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TWI527848B - 非隨機異方性導電膠膜及其製程 - Google Patents

非隨機異方性導電膠膜及其製程 Download PDF

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TWI527848B
TWI527848B TW095146567A TW95146567A TWI527848B TW I527848 B TWI527848 B TW I527848B TW 095146567 A TW095146567 A TW 095146567A TW 95146567 A TW95146567 A TW 95146567A TW I527848 B TWI527848 B TW I527848B
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梁榮昌
劉宣德
許倩斐
何世瑋
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兆科學公司
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Description

非隨機異方性導電膠膜及其製程
本發明關於一異向性傳導膠膜(Anisotropic cpnductive film,ACF)的結構與製造方法。更特別地,本發明關於一種能夠在一顯著較低生產成本下提供具有較佳解析度與電連接關係可靠度之新結構的ACF與其製造方法。
最近用來互連電極陣列之異向性傳導膠膜(ACF)或是Z-軸傳導膠膜(ZAF)的製造技術仍然面臨許多主要技術上的困難與限制,例如應用在液晶顯示互連裝置、玻璃覆晶封裝、晶粒軟膜接合、晶粒覆晶接合以及軟性電路應用。對於本領域普通技藝人士來說,仍然沒有任何克服這些困難與限制的解決之道。具有散佈在黏著膠膜上之傳導粒子的ACF或是ZAF,透過該ACF層的厚度可使Z-軸方向電互連。但在水平方向上,這些傳導粒子係以該薄膜在X-Y方向上能夠電絕緣的方式排列。美國專利號4,740,657、6,042,894、6,352,775與6,632,532以及應用聚合物科學期刊第56卷769頁(1995)中已經教導包含電傳導粒子的ACF,該傳導粒子為一金屬包覆的塑膠粒子且該等粒子緊密地分散,例如金/鎳電鍍的交聯聚合珠。圖1A顯示一典型ACF,該ACF包含兩離型膜、一黏著劑以及分佈在其中的傳導粒子。圖1B顯示一ACF的示範性應用,用以提供在一上下軟性印刷電路或是晶粒軟膜接合組之間的垂直電連接。圖1C與1D顯示在連接電極與IC晶片的一些典型ACF應用的示意圖。為了確認設置在ACF上下電極之間的良好電接點,使用剛性金屬釘結構所形成的傳導粒子,該剛性金屬釘結構係從該粒子表面延伸。這些剛性金屬釘結構藉由貫穿腐蝕膜改善了在易受到腐蝕之電極間的電連接可靠性,該腐蝕膜可能長時間在電極表面生長。
傳統科技所面臨的第一個困難是與一般實施該緊密散佈傳導粒子的製備與純化方法之低時效性以及高成本有關,該緊密散佈的傳導粒子一般作為異向性傳導媒介。第二個困難是與製備高解析度或是細腳距應用的ACF有關。當電極間的腳距尺寸下降,在Z軸方向上ACF所可以獲得傳導連接之全部區域也會下降。提升ACF中傳導粒子的濃度可以增加Z方向上連接電極的整體連接區域。然而,粒子濃度的上升也因為不預期之粒子與粒子間的作用或聚積情形增加的可能性而造成x-y方向上傳導的提升。在一乾塗佈膠膜上粒子積聚的程度,一般來說,會隨著粒子濃度的上升而極遽增加,特別是當該粒子的體積濃度已超過15-20%。一種改良式的ACF已揭露在美國專利6,671,024,其中一預定數目的傳導粒子會均勻地利用如氣流、靜電、自由下墜、噴霧或印刷等方式噴灑在一黏著層上。然而,可能使用在該方法的該傳導粒子濃度仍為粒子與粒子間的接點或聚積的統計機率所限制。
企圖降低在X-Y平面之傳導性的技術已經在先前技術中揭露,例如美國專利5,087,494(1992),揭露一種製備傳導黏著膠帶的方法,該方法先製作一較低黏著度的表面上凹孔之一預定圖案,其後再以複數電傳導粒子選擇性地與一黏結劑填充至各個凹孔中。一黏著層可作為該經填充的凹孔上之一覆蓋層。
在美國專利5,275,856(1994)中,揭露具有一孔洞陣列的相似固定式ACF陣列。各個孔洞含有與一黏著層接觸的複數電傳導粒子,該黏著層實質上不具有電傳導材料。在上述兩種情況之任一種,該凹孔或是孔洞填充有,例如,包含金或鎳之分散的傳導粒子的一傳導膠或是墨水,並且,每一凹孔或是孔洞含有複數傳導粒子。經填充後的凹孔或是孔洞相對地較為堅固且在鍵結過程中不易變形。並且,因為膠糊或是墨水中有溶劑或稀釋劑的存在,填充過程通常會造成凹孔或孔洞填充不足的情形。在鍵結區域和一不利環境的高電阻以及電連接的物理機械穩定性通常是此類型ACF的問題。
在美國專利5,366,140和5,486,427中,揭露另一種固定式ACF陣列的形式。在一載體基板上之具較低熔點的金屬薄膜係透過該金屬層切割為一預定方格圖案,以及加熱至高於該金屬層熔點的溫度。該金屬因為其高表面張力而串珠化以及在該基板上形成一金屬粒子陣列。這個過程需要該金屬的表面張力與在該金屬與基板的介面間的黏度之理想平衡。該金屬串珠化方法非常容易受到表面與介面之間污染與不純物的影響。由此方法形成的金屬串珠也相對地受到限制。該金屬串珠的形狀主要為半圓形。在串珠表面形成一釘結構是相當困難地。並且,該金屬串珠在鍵結的過程中不易變形,因而導致在該具有不利環境的鍵結區域的高電阻以及該電連接的物理機械穩定性。
在美國專利號4,606,962中,揭露一種形成有次序的傳導粒子陣列之方法。該方法包含以下步驟:使一黏著塗層的區域實質上不具平頭釘結構(tack-free),接著,將該電傳導粒子只應用在該黏著層的有釘區域上。在美國專利5,300,340(1994)中,藉由在一載體介面上印刷一傳導粒子陣列,例如一負像Toray無水印刷版,來製備一ACF。在美國專利5,163,837中,藉由將一黏著層沉積在一絕緣網眼片上的網眼,接著,再使用具有特定尺寸的各個分離電子接點以安裝與填充至該網眼中而製備一有次序的連接器陣列。在一基板上直接或非直接印刷該傳導粒子的方法中,該印刷點的尺寸傾向於相對地較大,並且,尺寸不一的粒子、遺漏的粒子或是聚積的粒子都是連接可靠度的問題。因此,該ACF不適合細腳距之應用。
美國專利5,522,962(1996)教導一種藉由以下步驟形成ACF的方法:(1)在凹處塗佈電傳導磁粒子,例如一載體介面的溝槽;(2)提供一黏結劑;(3)施用一磁場,該磁場強度足以使得鐵磁粒子排列呈連續磁柱,該磁柱係從該載體介面的一凹處延伸。該方法利用將該粒子排列為分離柱狀而達到傳導材料的較佳分離效果。然而,金屬柱的機械完整性、傳導性以及壓縮性仍然是連接可靠度的潛在問題。
K.Ishibashi與J.Kimbura於1996年在AMP科學期刊第五卷,第24頁中揭露一種固定式ACF陣列。製造ACF為一昂貴且冗長的過程,該過程包含在將一金屬基板上的阻抗劑進行光蝕刻曝光、光阻劑曝光、電鑄、去光阻以及最後過度覆蓋一黏著層。利用批式過程生產的ACF可以是細腳距。然而,該高成本的ACF在實際應用上是不適合的,部分原因為壓縮性或是與電極形成構型接點的能力以及該經電鑄的金屬(鎳)柱的抗腐蝕性仍無法令人滿意,並且造成與該裝置連接的弱電子接點。包含填充有金屬物質的一固定式貫孔陣列之相似樹脂片,例如銅與上表面電鍍有鎳/金表面的金屬物質,已在美國專利5,136,359以及5,438,223中被教導,並且,Yamaguchi和Asai在Nitto Giho第40卷,第17頁(2002)中揭露其為一測試工具。無法和電極形成構型接點仍然是一個問題,也會造成在鍵結區域的高電阻以及電連接的長期不穩定性。並且,在該經電鑄的金屬柱上方形成一釘結構是非常困難的。
在美國專利號6,423,172、6,402,876、6180226、5,916,641以及5,769,996中,一非隨機陣列係利用塗佈一固化鐵磁流體組成物所製備,該固化鐵磁流體組成物在一磁場下包含傳導粒子與鐵磁粒子的混合物。該鐵磁粒子的尺寸相對較小,並且隨即被流洗以顯示彼此良好分離之一傳導粒子陣列。利用鐵磁粒子以及後續將其移除的處理過程花費昂貴,並且該ACF的腳距尺寸也受到該鐵磁粒子與傳導粒子的負載所限制。帶有釘結構的傳導粒子可能在先前技藝中使用以改善具有一較薄腐蝕性或是氧化層的電極連接關係,但是由上述方法所製備的該粒子上之釘結構的方向卻是隨機定位的。因此,穿透氧化表面之釘結構的有效性相對的較低。
根據美國專利6,423,172、6,402,876、6,180,226、5,916,641以及5,769,996的製備方法,圖1E顯示傳導粒子的一非隨機陣列的剖面示意圖,該傳導粒子具有較高或較低之釘結構方向隨機分佈。釘結構的存在改善了對於電極之連接關係的可靠性與有效性,特別是對於易於受到腐蝕或氧化的電極。然而,在穿透該電極的氧化層時,只有朝向電極表面的釘結構才有效。
因此,先前技藝中存在一種提供改良式組態與程序以製造該ACF的需求,特別是那些具有較佳的腳距解析度以及連接可靠度的電極,尤其是那些易於遭受氧化或是腐蝕的電極。
為了促進對本發明有一更詳細的了解,以下我們將介紹數種創新的製程技術來製造具有非隨機陣列或是傳導粒子陣列的ACF。
本發明之第一目的是關於一種製造非隨機陣列之ACF的改良方法,該方法包含下步驟:將緊密散佈的傳導粒子流體化集聚成一微腔體陣列,該微腔體具有一預定圖案與明確的形狀和尺寸,可以讓一個粒子被捕捉至各個腔體中。
本發明之第二目的是關於一種製造非隨機陣列之ACF的改良式方法,該方法包含以下步驟:在一黏著度較低或表面能量較低的基板上形成具有一預定尺寸與形狀的一微腔體陣列;將具有較窄尺寸分布的傳導粒子流體填充至微腔體中,該較窄尺寸分布可以讓每個微腔體只含有一個粒子;以一黏著層過度覆蓋該經填充的微腔體;以及將該粒子/黏著層層合或是轉印於一第二基板上。
本發明第三目的是關於製造非隨機陣列之ACF的一種改良式方法,該方法包含以下步驟:在一黏著度較低或表面能量較低的基板上形成一具有預定尺寸與形狀的微腔體陣列;將具有較窄尺寸分布的傳導粒子流體填充至微腔體中,該較窄尺寸分布可以讓每個微腔體只含有一個粒子;以及,接著將該傳導粒子轉印至一黏著層上。
本發明之第四目的是關於包含有一聚合物核心以及一金屬外殼的傳導粒子之使用。
本發明之第五目的是關於包含有一聚合物核心、一金屬外殼以及一金屬釘結構的傳導粒子之使用。
本發明之第六目的是關於包含有一聚合物核心以及兩金屬外殼的傳導粒子之使用,該兩金屬外殼較佳為兩互相貫穿的金屬外殼。
本發明之第七目的是關於在一磁場或是電場的存在下,將該傳導粒子流體填充於一微腔體陣列的一方法。
本發明之第八目的是關於製造非隨機陣列之ACF的一種改良式方法,該方法包含以下步驟:在一基板上製備具有預定形狀與尺寸的一微腔體陣列;選擇性地將該微腔體表面金屬化,該表面較佳為包含該微腔體外緣所劃分的一些上表面區域;以一聚合材料填充該微腔體並且移除或剝去該聚合材料超出的部分;選擇性地將該經填充的微腔體表面進行金屬化,該表面較佳為包含該微腔體外緣所劃分的一些上表面區域;以選擇性地具有一第二基板的一黏著層來過度覆蓋或是層合在該經填充的傳導微腔體陣列。
本發明之第九目的是關於一微腔體陣列的選擇性金屬化,其包含以下步驟:印刷或是塗佈一電鍍阻抗層、一遮蔽層、一離型層或電鍍抑制層在該微腔體所劃分的外壁之上表面的預選區域;金屬化該微腔體陣列;以及去除或剝去在該電鍍阻抗層、遮蔽層、離型層或電鍍抑制層上的金屬層。
本發明之第十目的是關於製造非隨機陣列之ACF的一種改良式方法,該方法包含一步驟:以一電鍍阻抗層、遮蔽層、離型層或阻障層來印刷或塗佈在該微腔體所劃分的外壁之上表面的預選區域,該電鍍阻抗層、遮蔽層、離型層或阻障層包含選自溶劑、水溶性聚合物、寡聚物、蠟、矽、矽烷以及氟化物的一材料。
本發明之第十一目的是關於製造非隨機陣列之ACF的一種改良式方法,該方法包含以具有對於該微腔體所劃分的外壁之上表面黏著度較低的一電鍍阻抗層、遮蔽層或釋放或阻障層來印刷或塗佈在該微腔體所劃分的外壁之上表面的預選區域的一步驟。
本發明之第十二目的是關於非隨機陣列之ACF的一種改良式方法,該方法包含以一具有高濃度微粒物質的遮蔽層或離型層來印刷或塗佈在該微腔體所劃分的外壁之上表面的預選區域的一步驟。
本發明之第十三目的是關於非隨機陣列之ACF的一種改良式方法,該方法包含以下步驟:利用噴灑、蒸氣沉積或電鍍,較佳為化鍍,將一傳導覆蓋層沉積在該微腔體陣列上,該微腔體在其所劃分處之上表面的經選擇區域具有一電鍍阻抗層、遮蔽層、離型層或是阻障層;接著去除或剝去在電鍍阻抗層、遮蔽層、離型層或阻障層上方的傳導層。
本發明之第十四目的是關於非隨機陣列之ACF的一種改良式方法,該方法包含以下步驟:沉積一傳導覆蓋層在該微腔體陣列上,該傳導粒子包含有奈米傳導粒子,較佳為奈米金屬粒子,該微腔體陣列在其劃分處之上表面的經選擇區域具有一遮蔽層或離型覆蓋層;以及,再將該遮蔽或離型層上方的傳導層去除。
本發明之第十五目的是關於具有明確形狀、尺寸以及比例的微腔體之製備。
本發明之第十六目的是關於利用在該微腔體內包含有一子結構來製造非隨機陣列之ACF的一種改良式方法。該子結構可為釘結構、凹口結構、楔子結構、或是結結構的形式來改善電極間的連接關係,特別是對於腐蝕或氧化較敏感的電極。
本發明之第十七目的是關於一非隨機陣列之ACF,其包含一第一基板、一第一非隨機陣列傳導粒子或經填充的微腔體、一黏著層以及選擇性的一第二非隨機陣列傳導粒子或經填充的微腔體與一第二基板。
本發明之第十八目的是關於本發明之非隨機陣列之ACF的使用,其可應用在液晶顯示裝置、印刷電路板、玻璃覆晶封裝(COG)、晶粒軟膜接合(COF)、捲帶自動結合(TAB)、型球狀矩陣(BGA)、覆晶或是其連接測試工具。
簡單地來說,在一較佳實施例中,本發明提供一種細腳距的ACF,該ACF包含有傳導粒子的一非隨機陣列或是包含有預定尺寸與形狀的經填充的微腔體,該微腔體更具有所劃分的區域以使得該等粒子或是微腔體能夠良好的互相分離。根據本發明所製備之ACF,可以在一較低製造成本下提供一較佳的解析度與電連接可靠度。
綜上所述,本發明揭露具較佳解析度與電連接可靠度的新結構的ACF及其製造方法,其是利用具有預定組態、形狀與尺寸之微腔體的一非隨機陣列。該製造方法包含(i)在包含一預定微腔體陣列的一基板或一載體介面進行傳導粒子的流體自組裝,或是(ii)選擇性地金屬化該陣列;接著,以一填充材料填充該陣列,並且在該經填充的微腔體陣列進行一第二選擇性金屬化。因此,已製備且經填充的傳導微腔體陣列則會再由一黏著膠膜進行過度覆蓋或是層合。
為了易於說明,本發明得藉由下述之較佳實施例及圖示而得到充分瞭解,並使得熟習本技藝之人士可以據以完成之,然本發明之實施型態並不限制於下列實施例中。
圖2A-2F分別為本發明第一實施例的一ACF(100)的俯視與側視剖面圖。圖2A顯示該ACF的頂部示意圖以及圖2B顯示沿著該俯視示意圖之水平線a-a’的側邊剖面示意圖。該ACF(100)包含複數傳導粒子(110),該傳導粒子係設置在一下基板(130)與一上基板(140)間的一黏著層之預定位置。圖2C與2D為本發明第二較佳實施例,其顯示沿著圖2A中水平線a-a’的兩種ACF(100’)側邊剖面示意圖。該ACF(100與100’)包含設置在複數微腔體(125)中的複數傳導粒子,該複數微腔體係形成於一下基板130與一上基板140之間,該上基板與下基板間有一間距得以填充黏著劑(120)。該等微腔體(125)可能直接形成於該基板(130)上或是形成於該基板(130)上的一分離層(135)上。該等微腔體(125)的深度較佳為大於傳導粒子(110)的半徑,更佳為大於傳導粒子的直徑。該微腔體的開口是具有選擇性,所以一個微腔體(125)只能含有一個傳導粒子(110)。在傳導粒子間的腳距”p”可以明確定義為微腔體間的腳距。組裝該非隨機陣列或非隨機ACF(100’)以及(100)的方法,分別如圖3與圖4所示。傳導粒子間的腳距”p”可以依據如下的製造方法加以預定且明確定義。
如圖3所示,本發明之方法係由第一階段(150)的一捲軸式ACF生產平台製造複數微腔體(125)的過程開始,例如雷射消熔、模壓、壓印或是蝕刻(圖3未顯示)。該微腔體陣列可以直接在該介面上形成或是在預先塗佈在該載體介面上的一腔體形成層上形成。適合做為該介面的材料包含聚酯,例如聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),聚碳酸酯樹脂、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚諷、聚醚、聚亞醯胺、液晶高分子及其混合物、複合物、層積物或夾膜,但不限制於其所述。而該腔體形成層適合的材料包含熱塑性塑膠、熱固性塑膠或其前趨物、正向光阻劑或負向光阻劑以及無機材料,但不限制於其所述。
在第二階段160中,藉由施用一流體粒子分佈與捕捉方法來將複數傳導粒子,例如傳導粒子(110),沉積在該微腔體中,其中每一個傳導粒子(110)會被捕捉至一個微腔體(125)中。在這種情況下,當使用小尺寸的粒子時,與該傳導粒子的引力相比,在塗佈與乾燥過程中所引起的材料流與亂流可能更為重要。一額外的場力,例如磁場或電場或是兩者,皆可使用以加速流體集聚。該粒子可以使用包含塗佈的方法應用在該微腔體介面上,例如擠壓型塗佈、凹版印刷塗佈、刮刀片、棒式塗佈、簾式塗佈、印刷,例如噴墨印刷,以及噴灑,例如噴霧噴灑。
在該第二階段(160)的最後,過量的傳導粒子會接著被移除,例如一起桿、弧形刮刀、氣刀或是溶劑噴灑。可以重複該粒子的沉積步驟以確保在該微腔體中沒有遺失的粒子。在第三階段(170)中,沉積在微腔體中的傳導粒子(110)會被層合在一第二基板(130),該第二基板以如圖4所示的層合平台(180)預先塗佈一黏著層(120),以形成一非隨機陣列之ACF(100)。圖2C和2D為根據圖3之方法所製備的兩種ACF示意圖,其中係使用具有粒子直徑對微腔體深度之不同比例的粒子(110)和微腔體(125)。或者,一黏著劑可以直接塗佈在該經填充的微腔體上,其後再選擇性地層合至該第二基板(130)上。
圖4顯示利用包含一微腔體陣列之暫時載體介面(190)的ACF製造方法之流程式意圖。該微腔體陣列可以直接形成於該暫時載體介面上或是在預先塗佈在該載體介面的一腔體形成層上。適合做為該載體介面的材料包含聚酯,例如聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN),聚碳酸酯樹脂、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚諷、聚醚、聚亞醯胺、液晶高分子及其混合物、複合物、層積物、夾膜或是金屬化膠膜,但不限制於其所述。而該腔體形成層適合的材料可以選自包含熱塑性塑膠、熱固性塑膠或其前驅物、正向光阻劑或負向光阻劑以及無機材料或是金屬化材料的表列,但不限制於其所述。
為了達到粒子轉印的較高產率,該載體介面較佳以一具有離型材料的薄層處理以降低微腔體載體介面(190)與黏著層(120)間的黏著力。該離型層可以藉由在微腔體形成步驟之前或之後使用塗佈、印刷、噴灑、蒸氣沉積、熱轉印、電漿聚合/交聯。適合該離型層的材料包含氟化高分子或是寡聚物、矽油、氟化矽、聚烯類、蠟、聚環氧乙烯、聚環氧、具有長鏈疏水阻障或是分枝的介面活性劑、或是其共聚物或混合物,但不限制於其所述。
在流體填充步驟(160)之後,在該微腔體中的傳導粒子會被轉移至該第二基板(130),其中該基板較佳為預先塗佈如圖4所示的一黏著劑。該暫時微腔體介面(190)可能藉由重複該粒子填充與轉移步驟而重複使用。或是,該介面(190)可以藉由一清掃裝置(未示出)所清理以移除任何殘留粒子或是遺留在該介面上的黏著劑,並且一離型覆蓋層可以在再填充該粒子前再施用。更或者,該暫時微腔體介面的一緊密迴圈可以連續且重複地使用以用於該粒子填充、轉移、清理以及離型應用等步驟。
如是,該膠膜(100”)可以直接使用作為如圖2E(俯視圖)和2F(剖面圖)的示意圖所示之一非隨機陣列之ACF,其中該傳導粒子係在該黏著膠膜(120)的上方,並且不會完全為該黏著劑所覆蓋。或者,該黏著層的一附加薄層可以過度覆蓋在該經轉移粒子層上以改善該非隨機陣列的ACF膠膜的黏度,特別是當該粒子濃度較高時。一與該黏著膠膜(120)不同的黏著劑可以應用作為一過度覆蓋層。
該膠膜(100”)更進一步被層合在該層合平台(180),該層合平台具有一第三基板(140),能夠選擇性地預先以一黏著劑塗佈,因此造成一非隨機陣列之ACF(100),夾層在如圖2B所示的兩基板(130與140)之間。在該黏著劑(120)與該兩基板間(130和140)的黏著強度應小於該黏著劑的內聚力強度。為了從加速在鍵結過程中該黏著劑從該兩基板的序列剝離,較佳為一黏著強度實質上大於另一黏著強度。
使用在上述方法中的黏著劑可以是一熱塑性塑膠、熱固性塑膠或其前驅物。有用的黏著劑包含壓敏黏著劑、熱融黏著劑、熱固化黏著劑或輻射固化黏著劑,但不限制於其所述。這些黏著劑可能包含例如環氧化物、酚醛樹脂、胺化甲醛樹脂、聚氧代氮代苯并環己烷(polybenzoxazine)、聚氨酯、聚錫胺、酚醛樹脂、聚雙烯烴、聚烯烴、胺甲醛,氰酸酯、丙烯酸脂類、丙烯酸、甲基丙烯酸酯、聚乙烯基高分子、橡膠,例如聚(苯乙烯-共-丁烯)(poly(styrene-co-butadiene))以及其塊體共聚合物(block copolymers)、聚烯類、聚酯類、未飽和聚酯類、乙烯基酯、聚己內酯多元醇、聚醚與聚醯胺。環氧化物、氰酸酯樹脂以及多功能丙烯酸脂特別有用。包含潛在固化劑的催化劑或是固化劑可以用來控制該黏著劑的固化動力學。對於環氧樹脂來說,有用的固化劑包含雙氰胺(dicyanodiamide,DICY)、已二酸二酰肼(adipic dihydrazide)、2-甲基咪唑(2-methylimidazole)與其膠囊化產物,例如在液態雙酚A環氧化物的Novacure HX分散劑(日旭化學企業)、例如乙烯二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、三氟化硼胺類加成物(BF3 amine adduct)、Amicure(Ajinomoto Co.,Inc)等胺類、例如二胺二苯碸(diaminodiphenylsulphone)與對羥苯基苄基甲基三苯硫化六氟銻(p-hydroxyphenyl benzyl methyl sulphonium hexafluoroantimonate)的硫鹽(sulfonium salts),但不限制於其所述。偶合劑包含於鈦酸(titanate)、鋯酸(zirconate)與烷氧偶合劑,例如缩水甘油醚氧三甲氧基甲矽烷(glycidoxypropyl trimethoxysilane)與3-氨基丙基三甲氧基甲矽烷(3-aminopropyl trimethoxy-silane),但不限制於其所述,可以用來改善ACF的耐受性。過化劑與偶合劑對於以環氧為基底的ACF之作用可見於S.Asai等人1995年發表在應用聚合物科學期刊第56卷769頁。完整的文獻會在後續併入作為本專利申請案的參考資料。
本發明之合適的傳導粒子具有較窄粒子尺寸分佈並且有一小於10%的標準偏差,較佳為小於5%,甚至更佳為小於3%。該粒子尺寸較佳為1-250微毫米的範圍,更佳為2-50微毫米的範圍,甚佳為3-10微毫米的範圍。該微腔體與傳導粒子的尺寸係仔細篩選以使得每一個微腔體有一限制空間只得以容納一傳導粒子。為了加速粒子填充與轉移,可以應用具有一上方較下方為寬之開孔的傾斜面的微腔體。
包含一聚合物核心與一金屬外殼的傳導粒子特別是較佳的。有用的聚合物核心包含聚苯乙烯(polystyrene)、聚丙烯酸酯(polyacrylates)、聚甲基丙烯酸酯(polymethacrylates)、聚乙烯(polyvinyls)、環氧樹脂(epoxy resins)、聚氨酯(polyurethanes)、聚醯胺(polyamides)、苯酚(phenolics)、聚雙烯烴(polydienes)、聚烯類(polyolefins)、胺基塑膠,例如三聚氰胺甲醛(melamine formaldehyde)、尿素甲醛(urea formaldehyde)、苯呱胺美耐敏甲醛(benzoquanamines formaldehyde)、其寡聚物、其共聚物、其混合物或是其複合物,但不限制於其所述。若使用一複合物材料做為該核心,奈米粒子、奈米碳管、矽、鋁、BN、二氧化矽以及黏土為較佳作為該核心的填充物。適合該金屬外殼的材料包含金、鉑、銀、銅、鐵、鎳、錫、鋁、鎂以及其合金,但不限制於其所述。具有互相貫穿金屬外殼的傳導粒子,例如鎳/金、銀/金、鎳/銀/金對於最適硬度、傳導性以及抗腐蝕性特別為較佳有用的。具有剛性釘結構的粒子,例如鎳、碳、石墨,都是對於改善易受到腐蝕的連接電極是有用的,若具有該等結構,則其是藉由貫穿該腐蝕膠膜以達成上述功效。
本發明有用之緊密分散的聚合物粒子可以藉由如美國專利4,247,234、4,877,761、5,216,065所教導的核種乳化聚合以及在進階膠體介面科學雜誌第13卷第101頁(1980)、高分子科學期刊第72卷225頁(1985)與由Martinus Nijhoff出版的“高分子膠體未來方向”第335頁(1987)所揭露的Ugelstad膨脹粒子方法來製備。在本發明之一較佳實施例中,具有5微毫米直徑的單分散聚苯乙烯乳膠可作為可變形的彈性核心。該粒子首先以甲醇溫和攪拌以移除過量介面活性劑以及在該產生聚苯乙烯乳膠粒子的表面產生微腔體表層。因此,該經處理的粒子再以一包含二氯化鉛(PdCl2 )、氯化氫(HCl)與二氯化錫(SnCl2 )的溶液所活化,接者再以水洗淨並過濾以去除該Sn4 離子,然後再浸泡在一鎳鍍溶液中(可購自表面科技公司、Trenton與NJ公司),該溶液包含一鎳複合物與磷酸二氫,在90℃下反應約30-50分鐘。該鎳鍍的厚度是由電鍍溶液濃度和電鍍情形(溫度和時間)所控制。
以鎳覆蓋的乳膠粒子然後會浸入金電鍍溶液(Enthone Inc.),該溶液包含四氯金酸(hydrogen tetrachloroaurate)和乙醇,在90℃反應大約10-30分鐘,以形成互相貫穿的金/鎳外殼,該外殼厚度約為1微毫米(鋁+鎳)。該經金/鎳電鍍的乳膠粒子以水清洗以準備進行後續流體填充過程。藉由化鍍或是電鍍的方式來塗佈傳導外殼在粒子上的方法已在美國專利號6,906,427(2005)、6,770,369(2004)、5,882,802(1999)、4,740,657(1988)、美國專利申請號20060054867以及化學材料期刊第11卷2389-2399頁(1999)中被教導。
美國專利6,274,508,、6,281,038,、6,555,408、6,566,744與6,683,663已揭露IC晶片或是錫球的流體聚合至具有一顯示材料的基板或介面的凹處或孔洞上。美國專利5,437,754、5,820,450以及5,219,462已揭露具有精確間隔之磨蝕物的製備方法,該製備方法是藉由將一磨蝕複合之糊狀物填充至一模壓載體介面上的凹處,該糊狀物包含分散在一可變硬黏結前驅物中的複數磨蝕粒子。上述所有專利皆會併入本案作為參考文獻。在上述所有前案中,藉由模壓、壓印或是光蝕刻的過程以在一基版上形成孔洞或是微杯。然後根據不同的應用再將各種材料填充至該凹處或孔洞中,該應用包含主動矩陣薄膜電晶體(AM TFT),型球狀矩陣(BGA),電泳與液晶顯示裝置。然而,該等先前技術中並未揭露將一個傳導粒子流體填充至每一個凹處或微腔體的技術來製備該ACF。並且,該等先前技術也未能教導包含有一聚合物核心和一金屬外殼的傳導粒子流體自組裝的過程。
請參閱圖5A-5D,其係為本發明不同較佳實施例之數個ACF組態。並非如施用在傳統ACF上的傳導粒子以及如圖2A-2F所示的傳導粒子,該ACF(200)利用填充有一聚合物核心(225)以及為一金屬外殼(230)所包圍的複數微腔體(220)來提供Z方向的傳導性。如圖5A所示,該微腔體設置在黏著層(240U和240L)中,該黏著層係由上基板(245)與下基板(250)所支撐。該兩黏著層(240U和240L)可以是相同的組成。該微腔體可以藉由雷射消熔、壓印、模壓、或蝕刻所形成,且該金屬外殼(230)沉積在微腔體上。當施用一模壓時,傾斜面較垂直面為佳以便利後續的鑄模離型膜。在圖5B中,該金屬外殼(230)有一外緣處(230-S)覆蓋上方並且從該金屬外殼側面的上方延伸。在圖5C和5D中,該微腔體更包含一底部釘結構235其係從該金屬外殼的底部表面延伸。在圖5D中,該微腔體以一金屬外殼與金屬釘結構所覆蓋,該金屬外殼具有在其上表面延伸的一外緣突出以及該金屬釘係從該底部表面所延伸。
圖6A-6D為以不同種組態排列的不同形狀和尺寸的微腔體洞陣列和模型的一些示範例。該微腔體可以直接形成在有無一附加腔體形成層的一塑膠介面基板上。或者,不需雷射消熔等模壓過程或是利用光阻劑的平版印刷即可形成該微腔體,接著再進行曝光、蝕刻或是電鑄等步驟。該腔體形成層的合適材料可以選自包含熱塑性塑膠、熱固性塑膠或其前驅物、正向或負向光阻劑、有機或金屬材料的一表列。
圖6A-1、6B-1與6C-1分別為三種不同模壓鑄模的3D示意圖以及圖6A-2、6B-2與6C-2分別為三種對應的微腔體陣列,其係藉由施用該鑄模以形成。
圖6D顯示多個微腔體的示範例,該微腔體具有不同組態和不同金屬釘結構的形式,該金屬釘係從微腔體的底面所延伸。該外緣延伸處(230-S)改善了上方金屬殼(220T)與下方金屬殼(220B)之間的電連接。為了更確認該電連接關係,該微腔體可以一彎曲邊緣(220-S)所形成。
圖7A和7B分別顯示該ACF100和ACF200的實際應用,以分別提供在一上方電極(315)和一下方電極(325)間的電連接關係,該上方電極與下方電極係分別依附於一上方軟性電路板或是晶粒軟膜接合(310)與一下方軟性電路板或晶粒軟膜接合(320)。在圖7A中,具有可變形彈性核心的傳導粒子110會因為電極315和325而被壓縮為一橢圓形,因此建立一垂直電連接關係。在圖7B中,填充有一可變形核心(225)的微腔體(220,未標示)會被上方電極(315)和下方電極(325)所擠壓,該可變形核心(225)係被該金屬外殼(230)所圍繞,該金屬外殼具有一外緣(230-S)和底部釘結構(235)。該外緣的上殼(230-S)提供較廣的接觸區域,並且該釘結構(235)可以貫穿一腐蝕絕緣層,該腐蝕絕緣層係在電極325的表面生長,可確保較好的電接觸。
圖8A-8C顯示不同形狀的釘結構,其係從該微腔體(220,未標示)的金屬外殼(230)的底面所延伸。這些釘結構(235)可以形成如較尖的釘結構、結結構、凹口結構、楔子結構、槽結構等等。較佳為每一個金屬外殼都有一合適的外緣上套(230-S),該合適的外緣上套(230-S)具有一最適外緣區域以提供較廣的接觸區域而加強電連接。太大的外緣區域可能會造成每單位面積傳導且經填充的微腔體數目下降以及腳距連接尺寸的上升。
圖9顯示本發明另一較佳實施例的剖面圖,其中一ACF(350)包含兩種微腔體(360,未標示)之非隨機陣列。每一個微腔體具有一金屬外殼(370)且填充可變形聚合物材料。該金屬外殼(370)具有一選擇性合適的外緣覆套(370-S)與從該金屬外殼(370)底面延伸的釘結構(375)。該微腔體設置在一黏著層(380),該黏著層係分別被一上基板(385)與一下基板(390)夾在中間。
如圖3與圖4所形成的微腔體可以藉由包含以下步驟的方法在該微腔體的指定區域進行選擇性金屬化,但不限制於下列所述方法:(1)透過一蔽蔭遮罩層金屬化;(2)塗佈一電鍍阻抗層、光蝕刻曝光、曝光該阻抗層以及電鍍,特別是化鍍沒有阻抗層在其上的區域;以及(3)成影像印刷一電鍍阻抗層、離型層、遮蔽層或是電鍍抑制層,非成影像金屬化該整個表面,接著剝去或除去在不要區域上的金屬。
本發明有用的成影像印刷過程包含噴墨、凹版印刷、凸版印刷、平版印刷、無水平版印刷或是蝕刻、熱轉印、雷射消熔轉印印刷過程。
本發明有用的金屬化過程包含蒸氣沉積、噴灑、電沉積、電鍍、化鍍以及取代或是浸泡電鍍,但不限制於該等過程。沉積鎳/鋁可以先藉由鉑來活化陣列表面,其後再利用一化鍍鎳鍍溶液(購自表面科技公司、Trenton或NJ)與一浸泡鋁鍍溶液(購自Enthone Inc.)以形成互相貫穿的鋁/鎳層。一銀金屬層可以藉由一無氰化物銀電鍍溶液(購自電化學產品公司)進行化鍍以形成一互相貫穿鎳、銀與金層。
圖10A顯示微腔體(420)的一陣列(450),每一個微腔體都具有一個從該微腔體(220)底面所延伸的釘腔(235)。該微腔體包含超過一個的釘結構,該釘結構具有不同位向。在每一個微腔體中,釘結構的數目、尺寸、形狀以及位向都是預定的,但仍會隨著腔體體積而有所變化。具有釘子結構的微腔體可以利用光蝕刻或是微結構模壓而製造,其係利用由直接鑽石切削、鐳射雕刻或是光蝕刻方法所製備的一墊片或鑄模進行,其後再進行電鑄。
圖10B說明本發明較佳實施例之一的一種ACF組裝過程,其包含以下步驟:(a)如圖10-B-2所示,藉由前述討論方法的其中之一,選擇性地金屬化該微腔體(450),該微腔體包含一基板(250)、一黏著劑(240L)與選擇性具有釘腔(235-C)的微腔體(420),該金屬化層塗佈在包含該釘腔(235-C)表面的側壁,且較佳為該微腔體(420)外緣區域(230-S)的上表面;(b)如圖10-B-3所示,填充一彈性可變形的核心材料(225)至該經金屬化的微腔體,該微腔體(420)具有由該微腔體外部移除的過量的填充材料;(c)如圖10-B-4所示,選擇性地金屬化該填充材料(225)的上方(225-B),較佳為具有上方塗佈傳導金屬層的一外緣處,該外緣處係從該可變形填充材料(225)的上表面延伸至包圍該微腔體的上表面區域:以及,最後(d)如圖10-B-5所示,以預先塗佈在一基板(445)的一黏著層(240U)層合該已形成的結構以完成該ACF的組裝。
該黏著層(240U)包含環氧化物、聚氨酯、聚丙烯酸脂、聚甲基聚丙烯酸酯、聚酯、聚醯胺、聚醚、苯酚、纖維素酯或醚、橡膠、聚烯類、聚雙烯烴、氰酸酯、聚內酯(polylactones)、聚碸(polysulfones)、聚乙烯基高分子及其單體、寡聚物、混合物或是複合物。的材料,但不限制於其所述。在上述材料中,包含氫酸酯或是環氧樹脂的部分固化的A級熱固性組成物以及一潛在固化劑皆為固化動力學與黏著特性較佳之選擇。
為了改善該釘結構(235)的剛性,在金屬化步驟(a)後一剛性填料可以填充至該釘腔(235-C)中。有用的剛性填料包含二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鐵、氧化鋁、碳、石墨、鎳、及其混合物、複合物、合金、奈米粒子或奈米碳管。若該金屬化步驟是藉由電鍍、化鍍或是電沉積所完成,則該剛性填料可以在金屬化的過程中加入。
用於步驟(b)之有用的可變形核心材料(225)包含聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚烯類、聚雙烯烴、聚氨酯、聚醯胺、聚碳酸酯、聚醚、聚酯、苯酚、胺基塑膠、苯呱胺美耐敏(benzoquanamines)及其單體、寡聚物、共聚物、混合物或複合物。這些核心材料可以溶液、分散劑或乳化劑的形式填充至該微腔體。無機或金屬化填料可以加入該核心以達到最適物理機械與流動性質。該核心材料(225)的表面張力與該微腔體的核心材料以及該外緣處皆可做適當調整以在填充與後續的乾燥過程後,該核心材料可以形成一凸狀(225-B)。可以使用膨脹劑與發泡劑來加速該凸狀核心的形成。或者,該核心材料可以依需要而填充,例如一噴墨印刷過程。
在步驟(d)中,該黏著層(240U)可以利用塗佈、噴灑、或印刷選擇性直接應用在該陣列上。該經塗佈的陣列可以作為該ACF或是進一步以一離型層基板層合來形成該夾層ACF(200)。
示範例
以下示範例的說明將使得本領域技藝人士更清楚地了解本發明並據以實施。以下的示範例不應被視為本發明的侷限而應視為本發明具示例性與代表性的範例。為了證實該粒子的填充與轉印過程,使用兩種商用可獲得之傳導粒子(110):透過紐約批發商(JCI USA)購得日本化學公司之鎳/金粒子,其係為日本化學企業的子公司以及從Inco Special Products公司(Wyckoff,NJ)購得之鎳粒子。
藉由雷射消熔在聚亞醯胺膠膜上產生微腔體陣列圖案
在紙張尺寸8.5” x 11”與3-密爾熱穩定聚亞醯胺膠膜(PI,300 VN購自杜邦)產生兩種微腔體陣列。該微腔體的標的尺寸為6微毫米(直徑)x 2.0微毫米(間隔)x 4微毫米(深度)與6微毫米(直徑)x 2.7微毫米(間隔)x 4微毫米(深度)。
製備該黏著層(120)
一30%原液之Min-U-Sil5二氧化矽的分散溶液(二氧化矽購自西方儲備化學公司)藉由在含有70部分異丙酸甲酯溶液中分散28.44部分的Min-U-Sil5,其中該異丙酸甲酯也含有0.14部分的BYK322(購自BYK-Chemie)、0.71部分的Silquest A186以及0.71部分的Silquest A189(購自GE Silicones)。
將含有86.6部分的異丙酸甲指、3部分的HyProx UA11(環氧Bis-A-改質聚氨酯,購自CVC特用化學公司)、0.2部分Silquest A186以及0.2部分的Silquest A189進行10部分的Cab-O-Sil-M5分散以製備Cab-O-Sil-M5的儲存分散液(購自Cabot)。
將60部分的PKHH(購自Phenoxy特用品公司)溶解在含有25部分的丙酮、11.25部分的環氧樹脂RSL 1426以及12.75部分的環氧樹脂RSL1736(Hexion特用化學公司)的一溶液中以製備一60%原液的苯基氧黏結劑PKHH。為了從該微腔體載體介面(190)轉印粒子,使用包含有以下成份的一黏著組成:11.54部分的RSL1462環氧樹脂、13.07部分的RSL 1739環氧樹脂、27.26部分的包埋樹脂165(購自Hexion特用化學公司)、9.44部分的HyProx UA11、7.5部分的Min-U-sil5、1.5部分的Cab-o-sil-M5、0.22部分的Silquest A186、0.22部分的Silquest A189、15部分的paphen phepoxy樹脂PKHH、0.3部分的BYK322、14部分的HXA 3932(一潛在硬化劑微膠囊,購自日本旭化成化學)。一離型PET膠膜UV 50(購自CPFilm)經由一放電處理以及以一含有50%重量之黏著組成(A)進行塗佈,該黏著組成(A)利用Myrad bar溶於異丙基乙酯以形成具有一標的約15 g/m2 覆蓋範圍之該黏著層。
暫時微腔體載體(190)的表面處理
含有尺寸6微毫米(直徑)x 4微毫米(深度)x 2微毫米(間隔)的微腔體之微腔體陣列,係藉由在一3密爾熱穩定的聚亞醯胺膠膜上雷射消熔所製備,以形成該微腔體載體(190)。為了加強粒子轉印效率,以下應用兩種表面處理方式。
Frekote表面處理
該非隨機陣列微腔體載體係由異丙醇(IPA)所清理,在60℃的傳統烘箱中乾燥1分鐘,並且利用具有一標的厚度大約5微毫米的平滑桿來將Frekote 700-NC溶液(購自Loctite)塗佈在該微腔體載體上。過多的材料會被不具絨布之Kimwipe的桿子去除。將該經塗佈的膠膜自然烘乾10分鐘,並且再進一步在60℃的傳統烘箱乾燥5分鐘。該表面經處理的基板此時可以準備進行粒子填充的步驟。
NuSil 氟素橡膠(fluorosilicones)表面處理
兩種氟素橡膠,MED400和MED420皆購自NuSil。除了Frekote材料外,表面處理程序皆與PI微腔體載體所執行之處理程序相同,使用厚度約為0.2-0.3微毫米的商用NuSil氟素橡膠流體。
將粒子填充至微腔體陣列
一逐步的粒子填充示例性過程如下所示:表面經處理的PI微腔體陣列介面利用一平滑桿以一大量傳導粒子分散液進行塗佈。執行超過一次以上的填充步驟以確定沒有未填充到的微腔體。該經填充的微腔體陣列在室溫下乾燥1分鐘並且過量的粒子會由一橡膠接帚或是無線軟布溫和地所去除,該軟布上塗佈有丙酮溶劑。該經填充的微腔體陣列之顯微鏡影像係藉由影像工具3.0版軟體進行分析。不論以何種形式進行表面處理,該微腔體皆評估有超過99%的填充率。
將粒子從微腔體載體(190)轉移至黏著層(120)
兩種粒子轉移示例性的逐步過程如下所示:鎳粒子 :採用上述粒子的粒子填充過程,將一表面經處理的聚亞醯胺微腔體片填充4微毫米單核鎳粒子,該微腔體片具有6x2x4微毫米的陣列組態。所達到的粒子填充比率典型大於99%。一環氧膠膜係以15微毫米的標的厚度製備。該微腔體片和環氧膠膜係面對面地固定在一鋼片上。該鋼片係經由HRL 4200乾燥膠膜捲軸層合機(購自Think & Tinker)所擠壓。層合的壓力設定在6 lb/in(約為0.423g/cm2 )以及層合的速度設定為2.5 cm/min。將粒子從PI微腔體轉移至環氧膠膜的效率大於98%。在該ACF膠膜使用一Cherusal鍵結劑(Model TM-101P-MKIII)在兩電極間鍵結後,可以觀察到在70℃預先鍵結的可接受黏度以及在170℃主要鍵結的傳導性。
金粒子 :同樣地,將一表面經處理的聚亞醯胺微腔體片填充4微毫米單核分散金粒子,該微腔體片具有6x2x4微毫米的陣列組態。所達成的粒子填充比率大於99%。一環氧膠膜係利用#32導線棒製備20微毫米的標的厚度。兩者面對面地放置一鋼片上。在該微腔體片和環氧膠膜係面對面地固定在一鋼片上。該鋼片係經由HRL 4200乾燥膠膜捲軸層合機所擠壓,購自Think & Tinker。層合的壓力設定在6 lb/in(約為0.423g/cm2 )以及層合的速度設定為2.5 cm/min。可以觀察到大於98%的極佳的粒子轉移效率。
利用一Cherusal鍵結劑(Model TM-101P-MKIII)來鍵結兩電極後,該ACF膠膜顯示出可接受黏度以及傳導性。
根據如上的說明、圖示以及示範例,本發明揭露一種異向性傳導膠膜(ACF),該異向性傳導膠膜(ACF)包含複數電傳導連接粒子,該複數電傳導連接粒子設置在預定非隨機粒子位置,如在一黏著層之中或其上的非隨機陣列,其中相對於一微腔體陣列的複數預定微腔體位置的該非隨機粒子位置用以攜帶並轉移該等電傳導粒子至一黏著層。該等傳導粒子被轉移至一黏著層。另一方面,本發明更揭露一異向性傳導膠膜(ACF),該異向性傳導膠膜(ACF)包含一微腔體陣列,該微腔體陣列係由一電傳導外殼所圍繞且以一用於具有可變形粒子之實施例中的可變形核心材料所填充,該可變形傳導粒子包含一傳導外殼與一核心,且不需要進一步的轉印操作。在這種情況下該微腔體陣列形成在一黏著層上。更明確地來說,直接塗佈一黏著劑在該填充有電傳導粒子的微腔體陣列上來執行此過程,較佳為填充有一可變形核心與一傳導外殼。或者,無須塗佈一黏著層也可以形成該微腔體。該經塗佈的產物可以作為該經完成的ACF產物或是較佳地再與一離型基板層合。此種狀況下則不需轉印。再者,藉由在該微腔體原來位置上所製備的粒子,再金屬化該微腔體外殼、填充一可變形材料來形成該ACF。
對於上述ACF的種類以及揭露在本發明中以該ACF實施的電子裝置之不同實施例皆可以被實施。在一特定實施例中,該等電傳導粒子或是微腔體具有一直徑或是深度的範圍為1-100微毫米。在另一較佳實施例中,該等電傳導粒子或是微腔體具有範圍2-10微毫米的直徑或深度。在另一較佳實施例中,該等電傳導粒子或微腔體具有一標準偏差小於10%的直徑或深度。在另一較佳實施例中,該等電傳導粒子或微腔體具有一標準偏差小於10%的直徑或深度。在另一較佳實施例中,該黏著層包含一熱塑性塑膠、熱固性塑膠或其前驅物。在另一較佳實施例中,該黏著層包含一壓敏黏著劑、熱融黏著劑、熱固化黏著劑、濕固化黏著劑或是輻射固化黏著劑。在另一較佳實施例中該黏著劑包含環氧化物、酚醛樹脂、胺甲醛樹脂、聚氧代氮代苯并環己烷、聚氨酯、氰酸酯、丙烯酸脂類、丙烯酸、甲基丙烯酸酯、聚乙烯基高分子、橡膠,例如聚(苯乙烯-共-丁烯)與其塊體共聚合物、聚烯類、聚酯類、未飽和聚酯類、乙烯基酯、聚己內酯多元醇、聚醚以及聚醯胺。在另一較佳實施例中,該黏著層包含環氧化物、苯酚、聚氨酯、聚氧代氮代苯并環己烷、氰酸酯、多功能丙烯酸。在另一較佳實施例中,該黏著劑包含一催化劑、起始劑或固化劑。在另一較佳實施例中,該黏著劑包含一潛在固化劑,可以被熱、輻射、壓力或其組合所活化。在另一較佳實施例中該黏著劑包含環氧化物與一固化劑,該固化劑係選自雙氰胺、已二酸二酰肼、2-甲基咪唑與其膠囊化產物,例如在液態雙酚A環氧化物的Novacure HX分散劑(日旭化學企業)、例如乙烯二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、三氟化硼胺類加成物、Amicure(Ajinomoto Co.,Inc)等胺類、例如二胺二苯碸(diaminodiphenylsulphone)與對羥苯基苄基甲基三苯硫化六氟銻(p-hydroxyphenyl benzyl methyl sulphonium hexafluoroantimonate)的硫鹽(sulfonium salts)。在一較佳實施例中,該黏著劑包含一多功能丙烯酸、多功能丙烯酸甲酯、多功能丙烯、多功能乙烯、多功能乙烯聚酯、一光起始劑或一熱起始劑。在另一較佳實施例中,該黏著劑更包含一偶合劑,特別是鈦酸(titanate)、鋯酸(zirconate)與烷氧偶合劑,例如γ-缩水甘油醚氧三甲氧基甲矽烷(gamma-glycidoxypropyl trimethoxysilane)與3-氨基丙基三甲氧基甲矽烷(3-aminopropyl trimethxysilane),或是鈦酸偶合劑。在另一較佳實施例中,該黏著劑更包含一電絕緣填充粒子,例如二氧化矽、二氧化鈦、三氧化二鋁、硝酸硼或氮化矽。
本發明更揭露一種非隨機陣列異向性熱傳導黏著膠膜及其製造方法,該製造方法包含流體填充該熱傳導但電絕緣粒子在一微腔體陣列上,接著轉移該等粒子至一黏著層。本發明更揭露一種非隨機陣列異向性熱傳導黏著膠膜的使用以連接一電子裝置,特別是一半導體或是顯示裝置。傳統上來說,該異向性傳導膠膜只與傳導粒子的使用有關。然而,在本發明中,傳導粒子也可以熱傳導以加強熱管理。並且,對於微粒粒子的應用來說,該等粒子可以是熱傳導但卻電絕緣的粒子。以不同應用面來看,該粒子也可以是熱傳導與電傳導的粒子。因此,揭露一種用以製造ACF的方法,其中將複數傳導粒子排列為一微腔體陣列之方法包含使用一流體粒子分佈過程來捕捉每一電傳導粒子到一單一微腔體中的步驟。在一較佳實施例中,該方法更包含使用一捲軸式連續方法來執行上述將複數電傳導粒子排列為一微腔體陣列,接著轉移該等電傳導粒子至一黏著層的步驟。在另一較佳實施例中,該方法更包含在將該複數電傳導粒子排列於一微腔體陣列之步驟前,施用一模壓、雷射消熔或是光蝕刻方法的步驟。在另一較佳實施例中,施用該模壓、雷射消熔或是光蝕刻方法在一微腔體形成層的一步驟是在將複數傳導粒子排列為一微腔體陣列之步驟前。在另一較佳實施例中,該方法更包含施用塗佈有一離型層的一微腔體陣列的一步驟。該離型層可以選自包含氟化高分子或是寡聚物、矽油、氟化矽、聚烯類、蠟、聚環氧乙烯、聚環氧、具有長鏈疏水阻障或是分枝的介面活性劑、或是其共聚物或混合物的表列。該離型層可以應用在該微腔體陣列,藉由包含塗佈、印刷、噴灑、蒸氣沉積、電漿聚合或是交聯等方法,但不限制於其所述。在另一較佳實施例中,該方法更包含施用微腔體陣列的一緊密迴圈的一步驟。在另一較佳實施例中,該方法更包含施用一清理裝置以在該粒子轉移步驟後得以從該微腔體陣列除去殘留的黏著物質或是粒子。在一不同實施例中,該方法更包含在該粒子填充步驟前,使用一離型層至該微腔體陣列的一步驟。
本發明更揭露一種異向性傳導膠膜,該異向性傳導膠膜包含一傳導粒子陣列或是微腔體陣列,其是設置在兩基板膠膜間的黏著物質中的預定位置。該基板可以是一傳導或絕緣材料。該基板只能支撐黏著層/傳導粒子或是微腔體陣列,並且當該ACF與其他裝置連接後,該基板隨即被移除。在一較佳實施例中,該微腔體實質上具有相同的尺寸與形狀。或者,該ACF包含填充有一可變形材料的一微腔體陣列,每一可變形材料外更為一傳導外殼所包圍,該傳導外殼設置於一上方基板膠膜與下方基板膠膜之間。依據該ACF特定的應用,該核心材料可以是傳導或非傳導。
在一特定實施例中,本發明更揭露一種組裝一電子裝置的方法。該方法包含將複數電傳導粒子排列為一微腔體陣列,該等電傳導粒子包含一電傳導外殼與一核心材料,接著再將一黏著層過度覆蓋或層合至該經填充的微腔體上。在一較佳實施例中,將複數傳導粒子排列為一微腔體陣列之步驟包含使用一流體粒子分佈過程以捕捉每一個傳導粒子至單一個微腔體中。在另一較佳實施例中,該方法更包含沉積或塗佈一電傳導層在微腔體陣列的選擇性區域上,接著以一可變形組成填充該經塗佈的微腔體,且在該微腔體的外緣再形成一傳導層。在一較佳實施例中,上方傳導層外殼與該微腔體上的傳導層電連接。在另一較佳實施例中,該選擇性區域更包含該微腔體的一外緣區域。在一較佳實施例中,該外緣區域為該微腔體陣列上表面的一區域並且從該微腔體的邊緣延伸。在另一較佳實施例中,該外緣係從該微腔體邊緣延伸0.05-20微毫米。在另一較佳實施例中,該外緣係從該微腔體邊緣延伸0.1-5微毫米。在另一較佳實施例中,該傳導層藉由蒸氣沉積、噴灑、電鍍、化鍍、電沉積或濕塗佈所沉積或塗佈。在本發明另一實施例中,該傳導層可以由一金屬、金屬合金、金屬氧化物、碳或石墨所形成。在另一較佳實施例中,該金屬為金、鉑、銀、銅、鐵、鎳、鈷、錫、鉻、鋁、鉛、鎂與鋅。在另一較佳實施例中,該金屬氧化物為銦錫氧化物或是銦鋅氧化物。在另一較佳實施例中,該電傳導層為碳奈米管。在另一較佳實施例中,該電傳導層包含具有不同金屬的複合層或是互相貫穿層。在另一較佳實施例中,該可變形組成包含一聚合材料。在另一較佳實施例中,該聚合材料係選自包含聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚乙烯、環氧樹脂、聚酯、聚醚、聚氨酯、聚醯胺、苯酚、聚氧代氮代苯并環己烷、聚雙烯烴、聚烯類、其共聚合物或是其混合物的表列。在另一較佳實施例中,該傳導粒子的核心材料包含一聚合物與一填料。在另一較佳實施例中,該填料係選自包含奈米粒子或奈米碳管、二氧化矽、銀、銅、鎳、二氧化鈦以及黏土的表列,其較佳為該核心的填充物。在另一較佳實施例中,該填料係為一電傳導填料。在另一較佳實施例中,以該可變形材料填充一微腔體陣列之步驟中更包含以一聚合物組成填充微腔體陣列的步驟,其後再選擇性地沉積或塗佈一電傳導層在該經填充的微腔體上以形成一電傳導外殼。在另一較佳實施例中,該方法更包含應用捲軸式連續過程以執行沉積或塗佈一電傳導層在一微腔體陣列之選擇性區域的一步驟,其後再以一可變形組成填充該微腔體,並且在該微腔體外緣形成一傳導外殼。在另一較佳實施例中,沉積或塗佈一傳導層在選擇區域上的步驟係藉由選自下列步驟的方法所完成:a)透過一蔽蔭遮罩進行金屬化;或是b)塗佈一電鍍阻抗層、光蝕刻曝光、曝光該阻抗層且電鍍,特別是化鍍不具阻抗層的該等區域。該方法更包含成影像印刷一電鍍阻抗層、離型層、遮罩或是電鍍抑制層、非成影像金屬化整個表面,接著去除不要區域上的金屬。在另一較佳實施例中,在選擇區域上沉積或塗佈電傳導層是藉由選自以下步驟的方法所達成:a)透過一蔽蔭遮罩進行金屬化;b)塗佈一電鍍阻抗層、光蝕刻曝光、曝光該阻抗層與電鍍,特別是化鍍沒有阻抗層的區域;或是c)成影像印刷一電鍍阻抗層、離型層、遮蔽層或是電鍍抑制層,非成影像金屬化整個表面,接著去除不要區域上的金屬。在另一較佳實施例中,成影像印刷的過程為一選自包含以下步驟的過程:噴墨、凹版印刷、凸版印刷、平版印刷、膠版印刷、無水膠版印刷或是平版印刷、熱轉印、雷射消熔轉印印刷過程。在另一較佳實施例中,該方法更包含應用一捲軸式連續過程以形成一微腔體陣列的方法,其中形成該微腔體陣列係藉由在沉積或塗佈一傳導層在選擇區域上前,施用一模壓或平板印刷過程。在另一較佳實施例中,該模壓或是平板印刷係在一微腔體形成層上完成。在另一較佳實施例中,該等微腔體更包含一子結構,該子結構係設置於該微腔體之內。在另一較佳實施例中,該子結構可以是釘結構、凹口結構、槽結構以及結結構的形式。在另一較佳實施例中,在沉積或塗佈一電傳導層在該微腔體陣列上的選擇區域前,該子結構填充有一剛性電傳導組成。在另一較佳實施例中,該剛性電傳導組成包含一金屬、碳、石墨粒子或碳管。在另一較佳實施例中,該金屬粒子為一金屬奈米粒子。在另一較佳實施例中,該金屬粒子為一鎳奈米粒子。在另一較佳實施例中,該電傳導粒子更包含碳奈米粒子或是奈米碳管。
根據上述的說明圖示以及示範例,本發明更揭露一種非隨機陣列之ACF,該ACF包含在該黏著層相同面或反面的一組以上的微腔體。在所有的狀況下,該微腔體具有預定的尺寸和形狀。在一特定實施例,在該黏著膠膜相同面上的該微腔體在Z方向上(膜的厚度)實質上具有相同的高度。在另一實施例中,在該黏著層之相同面的微腔體具有實質上的尺寸與形狀。只要垂直方向上的高度實質上相同以確保該ACF在特定應用上的良好連接關係,該ACF在該黏著層的同一面甚至可以具有一組以上的微腔體。該微腔體可以實質上在該異向性傳導黏著膠膜的同一面。再者,一實施例揭露一具有電傳導材料填充的微腔體,該微腔體具有釘結構,該釘結構實質上指向相同方向(朝向該黏著膠膜的一面)。在另一實施例中,本發明更包含一異向性傳導黏著膠膜,其包含兩種經填充電傳導微腔體陣列,其中一陣列係在該傳導黏著層的每一面。在一特定實施例中,有兩種陣列實質上具有相同尺寸形狀以及組態的微腔體。在另一較佳實施例中,有兩種陣列具有不同尺寸、形狀與組態的微腔體。在另一較佳實施例中,有兩種排列成鋸齒狀的陣列,以確保任何水平位置上的Z方向(厚度方向)只有一個經填充的微腔體。
除了上述實施例,本發明更揭露一種具有和本發明ACF連接之電子部件的電子裝置,其中根據任何上述的處理方法或其組合的排列,該ACF具有非隨機傳導粒子陣列。在一特定實施例中,該電子裝置包含一顯示裝置。在另一較佳實施例中,該電子裝置包含一半導體晶片。在另一實施例中,該電子裝置包含一具有印刷導線的印刷電路板。在另一較佳實施例中,該電子裝置包含一具有印刷導線的軟性印刷電路板。
然而,必須說明的是,上述實施例僅用以說明本發明之較佳實施方式,然而本發明之範圍當不受限於上述之各項具體實施方式;且本發明得由熟悉技藝之人任施匠思而為諸般修飾,然不脫如附申請範圍所欲保護者。
100,100’,100”,200,350...ACF
110...複數傳導粒子
120...黏著劑
125,360,420...複數微腔體
130...下基板
140...上基板
150...第一階段
160...第二階段
170...第三階段
180...層和平台
190...暫時載體介面
230,370...金屬外殼
220T...上方金屬殼
220B...下方金屬殼
225...核心材料
225-B...凸塊
245,385...上基板
250,390...下基板
240U,240L,380...黏著層
235,375...底部釘結構
235-C...釘腔
230-S...外緣處
310...上方軟性電路板或上方晶粒軟膜接合
315...上方電極
320...下方軟性電路板或下方晶粒軟膜接合
325...下方電極
370-S...外緣覆套
450...微腔體陣列
445...基板
圖1A-1D為一典型ACF產物及其使用於電連接或晶片鍵結時的剖面示意圖;圖1E顯示傳統具有一釘結構方向隨機分佈的傳導粒子之一非隨機陣列之剖面圖;圖2A和2B為本發明(傳導粒子方法)之一非隨機陣列之ACF的俯視和側視示意圖;圖2C、2D、2E和2F為本發明其他非隨機陣列之ACF的示意圖;圖3為根據本發明第二目的之傳導粒子流體化集聚至一微腔體陣列的流程式意圖;圖4為將流體化集聚的傳導粒子轉移至一第二介面的流程式意圖,該第二介面較佳為預先塗佈有一黏著層;圖5A、5B、5C和5D顯示本發明另一非隨機陣列之ACF的剖面示意圖(未放大);圖6A-1、6B-1和6C-1分別顯示製備微腔體6A-2、6B-2與6C-2的一些典型鑄模之3D示意圖。所有鑄模與其相應微腔體陣列皆有預定且實質上明確定義的組態、形狀與尺寸;圖6D顯示數個具有不同形狀(半橢圓形、方形、正方形六角形柱行等等)和結構(釘結構、節結構、凹口結構、楔子結構、槽結構)的微腔體示意圖(未放大);圖7A和7B顯示在鍵結後本發明之一變形傳導粒子或經填充的微腔體之示意圖(未放大)以改善連接可靠度;圖8A、8B和8C顯示具有子結構的經填充的傳導微腔體陣列的一剖面示意圖,該子結構例如為釘結構、節結構、凹口結構、楔子結構、槽結構等等,所有的子結構實質上指向下方並且可以很輕鬆以壓模壓印或是光蝕刻來製造;圖9顯示本發明一ACF的一組態示意圖(未放大),其包含兩種經填充傳導微腔體的非隨機陣列、面對面層合以形成一夾層結構例如基板-1/非隨機陣列微腔體-1/黏著劑/非隨機陣列微腔體-2/基板-2;圖10A為一具有釘子結構的微腔體陣列示意圖;以及圖10B為本發明第八目的之方法的流程式意圖,其包含(a)選擇性金屬化該微腔體表面,該微腔體包含沿著該微腔體的突出部分所劃分的部分上表面區域;(b)以一填充物填充該微腔體該填充物較佳為高分子填充物並且移除或剝去該填充物的超出區域;(c)選擇性金屬化該經填充的微腔體之表面該微腔體,較佳為包含沿著該微腔體的突出部分所劃分的部分上表面區域;以及(d)以選擇性具有一第二基板的黏著劑過度覆蓋或層合該經填充傳導微腔體陣列。
100’...ACF
110...複數傳導粒子
120...黏著劑
125...複數微腔體
130...下基板
140...上基板
150...第一階段
160...第二階段
170...第三階段

Claims (73)

  1. 一種組裝電子裝置的方法,包含:將複數傳導粒子排列於一微腔體陣列中,接著,將該等傳導粒子從該微腔體轉移至一黏著層,用以將該傳導粒子配置於該黏著層上的預定位置,其中該複數傳導粒子係藉由施用一流體粒子分佈與捕捉方法排列於該微腔體陣列中;以至少相鄰傳導粒子間之一非傳導的距離來排列該等傳導粒子來將該電子裝置組裝為一異向性傳導膠膜,並且,設置一第一基板於該黏著層上;於該黏著層上之該第一基板的相反處設置一第二基板;以及使用具有一黏著力之該等基板的其中之一來設置該第一與第二基板,該基板相對於該黏著層的黏著力顯著地大於其他基板。
  2. 如申請專利範圍第1項的方法,其中該等傳導粒子實質上具有相同的尺寸與形狀。
  3. 如申請專利範圍第1項的方法,其中將複數傳導粒子排列於一微腔體陣列中之步驟中更包含一步驟:應用一粒子分佈方法,用以捕捉該等傳導粒子中的每一個傳導粒子至單一個微腔體中。
  4. 如申請專利範圍第1項的方法,其中將複數傳導粒子排列於一微腔體陣列中之步驟中更包含一步驟: 應用一粒子分佈方法;用以實質上捕捉該等傳導粒子的其中之一至每一個微腔體中。
  5. 如申請專利範圍第1項的方法,其中該粒子分佈方法包含一塗佈、印刷以及流體填充方法的其中之一。
  6. 如申請專利範圍第1項的方法,更包含:使用一捲軸式連續方法以執行上述將複數傳導粒子排列於一微腔體陣列中,接著,將該等傳導粒子從該微腔體轉移至一黏著層。
  7. 如申請專利範圍第1項的方法,更包含:在上述將複數傳導粒子排列於一微腔體陣列中之步驟前,藉由一模壓、一雷射消熔以及光蝕刻方法的其中之一來使用一捲軸式連續方法以形成該微腔體陣列。
  8. 如申請專利範圍第1項的方法,更包含:在上述將複數傳導粒子排列於一微腔體陣列中之步驟前,藉由在一微腔體形成層上的一模壓、一雷射消熔以及一光蝕刻方法的其中之一來使用一捲軸式連續方法以形成該微腔體陣列。
  9. 如申請專利範圍第1項的方法,更包含:以至少相鄰傳導粒子間之一非傳導的距離來排列該等傳導粒子來將該電子裝置組裝為一異向性傳導裝置。
  10. 如申請專利範圍第1項的方法,更包含: 使用具有一黏著強度的離形膜來設置該第一基板與第二基板,該離型膜對於該黏著層的黏著強度小於該黏著層本身的內聚力強度。
  11. 一種根據申請專利範圍第1項的方法所製備的一異向性傳導膠膜,該異向性傳導膠膜包含:複數傳導粒子,其係以一非隨機陣列的方式設置於一黏著層其中或其上的預定位置。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之異向性傳導膠膜,其中該預定位置係根據一微腔體陣列而排列,用以將該等傳導粒子轉移到該黏著層中。
  13. 一異向性傳導膠膜,包含:複數傳導粒子,其係以一非隨機陣列的方式設置於一黏著層其中或其上的預定的非隨機粒子位置,其中該非隨機粒子位置係相對於一微腔體陣列中複數預定的微腔體位置,用以攜帶並轉移該等傳導粒子至該黏著層;設置在該黏著層上的一第一基板;設置於該黏著層上與第一基板相反處的一第二基板;其中該第一與第二基板的其中之一相對於該黏著層具有一黏著力,該黏著力顯著地高於其他基板。
  14. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中部分該等傳導粒子係嵌入該黏著層。
  15. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中部分該等傳導粒子係嵌入該黏著層。
  16. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該黏著陣列更包含複數微腔體以及每一腔體在每一個微腔體中的該預定位置實質上只含有該等傳導粒子中的一個。
  17. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該黏著陣列更包含複數微腔體用以將該等傳導粒子設置在該等微腔體中的每一個微腔體之該預定位置。
  18. 如申請專利範圍第17項的異向性傳導膠膜,其中該等傳導粒子為包含一傳導外殼與一聚合物核心的可變形粒子。
  19. 如申請專利範圍第17項的異向性傳導膠膜,其中該異向性傳導膠膜係藉由將該傳導粒子流體填充至該等微腔體中而形成。
  20. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該黏著陣列更包含複數微腔體,用以將該等傳導粒子設置在該等微腔體中的每一微腔體之該預定位置,該等微腔體係藉由一模壓、一雷射消熔以及一光蝕刻方法的其中之一所形成。
  21. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該等傳導粒子係以相鄰傳導粒子之一非傳導的距離而設置。
  22. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該第一與第二基板對於該黏著層具有一黏著強度,該黏著強度小於該黏著層的內聚力強度。
  23. 如申請專利範圍第22項的異向性傳導膠膜,其中該等基板更包含介於該基板與該黏著層之間的一離型層。
  24. 如申請專利範圍第22項的異向性傳導膠膜,其中至少該等基板的其中之一包含有相對該黏著層的一離型層。
  25. 如申請專利範圍第22項的異向性傳導膠膜,更包含介於該等基板的至少一基板與該黏著層之間的一離型層。
  26. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該傳導粒子更包含一傳導外殼與一核心材料。
  27. 如申請專利範圍第26項的異向性傳導膠膜,其中該核心材料包含一聚合物,該聚合物選自由聚苯乙烯(polystyrene)、聚丙烯酸酯(polyacrylates)、聚甲基丙烯酸酯(polymethacrylates)、聚乙烯(polyvinyls)、環氧樹脂(epoxy resins)、聚酯(polyesters)、聚醚(polyethers)、聚氨酯(polyurethanes)、聚醯胺(polyamides)、苯酚(phenolics)、聚雙烯烴(polydienes)、聚烯類(polyolefins)、苯呱胺美耐敏(benzoquanamines)、胺甲醛(amine-formaldehydes)、其共聚合物以及其混合物所組成的材料表列之其中之一。
  28. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該傳導粒子更包含具有一填料的一聚合物核心材料組成。
  29. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該填料包含選自由奈米粒子、奈米碳管、銀、金、銅、鐵、鈷、錫、鉻、鋅、鋁、鉛、鎂、鎳、矽以及二氧化鈦所組成的材料表列之其 中之一。
  30. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該傳導材料更包含具有一黏土材料的一核心材料組成。
  31. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該傳導粒子更包含具有一填料的核心材料組成,其中該填料包含一強磁鐵。
  32. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該傳導粒子更包含具有一填料的核心材料組成,其中該填料包含一電傳導材料。
  33. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中該等電傳導粒子具有1到100微毫米之間的一直徑範圍。
  34. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該等電傳導粒子具有1到100微毫米之間的一直徑範圍。
  35. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中該等電傳導粒子具有2到10微毫米之間的一直徑範圍。
  36. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該等電傳導粒子具有2到10微毫米之間的一直徑範圍。
  37. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中該電傳導粒子具有小於10%標準偏差的一直徑。
  38. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該電傳導粒子具有小於10%標準偏差的一直徑。
  39. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中該電傳導粒 子具有小於5%標準偏差的一直徑。
  40. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該電傳導粒子具有小於5%標準偏差的一直徑。
  41. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中該電傳導粒子具有小於3%標準偏差的一直徑。
  42. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該電傳導粒子具有小於3%標準備差的一直徑。
  43. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含一熱塑性塑膠、熱固性塑膠以及其前驅物的其中之一。
  44. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含一熱塑性塑膠、熱固性塑膠以及其前驅物的其中之一。
  45. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含敏壓黏著物、熱融黏著物、熱固化黏著物以及輻射固化黏著物的其中之一。
  46. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含敏壓黏著物、熱融黏著物、熱固化黏著物以及輻射固化黏著物的其中之一。
  47. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含環氧化物(epoxide)、聚氨酯(polyurethane)、氰酸酯(cyanate esters)、丙烯酸脂類(acrylics)、丙烯酸脂(acrylates)、甲基丙烯酸酯(methacrylates)、聚乙烯基高分子(vinyl polymers)、橡膠, 例如聚(苯乙烯-共-丁烯)(poly(styrene-co-butadiene))與其塊體共聚合物(block copolymers)、聚烯類(polyolefines)、聚酯類(polyesters)、未飽和聚酯類(unsaturated polyesters)、乙烯基酯(vinyl esters)、聚己內酯多元醇(polycaprolactone)、聚醚(polyethers)以及聚醯胺(polyamides)的其中之一。
  48. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含環氧化物(epoxide)、聚氨酯(polyurethane)、氰酸酯(cyanate esters)、丙烯酸脂類(acrylics)、丙烯酸脂(acrylates)、甲基丙烯酸酯(methacrylates)、聚乙烯基高分子(vinyl polymers)、橡膠,例如聚(苯乙烯-共-丁烯)(poly(styrene-co-butadiene))以及其塊體共聚合物(block copolymers)、聚烯類(polyolefines)、聚酯類(polyesters)、未飽和聚酯類(unsaturated polyesters)、乙烯基酯(vinyl esters)、聚己內酯多元醇(polycaprolactone)、聚醚(polyethers)與聚醯胺(polyamides)的其中之一。
  49. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含環氧化物、氰酸酯與多功能丙烯酸脂的其中之一。
  50. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含環氧化物、氰酸酯與多功能丙烯酸脂的其中之一。
  51. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含一催化劑與一固化劑的其中之一。
  52. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含 一催化劑與一固化劑的其中之一。
  53. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含一潛在固化劑,該潛在固化劑可藉由加熱、輻射、加壓或是其組合所活化。
  54. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含一潛在固化劑,該潛在固化劑可藉由加熱、輻射、加壓或是其組合所活化。
  55. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含一環氧化物與一固化劑,該固化劑係選自包含雙氰胺(dicyanodiamide,DICY)、已二酸二酰肼(adipic dihydrazide)、2-甲基咪唑(2-methylimidazole)與其膠囊化產物,例如在液態雙酚A環氧中的Novacure HX分散劑、例如乙烯二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、三氟化硼胺類加成物(BF3 amine adduct)、Amicure®(Ajinomoto Co.,Inc)等胺類、例如二胺二苯碸(diaminodiphenylsulphone)與對羥苯基苄基甲基三苯硫化六氟銻(p-hydroxyphenyl benzyl methyl sulphonium hexafluoroantimonate)等硫鹽(sulfonium salts)的表列其中之一。
  56. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含一環氧化物與一固化劑,該固化劑係選自包含雙氰胺(dicyanodiamide,DICY)、已二酸二酰肼(adipic dihydrazide)、2-甲基咪唑(2-methylimidazole)與其膠囊化產物,例如在液態雙酚 A環氧中的Novacure HX分散劑、例如乙烯二胺、二乙烯三胺、三乙烯四胺、三氟化硼胺類加成物(BF3 amine adduct)、Amicure®(Ajinomoto Co.,Inc)等胺類、例如二胺二苯碸(diaminodiphenylsulphone)與對羥苯基苄基甲基三苯硫化六氟銻(p-hydroxyphenyl benzyl methyl sulphonium hexafluoroantimonate)等硫鹽(sulfonium salts)的表列其中之一。
  57. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含一多功能丙烯酸、多功能丙烯酸甲酯、多功能丙烯、多功能乙烯、多功能乙烯聚酯、一光起始劑與一熱起始劑的其中之一。
  58. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層包含一多功能丙烯酸、多功能丙烯酸甲酯、多功能丙烯、多功能乙烯、多功能乙烯聚酯、一光起始劑與一熱起始劑的其中之一。
  59. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層更包含一偶合劑。
  60. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層更包含一偶合劑。
  61. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層更包含一烷氧偶合劑。
  62. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層更包含一烷氧偶合劑。
  63. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中黏著層更包 含一烷氧偶合劑,該烷氧偶合劑為由γ-缩水甘油醚氧三甲氧基甲矽烷(gamma-glycidoxypropyl trimethoxysilane)與3-氨基丙基三甲氧基甲矽烷(3-aminopropyl trimethxysilane)所組成的其中之一。
  64. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中黏著層更包含一烷氧偶合劑,該烷氧偶合劑由γ-缩水甘油醚氧三甲氧基甲矽烷與3-氨基丙基三甲氧基甲矽烷所組成的其中之一。
  65. 如申請專利範圍第11項的異向性傳導膠膜,其中該等傳導粒子實質上具有相同尺寸與形狀。
  66. 如申請專利範圍第13項的異向性傳導膠膜,其中該等傳導粒子實質上具有相同尺寸與形狀。
  67. 如申請專利範圍第19項的異向性傳導膠膜,其中該流體填充更包含塗佈與印刷其中之一。
  68. 如申請專利範圍第19項的異向性傳導膠膜,其中該流體填充更包含選自由擠壓型塗佈、狹縫式塗佈、凹版印刷塗佈、刮刀片、棒是塗佈、簾式塗佈、噴霧塗佈、轉印塗佈、浸泡塗佈、注入塗佈以及滾軸塗佈的群組之一塗佈方法。
  69. 如申請專利範圍第19項的異向性傳導膠膜,其中該流體填充更包含選自由噴墨印刷、平版印刷、凹版印刷、文字印刷、彈性印刷以及轉印印刷所組成群組的一印刷方法。
  70. 如申請專利範圍第1項的方法,其中將該複數傳導粒子排列於 一微腔體陣列中之該步驟更包含選自塗佈、印刷、噴灑以及平版轉印其中之一的一步驟。
  71. 如申請專利範圍第1項的方法,其中將該複數傳導粒子排列在一微腔體陣列中之該步驟更包含塗佈或印刷一載體介面的一步驟,該微腔體陣列係設置於其上。
  72. 如申請專利範圍第71項的方法,其中該塗佈更包含擠壓型塗佈、狹縫式塗佈、凹版印刷塗佈、刮刀片、棒式塗佈、簾式塗佈、噴霧塗佈、轉印塗佈、浸泡塗佈與注入塗佈的其中之一。
  73. 如申請專利範圍第71項的方法,其中該印刷包含噴墨、凹版印刷、凸版印刷、平版印刷、無水平版印刷或光蝕刻、熱轉印與雷射消熔轉印印刷方法的其中之一。
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