JP3449798B2 - SiO2被覆プラスチックフィルムの製造方法 - Google Patents
SiO2被覆プラスチックフィルムの製造方法Info
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Description
iO2 膜を被覆したプラスチックフィルムとその製造方
法に関する。
硬さ、耐熱性を付与し、しかも透明性を損なわない表面
被覆方法が開示されている。特開平4−80030号公
報は、ゾル−ゲル法を利用したアルコキシシラン溶液の
塗布によって無機/有機複合膜を表面に形成する方法を
開示する。特開平6−93120号公報は、ガスバリヤ
性の高い基材フィルムに真空蒸着、イオンプレーティン
グ、スパッタリング、等のドライプレーティング法によ
ってSiO2 膜を形成する方法を開示する。
30号公報の方法には、成膜に高温が必要であるため使
用できる基材の種類に制限がある、得られる膜が緻密で
ない、膜の機械的強度が不十分である、等の問題があ
る。上記特開平6−93120号公報の方法には、成膜
コストが高い、ガスバリヤ性に乏しい、厚膜にするとク
ラックが生じる、等の問題がある。
ける問題を解決し、SiO2 膜を被覆したプラスチック
フィルムとその製造方法を提供することにある。
的は、 (1)プラスチックフィルムの少なくとも片面上にポリ
シラザンをセラミックス化して形成した窒素を原子百分
率で0.05〜5%含有するSiO2 膜を有することを
特徴とするSiO2 被覆プラスチックフィルム、及び (2)プラスチックフィルムの少なくとも片面上にポリ
シラザンの膜を形成して該膜をセラミックス化する工程
を含むことを特徴とするSiO2 被覆プラスチックフィ
ルムの製造方法によって達成される。
る。 (3)プラスチックフィルムの少なくとも片面上にポリ
シラザンの膜を形成する工程と、該膜に加熱処理を施し
た後に加湿処理及び/又は触媒を含有する水溶液による
浸漬処理を施す工程とを含むことを特徴とするSiO2
被覆プラスチックフィルムの製造方法。 (4)前記加熱処理を150℃以下で施すことを特徴と
する(3)項記載の方法。 (5)前記SiO2 膜が充填剤及び/又は増量剤をさら
に含有することを特徴とする(1)項記載のSiO2 被
覆プラスチックフィルム。
ザンを用いることにより、そして特に好適には低温セラ
ミックス化処理法を採用することにより、プラスチック
フィルム基材を損なわないような低温でSiO2 膜が形
成され、プラスチックフィルムをセラミックスで被覆し
たSiO2 被覆プラスチックフィルムが提供される。
とが可能であればいずれのポリシラザンを使用してもS
iO2 膜を形成することができる。このようなポリシラ
ザンを、以降「低温セラミックス化ポリシラザン」と呼
ぶ。
リシラザンは、下記一般式(I)で表わされる単位から
なる主骨格を有する数平均分子量が100〜5万のポリ
シラザンを変性したものである。
独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロア
ルキル基、アリール基、またはこれらの基以外でケイ素
に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アル
キルアミノ基、アルコキシ基を表わす。ただし、R1 、
R2 及びR3 の少なくとも1つは水素原子である。本発
明では、R1 、R2 及びR3 のすべてが水素原子である
ポリシラザンが特に好ましい。
ンの例として、本願出願人による特願平4−39595
号明細書(特開平5−238827号公報)に記載され
ているケイ素アルコキシド付加ポリシラザンが挙げられ
る。この変性ポリシラザンは、上記一般式(I)で表さ
れるポリシラザンと、下記一般式(II): Si(OR4 )4 (II) (式中、R4 は、同一でも異なっていてもよく、水素原
子、炭素原子数1〜20個を有するアルキル基またはア
リール基を表し、少なくとも1個のR4 は上記アルキル
基またはアリール基である)で表されるケイ素アルコキ
シドを加熱反応させて得られる、アルコキシド由来ケイ
素/ポリシラザン由来ケイ素原子比が0.001〜3の
範囲内かつ数平均分子量が約200〜50万のケイ素ア
ルコキシド付加ポリシラザンである。上記R4 は、炭素
原子数1〜10個を有するアルキル基がより好ましく、
また炭素原子数1〜4個を有するアルキル基が最も好ま
しい。また、アルコキシド由来ケイ素/ポリシラザン由
来ケイ素原子比は0.05〜2.5の範囲内にあること
が好ましい。ケイ素アルコキシド付加ポリシラザンの調
製については、上記特願平4−39595号明細書(特
開平5−238827号公報)を参照されたい。
として、本出願人による特開平6−122852号公報
に記載されているグリシドール付加ポリシラザンが挙げ
られる。この変性ポリシラザンは、上記一般式(I)で
表されるポリシラザンとグリシドールを反応させて得ら
れる、グリシドール/ポリシラザン重量比が0.001
〜2の範囲内かつ数平均分子量が約200〜50万のグ
リシドール付加ポリシラザンである。グリシドール/ポ
リシラザン重量比は0.01〜1であることが好まし
く、さらには0.05〜0.5であることがより好まし
い。グリシドール付加ポリシラザンの調製については、
上記特開平6−122852号公報を参照されたい。
として、本願出願人による特願平5−30750号明細
書(特開平6−240208号公報)に記載されている
アルコール付加ポリシラザンが挙げられる。この変性ポ
リシラザンは、上記一般式(I)で表されるポリシラザ
ンとアルコールを反応させて得られる、アルコール/ポ
リシラザン重量比が0.001〜2の範囲内かつ数平均
分子量が約100〜50万のアルコール付加ポリシラザ
ンである。上記アルコールは、沸点110℃以上のアル
コール、例えばブタノール、ヘキサノール、オクタノー
ル、ノナノール、メトキシエタノール、エトキシエタノ
ール、フルフリルアルコールであることが好ましい。ま
た、アルコール/ポリシラザン重量比は0.01〜1で
あることが好ましく、さらには0.05〜0.5である
ことがより好ましい。アルコール付加ポリシラザンの調
製については、上記特願平5−30750号明細書(特
開平6−240208号公報)を参照されたい。
の例として、本願出願人による特願平5−93275号
明細書(特開平6−299118号公報)に記載されて
いる金属カルボン酸塩付加ポリシラザンが挙げられる。
この変性ポリシラザンは、上記一般式(I)で表される
ポリシラザンと、ニッケル、チタン、白金、ロジウム、
コバルト、鉄、ルテニウム、オスミウム、パラジウム、
イリジウム、アルミニウムの群から選択される少なくと
も1種の金属を含む金属カルボン酸塩を反応させて得ら
れる、金属カルボン酸塩/ポリシラザン重量比が0.0
00001〜2の範囲内かつ数平均分子量が約200〜
50万の金属カルボン酸塩付加ポリシラザンである。上
記金属カルボン酸塩は、式(RCOO)n M〔式中、R
は炭素原子数1〜22個の脂肪族基又は脂環式基であ
り、Mは上記金属群から選択される少なくとも1種の金
属を表し、そしてnは金属Mの原子価である〕で表され
る化合物である。上記金属カルボン酸塩は無水物であっ
ても水和物であってもよい。また、金属カルボン酸塩/
ポリシラザン重量比は好ましくは0.001〜1、より
好ましくは0.01〜0.5である。金属カルボン酸塩
付加ポリシラザンの調製については、上記特願平5−9
3275号明細書(特開平6−299118号公報)を
参照されたい。
別の例として、本願出願人による特願平5−35604
号明細書(特開平6−306329号公報)に記載され
ているアセチルアセトナト錯体付加ポリシラザンが挙げ
られる。この変性ポリシラザンは、上記一般式(I)で
表されるポリシラザンと、金属としてニッケル、白金、
パラジウム又はアルミニウムを含むアセチルアセトナト
錯体を反応させて得られる、アセチルアセトナト錯体/
ポリシラザン重量比が0.000001〜2の範囲内か
つ数平均分子量が約200〜50万のアセチルアセトナ
ト錯体付加ポリシラザンである。上記の金属を含むアセ
チルアセトナト錯体は、アセチルアセトン(2,4−ペ
ンタジオン)から酸解離により生じた陰イオンacac
- が金属原子に配位した錯体であり、一般に式(CH3
COCHCOCH3 )n M〔式中、Mはn価の金属を表
す〕で表される。アセチルアセトナト錯体/ポリシラザ
ン重量比は、好ましくは0.001〜1、より好ましく
は0.01〜0.5である。アセチルアセトナト錯体付
加ポリシラザンの調製については、上記特願平5−35
604号明細書(特開平6−306329号公報)を参
照されたい。
の例として、本願出願人による特願平5−338524
明細書(特開平7−196986号公報)に記載されて
いる金属微粒子添加ポリシラザンが挙げられる。この変
性ポリシラザンは、上記一般式(I)で表されるポリシ
ラザンを主成分とするコーティング溶液に、Au、A
g、Pd、Niをはじめとする金属の微粒子を添加して
得られる変性ポリシラザンである。好ましい金属はAg
である。金属微粒子の粒径は0.5μmより小さいこと
が好ましく、0.1μm以下がより好ましく、さらには
0.05μmより小さいことが好ましい。特に、粒径
0.005〜0.01μmの独立分散超微粒子を高沸点
アルコールに分散させたものが好ましい。金属微粒子の
添加量は、ポリシラザン100重量部に対して0.01
〜10重量部、好ましくは0.05〜5重量部である。
金属微粒子添加ポリシラザンの調製については、上記特
願平5−338524明細書(特開平7−196986
号公報)を参照されたい。
ラザン」であればいずれも好適に使用することができ
る。特に好ましい低温セラミックス化ポリシラザンは金
属カルボン酸塩付加ポリシラザンであるが、とりわけそ
の金属がパラジウム(Pd)であるものがより好まし
い。
ィルムは、上記の如き低温セラミックス化ポリシラザン
の膜をプラスチックフィルムの少なくとも片面に形成
し、この膜を低温でセラミックス化することにより製造
される。低温セラミックス化ポリシラザンの膜形成は、
通常低温セラミックス化ポリシラザンを溶剤に溶解させ
てコーティング用組成物を調製することによって行われ
る。
化水素、芳香族炭化水素の炭化水素溶媒、ハロゲン化メ
タン、ハロゲン化エタン、ハロゲン化ベンゼン等のハロ
ゲン化炭化水素、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等の
エーテル類を使用することができる。好ましい溶媒は、
塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホル
ム、塩化エチレン、塩化エチリデン、トリクロロエタ
ン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、エチ
ルエーテル、イソプロピルエーテル、エチルブチルエー
テル、ブチルエーテル、1,2−ジオキシエタン、ジオ
キサン、ジメチルジオキサン、テトラヒドロフラン、テ
トラヒドロピラン等のエーテル類、ペンタンヘキサン、
イソヘキサン、メチルペンタン、ヘプタン、イソヘプタ
ン、オクタン、イソオクタン、シクロペンタン、メチル
シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等
の炭化水素等である。これらの溶剤を使用する場合、低
温セラミックス化ポリシラザンの溶解度や溶剤の蒸発速
度を調節するために、2種類以上の溶剤を混合してもよ
い。
ング方法により作業性がよくなるように選択され、また
用いる低温セラミックス化ポリシラザンの平均分子量、
分子量分布、その構造によって異なるので、適宜、自由
に混合することができる。好ましくは固形分濃度で1〜
50重量%の範囲で混合することができる。
いて、必要に応じて適当な充填剤及び/又は増量剤を加
えることができる。充填剤の例としてはシリカ、アルミ
ナ、ジルコニア、マイカを始めとする酸化物系無機物あ
るいは炭化珪素、窒化珪素等の非酸化物系無機物の微粉
等が挙げられる。また用途によってはアルミニウム、亜
鉛、銅等の金属粉末の添加も可能である。さらに充填剤
の例を詳しく述べれば、シリカゾル、ジルコニアゾル、
アルミナゾル、チタニアゾル等のゾル:ケイ砂、石英、
ノバキュライト、ケイ藻土等のシリカ系:合成無定形シ
リカ:カオリナイト、雲母、滑石、ウオラストナイト、
アスベスト、ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム等
のケイ酸塩:ガラス粉末、ガラス球、中空ガラス球、ガ
ラスフレーク、泡ガラス球等のガラス体:窒化ホウ素、
炭化ホウ素、窒化アルミニウム、炭化アルミニウム、窒
化ケイ素、炭化ケイ素、ホウ化チタン、窒化チタン、炭
化チタン等の非酸化物系無機物:炭酸カルシウム:酸化
亜鉛、アルミナ、マグネシア、酸化チタン、酸化ベリリ
ウム等の金属酸化物:硫酸バリウム、二硫化モリブデ
ン、二硫化タングステン、弗化炭素その他無機物:アル
ミニウム、ブロンズ、鉛、ステンレススチール、亜鉛等
の金属粉末:カーボンブラック、コークス、黒鉛、熱分
解炭素、中空カーボン球等のカーボン体等があげられ
る。好ましい充填剤は、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ア
ルミニウム、酸化ジルコニウムなどの酸化物系無機物の
超微粒子及びシリカゾルである。
む。)、粒状、鱗片状等種々の形状のものを単独又は2
種以上混合して用いることができる。又、これら充填剤
の粒子の大きさは1回に適用可能な膜厚よりも小さいこ
とが望ましい。また充填剤の添加量は低温セラミックス
化ポリシラザン1重量部に対し、0.05重量部〜10
重量部の範囲であり、特に好ましい添加量は0.2重量
部〜3重量部の範囲てある。
各種顔料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線
吸収剤、pH調整剤、分散剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥
促進剤、流れ止め剤を加えてもよい。
は、種々のプラスチック材料が包含される。耐熱性、耐
溶剤性の観点から好ましい材料として、ポリエチレンテ
レフタレート(PET)、ポリイミド(PI;例えば、
商品名カプトンで市販されているピロメリット酸無水物
とジアミノジフェニルエーテルとの重縮合生成物)、ポ
リカーボネート(PC)、二軸延伸ポリプロピレン(O
PP)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリエ
チレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン
(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリエー
テルエーテルケトン(PEEK)、ポリアリレート(P
AR)、二軸延伸パラ系アラミドフィルム、ノルボルネ
ン系ポリオレフィンフィルム、支持体付き極薄フィル
ム、等が挙げられる。プラスチックフィルムの面積や厚
さには特に制限はなく、用途に応じた任意の面積及び厚
さのフィルムを使用することができる。
放電処理、シランカップリング剤の塗布、等の前処理を
施すこともできる。
グ用組成物を上記のようなプラスチックフィルムの少な
くとも片面に適用することによって低温セラミックス化
ポリシラザンの膜を形成する。適用方法は、通常実施さ
れているプラスチックフィルムへの塗布方法、すなわち
浸漬、ロール塗り、バー塗り、刷毛塗り、スプレー塗
り、フロー塗り等が用いられる。特に好ましい適用方法
はグラビアコーティング法である。
ラスチックフィルムを損なわない温度、好ましくは15
0℃以下で加熱処理を施す。一般に、加熱処理を150
℃以上で行うと、プラスチックフィルムが変形したり、
その強度が劣化するなど、プラスチックフィルムが損な
われる。しかしながら、ポリイミド等の耐熱性の高いフ
ィルムの場合にはより高温での処理が可能であり、この
加熱処理温度は、フィルムの種類によって当業者が適宜
設定することができる。加熱雰囲気は酸素中、空気中の
いずれであってもよい。
O、Si−N、Si−H、N−Hが存在する膜が形成さ
れる。この膜はまだセラミックスへの転化が不完全であ
る。この膜を、次に述べる2つの方法及びのいずれ
か一方又は両方によって、セラミックスに転化させるこ
とが可能である。
実的に適当である。相対湿度は特に限定されるものでは
ないが、10〜100%RHが好ましい。温度は室温以
上で効果的であるが室温〜150℃が好ましい。熱処理
時間は特に限定されるものではないが10分〜30日が
現実的に適当である。
ラミックス化ポリシラザンの酸化または水蒸気との加水
分解が進行するので、上記のような低い加熱温度で、実
質的にSiO2 からなる緻密な膜の形成が可能となる。
但し、このSiO2 膜はポリシラザンに由来するため窒
素を原子百分率で0.05〜5%含有する。この窒素含
有量が5%よりも多いと膜のセラミックス化が不十分と
なり所期の効果(例えばガスバリヤ性や耐磨耗性)が得
られない。一方、窒素含有量を0.05%よりも少なく
することは困難である。好ましい窒素含有量は原子百分
率で0.1〜3%である。
は特に限定されないが、例えば、トリエチルアミン、ジ
エチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールア
ミン、トリエタノールアミン、n−エキシルアミン、n
−ブチルアミン、ジ−n−ブチルアミン、トリ−n−ブ
チルアミン、グアニジン、ピグアニン、イミダゾール、
1,8−ジアザビシクロ−〔5,4,0〕−7−ウンデ
セン、1,4−ジアザビシクロ−〔2,2,2〕−オク
タン等のアミン類;水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化リチウム、ピリジン、アンモニア水等のアル
カリ類;リン酸等の無機酸類;永酢酸、無水酢酸、プロ
ピオン酸、無水プロピオン酸のような低級モノカルボン
酸、又はその無水物、シュウ酸、フマル酸、マレイン
酸、コハク酸のような低級ジカルボン酸又はその無水
物、トリクロロ酢酸等の有機酸類;過塩素酸、塩酸、硝
酸、硫酸、スルホン酸、パラトルエンスルホン酸、三フ
ッ化ホウ素及びその電気供与体との錯体、等;SnCl
4 、ZnCl2 、FeCl3 、AlCl3 、SbC
l3 、TiCl4 などのルイス酸及びその錯体等を使用
することができる。好ましい触媒は塩酸である。触媒の
含有割合としては0.01〜50重量%、好ましくは1
〜10重量%である。保持温度としては室温から沸点ま
での温度にわたって有効である。保持時間としては特に
限定されるものではないが10分〜30日が現実的に適
当である。
り、低温セラミックス化ポリシラザンの酸化あるいは水
との加水分解が、触媒の存在により更に加速され、上記
のような低い加熱温度で、実質的にSiO2 からなる緻
密な膜の形成が可能となる。但し、先に記載したよう
に、このSiO2 膜はポリシラザンに由来するため窒素
を同様に原子百分率で0.05〜5%含有する。
は、好ましくは500Å〜5μm、より好ましくは10
00Å〜2μmの範囲である。膜厚が5μmよりも厚い
と熱処理時に割れが入ることが多く、更に可撓性が悪く
なり、折り曲げなどによる割れや剥離も生じ易くなる。
反対に、膜厚が500Åよりも薄いと所期の効果、例え
ば所望のガスバリヤ性や耐磨耗性が得られない。この膜
厚は、コーティング用組成物の濃度を変更することによ
って制御することができる。すなわち、膜厚を増加した
い場合にはコーティング用組成物の固形分濃度を高くす
る(溶剤濃度を低くする)ことができる。また、コーテ
ィング用組成物を複数回適用することによって膜厚をさ
らに増加させることもできる。
り行われている機能性フィラーの添加や、各種層を積層
させることが可能である。例えば、紫外線吸収機能を付
与するために紫外線吸収機能をもつTiO2 等の微粒子
を添加したり、導電性を付与するために導電性微粒子を
添加したり、屈曲性を付与するために可撓性のある中間
層を積層させる、等が可能である。
クス化しており、塗布、硬化という通常の簡単な方法で
形成できる。そして、このSiO2 膜は従来の蒸着法に
よるSiO2 膜と同等以上のガスバリヤ性を示す。ま
た、耐磨耗性(硬度)に優れており、透明であることが
できる。このようなSiO2 膜がプラスチックフィルム
に適用できるようになることにより、食品、医薬品など
の包装用フィルムにガスバリヤ性を付与したり、液晶表
示装置のタッチパネルにガスバリヤ性及び耐磨耗性を付
与したり、フィルム液晶用フィルムにガスバリヤ性と耐
傷性を付与したり、フィルムと透明導電膜との密着性を
向上したりすることなどが可能になる。
−1;数平均分子量900)の20%キシレン溶液10
gに酢酸パラジウム(II)(エヌ・イー・ケムキャット
(株)製)の0.5%キシレン溶液4gを添加し、更に
キシレンを6g加え、大気中、20℃で3時間攪拌しな
がら反応を行った。
したところ961であった。この溶液をコーティング液
とし、孔径0.1μmのPTFE製フィルターで濾過
後、厚さ75μmのPETフィルムにディップコーティ
ング法で両面に塗布し、大気雰囲気下150℃で1時間
加熱処理した。
を調製し、この溶液に上記の加熱処理した塗膜を室温で
3時間浸漬処理し、室温で乾燥させた。この塗膜の厚さ
は約1μmであった。この塗膜のセラミックス化の進行
度を赤外分光分析法(IR)で評価したところ、Si−
Hに起因する吸収は認められなかった。また、940cm
-1にSi−OH、3400cm-1にO−Hに起因する吸収
が認められた。さらに、膜の密度を重量法によって測定
したところ2.1g/cm3 であった。また、膜の屈折
率をエリプソメーターによって測定したところ1.45
であった。これらの値は溶融石英ガラスの値(密度2.
20g/cm3 、屈折率1.46)にほぼ近いものであ
り、得られた塗膜の組成が実質的にSiO2 であること
が確認された。また、塗膜中の窒素含有量を二次イオン
質量分析法(SIMS)で評価したところ、原子百分率
で0.57%であった。
酸素及び水蒸気のガス透過率を測定した。これらの測定
には、柳本製作所(株)製の差圧式ガス透過率測定シス
テムGTR-30XD を使用した。酸素透過率の測定条件は、
測定温度:25±1℃、試験ガス:乾燥酸素(住友精化
(株)製 ZERO-U グレード)、試験ガス圧力:6.0k
gf/cm2 、ガス透過面積:15.2cm2 (直径4
4mm)、透過ガス貯蔵時間:33、37及び47時間
の3水準とした。水蒸気透過率の測定条件は、測定温
度:40±1℃、試験ガス:水蒸気+乾燥酸素の混合ガ
ス、水蒸気発生:23℃における飽和水蒸気を利用、試
験ガス圧力:約1kgf/cm2 〔うち水蒸気の分圧=
2809.6Pa≒0.0286kgf/cm2 ≒0.
028気圧(23℃における飽和水蒸気圧)〕、相対湿
度:約38%RH(測定温度と水蒸気発生温度における
飽和蒸気圧の比で定まる)、ガス透過面積:15.2c
m2(直径44mm)、透過ガス貯蔵時間:33、45
及び60時間の3水準とした。測定は、試験ガスを所定
圧力で試料に負荷させてから時間が充分に経過した後に
行った。このように測定して得られた被覆PETフィル
ムのガス透過率は、酸素透過率が0.09cc/m2 ・
24h・atm、そして水蒸気透過率が0.6g/m2
・24hであった。
は2Hであった。さらに、型番#0000のスチールウ
ールで250gの荷重をかけながら60rpmで100
回転させた後の被覆PETフィルムは、目視では傷を確
認できなかった。
PTFE製フィルターで濾過後、厚さ75μmのPET
フィルムにディップコーティング法で両面に塗布し、大
気雰囲気下150℃で1時間加熱処理した。
湿度)中、大気圧下、95℃で3時間加熱した。この塗
膜の膜厚は約1μmであった。この塗膜のセラミックス
化の進行度をIRで評価したところ、Si−Hに起因す
る吸収は認められなかった。また、940cm-1にSi−
OH、3400cm-1にO−Hに起因する吸収が認められ
た。さらに、膜の密度を重量法によって測定したところ
2.1g/cm3 であった。また、膜の屈折率をエリプ
ソメーターによって測定したところ1.45であった。
これらの値は溶融石英ガラスの値(密度2.20g/c
m3 、屈折率1.46)にほぼ近いものであり、得られ
た塗膜の組成が実質的にSiO2 であることが確認され
た。また、塗膜中の窒素含有量をSIMSで評価したと
ころ、原子百分率で1.3%であった。
ガス透過率を実施例1と同様に測定したところ、25℃
における酸素透過率が0.1cc/m2 ・24h・at
m、そして40℃における水蒸気透過率が1.0g/m
2 ・24hであった。
は2Hであった。さらに、型番#0000のスチールウ
ールで250gの荷重をかけながら60rpmで100
回転させた後の被覆PETフィルムは、目視では傷を確
認できなかった。
タを、また表2に硬度についてのデータをまとめて記載
する。
するポリシラザンをプラスチックフィルムに適用するこ
とによってSiO2 膜を有するプラスチックフィルムが
得られる。本発明によるSiO2 被膜プラスチックフィ
ルムはガスバリヤ性、耐磨耗性を有するので、食品、医
薬品、等の包装用フィルムとして、また液晶表示装置の
タッチパネル用保護フィルムや、フィルム液晶のフィル
ム基材として特に有用である。
Claims (3)
- 【請求項1】 プラスチックフィルムの少なくとも片面
上に低温セラミックス化ポリシラザンの膜を形成する工
程と、該膜に加熱処理を施した後に触媒を含有する水溶
液による浸漬処理を施す工程とを含むことを特徴とする
SiO2被覆プラスチックフィルムの製造方法。 - 【請求項2】 プラスチックフィルムの少なくとも片面
上に低温セラミックス化ポリシラザンの膜を形成する工
程と、該膜に加熱処理を施した後に相対湿度80〜10
0%における加湿処理を施す工程とを含むことを特徴と
するSiO2被覆プラスチックフィルムの製造方法。 - 【請求項3】 前記加湿処理を95〜150℃の温度条
件下で施す、請求項2に記載の方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24937494A JP3449798B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | SiO2被覆プラスチックフィルムの製造方法 |
US08/543,157 US5747623A (en) | 1994-10-14 | 1995-10-13 | Method and composition for forming ceramics and article coated with the ceramics |
US09/005,925 US6083860A (en) | 1994-10-14 | 1998-01-12 | Method and composition for forming ceramics and article coated with the ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24937494A JP3449798B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | SiO2被覆プラスチックフィルムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08112879A JPH08112879A (ja) | 1996-05-07 |
JP3449798B2 true JP3449798B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=17192076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24937494A Expired - Lifetime JP3449798B2 (ja) | 1994-10-14 | 1994-10-14 | SiO2被覆プラスチックフィルムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3449798B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH09157544A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-17 | Tonen Corp | シリカ系被膜付き基材の製造方法及び本方法で製造されたシリカ系被膜付き基材 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP6056854B2 (ja) | 2012-05-14 | 2017-01-11 | コニカミノルタ株式会社 | ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス |
JP6101784B2 (ja) | 2013-03-06 | 2017-03-22 | Jxエネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する部材の製造方法及びそれにより製造された凹凸構造を有する部材 |
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WO2015011980A1 (ja) | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 凹凸構造を有する基板の製造方法 |
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KR101894342B1 (ko) | 2013-12-27 | 2018-09-03 | 제이엑스티지 에네루기 가부시키가이샤 | 발광 소자 |
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JP6438678B2 (ja) | 2014-05-14 | 2018-12-19 | Jxtgエネルギー株式会社 | 凹凸構造を有するフィルム部材 |
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KR102294026B1 (ko) | 2018-10-26 | 2021-08-27 | 주식회사 엘지화학 | 배리어 필름 |
KR102294027B1 (ko) | 2018-10-26 | 2021-08-27 | 주식회사 엘지화학 | 배리어 필름 |
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Also Published As
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---|---|
JPH08112879A (ja) | 1996-05-07 |
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Legal Events
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 7 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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