[go: up one dir, main page]

KR20110039449A - 복합 산화물 소결체, 복합 산화물 소결체의 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 박막의 제조방법 - Google Patents

복합 산화물 소결체, 복합 산화물 소결체의 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 박막의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20110039449A
KR20110039449A KR1020117002435A KR20117002435A KR20110039449A KR 20110039449 A KR20110039449 A KR 20110039449A KR 1020117002435 A KR1020117002435 A KR 1020117002435A KR 20117002435 A KR20117002435 A KR 20117002435A KR 20110039449 A KR20110039449 A KR 20110039449A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
powder
composite oxide
sintered body
indium
oxide sintered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020117002435A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101590429B1 (ko
Inventor
히데토 쿠라모치
켄지 오미
마사노리 이치다
히토시 이이구사
Original Assignee
토소가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 토소가부시키가이샤 filed Critical 토소가부시키가이샤
Publication of KR20110039449A publication Critical patent/KR20110039449A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101590429B1 publication Critical patent/KR101590429B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62685—Treating the starting powders individually or as mixtures characterised by the order of addition of constituents or additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C04B2235/3222—Aluminates other than alumino-silicates, e.g. spinel (MgAl2O4)
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3232—Titanium oxides or titanates, e.g. rutile or anatase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3239—Vanadium oxides, vanadates or oxide forming salts thereof, e.g. magnesium vanadate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3241—Chromium oxides, chromates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3284—Zinc oxides, zincates, cadmium oxides, cadmiates, mercury oxides, mercurates or oxide forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3287—Germanium oxides, germanates or oxide forming salts thereof, e.g. copper germanate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5409—Particle size related information expressed by specific surface values
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/762—Cubic symmetry, e.g. beta-SiC
    • C04B2235/763—Spinel structure AB2O4
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C04B2235/767—Hexagonal symmetry, e.g. beta-Si3N4, beta-Sialon, alpha-SiC or hexa-ferrites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
    • C04B2235/788—Aspect ratio of the grains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

육방정계 층상 구조를 가지며 산화아연 및 인듐을 함유하는 금속산화물 입자(a)와, 스피넬 구조를 가지며 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)을 함유하는 금속산화물 입자(b)를 포함하는 복합 산화물 소결체로서, 상기 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치는 10㎛ 이하이며, 상기 금속산화물 입자(a)의 개수기준으로 20% 이상은 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 2 이상인, 복합 산화물 소결체.

Description

복합 산화물 소결체, 복합 산화물 소결체의 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 박막의 제조방법{SINTERED COMPLEX OXIDE, METHOD FOR PRODUCING SINTERED COMPLEX OXIDE, SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM}
본 발명은 복합 산화물 소결체, 복합 산화물 소결체의 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 박막의 제조방법에 관한 것이다.
투명 도전막은, 가시광선영역에서의 높은 투과율과 높은 도전성을 지니고, 액정표시소자나 태양전지 등의 각종 수광소자의 전극에 이용되며, 또, 자동차용·건축재용의 열선 반사막·대전 방지막이나, 냉동진열장 등의 방담(防曇)용 투명발열체에 광범위하게 이용되고 있다.
이러한 투명 도전막으로서는, 주석을 도펀트로서 함유하는 산화인듐막이나, 아연을 도펀트로서 함유하는 산화인듐막, 주기율표의 제III족 원소를 적어도 1종류 이상 도펀트로서 함유하는 산화아연막 등이 알려져 있다.
주석을 도펀트로서 함유하는 산화인듐막은 ITO막이라 불리며, 저저항막이 용이하게 얻어진다. 그러나, ITO막의 원료인 인듐은, 희소금속으로 고가이기 때문에, 이 막을 이용했을 때의 저가격화에는 한계가 있다. 또, 인듐은 자원매장량이 적고, 아연광 처리 등의 부산물로서 얻어지는 것에 지나지 않으므로, ITO막의 대폭적인 생산량 증가나 안정 공급은 어려운 상황에 있다.
아연을 도펀트로서 함유하는 산화인듐막은, IZO막이라 불리며, 저저항이 우수한 막이 얻어지지만, ITO막과 마찬가지로 원료인 인듐의 문제가 있다.
그 때문에, ITO를 대체하는 투명 도전막용 재료의 개발이 한창 진행되고 있다. 그 중에서도, 산화아연을 주성분으로 하고, 주기율표의 제III족 원소를 함유하는 산화아연막은, 주원료인 아연이 매우 저가격이고, 또한 매장량·생산량 모두 매우 많기 때문에, ITO막과 같은 자원고갈이나 안정공급에 대한 염려 등의 문제가 없고, 저렴한데다가 화학적으로도 안정하며, 투명성, 도전성도 우수하므로 주목받고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
그런데, 산화아연(ZnO)은 산화물 반도체이며, 화학량론 조성으로부터의 차이에 의한 산소 공공(空孔) 등의 진성 결함이 도너 준위를 형성해서 n형 특성을 나타낸다. 이 산화아연에 주기율표의 제III족 원소를 함유시키면, 전도전자가 증가하여, 비저항이 감소한다. 산화아연에 함유시키는 주기율표의 제III족 원소로서는, 알루미늄(예를 들어, 특허문헌 1, 특허문헌 2 참조), 갈륨(예를 들어, 특허문헌 3 참조), 붕소(예를 들어, 특허문헌 4 참조) 등이 알려져 있다.
종래부터 알려져 있는 산화아연계 스퍼터링 타겟에서는, 투명 도전막 등의 박막 형성 수단으로서 이용될 경우, 스퍼터링 중에 발생하는 이상 방전 현상에 의해, 스퍼터링 장치의 가동률 저하나 발생하는 파티클(particle)의 영향에 의한 제품 수율의 저하 등의 문제가 있다.
이러한 스퍼터링 중에 발생하는 이상 방전 현상을 억제하는 수단으로서, 예를 들어, 특허문헌 1에서는, 제조방법에 연구를 집중함으로써, 소결체의 고밀도화 등에 의한 억제 효과를 제안하고 있다. 또, 예를 들어, 소결체를 고밀도화하고, 또한 주기율표 제III족 원소의 산화물로서 첨가된 산화알루미늄에 기인하는 알루미늄 성분 응집 직경을 최대 5㎛ 이하로 억제함으로써 이상 방전 현상을 한층 억제하는 것이 표시되어 있다(특허문헌 5 참조).
또한, 산화아연과 첨가물인 산화알루미늄으로 이루어진 ZnAl2O4 입자의 평균 입자직경을 0.5㎛ 이하로 함으로써 스퍼터링 중의 이상 방전을 억제하고, 내습성이 향상된 박막의 제조 수율을 향상시키는 것이 표시되어 있다(특허문헌 6 참조).
JP 2805813 B JPH6-2130 A JPH6-25838 A JP2004-175616 A JP 3864425 B JP2006-200016 A
그러나, 종래의 산화아연계 스퍼터링 타겟에서는, 스퍼터링 중의 이상 방전 현상의 발생을 충분히 저감시키는 것이 곤란하였다. 이와 같이, 스퍼터링 중에 이상 방전 현상이 발생하면, 파티클이 비산하여, 수율이 저하되어, 박막의 생산성이 저하되는 경향이 있다. 이 때문에, 본 발명에서는, 이상 방전 현상의 발생을 충분히 억제하는 것이 가능한 스퍼터링 타겟 및 그러한 스퍼터링 타겟을 이용한 박막의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 그러한 스퍼터링 타겟으로서 사용하는 것이 가능한 복합 산화물 소결체 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 감안하여, 본 발명자들은, 예의 검토를 거듭한 결과, 특정한 구조를 가진 복합 산화물 소결체를 스퍼터링 타겟으로서 이용함으로써, 스퍼터링 중의 이상 방전 현상을 현저하게 억제하는 것이 가능한 것을 찾아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 육방정계 층상 구조를 가지며 산화아연 및 인듐을 함유하는 금속산화물 입자(a)와, 스피넬 구조를 가지며 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)을 함유하는 금속산화물 입자(b)를 포함하고 있고, 상기 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치는 10㎛ 이하이며, 개수기준으로 상기 금속산화물 입자(a)의 전체의 20% 이상은 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 2 이상인, 복합 산화물 소결체를 제공한다.
상기 금속산화물 입자(b)의 최대 입자직경은 10㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또, 상기 복합 산화물 소결체는, 아연, 인듐 및 상기 금속 원소 M의 합계에 대한 인듐의 원자비가 0.001 내지 0.02이며, 상기 합계에 대한 상기 금속 원소 M의 원자비가 0.005 내지 0.05인 것이 바람직하다.
또한, 상기 금속산화물 입자(b)는 ZnM2O4를 주성분으로서 함유하는 것이 바람직하다. 또, 상기 금속 원소 M은 알루미늄인 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 산화아연 분말과 산화인듐 분말을 혼합해서 제1혼합 분말을 얻는 제1공정과, 상기 제1혼합 분말과 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)을 함유하는 산화물 분말을 혼합해서 제2혼합 분말을 얻는 제2공정과, 상기 제2혼합 분말을 성형해서 소성하여, 복합 산화물 소결체를 얻는 제3공정을 포함하고 있고, 상기 제1공정에서는, 제1혼합 분말의 BET값이 혼합 전의 상기 산화아연 분말과 상기 산화인듐 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2㎡/g 이상 커지도록 상기 산화아연 분말과 상기 산화인듐 분말을 혼합하는, 복합 산화물 소결체의 제조방법을 제공한다.
상기 제3공정에서 얻어지는 상기 복합 산화물 소결체는, 육방정계 층상 구조를 가지며 산화아연 및 인듐을 함유하는 금속산화물 입자(a)와, 스피넬 구조를 가지며 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)을 함유하는 금속산화물 입자(b)를 포함하고 있고, 상기 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치는 10㎛ 이하이며, 개수기준으로 상기 금속산화물 입자(a)의 전체의 20% 이상은 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 2 이상이다.
상기 제2혼합 분말에 있어서, 아연, 인듐 및 상기 금속 원소 M의 합계에 대한 인듐의 원자비가 0.001 내지 0.02이며, 상기 합계에 대한 상기 금속 원소 M의 원자비가 0.005 내지 0.05인 것이 바람직하다. 또, 상기 금속 원소 M은 알루미늄인 것이 바람직하다.
본 발명은 또 상기 복합 산화물 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟을 제공한다.
본 발명은 또한 상기 스퍼터링 타겟을 이용하는 박막의 제조방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 스퍼터링 중의 이상 방전 현상을 현저하게 억제하는 것이 가능한 스퍼터링 타겟으로서 사용되는 복합 산화물 소결체, 상기 복합 산화물 소결체의 제조방법, 상기 복합 산화물 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟 및 상기 복합 산화물 소결체를 이용하는 박막의 제조방법이 제공된다.
도 1은 실시예 3의 복합 산화물 소결체의 단면을 나타낸 SEM 사진;
도 2는 비교예 2의 소결체의 단면을 나타낸 SEM 사진;
도 3은 실시예 3의 복합 산화물 소결체의 단면을 나타낸 SPM 사진;
도 4는 비교예 2의 소결체의 단면을 나타낸 SPM 사진.
(복합 산화물 소결체)
본 실시형태에 따른 복합 산화물 소결체는, 육방정계 층상 구조를 가지며 산화아연 및 인듐을 함유하는 금속산화물 입자(a)와, 스피넬 구조를 가지며 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)을 함유하는 금속산화물 입자(b)를 포함한다. 그리고, 상기 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치는 10㎛ 이하이고, 개수기준으로 상기 금속산화물 입자(a)의 전체의 20% 이상은 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 2 이상이다. 이러한 구성을 가진 복합 산화물 소결체에 의하면, 스퍼터링 중의 이상 방전 현상의 발생을 현저하게 저감시키는 것이 가능한 스퍼터링 타겟을 얻을 수 있다. 그리고, 상기 스퍼터링 타겟을 이용해서 박막을 성막함으로써, 파티클의 발생이 억제되어, 생산성 양호하게 박막을 얻을 수 있다.
상기 복합 산화물 소결체는, X선 회절시험에 있어서, 산화아연의 육방정계 우르츠형에 귀속되는 회절 패턴과, 스피넬 구조에 귀속되는 회절 패턴의 양쪽을 나타낸다. 전자는, 금속산화물 입자(a) 유래의 회절 패턴이며, 후자는 금속산화물 입자(b) 유래의 회절 패턴인 것으로 여겨진다.
또, 상기 복합 산화물 소결체를, TEM/EDS(투과 전자현미경/에너지 분산형 X선 분석장치), SEM/EDS(주사 전자현미경/에너지 분산형 X선 분석장치), EPMA(X선 마이크로분석기), SPM(주사형 프로브 현미경) 등에 의해서 분석함으로써, 주로 산화아연으로 구성되는 층상 구조를 가진 금속산화물 입자(a)가 관측된다. 이러한 층상 구조를 가진 금속산화물 입자(a)를 포함하는 것이, 스퍼터링 중의 이상 방전 현상을 억제할 수 있는 한가지 요인인 것으로 여겨진다. 또한, 스퍼터링 타겟으로서 사용되고 있는 종래의 산화아연에서는, 육방정계 우르츠형의 결정구조를 가진 것은 있어도, 육방정계 우르츠형의 결정구조를 가지면서 층상 구조를 가진 것은 알려져 있지 않다.
또한, 상기 복합 산화물 소결체를, TEM/EDS, SEM/EDS나 EPMA 등에 의해서 분석함으로써, 스피넬 구조를 가지며 금속 원소 M을 함유하는 금속산화물 입자(b)가 관측된다.
상기 복합 산화물 소결체에 있어서의 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치는, 예를 들어, 이하의 방법으로 측정할 수 있다. 우선, 복합 산화물 소결체를 적당한 크기로 절단한 후, 관찰면을 표면 연마하고, 이어서 묽은 아세트산 용액으로 화학적 에칭을 행하여, 입계를 명확화한다. 그 후, EPMA나 SEM/EDS를 이용해서, 복합 산화물 소결체의 연마면의 관찰 사진을 찍는 동시에 각 입자의 조성을 확인한다. 얻어진 관찰 사진을 산화아연으로 이루어진 육방정계 층상 구조를 가진 입자(금속산화물 입자(a))에 착안해서 화상처리하고, 상기 입자의 긴 직경을 구한다. 측정은, 적어도 랜덤하게 추출된 500개의 입자를 대상으로 행하여, 그 개수평균치를 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치라 한다.
금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치는, 바람직하게는 8㎛ 이하이고, 보다 바람직하게는 7㎛ 이하이다. 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치가 8㎛ 이하인 복합 산화물 소결체에 의하면, 이상 방전 현상을 한층 억제가능한 스퍼터링 타겟이 얻어진다.
상기 복합 산화물 소결체에 있어서, 금속산화물 입자(a) 중, 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 2 이상인 입자의 비율은, 개수기준으로 금속산화물 입자(a)의 전체 입자수의 20% 이상이다. 여기서, 애스펙트비는, 전술한 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 측정과 마찬가지로 해서, 금속산화물 입자(a)의 짧은 직경을 구하여, 이하의 식 (I)에서 구하는 것이 가능하다:
애스펙트비 = 긴 직경/짧은 직경 ....(I).
또, 애스펙트비가 2 이상인 금속산화물 입자(a)의 비율은, 긴 직경 및 짧은 직경을 측정한 금속산화물 입자(a)의 전체 개수에 대한 애스펙트비가 2 이상인 금속산화물 입자(a)의 개수의 비로서 구할 수 있다. 애스펙트비가 2 이상인 입자의 비율은, 40% 이상이면 바람직하고, 50% 이상이면 보다 바람직하다. 이러한 복합 산화물 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟은 이상 방전 현상을 한층 억제할 수 있다.
금속산화물 입자(a)는, 인듐을 함유하고, 산화아연으로 이루어진 육방정계 층상 구조를 가진 입자로서, 긴 직경의 평균이 10㎛ 이하이고, 또한 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 2 이상인 입자의 비율이 개수기준으로 20% 이상인 입자여도 된다. 즉, 금속산화물 입자(a)는 주로 육방정계 층상 구조를 가진 산화아연에 인듐이 포함된 입자여도 된다.
금속산화물 입자(b)는, 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/ 또는 갈륨을 나타냄)을 함유하고, 스피넬 구조를 가진 입자이다.
금속산화물 입자(b)의 최대 입자직경은, 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하며, 3㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 이것에 의해, 이상 방전 현상을 한층 억제하는 것이 가능해진다. 여기서 금속산화물 입자(b)의 최대 입자직경은, 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 측정과 마찬가지로 해서 500개의 금속산화물 입자(b)의 입자직경의 측정을 행하여, 그 최대값으로서 구한다.
또, 금속산화물 입자(b)의 평균 입자직경은, 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 측정과 마찬가지로 해서 500개의 금속산화물 입자(b)의 입자직경의 측정을 행하고, 그 개수평균치로서 구한다. 금속산화물 입자(b)의 평균 입자직경은 2㎛ 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 1㎛ 이하이다.
금속 원소 M은, 알루미늄 및/또는 갈륨을 나타내고, 특히 알루미늄이 적합하게 이용된다. 이 이유는, 알루미늄은 취급성이 양호하면서도 원료가 저렴하고, 또 생산성이 우수하기 때문이다. 금속 원소 M이 알루미늄인 경우, 금속산화물 입자(b)는 주로 ZnAl2O4로 표시되는 것이 바람직하다.
금속산화물 입자(b)는 주로 ZnM2O4(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)로 표시되는 것이 바람직하다. 이러한 금속산화물 입자(b)를 함유함으로써, 복합 산화물 소결체의 도전성이 향상되고, 전술한 이상 방전 현상이 한층 억제된다. 또한, 「주로 ZnM2O4로 표시되는」이란, 금속산화물 입자(b)를 포함하는 복합 산화물 소결체를 X선 회절시험(XRD)으로 평가했을 경우에, JCPDS(Joint Co㎜ittee on Powder Diffraction Standards) 데이터베이스의 ZnM2O4(예를 들어, Al의 경우에는 ZnAl2O4)의 피크 패턴 또는 그와 유사한 피크 패턴(시프트된 피크 패턴)을 나타내는 것을 의미한다.
상기 복합 산화물 소결체에 있어서, 복합 산화물 소결체 중의 아연, 인듐 및 금속 원소 M의 합계에 대한 인듐의 원자비는 0.001 내지 0.02인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.001 내지 0.01이며, 더 바람직하게는 0.002 내지 0.01이다. 인듐의 함유량이 상기 범위 내인 것에 의해서, 복합 산화물 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟을 이용해서 얻어지는 박막의 저항률이 저하하고, 내열성이나 내습성이 향상하는 경향이 있다.
또, 상기 복합 산화물 소결체 중의 아연, 인듐 및 금속 원소 M의 합계에 대한 금속 원소 M의 원자비가 0.005 내지 0.05인 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 0.005 내지 0.04이며, 더 바람직하게는 0.01 내지 0.04이다. 금속 원소 M의 함유량이 상기 범위 내인 것에 의해서 복합 산화물 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟을 이용해서 얻어지는 박막의 저항률이 저하하고, 액정 등의 각종 표시소자나 태양전지 등의 각종 수광소자의 전극 등의 용도의 박막으로서 특히 적합해진다.
복합 산화물 소결체 중의 인듐 및 금속 원소 M의 바람직한 함유량은, 하기의 식 (II) 및 (III)에 의해서도 나타낼 수 있다. 즉, 복합 산화물 소결체를 구성하는 금속 원소가 원자비로 하기 식 (II) 및 (III)을 충족시키는 것이 바람직하다:
In/(Zn+M+In) = 0.001 내지 0.02 ...(II)
M/(Zn+M+In) = 0.005 내지 0.05 ....(III).
또한, 상기 식 (II) 및 (III)을 충족시키는 복합 산화물 소결체에 있어서, 금속산화물 입자(b)가 ZnM2O4를 주성분으로 하는 입자인 것이 바람직하다. 이러한 구성을 구비함으로써 복합 산화물 소결체의 도전성이 향상되어, 전술한 이상 방전 현상을 한층 억제할 수 있게 된다. 또, 얻어진 박막이 저저항으로 되어, 내열성 및 내습성이 보다 우수하게 된다.
이러한 조성 중에서도, 더욱 하기 식 (IV) 및 (V)를 충족시키는 것이 바람직하다:
In/(Zn+M+In) = 0.001 내지 0.01 ...(IV)
M/(Zn+M+In) = 0.005 내지 0.04 ...(V).
상기 복합 산화물 소결체는, 아연, 인듐 및 금속 원소 M 이외의 원소를 함유하고 있어도 되고, 예를 들어, Ti, Zr, Si, Ge, Sn, V, Cr, W 등을 예시할 수 있다. 이들 원소의 함유량은, 아연, 인듐 및 금속 원소 M의 총 몰수를 1로 해서, 0.05 이하인 것이 바람직하고, 0.02 이하인 것이 보다 바람직하다.
상기 복합 산화물 소결체는, 금속산화물 입자(a)와 금속산화물 입자(b) 이외의 입자를 함유하고 있어도 되지만, 실질적으로 금속산화물 입자(a)와 금속산화물 입자(b)로 이루어진 복합 산화물 소결체인 것이 바람직하다. 복합 산화물 소결체의 전체 질량기준으로, 금속산화물 입자(a)와 금속산화물 입자(b)의 총 질량이 90% 이상인 것이 바람직하고, 95% 이상인 것이 보다 바람직하며, 98% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 이러한 복합 산화물 소결체는,상기 본 발명의 효과를 보다 양호하게 얻을 수 있다.
(복합 산화물 소결체의 제조방법)
본 실시형태에 따른 복합 산화물 소결체의 제조방법은, 산화아연 분말과 산화인듐 분말을 예비혼합해서 제1혼합 분말을 얻는 제1공정과, 상기 제1혼합 분말과 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)을 함유하는 산화물 분말을 혼합해서 제2혼합 분말을 얻는 제2공정과, 상기 제2혼합 분말을 성형해서 소성하여, 복합 산화물 소결체를 얻는 제3공정을 포함하고 있고, 상기 제1공정에서는, 제1혼합 분말의 BET값이 혼합 전의 상기 산화아연 분말과 상기 산화인듐 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2㎡/g 이상 커지도록 혼합하는 것을 특징으로 한다. 이러한 제조방법에 의하면, 상기 복합 산화물 소결체를 효율적으로 제조할 수 있다.
원료로서 사용되는 산화아연 분말, 산화인듐 분말, 금속 원소 M의 산화물분말로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, BET값이 2 내지 20㎡/g인 분말을 이용하는 것이 바람직하다. 특히 산화인듐 분말과 금속 원소 M의 산화물분말에 관해서는, 분말의 큰 부피 및 취급성을 고려하면, BET값이 10 내지 20㎡/g인 것이 바람직하다.
산화아연 분말, 산화인듐 분말 및 금속 원소 M의 산화물분말의 사용량은, 금속 원소의 원자비로 나타내어, 하기 식 (VI) 및 (VII)을 충족시키는 것이 바람직하다. 또, M이 알루미늄인 것이 바람직하다.
In/(Zn+M+In) = 0.001 내지 0.02 ...(VI)
M/(Zn+M+In) = 0.005 내지 0.05 ...(VII)
제1공정에 있어서의 혼합 방법은, 특별히 한정되지 않고, 지르코니아, 알루미나, 나일론 수지 등의 볼이나 비즈를 이용한, 건식, 습식의 매체 교반형 밀; 매체 없는 용기 회전식 혼합; 기계교반식 혼합 등의 혼합 방법이 예시된다. 보다 구체적으로는, 볼밀, 비즈밀, 아트라이터(attritor), 진동밀, 유성 밀, 제트밀, V형 혼합기, 패들식 혼합기, 이축유성 교반식 혼합기 등을 들 수 있다. 또, 제1공정에서는, 혼합과 동시에 분쇄가 행해지지만, 분쇄 후의 분말 입자직경은 미세할수록 바람직하고, 제1혼합 분말의 BET값은 5㎡/g이상인 것이 바람직하다. 또한, 습식법의 볼밀이나 비즈밀, 아트라이터, 진동밀, 유성밀, 제트밀 등을 이용할 경우에는, 분쇄 후의 슬러리를 건조시킬 필요가 있다. 이 건조 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 여과 건조, 유동층 건조, 분무건조 등을 들 수 있다.
제1혼합 분말은 제2공정에 제공하기 전에 가소(假燒)시키는 것이 바람직하다. 이때의 온도는 600 내지 1200℃가 바람직하고, 시간은 1 내지 3시간으로 충분하다. 이것에 의해, 복합 산화물 소결체의 미세구조가 더한층 얻어지기 쉽고, 또한 스피넬 구조의 입자의 최대 입자직경을 보다 작게 하는 것이 가능해진다.
제2공정에서는 제1혼합 분말과 금속 원소 M을 포함하는 산화물 분말을 혼합하여, 제2혼합 분말을 얻는다. 이때의 혼합 방법에는, 특별히 한정은 없고, 전술한 제1공정에 있어서의 예비혼합과 마찬가지 방법이 이용된다. 또, 이 혼합에 의해, 제2혼합 분말의 BET값이 제1혼합 분말의 BET값보다 2㎡/g 이상 커지도록 혼합하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 복합 산화물 소결체의 미세구조가 더한층 얻어지기 쉽고, 또한 스피넬 구조의 금속산화물 입자(b)의 최대 입자직경을 보다 작게 하는 것이 가능해진다.
제2혼합 분말에 있어서, 아연, 인듐 및 금속 원소 M의 합계에 대한 인듐의 원자비는 0.001 내지 0.02인 것이 바람직하다. 또, 제2혼합 분말에 있어서, 아연, 인듐 및 금속 원소 M의 합계에 대한 금속 원소 M의 원자비는 0.005 내지 0.05인 것이 바람직하다. 이러한 함유량비로 함으로써, 바람직한 조성비를 지닌 복합 산화물 소결체를 효율적으로 제조할 수 있다.
이어서, 제3공정에서는 제2혼합 분말을 성형해서 소성하여, 복합 산화물 소결체를 얻는다. 성형방법은, 목적으로 한 형상으로 성형할 수 있는 성형방법을 적절히 선택하는 것이 긴요하며, 특별히 한정되는 것은 아니다. 성형방법으로서는, 프레스 성형법, 주입 성형법 등을 예시할 수 있다. 성형압력은 크랙 등의 발생이 없고, 취급이 가능한 성형체가 되도록 하는 바와 같은 성형압력이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 또, 성형체의 성형밀도는 가능한 한, 높은 쪽이 바람직하다. 이와 같이 높은 성형밀도의 성형체를 얻기 위하여, 냉간정수압성형(CIP) 등의 방법을 이용하는 것도 가능하다.
제3공정에 있어서, 소성온도는 800 내지 1600℃가 바람직하다. 이러한 소성온도이면, 복합 산화물 소결체의 미세구조가 보다 양호하게 얻어진다. 또, 소성온도는 1100 내지 1500℃가 보다 바람직하다. 이러한 소성온도이면, 산화아연계 복합 산화물 특유의 휘발 소실이 억제되고, 또한 비교적 소결 밀도를 높일 수 있다. 취급이나 스퍼터링 시의 파손 방지 등의 관점에서, 소결 밀도는 4.7g/㎤ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 소성시간은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상 1 내지 48시간이며, 생산성에 대한 영향을 고려하면, 바람직하게는 3 내지 24시간이다.
소성 시의 승온속도는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 800℃ 이상의 온도 영역에서 소성을 행하는 경우에는, 50℃/시간 이하인 것이 바람직하다. 이것은, 금속산화물 입자(a)와 금속산화물 입자(b)를 효율적으로 형성시켜, 복합 산화물 소결체의 균질성을 보다 높이기 위함이다. 또, 소성분위기는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 대기 중, 산소 중, 불활성 가스 분위기 중 등이 적절하게 선택된다. 또한, 소성 시의 압력도 특별히 한정되는 것은 아니고, 상압 이외에 가압, 감압 상태에서의 소성도 가능하다. 또, HIP법이나 핫 프레스 소결 등에 의해 소성하는 것도 가능하다.
이와 같이 해서 얻어지는 복합 산화물 소결체의 상대밀도는 85% 이상인 것이 바람직하고, 90% 이상인 것이 보다 바람직하며, 96% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 상대밀도를 높게 함으로써, 이상 방전 현상의 발생을 한층 억제할 수 있다.
즉, 본 실시형태의 제조방법에서는, 산화아연 분말과 산화인듐 분말을, BET값이 혼합 전보다 2㎡/g 이상 커지도록 예비혼합하고, 이것에 더욱 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/ 또는 갈륨을 나타냄)의 산화물 분말을 혼합하여, 얻어진 혼합 분말을 성형하고, 소성함으로써, 복합 산화물 소결체를 제조할 수 있다.
(스퍼터링 타겟)
본 실시형태에 따른 스퍼터링 타겟은 상기 복합 산화물 소결체로 이루어지고, 예를 들어, 상기 복합 산화물 소결체를 소정의 형상으로 가공해서 제조할 수 있다. 이러한 스퍼터링 타겟은, 스퍼터링 중의 이상 방전 현상이 억제되어, 생산성 양호하게 금속산화물의 박막을 제조할 수 있다.
(박막의 제조방법)
본 실시형태에 따른 박막의 제조방법은, 상기 복합 산화물 소결체를 스퍼터링 타겟으로서 이용하는 것을 특징으로 한다. 종래의 스퍼터링 타겟을 이용했을 경우에는 이상 방전 현상이 다발하여, 생산성 양호하게 박막을 얻는 것이 곤란하였다. 그러나, 본 실시형태의 제조방법에 의하면, 이상 방전 현상을 충분히 억제하는 것이 가능해져, 생산성 양호하게 박막을 얻을 수 있다.
박막은 스퍼터링 타겟을 이용한 스퍼터링법에 의해 성막되는 것이 바람직하다. 스퍼터링법으로서는, DC 스퍼터링법, RF 스퍼터링법, DC 마그네트론 스퍼터링법, RF 마그네트론 스퍼터링법, 이온빔 스퍼터링법 등을 적절하게 선택할 수 있다.
얻어진 박막은 금속산화물로 이루어진 박막으로, 이러한 박막은 높은 광투과율과 높은 도전성을 지니며, 예를 들어, 액정표시소자나 태양전지 등의 각종 수광소자의 전극으로서 적합하게 사용할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 전술한 실시형태로 한정되는 것은 아니다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 실시예로 한정되는 것은 아니다.
( 실시예 1)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 습식 볼밀에서 예비혼합하여 혼합 분말을 얻었다. 이 혼합 분말의 BET값은, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2.0㎡/g 크게 되어 있었다.
얻어진 혼합 분말과, BET값이 14㎡/g인 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을 습식 볼밀에서 혼합하여 슬러리를 조제하고, 분무건조시켜 건조 분말 1을 얻었다. 건조 분말 1의 조성은 표 1에 나타낸 바와 같았다. 또한, 표 1 및 표 2에 있어서, In의 양은 아연, 인듐 및 금속 원소 M의 합계에 대한 인듐의 원자비(즉, In/(Zn+M+In)에서 산출되는 값)를 나타낸다. 또, M의 양은 아연, 인듐 및 금속 원소 M의 합계에 대한 금속 원소 M의 원자비(즉, M/(Zn+M+In)에서 산출되는 값)를 나타낸다.
건조 분말 1을 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1500℃, 질소분위기에서 60시간 소성하여, 복합 산화물 소결체를 얻었다. 이 복합 산화물 소결체의 특성을 표 1에 나타낸다.
얻어진 복합 산화물 소결체를, XRD, TEM/EDS, SEM/EDS, EPMA, SPM을 이용해서 분석하였다. 각 분석 결과, 육방정계 층상 구조를 가지며 산화아연 및 인듐을 함유하는 금속산화물 입자(a)가 관찰된 것을 「A」, 관찰되지 않은 것을 「B」로서 평가하였다. 또, 스피넬 구조를 가지며 금속 원소 M(Al)을 함유하는 ZnM2O4를 주로 하는 금속산화물 입자(b)가 관찰된 것을 「A」, 관찰되지 않은 것을 「B」로서 평가하였다. 또한, 금속산화물 입자(a) 및 (b)의 입자직경은 전술한 방법으로 구하였다. 이들 결과를 표 1에 정리해서 나타낸다.
얻어진 복합 산화물 소결체를, 4인치φ크기로 가공해서 스퍼터링 타겟으로 하여 스퍼터링 평가를 행하였다. 스퍼터링은, DC 마그네트론 스퍼터 장치를 이용하여, 기판온도 200℃, 도달 진공도 5×10-5㎩, 스퍼터링 가스 Ar, 스퍼터링 가스압 0.5㎩, DC 파워 300W의 조건에서 행하였다. 방전 특성은, 단위시간당 발생한 이상 방전 횟수가 1회 이상 100회 미만/시간이었을 경우를 「A」, 100회 이상/시간이었을 경우를 「B」로 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
( 비교예 1)
BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 표 1에 나타낸 조성으로 되도록 건식 볼밀에서 혼합하여 혼합 분말을 얻었다. 이 혼합 분말의 BET값은 혼합 전의 산화알루미늄 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 1.4㎡/g 크게 되어 있었다.
얻어진 혼합 분말을 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1400℃, 아르곤 분위기에서 5시간 소성하여, 소결체를 얻었다. 이 소결체의 특성을 표 1에 나타낸다. 이 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 1과 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure pct00001
표 1로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1의 복합 산화물 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟을 사용함으로써, 성막 시의 이상 방전을 억제하는 것이 가능하였다.
( 실시예 2)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을 습식 볼밀에서 예비혼합하여 슬러리 1을 조제하였다. 이 슬러리 1의 일부를 건조시켜, BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2.3㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에, 얻어진 슬러리 1에, BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을 습식 볼밀에서 혼합하여 슬러리 2를 조제하고, 분무건조시켜, 건조 분말 1을 얻었다. 건조 분말 1의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다. 건조 분말 1을 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1200℃, 질소분위기에서 5시간 소성하여, 복합 산화물 소결체를 얻었다.
얻어진 복합 산화물 소결체를, XRD, TEM/EDS, SEM/EDS, EPMA, SPM을 이용해서 분석하였다. 각 분석 결과, 육방정계 층상 구조를 가지며 산화아연 및 인듐을 함유하는 금속산화물 입자(a)가 관찰된 것을 「A」, 관찰되지 않은 것을 「B」로서 평가하였다. 또한, 스피넬 구조를 가지며 금속 원소 M(Al)을 함유하는 ZnM2O4를 주로 하는 금속산화물 입자(b)가 관찰된 것을 「A」, 관찰되지 않은 것을 「B」로서 평가하였다. 또한, 금속산화물 입자(a) 및 (b)의 입자직경은 전술한 방법으로 구하였다. 이들 결과를 표 2에 정리해서 나타낸다.
얻어진 복합 산화물 소결체를, 4인치φ크기로 가공해서 스퍼터링 타겟으로 하여 스퍼터링 평가를 행하였다. 스퍼터링은, DC 마그네트론 스퍼터 장치를 이용하고, 기판온도 200℃, 도달 진공도 5×10-5㎩, 스퍼터링 가스 Ar, 스퍼터링 가스압 0.5㎩, DC 파워 300W의 조건에서 행하였다. 방전 특성은, 단위시간당 발생한 이상 방전 횟수가 1회 미만/시간이었을 경우를 「A'」, 1 내지 100회 미만/시간이었을 경우를 「B'」, 100 내지 1000회 미만/시간이었을 경우를 「C'」, 1000회 이상/시간이었을 경우를 「D'」로 평가하였다. 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
( 실시예 3)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 습식 볼밀에서 예비혼합하여 슬러리 1을 조제하였다. 조제한 슬러리 1의 일부를 건조시켜, BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2.2㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에, 얻어진 슬러리 1에 BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을 습식 비즈밀에서 혼합하여 슬러리 2를 조제하고, 분무건조시켜 건조 분말 1을 얻었다. 건조 분말 1의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다. 건조 분말 1을 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1500℃, 질소분위기에서 5시간 소성하여, 복합 산화물 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 복합 산화물 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 복합 산화물 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 실시예 4)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 습식 비즈밀에서 예비혼합하여 슬러리 1을 조제하였다. 이 슬러리 1을 건조시켜 건조 분말 1을 얻었다. 이 건조 분말 1의 BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2.8㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에, 얻어진 건조 분말 1을 1100℃에서 4시간 가소시켰다. 얻어진 가소 분말과 BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을 습식 비즈밀에서 혼합하여 슬러리 2를 조제하였다. 이 슬러리 2를 건조시켜 건조 분말 2를 얻었다. 이 건조 분말 2의 BET값을 측정한 바, 혼합 전의 건조 분말 1의 BET값보다도 2.1㎡/g 크게 되어 있었다. 건조 분말 2의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다.
얻어진 건조 분말 2를 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1400℃, 대기 분위기에서 12시간 소성하여 복합 산화물 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 복합 산화물 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 복합 산화물 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 실시예 5)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 건식 볼밀에서 예비혼합하여 혼합 분말 1을 얻었다. 이 혼합 분말 1의 BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2.0㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에 얻어진 혼합 분말 1과, BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을, 건식 볼밀에서 혼합하여 혼합 분말 2를 얻었다. 혼합 분말 2의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다. 얻어진 혼합 분말 2를 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1400℃, 질소분위기에서 12시간 소성하여 복합 산화물 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 복합 산화물 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 복합 산화물 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 실시예 6)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 습식 비즈밀에서 예비혼합하여 슬러리 1을 얻었다. 이 슬러리 1을 건조시켜 건조 분말 1을 얻었다. 이 건조 분말 1의 BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 3.0㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에, 얻어진 건조 분말 1을 온도 1200℃에서 5시간 가소시키고, 이 가소 분말과, BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을 습식 비즈밀에서 혼합하여, 슬러리 2를 조제하였다. 이 슬러리 2를 분무건조시켜 건조 분말 2를 얻었다. 건조 분말 2의 BET값을 측정한 바, 건조 분말 1보다도 2.0㎡/g 크게 되어 있었다. 건조 분말 2의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다.
건조 분말 2를 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1400℃, 질소분위기에서 5시간 소성하여, 복합 산화물 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 복합 산화물 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 복합 산화물 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 실시예 7)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 건식 볼밀에서 예비혼합하여 혼합 분말 1을 얻었다. 이 혼합 분말 1의 BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2.1㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에 얻어진 혼합 분말 1과, BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을, 습식 비즈밀에서 혼합하여 슬러리 1을 얻었다. 슬러리 1의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다. 얻어진 슬러리 1을 분무건조시킨 후, 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1100℃, 질소분위기에서 5시간 소성하여 복합 산화물 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 복합 산화물 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 복합 산화물 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 실시예 8)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 습식 볼밀에서 예비혼합하여 슬러리 1을 얻었다. 이 슬러리 1의 일부를 건조시켜, BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값과 비교해서, 2.2㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에, 얻어진 슬러리 1에 BET값 8㎡/g, 순도 99.99%의 산화갈륨 분말을 습식 볼밀에서 혼합하여, 슬러리 2를 조제하고, 분무건조시켜 건조 분말 1을 얻었다. 건조 분말 1의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다. 이 건조 분말 1을 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1400℃, 질소분위기에서 5시간 소성하여, 복합 산화물 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 복합 산화물 소결체의 특성의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 복합 산화물 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 비교예 2)
BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을 습식 볼밀에서 혼합하여 슬러리를 얻었다. 이 슬러리를 분무건조시켜 건조 분말을 얻었다. 이 건조 분말의 BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2.3㎡/g 크게 되어 있었다. 건조 분말의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다.
다음에, 얻어진 건조 분말을 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1400℃, 아르곤 분위기에서 5시간 소성하여, 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 비교예 3)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 건식 볼밀에서 예비혼합하여 혼합 분말 1을 얻었다. 이 혼합 분말 1의 BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 1.0㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에 얻어진 혼합 분말 1과, BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을, 건식 볼밀에서 혼합하여 혼합 분말 2를 얻었다. 혼합 분말 2의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다. 얻어진 혼합 분말 2를 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 900℃, 질소분위기에서 5시간 소성하여, 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 비교예 4)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 습식 볼밀에서 예비혼합하여 슬러리 1을 조제하였다. 이 슬러리 1의 일부를 건조시켜, BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 1.5㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에, 얻어진 슬러리 1에 BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을 습식 볼밀에서 혼합하여, 슬러리 2를 조제하였다. 이 슬러리 2를 분무건조시켜, 건조 분말 1을 얻었다. 건조 분말 1의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다.
건조 분말 1을 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1600℃, 질소분위기에서 12시간 소성하여, 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 비교예 5)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 4㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말을, 습식 볼밀에서 예비혼합하여 슬러리 1을 얻었다. 슬러리 1의 일부를 건조시켜, BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말과 산화아연 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 1.3㎡/g 크게 되어 있었다.
다음에, 얻어진 슬러리 1에, BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을 습식 볼밀에서 혼합하여 슬러리 2를 조제하고, 분무건조시켜 건조 분말 1을 얻었다. 얻어진 건조 분말 1의 BET값은, 슬러리 1의 일부를 건조해서 측정한 BET값보다도 1.2㎡/g 크게 되어 있었다. 건조 분말 1의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다. 얻어진 건조 분말 1을, 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1400℃, 질소분위기에서 5시간 소성시켜 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
( 비교예 6)
BET값 10㎡/g, 순도 99.99%의 산화인듐 분말과, BET값 3㎡/g, 순도 99.8%의 산화아연 분말과, BET값 14㎡/g, 순도 99.99%의 산화알루미늄 분말을, 습식 볼밀에서 혼합하여 슬러리를 조제하였다. 슬러리를 분무건조시켜 건조 분말을 얻었다. 건조 분말의 BET값을 측정한 바, 혼합 전의 산화인듐 분말, 산화아연 분말 및 산화알루미늄 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2.1㎡/g 크게 되어 있었다. 이 건조 분말의 조성은 표 2에 기재된 바와 같았다.
다음에, 얻어진 건조 분말을, 3.0ton/㎠에서 CIP 성형하여, 직경 150㎜, 두께 12㎜의 원판형상의 성형체를 얻었다. 이 성형체를 온도 1000℃, 질소분위기에서 5시간 소성하여, 소결체를 얻었다. 실시예 2와 마찬가지로 해서, 얻어진 소결체의 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
이 소결체를 4인치φ크기로 가공하여 타겟으로 해서, 실시예 2와 마찬가지로 해서 스퍼터링 평가를 행하였다. 그 평가 결과는 표 2에 나타낸 바와 같았다.
Figure pct00002
도 1은 실시예 3의 복합 산화물 소결체의 단면을 나타낸 SEM 사진이다. 도 1 중, 금속산화물 입자(a)(10)는, 층상 구조를 가지고 있고, 긴 직경(12)과 짧은 직경(13)으로부터 산출되는 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 2 이상이었다. 또, 도 1 중, 백색(담색)의 입자는 금속산화물 입자(b)이다. 금속산화물 입자(b)(11)는 복합 산화물 소결체 중에 분산되어 있는 것이 확인되었다. 한편, 도 2는 비교예 2의 소결체의 단면을 나타낸 SEM 사진이다. 도 2 중, 백색(담색)의 입자는 금속산화물 입자(b)이다. 도 2 중, 흰 선으로 둘러싸인 입자의 형상으로부터 명백한 바와 같이, 애스펙트비가 2 이상인 금속산화물 입자(a)는 거의 관측되지 않았다.
도 3은 실시예 3의 복합 산화물 소결체의 단면을 나타낸 SPM 사진이다. 도 3의 우측 사진은 좌측 사진의 일부의 영역을 확대해서 나타내고 있다. 도 3 중, 금속산화물 입자(a)(20)의 내부에 층상 구조가 관측되었다. 또, 복합 산화물 소결체 중에 금속산화물 입자(b)(21)가 분산되어 있는 것이 확인되었다. 한편, 도 4는 비교예 2의 소결체의 단면을 나타낸 SPM 사진이다. 도 4의 우측 사진은 좌측 사진의 일부의 영역을 확대해서 나타내고 있다. 도 4 중, 어느 쪽의 입자에도 층상 구조는 관측되지 않았다.
본 발명에 의하면, 스퍼터링 중의 이상 방전 현상을 현저하게 억제하는 것이 가능한 스퍼터링 타겟으로서 사용되는 복합 산화물 소결체, 해당 복합 산화물 소결체의 제조방법, 상기 복합 산화물 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟 및 상기 복합 산화물 소결체를 이용하는 박막의 제조방법이 제공된다.
10: 금속산화물 입자(a) 11: 금속산화물 입자(b)
12: 긴 직경 13: 짧은 직경
20: 금속산화물 입자(a) 21, 22: 금속산화물 입자(b)

Claims (11)

  1. 육방정계 층상 구조를 가지며 산화아연 및 인듐을 함유하는 금속산화물 입자(a); 및
    스피넬 구조를 가지며 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)을 함유하는 금속산화물 입자(b)를 포함하되,
    상기 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치는 10㎛ 이하이며,
    개수기준으로 상기 금속산화물 입자(a)의 전체의 20% 이상은 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 2 이상인 것인, 복합 산화물 소결체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속산화물 입자(b)의 최대 입자직경은 10㎛ 이하인 것인 복합 산화물 소결체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 아연, 인듐 및 상기 금속 원소 M의 합계에 대한 인듐의 원자비가 0.001 내지 0.02이며,
    상기 합계에 대한 상기 금속 원소 M의 원자비가 0.005 내지 0.05인 것인 복합 산화물 소결체.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속산화물 입자(b)는 ZnM2O4를 주성분으로서 함유하는 것인 복합 산화물 소결체.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 원소 M은 알루미늄인 것인 복합 산화물 소결체.
  6. 산화아연 분말과 산화인듐 분말을 혼합해서 제1혼합 분말을 얻는 제1공정;
    상기 제1혼합 분말과 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)을 함유하는 산화물 분말을 혼합해서 제2혼합 분말을 얻는 제2공정; 및
    상기 제2혼합 분말을 성형해서 소성하여, 복합 산화물 소결체를 얻는 제3공정을 포함하되,
    상기 제1공정에서는, 제1혼합 분말의 BET값이 혼합 전의 상기 산화아연 분말과 상기 산화인듐 분말의 BET값의 가중 평균값보다도 2㎡/g 이상 커지도록 상기 산화아연 분말과 상기 산화인듐 분말을 혼합하는 것인, 복합 산화물 소결체의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제3공정에서 얻어지는 상기 복합 산화물 소결체는,
    육방정계 층상 구조를 가지며 산화아연 및 인듐을 함유하는 금속산화물 입자(a)와,
    스피넬 구조를 가지며 금속 원소 M(단, M은 알루미늄 및/또는 갈륨)을 함유하는 금속산화물 입자(b)를 포함하고 있고,
    상기 금속산화물 입자(a)의 긴 직경의 평균치는 10㎛ 이하이며,
    개수기준으로 상기 금속산화물 입자(a)의 전체의 20% 이상은 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 2 이상인 것인, 복합 산화물 소결체의 제조방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 제2혼합 분말에 있어서, 아연, 인듐 및 상기 금속 원소 M의 합계에 대한 인듐의 원자비가 0.001 내지 0.02이며, 상기 합계에 대한 상기 금속 원소 M의 원자비가 0.005 내지 0.05인 것인, 복합 산화물 소결체의 제조방법.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 원소 M은 알루미늄인 것인, 복합 산화물 소결체의 제조방법.
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 복합 산화물 소결체로 이루어진 스퍼터링 타겟.
  11. 제10항에 기재된 스퍼터링 타겟을 이용하는 박막의 제조방법.
KR1020117002435A 2008-07-15 2009-07-14 복합 산화물 소결체, 복합 산화물 소결체의 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 박막의 제조방법 Active KR101590429B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008183461 2008-07-15
JPJP-P-2008-183461 2008-07-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110039449A true KR20110039449A (ko) 2011-04-18
KR101590429B1 KR101590429B1 (ko) 2016-02-01

Family

ID=41550391

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020117002435A Active KR101590429B1 (ko) 2008-07-15 2009-07-14 복합 산화물 소결체, 복합 산화물 소결체의 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 박막의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8569192B2 (ko)
EP (1) EP2301904B1 (ko)
JP (1) JP5625907B2 (ko)
KR (1) KR101590429B1 (ko)
CN (1) CN102089257B (ko)
TW (1) TWI433823B (ko)
WO (1) WO2010007989A1 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5440388B2 (ja) * 2010-05-26 2014-03-12 三菱マテリアル株式会社 酸化物スパッタリングターゲットおよび光記録媒体用酸化物膜
JP4948634B2 (ja) 2010-09-01 2012-06-06 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法
EP2657208B1 (en) 2010-12-20 2017-12-13 Tosoh Corporation Gallium nitride sintered body or gallium nitride molded article, and method for producing same
JP5140169B2 (ja) * 2011-03-01 2013-02-06 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウムターゲット及びその製造方法
KR20140027241A (ko) * 2011-05-10 2014-03-06 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 In₂O₃-ZnO계 스퍼터링 타겟
KR102003077B1 (ko) * 2011-06-15 2019-07-23 스미토모덴키고교가부시키가이샤 도전성 산화물 및 그 제조 방법과 산화물 반도체막
JP5074628B1 (ja) 2012-01-05 2012-11-14 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 インジウム製スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN104379800B (zh) 2012-05-31 2019-06-07 出光兴产株式会社 溅射靶
KR20140054169A (ko) 2012-08-22 2014-05-08 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 인듐제 원통형 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법
EP2703435B1 (de) * 2012-08-28 2014-09-24 Ems-Patent Ag Polyamidformmasse und deren Verwendung
US20160056409A1 (en) * 2013-03-28 2016-02-25 National Institute For Materials Science Organic el element and method for manufacturing same
WO2015004958A1 (ja) 2013-07-08 2015-01-15 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット及び、それの製造方法
JP6602550B2 (ja) * 2014-04-28 2019-11-06 株式会社アライドマテリアル スパッタリングターゲット用材料
CN108947518A (zh) * 2018-08-14 2018-12-07 宁波森利电子材料有限公司 多元掺杂的ZnO镀膜材料及其制备方法和应用
EP3828303A1 (en) 2019-11-28 2021-06-02 Imec VZW Method for forming a film of an oxide of in, ga, and zn

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0625838A (ja) 1992-07-10 1994-02-01 Asahi Glass Co Ltd スパッタリングターゲット
JP2805813B2 (ja) 1988-08-09 1998-09-30 東ソー株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2004175616A (ja) 2002-11-27 2004-06-24 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ＺｎＯ系焼結体およびその製造方法
JP2006200016A (ja) 2005-01-21 2006-08-03 Tosoh Corp ＺｎＯ：Ａｌターゲットおよび薄膜並びに薄膜の製造方法
JP3864425B2 (ja) 1994-03-22 2006-12-27 東ソー株式会社 アルミニウムドープ酸化亜鉛焼結体およびその製造方法並びにその用途
WO2007034733A1 (ja) * 2005-09-20 2007-03-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極
JP2008063214A (ja) * 2006-08-11 2008-03-21 Hitachi Metals Ltd 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット
WO2008072486A1 (ja) * 2006-12-13 2008-06-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE68919299T2 (de) 1988-08-09 1995-04-06 Tosoh Corp Sinterkörper aus Zinkoxid und seine Herstellung.
JPH062130A (ja) 1992-06-15 1994-01-11 Mitsubishi Materials Corp 酸化亜鉛系スパッタリング用ターゲット
EP0578046B1 (en) * 1992-07-10 1996-11-06 Asahi Glass Company Ltd. Transparent conductive film, and target and material for vapor deposition to be used for its production
WO2002072912A1 (fr) * 2001-03-12 2002-09-19 Nikko Materials Company, Limited Poudre d'oxyde d'etain destinee a une cible de pulverisation ito, procede de fabrication de cette poudre, cible de pulverisation de corps fritte destinee a la production d'une couche ito, et procede de fabrication de cette cible
JP2007034733A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Toshiba Corp 対象物領域検出装置、方法およびプログラム
US10459739B2 (en) * 2008-07-09 2019-10-29 Sonos Inc. Systems and methods for configuring and profiling a digital media device
JP4875135B2 (ja) * 2009-11-18 2012-02-15 出光興産株式会社 Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット
JP5591523B2 (ja) * 2009-11-19 2014-09-17 出光興産株式会社 長期成膜時の安定性に優れたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物焼結体スパッタリングターゲット

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2805813B2 (ja) 1988-08-09 1998-09-30 東ソー株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JPH0625838A (ja) 1992-07-10 1994-02-01 Asahi Glass Co Ltd スパッタリングターゲット
JP3864425B2 (ja) 1994-03-22 2006-12-27 東ソー株式会社 アルミニウムドープ酸化亜鉛焼結体およびその製造方法並びにその用途
JP2004175616A (ja) 2002-11-27 2004-06-24 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ＺｎＯ系焼結体およびその製造方法
JP2006200016A (ja) 2005-01-21 2006-08-03 Tosoh Corp ＺｎＯ：Ａｌターゲットおよび薄膜並びに薄膜の製造方法
WO2007034733A1 (ja) * 2005-09-20 2007-03-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. スパッタリングターゲット、透明導電膜及び透明電極
JP2008063214A (ja) * 2006-08-11 2008-03-21 Hitachi Metals Ltd 酸化亜鉛焼結体およびその製造方法、スパッタリングターゲット
WO2008072486A1 (ja) * 2006-12-13 2008-06-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPH6-2130 A

Also Published As

Publication number Publication date
CN102089257B (zh) 2016-03-30
TWI433823B (zh) 2014-04-11
TW201014813A (en) 2010-04-16
EP2301904A4 (en) 2011-10-05
EP2301904A1 (en) 2011-03-30
US20110155560A1 (en) 2011-06-30
WO2010007989A1 (ja) 2010-01-21
JP5625907B2 (ja) 2014-11-19
CN102089257A (zh) 2011-06-08
JPWO2010007989A1 (ja) 2012-01-05
KR101590429B1 (ko) 2016-02-01
US8569192B2 (en) 2013-10-29
EP2301904B1 (en) 2012-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101590429B1 (ko) 복합 산화물 소결체, 복합 산화물 소결체의 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 박막의 제조방법
TWI427165B (zh) Sputtering target and oxide semiconductor film
US9202603B2 (en) Sputtering target, transparent conductive film and transparent electrode
KR101024160B1 (ko) 스퍼터링 타겟, 투명 전도막 및 이들의 제조방법
KR101859787B1 (ko) 복합 산화물 소결체 및 그 제조방법, 스퍼터링 타겟 및 산화물 투명 도전막 및 그 제조방법
JP5418105B2 (ja) 複合酸化物焼結体、酸化物透明導電膜、及びその製造方法
KR101440712B1 (ko) 산화아연 소결체 타블렛 및 그의 제조 방법
JP5585046B2 (ja) 複合酸化物焼結体、ターゲット及び酸化物透明導電膜
JP6500446B2 (ja) 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
JP2010120803A (ja) 複合酸化物焼結体
CN104520467B (zh) 复合氧化物烧结体及氧化物透明导电膜
JP5727130B2 (ja) 複合酸化物焼結体及びその用途
JP6287327B2 (ja) 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
JP2017149636A (ja) 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
JP6155919B2 (ja) 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
WO2015052927A1 (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2017014535A (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2017171563A (ja) 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜

Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 20110131

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20140228

Comment text: Request for Examination of Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20150601

Patent event code: PE09021S01D

AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
PE0601 Decision on rejection of patent

Patent event date: 20151203

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PE06012S01D

Patent event date: 20150601

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event code: PE06011S01I

AMND Amendment
PX0901 Re-examination

Patent event code: PX09011S01I

Patent event date: 20151203

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX09012R01I

Patent event date: 20150731

Comment text: Amendment to Specification, etc.

PX0701 Decision of registration after re-examination

Patent event date: 20151224

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event code: PX07013S01D

Patent event date: 20151208

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

Patent event date: 20151203

Comment text: Decision to Refuse Application

Patent event code: PX07011S01I

Patent event date: 20150731

Comment text: Amendment to Specification, etc.

Patent event code: PX07012R01I

X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20160126

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20160127

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190117

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190117

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20210118

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20220104

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20230105

Start annual number: 8

End annual number: 8