TWI751000B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 276
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 37
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 37
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 22
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 14
- 230000017105 transposition Effects 0.000 claims description 14
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
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- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
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- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
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- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract
一種顯示裝置包括至少一驅動電路板、多個發光單元以及遮光層。這些發光單元設置在至少一驅動電路板的表面上,且分別具有多個畫素區。遮光層設置在至少一驅動電路板上,且設置於這些發光單元之間。這些發光單元各自包括電路層與多個微型發光元件。電路層電性接合至少一驅動電路板的其中一者。多個微型發光元件設置在電路層背離至少一驅動電路板的一側,並且電性接合至電路層。這些微型發光元件分別位於這些畫素區內。一種顯示裝置的製造方法亦被提出。
Description
本發明是有關於一種電子裝置及其製造方法,且特別是有關於一種顯示裝置及其製造方法。
近年來,在有機發光二極體(Organic light-emitting diode,OLED)顯示面板的製造成本偏高及其使用壽命無法與現行的主流顯示器相抗衡的情況下,微型發光二極體顯示器(Micro LED Display)逐漸吸引各科技大廠的投資目光。微型發光二極體顯示器具有與有機發光二極體顯示技術相當的光學表現,例如高色彩飽和度、應答速度快及高對比,且具有低耗能及材料使用壽命長的優勢。一般來說,微型發光二極體顯示器的製造技術係採用晶粒轉置的方式將預先製作好的微型發光二極體晶粒直接轉移到驅動電路背板上。
雖然這樣的巨量轉移(Mass transfer)技術在大尺寸的產品製造上有其發展優勢,但生產良率的提升更是目前相關製程技術與設備開發的重要指標,其中一種晶粒的二次轉移技術被提出。舉例來說,微型發光二極體顯示器所需的晶粒會先行轉置(轉移放置)到多個中介基板上以形成多個發光單元。接著,再將這些發光單元轉置到目標電路板上以完成上述的微型發光二極體顯示器。然而,因為轉置過程中需要極高的精密度,轉置後可能無法百分之百精密對準而形成縫隙,此縫隙會在微型發光二極體顯示器的顯示畫面中形成視覺上的影像不連續感。
本發明提供一種顯示裝置,其顯示品質較佳。
本發明提供一種顯示裝置的製造方法,其遮光層的製程較彈性。
本發明的顯示裝置,包括至少一驅動電路板、多個發光單元以及遮光層。這些發光單元設置在至少一驅動電路板的表面上,且分別具有多個畫素區。遮光層設置在至少一驅動電路板上,且設置於這些發光單元之間。這些發光單元各自包括電路層與多個微型發光元件。電路層電性接合至少一驅動電路板的其中一者。多個微型發光元件設置在電路層背離至少一驅動電路板的一側,並且電性接合至電路層。這些微型發光元件分別位於這些畫素區內。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的遮光層的光學密度大於2。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的多個發光單元各自還包括擋光層,設置在電路層上,且具有多個開口。多個微型發光元件分別設置於這些開口內。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的擋光層的光學密度大於等於遮光層的光學密度。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的遮光層與擋光層的材質相同。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的遮光層與擋光層分別具有背離至少一驅動電路板的第一頂面與第二頂面。第一頂面與第二頂面分別具有相對於至少一驅動電路板的表面的第一高度與第二高度,且第一高度大於第二高度。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的遮光層背離至少一驅動電路板的第一頂面相對於至少一驅動電路板的表面的第一距離與電路層背離至少一驅動電路板的表面相對於至少一驅動電路板的表面的第二距離的比值介於0.9至1.1之間。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置更包括保護層與蓋板。保護層覆蓋多個發光單元與遮光層。蓋板設置於保護層上,且重疊於這些發光單元與遮光層。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的遮光層的楊氏模量小於保護層的楊氏模量,且保護層的楊氏模量小於蓋板的楊氏模量。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的多個發光單元各自還包括色彩混合層與黏著層。色彩混合層設置在多個微型發光元件背離電路層的一側。黏著層設置在電路層與色彩混合層之間。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的保護層、色彩混合層與黏著層的折射率差值小於等於1且大於等於0。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置更包括光導層,夾設於多個發光單元之間,且設置在遮光層上。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的光導層的透光度小於保護層的透光度。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的遮光層背離至少一驅動電路板的頂面設有光學結構層。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的遮光層更延伸至各個發光單元的電路層與至少一驅動電路板之間。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置更包括吸光層。至少一驅動電路板包括第一驅動電路板與第二驅動電路板。吸光層設置在第一驅動電路板與第二驅動電路板之間,且吸光層的光學密度小於等於光擋層的光學密度。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的遮光層具有彈性。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的遮光層具有導電性,且各個發光單元的電路層經由遮光層與至少一驅動電路板電性連接。
本發明的顯示裝置的製造方法,包括提供一驅動電路板、進行轉置步驟,以轉移多個發光單元並電性接合至驅動電路板的多個導電凸塊上以及於驅動電路板上形成遮光層。這些發光單元各自包括電路層與多個微型發光元件。這些導電凸塊分散地設置在驅動電路板的表面上。電路層電性接合至這些導電凸塊。這些微型發光元件設置在電路層背離驅動電路板的一側,並且電性接合至電路層。遮光層設置於這些發光單元之間。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的製造方法的形成遮光層的步驟包括在多個發光單元進行轉置步驟之前,於驅動電路板上形成遮光材料層以及進行固化步驟,以形成遮光層。遮光材料層在這些發光單元的轉置過程中,受這些發光單元的擠壓而填入這些發光單元之間的縫隙。
在本發明的一實施例中,上述的顯示裝置的製造方法的形成遮光層的步驟包括在多個發光單元的轉置步驟完成後,於驅動電路板上形成遮光材料層以及對遮光材料層進行微影蝕刻步驟,以形成遮光層。遮光材料層覆蓋這些發光單元與驅動電路板的部分表面。
基於上述,在本發明的一實施例的顯示裝置中,與至少一電路板電性接合的多個發光單元之間的縫隙設有遮光層。此遮光層適於吸收入射此縫隙的至少部分光線,從而改善此縫隙在外部環境光的照射下的可視性(visibility)和一致性(consistency)。換句話說,可有效改善此縫隙對於這些發光單元的顯示影像在視覺上所產生的影像不連續感,進而提升顯示裝置的顯示品質。在本發明的一實施例的顯示裝置的製造方法中,遮光層的形成步驟可起始於多個發光單元的轉置步驟之前或之後,有助於增加遮光層的製程彈性。
在附圖中,為了清楚起見,放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,「連接」可以指物理及/或電性連接。再者,「電性連接」可為二元件間存在其它元件。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於所附圖式中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是本發明的第一實施例的顯示裝置的俯視示意圖。圖2是圖1的顯示裝置的剖視示意圖。圖2對應於圖1的剖線A-A’。圖3A至圖3C是圖2的顯示裝置的製造流程的剖視示意圖。圖4A至圖4C是本發明的另一實施例的顯示裝置的製造流程的剖視示意圖。請參照圖1及圖2,顯示裝置10包括驅動電路板100與多個發光單元200。這些發光單元200設置在驅動電路板100的表面100s上,且各自具有多個畫素區P。舉例來說,這些發光單元200可分別在方向X與方向Y上排成多列與多行。驅動電路板100的表面100s上設有對應這些發光單元200的多個導電凸塊110,而這些發光單元200分別接合(bonded)至這些導電凸塊110以電性連接驅動電路板100。需說明的是,在本實施例中,對應於每一個發光單元200的導電凸塊110數量是以四個為例進行示範性地說明,並不表示本發明以圖式揭示內容為限制。在其他實施例中,驅動電路板100上對應於每一個發光單元200的導電凸塊110數量當可根據發光單元200的實際設計(例如微型發光元件LED的數量、畫素區P的數量、電路層210的電路設計等)而調整。
發光單元200包括電路層210與多個微型發光元件LED。電路層210的一側電性接合至驅動電路板100,而這些微型發光元件LED設置在電路層210背離驅動電路板100的另一側,並且被驅動電路板100與電路層210獨立地控制。更具體地說,顯示裝置10是透過彼此拼接的多個發光單元200來達到顯示效果,且這些發光單元200上的多個微型發光元件LED的發光強度可根據欲呈現的影像畫面而被驅動電路板100個別地控制。
舉例來說,電路層210可包括交替堆疊的多個金屬層(未繪示)與多個絕緣層(未繪示)。這些金屬層的其中一者用於形成位於電路層210一側的多個導電圖案,其中另一者用於形成未於電路層210另一側的多個接墊圖案,而其中又一者用於形成多個轉接圖案。這些轉接圖案可經由這些絕緣層的多個接觸孔分別電性連接這些導電圖案與這些接墊圖案。亦即,這些金屬層可在電路層210的相對兩側之間形成多條彼此電性絕緣的導電通路。與位於電路層210一側的這些導電圖案接合的多個微型發光元件LED可分別經由這些導電通路與位於電路層210另一側的這些接墊圖案電性連接。發光單元200可經由這些接墊圖案電性接合至驅動電路板100的導電凸塊110上。
在本實施例中,發光單元200還可選擇性地包括擋光層220、黏著層230與色彩混合層240。擋光層220設置在電路層210設有微型發光元件LED的一側。擋光層220具有多個開口220a,且發光單元200的多個微型發光元件LED分別設置在擋光層220的這些開口220a內。更具體地說,擋光層220的這些開口220a可定義出發光單元200(或顯示裝置10)的前述多個畫素區P,且這些畫素區P分別沿著方向X與方向Y排成陣列。舉例來說,在本實施例中,各畫素區P內的微型發光元件LED數量為三個,且分別用以發出紅光、綠光與藍光,但不以此為限。在其他實施例中,各畫素區P內所設置的微型發光元件LED數量可根據不同的光學設計(例如微型發光元件LED的發光顏色種類)或產品規格(例如出光亮度)而調整。
為了避免各畫素區P內的微型發光元件LED所發出的光線從相鄰的畫素區P射出,造成顯示對比的下降,擋光層220的材質例如是黑色樹脂材料、或其他合適的吸光材料。亦即,透過此具有吸光效果的擋光層220的設置,可有效提升顯示裝置10的顯示品質。然而,本發明不限於此,根據其他實施例,擋光層220的材質也可包含光反射材料(例如具有高反射率的金屬材料、或白反射材料)。在一未繪示的實施例中,擋光層也可以藉由在光阻圖案上覆蓋金屬膜層的方式來實施。
另一方面,黏著層230設置在電路層210與色彩混合層240之間,並且覆蓋電路層210的部分表面、多個微型發光元件LED與擋光層220。黏著層230的材料包括固態透明光學膠(Optical Clear Adhesive,OCA)、液態透明光學膠(Optical Clear Resin,OCR)、或其他合適的光學級膠材。色彩混合層240由一透明的材料組成,例如是玻璃、藍寶石或環氧樹脂,而色彩混合層240的厚度大於100微米。此處,具有較厚厚度的色彩混合層240可視為一導光層,可均勻混合位在同一畫素區P內的多個微型發光元件LED所發出的光線(例如紅光、綠光與藍光),有助於提升各畫素區P的出光均勻度。
特別一提的是,這些發光單元200是在製作完成後才轉置到驅動電路板100上,並與驅動電路板100上的多個導電凸塊110電性接合。然而,因為轉置過程中需要極高的精密度,轉置後可能無法百分之百精密對準驅動電路板100。也因此,電性接合至驅動電路板100上的多個發光單元200之間存在縫隙G。此縫隙G在外部環境光的照射下,光線容易在定義此縫隙G的發光單元200的側壁與驅動電路板100的表面100s產生(漫)反射而被人眼所視覺。換句話說,此縫隙G的存在會讓這些發光單元200的顯示影像在視覺上容易產生影像不連續感。
為了解決上述的問題,顯示裝置10更包括夾設於多個發光單元200之間的遮光層300。遮光層300的材質例如是黑色樹脂材料、或其他合適的吸光材料。透過在這些發光單元200的縫隙G設置具有吸光特性的遮光層300,可有效降低此縫隙G在外部環境光的照射下的可視性(visibility)。換句話說,可有效改善此縫隙G對於這些發光單元200的顯示影像在視覺上所產生的影像不連續感,進而提升顯示裝置10的顯示品質。在本實施例中,遮光層300的光學密度(optical density,OD)可大於2,以取得較佳的吸光效果,但不以此為限。
值得一提的是,在本實施例中,發光單元200的擋光層220的光學密度可大於等於遮光層300的光學密度,以降低發光單元200的電路層210對外部環境光的整體反射率,有助於改善顯示裝置10的暗態表現(例如暗態對比),但本發明不以此為限。舉例來說,在其他實施例中,遮光層300與擋光層220的材質可選擇性地相同,以增加遮光層300材料選用的彈性。
另一方面,遮光層300與發光單元200的擋光層220分別具有背離驅動電路板100的頂面300s與頂面220s。遮光層300的頂面300s與擋光層220的頂面220s分別具有相對於驅動電路板100的表面100s的第一高度H1與第二高度H2。為了提升各發光單元200的出光效率與出光集中性,遮光層300的第一高度H1可大於發光單元200的擋光層220的第二高度H2,但不以此為限。
以下將針對顯示裝置10的製造方法進行示例性的說明。首先,提供驅動電路板100,並進行一轉置步驟,以轉移多個發光單元200並電性接合至驅動電路板100的多個導電凸塊110上,如圖3A所示。舉例來說,在本實施例中,可利用一無線路的暫時載板CS提取多個發光單元200,且這些發光單元200於載板CS上的排列方式對應於驅動電路板100(即目標基板)上的多個導電凸塊110的分布狀態。此處的轉置步驟可包含對所需數量的發光單元200的一次性或多次性的提取與轉置。
請參照圖3B,在這些發光單元200的轉置步驟完成後,於驅動電路板100上形成遮光材料層300M。遮光材料層300M覆蓋這些發光單元200與驅動電路板100的部分表面100s。特別注意的是,遮光材料層300M會填入這些發光單元200之間的縫隙G以及這些發光單元200與驅動電路板100之間的空腔。接著,對遮光材料層300M進行微影蝕刻步驟,以形成圖2的遮光層300。舉例來說,此處的微影蝕刻步驟可包括:於遮光材料層300M上形成一光阻層PR、利用一光罩MK對光阻層PR進行曝光(如圖3C所示)、顯影以及蝕刻,其中光罩MK具有多個開口MKa,而光阻層PR材料例如是負型光阻。因此,光罩MK的這些開口MKa可定義出圖2的遮光層300。然而,本發明不限於此,在其他實施例中,光阻層PR的材料也可以是正型光阻,但光罩MK的多個開口配置需做相應地調整。
值得注意的是,本實施例的遮光材料層300M是形成在多個發光單元200的轉置步驟完成後,但本發明不以此為限。在其他實施例中,遮光材料層300P也可形成在多個發光單元200的轉置步驟進行之前,如圖4A所示。特別注意的是,遮光材料層300P在驅動電路板100的表面100s的法線方向(例如方向Z)上不重疊於多個導電凸塊110A,且位於任兩相鄰的發光單元200所分別對應的兩個導電凸塊110A之間。請參照圖4B及圖4C,在多個發光單元200的轉置過程中,遮光材料層300P受這些發光單元200的擠壓而流入這些發光單元200之間的縫隙G。在發光單元200的轉置步驟完成後,對受擠壓而形變的遮光材料層300P進行一固化步驟,以形成顯示裝置10A的遮光層300A。此處的固化步驟例如是利用一紫外光源對遮光材料層300P進行照射(如圖4C所示),但不以此為限。在其他實施例中,固化步驟也可以是對遮光材料層300P進行加熱。從另一觀點來說,透過在轉置步驟前先將遮光材料層300P形成在驅動電路板100的表面100s上,還可在轉置過程中讓任兩相鄰的發光單元200所分別對應的兩個導電凸塊110A不會因為受這些發光單元200的擠壓而產生溢流,導致彼此間的電性短路。換句話說,還能增加這些發光單元200的轉置良率。
也就是說,遮光層的形成步驟可起始於多個發光單元200的轉置步驟之前或之後。更具體地說,遮光材料層的形成可以是在多個發光單元200的轉置步驟之前或之後。據此,有助於增加顯示裝置的遮光層的製程彈性。
以下將列舉另一些實施例以詳細說明本揭露,其中相同的構件將標示相同的符號,並且省略相同技術內容的說明,省略部分請參考前述實施例,以下不再贅述。
圖5是本發明的第二實施例的顯示裝置的剖視示意圖。圖6A是圖5的另一變形實施例的顯示裝置與一比較例的顯示裝置的俯視圖。圖6B是圖5的另一變形實施例的顯示裝置與一比較例的顯示裝置的斜視圖。圖6C是圖5的另一變形實施例的顯示裝置的剖視示意圖。請參照圖5,本實施例的顯示裝置11與圖2的顯示裝置10的差異在於:顯示裝置11更包括保護層330與蓋板340。保護層330覆蓋多個發光單元200與遮光層300。蓋板340設置於保護層330上,且重疊於這些發光單元200與遮光層300。也就是說,在本實施例中,顯示裝置11的製造方法更包括於多個發光單元200上形成保護層330以及將蓋板340貼附於保護層330上。
在本實施例中,遮光層300的楊氏模量(young’s modulus)小於保護層330的楊氏模量,而保護層330的楊氏模量小於蓋板340的楊氏模量。遮光層300小於保護層330的楊氏模量可以做為發光單元200間的緩衝,而楊氏模量最大的蓋板340可以保護發光單元200。保護層330的材料包括固態透明光學膠(Optical Clear Adhesive,OCA)、液態透明光學膠(Optical Clear Resin,OCR)、或其他合適的光學級膠材。蓋板340由一透明的材料組成,例如是玻璃、藍寶石或環氧樹脂。
另一方面,保護層330的折射率可相近於發光單元200的黏著層230的折射率與色彩混合層240的折射率。舉例來說,保護層330、黏著層230與色彩混合層240的任二者的折射率差值可小於等於1大於等於0。據此,可有效抑制光線在保護層330與色彩混合層240的交界面以及保護層330與黏著層230的交界面的反射,從而改善各發光單元200的邊緣可視性和一致性。圖6A及圖6B示出圖5的另一變形實施例的顯示裝置11A與一比較例在外部環境光的照射下的外觀品質。如圖6A所示,透過上述保護層330的設置,可顯著地改善每個發光單元200的邊緣可視性和一致性。
請參照圖6A至圖6C,值得注意的是,受轉置製程變異或多個發光單元200在結構上的些微差異的影響,被轉置到驅動電路板100上的各個發光單元200的平整性都不一樣(如圖6C所示)。因此,在斜視角觀看顯示裝置時容易看到類似馬賽克的外觀(如圖6B的未施作區所示)。此處的平整性例如是發光單元200的色彩混合層240的表面240s(如圖6C所示)與驅動電路板100的表面100s的平行程度。如圖6B的施作區所示,利用折射率與色彩混合層240及黏著層230相近的保護層330覆蓋這些經轉置的發光單元200,還可明顯改善上述的馬賽克現象。由於此處遮光層300’的配置與作用相似於前述實施例,因此詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再重述。
圖7是本發明的第三實施例的顯示裝置的剖視示意圖。請參照圖7,本實施例的顯示裝置12與圖2的顯示裝置10的差異在於:遮光層的高度不同。在本實施例中,遮光層300B的頂面300s可選擇性地切齊發光單元200的電路層210的表面210s。據此,可提供這些發光單元200在後續製程中因驅動電路板100的升溫而產生的熱膨脹所需的緩衝空間。然而,本發明不限於此,根據其他實施例,遮光層300的頂面300s相對於驅動電路板100的表面100s的第一距離d1與電路層210的表面210s的第二距離d2的比值可介於0.9至1.1之間。
圖8是本發明的第四實施例的顯示裝置的剖視示意圖。請參照圖8,本實施例的顯示裝置12A與圖7的顯示裝置12的差異在於:顯示裝置12A還可選擇性地包括保護層330、蓋板340及光導層350。由於保護層330與蓋板340對於顯示裝置12A所起的作用相似於圖5的顯示裝置11,因此詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再贅述。光導層350夾設於多個發光單元200之間,且設置於遮光層300B上。
在本實施例中,遮光層300B的頂面300s可選擇性地切齊發光單元200的電路層210的表面210s。因此,發光單元200的黏著層230與色彩混合層240定義縫隙G的側壁並未被遮光層300B所覆蓋,而是被光導層350所覆蓋。在本實施例中,光導層350做為導光用。舉例來說,入射此縫隙G的外部光線可經由此光導層350傳遞至遮光層300B而被吸收。此外,發光單元200發出的影像光線在入射此縫隙G後可經由此光導層350的導引而朝向遠離驅動電路板100的方向出射。據此,有助於進一步降低多個發光單元200之間的縫隙G的可視性。
另一方面,此光導層350還具有填平這些發光單元200之間的縫隙G的效果。因此,在後續的製程中,可形成膜面更為均勻的保護層330,並且避免蓋板340在貼附於保護層330時,於保護層330與蓋板340的交界面產生氣泡的堆積。換句話說,可有效提升後續製程的良率。在本實施例中,光導層350與保護層330的材質可選擇性地不同,且光導層350的透光度小於保護層330的透光度,但本發明不以此為限。根據其他實施例,光導層350與保護層330的材質也可相同。
圖9是本發明的第五實施例的顯示裝置的剖視示意圖。圖10是圖9的顯示裝置的局部放大示意圖。圖10對應於圖9的區域I。圖11是圖10的顯示裝置的另一種變形實施例的剖視示意圖。請參照圖9及圖10,本實施例的顯示裝置13與圖2的顯示裝置10的差異在於:顯示裝置13的遮光層300C背離驅動電路板100的頂面300s設有光學結構層305。在本實施例中,光學結構層305例如是形成在遮光層300C的頂面300s上的多個光學微結構,且這些光學微結構可增加遮光層300C於頂面300s一側的粗糙度(roughness)。據此,可有效增加遮光層300C對於外部光線的散射效果,從而改善多個發光單元200之間的縫隙G的可視性和一致性。然而,本發明不限於此,在其他實施例中,光學結構層305A也可以是吸收型偏光膜(例如偏光子),如圖11所示。
圖12是本發明的第六實施例的顯示裝置的剖視示意圖。請參照圖12,本實施例的顯示裝置14與圖7的顯示裝置12的差異在於:顯示裝置14的遮光層300D更延伸至各發光單元200的電路層210與驅動電路板100之間,據以吸收發光單元200朝向驅動電路板100出射的非預期光線(即雜散光)。
圖13是本發明的第七實施例的顯示裝置的剖視示意圖。請參照圖13,本實施例的顯示裝置15與圖5的顯示裝置11的主要差異在於:驅動電路板的數量不同。具體而言,顯示裝置15是由多個驅動電路板(例如第一驅動電路板101與第二驅動電路板102)拼接而成。而此類顯示裝置的顯示尺寸與輪廓,可根據不同的使用情境進行調整,有助於增加顯示裝置的操作彈性。由於本實施例的驅動電路板與多個發光單元200的配置關係相似於圖5的顯示裝置11,因此詳細的說明請參見前述實施例的相關段落,於此便不再贅述。
舉例來說,在顯示裝置15的製造方法中,還需針對多個發光單元200在轉置到各個驅動電路板上後所形成的多個顯示面板DP進行切割步驟,以滿足不同的拼接設計需求。因此,每個顯示面板用於拼接的側壁,其表面平整度會變差,造成這些顯示面板的拼接縫隙在視線方向(例如方向Z的反向)容易被視覺。為了解決此問題,顯示裝置15的這些顯示面板DP(或多個驅動電路板)之間還設有吸光層360,且吸光層360的光學密度小於等於擋光層220的光學密度。在本實施例中,吸光層360的光學密度可近似於遮光層300的光學密度,但不以此為限。吸光層360也可以相同於擋光層220。
另一方面,在本實施例中,吸光層360可整面性地覆蓋顯示面板DP經切割的拼接表面,但本發明不以此為限。在其他實施例中,吸光層也可部分覆蓋顯示面板用於拼接的側壁表面,且此側壁表面的平整度較佳(亦即,顯示面板在拼接前未被切割)。
圖14是本發明的第八實施例的顯示裝置的剖視示意圖。請參照圖14,本實施例的顯示裝置16與圖2的顯示裝置10的差異在於:顯示裝置16的遮光層300E具有彈性。此時,遮光層300E的楊式模量可以小於黏著層230。在本實施例中,遮光層300E的頂面300s可不切齊發光單元200的色彩混合層240的表面240s。本實施例的顯示裝置16可為一柔性可彎折的顯示裝置時,發光單元200配置於柔性驅動電路板100上,例如一柔性印刷電路板(Flexible Printed Circuit,FPC)。當顯示裝置16被彎折時,具有彈性的遮光層300E,以及其與相鄰的兩發光單元200間形成的一空間,可作為多個發光單元200之間的緩衝空間,以避免這些發光單元200在驅動電路板100被彎折時相互碰撞而損傷。於其他本實施例中,遮光層的頂面也可以切齊發光單元的色彩混合層的表面,但不以此為限。
圖15是本發明的第九實施例的顯示裝置的剖視示意圖。圖16是圖15的顯示裝置的俯視示意圖。請參照圖15,在本實施例中,遮光層300F具有導電性。舉例來說,驅動電路板100A可具有多個導電通孔CH與多條導電圖案CP,這些導電凸塊110分別經由遮光層300F、這些導電通孔CH與這些導電圖案CP電性連接,且這些導電圖案CP用於電性連接驅動晶片120,但不以此為限。在其他實施例中,這些驅動晶片120也可內埋於驅動電路板中。特別一提的是,發光單元200A上的多個微型發光元件LED是經由覆蓋發光單元200A側壁的遮光層300F與驅動電路板100A上對應的接合墊BP電性連接。據此,可簡化發光單元200A的電路層210A的設計(例如電路層210A的接觸孔數量可減少,甚至為0),或者是增加發光單元200A的電路設計裕度。
應可理解的是,由於本實施例的遮光層300F具有導電性,因此,遮光層300F例如是多個彼此電性獨立的遮光圖案(例如遮光圖案300F1、遮光圖案300F2與遮光圖案300F3)。也就是說,本實施例的遮光層300F的這些遮光圖案是彼此分離地(或間隔地)設置在發光單元200A的四周(如圖16所示),並非如圖1的顯示裝置10的遮光層300為連續地設置在發光單元200的四周。
圖17是本發明的第十實施例的顯示裝置的剖視示意圖。請參照圖17,本實施例的顯示裝置18與圖14的顯示裝置16的差異在於:顯示裝置18的遮光層300G的頂面300s相對於驅動電路板100的表面100s的第一高度H1小於擋光層220的頂面220s相對於驅動電路板100的表面100s的第二高度H2。據此,除了可增加發光單元200間的緩衝空間外,還可避免遮光層300G過度遮擋發光單元200間的側出光。
綜上所述,在本發明的一實施例的顯示裝置中,與至少一驅動電路板電性接合的多個發光單元之間的縫隙設有遮光層。此遮光層適於吸收入射此縫隙的至少部分光線,從而改善此縫隙在外部環境光的照射下的可視性(visibility)和一致性(consistency)。換句話說,可有效改善此縫隙對於這些發光單元的顯示影像在視覺上所產生的影像不連續感,進而提升顯示裝置的顯示品質。在本發明的一實施例的顯示裝置的製造方法中,遮光層的形成步驟可起始於多個發光單元的轉置步驟之前或之後,有助於增加遮光層的製程彈性。
10、10A、11、11A、12、12A、13、14、15、16、17、18:顯示裝置
100、101、102、100A:驅動電路板
100s、210s、240s:表面
110、110A:導電凸塊
120:驅動晶片
200、200A:發光單元
210、210A:電路層
220:擋光層
220a:開口
220s、300s:頂面
230:黏著層
240:色彩混合層
300、300’、300A、300B、300C、300D、300E、300F、300G:遮光層
300F1、300F2、300F3:遮光圖案
300M、300P:遮光材料層
305、305A:光學結構層
330:保護層
340:蓋板
350:光導層
360:吸光層
CH:導電通孔
CP:導電圖案
CS:載板
d1、d2:距離
DP:顯示面板
G:縫隙
H1、H2:高度
LED:微型發光元件
MK:光罩
MKa:開口
P:畫素區
PR:光阻層
X、Y、Z:方向
A-A’:剖線
I:區域
圖1是本發明的第一實施例的顯示裝置的俯視示意圖。
圖2是圖1的顯示裝置的剖視示意圖。
圖3A至圖3C是圖2的顯示裝置的製造流程的剖視示意圖。
圖4A至圖4C是本發明的另一實施例的顯示裝置的製造流程的剖視示意圖。
圖5是本發明的第二實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖6A是圖5的另一變形實施例的顯示裝置與一比較例的顯示裝置的俯視圖。
圖6B是圖5的另一變形實施例的顯示裝置與一比較例的顯示裝置的斜視圖。
圖6C是圖5的另一變形實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖7是本發明的第三實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖8是本發明的第四實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖9是本發明的第五實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖10是圖9的顯示裝置的局部放大示意圖。
圖11是圖10的顯示裝置的另一種變形實施例的剖視示意圖。
圖12是本發明的第六實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖13是本發明的第七實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖14是本發明的第八實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖15是本發明的第九實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
圖16是圖15的顯示裝置的俯視示意圖。
圖17是本發明的第十實施例的顯示裝置的剖視示意圖。
10:顯示裝置
100:驅動電路板
100s:表面
110:導電凸塊
200:發光單元
210:電路層
220:擋光層
220a:開口
220s、300s:頂面
230:黏著層
240:色彩混合層
300:遮光層
G:縫隙
H1、H2:高度
LED:微型發光元件
Z:方向
A-A’:剖線
Claims (20)
- 一種顯示裝置,包括:至少一驅動電路板;多個發光單元,設置在該至少一驅動電路板的一表面上,且分別具有多個畫素區,該些發光單元各自包括:一電路層,電性接合該至少一驅動電路板的其中一者;多個微型發光元件,設置在該電路層背離該至少一驅動電路板的一側,並且電性接合至該電路層,該些微型發光元件分別位於該些畫素區內;以及一擋光層,設置在該電路層上,且具有多個開口,該些微型發光元件分別設置在該些開口內;以及一遮光層,設置於該至少一驅動電路板上,且設置於該些發光單元之間。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該遮光層的光學密度大於2。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該擋光層的光學密度大於等於該遮光層的光學密度。
- 如請求項3所述的顯示裝置,其中該遮光層與該擋光層的材質相同。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該遮光層與該擋光層分別具有背離該至少一驅動電路板的一第一頂面與一第二頂面,該第一頂面與該第二頂面分別具有相對於該至少一驅動電路 板的該表面的一第一高度與一第二高度,且該第一高度大於該第二高度。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該遮光層背離該至少一驅動電路板的一第一頂面相對於該至少一驅動電路板的該表面的一第一距離與該電路層背離該至少一驅動電路板的一表面相對於該至少一驅動電路板的該表面的一第二距離的比值介於0.9至1.1之間。
- 如請求項1所述的顯示裝置,更包括:一吸光層,其中該至少一驅動電路板包括一第一驅動電路板與一第二驅動電路板,該吸光層設置在該第一驅動電路板與該第二驅動電路板之間,且該吸光層的光學密度小於等於該擋光層的光學密度。
- 如請求項1所述的顯示裝置,更包括:一保護層,覆蓋該些發光單元與該遮光層;以及一蓋板,設置於該保護層上,且重疊於該些發光單元與該遮光層。
- 如請求項8所述的顯示裝置,其中該遮光層的楊氏模量小於該保護層的楊氏模量,且該保護層的楊氏模量小於該蓋板的楊氏模量。
- 如請求項8所述的顯示裝置,其中該些發光單元各自還包括:一色彩混合層,設置在該些微型發光元件背離該電路層的一 側;以及一黏著層,設置在該電路層與該色彩混合層之間。
- 如請求項10所述的顯示裝置,其中該保護層、該色彩混合層與該黏著層的折射率差值小於等於1且大於等於0。
- 如請求項8所述的顯示裝置,更包括:一光導層,夾設於該些發光單元之間,且設置在該遮光層上。
- 如請求項12所述的顯示裝置,其中該光導層的透光度小於該保護層的透光度。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該遮光層背離該至少一驅動電路板的一頂面設有一光學結構層。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該遮光層更延伸至各該發光單元的該電路層與該至少一驅動電路板之間。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該遮光層具有彈性。
- 如請求項1所述的顯示裝置,其中該遮光層具有導電性,且各該發光單元的該電路層經由該遮光層與該至少一驅動電路板電性連接。
- 一種顯示裝置的製造方法,包括:提供一驅動電路板,該驅動電路板具有多個導電凸塊,分散地設置在該驅動電路板的一表面上;進行一轉置步驟,以轉移多個發光單元並電性接合至該驅動電路板的該些導電凸塊上,其中該些發光單元各自包括一電路層 與多個微型發光元件,該電路層電性接合至該些導電凸塊,該些微型發光元件設置在該電路層背離該驅動電路板的一側,並且電性接合至該電路層;以及於該驅動電路板上形成一遮光層,其中該遮光層設置於該些發光單元之間。
- 如請求項18所述的顯示裝置的製造方法,其中形成該遮光層的步驟包括:在該些發光單元進行該轉置步驟之前,於該驅動電路板上形成一遮光材料層,其中該遮光材料層在該些發光單元的轉置過程中,受該些發光單元的擠壓而填入該些發光單元之間的一縫隙;以及進行一固化步驟,以形成該遮光層。
- 如請求項18所述的顯示裝置的製造方法,其中形成該遮光層的步驟包括:在該些發光單元的轉置步驟完成後,於該驅動電路板上形成一遮光材料層,該遮光材料層覆蓋該些發光單元與該驅動電路板的部分表面;以及對該遮光材料層進行一微影蝕刻步驟,以形成該遮光層。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/184,609 US11990499B2 (en) | 2020-08-24 | 2021-02-25 | Display apparatus and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063069693P | 2020-08-24 | 2020-08-24 | |
US63/069,693 | 2020-08-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI751000B true TWI751000B (zh) | 2021-12-21 |
TW202209282A TW202209282A (zh) | 2022-03-01 |
Family
ID=74997368
Family Applications (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109142526A TWI757996B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-03 | 微型發光二極體顯示矩陣模組 |
TW111113636A TWI823332B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-03 | 拼接式微型發光二極體顯示面板 |
TW109142527A TWI764404B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-03 | 拼接式微型發光二極體顯示面板 |
TW109145631A TWI753715B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-23 | 顯示裝置 |
TW109146585A TWI745206B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-29 | 發光顯示單元及顯示裝置 |
TW110102043A TWI751000B (zh) | 2020-08-24 | 2021-01-20 | 顯示裝置及其製造方法 |
TW110111460A TWI765629B (zh) | 2020-08-24 | 2021-03-30 | 微型發光二極體顯示器以及其控制器 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109142526A TWI757996B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-03 | 微型發光二極體顯示矩陣模組 |
TW111113636A TWI823332B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-03 | 拼接式微型發光二極體顯示面板 |
TW109142527A TWI764404B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-03 | 拼接式微型發光二極體顯示面板 |
TW109145631A TWI753715B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-23 | 顯示裝置 |
TW109146585A TWI745206B (zh) | 2020-08-24 | 2020-12-29 | 發光顯示單元及顯示裝置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW110111460A TWI765629B (zh) | 2020-08-24 | 2021-03-30 | 微型發光二極體顯示器以及其控制器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11652077B2 (zh) |
KR (1) | KR102543408B1 (zh) |
CN (6) | CN112530926B (zh) |
TW (7) | TWI757996B (zh) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113224218B (zh) * | 2020-12-30 | 2023-01-20 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 一种显示面板及制作方法、显示装置 |
TWI763441B (zh) * | 2021-04-16 | 2022-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
CN113327536B (zh) * | 2021-06-11 | 2022-09-27 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板和显示设备 |
CN113471184A (zh) * | 2021-07-08 | 2021-10-01 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种像素排列结构及led显示装置 |
CN113451351B (zh) * | 2021-07-22 | 2023-07-25 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光显示设备 |
TWI792432B (zh) * | 2021-07-22 | 2023-02-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光顯示裝置 |
JP2023028604A (ja) * | 2021-08-19 | 2023-03-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 保持基板および表示装置の製造方法 |
CN113658518B (zh) * | 2021-08-24 | 2023-07-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN113871406B (zh) * | 2021-09-18 | 2024-07-09 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示基板、显示基板的制作方法以及显示装置 |
US20230140197A1 (en) * | 2021-10-29 | 2023-05-04 | Innolux Corporation | Electronic device and manufacturing method of electronic device |
TWI814151B (zh) * | 2021-11-25 | 2023-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
TWI799068B (zh) * | 2022-01-10 | 2023-04-11 | 友達光電股份有限公司 | 拼接顯示裝置 |
CN114464723A (zh) * | 2022-01-29 | 2022-05-10 | 安徽繁盛显示科技有限公司 | 显示面板及其制造方法、显示装置 |
TWI843136B (zh) * | 2022-02-25 | 2024-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板與其製作方法 |
TWI813261B (zh) * | 2022-04-19 | 2023-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
TWI850673B (zh) * | 2022-06-07 | 2024-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
TWI818692B (zh) * | 2022-08-24 | 2023-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 驅動背板 |
CN115472095B (zh) * | 2022-08-25 | 2024-02-09 | 惠科股份有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
TWI838985B (zh) * | 2022-11-28 | 2024-04-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示裝置與其製造方法 |
TWI817865B (zh) * | 2022-12-12 | 2023-10-01 | 星亞視覺股份有限公司 | Led顯示裝置及其led顯示單元 |
TWI817893B (zh) * | 2023-01-18 | 2023-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板與顯示裝置 |
TWI842387B (zh) * | 2023-02-13 | 2024-05-11 | 國立中興大學 | 次毫米發光二極體背光板的製法及其製品 |
TWI843560B (zh) * | 2023-05-10 | 2024-05-21 | 友達光電股份有限公司 | 發光元件基板、發光元件結構及顯示裝置 |
US12154493B1 (en) | 2023-09-20 | 2024-11-26 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro light-emitting diode display device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201938173A (zh) * | 2018-02-20 | 2019-10-01 | 國立大學法人東京工業大學 | 對硼酸基苯丙胺酸衍生物及含有該衍生物之組成物,以及用以製造此等之套組 |
TW201947757A (zh) * | 2018-05-08 | 2019-12-16 | 大陸商業成科技(成都)有限公司 | 顯示面板、製備方法及應用該顯示面板的電子裝置 |
US20200144465A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
Family Cites Families (82)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6897855B1 (en) * | 1998-02-17 | 2005-05-24 | Sarnoff Corporation | Tiled electronic display structure |
US6870519B2 (en) * | 2001-03-28 | 2005-03-22 | Intel Corporation | Methods for tiling multiple display elements to form a single display |
JP2002344135A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Toppan Printing Co Ltd | 配線板製造用絶縁層転写シート及びビルドアッププリント配線板及びその製造方法 |
JP4887587B2 (ja) * | 2001-08-01 | 2012-02-29 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
JP2003255850A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-10 | Pioneer Electronic Corp | 表示パネル基板及び表示装置 |
JP2005140938A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Sony Corp | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP2005142054A (ja) * | 2003-11-07 | 2005-06-02 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、大型有機エレクトロルミネッセンス表示装置および電子機器 |
JP2006091850A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-04-06 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | El表示装置およびel表示パネルの検査装置 |
KR20070006458A (ko) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 모듈, 이를 구비한 백라이트 어셈블리, 및이를 구비한 표시 장치 |
JP2008268717A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 画像表示装置の駆動回路および画像表示方法 |
JP5037221B2 (ja) * | 2007-05-18 | 2012-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び電子機器 |
KR101476422B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2014-12-26 | 서울반도체 주식회사 | 인쇄회로기판 및 그를 이용한 led 모듈 |
US20110043541A1 (en) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | Cok Ronald S | Fault detection in electroluminescent displays |
US8619103B2 (en) * | 2011-01-31 | 2013-12-31 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device multilevel-drive chromaticity-shift compensation |
JP5821279B2 (ja) * | 2011-05-24 | 2015-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード駆動装置 |
KR101966393B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2019-04-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
US9633905B2 (en) * | 2012-04-20 | 2017-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor fin structures and methods for forming the same |
KR101947165B1 (ko) * | 2012-10-16 | 2019-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치와 이의 제조 방법 및 회로 필름의 회전 장치 |
CN102982744B (zh) * | 2012-12-17 | 2014-09-24 | 广东威创视讯科技股份有限公司 | 一种发光二极管led显示模组 |
CN103745683B (zh) * | 2013-09-27 | 2016-09-21 | 中傲智能科技(苏州)有限公司 | 基于hdmi接口的led显示屏控制系统 |
KR102098870B1 (ko) | 2013-10-30 | 2020-04-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 장치 |
TWI706579B (zh) * | 2013-11-18 | 2020-10-01 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置及其製作方法 |
TWM480747U (zh) * | 2013-12-10 | 2014-06-21 | Apex Opto Corp | Led點矩陣顯示器 |
CN103730090B (zh) * | 2014-01-13 | 2015-10-14 | 西北工业大学 | Oled发光效率经时衰减的数字补偿校正电路及方法 |
JP6133227B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2017-05-24 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
CN104021773B (zh) * | 2014-05-30 | 2015-09-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示器件的亮度补偿方法、亮度补偿装置及显示器件 |
US10535640B2 (en) * | 2014-10-31 | 2020-01-14 | eLux Inc. | System and method for the fluidic assembly of micro-LEDs utilizing negative pressure |
US10192950B2 (en) * | 2015-01-06 | 2019-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display module and multi-display device including the same |
CN106033156B (zh) * | 2015-03-12 | 2019-11-05 | 中强光电股份有限公司 | 显示装置及显示方法 |
US11061276B2 (en) * | 2015-06-18 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Laser array display |
CN105094491B (zh) * | 2015-08-24 | 2018-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控显示面板及其制作方法、驱动方法和触控显示装置 |
JP6415736B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2018-10-31 | シャープ株式会社 | 画像表示装置および画像表示素子の製造方法 |
CN106684108B (zh) * | 2015-11-05 | 2019-10-08 | 群创光电股份有限公司 | 发光二极管显示设备 |
DE102016103324A1 (de) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Videowand-Modul und Verfahren zum Herstellen eines Videowand-Moduls |
CN107293255B (zh) * | 2016-04-05 | 2019-07-26 | 上海和辉光电有限公司 | 显示装置及其驱动方法 |
KR102547686B1 (ko) * | 2016-04-11 | 2023-06-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
JP6612189B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2019-11-27 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、半導体装置、および、配線基板の製造方法 |
TWI602306B (zh) * | 2016-07-05 | 2017-10-11 | Innolux Corp | 陣列基板結構與顯示裝置 |
JP6727047B2 (ja) * | 2016-07-12 | 2020-07-22 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
TW201814880A (zh) * | 2016-09-26 | 2018-04-16 | 啟端光電股份有限公司 | 頂部發光型微發光二極體顯示器與底部發光型微發光二極體顯示器及其形成方法 |
US10467952B2 (en) * | 2016-10-12 | 2019-11-05 | Shaoher Pan | Integrated light-emitting diode arrays for displays |
KR102565752B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2023-08-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치와 그 구동 장치 |
TWI607559B (zh) * | 2017-01-10 | 2017-12-01 | 錼創科技股份有限公司 | 顯示面板 |
CN109213344B (zh) * | 2017-06-29 | 2020-10-30 | 上海耕岩智能科技有限公司 | 一种折叠式显示屏的触点识别方法和装置 |
EP3422827B1 (en) * | 2017-06-30 | 2024-04-24 | LG Display Co., Ltd. | Display device and method for fabricating the same |
CN109216525B (zh) * | 2017-07-04 | 2021-08-10 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 发光模块及显示装置 |
KR102514755B1 (ko) | 2017-07-10 | 2023-03-29 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 엘이디 디스플레이 및 그 제작 방법 |
WO2019026858A1 (ja) * | 2017-07-31 | 2019-02-07 | 大日本印刷株式会社 | 表示パネルおよび表示装置 |
US10546913B2 (en) * | 2017-08-01 | 2020-01-28 | Innolux Corporation | Tile display devices and display devices |
TWI639230B (zh) * | 2017-08-03 | 2018-10-21 | 錼創科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示面板 |
CN206977607U (zh) * | 2017-08-11 | 2018-02-06 | 南京美卡数字科技有限公司 | 一种三维图形处理中的立体图像显示装置 |
KR102427082B1 (ko) * | 2017-12-15 | 2022-07-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로led 표시장치 및 그 구동방법 |
KR102509877B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2023-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로 led 표시 패널 및 그 제조 방법 |
CN110033709A (zh) * | 2018-01-11 | 2019-07-19 | 启端光电股份有限公司 | 微发光二极管显示面板 |
CN208315549U (zh) * | 2018-03-07 | 2019-01-01 | 深圳市玲涛光电科技有限公司 | 发光装置 |
US10950685B2 (en) * | 2018-03-29 | 2021-03-16 | Innolux Corporation | Tiled electronic device |
CN110349981B (zh) * | 2018-04-02 | 2022-11-18 | 上海耕岩智能科技有限公司 | 一种显示屏集成红外像素的光侦测装置 |
CN115951521A (zh) * | 2018-04-19 | 2023-04-11 | 群创光电股份有限公司 | 发光模块及显示设备 |
WO2019225708A1 (ja) * | 2018-05-25 | 2019-11-28 | 大日本印刷株式会社 | 表示装置用配線基板および表示装置、ならびに配線基板とその作製方法 |
US10763249B2 (en) * | 2018-05-31 | 2020-09-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image display device |
CN208189154U (zh) * | 2018-06-13 | 2018-12-04 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种拉伸显示屏及显示装置 |
US10714001B2 (en) * | 2018-07-11 | 2020-07-14 | X Display Company Technology Limited | Micro-light-emitting-diode displays |
KR102535148B1 (ko) * | 2018-07-18 | 2023-05-22 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 이용한 대형 디스플레이 장치 |
CN110838500B (zh) * | 2018-08-17 | 2023-02-28 | 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示装置 |
CN110875346A (zh) * | 2018-09-04 | 2020-03-10 | 启端光电股份有限公司 | 顶部与底部发光型微发光二极管显示器及其形成方法 |
CN111028697A (zh) * | 2018-10-09 | 2020-04-17 | 财团法人工业技术研究院 | 拼接显示装置 |
CN111105720A (zh) * | 2018-10-09 | 2020-05-05 | 财团法人工业技术研究院 | 拼接显示装置 |
CN111081694B (zh) * | 2018-10-18 | 2022-03-22 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置、拼接电子设备与其操作方法 |
CN209215803U (zh) * | 2018-11-08 | 2019-08-06 | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 | 一种显示组件及其电子设备 |
CN111179765B (zh) * | 2018-11-12 | 2021-09-10 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
JP6915029B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2021-08-04 | シャープ株式会社 | マイクロ発光素子及び画像表示素子 |
CN109378370B (zh) * | 2018-12-05 | 2020-08-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 微型led的转移设备、显示基板的制造系统及制造方法 |
CN109584730B (zh) * | 2018-12-18 | 2024-04-02 | 深圳市奥拓电子股份有限公司 | 拼接显示屏 |
CN111343794A (zh) * | 2018-12-19 | 2020-06-26 | 同扬光电(江苏)有限公司 | 柔性线路板结构及其制作方法 |
US11942334B2 (en) * | 2018-12-21 | 2024-03-26 | Intel Corporation | Microelectronic assemblies having conductive structures with different thicknesses |
CN110233200B (zh) * | 2019-05-13 | 2024-03-05 | 厦门云天半导体科技有限公司 | 一种Micro LED的三维集成结构和制作方法 |
CN110379322A (zh) * | 2019-07-15 | 2019-10-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示模组及显示装置 |
CN110491896B (zh) * | 2019-08-16 | 2022-01-04 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光元件显示装置及其制造方法 |
CN210666266U (zh) * | 2019-08-20 | 2020-06-02 | 海信视像科技股份有限公司 | 一种显示装置及背光模组 |
CN110783324B (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-16 | 季华实验室 | 高密度Micro LED夹层结构有源驱动显示单元 |
CN111430403B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-11-22 | 上海天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111540764A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-08-14 | 上海天马微电子有限公司 | 发光装置及其制造方法、背光模组、显示面板和显示装置 |
-
2020
- 2020-12-03 TW TW109142526A patent/TWI757996B/zh active
- 2020-12-03 TW TW111113636A patent/TWI823332B/zh active
- 2020-12-03 CN CN202011400380.XA patent/CN112530926B/zh active Active
- 2020-12-03 CN CN202011400387.1A patent/CN112599510B/zh active Active
- 2020-12-03 TW TW109142527A patent/TWI764404B/zh active
- 2020-12-23 TW TW109145631A patent/TWI753715B/zh active
- 2020-12-23 CN CN202011539053.2A patent/CN112670312B/zh active Active
- 2020-12-29 CN CN202011599900.4A patent/CN112713142B/zh active Active
- 2020-12-29 TW TW109146585A patent/TWI745206B/zh active
-
2021
- 2021-01-20 CN CN202110075893.6A patent/CN112786577B/zh active Active
- 2021-01-20 TW TW110102043A patent/TWI751000B/zh active
- 2021-02-24 US US17/184,513 patent/US11652077B2/en active Active
- 2021-03-30 CN CN202110342311.6A patent/CN113035079B/zh active Active
- 2021-03-30 TW TW110111460A patent/TWI765629B/zh active
- 2021-06-03 KR KR1020210072136A patent/KR102543408B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201938173A (zh) * | 2018-02-20 | 2019-10-01 | 國立大學法人東京工業大學 | 對硼酸基苯丙胺酸衍生物及含有該衍生物之組成物,以及用以製造此等之套組 |
TW201947757A (zh) * | 2018-05-08 | 2019-12-16 | 大陸商業成科技(成都)有限公司 | 顯示面板、製備方法及應用該顯示面板的電子裝置 |
US20200144465A1 (en) * | 2018-11-07 | 2020-05-07 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202209714A (zh) | 2022-03-01 |
US11652077B2 (en) | 2023-05-16 |
CN112670312B (zh) | 2023-05-02 |
TWI745206B (zh) | 2021-11-01 |
CN112530926A (zh) | 2021-03-19 |
TWI757996B (zh) | 2022-03-11 |
TWI765629B (zh) | 2022-05-21 |
CN112530926B (zh) | 2023-04-18 |
TW202230775A (zh) | 2022-08-01 |
KR20220025653A (ko) | 2022-03-03 |
TW202209279A (zh) | 2022-03-01 |
TW202209287A (zh) | 2022-03-01 |
TWI764404B (zh) | 2022-05-11 |
KR102543408B1 (ko) | 2023-06-14 |
TW202209286A (zh) | 2022-03-01 |
CN112599510B (zh) | 2022-11-08 |
US20220059510A1 (en) | 2022-02-24 |
CN112599510A (zh) | 2021-04-02 |
TW202209725A (zh) | 2022-03-01 |
CN112713142A (zh) | 2021-04-27 |
TWI753715B (zh) | 2022-01-21 |
CN113035079B (zh) | 2023-04-18 |
CN112786577A (zh) | 2021-05-11 |
CN112786577B (zh) | 2023-04-18 |
CN112713142B (zh) | 2023-05-16 |
TW202209282A (zh) | 2022-03-01 |
TWI823332B (zh) | 2023-11-21 |
CN112670312A (zh) | 2021-04-16 |
CN113035079A (zh) | 2021-06-25 |
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