[go: up one dir, main page]

TWI810135B - 接合基板之裝置及方法 - Google Patents

接合基板之裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI810135B
TWI810135B TW112104993A TW112104993A TWI810135B TW I810135 B TWI810135 B TW I810135B TW 112104993 A TW112104993 A TW 112104993A TW 112104993 A TW112104993 A TW 112104993A TW I810135 B TWI810135 B TW I810135B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
plate
chuck
lower plate
bonding
Prior art date
Application number
TW112104993A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202322226A (zh
Inventor
多明尼克 辛能
湯瑪斯 魏跟特
卓傑恩 馬克斯 瑟斯
湯瑪斯 普拉格
卓傑 梅林格
Original Assignee
奧地利商Ev集團E塔那有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 奧地利商Ev集團E塔那有限公司 filed Critical 奧地利商Ev集團E塔那有限公司
Publication of TW202322226A publication Critical patent/TW202322226A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI810135B publication Critical patent/TWI810135B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
    • H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67121—Apparatus for making assemblies not otherwise provided for, e.g. package constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L24/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/07—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process
    • H01L2224/08—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas after the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/081—Disposition
    • H01L2224/0812—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/08135—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/08145—Disposition the bonding area connecting directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding the bonding area connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7555—Mechanical means, e.g. for planarising, pressing, stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75703—Mechanical holding means
    • H01L2224/75704—Mechanical holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75703—Mechanical holding means
    • H01L2224/75705—Mechanical holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75723—Electrostatic holding means
    • H01L2224/75724—Electrostatic holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75723—Electrostatic holding means
    • H01L2224/75725—Electrostatic holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75733—Magnetic holding means
    • H01L2224/75734—Magnetic holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75733—Magnetic holding means
    • H01L2224/75735—Magnetic holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H01L2224/7592—Load or pressure adjusting means, e.g. sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/80009—Pre-treatment of the bonding area
    • H01L2224/8003—Reshaping the bonding area in the bonding apparatus, e.g. flattening the bonding area
    • H01L2224/80047—Reshaping the bonding area in the bonding apparatus, e.g. flattening the bonding area by mechanical means, e.g. severing, pressing, stamping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8012—Aligning
    • H01L2224/80121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H01L2224/80122—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors by detecting inherent features of, or outside, the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8012—Aligning
    • H01L2224/80121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H01L2224/8013—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8012—Aligning
    • H01L2224/80121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H01L2224/80132—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed outside the semiconductor or solid-state body, i.e. "off-chip"
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83908—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Abstract

本發明係關於一種用於使一第一基板(4o)與一第二基板(4u)於該等基板(4o、4u)之相互面對的接觸表面(4k)上接合的方法，其中該第一基板(4o)安裝於一第一夾盤(1o)上且該第二基板(4u)安裝於一第二夾盤(1u)上，且其中一板(17u)配置於該第二基板(4u)與該第二夾盤(1u)之間，其中在該接合之前及/或在該接合期間，該第二基板(4u)與該板(4u)一起相對於該第二夾盤(1u)變形。 此外，本發明係關於一種對應裝置及一種對應板。

Description

接合基板之裝置及方法
本發明係關於一種如技術方案1之用於將一第一基板接合至一第二基板的方法及一種如技術方案8之對應裝置。此外，本發明係關於一種如技術方案15之板。
數年來，基板在半導體行業中憑藉被稱為接合製程之製程已連接至彼此。在連接之前，此等基板必須相對於彼此儘可能精準地對準，其中同時奈米範圍內之偏差起作用。在此狀況下，基板之對準大部分憑藉對準標記來發生。除對準標記外，下文亦稱為結構的其他元件，特定言之功能元件亦定位於基板上，該等其他元件同樣在接合製程期間必須相對於彼此對準。對於整個基板表面請求該等個別功能元件之間的此對準精度。因此，對準精度例如在對準精度在基板之中心處極好但朝向邊緣降低情況下並不足夠。
夾盤存在於不同設計中。用於固持/固定基板之平面安裝表面或固持表面詳言之對於夾盤為決定性的，使得結構可在整個基本表面上方經正確地對準且在基板上接觸。
在先前技術中，系統已存在，憑藉該系統，吾人可至少在某程度上減小局部畸變。此係憑藉使用根據WO2012/083978A1之作用中控制元件的局部本地畸變校正。
此外，在先前技術中存在用於校正「跳動」(run-out)誤差之第一解決方案方法。US20120077329A1描述一種用以在接合期間及之後獲得兩個基板之功能單元之間的所要對準精度之方法，其中下部基板並不固定。因此，下部基板並不遭受任何邊界條件約束，且可在接合製程期間自由地接合至上部基板。
對準製程在基板之接合期間起關鍵作用。當連接兩個基板時最大的技術問題中之一者為個別基板之間的功能單元之對準精度。儘管可憑藉對準系統來極其精準地將基板彼此對準，但在接合製程期間亦可出現基板之畸變。歸因於在接合製程期間出現之畸變，功能單元未必在所有位置均相對於彼此正確地對準。在基板上之某一點處的對準精度可為畸變、縮放誤差、透鏡疵點(放大率或最小化疵點)等之結果。在半導體行業中，有關於此類型之問題的所有話題均包含於術語「疊對」下。疊對描述結構之來自不同製造步驟的疊對精度。
主要歸因於至少一個基板在接合製程期間之畸變產生的疊對誤差被稱為「跳動」誤差。歸因於至少一個基板之畸變，第一基板之功能單元亦相對於第二基板之功能單元而畸變。此等畸變不僅構成在兩個經結構化基板之接合期間的問題，而且即使在將經結構化基板接合至實質非結構化基板時仍可引起相當大的問題。此為詳言之在接合之後需要相對於結構化基板之極精準對準的其他製程步驟應進行情況下的狀況。
多數情況下的所得「跳動」誤差在接觸點周圍以徑向-對稱方式變得更強，即，自接觸點至圓周增大。在大多數狀況下，此為「跳動」誤差之線性增大之增強。然而，在特定條件下，「跳動」誤差亦可非線性地增大。
本發明之目標為提供用於接合兩個基板之一種裝置及一種方法，使用該裝置及該方法增大接合精度。
本發明之目標使用同等技術方案之特徵來達成。本發明之有利發展在附屬技術方案中指定。描述、申請專利範圍及/或圖式中指定之至少兩個特徵之所有組合亦處於本發明之範疇內。當給定數值範圍時，處於所提及之限值內之值亦應被視為如限值所揭示且可以任何所要組合主張。
本發明係基於如下理念：板配置於基板中之至少一者與對應夾盤之間，其中基板與板一起相對於夾盤在接合之前及/或期間彎曲。夾盤之用於安裝板及基板之較佳平面安裝表面因此詳言之並不變形。夾盤詳言之用於使板變形/彎曲，其中固定於板上之基板亦憑藉板之彎曲而彎曲。
本發明詳言之描述用於兩個基板之改良接合的一種方法及一種裝置。詳言之，此應理解為意謂「跳動」誤差之最小化。本發明詳言之係基於將板置放於基板與夾盤之間的理念，該板一方面可藉由夾盤固定，且自身能夠固定基板。板較佳地陶瓷板詳言之藉由夾盤固定，該夾盤能夠局部地控制固定件。夾具(詳言之由固定構件/固定元件組成)詳言之被分組成複數個區。較佳地，用於使詳言之僅部分固定之板彎曲的裝置定位於夾盤之中心處。用於彎曲之裝置被稱為彎曲元件。詳言之，彎曲元件為一噴嘴，流體較佳氣體可經由該噴嘴逸出以便在板與夾盤之間產生過壓，該過壓使板彎曲且因此使固定於板上之基板彎曲。板之曲率致使板較佳憑藉真空於圓周處固定至夾盤。板較佳地在接合製程期間以固定方式固持基板，且因此產生由板及基板組成的系統。系統及/或板相較於單獨基板而言具有較高抗彎曲性。此系統之增大之抗彎曲性對「跳動」誤差之最小化有肯定效應。抗彎曲性藉由抗彎曲性扭矩而表徵。
本發明之核心特徵詳言之存在於將板定位於兩個基板中之至少一者與夾盤之間，該板可經彎曲。板特定言之憑藉彎曲機構特定言之憑藉經壓縮空氣在基板或板之中心處或自中心起彎曲。由於兩個基板之彎曲在某距離處發生，因此間隙較佳地隨著接合波進展而減小以便使得基板之整個表面接觸成為可能。詳言之，用於實現彎曲之彎曲機構的彎曲元件較佳地在中心處配置於夾具內部。
詳言之，此處存在使板(配置於基板下方)與夾盤完全拆離的風險。為此目的，夾盤之夾具特定言之固持真空經停用，而彎曲機構特定言之經壓縮空氣保持啟動。下部板因此在此狀態下在氣墊上達使用經壓縮空氣的程度浮動，且允許基板之整個表面接觸。基板憑藉板固定，且因此其厚度且因此其抗彎曲性得以增大。詳言之在此狀況下，基板之可撓性亦被減小，使得接合結果被大大改良。
若板自夾盤完全拆離，則基板憑藉板之固定或特定言之以真空方式固定於基板上較佳憑藉固定元件連接維持，該固定元件連接詳言之為可撓性或可擴展的。將基板固定於板上可因此獨立於夾盤上之板的控制及固定而維持。
本發明之重要優勢因此詳言之在於，有可能幾乎完全消除不同誤差，特定言之「跳動」誤差及殘餘誤差。
除詳言之被追蹤回至畸變之「跳動」誤差外，平移誤差、旋轉誤差及殘餘誤差亦存在。平移誤差詳言之係基於非所要平移移位，旋轉誤差詳言之係基於結構在基板平面中相對於彼此的非所要旋轉。殘餘誤差應理解為意謂不可指派給「跳動」誤差及/或平移誤差及/或旋轉誤差的所有誤差。所有誤差的全部在文獻之剩餘部分中被稱為疊對。
平移及/或旋轉誤差顯著地係基於在接合製程開始之前兩個基板相對於彼此的不精準對準。因此，基板之對準較佳使用對準器實行以及有可能。例示性對準器描述於詳言之參考的公開文獻US6214692B1、WO2014202106A1、WO2015082020A1中。對準較佳地在對準標記基礎上及/或在存在於基板上之功能單元的基礎上發生。對準精度詳言之好於500 nm，較佳好於300 nm，更佳好於150 nm，最佳好於100 nm，尤其最佳好於20 nm。
兩個結構之間的「跳動」誤差詳言之小於500 nm，較佳小於300 nm，更佳小於150 nm，最佳小於100 nm，尤其最佳小於20 nm。
殘餘誤差詳言之小於100 nm，較佳小於50 nm，更佳小於30 nm，最佳小於20 nm，尤其最佳小於10 nm。
憑藉根據本發明之裝置及方法，疊對可被減小為小於500 nm，較佳小於300 nm，更佳小於150 nm，最佳小於100 nm，尤其最佳小於50 nm。
根據本發明之裝置能夠憑藉閉合控制迴路來實行最佳接合製程。
憑藉具有不同厚度之不同板，可撓性可特定言之藉由調整可撓剛度以定目標方式調整。詳言之，複數個此類板可存在，該等板可以最簡單方式快速、有效且低成本地替換。因此，在任何時間，特定言之當使用不同基板時，對各別基板之調適有可能。
儘管並非為較佳的，但複數個板堆疊於彼此上面根據本發明可設想到。
換言之，本發明係基於如下理念：兩個基板中之至少一者較佳地兩個基板特定而言在接合之前及/或期間較佳在融合接合狀況下變形從而使接觸表面對準，且其中一板配置於兩個基板中之至少一者與夾盤之間，基板固定在該板上，而板自身固定於夾盤上。
變形特定言之意謂偏離基板之初始狀態特定言之初始幾何形狀的狀態。
本發明因此係關於一種方法及一種裝置以便特定言之憑藉熱力學及/或機械補償機構在接合期間減小或完全避免兩個經接合基板之間的「跳動」疵點。此外，本發明關注使用根據本發明之裝置及根據本發明之方法來產生的對應項目。
根據本發明，接合在特定言之憑藉上部板及/或下部板之拆離使基板之接觸表面接觸之後起始。然而，與先前技術形成對比，憑藉至少一個板之根據本發明的使用，可極其精準之控制的拆離亦有可能，此係由於由基板及板構成之系統之抗彎曲性歸因於基板憑藉板的加強而增大。因此，根據本發明，在所公開文獻之剩餘部分中，亦描述用於接合之方法，該等方法係基於目標及受控接合製程，該接合製程可藉由上部基板及/或基板固定於上面之上部板之自發落下而施配。
夾盤 在公開文獻之剩餘部分中，根據本發明之實施例首先在具有板之夾盤與基板的基礎上描述。根據本發明之具有此類兩個夾盤的裝置亦稍後予以揭示。在此狀況下可為如下情形：根據本發明之板僅用於兩個夾盤中之一者上或兩個夾盤上。若僅使用一個板，則此板可位於上部夾盤上，然而較佳地位於下部夾盤上。根據本發明之最佳實施例在於使用根據本發明之兩個板，在每一狀況下，一個板係在基板與關聯夾盤之間。
基板 第一基板及/或第二基板較佳為徑向對稱的。儘管基板可具有任一所要直徑，但基板直徑特定而言為1吋、2吋、3吋、4吋、5吋、6吋、8吋、12吋、18吋或大於18吋。第一基板及/或第二基板之厚度介於1 µm與2000 µm之間，較佳介於10 µm與1500 µm之間，更佳介於100 µm與1000 µm之間。在特定實施例中，基板亦可具有矩形形狀或至少自環形形狀偏離的形狀。在文獻之剩餘部分中，基板詳言之理解為意謂晶圓。
較佳地，基板具有大約相同之直徑D1及D2，其詳言之彼此偏離小於5 mm，較佳小於3 mm，更佳小於1 mm。
板 其他特定言之獨立態樣存在於板之設計及板在基板與夾盤之間的使用。詳言之，板之背離基板之側配置於夾盤之彎曲元件或彎曲改變構件上。因此，基板並不直接變形，而是基板之變形憑藉板之變形間接地發生，板之變形憑藉彎曲改變構件發生。
板較佳地固定/可固定於夾盤上。
板詳言之主要較佳完全自陶瓷較佳技術陶瓷產生。可對板進行塗佈。
板特定言之具有與基板相同之直徑，基板固定/可固定於板上。
根據本發明之一較佳實施例，板相較於固定於板上之基板具有較大半徑。由於板相較於基板具有較大直徑，因此板可於突出超出基板的區中有利地特定言之獨佔地固定於夾盤上。
詳言之，板之半徑對應於待固定之基板之半徑的至少1.01倍，較佳地大於1.1倍，更佳地大於1.2倍，最佳地大於1.3倍，尤其最佳大於1.4倍。根據本發明之板的尤佳實施例具有直徑，該等直徑比待固定之基板的直徑大出介於10%與20%之間。憑藉板，其半徑顯著大於待固定之基板的半徑，最初根據本發明在基板處設定為恆定曲率有可能，使得基板在板上形成完美中空球體殼層。藉由使用板於夾盤上之固定件，特定言之獨佔地在環形區中起作用的固定件，板可在周邊經強烈經彎曲，使得基板處之曲率自此理想恆定曲率偏離。
薄基板歸因於小厚度具有極小抗彎曲性。低抗彎曲性導致極高可撓性，此舉使得接合製程之有目標控制為困難的。此具有如下劣勢：在中心處，疵點特定言之空隙可不利地影響接合結果。歸因於基板使用板進行額外支撐，基板之低抗彎曲性變得不相關，此係由於板在接合製程期間支撐固定於板上之基板。根據本發明之詳言之獨立態樣存在於建構由板及基板構成的系統，該系統相較於個別基板(在無板情況下)具有較高抗彎曲性。
板詳言之在邊緣處具有等級。等級詳言之在夾盤之方向上被移除，使得空的空間周邊地存在於板與夾盤之間。此空的空間允許板在邊緣區中之最佳變形，且因此支援變形。
在根據本發明之特定實施例中，根據本發明之板可置放並固定於複數個壓電元件上。板可憑藉此措施而局部地變形。
板-材料 板尤其憑藉諸如純度、固有剛度、平面度及變形性之材料參數來表徵。板位於夾盤與固定/可固定於夾盤上之基板之間。一方面，板建構地足夠厚，以便並不由非所要外部影響變形且能夠向位於板上之基板給予足夠支撐力，且另一方面足夠薄以便憑藉有目標作用力(經壓縮空氣、真空、機械、氣動或電動致動器)彎曲。可使板進入凸面形狀及/或凹面形狀。
詳言之，板具有大於500℃，較佳大於750℃，更佳大於1000 ℃的熱阻。
可對板進行塗佈。板及/或其塗層詳言之至少在某程度上較佳主要由以下材料中之一或多者組成： ● 金屬，詳言之係 o Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Ta、Zn、Sn， ● 半導體，特定言之為 o Ge、Si、α-Sn、富勒烯、B、Se、Te， ● 化合物半導體，特定言之係 o GaAs、GaN、InP、InxGa1-xN、InSb、InAs、GaSb、AlN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CuInGaSe2、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg(1-x)Cd(x)Te、BeSe、HgS、AlxGa1 -xAs、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe2、CuInS2、CuInGaS2、SiC、SiGe； ● 氧化物，特定言之上述材料中之一者的氧化物， ● 合金，特定言之鋼，較佳地係 o 高等級鋼， o 工具鋼， o 熱加工鋼， o 高速鋼， ● 塑膠，特定言之係 o 熱塑性塑膠，較佳地為 § 聚醚醚酮(PEEK) § 聚四氟乙烯(PTFE) § 聚醯亞胺 § 聚醯胺醯亞胺 o 熱固化塑膠， o 彈性體， ● 陶瓷，特定言之為 o 氧化鋁Al2O3， o 氧化鋯ZrO2， o 碳化矽，特定言之係 § 反應接合之矽過濾的碳化矽SiSiC， § 碳化矽SiC， § 氮化矽，Si3N4， § 氮氧化物接合之碳化矽NSiC， § 燒結之碳化矽SSiC， ● 玻璃。
在一較佳實施例中，板為陶瓷板。較佳地，板由特定氧化物陶瓷特定言之氧化鋁Al 2O 3製成。
根據特定實施例，板由高強度之彈性可變形膜製成。具體而言，彈力膜可由膜材料組成。
板-曲率半徑 第一及/或第二板在接合期間特定言之在接合開始時的曲率半徑詳言之大於0.01 m，較佳大於0.1m，更佳大於1 m，甚至更佳地大於10 m，最佳地大於100 m，最佳地大於1000 m。
在一較佳實施例中，第一/下部板之曲率半徑大小與第二/上部板之曲率半徑相同。因此，存在用於接合的相對於幾何形狀對稱的初始位置。
在一較佳實施例中，板之曲率半徑為可調整的。歸因於板之控制彎曲，在因此兩個基板之曲率半徑特定而言在接合前部處彼此偏離小於5%更佳相等的情況下，以上情形根據本發明為較佳的。
板-厚度 可變形板之厚度詳言之位於0.1與10 mm之間，較佳介於0.25與8 mm之間，更佳介於0.5與6 mm之間，最佳地介於1與5 mm之間。
板-楊氏模數 彈性模數(楊氏模數)為材料特性，其描述在線性彈性行為狀況下實心本體之變形中擴展與應力之間的關係。板之楊氏模數位於0.01 GPa與1100 GPa之間，較佳介於0.1 GPa與800 GPa之間，更佳介於1 GPa與600 GPa之間，最佳介於10 GPa與500 GPa之間，尤其最佳介於100 GPa與450 GPa之間。
板特定言之相較於基板具有較高楊氏模數。
板具有令人滿意之固有剛度，以便確保無問題操控且以便給予對基板之最佳支撐特性。
板-粗糙度 板之粗糙度值定為平均粗糙度、均方根粗糙度或平均粗糙度深度。平均粗糙度、均方根粗糙度及平均粗糙度深度之所判定值對於相同量測距離或量測區域通常不同，但處於相同數量級。因此，粗糙度之數值之以下範圍應理解為平均粗糙度、均方根粗糙度之值或平均表面粗糙度之值。剩餘誤差在此狀況下小於100 µm，較佳地小於10 µm，更佳地小於1 µm，最佳地小於100 nm，尤其最佳地小於10 nm。
夾盤-彎曲元件 特定言之為獨立或可與先前提及之理念組合的根據本發明之另一理念存在於使用變形元件作為彎曲元件及/或彎曲改變構件。
板及/或基板經彎曲。曲率應理解為意謂密切點處之圓(二維)或球體(三維)之曲率半徑的倒數值，在該密切點處，應判定曲率。板及/或基板之曲率可因此詳言之為位置相依的。然而，較佳地，曲率對於環繞基板之中心的圓上之所有點為恆定的。
替代曲率，較佳地提及彎曲。在整個文獻中，彎曲應理解為意謂相對於物件之表面距固定物件之提昇表面之中心的距離。具體而言，一者因此應理解，彎曲用以意謂在中心處以下兩者之間的距離：板之表面，該表面面向夾盤的方向；及夾盤之表面。彎曲詳言之經調整為小於1 mm，較佳小於500 µm，更佳小於100 µm，最佳小於50 µm，尤其最佳地小於10 µm。
在初始狀態下，基板除突出超出接觸表面之任何結構(微晶片、功能組件)及諸如彎曲及/或厚度波動之基板容許度外特別言之在接觸表面處為平面的。在初始狀態下，基板具有至多極輕微彎曲。對於300 mm晶圓，小於50 µm之彎曲為較佳的。
在根據本發明之第一實施例中，彎曲元件為氣體排出開口。氣體排出開口詳言之可為一個噴嘴(一個以上噴嘴)。可憑藉氣流使板彎曲，該氣流詳言之提供過壓。得到板之曲率/彎曲，此係由於板憑藉真空特定而言在整個圓周處固定至夾盤。
在根據本發明之第二實施例中，彎曲元件為壓電裝置，特定言之壓電柱。
在根據本發明之第三實施例中，彎曲元件為可平移移動之剛性物件，特定言之銷。銷詳言之可憑藉液壓及/或氣動及/或壓電元件來調整。亦設想到，噴嘴位於銷中，使得獲得組合式彎曲元件。
在根據本發明之第四實施例中，彎曲元件為一個或多個電極。為了能夠憑藉電極使基板彎曲，帶電材料配置於基板上(自技術觀點並非較佳的)或影響電荷設置於基板上。
在根據本發明之第五實施例中，彎曲元件為一個或多個電線圈。為了能夠憑藉線圈使基板彎曲，基板具有磁性材料，或誘導性磁場形成於基板上。
彎曲元件詳言之整合於夾盤中，較佳地居中地整合於夾盤中。彎曲元件詳言之為可控制及/或可調節的。
特定言之但非較佳地，可提供複數個彎曲元件，該等彎曲元件可使板或基板在不同方位處變形。
根據本發明之特性製程在接合期間特定言之在永久接合期間較佳融合接合期間以最可能靠近中心的點狀方式接觸兩個基板。替代地，兩個基板之接觸亦可並非中心地發生。可能的非居中接觸點與基板之中心之間的距離詳言之小於100 mm，較佳小於10 mm，更佳小於1 mm，最佳小於0.1 mm，尤其最佳小於0.01 mm。
較佳地，接觸描述中心接觸。中心較佳理解為意謂基礎理想本體之幾何中心點，其在必要時補償不對稱性。在具有凹口之業界標準晶圓之狀況下，中心因此為圓之中心點，該圓包圍無凹口之理想晶圓。在具有平坦化側之業界標準晶圓之狀況下，中心為圓之中心點，該圓在無平面情況下包圍理想晶圓。類似考量應用於以任何所要方式塑形之基板。替代地，中心理解為意謂基板之重心，迄今為止此係經明確主張/描述，或替換以上定義。
根據本發明，可使僅板中之一者及/或基板中之一者較佳地下部板及/或下部基板變形。在此狀況下，其他基板較佳地上部基板憑藉上部基板特定言之歸因於重力與變形基板接觸。較佳地，上部基板在下部基板之方向上具有曲率，特定言之憑藉重力獨佔地實現。
板及/或夾盤-曲率量測構件 根據本發明之有利設計，板及/或夾盤具有用於量測曲率之曲率量測構件。
板及/或夾盤可替代地或另外具有感測器，憑藉該等感測器，固定基板與板之間及/或板與夾盤之間的物理及/或化學性質可得以量測。感測器較佳為： ● 溫度感測器，及/或 ● 壓力感測器，及/或 ● 距離感測器。
亦可設想到，安裝複數個不同感測器類型。在一尤佳實施例中，在板及/或夾盤中特定言之對稱地且以均勻分佈式方式安裝用於距離及壓力量測的感測器。因此，離散但廣泛距離量測及壓力量測係可能的。壓力量測在彎曲元件為憑藉通道引入之流體特定言之氣體或氣體混合物情況下為特別有利的。
曲率量測構件及感測器之資料詳言之用於控制/調節。
板及/或夾盤-加熱元件 在根據本發明之另一實施例中，板及/或夾盤以一方式建構，使得有可能特定言之在某些區段中調整基板及/或板之溫度。基板及/或板之有目標額外變形詳言之憑藉溫度調整為有可能的。若基板及板或者板及夾盤之熱膨脹係數不同，則基板特定言之遵循板之熱膨脹，或板特定言之遵循夾盤的熱膨脹。較佳地，基板及/或板之溫度憑藉加熱及/或冷卻劑而進行預調整，或使基板及/或板在固定於板上或夾盤上之前達到所要溫度。
夾盤及/或板之溫度可在如下溫度範圍內予以調整：介於 -100℃與500℃之間，較佳介於-50℃與450℃之間，更佳介於-25℃與400℃之間，最佳地介於0℃與350℃之間。
板及/或夾盤-夾具及固定元件 根據本發明，提供板夾具，基板使用該等板夾具固定或可固定於板上。此外，提供夾盤夾具，使用該等夾盤夾具，基板特定而言憑藉板固定或可固定於夾盤上。兩種夾具皆具有相同本質及類型，且因此僅描述一次。又，所提到之夾具的結構、分組及區形成對於根據本發明之板及夾盤為相同的。然而，亦可設想到，夾具經不同地建構。
基板在板上或板在夾盤上之固定較佳地發生於基板的外部區中，較佳地板之區上，該區詳言之突出超出基板。
較佳地，基板或板獨佔地固定於圓形片段上，在側邊緣區中儘可能遠地定位，以便確保基板或板朝向中心的在夾具內部之最佳可能可撓性及擴展自由度。
夾具較佳地由複數個固定元件組成。固定元件可詳言之分組成數個區。將該等固定元件分組至數個區實現幾何、光學目標，但較佳功能目標。舉例而言，功能目標應理解為意謂可同時連接一區之全部固定元件。亦可設想到，區中之全部固定元件可經個別地連接。因此，複數個固定元件可為了固定或為了在區內釋放基板或板而同時啟動，或儘管固定元件可經個別地啟動，但固定元件產生基板或板在其區中的極個別變形性質。
區詳言之可採用以下幾何佈置： ● 單面， ● 圓形區段， ● 平鋪的，特定言之三角形、四邊形或六邊形。
詳言之，無固定元件之區域亦可定位於該等區之間。此等區之間的間隙特定言之小於50 mm，較佳小於25 mm，更佳小於20 mm，最佳小於10 mm，尤其最佳小於5 mm。若區佈置為圓形片段，則間隙將為外部圓形片段之內部圓環與內部圓形片段之外部圓環之間的距離。
每區之固定元件的數目為任意的。詳言之，在一區中，存在至少1個固定元件，較佳至少2個固定元件，較佳10個以上固定元件，更佳大於50個固定元件，更佳大於100個固定元件，最佳大於200個固定元件，尤其最佳大於500個固定元件。
根據本發明之有利實施例，第一夾盤及/或第二夾盤具有固定構件，該固定構件在用於安裝板的第一夾盤及/或第二夾盤之安裝表面之圓周處特定言之獨佔地在板/基板之側邊緣之區中特定言之以環形塑形較佳地圓環塑形方式配置。
固定構件建構為固定元件，該等固定元件以特定言之均勻分佈之方式較佳地同心地配置於安裝表面上，劃分成數個區且詳言之為可分離地控制的。較佳地，固定構件特定言之獨佔地在安裝表面之邊緣區中配置。邊緣區特定言之延伸至多安裝表面之半徑的二分之一，較佳至多半徑之四分之一。
在固定元件在區中的徑向對稱配置之狀況下，亦可考慮每橫截面的固定元件之數目。橫截面中固定元件的數目在此狀況下小於20，較佳小於10，更佳小於5，最佳小於3，尤其最佳小於1。
可加負載有負壓的用於固定之固定元件亦可加負載有過壓用於拆離基板。
在根據本發明之第一實施例中，該等固定元件由詳言之藉由鑽孔或電火花沖蝕產生之單一孔洞組成。在專門實施例中，固定元件為憑藉詳言之碾磨過程產生之環形較佳地圓環形槽。在開發中，固定元件可具備有真空唇緣。若固定元件經提供作為真空元件，則其可產生小於1巴，較佳小於0.1巴，更佳0.01毫巴，最佳小於0.001毫巴，尤其最佳小於0.0001毫巴之壓力。
在根據本發明之第二實施例中，該等固定元件由可用作靜電固定件之導電板組成。導電板可以單極方式然而較佳地以雙極方式連接。在雙極連接之狀況下，兩個板連接至交替電位。根據本發明之夾盤接著特定言之在數個區中充當靜電夾盤，該靜電夾盤取決於板之數目而具有高解析度靜電固定性質。
每單位面積之固定元件之數目愈大，則對用於基板之夾盤之固定性質的控制愈好。
第一夾盤及/或第二夾盤有利地由隆起部分形成，該等隆起部分詳言之形成第一安裝表面之第一安裝平面及第二安裝表面之第二安裝平面。
根據兩個其他實施例，夾盤及/或板描述為具有隆起，特定言之凸起結點夾盤或凸起結點板。此類型之夾盤或板理解為意謂具有複數個特定言之對稱地佈置之導柱的夾盤或板。此等導柱詳言之實現為凸起結點。凸起結點可具有所要形狀。凸起結點詳言之以如下形狀提供： ● 角錐，特定言之三個側面或四個側面之角錐， ● 圓柱，特定言之具有平坦或圓形頭端的圓柱， ● 長方體， ● 錐體， ● 球狀外殼。
球狀外殼凸起結點、錐體凸起結點及圓柱凸起結點生產昂貴，而角錐形或長方體凸起結點可憑藉蝕刻及/或碾磨製程相對地簡單製造且因此根據本發明為較佳的。
所提及之凸起結點夾盤或凸起結點板可憑藉邊緣元件終止於其周邊處，使得凸起結點之間的空間區可解譯為凹陷。然而，亦可能的是凸起結點構成關於凸起結點平面之單獨隆起，在該凸起結點平面上，存在所有凸起結點。
在根據本發明之第三較佳實施例中，夾盤實現為凸起結點夾盤，及/或板實現為具有幅材之凸起結點板。該等個別區在此處藉由幅材中斷。至少一條管線結束於各區內部，該管線准許將該等凸起結點之間的空間抽真空。空間之具有變化之強度的局部相依抽真空藉由使用複數個通道有可能，該等通道詳言之可個別地予以控制。
在甚至更佳之第四實施例中，夾盤及/或板換言之在無幅材情況下實現為整個凸起結點夾盤或凸起結點板。
隆起詳言之凸起結點之寬度或直徑詳言之小於5 mm，較佳小於1 mm，更佳小於500 µm，最佳地小於200 µm。
隆起特定言之凸起結點之高度詳言之小於2 mm，較佳小於1 mm，更佳小於500 µm，最佳小於200 µm。
詳言之，該等隆起之寬度或直徑與該等隆起之高度之間的比率大於0.01，較佳大於1，更佳大於2，最佳大於10，尤其最佳大於20。
所提及之根據本發明之所有實施例亦可按需要彼此組合。因此，可設想到，第一區由靜電操作固定元件組成，且第二區具有真空固定件。
根據本發明之夾盤及/或板可詳言之在公開文獻之剩餘部分中具有稱為量測孔洞的孔洞，此舉使得有可能自夾盤及板之背側觀測固定基板表面。因此，使得固定基板表面的量測在此區中有可能。該等量測孔洞亦可憑藉蓋子關閉。在極佳實施例中，該等量測孔可使用蓋子完全自動地開啟或關閉。
根據本發明之夾盤可替代地或另外具有感測器，憑藉該等感測器，可量測固定基板與夾盤之間的物理及/或化學性質。該等傳感器較佳為 ● 溫度感測器，及/或 ● 壓力感測器，及/或 ● 距離感測器。
尤佳距離感測器可用作曲率量測構件，其中基板或板之曲率自基板與夾盤之間的距離或自板與夾盤之間的距離判定出，特定言之在支撐點之間進行內插及/或計算。
根據本發明，距離感測器較佳經使用，特定言之沿著安裝表面分佈以便使得能夠對變形特定言之彎曲及/或彎曲改變進行更好控制或甚至調節。
在一尤佳實施例中，複數個感測器主要建構為距離感測器以便在接合製程之前及/或期間量測基板或板關於平面的距離。平面較佳為安裝表面及/或特定言之藉由該等隆起部分形成之平面的安裝表面。
亦可設想到，感測器位於不同平面上。較佳地，感測器特定言之獨佔地量測較佳地橫向至接觸表面之距離的改變，使得至一個及/或更多平面之關係不相關。在此狀況下，必須偵測基板或板之僅相對(尤其局部不同的)距離改變。
對距離之量測主要用於製程控制。歸因於基板或板之準確彎曲狀態之瞭解，根據本發明之固定元件之控制/調節對於基板或板之最佳特定言之逐步拆離特別高效地發生。
亦可設想到，安裝複數個不同感測器類型。在一尤佳實施例中，在夾盤及/或板中特定言之對稱地且以均勻分佈式方式安裝用於距離及壓力量測的感測器。因此，離散但廣泛距離量測及壓力量測係可能的。壓力量測在變形元件為憑藉管線引入之流體特定言之氣體或氣體混合物情況下為特別有利的。
在無曲率量測構件及/或無感測器情況下建構一個或兩個夾盤的程度，可基於憑經驗判定之參數進行該等曲率及/或彎曲改變的調整及/或控制。
為了確保準確特定言之中心及點狀接觸，詳言之徑向對稱固定件用於夾盤中。
在彎曲製程期間板之固定元件的數目較佳以一方式選擇，使得在板不自夾盤拆離的情況下，板之100 µm之彎曲可被達成。詳言之，除真空軌道外，使用其他真空元件以便產生負壓。此等真空元件主要包括密封元件，特定言之密封環及真空唇緣。
基板或板在夾盤上之固定較佳地在基板或板之整個表面上方有可能。基板或板之彎曲憑藉經壓縮空氣在夾盤之中心處在較佳實施例中發生。
夾盤詳言之在邊緣區處具有針對壓縮空氣之供應源或針對致動器的孔以及真空軌道。此處，中斷安裝表面之至少一個負壓通道設置於安裝輪廓線之外部環區段中。必要時，夾盤之安裝表面可被減小，使得得到基板或板或夾盤之間的較小接觸面積。用於固定夾盤及基板或板之其他可能詳言之係 ● 憑藉夾持之機械固定件，及/或 ● 靜電固定件，及/或 ● 磁性固定件，及/或 ● GelPak固定件
徑向對稱固定件為例如真空軌道、所應用之真空孔洞、圓形真空唇緣或相當之真空元件，板可憑藉前述各者來固定。靜電夾盤之使用亦可設想到。
板及/或夾盤-凸起結點結構 根據實施例，夾盤及/或板具備凸起結點結構。凸起結點構成針對基板及/或板之小的特定言之均勻且穩定地分佈之數目個支撐點。因此，基板及/或板之可能污染被防止，但同時穩定性得以保持。對應凸起結點夾盤描述於WO2015113641A1中，就此而言參考WO2015113641A1。
接合機 根據本發明之接合機在文獻之剩餘部分中被涵蓋，該接合機由根據本發明之兩個夾盤組成，該等夾盤中之至少一者具有根據本發明的一個板。
較佳地，兩個基板憑藉分別指派之板在垂直方向及位置上特定言之在整個表面上方被支撐。同時，基板在每一狀況下憑藉一個變形構件朝向接合起始點特定言之對稱地彎曲至接合起始點(在接合開始時基板之間的第一觸點)，使得可接觸接合起始點處的凸起表面。詳言之藉由接合波進行之自動接合製程較佳地憑藉基板及/或板中之至少一者自夾盤之拆離開始。
根據本發明之實施例特定言之整個接合機較佳地以所界定特定言之可控制氣氛中較佳地在普通壓力下操作。根據本發明之裝置可在惰性氣體下操作。較佳可用氣體氛圍可抑制接觸製程，且因此防止接觸表面過早或同時第若干點處接觸。憑藉此措施來防止畸變。為了在接觸期間控制接合，可設想到詳言之控制接合機中的壓力。
方法-接合 根據本發明有可能的是在接合過程期間控制板之彎曲且因此準確地控制固定於板上之基板的彎曲。
本發明之特定言之獨立的態樣存在於以儘可能協調且同時半自動方式接觸，其中基板中之兩個基板或至少一個基板在接觸之前加負載有預應力，特定言之徑向向外同心地延行至基板之接觸表面的中心M。此預應力憑藉板之彎曲來確保，基板在該板上固定。因此，僅接觸之起點受到影響，而在接觸區段之後，特定言之在接觸基板之中心M之後，仍固定於板上之基板歸因於其預應力而經釋放且因此以受控方式自動地接合、藉由板支撐至相對基板。預應力憑藉板之可控制變形達成，且因此憑藉變形構件間接地達成基板之可控制變形，其中變形構件詳言之對背離接合側之側起作用。
拆離及壓力加負載製程可廣泛或局部地或沿著預定路徑起作用。彎曲元件或固定元件因此經連接或控制。
兩個基板之彎曲詳言之在某距離處發生，其中此距離在接合波之進展期間減小。詳言之，對於基板之整個表面接觸，板可自夾盤完全拆離。在此狀況下，基板在板上保持固定。為此目的，夾盤之固定元件以停用方式保持，同時彎曲元件被啟動或保持啟動。在使用自噴嘴排出之流體之狀況下，詳言之，下部板如同在氣墊上一般浮動且使得基板之整個表面接觸成為可能。流體之壓力憑藉控制構件調節並調整，使得製程最佳地執行。
為了防止特定言之憑藉板之移位而使基板相對於彼此之x - y對準改變，板可另外藉由限制元件在經對準x - y位置中被固持。限制元件可定位於板外部且防止板之平移及/或旋轉移動，及/或其經由板中之孔導引以便阻礙板之平移及/或旋轉。由於根據本發明之板僅必須具有極小彎曲，因此板之孔與限制元件之間的幾微米之運動足夠以便確保板之無摩擦彎曲但盡最大可能程度地抑制顯著移位及/或旋轉。
限制元件的根據本發明之其他特定言之獨立態樣(或替代地獨立/額外捕獲元件)為板之機械捕獲，板自夾盤之固定件完全拆離。若上部夾盤之所有固定件被斷開連接，則在無此類定界元件情況下，上部板將自上部夾盤掉落。限制元件防止掉落且將上部板固持於適當位置。因此，板自夾盤之完全拆離或解耦有可能。限制元件以限制方式詳言之在z方向上起作用。
限制元件之數目詳言之位於1與100之間、較佳1與50之間、更佳1與25之間、最佳1與10之間，提供尤其最佳之準確之3個限制元件。限制元件可例如為以下元件： ● 螺釘，及/或， ● 銷，及/或， ● 錨定螺栓，及/或， ● 金屬薄片，及/或， ● 專門製造之形狀元件
在兩個基板之接合起始點處之成功接觸之後，若上部板自夾盤完全拆離，則一方面歸因於重力且另一方面藉由沿著接合波且在基板之間起作用之接合力所引起，上部基板向下掉落，但仍固定於板上。
上部基板自中心徑向地或自接合起始點朝向側邊緣連接至下部基板。因此，產生根據本發明之具有徑向對稱接合波之設計，該接合波詳言之自中心延行至側邊緣。在接合製程期間，該兩個基板推動氣體，尤其存在於接合波之前方的該等基板之間的空氣且因此確保接合限制表面無氣體內含物。藉由板支撐之上部基板在掉落時特定言之位於一類型之氣墊上。
藉由板支撐之第一/上部基板在接合於接合起始點處的起始之後並不經受任何額外固定且可因此-除在接合起始點處之固定及板上之固定之外-自由地移動且亦畸變。板以一方式進行選擇，使得板具有足夠可撓性以便在接合期間使「跳動」最小化且同時充分支撐基板以便防止藉由基板之過高軟度引起的接合疵點。
在完成接合製程之後，接合基板堆疊藉由上部板及下部板保護，且可因此未進一步卸載或輸送。替代地，例如在完成接合製程之後，第二/上部基板與板拆離。接合基板堆疊至少在下部板上保持固定，直至卸載製程。必要時，下部板同樣再次使用真空固定於夾盤上。
根據有利實施例，夾盤可具有第二真空區，以便確保板之整個表面固定。夾盤之此第二真空區可以例如十字形、線性或圓形方式建構。夾盤因此詳言之具有在邊緣區中較佳地在外部圓環區域中的具真空軌道的第一真空區，且在內部區中較佳地在內部圓形區域中具有第二真空區。
歸因於中心處之點狀接觸，根據本發明之接合中之接合波較佳地自中心徑向對稱地延行至側邊緣且在此製程期間在其之前推動環形(同心)氣墊。沿著詳言之接合波之幾乎圓環形之接合前部，此大的接合力佔優勢，空隙之內含物不可出現。上部/第二基板因此在接合製程期間位於一類型之氣墊上。
較佳地，所有可改變參數以此方式選擇，使得接合波以一速度傳播，該速度關於所存在之初始及邊界條件為儘可能最佳的。主要地在可用氣氛之狀況下，特定言之在普通壓力下，接合波之最慢可能速度為有利的。接合波之傳播速度詳言之以一方式設定，使得傳播速度低於200 cm/s，更佳地低於100 cm/s，更佳地低於50 cm/s，最佳地低於10 cm/s，尤其最佳地低於1 cm/s。詳言之，接合波之速度大於0.1 cm/s。詳言之，接合波之速度沿接合前部為恆定的。
所提及之根據本發明之所有實施例在專門設計變型中可在真空中具體而言在低度真空中或在高度真空中實行。在真空環境中，接合波之速度自動地變快，此係由於沿著接合線連接之基板並非必須經由氣體克服任何阻力。
圖 1展示處於根據本發明之製程步驟的根據本發明之接合機13，其中關於該接合機13，僅下部夾盤1u及與該下部夾盤1u相對地配置之上部夾盤1o以說明方式說明。接合機13之剩餘習知構成部分並未說明。
在下部夾盤1u上，下部板17u憑藉下部夾盤1u之環形延行之第一固定元件2固定於第一板側20上。可較佳地使用通道詳言之以流體技術方式加負載於固定元件2，該等通道可憑藉壓力加負載，且穿過夾盤1u。
下部板17u在與第一板側20相對之板側21上具有第二固定元件2'，該等固定元件可較佳地直接憑藉下部夾盤1u控制及/或連接至第一固定元件2。同樣，上部夾盤1o具有上部板17o，其可憑藉上部夾盤1o之環形延行的固定元件2固定。
在所展示之全部實施例中，板17u、17o之第二固定元件2'憑藉固定元件連接6'而連接至夾盤1o、1u。若固定元件2、2'為真空固定件，則固定元件連接6'較佳地建構為詳言之穿透板17u、17o的通道。在下部夾盤1u之通道的抽真空狀況下，下部板17u之固定元件連接6'亦被抽真空，詳言之自動地抽真空。相同情形對於上部板17o及上部夾盤1o為真。
板17u、17o係處於彎曲狀態，此係因為在環形延行之固定元件2內部，彎曲元件5實現一曲率，而固定元件2固定板17u、17o。
第一(上部)基板4o憑藉固定元件2'固定於上部板17o上。第二(下部)基板4u憑藉固定元件2'固定於下部板17u上。
圖1中接合機13上方且下方之第一圖形說明依據x位置的基板4u、4o及/或板17u、17o之實際曲率14u、14o，且亦說明基板4u、4o及/或板17u、17o的所要曲率15u、15o。除第一圖形外，第二圖形展示於圖1中，該等第二圖形說明壓力p 1 '，其憑藉建構為管線的固定元件連接6'下降，且將基板4u、4o固定於板17u、17o上。在圖示中，在每一夾盤17u、17o上存在詳言之實現為環形凹槽的僅一個固定元件2'。第三圖形最終展示壓力p 1，該壓力施加於板4u、4o之周邊處。
兩種類型之限制元件在圖中可看到。限制根據本發明之板17u之純粹平移移位的第一限制元件19'位於下部夾盤1u上。舉例而言，可設想到，在製程步驟中，所有固定件2斷開連接，且下部板17u在氣墊上自由地浮動，該氣墊憑藉流體產生，該流體詳言之自彎曲元件5排出。
第二限制元件19位於上部夾盤1o上，該上部夾盤以一方式塑形，使得第二限制元件特定言之使用固定於板上之基板4o而防止板17o下降。
在根據圖3之上部夾盤1o的一較佳實施例中，第二固定元件2'獨立於夾盤1u之第一固定元件2 (加負載有壓力p 1的通道)之控制憑藉詳言之可擴展固定元件連接6'' (圖1中未介紹)發生。此可憑藉壓力管線加負載有壓力p 1 '。
在以下系列圖中，根據本發明之製程流程詳言之在根據上述第一實施例之複數個製程步驟基礎上說明。為清楚起見，免除了針對壓力及偏轉曲線的圖形之說明。所要及實際曲率15u、15o、14u、14o在其他圖中並未介紹，此係由於不存在圖形。其示意性曲線可自圖1繪製。
圖 2a展示根據本發明之接合機13，其用於使第一/上部基板4o及第二/下部基板4u之相對配置的接觸面4k接觸且接合。接合機13由下部夾盤1u及上部夾盤1o構成。夾盤1u、1o可詳言之經實現從而安裝第一/上部基板4o及/或第一/上部板17o以及第二/下部基板4u及/或第二/下部板17u，其中下部夾盤1u可不同於上部夾盤1o設計或裝備。
上部夾盤1o較佳地具有量測孔洞12，板17o及/或基板4o之量測可經由該等量測孔洞特定言之自基板固持器10之背側起發生。若對基板4o進行量測，則板17o詳言之亦具有對應量測孔洞12'。替代地，感測器亦可配置於量測孔洞12、12'中。量測孔洞12、12'詳言之配置在該等彎曲改變構件與該等固定構件之間。替代地或另外，下部基板固持器1u及/或下部板17u可具有對應量測孔洞12、12'。量測孔洞穿透夾盤1，且詳言之正交於安裝表面1s延行。較佳地，量測孔洞12以彼此相距180°或120°之間距以分散式方式配置於表面上。
夾盤1u、1o具有具複數個固定元件2的安裝表面1s及感測器3。固定元件2憑藉建構為流體管線之通道抽真空，且固定板17u、17o。該等距離感測器以分散式方式直接配置在彎曲改變構件5上方直至該等固定構件。距離感測器因此在安裝表面1s之部件表面上方延伸。
建構為壓力感測器之感測器3配置在固定構件之區中，使用該等感測器，在板17u、17o與夾盤1u、1o之間沿著感測器3之x位置量測壓力p 1。
上部基板4o詳言之歸因於重力之存在而具有實際曲率14o，而下部基板1u處於平面方式，且因此在本發明之意義上並不具有實際曲率14u (實際上，其具有難以察覺地小的實際曲率)。然而，亦設想到，以重力方式設定之實際曲率14o小至可忽略。
圖 2b展示處於另一製程步驟之接合器13。已憑藉兩個基板固持器1u、1o之相對移動使兩個基板4u及4o彼此更靠近。另外，與根據圖2a之情形相比無任何事項已改變。
圖 2c展示處於另一製程步驟之接合器13。歸因於使用彎曲元件5，在所展示之狀況下，使氣體以壓力p2流動通過之氣體出口開口、兩個板17u、17o且因此基板4u、4o處於所要曲率，其中壓力較佳憑藉距離感測器調節。為了控制/調節，亦可使用固定元件2之壓力，使得該等固定元件亦承擔彎曲元件5、5'或彎曲改變構件5、5'之任務，且因此在本發明之意義上可被包括。壓力值詳言之在數個區中為較佳分離地可連續及/或不斷地控制/調節的。
圖 2d展示處於另一製程步驟之接合器13。兩個基板4u、4o藉由使基板4u、4o更靠近於彼此而形成接合波，該接合波徑向朝外傳播，其中基板4u、4o之曲率連續地改變(彎曲改變構件)。在此狀況下，下部板17u及/或上部板 17o或下部基板1u及/或上部基板1o之彎曲改變憑藉距離感測器連續地監視，且在必要時以一方式憑藉彎曲元件5及/或固定元件2校正，使得分別需要或設定之所要曲率被達成(彎曲改變構件)。重要參數表示接合波點處上部板17o或上部基板4o之曲率半徑R1及下部板17u或下部基板4u的曲率半徑R2。
在上部夾盤1o及下部夾盤1u處，固定元件2之四個內部圓周列的壓力被同時減小至p0。因此，基板1u、1o或板17u、17o特定言之自內部朝外連續地失去至安裝表面1o之固定，結果為壓力p2可進一步自彎曲元件5傳播。
由於控制慮及基板之曲率及彎曲改變，因此跳動誤差經最小化。詳言之，與先前技術形成對比，「跳動」誤差進一步經最小化，此係由於板/基板系統具有較高抗彎曲性，且基板因此以更可靠方式接合至相對基板。
圖2e展示處於另一製程步驟之接合器13。兩個基板1u、1o已以一受控方式接合至彼此，其中上部夾盤1o之固定元件2之最外列的壓力已減小至p0。詳言之，上部板17o已剩餘於上部夾盤1o上。亦設想到，上部板17o保持在上部基板4o上。在此狀況下，限制元件19並非必須存在。
根據本發明之夾盤的其他實施例說明於其他影像中。
圖 3展示夾盤1u及板17u的根據本發明之改良且更佳之實施例，其中固定件憑藉固定元件連接6''自夾盤1u傳送於板17u上，該固定元件連接詳言之建構為波紋管或唇緣。固定元件裝置6''詳言之可擴展而不間雜有基板4u至板17u的固定件。在靜電固定件之狀況下，固定元件連接6''可例如為導線，該等導線維持夾盤1u與板17u之間的電位。在所說明之真空固定件的狀況下，固定元件連接6''為可擴展波紋管，其詳言之係儘可能真空密封的。若固定元件連接6''詳言之以居中方式安裝，則可能彎曲元件5定位至固定元件連接6''之側。
圖 4a展示處於根據本發明之第一製程步驟的夾盤1u'，該夾盤1u'類似於夾盤1u建構。特定言之在夾盤1u'上環形地配置之密封環18構成分化特徵。
板17u安裝於密封環18上。
在此實施例中，銷配置於夾盤1u'之中心處作為彎曲元件5'。銷在中心處穿透夾盤1u'且相對於該夾盤可在z方向上移動。在第一時間，板17u與基板4u一起放置於彎曲元件5'之已經提昇的尖端處。同時，板仍位於非變形密封環18上。板17u本質上尚未彎曲。
圖 4b展示處於第二製程步驟之夾盤1u'。板17u憑藉接通沿著真空軌道(通道，固定元件2，固定元件連接6'、6''，固定元件2')之真空而在邊緣處向下拖動。因此，稍微變形之彈性密封環18經變形，且與夾盤1u相抵地密封板。在根據本發明之接合製程中，在基板4u與基板4o（圖中未示)接觸之後，真空軌道再次浸沒，且因此允許基板4u的改良且最佳化之接合製程。
圖4a、圖4b之實施例可被視為針對來自圖1至圖2e之實施例的動態反轉。詳言之，此實施例特徵在於，板17u亦憑藉詳言之在周邊處起作用之真空的產生而在周邊處向下拉動，而在前述實施例中，已描述力憑藉彎曲元件5施加之方式致使板17u憑藉流過彎曲元件5之流體的分配而在彎曲元件5之區中變形。
1o:上部夾盤/基板固持器 1u:下部夾盤/下部基板固持器 1u':夾盤 1s:安裝表面 2:第一固定元件 2':第二固定元件 3 :感測器 4o:第一(上部)基板 4k:接觸表面 4u:第二基板 5:彎曲元件/彎曲改變構件 5':彎曲元件/彎曲改變構件 6':固定元件連接 6'':可擴展固定元件連接/固定元件裝置 10:基板固持器 12:量測孔洞 12':量測孔洞 13:接合機 14u :實際曲率 14o:實際曲率 15u:所要曲率 15o:所要曲率 17o:上部板 17u:下部板 18:密封環 19:限制元件 19':第一限制元件 20:第一板側 21:板側 p 1:壓力 p 1':壓力 p 2:壓力
本發明之另外優勢、特徵及細節由對較佳例示性實施例之以下描述以及基於圖式而產生。在圖中： 圖1展示根據本發明之第一實施例與針對壓力曲線及偏斜曲線的圖形， 圖2a展示處於根據本發明之方法之第一製程步驟的根據本發明之裝置的第一實施例， 圖2b展示處於第二製程步驟之第一實施例， 圖2c展示處於第三製程步驟之第一實施例， 圖2d展示處於第四製程步驟之第一實施例， 圖2e展示處於第五製程步驟之第一實施例， 圖3展示根據本發明之裝置之第二實施例， 圖4a展示處於第一製程步驟的根據本發明之裝置的第三實施例，且 圖4b展示處於第二製程步驟之第三實施例。 在圖式中，具備相同功能之相同組件用相同元件符號標記。
1o:上部夾盤/基板固持器 1u:下部夾盤/下部基板固持器 1s:安裝表面 2:第一固定元件 2':第二固定元件 3:感測器 4o:第一(上部)基板 4k:接觸表面 4u:第二基板 5:彎曲元件/彎曲改變構件 6':固定元件連接 10:基板固持器 12:量測孔洞 12':量測孔洞 13:接合機 14u:實際曲率 14o:實際曲率 15u:所要曲率 15o:所要曲率 17o:上部板 17u:下部板 19:限制元件 19':第一限制元件 20:第一板側 21:板側 p 1:壓力 p 1':壓力

Claims (20)

  1. 一種用於使一第一基板與一第二基板於該第一基板及該第二基板之相互面對的接觸表面上接合的方法，該第一基板安裝於一第一夾盤上且該第二基板安裝於一第二夾盤上，其中該第二夾盤包括一下部板，且該下部板配置於該第二基板與該第二夾盤之一表面之間， 其特徵在於 在該接合之前、或在該接合期間、或在該接合之前及該接合期間在該接合期間，該第二基板連同該下部板相對於該第二夾盤變形，其中該第二基板藉由該下部板之變形而變形， 其中該下部板之變形係藉由氣流提供一過壓以彎曲該下部板而形成，且其中該下部板係，藉由一第一固定構件以一環形方式配置於該第二夾盤之圓周上且在該下部板的一圓周邊緣之區中，憑藉在整個圓周處之真空而固定至該第二夾盤，且 其中該下部板係藉由該下部板外部之多個下部限制元件所固持(held)以防止該下部板之一平移(translational)及/或旋轉(rotational)移動。
  2. 如請求項1之方法，其中該等下部限制元件包含下列至少一者： 螺釘(screws)、銷(pins)、錨定螺栓(anchor bolts)、金屬薄片(metal sheets)、及/或專門製造之形狀元件。
  3. 如請求項1之方法，其中一第一板配置於該第一基板與該第一夾盤之間，其中在該接合之前及/或在該接合期間該第一基板連同該第一板相對於該第一夾盤變形。
  4. 如請求項1至3中任一者之方法，其中在該第一基板及該第二基板之該等接觸表面之一接觸對稱及/或同心地鏡像至該第一基板及該第二基板之該等接觸表面之前設定及/或控制該變形。
  5. 如請求項1之方法，其中憑藉加負載於該下部板之一彎曲元件來設定及/或控制歸因於流體壓力負載所致的該第二基板之變形。
  6. 如請求項3之方法，其中該第一板係藉由該第一固定構件而固定，該第一固定構件以一環形方式配置在該第一板之圓周邊緣的區中。
  7. 如請求項6之方法，其中該第一基板及該第二基板中之至少一者藉由該第一板及該下部板的屬於同一類型之第二固定構件固定，該第二固定構件連接至該第一夾盤或該第二夾盤之該第一固定構件。
  8. 如請求項1之方法，其中藉由曲率量測構件，來偵測該第二基板及/或下部板中的該變形。
  9. 如請求項1之方法，其中該下部板之一曲率半徑係可調整的。
  10. 一種用於使一第一基板與一第二基板在該第一基板及該第二基板之相互面對的接觸表面上接合的裝置，其具有： 用於安裝該第一基板之一第一夾盤及用於安裝該第二基板之一第二夾盤，其中該第二夾盤包括一下部板， 該下部板係配置於該第二基板與該第二夾盤之一表面之間， 其特徵在於 用於可在該接合期間控制使該下部板連同該第二基板相對於該第二夾盤變形的彎曲改變構件，其中該第二基板藉由該下部板之變形而變形， 其中該彎曲改變構件提供一過壓以彎曲該下部板， 一第一固定構件以一環形方式配置於該第二夾盤之圓周上且在該下部板的一圓周邊緣之區中，該第一固定構件用於憑藉在整個圓周處之真空而將該下部板固定至該第二夾盤，及 用於固持該下部板之多個限制元件，該等多個限制元件在下部板外部以防止該下部板之一平移及/或旋轉移動。
  11. 如請求項10之方法，其中該等下部限制元件包含下列至少一者： 螺釘、銷、錨定螺栓、金屬薄片、及/或專門製造之形狀元件。
  12. 如請求項10之裝置，其中一第一板配置於該第一基板與該第一夾盤之間，其中在該接合之前及/或在該接合期間該第一基板與該第一板一起相對於該第一夾盤以一可變形方式建構。
  13. 如請求項10之裝置，其中該第一夾盤及/或該第二夾盤具有機械彎曲元件及/或流體壓力負載構件，用於設定及/或控制該第一基板之變形及/或該第二基板之變形。
  14. 如請求項12之裝置，其中該第一夾盤具有用於固定該第一板之環形配置的第一固定構件。
  15. 如請求項14之裝置，其中該第一板及該下部板中之至少一者具有用於固定該第一基板及/或該第二基板的屬於同一類型之第二固定構件，該第二固定構件連接至該第一夾盤及/或該第二夾盤之該第一固定構件。
  16. 如請求項10之裝置，其中該下部板具有一楊氏模數，該楊氏模數介於0.01 GPa與1100 GPa之間。
  17. 如請求項12之裝置，其中可憑藉曲率量測構件來偵測該第一基板之變形及/或該第二基板之變形。
  18. 如請求項10之裝置，其中該下部板之一曲率半徑係可調整的。
  19. 一種用於使用一第一固定構件在一裝置之一第一夾盤上固定一第一板側且用於使用一第二固定構件在與該第一板側相對配置的一下部板側上固定一第一基板的第一板，該第一板具有至少一個固定元件連接用於該第二固定構件至該第一夾盤之流體技術連接，其中該第一固定構件以一環形方式配置於該第一夾盤之圓周上且係一真空固定件，其中該第一板之一變形係可調整的，該第一板之變形係藉由提供一過壓以彎曲該第一板，該第一固定構件用於藉由整個圓周處之真空將該第一板固定至該第一夾盤，且其中該第一板係藉由該第一板外部之多個下部限制元件被固持(held)以防止該第一板之一平移及/或旋轉移動。
  20. 如請求項19之該第一板，其中該第一板之一曲率半徑係可調整的。
TW112104993A 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法 TWI810135B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
WOPCT/EP2017/073930 2017-09-21
PCT/EP2017/073930 WO2019057286A1 (de) 2017-09-21 2017-09-21 Vorrichtung und verfahren zum bonden von substraten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202322226A TW202322226A (zh) 2023-06-01
TWI810135B true TWI810135B (zh) 2023-07-21

Family

ID=60083251

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107128408A TWI673816B (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW111122282A TWI797024B (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW110111309A TWI774292B (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW108130088A TWI773917B (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW112104993A TWI810135B (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW112123342A TW202345241A (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW113116777A TW202433611A (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107128408A TWI673816B (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW111122282A TWI797024B (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW110111309A TWI774292B (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW108130088A TWI773917B (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW112123342A TW202345241A (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法
TW113116777A TW202433611A (zh) 2017-09-21 2018-08-15 接合基板之裝置及方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US11315901B2 (zh)
EP (3) EP3501037B1 (zh)
JP (3) JP7123123B2 (zh)
KR (7) KR102656787B1 (zh)
CN (7) CN118098998A (zh)
SG (1) SG11201909992QA (zh)
TW (7) TWI673816B (zh)
WO (1) WO2019057286A1 (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11569091B2 (en) * 2019-05-07 2023-01-31 Meta Platforms Technologies, Llc Hybrid-bonded and run-out compensated light emitting diodes
KR102760924B1 (ko) * 2019-05-20 2025-02-03 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조 방법
WO2021037328A1 (de) 2019-08-23 2021-03-04 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von substraten
KR20220107185A (ko) * 2019-12-02 2022-08-02 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판 가열 장치 및 방법
US12106993B2 (en) 2019-12-10 2024-10-01 Ev Group E. Thallner Gmbh Method and device for aligning substrates
JP7368263B2 (ja) * 2020-02-14 2023-10-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
WO2022002345A1 (de) 2020-06-29 2022-01-06 Ev Group E. Thallner Gmbh Substrathalter und verfahren zum fixieren und bonden eines substrats
US11587795B2 (en) * 2020-09-28 2023-02-21 Canon Kabushiki Kaisha Planarization apparatus including superstrate chuck with bendable periphery
EP4285402A1 (de) 2021-02-01 2023-12-06 EV Group E. Thallner GmbH Substrathalter und verfahren zur herstellung eines substrathalters zum bonden
TWI802956B (zh) * 2021-08-11 2023-05-21 日商雅馬哈智能機器控股股份有限公司 部材間接合裝置以及接合部材製造方法
JP2023048850A (ja) * 2021-09-28 2023-04-07 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
CN117941048A (zh) * 2021-11-08 2024-04-26 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于接合基板的设备和方法
CN116403929A (zh) * 2021-12-28 2023-07-07 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 调整卡盘形变的系统及装置
WO2024046577A1 (de) 2022-09-02 2024-03-07 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und vorrichtung zum beeinflussen einer bondwelle beim bonden
KR20240147798A (ko) 2023-03-30 2024-10-10 세메스 주식회사 웨이퍼 변형 기구, 웨이퍼 본딩 장치, 및 웨이퍼 본딩 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5273553A (en) * 1989-08-28 1993-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for bonding semiconductor substrates
JP2000127034A (ja) * 1998-10-21 2000-05-09 Enya System:Kk マウント板へのウエ−ハ接着方法及び装置
US20080210380A1 (en) * 2006-07-18 2008-09-04 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Anodic bonding apparatus
TW201030890A (en) * 2008-11-14 2010-08-16 Tokyo Electron Ltd Bonding apparatus and bonding method
US20150357226A1 (en) * 2014-06-06 2015-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and Method for Wafer Level Bonding

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61145839A (ja) * 1984-12-20 1986-07-03 Toshiba Corp 半導体ウエ−ハの接着方法および接着治具
JPH0766093A (ja) * 1993-08-23 1995-03-10 Sumitomo Sitix Corp 半導体ウエーハの貼り合わせ方法およびその装置
JPH1174164A (ja) 1997-08-27 1999-03-16 Canon Inc 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
US6383890B2 (en) * 1997-12-26 2002-05-07 Canon Kabushiki Kaisha Wafer bonding method, apparatus and vacuum chuck
AT405775B (de) 1998-01-13 1999-11-25 Thallner Erich Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten
US20020110328A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-15 Bischel William K. Multi-channel laser pump source for optical amplifiers
FR2848337B1 (fr) * 2002-12-09 2005-09-09 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'une structure complexe par assemblage de structures contraintes
JP2009010072A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 基板貼付装置
WO2010057068A2 (en) * 2008-11-16 2010-05-20 Suss Microtec, Inc. Method and apparatus for wafer bonding with enhanced wafer mating
JP5439583B2 (ja) * 2009-04-16 2014-03-12 スス マイクロテク リソグラフィー，ゲーエムベーハー 一時的なウェハーボンディング及びデボンディングのための改善された装置
US8366873B2 (en) * 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
FR2962594B1 (fr) * 2010-07-07 2012-08-31 Soitec Silicon On Insulator Procede de collage par adhesion moleculaire avec compensation de desalignement radial
FR2965398B1 (fr) 2010-09-23 2012-10-12 Soitec Silicon On Insulator Procédé de collage par adhésion moléculaire avec réduction de desalignement de type overlay
CN103283000B (zh) 2010-12-20 2016-10-26 Ev集团E·索尔纳有限责任公司 用于保持晶片的容纳装置
JP5558452B2 (ja) 2011-10-21 2014-07-23 東京エレクトロン株式会社 貼り合わせ装置
JP5606429B2 (ja) * 2011-12-08 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム
JP2013187393A (ja) * 2012-03-08 2013-09-19 Tokyo Electron Ltd 貼り合わせ装置及び貼り合わせ方法
JP2013258377A (ja) * 2012-06-14 2013-12-26 Sony Corp 半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法
US9538582B2 (en) 2012-07-26 2017-01-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Warpage control in the packaging of integrated circuits
JP6501447B2 (ja) * 2013-03-26 2019-04-17 芝浦メカトロニクス株式会社 貼合装置および貼合基板の製造方法
KR102164855B1 (ko) 2013-05-29 2020-10-14 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기판을 결합하기 위한 방법 및 장치
EP3011589B9 (de) 2013-06-17 2018-09-05 Ev Group E. Thallner GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausrichten von substraten
KR101741384B1 (ko) 2013-12-06 2017-05-29 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 기질들을 정렬하기 위한 장치 및 방법
US9837291B2 (en) 2014-01-24 2017-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer processing method and apparatus
JP6395847B2 (ja) 2014-02-03 2018-09-26 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 基板をボンディングする方法および装置
JP6177739B2 (ja) 2014-08-07 2017-08-09 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6617718B2 (ja) 2014-12-10 2019-12-11 株式会社ニコン 基板重ね合わせ装置および基板処理方法
US9490158B2 (en) * 2015-01-08 2016-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Bond chuck, methods of bonding, and tool including bond chuck
JP6407803B2 (ja) 2015-06-16 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6616181B2 (ja) 2015-12-25 2019-12-04 東京エレクトロン株式会社 接合装置
WO2017155002A1 (ja) 2016-03-11 2017-09-14 ボンドテック株式会社 基板接合方法
KR102749376B1 (ko) * 2016-11-02 2025-01-06 삼성전자주식회사 기판 본딩 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조 방법
JP6671518B2 (ja) * 2017-02-02 2020-03-25 三菱電機株式会社 半導体製造方法および半導体製造装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5273553A (en) * 1989-08-28 1993-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus for bonding semiconductor substrates
JP2000127034A (ja) * 1998-10-21 2000-05-09 Enya System:Kk マウント板へのウエ−ハ接着方法及び装置
US20080210380A1 (en) * 2006-07-18 2008-09-04 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Anodic bonding apparatus
TW201030890A (en) * 2008-11-14 2010-08-16 Tokyo Electron Ltd Bonding apparatus and bonding method
US20150357226A1 (en) * 2014-06-06 2015-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and Method for Wafer Level Bonding

Also Published As

Publication number Publication date
US20200168580A1 (en) 2020-05-28
TW202345241A (zh) 2023-11-16
JP2020534669A (ja) 2020-11-26
SG11201909992QA (en) 2019-11-28
CN118098998A (zh) 2024-05-28
JP2024073631A (ja) 2024-05-29
KR102183296B1 (ko) 2020-11-27
TW201916218A (zh) 2019-04-16
CN110168711B (zh) 2024-02-13
TW201947691A (zh) 2019-12-16
TWI774292B (zh) 2022-08-11
EP3640975B1 (de) 2024-11-20
EP3501037A1 (de) 2019-06-26
TWI797024B (zh) 2023-03-21
WO2019057286A1 (de) 2019-03-28
CN118098997A (zh) 2024-05-28
KR20240052074A (ko) 2024-04-22
KR20190043110A (ko) 2019-04-25
JP7123123B2 (ja) 2022-08-22
TWI673816B (zh) 2019-10-01
EP3640975A1 (de) 2020-04-22
US20220173068A1 (en) 2022-06-02
KR102656787B1 (ko) 2024-04-12
EP4465340A3 (de) 2025-03-12
CN118099001A (zh) 2024-05-28
KR102385071B1 (ko) 2022-04-08
EP4465340A2 (de) 2024-11-20
TWI773917B (zh) 2022-08-11
KR20200134336A (ko) 2020-12-01
US11315901B2 (en) 2022-04-26
JP7459184B2 (ja) 2024-04-01
EP3501037B1 (de) 2020-01-29
JP2022166136A (ja) 2022-11-01
KR20220047674A (ko) 2022-04-18
TW202129810A (zh) 2021-08-01
CN118099000A (zh) 2024-05-28
CN118098996A (zh) 2024-05-28
KR20210041638A (ko) 2021-04-15
KR102274677B1 (ko) 2021-07-08
TW202238797A (zh) 2022-10-01
KR20230025720A (ko) 2023-02-22
CN110168711A (zh) 2019-08-23
TW202433611A (zh) 2024-08-16
KR102240536B1 (ko) 2021-04-15
TW202322226A (zh) 2023-06-01
CN118098999A (zh) 2024-05-28
KR20210086727A (ko) 2021-07-08
KR102500460B1 (ko) 2023-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI810135B (zh) 接合基板之裝置及方法
TWI714060B (zh) 結合基材的裝置與方法
JP6552570B2 (ja) 基板をボンディングする装置および方法
JP7264983B2 (ja) 基板をボンディングする装置および方法
JP2023089156A (ja) 基板をボンディングする装置および方法
CN119731776A (zh) 具有优化真空密封件的真空基底支架
TW202422720A (zh) 用於基板之接合的方法及裝置