TWI541365B - 銀被覆銅合金粉末及其製造方法 - Google Patents
銀被覆銅合金粉末及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI541365B TWI541365B TW102101618A TW102101618A TWI541365B TW I541365 B TWI541365 B TW I541365B TW 102101618 A TW102101618 A TW 102101618A TW 102101618 A TW102101618 A TW 102101618A TW I541365 B TWI541365 B TW I541365B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- silver
- alloy powder
- copper alloy
- coated
- volume resistivity
- Prior art date
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 380
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 313
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims description 312
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims description 311
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 308
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 111
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 98
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 79
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 79
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 46
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 45
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 35
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 claims description 17
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000002265 electronic spectrum Methods 0.000 claims description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 119
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 58
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 58
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 25
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 22
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 description 18
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 description 17
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 16
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 14
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 12
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L EDTA disodium salt (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].OC(=O)CN(CC([O-])=O)CCN(CC(O)=O)CC([O-])=O ZGTMUACCHSMWAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004683 dihydrates Chemical class 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KOMIMHZRQFFCOR-UHFFFAOYSA-N [Ni].[Cu].[Zn] Chemical compound [Ni].[Cu].[Zn] KOMIMHZRQFFCOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 2
- 238000012764 semi-quantitative analysis Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100102504 Caenorhabditis elegans ver-4 gene Proteins 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- JDVIRCVIXCMTPU-UHFFFAOYSA-N ethanamine;trifluoroborane Chemical compound CCN.FB(F)F JDVIRCVIXCMTPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 1
- 239000008235 industrial water Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 1
- 239000006179 pH buffering agent Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001275 scanning Auger electron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N sodium cyanide Chemical compound [Na+].N#[C-] MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/10—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material
- B22F1/107—Metallic powder containing lubricating or binding agents; Metallic powder containing organic material containing organic material comprising solvents, e.g. for slip casting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
- B22F1/17—Metallic particles coated with metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/0425—Copper-based alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/04—Alloys based on copper with zinc as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/06—Alloys based on copper with nickel or cobalt as the next major constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
- H01B1/026—Alloys based on copper
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
- B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
- B22F9/06—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material
- B22F9/08—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying
- B22F9/082—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying atomising using a fluid
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
- Y10T428/2991—Coated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
本發明係有關於一種銀被覆銅合金粉末及其製造方法,特別有關於一種使用於導電糊等之銀被覆銅合金粉末及其製造方法。
以往,為了藉印刷法形成電子零件之電極或配線,使用於銀粉或銅粉等導電性金屬粉末中摻合溶劑、樹脂、分散劑等製作之導電糊。
但是,銀粉體積電阻率極小,且係良好之導電性物質,不過由於是貴金屬之粉末,故成本高。另一方面,銅粉體積電阻率低,且係良好之導電性物質,不過由於容易氧化,故與銀粉相比保存安定性(穩定性)差。
為了解決該等問題,有人提出以銀被覆銅粉表面之銀被覆銅粉(例如,參照日本特開2010-174311號公報及日本特開2010-077495號公報)或以銀被覆銅合金表面之銀被覆銅合金粉(例如,參照日本特開平08-311304號公報及日本特開平10-152630號公報),作為導電糊使用之金屬粉末。
但是,日本特開2010-174311號公報及日本特開2010-077495號公報之銀被覆銅粉當在銅粉表面上未以銀被覆之部份存在時,氧化由該部份進行,因此保存安定性(穩定性)會不足。又,日本特開平08-311304號公報及日本特開平10-152630號公報有體積電阻率高(導電性低),且保存安定性(穩定性)非常低之問題。
但是,鑑於上述習知問題,本發明之目的在於提供一種體積電阻率低且優異保存安定性(穩定性)優異之銀被覆銅合金粉末及其製造方法。
本發明人等為解決上述課題專心研究,結果發現藉以7至50質量%之含銀層被覆銅合金粉末,且該銅合金粉末具有下述組成:含有1至50質量%之鎳及鋅之至少一種元素,且殘餘部份係由銅及不可避免不純物構成,而可製造體積電阻率低且保存安定性(穩定性)優異之銀被覆銅合金粉末,且完成本發明。
即,本發明之銀被覆銅合金粉末之特徵在於藉7至50質量%之含銀層被覆銅合金粉末,且該銅合金粉末具有下述組成:含有1至50質量%之鎳及鋅之至少一種元素,且殘餘部份係由銅及不可避免不純物構成。
在該銀被覆銅合金粉末中,含銀層宜為由銀或銀化合物構成之層。又,銅合金粉末藉雷射繞射式粒度分布裝置測量之累積50%粒徑(D50徑)宜為0.1至15μm。又,在大
氣中以升溫速度5℃/分使銅合金粉末由室溫(25℃)升溫至300℃時,銅合金粉末重量增加率宜為5%以下。又,在溫度85℃、濕度85%之環境下保持銀被覆銅合金粉末1週後施加20kN之負載時,銀被覆銅合金粉末的體積電阻率宜為初始體積電阻率之500%以下。此外,含銀層係由銀構成之層,且由藉掃描型歐傑(Auger)電子光譜分析裝置定量銀被覆銅合金粉末最表面之原子的結果算出之含銀層占銀被覆銅合金粉末之表面全體之比例宜為70面積%以上。
又,本發明銀被覆銅合金粉末之製造方法之特徵在於以7至50質量%之含銀層被覆銅合金粉末,且該銅合金粉末具有下述組成:含有1至50質量%之鎳及鋅之至少一種元素,且殘餘部份係由銅及不可避免不純物構成。
在該銀被覆銅合金粉末之製造方法中,宜藉噴霧法製造銅合金粉末,且含銀層宜為由銀或銀化合物構成之層。又,銅合金粉末藉雷射繞射式粒度分布裝置測量之累積50%粒徑(D50徑)宜為0.1至15μm。
此外,本發明之導電糊之特徵在於含有溶劑及樹脂,且含有上述銀被覆銅合金粉末作為導電性粉體。又,本發明之導電膜之特徵在於係該導電糊硬化而形成。
依據本發明,可提供一種體積電阻率低且保存安定性(穩定性)優異之銀被覆銅合金粉末及其製造方法。
圖1A是在實施例8得到之銀被覆銅合金粉末之初始狀態之掃描式電子顯微鏡(SEM)照片。
圖1B是將在實施例8得到之銀被覆銅合金粉末保持在溫度85℃、濕度85%之環境下1週後之SEM照片。
圖2A是在比較例4得到之銀被覆銅合金粉末之SEM照片。
圖2B是將在比較例4得到之銀被覆銅合金粉末保持在溫度85℃、濕度85%之環境下1週後之SEM照片。
本發明之銀被覆銅合金粉末之實施形態係銅合金粉末被(相對於銀被覆銅合金粉末)7至50質量%之含銀層被覆,且該銅合金粉末具有下述組成:含有1至50質量%之鎳及鋅之至少一種元素,且殘餘部份係由銅及不可避免不純物構成。
銅合金粉末中之鎳及鋅之至少一種之含量係1至50質量%,且宜為3至45質量%,更佳的是5至40質量%。鎳及鋅之至少一種之含量小於1質量%時,銅合金粉末中之銅氧化顯著,且耐氧化性產生問題,故不理想。另一方面,超過50質量%時,對銅合金粉末之導電性產生不良影響,故不理想。銅合金粉末之形狀可呈球形,亦可呈薄片狀(小片狀)。例如,藉球磨機等使球狀之銅合金粉末機械地塑性變形而扁平化,藉此可製造如此之小片狀之銅合金粉末。銅合金粉末之粒徑係,(藉Helos法)藉雷射繞射式粒度分布裝置測量之累積50%粒徑(D50徑)宜為0.1至15μm,更佳的是0.3至10μm,且最佳的是0.5至5μm。
又,銅合金粉末係以7至50質量%,8至45質量%較佳,且9至40質量%更佳之含銀層被覆。該含銀層宜為由銀或銀化合物構成之層,且含銀層為由銀構成之層時,由藉掃描型歐傑電子光譜分析裝置定量銀被覆銅合金粉末之最表面之原子的結果算出之含銀層占銀被覆銅合金粉末之表面全體之比例宜為70面積%以上,80面積%以上更佳,且90面積%以上最佳。含銀層占銀被覆銅合金粉末之表面全體之比例小於70面積%時,銀被覆銅合金粉末之氧化容易進行,且保存安定性(穩定性)降低。
本發明之銀被覆銅合金粉末之製造方法之實施形態係以(相對於銀被覆銅合金粉末)7至50質量%之含銀層(外殼)被覆銅合金粉末,且該銅合金粉末具有下述組成:含有1至50質量%之鎳及鋅之至少一種元素,且殘餘部份係由銅及不可避免不純物構成。
銅合金粉末宜藉所謂噴霧法製造,該噴霧法係在熔解溫度以上熔解合金成分,且一面由餵槽下部落下一面使高壓氣體或高壓水衝擊而急冷凝固,藉此微粉末化。藉吹出高壓水之所謂噴霧法製造時,可特別得到粒徑小之銅合金粉末,因此可在將銅合金粉末使用於導電糊時謀求因粒子間之接觸點增加造成導電性提高。
在如此製造之銅合金粉末表面上形成含銀層(由銀或銀化合物構成之被覆層)。形成該被覆層之方法可使用藉利用銅與銀之取代反應之還原法或使用還原劑之還原法,在銅合金粉末之表面析出銀或銀化合物之方法,例如,
可使用一面攪拌在溶劑中含有銅合金粉末及銀或銀化合物之溶液一面在銅合金粉末之表面析出銀或銀化合物之方法,或一面混合攪拌在溶劑中含有銅合金粉末及有機物之溶液與在溶劑中含有銀或銀化合物及有機物之溶液一面在銅合金粉末之表面析出銀或銀化合物之方法等。
溶劑可使用水、有機溶劑或混合水與有機溶劑之溶劑。使用混合水與有機溶劑之溶劑時,必須在室溫(20至30℃)下使用成為液體之有機溶劑,但是水與有機溶劑之混合比率可藉使用之有機溶劑適當調整。又,如果沒有不純物混入之虞,則作為溶劑使用之水可使用蒸餾水、離子交換水、工業用水等。
由於必須使銀離子存在溶液中,作為含銀層(由銀或銀化合物構成之被覆層)之原料,故宜使用對水或大部份有機溶劑具有高溶解度之硝酸銀。又,為儘可能均一地進行銀被覆反應,最好不使用固體之硝酸銀,而是使用硝酸銀溶解於溶劑(水、有機溶劑或混合水與有機溶劑之溶劑)中之硝酸銀溶液。又,使用之硝酸銀溶液量、硝酸銀溶液中之硝酸銀濃度及有機溶劑量可依據目的含銀層(由銀或銀化合物構成之被覆層)之量決定。
為更均一地形成含銀層(由銀或銀化合物構成之被覆層),亦可在溶液中添加螯合劑。螯合劑宜使用對銅離子等錯安定度常數高之螯合劑,使因銀離子與金屬銅離子之取代反應而副生成之銅離子等不會再析出。由於構成銀被覆銅合金粉末之核心之銅合金粉末含有銅作為主構成要
素,故注意與銅之錯安定度常數地選擇螯合劑是特佳的。具體而言,螯合劑可使用選自於由乙二胺四乙酸(EDTA)、亞胺二乙酸、二乙烯三胺、三乙烯二胺及其鹽構成之群組之螯合劑。
為安定且安全地進行銀被覆反應,亦可在溶液中添加pH緩衝劑。該pH緩衝劑可使用碳酸銨、碳酸氫銨、氨水、碳酸氫鈉等。
銀被覆反應時,最好在添加銀之前在溶液中加入銅合金粉末並攪拌,且在銅合金粉末在溶液中充分分散之狀態下添加含有銀鹽之溶液。該銀被覆反應時之反應溫度只要不是反應液凝固或蒸發之溫度即可,但是宜設定在20至80℃,25至75℃更佳,且30至70℃最佳之範圍內。又,反應時間隨銀或銀化合物之被覆量或反應溫度而異,但是可設定在1分至5小時之範圍內。
以下,詳細說明本發明銀被覆銅合金粉末及其製造方法之實施例。
一面使加熱銅7.2kg與鎳0.8kg之熔融金屬由餵槽下部落下一面吹出高壓水使其急冷凝固,且過濾得到之合金粉末,水洗、乾燥、壓碎,得到銅合金粉末(銅-鎳合金粉末)。
又,準備EDTA-2Na二水和物61.9g與碳酸銨61.9g溶解於純水720g之溶液(溶液1)及,在EDTA-2Na二水和物263.2g與碳酸銨526.4g溶解於純水2097g之溶液中,加
入硝酸銀87.7g溶解於純水271g中之溶液而得到的溶液(溶液2)。
接著,在氮氣體環境下,將得到之銅-鎳合金粉末130g加入溶液1中,且一面攪拌一面升溫至35℃。在該銅-鎳合金粉末分散之溶液中加入溶液2且攪拌1小時後,過濾、水洗、乾燥,得到以銀被覆之銅-鎳合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
求出如此得到之銀被覆銅合金粉末之組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行銀被覆銅合金粉末之保存安定性(穩定性)的評價。又,求出銀被覆前之銅合金粉末之組成及平均粒徑,且進行銀被覆前之銅合金粉末之高溫安定性的評價。
銀被覆前之銅合金粉末中之銅及鎳之含量係將銀被覆前之銅合金粉末(約2.5g)鋪滿在氯乙烯製環(內徑3.2cm×厚度4mm)內後,藉錠劑型成型壓縮機(前川試驗製作所製之型號BRE-50)施加100kN之負載以製作銀被覆前之銅合金粉末的顆粒,且將該顆粒放入樣本固持器(開口徑3.0cm)且固定在螢光X光分析裝置(Rigaku公司製之RIX2000)內之測量位置,並且令測量環境氣體減壓下(8.0Pa),以50kV、50mA為條件測量x光輸出,且由測量結果利用附屬於裝置之軟體藉自動計算求出。結果,銀被覆前之銅合金粉末中之銅含量係90.1質量%,且鎳含量係9.9質量%。
求出藉雷射繞射式粒度分布裝置測量之累積
50%粒徑(D50徑)作為銀被覆前之銅合金粉末之平均粒徑,結果為1.7μm。
銀被覆前之銅合金粉末之高溫安定性係,藉示差熱熱重量同時測量裝置(SII Nano Technology公司製之EXATERTG/DTA6300型),由使銅合金粉末在大氣中以升溫5℃/分由室溫(25℃)升溫至300℃且測量之重量與加熱前之銅合金粉末重量之差(因加熱增加之重量)之對加熱前之銅合金粉末重量的增加率(%)來看,因加熱增加之重量全部視為因銅合金粉末之氧化而增加之重量,且評價銅合金粉末之大氣中(對於氧化)之高溫安定性。結果,銅合金粉末重量之增加率係2.6%。
該等結果顯示於表1中。
銀被覆銅合金粉末中之銅及鎳含量及銀被覆銅合金粉末之銀被覆量係藉與銀被覆前之銅合金粉末中之銅及鎳含量同樣之方法求得。結果銀被覆銅合金粉末中之銅含量係58.2質量%,鎳含量係6.6質量%,且銀之被覆量係34.9質量%。
求出藉雷射繞射式粒度分布裝置測量之累積50%粒徑(D50徑)作為銀被覆銅合金粉末之平均粒徑,結果為4.5μm。
在將銀被覆銅合金粉末6.5g填入粉體電阻測量系統之測量容器(Mitusbishi Chemical Analytech公司製之MCP-PD51型)內後開始加壓,測量施加20kN之負載時之(壓
粉體之)體積電阻率(初始之體積電阻率),作為銀被覆銅合金粉末之壓粉體電阻。結果,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係6.7×10-5Ω.cm。
銀被覆銅合金粉末之保存安定性(穩定性)係在保持在一定溫度(85℃)、一定濕度(85%)之試驗室內將在板上四處擴散之狀態下保存1週之被覆銅合金粉末6.5g填入粉體電阻測量系統之測量容器(Mitusbishi Chemical Analytech公司製之MCP-PD51型)內後開始加壓,測量施加20kN之負載時之體積電阻率(保存1週後之體積電阻率),且藉體積電阻率之變化率(%)={(保存1週後之體積電阻率)-(初始之體積電阻率)}×100/(初始之體積電阻率)評價。結果,保存1週後之銀被覆銅合金粉末之體積電阻率的變化率係226%,且同樣地評價之保存2週後之銀被覆銅合金粉末之體積電阻率的變化率係304%。
該等結果顯示於表2及表3中。
接著,藉混練脫泡機混合得到之銀被覆銅合金粉末65.1g、小片狀銀粉(DOWA ELECTRONICS MATERIALS公司製之FA-D-6/平均粒徑(D50徑)8.3μm)27.9g、作為熱硬化型樹脂之雙酚F型環氧樹脂(ADEKA股份公司製之ADEKARESIN EP-4901E)8.2g、三氟化硼一乙胺0.41g、及作為溶劑之丁卡必醇醋酸酯2.5g、及油酸0.1g後,通過三支輥5次使其均一地分散,藉此得到導電糊。
藉網版印刷法印刷該導電糊在氧化鋁基板上(成為線寬500μm,線長37.5mm之圖案)後,藉在大氣中在200℃燒成40分鐘使其硬化而形成導電膜,且進行得到之導電膜之體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。
導電膜之體積電阻率係藉二端子型電阻率計(日置電機股份公司製之3540 milliohm HiTESTER)測量得到之導電膜之線電阻,且藉表面粗度形狀測量機(東京精密公司製之SURFCOM 1500DX型)測量膜厚,並且藉體積電阻率(Ω.cm)=線電阻(Ω)×膜厚(cm)×線寬(cm)/線長(cm)算出。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係14.5×10-5Ω.cm。
導電膜之保存安定性(穩定性)係算出在保持在一定溫度(85℃)、一定濕度(85%)之試驗室內之導電膜之體積電阻率(保持1週後之體積電阻率),且藉體積電阻率之變化率(%)={(保存1週後之體積電阻率)-(初始之體積電阻率)}×100/(初始之體積電阻率)評價。結果,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-3%,且同樣地評價之保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-9%。
該等結果顯示於表4中。
使用與實施例1同樣之銅合金粉末(銅-鎳合金粉末),且使用EDTA-2Na二水和物61.9g與碳酸銨61.9g溶解於純水720g之溶液作為溶液1,並且使用EDTA-2Na二水和物307.1g與碳酸銨153.5g溶解於純水1223g之溶液中,加入硝酸銀51.2g溶解於純水222g中之溶液而得到的溶液作為溶液2,除此以外,藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆
之銅-鎳合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係69.6質量%,鎳含量係7.9質量%,且銀之被覆量係22.4質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係2.9μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係6.5×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係147%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係202%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施
例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係12.1×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係0%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-1%。
該等結果顯示於表1至表4中。
使用與實施例1同樣之銅合金粉末(銅-鎳合金粉末),且使用EDTA-2Na二水和物19g與碳酸銨19g溶解於純水222g之溶液作為溶液1,並且使用EDTA-2Na二水和物252g與碳酸銨126g溶解於純水1004g之溶液中,加入硝酸銀42g溶解於純水100g中之溶液而得到的溶液作為溶液2,除此以外,藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鎳
合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係47.5質量%,鎳含量係5.6質量%,且銀之被覆量係46.8質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係4.9μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係4.6×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係19%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係14%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係13.6×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-4%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-4%。
該等結果顯示於表1至表4中。
除了使用銅5.6kg及鎳2.4kg取代銅7.2kg及鎳0.8kg以外,藉與實施例1同樣之方法,得到銅合金粉末(銅-鎳合金粉末)。
就如此得到之銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成及平均粒徑,且進行高溫安定性之評價。結果,銅合金粉末中之銅含量係70.4質量%,且鎳含量係
29.5質量%。又,銅合金粉末之平均粒徑係1.7μm。此外,銅合金粉末重量之增加率係0.3%。
又,使用得到之銅合金粉末(銅-鎳合金粉末),藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鎳合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係45.9質量%,鎳含量係19.7質量%,且銀之被覆量係34.3質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係5.5μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係8.3×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係180%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係412%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係15.5×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-1%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-5%。
該等結果顯示於表1至表4中。
除了使用銅7.6kg及鋅0.4kg取代銅7.2kg及鎳0.8kg以外,藉與實施例1同樣之方法,得到銅合金粉末(銅-
鋅合金粉末)。
就如此得到之銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成及平均粒徑,且進行高溫安定性之評價。又,銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銅合金粉末中之銅含量係95.3質量%,且鋅含量係4.7質量%。又,銅合金粉末之平均粒徑係2.1μm。此外,銅合金粉末重量之增加率係4.2%。
又,使用得到之銅合金粉末(銅-鋅合金粉末),藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鋅合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。又,銀被覆銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銀被覆銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係63.8質量%,鋅含量係2.7質量%,且銀之被覆量係33.3質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係6.6μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係2.4×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係10%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係4%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結
果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係6.2×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-8%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-7%。
該等結果顯示於表1至表4中。
除了使用鋅0.8kg取代鎳0.8kg以外,藉與實施例1同樣之方法,得到銅合金粉末(銅-鋅合金粉末)。
就如此得到之銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成及平均粒徑,且進行高溫安定性之評價。又,銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銅合金粉末中之銅含量係91.9質量%,且鋅含量係7.1質量%。又,銅合金粉末之平均粒徑係2.2μm。此外,銅合金粉末重量之增加率係2.2%。
又,使用得到之銅合金粉末(銅-鋅合金粉末),藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鋅合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。又,銀被覆銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銀被覆銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係66.8質量%,鋅含量係4.9質量
%,且銀之被覆量係27.6質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係4.6μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係3.3×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係131%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係78%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係10.2×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-6%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-2%。
該等結果顯示於表1至表4中。
使用與實施例6同樣之銅合金粉末(銅-鋅合金粉末),且使用EDTA-2Na二水和物61.9g與碳酸銨61.9g溶解於純水720g之溶液作為溶液1,並且使用EDTA-2Na二水和物136.5g與碳酸銨68.2g溶解於純水544g之溶液中,加入硝酸銀22.9g溶解於純水70g中之溶液而得到的溶液作為溶液2,除此以外,藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鋅合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係83.0質量%,鋅含量係5.7質量%,且
銀之被覆量係11.0質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係3.3μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係3.8×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係4%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係24%。
又,為調查得到之銀被覆銅合金粉末之最表面(分析深度數nm)之組成,進行掃描型歐傑(Auger)電子光譜法之評價。該評價係使用掃描型歐傑電子光譜分析裝置(日本電子股份公司製之JAMP-7800型),在加速電壓10kV、電流值1×10-7A、測量範圍100μmΦ之條件下,測量電子之能量分布,且藉附屬於裝置之相對感度係數就Ag、Cu、Zn、Ni各個原子進行半定量分析。由藉該半定量分析得到之各個原子之分析值,算出銀層占銀被覆銅合金粉末之表面全體之比例(銀被覆比例)(面積%)(=Ag分析值/(Ag分析值+Cu分析值+Zn分析值+Ni分析值)×100後,結果是73面積%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係7.9×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係1%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係1%。
該等結果顯示於表1至表4中。
除了使用銅5.6kg及鋅2.4kg取代銅7.2kg及鎳
0.8kg以外,藉與實施例1同樣之方法,得到銅合金粉末(銅-鋅合金粉末)。
就如此得到之銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成及平均粒徑,且進行高溫安定性之評價。又,銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銅合金粉末中之銅含量係72.8質量%,且鋅含量係27.1質量%。又,銅合金粉末之平均粒徑係1.7μm。此外,銅合金粉末重量之增加率係0.1%。
又,使用得到銅合金粉末(銅-鋅合金粉末),藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鋅合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。又,銀被覆銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銀被覆銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係49.3質量%,鋅含量係13.4質量%,且銀之被覆量係36.9質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係5.6μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係3.9×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係6%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係-17%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,
進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係7.1×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係0%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係0%。
該等結果顯示於表1至表4中。又,在本實施例得到之銀被覆銅合金粉末之初始狀態及保存1週後之SEM照片分別顯示在圖1A及圖1B中。
除了使用銅4.0kg及鋅4.0kg取代銅7.2kg及鎳0.8kg以外,藉與實施例1同樣之方法,得到銅合金粉末(銅-鋅合金粉末)。
就如此得到之銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成及平均粒徑,且進行高溫安定性之評價。又,銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銅合金粉末中之銅含量係67.5質量%,且鋅含量係32.2質量%。又,銅合金粉末之平均粒徑係1.8μm。此外,銅合金粉末重量之增加率係0.3%。
又,使用得到銅合金粉末(銅-鋅合金粉末),藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鋅合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體
電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。又,銀被覆銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銀被覆銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係46.8質量%,鋅含量係17.4質量%,且銀之被覆量係35.7質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係4.7μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係3.5×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係37%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係50%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係11.8×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-7%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-6%。
該等結果顯示於表1至表4中。
除了使用銅6.4kg、鎳0.8kg及鋅0.8kg取代銅7.2kg及鎳0.8kg以外,藉與實施例1同樣之方法,得到銅合金粉末(銅-鎳-鋅合金粉末)。
就如此得到之銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成及平均粒徑,且進行高溫安定性之評價。又,銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銅合
金粉末中之銅含量係84.5質量%,鎳含量係10.8質量%,且鋅含量係4.3質量%。又,銅合金粉末之平均粒徑係1.9μm。此外,銅合金粉末重量之增加率係1.7%。
又,使用得到之銅合金粉末(銅-鎳-鋅合金粉末),藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鎳-鋅合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。又,銀被覆銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銀被覆銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係56.0質量%,鎳含量係7.0質量%,鋅含量係2.2質量%,且銀之被覆量係34.7質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係6.1μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係4.0×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係35%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係44%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係8.1×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-3%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係-5%。
該等結果顯示於表1至表4中。
除了使用銅7.6kg及鋅0.4kg取代銅7.2kg及鎳0.8kg以外,藉與實施例1同樣之方法,得到銅合金粉末(銅-鋅合金粉末)。
就如此得到之銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成及平均粒徑,且進行高溫安定性之評價。又,銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銅合金粉末中之銅含量係95.5質量%,且鋅含量係4.5質量%。又,銅合金粉末之平均粒徑係4.7μm。此外,銅合金粉末重量之增加率係2.4%。
又,準備EDTA-2Na二水和物61.9g與碳酸銨61.9g溶解於純水720g之溶液(溶液1)及,在EDTA-2Na二水和物307.1g與碳酸銨153.5g溶解於純水1223.2g之溶液中,加入硝酸銀51.2g溶解於純水158.2g中之溶液而得到的溶液(溶液2)。
接著,在氮環境氣體下,將得到之銅合金粉末(銅-鋅合金粉末)130g加入溶液1中,且一面攪拌一面升溫至35℃。在該銅合金粉末(銅-鋅合金粉末)分散之溶液中加入溶液2且攪拌1小時後,添加使棕櫚酸0.4溶解於工業用醇(Japan Alcohol Trading股份公司製之SOLMIX AP7)12.6g中之溶液作為分散劑,再攪拌40分鐘,然後,過濾、水洗、乾燥、壓碎,得到以銀被覆之銅-鋅合金粉末(銀被覆銅合金
粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。又,銀被覆銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銀被覆銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係79.9質量%,鋅含量係3.5質量%,且銀之被覆量係16.6質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係5.6μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係2.8×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係-27%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係-5%。又,藉與實施例7同樣之方法,算出銀層占銀被覆銅合金粉末之表面全體之比例(銀被覆比例)(面積%),結果是95面積%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係5.1×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係2%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係2%。
該等結果顯示於表1至表4中。
將與實施例11同樣之銅合金粉末(銅-鋅合金粉末)353.7g、直徑1.6mm之不鏽鋼球2144.7g及工業用醇
(Japan Alcohol Trading股份公司製之SOLMIX AP7)136.3g投入濕式介質攪拌型研磨機(槽容積1公升,棒狀臂型攪拌葉片),且以葉片之轉速2.5m/秒攪拌30分,並且過濾且乾燥得到之漿液,得到小片狀銅合金粉末(小片狀銅-鋅合金粉末)。
就如此得到之小片狀銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成及平均粒徑,且進行高溫安定性之評價。又,小片狀銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,小片狀銅合金粉末中之銅含量係95.5質量%,且鋅含量係4.5質量%。又,小片狀銅合金粉末之平均粒徑係6.1μm。此外,小片狀銅合金粉末重量之增加率係2.9%。
又,使用得到之小片狀銅合金粉末(銅-鋅合金粉末),藉與實施例11同樣之方法,得到以銀被覆之小片狀銅-鋅合金粉末(銀被覆小片狀銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆小片狀銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。又,銀被覆小片狀銅合金粉末中之鋅含量係藉與在實施例1中算出銀被覆銅合金粉末中之銅及鎳含量之方法同樣之方法算出。結果,銀被覆小片狀銅合金粉末中之銅含量係77.5質量%,鋅含量係3.3質量%,且銀之被覆量係19.2質量%。又,銀被覆小片狀銅合金粉末之平均粒徑係7.2μm。此外,銀被覆小片狀銅合金粉末之初始體積電阻率係3.0×10-5Ω.cm,保存
1週後之體積電阻率的變化率係-16%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係-10%。又,藉與實施例7同樣之方法,算出銀層占銀被覆銅合金粉末之表面全體之比例(銀被覆比例)(面積%),結果是88面積%。
又,銀被覆小片狀銅合金粉末之長厚比係,混合且糊化銀被覆小片狀銅合金粉末,且塗布在銅板上使其乾燥而製作塗膜,並藉場發射型掃描電子顯微鏡(FE-SEM)(日立製作公司製之S-4700型)以1000倍之倍率觀察該塗膜側面,且就對該觀察畫面垂直地直立之銀被覆小片狀銅合金粉末之粒子100個,使用影像解析式粒徑分布測量軟體(MOUNTECH公司之Mac-View Ver4),且使用測量粒子為最長之長度,並藉算術平均該等長度求得之平均長徑L,及測量相同粒子為最短之長度,並藉算術平均該等長度求得之平均厚度T,求出(平均長徑L/平均厚度T)作為長厚比。結果,銀被覆小片狀銅合金粉末之長厚比係9。
又,使用得到之銀被覆小片狀銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係6.5×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係4%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係4%。
該等結果顯示於表1至表4中。
作成未進行以銀被覆之銅合金粉末,就與實施例1同樣之銅合金粉末(銅-鎳合金粉末),藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻。結果,銅合金粉末中之銅含量係90.1質量%,鎳含量係9.9質量%,且銀之被覆量係0質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係1.7μm。此外,銅合金粉末之初始體積電阻率係3.3×104Ω.cm。
又,使用得到之銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係2146.1×10-5Ω.cm,且保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係974%。
該等結果顯示於表1至表4中。
使用與實施例1同樣之銅合金粉末(銅-鎳合金粉末),且使用EDTA-2Na二水和物21.4g與碳酸銨21.4g溶解於純水249g之溶液作為溶液1,並且使用EDTA-2Na二水和物8.68g與碳酸銨4.34g溶解於純水35g之溶液中,加入硝酸銀1.45g溶解於純水4.5g中之溶液而得到的溶液作為溶液2,除此以外,藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鎳合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。結果,銀被覆銅
合金粉末中之銅含量係87.9質量%,鎳含量係9.9質量%,且銀之被覆量係2.2質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係1.7μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係70.0×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係419526798%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係646498597%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係79.5×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係8%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係15%。
該等結果顯示於表1至表4中。
使用與實施例1同樣之銅合金粉末(銅-鎳合金粉末),且使用EDTA-2Na二水和物21.4g與碳酸銨21.4g溶解於純水249g之溶液作為溶液1,並且使用EDTA-2Na二水和物22.4g與碳酸銨11.2g溶解於純水89g之溶液中,加入硝酸銀3.73g溶解於純水11.5g中之溶液而得到的溶液作為溶液2,除此以外,藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅-鎳合金粉末(銀被覆銅合金粉末)。
就如此得到之銀被覆銅合金粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體
電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。結果,銀被覆銅合金粉末中之銅含量係85.0質量%,鎳含量係9.5質量%,且銀之被覆量係5.5質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係1.8μm。此外,銀被覆銅合金粉末之初始體積電阻率係18.0×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係179844%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係318314%。
又,使用得到之銀被覆銅合金粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係26.0×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係4%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係8%。
該等結果顯示於表1至表4中。
除了使用銅8.0kg取代銅7.2kg及鎳0.8kg以外,藉與實施例1同樣之方法,得到銅粉末。
就如此得到之銅粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出平均粒徑,且進行高溫安定性之評價,結果平均粒徑係2.0μm,且銅粉末重量之增加率係8.8%。
又,使用得到之銅粉末,藉與實施例1同樣之方法,得到以銀被覆之銅粉末(銀被覆銅粉末)。
就如此得到之銀被覆銅粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,
且進行保存安定性(穩定性)的評價。結果,銀被覆銅粉末中之銅含量係72.9質量%,且銀之被覆量係27.0質量%。又,銀被覆銅合金粉末之平均粒徑係4.7μm。此外,銀被覆銅粉末之初始體積電阻率係2.9×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係912%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係1709%。
又,使用得到之銀被覆銅粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係13.6×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係11%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率係43%。
該等結果顯示於表1至表4中。又,在本比較例得到之銀被覆銅粉末之初始狀態及保存一週後之SEM照片分別顯示在圖2A及圖2B中。
就藉噴霧法製作之市售球狀銅粉(NIPPON ATOMIZED METAL POWDERS股份公司製之SF-Cu),藉與實施例1同樣之方法,求出平均粒徑,且進行高溫安定性之評價,結果平均粒徑係5.7μm,且銅粉末重量之增加率係3.3%。
藉將該球狀銅粉120g添加於2質量%之稀鹽酸且攪拌5分鐘並去除銅粉表面之氧化物後,過濾、水洗。將如此去除表面氧化物之球狀銅粉添加於含有408.7g之純水、
32.7g之AgCN及30.7g之NaCN之溶液中且攪拌60分鐘後,過濾、水洗、乾燥,得到以銀被覆之銅粉。
將如此得到之銀被覆銅粉96g及直徑5mm之氧化鋯球720g投入球磨機之容器(容積400mL、直徑7.5cm)內,且以轉數116rpm旋轉330分鐘且使形狀變形,藉此得到以銀被覆之小片狀銅粉末(銀被覆小片狀銅粉末)。
就如此得到之銀被覆小片狀銅粉末,藉與實施例1同樣之方法,求出組成、銀之被覆量、平均粒徑及壓粉體電阻,且進行保存安定性(穩定性)的評價。結果,銀被覆小片狀銅粉末中之銅含量係80.4質量%,且銀之被覆量係19.6質量%。又,銀被覆小片狀銅粉末之平均粒徑係9.1μm。此外,銀被覆小片狀銅粉末之初始體積電阻率係8.4×10-5Ω.cm,保存1週後之體積電阻率的變化率係38400900801%,且保存2週後之體積電阻率的變化率係24173914178%。又,藉與實施例7同樣之方法,算出銀層占銀被覆小片狀銅粉末之表面全體之比例(銀被覆比例)(面積%),結果是31面積%。又,藉與實施例12同樣之方法,求出銀被覆小片狀銅粉末之長厚比,結果銀被覆小片狀銅粉末之長厚比是7。
又,使用得到之銀被覆小片狀銅粉末,就藉與實施例1同樣之方法得到之導電膜,藉與實施例1同樣之方法,進行體積電阻率之算出與保存安定性(穩定性)之評價。結果,導電膜之體積電阻率(初始之體積電阻率)係144.1×10-5Ω.cm,保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率係1%,且保存2週後之導電膜之體積電阻率的變化率
係-4%。
該等結果顯示於表1至表4中。
如由表1至表4可知,在實施例1至12及比較例1至3及5使用之銅合金粉末係在大氣中加熱至300℃時之重量增加率低至5%以下,且大氣中之(對於氧化之)高溫安定性良好,但是在比較例4使用之銅粉末係在大氣中加熱至300℃時之重量增加率高至8.8%,且大氣中之(對於氧化之)高溫安定性不佳。
又,在實施例1至12得到之銀被覆銅合金粉末係壓粉體初始之體積電阻率低至9×10-5Ω.cm以下,且保存1週後之體積電阻率之變化率低至500%以下,但是在比較例2至3得到之銀被覆銅合金粉末係壓粉體初始之體積電阻率非常高,且保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率亦極高。又,在比較例4及5得到之銀被覆銅合金粉末雖然壓粉體初始之體積電阻率低,但是保存1週後之導電膜之體積電阻率的變化率高。
此外,由使用在實施例1至12得到之銀被覆銅合金粉末之導電糊得到之導電膜係初始之體積電阻率低至16×10-5Ω.cm以下,且保存1週後之體積電阻率之變化率低-8%至4%以下,但是由使用在比較例1至3及5得到之銀被覆銅合金粉末之導電糊得到之導電膜係初始之體積電阻率高,且保存1週後之體積電阻率的變化率亦高。
又,如由圖1A至圖1B可知,在實施例8得到之銀被覆銅合金粉末即使保存1週後,亦保持表面之平滑性,但
是在比較例4得到之銀被覆銅粉末在保存1週後,喪失表面之平滑性,且在實施例8得到之銀被覆銅合金粉末在保存安定性方面較優。
由該等結果可知,在實施例1至12得到之銀被覆銅合金粉末係體積電阻率低且保存安定性(穩定性)優異之銀被覆銅合金粉末。
又,藉由照片觀察作為參考例之以10質量%之銀被覆70質量%之銅與30質量%之錫之合金粉末的銀被覆銅合金粉末及以30質量%之銀被覆90質量%之銅與10質量%之鋁之合金粉末的銀被覆銅合金粉末,結果了解該等銀被覆銅合金粉末即使在初始狀態,表面亦不平滑,且表面上有斑圖案。由組成分析確認該等合金粉末中存在銀,因此可知該等合金粉末係被覆粒子表面之銀存在斑中。
Claims (10)
- 一種銀被覆銅合金粉末,其特徵在於:銅合金粉末的表面係被7至50質量%之由銀或銀化合物所構成之層所被覆,且該銅合金粉末具有下述組成:含有1至50質量%之鎳及鋅之至少一種元素,且殘餘部份係由銅及不可避免不純物構成。
- 如申請專利範圍第1項之銀被覆銅合金粉末,其中前述銅合金粉末藉雷射繞射式粒度分布裝置測量之累積50%粒徑(D50徑)係0.1至15μm。
- 如申請專利範圍第1項之銀被覆銅合金粉末,其在大氣中以升溫速度5℃/分使前述銅合金粉末由室溫(25℃)升溫至300℃時,前述銅合金粉末之重量增加率係5%以下。
- 如申請專利範圍第1項之銀被覆銅合金粉末,其在溫度85℃、濕度85%之環境下保持前述銀被覆銅合金粉末1週後施加20kN之負載時,前述銀被覆銅合金粉末的體積電阻率係初始體積電阻率之500%以下。
- 如申請專利範圍第1項之銀被覆銅合金粉末,其中前述由銀或銀化合物所構成之層係由銀構成之層,且由藉掃描型歐傑電子光譜分析裝置定量前述銀被覆銅合金粉末最表面之原子的結果算出之由銀構成之層占前述銀被覆銅合金粉末之表面全體之比例係70面積%以上。
- 一種銀被覆銅合金粉末之製造方法,其特徵在於:其係 將銅合金粉末的表面以7至50質量%之由銀或銀化合物所構成之層來被覆,且該銅合金粉末具有下述組成:含有1至50質量%之鎳及鋅之至少一種元素,且殘餘部份係由銅及不可避免不純物構成。
- 如申請專利範圍第6項之銀被覆銅合金粉末之製造方法,其係藉噴霧法製造前述銅合金粉末後,將前述銅合金粉末的表面以前述由銀或銀化合物所構成之層來被覆。
- 如申請專利範圍第6項之銀被覆銅合金粉末之製造方法,其中前述銅合金粉末藉雷射繞射式粒度分布裝置測量之累積50%粒徑(D50徑)係0.1至15μm。
- 一種導電糊,其特徵在於含有溶劑及樹脂,且含有申請專利範圍第1至5項中任一項之銀被覆銅合金粉末作為導電性粉體。
- 一種導電膜,其特徵在於係申請專利範圍第9項之導電糊硬化而形成。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012006886 | 2012-01-17 | ||
JP2012120360 | 2012-05-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201333226A TW201333226A (zh) | 2013-08-16 |
TWI541365B true TWI541365B (zh) | 2016-07-11 |
Family
ID=48799337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102101618A TWI541365B (zh) | 2012-01-17 | 2013-01-16 | 銀被覆銅合金粉末及其製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10062473B2 (zh) |
EP (1) | EP2796228B1 (zh) |
JP (4) | JP2014005531A (zh) |
KR (1) | KR102011166B1 (zh) |
CN (1) | CN104066535B (zh) |
SG (1) | SG11201404017YA (zh) |
TW (1) | TWI541365B (zh) |
WO (1) | WO2013108916A1 (zh) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015122345A1 (ja) * | 2014-02-12 | 2017-03-30 | 東レ株式会社 | 導電ペースト、パターンの製造方法、導電パターンの製造方法及びセンサー |
JP6567921B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2019-08-28 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆銅粉およびその製造方法 |
US20170253750A1 (en) * | 2014-09-12 | 2017-09-07 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Silver-coated copper powder, and conductive paste, conductive coating material and conductive sheet, each of which uses said silver-coated copper powder |
US20160143145A1 (en) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electrical device |
JP6679312B2 (ja) * | 2015-01-13 | 2020-04-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆銅粉およびその製造方法 |
KR101775864B1 (ko) | 2015-02-27 | 2017-09-06 | 다츠다 덴센 가부시키가이샤 | 도전성 페이스트 및 이를 사용한 다층기판 |
CN106257978B (zh) * | 2015-04-22 | 2019-09-24 | 日立金属株式会社 | 金属颗粒以及它的制造方法、包覆金属颗粒、金属粉体 |
JP5907302B1 (ja) | 2015-05-15 | 2016-04-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅粉及びそれを用いた銅ペースト、導電性塗料、導電性シート、並びに銅粉の製造方法 |
JP5907301B1 (ja) | 2015-05-15 | 2016-04-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 銀コート銅粉及びそれを用いた銅ペースト、導電性塗料、導電性シート、並びに銀コート銅粉の製造方法 |
JP6856350B2 (ja) * | 2015-10-30 | 2021-04-07 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀粉およびその製造方法 |
JP6811080B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2021-01-13 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆銅粉およびその製造方法 |
CN105921737B (zh) * | 2016-04-28 | 2018-01-19 | 中南大学 | 一种铜银复合粉的制备方法和导电胶 |
CN109689250B (zh) * | 2016-08-31 | 2022-07-08 | 同和电子科技有限公司 | 银被覆合金粉末、导电性糊剂、电子部件及电气装置 |
DE102017118386A1 (de) | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Grohe Ag | Kupferlegierung, Verwendung einer Kupferlegierung, Sanitärarmatur und Verfahren zur Herstellung einer Sanitärarmatur |
CN111804931B (zh) * | 2019-04-11 | 2024-07-30 | 香港大学 | 原位分解辅助的粉末冶金方法制备抗菌不锈钢 |
US11739232B2 (en) | 2019-06-12 | 2023-08-29 | Kyoto Elex Co., Ltd. | Conductive paste composition |
SG11202112809QA (en) * | 2019-06-27 | 2021-12-30 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | Silver powder and method for producing same |
KR102202459B1 (ko) * | 2019-11-14 | 2021-01-13 | 삼성전기주식회사 | 전극형성용 도전성 금속 분말, 그 제조방법 및 이를 포함하는 전자부품 외부전극용 도전성 페이스트 |
CN114783770B (zh) * | 2022-06-20 | 2022-12-13 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种多层陶瓷电容器外部电极浆料及其制备方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01119602A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-05-11 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銀被覆銅粉の製造法 |
JPH0378906A (ja) | 1989-08-23 | 1991-04-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 導電性ペースト |
US5951918A (en) * | 1995-02-08 | 1999-09-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Composite electroconductive powder, electroconductive paste, process for producing electroconductive paste, electric circuit and process for producing electric circuit |
JPH08311304A (ja) * | 1995-05-16 | 1996-11-26 | Mitsui Kinzoku Toryo Kagaku Kk | 銅導電性組成物 |
JPH10152630A (ja) | 1996-08-21 | 1998-06-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電ペースト及び複合導電粉 |
JP2000169970A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-20 | Yoshinobu Abe | 不活性雰囲気めっき方法 |
JP2001236827A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電ペースト |
JP2002226973A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 銀めっき銅粉の製造方法 |
JP2002332501A (ja) * | 2001-05-11 | 2002-11-22 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銀コート銅粉の製造方法、その製造方法で得られた銀コート銅粉、その銀コート銅粉を用いた導電性ペースト、及びその導電性ペーストを用いたプリント配線板 |
JP2003068139A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 導電ペースト |
JP4223754B2 (ja) * | 2002-07-19 | 2009-02-12 | 三井金属鉱業株式会社 | 銀コート銅粉及びその製造方法 |
CN1176873C (zh) * | 2003-03-20 | 2004-11-24 | 浙江大学 | 连续式粉体化学镀方法及其装置 |
US7504199B2 (en) * | 2003-12-16 | 2009-03-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming metal pattern having low resistivity |
JP4660701B2 (ja) * | 2004-12-03 | 2011-03-30 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆銅粉およびその製造方法並びに導電ペースト |
JP4613362B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-01-19 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 導電ペースト用金属粉および導電ペースト |
JP5166704B2 (ja) * | 2006-05-12 | 2013-03-21 | 東炭化工株式会社 | 金属カーボン複合通電摺動材料 |
JP2010077501A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Kyocera Corp | ニッケル−銅合金粉末およびその製法、導体ペースト、ならびに電子部品 |
JP5176824B2 (ja) | 2008-09-26 | 2013-04-03 | 住友金属鉱山株式会社 | 銀被覆銅微粒子とその分散液及びその製造方法 |
JP5394084B2 (ja) | 2009-01-28 | 2014-01-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 銀メッキ銅微粉及び銀メッキ銅微粉を用いて製造した導電ペースト並びに銀メッキ銅微粉の製造方法 |
JP5402350B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2014-01-29 | 藤倉化成株式会社 | 導電性ペーストの製造方法および導電性ペースト |
JP5583572B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-09-03 | 株式会社日本触媒 | 導電性微粒子 |
JP5576319B2 (ja) * | 2011-03-01 | 2014-08-20 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅粒子 |
JP6194166B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2017-09-06 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆銅合金粉末の製造方法 |
TWI722136B (zh) * | 2016-03-29 | 2021-03-21 | 拓自達電線股份有限公司 | 導電性塗料及使用其之屏蔽封裝體之製造方法 |
-
2013
- 2013-01-15 CN CN201380005692.2A patent/CN104066535B/zh active Active
- 2013-01-15 KR KR1020147022463A patent/KR102011166B1/ko active IP Right Grant
- 2013-01-15 JP JP2013004185A patent/JP2014005531A/ja active Pending
- 2013-01-15 SG SG11201404017YA patent/SG11201404017YA/en unknown
- 2013-01-15 US US14/372,789 patent/US10062473B2/en active Active
- 2013-01-15 WO PCT/JP2013/051019 patent/WO2013108916A1/ja active Application Filing
- 2013-01-15 EP EP13737989.7A patent/EP2796228B1/en active Active
- 2013-01-16 TW TW102101618A patent/TWI541365B/zh active
-
2015
- 2015-09-03 JP JP2015173427A patent/JP5934829B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-14 JP JP2016049206A patent/JP6154507B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-06 JP JP2017075690A patent/JP2017150086A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017150086A (ja) | 2017-08-31 |
EP2796228B1 (en) | 2020-10-28 |
EP2796228A4 (en) | 2015-10-14 |
WO2013108916A1 (ja) | 2013-07-25 |
JP2014005531A (ja) | 2014-01-16 |
US10062473B2 (en) | 2018-08-28 |
JP2016145422A (ja) | 2016-08-12 |
JP6154507B2 (ja) | 2017-06-28 |
TW201333226A (zh) | 2013-08-16 |
CN104066535A (zh) | 2014-09-24 |
JP2016020544A (ja) | 2016-02-04 |
EP2796228A1 (en) | 2014-10-29 |
KR102011166B1 (ko) | 2019-08-14 |
US20140346413A1 (en) | 2014-11-27 |
KR20140123526A (ko) | 2014-10-22 |
CN104066535B (zh) | 2016-11-09 |
JP5934829B2 (ja) | 2016-06-15 |
SG11201404017YA (en) | 2014-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI541365B (zh) | 銀被覆銅合金粉末及其製造方法 | |
JP7042945B2 (ja) | 銀被覆金属粉末およびその製造方法 | |
KR101236253B1 (ko) | 구리 분말의 제조방법 및 구리 분말 | |
JP6186197B2 (ja) | 銀被覆銅合金粉末およびその製造方法 | |
JP6224933B2 (ja) | 銀被覆銅合金粉末およびその製造方法 | |
US7909908B2 (en) | Method of improving the weatherability of copper powder | |
JP6194166B2 (ja) | 銀被覆銅合金粉末の製造方法 | |
JP6258616B2 (ja) | 銀被覆銅合金粉末およびその製造方法 | |
CA3121896A1 (en) | Coated particle, dispersion and molded body containing the same, and sintered body formed by using the same | |
JP6577316B2 (ja) | 導電性ペースト用銅粉およびその製造方法 | |
JP7335768B2 (ja) | 銀被覆金属粉末およびその製造方法並びに導電性塗料 | |
JP2017201062A (ja) | 銀被覆銅合金粉末の製造方法 | |
JP7578739B2 (ja) | ガリウム含有銀粉及びガリウム含有銀粉の製造方法、並びに導電性ペースト | |
TW202402424A (zh) | 含磷之銀被覆銅粒子之製造方法、及含磷之銀被覆銅粒子 | |
JP2017210686A (ja) | 銀被覆銅合金粉末およびその製造方法 |