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TWI670716B - 資料存取方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元 - Google Patents

資料存取方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元 Download PDF

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TWI670716B
TWI670716B TW107133916A TW107133916A TWI670716B TW I670716 B TWI670716 B TW I670716B TW 107133916 A TW107133916 A TW 107133916A TW 107133916 A TW107133916 A TW 107133916A TW I670716 B TWI670716 B TW I670716B
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葉志剛
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群聯電子股份有限公司
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Abstract

本發明提出一種資料存取方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元。記憶體儲存裝置具有可複寫式非揮發性記憶體模組以及用以控制可複寫式非揮發性記憶體模組的記憶體控制電路單元。其中此資料存取方法包括：接收存取指令；偵測記憶體儲存裝置的溫度；判斷記憶體儲存裝置的溫度是否低於第一門檻值；倘若記憶體儲存裝置的溫度低於第一門檻值時，執行虛擬存取指令或調整工作電壓。此資料存取方法更包括在執行虛擬存取指令或調整工作電壓之後，執行存取指令。

Description

資料存取方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元
本發明是有關於一種資料存取方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元。
數位相機、行動電話與MP3播放器在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由於可複寫式非揮發性記憶體模組(rewritable non-volatile memory module)，例如，快閃記憶體，具有資料非揮發性、省電、體積小，以及無機械結構等特性，所以非常適合內建於上述所舉例的各種可攜式多媒體裝置中。
一般情況下，可複寫式非揮發性記憶體模組可在-40c至85c的溫度下正常工作，而在溫度過高或溫度過低（高於85c或低於-40c）時皆容易出現寫入失敗或讀取失敗的狀況，尤其是對於質量較差的可複寫式非揮發性記憶體模組，在溫度過低時更容易出現寫入失敗或讀取失敗的狀況。
傳統的方式中只有對溫度過高的可複寫式非揮發性記憶體模組執行溫控調頻（thermal thottle），在其整體溫度過高的情況下，適當調整可複寫式非揮發性記憶體模組的讀寫頻率，以降低可複寫式非揮發性記憶體模組的溫度，防止可複寫式非揮發性記憶體模組因堆積的熱量而造成資料流失，甚至老化的狀況發生。在可複寫式非揮發性記憶體模組的溫度過低的情況下，現階段沒有一種可有效提升可複寫式非揮發性記憶體模組的溫度的方式，無法對低溫下的可複寫式非揮發性記憶體模組執行正常的寫入或讀取資料的操作。
有鑒於此，需要提供一種有效提升可複寫式非揮發性記憶體模組的溫度的機制，以對可複寫式非揮發性記憶體模組執行正常的存取操作。
本發明提供一種資料存取方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元。
本發明的一範例實施例提出一種資料存取方法，用於記憶體儲存裝置。此記憶體儲存裝置具有可複寫式非揮發性記憶體模組以及用以控制可複寫式非揮發性記憶體模組的記憶體控制電路單元。其中資料存取方法包括：接收存取指令；偵測記憶體儲存裝置的溫度；判斷記憶體儲存裝置的溫度是否低於第一門檻值；倘若記憶體儲存裝置的溫度低於第一門檻值時，執行虛擬存取指令或調整工作電壓。此資料存取方法更包括在執行虛擬存取指令或調整工作電壓之後，執行存取指令。
在本發明的一範例實施例中，上述執行該虛擬存取指令的步驟更包括：倘若記憶體儲存裝置的溫度低於第一門檻值時，重覆執行虛擬存取指令直至記憶體儲存裝置的溫度升高至第二門檻值，其中第二門檻值不同於第一門檻值。
在本發明的一範例實施例中，上述執行調整該工作電壓的步驟包括：將記憶體控制電路單元的工作頻率從預設工作頻率調高至第一工作頻率；以及當記憶體儲存裝置的溫度升高至安全溫度後，將記憶體控制電路單元的工作頻率恢復至預設工作頻率。
在本發明的一範例實施例中，上述執行虛擬存取指令的步驟包括：對可複寫式非揮發性記憶體模組執行虛擬讀取，以從可複寫式非揮發性記憶體模組讀取資料。
在本發明的一範例實施例中，上述執行虛擬存取指令的步驟包括：反覆執行虛擬讀取數次。
在本發明的一範例實施例中，上述執行虛擬存取指令的步驟包括：對可複寫式非揮發性記憶體模組執行虛擬寫入，以將虛擬資料程式化至可複寫式非揮發性記憶體模組。
在本發明的一範例實施例中，上述執行虛擬存取指令的步驟包括：反覆執行虛擬寫入數次。
在本發明的一範例實施例中，上述虛擬存取指令用以對可複寫式非揮發性記憶體模組執行非主機指示之讀取或程式化作動。
在本發明的一範例實施例中，上述虛擬存取指令用以將資料程式化至可複寫式非揮發性記憶體模組之壞實體區塊或預定區域中。
本發明的一範例實施例提出一種記憶體控制電路單元，用於記憶體儲存裝置。記憶體儲存裝置具有可複寫式非揮發性記憶體模組。此記憶體控制電路單元包括：主機介面、記憶體介面以及記憶體管理電路。主機介面用以耦接至主機系統。記憶體介面用以耦接至可複寫式非揮發性記憶體模組。記憶體管理電路耦接至主機介面以及記憶體介面。其中記憶體管理電路用以接收存取指令，記憶體管理電路用以偵測記憶體儲存裝置的溫度，並且記憶體管理電路用以判斷記憶體儲存裝置的溫度是否低於第一門檻值。倘若記憶體儲存裝置的溫度低於第一門檻值時，記憶體管理電路用以執行虛擬存取指令或調整工作電壓，且在執行虛擬存取指令或調整工作電壓之後，記憶體管理電路用以執行存取指令。
在本發明的一範例實施例中，倘若記憶體儲存裝置的溫度低於第一門檻值時，記憶體管理電路用以重覆執行虛擬存取指令直至記憶體儲存裝置的溫度升高至第二門檻值，其中第二門檻值不同於第一門檻值。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體管理電路調整工作電壓包括：記憶體管理電路更用以將記憶體控制電路單元的工作頻率從預設工作頻率調高至第一工作頻率。此外，當記憶體儲存裝置的溫度升高至安全溫度後，記憶體管理電路更用以將記憶體控制電路單元的工作頻率恢復至預設工作頻率。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體管理電路執行虛擬存取指令包括：記憶體管理電路更用以對可複寫式非揮發性記憶體模組執行虛擬讀取，以從可複寫式非揮發性記憶體模組讀取資料。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體管理電路執行虛擬存取指令包括：記憶體管理電路更用以反覆執行虛擬讀取數次。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體管理電路執行虛擬存取指令包括：記憶體管理電路更用以對可複寫式非揮發性記憶體模組執行虛擬寫入，以將虛擬資料程式化至可複寫式非揮發性記憶體模組。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體管理電路執行虛擬存取指令包括：記憶體管理電路反覆執行虛擬寫入數次。
本發明的一範例實施例提出一種記憶體儲存裝置，包括：連接介面單元、可複寫式非揮發性記憶體模組以及記憶體控制電路單元。連接介面單元用以耦接至主機系統。記憶體控制電路單元耦接至連接介面單元與可複寫式非揮發性記憶體模組。其中記憶體控制電路單元用以接收存取指令。記憶體控制電路單元用以偵測記憶體儲存裝置的溫度。此外，記憶體控制電路單元用以判斷記憶體儲存裝置的溫度是否低於第一門檻值。倘若記憶體儲存裝置的溫度低於第一門檻值時，記憶體控制電路單元用以執虛擬存取指令或調整工作電壓。並且在執行虛擬存取指令或調整工作電壓之後，記憶體控制電路單元用以執行存取指令。
在本發明的一範例實施例中，倘若記憶體儲存裝置的溫度低於第一門檻值時，記憶體控制電路單元用以重覆執行虛擬存取指令直至記憶體儲存裝置的溫度升高至第二門檻值，其中第二門檻值不同於第一門檻值。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體控制電路單元用以調整工作電壓包括：記憶體控制電路單元更用以將記憶體控制電路單元的工作頻率從預設工作頻率調高至第一工作頻率。當記憶體儲存裝置的溫度升高至安全溫度後，記憶體控制電路單元更用以將記憶體控制電路單元的工作頻率恢復至預設工作頻率。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體控制電路單元用以執行虛擬存取指令包括：記憶體控制電路單元更用以對可複寫式非揮發性記憶體模組執行虛擬讀取，以從可複寫式非揮發性記憶體模組讀取資料。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體控制電路單元用以執行虛擬存取指令包括：記憶體控制電路單元更用以反覆執行虛擬讀取數次。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體控制電路單元用以執行虛擬存取指令包括：記憶體控制電路單元更用以對可複寫式非揮發性記憶體模組執行虛擬寫入，以將虛擬資料程式化至可複寫式非揮發性記憶體模組。
在本發明的一範例實施例中，上述記憶體控制電路單元用以執行虛擬存取指令包括：記憶體控制電路單元更用以反覆執行虛擬寫入數次。
基於上述，本發明提供的一種資料存取方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元，能夠在可複寫式非揮發性記憶體模組的溫度低於第一門檻值時執行多種或單一的升溫機制，以提升記憶體儲存裝置的溫度，執行主機系統發出的存取指令。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
一般而言，記憶體儲存裝置(亦稱，記憶體儲存系統)包括可複寫式非揮發性記憶體模組(rewritable non-volatile memory module)與控制器(亦稱，控制電路)。通常記憶體儲存裝置是與主機系統一起使用，以使主機系統可將資料寫入至記憶體儲存裝置或從記憶體儲存裝置中讀取資料。
圖1是根據本發明的一範例實施例所繪示的主機系統、記憶體儲存裝置及輸入/輸出(I/O)裝置的示意圖。圖2是根據本發明的另一範例實施例所繪示的主機系統、記憶體儲存裝置及I/O裝置的示意圖。請參照圖1與圖2，主機系統11一般包括處理器111、隨機存取記憶體(random access memory, RAM)112、唯讀記憶體(read only memory, ROM)113及資料傳輸介面114。處理器111、隨機存取記憶體112、唯讀記憶體113及資料傳輸介面114皆耦接至系統匯流排(system bus)110。
在本範例實施例中，主機系統11是透過資料傳輸介面114與記憶體儲存裝置10耦接。例如，主機系統11可經由資料傳輸介面114將資料儲存至記憶體儲存裝置10或從記憶體儲存裝置10中讀取資料。此外，主機系統11是透過系統匯流排110與I/O裝置12耦接。例如，主機系統11可經由系統匯流排110將輸出訊號傳送至I/O裝置12或從I/O裝置12接收輸入訊號。
在本範例實施例中，處理器111、隨機存取記憶體112、唯讀記憶體113及資料傳輸介面114可設置在主機系統11的主機板20上。資料傳輸介面114的數目可以是一或多個。透過資料傳輸介面114，主機板20可以經由有線或無線方式耦接至記憶體儲存裝置10。記憶體儲存裝置10可例如是隨身碟201、記憶卡202、固態硬碟(Solid State Drive, SSD)203或無線記憶體儲存裝置204。無線記憶體儲存裝置204可例如是近距離無線通訊(Near Field Communication, NFC)記憶體儲存裝置、無線傳真(WiFi)記憶體儲存裝置、藍牙(Bluetooth)記憶體儲存裝置或低功耗藍牙記憶體儲存裝置(例如，iBeacon)等以各式無線通訊技術為基礎的記憶體儲存裝置。此外，主機板20也可以透過系統匯流排110耦接至全球定位系統(Global Positioning System, GPS)模組205、網路介面卡206、無線傳輸裝置207、鍵盤208、螢幕209、喇叭210等各式I/O裝置。例如，在一範例實施例中，主機板20可透過無線傳輸裝置207存取無線記憶體儲存裝置204。
在一範例實施例中，所提及的主機系統為可實質地與記憶體儲存裝置配合以儲存資料的任意系統。雖然在上述範例實施例中，主機系統是以電腦系統來作說明，然而，圖3是根據本發明的另一範例實施例所繪示的主機系統與記憶體儲存裝置的示意圖。請參照圖3，在另一範例實施例中，主機系統31也可以是數位相機、攝影機、通訊裝置、音訊播放器、視訊播放器或平板電腦等系統，而記憶體儲存裝置30可為其所使用的安全數位(Secure Digital, SD)卡32、小型快閃(Compact Flash, CF)卡33或嵌入式儲存裝置34等各式非揮發性記憶體儲存裝置。嵌入式儲存裝置34包括嵌入式多媒體卡(embedded Multi Media Card, eMMC)341及/或嵌入式多晶片封裝(embedded Multi Chip Package, eMCP)儲存裝置342等各類型將記憶體模組直接耦接於主機系統的基板上的嵌入式儲存裝置。
圖4是根據本發明的一範例實施例所繪示的記憶體儲存裝置的概要方塊圖。
請參照圖4，記憶體儲存裝置10包括連接介面單元402、記憶體控制電路單元404、可複寫式非揮發性記憶體模組406與溫度感測器408。
連接介面單元402用以將記憶體儲存裝置10耦接至主機系統11。在本範例實施例中，連接介面單元402是相容於序列先進附件(Serial Advanced Technology Attachment, SATA)標準。然而，必須瞭解的是，本發明不限於此，連接介面單元402亦可以是符合並列先進附件(Parallel Advanced Technology Attachment, PATA)標準、電氣和電子工程師協會(Institute of Electrical and Electronic Engineers, IEEE)1394標準、高速周邊零件連接介面(Peripheral Component Interconnect Express, PCI Express)標準、通用序列匯流排(Universal Serial Bus, USB)標準、SD介面標準、超高速一代(Ultra High Speed-I, UHS-I)介面標準、超高速二代(Ultra High Speed-II, UHS-II)介面標準、記憶棒(Memory Stick, MS)介面標準、MCP介面標準、MMC介面標準、eMMC介面標準、通用快閃記憶體(Universal Flash Storage, UFS)介面標準、eMCP介面標準、CF介面標準、整合式驅動電子介面(Integrated Device Electronics, IDE)標準或其他適合的標準。連接介面單元402可與記憶體控制電路單元404封裝在一個晶片中，或者連接介面單元402是佈設於一包含記憶體控制電路單元404之晶片外。
記憶體控制電路單元404用以執行以硬體型式或韌體型式實作的多個邏輯閘或控制指令並且根據主機系統11的指令在可複寫式非揮發性記憶體模組406中進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。其中，記憶體控制電路單元404更特別用以根據一範例實施例之資料存取方法而能在記憶體儲存裝置10的溫度低於第一門檻值時執行多種升溫的機制，將記憶體儲存裝置10的溫度提升至在此溫度下對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行主機系統11發出的存取指令。本範例實施例之資料存取方法將於後配合圖式再作說明。
可複寫式非揮發性記憶體模組406是耦接至記憶體控制電路單元404並且用以儲存主機系統11所寫入之資料。可複寫式非揮發性記憶體模組406可以是單階記憶胞(Single Level Cell, SLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存1個位元的快閃記憶體模組)、多階記憶胞(Multi Level Cell, MLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存2個位元的快閃記憶體模組)、複數階記憶胞(Triple Level Cell，TLC)NAND型快閃記憶體模組(即，一個記憶胞中可儲存3個位元的快閃記憶體模組)、其他快閃記憶體模組或其他具有相同特性的記憶體模組。
可複寫式非揮發性記憶體模組406中的每一個記憶胞是以電壓(以下亦稱為臨界電壓)的改變來儲存一或多個位元。具體來說，每一個記憶胞的控制閘極(control gate)與通道之間有一個電荷捕捉層。透過施予一寫入電壓至控制閘極，可以改變電荷補捉層的電子量，進而改變記憶胞的臨界電壓。此改變記憶胞之臨界電壓的操作亦稱為“把資料寫入至記憶胞”或“程式化(programming)記憶胞”。隨著臨界電壓的改變，可複寫式非揮發性記憶體模組406中的每一個記憶胞具有多個儲存狀態。透過施予讀取電壓可以判斷一個記憶胞是屬於哪一個儲存狀態，藉此取得此記憶胞所儲存的一或多個位元。
在本範例實施例中，可複寫式非揮發性記憶體模組406的記憶胞會構成多個實體程式化單元，並且此些實體程式化單元會構成多個實體抹除單元。具體來說，同一條字元線上的記憶胞會組成一或多個實體程式化單元。若每一個記憶胞可儲存2個以上的位元，則同一條字元線上的實體程式化單元至少可被分類為下實體程式化單元與上實體程式化單元。例如，一記憶胞的最低有效位元(Least Significant Bit，LSB)是屬於下實體程式化單元，並且一記憶胞的最高有效位元(Most Significant Bit，MSB)是屬於上實體程式化單元。一般來說，在MLC NAND型快閃記憶體中，下實體程式化單元的寫入速度會大於上實體程式化單元的寫入速度，及/或下實體程式化單元的可靠度是高於上實體程式化單元的可靠度。
在本範例實施例中，實體程式化單元為程式化的最小單元。即，實體程式化單元為寫入資料的最小單元。例如，實體程式化單元為實體頁面(page)或是實體扇(sector)。若實體程式化單元為實體頁面，則此些實體程式化單元通常包括資料位元區與冗餘(redundancy)位元區。資料位元區包含多個實體扇，用以儲存使用者資料，而冗餘位元區用以儲存系統資料(例如，錯誤更正碼等管理資料)。在本範例實施例中，資料位元區包含32個實體扇，且一個實體扇的大小為512位元組(byte, B)。然而，在其他範例實施例中，資料位元區中也可包含8個、16個或數目更多或更少的實體扇，並且每一個實體扇的大小也可以是更大或更小。另一方面，實體抹除單元為抹除之最小單位。亦即，每一實體抹除單元含有最小數目之一併被抹除之記憶胞。例如，實體抹除單元為實體區塊(block)。
溫度感測器408耦接記憶體控制電路單元404，用以偵測記憶體儲存裝置10的溫度。於一範例實施例中，溫度感測器408可以配置在記憶體儲存裝置10中具有最高熱源的地方，例如可複寫式非揮發性記憶體模組406的附近，但並不限制於此。
圖5是根據本發明的一範例實施例所繪示的記憶體控制電路單元的概要方塊圖。
請參照圖5，記憶體控制電路單元404包括記憶體管理電路502、主機介面504、記憶體介面506及錯誤檢查與校正電路508。
記憶體管理電路502用以控制記憶體控制電路單元404的整體運作。具體來說，記憶體管理電路502具有多個控制指令，並且在記憶體儲存裝置10運作時，此些控制指令會被執行以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。以下說明記憶體管理電路502的操作時，等同於說明記憶體控制電路單元404的操作。
在本範例實施例中，記憶體管理電路502的控制指令是以韌體型式來實作。例如，記憶體管理電路502具有微處理器單元(未繪示)與唯讀記憶體(未繪示)，並且此些控制指令是被燒錄至此唯讀記憶體中。當記憶體儲存裝置10運作時，此些控制指令會由微處理器單元來執行以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。
在另一範例實施例中，記憶體管理電路502的控制指令亦可以程式碼型式儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組406的特定區域(例如，記憶體模組中專用於存放系統資料的系統區)中。此外，記憶體管理電路502具有微處理器單元(未繪示)、唯讀記憶體(未繪示)及隨機存取記憶體(未繪示)。特別是，此唯讀記憶體具有開機碼(boot code)，並且當記憶體控制電路單元404被致能時，微處理器單元會先執行此開機碼來將儲存於可複寫式非揮發性記憶體模組406中之控制指令載入至記憶體管理電路502的隨機存取記憶體中。之後，微處理器單元會運轉此些控制指令以進行資料的寫入、讀取與抹除等運作。
此外，在另一範例實施例中，記憶體管理電路502的控制指令亦可以一硬體型式來實作。例如，記憶體管理電路502包括微控制器、記憶胞管理電路、記憶體寫入電路、記憶體讀取電路、記憶體抹除電路與資料處理電路。記憶胞管理電路、記憶體寫入電路、記憶體讀取電路、記憶體抹除電路與資料處理電路是耦接至微控制器。記憶胞管理電路用以管理可複寫式非揮發性記憶體模組406的記憶胞或其群組。記憶體寫入電路用以對可複寫式非揮發性記憶體模組406下達寫入指令序列以將資料寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組406中。記憶體讀取電路用以對可複寫式非揮發性記憶體模組406下達讀取指令序列以從可複寫式非揮發性記憶體模組406中讀取資料。記憶體抹除電路用以對可複寫式非揮發性記憶體模組406下達抹除指令序列以將資料從可複寫式非揮發性記憶體模組406中抹除。資料處理電路用以處理欲寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組406的資料以及從可複寫式非揮發性記憶體模組406中讀取的資料。寫入指令序列、讀取指令序列及抹除指令序列可各別包括一或多個程式碼或指令碼並且用以指示可複寫式非揮發性記憶體模組406執行相對應的寫入、讀取及抹除等操作。在一範例實施例中，記憶體管理電路502還可以下達其他類型的指令序列給可複寫式非揮發性記憶體模組406以指示執行相對應的操作。
記憶體管理電路502可將可複寫式非揮發性記憶體模組406的多個實體單元邏輯地分組至儲存區與替換區。儲存區中的實體單元是用以儲存資料，而替換區中的實體單元則是用以替換儲存區中損壞的實體單元。例如，若從某一個實體單元中讀取的資料所包含的錯誤過多而無法被更正時，此實體單元可被視為是損壞的實體單元。須注意的是，若替換區中沒有可用的實體單元，則記憶體管理電路502可能會將整個記憶體儲存裝置10宣告為寫入保護(write protect)狀態，而無法再寫入資料。
在本範例實施例中，每一個實體單元是指一個實體抹除單元。然而，在另一範例實施例中，一個實體單元亦可以是指一個實體位址、一個實體程式化單元或由多個連續或不連續的實體位址組成。記憶體管理電路502可配置多個邏輯單元以映射儲存區中的實體單元。在本範例實施例中，每一個邏輯單元是指一個邏輯位址。然而，在另一範例實施例中，一個邏輯單元也可以是指一個邏輯程式化單元、一個邏輯抹除單元或者由多個連續或不連續的邏輯位址組成。此外，邏輯單元中的每一者可被映射至一或多個實體單元。
記憶體管理電路502可將邏輯單元與實體單元之間的映射關係(亦稱為邏輯-實體位址映射關係)記錄於至少一邏輯-實體位址映射表。當主機系統11欲從記憶體儲存裝置10讀取資料或寫入資料至記憶體儲存裝置10時，記憶體管理電路502可根據此邏輯-實體位址映射表來執行對於記憶體儲存裝置10的資料存取操作。
主機介面504是耦接至記憶體管理電路502並且用以接收與識別主機系統11所傳送的指令與資料。也就是說，主機系統11所傳送的指令與資料會透過主機介面504來傳送至記憶體管理電路502。在本範例實施例中，主機介面504是相容於SATA標準。然而，必須瞭解的是本發明不限於此，主機介面504亦可以是相容於PATA標準、IEEE 1394標準、PCI Express標準、USB標準、SD標準、UHS-I標準、UHS-II標準、MS標準、MMC標準、eMMC標準、UFS標準、CF標準、IDE標準或其他適合的資料傳輸標準。
記憶體介面506是耦接至記憶體管理電路502並且用以存取可複寫式非揮發性記憶體模組406。也就是說，欲寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組406的資料會經由記憶體介面506轉換為可複寫式非揮發性記憶體模組406所能接受的格式。具體來說，若記憶體管理電路502要存取可複寫式非揮發性記憶體模組406，記憶體介面506會傳送對應的指令序列。例如，這些指令序列可包括指示寫入資料的寫入指令序列、指示讀取資料的讀取指令序列、指示抹除資料的抹除指令序列、以及用以指示各種記憶體操作(例如，改變讀取電壓準位或執行垃圾回收操作等等)的相對應的指令序列。這些指令序列例如是由記憶體管理電路502產生並且透過記憶體介面506傳送至可複寫式非揮發性記憶體模組406。這些指令序列可包括一或多個訊號，或是在匯流排上的資料。這些訊號或資料可包括指令碼或程式碼。例如，在讀取指令序列中，會包括讀取的辨識碼、記憶體位址等資訊。
錯誤檢查與校正電路508是耦接至記憶體管理電路502並且用以執行錯誤檢查與校正操作以確保資料的正確性。具體來說，當記憶體管理電路502從主機系統11中接收到寫入指令時，錯誤檢查與校正電路508會為對應此寫入指令的資料產生對應的錯誤更正碼(error correcting code, ECC)及/或錯誤檢查碼(error detecting code，EDC)，並且記憶體管理電路502會將對應此寫入指令的資料與對應的錯誤更正碼及/或錯誤檢查碼寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組406中。之後，當記憶體管理電路502從可複寫式非揮發性記憶體模組406中讀取資料時會同時讀取此資料對應的錯誤更正碼及/或錯誤檢查碼，並且錯誤檢查與校正電路508會依據此錯誤更正碼及/或錯誤檢查碼對所讀取的資料執行錯誤檢查與校正操作。為了說明方便，以下將經由編碼產生的錯誤更正碼及/或錯誤檢查碼統稱為ECC碼。
在一範例實施例中，記憶體控制電路單元404還包括緩衝記憶體510與電源管理電路512。
緩衝記憶體510是耦接至記憶體管理電路502並且用以暫存來自於主機系統11的資料與指令或來自於可複寫式非揮發性記憶體模組406的資料。電源管理電路512是耦接至記憶體管理電路502並且用以控制記憶體儲存裝置10的電源。
在本範例實施例中，錯誤檢查與校正電路508支援低密度奇偶檢查(low-density parity-check, LDPC)碼。例如，錯誤檢查與校正電路508可利用低密度奇偶檢查碼來編碼與解碼。然而，在另一範例實施例中，錯誤檢查與校正電路508亦可以支援BCH碼、迴旋碼(convolutional code)、渦輪碼(turbo code)等等，本發明不加以限制。
在本範例實施例中，記憶體控制電路單元404與溫度感測器408進行溝通以得知可複寫式非揮發性記憶體模組406本身、周遭或此記憶體儲存裝置10內部的溫度是否低於第一門檻值（即，所設定的溫度門檻值，例如為-40c）。舉例來說，記憶體控制電路單元404可以於每執行一定數量的控制指令（例如，讀取、寫入、抹除…等指令）或一定時間內就與溫度感測器408進行溝通，藉以得知記憶體儲存裝置10之溫度是否低於第一門檻值。或者，溫度感測器408亦可於偵測到記憶體儲存裝置10之溫度低於第一門檻值時就發出中斷命令，以讓記憶體控制電路單元404得知記憶體儲存裝置10之溫度已低於第一門檻值。顯然地，記憶體控制電路單元404可以選擇主動或被動的方式得知記憶體儲存裝置10之溫度是否低於第一門檻值。
一旦記憶體控制電路單元404判斷記憶體儲存裝置10的溫度已低於第一門檻值時，則記憶體控制電路單元404就會執行與記憶體儲存裝置10之韌體相關聯的升溫操作，藉以提升記憶體儲存裝置10的溫度。如此，藉由升溫操作將記憶體儲存裝置10的溫度提升至安全溫度(其中，此安全溫度可不低於驅動升溫程序啟動的第一門檻值)，此時記憶體控制電路單元404可對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行主機系統11發出的存取指令。
在本發明的一範例實施例中，記憶體控制電路單元404接收主機系統11發出的存取指令，溫度感測器408持續偵測記憶體儲存裝置10的溫度，當溫度感測器408偵測到記憶體儲存裝置10的溫度低於第一門檻值（例如為-40c）時，記憶體控制電路單元404對記憶體儲存裝置10執行升溫操作。在將記憶體儲存裝置10的溫度提升至安全溫度之後，記憶體控制電路單元404執行主機系統11發出的存取指令。於本範例實施例中，記憶體控制電路單元404對記憶體儲存裝置10執行升溫操作可以例如是記憶體控制電路單元404對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬存取指令或者是記憶體控制電路單元404調整記憶體儲存裝置10的工作電壓，對此本發明不作限制。
在本發明的一範例實施例中，當溫度感測器408偵測到記憶體儲存裝置10的溫度低於第一門檻值時，記憶體控制電路單元404調整記憶體儲存裝置10的工作電壓，以將記憶體控制電路單元404的工作頻率從預設工作頻率調高至第一工作頻率，以致於記憶體儲存裝置10的溫度會逐漸升高。當溫度感測器408偵測到記憶體儲存裝置10的溫度提升至安全溫度（也即是說，記憶體儲存裝置10的溫度不低於第一門檻值）後，記憶體控制電路單元404會將記憶體控制電路單元404的工作頻率恢復至預設工作頻率，此時記憶體儲存裝置10的溫度已提升至安全溫度，記憶體控制電路單元404對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行主機系統11發出的存取指令。
更詳細地說，在本發明的另一範例實施例中，記憶體儲存裝置10更可以於在記憶體控制電路單元404內部之工作頻率從預設工作頻率調高至第一工作頻率於一預定時間（其由實際設計需求/應用而決定）後溫度仍未升高的話，則更致使記憶體控制電路單元404內部的工作頻率從第一工作頻率再增高至較高的第二工作頻率。當記憶體儲存裝置10的溫度升高至安全溫度後，致使記憶體控制電路單元404內部之工作頻率由第二工作頻率階段性地或直接地回復/恢復至預設工作頻率；反之（亦即，記憶體儲存裝置10的溫度在記憶體控制電路單元404內部之工作頻率升高至第一工作頻率於所述預定時間後已升高的話），則致使記憶體控制電路單元404內部之工作頻率從第一工作頻率恢復至預設工作頻率。
除了透過調整工作頻率來提高記憶體儲存裝置10的溫度之外，在本發明的另一範例實施例中，當溫度感測器408偵測到記憶體儲存裝置10的溫度低於第一門檻值時，記憶體控制電路單元404亦可對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬存取指令。具體來說，記憶體控制電路單元404對可複寫式非揮發性記憶體模組406反覆執行數次虛擬存取指令（例如，虛擬讀取、虛擬寫入等指令），如此，記憶體控制電路單元404處於作動狀態，以使得記憶體儲存裝置10的溫度會逐漸升高。當記憶體儲存裝置10的溫度升高至安全溫度後（也即是說，記憶體儲存裝置10的溫度不低於第一門檻值），記憶體控制電路單元404才對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行主機系統11發出的存取指令。
更詳細地說，執行虛擬存取指令包括對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬讀取，以從可複寫式非揮發性記憶體模組406讀取資料及/或對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬寫入，以將虛擬資料程式化至可複寫式非揮發性記憶體模組406。於本範例實施例中，記憶體控制電路單元404對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬存取指令可以例如是指在主機系統11未有存取需求（例如是記憶體控制電路單元404未接收到主機系統11發出的存取指令或者主機系統11未發出存取指令）時或記憶體控制電路單元404為提高記憶體儲存裝置10的溫度之外而額外地執行的存取操作，例如是將預定資料、冗餘資料或主機指示資料寫入至可複寫式非揮發性記憶體模組406的壞實體區塊或可用實體區塊，或者是將冗餘資料或主機指示資料暫存至緩衝記憶體510，對此本發明不作限制。當虛擬存取指令執行完畢後，記憶體控制電路單元404可不將存取結果回傳主機系統11。
圖6是根據本發明一範例實施例所繪示之資料存取方法的流程圖。
請參照圖6，在步驟S601中，記憶體控制電路單元404接收主機系統11發出的存取指令。
在步驟S603中，溫度感測器408會偵測記憶體儲存裝置10的溫度，並且在步驟S605中，記憶體控制電路單元404判斷記憶體儲存裝置10的溫度是否低於第一門檻值。
倘若記憶體控制電路單元404判斷記憶體儲存裝置10的溫度低於第一門檻值時，在步驟S607中，記憶體控制電路單元404會對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬存取指令或調整記憶體儲存裝置10的工作電壓，藉以升高記憶體儲存裝置10的溫度。在記憶體控制電路單元404對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬存取指令或調整記憶體儲存裝置10的工作電壓之後，在步驟S609中，記憶體控制電路單元404會執行主機系統11發出的存取指令。
倘若記憶體控制電路單元404判斷記憶體儲存裝置10的溫度非低於第一門檻值時，回到步驟S609，記憶體控制電路單元404執行主機系統11發出的存取指令。
圖7是根據本發明另一範例實施例所繪示之資料存取方法的流程圖。
請參照圖7，在步驟S701中，記憶體控制電路單元404判斷記憶體儲存裝置10的溫度是否低於第一門檻值。
倘若記憶體控制電路單元404判斷記憶體儲存裝置10的溫度低於第一門檻值時，在步驟S703中，記憶體控制電路單元404會對可複寫式非揮發性記憶體模組406重覆執行虛擬存取指令直至記憶體儲存裝置10的溫度升高至第二門檻值，其中第二門檻值不同於第一門檻值。並且，此升高至第二門檻值的溫度為可不低於驅動升溫操作啟動的第一門檻值的安全溫度，在步驟S705中，記憶體控制電路單元404執行主機系統11發出的存取指令。
倘若記憶體控制電路單元404判斷記憶體儲存裝置10的溫度非低於第一門檻值時，回到步驟S705，記憶體控制電路單元404執行主機系統11發出的存取指令。
於一範例實施例中，記憶體控制電路單元404對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬存取指令或調整記憶體儲存裝置10的工作電壓都可以有效地提升記憶體儲存裝置10的溫度，而且記憶體控制電路單元404對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬存取指令或調整記憶體儲存裝置10的工作電壓可以被單獨地執行，或者以組合的方式而被執行，甚至還可以設定優先順序而被逐一地執行，一切端視實際設計需求而論。當然，除了以上所提的幾種升溫操作外，其它由記憶體儲存裝置10之記憶體控制電路單元404執行的升溫操作也屬於本發明所欲保護的範疇之一，故而上述所舉的幾種升溫操作並不得用以限制本發明所欲主張的範圍。
綜上所述，本發明提供的一種資料存取方法、記憶體儲存裝置與記憶體控制電路單元，能夠在可複寫式非揮發性記憶體模組406的溫度低於第一門檻值時，記憶體控制電路單元404對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行虛擬存取指令或調整記憶體儲存裝置10的工作電壓以提升記憶體儲存裝置10的溫度，當記憶體儲存裝置10的溫度提升至安全溫度後，記憶體控制電路單元404對可複寫式非揮發性記憶體模組406執行主機系統11發出的存取指令。並且本範例實施例中的資料存取方法是通過記憶體儲存裝置的原有結構，並不需要另外新增其他結構即可對記憶體儲存裝置提升溫度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧記憶體儲存裝置
11‧‧‧主機系統
12‧‧‧輸入/輸出（I/O）裝置
110‧‧‧系統匯流排
111‧‧‧處理器
112‧‧‧隨機存取記憶體（RAM）/緩衝記憶體
113‧‧‧唯讀記憶體（ROM）
114‧‧‧資料傳輸介面
20‧‧‧主機板
201‧‧‧隨身碟
202‧‧‧記憶卡
203‧‧‧固態硬碟
204‧‧‧無線記憶體儲存裝置
205‧‧‧全球定位系統模組
206‧‧‧網路介面卡
207‧‧‧無線傳輸裝置
208‧‧‧鍵盤
209‧‧‧螢幕
210‧‧‧喇叭
30‧‧‧記憶體儲存裝置
31‧‧‧主機系統
32‧‧‧SD卡
33‧‧‧CF卡
34‧‧‧嵌入式儲存裝置
341‧‧‧嵌入式多媒體卡
342‧‧‧嵌入式多晶片封裝儲存裝置
402‧‧‧連接介面單元
404‧‧‧記憶體控制電路單元
406‧‧‧可複寫式非揮發性記憶體模組
408‧‧‧溫度感測器
502‧‧‧記憶體管理電路
504‧‧‧主機介面
506‧‧‧記憶體介面
508‧‧‧錯誤檢查與校正電路
510‧‧‧緩衝記憶體
512‧‧‧電源管理電路
S601~ S609‧‧‧步驟
S701~ S705‧‧‧步驟
圖1是根據本發明的一範例實施例所繪示的主機系統、記憶體儲存裝置及輸入/輸出(I/O)裝置的示意圖。 圖2是根據本發明的另一範例實施例所繪示的主機系統、記憶體儲存裝置及I/O裝置的示意圖。 圖3是根據本發明的另一範例實施例所繪示的主機系統與記憶體儲存裝置的示意圖。 圖4是根據本發明的一範例實施例所繪示的記憶體儲存裝置的概要方塊圖。 圖5是根據本發明的一範例實施例所繪示的記憶體控制電路單元的概要方塊圖。 圖6是根據本發明一範例實施例所繪示之資料存取方法的流程圖。 圖7是根據本發明另一範例實施例所繪示之資料存取方法的流程圖。

Claims (27)

  1. 一種資料存取方法，用於一記憶體儲存裝置，其中該記憶體儲存裝置具有一可複寫式非揮發性記憶體模組以及用以控制該可複寫式非揮發性記憶體模組的一記憶體控制電路單元，該資料存取方法包括： 接收一存取指令； 偵測該記憶體儲存裝置的溫度； 判斷該記憶體儲存裝置的溫度是否低於一第一門檻值； 倘若該記憶體儲存裝置的溫度低於該第一門檻值時，執行一虛擬存取指令或調整一工作電壓；以及 在執行該虛擬存取指令或調整該工作電壓之後，執行該存取指令。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的資料存取方法，其中執行該虛擬存取指令的步驟更包括： 倘若該記憶體儲存裝置的溫度低於該第一門檻值時，重覆執行該虛擬存取指令直至該記憶體儲存裝置的溫度升高至一第二門檻值，其中該第二門檻值不同於該第一門檻值。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的資料存取方法，其中該執行調整該工作電壓的步驟包括： 將該記憶體控制電路單元的一工作頻率從一預設工作頻率調高至一第一工作頻率；以及 當該記憶體儲存裝置的溫度升高至一安全溫度後，將該記憶體控制電路單元的工作頻率恢復至該預設工作頻率。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的資料存取方法，其中執行該虛擬存取指令的步驟包括： 對該可複寫式非揮發性記憶體模組執行一虛擬讀取，以從該可複寫式非揮發性記憶體模組讀取資料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的資料存取方法，其中執行該虛擬存取指令的步驟包括： 反覆執行該虛擬讀取數次。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的資料存取方法，其中執行該虛擬存取指令的步驟包括： 對該可複寫式非揮發性記憶體模組執行一虛擬寫入，以將一虛擬資料程式化至該可複寫式非揮發性記憶體模組。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的資料存取方法，其中執行該虛擬存取指令的步驟包括： 反覆執行該虛擬寫入數次。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的資料存取方法，其中該虛擬存取指令用以對該可複寫式非揮發性記憶體模組執行一非主機指示之讀取或程式化作動。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的資料存取方法，其中該虛擬存取指令用以將資料程式化至該可複寫式非揮發性記憶體模組之一壞實體區塊或一預定區域中。
  10. 一種記憶體控制電路單元，用於一記憶體儲存裝置，其中該記憶體儲存裝置具有一可複寫式非揮發性記憶體模組，該記憶體控制電路單元包括： 一主機介面，用以耦接至一主機系統； 一記憶體介面，用以耦接至該可複寫式非揮發性記憶體模組； 一記憶體管理電路，耦接至該主機介面以及該記憶體介面， 其中該記憶體管理電路用以接收一存取指令， 其中該記憶體管理電路用以偵測該記憶體儲存裝置的溫度， 其中該記憶體管理電路用以判斷該記憶體儲存裝置的溫度是否低於一第一門檻值，倘若該記憶體儲存裝置的溫度低於該第一門檻值時，該記憶體管理電路用以執行一虛擬存取指令或調整一工作電壓，以及 在執行該虛擬存取指令或調整該工作電壓之後，該記憶體管理電路用以執行該存取指令。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的記憶體控制電路單元，其中倘若該記憶體儲存裝置的溫度低於該第一門檻值時，該記憶體管理電路更用以重覆執行該虛擬存取指令直至該記憶體儲存裝置的溫度升高至一第二門檻值，其中該第二門檻值不同於該第一門檻值。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路調整該工作電壓包括： 該記憶體管理電路更用以將該記憶體控制電路單元的一工作頻率從一預設工作頻率調高至一第一工作頻率，以及 當該記憶體儲存裝置的溫度升高至一安全溫度後，該記憶體管理電路更用以將該記憶體控制電路單元的工作頻率恢復至該預設工作頻率。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路執行該虛擬存取指令包括： 該記憶體管理電路更用以對該可複寫式非揮發性記憶體模組執行一虛擬讀取，以從該可複寫式非揮發性記憶體模組讀取資料。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路執行該虛擬存取指令包括： 該記憶體管理電路更用以反覆執行該虛擬讀取數次。
  15. 如申請專利範圍第10項所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路執行該虛擬存取指令包括： 該記憶體管理電路更用以對該可複寫式非揮發性記憶體模組執行一虛擬寫入，以將一虛擬資料程式化至該可複寫式非揮發性記憶體模組。
  16. 如申請專利範圍第15項所述的記憶體控制電路單元，其中該記憶體管理電路執行該虛擬存取指令包括： 該記憶體管理電路反覆執行該虛擬寫入數次。
  17. 如申請專利範圍第10項所述的記憶體控制電路單元，其中該虛擬存取指令用以對該可複寫式非揮發性記憶體模組執行一非主機指示之讀取或程式化作動。
  18. 如申請專利範圍第10項所述的記憶體控制電路單元，其中該虛擬存取指令用以將資料程式化至該可複寫式非揮發性記憶體模組之一壞實體區塊或一預定區域中。
  19. 一種記憶體儲存裝置，包括： 一連接介面單元，用以耦接至一主機系統； 一可複寫式非揮發性記憶體模組；以及 一記憶體控制電路單元，耦接至該連接介面單元與該可複寫式非揮發性記憶體模組， 其中該記憶體控制電路單元用以接收一存取指令， 其中該記憶體控制電路單元用以偵測該記憶體儲存裝置的溫度， 其中該記憶體控制電路單元用以判斷該記憶體儲存裝置的溫度是否低於一第一門檻值， 倘若該記憶體儲存裝置的溫度低於該第一門檻值時，該記憶體控制電路單元用以執行一虛擬存取指令或調整一工作電壓，以及 在執行該虛擬存取指令或調整該工作電壓之後，該記憶體控制電路單元用以執行該存取指令。
  20. 如申請專利範圍第19項所述的記憶體儲存裝置，其中倘若該記憶體儲存裝置的溫度低於該第一門檻值時，該記憶體控制電路單元更用以重覆執行該虛擬存取指令直至該記憶體儲存裝置的溫度升高至一第二門檻值，其中該第二門檻值不同於該第一門檻值。
  21. 如申請專利範圍第19項所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元用以調整該工作電壓包括： 該記憶體控制電路單元更用以將該記憶體控制電路單元的一工作頻率從一預設工作頻率調高至一第一工作頻率，以及 當該記憶體儲存裝置的溫度升高至一安全溫度後，該記憶體控制電路單元更用以將該記憶體控制電路單元的工作頻率恢復至該預設工作頻率。
  22. 如申請專利範圍第19項所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元用以執行該虛擬存取指令包括： 該記憶體控制電路單元更用以對該可複寫式非揮發性記憶體模組執行一虛擬讀取，以從該可複寫式非揮發性記憶體模組讀取資料。
  23. 如申請專利範圍第22項所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元用以執行該虛擬存取指令包括： 該記憶體控制電路單元更用以反覆執行該虛擬讀取數次。
  24. 如申請專利範圍第19項所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元用以執行該虛擬存取指令包括： 該記憶體控制電路單元更用以對該可複寫式非揮發性記憶體模組執行一虛擬寫入，以將一虛擬資料程式化至該可複寫式非揮發性記憶體模組。
  25. 如申請專利範圍第24項所述的記憶體儲存裝置，其中該記憶體控制電路單元用以執行該虛擬存取指令包括： 該記憶體控制電路單元更用以反覆執行該虛擬寫入數次。
  26. 如申請專利範圍第19項所述的記憶體儲存裝置，其中該虛擬存取指令用以對該可複寫式非揮發性記憶體模組執行一非主機指示之讀取或程式化作動。
  27. 如申請專利範圍第19項所述的記憶體儲存裝置，其中該虛擬存取指令用以將資料程式化至該可複寫式非揮發性記憶體模組之一壞實體區塊或一預定區域中。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102742676B1 (ko) * 2019-04-30 2024-12-16 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 그의 온도 조절 방법
US11762585B2 (en) * 2020-03-23 2023-09-19 Micron Technology, Inc. Operating a memory array based on an indicated temperature
US11853599B2 (en) * 2020-03-31 2023-12-26 Kioxia Corporation Memory system and information processing system
US11977772B2 (en) * 2020-09-28 2024-05-07 Micron Technology, Inc. Temperature monitoring for memory devices
CN115529831A (zh) 2021-04-27 2022-12-27 美光科技公司 存储器电路的动态电压供应
CN113760194B (zh) * 2021-09-09 2024-03-12 合肥兆芯电子有限公司 存储器温度控制方法及存储器温度控制系统
CN114706529B (zh) * 2022-04-08 2024-08-27 合肥兆芯电子有限公司 存储器自适应温控方法、存储装置及控制电路单元

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070211512A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Susumu Shuto Ferroelectric memory device
TW201314455A (zh) * 2011-09-22 2013-04-01 Phison Electronics Corp 記憶體儲存裝置、記憶體控制器與溫度管理方法
US8612677B1 (en) * 2012-07-26 2013-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system and method of writing data in a memory system
CN103677966A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 研祥智能科技股份有限公司 内存管理方法和系统
TW201441818A (zh) * 2013-04-16 2014-11-01 Innodisk Corp 可調整溫度之快閃記憶體裝置
CN104898982A (zh) * 2014-03-03 2015-09-09 群联电子股份有限公司 数据传输方法、存储器控制电路单元与存储器储存装置
CN107810530A (zh) * 2015-09-08 2018-03-16 西部数据技术公司 数据存储设备中的温度管理
US20180268920A1 (en) * 2017-03-15 2018-09-20 Toshiba Memory Corporation Screening method for magnetic storage device, screening apparatus for magnetic storage device, and manufacturing method of magnetic storage device

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101868332B1 (ko) * 2010-11-25 2018-06-20 삼성전자주식회사 플래시 메모리 장치 및 그것을 포함한 데이터 저장 장치
US9406368B2 (en) * 2014-01-21 2016-08-02 International Business Machines Corporation Dynamic temperature adjustments in spin transfer torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM)

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070211512A1 (en) * 2006-03-07 2007-09-13 Susumu Shuto Ferroelectric memory device
TW201314455A (zh) * 2011-09-22 2013-04-01 Phison Electronics Corp 記憶體儲存裝置、記憶體控制器與溫度管理方法
US8612677B1 (en) * 2012-07-26 2013-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory system and method of writing data in a memory system
CN103677966A (zh) * 2012-08-31 2014-03-26 研祥智能科技股份有限公司 内存管理方法和系统
TW201441818A (zh) * 2013-04-16 2014-11-01 Innodisk Corp 可調整溫度之快閃記憶體裝置
CN104898982A (zh) * 2014-03-03 2015-09-09 群联电子股份有限公司 数据传输方法、存储器控制电路单元与存储器储存装置
CN107810530A (zh) * 2015-09-08 2018-03-16 西部数据技术公司 数据存储设备中的温度管理
US20180268920A1 (en) * 2017-03-15 2018-09-20 Toshiba Memory Corporation Screening method for magnetic storage device, screening apparatus for magnetic storage device, and manufacturing method of magnetic storage device

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