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TW202209725A - 微型發光二極體顯示器以及其控制器 - Google Patents

微型發光二極體顯示器以及其控制器 Download PDF

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TW202209725A
TW202209725A TW110111460A TW110111460A TW202209725A TW 202209725 A TW202209725 A TW 202209725A TW 110111460 A TW110111460 A TW 110111460A TW 110111460 A TW110111460 A TW 110111460A TW 202209725 A TW202209725 A TW 202209725A
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controller
micro
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蘇柏仁
蔡昆華
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錼創顯示科技股份有限公司
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Publication date
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Abstract

一種微型發光二極體顯示器以及其控制器被提出。微型發光二極體顯示器包括電路基板、多個微型發光二極體裝置以及控制器。微型發光二極體裝置設置在電路基板的第一表面上。微型發光二極體裝置分別具有多個畫素陣列。控制器由電路基板所承載，用以傳送多個控制信號以分別控制微型發光二極體裝置之畫素陣列的顯示狀態。

Description

微型發光二極體顯示器以及其控制器
本發明是有關於一種微型發光二極體顯示器以及其控制器，且特別是有關於一種可提高解析度以及顯示品質的微型發光二極體顯示器以及其控制器。
隨著電子科技的進步，在電子產品中設置高品質的顯示介面，以成為一種重要的趨勢。在發光二極體的微型化技術成功被發展後，以微型發光二極體來進行設計的顯示器成為一種主流。在習知的技術領域中，常在微型發光二極體顯示器中設置多個微型發光二極體顯示裝置，並對應微型發光二極體顯示裝置設置多個控制器，以使多個控制器可分別對應多個微型發光二極體顯示裝置執行一對一的控制動作。
然而，這樣的設置方式會使得多個微型發光二極體顯示裝置在佈局上，彼此間需要一定的間隔距離。如此一來，微型發光二極體顯示器的解析度會受到限制而無法有效被提升。
本發明提供一種微型發光二極體顯示器以及其控制器，可提高佈局密度並提升顯示品質。
本發明的微型發光二極體顯示器包括第一電路基板、多個第一微型發光二極體裝置以及第一控制器。第一微型發光二極體裝置設置在第一電路基板的第一表面上，第一微型發光二極體裝置分別具有多個第一畫素陣列。第一控制器由第一電路基板所承載，用以傳送多個第一控制信號以分別控制第一微型發光二極體裝置之第一畫素陣列的顯示狀態。
本發明的控制器用以驅動微型發光二極體顯示器。控制器包括介面電路、資料驅動電路以及核心電路。介面電路基於模式設定信號，依據時脈信號以接收命令/資料信號來獲得命令資訊及顯示資訊。資料驅動電路用以產生多個控制信號以分別控制多個畫素陣列的顯示狀態。核心電路耦接介面電路以及資料驅動電路。核心電路用以依據各畫素陣列的多個微型發光二極體的排列方式以針對顯示資訊執行像素排列運算來產生補償後顯示資訊，其中資料驅動電路依據補償後顯示資訊以產生控制信號以分別驅動多個微型發光二極體顯示裝置。
基於上述，本發明的微型發光二極體顯示器透過第一控制器來操控多個微型發光二極體裝置的顯示狀態。如此一來，多個微型發光二極體裝置間的佈局間距可以被減小，可提升微型發光二極體顯示器的解析度。另外，本發明實施例中的第一控制器可依據各個畫素陣列中的多個微型發光二極體的排列方式以針對顯示資訊執行像素排列運算，並進以提升顯示的品質。
請參照圖1，圖1繪示本發明一實施例的微型發光二極體顯示器的示意圖。微型發光二極體顯示器100包括電路基板110、微型發光二極體裝置121~123以及控制器130。電路基板110可以為印刷電路基板（printed circuit board, PCB）或其他具有驅動線路的基板。微型發光二極體裝置121~123可以設置在電路基板110的第一表面S1上，其中，微型發光二極體裝置121~123分別具有由微型發光二極體所構成的多個畫素陣列。微型發光二極體裝置121~123並與電路基板110上的多條傳輸導線所形成的傳輸導線層111電性連接。其中，傳輸導線層111形成在電路基板110的第一表面S1上，並介於電路基板110的第一表面S1與微型發光二極體裝置121~123間。
控制器130可以被承載在電路基板110上，並可透過導電凸塊SB以電性連接至傳輸導線層111。控制器130用以傳送多個控制信號，以分別控制微型發光二極體裝置121~123之畫素陣列中的每一畫素P的顯示狀態。相鄰畫素P間具有光吸收層BM。在本實施例中，單一控制器130可控制三個或三個以上的微型發光二極體裝置，並有效提升微型發光二極體顯示器所產生的顯示圖像的精細度。
在本實施例中，多個微型發光二極體裝置121~123中的每一畫素P的顯示狀態可以共同由控制器130來進行控制，因此，相較於習知每一微型發光二極體裝置都需對應有控制器，微型發光二極體裝置121~123在電路基板110中，彼此的間距可以有效的被縮小，可提升固定尺寸的顯示面板上的微型發光二極體裝置的數量，提升顯示解析度。
在本實施例中，微型發光二極體裝置121~123的每一者的畫素陣列可以具有n乘以m個畫素P，其中的n、m為大於等於4的整數，且每一畫素P間距可以小於等於0.6毫米，可有更佳的顯示效果，小於4會讓每一微型發光二極體裝置的顯示精細度不夠。每一畫素P則可以由多個微型發光二極體所組成，其中微型發光二極體長寬尺寸小於等於50微米，搭配每一畫素P間距可以小於等於0.5毫米，可讓顯示精細度更佳。此外，本發明實施例中，微型發光二極體裝置121~123的數量沒有固定的限制，圖1繪示的3個微型發光二極體裝置121~123僅只是說明用的範例，不用以限縮本發明的實施範疇。
以下請參照圖2A以及圖2B，圖2A繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中的微型發光二極體裝置的結構示意圖，圖2B則繪示本發明另一實施例的微型發光二極體顯示器的示意圖。微型發光二極體裝置200包括混光層210、光學膠層220、光吸收層BM以及走線層230。混光層210設置在光學膠層220上，光學膠層220下則具有走線層230。微型發光二極體LED所形成的畫素陣列則設置在走線層230上，並位於光學膠層220中，其中每一畫素P包括至少三個不同光色的微型發光二極體LED。光吸收層BM可由黑色光阻形成的黑色矩陣，具可以吸光擋光功能，可能避免每一畫素P互相干擾。
在圖2B中，微型發光二極體顯示器201包括如圖2A繪示的多個微型發光二極體裝置200、電路基板2011以及控制器2013。微型發光二極體裝置200設置在電路基板2011上。微型發光二極體裝置200的走線層230並與電路基板2011上的傳輸導線層2014相互電性連接。透過走線層230的重新佈線，的可簡化電路基板2011上所需的傳輸導線層2014，使得顯示器更為輕薄。在本實施例中，微型發光二極體裝置200的走線層230可透過導電凸塊（例如錫鉛球）BP以電性連接至傳輸導線層2014。
在本實施例中，控制器2013可內埋在電路基板2011中，並透過多個導電通孔（via）以電性耦接至走線層230。在本發明其他實施例中，控制器2013也可以設置在電路基板2011的第一表面上（上表面）或第二表面（下表面）上。其中，微型發光二極體裝置200設置在電路基板2011的第一表面上（上表面）。
請參照圖3A至圖3F，圖3A、3B繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器的俯視圖，圖3C至圖3F則繪示本發明不同實施例的微型發光二極體顯示器的剖面圖。在圖3A中，微型發光二極體顯示器300包括電路基板310、多個微型發光二極體顯示裝置320以及控制器330。其中，控制器330設置在電路基板310上的一側邊，微型發光二極體顯示裝置320則設置在電路基板310上的另一側邊。值得注意的，微型發光二極體裝置320在電路基板310的正向投影，與控制器330在電路基板310的正向投影是不相重疊的。這樣的配置，可以使控制器330不會受到微型發光二極體裝置320所發送的光線的影響，而降低了工作的表現度。
在圖3B中，本發明實施例的微型發光二極體顯示器300中，微型發光二極體顯示裝置320可以設置在控制器330周圍。透過這樣的設計，可以使控制器330與微型發光二極體顯示裝置320間的布線長度以及複雜度降低。
另外，在圖3C中，本發明實施例的微型發光二極體顯示器300中，控制器330可以與微型發光二極體顯示裝置320設置在電路基板310的相同表面上。或者，控制器330也可以與微型發光二極體顯示裝置320設置在電路基板310的不相同的表面上，沒有固定的限制。
在圖3D中控制器330則可以內埋在電路基板310中。而在圖3E中，控制器330可以與微型發光二極體顯示裝置320設置在電路基板310的不相同的表面上，且在電路基板310與控制器330間並設置一光吸收層BM。光吸收層BM用來使控制器330不會受到微型發光二極體裝置320所發送的光線的影響。光吸收層BM例如為黑色光阻，可用以吸收光線或遮擋光線。或者，控制器330也可以與微型發光二極體顯示裝置320設置在電路基板310的相同的表面上，且在電路基板310與控制器330間並設置一光吸收層BM。
在圖3F中，控制器330與微型發光二極體顯示裝置320設置在電路基板310的相同的表面上。且控制器330與微型發光二極體顯示裝置320間可設置光吸收層BM。光吸收層BM用來使控制器330不會受到微型發光二極體裝置320所發送的光線的影響。
關於圖2B實施例中的走線層230，也可以透過多層線路的結構來設計。在此請參照圖4繪示的本發明實施例的微型發光二極體裝置中走線層的實施方式的示意圖。在圖4中，微型發光二極體裝置400的走線層以多層線路410的結構來設計。其中，多層線路層410包括多個導電通孔419，其中頂部線路層412、內部線路層416與底部線路層414透過導電通孔419電性連接。意即，頂部線路層412與內部線路層416是透過導電通孔419電性連接，而內部線路層416與底部線路層414也是透過導電通孔419電性連接。圖4僅繪示一個剖面，僅可看到頂部線路層412與內部線路層416是透過導電通孔419電性連接。於另一未繪示的剖面中，內部線路層416與底部線路層414也是透過導電通孔419電性連接。特別是，導電通孔419於底部線路層414上的正投影可不重疊於微型發光二極體420R、420G、420B於底部線路層414上的正投影。也就是說，以俯視觀之，微型發光二極體420R、420G、420B的位置與導電通孔419的位置完全不重疊。更進一步來說，本實施例的內部線路層416包括多條線路圖案417，其中每一發光畫素P（由微型發光二極體420R、420G、420B所構成）於底部線路層414上的正投影也完全重疊於對應的線路圖案417內。此處，每一微型發光二極體420R、420G、420B於底部線路層414上的正投影完全地重疊於對應的線路圖案417內。其中微型發光二極體420R、420G、420B可以分別發送不同波長的光束。
另外，本實施例的微型發光二極體裝置400還包括一表面處理層450，其中表面處理層450配置於絕緣層440所暴露出的接墊415的部分頂面上。較佳地，表面處理層450的材質例如是化鎳浸金（Electroless Nickel and Immersion Gold，ENIG），可有效地避免或減少被絕緣層440所暴露出的接墊415產生氧化現象。
在圖4中，畫素P間可設置光吸收層BM，可防止畫素P間發送的光相互產生影響。
以下請參照圖5A，圖5A繪示本發明一實施例的拼接式的微型發光二極體顯示器的示意圖。微型發光二極體顯示器500包括多個電路基板510-1以及510-2。電路基板510-1、510-2上分別承載多個控制器530-1以及530-2，以及多組的微型發光二極體裝置521-1~523-1以及521-2~523-2。
在本實施例中，控制器530-1用以控制多個微型發光二極體裝置521-1~523-1的顯示狀態，控制器530-2則用以控制多個微型發光二極體裝置521-2~523-2的顯示狀態。如此一來，設置在相同電路基板510-1（電路基板510-2）的微型發光二極體裝置521-1~523-1（微型發光二極體裝置521-2~523-2）的佈局間隔可以有效的被縮減，提升顯示影像的解析度。
附帶一提的，本實施例中的電路基板510-1、510-2的數量並不限於2個，且可以更多。電路基板510-1、510-2的排列方式則可以依據規則的陣列方式來進行，或也可以不規則的任意排列，並沒有特別的限制。
另外，在本實施例中，電路基板510-1上所承載的微型發光二極體裝置521-1~523-1所可以呈現的解析度，與電路基板510-2上所承載的微型發光二極體裝置521-2~523-2所可以呈現的解析度可以相同，或也可以不相同，並沒有一定的限制。設計者可以依據使用上的需求，透過設定微型發光二極體裝置521-1~523-1、521-2~523-2的解析度，來設定微型發光二極體顯示器500中任一區域的解析度。
以下請參照圖5B，圖5B繪示本發明另一實施例的拼接式的微型發光二極體顯示器的示意圖。與圖5A實施例不相同的，相鄰的任二微型發光二極體裝置521-1~523-1間可設置光遮結構540。相鄰的任二微型發光二極體裝置521-2~523-2間同樣可設置光遮結構540。光遮結構540用以避免微型發光二極體裝置521-1~523-1、微型發光二極體裝置521-2~523-2彼此間的光的相互影響，可提升顯示的品質。亦可以在任二微型發光二極體裝置521-2~523-2間設置另一光遮結構（未繪示），避免微型發光二極體顯示器彼此間的光的相互影響。
以下請參照圖6，圖6繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中的控制器的示意圖。控制器600包括介面電路610、核心電路620以及資料驅動器630。介面電路610基於一模式設定信號IM，依據時脈信號SCL以接收命令/資料信號SDA來獲得命令資訊及顯示資訊。介面電路610可以包括串列周邊介面（Serial Peripheral Interface, SPI），並依據時脈信號SCL來接收為串列信號的命令/資料信號SDA，以獲得命令資訊CMDI及顯示資訊DSPI。
核心電路620耦接至介面電路610以接收命令資訊CMDI及顯示資訊DSPI。核心電路620並依據微型發光二極體顯示器中，每一個微型發光二極體裝置中的畫素陣列的多個微型發光二極體的排列方式，以針對顯示資訊DSPI執行像素排列運算來產生補償後顯示資訊CDSPI。其中，每一個微型發光二極體裝置中的畫素陣列的多個微型發光二極體的排列方式可以預先被記錄在記憶體中。核心電路620並可透過存取記憶體以獲取每一個微型發光二極體裝置中的畫素陣列的多個微型發光二極體的排列方式，並據以執行像素排列運算來獲得補償後顯示資訊CDSPI。
資料驅動器630耦接至核心電路620。資料驅動器630接收補償後顯示資訊CDSPI，並依據補償後顯示資訊CDSPI以產生控制信號DataX以控制每一個微型發光二極體裝置的顯示狀態。
此外，核心電路620還可依據影像解缺陷（de-Mura）資訊以針對顯示資訊DSPI進行調整以產生解缺陷顯示資訊。其中，微型發光二極體顯示器的影像缺陷資訊可以預先被偵測。影像解缺陷資訊可依據偵測出的影像缺陷資訊來獲得，並預先儲存在記憶體中。核心電路620可透過存取記憶體已獲得影像解缺陷資訊，並據以執行顯示資訊DSPI的調整動作。在本實施例中，核心電路620可透過查找映射表的方式，並搭配內插法的運算來執行顯示資訊DSPI的解缺陷動作。
在另一方面，核心電路620還可操作在熄屏顯示（always on display, AOD）模式下。在熄屏顯示模式下，核心電路620可使介面電路610停止由外界接收顯示資訊DSPI，使記憶體提供顯示資訊DSPI以作為產生控制信號DataX的依據，並使一電荷泵電路啟動以產生升壓電源。在此時，控制器600可提供升壓電源至微型發光二極體裝置，並作為微型發光二極體裝置的操作電源。微型發光二極體裝置則可基於這個操作電源，依據控制信號DataX來執行畫面的顯示動作。
由於在熄屏顯示模式下，顯示資訊DSPI不再由外界接收，可以節省介面電路610所需要消耗的電力。另外，微型發光二極體裝置不再接收外界供應的電源以作為操作電源，改應用內部的電荷泵電路所產生升壓電源以作為操作電源，同樣可以節省電力的消耗。
附帶一提的，在熄屏顯示模式下，記憶體所提供的顯示資訊DSPI可以為單一畫面的靜態顯示影像，也可以是具有多個畫面的動態影像，沒有特定的限制。
在硬體架構方面，核心電路620可以由數位電路來建構。本領域具通常知識者可應用各種習知的數位電路設計方式來實現核心電路620，沒有固定的限制。
在另一方面，控制器600另可設置溫度感測器（未繪示）。溫度感測器可用以偵測環境溫度。控制器600並可依據環境溫度的變化，來調整所產生的控制信號DataX，並進以優化顯示的品質。
在本實施例中，資料驅動電路630可以是多個多工器電路。多工器電路可用以分時的傳輸補償後顯示資訊CDSPI以產生控制信號DataX，並操控多個微型發光二極體裝置的顯示狀態。
請參照圖7，圖7繪示本發明另一實施例的微型發光二極體顯示器中的控制器的示意圖。控制器700包括介面電路710、色彩引擎電路720、解缺陷器731、資料驅動電路740、靜態記憶體750、伽瑪電路760、指令控制器770、非揮發性記憶體780、類比控制器790、電壓調整器7100、振盪器7110、開/短路偵測器7120、時序控制器7130、閂鎖器7140、驅動方式選擇電路7150、掃描驅動器7160以及溫度感測器7170。介面電路710具有測試模式介面711、面板控制介面712、串列周邊（SPI）介面713以及識別控制介面714。測試模式介面711收發測試輸入信號TIN以及測試輸出信號TOU。面板控制介面712收發通用目的輸入輸出信號GPIO並接收重置信號RESX。SPI介面接收時脈信號SCL，並依據時脈信號SCL以接收命令/資料信號SDA。SPI介面並可依據晶片選擇信號CSX以被啟動。識別控制介面714則接收識別認證信號SCID_IN以及HCID[1:0]。
SPI介面713依據命令/資料信號SDA可獲得命令資訊及顯示資訊。顯示資訊可以被傳送至色彩引擎電路720、伽瑪電路760以及靜態記憶體750。命令資訊可被傳送至色彩引擎電路720。伽瑪電路760可針對顯示資訊執行伽瑪轉換。解缺陷器731耦接至色彩引擎電路720以及伽瑪電路760。解缺陷器731針對伽瑪轉換後的顯示資訊執行解缺陷動作，並將解缺陷後的顯示資訊傳送至色彩引擎電路720。色彩引擎電路720則可針對解缺陷後的顯示資訊執行像素排列運算來產生補償後顯示資訊，並將補償後顯示資訊傳送至閂鎖器7140。在本實施例中，解缺陷器731以及色彩引擎電路720可以設置在核心電路中。
在另一方面，時序控制器7130接收同步信號SynGCLK，並依據同步信號SynGCLK以產生控制顯示動作的時序信號。閂鎖器7140則依據時序控制器7130所產生的時序信號來提供補償後顯示資訊至驅動方式選擇電路7140。驅動方式選擇電路7140則依據時序控制器7130所產生的時序信號以提供控制信號至掃描驅動電路7160以及資料驅動電路740中。
掃描驅動電路7160用以產生針對微型發光二極體裝置的畫素陣列的各個顯示列執行掃描動作的掃描信號ScanX，資料驅動電路740則產生對應掃描信號ScanX的控制信號DataX。在本實施例中，控制信號DataX為對應掃描信號ScanX的畫素的顯示強度。
在電壓產生的機制上，類比控制器780耦接至指令控制電路770。類比控制器780並控制電壓調整器7100以產生測試電壓VTEST以及掃描電壓VScanH。類比控制器780另可產生參考電壓VR。
在本實施例中，靜態記憶體750、非揮發性記憶體780可以用儲存控制器700執行運算所需要的任意資訊。控制器700並可耦接外接的快閃記憶體701以進行任意資訊的讀取動作。
此外，振盪器7110用以產生時脈信號，其中時脈信號提供控制器700做為執行動作的基準。開/短路偵測器7120用以偵測控制器700的接腳有無發生開路或短路的現象，並據以啟動保護的動作。溫度感測器7170用以感測環境溫度，並將相關資訊提供至控制器700中的任意的內部電路中。
控制器700可以應用單一晶粒的形式來構成，也可以應用系統中封裝（system in package, SIP）的方式以形成單一個積體電路來實施。
以下請參照圖8，圖8繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中控制器的色彩引擎電路的實施方式的示意圖。色彩引擎電路800包括電流限制器810、色彩控制器820、像素排列運算器830、色彩補償器840以及伽瑪校正器850。電流限制器810接收顯示資訊DSPI，用以利用一演算法，基於顯示資訊DSPI的更新頻率來限制輸出電流以達到節電的功效。色彩控制器820耦接至電流限制器810，用以依據設定色彩模式來調整顯示資訊DSPI。設定色彩模式可以包括一般模式、加強模式或標準色域模式等。像素排列運算器830耦接色彩控制器820，依據微型發光二極體的排列資訊，以針對顯示資訊執行像素排列運算以產生運算結果CROUT。其中，微型發光二極體的排列資訊可預先被儲存在記憶體801中。記憶體801耦接至色彩引擎電路800，並提供色彩引擎電路800進行讀取。
色彩補償器840耦接至像素排列運算器830。色彩補償器820依據像素排列運算器830所產生的運算結果CROUT來針對顯示資訊DSPI進行補償以產生補償顯示資訊CDSPI，並用以對應每一畫素的微型發光二極體的排列方式來調整顯示資訊DSPI，提升所產生的顯示影像的表現度。伽瑪校正器850耦接至色彩補償器840，並用以針對調整顯示資訊CDSPI以執行伽瑪校正動作。
在此請注意，微型發光二極體的排列方式可以有很多種不同的選擇。請參照圖9A至圖9D，圖9A至圖9D繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中，單一畫素陣列中微型發光二極體的排列方式的多種實施方式的示意圖。在圖9A中，畫素P1~P4可依陣列的方式進行排列。其中，畫素P1~P4分別包括子畫素SP11~SP13、SP21~SP23、SP31~SP33以及SP41~SP43。子畫素SP11、SP21、SP31、SP41的第一端可接收正極性的驅動電壓R+；子畫素SP11、SP21、SP31、SP41的第二端可接收負極性的驅動電壓R-；子畫素SP12、SP22、SP32、SP42的第一端可接收正極性的驅動電壓G+；子畫素SP12、SP22、SP32、SP42的第二端可接收負極性的驅動電壓G-；子畫素SP13、SP23、SP33、SP43的第一端可接收正極性的驅動電壓B+；子畫素SP13、SP23、SP33、SP43的第二端可接收負極性的驅動電壓B-。
在本實施方式中，以畫素P1為範例，其中的子畫素SP11~SP13可整齊地依序排列在畫素P1中。
在圖9B中，畫素P1~P4同樣可依陣列的方式進行排列。相較於圖9A的實施方式，在圖9B中，以畫素P1為範例，畫素P1中的多個子畫素SP13、SP12可依據相同的第一走向（直向）排列在畫素P1的第一側，子畫素SP11則依據第二走向（橫向）排列在畫素P1的第二側。
在圖9C中，畫素P1~P6可依陣列的方式進行排列。與前述實施方式不相同的，本實施方式中的每一畫素P1~P6並不單獨擁有三個子畫素。其中，畫素P1具有子畫素SP11~SP13，而其中的子畫素SP13與畫素P2共用。畫素P2則包括部分的子畫素SP13以及子畫素SP21、SP22，而子畫素SP21、SP22則可與畫素P3共用。畫素P3則包括部分的子畫素SP21、SP22以及子畫素SP33。在另一顯示行，畫素P4具有子畫素SP41~SP43，而其中的子畫素SP41、SP42與畫素P5共用。畫素P5則包括子畫素SP53以及部分的子畫素SP41、SP42，而子畫素SP54則可與畫素P6共用。畫素P6包括部分的子畫素SP54以及子畫素SP61、SP62。
在本實施例中，同一畫素（以畫素P1為例）的多個子畫素（以子畫素SP11~SP13為例）可依據三個不同的走向進行設置，其中子畫素SP11中的任二者的走向可相差120度。
另外，被共用的子畫素中（以子畫素SP13為例），子畫素SP13設置在畫素P1以及P2中的尺寸可以由設計者依據實際的需求自行調整，沒有固定的限制。
在圖9D中，畫素P1~P6可依陣列的方式進行排列。其中，畫素P1~P6中子畫素SP11~SP62的分配芬是可以與圖9C的實施例相同。與前述實施方式不相同的，本實施方式中的子畫素SP11~SP62的走向可以均為第二走向（橫向）。當然，在本發明其他實施方式中，子畫素SP11~SP62的走向也可以均為第一走向（直向）。
值得一提的，上述圖9A~圖9D所提出的多種畫素、子畫素的配置方式，僅只是說明用的範例，不用以限制本發明的範疇。凡本領域具通常知識者，透過上述兩個或兩個以上的實施方式進行結合所可以得知的配置方式均可以應用於本發明。
以下請參照圖10，圖10繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中控制器的解缺陷器的實施方式的示意圖。解缺陷器1000包括解壓縮電路1010、內插運算電路1020、映射表1030以及正規化電路1040。解缺陷器1000並可耦接至快閃記憶體1002以及靜態記憶體1001。解壓縮電路1010可針對壓縮後影像解缺陷資訊CMURAI進行解壓縮動作以獲得影像解缺陷資訊MURAI。其中，為節省儲存空間，影像解缺陷資訊MURAI可預先以壓縮的形式被儲存在快閃記憶體1002中。當要執行解缺陷動作時，解缺陷器1000可先讀取快閃記憶體1002中的壓縮後影像解缺陷資訊CMURAI，並透過解壓縮電路1010所執行的解壓縮動作來獲得影像解缺陷資訊MURAI。
接著，內插運算電路1020可依據解缺陷演算法以針對影像解缺陷資訊MURAI執行內插運算來產生分別對應多個畫素的多個補償差值。解缺陷器1000並透過映射表1030以依據補償差值來獲得補償後顯示資訊。為限制補償後顯示資訊的量值大小，解缺陷器1000可透過正規化電路1040以針對補償後顯示資訊執行正規化（normalize）動作，並將正規畫後的結果進行輸出。
在本實施例中，映射表1030可針對顯示資訊中對應三種不同波長的顯示資訊進行映射。請參照圖11繪示的本發明實施例的解缺陷器中的映射表的實施方式的示意圖。其中映射表可包括對應紅色、綠色、藍色顯示畫素的三個映射表1110~1130。映射表1110~1130分別接收對應不同顏色的顯示資訊RI、GI以及BI。其中，顯示資訊RI、GI以及BI的每一者例如為具有8個位元的資訊。映射表1110~1130中分別記錄微型發光二極體顯示器中，顯示面板的不同區域中，對應不同顏色的畫素的解缺陷資訊。透過映射表1110~1130的映射動作，可以分別產生補償後顯示資訊RI’、GI’以及BI’。其中，補償後顯示資訊RI’、GI’以及BI’的每一者可以為具有16個位元的資訊。
如此一來，透過補償後顯示資訊RI’、GI’以及BI’來進行微型發光二極體的驅動動作，可以使微型發光二極體具有16個位元的解析度。
綜上所述，本發明的微型發光二極體顯示器透過單一控制器以控制多個微型發光二極體裝置的顯示狀態。如此一來，微型發光二極體裝置間的佈局間距可以減小，可提升顯示影像的解析度。本發明實施例的控制器並針對顯示資訊以依據微型發光二極體的排列方式來執行像素排列運算，並據以產生補償後顯示資訊。可有效提升顯示影像的顯示品質。
100、300、500:微型發光二極體顯示器 1001:靜態記憶體 1002、701:快閃記憶體 1010:解壓縮電路 1020:內插運算電路 1030、1110~1130:映射表 1040:正規化電路 110、2011、310、510-1、510-2:電路基板 111:傳輸導線層 121~123、200、320、400、521-1~523-1、521-2~523-2:微型發光二極體裝置 130、2013、330、530-1、530-2、600、700:控制器 210:混光層 220:光學膠層 230:走線層 240:光遮結構 410:多層線路層 412:頂部線路層 414:底部線路層 415:接墊 416:內部線路層 419:導電通孔 440:絕緣層 450:表面處理層 610、710:介面電路 620:核心電路 630:資料驅動器 711:測試模式介面 712:面板控制介面 713:SPI介面 714:識別控制介面 7100:電壓調整器 7110:振盪器 7120:開/短路偵測器 7130:時序控制器 7140:閂鎖器 7150:驅動方式選擇電路 7160:掃描驅動器 7170:溫度感測器 720、800:色彩引擎電路 731、1000:解缺陷器 740:資料驅動電路 750:靜態記憶體 760:伽瑪電路 770:指令控制器 780:非揮發性記憶體 790:類比控制器 801:記憶體 810:電流限制器 820:色彩控制器 830:像素排列運算器 840:色彩補償器 850:伽瑪校正器 BP:導電凸塊 BM:光吸收層 CDSPI:補償後顯示資訊 CMDI:命令資訊 CMURAI:壓縮後影像解缺陷資訊 CROUT:運算結果 DataX:控制信號 DSPI:顯示資訊 GPIO:通用目的輸入輸出信號 IM:模式設定信號 LED、420R、420G、420B:微型發光二極體 MURAI:影像解缺陷資訊 P1~P6、P:畫素 R+、R-、G+、G-、B+、B-:驅動電壓 RESX:重置信號 RI、GI、BI:顯示資訊 RI’、GI’、BI’:補償後顯示資訊 S1:表面 ScanX:掃描信號 SCID_IN、HCID[1:0]:識別認證信號 SCL:時脈信號 SDA:命令/資料信號 SP11~SP62:子畫素 SynGCLK:同步信號 TIN:測試輸入信號 TOU:測試輸出信號 VR:參考電壓 VScanH:掃描電壓 VTEST:測試電壓
圖1繪示本發明一實施例的微型發光二極體顯示器的示意圖。 圖2A繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中的微型發光二極體裝置的結構示意圖。 圖2B繪示本發明另一實施例的微型發光二極體顯示器的示意圖。 圖3A、3B繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器的俯視圖。 圖3C至圖3F繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器的剖面圖。 圖4繪示本發明實施例的微型發光二極體裝置中走線層的實施方式的示意圖。 圖5A繪示本發明一實施例的拼接式的微型發光二極體顯示器的示意圖。 圖5B繪示本發明另一實施例的拼接式的微型發光二極體顯示器的示意圖。 圖6繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中的控制器的示意圖。 圖7繪示本發明另一實施例的微型發光二極體顯示器中的控制器的示意圖。 圖8繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中控制器的色彩引擎電路的實施方式的示意圖。 圖9A至圖9D繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中，單一畫素陣列中微型發光二極體的排列方式的多種實施方式的示意圖。 圖10繪示本發明實施例的微型發光二極體顯示器中控制器的解缺陷器的實施方式的示意圖。 圖11繪示本發明實施例的解缺陷器中的映射表的實施方式的示意圖。
100:微型發光二極體顯示器
110:電路基板
111:傳輸導線層
121~123:微型發光二極體裝置
130:控制器
BM:光吸收層
SB:導電凸塊
S1:表面
P:畫素

Claims (25)

  1. 一種微型發光二極體顯示器，包括： 一第一電路基板； 多個第一微型發光二極體裝置，設置在該第一電路基板的一第一表面上，該些第一微型發光二極體裝置分別具有多個第一畫素陣列；以及 一第一控制器，由該第一電路基板所承載，用以傳送多個第一控制信號，以分別控制該些第一微型發光二極體裝置之該些第一畫素陣列的顯示狀態。
  2. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示器，其中該些第一微型發光二極體裝置在該第一電路基板的正向投影，與該第一控制器在該第一電路基板的正向投影不相重疊。
  3. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示器，其中各該第一微型發光二極體裝置中的各該第一畫素陣列的數量大於n乘以m，n、m為大於等於3的整數。
  4. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示器，其中該第一電路基板的該第一表面上具有多條傳輸導線，該些傳輸導線設置在該第一電路基板的該第一表面與該些第一微型發光二極體裝置間，該控制器透過該些傳輸導線與該些第一微型發光二極體裝置電性連接。
  5. 如請求項4所述的微型發光二極體顯示器，其中各該第一微型發光二極體裝置包括： 一走線層； 一光學膠層，設置在該走線層上； 多個微型發光二極體，設置在該光學膠層中，並形成對應的各該第一畫素陣列； 該走線層耦接在該些傳輸導線以及該些微型發光二極體間；以及 一混光層，設置在該光學膠層上。
  6. 如請求項5所述的微型發光二極體顯示器，其中該走線層透過至少一導電凸塊以耦接至該傳輸導線。
  7. 如請求項5所述的微型發光二極體顯示器，其中該第一控制器內埋在該第一電路基板中，透過多個導電通孔電性耦接該走線層。
  8. 如請求項5所述的微型發光二極體顯示器，其中該第一控制器設置在該第一電路基板的一第二表面上或該第一表面上，其中該第一表面與該第二表面相對，設置在該第二表面上的該第一控制器透過多個導電通孔電性耦接該走線層。
  9. 如請求項5所述的微型發光二極體顯示器，更包括： 一光吸收層，設置在該控制器與該些第一微型發光二極體裝置間。
  10. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示器，更包括： 至少一第二電路基板，與該第一電路基板相互拼接； 多個第二微型發光二極體裝置，設置在該至少一第二電路基板的一第一表面上，該些第二微型發光二極體裝置分別具有多個第二畫素陣列；以及 至少一第二控制器，由對應的該至少一第二電路基板所承載，用以傳送多個第二控制信號，以分別控制該些第二微型發光二極體裝置之該些第二畫素陣列的顯示狀態。
  11. 如請求項10所述的微型發光二極體顯示器，其中該些第一畫素陣列的顯示解析度與該些第二畫素陣列的顯示解析度不相同。
  12. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示器，其中該第一控制器包括： 一介面電路，基於一模式設定信號，依據一時脈信號以接收一命令/資料信號來獲得一命令資訊及一顯示資訊； 一資料驅動電路，用以產生該些第一控制信號以分別控制該些第一畫素陣列的顯示狀態；以及 一核心電路，耦接該介面電路以及該資料驅動電路，用以： 依據各該第一畫素陣列的多個微型發光二極體的排列方式以針對該顯示資訊執行一像素排列運算來產生一補償後顯示資訊， 其中該資料驅動電路依據該補償後顯示資訊以產生該些控制信號。
  13. 如請求項12所述的微型發光二極體顯示器，其中該核心電路包括： 一色彩引擎電路，包括： 一電流限制器，接收該顯示資訊，用以限制該顯示資訊的傳輸電流在預設的一臨界值以下； 一色彩控制器，耦接該電流限制器，依據一設定色彩模式來調整該顯示資訊； 一像素排列運算器，耦接該色彩控制器，依據該些微型發光二極體的一排列資訊，以針對該顯示資訊執行該像素排列運算以產生一運算結果； 一色彩補償器，耦接該像素排列運算器，依據該運算結果來針對該顯示資訊進行補償以產生該補償顯示資訊；以及 一伽瑪校正器，耦接該色彩補償器，針對該補償顯示資訊執行一伽瑪校正動作已產生一輸出顯示資訊。
  14. 如請求項13所述的微型發光二極體顯示器，其中該色彩引擎電路更包括： 一記憶體，用以儲存該些微型發光二極體的該排列資訊。
  15. 如請求項12所述的微型發光二極體顯示器，其中該核心電路更用以依據一影像解缺陷資訊以針對該顯示資訊進行調整以產生一解缺陷顯示資訊，其中該核心電路更包括： 一解缺陷器，包括： 一解壓縮電路，針對一壓縮後影像解缺陷資訊進行解壓縮動作以獲得該影像解缺陷資訊； 一內插運算電路，依據一解缺陷演算法以針對影像解缺陷資訊執行內插運算來產生分別對應多個畫素的多個補償差值；以及 一映射表，耦接該內插運算電路，依據該些補償差值以獲得該補償後顯示資訊。
  16. 如請求項15所述的微型發光二極體顯示器，其中該解缺陷器更包括一正規化電路，用以正規化該補償後顯示資訊。
  17. 如請求項15所述的微型發光二極體顯示器，其中該解缺陷器更包括： 一非揮發性記憶體，用以儲存該壓縮後影像解缺陷資訊；以及 一靜態記憶體，用以儲存暫存資訊。
  18. 如請求項12所述的微型發光二極體顯示器，其中在一熄屏顯示模式下，該核心電路更用以： 使該介面電路停止接收該顯示資訊； 使一記憶體提供該顯示資訊以作為產生該些控制信號的依據； 使一電荷泵電路啟動，以產生一升壓電源， 其中，在該熄屏顯示模式下，該第一控制器提供該升壓電源至該些第一微型發光二極體裝置，以做為該些第一微型發光二極體裝置的操作電源。
  19. 如請求項12所述的微型發光二極體顯示器，其中該核心電路更包括： 一溫度感測器，用以感測一環境溫度。
  20. 如請求項12所述的微型發光二極體顯示器，其中該資料驅動電路包括多個多工器電路，用以傳輸該補償後顯示資訊至該些第一微型發光二極體裝置。
  21. 一種控制器，用以驅動微型發光二極體顯示器，包括： 一介面電路，基於一模式設定信號，依據一時脈信號以接收一命令/資料信號來獲得一命令資訊及一顯示資訊； 一資料驅動電路，用以產生多個控制信號以分別控制多個畫素陣列的顯示狀態；以及 一核心電路，耦接該介面電路以及該資料驅動電路，用以： 依據各該畫素陣列的多個微型發光二極體的排列方式以針對該顯示資訊執行一像素排列運算來產生一補償後顯示資訊， 其中該資料驅動電路依據該補償後顯示資訊以產生該些控制信號以分別驅動多個微型發光二極體顯示裝置。
  22. 如請求項21所述的控制器，其中該核心電路包括： 一色彩引擎電路，包括： 一電流限制器，接收該顯示資訊，用以限制該顯示資訊的傳輸電流在預設的一臨界值以下； 一色彩控制器，耦接該電流限制器，依據一設定色彩模式來調整該顯示資訊； 一像素排列運算器，耦接該色彩控制器，依據該些微型發光二極體的一排列資訊，以針對該顯示資訊執行該像素排列運算以產生一運算結果； 一色彩補償器，耦接該像素排列運算器，依據該運算結果來針對該顯示資訊進行補償以產生該補償顯示資訊；以及 一伽瑪校正器，耦接該色彩補償器，針對該補償顯示資訊執行一伽瑪校正動作以產生一輸出顯示資訊。
  23. 如請求項21所述的控制器，其中該色彩引擎電路更包括： 一記憶體，用以儲存該些微型發光二極體的該排列資訊。
  24. 如請求項21所述的控制器，其中該核心電路更用以依據一影像解缺陷資訊以針對該顯示資訊進行調整以產生一解缺陷顯示資訊，其中該核心電路更包括： 一解缺陷器，包括： 一解壓縮電路，針對一壓縮後影像解缺陷資訊進行解壓縮動作以獲得該影像解缺陷資訊； 一內插運算電路，依據一解缺陷演算法以針對影像解缺陷資訊執行內插運算來產生分別對應多個畫素的多個補償差值；以及 一映射表，耦接該內插運算電路，依據該些補償差值以獲得該補償後顯示資訊。
  25. 如請求項22所述的控制器，其中在一熄屏顯示模式下，該核心電路更用以： 使該介面電路停止接收該顯示資訊； 使一記憶體體提供該顯示資訊以作為產生該些控制信號的依據； 使一電荷泵電路啟動，以產生一升壓電源， 其中，在該熄屏顯示模式下該控制器提供該升壓電源至該些微型發光二極體裝置，以做為該些微型發光二極體裝置的操作電源。
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