TWI762656B - 接合基板、彈性表面波元件、彈性表面波元件裝置以及接合基板的製造方法 - Google Patents
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Abstract
加快彈性表面波元件的相位速度且獲得高的機電耦合係數與優異的頻率溫度特性。包括晶體基板、以及接合於所述晶體基板上且傳播彈性表面波的壓電基板，且於接合界面中藉由共價鍵結而接合，並且所述晶體基板的方位與所述壓電基板的方位於接合面方向上在正交的方向側交叉。
Description
本發明是有關於一種利用彈性表面波的接合基板、彈性表面波元件、彈性表面波元件裝置以及接合基板的製造方法。
伴隨行動電話等移動體通信設備的進化，對彈性表面波(表面聲波(Surface Acoustic Wave；SAW))裝置亦要求高性能化。尤其是，為了高頻化、廣頻帶化而要求具有高速、高耦合的SAW模式及防止溫度變化所致的傳輸頻帶的移動的優異的溫度特性的SAW基板。
進而，洩漏彈性表面波(洩漏表面聲波(Leaky SAW)；亦稱為LSAW等)、縱型洩漏彈性表面波(Longitudinal-type Leaky SAW；亦稱為LLSAW等)具有優異的相位速度，且為對SAW裝置的高頻化有利的傳播模式之一。然而，就具有大的衰減傳播的方面而言存在課題。
例如，專利文獻1中提出有如下技術：於在鈮酸鋰基板表面附近形成質子交換層後，僅於表層形成逆質子交換層，藉此減少LLSAW的體波放射引起的損失。
非專利文獻1、非專利文獻2中，作為LLSAW的低損
失化的方法，亦嘗試有基板方位、電極膜厚的最佳化。
另外，關於溫度特性，例如，現狀是經常使用的鉭酸鋰的頻率變化的溫度係數為-35ppm/℃，鈮酸鋰為-79ppm/℃，頻率變動大。因此，需要減小頻率變化的溫度係數。
另一方面，ST-切割(Cut)晶體的溫度係數為0ppm/℃而示出優異的特性，但於傳播速度或機電耦合係數方面，與鉭酸鋰或鈮酸鋰相比大幅劣化。
專利文獻2中記載有：藉由有機薄膜層將SAW傳播基板與支撐基板接著而成的裝置。傳播基板例如為厚度30μm的鉭酸鋰基板，將其與厚度300μm的玻璃基板藉由厚度15μm的有機接著劑而貼合。
專利文獻3中亦記載有：利用接著劑將鉭酸鋰基板(厚度：125μm)與石英玻璃基板(厚度：125μm)貼合而成的SAW裝置。
專利文獻4中報告有：關於鉭酸鋰基板與支撐基板的接著，藉由使有機接著層薄層化而改善溫度特性。
然而，專利文獻1中，雖確認到LLSAW的體波放射引起的損失減少且傳播特性等格外地提高，但於提案結構中存在裝置的良率極其差的問題。
專利文獻2、專利文獻3中均未記載改善溫度特性的具體資料。
專利文獻4中，雖藉由使有機接著層薄層化而改善溫度特
性，但即便如此亦為15ppm/℃並未達到ST-Cut晶體的0ppm/℃，且因利用接著劑進行接合而存在良率差等問題。
本申請案發明者等人明瞭於非專利文獻3~非專利文獻5中，於晶體基板、與壓電基板的接合中，傳播衰減減小。
例如，非專利文獻3中，因為是彈性表面波(SAW)裝置而於ST切割晶體與LiTaO3(LT)的直接接合中使用非晶SiO2(α-SiO2)中間層進行接合。
非專利文獻4中提出有：對AT切割晶體接合X切割31°Y傳播鉭酸鋰、X切割36°Y傳播鈮酸鋰而提高了機電耦合係數的LLSAW。
非專利文獻5中，藉由LiTaO3或LiNbO3薄板與晶體基板的接合而謀求縱型洩漏彈性表面波的高耦合化。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2013-30829號公報
[專利文獻2]日本專利特開2001-53579號公報
[專利文獻3]日本專利特開2006-42008號公報
[專利文獻4]日本專利特開2011-87079號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]「使用第二洩漏模式的GHz頻帶表面聲波裝置(GHz-band surface acoustic wave devices using the second leaky mode)」，應用物理(Appl. Phis.)(vol. 36, no9B, pp. 6083-6087,
1997.)
[非專利文獻2]「LiNbO3的縱波型洩漏彈性表面波的共振器特性-利用有限要素分析耦合法的分析」信學會基礎．邊界學會大會(A-195, p. 196, 1996.)
[非專利文獻3]「2016年電子封裝國際會議(International Conference on Electronics Packaging(ICEP))」，發行單位 日本電子封裝協會(The Japan Institute of Electronics Packaging)，發行日2016年4月20日
[非專利文獻4]「2015年度山梨大學工學部電氣電子工學科畢業論文發表會主旨集」，發行單位 山梨大學工學部電氣電子工學科，發行日2016年2月16日
[非專利文獻5]「2015年度山梨大學工學部電氣電子工學科畢業論文發表會」，舉辦日2016年2月16日
明瞭於所述非專利文獻3~非專利文獻5中機電耦合係數得到改善。然而，彈性表面波元件需要頻率溫度特性優異，且若未獲得良好的頻率溫度特性，則需要設置溫度補償元件等來降低溫度依存性。非專利文獻3~非專利文獻5中提出的LLSAW雖可見機電耦合係數的改善，但頻率溫度特性的改善並不充分。
且說，LLSAW或LSAW中通常進行如下操作：使晶體基板與壓電基板的方位於相同方向上一致並進行接合，藉此獲得
機械性接合強度。若該方向並非相同方向而為交叉方向、且實施接合後進行的熱處理，則晶體基板的熱膨脹係數為正且壓電基板的熱膨脹係數為負，因此熱膨脹差進一步增強，因此認為容易產生兩基板間的剝離等。
本申請案發明者等人進行了努力研究，結果發現藉由使晶體基板與壓電基板的方位於適當的方向上交叉而頻率溫度特性提高，並且關於機電耦合係數亦可獲得良好的特性。另外，亦一併發現於厚度相對較薄的壓電基板中，藉由在與晶體基板的接合面中進行共價鍵結而機械性接合強度沒有問題，且亦不會產生剝離等問題。
本申請案發明是以所述情況為背景而成者，目的之一為提供一種具有機電耦合係數、頻率溫度特性均良好的特性的接合基板、彈性表面波元件、彈性表面波元件裝置以及接合基板的製造方法。
本發明的接合基板中，第1形態的特徵在於包括：晶體基板、以及接合於所述晶體基板上且傳播彈性表面波的壓電基板，且於接合界面中藉由共價鍵結而接合，並且所述晶體基板的方位與所述壓電基板的方位於接合面方向上在正交的方向側交叉。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，包括晶體基板、以及接合於所述晶體基板上
且傳播彈性表面波的壓電基板，且於接合界面中藉由共價鍵結而接合，並且所述晶體基板的方位與所述壓電基板的方位於接合面方向上在65度~115度的範圍內交叉。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，所述壓電基板是用以激發洩漏彈性表面波。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，於所述晶體基板與壓電基板之間具有非晶層，且所述非晶層的界面為所述接合界面。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，所述非晶層為100nm以下的厚度。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，所述非晶層包含二氧化矽或氧化鋁。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，所述壓電基板的厚度相對於彈性表面波的波長而言相當於0.05波長~1.0波長。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，所述晶體基板的厚度為150μm~500μm。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，所述晶體基板為AT切割晶體基板或ST切割晶體基板。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，所述壓電基板包含鉭酸鋰或鈮酸鋰。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，所述壓電基板的厚度為0.1μm~100μm。
其他形態的接合基板的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的發明中，頻率溫度特性(TCF)為-20ppm/℃~+5ppm/℃，耦合係數(K2)為5%以上。
本發明的彈性表面波元件中，第1形態的特徵在於：於所述形態的接合基板中的壓電基板的主表面上包括至少一個梳型電極。
本發明的彈性表面波元件裝置中，第1形態的特徵在於：將所述形態的彈性表面波元件密封為封裝。
本發明的接合基板的製造方法中，第1形態為將晶體基板與壓電基板接合而成的接合基板的製造方法，並且其特徵在於：對晶體基板的接合面及壓電基板的接合面於減壓下照射紫外線，且所述晶體基板與所述壓電基板以彼此的方位於接合面方向上在正交的方向側交叉的狀態，於照射後，使晶體基板的接合面與壓電基板的接合面接觸，並對晶體基板與壓電基板於厚度方向上加壓，從而使所述接合面彼此接合。
其他形態的接合基板的製造方法的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的製造方法的發明中，於所述加壓時，加熱至規定的溫度。
其他形態的接合基板的製造方法的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的製造方法的發明中，所述晶體基板是利用
水熱合成法進行結晶成長並於任意方向上加以切出而成者。
其他形態的接合基板的製造方法的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的製造方法的發明中，預先使非晶層介隔存在於所述晶體基板與壓電基板的接合面的其中一者或兩者上。
其他形態的接合基板的製造方法的發明的特徵在於：於所述形態的接合基板的製造方法的發明中，所述非晶層是利用薄膜形成方法附著而成者。
即，根據本發明，存在可獲得具有頻率溫度特性與機電耦合係數優異的特性的彈性表面波元件的效果。
1:彈性表面波元件
1A:彈性表面波元件
2:晶體基板
2D:晶體基板的方位
3:壓電基板
3D:壓電基板的方位
4:接合界面
5:接合基板
6:非晶層
10:梳形電極
20:處理裝置
21:真空泵
22:放電裝置
30:彈性表面波元件裝置
31:封裝
32:蓋
圖1是表示本發明的一實施形態的接合基板的接合狀態的概略圖。
圖2是表示本發明的一實施形態的接合基板及彈性表面波元件的概略圖。
圖3是表示其他實施形態的接合基板及彈性表面波元件的概略圖。
圖4是表示本發明的一實施形態的接合基板的製造中所使用的接合處理裝置的概略圖。
圖5A、圖5B是說明本發明的一實施形態的晶體基板與壓電基板的接合形態的圖。
圖6是表示本發明的一實施形態的彈性表面波元件裝置的概略圖。
圖7是表示本發明的一實施形態的LN/AT90°X-Quartz的LSAW的、相對於壓電基板厚度的相位速度、傳播衰減、TCF與K2的關係的圖表。
圖8是表示本發明的一實施形態的LT/AT90°X-Quartz的LSAW的、相對於壓電基板厚度的相位速度、傳播衰減、TCF與K2的關係的圖表。
圖9是表示本發明的一實施形態的36°YX-LT/AT90°X-Quartz的LSAW的粒子位移分佈的圖表。
圖10是表示本發明的一實施形態的利用FEM分析的36°YX-LT/AT90°X-Quartz上的LSAW共振特性(無限週期結構)的圖表。
圖11是表示本發明的一實施形態的交叉角度與相位速度的關係的圖。
圖12是表示本發明的一實施形態的交叉角度與相位速度的關係及交叉角度與機電耦合係數的關係的圖。
圖13是表示本發明的一實施形態的交叉角度與TCF的關係及交叉角度與機電耦合係數的關係的圖。
圖14是表示本發明的一實施形態的壓電基板的厚度與TCF及機電耦合係數的關係的圖。
以下，基於隨附圖式對本發明的一實施形態的接合基板及彈性表面波元件進行說明。
接合基板5是經由接合界面4並藉由共價鍵結將晶體基板2與壓電基板3接合。
晶體基板2較佳為具有150μm~500μm的厚度，壓電基板3較佳為具有相對於彈性表面波的波長而言相當於0.05波長~1.0波長的厚度。再者，關於本發明，壓電基板的厚度進而理想的是相對於彈性表面波的波長而言為0.05波長~0.8波長，進而更理想的是0.05波長~0.25波長。
晶體基板2例如可使用利用水熱合成法進行結晶成長並於任意方向上加以切出而成者。壓電基板3可使用適宜的材料，例如可包含鉭酸鋰或鈮酸鋰。尤其是，可使用面方位為36°Y切割、X傳播的鉭酸鋰、或為41°Y切割、X傳播的鈮酸鋰。
其中，如圖1所示，於接合時，設為晶體基板2的方位2D、與壓電基板3的方位3D於面方向上在直角方向側交叉的狀態而進行接合。所謂在直角方向側交叉，是指兩者的交叉角具有超過45度的角度。較佳為理想的是65度~115度。藉由具有該交叉角度，將兩者接合而成的接合基板具有優異的頻率溫度特性與機電耦合係數。若偏離所述角度範圍，則無法獲得滿足所述兩特性的結果。具有所述交叉角的接合基板獲得TCF為-20ppm/℃~+5ppm/℃、機電耦合係數K2為5%以上的特性。
如圖2所示，藉由在接合基板5上設置梳形電極10而獲得彈
性表面波元件1。再者，本發明中，方位表示面方位。該實施形態中，方位於LT的情況下表示36°Y切割面的X方向，於LN的情況下，表示41°Y切割面的X方向，於晶體基板的情況下表示AT或ST切割面的X方向。
另外，如圖3所示，可製成於晶體基板2與壓電基板3之間介隔存在非晶層6的彈性表面波元件1A。再者，對與所述實施形態相同的構成標註相同的符號並省略說明。該實施形態中，晶體基板2、與壓電基板3亦是設為晶體基板2的方位、與壓電基板3的方位於面方向上在直角方向側交叉的狀態而進行接合。
該實施形態中，於介隔存在非晶層6的情況下，在非晶層6與晶體基板2之間存在接合界面，且於非晶層6的另一面側在非晶層6與壓電基板3之間存在接合界面。關於本發明，非晶層6的材質並無特別限定，可使用SiO2或Al2O3等。另外，非晶層的厚度理想的是設為100nm以下。
再者，非晶層6的形成中，以於晶體基板2或壓電基板3的表面形成薄膜的方式形成非晶層6。另外，亦可設為於晶體基板2表面與壓電基板3表面兩者上形成非晶層者。
非晶層可利用已知的方法形成，可利用化學蒸鍍、或濺鍍等物理蒸鍍。
其次，參照圖4，對接合基板及彈性表面波元件的製造進行說明。
準備規定材料的晶體基板與壓電元件。再者，於在接合面上
形成非晶層的情況下，對設為形成對象的晶體基板與壓電元件的其中一者或兩者於接合面側進行成膜處理。成膜處理的方法並無特別限定，可使用真空蒸鍍法、濺鍍法等薄膜形成技術。例如，可利用電子迴旋共振(Electron Cyclotron Resonance)電漿成膜於接合面上形成100nm以下的非晶層。該非晶膜可將膜密度形成得非常高，因此接合表面的活化程度大而產生更多的OH基。
所準備的晶體基板2與壓電基板3是設置於密閉結構的處理裝置20內。圖中僅記載晶體基板2。
處理裝置20連接有真空泵21而將處理裝置20內減壓至例如10Pa以下。於處理裝置20內導入放電氣體且於處理裝置20內利用放電裝置22進行放電而產生紫外線。放電可藉由使用施加高頻電壓的方法等來進行。
晶體基板2與壓電基板3是以能夠照射到紫外線的狀態進行設置，並且對接合面照射紫外線而謀求活化。再者，於在晶體基板2與壓電基板3的其中一者或兩者上形成有非晶層的情況下，將非晶層的表面作為接合面而進行紫外線照射。
進行了紫外線照射的晶體基板2與壓電基板3是以如下方式進行接合：設為晶體基板2的方位、與壓電基板3的方位於面方向上在直角方向側交叉的狀態而使接合面接觸，加熱至常溫或200℃以內的溫度並對兩者間施加壓力。壓力可施加10Pa，處理時間可設為5分鐘~4小時左右。其中，關於本發明，壓力或處理時間並無特別限定。
藉由所述處理，晶體基板2與壓電基板3於接合界面中確實地藉由共價鍵結耦合，且以彼此的方位在直角方向側交叉的狀態進行接合。
圖5A、圖5B是表示晶體基板2與壓電基板3的接合面的狀態的圖。
圖5A表示藉由紫外線照射而接合面活化從而於表面形成有OH基的狀態。圖5B表示使基板彼此接觸並進行加壓．升溫而進行接合的狀態。於接合時，OH基發揮作用而基板彼此進行共價鍵結。剩餘的H2O於加熱時被排除至外部。
藉由所述步驟獲得接合基板。對於接合基板，於壓電基板3的主表面上如圖2或圖3所示般圖案形成梳形電極10。梳形電極10的形成方法並無特別限定，可使用適宜的方法。另外，梳形電極10的形狀亦可選擇適宜的形狀。藉由所述步驟獲得彈性表面波元件1。彈性波的傳播方向設為沿著壓電基板3的方位的方向。
如圖6所示，彈性表面波元件1是設置於封裝31內並與未圖示的電極連接且由蓋32密封而可作為彈性表面波元件裝置30而提供。
[實施例1]
以下，對本發明的實施例進行說明。
基於所述實施形態而獲得接合基板，於壓電基板的主表面上以LSAW的傳播方向為X方向的方式設置SAW共振器。
該例中，作為壓電基板，使用面方位為36°Y切割X傳播鉭酸鋰及面方位為41°Y切割X傳播鈮酸鋰。另外，晶體基板使用對利用水熱合成法進行結晶育成而成者以厚度250μm於AT-Cut方向或ST-Cut方向上進行切出而成者。
對經接合的樣品藉由研磨使鉭酸鋰側變薄。
對所獲得的接合基板利用拉伸試驗(相對於晶圓面垂直地拉伸)的方法進行接合強度的測定。結果，判明獲得5MPa以上(以單位面積換算)的接合強度，進而獲得產生體破壞的優異的接合強度。
將晶體基板與壓電基板接合後，對使壓電基板變薄的試樣計算LSAW的相位速度與機電耦合係數、頻率溫度特性。再者，於計算時，使用日本學術振興會彈性波元件技術第150委員會．編著的「彈性波裝置技術」中所記載的櫛引(Kushibiki)等人的晶體常數(p.83)、櫛引(Kushibiki)等人的鈮酸鋰(以下設為LN)常數、鉭酸鋰(以下設為LT)常數(p.377)。
具有傳播衰減的LSAW的分析是基於山之內(Yamanouchi)等人的方法，且對於層結構的分析是使用法內爾(Farnell)與艾德勒(Adler)的方法。該些分析中，於邊界條件下對彈性波動方程式與電荷守恆式數值性地求解，藉此對層結構上傳播的LSAW的相位速度與傳播衰減進行分析。
求出自由表面(Free)的相位速度vf、以及使薄板的表面電性短路時(金屬化(Metallized))的相位速度vm，並利用K2=2×
(vf-vm)/vf求出K2。另外，將傳播方向的線膨脹係數假設為晶體支撐基板的線膨脹係數，並計算出短路表面的頻率溫度係數(Temperature Coefficient of Frequency；TCF)。
因晶體的各向異性大，因此認為接合時的傳播特性大幅依存於晶體的傳播方向。計算出AT-切割晶體上的相對於就X軸而言的傳播角的LSAW的相位速度，結果得知LSAW於0°X傳播、及90°X傳播中為最高速。於該些傳播方位中，具有與LN/LT單質的最大的相位速度差，因此可期待粒子位移的集中效果。
圖7與圖8中分別示出藉由所述分析而獲得的將41°YX-LN薄板與36°YX-LT薄板和AT切割90°X-晶體(90度的交叉角度，以後相同)接合時的LSAW的(a)相位速度、(b)傳播衰減、(c)TCF與K2的計算值。橫軸為以波長λ而標準化的LN、LT薄板的板厚h/λ。得知於任一情況下，均隨著板厚增加而自晶體單質的相位速度逐漸靠近LN/LT單質的相位速度。若著眼於K2計算值，則於任一情況下，均存在可獲得比單質的值大的K2的板厚。本申請案發明中，作為板厚的較佳的範圍，設為具有相對於彈性表面波的波長而言相當於0.05波長~1.0波長的厚度，於該範圍內示出比LT．LN單質的TCF良好的值。另外，關於K2，對於LN單質而言h/λ為0.08以上、且對於LT單質而言h/λ為0.04以上而超出，若考慮到該些，則更理想的是將板厚h/λ設為0.05~0.8。
於41°YX-LN薄板的情況下，板厚h/λ為0.19時示出單質的1.5倍(23.9%)的K2，且計算出其板厚的傳播衰減為0.002
dB/λ以下，短路表面的TCF為-55ppm/℃。另一方面，於36°YX-LT薄板的情況下，板厚h/λ為0.17時同時示出零的TCF與11.9%的K2(單質的2.3倍)。得知其板厚的傳播衰減為0.0002 dB/λ以下，可獲得高穩定、高耦合、低損失的基板結構。
為了研究以上般的高耦合化的要因而計算出相對於LSAW的深度方向的粒子位移分佈。計算中使用所述分析。關於36°YX-LT/AT90°X-Quartz上的LSAW，將短路表面中的SH成分(u2)的位移分佈示於圖9中。位移是以表面的值而標準化。得知接合結構的位移分佈與LT單質的位移分佈相比較而集中於表面附近，且標準化板厚越薄集中效果越高。
其次，使用有限要素法(Finite Element Method，FEM)分析形成於LT/晶體接合結構上的IDT型共振器(λ=8.0μm，交叉寬度W=25 λ)的LSAW的共振特性。分析軟體使用菲美特(Femtet)(村田軟體(murata software)股份有限公司製造)。作為分析模型，將支撐基板的板厚設為10 λ，並且對於1週期量的IDT的兩側假設週期邊界條件(無限週期結構)，對於底面假設完全匹配層。
圖10表示36°YX-LT/AT90°X-Quartz結構上的LSAW的分析例。LT板厚為0.15 λ，電極Al膜厚為0.09 λ。接合結構中，獲得126 dB的導納比，與LT單質的72 dB相比格外地提高。共振Q是自LT單質的1350增大一位數至12050。比頻帶寬度亦自LT單質的4.4%增加至5.7%。
其次，藉由第0047段中記載的所述分析求出41°YX-LN
或36°YX-LT與AT切割晶體基板的方位的偏移所致的相位速度的變化，並示於圖11中。
如根據圖11而明瞭般，相位速度於AT切割晶體基板與LN或LT的交叉角度為0度與90度時為最大，隨著該角度分開而相位速度變小。
其次，於h/λ為0.15的36°YX-LT、與ST切割晶體基板的接合基板中，藉由所述分析算出使接合中的方位角度差變化時的相位速度與機電耦合係數的變化，並示於圖12中。得知分別於方位交叉角度為0度或90度時示出最大的數值，但為了獲得5%以上的機電耦合係數K2而理想的是30度以內或65度~115度的交叉角度。再者，5%的機電耦合係數為LT單質中獲得的K2，使壓電基板與晶體複合的優點為機電耦合係數為5%以上。
其次，關於將36°YX-LT與AT切割晶體基板以交叉角度0度接合而成者、與以交叉角度90度接合而成者，藉由所述分析算出TCF與機電耦合係數，並將該結果示出圖13中。
如根據圖13的右圖而明瞭般，交叉角度為0度、90度的接合基板於適當的厚度下均具有高的機電耦合係數。關於壓電基板的厚度h/λ，作為TCF超出0°的範圍，可列舉0.05~0.25。
另一方面，關於TCF，交叉角度為90度的接合基板藉由適當規定厚度而獲得TCF為0ppm/℃的結果，但交叉角度為0度者即便於TCF為最小的情況下亦為-10ppm/℃左右，且頻率溫度特性與交叉角度為90度者相比明顯劣化。因此，為了獲得TCF、機電
耦合係數兩者均優異的特性，晶體基板與壓電基板需要於接合面方向上在正交的方向側交叉。
關於交叉角度為90度的接合基板，匯總TCF與機電耦合係數而示於圖14。如根據該圖得知般，得知為了獲得更良好的TCF與機電耦合係數，理想的是恰當地規定壓電基板的h/λ。於該圖的情況下，藉由將h/λ設為0.05~1.0的範圍，可於頻率溫度特性、耦合特性的兩者中獲得更理想的結果。
以上，對本發明基於所述實施形態及實施例進行了說明，本發明的範圍並不限定於所述說明內容，只要不脫離本發明的範圍，則可對所述實施形態及實施例進行適宜變更。
[產業上的可利用性]
本發明可於SAW共振器、SAW濾波片、高功能壓電感測器、體聲波(Bulk Acoustic Wave，BAW)裝置等中利用。
2:晶體基板
2D:晶體基板的方位
3:壓電基板
3D:壓電基板的方位
4:接合界面
5:接合基板
Claims (19)
- 一種接合基板，其特徵在於包括：晶體基板、以及接合於所述晶體基板上且傳播彈性表面波的壓電基板，且於接合界面中藉由共價鍵結而接合，並且所述晶體基板的方位與所述壓電基板的方位於接合面方向上在正交的方向側交叉。
- 一種接合基板，其特徵在於包括：晶體基板、以及接合於所述晶體基板上且傳播彈性表面波的壓電基板，且於接合界面中藉由共價鍵結而接合，並且所述晶體基板的方位與所述壓電基板的方位於接合面方向上在65度~115度的範圍內交叉。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接合基板，其中所述壓電基板是用以激發洩漏彈性表面波。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接合基板，其中於所述晶體基板與所述壓電基板之間具有非晶層，且所述非晶層的界面為所述接合界面。
- 如申請專利範圍第4項所述的接合基板，其中所述非晶層為100nm以下的厚度。
- 如申請專利範圍第4項所述的接合基板，其中所述非晶層包含二氧化矽或氧化鋁。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接合基板，其中所述壓電基板的厚度相對於所述彈性表面波的波長而言相當於 0.05波長~1.0波長。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接合基板，其中所述晶體基板的厚度為150μm~500μm。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接合基板，其中所述晶體基板為AT切割晶體基板或ST切割晶體基板。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接合基板，其中所述壓電基板包含鉭酸鋰或鈮酸鋰。
- 如申請專利範圍第10項所述的接合基板，其中所述壓電基板的厚度為0.1μm~100μm。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的接合基板，其中頻率溫度特性TCF為-20ppm/℃~+5ppm/℃，耦合係數K2為5%以上。
- 一種彈性表面波元件，其特徵在於：於如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述的接合基板中的壓電基板的主表面上包括至少一個梳型電極。
- 一種彈性表面波元件裝置，其特徵在於：將如申請專利範圍第13項所述的彈性表面波元件密封為封裝。
- 一種接合基板的製造方法，其為將晶體基板與壓電基板接合而成的接合基板的製造方法，並且所述製造方法的特徵在於：對所述晶體基板的接合面及所述壓電基板的接合面於減壓下照射紫外線，且所述晶體基板與所述壓電基板以彼此的方位於接 合面方向上在正交的方向側交叉的狀態，於照射後，使所述晶體基板的接合面與所述壓電基板的接合面接觸，並對所述晶體基板與所述壓電基板於厚度方向上加壓，從而使所述接合面彼此接合。
- 如申請專利範圍第15項所述的接合基板的製造方法，其中於所述加壓時，加熱至規定的溫度。
- 如申請專利範圍第15項或第16項所述的接合基板的製造方法，其中所述晶體基板是利用水熱合成法進行結晶成長並於任意方向上加以切出而成者。
- 如申請專利範圍第15項或第16項所述的接合基板的製造方法，其中預先使非晶層介隔存在於所述晶體基板的接合面與所述壓電基板的接合面的其中一者或兩者上。
- 如申請專利範圍第18項所述的接合基板的製造方法，其中所述非晶層是利用薄膜形成方法附著而成者。
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Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020175240A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | 京セラ株式会社 | フィルタおよびマルチフィルタ |
| JP7380204B2 (ja) | 2019-12-26 | 2023-11-15 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路デバイス |
| JP2021118366A (ja) * | 2020-01-22 | 2021-08-10 | 株式会社日本製鋼所 | 弾性表面波フィルタ及びその製造方法 |
| JP2022039312A (ja) | 2020-08-28 | 2022-03-10 | 株式会社日本製鋼所 | 弾性表面波共振子、その製造方法、及び無線回路 |
| WO2022168797A1 (ja) * | 2021-02-04 | 2022-08-11 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| CN116584040A (zh) * | 2021-02-04 | 2023-08-11 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| WO2023204250A1 (ja) * | 2022-04-20 | 2023-10-26 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09208399A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-12 | Kyocera Corp | 圧電基体及び弾性表面波装置 |
| JPH10178331A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| CN1665131A (zh) * | 2004-03-03 | 2005-09-07 | 富士通媒体部品株式会社 | 接合基板、表面声波芯片以及表面声波器件 |
Family Cites Families (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3914836A (en) | 1974-06-21 | 1975-10-28 | Us Army | Method for processing quartz crystal resonators |
| JP2574565B2 (ja) * | 1991-09-12 | 1997-01-22 | 松下電器産業株式会社 | マイクロ波集積回路とその製造方法 |
| JP3435789B2 (ja) | 1993-03-15 | 2003-08-11 | 松下電器産業株式会社 | 表面弾性波素子 |
| JPH07154177A (ja) * | 1993-12-01 | 1995-06-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電デバイスの製造方法 |
| JPH07226638A (ja) | 1993-12-16 | 1995-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合圧電基板およびその製造方法 |
| JP3281510B2 (ja) | 1995-05-17 | 2002-05-13 | 康敬 清水 | 弾性表面波素子 |
| US5719538A (en) * | 1995-09-01 | 1998-02-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device having negative temperature coefficient of decay |
| JPH09199977A (ja) * | 1996-01-16 | 1997-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電振動子及びその製造方法 |
| JPH11122073A (ja) * | 1997-10-17 | 1999-04-30 | Kazuhiko Yamanouchi | 弾性表面波素子 |
| JP2001053579A (ja) | 1999-06-02 | 2001-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子と移動体通信機器 |
| JP2002009567A (ja) * | 2000-06-26 | 2002-01-11 | Hamamatsu Photonics Kk | 圧電振動デバイスの製造方法 |
| JP4587732B2 (ja) | 2004-07-28 | 2010-11-24 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JP2006304206A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 弾性表面波素子及び複合圧電チップ並びにその製造方法 |
| JP4657002B2 (ja) | 2005-05-12 | 2011-03-23 | 信越化学工業株式会社 | 複合圧電基板 |
| JP2006339308A (ja) | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Kyocera Kinseki Corp | 半導体発光素子 |
| JP4049195B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2008-02-20 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
| JP2007256590A (ja) | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Epson Toyocom Corp | 光学用単結晶、光学ローパスフィルタと撮像装置 |
| JP2008060382A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP4992911B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2012-08-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| US9074983B2 (en) | 2007-03-23 | 2015-07-07 | Honeywell International Inc. | Deposition of sensing layers for surface acoustic wave chemical sensors based on supra-molecular chemistry |
| JP2009124345A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波素子、電子デバイス及び電子機器 |
| WO2009081651A1 (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 複合圧電基板の製造方法 |
| CN100553128C (zh) * | 2008-01-29 | 2009-10-21 | 南京大学 | 声表面波复合结构材料和应用 |
| JP2011087079A (ja) | 2009-10-14 | 2011-04-28 | Ngk Insulators Ltd | 弾性表面波素子 |
| JP5384313B2 (ja) | 2008-12-24 | 2014-01-08 | 日本碍子株式会社 | 複合基板の製造方法及び複合基板 |
| JP2012085253A (ja) | 2010-03-25 | 2012-04-26 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装型の水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 |
| JP2012060420A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Seiko Epson Corp | 弾性表面波デバイス、電子機器及びセンサー装置 |
| JP2012199735A (ja) * | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Seiko Instruments Inc | 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、該圧電振動子を有する発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP2013030829A (ja) | 2011-07-26 | 2013-02-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電基板、弾性表面波素子、電子部品、及び圧電基板の製造方法、 |
| JPWO2013031651A1 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-03-23 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| JP2013168864A (ja) | 2012-02-16 | 2013-08-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 弾性表面波素子及び電子部品 |
| JP3187231U (ja) * | 2013-09-05 | 2013-11-14 | 日本碍子株式会社 | 複合基板 |
| JP6406670B2 (ja) * | 2015-01-15 | 2018-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 弾性表面波素子用タンタル酸リチウム単結晶基板及びこれを用いたデバイスとその製造方法及び検査方法 |
| JP2017046033A (ja) * | 2015-08-24 | 2017-03-02 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電素子の製造方法及びドライエッチング装置 |
| JP2017092791A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 住友金属鉱山株式会社 | 複合基板の製造方法 |
| CN205303514U (zh) * | 2016-01-12 | 2016-06-08 | 浙江大学 | 一种基于超声驻波场的包覆压电单元薄膜的制造装置 |
| US10084427B2 (en) | 2016-01-28 | 2018-09-25 | Qorvo Us, Inc. | Surface acoustic wave device having a piezoelectric layer on a quartz substrate and methods of manufacturing thereof |
| JP6998650B2 (ja) | 2016-08-10 | 2022-01-18 | 株式会社日本製鋼所 | 接合基板、弾性表面波素子、弾性表面波デバイスおよび接合基板の製造方法 |
| US11258427B2 (en) * | 2016-11-25 | 2022-02-22 | Tohoku University | Acoustic wave devices |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09208399A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-12 | Kyocera Corp | 圧電基体及び弾性表面波装置 |
| JPH10178331A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| CN1665131A (zh) * | 2004-03-03 | 2005-09-07 | 富士通媒体部品株式会社 | 接合基板、表面声波芯片以及表面声波器件 |
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