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WO2010007989A1 - 複合酸化物焼結体、複合酸化物焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット及び薄膜の製造方法 - Google Patents

複合酸化物焼結体、複合酸化物焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット及び薄膜の製造方法 Download PDF

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WO2010007989A1
WO2010007989A1 PCT/JP2009/062739 JP2009062739W WO2010007989A1 WO 2010007989 A1 WO2010007989 A1 WO 2010007989A1 JP 2009062739 W JP2009062739 W JP 2009062739W WO 2010007989 A1 WO2010007989 A1 WO 2010007989A1
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WO
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sintered body
powder
indium
composite oxide
metal
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/062739
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English (en)
French (fr)
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倉持　豪人
健治 尾身
正典 市田
仁志 飯草
Original Assignee
東ソー株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to CN200980127221.2A priority patent/CN102089257B/zh
Priority to JP2010520870A priority patent/JP5625907B2/ja
Priority to EP09797914A priority patent/EP2301904B1/en
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    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/788—Aspect ratio of the grains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase

Definitions

  • the present invention relates to a complex oxide sintered body, a method for producing a complex oxide sintered body, a sputtering target, and a method for producing a thin film.
  • the transparent conductive film has high transmittance in the visible light range and high conductivity, and is used for electrodes of various light receiving elements such as liquid crystal display elements and solar cells, and is also a heat ray reflective film for automobiles and building materials. -Widely used in anti-fogging films and transparent heating elements for anti-fogging such as frozen showcases.
  • transparent conductive films examples include indium oxide films containing tin as a dopant, indium oxide films containing zinc as a dopant, and zinc oxide films containing at least one group III element of the periodic table as a dopant. It has been.
  • ITO film An indium oxide film containing tin as a dopant is called an ITO film, and a low resistance film can be easily obtained.
  • indium which is a raw material for the ITO film, is a rare metal and expensive, there is a limit to cost reduction when this film is used.
  • indium has a small amount of resource reserves and can only be obtained as a by-product such as zinc ore treatment, it is difficult to significantly increase the ITO film production and to stably supply it.
  • An indium oxide film containing zinc as a dopant is referred to as an IZO film, and an excellent low resistance film can be obtained, but there is a problem of indium as a raw material as in the case of an ITO film.
  • the zinc oxide film containing zinc oxide as a main component and containing the Group III element of the periodic table is an ITO film because zinc, which is the main raw material, is extremely low in price and has a large amount of reserves and production. It has been attracting attention because it is inexpensive, chemically stable, and has excellent transparency and electrical conductivity. ).
  • zinc oxide is an oxide semiconductor, and intrinsic defects such as oxygen vacancies due to deviation from the stoichiometric composition form donor levels and exhibit n-type characteristics.
  • zinc oxide contains a Group III element in the periodic table, conduction electrons increase and specific resistance decreases.
  • Group III elements in the periodic table included in zinc oxide include aluminum (for example, see Patent Document 1 and Patent Document 2), gallium (for example, see Patent Document 3), boron (for example, see Patent Document 4), and the like. It has been known.
  • Patent Document 1 proposes a suppression effect by increasing the density of the sintered body by devising a manufacturing method.
  • the abnormal discharge phenomenon is further reduced. It is shown to suppress (refer patent document 5).
  • the average particle diameter of ZnAl 2 O 4 particles composed of zinc oxide and additive aluminum oxide is 0.5 ⁇ m or less, the abnormal discharge during sputtering is suppressed, and the production yield of thin films with improved moisture resistance is achieved. It is shown to improve (refer patent document 6).
  • an object of the present invention is to provide a sputtering target capable of sufficiently suppressing the occurrence of an abnormal discharge phenomenon and a method for producing a thin film using such a sputtering target. Moreover, it aims at providing the complex oxide sintered compact which can be used as such a sputtering target, and its manufacturing method.
  • the present inventors can significantly suppress the abnormal discharge phenomenon during sputtering by using a complex oxide sintered body having a specific structure as a sputtering target. As a result, the present invention has been completed.
  • the present invention has a hexagonal layered structure, a metal oxide particle (a) containing zinc oxide and indium, a spinel structure, and a metal element M (where M is aluminum and / or gallium).
  • Metal oxide particles (b), and the average value of the major axis of the metal oxide particles (a) is 10 ⁇ m or less, and 20% of the whole metal oxide particles (a) based on the number
  • the above provides a composite oxide sintered body having an aspect ratio (major axis / minor axis) of 2 or more.
  • the maximum particle size of the metal oxide particles (b) is preferably 10 ⁇ m or less.
  • the atomic ratio of indium to the total of zinc, indium and the metal element M is 0.001 to 0.02, and the atomic ratio of the metal element M to the total is 0.00. It is preferably 005 to 0.05.
  • the metal oxide particles (b) preferably contain ZnM 2 O 4 as a main component. Further, the metal element M is preferably aluminum.
  • the present invention also includes a first step of mixing a zinc oxide powder and an indium oxide powder to obtain a first mixed powder, the first mixed powder and a metal element M (where M is aluminum and / or gallium). And a second step of obtaining a second mixed powder by molding and firing the second mixed powder to obtain a composite oxide sintered body,
  • the BET value of the first mixed powder is 2 m 2 / g or more than the weighted average value of the BET values of the zinc oxide powder and the indium oxide powder before mixing.
  • the composite oxide sintered body obtained in the third step has a hexagonal layered structure, metal oxide particles (a) containing zinc oxide and indium, a spinel structure, and a metal element M.
  • M is a metal oxide particle (b) containing aluminum and / or gallium), and the average value of the major axis of the metal oxide particle (a) is 10 ⁇ m or less,
  • the aspect ratio (major axis / minor axis) is 2 or more in 20% or more of the entire metal oxide particles (a).
  • the atomic ratio of indium to the total of zinc, indium and the metal element M is 0.001 to 0.02, and the atomic ratio of the metal element M to the total is 0.005 to 0. .05 is preferred.
  • the metal element M is preferably aluminum.
  • the present invention also provides a sputtering target comprising the composite oxide sintered body.
  • the present invention further provides a method for producing a thin film using the sputtering target.
  • a composite oxide sintered body used as a sputtering target capable of remarkably suppressing an abnormal discharge phenomenon during sputtering, a method for producing the composite oxide sintered body, and the above composite oxide sintered A sputtering target comprising a body and a method for producing a thin film using the composite oxide sintered body are provided.
  • 4 is a SEM photograph showing a cross section of a complex oxide sintered body of Example 3.
  • 4 is a SEM photograph showing a cross section of a sintered body of Comparative Example 2.
  • 4 is an SPM photograph showing a cross section of a complex oxide sintered body of Example 3.
  • 6 is an SPM photograph showing a cross section of a sintered body of Comparative Example 2.
  • the composite oxide sintered body according to the present embodiment has a hexagonal layered structure, metal oxide particles (a) containing zinc oxide and indium, a spinel structure, and a metal element M (M Includes metal oxide particles (b) containing aluminum and / or gallium. And the average value of the major axis of the metal oxide particles (a) is 10 ⁇ m or less, and the aspect ratio (major axis / minor axis) is 2 or more in 20% or more of the whole metal oxide particles (a) based on the number. It is. According to the composite oxide sintered body having such a configuration, it is possible to obtain a sputtering target capable of remarkably reducing the occurrence of abnormal discharge phenomenon during sputtering. Then, by forming a thin film using the sputtering target, generation of particles is suppressed, and the thin film can be obtained with high productivity.
  • the composite oxide sintered body exhibits both a diffraction pattern attributed to the hexagonal wurtzite of zinc oxide and a diffraction pattern attributed to the spinel structure.
  • the former is considered to be a diffraction pattern derived from metal oxide particles (a)
  • the latter is considered to be a diffraction pattern derived from metal oxide particles (b).
  • the composite oxide sintered body is obtained by using TEM / EDS (transmission electron microscope / energy dispersive X-ray analyzer), SEM / EDS (scanning electron microscope / energy dispersive X-ray analyzer), EPMA (X-ray microscopic).
  • metal oxide particles (a) having a layered structure mainly composed of zinc oxide are observed. It is considered that the inclusion of the metal oxide particles (a) having such a layered structure can suppress the abnormal discharge phenomenon during sputtering.
  • the conventional zinc oxide used as a sputtering target although there is a hexagonal wurtzite crystal structure, there is a hexagonal wurtzite crystal structure and a layered structure. unknown.
  • metal oxide particles (b) having a spinel structure and containing the metal element M are observed. .
  • the average value of the major axis of the metal oxide particles (a) in the composite oxide sintered body can be measured, for example, by the following method. First, the composite oxide sintered body is cut to an appropriate size, and then the observation surface is polished, and then chemical etching is performed with a dilute acetic acid solution to clarify the grain boundaries. Next, using EPMA or SEM / EDS, an observation photograph of the polished surface of the composite oxide sintered body is taken and the composition of each particle is confirmed. The obtained observation photograph is subjected to image processing while paying attention to particles having a hexagonal layered structure composed of zinc oxide (metal oxide particles (a)), and the major axis of the particles is obtained. The measurement is performed on at least 500 randomly extracted particles, and the number average value is taken as the average value of the major axis of the metal oxide particles (a).
  • the average value of the major axis of the metal oxide particles (a) is preferably 8 ⁇ m or less, more preferably 7 ⁇ m or less. According to the composite oxide sintered body in which the average value of the major axis of the metal oxide particles (a) is 8 ⁇ m or less, a sputtering target that can further suppress the abnormal discharge phenomenon can be obtained.
  • the proportion of particles having an aspect ratio (major axis / minor axis) of 2 or more is the total number of metal oxide particles (a) on a number basis. 20% or more of the number.
  • the aspect ratio can be obtained by the following formula (I) by obtaining the short diameter of the metal oxide particles (a) in the same manner as the measurement of the long diameter of the metal oxide particles (a) described above. .
  • Aspect ratio major axis / minor axis (I)
  • the ratio of the metal oxide particles (a) having an aspect ratio of 2 or more is such that the metal oxide particles (a) having an aspect ratio of 2 or more with respect to the total number of metal oxide particles (a) whose major axis and minor axis are measured. It can obtain
  • the proportion of particles having an aspect ratio of 2 or more is preferably 40% or more, and more preferably 50% or more.
  • a sputtering target made of such a complex oxide sintered body can further suppress the abnormal discharge phenomenon.
  • the metal oxide particle (a) is a particle containing indium and having a hexagonal layered structure made of zinc oxide and having an average major axis of 10 ⁇ m or less and an aspect ratio (major axis / minor axis) of 2 or more. May be particles having a ratio of 20% or more on the number basis. That is, the metal oxide particles (a) may be particles in which indium is mainly contained in zinc oxide having a hexagonal layered structure.
  • the metal oxide particles (b) are particles containing a metal element M (where M represents aluminum and / or gallium) and having a spinel structure.
  • the maximum particle size of the metal oxide particles (b) is preferably 10 ⁇ m or less, more preferably 5 ⁇ m or less, and further preferably 3 ⁇ m or less. As a result, the abnormal discharge phenomenon can be further suppressed.
  • the maximum particle diameter of the metal oxide particles (b) is determined by measuring the particle diameter of 500 metal oxide particles (b) in the same manner as the measurement of the long diameter of the metal oxide particles (a). Calculate as a value.
  • the average particle diameter of the metal oxide particles (b) is measured by measuring the particle diameters of 500 metal oxide particles (b) in the same manner as the measurement of the long diameter of the metal oxide particles (a). Obtained as an average value.
  • the average particle diameter of the metal oxide particles (b) is preferably 2 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less.
  • the metal element M represents aluminum and / or gallium, and aluminum is particularly preferably used. This is because aluminum is easy to handle, the raw materials are inexpensive, and the productivity is excellent.
  • the metal oxide particles (b) are preferably represented mainly by ZnAl 2 O 4 .
  • the metal oxide particles (b) are preferably represented mainly by ZnM 2 O 4 (where M is aluminum and / or gallium). By containing such metal oxide particles (b), the conductivity of the composite oxide sintered body is improved, and the above-described abnormal discharge phenomenon is further suppressed.
  • “Mainly represented by ZnM 2 O 4 ” means that when a composite oxide sintered body containing metal oxide particles (b) is evaluated by an X-ray diffraction test (XRD), JCPDS (Joint Committee on on It indicates that a peak pattern of ZnM 2 O 4 (for example, ZnAl 2 O 4 in the case of Al) or a similar peak pattern (shifted peak pattern) in a database (Powder Diffraction Standards) database.
  • the atomic ratio of indium to the total of zinc, indium and metal element M in the composite oxide sintered body is preferably 0.001 to 0.02, more preferably 0. 0.001 to 0.01, and more preferably 0.002 to 0.01.
  • the content of indium is within the above range, the resistivity of a thin film obtained using a sputtering target made of a composite oxide sintered body is lowered, and heat resistance and moisture resistance tend to be improved.
  • the atomic ratio of the metal element M to the total of zinc, indium and metal element M in the composite oxide sintered body is preferably 0.005 to 0.05, more preferably 0.005 to 0.04, more preferably 0.01 to 0.04.
  • the resistivity of the thin film obtained by using the sputtering target made of the composite oxide sintered body is lowered, and various display elements such as liquid crystal and various types of solar cells are used. It is particularly suitable as a thin film for applications such as electrodes of light receiving elements.
  • the metal oxide particles (b) are preferably particles containing ZnM 2 O 4 as a main component.
  • the composite oxide sintered body may contain elements other than zinc, indium, and the metal element M, and examples thereof include Ti, Zr, Si, Ge, Sn, V, Cr, and W. it can.
  • the content of these elements is preferably 0.05 or less, more preferably 0.02 or less, where the total number of moles of zinc, indium and metal element M is 1.
  • the composite oxide sintered body may contain particles other than the metal oxide particles (a) and the metal oxide particles (b), but substantially contains the metal oxide particles (a) and the metal oxide.
  • a composite oxide sintered body composed of the particles (b) is preferable. Based on the total mass of the composite oxide sintered body, the total mass of the metal oxide particles (a) and the metal oxide particles (b) is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, More preferably, it is 98% or more. Such a composite oxide sintered body can obtain the effects of the present invention more favorably.
  • the method for producing a composite oxide sintered body according to the present embodiment includes a first step of premixing zinc oxide powder and indium oxide powder to obtain a first mixed powder, and the first mixed powder and metal.
  • a third step of obtaining an oxide sintered body is a BET of the zinc oxide powder and the indium oxide powder before mixing. It mixes so that it may become 2 m ⁇ 2 > / g or more larger than the weighted average value of a value. According to such a manufacturing method, the composite oxide sintered body can be efficiently manufactured.
  • the zinc oxide powder, indium oxide powder, and metal element M oxide powder used as raw materials are not particularly limited, but it is preferable to use a powder having a BET value of 2 to 20 m 2 / g.
  • the BET value is 10 to 20 m 2 / g in consideration of the bulkiness and handleability of the powder.
  • the mixing method in the first step is not particularly limited, and dry and wet media stirring type mills using balls and beads such as zirconia, alumina, and nylon resin; medialess container rotary mixing; mechanical stirring type mixing And the like. More specifically, a ball mill, a bead mill, an attritor, a vibration mill, a planetary mill, a jet mill, a V-type mixer, a paddle type mixer, a biaxial planetary stirring type mixer, and the like can be given.
  • pulverization is performed simultaneously with mixing. The finer the particle size of the powder after pulverization, the better the BET value of the first mixed powder is preferably 5 m 2 / g or more. .
  • the pulverized slurry In the case of using a wet method ball mill, bead mill, attritor, vibration mill, planetary mill, jet mill, or the like, the pulverized slurry must be dried.
  • This drying method is not particularly limited, and examples thereof include filtration drying, fluidized bed drying, and spray drying.
  • the first mixed powder is preferably calcined before being subjected to the second step.
  • the temperature at this time is preferably 600 to 1200 ° C., and a time of 1 to 3 hours is sufficient. Thereby, it becomes easier to obtain the fine structure of the composite oxide sintered body, and the maximum particle diameter of the spinel structure particles can be further reduced.
  • the first mixed powder and the oxide powder containing the metal element M are mixed to obtain a second mixed powder.
  • the mixing method at this time is not particularly limited, and the same method as the preliminary mixing in the first step described above is used. Moreover, it is preferable to mix so that the BET value of a 2nd mixed powder may become 2 m ⁇ 2 > / g or more larger than the BET value of a 1st mixed powder by this mixing. Thereby, it becomes easier to obtain a fine structure of the composite oxide sintered body, and the maximum particle diameter of the metal oxide particles (b) having a spinel structure can be further reduced.
  • the atomic ratio of indium to the total of zinc, indium and metal element M is preferably 0.001 to 0.02.
  • the atomic ratio of the metal element M to the total of zinc, indium and the metal element M is preferably 0.005 to 0.05.
  • the second mixed powder is molded and fired to obtain a composite oxide sintered body.
  • the molding method it is important to appropriately select a molding method that can be molded into a desired shape, and is not particularly limited. Examples of the molding method include a press molding method and a cast molding method.
  • the molding pressure is not particularly limited as long as it is a molding pressure that does not generate cracks and can be handled. Further, it is preferable to increase the molding density of the molded body as much as possible. In order to obtain a molded body having such a high molding density, a method such as cold isostatic pressing (CIP) can be used.
  • CIP cold isostatic pressing
  • the firing temperature is preferably 800 to 1600 ° C. With such a firing temperature, the fine structure of the composite oxide sintered body can be obtained better.
  • the firing temperature is more preferably 1100-1500 ° C. With such a firing temperature, the volatilization disappearance peculiar to the zinc oxide-based composite oxide is suppressed, and the sintered density can be relatively increased. From the viewpoint of handling and prevention of breakage during sputtering, the sintered density is preferably 4.7 g / cm 3 or more.
  • the firing time is not particularly limited, but is usually 1 to 48 hours, and preferably 3 to 24 hours in consideration of the influence on productivity.
  • the heating rate during firing is not particularly limited, but when firing in a temperature range of 800 ° C. or higher, it is preferably 50 ° C./hour or lower. This is because the metal oxide particles (a) and the metal oxide particles (b) are efficiently formed, and the homogeneity of the composite oxide sintered body is further improved.
  • the firing atmosphere is not particularly limited, and for example, the atmosphere, oxygen, inert gas atmosphere, or the like is appropriately selected.
  • the pressure at the time of baking is not specifically limited, In addition to a normal pressure, baking in a pressurization and pressure reduction state is also possible. Further, it can be fired by HIP method or hot press sintering.
  • the relative density of the composite oxide sintered body thus obtained is preferably 85% or more, more preferably 90% or more, and further preferably 96% or more. By increasing the relative density, the occurrence of an abnormal discharge phenomenon can be further suppressed.
  • the zinc oxide powder and the indium oxide powder are premixed so that the BET value is 2 m 2 / g or more higher than that before mixing, and further, the metal element M (where M is aluminum and
  • the composite oxide sintered body can be manufactured by mixing the oxide powder of (or showing gallium), shaping the obtained mixed powder, and firing.
  • the sputtering target according to the present embodiment is made of the composite oxide sintered body, and can be manufactured, for example, by processing the composite oxide sintered body into a predetermined shape.
  • Such a sputtering target can suppress a phenomenon of abnormal discharge during sputtering and can produce a metal oxide thin film with high productivity.
  • the thin film manufacturing method according to the present embodiment is characterized in that the composite oxide sintered body is used as a sputtering target.
  • a conventional sputtering target is used, abnormal discharge occurs frequently, and it is difficult to obtain a thin film with high productivity.
  • the abnormal discharge phenomenon can be sufficiently suppressed, and a thin film can be obtained with high productivity.
  • the thin film is preferably formed by a sputtering method using a sputtering target.
  • a sputtering method a DC sputtering method, an RF sputtering method, a DC magnetron sputtering method, an RF magnetron sputtering method, an ion beam sputtering method, or the like can be appropriately selected.
  • the obtained thin film is a thin film made of a metal oxide.
  • a thin film has high light transmittance and high conductivity, and is suitable as an electrode of various light receiving elements such as liquid crystal display elements and solar cells. Can be used for
  • Example 1 An indium oxide powder having a BET value of 10 m 2 / g and a purity of 99.99% and a zinc oxide powder having a BET value of 4 m 2 / g and a purity of 99.8% were premixed by a wet ball mill to obtain a mixed powder.
  • the BET value of the mixed powder was 2.0 m 2 / g larger than the weighted average value of the BET values of the indium oxide powder and the zinc oxide powder before mixing.
  • the obtained mixed powder and an aluminum oxide powder with a purity of 99.99% having a BET value of 14 m 2 / g were mixed by a wet ball mill to prepare a slurry, and spray dried to obtain a dry powder 1.
  • the composition of the dry powder 1 was as shown in Table 1.
  • the amount of In indicates the atomic ratio of indium to the total of zinc, indium, and metal element M (that is, a value calculated by In / (Zn + M + In)).
  • the amount of M indicates the atomic ratio of the metal element M to the total of zinc, indium, and the metal element M (that is, a value calculated by M / (Zn + M + In)).
  • the dry powder 1 was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm. This compact was fired for 60 hours in a nitrogen atmosphere at a temperature of 1500 ° C. to obtain a composite oxide sintered body. The properties of this composite oxide sintered body are shown in Table 1.
  • the obtained composite oxide sintered body was analyzed using XRD, TEM / EDS, SEM / EDS, EPMA, and SPM. As a result of each analysis, it was evaluated as “A” when the metal oxide particles (a) having a hexagonal layered structure and containing zinc oxide and indium were observed, and “B” when the metal oxide particles were not observed. “A” indicates that the metal oxide particles (b) mainly composed of ZnM 2 O 4 having a spinel structure and containing the metal element M (Al) are observed, and “B” indicates that the metal oxide particles are not observed. ". In addition, the particle size of the metal oxide particles (a) and (b) was determined by the method described above. These results are summarized in Table 1.
  • the obtained composite oxide sintered body was processed into a 4-inch ⁇ size to obtain a sputtering target, and sputtering evaluation was performed.
  • Sputtering was performed using a DC magnetron sputtering apparatus under conditions of a substrate temperature of 200 ° C., an ultimate vacuum of 5 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa, a sputtering gas Ar, a sputtering gas pressure of 0.5 Pa, and a DC power of 300 W.
  • the discharge characteristics were evaluated as “A” when the number of abnormal discharges occurring per unit time was 1 or more and less than 100 times / hour, and “B” when the number was 100 times / hour or more.
  • the evaluation results are shown in Table 1.
  • the obtained mixed powder was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm.
  • This molded body was fired at a temperature of 1400 ° C. in an argon atmosphere for 5 hours to obtain a sintered body.
  • Table 1 shows the characteristics of the sintered body. This sintered body was processed into a 4-inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
  • Example 2 A slurry 1 was prepared by premixing an indium oxide powder having a BET value of 10 m 2 / g and a purity of 99.99% with a zinc oxide powder having a BET value of 4 m 2 / g and a purity of 99.8% by a wet ball mill. When a part of this slurry 1 was dried and the BET value was measured, it was 2.3 m 2 / g larger than the weighted average value of the BET values of the indium oxide powder and the zinc oxide powder before mixing.
  • the obtained slurry 1 was mixed with aluminum oxide powder having a BET value of 14 m 2 / g and a purity of 99.99% by a wet ball mill to prepare slurry 2, and spray-dried to obtain dry powder 1.
  • the composition of the dry powder 1 was as shown in Table 2.
  • the dry powder 1 was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm. This compact was fired at 1200 ° C. in a nitrogen atmosphere for 5 hours to obtain a composite oxide sintered body.
  • the obtained composite oxide sintered body was analyzed using XRD, TEM / EDS, SEM / EDS, EPMA, and SPM. As a result of each analysis, it was evaluated as “A” when the metal oxide particles (a) having a hexagonal layered structure and containing zinc oxide and indium were observed, and “B” when the metal oxide particles were not observed. “A” indicates that the metal oxide particles (b) mainly composed of ZnM 2 O 4 having a spinel structure and containing the metal element M (Al) are observed, and “B” indicates that the metal oxide particles are not observed. ". In addition, the particle size of the metal oxide particles (a) and (b) was determined by the method described above. These results are summarized in Table 2.
  • the obtained composite oxide sintered body was processed into a 4-inch ⁇ size to obtain a sputtering target, and sputtering evaluation was performed.
  • Sputtering was performed using a DC magnetron sputtering apparatus under conditions of a substrate temperature of 200 ° C., an ultimate vacuum of 5 ⁇ 10 ⁇ 5 Pa, a sputtering gas Ar, a sputtering gas pressure of 0.5 Pa, and a DC power of 300 W.
  • the discharge characteristics are “A ′” when the number of abnormal discharges generated per unit time is less than 1 time / hour, “B ′” when the number is 1 to less than 100 times / hour, and 100 to 1000 times.
  • the case of less than / hour was evaluated as “C ′”, and the case of 1000 times / hour or more was evaluated as “D ′”.
  • the evaluation results are shown in Table 2.
  • Example 3 A slurry 1 was prepared by premixing an indium oxide powder having a BET value of 10 m 2 / g and a purity of 99.99% with a zinc oxide powder having a BET value of 4 m 2 / g and a purity of 99.8% by a wet ball mill. When a part of the prepared slurry 1 was dried and the BET value was measured, it was 2.2 m 2 / g larger than the weighted average value of the BET values of the indium oxide powder and the zinc oxide powder before mixing.
  • This composite oxide sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • Example 4 A slurry 1 was prepared by premixing an indium oxide powder having a BET value of 10 m 2 / g and a purity of 99.99% and a zinc oxide powder having a BET value of 4 m 2 / g and a purity of 99.8% with a wet bead mill. The slurry 1 was dried to obtain a dry powder 1. When the BET value of this dry powder 1 was measured, it was 2.8 m 2 / g larger than the weighted average value of the BET values of the indium oxide powder and the zinc oxide powder before mixing.
  • the obtained dry powder 1 was calcined at 1100 ° C. for 4 hours.
  • the obtained calcined powder and an aluminum oxide powder having a BET value of 14 m 2 / g and a purity of 99.99% were mixed by a wet bead mill to prepare slurry 2.
  • the slurry 2 was dried to obtain a dry powder 2.
  • the BET value of the dry powder 2 was measured, it was 2.1 m 2 / g larger than the BET value of the dry powder 1 before mixing.
  • the composition of the dry powder 2 was as shown in Table 2.
  • the obtained dry powder 2 was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm. This molded body was fired at 1400 ° C. in an air atmosphere for 12 hours to obtain a composite oxide sintered body. In the same manner as in Example 2, the obtained composite oxide sintered body was evaluated. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • This composite oxide sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • Example 5 An indium oxide powder having a BET value of 10 m 2 / g and a purity of 99.99% and a zinc oxide powder having a BET value of 4 m 2 / g and a purity of 99.8% were premixed by a dry ball mill to obtain a mixed powder 1. .
  • the BET value of the mixed powder 1 was measured, it was 2.0 m 2 / g larger than the weighted average value of the BET values of the indium oxide powder and the zinc oxide powder before mixing.
  • the obtained mixed powder 1 and an aluminum oxide powder having a BET value of 14 m 2 / g and a purity of 99.99% were mixed by a dry ball mill to obtain a mixed powder 2.
  • the composition of the mixed powder 2 was as shown in Table 2.
  • the obtained mixed powder 2 was CIP-molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm. This compact was fired for 12 hours in a nitrogen atmosphere at a temperature of 1400 ° C. to obtain a composite oxide sintered body.
  • the obtained composite oxide sintered body was evaluated. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • This composite oxide sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • Example 6 An indium oxide powder having a BET value of 10 m 2 / g and a purity of 99.99% and a zinc oxide powder having a BET value of 4 m 2 / g and a purity of 99.8% were premixed by a wet bead mill to obtain a slurry 1. The slurry 1 was dried to obtain a dry powder 1. When the BET value of this dry powder 1 was measured, it was 3.0 m 2 / g larger than the weighted average value of the BET values of the indium oxide powder and the zinc oxide powder before mixing.
  • the obtained dry powder 1 was calcined at a temperature of 1200 ° C. for 5 hours, and this calcined powder was mixed with an aluminum oxide powder having a BET value of 14 m 2 / g and a purity of 99.99% by a wet bead mill.
  • Slurry 2 was prepared. This slurry 2 was spray-dried to obtain a dry powder 2.
  • BET value of the dry powder 2 was measured, it was 2.0 m 2 / g larger than that of the dry powder 1.
  • the composition of the dry powder 2 was as shown in Table 2.
  • the dry powder 2 was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm. This molded body was fired at a temperature of 1400 ° C. in a nitrogen atmosphere for 5 hours to obtain a composite oxide sintered body. In the same manner as in Example 2, the obtained composite oxide sintered body was evaluated. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • This composite oxide sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • Example 7 An indium oxide powder having a BET value of 10 m 2 / g and a purity of 99.99% and a zinc oxide powder having a BET value of 4 m 2 / g and a purity of 99.8% were premixed by a dry ball mill to obtain a mixed powder 1. .
  • the BET value of the mixed powder 1 was measured, it was 2.1 m 2 / g larger than the weighted average value of the BET values of the indium oxide powder and the zinc oxide powder before mixing.
  • the obtained mixed powder 1 and an aluminum oxide powder having a BET value of 14 m 2 / g and a purity of 99.99% were mixed by a wet bead mill to obtain a slurry 1.
  • the composition of slurry 1 was as shown in Table 2.
  • the obtained slurry 1 was spray-dried and then CIP-molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm. This molded body was fired in a nitrogen atmosphere at a temperature of 1100 ° C. for 5 hours to obtain a composite oxide sintered body.
  • the obtained composite oxide sintered body was evaluated. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • This composite oxide sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • Example 8 An indium oxide powder having a BET value of 10 m 2 / g and a purity of 99.99% and a zinc oxide powder having a BET value of 4 m 2 / g and a purity of 99.8% were preliminarily mixed by a wet ball mill to obtain a slurry 1. When a part of the slurry 1 was dried and the BET value was measured, it was 2.2 m 2 / g larger than the weighted average value of the BET values of the indium oxide powder and the zinc oxide powder before mixing.
  • gallium oxide powder having a BET value of 8 m 2 / g and a purity of 99.99% was mixed with the obtained slurry 1 by a wet ball mill to prepare slurry 2 and spray-dried to obtain dry powder 1.
  • the composition of the dry powder 1 was as shown in Table 2.
  • This dry powder 1 was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm.
  • This molded body was fired at a temperature of 1400 ° C. in a nitrogen atmosphere for 5 hours to obtain a composite oxide sintered body.
  • the properties of the obtained composite oxide sintered body were evaluated. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • This composite oxide sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • the obtained dry powder was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm.
  • This molded body was fired at a temperature of 1400 ° C. in an argon atmosphere for 5 hours to obtain a sintered body.
  • the obtained sintered body was evaluated. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • This sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2.
  • the evaluation results are as shown in Table 2.
  • the obtained mixed powder 1 and an aluminum oxide powder having a BET value of 14 m 2 / g and a purity of 99.99% were mixed by a dry ball mill to obtain a mixed powder 2.
  • the composition of the mixed powder 2 was as shown in Table 2.
  • the obtained mixed powder 2 was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm. This molded body was fired in a nitrogen atmosphere at a temperature of 900 ° C. for 5 hours to obtain a sintered body.
  • the obtained sintered body was evaluated. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • This sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2.
  • the evaluation results are as shown in Table 2.
  • a slurry 1 was prepared by premixing an indium oxide powder having a BET value of 10 m 2 / g and a purity of 99.99% with a zinc oxide powder having a BET value of 4 m 2 / g and a purity of 99.8% by a wet ball mill. When a part of the slurry 1 was dried and the BET value was measured, it was 1.5 m 2 / g larger than the weighted average value of the BET values of the indium oxide powder and the zinc oxide powder before mixing.
  • the dry powder 1 was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm. This molded body was fired at a temperature of 1600 ° C. in a nitrogen atmosphere for 12 hours to obtain a sintered body. In the same manner as in Example 2, the obtained sintered body was evaluated. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • This sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2.
  • the evaluation results are as shown in Table 2.
  • This sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2.
  • the evaluation results are as shown in Table 2.
  • the obtained dry powder was CIP molded at 3.0 ton / cm 2 to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 150 mm and a thickness of 12 mm.
  • This molded body was fired at 1000 ° C. in a nitrogen atmosphere for 5 hours to obtain a sintered body.
  • the obtained sintered body was evaluated. The evaluation results are as shown in Table 2.
  • This sintered body was processed into a 4 inch ⁇ size as a target, and sputtering evaluation was performed in the same manner as in Example 2.
  • the evaluation results are as shown in Table 2.
  • FIG. 1 is an SEM photograph showing a cross section of the composite oxide sintered body of Example 3.
  • the metal oxide particles (a) 10 had a layered structure, and the aspect ratio (major axis / minor axis) calculated from the major axis 12 and the minor axis 13 was 2 or more.
  • white (light color) particles are metal oxide particles (b). It was confirmed that the metal oxide particles (b) 11 were dispersed in the composite oxide sintered body.
  • FIG. 2 is an SEM photograph showing a cross section of the sintered body of Comparative Example 2.
  • white (light color) particles are metal oxide particles (b). As is apparent from the shape of the particles surrounded by the white line in FIG. 2, almost no metal oxide particles (a) having an aspect ratio of 2 or more were observed.
  • FIG. 3 is an SPM photograph showing a cross section of the composite oxide sintered body of Example 3.
  • the photograph on the right side of FIG. 3 shows an enlarged partial area of the photograph on the left side.
  • a layered structure was observed inside the metal oxide particles (a) 20.
  • the metal oxide particles (b) 21 are dispersed in the composite oxide sintered body.
  • FIG. 4 is an SPM photograph showing a cross section of the sintered body of Comparative Example 2.
  • the photograph on the right side of FIG. 4 shows a partial area of the photograph on the left side in an enlarged manner. In FIG. 4, no layered structure was observed in any of the particles.
  • a composite oxide sintered body used as a sputtering target capable of remarkably suppressing an abnormal discharge phenomenon during sputtering, a method for producing the composite oxide sintered body, and the above composite oxide sintered A sputtering target comprising a body and a method for producing a thin film using the composite oxide sintered body are provided.

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Abstract

　六方晶系層状構造を有し、酸化亜鉛及びインジウムを含む金属酸化物粒子（ａ）と、スピネル構造を有し、金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）を含む金属酸化物粒子（ｂ）と、を含む複合酸化物焼結体であって、上記金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値は、１０μｍ以下であり、上記金属酸化物粒子（ａ）の個数基準で２０％以上は、アスペクト比（長径／短径）が２以上である、複合酸化物焼結体。

Description

複合酸化物焼結体、複合酸化物焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット及び薄膜の製造方法
　本発明は、複合酸化物焼結体、複合酸化物焼結体の製造方法、スパッタリングターゲット及び薄膜の製造方法に関する。
　透明導電膜は、可視光域での高い透過率と高い導電性を有し、液晶表示素子や太陽電池等の各種受光素子の電極に利用され、また、自動車用・建築材用の熱線反射膜・帯電防止膜や、冷凍ショーケース等の防曇用透明発熱体に広範に利用されている。
　このような透明導電膜としては、錫をドーパントとして含む酸化インジウム膜や、亜鉛をドーパントとして含む酸化インジウム膜、周期律表の第ＩＩＩ族元素を少なくとも１種類以上ドーパントとして含む酸化亜鉛膜等が知られている。
　錫をドーパントとして含む酸化インジウム膜は、ＩＴＯ膜と称され、低抵抗膜が容易に得られる。しかしながら、ＩＴＯ膜の原料であるインジウムは、希少金属で高価であるため、この膜を用いたときの低コスト化には限界がある。また、インジウムは資源埋蔵量が少なく、亜鉛鉱処理等の副産物として得られるに過ぎないため、ＩＴＯ膜の大幅な生産量増加や安定供給は難しい状況にある。
　亜鉛をドーパントとして含む酸化インジウム膜は、ＩＺＯ膜と称され、低抵抗の優れた膜が得られるが、ＩＴＯ膜と同様に原料であるインジウムの問題がある。
　そのため、ＩＴＯ代替の透明導電膜用材料の開発が盛んに進められている。その中でも、酸化亜鉛を主成分とし、周期律表の第ＩＩＩ族元素を含む酸化亜鉛膜は、主原料である亜鉛が極めて低価格であり、かつ埋蔵量・生産量ともに極めて多いため、ＩＴＯ膜のような資源枯渇や安定供給に対する懸念等の問題がなく、安価な上に化学的にも安定で、透明性、導電性にも優れていることから注目されている（例えば、特許文献１参照）。
　ところで、酸化亜鉛（ＺｎＯ）は酸化物半導体であり、化学量論組成からのずれによる酸素空孔等の真性欠陥がドナー準位を形成してｎ型特性を示す。この酸化亜鉛に周期律表の第ＩＩＩ族元素を含有させると、伝導電子が増加し、比抵抗が減少する。酸化亜鉛に含ませる周期律表の第ＩＩＩ族元素としては、アルミニウム（例えば、特許文献１、特許文献２参照）、ガリウム（例えば、特許文献３参照）、ホウ素（例えば、特許文献４参照）等が知られている。
　従来から知られている酸化亜鉛系スパッタリングターゲットでは、透明導電膜等の薄膜形成手段として用いられる場合、スパッタリング中に発生する異常放電現象により、スパッタリング装置の稼働率の低下や発生するパーティクルの影響による製品歩留まりの低下等の問題がある。
　このようなスパッタリング中に発生する異常放電現象を抑制する手段として、例えば、特許文献１では、製造方法に工夫を凝らすことにより、焼結体の高密度化等による抑制効果を提案している。また、例えば、焼結体を高密度化し、かつ周期律表第ＩＩＩ族元素の酸化物として添加された酸化アルミニウムに起因するアルミニウム成分凝集径を最大５μｍ以下に抑制することで異常放電現象を一層抑制することが示されている（特許文献５参照）。
　さらに、酸化亜鉛と添加物の酸化アルミニウムとからなるＺｎＡｌ２Ｏ４粒子の平均粒径を０．５μｍ以下とすることで、スパッタリング中の異常放電を抑制し、耐湿性の向上した薄膜の製造歩留まりを向上させることが示されている（特許文献６参照）。
特許第２８０５８１３号公報 特開平６－２１３０号公報 特開平６－２５８３８号公報 特開２００４－１７５６１６号公報 特許第３８６４４２５号公報 特開２００６－２０００１６号公報
　しかしながら、従来の酸化亜鉛系スパッタリングターゲットでは、スパッタリング中の異常放電現象の発生を十分に低減することが困難であった。このように、スパッタリング中に異常放電現象が発生すると、パーティクルが飛散して、歩留まりが低下し、薄膜の生産性が低下する傾向がある。このため、本発明では、異常放電現象の発生を十分に抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及びそのようなスパッタリングターゲットを用いた薄膜の製造方法を提供することを目的とする。また、そのようなスパッタリングターゲットとして使用することが可能な複合酸化物焼結体及びその製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題に鑑み、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、特定の構造を有する複合酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いることで、スパッタリング中の異常放電現象を著しく抑制することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
　すなわち本発明は、六方晶系層状構造を有し、酸化亜鉛及びインジウムを含む金属酸化物粒子（ａ）と、スピネル構造を有し、金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）を含む金属酸化物粒子（ｂ）と、を含んでおり、上記金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値は１０μｍ以下であり、個数基準で上記金属酸化物粒子（ａ）の全体の２０％以上はアスペクト比（長径／短径）が２以上である、複合酸化物焼結体を提供する。
　上記金属酸化物粒子（ｂ）の最大粒径は１０μｍ以下であることが好ましい。
　また、上記複合酸化物焼結体は、亜鉛、インジウム及び上記金属元素Ｍの合計に対するインジウムの原子比が０．００１～０．０２であり、上記合計に対する上記金属元素Ｍの原子比が０．００５～０．０５であることが好ましい。
　また、上記金属酸化物粒子（ｂ）はＺｎＭ２Ｏ４を主成分として含有することが好ましい。さらに、上記金属元素Ｍはアルミニウムであることが好ましい。
　本発明はまた、酸化亜鉛粉末と酸化インジウム粉末とを混合して第１の混合粉末を得る第１の工程と、上記第１の混合粉末と金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）を含む酸化物粉末とを混合して第２の混合粉末を得る第２の工程と、上記第２の混合粉末を成形して焼成し、複合酸化物焼結体を得る第３の工程と、を有しており、上記第１の工程では、第１の混合粉末のＢＥＴ値が、混合前の上記酸化亜鉛粉末と上記酸化インジウム粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも２ｍ２／ｇ以上大きくなるように上記酸化亜鉛粉末と上記酸化インジウム粉末とを混合する、複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。
　上記第３の工程で得られる前記複合酸化物焼結体は、六方晶系層状構造を有し、酸化亜鉛及びインジウムを含む金属酸化物粒子（ａ）と、スピネル構造を有し、金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）を含む金属酸化物粒子（ｂ）と、を含んでおり、上記金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値は１０μｍ以下であり、個数基準で上記金属酸化物粒子（ａ）の全体の２０％以上はアスペクト比（長径／短径）が２以上である。
　上記第２の混合粉末において、亜鉛、インジウム及び上記金属元素Ｍの合計に対するインジウムの原子比が０．００１～０．０２であり、上記合計に対する上記金属元素Ｍの原子比が０．００５～０．０５であることが好ましい。また、上記金属元素Ｍはアルミニウムであることが好ましい。
　本発明はまた、上記複合酸化物焼結体からなる、スパッタリングターゲットを提供する。
　本発明はさらに、上記スパッタリングターゲットを用いる薄膜の製造方法を提供する。
　本発明によれば、スパッタリング中の異常放電現象を著しく抑制することが可能なスパッタリングターゲットとして使用される複合酸化物焼結体、当該複合酸化物焼結体の製造方法、上記複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット、及び上記複合酸化物焼結体を用いる薄膜の製造方法が提供される。
実施例３の複合酸化物焼結体の断面を示すＳＥＭ写真である。 比較例２の焼結体の断面を示すＳＥＭ写真である。 実施例３の複合酸化物焼結体の断面を示すＳＰＭ写真である。 比較例２の焼結体の断面を示すＳＰＭ写真である。
（複合酸化物焼結体）
　本実施形態に係る複合酸化物焼結体は、六方晶系層状構造を有し、酸化亜鉛及びインジウムを含む金属酸化物粒子（ａ）と、スピネル構造を有し、金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）を含む金属酸化物粒子（ｂ）と、を含む。そして、上記金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値は１０μｍ以下であり、個数基準で上記金属酸化物粒子（ａ）の全体の２０％以上はアスペクト比（長径／短径）が２以上である。このような構成を有する複合酸化物焼結体によれば、スパッタリング中の異常放電現象の発生を著しく低減することが可能なスパッタリングターゲットを得ることができる。そして、当該スパッタリングターゲットを用いて薄膜を成膜することで、パーティクルの発生が抑制され、生産性良く薄膜を得ることができる。
　上記複合酸化物焼結体は、Ｘ線回折試験において、酸化亜鉛の六方晶系ウルツ型に帰属される回折パターンと、スピネル構造に帰属される回折パターンの両方を示す。前者は、金属酸化物粒子（ａ）由来の回折パターンであり、後者は金属酸化物粒子（ｂ）由来の回折パターンであると考えられる。
　また、上記複合酸化物焼結体を、ＴＥＭ／ＥＤＳ（透過電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分析装置）、ＳＥＭ／ＥＤＳ（走査電子顕微鏡／エネルギー分散型Ｘ線分析装置）、ＥＰＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザー）、ＳＰＭ（走査型プローブ顕微鏡）等で分析することにより、主に酸化亜鉛で構成される層状構造を有する金属酸化物粒子（ａ）が観測される。このような層状構造を有する金属酸化物粒子（ａ）を含むことが、スパッタリング中の異常放電現象を抑制できる一因と考えられる。なお、スパッタリングターゲットとして使用されている従来の酸化亜鉛では、六方晶系ウルツ型の結晶構造を有するものはあっても、六方晶系ウルツ型の結晶構造を有し、且つ層状構造を有するものは知られていない。
　さらに、上記複合酸化物焼結体を、ＴＥＭ／ＥＤＳ、ＳＥＭ／ＥＤＳやＥＰＭＡ等で分析することにより、スピネル構造を有し、金属元素Ｍを含有する金属酸化物粒子（ｂ）が観測される。
　上記複合酸化物焼結体における金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値は、例えば、以下の方法で測定することができる。まず、複合酸化物焼結体を適当な大きさに切断した後、観察面を表面研磨し、次に希酢酸溶液でケミカルエッチングを行い、粒界を明確化する。次いでＥＰＭＡやＳＥＭ／ＥＤＳを用いて、複合酸化物焼結体の研磨面の観察写真を撮るとともに各粒子の組成を確認する。得られた観察写真を酸化亜鉛からなる六方晶系層状構造を有する粒子（金属酸化物粒子（ａ））に着目して画像処理し、当該粒子の長径を求める。測定は、少なくともランダムに抽出された５００個の粒子を対象に行い、その個数平均値を金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値とする。
　金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値は、好ましくは８μｍ以下であり、より好ましくは７μｍ以下である。金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値が８μｍ以下である複合酸化物焼結体によれば、異常放電現象を一層抑制可能なスパッタリングターゲットが得られる。
　上記複合酸化物焼結体において、金属酸化物粒子（ａ）のうち、アスペクト比（長径／短径）が２以上である粒子の割合は、個数基準で金属酸化物粒子（ａ）の全粒子数の２０％以上である。ここで、アスペクト比は、上述の金属酸化物粒子（ａ）の長径の測定と同様にして、金属酸化物粒子（ａ）の短径を求め、以下の式（Ｉ）にて求めることができる。
　アスペクト比＝長径／短径　　　（Ｉ）
　また、アスペクト比が２以上である金属酸化物粒子（ａ）の割合は、長径及び短径を測定した金属酸化物粒子（ａ）の全個数に対するアスペクト比が２以上である金属酸化物粒子（ａ）の個数の比として求めることができる。アスペクト比が２以上である粒子の割合は、４０％以上であると好ましく、５０％以上であるとより好ましい。このような複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットは、異常放電現象を一層抑制することができる。
　金属酸化物粒子（ａ）は、インジウムを含有し、酸化亜鉛からなる六方晶系層状構造を有する粒子であって、長径の平均が１０μｍ以下かつアスペクト比（長径／短径）が２以上の粒子の割合が個数基準で２０％以上である粒子であってもよい。すなわち、金属酸化物粒子（ａ）は、主として六方晶系層状構造を有する酸化亜鉛に、インジウムが含まれた粒子であってもよい。
　金属酸化物粒子（ｂ）は、金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウムおよび／またはガリウムを示す）を含有し、スピネル構造を有する粒子である。
　金属酸化物粒子（ｂ）の最大粒経は、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることがさらに好ましい。これにより、異常放電現象を一層抑制することが可能となる。ここで金属酸化物粒子（ｂ）の最大粒経は、金属酸化物粒子（ａ）の長径の測定と同様にして５００個の金属酸化物粒子（ｂ）の粒径の測定を行い、その最大値として求める。
　また、金属酸化物粒子（ｂ）の平均粒径は、金属酸化物粒子（ａ）の長径の測定と同様にして５００個の金属酸化物粒子（ｂ）の粒径の測定を行い、その個数平均値として求める。金属酸化物粒子（ｂ）の平均粒径は、２μｍ以下が好ましく、より好ましくは１μｍ以下である。
　金属元素Ｍは、アルミニウム及び／又はガリウムを示し、特にアルミニウムが好適に用いられる。この理由は、アルミニウムは取扱性が良好で、かつ原料が安価であり、生産性に優れるためである。金属元素Ｍがアルミニウムの場合、金属酸化物粒子（ｂ）は、主としてＺｎＡｌ２Ｏ４で表されることが好ましい。
　金属酸化物粒子（ｂ）は、主としてＺｎＭ２Ｏ４（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）で表されることが好ましい。このような金属酸化物粒子（ｂ）を含有することで、複合酸化物焼結体の導電性が向上し、上述の異常放電現象が一層抑制される。なお、「主としてＺｎＭ２Ｏ４で表される」とは、金属酸化物粒子（ｂ）を含む複合酸化物焼結体をＸ線回折試験（ＸＲＤ）で評価した場合に、ＪＣＰＤＳ（Ｊｏｉｎｔ　Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ　ｏｎ　Ｐｏｗｄｅｒ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ　Ｓｔａｎｄａｒｄｓ）データベースのＺｎＭ２Ｏ４（例えば、Ａｌの場合はＺｎＡｌ２Ｏ４）のピークパターン又はそれに類似したピークパターン（シフトしたピークパターン）を示すことをいう。
　上記複合酸化物焼結体において、複合酸化物焼結体中の亜鉛、インジウム及び金属元素Ｍの合計に対するインジウムの原子比は、０．００１～０．０２であることが好ましく、より好ましくは０．００１～０．０１であり、さらに好ましくは０．００２～０．０１である。インジウムの含有量が上記範囲内であることで、複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて得られる薄膜の抵抗率が低下し、耐熱性や耐湿性が向上する傾向がある。
　また、上記複合酸化物焼結体中の亜鉛、インジウム及び金属元素Ｍの合計に対する、金属元素Ｍの原子比が、０．００５～０．０５であることが好ましく、より好ましくは０．００５～０．０４であり、さらに好ましくは０．０１～０．０４である。金属元素Ｍの含有量が上記範囲内であることで、複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いて得られる薄膜の抵抗率が低下し、液晶等の各種表示素子や太陽電池等の各種受光素子の電極等の用途の薄膜として特に好適となる。
　複合酸化物焼結体中のインジウム及び金属元素Ｍの好ましい含有量は、下記の式（ＩＩ)及び（ＩＩＩ）によっても表すことができる。すなわち、複合酸化物焼結体を構成する金属元素が、原子比で下記式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）を満たすことが好ましい。
　Ｉｎ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｉｎ）＝０．００１～０．０２　　（ＩＩ）
　Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｉｎ）＝０．００５～０．０５　　　（ＩＩＩ）
　さらに、上記式（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）を満たす複合酸化物焼結体において、金属酸化物粒子（ｂ）がＺｎＭ２Ｏ４を主成分とする粒子であることが好ましい。このような構成を備えることで、複合酸化物焼結体の導電性が向上し、上述の異常放電現象を一層抑制できるようになる。また、得られた薄膜が、低抵抗となり、耐熱性及び耐湿性により優れるようになる。
　このような組成のなかでも、さらに、下記式（ＩＶ）及び（Ｖ）を満たすことが好ましい。
　Ｉｎ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｉｎ）＝０．００１～０．０１　　（ＩＶ）
　Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｉｎ）＝０．００５～０．０４　　　（Ｖ）
　上記複合酸化物焼結体は、亜鉛、インジウム及び金属元素Ｍ以外の元素を含有していてもよく、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｇｅ，Ｓｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｗ等を例示することができる。これらの元素の含有量は、亜鉛、インジウム及び金属元素Ｍの総モル数を１として、０．０５以下であることが好ましく、０．０２以下であることがより好ましい。
　上記複合酸化物焼結体は、金属酸化物粒子（ａ）と金属酸化物粒子（ｂ）以外の粒子を含有していてもよいが、実質的に金属酸化物粒子（ａ）と金属酸化物粒子（ｂ）からなる複合酸化物焼結体であることが好ましい。複合酸化物焼結体の全質量基準で、金属酸化物粒子（ａ）と金属酸化物粒子（ｂ）の総質量が９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましく、９８％以上であることがさらに好ましい。このような複合酸化物焼結体は、上記本発明の効果をより良好に得ることができる。
（複合酸化物焼結体の製造方法）
　本実施形態に係る複合酸化物焼結体の製造方法は、酸化亜鉛粉末と酸化インジウム粉末とを予備混合して第１の混合粉末を得る第１の工程と、上記第１の混合粉末と金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）を含む酸化物粉末とを混合して第２の混合粉末を得る第２の工程と、上記第２の混合粉末を成形して焼成し、複合酸化物焼結体を得る第３の工程と、を有しており、上記第１の工程では、第１の混合粉末のＢＥＴ値が、混合前の上記酸化亜鉛粉末と上記酸化インジウム粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも２ｍ２／ｇ以上大きくなるように混合することを特徴とする。このような製造方法によれば、上記複合酸化物焼結体を効率よく製造することができる。
　原料として使用される酸化亜鉛粉末、酸化インジウム粉末、金属元素Ｍの酸化物粉末としては、特に限定されるものではないが、ＢＥＴ値が２～２０ｍ２／ｇの粉末を用いることが好ましい。特に酸化インジウム粉末と金属元素Ｍの酸化物粉末に関しては、粉末の嵩高さおよび取扱性を考慮すると、ＢＥＴ値が１０～２０ｍ２／ｇであることが好ましい。
　酸化亜鉛粉末、酸化インジウム粉末及び金属元素Ｍの酸化物粉末の使用量は、金属元素の原子比で表して、下記式（ＶＩ）及び（ＶＩＩ）を満たすことが好ましい。また、Ｍがアルミニウムであることが好ましい。
　Ｉｎ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｉｎ）＝０．００１～０．０２　　（ＶＩ）
　Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｉｎ）＝０．００５～０．０５　　　（ＶＩＩ）
　第１の工程における混合方法は、特に限定されず、ジルコニア、アルミナ、ナイロン樹脂等のボールやビーズを用いた、乾式、湿式のメディア撹拌型ミル；メディアレスの容器回転式混合；機械撹拌式混合等の混合方法が例示される。より具体的には、ボールミル、ビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル、Ｖ型混合機、パドル式混合機、二軸遊星撹拌式混合機等が挙げられる。また、第１の工程では、混合と同時に粉砕が行われるが、粉砕後の粉末粒径は微細であるほど好ましく、第１の混合粉末のＢＥＴ値は、５ｍ２／ｇ以上であることが好ましい。なお、湿式法のボールミルやビーズミル、アトライタ、振動ミル、遊星ミル、ジェットミル等を用いる場合には、粉砕後のスラリーを乾燥する必要がある。この乾燥方法は特に限定されるものではないが、例えば、濾過乾燥、流動層乾燥、噴霧乾燥等が挙げられる。
　第１の混合粉末は、第２の工程へ供する前に仮焼することが好ましい。このときの温度は６００～１２００℃が好ましく、時間は１～３時間で十分である。これにより、複合酸化物焼結体の微細構造がより一層得られやすく、かつスピネル構造の粒子の最大粒径をより小さくすることが可能となる。
　第２の工程では、第１の混合粉末と金属元素Ｍを含む酸化物粉末とを混合し、第２の混合粉末を得る。このときの混合方法には特に限定はなく、前述の第１の工程における予備混合と同様の方法が用いられる。またこの混合により、第２の混合粉末のＢＥＴ値が、第１の混合粉末のＢＥＴ値より２ｍ２／ｇ以上大きくなるよう混合することが好ましい。これにより、複合酸化物焼結体の微細構造がより一層得られやすく、かつスピネル構造の金属酸化物粒子（ｂ）の最大粒径をより小さくすることが可能となる。
　第２の混合粉末において、亜鉛、インジウム及び金属元素Ｍの合計に対するインジウムの原子比は、０．００１～０．０２であることが好ましい。また、第２の混合粉末において、亜鉛、インジウム及び金属元素Ｍの合計に対する金属元素Ｍの原子比は、０．００５～０．０５であることが好ましい。このような含有量比にすることで、好適な組成比を有する複合酸化物焼結体を、効率よく製造することができる。
　次いで、第３の工程では、第２の混合粉末を成形して焼成し、複合酸化物焼結体を得る。成形方法は、目的とした形状に成形できる成形方法を適宜選択することが肝要であり、特に限定されるものではない。成形方法としては、プレス成形法、鋳込み成形法等が例示できる。成形圧力はクラック等の発生がなく、取り扱いが可能な成形体となるような成形圧力であれば、特に限定されるものではない。また、成形体の成形密度は可能な限り、高めた方が好ましい。このように高い成形密度の成形体を得るために、冷間静水圧成形（ＣＩＰ）等の方法を用いることも可能である。
　第３の工程において、焼成温度は８００～１６００℃が好ましい。このような焼成温度であると、複合酸化物焼結体の微細構造がより良好に得られる。また、焼成温度は１１００～１５００℃がより好ましい。このような焼成温度であると、酸化亜鉛系複合酸化物特有の揮発消失が抑制され、かつ比較的焼結密度を高めることができる。取り扱いやスパッタリング時の破損防止等の観点から、焼結密度は４．７ｇ／ｃｍ３以上とすることが好ましい。焼成時間は、特に限定されるものではないが、通常１～４８時間であり、生産性への影響を考慮すると、好ましくは３～２４時間である。
　焼成時の昇温速度は、特に限定されるものではないが、８００℃以上の温度域で焼成を行う場合は、５０℃／時間以下であることが好ましい。これは、金属酸化物粒子（ａ）と金属酸化物粒子（ｂ）を効率よく形成させ、複合酸化物焼結体の均質性をより高めるためである。また、焼成雰囲気は特に限定されるものではないが、例えば、大気中、酸素中、不活性ガス雰囲気中等が適宜選択される。また、焼成時の圧力も特に限定されるものではなく、常圧以外に加圧、減圧状態での焼成も可能である。さらに、ＨＩＰ法やホットプレス焼結等により焼成することも可能である。
　このようにして得られる複合酸化物焼結体の相対密度は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましく、９６％以上であることがさらに好ましい。相対密度を高くすることによって、異常放電現象の発生を一層抑制することができる。
　すなわち、本実施形態の製造方法では、酸化亜鉛粉末と酸化インジウム粉末を、ＢＥＴ値が混合前より２ｍ２／ｇ以上大きくなるよう予備混合し、これにさらに金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウムおよび／またはガリウムを示す）の酸化物粉末を混合し、得られた混合粉末を成形し、焼成することによって、複合酸化物焼結体を製造することができる。
（スパッタリングターゲット）
　本実施形態に係るスパッタリングターゲットは、上記複合酸化物焼結体からなり、例えば、上記複合酸化物焼結体を所定の形状に加工して製造することができる。このようなスパッタリングターゲットは、スパッタリング中の異常放電現象が抑制され、生産性よく金属酸化物の薄膜を製造することができる。
（薄膜の製造方法）
　本実施形態に係る薄膜の製造方法は、上記複合酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いることを特徴とする。従来のスパッタリングターゲットを用いた場合には異常放電現象が多発し、生産性良く薄膜を得ることが困難であった。しかし、本実施形態の製造方法によれば、異常放電現象を十分に抑制することが可能となり、生産性良く薄膜を得ることができる。
　薄膜は、スパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により成膜されことが好ましい。スパッタリング法としては、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣマグネトロンスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等を適宜選択することができる。
　得られた薄膜は、金属酸化物からなる薄膜であり、このような薄膜は、高い光透過率と高い導電性を有し、例えば、液晶表示素子や太陽電池等の各種受光素子の電極として好適に使用することができる。
　以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。
　以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、湿式ボールミルで予備混合して混合粉末を得た。この混合粉末のＢＥＴ値は、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、２．０ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　得られた混合粉末と、ＢＥＴ値が１４ｍ２／ｇである純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末とを湿式ボールミルで混合してスラリーを調製し、噴霧乾燥して乾燥粉末１を得た。乾燥粉末１の組成は表１に示すとおりであった。なお、表１及び表２において、Ｉｎの量は、亜鉛、インジウム及び金属元素Ｍの合計に対するインジウムの原子比（すなわち、Ｉｎ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｉｎ）で算出される値）を示す。また、Ｍの量は、亜鉛、インジウム及び金属元素Ｍの合計に対する金属元素Ｍの原子比（すなわち、Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｉｎ）で算出される値）を示す。
　乾燥粉末１を、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１５００℃、窒素雰囲気で６０時間焼成して、複合酸化物焼結体を得た。この複合酸化物焼結体の特性を表１に示す。
　得られた複合酸化物焼結体を、ＸＲＤ、ＴＥＭ／ＥＤＳ、ＳＥＭ／ＥＤＳ、ＥＰＭＡ、ＳＰＭを用いて分析した。各分析の結果、六方晶系層状構造を有し、酸化亜鉛及びインジウムを含む金属酸化物粒子（ａ）が観察されたものを「Ａ」、観察されなかったものを「Ｂ」として評価した。また、スピネル構造を有し、金属元素Ｍ（Ａｌ）を含有するＺｎＭ２Ｏ４を主とする金属酸化物粒子（ｂ）が観察されたものを「Ａ」、観察されなかったものを「Ｂ」として評価した。なお、金属酸化物粒子（ａ）及び（ｂ）の粒径は前述の方法で求めた。これらの結果を表１に纏めて示す。
　得られた複合酸化物焼結体を、４インチφサイズに加工してスパッタリングターゲットとし、スパッタリング評価を行った。スパッタリングは、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、基板温度２００℃、到達真空度５×１０－５Ｐａ、スパッタリングガスＡｒ、スパッタリングガス圧０．５Ｐａ、ＤＣパワー３００Ｗの条件で行った。放電特性は、単位時間当たりに発生した異常放電回数が１回以上且つ１００回未満／時間であった場合を「Ａ」、１００回以上／時間であった場合を「Ｂ」と評価した。評価結果を表１に示す。
（比較例１）
　ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、表１に示した組成になるように乾式ボールミルで混合して混合粉末を得た。この混合粉末のＢＥＴ値は、混合前の酸化アルミニウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、１．４ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　得られた混合粉末を、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１４００℃、アルゴン雰囲気で５時間焼成して、焼結体を得た。この焼結体の特性を表１に示す。この焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例１と同様にしてスパッタリング評価を行った。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１から明らかなように、実施例１の複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを用いることにより、成膜時の異常放電を抑制することが可能であった。
（実施例２）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを湿式ボールミルで予備混合してスラリー１を調製した。このスラリー１の一部を乾燥し、ＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、２．３ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られたスラリー１に、ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末を湿式ボールミルで混合してスラリー２を調製し、噴霧乾燥して、乾燥粉末１を得た。乾燥粉末１の組成は表２に記載のとおりであった。乾燥粉末１を３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１２００℃、窒素雰囲気で５時間焼成して、複合酸化物焼結体を得た。
　得られた複合酸化物焼結体を、ＸＲＤ、ＴＥＭ／ＥＤＳ、ＳＥＭ／ＥＤＳ、ＥＰＭＡ、ＳＰＭを用いて分析した。各分析の結果、六方晶系層状構造を有し、酸化亜鉛及びインジウムを含む金属酸化物粒子（ａ）が観察されたものを「Ａ」、観察されなかったものを「Ｂ」として評価した。また、スピネル構造を有し、金属元素Ｍ（Ａｌ）を含有するＺｎＭ２Ｏ４を主とする金属酸化物粒子（ｂ）が観察されたものを「Ａ」、観察されなかったものを「Ｂ」として評価した。なお、金属酸化物粒子（ａ）及び（ｂ）の粒径は前述の方法で求めた。これらの結果を表２に纏めて示す。
　得られた複合酸化物焼結体を、４インチφサイズに加工してスパッタリングターゲットとし、スパッタリング評価を行った。スパッタリングは、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い、基板温度２００℃、到達真空度５×１０－５Ｐａ、スパッタリングガスＡｒ、スパッタリングガス圧０．５Ｐａ、ＤＣパワー３００Ｗの条件で行った。放電特性は、単位時間当たりに発生した異常放電回数が１回未満／時間であった場合を「Ａ’」、１～１００回未満／時間であった場合を「Ｂ’」、１００～１０００回未満／時間であった場合を「Ｃ’」、１０００回以上／時間であった場合を「Ｄ’」と評価した。評価結果を表２に示す。
（実施例３）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、湿式ボールミルで予備混合してスラリー１を調製した。調製したスラリー１の一部を乾燥し、ＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、２．２ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られたスラリー１に、ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末を湿式ビーズミルで混合してスラリー２を調製し、噴霧乾燥して乾燥粉末１を得た。乾燥粉末１の組成は表２に記載のとおりであった。乾燥粉末１を３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１５００℃、窒素雰囲気で５時間焼成して、複合酸化物焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた複合酸化物焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この複合酸化物焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（実施例４）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、湿式ビーズミルで予備混合してスラリー１を調製した。このスラリー１を乾燥して乾燥粉末１を得た。この乾燥粉末１のＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、２．８ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られた乾燥粉末１を、１１００℃で４時間仮焼した。得られた仮焼粉末と、ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末とを、湿式ビーズミルで混合しスラリー２を調製した。このスラリー２を乾燥して乾燥粉末２を得た。この乾燥粉末２のＢＥＴ値を測定したところ、混合前の乾燥粉末１のＢＥＴ値よりも２．１ｍ２／ｇ大きくなっていた。乾燥粉末２の組成は表２に記載のとおりであった。
　得られた乾燥粉末２を、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１４００℃、大気雰囲気で１２時間焼成して複合酸化物焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた複合酸化物焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この複合酸化物焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（実施例５）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、乾式ボールミルで予備混合して混合粉末１を得た。この混合粉末１のＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、２．０ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られた混合粉末１と、ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末とを、乾式ボールミルで混合して混合粉末２を得た。混合粉末２の組成は表２に記載のとおりであった。得られた混合粉末２を、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１４００℃、窒素雰囲気で１２時間焼成して複合酸化物焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた複合酸化物焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この複合酸化物焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（実施例６）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、湿式ビーズミルで予備混合してスラリー１を得た。このスラリー１を乾燥して乾燥粉末１を得た。この乾燥粉末１のＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、３．０ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られた乾燥粉末１を、温度１２００℃で５時間仮焼し、この仮焼粉末と、ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末とを湿式ビーズミルで混合し、スラリー２を調製した。このスラリー２を噴霧乾燥して乾燥粉末２を得た。乾燥粉末２のＢＥＴ値を測定したところ、乾燥粉末１よりも２．０ｍ２／ｇ大きくなっていた。乾燥粉末２の組成は表２に記載のとおりであった。
　乾燥粉末２を、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１４００℃、窒素雰囲気で５時間焼成して、複合酸化物焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた複合酸化物焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この複合酸化物焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（実施例７）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、乾式ボールミルで予備混合して混合粉末１を得た。この混合粉末１のＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、２．１ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られた混合粉末１と、ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末とを、湿式ビーズミルで混合してスラリー１を得た。スラリー１の組成は表２に記載のとおりであった。得られたスラリー１を噴霧乾燥した後、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１１００℃、窒素雰囲気で５時間焼成して複合酸化物焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた複合酸化物焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この複合酸化物焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（実施例８）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、湿式ボールミルで予備混合してスラリー１を得た。このスラリー１の一部を乾燥し、ＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値と比較して、２．２ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られたスラリー１に、ＢＥＴ値８ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化ガリウム粉末を湿式ボールミルで混合し、スラリー２を調製し、噴霧乾燥して乾燥粉末１を得た。乾燥粉末１の組成は表２に記載のとおりであった。この乾燥粉末１を３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１４００℃、窒素雰囲気で５時間焼成し、複合酸化物焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた複合酸化物焼結体の特性の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この複合酸化物焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（比較例２）
　ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを湿式ボールミルで混合してスラリーを得た。このスラリーを噴霧乾燥して乾燥粉末を得た。この乾燥粉末のＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、２．３ｍ２／ｇ大きくなっていた。乾燥粉末の組成は表２に記載のとおりであった。
　次に得られた乾燥粉末を、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１４００℃、アルゴン雰囲気で５時間焼成して、焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（比較例３）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、乾式ボールミルで予備混合して混合粉末１を得た。この混合粉末１のＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、１．０ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られた混合粉末１と、ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末とを、乾式ボールミルで混合して混合粉末２を得た。混合粉末２の組成は表２に記載のとおりであった。得られた混合粉末２を３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度９００℃、窒素雰囲気で５時間焼成して、焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（比較例４）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、湿式ボールミルで予備混合してスラリー１を調製した。このスラリー１の一部を乾燥し、ＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、１．５ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られたスラリー１に、ＢＥＴ１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末を、湿式ボールミルで混合し、スラリー２を調製した。このスラリー２を噴霧乾燥して、乾燥粉末１を得た。乾燥粉末１の組成は表２に記載のとおりであった。
　乾燥粉末１を、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１６００℃、窒素雰囲気で１２時間焼成して、焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（比較例５）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値４ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末とを、湿式ボールミルで予備混合してスラリー１を得た。スラリー１の一部を乾燥し、ＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末と酸化亜鉛粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、１．３ｍ２／ｇ大きくなっていた。
　次に得られたスラリー１に、ＢＥＴ１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末を湿式ボールミルで混合してスラリー２を調製し、噴霧乾燥して乾燥粉末１を得た。得られた乾燥粉末１のＢＥＴ値は、スラリー１の一部を乾燥して測定したＢＥＴ値よりも１．２ｍ２／ｇ大きくなっていた。乾燥粉末１の組成は表２に記載のとおりであった。得られた乾燥粉末１を、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を、温度１４００℃、窒素雰囲気で５時間焼成して焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
（比較例６）
　ＢＥＴ値１０ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化インジウム粉末と、ＢＥＴ値３ｍ２／ｇ、純度９９．８％の酸化亜鉛粉末と、ＢＥＴ値１４ｍ２／ｇ、純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末とを、湿式ボールミルで混合してスラリーを調製した。スラリーを噴霧乾燥して乾燥粉末を得た。乾燥粉末のＢＥＴ値を測定したところ、混合前の酸化インジウム粉末、酸化亜鉛粉末及び酸化アルミニウム粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも、２．１ｍ２／ｇ大きくなっていた。この乾燥粉末の組成は表２に記載のとおりであった。
　次に得られた乾燥粉末を、３．０ｔｏｎ／ｃｍ２でＣＩＰ成形し、直径１５０ｍｍ、厚さ１２ｍｍの円板形状の成形体を得た。この成形体を温度１０００℃、窒素雰囲気で５時間焼成し、焼結体を得た。実施例２と同様にして、得られた焼結体の評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
　この焼結体を４インチφサイズに加工してターゲットとし、実施例２と同様にしてスパッタリング評価を行った。その評価結果は表２に示すとおりであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　図１は、実施例３の複合酸化物焼結体の断面を示すＳＥＭ写真である。図１中、金属酸化物粒子（ａ）１０は、層状構造を有しており、長径１２と短径１３とから算出されるアスペクト比（長径／短径）が、２以上であった。また、図１中、白色（淡色）の粒子は金属酸化物粒子（ｂ）である。金属酸化物粒子（ｂ）１１は複合酸化物焼結体中に分散していることが確認された。一方、図２は、比較例２の焼結体の断面を示すＳＥＭ写真である。図２中、白色（淡色）の粒子は金属酸化物粒子（ｂ）である。図２中、白線で囲まれた粒子の形状から明らかなように、アスペクト比が２以上の金属酸化物粒子（ａ）はほとんど観測されなかった。
　図３は、実施例３の複合酸化物焼結体の断面を示すＳＰＭ写真である。図３の右側の写真は、左側の写真の一部の領域を拡大して示している。図３中、金属酸化物粒子（ａ）２０の内部に層状構造が観測された。また、複合酸化物焼結体中に金属酸化物粒子（ｂ）２１が分散していることが確認された。一方、図４は、比較例２の焼結体の断面を示すＳＰＭ写真である。図４の右側の写真は、左側の写真の一部の領域を拡大して示している。図４中、いずれの粒子にも層状構造は観測されなかった。
　本発明によれば、スパッタリング中の異常放電現象を著しく抑制することが可能なスパッタリングターゲットとして使用される複合酸化物焼結体、当該複合酸化物焼結体の製造方法、上記複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット、及び上記複合酸化物焼結体を用いる薄膜の製造方法が提供される。
　１０…金属酸化物粒子（ａ）、１１…金属酸化物粒子（ｂ）、１２…長径、１３…短径、２０…金属酸化物粒子（ａ）、２１，２２…金属酸化物粒子（ｂ）。

Claims (11)

  1. 　六方晶系層状構造を有し、酸化亜鉛及びインジウムを含む金属酸化物粒子（ａ）と、
    　スピネル構造を有し、金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）を含む金属酸化物粒子（ｂ）と、を含んでおり、
    　前記金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値は１０μｍ以下であり、
    　個数基準で前記金属酸化物粒子（ａ）の全体の２０％以上はアスペクト比（長径／短径）が２以上である、複合酸化物焼結体。
  2. 　前記金属酸化物粒子（ｂ）の最大粒径は１０μｍ以下である、請求項１に記載の複合酸化物焼結体。
  3. 　亜鉛、インジウム及び前記金属元素Ｍの合計に対するインジウムの原子比が０．００１～０．０２であり、
    　前記合計に対する前記金属元素Ｍの原子比が０．００５～０．０５である、請求項１又は２に記載の複合酸化物焼結体。
  4. 　前記金属酸化物粒子（ｂ）はＺｎＭ２Ｏ４を主成分として含有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の複合酸化物焼結体。
  5. 　前記金属元素Ｍはアルミニウムである、請求項１～４のいずれか一項に記載の複合酸化物焼結体。
  6. 　酸化亜鉛粉末と酸化インジウム粉末とを混合して第１の混合粉末を得る第１の工程と、
    　前記第１の混合粉末と金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）を含む酸化物粉末とを混合して第２の混合粉末を得る第２の工程と、
    　前記第２の混合粉末を成形して焼成し、複合酸化物焼結体を得る第３の工程と、を有しており、
    　前記第１の工程では、第１の混合粉末のＢＥＴ値が、混合前の前記酸化亜鉛粉末と前記酸化インジウム粉末のＢＥＴ値の加重平均値よりも２ｍ２／ｇ以上大きくなるように前記酸化亜鉛粉末と前記酸化インジウム粉末とを混合する、複合酸化物焼結体の製造方法。
  7. 　前記第３の工程で得られる前記複合酸化物焼結体は、
    　六方晶系層状構造を有し、酸化亜鉛及びインジウムを含む金属酸化物粒子（ａ）と、
    　スピネル構造を有し、金属元素Ｍ（但し、Ｍはアルミニウム及び／又はガリウム）を含む金属酸化物粒子（ｂ）と、を含んでおり、
    　前記金属酸化物粒子（ａ）の長径の平均値は１０μｍ以下であり、
    　個数基準で前記金属酸化物粒子（ａ）の全体の２０％以上はアスペクト比（長径／短径）が２以上である、請求項６に記載の複合酸化物焼結体の製造方法。
  8. 　前記第２の混合粉末において、亜鉛、インジウム及び前記金属元素Ｍの合計に対するインジウムの原子比が０．００１～０．０２であり、前記合計に対する前記金属元素Ｍの原子比が０．００５～０．０５である、請求項６又は７に記載の複合酸化物焼結体の製造方法。
  9. 　前記金属元素Ｍはアルミニウムである、請求項６～８のいずれか一項に記載の複合酸化物焼結体の製造方法。
  10. 　請求項１～５のいずれか一項に記載の複合酸化物焼結体からなる、スパッタリングターゲット。
  11. 　請求項１０記載のスパッタリングターゲットを用いる薄膜の製造方法。
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