[go: up one dir, main page]

JPH06191970A - シリカ含有セラミックコーティングの形成方法 - Google Patents

シリカ含有セラミックコーティングの形成方法

Info

Publication number
JPH06191970A
JPH06191970A JP5172968A JP17296893A JPH06191970A JP H06191970 A JPH06191970 A JP H06191970A JP 5172968 A JP5172968 A JP 5172968A JP 17296893 A JP17296893 A JP 17296893A JP H06191970 A JPH06191970 A JP H06191970A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coating
resin
silica
silicon hydride
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5172968A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3298990B2 (ja
Inventor
David Stephen Ballance
スティーブン バランス デビッド
Marie N Eckstein
ノートン エクステイン マリー
Mark Jon Loboda
ジョン ロボダ マーク
Keith Winton Michael
ウィントン マイケル キース
Liberty B Shelton
ベル シェルトン リバティ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of JPH06191970A publication Critical patent/JPH06191970A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3298990B2 publication Critical patent/JP3298990B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
    • H01L21/481—Insulating layers on insulating parts, with or without metallisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/4505—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
    • C04B41/455—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application the coating or impregnating process including a chemical conversion or reaction
    • C04B41/4554—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application the coating or impregnating process including a chemical conversion or reaction the coating or impregnating material being an organic or organo-metallic precursor of an inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
    • C04B41/5035—Silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/296—Organo-silicon compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00474—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00844—Uses not provided for elsewhere in C04B2111/00 for electronic applications
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 シリカ含有セラミックコーティングを基板上
に形成させる低温法を提供する。 【構成】 本発明の方法は、水素化珪素含有樹脂を含ん
で成るコーティングを基板上に適用する工程と、そのコ
ーティングした基板を、亜酸化窒素を含んで成る環境に
おいて、樹脂をシリカ含有セラミックコーティングへ転
化するのに十分な温度で加熱する工程とを含んで成る。 【効果】 本発明の方法は、電子装置表面に保護コーテ
ィングや誘電体コーティングを形成させるのに特に有益
である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子装置やプラスチッ
クのような温度感受性基板の表面にシリカ含有セラミッ
クコーティングを形成させる方法に関する。これらのコ
ーティングを使用すると、下部の基板に対して気密保護
を付与することができ、またそれらを誘電体層として使
用することもできる。
【０００２】
【従来の技術】当該技術分野では、電子装置のような基
板上に、水素シルセスキオキサン由来のセラミックコー
ティングを使用することが知られている。例えば、Halu
ska らは、米国特許第 4,756,977号明細書で、水素シル
セスキオキサン樹脂（Ｈ−樹脂）の溶液を基板上に適用
した後、そのコーティングした基板を空気中で 200〜10
00℃の範囲の温度で加熱することによる、電子装置のよ
うな基板上にシリカ含有コーティングを形成する方法に
ついて記載している。Ｈ−樹脂を完全にシリカへ転化す
るためには 600〜800 ℃の範囲の温度が必要なため、電
子装置やプラスチックといった温度感受性の基板をコー
ティングする場合には、該方法の有用性が限られてしま
う。
【０００３】当該技術分野では、Ｈ−樹脂を低温でシリ
カ含有材料へ転化する別の方法も知られている。例え
ば、米国特許第 4,847,162号明細書が、アンモニア中で
加熱することによる、Ｈ−樹脂を硝化シリカへ転化する
方法について記載している。同様に、米国特許第 5,11
6,637号明細書は、アミン類を使用して、Ｈ−樹脂のシ
リカ含有材料への転化を促進する方法について記載して
いる。しかしながら、これらの方法で用いられる剤は、
腐食性であったり、また環境や廃棄の問題を生じる場合
があるので、用途によってはその使用が限られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、本出願人は、
亜酸化窒素を含有する環境で加熱することによって、あ
る特定の水素化珪素含有材料を低温でシリカ含有コーテ
ィングに転化できることを見い出した。
【０００５】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】本発明
は、温度感受性基板上に、シリカ含有セラミックコーテ
ィングを形成する方法に関する。本発明の方法は、まず
最初に、構造式（ＳｉＯ2 ）x （ＲＳｉＯ3/2 ）y （Ｒ
2 ＳｉＯ）z で示される水素化珪素含有樹脂を含んで成
るコーティングを基板上に適用する工程を含んで成る。
前記構造式中、Ｒは、各々独立に、水素または炭素原子
数１〜20個の炭化水素を含んで成り、ｙは、0.05〜１の
モル分率であり、そしてｘ及びｚは、０〜0.95のモル分
率であるが、但しＲ基の少なくとも20％は水素である。
その後、コーティングした基板を、亜酸化窒素を含有す
る雰囲気において、該樹脂コーティングをシリカ含有セ
ラミックコーティングへ転化するのに十分な温度で加熱
する。これらの方法は、電子装置の表面にコーティング
を形成するのに特に有益な方法である。
【０００６】本発明は、水素化珪素含有樹脂コーティン
グのシリカ含有コーティングへの低温での転化が、亜酸
化窒素（Ｎ2 Ｏ）によって促進されるという発見に基づ
くものである。この発見は、電子装置のような温度感受
性の基板をコーティングするためのこのような樹脂の使
用に対して劇的な影響を及ぼす。というのは、この発見
により、従来技術の低温転化法や剤にまつわる様々な問
題が回避されるからである。このような問題には、爆発
や環境の問題、高温の使用、硬化剤の腐食性、コーティ
ングの亀裂や変性、そして材料の利用可能性が含まれて
いる。
【０００７】本発明の方法は、こうした欠点を回避する
ので、温度感受性であり、しかも高品質のコーティング
を必要とする電子装置や電子回路といった基板上にコー
ティングを付着させるのに特に有益な方法である。この
ようなコーティングは、例えば、保護コーティングもし
くは誘電体コーティング、中間レベル誘電体層、トラン
ジスター様装置を作るためのドープした誘電体層、コン
デンサーもしくはコンデンサー様装置を作るためのシリ
コンを含有する顔料充填バインダーシステム、多層装
置、３−Ｄ装置、ＳＯＩ（silicon-on-insulator）装
置、超電導体用コーティング、超格子装置、等として役
に立つ。しかしながら、本発明によってコーティングさ
れる基板の選択は、使用する条件下での基板の熱的及び
化学的安定性に対する要件によってのみ制限される。そ
れゆえ、例えばポリイミド、エポキシド、ポリテトラフ
ルオロエチレン及びそれらのコポリマー、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ポリエステル、等をはじめとする
プラスチックのような非電子基板に対して本発明の方法
を使用できることも考えられる。
【０００８】本発明で用いられている「シリカ含有セラ
ミック」という表現は、残留性の炭素、シラノール（Ｓ
ｉ−ＯＨ）及び／または水素が皆無ではなく、且つ別の
セラミック材料を含有してもよい、アモルファスシリカ
（ＳｉＯ2 ）材料及びアモルファスシリカ様材料の両方
を包含することを意味する。このようなシリカ含有セラ
ミック材料は、加熱の温度及び時間に依存して変化する
密度を示す場合がある。「電子装置」または「電子回
路」という表現は、シリコン系装置、ヒ化ガリウム系装
置、焦点面配列、光電子装置、光電池及び光学装置を包
含するが、これらには限定されない。
【０００９】本発明では、水素化珪素（Ｓｉ−Ｈ）含有
樹脂を含んで成る組成物を基板にコーティングし、次い
でそのコーティングされた基板を、亜酸化窒素を含んで
成る環境中で加熱することを含んで成る処理によって、
シリカ含有セラミックコーティングを基板上に形成させ
る。
【００１０】本発明に有用な水素化珪素含有樹脂は、構
造式（ＳｉＯ2 ）x （ＲＳｉＯ3/2）y （Ｒ2 ＳｉＯ）
z で示される材料を含んで成る。前記構造式中、Ｒは、
各々独立に、水素または炭素原子数１〜20個の炭化水素
を含んで成り、ｙは、0.05〜１のモル分率であり、そし
てｘ及びｚは、０〜0.95のモル分率であるが、但しＲ基
の少なくとも20％は水素である。それゆえ、上記構造式
中のＲは、例として、水素、アルキル類、例えばメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、等、シクロアルキル
類、例えばシクロヘキシル、アリール類、例えばフェニ
ル、アラルキル類、アルカリール類及び不飽和アルキル
類、例えばビニル、エチニル、等を包含することができ
る。また、上記の樹脂が完全には加水分解または縮合さ
れておらず、その結果樹脂が残留性の加水分解性基、例
えばハロゲンやアルコキシ基、または残留性のＳｉ−Ｏ
Ｈ基を含有していることも本発明の範囲に含まれる。
【００１１】従って、上記の材料の例として、ＨＳｉＯ
3/2 、（ＨＳｉＯ3/2 ）y （Ｈ2 ＳｉＯ）z 、（ＣＨ3
ＳｉＯ3/2 ）y （ＣＨ3 ＨＳｉＯ）z 、（ＨＳｉ
Ｏ3/2 ）y（（ＣＨ3 ）2 ＳｉＯ）z 、（ＨＳｉ
Ｏ3/2 ）y （ＣＨ3 ＨＳｉＯ）z 、（ＣＨ 3 ＣＨ2 Ｓｉ
Ｏ3/2 ）y （Ｈ2 ＳｉＯ）z 、（Ｃ5 Ｈ6 ＳｉＯ3/2 ）
y （ＣＨ3ＣＨ2 ＨＳｉＯ）z 、（ＳｉＯ2 ）x （ＨＳ
ｉＯ3/2 ）y （ＣＨ3 ＨＳｉＯ）z、（ＳｉＯ2 ）
x （ＨＳｉＯ3/2 ）y （Ｈ2 ＳｉＯ）z 、等が挙げられ
る。
【００１２】本明細書において有用な特に好ましい材料
は、（ＨＳｉＯ3/2 ）n （水素シルセスキオキサン樹脂
またはＨ−樹脂）（式中、ｎは８以上の整数である）を
含んで成る。これらの樹脂は、完全に縮合した（ＨＳｉ
Ｏ3/2 ）n であってもよいし、また一部だけ加水分解し
たもの（すなわち、Ｓｉ−ＯＲをいくらか含有するも
の）及び／または部分的に縮合したもの（すなわち、Ｓ
ｉ−ＯＨをいくらか含有するもの）であってもよい。こ
の構造式には表されていないが、これらの樹脂は、その
形成や操作に含まれる様々な因子によって水素原子が０
個または２個結合されている珪素原子を、少数（例え
ば、約１０％未満）含有してもよい。
【００１３】上記のＨ−樹脂及びそれらの製造方法は、
当該技術分野では周知である。例えば、Collins らは、
米国特許第 3,615,272号明細書において、ベンゼンスル
ホン酸水和物加水分解媒体中でトリクロロシランを加水
分解した後、得られた樹脂を水または硫酸水溶液で洗浄
する工程を含んで成る方法によって、ほぼ完全に縮合し
たＨ−樹脂（シラノールが 100〜300 ppm まで含まれて
いてもよい）の製造について教示している。同様に、Ba
nkらは、米国特許第 5,010,159号明細書において、アリ
ールスルホン酸水和物加水分解媒体中でヒドリドシラン
を加水分解して樹脂を形成し、次いでそれを中和剤と接
触させる工程を含んで成る別の方法について教示してい
る。
【００１４】本発明において同様に機能するその他のヒ
ドリドシロキサン樹脂として、例えば、Fryeらの米国特
許第 4,999,397号明細書に記載されている樹脂、酸性の
アルコール系加水分解媒体中でアルコキシシランまたは
アシルオキシシランを加水分解して製造された樹脂、特
開昭59−178749号、特開昭60− 86017号及び特開昭63−
107122号明細書に記載されている樹脂、またはその他の
等価な任意のヒドリドシロキサンが挙げられる。
【００１５】本発明の好ましい実施態様では、上記のＨ
−樹脂の特定の分子量画分をこのプロセスに使用しても
よい。このような画分とそれらの調製方法が、Hanneman
らの米国特許第 5,063,267号明細書に教示されている。
好ましい画分は、ポリマー種の少なくとも75％が 1,200
以上の数平均分子量を示す材料を含んで成り、またさら
に好ましい画分は、ポリマー種の少なくとも75％が 1,2
00〜100,000 の数平均分子量を示す材料を含んで成る。
【００１６】上述のように、本発明ではＨ−樹脂以外の
樹脂もまた機能する。例えば、本発明の樹脂は、別のＲ
ＳｉＯ3/2 単位、例えばＣＨ3 ＳｉＯ3/2 、ＣＨ3 ＣＨ
2 ＳｉＯ3/2 、Ｃ6 Ｈ5 ＳｉＯ3/2 、等を含有してもよ
い。これらの材料とその調製方法は、当該技術分野では
周知である。しかしながら、一般にこのような材料は、
構造式ＲＳｉＸ3 （式中、Ｘは加水分解性置換基であ
る）で示されるシランの加水分解及び縮合によって製造
されている。
【００１７】同様に、本発明の樹脂は、別のＲ2 ＳｉＯ
単位、例えばＣＨ3 ＨＳｉＯ、ＣＨ 3 ＣＨ2 ＨＳｉＯ、
Ｃ6 Ｈ5 ＨＳｉＯ、（ＣＨ3 ）2 ＳｉＯ、（ＣＨ3 ＣＨ
2 ） 2 ＳｉＯ、Ｃ6 Ｈ5 ＣＨ3 ＳｉＯ、等を含有しても
よい。これらの材料とその調製方法も同様に当該技術分
野では周知である。しかしながら、一般にこのような材
料は、構造式Ｒ2 ＳｉＸ2 （式中、Ｘは加水分解性置換
基である）で示されるシランの加水分解及び縮合によっ
て製造されている。
【００１８】最後に、本発明の樹脂は、ＳｉＯ2 単位を
含有してもよい。一般にこのような単位は、構造式Ｓｉ
Ｘ4 （式中、Ｘは加水分解性置換基である）で示される
シランの加水分解及び縮合によって製造されている。
【００１９】上記の単位の２種以上を含有する材料が望
まれる場合には、上記のシランを共加水分解するか、あ
るいは各シランを個別に加水分解してその加水分解物を
混合することによって製造してもよい。
【００２０】水素化珪素含有樹脂コーティング材料は、
その他のセラミック酸化物前駆体を含有してもよい。こ
のようなセラミック酸化物前駆体の例には、アルミニウ
ム、チタン、ジルコニウム、タンタル、ニオブ及び／ま
たはバナジウムといった各種金属の化合物、並びにホウ
素やリンの化合物のような各種の非金属化合物が含ま
れ、これらは溶液に溶解し、加水分解し、続いて比較的
低温で且つ比較的迅速な反応速度で熱分解してセラミッ
ク酸化物コーティングを形成することができる。
【００２１】一般に、上記のセラミック酸化物前駆体化
合物は、金属の原子価数によって、上記金属または非金
属に結合した加水分解性基を１個以上有する。これらの
化合物に含まれるべき加水分解性基の数は、その化合物
が溶剤に可溶性である限り重要ではない。同様に、加水
分解性置換基を厳密に選定することも重要ではないが、
これは置換基が系から加水分解または熱分解されるから
である。典型的な加水分解性基には、アルコキシ、例え
ばメトキシ、プロポキシ、ブトキシ及びヘキソキシ、ア
シルオキシ、例えばアセトキシ、または前記金属もしく
は非金属に酸素を介して結合しているその他の有機基、
例えばアセチルアセトネート、が含まれるが、これらに
は限定されない。それゆえ、特別な化合物には、ジルコ
ニウムテトラアセチルアセトネート、チタンジブトキシ
ジアセチルアセトネート、アルミニウムトリアセチルア
セトネート及びテトライソブトキシチタンが含まれる。
【００２２】水素化珪素含有樹脂を、上記のセラミック
酸化物前駆体の１種と混合する場合には、一般に、最終
のセラミックコーティングが70〜99.9重量％のＳｉＯ2
を含有するような量で用いられる。
【００２３】また、水素化珪素含有樹脂コーティング材
料は、シリカへの転化速度及び程度を増大させるため
に、白金触媒、ロジウム触媒または銅触媒を含有しても
よい。一般に、可溶化しうるいずれの白金、ロジウムま
たは銅の化合物または錯体でも機能する。例えば、白金
アセチルアセトネート、ロジウム触媒ＲｈＣｌ3 ［Ｓ
（ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ3 ）2 ］3 （ミシガン州ミッ
ドランドのダウ・コーニング社から入手できる）または
ナフテン酸第二銅といった組成物は、どれも本発明の範
囲に入る。一般に、これらの触媒は、水素化珪素含有樹
脂の重量に対して５〜1000 ppmの白金、ロジウムまたは
銅の量で添加される。
【００２４】また、水素化珪素含有樹脂コーティング材
料は、シリカやアルミナといった充填剤を含有すること
もできる。このような充填剤は、当該技術分野では、耐
摩耗性コーティング用として、またエポキシ樹脂封入剤
用として知られている。これらの充填剤は、樹脂組成物
の全重量に対して約１〜70重量％というように、ほぼ任
意の量で使用することができる。
【００２５】本発明の方法によると、水素化珪素含有樹
脂、並びに任意ではあるがいずれかのセラミック酸化物
前駆体、充填剤及び／または触媒が基板表面に適用され
る。これはいずれの方法で行うこともできるが、好まし
い方法には、樹脂を溶剤に溶解して溶液または分散液を
形成し、それを基板表面に適用する方法が含まれる。各
種の促進手段、例えば攪はん及び／または加熱、を使用
して、樹脂を溶解または分散させ、且つより均一な塗工
溶液／分散液を生ぜしめることができる。使用可能な溶
剤には、得られるコーティングに悪影響を及ぼすことな
く樹脂を溶解または分散させて均質溶液を形成する、い
ずれかの剤または剤混合物が含まれる。これらの溶剤
は、上記の材料を溶解して低固形分にするのに十分量
の、例えば、エチルもしくはイソプロピルアルコールの
ようなアルコール類、ベンゼンもしくはトルエンのよう
な芳香族炭化水素類、ｎ−ヘプタンもしくはドデカンの
ようなアルカン類、ケトン類、エステル類、グリコール
類または環状ジメチルポリシロキサン類を含むことがで
きる。一般に、上記の溶剤を十分量使用して、 0.1〜50
重量％溶液を形成させる。
【００２６】溶液法を使用する場合には、樹脂、溶剤、
そして任意に改質性セラミック酸化物前駆体、充填剤及
び／または触媒を含んで成る溶液を基板表面にコーティ
ングする。コーティングの方法は、回転塗布法、浸漬塗
布法、噴霧塗布法または流し塗布法であることができる
が、これらには限られない。しかしながら、その他の同
等な手段もまた、本発明の範囲に含まれると見なされ
る。
【００２７】次いで、コーティングした基板から溶剤を
蒸発させると、水素化珪素含有樹脂コーティングが付着
する。適当ないずれの蒸発手段でも使用することがで
き、例えば、周囲環境へさらすだけの簡単な風乾や、真
空もしくは穏やかな熱（例、50℃以下）をかける方法、
または加熱処理の初期段階の際、が含まれる。回転塗布
法を採用する場合には、回転が溶剤をとばすため、さら
なる乾燥時間が最短化されることに着目すべきである。
【００２８】樹脂コーティングを適用したら、次にそれ
をシリカ含有材料に転化するのに十分な温度で、亜酸化
窒素を含有する環境において加熱する。この転化の際に
は、亜酸化窒素ガス濃度、ガス暴露時間、温度及び加熱
時間といった因子のすべてを制御する必要がある。
【００２９】この方法で用いられる亜酸化窒素は、当該
技術分野では周知であり、また市販されている。本発明
では、それをその純粋形で使用しても、また選定した温
度条件下で樹脂をシリカに所望の速度で転化するのに十
分な濃度へ別のガス（例、アルゴン、窒素、等のような
不活性ガス、または反応性ガス）で希釈してもよい。
【００３０】一般に、コーティングは、樹脂をシリカに
転化するのに十分な時間このガスに暴露される。一般
に、数分〜数時間の範囲にある時間が有用である（例え
ば、２分〜２時間）。この暴露は、ランプアップの際
に、ヒートソークの際に、あるいはランプダウンの際に
行ってもよい。
【００３１】先に記載したように、本発明では、樹脂
を、その転化を促進する別の反応性の環境へ付随的また
は逐次的に暴露してもよいことが考えられる。例えば、
樹脂を水蒸気（例、スチーム）、アンモニア、アミン、
その他の酸化ガス、等に暴露することも本発明の範囲に
含まれる。同様に、コーティングを、まず米国特許第
5,145,723号明細書に記載されているように不活性環境
下で加熱してコーティングを流動させ、次いで亜酸化窒
素環境に暴露してシリカへ転化してもよいことも考えら
れる。
【００３２】一般に、本発明で有用な温度は 100℃〜60
0 ℃の範囲にある。しかしながら、これよりも高い温度
や低い温度も本発明では考えられる。例えば、より低温
を使用してもよいが、樹脂のシリカへの転化が不完全と
なり、またセラミックの高密度化が不十分となることが
よくある。同様に、より高温（例、1000℃）を使用して
もよいが、このような温度では一般に樹脂は空気中でシ
リカに転化できるので、亜酸化窒素の必要性が薄れる。
【００３３】一般に、コーティングした基板を、亜酸化
窒素含有環境下で、樹脂をシリカへ転化するのに十分な
時間加熱する。一般に本発明では、温度に依存して、非
常に薄い被膜の数分から非常に厚い被膜の数時間までの
時間が有用である。コーティングした基板を、約 300〜
600 ℃の温度で１〜３時間加熱する条件が特に好まし
い。
【００３４】本発明では、いずれの加熱方法でも一般に
機能する。加熱方法の例として、石英管炉、対流炉、米
国特許出願第07/633,707号（現在は特許され、また本願
と同じ譲受人に譲渡されている）に記載された逆方向処
理法（reverse direction processing）、または輻射も
しくはマイクロ波エネルギーが挙げられる。同様に、一
般に加熱速度は重要な因子ではないが、基板をできる限
り迅速に加熱することが最も実用的であり且つ好まし
い。
【００３５】理論によって束縛するつもりはないが、本
発明者は、亜酸化窒素を加熱すると、それが反応性イオ
ンを形成し、そのイオンがＳｉ−Ｈ結合を開裂すること
で樹脂を架橋するものと仮定している。
【００３６】上記の方法によると、薄い（２マイクロメ
ートル未満の）シリカ含有セラミック平面コーティング
が基板上に製作される。該コーティングは、各種基板の
不整表面を平滑化し、また優れた接着特性を示す。さら
に、該コーティングを、別のコーティング、例えば別の
新たなＳｉＯ2 層、珪素含有コーティング、珪素炭素含
有コーティング、珪素窒素含有コーティング、珪素酸素
窒素含有コーティング及び／または珪素窒素炭素含有コ
ーティングで被覆してもよい。このような多層コーティ
ングは当該技術分野で知られており、また米国特許第
4,756,977号明細書に多くが記載されている。
【００３７】本発明によって製作されたコーティング
は、低い欠陥密度を有し、そして電子装置の、保護コー
ティングとして、耐腐食性及び耐摩耗性コーティングと
して、耐熱性及び耐湿性コーティングとして、誘電体層
として、またナトリウムや塩化物といったイオン性不純
物に対する拡散障壁として有用である。
【００３８】
【実施例】当業者が本発明をより容易に理解できるよう
に、非限定例を以下に記載する。
【００３９】実施例１ Collins らの米国特許第 3,615,273号明細書に記載され
ている方法で調製したＨ−樹脂を、メチルイソブチルケ
トンで10％に希釈した。そのＨ−樹脂溶液を、４インチ
（10.2cm）の丸いシリコンウェハー表面に適用し、その
ウェハーを3000rpmで10秒間回転させた。その後、ウェ
ハーを室温で１Ｌの２インチ（5.1 cm）石英管炉に配置
し、そして炉内の温度を45分かけて 425℃まで上昇した
後、 425℃で１時間ヒートソークした。昇温及び温度保
持の際に 0.2〜0.3 水柱インチ（49.7〜74.6Pa）の亜酸
化窒素の流れを炉内を通過させた［約50sccm（0.024 m3
/s）］。１時間のヒートソーク後、加熱を中断して、10
0 sccm（0.047 m3/s）の窒素で炉をパージした。
【００４０】コーティングの赤外分光分析法によるデー
タは、Ｓｉ−Ｈを示す2259cm-1のピークがほとんど完全
に無くなり、そして樹脂内のＳｉ−Ｏ構造を表す1100cm
-1と900 cm-1における二重線が、ポリマーが酸化物４面
体へ架橋していることを示す1070cm-1と800 cm-1におけ
る単線に変換されたことを示している。どちらも、Ｈ−
樹脂がシリカ含有コーティングへ良好に転化したことを
示している。
【００４１】実施例２ Collins らの米国特許第 3,615,273号明細書に記載され
ている方法で調製したＨ−樹脂を、メチルイソブチルケ
トンで10％に希釈した。そのＨ−樹脂溶液を、４インチ
（10.2cm）の丸いシリコンウェハー表面に適用し、その
ウェハーを3000rpmで10秒間回転させた。その後、ウェ
ハーを室温で１Ｌの２インチ（5.1 cm）石英管炉に配置
し、そして炉内の温度を45分かけて 425℃まで上昇した
後、 425℃で１時間ヒートソークした。昇温及び温度保
持の際に 0.2〜0.3 水柱インチ（49.7〜74.6Pa）の亜酸
化窒素の流れを炉内を通過させた［約50sccm（0.024 m3
/s）］。さらに、ヒートソークの初めの10分間に、1.2
標準リットル／分のスチーム（101 ℃）をガス混合物に
加えた（スチーム：Ｎ2 Ｏ＝２０：１）（約10ml／10
分）。１時間のヒートソーク後、加熱を中断して、100
sccm（0.047 m3/s）の窒素で炉をパージした。
【００４２】コーティングしたウェハーのＦＴＩＲデー
タは、Ｓｉ−Ｈを示す2259cm-1のピークが完全に消え去
り、そして樹脂内のＳｉ−Ｏ構造を表す1100cm-1と900
cm-1における二重線が、ポリマーが酸化物４面体へ架橋
していることを示す1070cm-1と800 cm-1における単線に
変換されたことを示した。どちらも、Ｈ−樹脂がシリカ
含有コーティングへ良好に転化したことを示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーク ジョン ロボダ アメリカ合衆国，ミシガン，ミッドラン ド，バイン ストリート 1902 (72)発明者 キース ウィントン マイケル アメリカ合衆国，ミシガン，ミッドラン ド，シエバート 2715 (72)発明者 リバティ ベル シェルトン アメリカ合衆国，ミシガン，ファーミント ン，314，ファーミントン ロード 21900

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 シリカ含有セラミックコーティングを基
    板上に形成する方法において、 構造式（ＳｉＯ2 ）x （ＲＳｉＯ3/2 ）y （Ｒ2 Ｓｉ
    Ｏ）z で示される水素化珪素樹脂を含んで成るコーティ
    ングを基板上に適用する工程（前記構造式中、Ｒは、各
    々独立に、水素または炭素原子数１〜20個の炭化水素を
    含んで成り、ｙは、0.05〜１のモル分率であり、そして
    ｘ及びｚは、０〜0.95のモル分率であるが、但しＲ基の
    少なくとも20％は水素である）；並びにコーティングし
    た基板を、亜酸化窒素を含んで成る雰囲気において、該
    水素化珪素樹脂コーティングをシリカ含有セラミックコ
    ーティングへ転化するのに十分な温度で加熱する工程を
    含んで成るシリカ含有セラミックコーティングの形成方
    法。
  2. 【請求項２】 水素化珪素樹脂が、水素シルセスキオキ
    サン樹脂または（ＨＳｉＯ3/2 ）y （Ｈ2 ＳｉＯ）z か
    ら選択される、請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 コーティングした基板を、100 ℃〜600
    ℃の範囲の温度で１〜３時間加熱する、請求項１記載の
    方法。
  4. 【請求項４】 水素化珪素樹脂が、ポリマー種の少なく
    とも75％が数平均分子量 1,200〜100,000 を示すように
    分別された水素シルセスキオキサン樹脂である、請求項
    ２記載の方法。
  5. 【請求項５】 水素化珪素樹脂コーティングが、チタ
    ン、ジルコニウム、アルミニウム、タンタル、バナジウ
    ム、ニオブ、ホウ素及びリンから成る群より選択された
    元素を含有する化合物を含んで成る改質性セラミック酸
    化物前駆体をさらに含有する請求項１記載の方法におい
    て、該化合物が、アルコキシまたはアシルオキシから成
    る群より選択された少なくとも１種の加水分解性置換基
    を含有し、しかも該化合物が、シリカ含有セラミックコ
    ーティングが 0.1〜30重量％の改質性セラミック酸化物
    を含有するような量で存在する、請求項１記載の方法。
  6. 【請求項６】 水素化珪素樹脂コーティングが、樹脂重
    量に対して白金またはロジウムの量が５〜500 ppm とな
    る白金触媒またはロジウム触媒をさらに含有する、請求
    項１記載の方法。
  7. 【請求項７】 加熱雰囲気が不活性ガスをさらに含有す
    る、請求項１記載の方法。
  8. 【請求項８】 加熱雰囲気が別の新たな反応性ガスをさ
    らに含有する、請求項１記載の方法。
  9. 【請求項９】 加熱雰囲気が水蒸気をさらに含有する、
    請求項１記載の方法。
JP17296893A 1992-07-13 1993-07-13 シリカ含有セラミックコーティングの形成方法 Expired - Fee Related JP3298990B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US912436 1986-09-26
US91243692A 1992-07-13 1992-07-13
US07/994,225 US5436029A (en) 1992-07-13 1992-12-21 Curing silicon hydride containing materials by exposure to nitrous oxide
US994225 1992-12-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06191970A true JPH06191970A (ja) 1994-07-12
JP3298990B2 JP3298990B2 (ja) 2002-07-08

Family

ID=27129600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17296893A Expired - Fee Related JP3298990B2 (ja) 1992-07-13 1993-07-13 シリカ含有セラミックコーティングの形成方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5436029A (ja)
EP (1) EP0579456B1 (ja)
JP (1) JP3298990B2 (ja)
KR (1) KR100251819B1 (ja)
CA (1) CA2100278A1 (ja)
DE (1) DE69311639T2 (ja)
TW (1) TW252054B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008114835A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Jsr Corporation 膜形成用組成物およびシリ力系膜とその形成方法
JP2008260918A (ja) * 2007-03-16 2008-10-30 Jsr Corp 膜形成用組成物およびシリカ系膜とその形成方法
JP2008260917A (ja) * 2007-03-16 2008-10-30 Jsr Corp 膜形成用組成物およびシリカ系膜とその形成方法
JP2009094239A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Dow Corning Toray Co Ltd セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤および半導体装置
WO2010090389A3 (ko) * 2009-02-03 2010-10-21 (주)더몰론코리아 물 또는 공기 중에서 겸용 사용이 가능한 세라믹 코팅 히터
JPWO2009096603A1 (ja) * 2008-02-01 2011-05-26 Jsr株式会社 トレンチアイソレーションの形成方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5380555A (en) * 1993-02-09 1995-01-10 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Methods for the formation of a silicon oxide film
US5547703A (en) * 1994-04-11 1996-08-20 Dow Corning Corporation Method of forming si-o containing coatings
US5508238A (en) * 1995-05-11 1996-04-16 Dow Corning Corporation Monolithic ceramic bodies using modified hydrogen silsesquioxane resin
US5609925A (en) 1995-12-04 1997-03-11 Dow Corning Corporation Curing hydrogen silsesquioxane resin with an electron beam
US5707683A (en) * 1996-02-22 1998-01-13 Dow Corning Corporation Electronic coating composition method of coating an electronic substrate, composition and article
US5707681A (en) * 1997-02-07 1998-01-13 Dow Corning Corporation Method of producing coatings on electronic substrates
US6143855A (en) 1997-04-21 2000-11-07 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with high organic content
US6743856B1 (en) 1997-04-21 2004-06-01 Honeywell International Inc. Synthesis of siloxane resins
US6015457A (en) * 1997-04-21 2000-01-18 Alliedsignal Inc. Stable inorganic polymers
US6218497B1 (en) 1997-04-21 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Organohydridosiloxane resins with low organic content
US5866197A (en) * 1997-06-06 1999-02-02 Dow Corning Corporation Method for producing thick crack-free coating from hydrogen silsequioxane resin
TW392288B (en) * 1997-06-06 2000-06-01 Dow Corning Thermally stable dielectric coatings
DE19756325A1 (de) * 1997-12-18 1999-07-01 Daimler Chrysler Ag Halbleiterscheibe mit integrierten Einzelbauelementen, Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
US6177199B1 (en) 1999-01-07 2001-01-23 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with low organic content
US6218020B1 (en) * 1999-01-07 2001-04-17 Alliedsignal Inc. Dielectric films from organohydridosiloxane resins with high organic content
KR100371436B1 (ko) * 1999-07-30 2003-02-07 이형찬 자동 또는 수동으로 채널 선택이 가능한 무선 헤드폰
US6440550B1 (en) * 1999-10-18 2002-08-27 Honeywell International Inc. Deposition of fluorosilsesquioxane films
US6472076B1 (en) 1999-10-18 2002-10-29 Honeywell International Inc. Deposition of organosilsesquioxane films
SE521977C2 (sv) * 2002-06-20 2003-12-23 Mobile Media Group Stockholm A Metod och apparat för att formatera en webbtjänst
US20090032901A1 (en) * 2005-06-15 2009-02-05 Wei Chen Method of curing hydrogen silsesquioxane and densification in nano-scale trenches
JP5043317B2 (ja) * 2005-08-05 2012-10-10 東レ・ダウコーニング株式会社 環状ジハイドロジェンポリシロキサン、ハイドロジェンポリシロキサン、それらの製造方法、シリカ系ガラス成形体およびその製造方法、光学素子およびその製造方法
JP4783117B2 (ja) * 2005-10-21 2011-09-28 東レ・ダウコーニング株式会社 シリカ系ガラス薄層付き無機質基板、その製造方法、コーテイング剤および半導体装置
KR101236491B1 (ko) 2011-03-08 2013-02-22 (주)우드케어 상온에서 경화가 가능한 세라믹 도료 조성물
US9741918B2 (en) 2013-10-07 2017-08-22 Hypres, Inc. Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615272A (en) * 1968-11-04 1971-10-26 Dow Corning Condensed soluble hydrogensilsesquioxane resin
JPS6377139A (ja) * 1986-09-19 1988-04-07 Fujitsu Ltd 絶縁膜の形成方法
US4756977A (en) * 1986-12-03 1988-07-12 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics from hydrogen silsesquioxane
US4847162A (en) * 1987-12-28 1989-07-11 Dow Corning Corporation Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsequioxane resin in the presence of ammonia
US4999397A (en) * 1989-07-28 1991-03-12 Dow Corning Corporation Metastable silane hydrolyzates and process for their preparation
US5010159A (en) * 1989-09-01 1991-04-23 Dow Corning Corporation Process for the synthesis of soluble, condensed hydridosilicon resins containing low levels of silanol
US5262201A (en) * 1990-06-04 1993-11-16 Dow Corning Corporation Low temperature process for converting silica precursor coatings to ceramic silica coatings by exposure to ammonium hydroxide or an environment to which water vapor and ammonia vapor have been added
US5116637A (en) * 1990-06-04 1992-05-26 Dow Corning Corporation Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica
US5059448A (en) * 1990-06-18 1991-10-22 Dow Corning Corporation Rapid thermal process for obtaining silica coatings
US5063267A (en) * 1990-11-28 1991-11-05 Dow Corning Corporation Hydrogen silsesquioxane resin fractions and their use as coating materials
US5145723A (en) * 1991-06-05 1992-09-08 Dow Corning Corporation Process for coating a substrate with silica

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008114835A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Jsr Corporation 膜形成用組成物およびシリ力系膜とその形成方法
JP2008260918A (ja) * 2007-03-16 2008-10-30 Jsr Corp 膜形成用組成物およびシリカ系膜とその形成方法
JP2008260917A (ja) * 2007-03-16 2008-10-30 Jsr Corp 膜形成用組成物およびシリカ系膜とその形成方法
JP2009094239A (ja) * 2007-10-05 2009-04-30 Dow Corning Toray Co Ltd セラミック状酸化ケイ素系被膜の形成方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜を有する無機質基材の製造方法、セラミック状酸化ケイ素系被膜形成剤および半導体装置
JPWO2009096603A1 (ja) * 2008-02-01 2011-05-26 Jsr株式会社 トレンチアイソレーションの形成方法
WO2010090389A3 (ko) * 2009-02-03 2010-10-21 (주)더몰론코리아 물 또는 공기 중에서 겸용 사용이 가능한 세라믹 코팅 히터
US8952302B2 (en) 2009-02-03 2015-02-10 Thermolon Korea Co., Ltd. Ceramic-coated heater which can be used in water or air

Also Published As

Publication number Publication date
KR940005519A (ko) 1994-03-21
DE69311639T2 (de) 1998-01-22
US5436029A (en) 1995-07-25
TW252054B (ja) 1995-07-21
EP0579456A3 (ja) 1994-04-20
DE69311639D1 (de) 1997-07-24
EP0579456A2 (en) 1994-01-19
KR100251819B1 (ko) 2000-04-15
JP3298990B2 (ja) 2002-07-08
EP0579456B1 (en) 1997-06-18
CA2100278A1 (en) 1994-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3298990B2 (ja) シリカ含有セラミックコーティングの形成方法
JP2591863B2 (ja) 超小形電子デバイスおよび基材用コーティング
EP0427395B1 (en) Hermetic substrate coatings in an inert gas atmosphere
EP0460868B1 (en) Amine catalysts for the low temperature conversion of silica precursors to silica
US5547703A (en) Method of forming si-o containing coatings
EP0647965B1 (en) Method of forming Si-O containing coatings
US5387480A (en) High dielectric constant coatings
US5145723A (en) Process for coating a substrate with silica
US5320868A (en) Method of forming SI-O containing coatings
JPH0623333B2 (ja) 低温でシリカ前駆体をシリカに転化する方法
US5318857A (en) Low temperature ozonolysis of silicon and ceramic oxide precursor polymers to ceramic coatings
JPH072511A (ja) ポリシラザンからのシリカコーティングの堆積方法
JP3044318B2 (ja) 逆方向熱分解処理
US5445894A (en) Ceramic coatings
US5820923A (en) Curing silica precursors by exposure to nitrous oxide
JP3244697B2 (ja) セラミックコーティング方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020305

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees