JPH07226638A

JPH07226638A - 複合圧電基板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH07226638A
Application number: JP31635993A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Eda; 和生江田; Yoshihiro Tomita; 佳宏冨田; Akihiro Kanahoshi; 章大金星; Masahito Sugimoto; 雅人杉本
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-12-16
Filing date: 1993-12-16
Publication date: 1995-08-22

Abstract

(57)【要約】【目的】熱的変動、機械的振動に対して安定で、励振
電極構成ならびに電極引き出し構成の自由度が高く、気
密封止が容易で、材料組合せ自由度の大きい圧電デバイ
スの構造と製造方法を提供するものである。【構成】圧電基板と金属保持基板が、界面の水素また
は酸素または水酸基の水素結合もしくは共有結合により
直接接合されていることを特徴とする複合圧電基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、圧電フィルタ、圧電振
動子などの小型、軽量、高性能化に適し、熱や機械的振
動に対する安定性に優れた、圧電基板に直接接合された
電極を有する複合圧電基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】水晶振動子に代表される圧電効果を利用
した圧電デバイスは、各種発振器の共振器や共振型のフ
ィルタとして、無線通信機器に広く利用されている。こ
れらの素子は機械的に振動するため、その固定をどう行
うかがその性能と密接に関連している。バネやねじで機
械的に固定する方法は、簡便であるが、熱的変化や機械
的振動にたいして長期間安定なものを得ることが困難で
ある。各種有機系接着剤を用いて固定する方法も知られ
ているが、これらの接着剤は、やはり耐熱性が十分でな
く半田リフローなどを行うと、振動の周波数が変化する
ことがあり、使用上も、また製品を生産する上でも好ま
しくない。

【０００３】これらの問題点を解決する一つの方法とし
て、特開平４−２８３９５７号に、水晶をシリコンに直
接接合する方法が知られている。これらの構造は、熱的
および機械的変化に対して極めて安定であるといった優
れた特徴を有している。ここで記述されている製造方法
は、接合する水晶およびシリコンの表面を清浄化したの
ち、接合予定表面を親水化処理して重ね合わせ熱処理を
行うという方法である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】接着剤を用いて圧電デ
バイスを固定する方法では、熱的変動、機械的振動に対
して特性が安定でない。また保持用基板と圧電デバイス
を直接接合する場合、電極層を介してその表面の親水化
および重ね合わせ熱処理により、直接接合することは困
難であった。そのため発振回路などを水晶振動子と接続
する場合に配線上ビアホールが必要であるなどの種々の
制約が加えられていた。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、圧電基板と金属保持基板が、界面の水素または酸素
または水酸基の水素結合もしくは共有結合により接合さ
れているようにしたものである。

【０００６】

【作用】上記のような構成と製造方法により、熱的変
動、機械的振動に対して安定で、電界印加電極構成なら
びに電極引き出し構成の自由度が大きく、気密封止が容
易であるなどの効果の得られるものである。

【０００７】

【実施例】以下本発明の実施例の複合圧電基板の構造と
その製造方法について、図面を参照しながら説明する。

【０００８】（実施例１）本発明の複合圧電基板の構造
の第１の実施例の断面構造を図１に示す。

【０００９】図１において、１は金属保持基板、２は圧
電基板で、前記金属保持基板１に、水素または酸素また
は水酸基による水素結合または共有結合により直接接合
されている。

【００１０】ここで本発明で述べる直接接合について説
明する。基板表面を極めて清浄にし、表面を親水化処理
して純水に浸すと、基板表面には多数の水分子や水酸基
が吸着される。水酸基は酸素と水素からなる。この状態
で基板同士を重ね合わせると、水分子、水酸基などをを
介して水素結合や共有結合により、基板同士の初期の接
合が行われる。この様子を図２（ａ）に示す。図では非
常に代表的な場合を模式的に表わしたものである。

【００１１】この状態で加熱していくと、次第に接合界
面から脱水がおこり、また水素が離脱することにより、
水酸基の重合が進み、接合は強化される。強化は水分子
や水酸基による水素結合から酸素を中心とする共有結合
の割合が増すことにより行われる。この様子を図２
（ｂ）に示す。これも代表例を模式的に表わしたもので
ある。この状態は熱処理温度として、３００−５００℃
に多く見られる。

【００１２】さらに温度を上げていくと、水素がさらに
離脱し、酸素を介しての結合が主となる。この様子を図
２（ｃ）に示す。この結合は共有結合的なものとなり接
合強度はさらに強化される。界面に珪素がある場合は、
珪素も共有結合強化を促進する。

【００１３】図２は、いずれの図においても代表的な場
合を模式的に表わしたものであり、詳細は、基板の構成
元素や表面状態の影響を受ける。

【００１４】接合強度は３００℃、１時間程度の熱処理
でも、容易に数１０Ｋｇ／cm²の接合強度の値が得ら
れ、十分実用に耐えるものである。

【００１５】接合界面は、ＴＥＭ（透過電子顕微鏡）観
察によれば、原子オーダーで接合されいる。

【００１６】有機物他の接着剤を用いて接着した場合
と、本実施例で説明した直接接合の違いと効果について
述べる。

【００１７】まず接着剤を用いて接着した場合は、必ず
接着界面に接着剤の層が残る。これは通常数μｍから数
１００μｍになる。本実施例では数分子層から数原子層
の厚みで接合が可能となっている。これはＴＥＭ観察に
より確認している。そのため接合後の基板の上下面の平
行度は極めて良好なものとなる。接着剤を用いた場合
は、接着剤の厚みを原子オーダーで制御することは実質
的に不可能である。

【００１８】このことから本実施例で述べた複合圧電基
板の場合、圧電基板表面の微細加工が可能になる。例え
ば表面弾性波デバイスを作る場合、圧電基板表面に微細
な櫛形電極を形成する必要がある。櫛形電極の幅はサブ
ミクロンの精度が要求される。櫛形電極の形成は電極を
真空蒸着などにより形成し、ホトリソグラフィーを用い
てマスクを形成し、エッチング加工により形成するのが
通常の方法である。サブミクロンのホトリソグラフィー
を行う場合、基板の上下面の平行度が十分でないと露光
の精度が十分とれず、良好な加工が得られない。

【００１９】また湿式エッチングやドライエッチングな
どの微細加工においては、エッチング剤としての酸や各
種ガスにさらされたり、高温にさらされる場合があり、
各種接着剤を用いた場合には、その化学的および熱的安
定性が重要な問題であるが、本実施例の場合には、そう
いった問題がなく、高精度微細加工が可能となる。

【００２０】接着剤、とくに有機系のものは、高温まで
安定な状態で保つことが困難である。製造の途中で行わ
れる半田付け、半田リフロー（２３０℃程度）などの加
熱工程で特性が変化したり、またガスが発生して、基板
表面の特性を利用する圧電デバイス、例えば表面弾性波
デバイスなどには悪影響を与える。本実施例では接合の
ための熱処理温以下ではきわめて強固で安定である。ま
た界面には酸素、水素しかないため、デバイス化した時
に悪影響を与えるようなガスの発生がない。

【００２１】また本実施例の直接接合では、エピタキシ
ャル成長のように金属保持基板と圧電基板の組合せが限
られないので、異なる元素、結晶構造、結晶方位、格子
定数からなる材料の組合せが可能となるので、材料組合
せの自由度がきわめて大きくなる。

【００２２】接合界面が原子レベルで接合されているこ
と、および水素、酸素、基板構成元素以外の特別な元素
を介在させないことから、以下このような方法で行われ
た接合を、直接接合と呼ぶことにする。

【００２３】圧電基板としては、水晶、ニオブ酸リチウ
ム、タンタル酸リチウム、ほう酸リチウム、ジルコンチ
タン酸鉛（ＰＺＴ）やＰＺＴを主成分としそれにランタ
ンを加えたＰＬＺＴなどの圧電基板を用いることができ
る。

【００２４】金属保持基板としては、鉄、銅、タンタ
ル、タングステンなどの金属基板、ステンレス、アルミ
ニウムブロンズ、黄銅などの合金基板を用いることがで
きる。

【００２５】このような構成の複合圧電基板は、種々の
用途に用いられる。具体的には、例えば、図３に示すよ
うな圧電デバイスがある。

【００２６】図３において、１、２は図１と同様、金属
保持基板および圧電基板であり、３は、金属保持基板１
の一部に設けた貫通孔で、４は、前記貫通孔３に露出し
ている圧電基板２の下面に形成された電極、５は、電極
４に対向して圧電基板２の上部に設けられた電極であ
る。６は、電極４と金属保持基板１を電気的に接続する
ための配線である。

【００２７】本構造において、圧電基板２は圧電振動子
として動作し、、金属保持基板１は、その保持ならびに
励振用電極４に電気的接続をするための一方の電気配線
部ないしは電気端子としての役割を果している。

【００２８】このような構成において、圧電デバイスの
励振用下電極である電極４と、配線ならびに電気端子の
役割を果たす保持基板１が同一平面上に存在しているた
め、保持基体にビアホールなどを設けて、保持基体下部
より配線を引き回す必要がないなど配線上の自由度が増
し有利である。

【００２９】図４は、他の構成例を示したものである。
図４において、１、２は図１と同様、金属保持基板およ
び圧電基板である。５は、圧電基板２の上部に設けられ
て圧電基板に電界を印加するための一方の電極、７は金
属保持基板１の一部をエッチングにより薄板化した肉薄
部である。この場合、肉薄部７が、圧電基板２に電界を
加えるための他方の電極となっている。

【００３０】本構造において、圧電基板２は圧電振動子
として動作し、金属保持基板１は、その保持ならびに励
振用の一方の電極としての役割を果している。

【００３１】このような構成において、圧電デバイスの
励振用下電極の役割を果たす金属保持基板１の肉薄部７
と、配線ならびに電気端子の役割を果たす保持基板１が
同一平面上に存在しているため、保持基体にビアホール
などを設けて、保持基体下部より配線を引き回す必要が
ないなど配線上の自由度が増し有利である。

【００３２】図３および図４の実施例は、いずれも振動
部分を気密封止する場合、配線部分がすべて同一平面に
あることから、圧電基板２の上部のみを気密封止すれば
よい。したがって実装上も有利である。

【００３３】圧電基板２と金属保持基板１とは、水素結
合または共有結合により直接接合されており、熱的変
化、および機械的振動に対してきわめて安定であり、長
期信頼性に優れた圧電デバイスが得られる。

【００３４】また接合界面に通常の意味での接着剤を用
いていないので、界面の接着剤のために、基板上下面の
平行度が悪くなることがないので、圧電基板表面に表面
弾性波（ＳＡＷ）フィルタを形成する場合、ホトリソグ
ラフィーなどの高精度微細加工が可能となる。

【００３５】（実施例２）本発明の複合圧電基板の好ま
しい構造の第１の実施例を図５に示す。図５において、
１１は金属保持基板で、具体的にはステンレスまたはア
ルミニウムブロンズ（例えば９０％Ｃｕ、５％Ａｌ、５
％Ｎｉからなる合金）または銅または黄銅、１２は、タ
ンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムで、金属保持
基板１１とタンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム
基板１２は、実施例１で述べた直接接合により接合され
ている。

【００３６】直接接合においては、接合すべき基板の熱
膨張率をあわせると、熱処理温度が高温で可能となるの
で、接合強度が向上し、信頼性の高いものが得られる。
また直接接合の歩留まりが向上し、生産上有利である。

【００３７】タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの
熱膨張率は結晶方位によって異なり、熱膨張率の大きい
方位、ａ軸方向では、タンタル酸リチウムが１６ｘ１０
^-6程度、ニオブ酸リチウムが、１５ｘ１０^-6 程度であ
る。

【００３８】ステンレスの熱膨張率は１５ｘ１０^-6、、
アルミニウムブロンズの熱膨張率は１６ｘ１０^-6、銅の
熱膨張率は１７ｘ１０^-6 黄銅の熱膨張率は１８ｘ１０
^-6である。

【００３９】タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムの
熱膨張率は結晶方位によって異なるが、熱膨張率の大き
い方の値と保持基板の熱膨張率を合わせることにより、
良好な直接接合が得られるので、これらの組合せでは、
いずれにおいても良好な直接接合が得られる。

【００４０】（実施例３）本発明の複合圧電基板の好ま
しい構造の第２の実施例を図６に示す。図６において、
２１は金属保持基板で、具体的には鉄またはステンレス
または銅、２２は、水晶またはほう酸リチウムで、金属
保持基板２１と水晶またはほう酸リチウム２２は、実施
例１で述べた直接接合により接合されている。

【００４１】水晶およびほう酸リチウムの熱膨張率は、
結晶方位によって異なるが、大きい方で、水晶は１２−
１４ｘ１０^-6、ほう酸リチウムは１１ｘ１０^-6 程度で
あり、鉄の熱膨張率は１２ｘ１０^-6、ステンレスの熱膨
張率は１５ｘ１０^-6 であることから良好な直接接合が
得られる。

【００４２】これにより熱膨張率が基板同士でほぼ一致
するため、接合強度が向上し、信頼性の高いものが得ら
れる。また直接接合の歩留まりが向上し、生産上有利で
ある。

【００４３】（実施例４）本発明の複合圧電基板の好ま
しい構造の第３の実施例を図７に示す。図７において、
３１は金属保持基板で、具体的にはタングステンまたは
タンタル、３２は、ＰＺＴまたはＰＬＺＴで、金属保持
基板３１とＰＺＴまたはＰＬＺＴ３２は、実施例１で述
べた直接接合により接合されている。

【００４４】ＰＺＴまたはＰＬＺＴの熱膨張率は、３−
６ｘ１０^-6 程度であり、タングステンの熱膨張率は
４．５ｘ１０^-6、タンタルの熱膨張率は６．３ｘ１０^-6
であることから良好な直接接合が得られる。

【００４５】これにより熱膨張率が基板同士でほぼ一致
するので、接合強度が向上し、信頼性の高いものが得ら
れる。また直接接合の歩留まりが向上し、生産上有利で
ある。

【００４６】（実施例５）本発明の複合圧電基板の好ま
しい構造の第４の実施例を図８に示す。図８において、
１１は金属保持基板で、具体的にはステンレスまたはア
ルミニウムブロンズ（例えば９０％Ｃｕ、５％Ａｌ、５
％Ｎｉからなる合金）または銅または黄銅、１２は、タ
ンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである。金属
保持基板１１の表面には、珪素または珪素化合物からな
る無機薄膜層８が、真空蒸着、スパッタリング、化学気
相成長法などにより形成されている。無機薄膜層８の膜
厚は０．１−１０μｍ程度である。

【００４７】金属保持基板１１とタンタル酸リチウムま
たはニオブ酸リチウム基板１２は、無機薄膜層８と圧電
基板１２の界面で、実施例１で述べた直接接合により接
合されている。

【００４８】このような構造においても実施例２と同
様、良好な直接接合が得られる。接合界面に無機薄膜層
を設けることにより、直接接合時に界面に多少のゴミが
あっても、無機薄膜層に取り込まれるため、接合強度が
向上するとともに、製造歩留まりが向上する。また無機
薄膜層に珪素または珪素化合物を用いることにより、珪
素が直接接合時の接合強度強化の過程で、共有結合を形
成しやすいため、良好な直接接合が得られる。珪素は多
結晶でも、非晶質でもよく、また珪素化合物としては、
酸化珪素や窒化珪素などである。

【００４９】熱膨張率の直接接合に及ぼす効果は実施例
２と同様である。（実施例６）本発明の複合圧電基板の好ましい構造の第
５の実施例を図９に示す。図９において、２１は金属保
持基板で、具体的には鉄またはステンレスである。金属
保持基板２１の表面には、実施例５と同様、珪素または
珪素化合物からなる無機薄膜層８が、真空蒸着、スパッ
タリング、化学気相成長法などにより形成されている。
無機薄膜層８の膜厚は０．１−１０μｍ程度である。２
２は、水晶またはほう酸リチウムである。金属保持基板
２１と水晶またはほう酸リチウム基板２２は、無機薄膜
層８と圧電基板２２の界面で、実施例１で述べた直接接
合により接合されている。

【００５０】このような構造においても実施例３と同
様、良好な直接接合が得られる。接合界面に無機薄膜層
を設けた効果は、実施例５と同様である。珪素化合物と
しては、酸化珪素や窒化珪素などである。熱膨張率の直
接接合に及ぼす効果は実施例３と同様である。

【００５１】（実施例７）本発明の複合圧電基板の好ま
しい構造の第６の実施例を図１０に示す。図１０におい
て、３１は金属保持基板で、具体的にはタングステンま
たはタンタルである。金属保持基板３１の表面には、実
施例５と同様、珪素または珪素化合物からなる無機薄膜
層８が、真空蒸着、スパッタリング、化学気相成長法な
どにより形成されている。無機薄膜層８の膜厚は０．１
−１０μｍ程度である。３２は、ＰＺＴまたはＰＬＺＴ
である。金属保持基板３１とＰＺＴまたはＰＬＺＴ基板
３２は、無機薄膜層８と圧電基板３２の界面で、実施例
１で述べた直接接合により接合されている。

【００５２】このような構造においても実施例４と同
様、良好な直接接合が得られる。接合界面に無機薄膜層
を設けた効果は、実施例５と同様である。珪素化合物と
しては、酸化珪素や窒化珪素などである。熱膨張率の直
接接合に及ぼす効果は実施例４と同様である。

【００５３】（実施例８）本実施例の構造の複合圧電基
板の製造方法の第１の例を説明する。接合しようとする
圧電基板を研磨により平坦化し、さらに表面が鏡面状態
になるまで研磨する。次に接合予定部表面を、洗剤、各
種溶剤により極めて清浄にする。金属保持基板側表面も
同様に処理する。次に、接合予定部表面を親水化する。
具体的には、親水処理液として、例えばアンモニア−過
酸化水素系水溶液を用い、この溶液に浸した後、純水洗
浄すればよい。

【００５４】この後、清浄な雰囲気中で、基板同士をを
重ね合わせて加熱することにより、表面に吸着した水構
成成分である、水素、酸素、水酸基のファンーデアーワ
ールス力により、界面で基板同士の接合が行われ、加熱
により強化される。接合初期は、表面に吸着した水素、
水酸基による水素結合や共有結合により行われる。

【００５５】１００℃−１０００℃程度の温度で数分か
ら数時間熱処理すると、界面から水素が離脱し、酸素の
関与した共有結合性となり接合は強化される。

【００５６】圧電基板として、水晶、ニオブ酸リチウ
ム、タンタル酸リチウム、ほう酸リチウムならびにＰＺ
Ｔ、ＰＬＺＴなどを用い、金属保持基板として、ステン
レス、アルミニウムブロンズ、銅、黄銅、タングステ
ン、タンタル基板などを用いることにより、上記製造方
法により、接合は水素結合もしくは共有結合により、熱
的、機械的に安定で、気密性のある接合が得られる。界
面にとくに接着剤などを用いないので直接接合されてい
る。

【００５７】このような方法で作成した複合圧電基板
は、原子レベルでの接合が行われていることから、熱的
変化、機械的変動に対して、極めて安定な特性が得られ
た。具体的には、４００℃以上で熱処理した場合、３２
０℃の半田づけ処理にたいして、初期特性の変動はほと
んど見られない。

【００５８】（実施例９）本実施例の構造の複合圧電基
板の製造方法の第２の例を説明する。

【００５９】実施例８と同様、接合しようとする金属保
持基板を研磨により平坦化し、さらに表面が鏡面状態に
なるまで研磨する。次にその接合する側の表面に、珪素
もしくは珪素化合物膜を、真空蒸着、スパッタリング、
化学気相成長法などのより、形成する。膜厚は。０．１
−１０μｍ程度である。

【００６０】圧電基板側表面は、実施例８と同様、やは
り研磨しておく。以下は、実施例８と同様にして、両基
板の接合予定部表面を、洗剤、各種溶剤により極めて清
浄にし、親水化する。具体的には、親水処理液として、
例えばアンモニア−過酸化水素系水溶液を用い、この溶
液に浸した後、純水洗浄すればよい。

【００６１】この後、清浄な雰囲気中で、基板同士をを
重ね合わせて加熱することにより、表面に吸着した水構
成成分である、水素、酸素、水酸基のファンーデアーワ
ールス力により、界面で基板同士の接合が行われ、加熱
により強化される。接合初期は、表面に吸着した水素、
水酸基による水素結合や共有結合により行われる。

【００６２】１００℃−１０００℃程度の温度で数分か
ら数時間熱処理すると、界面から水素が離脱し、酸素の
関与した共有結合性となり接合は強化される。

【００６３】無機薄膜層として、珪素または珪素化合物
層を用いることにより、膜中の珪素が共有結合を促進
し、接合は、実施例８の場合よりもより容易に行われ
る。

【００６４】圧電基板として、水晶、ニオブ酸リチウ
ム、タンタル酸リチウム、ほう酸リチウムならびにＰＺ
Ｔ、ＰＬＺＴなどを用い、金属保持基板として、ステン
レス、アルミニウムブロンズ、銅、黄銅、タングステ
ン、タンタル基板などを用いることにより、上記製造方
法により、接合は水素結合もしくは共有結合により、熱
的、機械的に安定で、気密性のある接合が得られる。界
面にとくに接着剤などを用いないので直接接合されてい
る。

【００６５】このような方法で作成した複合圧電基板
は、原子レベルでの接合が行われていることから、熱的
変化、機械的変動に対して、極めて安定な特性が得られ
た。具体的には、４００℃以上で熱処理した場合、３２
０℃の半田づけ処理にたいして、初期特性の変動はほと
んど見られない。

【００６６】

【発明の効果】本発明は、上記のような構成と製造方法
により、熱的変動、機械的振動に対して安定である。

【００６７】また圧電デバイスに電圧を印加するための
電極構成ならびに電極引き出し構成の自由度が高く、ま
た気密封止の容易な圧電デバイスを提供するものであ
る。

【００６８】また材料組合せの自由度が大きく、結晶方
位などの選定の自由度が大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の構造図

【図２】本発明の直接接合の説明原理図

【図３】本発明の第１の実施例の応用部品の構成図

【図４】本発明の第１の実施例の応用部品の構成図

【図５】本発明の好ましい第１の実施例の構造図

【図６】本発明の好ましい第２の実施例の構造図

【図７】本発明の好ましい第３の実施例の構造図

【図８】本発明の好ましい第４の実施例の構造図

【図９】本発明の好ましい第５の実施例の構造図

【図１０】本発明の好ましい第６の実施例の構造図

【符号の説明】

１金属保持基板２圧電基板３金属保持基板の貫通孔部４、５電極６配線７金属保持基板肉薄部８無機薄膜層１１ステンレスまたはアルミニウムブロンズまたは銅
または黄銅１２タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム２１鉄またはステンレスまたは銅２２水晶またはほう酸リチウム３１タングステンまたはタンタル３２ＰＺＴまたはＰＬＺＴ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０３Ｈ 9/17 Ｆ 7719−5ＪＧ 7719−5Ｊ (72)発明者杉本雅人大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板と金属保持基板が、界面の水素ま
たは酸素または水酸基の水素結合もしくは共有結合によ
り直接接合されていることを特徴とする複合圧電基板。
【請求項２】圧電基板と金属保持基板からなり、前記基
板の少なくとも一方の基板表面に、無機薄膜層を有し、
前記基板同士が、前記無機薄膜層と他方の基板との界面
の水素または酸素または水酸基の水素結合もしくは共有
結合により直接接合されていることを特徴とする複合圧
電基板。
【請求項３】圧電基板が水晶またはニオブ酸リチウムま
たはタンタル酸リチウムまたはほう酸リチウムであり、
金属保持基板がステンレスまたはアルミニウムブロンズ
または銅または黄銅または鉄であることを特徴とする請
求項１または２記載の複合圧電基板。
【請求項４】圧電基板がジルコンチタン酸鉛を主成分と
し、金属保持基板が、タングステンまたはタンタルであ
ることを特徴とする請求項１または２記載の複合圧電基
板。
【請求項５】無機薄膜層が珪素または珪素化合物である
ことを特徴とする請求項２記載の複合圧電基板。
【請求項６】珪素化合物が酸化珪素もしくは窒化珪素で
あることを特徴とする請求項５記載の複合圧電基板。
【請求項７】圧電基板と金属保持基板の熱膨張率がほぼ
同じであることを特徴とする請求項１記載の複合圧電基
板。
【請求項８】金属保持基板が、圧電基板に電界を加える
ための少なくとも一方の電極となっているか、または前
記圧電基板に設けられた電極に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１または２記載の複合圧電基
板。
【請求項９】圧電基板および金属保持基板の、接合予定
部表面を、極めて清浄にし、さらに親水化処理し、重ね
合わせて熱処理することにより、前記圧電基板を前記金
属保持基板に直接接合することを特徴とする複合圧電基
板の製造方法。
【請求項１０】圧電基板および金属保持基板の、少なく
とも一方の接合予定部表面に、無機薄膜層を形成し、そ
の表面ならびに他方の基板表面の接合予定部を、極めて
清浄にし、さらに親水化処理し、重ね合わせて熱処理す
ることにより、前記圧電基板を前記金属保持基板に、前
記無機薄膜層を介して直接接合することを特徴とする複
合圧電基板の製造方法。