinyl ether, 2-hydroxyethyl allyl ether, cyclohexane vinyl ether, cyclohexane allyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl allyl ether, allyl Glycidyl ether, vinyl glycidyl ether,
  • an acrylic resin having an ethylenically unsaturated bond a carboxyl group and / or an acid anhydride group-containing (meth) acrylic compound, (meth) acrylic acid ester and / or other unsaturated double bond-containing monomer was radically polymerized. Thereafter, those obtained by addition reaction of an epoxy compound having an ethylenically unsaturated double bond group are preferred.
  • the catalyst used for the addition reaction include amino catalysts such as dimethylaniline, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol or dimethylbenzylamine, tin (II) 2-ethylhexanoate or dibutyltin laurate, etc.
  • tin catalysts such as titanium (IV) 2-ethylhexanoate, phosphorus catalysts such as triphenylphosphine, and chromium catalysts such as acetylacetonate chromium and chromium chloride.
  • Examples of the epoxy compound having an ethylenically unsaturated double bond group include glycidyl (meth) acrylate, ⁇ -ethylglycidyl (meth) acrylate, ⁇ -n-propylglycidyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic.
  • the Mw of the acrylic resin used for forming the organic thin film (II) is preferably 2000 to 200000 in terms of polystyrene measured by GPC. By setting Mw within the above range, coating characteristics and solubility in a developing solution when forming a pattern are improved.
  • the polysiloxane used for forming the organic thin film (II) preferably has a phenyl group or a naphthyl group from the viewpoint of storage stability of the coating liquid, and has an epoxy group or an amino group from the viewpoint of chemical resistance.
  • Those having a (meth) acrylic group or vinyl group are preferable from the viewpoint of curability, and those having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group are preferable from the viewpoint of pattern processability.
  • a method for synthesizing polysiloxane a method of hydrolytic condensation of an organosilane compound is common.
  • organosilane compound used for the synthesis of polysiloxane examples include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, octadecyltrimethoxysilane, octadecyltriethoxysilane, and phenyl.
  • the hydrolysis reaction conditions of the organosilane compound may be appropriately set. For example, after adding an acid catalyst and water to the organosilane compound in a solvent over 1 to 180 minutes, the reaction is performed at room temperature to 110 ° C. for 1 to 180 minutes. It is preferable to make it. By performing the hydrolysis reaction under such conditions, a rapid reaction can be suppressed.
  • the reaction temperature is preferably 30 to 105 ° C.
  • the hydrolysis reaction is preferably performed in the presence of an acid catalyst.
  • the acid catalyst an acidic aqueous solution containing formic acid, acetic acid or phosphoric acid is preferable.
  • the content of these acid catalysts is preferably 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the total organosilane compound used during the hydrolysis reaction. By making content of an acid catalyst into the said range, it can control easily so that a hydrolysis reaction may progress sufficiently and necessary.
  • As conditions for the condensation reaction it is preferable to obtain a silanol compound by hydrolysis of an organosilane compound, and then heat the reaction solution as it is at 50 ° C. to the boiling point of the solvent for 1 to 100 hours. In order to increase the degree of polymerization of the polysiloxane, reheating or a base catalyst may be added.
  • an appropriate amount of the produced alcohol or the like may be distilled and removed by heating and / or decompression as necessary, and an optional solvent may be added thereafter.
  • the Mw of the polysiloxane used for forming the organic thin film (II) is preferably 1000 to 100,000 in terms of polystyrene measured by GPC. By setting Mw within the above range, coating characteristics and solubility in a developing solution when forming a pattern are improved.
  • the organic thin film (II) preferably contains metal oxide particles.
  • the refractive index of the organic thin film (II) can be adjusted to a desired range.
  • the number average particle diameter of the metal oxide particles is preferably 1 to 200 nm, and more preferably 1 to 70 nm in order to obtain a cured film having a high transmittance.
  • the number average particle diameter of the metal oxide particles can be measured with a transmission electron microscope.
  • the metal oxide particles those having a high refractive index by themselves are preferable, and more specifically, titanium oxide particles such as titanium oxide particles and barium titanate particles, or zirconium oxide particles such as zirconium oxide particles are preferable. .
  • the metal oxide particles can be pulverized or dispersed using a disperser such as a bead mill by procuring appropriate nanoparticle powder.
  • a disperser such as a bead mill by procuring appropriate nanoparticle powder.
  • commercially available nanoparticle powders include T-BTO-020RF (barium titanate; manufactured by Toda Kogyo Co., Ltd.), UEP-100 (zirconium oxide; manufactured by Daiichi Rare Element Chemical Co., Ltd.) or STR-100N. (Titanium oxide; manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.). It can also be procured as a dispersion.
  • silicon oxide-titanium oxide particles examples include “OPTRAIK” (registered trademark) TR-502, “OPTRAIK” TR-503, “OPTRAIK” TR-504, “OPTRAIK” TR-513, “OPTRAIK” “TR-520", “Optlake” TR-527, “Optlake” TR-528, “Optlake” TR-529, “Optlake” TR-544 or “Optlake” TR-550 Kogyo Co., Ltd.).
  • the content of the metal oxide particles is generally about 1 to 75 wt% in the solid content of the resin composition.
  • the solid content concentration of the resin composition used for forming the organic thin film (II) is preferably 0.1 to 10 wt% because the film thickness can be easily controlled.
  • the resin composition forming the organic thin film (II) may be a photosensitive resin composition, or may be either a positive type or a negative type.
  • a quinonediazide compound is preferable as a component imparting photosensitivity.
  • a mixture of a quinonediazide compound and an alkali-soluble resin forms a positive type by exposure and alkali development.
  • the quinonediazide compound a compound in which naphthoquinonediazidesulfonic acid is ester-bonded to a compound having a phenolic hydroxyl group is preferable. The compound which has a substituent represented by these is used.
  • R 15 to R 17 may be the same or different and each represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a carboxyl group, a phenyl group or a substituted phenyl group, or R 15 and R 16 , R 15 And R 17 may form a ring with R 16 and R 17 .
  • R 15 to R 17 may be the same or different and each is a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, a carboxyl group, a phenyl group, or a substituted phenyl group. Indicates one of the following. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group, n-heptyl group, and n-octyl group.
  • R 15 and R 16 , and R 15 and R 17 by R 16 and R 17 include a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, an adamantane ring, and a fluorene ring.
  • the quinonediazide compound can be synthesized by a known esterification reaction between a compound having a phenolic hydroxyl group and naphthoquinonediazidesulfonic acid chloride.
  • Examples of the compound having a phenolic hydroxyl group include the following compounds (manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.).
  • a 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound or a 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound depending on the wavelength to be exposed.
  • a mixture of 4-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound and 5-naphthoquinone diazide sulfonic acid ester compound may be used.
  • the molecular weight of the naphthoquinone diazide compound is preferably 300 to 1500, and more preferably 350 to 1200. If the molecular weight of the naphthoquinone diazide compound is greater than 1500, pattern formation may not be possible with an addition amount of 4 to 10 wt%. On the other hand, when the molecular weight of the naphthoquinone diazide compound is less than 300, the colorless transparency may be lowered.
  • the photosensitive resin composition is a negative type
  • a photopolymerization initiator and a polyfunctional monomer are preferable as the component imparting photosensitivity.
  • the photopolymerization initiator that is a component imparting photosensitivity is preferably one that decomposes and / or reacts with light (including ultraviolet rays and electron beams) to generate radicals.
  • Examples of the photopolymerization initiator that decomposes and / or reacts with light to generate radicals include 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-dimethylamino- 2- (4-Methylbenzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone -1,2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethyl Pentyl)
  • ⁇ -aminoalkylphenone compounds acylphosphine oxide compounds, oxime ester compounds, benzophenone compounds having amino groups, or benzoic acid ester compounds having amino groups are preferred.
  • Examples of the ⁇ -aminoalkylphenone compound include 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropan-1-one, 2-dimethylamino-2- (4-methylbenzyl) -1- (4-morpholin-4-yl-phenyl) -butan-1-one or 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1.
  • acylphosphine oxide compound examples include 2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, or bis (2,6-dimethoxybenzoyl)-(2 , 4,4-trimethylpentyl) -phosphine oxide.
  • oxime ester compounds include 1-phenyl-1,2-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,2-octanedione, 1- [4- (phenylthio) -2- (O— Benzoyloxime)], 1-phenyl-1,2-butadion-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenylpropanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime or ethanone, 1- [9- And ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9H-carbazol-3-yl]-, 1- (0-acetyloxime).
  • benzophenone compound having an amino group examples include 4,4-bis (dimethylamino) benzophenone and 4,4-bis (diethylamino) benzophenone.
  • benzoic acid ester compound having an amino group examples include ethyl p-dimethylaminobenzoate, 2-ethylhexyl-p-dimethylaminobenzoate, and ethyl p-diethylaminobenzoate.
  • polyfunctional monomer that is a component imparting photosensitivity examples include diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, and trimethylol.
  • Dimethylol-tricyclodecane diacrylate, dimethylol-tricyclodecane dimethacrylate, ethoxylated bisphenol A diacrylate or 9,9-bis [4- (2-acryloyloxyethoxy) Phenyl] fluorene are preferred.
  • polyfunctional monomers include, for example, epoxy (meth) acrylates obtained by reacting polyfunctional epoxy compounds with (meth) acrylic acid.
  • examples of the polyfunctional epoxy compound include the following compounds.
  • Examples of the method for forming the silicon oxide thin film (III) of the present invention include dry process methods such as sputtering, vacuum deposition (electron beam method), ion plating (IP method), and CVD (chemical vapor deposition). Or wet process methods, such as SOG (Spin on Glass), are mentioned. Among these, the CVD method is preferable because a thin film with few defects can be formed at a relatively low temperature.
  • a transparent adhesive thin film (IV) having a refractive index of 1.46 to 1.52 is preferably laminated on the upper surface of the silicon oxide thin film (III) (FIG. 3).
  • the substrate of the present invention is a substrate having a portion where the transparent adhesive thin film (IV) having a refractive index of 1.46 to 1.52 is laminated on the upper surface of the silicon oxide thin film (III). preferable. Since the refractive index of the transparent adhesive thin film (IV) is 1.46 to 1.52, the reflection of light on the upper surface of the silicon oxide thin film (III) can be controlled, and the ITO pattern visibility can be further reduced. Can do.
  • the transparent adhesive thin film (IV) makes it difficult to break the substrate and at the same time allows bonding with another substrate.
  • the transparent adhesive thin film (IV) refers to a thin film formed with a transparent adhesive.
  • the transparent adhesive refers to a material that transmits light and has adhesiveness.
  • the film thickness of the transparent adhesive thin film (IV) is preferably 1 to 200 ⁇ m from the viewpoint of adhesiveness and transparency.
  • Adhesive strength of a transparent adhesive (adhesive strength measured in accordance with JIS Z0237 (2000)), the adhesive strength is obtained by pressing a sample having a thickness of 0.05 mm and a width of 25 mm to a glass plate, and 90 ° direction , Measured at 200 mm / min) is preferably 3 to 100 N / 25 mm.
  • the transmittance of the transparent adhesive is preferably 90% or more in terms of the total line transmittance (according to JIS K7361-1) per 1 ⁇ m thickness from the viewpoint of the appearance of the touch panel.
  • thermosetting transparent adhesive examples include a thermosetting adhesive and a UV curable adhesive.
  • thermosetting transparent adhesive having a refractive index of 1.46 to 1.52 examples include an alkyl (meth) acrylate having 1 to 20 carbon atoms, a (meth) acrylate having a hydroxyl group and / or a carboxyl group (meta )
  • UV curable transparent adhesive having a refractive index of 1.46 to 1.52 examples include, as a main component, a monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate monomer and / or oligomer, and a photopolymerization initiator, A UV curable pressure sensitive adhesive may be mentioned.
  • OCA Optical Cler Adhesive
  • OCR Optical Cler Adhesive Resin
  • UV curable type used for bonding various substrates together.
  • the common name of the pressure-sensitive adhesive can be used.
  • a transparent adhesive thin film (IV) formed from the above transparent adhesives the adhesive which commercial multifunctional films, such as a scattering prevention film, comprise can be used.
  • Examples of commercially available OCA materials that can form the transparent adhesive thin film (IV) include 8171CL, 8172CL, 8146-1 or 8146-2 (all manufactured by Sumitomo 3M Limited), CS9622T, CS9621T, or CS9070. (All manufactured by Nitto Denko Corporation), TE-9000, TE-7000, TE-8500 or DA-5000H (Hitachi Chemical Co., Ltd.) or MO-3010 or MO-T010 (all of which are Lintec Corporation) )).
  • Examples of commercially available OCR materials that can form a transparent adhesive thin film (IV) include XV-SV-B1 or XV-7811 (both manufactured by Panasonic Corporation), UVP-1003, UVP-1100, UVP-7100 or UVP-7000 (both manufactured by Toagosei Co., Ltd.).
  • Examples of commercially available multifunctional films with a transparent adhesive that can be made into a transparent adhesive thin film (IV) include, for example, HA-110, HA-115, HA-116, or HA-, which are widely used as anti-scattering films. 203 (all manufactured by Lintec Corporation) or HC1100F-BP or HC2120F-BP (all manufactured by DIC Corporation).
  • a substrate having a portion in which thin films are laminated in the order of an ITO thin film (I), an organic thin film (II), and a silicon oxide thin film (III) from the top surface of the transparent base substrate is a substrate.
  • the ITO thin film (I), the organic thin film (II), and the silicon oxide thin film (III) in that order are the substrates on which the thin films are laminated. That is, such a region only needs to exist in a part of the substrate (cross section).
  • a substrate having a portion in which a transparent adhesive thin film (IV) having a refractive index of 1.46 to 1.52 is laminated on the upper surface of a silicon oxide thin film (III) is an ITO in a cross section of the substrate.
  • the thin film (I), the organic thin film (II), the silicon oxide thin film (III), and the transparent adhesive thin film (IV) are ordered in that order. Such a region may be present even in a part of the substrate (cross section).
  • substrate of this invention has the site
  • substrate of the structure of FIG. 2 can function as a capacitive touch panel.
  • the substrate of the present invention includes, for example, touch panels such as a resistive touch panel and a capacitive touch panel, and a TFT substrate. It is preferable to use the substrate of the present invention for a capacitive touch panel, It is more preferable to use the integrated capacitive touch panel. Since the touch panel produced by the substrate of the present invention has low visibility of the ITO pattern, the appearance of the terminal can be improved.
  • Synthesis Example 2 Synthesis of Polyimide (P1) 16.5 g (0.045 mol) of BAHF was dissolved in 250 g of N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter “NMP”) under a dry nitrogen stream. To this, 15.5 g (0.05 mol) of 3,3 ′, 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride (manac Co., Ltd .; hereinafter referred to as “ODPA”) was added together with 50 g of NMP. Stir at 0 ° C. for 2 hours. Thereafter, 1.09 g (0.01 mol) of 3-aminophenol (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) was added, and stirring was continued at 40 ° C.
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • ODPA 4,4′-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride
  • Synthesis Example 3 Synthesis of Polyimide Precursor (P2) Under a dry nitrogen stream, 25.7 g (0.043 mol) of the hydroxyl group-containing diamine compound obtained in Synthesis Example 1 and 0.62 g (0.0025 mol) of 1 , 3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (hereinafter “SiDA”) was dissolved in 200 g of NMP. 15.5 g (0.05 mol) of ODPA was added thereto together with 50 g of NMP, and the mixture was stirred at 40 ° C. for 2 hours.
  • SiDA 3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane
  • the resulting solution was added dropwise so that the internal temperature did not exceed 0 ° C. After completion of the dropwise addition, stirring was continued at ⁇ 15 ° C. for 6 hours. After completion of the reaction, the solution was poured into 2 L of water containing 10 wt% of methanol, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. Further, it was washed with 2 L of water three times, and the collected polymer solid was dried with a vacuum dryer at 50 ° C. for 72 hours to obtain a polyhydroxyamide resin.
  • Synthesis Example 5 Synthesis of Polyamideimide Precursor (P4) 19.22 g (96.0 mmol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether (manufactured by Wakayama Seika Kogyo Co., Ltd.), 0.99 g (nitrogen-substituted atmosphere) 4.0 mmol) SiDA and 10.1 g (100.0 mmol) triethylamine (manufactured by Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.) were dissolved in 200 g NMP.
  • 20.63 g (98.0 mmol) of trimellitic anhydride chloride dissolved in 80 g of NMP was added dropwise. After completion of the dropwise addition, the liquid temperature was adjusted to 30 ° C. and stirred for 4 hours for reaction.
  • the obtained polymerization solution was put into 2 L of ion exchange water, separated by filtration, and washed again with pure water to obtain a polyamideimide acid precursor (P4) powder.
  • Synthesis Example 7 Synthesis of Polysiloxane Solution (P6) In a 500 mL flask, 47.67 g (0.35 mol) methyltrimethoxysilyl, 39.66 g (0.20 mol) phenyltrimethoxysilane, 82.04 g (0 .35 mol) of ⁇ -acryloylpropyltrimethoxysilane, 26.23 (0.1 mol) of 3-trimethoxysilylpropyl succinic anhydride and 195.6 g of diacetone alcohol (hereinafter “DAA”), An aqueous solution of phosphoric acid in which 0.39 g of phosphoric acid (0.2 parts by weight with respect to the charged monomer) was dissolved in 55.8 g of water (theoretical amount required for hydrolysis) was added dropwise while stirring in an oil bath.
  • DAA diacetone alcohol
  • Synthesis Example 8 Synthesis of polyester resin solution (P7) 148 g of 1,1-bis (4- (2,3-epoxypropyloxy) phenyl) -3-phenylindane, 47 g of acrylic acid, 1 g of tetrabutylammonium Acetate (hereinafter, “TBAA”), 2.0 g of tert-butylcatechol and 244 g of PGMEA were charged and stirred at 120 ° C. for 5 hours. After cooling to room temperature, 71 g of biphenyltetracarboxylic dianhydride and 1 g of TBAA were added and stirred at 110 ° C. for 3 hours.
  • TBAA tetrabutylammonium Acetate
  • Preparation Example 7 Preparation of Resin Composition (H7) A negative photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Preparation Example 5 except that “SZR-K” was used instead of the zirconia dispersion [2]. (H7) was obtained.
  • Preparation Example 14 Preparation of Resin Composition (H14) The same procedure as in Preparation Example 13 was carried out except that the polyimide precursor (P2) was used instead of the polyimide (P1), and a positive photosensitive resin composition ( H14) was obtained.
  • Preparation Example 15 Preparation of Resin Composition (H15) A positive photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Preparation Example 13 except that the polybenzoxazole precursor (P3) was used instead of the polyimide (P1). A product (H15) was obtained.
  • Preparation Example 17 Preparation of Resin Composition (H17) A positive photosensitive resin composition (H17) was prepared in the same manner as in Preparation Example 13 except that CR-TR5 was used instead of polyimide (P1). Obtained.
  • Preparation Example 18 Preparation of Resin Composition (H18) A positive photosensitive resin composition (H18) was prepared in the same manner as in Preparation Example 13 except that polyester resin (P7) was used instead of polyimide (P1). )
  • Preparation Example 19 Preparation of Resin Composition (H19) 0.998 g of polyimide precursor (P2), 5.70 g of EL, 13.10 g of GBL, and 0.2000 g of PGMEA 1 wt% solution of BYK-333 were added. And stirred until dissolved. Subsequently, it filtered with a 0.45 micrometer filter and obtained the non-photosensitive resin composition (H19).
  • Preparation Example 20 Preparation of Resin Composition (H20) The same operation as Preparation Example 18 was performed except that the polybenzoxazole precursor (P3) was used instead of the polyimide precursor (P2), and a non-photosensitive resin composition was prepared. A product (H20) was obtained.
  • Preparation Example 21 Preparation of Resin Composition (H21) The same operation as in Preparation Example 18 was performed, except that the polyamideimide precursor (P4) was used instead of the polyimide precursor (P2), and a non-photosensitive resin composition was prepared. A product (H21) was obtained.
  • Preparation Example 22 Preparation of Resin Composition (H22) The same operation as in Preparation Example 18 was performed except that the polyester resin (P7) was used instead of the polyimide precursor (P2), and a non-photosensitive resin composition ( H22) was obtained.
  • Preparation Example 23 Preparation of Resin Composition (H23) The same operation as in Preparation Example 19 was performed except that polyethersulfone "Sumika Excel 3600P" (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) was used instead of the polyimide precursor (P2). And a non-photosensitive resin composition (H23) was obtained.
  • Preparation Example 24 Preparation of Resin Composition (H24) Similar to Preparation Example 19 except that phenol resin “Resitop PSF-2808” (manufactured by Gunei Chemical Industry Co., Ltd.) was used instead of polyimide precursor (P2). Operation was performed to obtain a non-photosensitive resin composition (H24).
  • Table 1 summarizes the compositions of the resin compositions obtained in Preparation Examples 1 to 29.
  • solid content concentration in Table 1 means “solid content (of all raw materials added in each preparation example” relative to “weight of resin composition (including solvent) obtained in each preparation example”. In other words, the ratio of the “total weight (without solvent)” is expressed as a weight concentration (wt%).
  • Table 2 shows the configurations and results of Examples 1 to 41 and Comparative Examples 1 to 5.
  • Example 1 Production of ITO pattern After sputtering a 50 nm thick ITO film on a 1.1 mm thick chemically strengthened glass substrate, a positive photoresist (OFPR-800; manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) is applied to a spin coater ( After spin coating using 1H-360S (manufactured by Mikasa Co., Ltd.), it was prebaked at 100 ° C. for 2 minutes using a hot plate (SCW-636; manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.).
  • a positive photoresist OFPR-800; manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
  • 1H-360S manufactured by Mikasa Co., Ltd.
  • the obtained pre-baked film was exposed to 1000 J / m 2 through a mask with a gap of 100 ⁇ m using PLA (Parallel Light Aligner) as an ultrahigh pressure mercury lamp as a light source. Thereafter, using an automatic developing apparatus (AD-2000; manufactured by Takizawa Sangyo Co., Ltd.), shower development is performed for 90 seconds with an aqueous 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide (hereinafter “TMAH”) solution, and then for 30 seconds with water. Rinse and pattern processing.
  • TMAH aqueous 2.38 wt% tetramethylammonium hydroxide
  • the ITO is etched with an HCl-HNO 3 -based etching solution, the photoresist is removed with a stripping solution, and the first electrode and a portion of the second electrode orthogonal thereto are patterned (FIGS. 1 to 3).
  • a glass substrate having the symbol 2) was prepared (corresponding to a in FIG. 1).
  • silicon oxide thin film (III) Using a high-speed plasma CVD film forming apparatus (PD-270STL; manufactured by Samco Co., Ltd.), silicon oxide thin film (III) (as shown in FIGS. 2 and 3) using tetraethoxysilane as a raw material. 6) was formed. At that time, mask film formation was performed so that the patterns of the silicon oxide thin film (III) and the organic thin film (II) overlapped. The film thickness of the silicon oxide thin film (III) was 0.5 ⁇ m.
  • Discolored area ratio of MAM under the cured film is 1 to 3%. No change in the appearance of the cured film itself. 8: MAM discoloration area ratio under the cured film is 4 to 6%. No change in the appearance of the cured film itself. 7: The MAM discoloration area ratio under the cured film is 7 to 9%. No change in the appearance of the cured film itself. 6: The MAM discolored area ratio under the cured film is 10 to 15%. No change in the appearance of the cured film itself. 5: Discolored area ratio of MAM under the cured film is 16 to 20%. No change in the appearance of the cured film itself. 4: The discolored area ratio of MAM under the cured film is 21 to 30%. No change in the appearance of the cured film itself.
  • the ratio of the discolored area of MAM under the cured film is 31 to 50%. No change in the appearance of the cured film itself.
  • 2 The MAM discolored area ratio under the cured film was 51 to 70%. No change in the appearance of the cured film itself.
  • 1 The discolored area ratio of MAM under the cured film is 71 to 100%. No change in the appearance of the cured film itself.
  • 0 100% of the discolored area ratio of MAM under the cured film. In addition, discoloration and cracks occur in the cured film itself.
  • Example 2 With the configuration shown in Table 2, a substrate was fabricated by the same method as in Example 1 and evaluated. However, in the steps of forming the organic thin film (II), in Examples 9 and 10 and Examples 12 to 16, a 2.38 wt% TMAH aqueous solution was used as a developing solution.
  • Example 19 A substrate was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the configuration shown in Table 2 and the formation of the organic thin film (II) were performed according to the following procedure.
  • a cellophane tape is applied in advance to the portion where the organic thin film (II) is not formed at the edge of the glass substrate obtained in (3), and then the resin compositions (H19) to (H26) obtained in Preparation Examples 19 to 26 are used.
  • prebaking was performed at 90 ° C. for 2 minutes using a hot plate. Thereafter, the cellophane tape was peeled off.
  • curing was performed at 230 ° C. in air for 1 hour to prepare a cured film (reference numeral 5 in FIG. 2) having a film thickness of 0.10 ⁇ m corresponding to the organic thin film (II).
  • Example 27 (1) Production of ITO pattern An ITO pattern was produced on a PET substrate having a thickness of 0.2 mm by the same method as in Example 1. However, a bar coater was used for applying the photoresist, an oven was used for pre-baking, and a 5 wt% oxalic acid aqueous solution was used for the etchant.
  • Transparent base substrate 2 ITO thin film (I) 3: Insulating film 4: MAM wiring 5: Organic thin film (II) 6: Silicon oxide thin film (III) 7: Transparent adhesive thin film (IV) 8: A sufficiently wide region where the ITO thin film (I), the organic thin film (II), and the silicon oxide thin film (III) are laminated.
  • the substrate of the present invention can be used for a resistive touch panel, a capacitive touch panel, a TFT substrate, or the like.

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Abstract

本発明は、塗布又は印刷等の簡易技術を用いた、コスト的、プロセス的負荷の少ない手法によりＩＴＯパターン視認性の低いＩＴＯを具備した基板を提供すること。該基板を用いたタッチパネル部材を提供することを目的とする。本発明は、透明下地基板の上面から、（Ｉ）ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）薄膜、（ＩＩ）膜厚が０．０１μｍ～０．４μｍであり、膜厚が０．０１μｍ～１０μｍである、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）、の順に薄膜が積層されている部位を有する基板を提供する。

Description

基板及びそれを用いたタッチパネル部材
　本発明は、基板及びそれを用いたタッチパネル部材に関する。
　近年、スマートフォンやタブレット端末の普及と共にタッチパネルが注目を集めている。このタッチパネルの課題の一つとして、センサー形成に用いられるＩｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ（以下、「ＩＴＯ」）のパターンの視認による端末の外観悪化、すなわち、ＩＴＯのパターン視認性の問題が挙げられる。また、最近では端末の軽量化や薄型化の要求が強まり、例えばカバーガラスの裏面側にセンサーを形成することで、ガラス数を削減する方式等が検討されている（特許文献１）。しかしながらカバーガラス一体型と呼ばれるこの方式の場合、従来のセンサーガラス／カバーガラス分離型の方式より、端末の最表面からＩＴＯパターンまでの距離が短くなり、ＩＴＯのパターン視認性の問題がより顕著となった。
　液晶表示装置用のＩＴＯのパターン視認性を低減する代表的な技術としては、ＩＴＯの上部又は下部に絶縁層薄膜を形成し、界面反射を低減する技術が開発されている（特許文献２～４）。また、タッチパネル用のＩＴＯのパターン視認性を低減する技術としてはＮｂ２Ｏ３とＳｉＯ２の薄膜をアンダーコート層又はトップコート層として設ける技術が開発されている（特許文献５及び６）。
特開２００９－３０１７６７号公報 特開平１－２０５１２２号公報 特開平６－０３３０００号公報 特開平８－２４０８００号公報 特開２０１０－１５２８０９号公報 特開２０１０－０８６６８４公報
　しかしながら、従来の液晶表示装置用の技術をタッチパネル用に転用することは、タッチパネルの構造上の制約から、不可能又は困難である。また、従来のタッチパネル用の技術は、確かにＩＴＯのパターン視認性を低減することができるが、複数の層を真空プロセスで形成しなければならないため、コスト的な負荷が大きいものである。
　そこで本発明は、タッチパネルのＩＴＯのパターン視認性を低減しながら、作製時のコスト的又はプロセス的負荷を抑制可能である、基板を提供することを目的とする。
　本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討を行った結果、透明下地基板の上面から、ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、膜厚が０．０１～０．４μｍであり、屈折率が１．５８～１．８５である、有機系薄膜（ＩＩ）、膜厚が０．０１～１０μｍである、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）、の順に薄膜が積層されている部位を有する、基板が、タッチパネルのＩＴＯのパターン視認性の問題を、顕著に改善可能であることを見出した。
　すなわち、本発明は、以下の構成をとるものである。
［１］
　透明下地基板の上面から、
　ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、
　膜厚が０．０１～０．４μｍであり、屈折率が１．５８～１．８５である、有機系薄膜（ＩＩ）、
　膜厚が０．０１～１０μｍである、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）、の順に薄膜が積層されている部位を有する、基板。
［２］
　前記酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の上面に、屈折率が１．４６～１．５２である、透明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されている部位を有する、［１］記載の基板。
［３］
　前記有機系薄膜（ＩＩ）は、金属酸化物粒子を含有する、［１］又は［２］記載の基板。
［４］
　前記有機系薄膜（ＩＩ）は、ポリイミド、カルド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、フェノール樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリウレタン及びポリエステルからなる群から選択される樹脂を含有する、［１］～［３］のいずれか一項記載の基板。
［５］
　前記有機系薄膜（ＩＩ）は、カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有する、［１］～［４］のいずれか一項記載の基板。
［６］
　前記有機系薄膜（ＩＩ）は、ポリイミド前駆体、ポリアミドイミド前駆体及びポリベンゾオキサゾール前駆体からなる群から選択される前駆体を含む樹脂組成物を用いて形成される、［１］～［５］のいずれか一項記載の基板。
［７］
　前記透明下地基板は、強化ガラス基板である、［１］～［６］のいずれか一項記載の基板。
［８］
　［１］～［７］のいずれか一項記載の基板を用いた、タッチパネル部材。
　本発明の基板によれば、タッチパネルにおけるＩＴＯのパターン視認性を顕著に低減することができ、かつ、ＩＴＯが有機系薄膜で保護されているためタッチパネルの耐久性を向上させることができる。また、本発明の基板は、コスト的又はプロセス的負荷の少ない方法で製造することができる。
ＩＴＯパターン、透明絶縁膜及びモリブデン／アルミニウム／モリブデン配線の作製の過程を示す概略図である。 本発明の基板の断面を示す概略図である。 透明粘着薄膜（ＩＶ）を具備する本発明の基板の断面を示す概略図である。
　本発明の基板は、透明下地基板の上面から、ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、膜厚が０．０１～０．４μｍであり、屈折率が１．５８～１．８５である、有機系薄膜（ＩＩ）、膜厚が０．０１～１０μｍである、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）、の順に薄膜が積層されている部位を有することを特徴とする。
　膜厚が異なる有機系薄膜（ＩＩ）と酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）との組み合わせにより、下層に形成されているＩＴＯ薄膜（Ｉ）の上部界面及び下部界面での反射光を弱めることができ、ＩＴＯのパターン視認性を低減することができる。
　ここで有機系薄膜とは、１以上の有機成分を含有する薄膜をいう。
　なお、本明細書において「～」で範囲を示してあるものはすべて、その両境界の数値を含むことを意味する。
　有機系薄膜（ＩＩ）の膜厚及び屈折率がそれぞれ０．０１～０．４μｍ及び１．５８～１．８５であり、かつその上面に膜厚が０．０１～１０μｍである酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）を具備することにより、有機系薄膜（ＩＩ）の上部界面及び下部界面での反射光の位相及び強度を制御でき、上述のようにＩＴＯ薄膜（Ｉ）の上部界面及び下部界面での反射光を弱め、ＩＴＯのパターン視認性を低減することができる。有機系薄膜（ＩＩ）の膜厚が０．０１μｍを下回ったり、０．４μｍを上回ると、位相を制御しにくくなるためパターン視認性の低減効果は得にくくなる。有機系薄膜（ＩＩ）の屈折率が１．５８を下回ったり、１．８５を上回ると、反射光の強度を制御できなくなり、パターン視認性の低減効果は得にくくなる。
　酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の膜厚が０．０１～１０μｍであることにより、下部界面の反射光（すなわち、有機系薄膜（ＩＩ）の上部界面の反射光）の強度を制御することができる。また、同時にＩＴＯ薄膜（Ｉ）を含む下地金属を保護することができるため、タッチパネル用途において、タッチパネルの信頼性を向上させることができる。酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の膜厚が０．０１μｍを下回ると、上部界面の反射光が影響するためパターン視認性の低減効果は得にくくなり、さらに下地金属を保護する機能が得られない。１０μｍを上回ると、わずかな歪でクラックが入りやすくなり、タッチパネルの信頼性及び外観を損ねることとなる。
　ここで、本明細書において「屈折率」とは、波長６３３ｎｍの光の屈折率をいう。屈折率は、膜厚が１μｍ以上の場合はプリズムカップラ、膜厚が１μｍ以下の場合はエリプソメトリにより測定することができる。
　また、本明細書において膜厚とは、ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、有機系薄膜（ＩＩ）、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）が積層されている、十分に広い領域（例えば、図２や図３であれば、符号８の領域）での膜の厚みをいう。膜厚は、触針式段差計により測定することができる。
　本発明の基板の下地となる、透明下地基板の素材としては、光を透過する機能を有していれば特に制限はないが、厚み０．１ｍｍ当たりの全線透過率（ＪＩＳ　Ｋ７３６１－１準拠）が８０％以上のものが好ましく、例えば、ガラス、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリイミド又はシクロオレフィンポリマーが挙げられる。中でも、透明性の観点から、ガラス、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート又はシクロオレフィンポリマーが好ましく、耐熱性や耐薬品性の観点から、ガラスがより好ましい。
　ガラスとしては、例えば、アルカリガラス、無アルカリガラス、熱強化ガラス又は化学強化ガラスが挙げられるが、タッチパネルのカバーガラスとして広く用いられている強化ガラス、すなわち、熱強化ガラス又は化学強化ガラスが好ましい。強化ガラスとは表面に圧縮応力層を形成したガラスをいう。圧縮応力層の圧縮応力は４００～２０００ＭＰａ、圧縮応力層の厚みは１０～７０μｍが一般的である。
　アクリル樹脂としては、ポリメタクリル酸メチルが好ましい。
　ポリエステル樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリブチレンテレフタレートが好ましい。
　ポリカーボネートとしては、ビスフェノールＡとホスゲンとの重縮合によって得られる樹脂が好ましい。
　ポリイミドとしては、脂肪族カルボン酸二無水物及び／又は脂肪族ジアミンをモノマーとする樹脂が、透明性の観点から好ましい。
　シクロオレフィンポリマーとしては、例えば、シクロヘキセン若しくはノルボルネン又はそれらの誘導体を、付加重合又は開環メタセシス重合させて得られたものが好ましい。
　本発明の基板は、透明下地基板の上面にＩＴＯ薄膜（Ｉ）を有する。ＩＴＯ薄膜は、タッチパネルの透明導電膜として用いられる。ＩＴＯ薄膜の形成方法としては、容易に低抵抗な薄膜が得られ、精密な膜厚制御が可能なことから、スパッタリング法が好ましい。ＩＴＯ薄膜（Ｉ）の膜厚は、１～２００ｎｍが好ましい。
　ＩＴＯ薄膜（Ｉ）の上面には、さらに有機系薄膜（ＩＩ）及び酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）が積層されている。酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）は、タッチパネルを傷や湿気等から保護する、保護膜としての機能を併せ持ち、歩留まり及び信頼性を向上させることができる。有機系薄膜（ＩＩ）の膜厚は、０．０５～０．２μｍが好ましく、０．０７～０．１２μｍがより好ましい。有機系薄膜（ＩＩ）の屈折率は、１．６０～１．７５が好ましく、１．６３～１．７０がより好ましい。酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の膜厚は、０．０５～５μｍが好ましく、０．２～２μｍがより好ましい。
　有機系薄膜（ＩＩ）は、屈折率が１．５８～１．８５の樹脂、その他の樹脂及び金属酸化物粒子の複合体として形成されることが好ましい。有機系薄膜（ＩＩ）の形成方法としては、樹脂組成物を調製して塗布又は印刷技術により加工する方法が、コスト的及びプロセス的負荷が小さく好ましい。調製した樹脂組成物の塗布に用いる装置としては、例えば、スピンコーティング、ディップコーティング、カーテンフローコーティング、スプレーコーティング若しくはスリットコーティング等の全面塗布装置又はスクリーン印刷、ロールコーティング、マイクログラビアコーティング若しくはインクジェット等の印刷装置が挙げられる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いる樹脂としては、例えば、ポリイミド、カルド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリウレタン又はポリエステルが挙げられるが、樹脂成分のみでも屈折率を１．５８～１．８５の範囲に調整しやすいことから、ポリイミド、カルド樹脂、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン又はポリウレタンが好ましく、ＩＴＯとの密着性が高いことから、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール又はポリアミドイミドがより好ましい。また、透過率の観点からは、アクリル樹脂又はポリシロキサンが好ましい。さらに、カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基といったアルカリ可溶性基を有する樹脂も好ましい。アルカリ可溶性基を有することにより、感光性樹脂組成物のベース樹脂とすることができ、簡便なパターン加工が可能となる。
　以上から、有機系薄膜（ＩＩ）は、ポリイミド、カルド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、フェノール樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリウレタン及びポリエステルからなる群から選択される樹脂を含有することが好ましい。
　また、有機系薄膜（ＩＩ）は、カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有する樹脂を含有することが好ましい。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成にポリイミドを用いる場合には、ポリイミド前駆体をＩＴＯ薄膜（Ｉ）を有する透明下地基板に塗布した後、脱水閉環反応によってポリイミドの薄膜を形成することが、塗液の保存安定性、樹脂の溶解性及びアルカリ可溶性基の導入容易性から好ましい。ここでポリイミド前駆体としては、例えば、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミド又はポリイソイミドが挙げられる。テトラカルボン酸残基とジアミン残基とを有するポリアミド酸は、テトラカルボン酸又は対応するテトラカルボン酸二無水物若しくはテトラカルボン酸ジエステルジクロリドと、ジアミン又は対応するジイソシアネート化合物若しくはトリメチルシリル化ジアミンとを反応させて得ることができる。ポリイミドは、ポリアミド酸を加熱処理又は酸や塩基等での化学処理により脱水閉環して得ることができる。より具体的には、ｍ－キシレン等の水と共沸する溶媒を加えて加熱処理しても構わないし、弱酸性のカルボン酸化合物を加えて１００℃以下の低温で加熱処理しても構わない。上記の化学処理に用いられる閉環触媒としては、例えば、カルボン酸無水物若しくはジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤又はトリエチルアミン等の塩基が挙げられる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成にポリベンゾオキサゾールを用いる場合には、ポリベンゾオキサゾール前駆体をＩＴＯ薄膜（Ｉ）を有する透明下地基板に塗布した後、脱水閉環反応によってポリベンゾオキサゾールの薄膜を形成することが、塗液の保存安定性、樹脂の溶解性及びアルカリ可溶性基の導入容易性から好ましい。ポリベンゾオキサゾール前駆体としては、例えば、ポリヒドロキシアミド、ポリアミノアミド、ポリアミド又はポリアミドイミドが挙げられるが、ポリヒドロキシアミドが好ましい。ジカルボン酸残基とビスアミノフェノール残基とを有するポリヒドロキシアミドは、ビスアミノフェノールと、ジカルボン酸又は対応するジカルボン酸クロリド若しくはジカルボン酸活性エステル等を反応させて得ることができる。ポリベンゾオキサゾールは、ポリヒドロキシアミドを、加熱処理又は化学処理により脱水閉環して得ることができる。より具体的には、ｍ－キシレン等の水と共沸する溶媒を加えて加熱処理しても構わないし、酸性化合物を加えて２００℃以下の低温で加熱処理しても構わない。上記の化学処理に用いられる閉環触媒としては、例えば、無水リン酸、塩基又はカルボジイミド化合物が挙げられる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成にポリアミドイミドを用いる場合には、ポリアミドイミド前駆体をＩＴＯ薄膜（Ｉ）を有する透明下地基板に塗布した後、脱水閉環反応によってポリアミドイミドの薄膜を形成することが、塗液の保存安定性、樹脂の溶解性及びアルカリ可溶性基の導入容易性から好ましい。トリカルボン酸残基とジアミン残基を有するポリアミドイミド前駆体は、トリカルボン酸又はその誘導体と、ジアミン又はこれに対応するジイソシアネート化合物とを重合して得ることができる。ポリアミドイミドは、ポリイミドをポリイミド前駆体から得るのと同様の方法で得ることができる。
　したがって、本発明においては、有機系薄膜（ＩＩ）は、ポリイミド前駆体、ポリアミドイミド前駆体及びポリベンゾオキサゾール前駆体からなる群から選択される前駆体を含む樹脂組成物を用いて形成されることが好ましい。ポリイミド前駆体、ポリアミドイミド前駆体及びポリベンゾオキサゾール前駆体からなる群から選択される前駆体を含む樹脂組成物を用いて、有機系薄膜（ＩＩ）を形成することによって、有機系薄膜（ＩＩ）に、ポリイミド、カルド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、フェノール樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリウレタン及びポリエステルからなる群から選択される樹脂を効率的に含有せしめることができる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド又はポリアミドイミド前駆体は、下記一般式（１）～（４）から選択される１以上の式で表される構造単位を有することが好ましい。また、これらの構造単位を有する２種以上の樹脂を含有しても構わないし、２種以上の構造単位を共重合したものであっても構わない。有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド又はポリアミドイミド前駆体は、一般式（１）～（４）から選択される１以上の式で表される構造単位を、樹脂の構造単位中５０ｍｏｌ％以上有することが好ましく、７０ｍｏｌ％以上有することがより好ましく、９０ｍｏｌ％以上有することがさらに好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　一般式（１）～（４）中、複数のＲ１、Ｒ２及びＲ８はそれぞれ同じでも異なってもよく、炭素数２以上の２～８価の有機基を示す。複数のＲ７は炭素数２以上の４～８価の有機基を示す。複数のＲ３及びＲ４はそれぞれ同じでも異なってもよく、フェノール性水酸基若しくはカルボキシル基又はそれらがアルキル化された基を示す。複数のＲ５、Ｒ６、Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ同じでも異なってもよく、水素原子、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基及び炭素数１～２０の１価の有機基より選択される基である。Ｙは末端基を示す。ｎは１０～１００００の範囲であり、ｒ、ｓ及びｑは０～６の整数、ｐ、ｍ及びｌはそれぞれ０～４の整数を示す。
　一般式（１）～（４）中、Ｒ１（Ｒ３）ｍ（Ｒ５）ｒ（ＣＯ）２はジ－、トリ－又はテトラ－カルボン酸残基を示し、Ｒ７（Ｒ９）ｐ（ＣＯ）４はテトラカルボン酸残基（以下、これらをあわせて「酸残基」という）を示す。
　また、これらの酸残基に対応する酸成分を重合時に用いることによって、これらの酸残基を構造単位に含ませることができる。例えば、Ｒ１（Ｒ３）ｍ（Ｒ５）ｒ（ＣＯＯＨ）２又はＲ７（Ｒ９）ｐ（ＣＯＯＨ）４といった酸成分を重合時に用いることによって、Ｒ１（Ｒ３）ｍ（Ｒ５）ｒ（ＣＯ）２又はＲ７（Ｒ９）ｐ（ＣＯ）４といった酸残基を構造単位に含ませることができる。
　Ｒ１（Ｒ３）ｍ（Ｒ５）ｒ（ＣＯＯＨ）２及びＲ７（Ｒ９）ｐ（ＣＯＯＨ）４を構成する酸成分としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス（カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸若しくはトリフェニルジカルボン酸等のジカルボン酸、トリメリット酸、トリメシン酸、ジフェニルエーテルトリカルボン酸若しくはビフェニルトリカルボン酸等のトリカルボン酸あるいはピロメリット酸、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２’，３，３’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，１－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エタン、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）スルホン、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸若しくは３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸等の芳香族テトラカルボン酸又はブタンテトラカルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸、ビシクロ［２．２．１．］ヘプタンテトラカルボン酸、ビシクロ［３．３．１．］テトラカルボン酸、ビシクロ［３．１．１．］ヘプト－２－エンテトラカルボン酸、ビシクロ［２．２．２．］オクタンテトラカルボン酸若しくはアダマタンテトラカルボン酸等の脂肪族テトラカルボン酸が挙げられる。また、酸残基の好ましい構造としては、例えば、下記のような構造又はこれら構造における１～４個の水素原子を炭素数１～２０のアルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシル基、エステル基、ニトロ基、シアノ基、フッ素原子若しくは塩素原子により置換した構造が挙げられる。
　これらの酸は、そのまま、又は、酸無水物、酸クロリド若しくは活性エステルとして使用できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　ただし、Ｊは直接結合、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＨ２－、－Ｃ２Ｈ４－、－Ｏ－、－Ｃ３Ｈ６－、－ＳＯ２－、－Ｓ－、－Ｓｉ（ＣＨ３）２－、－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ３）２－Ｏ－、－Ｃ６Ｈ４－、－Ｃ６Ｈ４－Ｏ－Ｃ６Ｈ４－、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ３Ｈ６－Ｃ６Ｈ４－又は－Ｃ６Ｈ４－Ｃ３Ｆ６－Ｃ６Ｈ４－を示す。
　また、ジメチルシランジフタル酸又は１，３－ビス（フタル酸）テトラメチルジシロキサン等のシリコン原子含有テトラカルボン酸を用いることにより、透明下地基板に対する接着性や、洗浄等に用いられる酸素プラズマ、ＵＶオゾン処理に対する耐性を高めることができる。これらシリコン原子含有のジカルボン酸又はテトラカルボン酸は、全酸成分の１～３０ｍｏｌ％用いることが好ましい。
　一般式（１）～（４）中、Ｒ２（Ｒ４）ｌ（Ｒ６）ｓ（Ｎ－）２及びＲ８（Ｒ１０）ｑ（Ｎ－）２はジアミン残基又はビスアミノフェノール残基（以下、これらをあわせて「アミン残基」という）を示す。
　また、これらのアミン残基に対応するジアミン成分又はビスアミノフェノール成分を重合時に用いることによって、これらのアミン残基を構造単位に含ませることができる。例えば、Ｒ２（Ｒ４）ｌ（Ｒ６）ｓ（ＮＨ２）２又はＲ８（Ｒ１０）ｑ（ＮＨ２）２といったジアミン成分又はビスアミノフェノール成分を重合時に用いることによって、Ｒ２（Ｒ４）ｌ（Ｒ６）ｓ（Ｎ－）２及びＲ８（Ｒ１０）ｑ（Ｎ－）２といったアミン残基を構造単位に含ませることができる。
　Ｒ２（Ｒ４）ｌ（Ｒ６）ｓ（ＮＨ２）２及びＲ８（Ｒ１０）ｑ（ＮＨ２）２を構成するジアミン成分並びにビスアミノフェノール成分（以下、これらをあわせて「ジアミン成分」という）としては、例えば、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）メチレン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシ）ビフェニル若しくはビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）フルオレン等のヒドロキシル基含有ジアミン、３，５－ジアミノ安息香酸若しくは３－カルボキシ－４，４’－ジアミノジフェニルエーテル等のカルボキシル基含有ジアミン、３－スルホン酸－４，４’－ジアミノジフェニルエーテル等のスルホン酸含有ジアミン又はジチオヒドロキシフェニレンジアミン、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，４’－ジアミノジフェニルスルヒド、４，４’－ジアミノジフェニルスルヒド、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、ベンジン、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－フェニレンジアミン、１，５－ナフタレンジアミン、２，６－ナフタレンジアミン、ビス（４－アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス｛４－（４－アミノフェノキシ）フェニル｝エーテル、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジエチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’，３，３’－テトラメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’，４，４’－テトラメチル－４，４’－ジアミノビフェニル若しくは２，２’－ジ（トリフルオロメチル）－４，４’－ジアミノビフェニルあるいはこれらの芳香族環の水素原子の一部をアルキル基又はハロゲン原子で置換した化合物や、シクロヘキシルジアミン又はメチレンビスシクロヘキシルアミン等の脂肪族ジアミンが挙げられる。さらにこれらのジアミンは、メチル基、エチル基等の炭素数１～１０のアルキル基、トリフルオロメチル基等の炭素数１～１０のフルオロアルキル基、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ等の１以上の基で置換されていても構わない。耐熱性が要求される用途では、芳香族ジアミンを全ジアミン成分の５０ｍｏｌ％以上使用することが好ましい。また、アミン残基の好ましい構造としては、例えば、下記のような構造又はこれら構造における１～４個の水素原子を炭素数１～２０のアルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシル基、エステル基、ニトロ基、シアノ基、フッ素原子若しくは塩素原子により置換した構造が挙げられる。
　これらのジアミンは、そのまま、又は、対応するジイソシアネート化合物若しくはトリメチルシリル化ジアミンとして使用できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　ただし、Ｊは直接結合、－ＣＯＯ－、－ＣＯＮＨ－、－ＣＨ２－、－Ｃ２Ｈ４－、－Ｏ－、－Ｃ３Ｈ６－、－ＳＯ２－、－Ｓ－、－Ｓｉ（ＣＨ３）２－、－Ｏ－Ｓｉ（ＣＨ３）２－Ｏ－、－Ｃ６Ｈ４－、－Ｃ６Ｈ４－Ｏ－Ｃ６Ｈ４－、－Ｃ６Ｈ４－Ｃ３Ｈ６－Ｃ６Ｈ４－又は－Ｃ６Ｈ４－Ｃ３Ｆ６－Ｃ６Ｈ４－を示す。
　また、ジアミン成分として、１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン又は１，３－ビス（４－アニリノ）テトラメチルジシロキサン等のシリコン原子含有ジアミンを用いることにより、透明下地基板に対する接着性や、洗浄等に用いられる酸素プラズマ、ＵＶオゾン処理に対する耐性を高めることができる。これらシリコン原子含有ジアミンは、全ジアミン成分の１～３０ｍｏｌ％用いることが好ましい。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いる樹脂組成物の保存安定性を向上させるため、主鎖末端を、モノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物又はモノ活性エステル化合物等の末端封止剤で封止することが好ましい。末端封止剤として用いられるモノアミンの導入割合は、全アミン成分に対して０．１～６０ｍｏｌ％が好ましく、５～５０ｍｏｌ％がより好ましい。末端封止剤として用いられる酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物又はモノ活性エステル化合物の導入割合は、ジアミン成分に対して０．１～１００ｍｏｌ％が好ましく、５～９０ｍｏｌ％がより好ましい。なお、複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入しても構わない。
　モノアミンとしては、アニリン、２－エチニルアニリン、３－エチニルアニリン、４－エチニルアニリン、５－アミノ－８－ヒドロキシキノリン、１－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－４－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－カルボキシ－７－アミノナフタレン、１－カルボキシ－６－アミノナフタレン、１－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－カルボキシ－７－アミノナフタレン、２－カルボキシ－６－アミノナフタレン、２－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－アミノ安息香酸、３－アミノ安息香酸、４－アミノ安息香酸、４－アミノサリチル酸、５－アミノサリチル酸、６－アミノサリチル酸、２－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノベンゼンスルホン酸、４－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノ－４，６－ジヒドロキシピリミジン、２－アミノフェノール、３－アミノフェノール、４－アミノフェノール、２－アミノチオフェノール、３－アミノチオフェノール又は４－アミノチオフェノールが好ましい。また、これらを２種以上用いても構わない。
　酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物又はモノ活性エステル化合物としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸無水物、シクロヘキサンジカルボン酸無水物若しくは３－ヒドロキシフタル酸無水物等の酸無水物、３－カルボキシフェノール、４－カルボキシフェノール、３－カルボキシチオフェノール、４－カルボキシチオフェノール、１－ヒドロキシ－７－カルボキシナフタレン、１－ヒドロキシ－６－カルボキシナフタレン、１－ヒドロキシ－５－カルボキシナフタレン、１－メルカプト－７－カルボキシナフタレン、１－メルカプト－６－カルボキシナフタレン、１－メルカプト－５－カルボキシナフタレン、３－カルボキシベンゼンスルホン酸若しくは４－カルボキシベンゼンスルホン酸等のモノカルボン酸類又はこれらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、テレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、１，５－ジカルボキシナフタレン、１，６－ジカルボキシナフタレン、１，７－ジカルボキシナフタレン若しくは２，６－ジカルボキシナフタレン等のジカルボン酸類の一方のカルボキシル基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物あるいはモノ酸クロリド化合物とＮ－ヒドロキシベンゾトリアゾール若しくはＮ－ヒドロキシ－５－ノルボルネン－２，３－ジカルボキシイミドとの反応により得られる活性エステル化合物が好ましい。また、これらを２種以上用いても構わない。
　樹脂中に導入された末端封止剤は、例えば、末端封止剤が導入された樹脂を酸性溶液に溶解し、樹脂の構成単位であるアミン成分と酸成分に分解してから、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）又はＮＭＲ測定することにより容易に検出できる。また、末端封止剤が導入された樹脂を熱分解ガスクロマトグラフ（ＰＧＣ）、赤外スペクトル又は１３ＣＮＭＲスペクトル測定で検出することによっても容易に検出できる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド又はポリアミドイミド前駆体の重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」）で測定されるポリスチレン換算で、５０００～２０００００であることが好ましい。Ｍｗを上記範囲とすることで、塗布特性及びパターン形成する際の現像液への溶解性が良好となる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるカルド樹脂としては、カルド構造を有するエポキシ化合物若しくはアクリル化合物の硬化物又はカルド構造を有するポリエステル化合物が好ましい。カルド構造を有するエポキシ化合物としては、例えば、９，９－ビス（４－グリシジロキシフェニル）フルオレン又は９，９－ビス［４－（２－グリシジロキシエトキシ）フェニル］フルオレンが挙げられる。カルド構造を有するアクリル化合物としては、例えば、９，９－ビス［４－（２－アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９－ビス［４－（２－メタクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９－ビス［４－（３－アクリロイルオキシ－２－ヒドロキシプロポキシ）フェニル］フルオレン又は９，９－ビス［４－（２－（３－アクリロイルオキシ－２－ヒドロキシプロポキシ）エトキシ）フェニル］フルオレンが挙げられる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるポリエーテルスルホンとしては、例えば、「スミカエクセルＰＥＳ　３６００Ｐ」、「スミカエクセルＰＥＳ　４１００Ｐ」又は「スミカエクセルＰＥＳ　４８００Ｐ」（いずれも住友化学製）が挙げられる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるフェノール樹脂は、例えば、フェノール化合物とアルデヒド化合物とをアルカリ性触媒の存在下で反応させた後、酸性下にて常法でメチロール基をアルコキシ化して得ることができる。フェノール化合物としては、フェノール、ｐ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｏ－クレゾール、２，３－ジメチルフェノール、２，４－ジメチルフェノール、２，５－ジメチルフェノール、２，６－ジメチルフェノール、３，４－ジメチルフェノール又は３，５－ジメチルフェノールが好ましい。また、アルデヒド化合物としては、例えば、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド又はクロロアセトアルデヒドが挙げられるが、これらを２種以上用いても構わない。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるポリウレタンは、多官能イソシアネートとポリオールとの反応により得られるものが好ましい。多官能イソシアネートとしては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、１，３－ビス（イソシアネートメチル）ベンゼン、１，３－ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサン、ノルボルネンジイソシアネート、ナフタレン－１，５－ジソシアナート、ジフェニルメタン－４，４‘－ジイソシアネート又はトルエン－２，４－ジイソシアネ－トが挙げられ、ポリオールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４－ビス（２－ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、１，３－ビス（２－ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（２－ヒドロキシエトキシ）ビフェニル、２，２－ビス（４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル）プロパン又はビス（４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル）メタンが挙げられるが、これらを２種以上用いても構わない。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるメラミン樹脂としては、例えば、メラミンとホルムアルデヒドとの反応により得られる樹脂が挙げられる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるポリエステルとしては、例えば、多官能エポキシ化合物と多価カルボン酸化合物との重付加反応、又は、ポリオール化合物と二酸無水物との重付加反応、を経て得られるものが、合成が容易であり、副反応が少ないため、好ましい。ポリオール化合物としては、ラジカル重合性基及び芳香環を導入し易いため、多官能エポキシ化合物とラジカル重合性基含有一塩基酸化合物との反応により得られるものが好ましい。
　多官能エポキシ化合物と多価カルボン酸化合物との重付加反応を経る方法としては、例えば、触媒存在下、多価カルボン酸化合物を多官能エポキシ化合物に対して１．０１～２当量加えて重合させた後、末端のカルボン酸部位にラジカル重合性基含有エポキシ化合物を付加させ、生成する水酸基に酸無水物を付加させる方法が挙げられる。また、触媒存在下、多官能エポキシ化合物を多価カルボン酸化合物に対して１．０１～２当量加えて重合させた後、末端のエポキシ部位にラジカル重合性基含有一塩基酸化合物を付加させ、生成する水酸基に酸無水物を付加させる方法が挙げられる。
　ポリオール化合物と二酸無水物との重付加反応を経る方法としては、例えば、触媒存在下、ポリオール化合物と二酸無水物とを任意の比率で重合させた後、生成するカルボキシル基の一部にラジカル重合性基含有エポキシ化合物を付加させる方法が挙げられる。なお、ポリオール化合物がラジカル重合性基を有する場合には、ラジカル重合性基含有エポキシ化合物を付加させなくとも構わない。
　重付加反応及び付加反応に用いる触媒としては、例えば、テトラブチルアンモニウムアセテート等のアンモニウム系触媒、２，４，６－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール若しくはジメチルベンジルアミン等のアミノ系触媒、トリフェニルホスフィン等のリン系触媒又はアセチルアセトネートクロム若しくは塩化クロム等のクロム系触媒が挙げられる。
　多官能エポキシ化合物としては、硬化膜等の屈折率の調整及び耐薬品性を向上させるため、下記一般式（５）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
（Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立して、水素、炭素数１～１２のアルキル基若しくはシクロアルキル基、炭素数６～２０のアリール基又はそれらが置換された基を表すか、あるいは、Ｒ１１及びＲ１２が一緒になって、炭素数２～１２のシクロアルキル基、炭素数５～１２の芳香環又はそれらが置換された基を表す。Ｒ１３及びＲ１４はそれぞれ独立して、水素、炭素数２～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基又はそれらが置換された基を表す。ｍ及びｌはそれぞれ独立して、０～１０の整数を表す。）
　Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、ｏ－トリル基若しくはビフェニル基又は以下に示す置換基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　また、Ｒ１１及びＲ１２は環状構造を形成しても構わないが、環状構造は５～７員環が好ましい。Ｒ１１及びＲ１２が環状構造を形成する場合の具体例として、以下に示す置換基が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　多官能エポキシ化合物としては、例えば、以下に示す化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　多価カルボン酸化合物としては、例えば、コハク酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、２，２’－ビフェニルジカルボン酸又は４，４’－ビフェニルジカルボン酸が挙げられるが、硬化膜等の耐薬品性及び絶縁性を向上させるため、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、２，２’－ビフェニルジカルボン酸又は４，４’－ビフェニルジカルボン酸が好ましい。
　ポリオール化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン若しくはペンタエリスリトール等の脂肪族アルコール化合物、９，９－ビス［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］フルオレン、多官能エポキシ化合物とラジカル重合性基含有一塩基酸化合物との反応により得られる化合物又は下記一般式（６）で表されるビスフェノール化合物とラジカル重合性基含有エポキシ化合物との反応により得られる化合物等の芳香族アルコール化合物が挙げられるが、芳香族アルコール化合物が好ましい。なお、一般式（６）におけるＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、一般式（５）と同じである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　二酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸二酸無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二酸無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二酸無水物、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二酸無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二酸無水物、２，２’，３，３’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二酸無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二酸無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二酸無水物、１，１－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エタン二酸無水物、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタン二酸無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メタン二酸無水物、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）メタン二酸無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）スルホン二酸無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エーテル二酸無水物、１，２，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二酸無水物、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸二酸無水物、２，３，５，６－ピリジンテトラカルボン酸二酸無水物若しくは３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二酸無水物等の芳香族テトラカルボン酸二酸無水物、ブタンテトラカルボン酸二酸無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二酸無水物、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸二酸無水物、シクロヘキサンテトラカルボン酸二酸無水物、ビシクロ［２．２．１．］ヘプタンテトラカルボン酸二酸無水物、ビシクロ［３．３．１．］テトラカルボン酸二酸無水物、ビシクロ［３．１．１．］ヘプト－２－エンテトラカルボン酸二酸無水物、ビシクロ［２．２．２．］オクタンテトラカルボン酸二酸無水物又はアダマタンテトラカルボン酸二酸無水物等の脂肪族テトラカルボン酸二酸無水物が挙げられるが、硬化膜等の耐薬品性及び絶縁性を向上させるためには、ピロメリット酸二酸無水物、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二酸無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二酸無水物又は２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二酸無水物が好ましく、硬化膜等の透明性を向上させるためには、シクロブタンテトラカルボン酸二酸無水物、１，２，３，４－シクロペンタンテトラカルボン酸二酸無水物又はシクロヘキサンテトラカルボン酸二酸無水物が好ましい。
　ラジカル重合性基含有一塩基酸化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸、コハク酸モノ（２－（メタ）アクリロイルオキシエチル）、フタル酸モノ（２－（メタ）アクリロイルオキシエチル）、テトラヒドロフタル酸モノ（２－（メタ）アクリロイルオキシエチル）又はｐ－ヒドロキシスチレンが挙げられる。
　ラジカル重合性基含有エポキシ化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸α－エチルグリシジル、（メタ）アクリル酸α－ｎ－プロピルグリシジル、（メタ）アクリル酸α－ｎ－ブチルグリシジル、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシブチル、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシヘプチル、（メタ）アクリル酸α－エチル－６，７－エポキシヘプチル、ブチルビニルエーテル、ブチルアリルエーテル、２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、２－ヒドロキシエチルアリルエーテル、シクロヘキサンビニルエーテル、シクロヘキサンアリルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルアリルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、２，３－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，４－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，５－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，６－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，３，４－トリグリシジルオキシメチルスチレン、２，３，５－トリグリシジルオキシメチルスチレン、２，３，６－トリグリシジルオキシメチルスチレン、３，４，５－トリグリシジルオキシメチルスチレン又は２，４，６－トリグリシジルオキシメチルスチレンが挙げられる。
　酸無水物としては、例えば、コハク酸無水物、マレイン酸無水物、イタコン酸無水物、フタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸一無水物、２，３－ビフェニルジカルボン酸無水物、３，４－ビフェニルジカルボン酸無水物、ヘキサヒドロフタル酸無水物、グルタル酸無水物、３－メチルフタル酸無水物、ノルボルネンジカルボン酸無水物、シクロヘキセンジカルボン酸無水物又は３－トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物が挙げられる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるアクリル樹脂としては、カルボキシル基含有アクリル樹脂がパターン加工性の観点から好ましく、少なくとも一部にエチレン性不飽和二重結合基が導入されていることが、硬化膜硬度の点で好ましい。アクリル樹脂の合成方法としては、（メタ）アクリル化合物のラジカル重合が挙げられる。（メタ）アクリル化合物としては、例えば、カルボキシル基及び／又は酸無水物基含有（メタ）アクリル化合物あるいはその他の（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。ラジカル重合の触媒としては、アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物又は過酸化ベンゾイル等の有機過酸化物が一般的に用いられる。ラジカル重合の条件は適宜設定すればよいが、溶媒中、カルボキシル基及び／又は酸無水物基含有（メタ）アクリル化合物、その他の（メタ）アクリル酸エステル及びラジカル重合触媒を添加し、バブリングや減圧脱気等によって反応容器内を十分に窒素置換したのち、６０～１１０℃で３０～３００分反応させることが好ましい。酸無水物基含有（メタ）アクリル化合物を用いた場合には、理論量の水を加え３０～６０℃で３０～６０分反応させることが好ましい。また、必要に応じてチオール化合物等の連鎖移動剤を用いても構わない。
　アクリル樹脂の合成に用いる（メタ）アクリル化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸無水物、イタコン酸、イタコン酸無水物、こはく酸モノ（２－アクリロイルオキシエチル）、フタル酸モノ（２－アクリロイルオキシエチル）、テトラヒドロフタル酸モノ（２－アクリロイルオキシエチル）、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸シクロプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペンチル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸シクロヘキセニル、（メタ）アクリル酸４－メトキシシクロヘキシル、（メタ）アクリル酸２－シクロプロピルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２－シクロペンチルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２－シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２－シクロヘキセニルオキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸２－（４－メトキシシクロヘキシル）オキシカルボニルエチル、（メタ）アクリル酸ノルボルニル、（メタ）アクリル酸イソボニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル、（メタ）アクリル酸テトラシクロデカニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸アダマンチルメチル、（メタ）アクリル酸１－メチルアダマンチル、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸α－エチルグリシジル、（メタ）アクリル酸α－ｎ－プロピルグリシジル、（メタ）アクリル酸α－ｎ－ブチルグリシジル、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシブチル、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシヘプチル、（メタ）アクリル酸α－エチル－６，７－エポキシヘプチル又はベンジルメタクリレートが挙げられるが、現像性の観点から、（メタ）アクリル酸がより好ましく、耐熱性の観点から、（メタ）アクリル酸イソボニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカニル又は（メタ）アクリル酸ジシクロペンテニルがより好ましい。
　また、アクリル樹脂は、（メタ）アクリル化合物と、その他の不飽和二重結合含有モノマーとの共重合体であっても構わない。その他の不飽和二重結合含有モノマーとしては、例えば、スチレン、ｐ－メチルスチレン、ｏ－メチルスチレン、ｍ－メチルスチレン、α－メチルスチレン、ｐ－ヒドロキシスチレン、無水マレイン酸、ノルボルネン、ノルボルネンジカルボン酸、ノルボルネンジカルボン酸無水物、シクロヘキセン、ブチルビニルエーテル、ブチルアリルエーテル、２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、２－ヒドロキシエチルアリルエーテル、シクロヘキサンビニルエーテル、シクロヘキサンアリルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルアリルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、２，３－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，４－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，５－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，６－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，３，４－トリグリシジルオキシメチルスチレン、２，３，５－トリグリシジルオキシメチルスチレン、２，３，６－トリグリシジルオキシメチルスチレン、３，４，５－トリグリシジルオキシメチルスチレン又は２，４，６－トリグリシジルオキシメチルスチレンが挙げられるが、硬化膜の耐湿熱性が向上し、かつＩＴＯ等の金属の腐食耐性が向上するため、スチレンが好ましい。
　エチレン性不飽和結合を有するアクリル樹脂としては、カルボキシル基及び／又は酸無水物基含有（メタ）アクリル化合物、（メタ）アクリル酸エステル及び／又はその他の不飽和二重結合含有モノマーをラジカル重合したのち、エチレン性不飽和二重結合基を有するエポキシ化合物を付加反応して得られるものが好ましい。付加反応に用いる触媒としては、例えば、ジメチルアニリン、２，４，６－トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール若しくはジメチルベンジルアミン等のアミノ系触媒、２－エチルヘキサン酸スズ（ＩＩ）若しくはラウリン酸ジブチルスズ等のスズ系触媒、２－エチルヘキサン酸チタン（ＩＶ）等のチタン系触媒、トリフェニルホスフィン等のリン系触媒又はアセチルアセトネートクロム若しくは塩化クロム等のクロム系触媒が挙げられる。
　エチレン性不飽和二重結合基を有するエポキシ化合物としては、例えば、（メタ）アクリル酸グリシジル、（メタ）アクリル酸α－エチルグリシジル、（メタ）アクリル酸α－ｎ－プロピルグリシジル、（メタ）アクリル酸α－ｎ－ブチルグリシジル、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシブチル、（メタ）アクリル酸３，４－エポキシヘプチル、（メタ）アクリル酸α－エチル－６，７－エポキシヘプチル、ブチルビニルエーテル、ブチルアリルエーテル、２－ヒドロキシエチルビニルエーテル、２－ヒドロキシエチルアリルエーテル、シクロヘキサンビニルエーテル、シクロヘキサンアリルエーテル、４－ヒドロキシブチルビニルエーテル、４－ヒドロキシブチルアリルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、α－メチル－ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、２，３－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，４－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，５－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，６－ジグリシジルオキシメチルスチレン、２，３，４－トリグリシジルオキシメチルスチレン、２，３，５－トリグリシジルオキシメチルスチレン、２，３，６－トリグリシジルオキシメチルスチレン、３，４，５－トリグリシジルオキシメチルスチレン又は２，４，６－トリグリシジルオキシメチルスチレンが挙げられる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるアクリル樹脂のＭｗは、ＧＰＣで測定されるポリスチレン換算で、２０００～２０００００であることが好ましい。Ｍｗを上記範囲とすることで、塗布特性及びパターン形成する際の現像液への溶解性が良好となる。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるポリシロキサンとしては、塗液の保存安定性の観点から、フェニル基又はナフチル基を有するものが好ましく、耐薬品性の観点から、エポキシ基又はアミノ基を有するものが好ましく、硬化性の観点から、（メタ）アクリル基又はビニル基を有するものが好ましく、パターン加工性の観点から、カルボキシル基又はフェノール性水酸基を有するものが好ましい。ポリシロキサンの合成方法としては、オルガノシラン化合物を加水分解縮合する方法が一般的である。ポリシロキサンの合成に用いるオルガノシラン化合物としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、１－ナフチルトリメトキシシラン、２－ナフチルトリメトキシシラン、１－ナフチルトリエトキシシラン、２－ナフチルトリエトキシシラン、４－ヒドロキシフェニルトリメトキシシラン、４－ヒドロキシフェニルトリエトキシシラン、４－ヒドロキシベンジルトリメトキシシラン、４－ヒドロキシベンジルトリエトキシシラン、２－（４－ヒドロキシフェニル）エチルトリメトキシシラン、２－（４－ヒドロキシフェニル）エチルトリエトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン、３－（Ｎ，Ｎ－ジグリシジル）アミノプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－β－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、β－シアノエチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α－グリシドキシエチルトリメトキシシラン、α－グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β－グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β－グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、α－グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α－グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β－グリシドキシブチルトリメトキシシラン、β－グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ－グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ－グリシドキシブチルトリメトキシシラン、δ－グリシドキシブチルトリエトキシシラン、（３，４－エポキシシクロヘキシル）メチルトリメトキシシラン、（３，４－エポキシシクロヘキシル）メチルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリプロポキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリブトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリフェノキシシラン、３－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、３－（３，４－エポキシシクロヘキシル）プロピルトリエトキシシラン、４－（３，４－エポキシシクロヘキシル）ブチルトリメトキシシラン、４－（３，４－エポキシシクロヘキシル）ブチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－（２－アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α－グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α－グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β－グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β－グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、α－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、３－クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３－クロロプロピルメチルジエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルシリケート、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、３－トリメトキシシリルプロピオン酸、３－トリエトキシシリルプロピオン酸、３－ジメチルメトキシシリルプロピオン酸、３－ジメチルエトキシシリルプロピオン酸、４－トリメトキシシリル酪酸、４－トリエトキシシリル絡酸、４－ジメチルメトキシシリル絡酸、４－ジメチルエトキシシリル絡酸、５－トリメトキシシリル吉草酸、５－トリエトキシシリル吉草酸、５－ジメチルメトキシシリル吉草酸、５－ジメチルエトキシシリル吉草酸、３－トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物、３－トリエトキシシリルプロピルコハク酸無水物、３－ジメチルメトキシシリルプロピルコハク酸無水物、３－ジメチルエトキシシリルプロピルコハク酸無水物、３－トリメトキシシリルプロピルシクロヘキシルジカルボン酸無水物、３－トリエトキシシリルプロピルシクロヘキシルジカルボン酸無水物、３－ジメチルメトキシシリルプロピルシクロヘキシルジカルボン酸無水物、３－ジメチルエトキシシリルプロピルシクロヘキシルジカルボン酸無水物、３－トリメトキシシリルプロピルフタル酸無水物、３－トリエトキシシリルプロピルフタル酸無水物、３－ジメチルメトキシシリルプロピルフタル酸無水物、３－ジメチルエトキシシリルプロピルフタル酸無水物、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、アリルメチルジメトキシシラン、アリルメチルジエトキシシラン、スチリルトリメトキシシラン、スチリルトリエトキシシラン、スチリルメチルジメトキシシラン、スチリルメチルジエトキシシラン、γ－アクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ－アクリロイルプロピルトリエトキシシラン、γ－メタクリロイルプロピルトリメトキシシラン、γ－メタクリロイルプロピルトリエトキシシラン、γ－メタクリロイルプロピルメチルジメトキシシラン、γ－メタクリロイルプロピルメチルジエトキシシラン、γ－アクリロイルプロピルメチルジメトキシシラン又はγ－アクリロイルプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。
　オルガノシラン化合物の加水分解反応条件は適宜設定すればよいが、例えば、溶媒中、オルガノシラン化合物に酸触媒及び水を１～１８０分かけて添加した後、室温～１１０℃で１～１８０分反応させることが好ましい。このような条件で加水分解反応を行うことにより、急激な反応を抑制することができる。反応温度は、３０～１０５℃が好ましい。また、加水分解反応は、酸触媒の存在下で行うことが好ましい。酸触媒としては、蟻酸、酢酸又はリン酸を含む酸性水溶液が好ましい。これら酸触媒の含有量は、加水分解反応時に使用される全オルガノシラン化合物１００重量部に対して、０．１～５重量部が好ましい。酸触媒の含有量を上記範囲とすることで、加水分解反応が必要かつ十分に進行するよう容易に制御できる。縮合反応の条件としては、オルガノシラン化合物の加水分解反応によりシラノール化合物を得た後、反応液をそのまま５０℃～溶媒の沸点で１～１００時間加熱することが好ましい。また、ポリシロキサンの重合度を上げるために、再加熱又は塩基触媒を添加しても構わない。また、必要に応じて加水分解反応後に、生成アルコール等を加熱及び／又は減圧によって適量を留出、除去し、その後に任意溶媒を添加しても構わない。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いるポリシロキサンのＭｗは、ＧＰＣで測定されるポリスチレン換算で、１０００～１０００００であることが好ましい。Ｍｗを上記範囲とすることで、塗布特性及びパターン形成する際の現像液への溶解性が良好となる。
　有機系薄膜（ＩＩ）は、金属酸化物粒子を含有することが好ましい。金属酸化物粒子を含有することで、有機系薄膜（ＩＩ）の屈折率を所望の範囲に調整することができる。金属酸化物粒子の数平均粒子径は１～２００ｎｍであることが好ましく、透過率の高い硬化膜を得るためには、１～７０ｎｍであることがより好ましい。ここで金属酸化物粒子の数平均粒子径は、透過型電子顕微鏡により測定することができる。金属酸化物粒子としては、単体での屈折率が高いものが好ましく、より具体的には、酸化チタン粒子、チタン酸バリウム粒子等のチタン酸化物粒子又は酸化ジルコニウム粒子等のジルコニウム酸化物粒子が好ましい。
　金属酸化物粒子は適当なナノ粒子粉体を調達し、ビーズミル等の分散機を用いて粉砕又は分散することができる。市販品のナノ粒子粉体としては、例えば、Ｔ－ＢＴＯ－０２０ＲＦ（チタン酸バリウム；戸田工業株式会社製）、ＵＥＰ－１００（酸化ジルコニウム；第一稀元素化学工業株式会社製）又はＳＴＲ－１００Ｎ（酸化チタン；堺化学工業株式会社製）が挙げられる。また、分散体として調達することもできる。酸化ケイ素－酸化チタン粒子としては、例えば、“オプトレイク”（登録商標）ＴＲ－５０２、“オプトレイク”ＴＲ－５０３、“オプトレイク”ＴＲ－５０４、“オプトレイク”ＴＲ－５１３、“オプトレイク”ＴＲ－５２０、“オプトレイク”ＴＲ－５２７、“オプトレイク”ＴＲ－５２８、“オプトレイク”ＴＲ－５２９、“オプトレイク”ＴＲ－５４４又は“オプトレイク”ＴＲ－５５０（いずれも日揮触媒化成工業（株）製）が挙げられる。酸化ジルコニウム粒子としては、例えば、バイラールＺｒ－Ｃ２０（平均粒径＝２０ｎｍ；多木化学（株）製）、ＺＳＬ－１０Ａ（平均粒径＝６０－１００ｎｍ；第一稀元素株式会社製）、ナノユースＯＺ－３０Ｍ（平均粒径＝７ｎｍ；日産化学工業（株）製）、ＳＺＲ－Ｍ（堺化学（株）製）又は、ＨＸＵ－１２０ＪＣ（住友大阪セメント（株）製）が挙げられる。
　金属酸化物粒子の含有量は、樹脂組成物の固形分中１～７５ｗｔ％程度が一般的である。
　有機系薄膜（ＩＩ）の形成に用いる樹脂組成物の固形分濃度は、膜厚が制御し易いことから、０．１～１０ｗｔ％が好ましい。
　有機系薄膜（ＩＩ）を形成する樹脂組成物は、感光性樹脂組成物であっても構わないし、ポジ型又はネガ型のどちらであっても構わない。
　上記感光性樹脂組成物がポジ型の場合、感光性を付与する成分としては、キノンジアジド化合物が好ましい。キノンジアジド化合物とアルカリ可溶性樹脂との混合物は、露光及びアルカリ現像によってポジ型を形成する。キノンジアジド化合物としては、フェノール性水酸基を有する化合物にナフトキノンジアジドスルホン酸がエステル結合した化合物が好ましく、該化合物のフェノール性水酸基のオルト位、及びパラ位にそれぞれ独立して水素又は下記一般式（７）で表される置換基を有する化合物が用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　Ｒ１５～Ｒ１７はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、炭素数１～１０のアルキル基、カルボキシル基、フェニル基又は置換フェニル基のいずれかを示すか、あるいは、Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１５とＲ１７はＲ１６とＲ１７で環を形成しても構わない。
　一般式（７）で表される置換基において、Ｒ１５～Ｒ１７はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、炭素数１～１０の置換若しくは無置換アルキル基、カルボキシル基、フェニル基又は置換フェニル基のいずれかを示す。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、トリフルオロメチル基又は２－カルボキシエチル基が挙げられる。フェニル基の水素を置換する置換基としては、水酸基が挙げられる。また、Ｒ１５とＲ１６、Ｒ１５とＲ１７はＲ１６とＲ１７で形成される環としては、例えば、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、アダマンタン環又はフルオレン環が挙げられる。
　フェノール性水酸基のオルト位及びパラ位が水素又は一般式（７）で表される置換基以外の場合、熱硬化によって酸化分解が起こり、キノイド構造に代表される共役系化合物が形成され、硬化膜が着色して無色透明性が低下してしまう。なお、キノンジアジド化合物は、フェノール性水酸基を有する化合物と、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロリドとの公知のエステル化反応により合成することができる。
　フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる（本州化学工業（株）製）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　ナフトキノンジアジドスルホン酸としては、例えば、４－ナフトキノンジアジドスルホン酸又は５－ナフトキノンジアジドスルホン酸が挙げられる。４－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物はｉ線（波長３６５ｎｍ）領域に吸収を持つため、ｉ線露光に適している。また、５－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物は広範囲の波長領域に吸収が存在するため、広範囲の波長での露光に適している。露光する波長によって、４－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物又は５－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物を適宜選択することが好ましい。４－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物と５－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物とを混合して用いても構わない。
　ナフトキノンジアジド化合物の分子量は、３００～１５００が好ましく、３５０～１２００がより好ましい。ナフトキノンジアジド化合物の分子量が１５００より大きいと、４～１０ｗｔ％の添加量ではパターン形成ができなくなる可能性がある。一方、ナフトキノンジアジド化合物の分子量が３００より小さいと、無色透明性が低下する可能性がある。
　感光性樹脂組成物がネガ型の場合、感光性を付与する成分としては、光重合開始剤及び多官能モノマーが好ましい。
　感光性を付与する成分である光重合開始剤は、光（紫外線及び電子線を含む）により分解及び／又は反応し、ラジカルを発生させるものが好ましい。光により分解及び／又は反応し、ラジカルを発生させる光重合開始剤としては、例えば、２－メチル－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリン－４－イル－フェニル）－ブタン－１－オン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１、２，４，６－トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルフォスフィンオキサイド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－（２，４，４－トリメチルペンチル）－フォスフィンオキサイド、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１，２－オクタンジオン，１－［４－（フェニルチオ）－２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）］、１－フェニル－１，２－ブタジオン－２－（ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（０－アセチルオキシム）、４，４－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ｐ－ジメチルアミノ安息香酸エチル、２－エチルヘキシル－ｐ－ジメチルアミノベンゾエート、ｐ－ジエチルアミノ安息香酸エチル、ジエトキシアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、ベンジルジメチルケタール、１－（４－イソプロピルフェニル）－２－ヒドロキシ－２－メチルプロパン－１－オン、４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル－（２－ヒドロキシ－２－プロピル）ケトン、１－ヒドロキシシクロヘキシル－フェニルケトン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、ｏ－ベンゾイル安息香酸メチル、４－フェニルベンゾフェノン、４，４－ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、４－ベンゾイル－４’－メチル－ジフェニルサルファイド、アルキル化ベンゾフェノン、３，３’，４，４’－テトラ（ｔ－ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、４－ベンゾイル－Ｎ，Ｎ－ジメチル－Ｎ－［２－（１－オキソ－２－プロペニルオキシ）エチル］ベンゼンメタナミニウムブロミド、（４－ベンゾイルベンジル）トリメチルアンモニウムクロリド、２－ヒドロキシ－３－（４－ベンゾイルフェノキシ）－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－１－プロペンアミニウムクロリド一水塩、２－イソプロピルチオキサントン、２，４－ジメチルチオキサントン、２，４－ジエチルチオキサントン、２，４－ジクロロチオキサントン、２－ヒドロキシ－３－（３，４－ジメチル－９－オキソ－９Ｈ－チオキサンテン－２－イロキシ）－Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－１－プロパナミニウムクロリド、２，２’－ビス（ｏ－クロロフェニル）－４，５，４’，５’－テトラフェニル－１，２－ビイミダゾール、１０－ブチル－２－クロロアクリドン、２－エチルアンスラキノン、ベンジル、９，１０－フェナンスレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグリオキシエステル、η５－シクロペンタジエニル－η６－クメニル－アイアン（１＋）－ヘキサフルオロフォスフェイト（１－）、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）－ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロール－１－イル）－フェニル）チタニウム、チオキサントン、２－メチルチオキサントン、２－クロロチオキサントン、４－ベンゾイル－４－メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，３－ジエトキシアセトフェノン、２，２－ジメトキシ－２－フェニル－２－フェニルアセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオフェノン、ｐ－ｔ－ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジルメトキシエチルアセタール、アントラキノン、２－ｔ－ブチルアントラキノン、２－アミノアントラキノン、β－クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、メチレンアントロン、４－アジドベンザルアセトフェノン、２，６－ビス（ｐ－アジドベンジリデン）シクロヘキサン、２，６－ビス（ｐ－アジドベンジリデン）－４－メチルシクロヘキサノン、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ－フェニルチオアクリドン、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイル又はエオシン若しくはメチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられる。また、これらを２種以上含有しても構わない。硬化膜の硬度をより高くするためには、α－アミノアルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、オキシムエステル化合物、アミノ基を有するベンゾフェノン化合物又はアミノ基を有する安息香酸エステル化合物が好ましい。
　α－アミノアルキルフェノン化合物としては、例えば、２－メチル－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン、２－ジメチルアミノ－２－（４－メチルベンジル）－１－（４－モルフォリン－４－イル－フェニル）－ブタン－１－オン又は２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタノン－１が挙げられる。アシルホスフィンオキサイド化合物としては、例えば、２，４，６－トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルフォスフィンオキサイド又はビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－（２，４，４－トリメチルペンチル）－フォスフィンオキサイドが挙げられる。オキシムエステル化合物のとしては例えば、１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム、１，２－オクタンジオン，１－［４－（フェニルチオ）－２－（Ｏ－ベンゾイルオキシム）］、１－フェニル－１，２－ブタジオン－２－（ｏ－メトキシカルボニル）オキシム、１，３－ジフェニルプロパントリオン－２－（ｏ－エトキシカルボニル）オキシム又はエタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（０－アセチルオキシム）が挙げられる。アミノ基を有するベンゾフェノン化合物としては、例えば、４，４－ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン又は４，４－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンが挙げられる。アミノ基を有する安息香酸エステル化合物としては、例えば、ｐ－ジメチルアミノ安息香酸エチル、２－エチルヘキシル－ｐ－ジメチルアミノベンゾエート又はｐ－ジエチルアミノ安息香酸エチルが挙げられる。
　感光性を付与する成分である多官能モノマーとしては、例えば、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，３－ブタンジオールジアクリレート、１，３－ブタンジオールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，４－ブタンジオールジアクリレート、１，４－ブタンジオールジメタクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，９－ノナンジオールジメタクリレート、１，１０－デカンジオールジメタクリレート、ジメチロール－トリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタアクリレート、トリペンタエリスリトールオクタアクリレート、テトラペンタエリスリトールノナアクリレート、テトラペンタエリスリトールデカアクリレート、ペンタペンタエリスリトールウンデカアクリレート、ペンタペンタエリスリトールドデカアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタメタクリレート、トリペンタエリスリトールオクタメタクリレート、テトラペンタエリスリトールノナメタクリレート、テトラペンタエリスリトールデカメタクリレート、ペンタペンタエリスリトールウンデカメタクリレート、ペンタペンタエリスリトールドデカメタクリレート、ジメチロール－トリシクロデカンジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、９，９－ビス［４－（２－アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９－ビス［４－（２－メタクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン、９，９－ビス［４－（２－メタクリロイルオキシエトキシ）－３－メチルフェニル］フルオレン、（２－アクリロイルオキシプロポキシ）－３－メチルフェニル］フルオレン、９，９－ビス［４－（２－アクリロイルオキシエトキシ）－３、５－ジメチルフェニル］フルオレン又は９，９－ビス［４－（２－メタクリロイルオキシエトキシ）－３、５－ジメチルフェニル］フルオレン、が挙げられるが、感度向上の観点から、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、トリペンタエリスリトールヘプタアクリレート又はトリペンタエリスリトールオクタアクリレートが好ましく、疎水性向上の観点から、ジメチロール－トリシクロデカンジアクリレート、ジメチロール－トリシクロデカンジメタクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート又は９，９－ビス［４－（２－アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレンが好ましい。
　その他の多官能モノマーとしては、例えば、多官能エポキシ化合物と（メタ）アクリル酸とを反応して得られるエポキシ（メタ）アクリレートが挙げられる。多官能エポキシ化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　本発明の酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の形成方法としては、例えば、スパッタリング法、真空蒸着法（エレクトロンビーム法）、イオンプレーティング法（ＩＰ法）若しくはＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等のドライプロセス法又はＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）等のウェットプロセス法が挙げられる。中でもＣＶＤ法は比較的低温で欠陥の少ない薄膜を形成できるため、好ましい。
　本発明の基板は、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の上面に、屈折率が１．４６～１．５２である、透明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されていることが好ましい（図３）。
　したがって、本発明の基板は、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の上面に、屈折率が１．４６～１．５２である、透明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されている部位を有する基板であることが好ましい。透明粘着薄膜（ＩＶ）の屈折率が１．４６～１．５２であることにより、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）上面の光の反射を制御することができ、ＩＴＯのパターン視認性をより低減することができる。透明粘着薄膜（IＶ）により、基板を割れ難くすると同時に他の基板との貼り合せが可能となる。
　透明粘着薄膜（ＩＶ）とは、透明粘着剤により形成された薄膜をいう。ここで透明粘着剤とは、光を透過し、かつ粘着性を有する素材をいう。
　透明粘着薄膜（ＩＶ）の膜厚は、粘着性と透明性の観点から、１～２００μｍが好ましい。
　透明粘着剤の粘着力（ＪＩＳ　Ｚ０２３７（２０００年）に準拠して測定される粘着力であって、当該粘着力は、厚み０．０５ｍｍ，幅２５ｍｍの試料をガラス板に圧着し、９０°方向、２００ｍｍ／分で測定される）は、３～１００Ｎ／２５ｍｍが好ましい。また透明粘着剤の透過率は、タッチパネルの外観の観点から、厚み１μｍあたりの全線透過率（ＪＩＳ　Ｋ７３６１－１準拠）で９０％以上が好ましい。
　透明粘着剤としては、例えば、熱硬化型粘着剤又はＵＶ硬化型粘着剤が挙げられる。屈折率が１．４６～１．５２の熱硬化型透明粘着剤としては、例えば、炭素数１～２０のアルキル（メタ）アクリレート、水酸基を有する（メタ）アクリレート及び／又はカルボキシル基を有する（メタ）アクリル酸誘導体を構成モノマーとする共重合体、あるいは、多官能イソシアネート化合物及び／又は多官能エポキシ化合物を含有する熱硬化型粘着剤が挙げられる。屈折率が１．４６～１．５２のＵＶ硬化型透明粘着剤としては、例えば、単官能若しくは多官能の（メタ）アクリレートモノマー及び／又はオリゴマーと、光重合開始剤とを主成分とする、ＵＶ硬化型粘着剤が挙げられる。
　このような透明粘着剤としては、種々の基板同士を貼り合わせるために用いられる、ＯＣＡ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｃｌａｅｒ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ）材料（熱硬化型粘着剤の通称）又はＯＣＲ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｃｌａｅｒ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ　Ｒｅｓｉｎ）材料（ＵＶ硬化型粘着剤の通称）を使用することができる。また上記のような透明粘着剤から形成された透明粘着薄膜（ＩＶ）としては、飛散防止フィルム等の市販の多機能フィルムが具備する粘着剤を使用することができる。
　透明粘着薄膜（ＩＶ）を形成することが可能な、市販のＯＣＡ材料としては、例えば、８１７１ＣＬ、８１７２ＣＬ、８１４６－１若しくは８１４６－２（いずれも住友スリーエム（株）製）、ＣＳ９６２２Ｔ、ＣＳ９６２１Ｔ若しくはＣＳ９０７０（いずれも日東電工（株）製）、ＴＥ－９０００、ＴＥ－７０００、ＴＥ－８５００若しくはＤＡ－５０００Ｈ（以上、日立化成（株）製）又はＭＯ－３０１０若しくはＭＯ－Ｔ０１０（いずれもリンテック（株）製）が挙げられる。透明粘着薄膜（ＩＶ）を形成することが可能な、市販のＯＣＲ材料としては、例えば、ＸＶ－ＳＶ－Ｂ１若しくはＸＶ－７８１１（いずれもパナソニック（株）製）又はＵＶＰ－１００３、ＵＶＰ－１１００、ＵＶＰ－７１００若しくはＵＶＰ－７０００（いずれも東亞合成（株）製）が挙げられる。透明粘着薄膜（ＩＶ）とすることが可能な、市販の透明粘着剤付き多機能フィルムとしては、例えば、飛散防止フィルムとして広く使用されているＨＡ－１１０、ＨＡ－１１５、ＨＡ－１１６若しくはＨＡ－２０３（いずれもリンテック（株）製）又はＨＣ１１００Ｆ－ＢＰ若しくはＨＣ２１２０Ｆ－ＢＰ（いずれもＤＩＣ（株）製）が挙げられる。
　なお、本発明において、透明下地基板の上面から、ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、有機系薄膜（ＩＩ）、及び、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の順に薄膜が積層されている部位を有する基板とは、基板の断面において、ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、有機系薄膜（ＩＩ）、及び、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の順で、それらの薄膜が積層されている領域がある基板を言う。つまり、そのような領域が、基板（の断面）の一部にでも存在していればよい。
　同様に、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の上面に、屈折率が１．４６～１．５２である、透明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されている部位を有する基板とは、基板の断面において、ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、有機系薄膜（ＩＩ）、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）、及び、透明粘着薄膜（ＩＶ）の順で、それらの薄膜が積層されている領域があることを言う。そして、そのような領域が、基板（の断面）の一部にでも存在していれば構わない。
　また、本発明の基板は、ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、有機系薄膜（ＩＩ）、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の順に積層された部位以外に、透明絶縁膜や配線が形成された部位を有しても構わない。具体的には、図２に示すようにＩＴＯ薄膜（Ｉ）と有機系薄膜（ＩＩ）の間に透明絶縁膜及び／又は配線が形成された部位を有しても構わない。図２の構成の基板は、静電容量式タッチパネルとして機能することができる。
　本発明の基板の用途としては、例えば、抵抗膜式タッチパネル及び静電容量式タッチパネル等のタッチパネル並びにＴＦＴ基板が挙げられるが、静電容量式タッチパネルに本発明の基板を用いることが好ましく、カバーガラス一体型静電容量式タッチパネルに用いることがより好ましい。本発明の基板によって作製されたタッチパネルは、ＩＴＯパターンの視認性が低いことから、端末の外観を向上させることができる。
　以下に本発明をその実施例及び比較例を挙げて詳細に説明するが、本発明の態様はこれらに限定されるものではない。
　（合成例１）　ヒドロキシル基含有ジアミン化合物の合成
　１８．３ｇ（０．０５ｍｏｌ）の２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（セントラル硝子（株）製；以下、「ＢＡＨＦ」）を１００ｍＬのアセトン及び１７．４ｇ（０．３ｍｏｌ）プロピレンオキシド（東京化成（株）製）に溶解させ、－１５℃に冷却した。ここに２０．４ｇ（０．１１ｍｏｌ）の３－ニトロベンゾイルクロリド（東京化成（株）製）を１００ｍＬのアセトンに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、－１５℃で４時間撹拌し、その後室温に戻した。析出した白色固体を濾別し、５０℃で真空乾燥した。
　得られた白色固体３０ｇを３００ｍＬのステンレスオートクレーブに入れ、２５０ｍＬメチルセルソルブに分散させ、２ｇの５％パラジウム－炭素（和光純薬工業（株）製）を加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して、反応を終了させた。反応終了後、濾過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、下記式で表されるヒドロキシル基含有ジアミン化合物を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　（合成例２）　ポリイミド（Ｐ１）の合成
　乾燥窒素気流下、１６．５ｇ（０．０４５ｍｏｌ）のＢＡＨＦを２５０ｇのＮ－メチル－２－ピロリドン（以下、「ＮＭＰ」）に溶解させた。ここに１５．５ｇ（０．０５ｍｏｌ）の３，３’，４，４’－ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物（マナック（株）製；以下、「ＯＤＰＡ」）を５０ｇのＮＭＰとともに加えて、３０℃で２時間撹拌した。その後、３－アミノフェノール（東京化成（株）製）１．０９ｇ（０．０１ｍｏｌ）を加え、４０℃で２時間撹拌を続けた。さらにピリジン（東京化成（株）製）２．５ｇをトルエン（東京化成（株）製）１５ｇに希釈して、溶液に加え、冷却管を付け系外に水をトルエンとともに共沸で除去しながら溶液の温度を１２０℃にして２時間、さらに１８０℃で２時間反応させた。この溶液の温度を室温まで低下させ、水２Ｌに溶液を投入し、ポリマー固体の沈殿を濾過で集めた。さらに水２Ｌで３回洗浄を行い、集めたポリマー固体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥して、ポリイミド（Ｐ１）を得た。
　（合成例３）　ポリイミド前駆体（Ｐ２）の合成
　乾燥窒素気流下、２５．７ｇ（０．０４３ｍｏｌ）の合成例１で得られたヒドロキシル基含有ジアミン化合物、０．６２ｇ（０．００２５ｍｏｌ）の１，３－ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（以下、「ＳｉＤＡ」）を２００ｇのＮＭＰに溶解した。ここに１５．５ｇ（０．０５ｍｏｌ）のＯＤＰＡを５０ｇのＮＭＰとともに加えて、４０℃で２時間撹拌した。その後、１．０９ｇ（０．０１ｍｏｌ）の３－アミノフェノール（東京化成（株）製）を加え、４０℃で２時間撹拌した。さらに、３．５７ｇ（０．０３ｍｏｌ）のジメチルホルアミドジメチルアセタール（三菱レーヨン（株）製；以下、「ＤＦＡ」）を５ｇのＮＭＰで希釈した溶液を１０分かけて滴下し、滴下後、４０℃で２時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を２Ｌの水に投入して、ポリマー固体の沈殿を濾過で集めた。さらに２Ｌの水で３回洗浄を行い、集めたポリマー固体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥して、ポリイミド前駆体（Ｐ２）を得た。ポリイミド前駆体（Ｐ２）のＭｗは３００００であった。
　（合成例４）　ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｐ３）の合成
　乾燥窒素気流下、１６．５ｇ（０．０４５ｍｏｌ）のＢＡＨＦを５０ｇのＮＭＰ及び２６．４ｇのグリシジルメチルエーテルに溶解させ、溶液の温度を－１５℃まで冷却した。ここに７．４ｇ（０．０２５ｍｏｌ）のジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド（日本農薬（株）製）及び５．１ｇ（０．０２５ｍｏｌ）のイソフタル酸ジクロリド（東京化成（株）製）を２５ｇのＧＢＬに溶解させた溶液を、内部の温度が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、－１５℃で６時間撹拌を続けた。反応終了後、メタノールを１０ｗｔ％含んだ２Ｌの水に溶液を投入し、ポリマー固体の沈殿を濾過で集めた。さらに２Ｌの水で３回洗浄し、集めたポリマー固体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥して、ポリヒドロキシアミド樹脂を得た。
　２０ｇの得られたポリヒドロキシアミド樹脂を８０ｇのＮＭＰに溶解し、０．５８ｇ（０．００３５ｍｏｌ）の２－アミノ－４－ｔｅｒｔ－ブチルフェノールを加えて室温で２時間撹拌した。撹拌終了後、溶液を２Ｌの水に投入して、ポリマー固体の沈殿を濾過で集めた。さらに２Ｌの水で３回洗浄を行い、集めたポリマー固体を５０℃の真空乾燥機で７２時間乾燥して、ポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｐ３）を得た。
　（合成例５）　ポリアミドイミド前駆体（Ｐ４）の合成
　窒素置換雰囲気下、１９．２２ｇ（９６．０ｍｍｏｌ）の４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（和歌山精化工業（株）製）、０．９９ｇ（４．０ｍｍｏｌ）のＳｉＤＡ及び１０．１ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）のトリエチルアミン（東京化成（株）製）を、２００ｇのＮＭＰに溶解させた。ここに８０ｇのＮＭＰに溶解させた２０．６３ｇ（９８．０ミリｍｏｌ）の無水トリメリット酸クロリドを滴下した。滴下終了後、液温を３０℃に温調し４時間撹拌し反応させた。得られた重合溶液を２Ｌのイオン交換水中に入れ、濾過分別し、再度純水で洗浄して、ポリアミドイミド酸前駆体（Ｐ４）の粉末を得た。
　（合成例６）　アクリル樹脂溶液（Ｐ５）の合成
　５００ｍＬのフラスコに１ｇの２，２’－アゾビス（イソブチロニトリル）及び５０ｇのプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（以下、「ＰＧＭＥＡ」）を仕込んだ。その後、２６．５ｇメタクリル酸、２１．３ｇのスチレン及び３７．７ｇのトリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン－８－イルメタクリレートを仕込み、室温でしばらく撹拌してから、フラスコ内をバブリングによって十分に窒素置換した後、７０℃で５時間加熱撹拌した。次に、得られた溶液に１４．６ｇのメタクリル酸グリシジル、１ｇのジメチルベンジルアミン、０．２ｇのｐ－メトキシフェノール及び１００ｇのＰＧＭＥＡ添加し、９０℃で４時間加熱撹拌した。反応終了後、付加触媒を除去するために反応溶液を１規定ギ酸水溶液で分液抽出処理し、硫酸マグネシウムで乾燥後、固形分濃度が４０ｗｔ％になるようにＰＧＭＥＡを加え、アクリル樹脂溶液（Ｐ５）を得た。アクリル樹脂（Ｐ５）のＭｗは３００００であった。
　（合成例７）　ポリシロキサン溶液（Ｐ６）の合成
　５００ｍＬのフラスコに４７．６７ｇ（０．３５ｍｏｌ）のメチルトリメトキシシリル、３９．６６ｇ（０．２０ｍｏｌ）のフェニルトリメトキシシラン、８２．０４ｇ（０．３５ｍｏｌ）のγ－アクリロイルプロピルトリメトキシシラン、２６．２３（０．１ｍｏｌ）の３－トリメトキシシリルプロピル無水コハク酸及び１９５．６ｇのダイアセトンアルコール（以下、「ＤＡＡ」）を仕込み、４０℃のオイルバスに漬けて撹拌しながら５５．８ｇの水（加水分解に必要な理論量）に０．３９ｇのリン酸（仕込みモノマーに対して０．２重量部）を溶かしたリン酸水溶液を滴下ロートで１０分かけて添加した。４０℃で１時間撹拌した後、オイルバス温度を７０℃に設定して１時間撹拌し、さらにオイルバスを３０分かけて１１５℃まで昇温した。昇温開始１時間後に溶液の内温が１００℃に到達し、そこから２時間加熱撹拌した（内温は１００～１１０℃）。反応中に副生成物であるメタノール、水が合計１２７ｇ留出した。得られたポリシロキサンのＤＡＡ溶液に、ポリマー濃度が４０ｗｔ％となるようにＤＡＡを加え、ポリシロキサン溶液（Ｐ６）を得た。なお、得られたポリマーのＭｗをＧＰＣにより測定したところ４５００（ポリスチレン換算）であった。
　（合成例８）　ポリエステル樹脂溶液（Ｐ７）の合成
　１４８ｇの１，１－ビス（４－（２，３－エポキシプロピルオキシ）フェニル）－３－フェニルインダン、４７ｇのアクリル酸、１ｇのテトラブチルアンモニウムアセテート（以下、「ＴＢＡＡ」）、２．０ｇのｔｅｒｔ－ブチルカテコール及び２４４ｇのＰＧＭＥＡを仕込み、１２０℃で５時間撹拌した。室温まで冷却した後、７１ｇのビフェニルテトラカルボン酸二無水物及び１ｇのＴＢＡＡを加えて１１０℃で３時間撹拌した。室温まで冷却した後、９ｇのテトラヒドロフタル酸無水物を加えて１２０℃で５時間撹拌した。反応終了後、５００ｇのＰＧＭＥＡを加え、付加触媒を除去するために反応溶液を１規定ギ酸水溶液で分液抽出処理し、硫酸マグネシウムで乾燥後、固形分濃度が４０ｗｔ％になるようにロータリーエバポレーターで濃縮し、ポリエステル樹脂Ｐ７を得た（Ｍｗ＝５０００）。
　（調製例１）　樹脂組成物（Ｈ１）の調製
　黄色灯下にて、１．３６４ｇのジルコニア分散体［１］（ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート／ジルコニア＝３／７（重量比）のＰＧＭＥＡ分散液；ジルコニア含量＝３５ｗｔ％）、０．０３８２ｇの０．０３８２ｇのイルガキュアＯＸＥ－０２（ＢＡＳＦ製；エタノン，１－［９－エチル－６－（２－メチルベンゾイル）－９Ｈ－カルバゾール－３－イル］－，１－（０－アセチルオキシム））及び０．００４８ｇのハイドロキノンメチルエーテル（以下、「ＨＱＭＥ」）を加え、９．５０ｇのテトラヒドロフルフリルアルコール（以下、「ＴＨＦＡ」）及び８．２３ｇのＰＧＭＥＡに溶解させ撹拌した。そこへ、“カヤラッド（登録商標）”ＤＰＨＡ（新日本化薬製；ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）の５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６８ｇ、アクリル樹脂溶液（Ｐ５）を０．５９７ｇ、シリコーン系界面活性剤である「ＢＹＫ－３３３（ビックケミージャパン（株）製；シリコーン系界面活性剤）のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ（濃度１００ｐｐｍに相当）、それぞれ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１）を得た。
　（調製例２）　樹脂組成物（Ｈ２）の調製
　黄色灯下にて、１．３６４ｇのジルコニア分散体［１］、０．０３８２ｇのイルガキュアＯＸＥ－０２及び０．００４８ｇのＨＱＭＥを加え、９．５０ｇのＴＨＦＡ及び８．３４７ｇのＰＧＭＥＡに溶解させ撹拌した。そこへＤＰＨＡの５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６８２ｇ、ＣＲ－ＴＲ５（大阪ガスケミカル製；アルカリ可溶性カルド樹脂の５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液）を０．４７８ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ２）を得た。
　（調製例３）　樹脂組成物（Ｈ３）の調製
　ＣＲ－ＴＲ５の代わりにポリエステル樹脂（Ｐ７）を用いた以外は調製例２と同様の操作を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ３）を得た。
　（調製例４）　樹脂組成物（Ｈ４）の調製
　黄色灯下にて、１．３６４ｇのジルコニア分散体［２］（ビニルトリメトキシシラン／２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート／ジルコニア＝１／１／１０（重量比）のメチルエチルケトン（以下、「ＭＥＫ」）分散液；ジルコニア含量＝３０ｗｔ％）、０．０３８２ｇのイルガキュアＯＸＥ－０２及び０．００４８ｇのＨＱＭＥを加え、９．５０ｇのＴＨＦＡ及び８．３４７ｇのＰＧＭＥＡに溶解させ撹拌した。そこへＤＰＨＡの５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液を０．０６８２ｇ、ＣＲ－ＴＲ５を０．４７８ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ４）を得た。
　（調製例５）　樹脂組成物（Ｈ５）の調製
　ＣＲ－ＴＲ５の代わりにポリエステル樹脂（Ｐ７）を用いた以外は調製例４と同様の操作を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ５）を得た。
　（調製例６）　樹脂組成物（Ｈ６）の調製
　ジルコニア分散体［２］の代わりに「ＳＺＲ－Ｋ」（堺化学（株）製、ジルコニアＭＥＫ分散液；ジルコニア含量＝３０ｗｔ％）を用いた以外は調製例４と同様の操作を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ６）を得た。
　（調製例７）　樹脂組成物（Ｈ７）の調製
　ジルコニア分散体［２］の代わりに「ＳＺＲ－Ｋ」を用いた以外は調製例５と同様の操作を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ７）を得た。
　（調製例８）　樹脂組成物（Ｈ８）の調製
　黄色灯下にて、１．５９２ｇのＴＲ－５１３（日揮触媒化成製；二酸化チタンγ－ブチロラクトン分散液；固形分濃度＝３０ｗｔ％）、０．０３８２ｇのイルガキュアＯＸＥ－０２及び０．００４８ｇのＨＱＭＥを加え、９．１４ｇのＤＡＡ及び７．９５ｇのγ－ブチロラクトン（以下、「ＧＢＬ」）に溶解させ撹拌した。そこへ、ＤＰＨＡの５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液を０．４７８ｇ、シロキサン溶液（Ｐ６）を０．５９７ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ８）を得た。
　（調製例９）　樹脂組成物（Ｈ９）の調製
　黄色灯下にて、１．６６３ｇのＴＲ－５１３、５．７０ｇの乳酸エチル（以下、「ＥＬ」）及び１１．９４ｇのＧＢＬを加え撹拌した。そこへ、ＴＰ５－２８０Ｍ（東洋合成製；ＴｒｉｓＰ－ＰＡ（本州化学製）の５－ナフトキノンジアジドスルホン酸エステル化合物）を０．１５０ｇ、ポリイミド前駆体（Ｐ２）を０．３４９ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、溶解するまで撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ポジ型感光性の樹脂組成物（Ｈ９）を得た。
　（調製例１０）　樹脂組成物（Ｈ１０）の調製
　黄色灯下にて、１．９９６ｇのＴＲ－５１３、５．７０ｇのＥＬ及び１１．７０ｇのＧＢＬを加え撹拌した。そこへ、ＴＰ５－２８０Ｍを０．１５０ｇ、ポリイミド前駆体（Ｐ２）を０．２５０ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、溶解するまで撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ポジ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１０）を得た。
　（調製例１１）　樹脂組成物（Ｈ１１）の調製
　黄色灯下にて、０．０３８２ｇのイルガキュアＯＸＥ－０２及び０．００４８ｇのＨＱＭＥを加え、９．５０ｇのＴＨＦＡ及び８．３５ｇのＰＧＭＥＡに溶解させ撹拌した。そこへ、ＥＡ－０２５０Ｐ（大阪ガスケミカル製；９，９－ビス［４－（２－アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレンの５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液；固形分濃度＝５０ｗｔ％）を０．２８７ｇ、ＤＰＨＡの５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液を０．６６９ｇ、ＣＲ－ＴＲ５を０．９９５ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１１）を得た。
　（調製例１２）　樹脂組成物（Ｈ１２）の調製
　黄色灯下にて、０．０３８２ｇのイルガキュアＯＸＥ－０２、０．００４８ｇのＨＱＭＥ及び０．４７８ｇのポリイミド（Ｐ１）を加え、９．５０ｇのＧＢＬ及び８．３５ｇのＰＧＭＥＡに溶解させ撹拌した。そこへ、ＥＡ－０２５０Ｐを０．２８７ｇ、ＤＰＨＡの５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液を０．６６９ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１２）を得た。
　（調製例１３）　樹脂組成物（Ｈ１３）の調製
　黄色灯下にて、ＴＰ５－２８０Ｍを０．１５０ｇ、ポリイミド（Ｐ１）を０．８４３ｇ、ＥＬを５．７０ｇ、ＧＢＬを１３．１０ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、溶解するまで撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ポジ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１３）を得た。
　（調製例１４）　樹脂組成物（Ｈ１４）の調製
　ポリイミド（Ｐ１）の代わりにポリイミド前駆体（Ｐ２）を用いた以外は調製例１３と同様の操作を行い、ポジ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１４）を得た。
　（調製例１５）　樹脂組成物（Ｈ１５）の調製
　ポリイミド（Ｐ１）の代わりにポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｐ３）を用いた以外は調製例１３と同様の操作を行い、ポジ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１５）を得た。
　（調製例１６）　樹脂組成物（Ｈ１６）の調製
　ポリイミド（Ｐ１）の代わりにポリアミドイミド前駆体（Ｐ４）を用いた以外は調製例１３と同様の操作を行い、ポジ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１６）を得た。
　（調製例１７）　樹脂組成物（Ｈ１７）の調製
　ポリイミド（Ｐ１）の代わりにＣＲ－ＴＲ５を用いた以外は調製例１３と同様の操作を行い、ポジ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１７）を得た。
　（調製例１８）　樹脂組成物（Ｈ１８）の調製
　ポリイミド（Ｐ１）の代わりにポリエステル樹脂（Ｐ７）を用いた以外は調製例１３と同様の操作を行い、ポジ型感光性の樹脂組成物（Ｈ１８）を得た。
　（調製例１９）　樹脂組成物（Ｈ１９）の調製
　ポリイミド前駆体（Ｐ２）を０．９９８ｇ、ＥＬを５．７０ｇ、ＧＢＬを１３．１０ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、溶解するまで撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、非感光性の樹脂組成物（Ｈ１９）を得た。
　（調製例２０）　樹脂組成物（Ｈ２０）の調製
　ポリイミド前駆体（Ｐ２）の代わりにポリベンゾオキサゾール前駆体（Ｐ３）を用いた以外は調製例１８同様の操作を行い、非感光性の樹脂組成物（Ｈ２０）を得た。
　（調製例２１）　樹脂組成物（Ｈ２１）の調製
　ポリイミド前駆体（Ｐ２）の代わりにポリアミドイミド前駆体（Ｐ４）を用いた以外は調製例１８と同様の操作を行い、非感光性の樹脂組成物（Ｈ２１）を得た。
　（調製例２２）　樹脂組成物（Ｈ２２）の調製
　ポリイミド前駆体（Ｐ２）の代わりにポリエステル樹脂（Ｐ７）を用いた以外は調製例１８と同様の操作を行い、非感光性の樹脂組成物（Ｈ２２）を得た。
　（調製例２３）　樹脂組成物（Ｈ２３）の調製
　ポリイミド前駆体（Ｐ２）の代わりにポリエーテルスルホン「スミカエクセル３６００Ｐ」（住友化学（株）製）を用いた以外は調製例１９同様の操作を行い、非感光性の樹脂組成物（Ｈ２３）を得た。
　（調製例２４）　樹脂組成物（Ｈ２４）の調製
　ポリイミド前駆体（Ｐ２）の代わりにフェノール樹脂「レヂトップＰＳＦ―２８０８」（群栄化学工業（株）製）を用いた以外は調製例１９同様の操作を行い、非感光性の樹脂組成物（Ｈ２４）を得た。
　（調製例２５）　樹脂組成物（Ｈ２５）の調製
　０．５ｇのポリスチレン（和光純薬製；Ｍｎ＝１２５０００～２０００００）を９．３００ｇのトルエンに溶解させ、ＢＹＫ－３３３の１ｗｔ％トルエン溶液を０．２００ｇ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、樹脂組成物（Ｈ２５）を得た。
　（調製例２６）　樹脂組成物（Ｈ２６）の調製
　０．５ｇの９，９－ビス［４－（２－グリシジロキシエトキシ）フェニル］フルオレン（大阪ガスケミカル製；ＥＧ－２００）を９．３００ｇのＰＧＭＥＡに溶解させ、０．０２ｇのＳＩ－２００（三新化学（株）製；熱酸発生剤）、ＢＹＫ－３３３の１ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液を０．２００ｇ、それぞれ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、樹脂組成物（Ｈ２６）を得た。
　（調製例２７）　樹脂組成物（Ｈ２７）の調製
　黄色灯下にて、８．２００ｇのジルコニア分散体［１］、０．２２９６ｇのイルガキュアＯＸＥ－０２及び０．００４８ｇのＨＱＭＥを加え、７．００ｇのＴＨＦＡ及び１．０６２ｇのＰＧＭＥＡに溶解させ撹拌した。そこへ、ＤＰＨＡの５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液を０．４１００ｇ、ＣＲ－ＴＲ５を２．８７０ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｈ２７）を得た。
　（調製例２８）　樹脂組成物（Ｈ２８）の調製
　黄色灯下にて、２．１６２ｇのＴＲ－５１３、５．７０ｇのＥＬ及び１１．５９ｇのＧＢＬを加え撹拌した。そこへ、ＴＰ５－２８０Ｍを０．０９９ｇ、ポリイミド前駆体（Ｐ２）を０．２４９ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、溶解するまで撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ポジ型感光性の樹脂組成物（Ｈ２８）を得た。
　（調製例２９）　樹脂組成物（Ｍ１）の調製
　黄色灯下にて、０．０３８２ｇのイルガキュアＯＸＥ－０２及び０．００４８ｇのＨＱＭＥを加え、９．５０ｇのＧＢＬ及び８．１０ｇのＰＧＭＥＡに溶解させ撹拌した。そこへ、ＤＰＨＡの５０ｗｔ％ＰＧＭＥＡ溶液を０．９５５ｇ、アクリル樹脂溶液（Ｐ５）を１．１９４ｇ、ＢＹＫ－３３３のＰＧＭＥＡ１ｗｔ％溶液を０．２０００ｇ、それぞれ加えて、撹拌した。次いで０．４５μｍのフィルターで濾過を行い、ネガ型感光性の樹脂組成物（Ｍ１）を得た。
　調製例１～２９で得られた樹脂組成物の組成を、まとめて表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
　なお、表１において、()内の数値は添加量［重量部］を示す。ただし、溶媒等によって希釈されている場合は、固形分の値［重量部］である。
　また、表１における「固形分濃度」とは、「各調製例において得られた樹脂組成物（溶媒を含む）の重量」に対する、「各調製例において添加された全ての原料のうち固形分（つまり、溶媒は含まれない）の合計重量」の比率を重量濃度（ｗｔ％）として表したものである。
　各実施例及び比較例における評価方法を、以下に示す。また、実施例１～４１及び比較例１～５の構成及び結果を、表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000021
　（実施例１）
　（１）ＩＴＯパターンの作製
　厚さ１．１ｍｍの化学強化ガラス基板に、膜厚５０ｎｍのＩＴＯをスパッタリングした後、ポジ型フォトレジスト（ＯＦＰＲ－８００；東京応化工業（株）製）をスピンコーター（１Ｈ－３６０Ｓ；ミカサ（株）製）を用いてスピンコートした後、ホットプレート（ＳＣＷ－６３６；大日本スクリーン製造（株）製）を用いて１００℃で２分間プリベークした。得られたプリベーク膜に、ＰＬＡ（Ｐａｒａｌｌｅｌ　Ｌｉｇｈｔ　Ａｌｉｇｎｅｒ）を用いて超高圧水銀灯を光源として、マスクを介して１００μｍのギャップで１０００Ｊ／ｍ２露光した。その後、自動現像装置（ＡＤ－２０００；滝沢産業（株）製）を用いて、２．３８ｗｔ％水酸化テトラメチルアンモニウム（以下、「ＴＭＡＨ」）水溶液で９０秒間シャワー現像し、次いで水で３０秒間リンスし、パターン加工を施した。その後、ＨＣｌ－ＨＮＯ３系のエッチング液でＩＴＯをエッチングし、剥離液でフォトレジストを除去し、第一電極とそれと直交する第二電極の一部がパターン加工されたＩＴＯ（図１～図３の符号２）を有するガラス基板を作製した（図１のａに相当）。
　（２）透明絶縁膜の作製
　（１）で得られたガラス基板上にネガ型感光性樹脂組成物ＮＳ－Ｅ２０００（東レ（株）製）をスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で２分間プリベークした。得られたプリベーク膜に、マスクを介して１００μｍのギャップで２０００Ｊ／ｍ２露光した。その後、０．４ｗｔ％ＴＭＡＨ水溶液で９０秒間シャワー現像し、次いで水で３０秒間リンスした。次に、空気中２３０℃で１時間キュアを行い、膜厚１．５μｍの透明絶縁膜（図１～図３の符号３）を作製した（図１のｂに相当）。
　（３）モリブデン／アルミニウム／モリブデン（以下、「ＭＡＭ」）配線の作製
　（２）で得られたガラス基板上に、ターゲットとしてモリブデン及びアルミニウムを用い、エッチング液としてＨ３ＰＯ４／ＨＮＯ３／ＣＨ３ＣＯＯＨ／Ｈ２Ｏ＝６５／３／５／２７（重量比）混合溶液を用いる以外は、上記（１）と同様の手順によりＭＡＭ配線（図１及び図２の符号４）を作製した（図１のｃに相当）。またＭＡＭの膜厚は、２５０ｎｍになるように調整した。
　（４）有機系薄膜（ＩＩ）の形成
　（３）で得られたガラス基板上に、調製例１で得られた樹脂組成物（Ｈ１）をスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で２分間プリベークした。得られたプリベーク膜に、マスクを介して１００μｍのギャップで２０００Ｊ／ｍ２露光した。その後、０．４ｗｔ％ＴＭＡＨ水溶液で９０秒間シャワー現像し、次いで水で３０秒間リンスした。次に、空気中２３０℃で１時間キュアを行い、有機系薄膜（ＩＩ）に相当する膜厚０．１０μｍの硬化膜（図２及び図３の符号５）を作製した。
　（５）酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の形成
　高速プラズマＣＶＤ成膜装置（ＰＤ－２７０ＳＴＬ；サムコ（株）製）を用い、テトラエトキシシランを原料として酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）（図２及び図３の符号６）を形成した。その際に、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）と有機系薄膜（ＩＩ）とのパターンが重なるようにマスク成膜を実施した。酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の膜厚は、０．５μｍであった。
　（６）透明粘着薄膜（ＩＶ）付きフィルムの貼りあわせ
　（５）で得られたガラス基板上の一部に、透明粘着薄膜（ＩＶ）とその反対面にハードコート層を具備するポリエチレンテレフタラート（以下、「ＰＥＴ」）のフィルム「ＨＡ－１１６」（リンテック（株）製、粘着剤屈折率＝１．４７、透明粘着薄膜（ＩＶ）膜厚＝５０μｍ、層構成：透明粘着薄膜／ＰＥＴフィルム／ハードコート層）を、オートクレーブ（７０℃、０．６ＭＰａ、３０分）を用いて空気が噛み込まないように貼り合わせた。
　（７）ＩＴＯパターン視認性の評価
　（６）で得られたガラス基板の裏面側から観察した時のＩＴＯのパターン視認性について、下記１０段階で評価した。６以上を合格とした。
　また、ＩＴＯのパターン視認性の評価は、透明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されている領域と、明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されていない領域のそれぞれについて行った。
１０　：　白色蛍光灯５ｃｍ下において凝視で全くパターンが見えない
９　：　白色蛍光灯５ｃｍ下において凝視でわずかにパターンが見える。
８　：　白色蛍光灯５ｃｍ下において凝視で少しパターンが見える。
７　：　白色蛍光灯５ｃｍ下において凝視ではっきりパターンが見える。
６　：　白色蛍光灯５ｃｍ下において通常の目視でわずかにパターンが見える。
５　：　白色蛍光灯５ｃｍ下において通常の目視で少しパターンが見える。
４　：　白色蛍光灯５ｃｍ下において通常の目視ではっきりパターンが見える。
３　：　室内灯下において通常の目視でわずかにパターンが見える。
２　：　室内灯下において通常の目視で少しパターンが見える。
１　：　室内灯下において通常の目視ではっきりパターンが見える。
　（８）ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）による下地金属腐食性評価
　下地金属として全面にＭＡＭを具備するガラス上に、上記（４）及び（５）記載の方法で２層の硬化膜を作製した後、温度１２１℃、湿度１００％、気圧＝２ａｔｍのオーブン（ＨＡＳＴ　ＣＨＡＭＢＥＲＥ　ＥＨＳ－２２１ＭＤ；エスペック株式会社製）内に２０時間放置する試験を行った後、硬化膜下のＭＡＭが腐食によって変色する欠点の占有面積割合を、目視によって下記１１段階で評価した。７以上を合格とした。
１０　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が０％。硬化膜自体の外観変化なし。
９　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が１～３％。硬化膜自体の外観変化なし。
８　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が４～６％。硬化膜自体の外観変化なし。
７　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が７～９％。硬化膜自体の外観変化なし。
６　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が１０～１５％。硬化膜自体の外観変化なし。
５　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が１６～２０％。硬化膜自体の外観変化なし。
４　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が２１～３０％。硬化膜自体の外観変化なし。
３　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が３１～５０％。硬化膜自体の外観変化なし。
２　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が５１～７０％。硬化膜自体の外観変化なし。
１　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が７１～１００％。硬化膜自体の外観変化なし。
０　：　硬化膜下のＭＡＭの変色面積割合が１００％。かつ、硬化膜自体に変色、クラック等が発生。
　（実施例２～１８及び実施例２７～４４）
　表２に示す構成で、実施例１と同様の手法により基板を作製し、評価を行った。ただし、有機系薄膜（ＩＩ）を形成するステップにおいて、実施例９，１０及び実施例１２～１６では、現像液として２．３８ｗｔ％ＴＭＡＨ水溶液を用いた。
　（実施例１９～２６）
　表２に示す構成とせしめたこと及び有機系薄膜（ＩＩ）の形成を以下の手順で実施した以外は、実施例１と同様の手法により基板を作製し、評価を行った。
　（３）で得られたガラス基板端部における、有機系薄膜（ＩＩ）未形成部分に予めセロハンテープを貼付け、その後調製例１９～２６で得られた樹脂組成物（Ｈ１９）～（Ｈ２６）をスピンコートした後、ホットプレートを用いて９０℃で２分間プリベークした。その後、セロハンテープを剥離した。次に、空気中２３０℃で１時間キュアを行い、有機系薄膜（ＩＩ）に相当する膜厚０．１０μｍの硬化膜（図２の符号５）を作製した。
　（実施例２７及び２８）
　（１）ＩＴＯパターンの作製
　厚さ０．２ｍｍのＰＥＴ基板に、実施例１と同様の手法によりＩＴＯパターンを作製した。ただし、フォトレジストの塗布にはバーコーターを用い、プリベークにはオーブンを用い、エッチャントには５ｗｔ％のシュウ酸水溶液を用いた。
　（２）有機系薄膜（ＩＩ）の形成
　（１）で得られたＰＥＴ基板上に、表２に示す構成とせしめるために調製例２又は７で得られた樹脂組成物（Ｈ２）又は（Ｈ７）を、バーコーターを用いて塗布し、オーブンを用いて９０℃で１０分間プリベークした。得られたプリベーク膜に、マスクを介して１００μｍのギャップで２０００Ｊ／ｍ２露光した。その後、０．４ｗｔ％ＴＭＡＨ水溶液で９０秒間シャワー現像し、次いで水で３０秒間リンスした。次に、空気中１３０℃で１時間キュアを行い、（ＩＩ）層に該当する膜厚０．１０μｍの硬化膜を作製した。
　（３）酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の形成
　高速プラズマＣＶＤ成膜装置を用い、テトラエトキシシランを原料として酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）を形成した。酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の膜厚は０．５μｍであった。
　（４）透明粘着薄膜（ＩＶ）付きフィルムの貼りあわせ
　（３）で得られたＰＥＴ基板上の一部に、透明粘着薄膜（ＩＶ）とその反対面にハードコート層を具備するＰＥＴフィルム（ＨＡ－１１６；リンテック（株）製）を、オートクレーブ（７０℃、０．６ＭＰａ、３０分）を用いて空気が噛み込まないようにして貼り合わせた。
　（５）ＩＴＯパターン視認性の評価
　（４）で得られたＰＥＴ基板の裏面側からのパターン視認性について、実施例１と同様に評価を行った。
　（実施例４５及び４６）
（６）透明粘着薄膜（ＩＶ）付きフィルムの貼りあわせの工程において、「ＨＡ－１１６」の代わりに「ＨＡ－１１０」（リンテック（株）製、粘着剤屈折率＝１．５０、透明粘着薄膜（ＩＶ）膜厚＝３０μｍ）を用いる以外は実施例２と同様にして基板を作製し、評価を行った。
　（比較例１）
　有機系薄膜（ＩＩ）を形成するステップにおいて、樹脂組成物（Ｈ２）を用い、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）を形成するステップを行わなかった以外は、実施例１と同様に評価を行った。
　（比較例２）
　有機系薄膜（ＩＩ）を形成するステップを行わなかった以外は、実施例１と同様に評価を行った。
　（比較例３～５）
　表２に示す構成で、実施例１と同様の手法により基板を作製し、評価を行った。
　１　：　透明下地基板
　２　：　ＩＴＯ薄膜（Ｉ）
　３　：　絶縁膜
　４　：　ＭＡＭ配線
　５　：　有機系薄膜（ＩＩ）
　６　：　酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）
　７　：　透明粘着薄膜（ＩＶ）
　８　：　ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、有機系薄膜（ＩＩ）、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）が積層されている、十分に広い領域
　本発明の基板は、抵抗膜式タッチパネル、静電容量式タッチパネル又はＴＦＴ基板等に用いることができる。

Claims (8)

  1. 　透明下地基板の上面から、
    　ＩＴＯ薄膜（Ｉ）、
    　膜厚が０．０１～０．４μｍであり、屈折率が１．５８～１．８５である、有機系薄膜（ＩＩ）、
    　膜厚が０．０１～１０μｍである、酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）、の順に薄膜が積層されている部位を有する、基板。
  2. 　前記酸化ケイ素薄膜（ＩＩＩ）の上面に、屈折率が１．４６～１．５２である、透明粘着薄膜（ＩＶ）が積層されている部位を有する、請求項１記載の基板。
  3. 　前記有機系薄膜（ＩＩ）は、金属酸化物粒子を含有する、請求項１又は２記載の基板。
  4. 　前記有機系薄膜（ＩＩ）は、ポリイミド、カルド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン、ポリベンゾオキサゾール、フェノール樹脂、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリウレタン及びポリエステルからなる群から選択される樹脂を含有する、請求項１～３のいずれか一項記載の基板。
  5. 　前記有機系薄膜（ＩＩ）は、カルボキシル基及び／又はフェノール性水酸基を有する、請求項１～４のいずれか一項記載の基板。
  6. 　前記有機系薄膜（ＩＩ）は、ポリイミド前駆体、ポリアミドイミド前駆体及びポリベンゾオキサゾール前駆体からなる群から選択される前駆体を含む樹脂組成物を用いて形成される、請求項１～５のいずれか一項記載の基板。
  7. 　前記透明下地基板は、強化ガラス基板である、請求項１～６のいずれか一項記載の基板。
  8. 　請求項１～７のいずれか一項記載の基板を用いた、タッチパネル部材。
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