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TWI687724B - 光學相位差構件、具備光學相位差構件之複合光學構件、及光學相位差構件之製造方法 - Google Patents

光學相位差構件、具備光學相位差構件之複合光學構件、及光學相位差構件之製造方法 Download PDF

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TWI687724B
TWI687724B TW104123215A TW104123215A TWI687724B TW I687724 B TWI687724 B TW I687724B TW 104123215 A TW104123215 A TW 104123215A TW 104123215 A TW104123215 A TW 104123215A TW I687724 B TWI687724 B TW I687724B
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concave
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optical
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福田真林
田中大直
西村涼
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日商吉坤日礦日石能源股份有限公司
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Abstract

本發明之光學相位差構件100具備：透明基體40，其具有凹凸圖案80；間隙部90，其劃分於上述凹凸圖案80之凸部60之間；及密閉層20，其以連結上述凹凸圖案80之凸部60且密閉上述間隙部90之方式設置於上述凹凸圖案80上。光學相位差構件100即便使用黏著劑接合至其他構件或施加負載，亦不會損及相位差特性。

Description

光學相位差構件、具備光學相位差構件之複合光學構件、及光學相位差構件之製造方法
本發明係關於一種光學相位差構件、具備光學相位差構件之複合光學構件、及光學相位差構件之製造方法。
光學相位差板具有非常多之用途，用於反射型液晶顯示裝置、半透過型液晶顯示裝置、光碟用讀取頭、PS轉換元件等各種用途。
光學相位差板有：由方解石、雲母、水晶之類的存在於自然界之雙折射率結晶所形成者、由雙折射聚合物所形成者、或藉由人工地設置短於使用波長之週期性構造而形成者等。
作為人工地設置週期性構造而形成之光學相位差板，有於透明基板上設置有凹凸構造而成者。用於光學相位差板之凹凸構造具有短於使用波長之週期，具有例如圖5所示之條紋狀之圖案。此種凹凸構造具有折射率各向異性，若對圖5之光學相位差板400之基板420垂直地入射光，則於凹凸構造內，平行於凹凸構造之週期方向之偏光成分與垂直於凹凸構造之週期方向之偏光成分以不同速度傳播，故而於兩偏光成分間產生相位差。該相位差可藉由凹凸構造之高度(深度)、構成凸部之材料與凸部之間 的材料(空氣)之折射率差等而進行控制。用於上述顯示裝置等器件之光學相位差板需要相對於使用波長λ產生λ/4、λ/2之相位差，為了形成能夠產生此種充分之相位差之光學相位差板，需要充分地增大構成凸部之材料之折射率與凸部之間的材料(空氣)之折射率之差或凹凸構造之高度(深度)。作為此種光學相位差板，專利文獻1、2中提出有將凹凸構造之表面利用高折射率材料進行被覆而成者。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特公平7-99402號公報
[專利文獻2]日本特開2005-10377號公報
本發明者等人進行努力研究，結果得知如上所述之光學相位差板具有如下缺點。於用於上述顯示裝置等器件之情形時，光學相位差板係貼附於其他構件而使用。例如，於將光學相位差板用於有機EL顯示裝置之情形時，需要對光學相位差板之一面貼附(接合)偏光板，對另一面貼附有機EL面板。通常，將光學相位差板貼附於其他構件時係使用黏著劑。但是，於如圖6(a)所示，使用黏著劑將光學相位差板400貼附於其他構件320之情形時，黏著劑340會進入至光學相位差板400之凹凸構造之凸部之間。由於黏著劑之折射率大於空氣，故而構成凸部之材料之折射率與進 入至凸部之間之黏著劑之折射率的差小於構成凸部之材料之折射率與空氣之折射率的差。因此，於黏著劑進入至凸部間之光學相位差板400中，由於構成凸部之材料與凸部之間之材料的折射率差較小，折射率各向異性較小，故而無法產生充分之相位差。
又，為了使光學相位差板產生所需之相位差，需要使光學相位差板之凹凸構造具有短於使用波長之週期性構造，並且具有充分之凹凸高度(深度)。即，需要使凹凸構造具有高縱橫比。但是，於對此種光學相位差板施加負載之情形時，有如下情況：如圖6(b)所示，光學相位差板400之凹凸構造發生崩塌等變形，由此無法產生所需之相位差。
因此，本發明之目的在於提供一種消除上述習知技術之缺點，即便與其他構件接合或施加負載亦能夠產生所需之相位差之光學相位差構件及其製造方法。
根據本發明之第1態樣，提供一種光學相位差構件，其具備：透明基體，其具有凹凸圖案；間隙部，其劃分於上述凹凸圖案之凸部之間；及密閉層，其以連結上述凹凸圖案之凸部且密閉上述間隙部之方式設置於上述凹凸圖案上。
於上述光學相位差構件中，上述凹凸圖案之上述凸部之剖面形狀可為梯形狀。
於上述光學相位差構件中，上述間隙部可具有上述凹凸圖案之上述凸部之高度以上之高度。
上述光學相位差構件可進而具備被覆上述凹凸圖案之凹部及上述凸部之表面的被覆層。
於上述光學相位差構件中，上述被覆層的折射率可大於上述凹凸圖案之上述凸部的折射率。
於上述光學相位差構件中，上述被覆層及上述密閉層可由相同材料形成。或者，上述被覆層可由與上述密閉層不同之材料形成。
於上述光學相位差構件中，上述被覆層可由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、金屬氮氧化物、或金屬鹵化物構成。
於上述光學相位差構件中，上述密閉層可由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、金屬氮氧化物、或金屬鹵化物構成。
於上述光學相位差構件中，構成上述凹凸圖案之材料可為光硬化性樹脂或熱硬化樹脂。又，構成上述凹凸圖案之材料可為溶膠凝膠材料。
於上述光學相位差構件中，於上述間隙部可存在空氣。
上述光學相位差構件亦可進而具備保護構件，該保護構件貼附於上述透明基體之形成有上述凹凸圖案之面之相反側之面及/或上述密閉層。
根據本發明之第2態樣，提供一種複合光學構件，其具備：第1態樣之光學相位差構件；及光學構件，其貼附於上述透明基體之形成有上述凹凸圖案之面之相反側的面或上述密閉層。上述光學構件可為偏光板。
根據本發明之第3態樣，提供一種顯示裝置，其具備：第2 態樣之複合光學構件；及顯示元件，其貼附於上述透明基體之形成有上述凹凸圖案之面之相反側之面或上述密閉層。
根據本發明之第4態樣，提供一種光學相位差構件之製造方法，其具有如下步驟：準備具有凹凸圖案之透明基體；及以連結上述凹凸圖案之鄰接之凸部且密閉劃分於上述凸部間之間隙部的方式，於上述透明基體之上述凹凸圖案上形成密閉層。
上述光學相位差構件之製造方法可於上述密閉層形成步驟中，藉由濺鍍、CVD、或蒸鍍而形成上述密閉層。
上述光學相位差構件之製造方法可進而具有形成被覆上述凹凸圖案之凹部及上述凸部之表面的被覆層之步驟。
關於本發明之光學相位差構件，由於基體之凹凸圖案(凹凸構造)之鄰接之凸部間所存在之間隙部係利用密閉層與凹凸圖案而密閉，故而於將光學相位差構件組入至器件時，不會因黏著劑進入至凹凸圖案之凸部之間而使構成凸部之材料與凸部之間之材料之折射率差變小，而損及光學相位差構件之折射率各向異性。因此，本發明之光學相位差構件即便組入至器件，亦可發揮出優異之相位差特性。又，由於係以連結(橋接)鄰接之凸部之方式於凹凸圖案之凸部及間隙部之上部形成密閉層，故而即便施加負載，凹凸圖案之凸部亦不易變形，從而防止無法獲得所需相位差之情況。因此，本發明之光學相位差構件可適宜地用於顯示裝置等各種用途。
20‧‧‧密閉層
30‧‧‧被覆層
40‧‧‧透明基體
42‧‧‧基板
50‧‧‧凹凸構造層
60‧‧‧凸部
70‧‧‧凹部
90‧‧‧間隙部
100‧‧‧光學相位差構件
120‧‧‧搬送系統
140‧‧‧塗佈部
160‧‧‧轉印部
170‧‧‧轉印輥
180‧‧‧成膜部
200‧‧‧捲繞製程裝置
320‧‧‧光學構件
340‧‧‧黏著劑
300‧‧‧複合光學構件
圖1(a)~(c)係表示實施形態之光學相位差構件之剖面構造之例的示意圖。
圖2係表示實施形態之光學相位差構件之製造方法的流程圖。
圖3係實施形態之光學相位差構件之製造方法所使用之製造裝置之示意圖。
圖4係具備實施形態之光學相位差構件之顯示裝置之示意剖視圖。
圖5係概念地表示習知技術之光學相位差構件之一例的圖。
圖6(a)係利用黏著劑而貼附於其他構件之習知技術之光學相位差構件之示意剖視圖。圖6(b)係施加有負載之習知技術之光學相位差構件之示意剖視圖。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之光學相位差構件、光學相位差構件之製造方法、及具備光學相位差構件之複合光學構件之實施形態進行說明。
[光學相位差構件]
如圖1(a)所示，實施形態之光學相位差構件100具備：透明基體40，其具有凹凸圖案80；間隙部90，其劃分於凹凸圖案80之鄰接之凸部60之間；及密閉層20，其以將凹凸圖案80之凸部60及與間隙部90之上方(凹凸圖案之上方)鄰接之凸部60連結，且覆蓋凸部60及間隙部90之方式設 置。間隙部90係由凹凸圖案80及密閉層20所包圍、密閉。又，透明基體40之凹凸圖案80之凹部及凸部之表面係由被覆層30所被覆。
<透明基體>
於圖1(a)所示之實施形態之光學相位差構件100中，透明基體40係由平板狀之基板42與凹凸構造層50構成。作為基板42，並無特別限制，可適當利用使可見光透過之公知基板。例如可利用：由玻璃等透明無機材料構成之基板；由聚酯(聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚芳酯等)、丙烯酸系樹脂(聚甲基丙烯酸甲酯等)、聚碳酸酯、聚氯乙烯、苯乙烯系樹脂(ABS樹脂等)、纖維素系樹脂(三乙醯纖維素等)、聚醯亞胺系樹脂(聚醯亞胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂等)、環烯烴聚合物等樹脂構成之基板等。於將光學相位差構件100用於有機EL顯示器之抗反射膜之情形時，基板42較理想為具有可撓性之基板。就此方面而言，較佳為由樹脂構成之基板。為了提高密接性，亦可於基板42上進行表面處理或設置易接著層等。又，為了填埋基板42之表面之突起，亦可設置平滑化層等。基板42之厚度較佳為1μm~20mm之範圍內。
於透明基體40中，於基板42上形成有構成多個凸部60及凹部70之凹凸構造層50，藉此透明基體40具有凹凸圖案80。凹凸構造層50較佳為由折射率為1.1~1.6之範圍內之材料構成。作為構成凹凸構造層50之材料，例如可使用：氧化矽、SiN、SiON等Si系材料；TiO2等Ti系材料；ITO(氧化銦錫)系材料；ZnO、ZnS、ZrO2、Al2O3、BaTiO3、Cu2O、MgS、AgBr、CuBr、BaO、Nb2O5、SrTiO2等無機材料。該等無機材料可為藉由溶膠凝膠法等所形成之材料(溶膠凝膠材料)。除了上述無機材料以外，亦可使 用：聚乙烯、聚丙烯、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、AS樹脂(acrylonitrile-styrene resin，丙烯腈-苯乙烯樹脂)、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚縮醛、聚對苯二甲酸丁二酯、玻璃強化聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、改性聚苯醚、聚苯硫醚、聚醚醚酮、氟樹脂、聚芳酯、聚碸、聚醚碸、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、熱塑性聚醯亞胺等熱塑性樹脂；酚系樹脂、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、環氧樹脂、不飽和聚酯樹脂、醇酸樹脂、聚矽氧樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂等熱硬化性樹脂；紫外線硬化型(甲基)丙烯酸酯系樹脂、紫外線硬化型丙烯酸胺酯系樹脂、紫外線硬化型聚酯丙烯酸酯系樹脂、紫外線硬化型環氧丙烯酸酯樹脂、紫外線硬化型多元醇丙烯酸酯樹脂、紫外線硬化型環氧樹脂等紫外線硬化型樹脂；將2種以上該等摻合而成之材料等樹脂材料。進而，亦可使用將上述樹脂材料與上述無機材料複合化而成之材料。又，為了獲得硬塗性等，亦可使上述無機材料、上述樹脂材料均含有公知之微粒子或填料。進而，亦可使用使上述材料含有紫外線吸收材料而成者。紫外線吸收材料具有如下作用：即，吸收紫外線，將光能轉換成如熱般之無害形式，藉此抑制凹凸構造層50之劣化。作為紫外線吸收劑，可使用先前公知者，例如可使用苯并三唑系吸收劑、三
Figure 104123215-A0202-12-0008-9
系吸收劑、水楊酸衍生物系吸收劑、二苯甲酮系吸收劑等。
凹凸圖案80之多個凸部60係以短於設計波長之週期而排列。各凸部60沿圖1(a)之Y方向(深度方向)延伸。各凸部60之與延伸方向正交之ZX平面之剖面形狀較佳為梯形狀。凸部60之剖面形狀除梯形狀以外，亦可設為矩形狀、多邊形狀等各種形狀。如下所述，就易於形 成密閉層20之觀點而言，凸部60之頂部較佳為平坦、即成為平行於基板42之表面之平面狀。凹部70係由凸部60所劃分，沿凸部60於Y方向(深度方向)上延伸。
凸部60之高度(凹凸高度)Hc較理想為100~2000nm之範圍內。若凸部60之高度Hc未達100nm，則於可見光入射至光學相位差基板100之情形時，難以產生所需之相位差。於凸部60之高度Hc超過2000nm之情形時，由於凸部60之縱橫比(凸部高度相對於凸部寬度之比)較大，故而難以形成凹凸圖案。凸部60之寬度W較佳為10~500nm之範圍內。於凸部60之寬度W未達10nm之情形時，由於凸部60之縱橫比(凸部高度相對於凸部寬度之比)較大，故而難以形成凹凸圖案。於凸部60之寬度W超過500nm之情形時，會產生透過光之著色，難以確保作為光學相位差構件之充分之無色透明性，又，難以產生所需之相位差。進而，因鄰接之凸部60之上部之間隔變寬，變得難以形成強度較高之密閉層20。再者，此處所謂凸部60之寬度W係指將於各Z方向位置(高度方向位置)之凸部60之寬度平均化而獲得之值。又，凹凸圖案80之凹凸間距較佳為100~1000nm之範圍內。於間距未達100nm之情形時，於可見光入射至光學相位差基板100之情形時，變得難以產生所需之相位差。於間距超過1000nm之情形時，變得難以確保作為光學相位差構件之充分之無色透明性。又，因鄰接之凸部60之上部之間隔變寬，變得難以形成強度較高之密閉層20。
<被覆層>
被覆層30沿凹凸圖案80而被覆透明基體40。即，被覆層30係被覆凹凸圖案80之凸部60及凹部70之表面。被覆層30之厚度較佳為10nm以上。 被覆層30之厚度係以使藉由光學相位差構件100產生之相位差成為所需值之方式設定。於該情形時，被覆層30較佳為能夠將下述間隙部90形成於鄰接之凸部60之間之膜厚。若被覆層過厚，則變得無法於被覆層30與密閉層20之間形成間隙部90，而無法利用被覆層30與間隙部90所包含之空氣等之間的折射率差，因此難以獲得所需之相位差。被覆層30較佳為由折射率為1.8~2.6之範圍內之材料構成。藉由利用折射率為1.8以上之被覆層30被覆凹凸圖案80，使利用凸部60與下述間隙部90之週期排列而產生之相位差變大。因此，能夠減小凸部60之高度，即，減小凸部60之縱橫比，從而容易地形成凹凸圖案80。又，折射率超過2.6之物質難以取得，或難以進行於不使基板42變形之溫度下之成膜。作為構成被覆層30之材料，例如可使用Ti、In、Zr、Ta、Nb、Zn等金屬、該等金屬之氧化物、氮化物、硫化物、氮氧化物、鹵化物等無機材料。亦可使用含有該等材料之構件作為被覆層30。再者，依據本發明之光學相位差構件亦可不具有被覆層30。即，於依據本發明之光學相位差構件中，被覆層30並非必須之構成要素。
<間隙部>
間隙部90係劃分於鄰接之凸部60之間。間隙部90係由凸部60、凹部70、及下述密閉層20所包圍、密閉。即，由凹凸圖案80及密閉層20所密閉。間隙部90可充滿空氣，亦可充滿N2、Ar、He等非活性氣體、其他低折射率介質等。又，亦可不存在介質，而為真空。間隙部90之高度Ha較理想為凸部60之高度Hc以上。光學相位差構件100係藉由使間隙部90與凸部60週期性地排列而產生相位差，但於間隙部90之高度Ha小於凸部60之高度Hc之情形時，間隙部90與凸部60之週期排列構造之高度減小，因 此利用光學相位差基板100所產生之相位差減小。
<密閉層>
密閉層20於凸部60及間隙部90之上部以覆蓋其等之方式形成。密閉層20係將凸部60及凹部70、以及間隙部90包圍而加以密閉。藉此，於為了將本實施形態之光學相位差構件100組入至器件而使用黏著劑接合於其他構件之情形時，黏著劑不會進入至鄰接之凸部60之間(間隙部90)。因此，防止因黏著劑進入至凸部之間，使利用光學相位差構件100所產生之相位差降低之情況。因此，即便於將實施形態之光學相位差構件100與其他構件接合而使用之情形時，亦可使光學相位差構件100產生所需之相位差。
又，密閉層20係以將鄰接之凸部60尤其是凸部60之頂部連結(橋接)之方式形成。因此，於自光學相位差構件100之上部(密閉層20側)施加負載之情形時，各凸部60係利用鄰接之凸部經由密閉層20而得到支持。又，由於藉由經由密閉層20將各凸部接合，使所施加之力分散，故而施加至各凸部之負載減小。因此，即便對實施形態之光學相位差構件100施加負載，凹凸圖案80之凸部60亦不易變形。因此，防止因對光學相位差構件100施加負載，而無法產生所需之相位差之情況。
密閉層20可由Ti、In、Zr、Ta、Nb、Zn等金屬、該等金屬之氧化物、氮化物、硫化物、氮氧化物、鹵化物等無機材料、含有其等之構件等所構成。於藉由濺鍍形成密閉層20之情形時，較佳為使用成膜速度較快之靶作為密閉層20之材料。密閉層20可由與被覆層30相同之材料形成，亦可由與被覆層30不同之材料形成。密閉層20較佳為透光性，例如較 佳為波長550nm之透過率為90%以上。密閉層20之折射率較佳為1.4~2.6之範圍內。密閉層20之厚度T較佳為10~1000nm之範圍內。再者，此處所謂密閉層20之厚度T係指間隙部90之上端至密閉層20表面之距離(參照圖1(a))。再者，於在光學相位差構件100之密接層20側接合其他構件之情形時，係經由黏著劑將密閉層20與其他構件接合。即，密接層20係不同於用以與其他構件接合之黏著劑者。
再者，亦可使用如圖1(b)所示之光學相位差構件100a般，於基板42上形成有多個構成凸部60a之結構體之透明基體40a，來代替於基板42上形成有凹凸構造層50之透明基體40。關於透明基體40a，於凸部60a之間劃分凹部(露出基板42之表面之區域)70a，形成由凸部60a及凹部70a構成之凹凸圖案80a。作為基板42a，可使用與圖1(a)所示之光學相位差構件100之基板42相同之基板。凸部60a可由與構成圖1(a)所示之光學相位差構件100之凹凸構造層50之材料相同之材料構成。
又，亦可如圖1(c)所示之光學相位差構件100b般，由以如下方式形狀化之基板構成透明基體40b：即，基板之表面本身構成由凸部60b及凹部70b構成之凹凸圖案80b。於該情形時，可將透明基體40b成形為具有如圖1(c)般之凹凸圖案80b。
於光學相位差構件100、100a、100b中，進而亦可對透明基體40之形成有凹凸圖案80之面之相反側之面及/或密閉層貼附保護片材等保護構件。藉此，可防止當對光學相位差構件100、100a、100b進行搬送、輸送等時，對光學相位差構件100、100a、100b產生傷痕等損害。
[光學相位差構件之製造裝置]
作為用以製造光學相位差構件之裝置之一例，將捲繞製程裝置200示於圖3。以下，對捲繞製程裝置200之構造進行說明。
捲繞製程裝置200主要包含：搬送系統120，其搬送膜狀之基板42；塗佈部140，其對搬送中之基板42塗佈UV硬化性樹脂；轉印部160，其對UV硬化性樹脂轉印凹凸圖案；及成膜部180，其於凹凸圖案上形成被覆層及密閉層。
搬送系統120具有：捲出輥172，其捲出膜狀之基板42；夾輥(nip roll)174及剝離輥176，其等分別配置在設置於轉印部160之轉印輥170之上游及下游側，而將基板42推壓至轉印輥170；及捲取輥178，其捲取所獲得之光學相位差構件100。進而，搬送系統120具備用以將基板42搬送至上述各部之導輥175。塗佈部140具備用以對基板42塗佈UV硬化性樹脂50a之模嘴塗佈機182。轉印部160具備：轉印輥170，其位於塗佈部140之基板搬送方向之下游側，具有下述凹凸圖案；及照射光源185，其隔著基板42而與轉印輥170對向設置。成膜部180具備如濺鍍裝置10般之成膜裝置。濺鍍裝置10具備真空室11。真空室11之形狀並無限定，通常為長方體狀或圓筒體狀等，只要能夠將真空室11內保持為減壓之狀態即可。於真空室11之內部，以與搬送中之透明基體40之形成有凹凸圖案之面相對向的方式配置有濺鍍靶18。於在凹凸圖案上形成由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、金屬氮氧化物、金屬鹵化物等無機材料構成之被覆層及密閉層之情形時，可使用由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、金屬氮氧化物、金屬鹵化物等無機材料構成之濺鍍靶18。
轉印輥170係於外周面具有凹凸圖案之輥狀(圓柱狀、圓筒 狀)之模具。轉印輥170能夠以如下方式製造。首先，藉由光微影法、切削加工法、電子束直接繪圖法、粒子束加工法、操作探針加工法等微細加工法，於矽、金屬、石英、樹脂等之基板上形成凹凸圖案，藉此製作母模。母模具有由沿均等方向直線地延伸之凸部及凹部所構成之凹凸圖案。
於形成母模後，能夠以如下方式，藉由電鑄法等，而形成轉印有母模之凹凸圖案之模具。首先，可藉由無電電鍍、濺鍍、或蒸鍍等，使成為用於電鑄處理之導電層之籽晶層形成於具有凹凸圖案之母模上。為了使後續之電鑄步驟中之電流密度變得均勻，而使藉由後續之電鑄步驟而沈積之金屬層之厚度成為固定，籽晶層較佳為10nm以上。作為籽晶層之材料，例如可使用：鎳、銅、金、銀、鉑、鈦、鈷、錫、鋅、鉻、金-鈷合金、金-鎳合金、硼-鎳合金、焊料、銅-鎳-鉻合金、錫鎳合金、鎳-鈀合金、鎳-鈷-磷合金、或其等之合金等。其次，藉由電鑄(電鍍)使金屬層沈積於籽晶層上。金屬層之厚度例如可設為包含籽晶層之厚度在內整體為10~30000μm之厚度。作為藉由電鑄而沈積之金屬層之材料，可使用可用作籽晶層之上述金屬種類中之任一種。就後續之用於形成模具之樹脂層之壓抵、剝離及洗淨等處理之容易性之方面而言，所形成之金屬層較理想為具有適度之硬度及厚度。
將藉由如上方式獲得之包含籽晶層之金屬層自具有凹凸構造之母模剝離，而獲得金屬基板。剝離方法可物理地進行剝離，亦可藉由將形成母模之凹凸圖案之材料利用溶解其等之有機溶劑或酸、鹼等進行溶解、去除而剝離。於自母模剝離金屬基板時，可洗淨去除殘留之材料成分。作為洗淨方法，可利用使用界面活性劑等之濕式洗淨或者使用紫外線或電 漿之乾式洗淨。又，亦可例如使用黏著劑或接著劑將殘留之材料成分附著去除等。如此而獲得之自母模轉印有圖案之金屬基板(金屬模具)可用作本實施形態之凹凸圖案轉印用模具。
進而，藉由使用所獲得之金屬基板，將金屬基板之凹凸構造(圖案)轉印至膜狀之支持基板上，可製作如膜狀模具般具有可撓性之模具。例如，於將硬化性樹脂塗佈至支持基板上之後，一面將金屬基板之凹凸構造壓抵至樹脂層，一面使樹脂層硬化。作為支持基板，例如可列舉：由玻璃、石英、矽等無機材料構成之基材；由聚矽氧樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、環烯烴聚合物(COP)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、聚醯亞胺(PI)、聚芳酯等有機材料所構成之基材；鎳、銅、鋁等金屬材料。又，支持基板之厚度可設為1~500μm之範圍。
作為硬化性樹脂，例如可列舉：環氧系、丙烯酸系、甲基丙烯酸系、乙烯醚系、氧雜環丁烷系、胺酯(urethane)系、三聚氰胺系、脲系、聚酯系、聚烯烴系、酚系、交聯型液晶系、氟系、聚矽氧系、聚醯胺系等之單體、低聚物、聚合物等各種樹脂。硬化性樹脂之厚度較佳為0.5~500μm之範圍內。若厚度未達上述下限，則形成於硬化樹脂層之表面之凹凸之高度容易變得不充分，若超過上述上限，則有硬化時產生之樹脂之體積變化之影響變大，而無法良好地形成凹凸形狀之可能性。
作為塗佈硬化性樹脂之方法，例如可採用：旋轉塗佈法、噴塗法、浸漬塗佈法、滴下法、凹版印刷法、網版印刷法、凸版印刷法、模嘴塗佈法、淋幕式塗佈法、噴墨法、濺鍍法等各種塗佈方法。進而，作為 使硬化性樹脂硬化之條件，根據所使用之樹脂之種類而不同，例如較佳為，硬化溫度為室溫~250℃之範圍內，硬化時間為0.5分鐘~24小時之範圍內。又，亦可為藉由照射如紫外線或電子束般之能量線而使其硬化之方法，於該情形時，照射量較佳為20mJ/cm2~10J/cm2之範圍內。
繼而，自硬化之硬化樹脂層拆去金屬基板。作為拆去金屬基板之方法，並不限定於機械剝離法，可採用公知方法。能夠如此而獲得之於支持基板上具有形成有凹凸之硬化樹脂層之膜狀的樹脂模具，可用作本實施形態之凹凸圖案轉印用模具。
又，於藉由上述方法所獲得之金屬基板之凹凸構造(圖案)上塗佈橡膠系樹脂材料，使所塗佈之樹脂材料硬化，自金屬基板剝離，藉此能夠製作轉印有金屬基板之凹凸圖案之橡膠模具。所獲得之橡膠模具可用作本實施形態之凹凸圖案轉印用模具。作為橡膠系樹脂材料，可使用天然橡膠及合成橡膠，尤其是較佳為聚矽氧橡膠、或者聚矽氧橡膠與其他材料之混合物或共聚物。作為聚矽氧橡膠，例如使用：聚有機矽氧烷、交聯型聚有機矽氧烷、聚有機矽氧烷/聚碳酸酯共聚物、聚有機矽氧烷/聚苯共聚物、聚有機矽氧烷/聚苯乙烯共聚物、聚三甲基矽基丙炔、聚四甲基戊烯等。聚矽氧橡膠由於與其他樹脂材料相比，廉價、耐熱性優異、導熱性較高、有彈性、即便於高溫條件下亦不易變形，故而於在高溫條件下進行凹凸圖案轉印製程之情形時適宜。進而，聚矽氧橡膠系材料由於氣體或水蒸氣之透過性較高，故而能夠容易地透過被轉印材料之溶劑或水蒸氣。因此，於如下述般為了對樹脂材料或無機材料之前驅物溶液之膜轉印凹凸圖案而使用橡膠模具之情形時，適宜為聚矽氧橡膠系材料。又，橡膠系材 料之表面自由能較佳為25mN/m以下。藉此，於將橡膠模具之凹凸圖案轉印至基材上之塗膜時之脫模性變得良好，能夠防止轉印不良。橡膠模具例如可設為長度50~1000mm、寬度50~3000mm、厚度1~50mm。又，亦可視需要對橡膠模具之凹凸圖案面上實施脫模處理。
藉由將藉由如上方式獲得之金屬模具、膜狀模具、或橡膠模具捲繞並固定於圓柱狀之基體輥之外周面，可獲得轉印輥170。轉印輥170除上述方法外，例如亦可藉由如下方法而形成，即，藉由直接電子束繪圖法或切削加工等，於金屬輥等輥表面形成凹凸圖案，或製作具有凹凸圖案之圓筒狀之基板，將其嵌入至輥而加以固定。
[光學相位差構件之製造方法]
對使用如上所述之捲繞製程裝置200而製造圖1(a)所示之光學相位差構件100之方法進行說明。如圖2所示，光學相位差構件之製造方法主要具有：步驟S1，其係準備具有凹凸圖案之透明基體；步驟S2，其係形成被覆凹凸圖案之凹部及凸部之表面之被覆層；及步驟S3，其係於透明基體之凹凸圖案上形成密閉層。再者，依據本發明之光學相位差構件之製造方法亦可不具有形成被覆層之步驟S2。即，於依據本發明之光學相位差構件之製造方法中，被覆層形成步驟S2並非必須之構成要素。
<準備透明基體之步驟>
於實施形態之光學相位差構件之製造方法中，以如下方式準備形成有凹凸圖案之透明基體(圖2之步驟S1)。於圖3所示之捲繞製程裝置200中，藉由膜捲出輥172之旋轉，將捲繞於膜捲出輥172之膜狀之基板42捲出至下游側。膜狀基板42被搬送至塗佈部140，利用模嘴塗佈機182以特定厚 度對膜狀基板42上塗佈UV硬化性樹脂50a。
再者，作為將UV硬化性樹脂50a塗佈至基板42之方法，可採用棒式塗佈法、旋轉塗佈法、噴塗法、浸漬塗佈法、滴下法、凹版印刷法、網版印刷法、凸版印刷法、模嘴塗佈法、淋幕式塗佈法、噴墨法、濺鍍法等各種塗佈方法，來代替上述模嘴塗佈法。就能夠對相對大面積之基材均勻地塗佈UV硬化性樹脂50a之方面而言，較佳為棒式塗佈法、模嘴塗佈法、凹版印刷法、及旋轉塗佈法。
又，為了提高基板42與UV硬化性樹脂50a之密接性，亦可在對基板42上塗佈UV硬化性樹脂50a之前，於基板42上形成表面改質層。作為表面改質層之材料，例如可列舉：正辛基三乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷等矽烷單體；乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷等乙烯基矽烷；3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等甲基丙烯醯基矽烷；2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等環氧矽烷；3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷等巰基矽烷；3-辛醯硫基-1-丙基三乙氧基矽烷等含硫矽烷；3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(N-苯基)胺基丙基三甲氧基矽烷等胺基矽烷；使該等單體聚合而成之聚合物等。除了該等矽烷系偶合劑以外，亦可使用鈦系偶合劑。又，亦可藉由對基板42之表面進行電漿處理、電暈處理、準 分子照射處理、UV/O3處理等利用能量線之處理，而設置表面改質層。
藉由如上方式於塗佈部140塗佈UV硬化性樹脂50a後之膜狀基板42被朝向轉印部160搬送。於轉印部160，利用夾輥174將膜狀基板42壓抵(推壓)至轉印輥170，而將轉印輥170之凹凸圖案轉印至UV硬化性樹脂50a。與此同時或其後立即使來自隔著膜狀基板42與轉印輥170相對向而設置之照射光源185之UV光照射至UV硬化性樹脂50a，而使UV硬化性樹脂50a硬化。利用剝離輥176，將硬化後之UV硬化性樹脂及膜狀基板42自轉印輥170拉離。如此，獲得具備轉印有轉印輥170之凹凸圖案之凹凸構造層50(參照圖1(a))的透明基體40。
再者，形成有凹凸圖案之透明基體可利用圖3所示之捲繞製程裝置以外之裝置而製造，或者亦可藉由通過市場或膜製造商等製造業者取得而準備，無需自行製造。
<被覆層形成步驟>
繼而，將形成有凹凸圖案之透明基體40向成膜部180搬送，形成被覆透明基體40之凹凸圖案之凹部及凸部之表面的被覆層30(參照圖1(a))(圖2之步驟S2)。於圖3所示之捲繞製程裝置200中，經由導輥175，將自轉印輥170剝離之透明基體40直接向濺鍍裝置10內搬送，但亦可於將透明基體40自轉印輥170剝離之後，捲取為輥，再將所獲得之輥狀之透明基體40向濺鍍裝置10內搬送。
對使用圖3所示之濺鍍裝置10，成膜例如由金屬氧化物構成之被覆層30(參照圖1(a))之方法進行說明。首先，將真空室11內減壓至高真空。繼而，一面對真空室11內導入氬氣等稀有氣體與氧氣，一面 藉由DC電漿或高頻電漿擊出濺鍍靶之金屬原子(及氧原子)。在將透明基體40於真空室11內搬送之期間，自濺鍍靶18擊出之金屬原子與氧反應而沈積金屬氧化物於透明基體40之表面上。藉此，於透明基體40上，沿著凹凸圖案80形成被覆透明基體40之凹凸圖案80之凸部60及凹部70之表面的被覆層30(參照圖1(a))。
<密閉層形成步驟>
繼而，於透明基體40上形成密閉層20(參照圖1(a))(圖2之步驟S3)。密閉層20之形成可使用於上述被覆層形成步驟S2中使用之濺鍍裝置10，繼形成被覆層30之後進行。於利用與被覆層30相同之金屬氧化物形成密閉層20之情形時，於形成被覆層30之後亦繼續進行濺鍍，藉此於透明基體40上進一步沈積金屬氧化物。此時，所濺鍍之金屬原子中，到達透明基體40上之凹凸圖案80之鄰接之凸部60(參照圖1(a))之間、尤其是凸部60之下部(基板側)側面者較少，金屬原子大多附著於凸部60之上表面及上部側面。因此，與凹部70上或凸部60之下部側面上相比，凸部60之上部(上表面及上部側面上)之金屬氧化物之沈積量更多。因此，藉由繼續進行濺鍍，於鄰接之凸部60之間被金屬氧化物之沈積物填滿之前，沈積於鄰接之凸部60之上部之金屬氧化物會連結而成為密閉層，而於鄰接之凸部60之間形成間隙部90。該間隙部90利用凹凸圖案80與密閉層20被密閉。尤其是，於各凸部60之上表面為平行於基板42之平面、即平行於濺鍍靶18之平面之情形時(例如，與各凸部60之延伸方向正交之面之剖面構造為梯形狀之情形時)，於凸部60之上表面特別優先地沈積金屬氧化物，因此能夠短縮沈積於鄰接之凸部60之上部之金屬氧化物連結而形成密閉層20 所需之成膜時間，並且能夠抑制材料(靶)之消耗。
亦可於真空室10內分別設置被覆層形成用靶與密閉層形成用靶。例如亦可使施加至密閉層形成用靶之電壓高於施加至被覆層形成用靶之電壓，而使形成密閉層時之成膜速度高於形成被覆層時之成膜速度。藉由使形成密閉層時之成膜速度較高，更優先地於凸部60之上部沈積金屬氧化物。因此，能夠縮短沈積於鄰接之凸部60之上部之金屬氧化物連結而形成密閉層20所需之成膜時間，並且能夠抑制材料(靶)之消耗。
又，密閉層20亦可利用與被覆層30不同之材料而形成，於該情形時，亦可於真空室10內設置由分別對應於密閉層20與被覆層30之材料所形成之靶。例如，可將作為高折射率材料之TiO2等用作被覆層30之靶，將成膜速度更快之ITO等材料用作密閉層20之材料。於該情形時，所形成之被覆層30之折射率較高，因此所製造之光學相位差構件能夠產生更大之相位差。又，藉由形成密閉層時之成膜速度較快，更優先地於凸部60之上部沈積金屬氧化物。因此，能夠縮短沈積於鄰接之凸部60之上部之金屬氧化物連結而形成密閉層20所需之成膜時間，並且能夠抑制材料(靶)之消耗。進而，於不同氣體氛圍下成膜密閉層20與被覆層30之情形時，可使用被覆層形成用真空室與密閉層形成用真空室形成被覆層及密閉層。又，密閉層20與被覆層30無需以相同成膜方法而形成，除濺鍍以外，可適當組合下述蒸鍍、CVD等而形成。例如，可藉由成膜速度快於被覆層30之製程而形成密閉層20。於該情形時，亦可使用被覆層形成用真空室與密閉層形成用真空室形成被覆層及密閉層。
被覆層30及密閉層20可不藉由上述濺鍍，而藉由蒸鍍等物 理氣相沈積(PVD)法、化學氣相沈積(CVD)法等公知之乾式製程而形成。例如，於藉由電子束加熱蒸鍍法於透明基體40上成膜金屬氧化物來作為被覆層30及/或密閉層20之情形時，例如可使用如下電子束加熱蒸鍍裝置：即，於真空室內具備於透明基體40之搬送路徑之間相對向而設置之裝有金屬或金屬氧化物的坩堝、及用以對坩堝內照射電子束而使金屬或金屬氧化物蒸發的電子槍。於該情形時，只要一面搬送透明基體40，一面利用電子束使坩堝內之金屬或金屬氧化物加熱蒸發，而使金屬氧化物沈積於搬送中之透明基體40上即可。於該情形時，可根據裝入至坩堝之材料之氧化度與成為目標之被覆層及/或密閉層之氧化度而通入氧氣亦可不通入氧氣。
又，於藉由大氣壓電漿CVD於透明基體40上成膜金屬氧化物作為被覆層30及/或密閉層20之情形時，例如可使用日本特開2004-52028號、日本特開2004-198902號等所記載之方法。可將有機金屬化合物用作原料化合物，原料化合物可於常溫常壓下為氣體、液體、固體中之任一狀態。於為氣體之情形時，可直接導入至放電空間，但為液體、固體之情形時，先藉由加熱、起泡、減壓、超音波照射等手段使其氣化後而使用。就此狀況而言，作為有機金屬化合物，較佳為例如沸點為200℃以下之金屬烷氧化物。
作為此種金屬烷氧化物，例如可列舉：矽烷、四甲氧基矽烷、四乙氧基矽烷(TEOS)、四正丙氧基矽烷等矽化合物；甲醇鈦(titanium methoxide)、乙醇鈦、異丙醇鈦、四異丙醇鈦等鈦化合物；正丙醇鋯等鋯化合物；乙醇鋁、三異丙醇鋁、異丙醇鋁等鋁化合物；乙醇銻；三乙醇砷；乙醯丙酮鋅；二乙基鋅等。
又，將含有該等有機金屬化合物之原料氣體與分解氣體併用，而構成反應性氣體，以便將該等原料氣體分解而獲得無機化合物。作為該分解氣體，可列舉：氫氣、甲烷氣體、乙炔氣體、一氧化碳氣體、二氧化碳氣體、氮氣、氨氣、一氧化二氮、一氧化氮、二氧化氮、氧氣、水蒸氣、氟氣、氟化氫、三氟乙醇、三氟甲苯、硫化氫、二氧化硫、二硫化碳、氯氣等。例如，可藉由使用氧氣而形成金屬氧化物，可藉由使用氨氣而形成金屬氮化物，可藉由使用氨氣及一氧化二氮而形成金屬氮氧化物。
於電漿CVD法中，對於該等反應性氣體，主要混合容易成為電漿狀態之放電氣體。作為放電氣體，使用氮氣、週期表之第18族原子，具體而言氦氣、氖氣、氬氣等稀有氣體。尤其就製造成本之觀點而言，較佳為氮氣。
將上述放電氣體與反應性氣體混合，以混合氣體之形式供給至電漿放電產生裝置(電漿產生裝置)，藉此進行膜形成。放電氣體與反應性氣體之比率根據成為目標之膜之性質而不同，相對於混合氣體整體，將放電氣體之比率設為50%以上而供給反應性氣體。
例如，將作為沸點為200℃以下之金屬烷氧化物之矽烷氧化物(四烷氧基矽烷(TEOS))用作原料化合物，將氧用作分解氣體，將稀有氣體或氮氣等非活性氣體用作放電氣體，進行電漿放電，藉此可形成氧化矽膜作為第1膜。
藉由此種CVD法而獲得之膜藉由選擇作為原料之金屬化合物、分解氣體、分解溫度、施加電力等條件，亦可分別製造金屬碳化物、金屬氮化物、金屬氧化物、金屬硫化物、金屬鹵化物、及其等之混合物(金 屬氮氧化物、金屬氧化鹵化物、金屬氮化碳化物等)，故而較佳。
藉由如上方式獲得圖1(a)所示之光學相位差構件100。所獲得之光學相位差構件100可利用捲取輥178而捲取。光學相位差構件100亦可於中途適當經由導輥175等。又，亦可對透明基體40之形成有凹凸圖案80之面之相反側之面及/或密閉層貼附保護構件。藉此，可防止對所獲得之光學相位差構件100進行搬送、輸送等時，對光學相位差構件100產生傷痕等損害。
再者，於上述實施形態中，作為用以對UV硬化性樹脂轉印凹凸圖案之模具，係使用轉印輥，但亦可將長條之膜狀模具或板狀之模具等壓抵至塗佈於基板上之UV硬化性樹脂，而形成凹凸圖案。
又，於上述實施形態中，使用UV硬化性樹脂而形成凹凸構造層50，但亦可利用熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、無機材料等而形成凹凸構造層50。於利用無機材料而形成凹凸構造層50之情形時，可藉由將無機材料之前驅物塗佈於模具上之後使其硬化之方法、將微粒子分散液塗佈於模具上並使分散介質乾燥之方法、將樹脂材料塗佈至模具上使其硬化之方法、液相沈積法(LPD：Liquid Phase Deposition)等準備透明基體40。
亦可使用矽、鈦等之烷氧化物等作為上述無機材料之前驅物(溶膠凝膠法)。例如，於基板上形成由氧化矽構成之凹凸構造層50之情形時，作為氧化矽之前驅物，可使用：四甲氧基矽烷(TMOS)、四乙氧基矽烷(TEOS)、四異丙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丁氧基矽烷、四正丁氧基矽烷、四第二丁氧基矽烷、四第三丁氧基矽烷等四烷氧基矽烷所代表之四烷氧化物單體；甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、丙基三甲 氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷(MTES)、乙基三乙氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、丙基三丙氧基矽烷、異丙基三丙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、丙基三異丙氧基矽烷、異丙基三異丙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷、甲苯基三乙氧基矽烷等三烷氧基矽烷所代表之三烷氧化物單體；二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、二甲基二異丙氧基矽烷、二甲基二正丁氧基矽烷、二甲基二異丁氧基矽烷、二甲基二第二丁氧基矽烷、二甲基二第三丁氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽烷、二乙基二異丙氧基矽烷、二乙基二正丁氧基矽烷、二乙基二異丁氧基矽烷、二乙基二第二丁氧基矽烷、二乙基二第三丁氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二丙氧基矽烷、二丙基二異丙氧基矽烷、二丙基二正丁氧基矽烷、二丙基二異丁氧基矽烷、二丙基二第二丁氧基矽烷、二丙基二第三丁氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、二異丙基二乙氧基矽烷、二異丙基二丙氧基矽烷、二異丙基二異丙氧基矽烷、二異丙基二正丁氧基矽烷、二異丙基二異丁氧基矽烷、二異丙基二第二丁氧基矽烷、二異丙基二第三丁氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、二苯基二丙氧基矽烷、二苯基二異丙氧基矽烷、二苯基二正丁氧基矽烷、二苯基二異丁氧基矽烷、二苯基二第二丁氧基矽烷、二苯基二第三丁氧基矽烷等二烷氧基矽烷所代表之二烷氧化物單體。進而，亦可使用烷基之碳數為C4~C18之烷基三烷氧基矽烷或二烷基二烷氧基矽烷。亦可使用：乙烯基三甲 氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷等具有乙烯基之單體；2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等具有環氧基之單體；對苯乙烯基三甲氧基矽烷等具有苯乙烯基之單體；3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等具有甲基丙烯醯基之單體；3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等具有丙烯醯基之單體；N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷等具有胺基之單體；3-脲基丙基三乙氧基矽烷等具有脲基之單體；3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷等具有巰基之單體；雙(三乙氧基矽基丙基)四硫醚等具有硫基之單體；3-異氰酸丙酯基三乙氧基矽烷等具有異氰酸酯基之單體；使該等單體少量聚合而成之聚合物；以對上述材料之一部分導入官能基或聚合物為特徵之複合材料等金屬烷氧化物。又，亦可將該等化合物之烷基或苯基之一部分或全部以氟取代。進而，可列舉金屬乙醯丙酮酸鹽、金屬羧酸酯、氧氯化物、氯化物、或其等之混合物等，但並不限定於此。作為金屬種類，除Si以外，可列舉Ti、Sn、Al、Zn、Zr、In等、或其等之混合物等，但並不限定於此。亦可使用將上述氧化金屬之前驅物適當混合而成者。進而，作為氧化矽之前驅物，可使用於分子中包含與氧化矽具有親和性、反應性 之水解基及具有撥水性之有機官能基的矽烷偶合劑。例如可列舉：正辛基三乙氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷等矽烷單體；乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)矽烷、乙烯基甲基二甲氧基矽烷等乙烯基矽烷；3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷等甲基丙烯醯基矽烷；2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三乙氧基矽烷等環氧矽烷；3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷等巰基矽烷；3-辛醯硫基-1-丙基三乙氧基矽烷等含硫矽烷；3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(N-苯基)胺基丙基三甲氧基矽烷等胺基矽烷；使該等單體聚合而成之聚合物等。
於將TEOS與MTES之混合物用作無機材料之前驅物之情形時，其等之混合比例如可設為以莫耳比計為1：1。藉由使該前驅物進行水解及縮聚反應，而生成非晶質氧化矽。作為合成條件，為了調整溶液之pH值，而添加鹽酸等酸、或氨等鹼。pH值較佳為4以下或10以上。又，亦可為了進行水解而添加水。所添加之水之量可設為相對於金屬烷氧化物種類以莫耳比計為1.5倍以上。
作為溶膠凝膠法中所使用之前驅物溶液之溶劑，例如可列舉：甲醇、乙醇、異丙醇(IPA)、丁醇等醇類；己烷、庚烷、辛烷、癸烷、環己烷等脂肪族烴類；苯、甲苯、二甲苯、均三甲苯等芳香族烴類；二乙醚、四氫呋喃、二
Figure 104123215-A0202-12-0027-10
烷等醚類；丙酮、甲基乙基酮、異佛酮、環己酮等酮 類；丁氧基乙醚、己氧基乙醇、甲氧基-2-丙醇、苄氧基乙醇等醚醇類；乙二醇、丙二醇等二醇類；乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯等二醇醚類；乙酸乙酯、乳酸乙酯、γ-丁內酯等酯類；苯酚、氯酚等酚類；N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮等醯胺類；氯仿、二氯甲烷、四氯乙烷、單氯苯、二氯苯等鹵素系溶劑；二硫化碳等含雜原子化合物；水；及其等之混合溶劑。尤其是，較佳為乙醇及異丙醇，又，較佳為對其等混合水而成者。
作為溶膠凝膠法中所使用之前驅物溶液之添加物，可使用：用於黏度調整之聚乙二醇、聚環氧乙烷、羥丙基纖維素、聚乙烯醇；或作為溶液穩定劑之三乙醇胺等烷醇胺、乙醯丙酮等β二酮、β酮酯、甲醯胺、二甲基甲醯胺、二
Figure 104123215-A0202-12-0028-11
烷等。又，作為前驅物溶液之添加物，可使用藉由照射準分子UV光等紫外線所代表之能量線而產生酸或鹼之材料。藉由添加此種材料，可藉由照射光，使前驅物溶液凝膠化(硬化)，而形成無機材料。
又，亦可將聚矽氮烷用作無機材料之前驅物。聚矽氮烷藉由加熱或照射準分子等能量線進行氧化而陶瓷化(氧化矽改質)，形成氧化矽、SiN、或SiON。再者，「聚矽氮烷」係指具有矽-氮鍵之聚合物，且由Si-N、Si-H、N-H等構成之SiO2、Si3N4及兩者之中間固溶體SiOxNY等陶瓷前驅物無機聚合物。更佳為日本特開平8-112879號公報中記載之如下述通式(1)表示之於相對低溫下陶瓷化而改性為氧化矽等之化合物。
通式(1)：-Si(R1)(R2)-N(R3)-
式中，R1、R2、R3分別表示氫原子、烷基、烯基、環烷基、芳基、烷 基矽基、烷基胺基、或烷氧基。
於上述通式(1)所表示之化合物中，尤佳為R1、R2、及R3均為氫原子之全氫聚矽氮烷(亦稱為PHPS)、或與Si鍵結之氫部分之一部分被取代為烷基等之有機聚矽氮烷。
作為於低溫下進行陶瓷化之聚矽氮烷之其他例，亦可使用使矽烷氧化物與聚矽氮烷進行反應而獲得之矽烷氧化物加成聚矽氮烷(例如日本特開平5-238827號公報)、使去水甘油與聚矽氮烷進行反應而獲得之去水甘油加成聚矽氮烷(例如日本特開平6-122852號公報)、使醇與聚矽氮烷進行反應而獲得之醇加成聚矽氮烷(例如日本特開平6-240208號公報)、使金屬羧酸鹽與聚矽氮烷進行反應而獲得之金屬羧酸鹽加成聚矽氮烷(例如日本特開平6-299118號公報)、使含有金屬之乙醯丙酮錯合物與聚矽氮烷進行反應而獲得之乙醯丙酮錯合物加成聚矽氮烷(例如日本特開平6-306329號公報)、對聚矽氮烷添加金屬微粒子而獲得之添加有金屬微粒子之聚矽氮烷(例如日本特開平7-196986號公報)等。
作為聚矽氮烷溶液之溶劑，可使用：脂肪族烴、脂環式烴、芳香族烴等烴溶劑；鹵化烴溶劑、脂肪族醚、脂環式醚等醚類。為了促進向氧化矽化合物之改質，亦可添加胺或金屬之觸媒。
於將上述金屬烷氧化物或聚矽氮烷等無機材料之前驅物之溶液塗佈於基板上之後，一面將具有凹凸圖案之模具壓抵至前驅物之塗膜，一面加熱前驅物之塗膜或對前驅物之塗膜照射能量線，藉此使塗膜凝膠化，從而能夠形成轉印有模具之凹凸圖案且由無機材料構成之凹凸構造層。
再者，圖1(b)所示之於基板42上形成有構成凸部60a之結構體，且於凸部60a之間劃分有露出基板42之表面之區域(凹部70a)的透明基體40a例如可藉由如下方式製造。於上述實施形態之製造方法中，僅對凹凸圖案轉印用模具之凹部塗佈UV硬化性樹脂，而不對基板42上塗佈UV硬化性樹脂50a。使塗佈至模具之UV硬化性樹脂與基板42a密接，將UV硬化性樹脂轉印至基板42a。藉此，於基板42a上形成具有與模具之凹部之形狀對應之形狀的凸部60a。於藉由該方式形成之凸部60a之間，劃分有凹部(露出基板42a之表面之區域)70a。
圖1(c)所示之基板之表面本身構成凸部60b及凹部70b之透明基體40b，例如可藉由如下方式製造。藉由公知之奈米壓印或光微影法等技術，於基板上形成具有凹凸圖案之抗蝕劑層。於對抗蝕劑層之凹部進行蝕刻而使基板表面露出之後，將殘留之抗蝕劑層作為掩膜對基板進行蝕刻。蝕刻後，利用藥液去除殘留之掩膜(抗蝕劑)。藉由如上操作，可於基板之表面本身上形成凹凸。
藉由利用與上述實施形態相同之方法，於藉由如上方式製造之透明基體40a、40b上形成被覆層30及密閉層20，可形成圖1(b)、(c)所示之光學相位差構件100a、100b。
[複合光學構件]
對使用上述光學相位差構件100、100a、100b而形成之複合光學構件進行說明。如圖4所示，複合光學構件300由上述實施形態之光學相位差構件100、及接合於光學相位差構件100之光學構件320a、320b所構成。於複合光學構件300中，光學構件320a係接合(貼合)於光學相位差構件100之 密閉層20，光學構件320b接合於透明基體40之形成有凹凸圖案之面之相反側之面。再者，根據本發明之複合光學構件可不具備光學構件320a、320b之兩者，亦可具備兩者中之任一者。例如，對光學相位差構件100貼合作為光學構件320a或320b之偏光板而成之複合光學構件可用作抗反射膜。又，藉由將此種抗反射膜之光學相位差構件側貼合至有機EL元件、液晶元件等顯示元件，可獲得防止顯示元件之配線電極之反射之顯示裝置(例如有機EL顯示器、液晶顯示器等)。
為了將光學相位差構件接合於偏光板或顯示元件等光學構件，而使用黏著劑。作為黏著劑，可使用丙烯酸系或矽系等公知者。實施形態之光學相位差構件因凸部之間之間隙部被密閉層所密閉，故而黏著劑不會進入至凸部之間。因此，於將光學相位差構件與光學構件接合之後，藉由光學相位差構件所產生之相位差亦不會變化，從而可產生充分之相位差。
[實施例]
以下，藉由實施例及比較例，對本發明之光學相位差構件進行具體說明，但本發明並不限定於該等實施例。於以下之實施例1~3及比較例1、2中，分別製作光學相位差構件，對各光學相位差構件之耐負載性及貼合至其他構件之前後之相位差特性進行評價。
實施例1
作為凹凸圖案轉印用模具，準備藉由對Si晶圓進行電子束加工而獲得之模具。於該模具中，形成有凸部以270nm間距排列而成之凹凸圖案，該凸部之與延伸方向正交之面之剖面形狀為底邊180nm、高度420nm之大致 等腰三角形，延伸長度為15mm，且直線狀地延伸。
其次，對基板(FUJIFILM製造之T80SZ)上塗佈氟系UV硬化性樹脂，一面壓抵上述模具，一面以600mJ/cm2照射紫外線，藉此使氟系UV硬化性樹脂進行硬化。於樹脂硬化後，自硬化之樹脂剝離母模。藉由該方式而獲得具有轉印有模具之表面形狀且由UV硬化性樹脂構成之凹凸圖案之透明基體。於該透明基體，形成有凸部以270nm間距排列而成之凹凸圖案，該凸部之上部寬度為90nm，下部寬度為270nm，高度為420nm，延伸長度為15mm，且直線狀地延伸。透明基體之凸部之與長度方向正交之面之剖面之形狀為上底90nm、下底270nm、高度420nm之大致等腰梯形。再者，硬化後之氟系UV硬化性樹脂之折射率為1.5。
藉由DC濺鍍，於藉由如上方式所製作之透明基體上積層TiO2膜。DC電力設為1000W。作為濺鍍氣體，係使用對氬氣混合2vol%之氧氣後所獲得之混合氣體，將混合氣體以流量50sccm導入至濺鍍腔室，將腔室內之氣壓設為0.5Pa。又，成膜時之透明基體之溫度設為25度。TiO2之成膜速度約為5nm/min。進行濺鍍成膜，直至TiO2之沈積膜厚成為450nm。再者，此處，TiO2膜之沈積膜厚係指沈積於透明基體之凸部之上表面之TiO2之膜厚。於藉由該方式所獲得之光學相位差構件中，於透明基體之凸部之側面形成厚度50~100nm之TiO2膜作為被覆層，形成厚度420nm之TiO2膜作為密閉層。鄰接之凸部上之TiO2膜接合而成為連續膜。即，形成由TiO2膜構成之密閉層。又，於鄰接之凸部之間，形成被凸部側面及密閉層所密閉之間隙部。間隙部之高度為440nm。再者，所成膜之TiO2膜之折射率為2.5。如此而獲得圖1(a)所示之光學相位差構件。
實施例2
除了將TiO2之沈積膜厚設為200nm，進而於TiO2膜上積層ITO膜以外，與實施例1同樣地製作光學相位差構件。ITO膜係藉由DC濺鍍而積層。DC電力設為1000W。作為濺鍍氣體，係使用對氬氣混合2vol%之氧氣後所獲得之混合氣體，將混合氣體以流量50sccm導入至濺鍍腔室，將腔室內之氣壓設為0.5Pa。又，將成膜時之透明基體之溫度設為25度。ITO之成膜速度約為50nm/min。進行濺鍍成膜，直至ITO之沈積膜厚成為250nm。再者，此處，ITO膜之沈積膜厚係指沈積於TiO2膜上之ITO之膜厚，且TiO2膜沈積於透明基體之凸部之上表面。
於如此而獲得之光學相位差構件中，於透明基體之凸部之側面形成厚度50~100nm之TiO2膜作為被覆層，形成由TiO2膜及ITO膜構成之厚度420nm之膜作為密閉層。鄰接之凸部上之TiO2膜及ITO膜接合而成為連續膜。即，形成由TiO2膜及ITO膜構成之密閉層。又，於鄰接之凸部之間，形成被凸部側面及密閉層所密閉之間隙部。間隙部之高度為440nm。再者，所成膜之TiO2膜之折射率為2.5，ITO膜之折射率為1.9。如此而獲得圖1(a)所示之光學相位差構件。
實施例3
作為凹凸圖案轉印用模具，準備藉由對Si晶圓進行電子束加工而獲得之模具。於該模具中，形成有凸部以270nm間距排列而成之凹凸圖案，該凸部之與延伸方向正交之面之剖面形狀係上部寬度為90nm，下部寬度為270nm，高度為420nm，延伸長度為15mm，且直線狀地延伸。模具之凸部之與長度方向正交之面之剖面之形狀為上底90nm、下底270nm、高度 420nm之大致等腰梯形。
其次，於PET基板(東洋紡製造之COSMOSHINE A-4100)上塗佈氟系UV硬化性樹脂，一面壓抵上述模具，一面以600mJ/cm2照射紫外線，藉此使氟系UV硬化性樹脂硬化。於樹脂硬化後，自硬化之樹脂剝離母模。如此而獲得具有轉印有模具之表面形狀之凹凸圖案之膜狀模具。於該膜狀模具中，形成有凸部以270nm間距排列而成之凹凸圖案，該凸部之與延伸方向正交之面之剖面形狀為底邊180nm、高度420nm之大致等腰三角形，延伸長度為15mm，且直線狀地延伸。
為了藉由溶膠凝膠法而形成凹凸構造層，藉由如下方式製備無機材料之前驅物之溶液(溶膠凝膠材料溶液)。於22mol之乙醇、5mol之水、0.004mol之濃鹽酸、及4mol之乙醯丙酮混合而成之液體，滴加0.75mol之四乙氧基矽烷(TEOS)及0.25mol之二甲基二乙氧基矽烷(DMDES)，進而作為添加材料，添加0.5wt%之界面活性劑S-386(Seimi Chemical製造)，以23℃、濕度45%攪拌2小時，而獲得SiO2之前驅物溶液。將該前驅物溶液棒式塗佈於基材上，而形成前驅物溶液之塗膜。作為基材，使用折射率為1.517(λ=589nm)之100mm×100mm×0.7mm(厚度)之無鹼玻璃基板(日本電氣硝子公司製造、OA10GF)。使用刮刀(YOSHIMITSU SEIKI公司製造)作為棒式塗佈機。該刮刀係使塗膜之膜厚成為5μm之設計，對刮刀貼附35μm之厚度之醯亞胺膠帶，以塗膜之膜厚成為40μm之方式進行調整。
於將前驅物溶液之塗膜以25℃放置1分鐘之後，將藉由如上方式製作之膜狀模具與塗膜重疊。此時，藉由使加熱至80℃之按壓輥於 膜狀模具上旋轉移動，而將膜狀模具壓抵至塗膜。其後，剝離膜狀模具，繼而使用烘箱以300℃加熱60分鐘，對塗膜進行正式燒成。如此而獲得具有轉印有膜狀模具之凹凸圖案且由溶膠凝膠材料構成之凹凸圖案的透明基體。於該透明基體中，形成有凸部以270nm間距排列而成之凹凸圖案，該凸部之上部寬度為90nm，下部寬度為270nm，高度為420nm，延伸長度為15mm，且直線狀地延伸。透明基體之凸部之與長度方向正交之面之剖面之形狀為上底90nm、下底270nm、高度420nm之大致等腰梯形。再者，硬化後之溶膠凝膠材料之折射率為1.4。
與實施例1同樣地，於藉由如上方式製作之透明基體上積層TiO2膜，直至沈積膜厚成為450nm。於如此而獲得之光學相位差構件中，於透明基體之凸部之側面形成厚度50~100nm之TiO2膜作為被覆層，形成厚度420nm之TiO2膜作為密閉層。鄰接之凸部上之TiO2膜接合而成為連續膜。即，形成由TiO2膜構成之密閉層。又，於鄰接之凸部之間，形成由凸部側面及密閉層密閉之間隙部。間隙部之高度為440nm。再者，所成膜之Ti膜之折射率為2.5。如此而獲得圖1(a)所示之光學相位差構件。
比較例1
除了將TiO2之沈積膜厚設為50nm以外，與實施例1同樣地製作光學相位差構件。於如此而獲得之光學相位差構件中，於透明基體之凸部之側面，形成厚度5~30nm之TiO2膜作為被覆層。於透明基體之凸部上，亦形成TiO2膜，但鄰接之凸部上之TiO2膜相分隔，鄰接之凸部之間之間隙部未被密閉。
比較例2
除了將TiO2之沈積膜厚設為120nm以外，與實施例1同樣地製作光學相位差構件。於如此而獲得之光學相位差構件中，於透明基體之凸部之側面，形成厚度10~50nm之TiO2膜作為被覆層。於透明基體之凸部上，亦形成TiO2膜，但鄰接之凸部上之TiO2膜相分隔，鄰接之凸部之間之間隙部未被密閉。
<耐負載性之評價>
藉由如下方式測定於實施例1~3及比較例1、2中製作之光學相位差構件之耐負載性。對實施例1、3及比較例1、2之光學相位差構件之TiO2膜側、及實施例2之光學相位差構件之ITO膜側，使用12mm
Figure 104123215-A0202-12-0036-12
之金屬製端子施加10kg之負載。繼而，將兩片偏光板以正交偏光狀態對向而配置，於兩片偏光板之間設置施加負載後之光學相位差構件。此時，以使各偏光板之光軸與光學相位差構件之凸部之延伸方向呈45度之角度之方式配置。繼而，自一偏光板側朝向光學相位差構件照射光，自另一偏光板以目視觀察透過之光。將此時透過光之亮度均勻者設為合格，將亮度不均勻者設為不合格。將結果示於表1，將合格記作○，將不合格記作×。對於實施例1~3之光學相位差構件可見整個面均勻地明亮，對於比較例1、2之光學相位差構件可見經施加負載之部分較暗，透過光之亮度不均勻。據此，認為實施例1~3之光學相位差構件即便於施加負載後亦維持凹凸圖案之形狀，比較例1、2之光學相位差構件之經施加負載之部分之凹凸圖案變形，導致相位差特性發生變化。
認為實施例1~3之光學相位差構件由於藉由以TiO2膜、或TiO2膜及ITO膜構成之密閉層，將鄰接之凸部之頂部連結，故而於密閉層 上施加負載時，各凸部經由密閉層而被鄰接之凸部所支持。又，可認為實施例1~3之光學相位差構件藉由經由密閉層將各凸部連結，而使施加之負載分散，從而減小施加至各凸部之負載。因此，認為與鄰接之凸部上之TiO2膜相分隔之比較例1、2之光學相位差構件相比，實施例1~3之光學相位差構件之各凸部不易變形，即便於施加10kg之負載後，凹凸圖案亦不會變形。
<相位差變化率之評價>
使用相位差測定裝置(Axometrics製造之Axoscan)，對利用實施例1~3及比較例1、2中所製作之光學相位差構件而產生之相位差進行測定。將測定結果示於表1。利用實施例1~3、比較例1、2之各光學相位差構件而產生之相位差分別為154nm、135nm、140nm、143nm、107nm。繼而，對環烯烴聚合物膜塗佈折射率為1.5之黏著劑，貼合於實施例1、3、比較例1、2之各光學相位差構件之TiO2膜側、及實施例2之光學相位差構件之ITO膜側。利用上述相位差測定裝置而測得與環烯烴聚合物膜貼合之各光學相位差構件之相位差。將測定結果示於表1。利用實施例1~3、比較例1、2之各光學相位差構件而產生之相位差分別為153nm、135nm、138nm、104nm、48nm。又，將實施例1~3、比較例1、2之各光學相位差構件之因貼合所引起之相位差之變化率示於表1。於實施例1~3之光學相位差構件中，因貼合所引起之相位差之減少率分別為1%、0%、1%，比較例1、2之光學相位差構件分別為27%、55%，相位差之變化率(減少率)較大。
Figure 104123215-A0202-12-0038-1
於貼合前之比較例1、2之光學相位差構件中，被覆凸部之表面之TiO2(折射率：2.5)與間隙部(折射率：1.0)之折射率差為1.5，該等週期性地排列，藉此獲得上述相位差特性。但是，認為比較例1、2之光學相位差構件由於鄰接之凸部之間之間隙部被TiO2所密閉，故而於光學相位差構件貼合環烯烴聚合物膜時，成為如圖6(a)所示般黏著劑進入至凸部之間之狀態。於如圖6(a)所示般黏著劑進入至凸部之間之狀態的光學相位差構件中，被覆層(TiO2膜)與黏著劑(折射率1.5)之折射率差為1.0，小於間隙部與TiO2膜之間之折射率差，因此對相位差特性之助益較小。因此，認為利用比較例1、2之光學相位差構件而產生之相位差於貼合後大幅度降低。另一方面，認為於實施例1、3之光學相位差構件中係利用TiO2膜，於實施例2之光學相位差構件中係利用TiO2膜及ITO膜，來密閉鄰接之凸部之間之間隙部，因此實施例1~3之光學相位差構件於貼合後，黏著劑不會進入至凸部之間，從而維持被覆層(TiO2膜)與間隙部之週期性排列。因此，認為即便於貼合後，相位差特性亦與貼合前大致相同。
以上，藉由實施形態對本發明進行了說明，但藉由本發明之製造方法所製造之光學相位差構件並不限定於上述實施形態，可於申請專 利範圍所記載之技術思想之範圍內進行適當改變。
[產業上之可利用性]
本發明之光學相位差構件即便組入至器件中亦可維持優異之相位差特性。又，防止因施加負載使凹凸構造變形而無法獲得所需相位差之情況。因此，本發明之光學相位差構件可適宜地用於抗反射膜等各種功能性構件、反射型或半透過型液晶顯示裝置、觸控面板、有機EL顯示裝置等顯示裝置、光碟用讀取頭裝置、偏光轉換元件等各種器件。
20‧‧‧密閉層
30‧‧‧被覆層
40、40a、40b‧‧‧透明基體
42、42a‧‧‧基板
50‧‧‧凹凸構造層
60、60a、60b‧‧‧凸部
70、70a、70b‧‧‧凹部
80、80a、80b‧‧‧凹凸圖案
90‧‧‧間隙部
100、100a、100b‧‧‧光學相位差構件
Ha‧‧‧間隙部90之高度
Hc‧‧‧凸部60之高度
T‧‧‧密閉層20之厚度
W‧‧‧凸部60之寬度

Claims (14)

  1. 一種光學相位差構件，其具備：透明基體，其由基板及下述凹凸構造層所構成，該凹凸構造層於設置在該基板上之表面具有週期性之凹凸圖案，且上述凸部高度為100~2000nm、上述凸部寬度為10~500nm、凹凸間距為100~1000nm；被覆層，其被覆上述凹凸構造層之凹部及凸部之表面；密閉層，其連結被上述被覆層所被覆之上述凸部且密閉；及間隙部，其係被被覆之凹凸結構層與密閉層間之空隙；上述空隙之深度大於上述凹凸構造層之上述凸部之高度；上述被覆層及上述密閉層由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、金屬氮氧化物、或金屬鹵化物構成；上述被覆層的折射率大於上述凹凸構造層之上述凸部的折射率；該光學相位差構件藉由上述凸部、上述被覆層及上述間隙部之折射率差而產生相位差。
  2. 如申請專利範圍第1項之光學相位差構件，其中，上述凹凸構造層之上述凸部之剖面形狀為梯形狀。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之光學相位差構件，其中，上述被覆層及上述密閉層係由相同材料形成。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之光學相位差構件，其中，上述被覆層係由與上述密閉層不同之材料形成。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之光學相位差構件，其中，構成上述凹凸構造層之材料為光硬化性樹脂或熱硬化性樹脂。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之光學相位差構件，其中，構成上述凹凸構造層之材料為溶膠凝膠材料。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之光學相位差構件，其中，於上述間隙部存在空氣。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之光學相位差構件，其中，上述密閉層係經由黏著劑與其他構件接合之層。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之光學相位差構件，其進而具備保護構件，該保護構件貼附於上述透明基體之形成有上述凹凸圖案之面之相反側的面及/或上述密閉層。
  10. 一種複合光學構件，其具備：申請專利範圍第1至8項中任一項之光學相位差構件；及光學構件，其貼附於上述透明基體之形成有上述凹凸圖案之面之相反側的面或上述密閉層。
  11. 如申請專利範圍第10項之複合光學構件，其中，上述光學構件為偏光板。
  12. 一種顯示裝置，其具備：申請專利範圍第10或11項之複合光學構件；及顯示元件，其貼附於上述透明基體之形成有上述凹凸圖案之面之相反側的面或上述密閉層。
  13. 一種光學相位差構件之製造方法，其具有如下步驟：形成於基板上具有凹凸圖案之凹凸構造層而準備透明基體；形成被覆上述凹凸構造層之凹部及凸部之表面的被覆層；及 以連結形成有上述被覆層之上述凹凸構造層之鄰接之上述凸部且密閉劃分於上述凸部間之間隙部的方式，於上述被覆層上形成密閉層；並且上述間隙部具有大於上述凹凸構造層之上述凸部之高度的高度；上述被覆層及上述密閉層由金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、金屬氮氧化物、或金屬鹵化物構成；上述被覆層的折射率大於上述凹凸構造層之上述凸部的折射率；上述光學相位差構件藉由上述凸部、上述被覆層及上述間隙部之折射率差而產生相位差。
  14. 如申請專利範圍第13項之光學相位差構件之製造方法，其中，於上述被覆層形成步驟及上述密閉層形成步驟中，藉由濺鍍、CVD、或蒸鍍而形成上述被覆層及上述密閉層。
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