TWI594448B - 用於形成太陽能電池之空間定位擴散區的摻質之離子佈植 - Google Patents

Description

用於形成太陽能電池之空間定位擴散區的摻質之離子佈植

本文所述的專利標的之實施例一般係關於太陽能電池。尤其，本專利標的之實施例係關於太陽能電池的製造程序及結構。

眾所皆知太陽能電池為將太陽輻射轉換成電能的裝置。太陽能電池具有在正規操作期間面向太陽的正面，以收集太陽輻射；及相對於正面的背面。撞擊在太陽能電池上的太陽輻射產生電荷，其可用來供能給外部電路，例如，負載。

太陽能電池的製造程序典型包括眾多步驟，其包含遮罩、蝕刻、沉積、擴散及其他步驟。本發明的實施例針對減低製造成本及較高生產量提供具有減少數目之步驟的太陽能電池程序。

在一實施例中，太陽能電池的擴散區係使用以具有第一導電率類型之摻質摻雜的薄膜包覆層形成。具有第二導電率類型的摻質係佈植在該薄膜包覆層的選定區域中，以形成具有該第二導電率類型的摻質源區域。該太陽能 電池的擴散區係藉由使具有該第一導電率類型的摻質及具有該第二導電率類型的摻質從該薄膜包覆層擴散進入一下方之例如矽的半導體材料而形成。該薄膜包覆層可為以硼摻雜的P型摻質源層，且磷係佈植在該P型摻質源層的選定區域中，以在該P型摻質源層中形成N型摻質源區域。例如，矽材料可包括多晶矽或單晶矽基材。

一旦閱讀包括伴隨圖式及申請專利範圍之此公開內容的全文，在此項技術中具有普通技能者當能立即明白本發明之這些及其他特徵。

101‧‧‧N型單晶矽基材

102‧‧‧二氧化矽

103‧‧‧多晶矽

104‧‧‧P型摻質源層

112‧‧‧佈植遮罩

113‧‧‧N型摻質源區域

114‧‧‧P型擴散區

115‧‧‧N型擴散區

116‧‧‧介電層

117‧‧‧金屬接觸

118‧‧‧金屬接觸

120‧‧‧箭頭

121‧‧‧箭頭

122‧‧‧箭頭

123‧‧‧箭頭

201‧‧‧N型單晶基材

202‧‧‧P型摻質源層

203‧‧‧N型摻質源區域

204‧‧‧P型擴散區

205‧‧‧N型擴散區

208‧‧‧介電層

210‧‧‧金屬接觸

211‧‧‧金屬接觸

220‧‧‧多孔單晶矽載體晶圓

221‧‧‧N型單晶矽基材

222‧‧‧氧化物層

223‧‧‧多晶矽

224‧‧‧P型摻質源層

225‧‧‧P型多晶矽

231‧‧‧步驟

232‧‧‧步驟

233‧‧‧步驟

241‧‧‧步驟

242‧‧‧步驟

243‧‧‧步驟

244‧‧‧步驟

245‧‧‧步驟

可同時參考詳細說明及申請專利範圍並搭配以下圖式以對本申請標的有更完整的了解，其中圖式的類似元件符號係指類似元件。圖式並未依比例繪製。

圖1至圖4為橫剖面圖，概略地繪示根據本發明之一實施例之太陽能電池的製造。

圖5至8為橫剖面圖，概略地繪示根據本發明之另一實施例之太陽能電池的製造。

圖9至11為橫剖面圖，概略地繪示根據本發明之一實施例的多晶矽及單晶矽基材堆疊的形成。

圖12顯示根據本發明之一實施例之形成太陽能電池之擴散區之方法的流程圖。

圖13顯示根據本發明之一實施例之形成多晶矽及單晶矽基材堆疊的方法的流程圖。

在本公開內容中，提供眾多特定係節，例如，設備、結構、材料及方法的實例，以提供對本發明之實施例的徹底了解。然而，在此項技術中具有普通技能者當了解，本發明可在無一或多個該特定細節的情況下實行。在其他例子中，眾所周知的細節並未顯示或敘述，以避免使本發明的實施態樣難以理解。

在全背面接觸式太陽能電池中，P型及N型擴散區及所有對應的金屬接觸係位於太陽能電池的背面上。擴散區可藉由從摻質源擴散摻質來形成。為了滿足製程的需求，摻質源典型需要設置在距離彼此小於100μm內的位置並對準晶圓的中心或邊緣，以致能後續處理步驟的對準。對準摻質源的困難之處在於其他步驟，例如，藉由溝槽使P型擴散區與N型擴散區分離，之位置準確度需求所造成的混淆。

太陽能電池之空間定位擴散區之一技術可包含以下步驟：沉積該摻質源之包覆層、將微影膏(lithographic paste)施加至該摻質源的頂部之上、使用蝕刻製程圖樣化該膏、及驅使摻質從該摻質源進入一下方層，以形成擴散區。此技術包含沉積、圖樣化及蝕刻，不僅需要許多步驟，且要實施亦是所費不貲。

空間定位擴散區之另一技術可包含以含墨水摻質取代該微影膏。此技術可包括例如使用網版印刷機或替代型印刷機以所需的圖樣將摻質墨水施加在需要摻質源的表面之頂部上，並驅使摻質在熱處理步驟中從墨水進入具有相反型摻質的包覆層中。此技術之一問題在於將數個具挑戰性的功能需求加諸於摻質墨水之上。更具體地，墨水必須可印刷，必須能夠作為摻質源，且不得因為釋氣而摻雜未受墨水覆蓋的區域。墨水本身因而變得昂貴，且依據墨水如何使用不可能產生淨製造成本的削減。

圖1至圖4為橫剖面圖，概略地繪示根據本發明之一實施例之太陽能電池的製造。所製造的太陽能電池為全背面接觸式太陽能電池，因為，在下文當可更加明白，其P型及N型擴散區及對應的金屬接觸均位於太陽能電池的背面之上。

在圖1中，為二氧化矽102形式之薄介電層係形成在主基材的背面之上，該主基材在圖1的實例中為N型單晶矽基材101。在一實施例中，二氧化矽102係在單晶矽基材101的背面上直接熱生長達一厚度，該厚度小於或等於40埃(例如，介於5至40埃，較佳的是20埃)。二氧化矽102可提供穿隧(tunneling)功能(例如，作用如穿隧氧化物)。

一層多晶(亦稱為「多晶矽(polysilicon)」)矽103係形成在二氧化矽102之上。P型摻質源層104在其後形成於多晶矽103之上。如同其名稱所意味的，P型摻質源層104作用如一P型摻質源。在一實施例中，P型摻質源層104包括一硼矽玻璃(BSG)包覆層，其係藉由沉積(例如，化學氣相沉積或蒸氣相磊晶生長)所形成。更具體地，摻質源層104可生長在多晶矽103之上，同時將P型摻質引入沉積腔室。來自P型摻質源層104的摻質(在此實例中為硼)隨後擴散至下方的多晶矽103，以在其中形成P型擴散區。一般而言，P型摻質源層104(及在下文介紹的其他P型摻質源層)可包括摻雜硼的氧化物。

多晶矽103層與P型摻質源層104可藉由分開的沉積步驟來形成。在其他實施例中，例如，在隨後敘述的圖9至圖11中，該些層可在相同的工具中一個接著一個地藉由蒸氣相磊晶生長來原位生長(亦即，在無真空破壞的情況下)。

在圖2中，圖1的太陽能電池結構係放置在亦稱為「離子佈植器(ion implanter)」的離子佈植工具中。半導體產業已使用離子佈植許多年。不過，為了達成空間布局，定義欲佈植區域的硬遮罩(例如，光阻、氧化物、氮化物)典型 需要形成在晶圓的表面上。在太陽能電池的製造過程中，擴散布局所需的空間準確度比半導體裝置的製造過程中所需的少了若干數量級的嚴格度，例如，用於太陽能電池製造之小於200μm對用於半導體裝置製造之小於10nm。因此，使用常駐於工具中而非形成在晶圓表面上之可移除且用完即丟之遮罩的離子佈植工具可用來在太陽能電池中佈植摻質。

儘管如此，離子佈植在全背面接觸式太陽能電池的製造中仍顯現出獨特的挑戰，因為P型及N型擴散區必須經過彼此適當的空間定位，且圖樣須對準晶圓的中心或邊緣。為了使用離子佈植達成此空間定位，將需要分開的佈植步驟，一是用於P型摻質，且另一則用於N型摻質，各自具有其分開的佈植遮罩。在高效率太陽能電池的製造過程中，此可需要優於10μm準確度的圖樣布局，以確保擴散區不會彼此重疊及產生大範圍的空間電荷再結合，其對高生產量(例如，大於每小時2100單位(UPH))佈植工具而言為罕見的挑戰。

在圖2的實例中，佈植遮罩112為離子佈植工具的一部分，且並未形成在太陽能電池基材之上。例如，佈植遮罩112可為可移除的遮罩，其可獨立於太陽能電池基材插入或抽離佈植工具。為了滿足對圖樣布局準確度的顧慮，以離子佈植僅佈植一個摻質導電率類型。在圖2的實例中，僅N型摻質係藉由離子佈植來佈植；P型摻質係以作用如P型摻質源層之薄膜的包覆層形成。在一實施例中，磷離子係透過佈植遮罩112選擇性地佈植在特別是P型摻質源層104的區域之中。磷並未佈植在P型摻質源層104受佈植遮罩112覆蓋的區域之中，使這些區域成為P型摻質源。

P型摻質源層104藉由遮罩112暴露的區域變為N型摻質源區域113。在圖2的實例中，由於P型摻質源層104包括BSG且磷已佈植，層104已佈植磷的區域113包括硼磷矽玻璃(BPSG)。也就是說，離子佈植步驟在P型摻質源層 104中形成N型摻質源區域113。N型摻質源區域113是因為其提供隨後將擴散進入多晶矽103層形成N型擴散區的N型摻質(在此實例中為磷)而如此命名。

在區域113的BPSG中，磷順利地擴散進入下方的矽。此係由於增強氧化硼薄膜中的磷擴散，且由於磷使硼至矽界面中的擴散減緩而發生。因此，由於在區域113中之磷濃度對硼濃度的適當比率，區域113有效地容許大部分的磷(代替硼)實質上地擴散，並允許區域113作為N型摻質源。在一實施例中，磷係佈植至BSG中，以致佈植的峰值發生在接近矽表面處，從而在磷擴散進入矽之前，最小化將擴散進入矽的硼量。佈植的能量係基於BSG層的厚度來選定。6000A(埃)厚的BSG層可需要200KeV的佈植能量，其為相當高的能量。較低能量的佈植為優選，所以約2000A的BSG厚度為較佳，最小值則為1000A。磷的較佳劑量致使磷的劑量介於BPSG總重量的4%至10%之間，以致足夠的磷到達矽表面來減緩硼的擴散。

N型摻質選擇性地佈植至P型摻質源層104中導致在P型摻質源層104中形成N型摻質源區域113，同時保持其餘的P型摻質源層104為P型摻質源。可以理解的是，此容許形成兩不同極性的摻質源，卻不須執行額外的沉積、圖樣化及蝕刻步驟，導致減少太陽能電池製造步驟。對佈植遮罩布局準確度的顧慮係藉由僅佈植用於形成擴散區之兩種類型之摻質的其中一個(在此實例中為N型摻質)來滿足。也就是說，只需要一個關鍵的對準步驟來確保所得之N型擴散區經過適當地定位。其他摻質係在包覆薄膜層(在此實例中為P型摻質源層104)中提供，而非藉由離子佈植引入。

在圖3中，執行擴散步驟使P型摻質從P型摻質源層104擴散進入多晶矽103，以形成P型擴散區114。擴散形成P型擴散區114的P型摻質係來自P型摻質源層104之未以N型摻質佈植的區域。擴散步驟亦使N型摻質從N型摻質源區域113擴散進入多晶矽103，以形成N型擴散區115。擴散P型及N型摻質以在多晶矽 103中形成對應的P型及N型擴散區可發生在相同的熱處理步驟中，其可在離子佈植步驟後立即執行或在任何接續離子佈植步驟的步驟執行。

可執行額外的步驟來完成太陽能電池的製造。在圖4中，這些額外的步驟包含在太陽能電池的背面上形成用於電絕緣、鈍化及/或其他目的的介電層116和其他層。接著在接觸孔中形成金屬接觸117及118，以分別電耦合至對應的N型擴散區115及P型擴散區114。金屬接觸117及118可為交叉指形(interdigitated)。該太陽能電池為全背面接觸式太陽能電池，其中金屬接觸117、金屬接觸118、P型擴散區114及N型擴散區115全部位於太陽能電池的背面上(參見箭頭120)。太陽能電池的正面(參見箭頭121)係相對於背面，且在正規操作期間面向太陽。

在圖1至圖4的實例中，P型擴散區114及N型擴散區115係形成在多晶矽103層中，其對單晶矽基材101來說處於外部。在其他實施例中，P型及N型擴散區係形成在單晶矽基材內而非材料的外部層內。現參照圖5至圖8解釋一特殊實例。

圖5至圖8為橫剖面圖，概略地繪示根據本發明之一實施例之太陽能電池的製造。在圖5中，P型摻質源層202係形成在N型單晶基材201的背面之上。在一實施例中，P型摻質源層包括BSG包覆層。如先前，P型摻質源層202作用如P型摻質之來源，在此實例中其包括硼。

在圖6中，圖5的太陽能電池結構係放置在具有佈植遮罩112的離子佈植工具中。佈植遮罩112為離子佈植工具的一部分，且並未形成在太陽能電池基材之上。在一實施例中，僅N型摻質係藉由離子佈植來佈植。特別是，在一實施例中，磷離子係使用佈植遮罩112選擇性地佈植在P型摻質源層202的特定區域之中。磷並未佈植在P型摻質源層202受佈植遮罩112覆蓋的區域之中，使這些區域成為P型摻質源。

P型摻質源層202藉由佈植遮罩112暴露的區域變為N型摻質源區域203，在此實例中其包括BPSG。N型摻質源區域203提供N型摻質，其隨後將擴散進入單晶矽基材201，以在其中形成N型擴散區。

在圖7中，執行擴散步驟使P型摻質從P型摻質源層202擴散進入單晶矽基材201，以在單晶矽基材201中形成P型擴散區204。擴散形成P型擴散區204的P型摻質係來自P型摻質源層202之未以N型摻質佈植的區域。擴散步驟亦從N型摻質源區域203使N型摻質擴散進入單晶矽基材201，以在單晶矽基材201中形成N型擴散區205。擴散P型及N型摻質以在單晶矽基材201中形成對應的P型及N型擴散區可發生在相同的熱處理步驟中，其可在離子佈植步驟後立即執行或在任何接續離子佈植步驟的步驟執行。

可執行額外的步驟來完成太陽能電池的製造。在圖8中，這些額外的步驟包含在太陽能電池的背面上形成用於電絕緣、鈍化及/或其他目的的介電層208和其他層。接著在接觸孔中形成金屬接觸210及211，以分別電耦合至對應的N型擴散區205及P型擴散區204。金屬接觸210及211可為交叉指形。該太陽能電池為全背面接觸式太陽能電池，其中金屬接觸210、金屬接觸211、P型擴散區204及N型擴散區205全部位於太陽能電池的背面上(參見箭頭122)。太陽能電池的正面(參見箭頭123)係相對於背面，且在正規操作期間面向太陽。

上述的太陽能電池製造步驟係在太陽能電池結構上執行，該太陽能電池結構包括經摻雜的單晶矽基材及P型摻質源層。在擴散區對單晶矽基材而言處於外部的實施例中，一層多晶矽可如圖1般形成在P型摻質源層及單晶矽基材之間。在擴散區形成在主矽基材內的實施例中，該層多晶矽可如圖5般省略。

圖9至圖11為橫剖面圖，概略地繪示根據本發明之一實施例的多晶矽及單晶矽基材堆疊的形成。在圖9至圖11的實例中，在相同工具(在此實例中 包括磊晶反應器)的相同腔室中，於未經真空破壞的情況下，該些層係一個接一個地原位生長。

在圖9中，為N型單晶矽基材221形式的主基材係自多孔單晶矽載體晶圓220藉由蒸氣相磊晶生長生長而成。N型摻質(例如，磷)係流入腔室將基材221摻雜為N型。其後，氧係流入腔室在N型單晶矽基材221的背面表面上生長薄的氧化物層222。一層多晶矽223接著生長在氧化物層222的表面之上。

在圖10中，一層多晶矽係生長在多晶矽223之上，同時使P型摻質(例如，硼)流入腔室。所得的層為P型多晶矽225，其係位於多晶矽223之上。

在圖11中，P型多晶矽225係藉由使氧流入腔室來進行氧化，從而將P型多晶矽225轉換為摻雜硼的氧化物(例如，BSG)，其可用作P型摻質源層224。所得之材料堆疊可經處理在P型摻質源層224中藉由如先前之離子佈植來形成N型摻質源區域。

圖12顯示根據本發明之一實施例之一形成太陽能電池之擴散區之方法的流程圖。在圖12的實例中，包括具有第一導電率類型之摻質的薄膜包覆層係形成在矽材料的上方(步驟231)。在一實施例中，薄膜包覆層為P型摻質源層，其包括形成在矽材料上方之摻雜硼的氧化物(例如，BSG)。在太陽能電池的擴散區形成在主太陽能結構之外部的實施例中，矽材料可為多晶矽。在太陽能電池的擴散區形成在作用如主太陽能電池結構之N型單晶矽基材內的實施例中，矽材料可為N型單晶矽基材。

具有與第一導電率類型(在此實例中為P型)相反之一第二導電率類型(在此實例中為N型)之摻質的離子接著佈植在薄膜包覆層之中。在圖12的實例中，N型摻質(例如，硼)係藉由離子佈植來佈植至P型摻質源層的選定區域中，以在P型摻質源層中形成N型摻質源區域(步驟232)。離子佈植步驟導致P型摻質源層具有在未以N型摻質佈植之區域中的P型摻質源區域以及在未以N型摻質佈 植之區域中的N型摻質源區域。佈植步驟可使用佈植遮罩執行，佈植遮罩暴露N型摻質源區域的面積，且覆蓋P型摻質源層之P型摻質源區域的面積。

執行擴散步驟，使來自P型摻質源層的P型及N型摻質擴散在矽材料中形成對應的P型擴散區及N型擴散區(步驟233)。依據實施例，矽材料可為一層多晶矽或一單晶矽基材。擴散步驟使P型摻質從P型摻質源層的P型摻質源區域擴散進入矽材料，以在矽材料中形成P型擴散區。相同的擴散步驟亦使N型摻質從P型摻質源層的N型摻質源區域擴散進入矽材料，以在矽材料中形成N型擴散區。在此實施例中，所製造的太陽能電池為全背面接觸式太陽能電池，其中P型擴散區及N型擴散區係形成在太陽能電池的背面之上。所得之太陽能電池具有直接位於P型摻質源層之P型摻質源區域(例如，BSG區域)下方的P型擴散區，以及直接位於P型摻質源層之N型摻質源區域(例如，BPSG區域)下方的N型擴散區。

圖13顯示根據本發明之一實施例之一形成多晶矽及單晶矽基材堆疊的方法的流程圖。圖13之方法的步驟可在相同工具的相同腔室中原位執行，該工具在一實施例中為磊晶反應器(epitaxial reactor)。

在圖13的實例中，主N型單晶矽基材係在多孔單晶矽載體晶圓上生長(步驟241)。使例如磷的N型摻質流入腔室，以將單晶矽基材摻雜為N型。其後，氧係流入腔室在N型單晶矽基材的背面表面上生長薄的氧化物層(步驟242)。一第一層多晶矽接著生長在氧化物層的表面之上(步驟243)。一第二層多晶矽係生長在第一層多晶矽之上，同時使例如硼的P型摻質流入腔室。所得之第二層多晶矽為P型多晶矽，其位於第一層多晶矽之上(步驟244)。其後藉由讓氧流入腔室來氧化P型多晶矽，從而將P型多晶矽轉換為摻雜硼的氧化物(步驟245)。所得之材料堆疊可經處理在摻雜硼的氧化物中藉由如先前所述的離子佈植來形成N型摻質源區域。

已公開用於形成太陽能電池之擴散區及相關結構的技術。雖然已提供本發明的特定實施例，須了解這些實施例係用於說明目的而非限制。在此項技術中具有普通技能者在閱讀此公開內容後當明白許多額外的實施例。

101‧‧‧N型單晶矽基材

102‧‧‧二氧化矽

103‧‧‧多晶矽

104‧‧‧P型摻質源層

114‧‧‧P型擴散區

115‧‧‧N型擴散區

116‧‧‧介電層

117‧‧‧金屬接觸

118‧‧‧金屬接觸

120‧‧‧箭頭

121‧‧‧箭頭

Claims (16)

1. 一種形成太陽能電池之擴散區的方法，該方法包含以下步驟：形成一P型摻質源層，其包括在一矽材料上之P型摻質；藉由離子佈植將N型摻質佈植至該P型摻質源層的選定區域中，以在該P型摻質源層中形成一N型摻質源區域；藉由使該N型摻質從該P型摻質源層的該N型摻質源區域擴散進入該矽材料而在該矽材料中形成該太陽能電池的N型擴散區；以及藉由從該P型摻質源層的其他區域使該P型摻質擴散進入該矽材料而在該矽材料中形成該太陽能電池的P型擴散區，該P型摻質源層的該其他區域為該P型摻質源層未以該N型摻質佈植的區域；其中該矽材料包括多晶矽，且該方法進一步包含以下步驟：在一單晶矽載體晶圓上生長一N型單晶矽基材；在該N型單晶矽基材上生長一薄氧化物；在該薄氧化物上生長該多晶矽；在該多晶矽上生長一層P型多晶矽；以及使該層P型多晶矽氧化，以將該P型多晶矽轉換為一P型摻雜氧化物。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該P型摻質源層的該其他區域包括硼，且該P型摻質源的該N型摻質源區域包括硼及磷。
3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中佈植至該P型摻質源層之該選定區域中的該N型摻質包括磷。
4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該矽材料包括該N型單晶矽基材。
5. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該P型摻質源層的該其他區域包括硼矽玻璃(BSG)。
6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該P型摻質源層的該N型摻質源區域包括硼磷矽玻璃(BPSG)。
7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該P型摻質源層係形成在該多晶矽之上。
8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該P型摻雜氧化物包括一摻雜硼的氧化物。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，其中該摻雜硼的氧化物包括硼矽玻璃(BSG)。
10. 一種形成太陽能電池之擴散區的方法，該方法包含以下步驟：形成一薄膜包覆層，其包括具有一第一導電率類型的摻質；在該薄膜包覆層的選定區域中佈植具有與該第一導電率類型相反之一第二導電率類型的摻質離子，以在該薄膜包覆層中形成具有該第二導電率類型之摻質的摻質源區域；使具有該第一導電率類型的摻質從該薄膜包覆層擴散進入一下方的矽材料，以在該矽材料中形成該太陽能電池之具有該第一導電率類型的擴散區；以及使具有該第二導電率類型的摻質從該薄膜包覆層擴散進入該矽材料，以在該矽材料中形成該太陽能電池之具有該第二導電率類型的擴散區；其中該矽材料包括多晶矽，且該方法進一步包含以下步驟：在一單晶矽載體晶圓上生長一第二導電類型的單晶矽基材；在該第二導電類型的單晶矽基材上生長一薄氧化物；在該薄氧化物上生長該多晶矽； 在該多晶矽上生長一層該第一導電類型的多晶矽；以及使該層第一導電類型的多晶矽氧化，以將該第一導電類型的多晶矽轉換為一第一導電類型的摻雜氧化物。
11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第一導電率類型包括P型，且該第二導電率類型包括N型。
12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中在該薄膜包覆層中具有該第二導電率類型之摻質的該摻質源區域包括硼磷矽玻璃(BPSG)。
13. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該矽材料包括該第二導電類型的單晶矽基材。
14. 一種太陽能電池，其包括：一包覆薄膜層，其包括含有P型摻質的一第一組區域及包括N型摻質及P型摻質的一第二組區域；複數個P型擴散區，其係直接位於該包覆薄膜層之該第一組區域的下方；複數個N型擴散區，其係直接位於該包覆薄膜層之該第二組區域的下方；以及矽材料，包括：多晶矽；一N型單晶矽基材，係在一單晶矽載體晶圓上生長而成；以及一薄氧化物，係生長在該N型單晶矽基材上；其中在該薄氧化物上生長該多晶矽，在該多晶矽上生長一層P型多晶矽，以及透過使該層P型多晶矽氧化，以將該P型多晶矽轉換為一P型摻雜氧化物。
15. 如申請專利範圍第14項所述之太陽能電池，其中該第一組區域包括硼矽玻璃(BSG)，且該第二組區域包括硼磷矽玻璃(BPSG)。
16. 如申請專利範圍第14項所述之太陽能電池，其中該複數個P型擴散區及該複數個N型擴散區係位於一層多晶矽之中。