JP4880533B2 - 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体 - Google Patents

Description

本発明は、ＩＣチップ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）における液晶パネル（ＬＣＤパネル）等の電子部品と基板や、基板同士を電気的かつ機械的に接続可能な異方性導電膜及びその効率的な製造方法、並びに該異方性導電膜を用いた、電子部品と基板等との接合体に関する。

従来より、電子部品と回路基板等とを接続する手段として、異方導電性接着フィルム（ＡＣＦ；Anisotropic Conductive Film）が用いられている。この異方導電性接着フィルムは、例えば、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）やＩＣチップの端子と、ＬＣＤパネルのガラス基板上に形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）電極とを接続する場合を始めとして、種々の端子同士を接着すると共に電気的に接続する場合に用いられている。

前記異方導電性接着フィルムとしては、一般に、エポキシ樹脂系の絶縁性接着剤層中に導電性粒子を分散させた単層構造のものが使用されており、例えば、ＩＣチップの端子とガラス基板におけるＩＴＯ電極との間に、導電性粒子が挟まれて潰されることにより、前記ＩＣチップの端子と前記ＩＴＯ電極との電気的接続が実現されている。
近年、電子機器の小型化及び高機能化により、接続端子のファインピッチ化に伴う接続端子の接続面積が減少しているが、端子面積が狭くなっても、高い導通信頼性の確保が求められている。
しかし、前記単層構造の異方導電性接着フィルムでは、接続時の熱圧着により、絶縁性接着剤と共に導電性粒子が流動してしまうという問題があり、電気的接続を確実に行うためには、接続後に端子上に載っている導電性粒子の個数を一定以上にすることが必要となり、絶縁性接着剤中に含有させる導電性粒子の個数を増大させなければならなかった。

これに対し、同一組成の絶縁性接着剤で、導電性粒子を分散させた層（ＡＣＦ）と分散させない層（ＮＣＦ；Non Conductive Film）との二層構造としたものや、導電性粒子を分散させた絶縁性接着剤層と、その絶縁性接着剤と組成の一部を変えた絶縁性接着剤からなる層との二層構造のものが提案されている。これらの異方導電性接着フィルムを用いると、ＩＣチップの端子が、導電性粒子を含まない層に入り込み、更に導電性粒子が分散された層にて導電性粒子を挟み込んでＩＴＯ電極と電気的に接続される。このため、ＩＣチップの端子間に流入する導電性粒子数が減少し、前記単層構造のものに比して、導電性粒子が少量であっても、接続端子に載る導電性粒子の割合（粒子捕捉率）を向上させることができる。

しかしながら、端子の狭ピッチ化が加速的に進んでいる今日では、前記二層構造の異方導電性接着フィルムを使用すると、接続時の熱圧着により、絶縁性接着剤と共に流動した導電性粒子が、ＩＣチップの周囲に移動し、端子間スペースに流入してショートが生じるという問題があった。また、前記粒子捕捉率の確保という点でも、不充分であった。このため、接続時の導電性粒子の移動を抑制可能な技術の開発が望まれていた。

そこで、例えば、絶縁性のバインダとして光硬化性樹脂を用い、該光硬化性樹脂中に導電性粒子を単層で分散配置させた状態にて、紫外線を照射することにより、バインダ中に導電性粒子を固定した異方導電性接着フィルムが提案されている（特許文献１参照）。この場合、導電性粒子がバインダ中に固定されているので、端子と電極との接続時に、導電性粒子が流動することがなく、ショートの発生を抑制すると共に、高い粒子捕捉率を確保することができる。しかし、前記特許文献１に記載の異方導電性接着フィルムでは、導電性粒子を含む層（導電性粒子層）が完全に硬化されているので、ＩＣチップとガラス基板とを機械的に接着するためには、接着性を有する２つの絶縁性樹脂層で、前記導電性粒子層を挟み込んだ三層構造に形成することが必要となり、二層構造のものに比して、製造工程数が増加してしまい、生産性が低下するという問題があるほか、通常のロールコーターやコンマコーターを用いて、精度よく５μｍ以下の厚みで導電性粒子層を形成するのは困難である。

また、例えば、絶縁性接着剤層と、導電性粒子が単層に埋め込まれて形成された絶縁性バインダ層とからなる二層構造の異方導電性接着フィルムであって、絶縁性バインダ層が活性光線によって硬化するが、使用前は未硬化状態で粘着性を示すものが提案されている（特許文献２参照）。この場合、導電性粒子が含まれている層が、粘着性を示すため、二層構造で、ＩＣチップとガラス基板とを機械的に接続することができる。しかし、これらを仮圧着した後に、活性光線を照射することにより導電性粒子をバインダ中に固定させることが必要であるため、ユーザー側で、活性光線を照射するための新たな装置の導入と、熱及び光照射の条件等の制御とを行わなければならず、使用に際してユーザー側での負担が増大し、利便性が低下するという問題がある。

したがって、電子部品と基板等との接続の際に、導電性粒子の流動を抑制してショートの発生を防止すると共に、高い粒子捕捉率を確保することにより、優れた導通信頼性を得ることができ、しかも容易に使用可能な二層構造の異方性導電フィルムは、未だ提供されていないのが現状である。

特開２００１−５２７７８号公報 特開２００３−６４３２４号公報

本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、電子部品と基板等との接続の際に、導電性粒子の流動を抑制してショートの発生を防止すると共に、高い粒子捕捉率を確保することにより、優れた導通信頼性を得ることができ、しかも容易に使用可能な二層構造の異方性導電膜及びその効率的な製造方法、並びに、該異方性導電膜を用い、粒子捕捉率が高く優れた導通信頼性を有する、電子部品と基板等との接合体を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 絶縁性樹脂組成物で形成された絶縁層と、
光及び熱硬化性樹脂組成物、並びに導電性粒子を含み、前記導電性粒子が前記絶縁層側の界面に単層配列してなる導電性粒子含有層と、を有してなり、
前記導電性粒子含有層の厚み方向において、前記導電性粒子の存在する側から前記導電性粒子が存在しない側にかけて、硬化度が漸次低くなっていることを特徴とする異方性導電膜である。
該＜１＞に記載の異方性導電膜においては、前記導電性粒子含有層の厚み方向において、前記導電性粒子の存在する側から前記導電性粒子が存在しない側にかけて、硬化度が漸次低くなっている、即ち、前記導電性粒子が存在する側では前記硬化度が高く、前記導電性粒子が存在しない側に向かうにつれて前記硬化度が徐々に低くなり、前記硬化度が傾斜している。
このため、前記硬化度の高い領域では、前記導電性粒子が、前記絶縁層側の界面に単層配列した状態で固定されており、本発明の前記異方性導電膜を、電子部品と基板等との接合に用いると、これらの圧着時に前記導電性粒子が流動することなく、高い粒子捕捉率で端子に捕捉され、優れた導通信頼性が得られ、端子の狭ピッチ化に充分対応することができる。また、前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子の存在しない側は、硬化度が低い状態乃至未硬化状態であるので、前記光及び熱硬化性樹脂組成物が接着性を有し、前記基板等と容易に圧着することができ、本発明の前記異方性導電膜は、二層構造でありながら、従来の三層構造の異方性導電膜と同様の機能を有する点で、使用の利便性が高い。

＜２＞ 導電性粒子含有層に、導電性粒子が存在する面側から硬化用光が照射されて得られる前記＜１＞に記載の異方性導電膜である。
＜３＞ 硬化用光の照射が、導電性粒子含有層における導電性粒子が存在しない側の表面を酸素と接触させた状態、及び前記導電性粒子含有層に硬化用光吸収材を添加した状態の少なくともいずれかにより行われる前記＜２＞に記載の異方性導電膜である。
＜４＞ 光及び熱硬化性樹脂組成物に、光重合開始剤を含む前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の異方性導電膜である。
＜５＞ 光及び熱硬化性樹脂組成物に、熱硬化性開始剤を含む前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の異方性導電膜である。
＜６＞ 光及び熱硬化性樹脂組成物に、（メタ）アクリル系モノマーを含み、絶縁性樹脂組成物に、エポキシ樹脂を含む前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の異方性導電膜である。

＜７＞ 光及び熱硬化性樹脂組成物を含む層における一方の面側に導電性粒子を単層配列させ、前記一方の面側から硬化用光を照射することにより導電性粒子含有層を形成する導電性粒子含有層形成工程と、
前記導電性粒子含有層における前記一方の面に、絶縁性樹脂組成物で形成された絶縁層を積層する絶縁層積層工程と、を少なくとも含むことを特徴とする異方性導電膜の製造方法である。
該＜７＞に記載の異方性導電膜の製造方法では、前記導電性粒子含有層形成工程において、前記光及び熱硬化性樹脂組成物を含む層における一方の面側に前記導電性粒子が単層配列され、前記一方の面側から前記硬化用光が照射されることにより前記導電性粒子含有層が形成される。前記絶縁層積層工程において、前記導電性粒子含有層における前記一方の面に、前記絶縁性樹脂組成物で形成された前記絶縁層が積層される。その結果、異方性導電膜が効率よく製造される。
＜８＞ 硬化用光の照射が、導電性粒子含有層における導電性粒子が存在しない側の表面を酸素と接触させた状態、及び前記導電性粒子含有層に硬化用光吸収材を添加した状態の少なくともいずれかにより行われる前記＜７＞に記載の異方性導電膜の製造方法である。
＜９＞ 光及び熱硬化性樹脂組成物に、光重合開始剤を含む前記＜７＞から＜８＞のいずれかに記載の異方性導電膜の製造方法である。
＜１０＞ 光及び熱硬化性樹脂組成物に、熱硬化性開始剤を含む前記＜７＞から＜９＞のいずれかに記載の異方性導電膜の製造方法である。
＜１１＞ 光及び熱硬化性樹脂組成物に、（メタ）アクリル系モノマーを含み、絶縁性樹脂組成物に、エポキシ樹脂を含む前記＜７＞から＜１０＞のいずれかに記載の異方性導電膜の製造方法である。

＜１２＞ 前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の異方性導電膜を介して、電子部品及び基板から選択される２種以上が電気的に接合されてなることを特徴とする接合体である。
該＜１２＞に記載の接合体においては、本発明の前記異方性導電膜を用いて、前記電子部品及び前記基板から選択される２種以上が電気的に接合されているので、前記導電性粒子の粒子捕捉率が高く、導通信頼性に優れる。
＜１３＞ 電子部品が、ＩＣチップ及び液晶パネルから選択され、基板が、ＩＴＯガラス基板、フレキシブル基板、リジッド基板及びフレキシブルプリント基板から選択される前記＜１２＞に記載の接合体である。
＜１４＞ 電子部品及び基板から選択される２種以上の接合部分における導電性粒子の粒子捕捉率が、８０％以上である前記＜１２＞から＜１３＞のいずれかに記載の接合体である。

本発明によると、従来における前記諸問題を解決でき、電子部品と基板等との接続の際に、導電性粒子の流動を抑制してショートの発生を防止すると共に、高い粒子捕捉率を確保することにより、優れた導通信頼性を得ることができ、しかも容易に使用可能な二層構造の異方性導電膜及びその効率的な製造方法、並びに、該異方性導電膜を用い、粒子捕捉率が高く優れた導通信頼性を有する、電子部品と基板等との接合体を提供することができる。

（異方性導電膜）
本発明の異方性導電膜は、絶縁層と、導電性粒子含有層とを少なくとも有してなり、ベースフィルムを有していてもよく、更にその他の層を有していてもよい。

ここで、本発明の異方性導電膜の一例を、図面を用いて説明する。図１は、本発明の異方性導電膜の一例を示す模式断面図である。
図１に示すように、本発明の異方性導電膜は、導電性粒子含有層１０と、導電性粒子含有層１０上に積層された絶縁層２０とを有してなる。
絶縁層２０は、絶縁性樹脂組成物２２で形成されてなる。
導電性粒子含有層１０は、光及び熱硬化性樹脂組成物１２と導電性粒子１４とを含んでおり、導電性粒子１４は、絶縁層２０側の界面に単層配列している。また、導電性粒子含有層１０の厚み方向において、導電性粒子１４の存在する側から導電性粒子１４が存在しない側にかけて、硬化度が漸次低くなっており、即ち、硬化度が傾斜しており、硬化度の高い領域では、導電性粒子１４が絶縁層２０側の界面に単層配列した状態で固定されている。一方、導電性粒子含有層１０における導電性粒子１４が存在しない側は、硬化度が低い状態乃至未硬化状態であり、光及び熱硬化性樹脂組成物１２が接着性を有する。
なお、前記未硬化状態とは、硬化が完全に行われておらず、押圧力を付与すると、樹脂が流動性を示す状態を意味する。

〔絶縁層〕
前記絶縁層は、絶縁性樹脂組成物で形成されてなる。
−絶縁性樹脂組成物−
前記絶縁性樹脂組成物は、絶縁性樹脂を少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の成分を含んでなる。

−−絶縁性樹脂−−
前記絶縁性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、耐熱性及び信頼性が高い点で、熱硬化性樹脂が好ましく、例えば、エポキシ樹脂が好適に挙げられる。
前記エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、ハロゲン化されていてもよく、水素添加されていてもよい。また、これらのエポキシ樹脂は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

−−その他の成分−−
前記その他の成分としては、本発明の効果を害さない限り特に制限はなく、目的に応じて公知の添加剤の中から適宜選択することができるが、例えば、前記エポキシ樹脂の硬化剤（潜在性硬化剤）が好適に挙げられる。
前記潜在性硬化剤は、特定の温度にて、硬化剤の機能を発揮するものを意味し、該硬化剤としては、例えば、アミン類、フェノール類、酸無水物類、イミダゾール類、ジシアンジアミドなど、通常のエポキシ樹脂の硬化剤として使用されているものが挙げられる。更には、硬化促進剤として通常使用されている、３級アミン類、有機リン系化合物を適宜使用してもよい。

前記絶縁層の厚みとしては、特に制限はなく、後述する導電性粒子含有層の厚みとの関係で、適宜選択することができるが、５〜２０μｍが好ましく、８〜１５μｍがより好ましい。
前記厚みが、５μｍ未満であると、バンプ間における樹脂充填率が減少することがあり、２０μｍを超えると、接続不良の発生の原因となることがある。

〔導電性粒子含有層〕
前記導電性粒子含有層は、光及び熱硬化性樹脂組成物と導電性粒子とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の成分を含んでなる。

−光及び熱硬化性樹脂組成物−
前記光及び熱硬化性樹脂組成物としては、光及び熱硬化性樹脂（光及び熱により硬化する樹脂）を少なくとも含む限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

−−光及び熱硬化性樹脂−−
前記光及び熱硬化性樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、（メタ）アクリル樹脂が好適に挙げられる。
前記アクリル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス[４−（アクリロキシメトキシ）フェニル]プロパン、２，２−ビス[４−（アクリロキシエトキシ）フェニル]プロパン、ジシクロペンテニルアクリレートトリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、前記アクリレートをメタクリレートにしたものが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

また、前記光及び熱硬化性樹脂組成物は、硬化成分としての（メタ）アクリル系モノマーを含んでいるのが好ましい。
前記（メタ）アクリル系モノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレートが挙げられる。

前記光及び熱硬化性樹脂組成物は、硬化用光の照射による樹脂の硬化を促進させることができる点で、光重合開始剤を更に含んでいるのが好ましく、本発明の前記異方性導電膜を用いて電子部品等と基板等とを接合する際、加熱処理による樹脂の硬化を促進させることができる点で、熱硬化性開始剤を更に含んでいるのが好ましい。

−−光重合開始剤−−
前記光重合開始剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ベンゾインエチルエーテル、イソプロピルベンゾインエーテル等のベンゾインエーテル；ベンジルヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のベンジルケタール；ベンゾフェノン、アセトフェノン等のケトン類及びその誘導体；チオキサントン類；ビスイミダゾール類；などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、これらの光重合開始剤に、必要に応じてアミン類、イオウ化合物、リン化合物等の増感剤を任意の比で添加してもよい。

前記光重合開始剤の添加量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記光及び熱硬化性樹脂１００質量部に対して、０．１〜５質量部が好ましい。
前記添加量が、０．１質量部未満であると、硬化不良を招くことがあり、５質量部を超えると、接着力の低下を招くことがある。

−−熱硬化性開始剤−−
前記熱硬化性開始剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ジアシルパーオキサイド類、パーオキシジカーボネート類、パーオキシエステル、パーオキシケタール類、ジアルキルパーオキサイド類、ハイドロパーオキサイド類、シリルパーオキサイド類などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

前記ジアシルパーオキサイド類としては、例えば、イソブチルパーオキサイド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシニックパーオキサイド、ベンゾイルパーオキシトルエン、ベンゾイルパーオキサイドなどが挙げられる。
前記パーオキシジカーボネート類としては、例えば、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシメトキシパーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシルパーオキシ）ジカーボネート、ジメトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチルパーオキシ）ジカーボネートなどが挙げられる。
前記パーオキシエステル類としては、例えば、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシノエデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、２，５−ジメチル−２，５−ジ−(２−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノネート、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｍ−トルオイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシアセテートなどが挙げられる。
前記パーオキシケタール類としては、例えば、１，１−ビス（t−ヘキシルパーオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（t−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（t−ブチルパーオキシ)−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−（t−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）デカンなどが挙げられる。

前記ジアルキルパーオキサイド類としては、例えば、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイドなどが挙げられる。
前記ハイドロパーオキサイド類としては、例えば、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイドなどが挙げられる。
前記シリルパーオキサイド類としては、例えば、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジメチルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリビニルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジビニルシリルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）ビニルシリルパーオキサイド、ｔ−ブチルトリアリルシリルパーオキサイド、ビス（ｔ−ブチル）ジアリルシリルパーオキサイド、トリス（ｔ−ブチル）アリルシリルパーオキサイドなどが挙げられる。

前記熱硬化性開始剤の添加量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記光及び熱硬化性樹脂１００質量部に対して、１〜１５質量部が好ましい。
前記添加量が、１質量部未満であると、硬化不良を招くことがあり、１５質量部を超えると、保存安定性の低下を招くことがある。

−導電性粒子−
前記導電性粒子としては、特に制限はなく、従来の異方性導電接着剤において用いられているものと同じ構成のものを使用することができる。例えば、半田、ニッケル等の金属粒子；金属（ニッケル、金、アルミニウム、銅等）メッキで被覆された、樹脂粒子、ガラス粒子あるいはセラミック粒子；更にこれらを絶縁被覆した粒子；などが挙げられる。これらの導電性粒子を用いると、接合する端子及び基板配線の平滑性のばらつきを吸収し、製造時のプロセスマージンを確保することができるほか、応力により接続点が離れた場合でも、導通を確保することができ、高い信頼性が得られる。
前記導電性粒子の中でも、金属被覆樹脂粒子、例えば、ニッケル金メッキ被覆樹脂粒子が好ましく、端子間に前記導電性粒子が入り込むことにより生じるショートを防止可能な点で、前記金属被覆樹脂粒子が、絶縁樹脂により被覆されてなる絶縁粒子がより好ましい。
即ち、図２に示すように、例えば、ＩＣチップとガラス基板とを接合する場合、ＩＣチップにおけるバンプと、ガラス基板におけるＩＴＯ電極との間に、前記導電性粒子を挟みこんで潰すことにより、バンプとＩＴＯ電極とを電気的に接続する。このとき、バンプの高さにばらつきがあっても、潰れた前記導電性粒子により、このばらつきを吸収することができる。一方、電気的接続に寄与しない前記導電性粒子は、バンプ間に入り込み、詰まってしまうことがある。
ここで、前記導電性粒子が、例えば、図２（Ａ）に示す構造を有するＮｉＡｕ被覆樹脂粒子である場合、最外層が金属で形成されているため、ショートが生じてしまうことがある。これに対し、図２（Ｂ）に示す構造を有する絶縁粒子である場合、バンプとＩＴＯ電極との間で潰された粒子は、最外層の絶縁コートが破れるため、バンプとＩＴＯ電極とを電気的に接続することができる。一方、電気的接続に寄与しない絶縁粒子が、バンプ間に入り込んで詰まってしまったとしても、絶縁樹脂により被覆されているので、ショートを生じることがない。このため、図２（Ｂ）に示す絶縁粒子を用いると、導電性粒子を多く配合することもでき、バンプ面積の狭小化による微小面積接続に有利である。

前記導電性粒子の平均粒径としては、例えば、体積平均粒径で、２〜１０μｍが好ましく、２〜５μｍがより好ましい。
前記平均粒径が、２μｍ未満であると、導通信頼性が低下することがあり、１０μｍを超えると、絶縁信頼性が低下することがある。

前記導電性粒子の添加量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記光及び熱硬化性樹脂１００質量部に対して、１〜１００質量部が好ましい。
前記添加量が、１質量部未満であると、導通が不充分となることがあり、１００質量部を超えると、ショートし易くなることがある。

前記導電性粒子は、前記絶縁層側の界面に単層配列していることが必要である。この場合、本発明の前記異方性導電膜を用いて、例えば、電子部品と基板とを接合する際、接合部分となる端子（バンプ）の面積が小さい場合でも、該バンプに前記導電性粒子をより多く捕捉させることができる点で、有利である。

−その他の成分−
前記その他の成分としては、本発明の効果を害さない限り特に制限はなく、目的に応じて公知の添加剤の中から適宜選択することができ、例えば、充填剤、軟化剤、促進剤、老化防止剤、着色剤、難燃剤、シランカップリング剤などが挙げられる。
前記その他の成分の添加量としては、特に制限はなく、前記光及び熱硬化性樹脂、前記光重合開始剤、前記熱硬化性開始剤、前記導電性粒子などの添加量との関係で、適宜選択することができる。

＜硬化度＞
前記導電性粒子含有層においては、その厚み方向において、前記導電性粒子の存在する側から前記導電性粒子が存在しない側にかけて、硬化度が漸次低くなっていることが必要である。即ち、前記導電性粒子が存在する側では、前記硬化度が高く、前記導電性粒子が存在しない側に向かうにつれて前記硬化度が徐々に低くなり、前記硬化度が傾斜している。
この場合、前記硬化度の高い領域では、前記導電性粒子が、前記絶縁層側の界面に単層配列した状態で固定されており、本発明の前記異方性導電膜を用いて、例えば、電子部品と基板等とを接合すると、これらの圧着時に前記導電性粒子が流動しないので、接合部分、例えば、端子（バンプ）に捕捉される前記導電性粒子の数を増加（粒子捕捉率を向上）させることができる点で、有利である。また、前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子の存在しない側は、前記硬化度が低い状態乃至未硬化状態であるので、タック性（粘着性）を有する。このため、電子部品と基板等とを接合する際、基板等との接着性を担保することができ、前記異方性導電膜の圧着時の位置ズレを防止することができる。

前記硬化度が傾斜していることは、例えば、剥離試験を行い、前記導電性粒子含有層における剥離面に、層界面が明確に存在しているかどうかを観察することにより確認することができ、前記層界面が明確に存在していない場合には、前記硬化度が傾斜しており、前記層界面が明確に存在している場合には、前記硬化度が傾斜していない（完全硬化状態であり、前記導電性粒子含有層の厚み方向において、硬化度が均一である）と判断することができる。

前記剥離試験は、図３に示すように、例えば、導電性粒子含有層１０における導電性粒子１４が存在しない側の表面に粘着テープ１６を貼り付けた後、粘着テープ１６を剥離することにより行うことができる。前記硬化度が傾斜している場合、導電性粒子含有層１０における硬化度が低い状態乃至未硬化状態である樹脂が、粘着テープ１６と共に剥離されるが、前記硬化度が、導電性粒子含有層１０の厚み方向において、漸次低くなっているため、剥離面は凹凸形状であり、層界面が明確に存在しない。一方、従来例に示すように、硬化度が傾斜していない場合、導電性粒子含有層１５と接する一の絶縁層２０の表面に粘着テープ１６を貼り付けた後、粘着テープ１６を剥離すると、導電性粒子含有層１５が完全硬化状態であるため、導電性粒子含有層１５と絶縁層２０との層界面で剥離され、絶縁層２０が粘着テープ１６側に移り、その剥離面は略平面形状であり、層界面が明確に存在する。

前記導電性粒子含有層は、前記導電性粒子が存在する面側から硬化用光を照射することにより得るのが好ましい。前記導電性粒子が存在する面側から硬化用光を照射することにより、前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子が存在する側の前記光及び熱硬化性樹脂組成物を硬化することができる。
また、前記硬化用光の照射は、前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子が存在しない側の表面を酸素と接触させた状態、及び前記導電性粒子含有層に硬化用光吸収材を添加した状態の少なくともいずれかにより行われるのが好ましい。これらの場合、前記導電性粒子含有層の厚み方向において、前記硬化度に傾斜を設けることができる。即ち、
前記酸素は、ラジカル重合反応の反応阻害物質であるため、前記導電性粒子が存在しない側の表面を酸素と接触させた状態にすることにより、前記導電性粒子が存在しない側の硬化度を低下させることができる。また、前記硬化用光吸収材は、前記硬化用光を吸収するので、前記導電性粒子が存在する面側から照射された硬化用光の透過が遮蔽され、前記導電性粒子が存在しない側の硬化度を低下させることができる。

前記硬化用光の照射の際には、前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子が存在する側の表面に、透明剥離ＰＥＴシート等の基材を貼り付けて、大気中の酸素を遮蔽するのが好ましい。この場合、前記導電性粒子が存在する側の表面は、前記ラジカル重合反応の反応阻害物質としての前記酸素と接触しないため、光硬化される。
なお、前記導電性粒子含有層に硬化用光吸収材を添加した状態にて前記硬化用光を照射する場合、前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子が存在しない側の表面は、開放系として、酸素と接触させてもよいし、前記透明剥離ＰＥＴシート等を貼り付けることにより酸素を遮蔽してもよい。

前記硬化用光としては、使用する前記光及び熱硬化性樹脂組成物の特性に応じて適宜選択することができ、例えば、紫外線、レーザー光、Ｘ線、電子線などが挙げられる。
前記光硬化用光が紫外線の場合、該紫外線の光源としては、例えば、水銀ランプ、メタルハライドランプ、無電極ランプなどが挙げられる。
前記紫外線の照射量としては、前記光源の性能に応じて適宜選択することができるが、一般的には、０．２〜２０Ｊ／ｃｍ^２の範囲で、充分に硬化させることができる。
前記硬化用光吸収材としては、前記硬化用光を吸収し、該硬化用光の透過を遮蔽する機能を有する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、カーボンなどが好適に挙げられる。

前記導電性粒子含有層の厚みとしては、特に制限はなく、前記導電性粒子の平均粒径、前記絶縁層の厚みとの関係で、適宜選択することができるが、３〜２０μｍが好ましく、４〜１０μｍがより好ましい。
前記厚みが、３μｍ未満であると、硬化度の傾斜を得難いことがあり、２０μｍを超えると、接続不良の原因となることがある。

本発明の前記異方性導電膜は、前記導電性粒子含有層及び前記絶縁層からなる積層構造を有する限り、その形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、幅が、１〜５ｍｍであり、長さが、１０〜３００ｍの長尺状であり、リールに巻かれてなるのが好ましい。この場合、搬送及び保管が容易である。
本発明の前記異方性導電膜の総厚みとしては、特に制限はなく、前記絶縁層及び前記導電性粒子含有層の厚みとの関係で、適宜選択することができるが、前記絶縁層及び前記導電性粒子含有層の積層構造部分の総厚みとしては、１０〜５０μｍが好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。
前記総厚みが、１０μｍ未満であると、バンプ間における樹脂充填率が減少することがあり、５０μｍを超えると、接続不良の発生の原因となることがある。

−使用例−
本発明の前記異方性導電膜の使用例として、例えば、液晶画面制御用ＩＣチップとＩＴＯガラス基板との接合体への適用例を、以下に図面を用いて説明する。
図４Ａに示すように、ＩＴＯガラス基板４０におけるＩＴＯ電極４２側に、異方性導電膜における導電性粒子含有層１０を接触させ、液晶画面制御用ＩＣチップ３０におけるバンプ３２側に、絶縁層２０を接触させるように、図１に示す異方性導電膜を配置して仮圧着する。そして、図４Ｂに示すように、熱及び圧力によりこれらを圧着すると、絶縁層２０における樹脂は、流動性を有するため、バンプ３２に押しのけられた状態にて熱硬化する。導電性粒子含有層１０の厚み方向において、導電性粒子１４が存在する側は、硬化度が高く、導電性粒子１４が固定されているので、導電性粒子１４が流動することなく、高い捕捉率でバンプ３２に捕捉される。一方、導電性粒子含有層１０の導電性粒子１４が存在しない側に向かって、硬化度が漸次低くなっているので、導電性粒子１４が存在しない側の樹脂は、バンプ３２からの押圧力により流動し排除され、ＩＴＯ電極４２と導電性粒子１４との接触を妨げない状態にて熱硬化する。以上により、液晶表示用ＩＣチップ３０とＩＴＯガラス基板４０との接合体が形成され、導電性粒子１４を介してバンプ３２とＩＴＯ電極４２との導通が図られる。

本発明の異方性導電膜は、前記導電性粒子含有層において、前記硬化度に傾斜が設けられているので、前記導電性粒子含有層の厚み方向において、前記導電性粒子の存在する側では、前記導電性粒子が前記絶縁層側の界面に単層配列した状態で固定されている一方、前記導電性粒子が存在しない側にかけて、前記硬化度が漸次低くなり、タック性を有する。このため、二層構造（ＮＣＦ／ＡＣＦ）でありながら、従来の三層構造（ＮＣＦ／ＡＣＦ／ＮＣＦ）の異方性導電膜と同様の機能を発揮する。しかも、本発明の前記異方性導電膜は、容易に使用することができ、電子部品と基板等との接続に用いると、接続の際に、前記導電性粒子の流動を抑制してショートの発生を防止すると共に、高い粒子捕捉率を確保することにより、優れた導通信頼性が得られる。
本発明の前記異方性導電膜は、各種電子部品等と基板、基板同士などの接合に好適に使用することができ、例えば、ＩＣタグ、ＩＣカード、メモリーカード、フラットパネルディスプレイなどの製造に好適に使用することができる。

本発明の異方性導電膜の製造方法としては、特に制限はないが、以下の本発明の異方性導電膜の製造方法により、好適に製造することができる。

（異方性導電膜の製造方法）
本発明の異方性導電膜の製造方法は、導電性粒子含有層形成工程と、絶縁層積層工程とを少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の工程を含む。

＜導電性粒子含有層形成工程＞
前記導電性粒子含有層形成工程は、光及び熱硬化性樹脂組成物を含む層における一方の面側に導電性粒子を単層配列させ、前記一方の面側から硬化用光を照射することにより導電性粒子含有層を形成する工程である。
なお、前記光及び熱硬化性樹脂組成物、前記導電性粒子、及び前記硬化用光の詳細については、上述した通りである。

前記光及び熱硬化性樹脂組成物を含む層における一方の面側に前記導電性粒子を単層配列させる方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、（１）基材上に前記導電性粒子を付与した後、例えば、板状の部材などにより、表面を均して単層配列させ、配列した前記導電性粒子を、前記光及び熱硬化性樹脂組成物を含む層に押し込む方法、（２）エアチューブを用い、一定速度で水平方向において、前記導電性粒子を前記基材上に散布し単層配列させた後、配列した前記導電性粒子を、前記光及び熱硬化性樹脂組成物を含む層に押し込む方法、（３）前記導電性粒子を含む光及び熱硬化性樹脂溶液を、バーコーター等を用いて前記基材上に塗布した後、溶剤を蒸発させる方法、などが挙げられる。これらの中でも、操作が容易で、前記導電性粒子の単層化を精度よく行うことができる点で、前記（３）の方法が好ましい。
なお、前記基材としては、その形状、構造、大きさ、厚み、材料（材質）などについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、剥離性の良好なものが好ましく、例えば、透明な剥離ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）シートなどが好適に挙げられる。

前記硬化用光の照射は、前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子が存在しない側の表面を酸素と接触させた状態、及び前記導電性粒子含有層に硬化用光吸収材を添加した状態の少なくともいずれかにより行われるのが好ましい。これらの場合、前記導電性粒子含有層の厚み方向において、前記硬化度に傾斜を設けることができる。即ち、
前記酸素は、ラジカル重合反応の反応阻害物質であるため、前記導電性粒子が存在しない側の表面を酸素と接触させた状態にすることにより、前記導電性粒子が存在しない側の硬化度を低下させることができる。また、前記硬化用光吸収材は、前記硬化用光を吸収するので、前記導電性粒子が存在する面側から照射された硬化用光の透過が遮蔽され、前記導電性粒子が存在しない側の硬化度を低下させることができる。
なお、前記硬化用光及び前記硬化用光吸収材の詳細については、上述した通りである。

前記硬化用光の照射の際には、前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子が存在する側の表面に、透明剥離ＰＥＴシート等の前記基材を貼り付けて、大気中の酸素を遮蔽するのが好ましい。この場合、前記導電性粒子が存在する側の表面は、前記ラジカル重合反応の反応阻害物質としての前記酸素と接触しないため、光硬化される。
なお、前記導電性粒子含有層に硬化用光吸収材を添加した状態にて前記硬化用光を照射する場合、前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子が存在しない側の表面は、開放系として、酸素と接触させてもよいし、前記透明剥離ＰＥＴシート等を貼り付けることにより酸素を遮蔽してもよい。

以上の工程により、前記光及び熱硬化性樹脂組成物を含む層における一方の面側に前記導電性粒子が単層配列され、前記一方の面側から前記硬化用光が照射されることにより前記導電性粒子含有層が形成される。

＜絶縁層積層工程＞
前記絶縁層積層工程は、前記導電性粒子含有層における前記一方の面（前記導電性粒子が存在する側の面）に、絶縁性樹脂組成物で形成された絶縁層を積層する工程である。

前記絶縁層の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記絶縁性樹脂組成物を含む溶液を、前記基材上に塗布する方法が挙げられる。
なお、前記絶縁性樹脂組成物の詳細、及び前記絶縁層の厚み等の諸物性については、上述した通りである。
前記絶縁層の前記導電性粒子含有層への積層方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記導電性粒子含有層上に前記絶縁層をラミネートする方法が挙げられる。

以上の工程により、前記導電性粒子含有層における前記一方の面に、前記絶縁性樹脂組成物で形成された前記絶縁層が積層される。

以上により、前記絶縁層及び前記導電性粒子含有層からなる二層構造の異方性導電膜が得られる。
本発明の異方性導電膜の製造方法によれば、二層構造の異方性導電膜の製造ラインを使用することができ、従来の三層構造の異方性導電膜の製造に比して、層形成の工程数を削減することができ、効率的である。しかも従来の三層構造の異方性導電膜では、ＡＣＦ層の厚みを５μｍ以下に形成することが必要であり、精度よく均一な塗布厚を得ることが困難であったが、本発明では、ＡＣＦ層及びＮＣＦ層を一体化させた前記導電性粒子含有層を形成すれば足りるので、薄い塗布厚を確保する必要がなく、通常の塗布機を使用しても容易に製造することができる。このため、本発明の前記異方性導電膜の製造方法は、本発明の前記異方性導電膜の製造に特に好適に使用することができる。

（接合体）
本発明の接合体は、本発明の前記異方性導電膜を介して、電子部品及び基板から選択される２種以上が、電気的に接合されてなる。即ち、前記電子部品における端子と、前記基板における電極又は端子との間、或いは前記基板同士における端子間に、前記導電性粒子が挟まれて潰されることにより、前記端子と前記電極との導通が図られている。
なお、本発明の前記異方性導電膜の詳細については、上述した通りである。

前記電子部品としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＩＣチップ、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）における液晶画面制御用ＩＣチップ、液晶パネルなどが挙げられる。
前記基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ＩＴＯガラス基板、フレキシブル基板、リジッド基板、フレキシブルプリント基板などが挙げられる。

前記電子部品と前記基板との接合部分（又は前記基板同士の接合部分）、即ち、端子（バンプ）における前記導電性粒子の粒子捕捉率としては、導通信頼性の確保の点で、高いほど好ましく、例えば、８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。
ここで、前記粒子捕捉率とは、前記電子部品と前記基板との接合前後における、端子の単位面積あたりの前記導電性粒子の数の比を意味する。

〔粒子捕捉率の測定〕
前記粒子捕捉率は、下記方法により測定することができる。
（１）まず、前記電子部品と前記基板との圧着前の前記導電性粒子含有層における前記導電性粒子の数を、顕微鏡を用いて数える。
（２）次いで、前記電子部品と前記基板とを圧着した後、端子（バンプ）上に捕捉された前記導電性粒子の数を、顕微鏡を用いて数える。このとき、明らかに導通に関与していると判断される導電性粒子のみをカウントし、前記バンプ端部に存在しているだけの導電性粒子や、その一部が前記バンプからはみ出している導電性粒子、また、粒子の潰れが不充分である導電性粒子の数は、カウントしない。
（３）そして、前記（１）及び（２）により求めた、前記電子部品と前記基板との圧着前後における、前記バンプの単位面積あたりの前記導電性粒子の数の比を算出する。この比が、前記粒子捕捉率に相当する。

本発明の前記接合体は、本発明の前記異方性導電膜を用いているので、前記導電性粒子の粒子捕捉率が高く、優れた導通信頼性を有し、回路間のショートの発生を抑制することができる。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。

（実施例１）
−異方性導電膜の製造−
＜導電性粒子含有層（ＡＣＦ層）形成工程＞
下記表１に示す組成に基づいて、導電性粒子含有層形成用溶液を調製した。
得られた導電性粒子含有層形成用溶液を、バーコーターを用いて剥離ＰＥＴシートＳ１上に塗布し、６０℃で１０分間乾燥させて溶剤を揮発させることにより、厚み１０μｍのフィルムＡを得た（図５Ａ参照）。得られたフィルムＡの表面は、タック性を有していた。

次に、平均粒径が４μｍのＮｉ−Ａｕメッキ導電性粒子Ｐ（「ブライトＧＮＲ−ＥＨＬＣＤ」；日本化学工業社製）５０ｇを、容積０．１Ｌの容器の中に入れ、エアジェクタを通して流動化させ、エアチューブからの圧力０．５ＭＰａで、剥離ＰＥＴシートＳ１上に形成されたフィルムＡ上に、１８，０００個／ｍｍ^２の割合で散布した。なお、フィルムＡは、０．６ｍ／ｍｉｎの速度で移動させ、エアチューブは、フィルムＡから１０ｃｍの高さの位置に固定し、一定速度で水平方向に導電性粒子Ｐを散布した。その結果、フィルムＡ上に、導電性粒子Ｐが単層配列した（図５Ｂ参照）。
フィルムＡ上に単層化された導電性粒子Ｐの表面に、剥離ＰＥＴシートＳ１よりも厚みの薄い剥離ＰＥＴシートＳ２をラミネートした（図５Ｃ参照）。
そして、ロールラミネーターＲにより、剥離ＰＥＴシートＳ２側から、導電性粒子ＰをフィルムＡ側に押し込み、導電性粒子ＰをフィルムＡ中に埋め込んだ（図５Ｄ参照）。その後、剥離ＰＥＴシートＳ２を剥離すると、図５Ｅに示すように、フィルムＡ内におけるフィルムＡの厚み方向の一方の面側に、導電性粒子Ｐが単層配列してなる導電性粒子含有層１００が得られた。
ここで、単層配列した導電性粒子Ｐの量は、数平均で１８，０００個／ｍｍ^２であり、導電性粒子含有層１００中の導電性粒子Ｐの含有量は、体積平均で３ｖｏｌ％／１０μｍ厚であった。

フィルムＡにおける導電性粒子Ｐが存在する側の面に、透明剥離ＰＥＴシートＳ３をラミネートする一方、反対側の面の剥離ＰＥＴシートＳ１を剥離した。そして、高圧水銀灯を用いて、前記硬化用光としての紫外線を１３ｍＷ／ｃｍ^２の照射量で１分間にわたって、透明剥離ＰＥＴシートＳ３側から、フィルムＡに対して照射した（図５Ｆ参照）。すると、導電性粒子含有層１００の厚み方向において、導電性粒子Ｐが存在する側は、光硬化される一方、大気中の酸素が、ラジカル重合反応の反応阻害物質となり、導電性粒子Ｐよりも下側（導電性粒子Ｐが存在しない側）では光硬化されず、紫外線の照射前には、導電性粒子含有層１００の両面がタック性を有していたが、紫外線の照射後には、導電性粒子含有層１００における導電性粒子Ｐが存在する側の面のみ、タック性が消失していたことが判った。

＜絶縁層（ＮＣＦ層）積層工程＞
下記表２に示す組成に基づいて、絶縁層形成用溶液を調製した。
得られた絶縁層形成用溶液を、バーコーターを用いて剥離ＰＥＴシートＳ４上に塗布し、６０℃で１０分間乾燥させて溶剤を揮発させることにより、厚み１０μｍのフィルムＢ（絶縁層２００）を得た（図５Ｇ参照）。

次いで、導電性粒子含有層１００上に積層された透明剥離ＰＥＴシートＳ３を剥離し、その剥離面に絶縁層２００を積層した。また、導電性粒子含有層１００における導電性粒子Ｐが存在しない側の面に、剥離ＰＥＴシートＳ５をラミネートし、異方性導電膜を得た（図５Ｈ参照）。

（実施例２）
−異方性導電膜の製造−
実施例１において、前記導電性粒子含有層形成工程を、下記方法により行った以外は、実施例１と同様にして、異方性導電膜を製造した。

＜導電性粒子含有層（ＡＣＦ層）形成工程＞
下記表３に示す組成に基づいて、導電性粒子含有層形成用溶液を調製した。
得られた導電性粒子含有層形成用溶液を、バーコーターを用いて剥離ＰＥＴシートＳ６上に塗布し、６０℃のオーブン中で１０分間加熱して溶剤を揮発させ、厚み５μｍのフィルムＡ（導電性粒子含有層１２０）を得た（図６Ａ参照）。得られたフィルムＡの表面は、タック性を有していた。

フィルムＡにおける導電性粒子Ｐが存在する側の面に、透明剥離ＰＥＴシートＳ７をラミネートする一方、反対側の面の剥離ＰＥＴシートＳ６を剥離した。そして、ＵＶ照射機（「キュアマックス」；大宮化成製）を用いて紫外線を１３ｍＷ／ｃｍ^２の照射量で１分間にわたって、透明剥離ＰＥＴシートＳ７側から、フィルムＡに対して照射した（図６Ｂ参照）。
その結果、透明剥離ＰＥＴシートＳ７を剥離すると、紫外線の照射前には、導電性粒子含有層１２０の両面がタック性を有していたが、紫外線の照射後には、導電性粒子含有層１２０における導電性粒子Ｐが存在する側の面のみ、タック性が消失していたことが確認された。

その後、実施例１と同様にして、絶縁層２００を形成し、導電性粒子含有層１２０に積層して、異方性導電膜を得た（図６Ｃ参照）。

（実施例３）
実施例１において、前記導電性粒子含有層形成用溶液に前記硬化用光吸収材としてのカーボンブラックを添加すると共に、該導電性粒子含有層形成用溶液の組成を下記表４に示す組成に変えた以外は、実施例１と同様にして異方性導電膜を製造した。

＜導電性粒子含有層（ＡＣＦ層）形成工程＞
下記表４に示す組成に基づいて、導電性粒子含有層形成用溶液を調製した。
得られた導電性粒子含有層形成用溶液を、バーコーターを用いて剥離ＰＥＴシートＳ１上に塗布し、６０℃で１０分間乾燥させて溶剤を揮発させることにより、厚み１０μｍのフィルムＡを得た（図５Ａ参照）。得られたフィルムＡの表面は、タック性を有していた。

次に、平均粒径が４μｍのＮｉ−Ａｕメッキ導電性粒子Ｐ（「ブライトＧＮＲ−ＥＨＬＣＤ」；日本化学工業社製）５０ｇを、容積０．１Ｌの容器の中に入れ、エアジェクタを通して流動化させ、エアチューブからの圧力０．５ＭＰａで、剥離ＰＥＴシートＳ１上に形成されたフィルムＡ上に、数平均１８，０００個／ｍｍ^２の割合で散布した。なお、フィルムＡは、０．６ｍ／ｍｉｎの速度で移動させ、エアチューブは、フィルムＡから１０ｃｍの高さの位置に固定し、一定速度で水平方向に導電性粒子Ｐを散布した。その結果、フィルムＡ上に、導電性粒子Ｐが単層配列した（図５Ｂ参照）。
フィルムＡ上に単層化した導電性粒子Ｐの表面に、剥離ＰＥＴシートＳ１よりも厚みの薄い剥離ＰＥＴシートＳ２をラミネートした（図５Ｃ参照）。
そして、ロールラミネーターＲにより、剥離ＰＥＴシートＳ２側から、導電性粒子ＰをフィルムＡ側に押し込み、導電性粒子ＰをフィルムＡ中に埋め込んだ（図５Ｄ参照）。その後、剥離ＰＥＴシートＳ２を剥離すると、図５Ｅに示すように、フィルムＡ内におけるフィルムＡの厚み方向の一方の面側に、導電性粒子Ｐが単層配列してなる導電性粒子含有層１００が得られた。
ここで、単層配列した導電性粒子Ｐの量は、数平均で１８，０００個／ｍｍ^２であり、導電性粒子含有層１００中の導電性粒子Ｐの含有量は、体積平均で３ｖｏｌ％／１０μｍ厚であった。

フィルムＡにおける導電性粒子Ｐが存在する側の面に、透明剥離ＰＥＴシートＳ３をラミネートした。なお、剥離ＰＥＴシートＳ１はあってもよいし、剥離してもよい。そして、高圧水銀灯を用いて紫外線を１３ｍＷ／ｃｍ^２の照射量で１分間にわたって、剥離ＰＥＴシートＳ３側から、フィルムＡに対して照射した（図７Ａ参照）。すると、導電性粒子含有層１００の厚み方向において、導電性粒子Ｐが存在する側は、光硬化される一方、カーボンブラックが紫外線を吸収して紫外線の透過を遮り、導電性粒子Ｐよりも下側（導電性粒子Ｐが存在しない側）では、光硬化されず、透明剥離ＰＥＴシートＳ３を剥離すると、紫外線の照射前には、導電性粒子含有層１００の両面がタック性を有していたが、紫外線の照射後には、導電性粒子含有層１００における導電性粒子Ｐが存在する側の面のみ、タック性が消失していたことが確認された。

その後、実施例１と同様にして、絶縁層２００を形成した。次いで、導電性粒子含有層１００における透明剥離ＰＥＴシートＳ３の剥離面に絶縁層２００を積層し、異方性導電膜を得た（図７Ｂ参照）。

（比較例１）
−異方性導電膜の製造−
実施例１において、前記紫外線の照射を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、異方性導電膜を製造した。得られた異方性導電膜においては、導電性粒子含有層が未硬化状態であり、その両面共にタック性を有していた。

（比較例２）
−異方性導電膜の製造−
実施例１において、前記紫外線の照射の際、フィルムＡにおける導電性粒子Ｐが存在する側の面とは反対側の面の剥離ＰＥＴシートＳ１を剥離しなかった以外は、実施例１と同様にして異方性導電膜を製造した。得られた異方性導電膜においては、前記紫外線の照射の際に、剥離ＰＥＴシートＳ１を剥離しなかったので、大気中の酸素によるラジカル重合反応の阻害が行われず、導電性粒子含有層は、その厚み方向において均一に光硬化され、両面共にタック性を有していなかった。

（比較例３）
−異方性導電膜の製造−
実施例１において、前記導電性粒子含有層形成用溶液の組成を、下記表５に示す組成に変えて導電性粒子含有層を形成した後、前記紫外線の照射を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、異方性導電膜を製造した。得られた異方性導電膜は、従来の二層構造の異方性導電膜に相当し、導電性粒子含有層は、未硬化状態の樹脂中に、導電性粒子が分散されてなり、その両面共にタック性を有していた。

（比較例４）
−異方性導電膜の製造−
実施例３において、前記紫外線の照射を行わなかった以外は、実施例３と同様にして、異方性導電膜を製造した。得られた異方性導電膜においては、導電性粒子含有層が未硬化状態であり、その両面共にタック性を有していた。

（比較例５）
−異方性導電膜の製造−
実施例３において、前記導電性粒子含有層中に、前記硬化用光吸収材としてのカーボンブラックを添加しなかった以外は、実施例３と同様にして異方性導電膜を製造した。得られた異方性導電膜においては、前記導電性粒子含有層中にカーボンブラックを含んでいないので、前記紫外線の照射の際、ラジカル重合反応が阻害されず、導電性粒子含有層は、その厚み方向において均一に光硬化され、両面共にタック性を有していなかった。

＜硬化度の傾斜確認実験＞
以上により得られた実施例１〜３及び比較例１〜５の異方性導電膜において、前記導電性粒子含有層の厚み方向における硬化度の傾斜の有無を下記剥離試験により確認した。

〔剥離試験〕
まず、導電性粒子含有層における導電性粒子が存在しない側の面（絶縁層とは反対側の面）に、粘着テープ（「Ｔ−４０００」；ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス（株）製）を貼り付けた後、該粘着テープを剥離した。そして、剥離面を、顕微鏡を用いて観察した。

その結果、実施例１〜３の異方性導電膜においては、剥離面は凹凸形状であり、層界面が明確に存在せず、導電性粒子含有層の厚み方向において、硬化度が傾斜していることが判った。
一方、比較例１、比較例３及び比較例４の異方性導電膜では、絶縁層との境界面にて導電性粒子含有層が剥離され、その剥離面は略平面形状で、層界面が明確に存在しており、硬化度が傾斜していないことが判った。また、比較例２及び比較例５の異方性導電膜では、導電性粒子含有層と粘着テープとの接着面で剥離され、その剥離面には、層界面が明確に存在しており、硬化度が傾斜していないことが判った。

＜接合体の製造実験＞
実施例１〜３及び比較例１〜５と同様にして、それぞれ製造した異方性導電膜を用いて、以下に示すＩＴＯガラス基板とＩＣチップとの接合体を製造した。
・ＩＴＯガラス基板：厚み０．７ｍｍのガラス基板の片面にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）電極が形成されたもの。
・ＩＣチップ：２ｍｍ×２０ｍｍ×０．５５ｍｍ（厚み）の寸法で、バンプ面積が２，５００μｍ^２であるバンプを有するもの。
各異方性導電膜の両面に形成された剥離ＰＥＴシールを剥離し、導電性粒子含有層１００をＩＣチップ側、絶縁層２００をＩＴＯガラス基板側に、それぞれ配置した状態で、異方性導電膜を介してＩＣチップとＩＴＯガラス基板とを接触させ、１９０℃、６０ＭＰａ、１０秒間の条件で、圧着した。

得られた実施例１〜３及び比較例１〜５の接合体について、下記方法により粒子捕捉率及び導通抵抗を測定した。結果を表６に示す。
〔粒子捕捉率〕
（１）まず、ＩＣチップとＩＴＯガラス基板との圧着前の導電性粒子含有層における導電性粒子の数を、顕微鏡を用いて数えた。
（２）次いで、ＩＣチップとＩＴＯガラス基板とを圧着した後、ＩＣチップにおけるバンプ上に捕捉された導電性粒子の数を、顕微鏡を用いて数えた。このとき、明らかに導通に関与していると判断される導電性粒子のみをカウントし、バンプ端部に存在しているだけの導電性粒子や、その一部がバンプからはみ出している導電性粒子、また、粒子の潰れが不充分である導電性粒子の数は、カウントしなかった。
（３）そして、前記（１）及び（２）により求めた、ＩＣチップとＩＴＯガラス基板との圧着前後における、バンプの単位面積あたりの導電性粒子の数の比を算出した。この比が、前記粒子捕捉率に相当する。

〔導通抵抗〕
ＩＣチップにおけるバンプとＩＴＯガラス基板におけるＩＴＯ電極との導通抵抗を測定した。また、導通抵抗の測定値を、下記基準に基づいて評価した。
−評価基準−
○：５０ｍΩ以下
△：５０ｍΩ超〜２００ｍΩ未満
×：２００ｍΩ以上

表６の結果より、実施例１〜３の異方性導電膜は、従来の二層構造の異方性導電膜に相当する比較例３の異方性導電膜に比して、遜色ない導通抵抗を示した。また、実施例１〜３は、比較例３に比して粒子捕捉率が高いので、将来的に出現が予測される極小サイズのバンプにおいても、充分な数の導電性粒子を捕捉させることができると考えられる。
一方、比較例１及び比較例４では、紫外線の照射を行わなかったので、ＩＣチップとＩＴＯガラス基板との圧着時に導電性粒子が流動してしまい、粒子捕捉率が低いことが判った。
なお、比較例３及び比較例４においては、導通抵抗値は比較的良好であるが、粒子捕捉率が極めて低く、極小サイズバンプのファインピッチ接合が困難であると考えられる。
また、比較例２及び比較例５では、導電性粒子含有層の厚み方向において、硬化度に傾斜を設けず、全体的に均一に硬化させたので、ＩＴＯガラス基板への接着性を有さず、接合体を製造することができなかった。

本発明の異方性導電膜は、各種電子部品等と基板、基板同士などの接合に好適に使用することができ、例えば、ＩＣタグ、ＩＣカード、メモリーカード、フラットパネルディスプレイなどの製造に好適に使用することができる。
本発明の異方性導電膜の製造方法は、異方性導電膜を効率よく製造することができ、本発明の異方性導電膜の製造に特に好適に使用することができる。
本発明の接合体は、導電性粒子の粒子捕捉率が高く、優れた導通信頼性を有し、回路間のショートの発生を抑制することができる。

図１は、本発明の異方性導電膜の一例を示す模式断面図である。 図２は、導電性粒子の一例を示す概略説明図である。 図３は、剥離試験を説明するための概念図である。 図４Ａは、本発明の異方性導電膜の使用例の一例を示す概略説明図（その１）である。 図４Ｂは、本発明の異方性導電膜の使用例の一例を示す概略説明図（その２）である。 図５Ａは、実施例１の異方性導電膜の製造方法を示す工程図（その１）である。 図５Ｂは、実施例１の異方性導電膜の製造方法を示す工程図（その２）である。 図５Ｃは、実施例１の異方性導電膜の製造方法を示す工程図（その３）である。 図５Ｄは、実施例１の異方性導電膜の製造方法を示す工程図（その４）である。 図５Ｅは、実施例１の異方性導電膜の製造方法を示す工程図（その５）である。 図５Ｆは、実施例１の異方性導電膜の製造方法を示す工程図（その６）である。 図５Ｇは、実施例１の異方性導電膜の製造方法を示す工程図（その７）である。 図５Ｈは、実施例１の異方性導電膜を示す概略説明図である。 図６Ａは、実施例２の異方性導電膜の製造方法における導電性粒子含有層形成工程を示す概略説明図（その１）である。 図６Ｂは、実施例２の異方性導電膜の製造方法における導電性粒子含有層形成工程を示す概略説明図（その２）である。 図６Ｃは、実施例２の異方性導電膜を示す概略説明図である。 図７Ａは、実施例３の異方性導電膜の製造方法における紫外線の照射方法を示す概略説明図である。 図７Ｂは、実施例３の異方性導電膜を示す概略説明図である。

符号の説明

１０ 導電性粒子含有層
１２ 光及び熱硬化性樹脂組成物
１４ 導電性粒子
２０ 絶縁層
２２ 絶縁性樹脂組成物
３０ 液晶制御用ＩＣチップ
３２ バンプ
４０ ＩＴＯガラス基板
４２ ＩＴＯ電極
１００ 導電性粒子含有層
２００ 絶縁層
Ａ，Ｂ フィルム
Ｃ カーボンブラック
Ｐ 導電性粒子
Ｓ１〜Ｓ７ 剥離ＰＥＴシート

Claims (11)

1. 絶縁性樹脂組成物で形成された絶縁層と、
   光及び熱硬化性樹脂組成物、並びに導電性粒子を含み、前記導電性粒子が前記絶縁層側の界面に単層配列してなる導電性粒子含有層と、を有し、
   前記絶縁層と前記導電性粒子含有層とからなる二層構造であり、
   前記導電性粒子含有層の厚み方向において、前記導電性粒子の存在する側から前記導電性粒子が存在しない側にかけて、硬化度が漸次低くなっていることを特徴とする異方性導電膜。
2. 導電性粒子含有層の厚みが、導電性粒子の平均粒径よりも大きい請求項１に記載の異方性導電膜。
3. 導電性粒子含有層に、導電性粒子が存在する面側から硬化用光が照射されて得られる請求項１から２のいずれかに記載の異方性導電膜。
4. 硬化用光の照射が、導電性粒子含有層における導電性粒子が存在しない側の表面を酸素と接触させた状態、及び前記導電性粒子含有層に硬化用光吸収材を添加した状態の少なくともいずれかにより行われる請求項３に記載の異方性導電膜。
5. 光及び熱硬化性樹脂組成物に、光重合開始剤を含む請求項１から４のいずれかに記載の異方性導電膜。
6. 光及び熱硬化性樹脂組成物に、熱硬化性開始剤を含む請求項１から５のいずれかに記載の異方性導電膜。
7. 光及び熱硬化性樹脂組成物に、（メタ）アクリル系モノマーを含み、絶縁性樹脂組成物に、エポキシ樹脂を含む請求項１から６のいずれかに記載の異方性導電膜。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の異方性導電膜を製造する異方性導電膜の製造方法であって、
   光及び熱硬化性樹脂組成物を含む層における一方の面側に導電性粒子を単層配列させ、前記一方の面側から硬化用光を照射することにより導電性粒子含有層の厚み方向において、前記導電性粒子の存在する側から前記導電性粒子が存在しない側にかけて、硬化度が漸次低くなっている導電性粒子含有層を形成する導電性粒子含有層形成工程と、
   前記導電性粒子含有層における前記一方の面に、絶縁性樹脂組成物で形成された絶縁層を積層する絶縁層積層工程と、を少なくとも含むことを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
9. 硬化用光の照射が、導電性粒子含有層における導電性粒子が存在しない側の表面を酸素と接触させた状態、及び前記導電性粒子含有層に硬化用光吸収材を添加した状態の少なくともいずれかにより行われる請求項８に記載の異方性導電膜の製造方法。
10. 請求項１から７のいずれかに記載の異方性導電膜を介して、電子部品及び基板から選択される２種以上が、電気的に接合されてなることを特徴とする接合体。
11. 電子部品及び基板から選択される２種以上の接合部分における導電性粒子の粒子捕捉率が、８０％以上である請求項１０に記載の接合体。