TWI547709B - A radiation detector manufacturing method and a radiation detector - Google Patents

Description

放射線檢測器之製造方法及放射線檢測器

本發明之實施形態係關於放射線檢測器之製造方法及放射線檢測器。

放射線檢測器之一例有X射線檢測器。於X射線檢測器中，將X射線藉由閃爍體層轉換為可視光即螢光，並使用非晶矽(a-Si)光電二極體、或CCD(Charge Coupled Device：電荷耦合器件)等光電轉換元件，將該螢光轉換為信號電荷，藉此取得圖像。

又，為了提高螢光之利用效率、改善感度特性，亦有於閃爍體層上進而設置反射層之情形。

此處，為了抑制因水蒸氣等引起之特性之劣化，閃爍體層與反射層必須自外部氣體環境隔離。尤其閃爍體層包含CsI(碘化銫)：Tl(鉈)膜或CsI：Na(鈉)膜等之情形時，有因濕度等引起特性劣化增大之虞。

因此，已有提出如下技術，即，以包含聚對二甲苯之膜覆蓋閃爍體層與反射層，或使用包圍閃爍體層的周圍之包圍構件及設在包圍構件上的覆蓋體而密封閃爍體層。

又，作為可獲得更高的防濕性能之構造，已有提出一種以冠帽形狀之防濕體覆蓋閃爍體層與反射層，並將防濕體之帽緣(凸緣)部接著於基板之構造。

於使用冠帽形狀之防濕體之情形時，若將介於防濕體之帽緣部 與基板之間的接著劑之塗佈量增多，且將用以使帽緣部與基板緊貼之加壓力增大至一定程度以上時，可確保帽緣部與基板之密封性，並可獲得高可靠性。

然而，於增多接著劑之塗佈量，並將加壓力增大至一定以上時，自防濕體之帽緣部溢出於外側之接著劑之量變多，而有於防濕體之附近難以連接可撓性印刷基板等之虞。又，自防濕體之冠帽部溢出於外側之接著劑之量若增多，於切斷為最終的面板尺寸時，有接著劑之溢出部分干擾切斷刀片之虞。

又，近年來，為了X射線檢測器之小型化或輕量化等，期望縮小防濕體帽緣部之尺寸。因此，有進而難以抑制接著劑自防濕體之帽緣部溢出於外側之虞。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]美國專利第6262422號說明書

[專利文獻2]日本特開平05-242847號公報

[專利文獻3]日本特開2009-128023號公報

本發明所欲解決之問題在於提供一種可抑制接著劑自防濕體之帽緣部溢出於外側之放射線檢測器之製造方法及放射線檢測器。

實施形態之放射線檢測器之製造方法包含以下步驟：於具有光電轉換元件之陣列基板上，形成將放射線轉換為螢光之閃爍體層；將接著劑塗佈於設置於覆蓋上述閃爍體層之防濕體且位於上述閃爍體層外側之環狀之帽緣部、或對向於上述帽緣部之上述陣列基板上；使上述帽緣部與上述陣列基板近接；及使上述接著劑硬化。且，於使上述 帽緣部與上述陣列基板近接之步驟中，藉由設置於較上述帽緣部更靠外側之厚度控制部，將上述帽緣部與上述陣列基板之間之距離保持為一定。

1‧‧‧X射線檢測器

2‧‧‧陣列基板

2a‧‧‧基板

2b‧‧‧光電轉換部

2b1‧‧‧光電轉換元件

2b2‧‧‧薄膜電晶體

2c1‧‧‧控制線

2c2‧‧‧資料線

2d1‧‧‧配線墊片

2d2‧‧‧配線墊片

2e1‧‧‧可撓性印刷基板

2e2‧‧‧可撓性印刷基板

2f‧‧‧保護層

3‧‧‧信號處理部

4‧‧‧凸顯傳送部

4a‧‧‧配線

5‧‧‧閃爍體層

6‧‧‧反射層

7‧‧‧防濕體

7a‧‧‧表面部

7b‧‧‧周面部

7c‧‧‧帽緣部

8‧‧‧接著層

8a‧‧‧接著劑

18‧‧‧接著層

100‧‧‧托盤

100a~100c‧‧‧托盤

101‧‧‧基部

101a‧‧‧凹部

101b‧‧‧載置面

102‧‧‧防附著層

103‧‧‧厚度控制部

103a‧‧‧厚度控制部

104‧‧‧板狀體

110‧‧‧托盤

111‧‧‧基部

111a‧‧‧凹部

111b‧‧‧載置面

111c‧‧‧凹部

112‧‧‧基部

112a‧‧‧凹部

112b‧‧‧載置面

112c‧‧‧厚度控制部

113‧‧‧基部

113a‧‧‧凹部

113b‧‧‧載置面

113c‧‧‧凹部

113d‧‧‧厚度控制部

S1‧‧‧控制信號

S2‧‧‧圖像資料信號

T‧‧‧接著層厚度尺寸

W1‧‧‧帽緣部寬度尺寸

W2‧‧‧接著層寬度尺寸

圖1係用以示例第1實施形態之X射線檢測器1之示意立體圖。

圖2係X射線檢測器1之示意剖面圖。

圖3(a)係防濕體之示意前視圖；(b)係防濕體之示意側視圖。

圖4係用以示例本實施形態之接著層8之形成所使用之託盤(治具)100之示意剖面圖。

圖5係用以示例本實施形態之接著層8形成之狀態之示意剖面圖。

圖6係用以示例比較例之接著層18之形成所使用之托盤(治具)110之示意剖面圖。

圖7係用以示例比較例之接著層18形成之狀態之示意剖面圖。

圖8係用以示例使接著劑8a自防濕體7之帽緣部7c溢出於內側之方法之示意圖。

圖9係用以示例使接著劑8a自防濕體7之帽緣部7c溢出於內側之方法之示意圖。

圖10係用以示例另一實施形態之厚度控制部之示意剖面圖。

圖11係用以示例另一實施形態之厚度控制部之示意剖面圖。

圖12係用以示例另一實施形態之厚度控制部之示意剖面圖。

以下，參照圖式，對實施形態進行示例。另，各圖式中，對相同之構成要素標註相同之符號而適當省略詳細之說明。

又，本發明實施形態之放射線檢測器除了X射線以外亦可應用y射線等各種放射線。此處，作為一例，採用以X射線作為放射線中具 代表性者之情形之例進行說明。因此，藉由將以下實施形態之「X射線」置換為「其他放射線」，亦可應用於其他放射線。

首先，對本發明第1實施形態之X射線檢測器1進行示例。

[第1實施形態]

圖1係用以示例第1實施形態之X射線檢測器1之示意立體圖。

另，為了避免繁雜，於圖1中，省略反射層6或防濕體7等而描繪。

圖2係X射線檢測器1之示意剖面圖。

另，為了避免繁雜，於圖2中，省略控制線2c1、資料線2c2、信號處理部3、圖像傳送部4等而描繪。

圖3(a)係防濕體之示意前視圖。

圖3(b)係防濕體之示意側視圖。

放射線檢測器即X射線檢測器1係檢測放射線圖像即X射線圖像之X射線平面感測器。X射線檢測器1可使用於例如一般醫療用途等。

如圖1及圖2所示，於X射線檢測器1中，設置有陣列基板2、信號處理部3、圖像傳送部4、閃爍體層5、反射層6、防濕體7、及接著層8。

陣列基板2係藉由閃爍體層5將自X射線轉換之可視光(螢光)轉換為電性信號。

陣列基板2具有基板2a、光電轉換部2b、控制線(或閘極線)2c1、資料線(或信號線)2c2、及保護層2f。

基板2a係呈板狀，並由玻璃等透光性材料形成。

光電轉換部2b係於基板2a之一表面設置有複數個。

光電轉換部2b係呈矩形狀，並設置於以控制線2c1與資料線2c2劃分之區域。複數個光電轉換部2b係排列成矩陣狀。

另，1個光電轉換部2b對應於1個像素(pixel)。

於複數個光電轉換部2b各者，設置光電轉換元件2b1、開關元件即薄膜電晶體(TFT；Thin Film Transistor)2b2。

又，於光電轉換元件2b1中設置累積轉換後之信號電荷之未圖示之累積電容器。然而，根據光電轉換元件2b1之電容，光電轉換元件2b1亦可兼作未圖示之累積電容器。

光電轉換元件2b1可採用例如光電二極體等。

薄膜電晶體2b2進行藉由螢光入射於光電轉換元件2b1而產生之電荷之累積及釋放之切換，薄膜電晶體2b2可採用包含非晶矽(a-Si)或多晶矽(P-Si)等半導體材料者。薄膜電晶體2b2具有閘極電極、源極電極及汲極電極。薄膜電晶體2b2之閘極電極係電性連接於對應之控制線2c1。薄膜電晶體2b2之源極電極係電性連接於對應之資料線2c2。薄膜電晶體2b2之汲極電極係電性連接於對應之光電轉換元件2b1與未圖示之累積電容器。

控制線2c1係隔開特定之間隔相互平行地設置有複數條。控制線2c1係延伸於第1方向(例如，列方向)。

複數條控制線2c1係分別電性連接於設置於基板2a周邊附近之複數個配線墊片2d1。對複數個配線墊片2d1，分別電性連接設置於可撓性印刷基板2e1之複數個配線之一端。設置於可撓性印刷基板2e1之複數個配線之另一端係分別電性連接於設置於信號處理部3之未圖示之控制電路。

資料線2c2係隔開特定之間隔互相平行地設置有複數條。資料線2c2係延伸於與第1方向正交之第2方向(例如，行方向)。

複數條資料線2c2係分別電性連接於設置於基板2a周邊附近之複數個配線墊片2d2。對複數個配線墊片2d2分別電性連接設置於可撓性印刷基板2e2之複數條配線之一端。設置於可撓性印刷基板2e2之複數條配線之另一端分別電性連接於設置於信號處理部3之未圖示之放大 電路。

保護層2f係以覆蓋光電轉換部2b、控制線2c1、及資料線2c2之方式設置。

信號處理部3設置於與設置基板2a之光電轉換部2b之側相反側。

於信號處理部3設置未圖示之控制電路、及未圖示之放大電路。

未圖示之控制電路控制各薄膜電晶體2b2之動作，即接通狀態及斷開狀態。例如，未圖示之控制電路係經由可撓性印刷基板2e1、配線墊片2d1及控制線2c1，將控制信號S1依序施加於各控制線2c1之每一者。薄膜電晶體2b2藉由施加於控制線2c1之控制信號S1而成為接通狀態，並可接收來自光電轉換部2b之圖像資料信號S2。

未圖示之放大電路係經由資料線2c2、配線墊片2d2及可撓性印刷基板2e2，依序接收來自各光電轉換部2b之圖像資料信號S2。接著，未圖示之放大電路放大接收到之圖像資料信號S2。

圖像傳送部4係經由配線4a，電性連接於信號處理部3之未圖示之放大電路。另，圖像傳送部4亦可設為與信號處理部3一體化。

圖像傳送部4係將藉由信號處理部3依序放大之圖像資料信號S2依序轉換為串聯信號，並進而依序轉換為數位信號。接著，圖像傳送部4係基於依序轉換之數位信號，構成X射線圖像。構成之X射線圖像之資料係自圖像傳送部4向外部之機器輸出。另，串聯信號之轉換或數位信號之轉換，亦可於信號處理部3中進行。

閃爍體層5係設置於光電轉換元件2b1之上，並將入射之X射線轉換為可視光即螢光。閃爍體層5係以覆蓋基板2a上之設置有複數個光電轉換部2b之區域之方式設置。

閃爍體層5可使用例如碘化銫(CsI)：鉈(Tl)、或碘化鈉(NaI)：鉈(Tl)等形成。於該情形時，使用真空蒸鍍法等，可形成柱狀結晶之集合體。

又，閃爍體層5亦可使用例如硫氧化釓(Gd₂O₂S)等形成。於該情形時，例如，可如以下方式形成閃爍體層5。首先，將包含硫氧化釓之粒子與黏合劑材混合。接著，以覆蓋基板2a上之設置有複數個光電轉換部2b之區域之方式塗佈經混合之材料。接著，將塗佈之材料燒成。接著，使用刀片切割法等，於燒成後之材料形成槽部。此時，以於複數個光電轉換部2b之每一個設置四角柱狀之閃爍體層5之方式，可形成矩陣狀之槽部。槽部中可充滿大氣(空氣)、或防氧化用之氮氣等惰性氣體。又，槽部亦可為真空狀態。

另，圖2示例之閃爍體層5係包含碘化銫：鉈之蒸鍍膜之情形。因此，閃爍體層5為柱狀結晶之集合體。於該情形時，閃爍體層5之厚度尺寸可設為600μm左右。柱狀結晶之柱(柱體)之粗細尺寸於最表面可設為8~12μm左右。

反射層6係用於提高螢光之利用效率、改善感度特性而設置。即，反射層6係使閃爍體層5中產生之螢光中、朝向於與設置有光電轉換部2b之側相反側之光反射，並射向光電轉換部2b。

反射層6係以覆蓋閃爍體層5之方式設置。另，反射層6亦可以覆蓋閃爍體層5表面側(X射線之入射面側)之面之方式設置(例如，參照圖5)。

反射層6可藉由將包含銀合金或鋁等光反射率較高之金屬而成之層成膜於閃爍體層5上而形成。又，反射層6亦可藉由將包含例如二氧化鈦(TiO₂)等光散射性粒子之樹脂塗佈於閃爍體層5上而形成。

又，反射層6亦可使用例如表面包含銀合金或鋁等光反射率較高之金屬之板而形成。

另，於圖2示例之反射層6係藉由將包含二氧化鈦之超微物粉體、及將黏合劑與溶劑混合而製成之材料塗佈於閃爍體層5上，並使其乾燥而形成者。

防濕體7係為了抑制因空氣中含有之水蒸氣引起閃爍體層5或反射層6之特性劣化而設置。

如圖2、圖3(a)、及圖3(b)所示，防濕體7係呈冠帽形狀，具有表面部7a、周面部7b、及帽緣(帽緣)部7c。

防濕體7可設為將表面部7a、周面部7b、及帽緣部7c一體化成形者。

防濕體7可包含透濕係數較小之材料。

防濕體7可包含層疊例如鋁、鋁合金、樹脂層與無機材料(鋁等輕金屬、SiO₂、SiON、Al₂O₃等陶瓷系材質)層之低透濕防濕材料等。

又，防濕體7之厚度尺寸可考慮X射線之吸收或剛性等決定。於該情形時，若過度增大防濕體7之厚度尺寸則X射線之吸收過多。若過度縮小防濕體7之厚度尺寸則剛性降低容易破損。

防濕體7例如可將厚度尺寸為0.1mm之鋁箔加壓成形而形成。

表面部7a係與閃爍體層5之表面側(X射線之入射面側)相對。

周面部7b係包圍表面部7a之周緣而設置。周面部7b係自表面部7a之周緣朝基板2a延伸。

於藉由表面部7a及周面部7b形成之空間之內部，設置閃爍體層5與反射層6。另，於未設置反射層6之情形時，於藉由表面部7a及周面部7b形成之空間之內部，設置閃爍體層5。於表面部7a及周面部7b、與反射層6或閃爍體層5之間可有間隙，或表面部7a及周面部7b亦可與反射層6或閃爍體層5接觸。

帽緣部7c包圍周面部7b之與表面部7a側相反側之端部而設置。帽緣部7c係自周面部7b之端部朝外側延伸。帽緣部7c係呈環狀，並以與基板2a之設置光電轉換部2b之側之面平行之方式設置。

帽緣部7c係經由接著層8而連接於基板2a之設置光電轉換部2b之側之面。

即，防濕體7具有位於閃爍體層5外側之環狀之帽緣部7c，並至少覆蓋閃爍體層。

若使用冠帽形狀之防濕體7，可獲得較高的防濕性能。於該情形時，由於防濕體7係由鋁等形成，故可認為水蒸氣之透過極少。然而，接著層8係包含接著劑8a(樹脂)，故必須抑制水蒸氣之透過。

接著層8設置於帽緣部7c、與陣列基板2之設置有光電轉換部2b之側之面之間。接著層8係藉由接著劑8a硬化而形成者。

形成接著層8時所使用之接著劑8a係考慮透濕係數、與防濕體7及基板2a之接著性而選擇。形成接著層8時所使用之接著劑8a可為例如紫外線硬化型環氧樹脂系接著劑、或熱硬化型環氧樹脂系接著劑等。

此處，有於基板2a之接著劑8a所接觸之區域設置有配線等遮光性構件之情形。因此，於使用紫外線硬化型接著劑之情形時，較好為選擇即使有照射不均之情形亦可進行適當硬化者。作為即使有照射不均之情形亦可進行適當硬化之紫外線硬化型接著劑，可示例例如藉由陽離子聚合促進硬化反應之環氧樹脂系紫外線硬化型接著劑(例如，Nagase ChemteX(股)XNR-5516ZHV-B1：比重ρ比重ρ5516Z³)等。

又，為了使接著層8之透濕率(水蒸氣之透過率)降低，較好為挑選透濕係數盡可能小之材料。

例如，如對環氧樹脂系之接著劑添加70重量%以上無機材料之滑石粉(滑石：Mg₃Si₄O₁₀(OH)₂)，可使接著層8之透濕係數大幅降低。

此處，進而對接著層8之透濕率進行說明。

包含防濕體7及接著層8之防濕構造整體之透濕率可利用以下之近似式(1)表示。

QT=Q7+Q8......(1)

Q8=P．S/W =P．L．T/W......(2)

QT：防濕構造整體之透濕率

Q7：防濕體7之透濕率

Q8：接著層8之透濕率

P：接著層8之透濕係數

S：接著層8之透濕剖面面積

W：接著層8之寬度尺寸

L：接著層8之周長

T：接著層8之厚度尺寸

於該情形時，式(1)之第1項Q7係表示占防濕構造大部分之防濕體7之透濕率。作為防濕體7之材料，若使用厚度尺寸為0.1mm之鋁箔材等，則可實質上將Q7抑制為零位準。因此，作為防濕構造整體之透視率係以式(1)之第2項Q8為主。

如式(2)所示，Q8係由接著層8之維數(L、T、W)、與接著層8之材料之透濕係數(P)決定。即，藉由接著層8之維數、與接著層8之材料之透濕係數，決定一定的溫濕度環境中之透濕率。

此處，於要求小型化或輕量化之X射線檢測器1之情形時，較好為接著層8之寬度尺寸W2盡可能小。然而，為兼顧透濕率之降低或可靠性之提高，考慮較好將接著層8之寬度尺寸W2設為2mm以上。

然而，若過度縮小接著層8之厚度尺寸T，有於接著層8之形成時寬度尺寸W2之偏差擴大之虞。此係由於過度縮小接著層8之厚度尺寸T時，會使得帽緣部7c相對於接著層8之厚度尺寸T隆起、或後述之厚度控制部103之厚度尺寸偏差之影響增大之故。

另一方面，若過度增大接著層8之厚度尺寸T，如式(2)所示，接著層8之透濕率變大，有作為防濕構造之功能降低之虞。

因此，接著層8之厚度尺寸T較好設為0.1mm以上0.4mm以下。

此處，於形成接著層8時，若一邊將接著劑8a之塗佈量增多至適 量以上，一邊將用以使帽緣部7c與基板2a緊貼之加壓力增大至一定以上，則可形成寬度尺寸W2較大之接著層8。因此，容易確保防濕性能。

然而，若增多接著劑8a之塗佈量，並將加壓力增大至一定以上，則自帽緣部7c溢出於外側之接著劑8a之量增多，而有於防濕體7附近難以連接可撓性印刷基板2e1、2e2等之虞。又，自帽緣部7c溢出於外側之接著劑8a之量增多時，於切斷為最終的面板尺寸時，有接著劑8a之溢出部分干擾切斷之刀片之虞。

又，近年來，為了X射線檢測器1之小型化或輕量化等，期望縮小帽緣部7c之尺寸。因此，有進而難以抑制接著劑8a自帽緣部7c溢出於外側之虞。

因此，必須將接著層8之厚度尺寸T與寬度尺寸W2收在適當之範圍內，並抑制接著劑8a自帽緣部7c溢出於外側。

於本實施形態之X射線檢測器1中，接著層8之與閃爍體層5側相反側之端部係設在較設置於陣列基板2周邊之配線墊片2d1、2d2更靠閃爍體層5側。

又，如後述般，亦可設為自防濕體7之帽緣部7c溢出於內側之接著層8(參照圖9)。

即，接著層8之閃爍體層5側之端部亦可設在較帽緣部7c之閃爍體層5側之端部更靠閃爍體層5側。

接著，對本發明第2實施形態之X射線檢測器1之製造方法、接著層8之形成方法進行示例。

[第2實施形態]

X射線檢測器1例如可以如下方式製造。

首先，於基板2a上依序形成光電轉換部2b、控制線2c1、資料線2c2、配線墊片2d1、配線墊片2d2、及保護層2f等作成陣列基板2。陣 列基板2例如可使用半導體製程製作。

接著，以覆蓋陣列基板2上之形成有複數個光電轉換部2b之區域之方式形成閃爍體層5。閃爍體層5使用例如真空蒸鍍法等，藉由成膜包含碘化銫：鉈之膜而形成。於該情形時，閃爍體層5之厚度尺寸可設為600μm左右。柱狀結晶之柱之粗細尺寸於最表面可設為8~12μm左右。

接著，以覆蓋閃爍體層5之方式形成反射層6。反射層6係藉由將包含例如二氧化鈦之超微物粉體、黏合劑樹脂與溶劑混合而製成之材料塗佈於閃爍體層5上，並使其乾燥而形成。

接著，於基板2a上接著冠帽形狀之防濕體7，並藉由防濕體7與接著層8而密封閃爍體層5與反射層6。

防濕體7可將例如厚度尺寸為0.1mm之鋁箔加壓成形而形成。又，帽緣部7c之寬度尺寸W1可設為例如2mm。

另，關於接著層8之形成方法之詳細內容如後述。

接著，經由可撓性印刷基板2e1、2e2，電性連接陣列基板2與信號處理部3。

又，經由配線4a，電性連接信號處理部3與圖像傳送部4。

此外，適當安裝電路零件等。

接著，於未圖示之框體之內部，收納陣列基板2、信號處理部3、圖像傳送部4等。

接著，根據需要，進行確認有無光電轉換元件2b1異常或電性連接異常之電性測試、X射線圖像測試、高溫高濕測試、冷熱循環測試等。

如以上般，可製造X射線檢測器1。

接著，進而對接著層8之形成方法進行示例。

圖4係用以示例本實施形態之接著層8之形成所使用之托盤(治 具)100之示意剖面圖。

圖5係用以顯示本實施形態之接著層8之形成狀態之示意剖面圖。

首先，對本實施形態之接著層8形成所使用之托盤100進行說明。

如圖4所示，於托盤100，設置有基部101、防附著層102、及厚度控制部103。

基部101係呈板狀，並於中央部分設置有凹部101a。凹部101a之深度尺寸可設為如下程度：將防濕體7載置於托盤100時，凹部101a之底面與防濕體7之表面部7a之間可形成間隙。又，凹部101a之平面尺寸可設為如下程度：將防濕體7載置於托盤100時，於凹部101a之側壁面與防濕體7之周面部7b之間可形成間隙。

凹部101a之周圍為載置防濕體7之帽緣部7c之載置面101b。

防附著層102係設置於載置面101b。防附著層102可藉由例如對載置面101b施加氟樹脂塗佈，或將包含氟樹脂之膠帶黏貼於載置面101b而形成。若設置防附著層102，則即使附著用於形成接著層8之接著劑8a，亦可容易地加以去除。

控制部103係為了將接著層8之厚度尺寸收在特定範圍內而設置。

厚度控制部103設置於防附著層102之上。另，厚度控制部103亦可設置於載置面101b。厚度控制部103設置於將防濕體載置於托盤100時，成為帽緣部7c外側之位置。即，厚度控制部103設置於載置防濕體7之區域之外側。厚度控制部103可以包圍載置防濕體7之區域之方式連續地設置(例如，可呈環狀)，亦可間斷地設置於載置防濕體7之區域之外側。

對厚度控制部103之材料無特別限定，但較好為考慮設置厚度控 制部103之步驟之耐久性、表面之平滑性、厚度之穩定性等而選定。

此處，厚度控制部103係於加壓接著劑8a時，使接著劑8a之按壓尺寸為一定之值者。因此，厚度控制部103只要厚度尺寸實質上穩定、且為平坦之構件即可。然而，如後述般，由於厚度控制部103與陣列基板2(基板2a)接觸，故較好為至少表面側(接觸面側)非為金屬或陶瓷等無機材料，而由具有可撓性(柔軟性)之材料形成。例如，於厚度控制部103包含無機材料之情形時，有對基板2a造成損傷之虞。又，有因厚度控制部103被壓入於托盤100側，而引起厚度控制部103之實效性厚度尺寸經時變化之虞。

因此，厚度控制部103可設為其至少接觸於陣列基板2之側具有可撓性者。

例如，厚度控制部103可由氟樹脂形成。

厚度控制部103之厚度尺寸可根據所形成之接著層8之厚度尺寸而適當決定。例如，於圖5所示之情形中，將帽緣部7c之厚度尺寸設為0.1mm，接著劑8a之按壓尺寸(所形成之接著層8之厚度尺寸)設為0.15mm時，厚度控制部103之厚度尺寸可設為0.25mm。

又，厚度控制部103只要於加壓接著劑8a時，保持於特定之位置即可。然而，若厚度控制部103之位置偏移，則有無法實現將接著劑8a之按壓尺寸設為一定之值之功能之虞。又，亦有厚度控制部103接觸於接著劑8a或帽緣部7c等，使所形成之接著層8或防濕體7之品質惡化之虞。

因此，厚度控制部103較好設為固定者。

例如，厚度控制部103可設為具有樹脂層、及設置於樹脂層之粘著層，並經由粘著層而設置於托盤100者。厚度控制部103例如可設為藉由黏貼氟樹脂粘著膠帶等形成者。

於該情形時，若將厚度控制部103固定於托盤100側，則只要厚 度控制部103未磨耗破損，即可重複使用。

亦可將厚度控制部103固定於基板2a側，但由於基板2a自身為產品，該情況下必須固定厚度控制部103。又，於形成接著層8後必須去除厚度控制部103。

因此，厚度控制部103較好為固定於托盤100側。

接著，對使用托盤100之接著層8之形成(防濕體7之接著)進行說明。

首先，淨化防濕體7之帽緣部7c之表面(接著面)。

淨化可藉由例如有機溶劑洗淨、紫外線臭氧處理(Ultraviolet-Ozone Surface Treatment)、電漿處理等進行。

接著，將防濕體7載置於托盤100，將接著劑8a塗佈於帽緣部7c之表面。接著劑8a係遍及帽緣部7c之整周塗佈。

此處，若接著劑8a之塗佈量不適當，則有溢出之量增多，或接著層8之寬度尺寸W2縮小之虞。

因此，接著劑8a之塗佈量係考慮所形成之接著層8之體積而決定。

接著劑8a使用例如液體定量噴出裝置(配料器)等，可實現特定之量塗佈。

接著劑8a係考慮透濕係數、與防濕體7及基板2a之接著性而加以選擇。接著劑8a可設為例如紫外線硬化型環氧樹脂系接著劑、或熱硬化型環氧樹脂系接著劑等。接著劑8a亦可塗佈於與帽緣部7c對向之陣列基板2(基板2a)側。

接著，使塗佈於防濕體7之帽緣部7c、或與帽緣部7c對向之陣列基板2(基板2a)上之接著劑8a接觸於陣列基板2(基板2a)。

首先，如圖5所示，使形成有閃爍體層5與反射層6之陣列基板2保持於板狀體104。

接著，使載置有防濕體7之托盤100對向於板狀體104。

接著，使板狀體104與托盤100於近接方向相對移動，使厚度控制部103與陣列基板2(基板2a)接觸。於圖5所示者之情形為，上推托盤100，使厚度控制部103與陣列基板2(基板2a)接觸。另，亦可下壓板狀體104，或亦可上推托盤100並進而下壓板狀體104。又，示例為將托盤100配置於板狀體104之下方之情形，但亦可將板狀體配置於托盤100之下方。

藉由厚度控制部103與陣列基板2接觸，規定接著劑8a之按壓尺寸(所形成之接著層8之厚度尺寸)。

接著，於使厚度控制部103與陣列基板2(基板2a)接觸之狀態，使接著劑8a硬化而形成接著層8。

例如，於接著劑8a為紫外線硬化型接著劑之情形時，可藉由對接著劑8a照射紫外線而使接著劑8a硬化。

於該情形，於接著劑8a為藉由陽離子聚合促進硬化反應之環氧樹脂系紫外線硬化型接著劑之情形時，即使有因設置於基板2a之配線等引起紫外線之照射不均，亦可進行適當之硬化。

又，於接著劑8a為熱硬化型接著劑之情形時，可藉由加熱接著劑8a使接著劑8a硬化。

又，使塗佈於防濕體7之帽緣部7c之接著劑8a接觸於陣列基板2(基板2a)之步驟、與使接著劑8a硬化而形成接著層8之步驟，可於減壓氣體環境之腔室內進行。若於減壓氣體環境下進行該等之步驟，則可將閃爍體層5與反射層6減壓密封於防濕體7之內部。

如以上般，可形成接著層8。

如以上說明般，本實施形態之X射線檢測器之製造方法具備以下步驟：於具有光電轉換元件2b1之陣列基板2上，形成將X射線轉換為螢光之閃爍體層5；將接著劑8a塗佈於設置在覆蓋閃爍體層5之防濕體 7且位於閃爍體層5之外側之環狀帽緣部7c；使帽緣部7c與陣列基板2近接；及使接著劑8a硬化。

接著，於使帽緣部7c與陣列基板2近接之步驟中，藉由設置於較帽緣部7c更外側之厚度控制部103，將帽緣部7c與陣列基板2之間之距離保持一定。

又，於使帽緣部7c與陣列基板2近接之步驟中，將防濕體7載置於托盤100。接著，設置在托盤100之載置防濕體7之區域外側之厚度控制部103與陣列基板2接觸。

接著，對比較例之接著層18之形成進行說明。

圖6係用以示例形成比較例之接著層18所使用之托盤(治具)110之示意剖面圖。

圖7係用以示例比較例之接著層18之形成狀態之示意剖面圖。

如圖6所示，於托盤110，設置有基部101、及防附著層102。

即，於托盤110未設置厚度控制部103。另，托盤110除了未設置厚度控制部103以外，其餘皆與托盤100相同。

比較例之接著層18之形成係使用托盤110進行。

首先，與接著層8形成之情形相同，淨化防濕體7之帽緣部7c之表面(接著面)，並將接著劑8a塗佈於帽緣部7c之表面。

接著，使塗佈於防濕體7之帽緣部7c之接著劑8a接觸於陣列基板2(基板2a)。

於比較例之接著層18之形成中，如圖7所示，使板狀體104與托盤110於近接之方向相對移動，使塗佈於防濕體7之帽緣部7c之接著劑8a接觸於陣列基板2(基板2a)。

於該情形時，由於托盤110上未設置厚度控制部103，故例如藉由控制加壓力，而規定接著劑8a之按壓尺寸(所形成之接著層18之厚度尺寸)。

然而，因接著劑8a之硬度或黏度、接著劑8a之相對於基板2a或帽緣部7c之濡濕性、加壓力之面內分佈等，接著劑8a之壓扁方式與擴展方式會有所變動。要控制該等影響因子而遍及全周擠壓接著劑8a，並控制接著劑8a之按壓尺寸、乃至接著層8之寬度尺寸或溢出量，極其困難。因此，有接著劑8a之按壓尺寸偏差增大，而如圖7所示接著劑8a之溢出量增大或接著層18之寬度尺寸變小之虞。

例如，於接著劑8a之塗佈量增加、加壓力增大之情形時，接著層8之溢出量顯著增大。

又，於接著劑8a之塗佈量減少之情形時，接著層8之寬度尺寸縮小，且寬度尺寸偏差亦增大。因此，有產生接著層8之寬度尺寸極其小之部位、防濕性能變差之虞。

對此，根據使用托盤100之接著層8之形成方法，可抑制接著劑8a之溢出量，且容易形成具有適當尺寸之接著層8。

接著，對本實施形態之接著層8之特性進行說明。

首先，對本實施形態之接著層8之尺寸精度進行說明。

此處，本實施形態之接著層8係使用托盤100形成。

比較例之接著層18係使用托盤110形成。

又，接著劑8a之比重設為約1.4g/cc，塗佈於帽緣部7c之接著劑8a之量設為0.4mg/mm、0.6mg/mm之2個水準。

又，接著時之加壓條件設為帽緣部7c之每單位面積為0.5kgf/cm²、1.0kgf/cm²、1.5kgf/cm²之3個水準。

又，帽緣部7c之寬度尺寸W1設為2mm。

於以下之表1、表2顯示接著層8及接著層18之厚度尺寸T之量測結果。

另，表1係接著劑8a之量為0.4mg/mm之情形。

表2係接著劑8a之量為0.6mg/mm之情形。

於以下表3、表4顯示接著層8及接著層18之寬度尺寸W2之量測結 果。

另，表3係接著劑8a之量為0.4mg/mm之情形。

表4係接著劑8a之量為0.6mg/mm之情形。

另，接著層之寬度尺寸W2係亦包含自帽緣部7c溢出之部分時之尺寸。

自表1~表4可知，於本實施形態之接著層8中，與比較例之接著層18比較，厚度尺寸T及寬度尺寸W2之偏差縮小。意指可獲得防濕性能之高穩定性與高可靠性。

又，帽緣部7c之寬度尺寸W1係2mm。因此，自表3、表4可知，於本實施形態之接著層8中，與比較例之接著層18比較，來自帽緣部7c之溢出量減小。

接著，對本實施形態之關於接著層8之防濕之可靠性進行說明。

於關於防濕之可靠性試驗中，使用將防濕體7接著於虛設面板之上者。虛設面板係於基板2a上僅形成保護層2f者，未形成光電轉換部2b、控制線2c1、資料線2c2。閃爍體層5與反射層6係為了確認特性變化而形成。

使用虛設面板之理由是，由於未形成存在於陣列基板中之像素圖案等遮蔽閃爍光之透過者，故適合自基板之背面側量測亮度或解析度之特性之故。又，關於防濕可靠性或冷熱可靠性，即使使用虛設基板亦可實現與使用陣列基板2時同等的評估之故。

樣本1~樣本6係使用托盤100形成之本實施形態之接著層8之情形。

樣本7~樣本12係使用托盤110形成之比較例之接著層18之情形。

樣本1~12之形成條件等如表5所示。

又，將帽緣部7c之寬度尺寸W1設為2mm。

於高溫高濕試驗中，評估藉由閃爍體層5與反射層6而獲得之解析度特性在高溫高濕環境下(60°-90%RH)隨著保存時間之經過而劣化之情形。

另，根據對於濕度較亮度更敏感之解析度特性進行評估。

解析度特性係以將解析度圖表配於各樣本之表面側，照射與RQA-5相當之X射線，並自背面量測2Lp/mm之CTF(Contrast transfer function：反差轉換函數)之方法求出。

表6係高溫高濕試驗之結果。

另，表6中之數值係將初期裝置之CTF設為100(%)之情形之維持率(%)。

自表6可知，關於對高溫高濕之可靠性，本實施形態之接著層8、與比較例之接著層18幾乎相等，但整體上可認為本實施形態之接著層8較穩定。

此處，若設置自帽緣部7c溢出之部分並加長接著層18之寬度尺寸W2，則容易抑制水蒸氣之透過。

本實施形態之接著層8其寬度尺寸W2與帽緣部7c之寬度尺寸W1幾乎相同，且偏差縮小。又，接著層8之厚度尺寸T之偏差亦縮小。因此，無容易透過水蒸氣之厚度尺寸T變大之部位、或寬度尺寸W2縮小之部位。其結果，可認為即使無自帽緣部7c溢出之部分，亦可確保與接著層18之情形同等之對高溫高濕之可靠性。即，認為是由於遍及接 著層之整個區域充分確保抑制水蒸氣透過之接著層所必須之維數(寬度尺寸與厚度尺寸)之故。

冷熱循環試驗係將溫度條件設為(-20℃×1h)→(室溫×30分鐘)→(60℃×1h)→(室溫×30分鐘)，循環數設為最大100次循環。

接著，於中途之每10次循環，確認於各樣本之接著層有無產生剝落或破損等異常。

表7係冷熱循環試驗之結果。

另，表7中之數值中，「2」表示無異常，「1」表示有異常。

自表7可知，關於對冷熱循環試驗之可靠性，本實施形態之接著層8、與比較例之接著層18幾乎相同，但整體可以說本實施形態之接 著層8較穩定。

本實施形態之接著層8係充分地形成至帽緣部7c之端部附近之區域。因此，帽緣部7c與接著層8之界面之實效面積、基板2a與接著層8之界面之實效面積與接著層18之情形相比毫不遜色。又，如上述般，接著層8之接著品質遍及整個區域均較穩定。結果，認為可確保對冷熱循環之可靠性者。

如以上說明般，根據本實施形態之接著層8，可確保對高溫高濕之可靠性、及對冷熱循環之可靠性。

如上述般，接著劑8a自防濕體7之帽緣部7c溢出於外側時，有難以與可撓性印刷基板2e1、2e2等連接，或難以進行X射線檢測器1之小型化或輕量化等之虞。

然而，於接著劑8a自防濕體7之帽緣部7c溢出於內側之情形時，只要對閃爍體層5之有效像素區域部分不造成影響即可容許。

又，有以下之優點。

例如，若接著劑8a自防濕體7之帽緣部7c溢出於內側，接著層8之實效透過路徑變長。因此，該部分可抑制水蒸氣之透過。

又，若接著劑8a自防濕體7之帽緣部7c溢出於內側，可使防濕體7與接著層8之接著面積、及接著層8與基板2a之接著面積增加。因此，可提高對冷熱循環試驗等之可靠性。

圖8及圖9係用以示例使接著劑8a自防濕體7之帽緣部7c溢出於內側之方法之示意圖。

首先，如圖8所示，將防濕體7載置於托盤100，並於帽緣部7c之表面塗佈接著劑8a。

此時，遍及帽緣部7c之中心位置附近之整周塗佈接著劑8a。

又，於塗佈於帽緣部7c之中心位置附近之接著劑8a之內側，遍及整周塗佈接著劑8a。

即，於帽緣部7c之中心位置附近環狀地塗佈接著劑8a，並於其內側亦分開適當之間隔(例如，自0.5mm至1.0mm左右)，環狀地塗佈接著劑8a。

接著，如圖9所示，使板狀體104與托盤100於近接之方向相對移動，使厚度控制部103與陣列基板2(基板2a)接觸。

藉由厚度控制部103與陣列基板2接觸，規定接著劑8a之按壓尺寸(所形成之接著層8之厚度尺寸)。

此時，環狀地塗佈於較帽緣部7c之中心位置更內側之接著劑8a自防濕體7之帽緣部7c溢出於內側。

於該情形時，若適當選擇環狀地塗佈於較帽緣部7c之中心位置更內側之接著劑8a之量、或環狀地塗佈之接著劑8a彼此之間之間隔，則可抑制接著劑8a自帽緣部7c溢出於外側，並可使接著劑8a自帽緣部7c溢出於內側。

例如，若將帽緣部7c之寬度尺寸W1設為2mm，將帽緣部7c之厚度尺寸設為0.1mm，將厚度控制部103之厚度尺寸設為0.25mm，則接著劑8a之按壓尺寸為0.15mm。

於此種情形時，於帽緣部7c之中心位置附近以0.4mg/mm之塗佈量塗佈接著劑8a，並於其內側空開0.8mm之間隔以0.4mg/mm之塗佈量塗佈接著劑8a。(接著劑之比重係例如ρ著劑之比重係例如ρ³)

如此，則可抑制接著劑8a自帽緣部7c溢出於外側，並可使接著劑8a自帽緣部7c溢出於內側。

接著，對其他實施形態之厚度控制部進行示例。

圖10~圖12係用以示例其他實施形態之厚度控制部之示意剖面圖。

如圖10所示，於托盤100a設置有基部111、防附著層102、及厚度控制部103a。

基部111係呈板狀，並於中央部分設置凹部111a。凹部111a可設為與上述之凹部101a相同。凹部111a之周圍成為載置防濕體7之帽緣部7c之載置面111b。於載置面111b之外側，設置有凹部111c。即，托盤100a係於上述之托盤100進而設置有凹部111c者。

厚度控制部103a係設置於凹部111c。因此，與上述之厚度控制部103相比可延長厚度尺寸。因此，容易以機械加工或成形加工製作厚度控制部103a。

如圖11所示，於托盤100b設置有基部112、防附著層102、及厚度控制部112c。

基部112係呈板狀，並於中央部分設置有凹部112a。凹部112a可設為與上述之凹部101a相同。凹部112a之周圍係載置防濕體7之帽緣部7c之載置面112b。

於基部112之周邊附近，設置自載置面112b突出之厚度控制部112c。即，基部112之一部分成為厚度控制部112c。

因此，可提高厚度控制部112c之厚度尺寸之尺寸精度。

如圖12所示，於托盤100c設置有基部113、防附著層102、及厚度控制部113d。

基部113係呈板狀，並於中央部分設置有凹部113a。凹部113a可設為與上述之凹部101a相同。凹部113a之周圍成為載置防濕體7之帽緣部7c之載置面113b。於載置面113b之外側，設置有凹部113c。

厚度控制部113d係自凹部113c突出。即，基部113之一部分成為厚度控制部113d。即，基部113係與上述之基部111及厚度控制部103a一體形成者。

因此，可容易以機械加工或成形加工製作厚度控制部113d。又，可提高厚度控制部113d之厚度尺寸之尺寸精度。

以上示例本發明之若干實施形態，但該等實施形態係作為例提 示者，並非意圖限定發明之範圍。該等新型實施形態可以其他各種形態實施，於不脫離發明主旨之範圍，可進行各種省略、置換、變更等。該等實施形態或其變化例包含於發明之範圍或主旨，且包含於申請專利範圍所記載之發明及與其均等之範圍。又，上述各實施形態可相互組合實施。

2‧‧‧陣列基板

2a‧‧‧基板

5‧‧‧閃爍體層

6‧‧‧反射層

7‧‧‧防濕體

7a‧‧‧表面部

7b‧‧‧周面部

7c‧‧‧帽緣部

8‧‧‧接著層

8a‧‧‧接著劑

100‧‧‧托盤

101‧‧‧基部

102‧‧‧防附著層

103‧‧‧厚度控制部

104‧‧‧板狀體

Claims (7)

1. 一種放射線檢測器之製造方法，其包含以下步驟：於包含光電轉換元件之陣列基板上，形成將放射線轉換為螢光之閃爍體層；將接著劑塗佈於設置於覆蓋上述閃爍體層之防濕體且位於上述閃爍體層外側之環狀帽緣部、或對向於上述帽緣部之上述陣列基板上；使上述帽緣部與上述陣列基板近接；使上述接著劑硬化；且於使上述帽緣部與上述陣列基板近接之步驟中，藉由設置於較上述帽緣部更靠外側之厚度控制部，將上述帽緣部與上述陣列基板之間之距離保持為一定。
2. 如請求項1之放射線檢測器之製造方法，其中於使上述帽緣部與上述陣列基板接近之步驟中，上述防濕體係載置於托盤，且設置於上述托盤之載置上述防濕體之區域外側之上述厚度控制部與上述陣列基板接觸。
3. 如請求項1或2之放射線檢測器之製造方法，其中上述厚度控制部至少接觸於上述陣列基板之側具有可撓性。
4. 如請求項2之放射線檢測器之製造方法，其中上述厚度控制部包含：樹脂層、及設置於上述樹脂層之黏著層，且上述厚度控制部係經由上述黏著層而設置於上述托盤。
5. 如請求項3之放射線檢測器之製造方法，其中上述厚度控制部包含：樹脂層、及設置於上述樹脂層之黏著層，且上述厚度控制部係經由上述黏著層而設置於上述托盤。
6. 一種放射線檢測器，其包含：陣列基板，其包含光電轉換元件；閃爍體層，其設置於上述光電轉換元件之上，並將放射線轉換為螢光；防濕體，其包含位於上述閃爍體層外側之環狀帽緣部，並覆蓋上述閃爍體層；接著層，其設置於上述帽緣部與上述陣列基板之間；且上述接著層之與上述閃爍體層側相反側之端部係設置在較設置於上述陣列基板周邊之配線墊片更靠上述閃爍體層側；上述接著層之厚度尺寸係0.1mm以上0.4mm以下；上述接著層之寬度尺寸係2mm以上。
7. 如請求項6之放射線檢測器，其中上述接著層之上述閃爍體層側之端部係設置在較上述帽緣部之上述閃爍體層側之端部更靠上述閃爍體層側。