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KR101019756B1 - 비자외선형 다이접착필름 및 제조방법 - Google Patents

비자외선형 다이접착필름 및 제조방법 Download PDF

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KR101019756B1
KR101019756B1 KR1020090131248A KR20090131248A KR101019756B1 KR 101019756 B1 KR101019756 B1 KR 101019756B1 KR 1020090131248 A KR1020090131248 A KR 1020090131248A KR 20090131248 A KR20090131248 A KR 20090131248A KR 101019756 B1 KR101019756 B1 KR 101019756B1
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adhesive layer
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박백성
황민규
김지호
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제일모직주식회사
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Abstract

웨이퍼와 접착될 접착층, 및 접착층과 중첩되는 영역의 접착층 영역 및 접착층 옆으로 상면이 노출되는 링프레임(ring frame) 영역을 포함하는 광경화성 점착물의 다이싱(dicing) 필름층을 도입한다. 다이싱 필름층 후면으로 자외선을 조사하여 노출된 링프레임 영역의 상면으로 라디칼 스케벤저(radical scavenger)로서 산소의 유입을 유도하여 링프레임 영역의 광경화를 억제하고, 접착층에 의해 산소의 유입이 차단된 접착층 영역의 광경화를 유도하는 단계를 포함하는 다이접착필름 제조방법을 제시한다.
다이싱 필름, 점착, 접착필름, 반도체용 접착제, 자외선 경화

Description

비자외선형 다이접착필름 및 제조방법{Non-UV type die attach film and method for manufacturing the same}
본 발명은 반도체 패키지(package) 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 칩 픽업(chip pick up) 과정을 위한 자외선 노광 과정을 생략할 수 있는 비자외선형(non-UV type) 다이접착필름(die attach film) 및 제조방법에 관한 것이다.
반도체 패키지 제조 과정은 반도체 회로를 웨이퍼에 형성한 후, 웨이퍼와 다이싱다이본딩 필름과 같은 다이접착(die attach)필름과 합지시키고, 이후 소잉(sawing) 과정을 수행하여 작은 반도체 칩들로 분리시킨다. 이후에, 다이접착필름으로부터 반도체 칩을 픽업(pick up)하는 데, 이때, 다이접착필름의 다이싱 필름층과 칩에 접착되는 접착층을 분리하기 위해서, 자외선 노광을 수행하여 접착층과 다이싱 필름층 간의 점착력을 소실시켜 픽업이 수행될 정도로 저하시킨다. 접착층이 접착된 상태로 픽업된 반도체 칩은 패키지 기판이나 다른 반도체 칩 상에 부착되고, 이후에, 에폭시몰딩제(EMC: Epoxy Molding Compound) 과정이 수행되어 최종적인 반도체 패키지가 제조된다.
픽업 직전에 수행되는 자외선 노광 과정은 반도체 패키지 제조 과정 중에 많 은 공정 시간을 소요하는 과정으로, 반도체 패키지 생산성에 큰 영향을 미쳐 생산성 증대를 저해할 수 있다. 또한, 자외선 노광 과정 중에 자외선 조사기의 오작동이 유발될 경우 랏(lot)에 정렬된 웨이퍼 중 노광 과정이 누락될 수 있고, 이에 따라 픽업 과정에서 소잉된 반도체 칩들이 다이접착필름의 다이싱 필름층으로부터 박리되지 못하는 픽업 불량이 유발될 수 있다.
이에 따라, 소잉 과정과 칩 픽업 과정 사이에 도입되는 자외선 노광 과정을 생략할 수 있는 다이접착필름에 대한 필요성이 증대되고 있다. 예컨대 다이접착필름 제조 과정에서 사전에 다이싱 필름층과 접착층 간의 점착력, 즉, 다이싱 필름층의 점착력을 미리 조정하여, 다이싱 시 웨이퍼를 유지 또는 고정 지지시키는 유지력과 픽업 과정에서 요구되는 박리력을 함께 구비하는 다이싱 필름 또는 다이접착필름을 구현하고자 노력하고 있다. 그런데, 다이싱 필름층의 점착력을 미리 저하시킬 경우, 다이싱 과정에서 다이싱 필름층의 테두리부분 상에 부착되어야 하는 링프레임(ring frame)과의 원하지 않는 분리가 유발될 수 있다.
다이싱 필름층의 테두리부분은 링프레임과 상당한 결착성을 가지며 다이싱 과정 및 픽업 과정 중에 부착된 상태를 유지해야 하는 데, 다이싱 필름층의 점착력이 크게 저하된 상태에서는 링프레임과의 결착 또는 부착력이 약화되어, 공정 과정 중에 링프레임이 다이싱 필름층으로부터 원하지 않게 박리 이탈 분리될 수 있다. 이러한 링프레임의 분리는 링프레임 내측에 위치하는 웨이퍼나 소잉된 반도체 칩들에 손상을 유발할 수 있으며, 다이싱 및 픽업 과정에 참여하는 공정 장비의 손상을 유발할 수 있다.
본 발명은 링프레임이 부착될 다이싱 필름층의 테두리부분의 점착력은 유지하면서, 접착층과 다이싱 필름층 간의 점착력은 칩 픽업에서 요구되는 박리력을 제공하게 저하시켜, 소잉 과정과 픽업 과정 사이에 점착력 저하를 위한 자외선 노광 과정을 생략할 수 있는 비자외선형 다이접착필름 및 제조방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 일관점은, 웨이퍼와 접착될 접착층, 및 상기 접착층과 중첩되는 영역의 접착층 영역 및 상기 접착층 옆으로 상면이 노출되는 링프레임(ring frame) 영역을 포함하는 광경화성 점착물의 다이싱(dicing) 필름층을 도입하는 단계; 및 상기 다이싱 필름층 후면으로 자외선을 조사하여 상기 노출된 링프레임 영역의 상면으로 라디칼 스케벤저(radical scavenger)로서 산소의 유입을 유도하여 상기 링프레임 영역의 광경화를 억제하고, 상기 접착층에 의해 상기 산소의 유입이 차단된 상기 접착층 영역의 광경화를 유도하는 단계;를 포함하는 다이접착필름 제조방법을 제시한다.
상기 접착층 및 상기 다이싱 필름층은 상기 접착층 상에 커버층이 부착된 상태로 도입되고, 상기 다이싱 필름층 후면에 투명한 핸들링(handling) 필름을 부착하는 단계; 및 상기 커버층을 제거하여 상기 링프레임 영역의 상면을 상기 산소 유입을 위해 대기 또는 산소 분위기에 노출하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 광경화를 유도하는 단계는 상기 다이싱 필름층 후면에 상기 링프레임 영역 상을 차단하는 광차단 마스킹 블레이드(masking blade)를 도입하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점은, 웨이퍼와 접착될 접착층; 및 상기 접착층 아래에 도입된 광경화성 점착물의 다이싱(dicing) 필름층을 포함하고, 상기 다이싱 필름층은 상기 접착층과 중첩되는 영역이고 광경화에 의해 상대적으로 낮은 점착성(tackiness)을 가지는 접착층 영역, 및 상기 접착층 옆으로 상면이 노출되는 영역이고 광경화가 억제되어 상기 접착층 영역에 비해 높은 점착성이 유지된 링프레임(ring frame) 영역을 포함하는 광경화성 점착물의 다이싱(dicing) 필름층을 포함하는 다이접착필름을 제시한다.
상기 링프레임 영역은 상기 다이싱 필름층의 초기 점착성에 비해 60% 이상의 점착성을 유지하고, 상기 접착층 영역은 상기 다이싱 필름층의 초기 점착성에 비해 20% 이하의 점착력으로 저하된 점착력을 가지는 다이접착필름을 제시한다.
본 발명의 실시예들은 링프레임이 부착될 다이싱 필름층의 테두리부분의 점착력은 유지하면서, 접착층과 다이싱 필름층 간의 점착력은 칩 픽업에서 요구되는 박리력을 제공하게 저하시켜, 소잉 과정과 픽업 과정 사이에 점착력 저하를 위한 자외선 노광 과정을 생략할 수 있는 비자외선형 다이접착필름 및 제조방법을 제시할 수 있다. 이에 따라, 소잉 과정과 픽업 과정 사이에 도입되던 자외선 노광 과정을 생략하여, 전체 다이 어태치(die attach) 과정 또는 반도체 패키지 제조 과정의 생산성을 증대시킬 수 있다. 또한, 자외선 조사기의 오작동에 의한 자외선 노광 과 정의 누락에 의해서, 칩 픽업 과정에서 픽업 불량이 유발되는 것을 방지할 수 있어, 반도체 패키지 과정의 공정 신뢰성을 증가시킬 수 있다.
본 발명의 실시예는 다이접착필름을 제조하는 과정에서 자외선 경화형 점착제를 포함하는 다이싱 필름층을 자외선 경화하여 다이싱 필름층이 픽업 과정에서 요구되는 박리력을 제공할 정도의 점착력을 가지게 점착력을 저하시킨다. 이러한 점착력은 다이싱 시의 웨이퍼 유지력 및 픽업 공정 상에서의 박리력을 제공하게 조정된다.
다이싱 필름층에 대한 자외선 경화는 다이싱 필름층 상에 웨이퍼와의 접착을 위한 접착층이 형성된 상태에서 이루어진다. 다이싱 필름층은 상면이 접착층에 의해 가려진 중앙 부분인 접착층 영역과 접착층에 의해 노출되는 테두리 부분인 링프레임 영역으로 구분할 수 있다. 자외선 조사는 다이싱 필름층의 후면으로부터 자외선 광이 입사되게 한다.
이때, 상면이 접착층 옆으로 노출되는 링프레임 영역은 대기 중에 노출되며, 이에 따라, 대기 중의 산소가 이러한 링프레임 영역의 다이싱 필름 부분으로 유입될 수 있다. 이에 반해, 접착층에 의해 가려진 중앙 부분은 산소의 유입이 접착층에 의해 차단되게 된다. 산소가 유입될 수 있는 링프레임 영역에서 유입된 산소는 자외선에 의한 경화 작용을 방해하는 역할을 하게 된다. 산소는 자외선에 의해 다이싱 필름층 내에 발생되는 라디칼(radical)과 우선적으로 결합하여, 라디칼이 경화 반응에 참여하지 못하게 막는 역할을 한다. 즉, 산소는 라디칼에 대한 스케벤 저(scavenger)로 작용한다. 접착층에 의해 가려진 중앙 부분의 다이싱 필름층 부분은 이러한 산소 유입이 접착층에 의해 차단되므로, 자외선 노광에 의한 경화 작용이 진행되어 점착력이 상대적으로 저하된다. 이에 비해, 링프레임 영역의 다이싱 필름층 부분에는 산소 유입에 의한 경화 작용 방해, 지연 등에 의해서, 점착력이 상대적으로 높은 상태로 유지된다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 다이접착필름 및 제조 방법을 보여준다.
도 1을 참조하면, 광경화 점착 필름으로서의 다이싱 필름층(110) 및 다이싱 필름층(110) 상에 전사된 칩 접착을 위한 접착층(120)을 포함하는 다이접착필름(100)이 제조된다. 다이싱 필름층은 광경화성 점착 조성물로 이루어지며, UV 광에 의해 라디칼 생성 및 이에 의한 광 경화가 진행될 수 있는 조성물로 준비될 수 있다. 이러한 광경화성 점착 조성물은 통상의 다이싱 필름 또는 다이접착필름에 사용되는 점착 조성물일 수 있다. 예컨대, 아크릴계 점착 바인더(binder)와, 광개시제 및 열경화제를 포함하는 조성물일 수 있다.
다이싱 필름층(110) 상에 접착층(120)이 도입되고, 이러한 접착층(120) 상에 제1커버(cover)층(210)이 부착된 상태로 다이접착필름(100)이 1차 제조된다. 제1커버층(210)은 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름일 수 있다. 이러한 다이접착필름(100)의 초기 상태는 현재 반도체 패키지 분야에서 일반적인 제품으로 제공되는 형태일 수 있다.
도 2를 참조하면, 다이접착필름(100)의 다이싱 필름층(110)의 후면에 핸들링 필름(handling film: 230)을 합지한다. 핸들링 필름(230)은 PET 필름과 같이 자외선 노광에 사용될 자외선 파장대에서 적어도 80% 이상의 투과율을 보이는 필름이 사용될 수 있다.
도 3을 참조하면, 제1커버층(210)을 제거하여, 접착층(120) 및 접착층(120) 옆의 다이싱 필름층(110)의 테두리 부분을 노출한다. 이에 따라, 다이싱 필름층(110)은 상면이 접착층(120)에 의해 가려진 중앙 부분인 접착층 영역(112)과 접착층(120)에 의해 노출되는 테두리 부분인 링프레임 영역(114)으로 구분할 수 있다. 링프레임 영역(114) 상에는 다이 어태치 과정 내지 픽업 과정에서 링프레임이 부착될 영역을 포함하는 영역이다.
도 4를 참조하면, 핸들링 필름(230)의 후면으로 자외선 광을 조사하여 자외선 노광을 수행한다. 자외선 조사는 다이싱 필름층(100)의 후면으로부터 자외선 광이 입사되게 한다. 이때, 상면이 접착층(120) 옆으로 노출되는 링프레임 영역(114)은 대기 중에 노출되며, 이에 따라, 대기 중의 산소(oxygen)가 이러한 링프레임 영역(114)의 다이싱 필름(110) 부분 내로 유입될 수 있다. 이에 반해, 접착층(120)에 의해 가려진 중앙 부분(도 3의 112)은 산소의 유입이 상부의 접착층(120)에 의해 차단되게 된다.
산소가 유입될 수 있는 링프레임 영역(114)에 유입된 산소는 자외선에 의한 경화 작용을 방해하는 역할을 하게 된다. 산소는 자외선에 의해 다이싱 필름층(110) 내에 발생되는 라디칼(radical)과 우선적으로 결합하여, 라디칼이 경화 반응에 참여하지 못하게 막는 역할을 한다. 즉, 산소는 라디칼에 대한 스케벤 저(scavenger)로 작용한다. 이에 따라, 링프레임 영역(114)의 다이싱 필름층(110)은 다이접착필름(100)의 초기 상태에서의 점착력 상태와 대등한 점착력 상태로 유지될 수 있다.
이에 비해, 접착층(120)에 의해 가려진 중앙 부분인 접착층 영역(도 3의 112)의 다이싱 필름층(110) 부분은 이러한 산소 유입이 접착층(120)에 의해 차단되므로, 자외선 노광에 의한 경화 작용이 진행되어 점착력이 상대적으로 저하된 영역(113)으로 변성된다. 이러한 변성된 접착층 영역(113)의 점착력은 소잉된 칩이 픽업될 수 있을 정도의 박리력을 제공하며, 또한, 접착층(120) 상에 부착되는 웨이퍼가 다이 어태치 과정에서 고정 유지될 정도의 웨이퍼 유지력을 제공하게 조정된다. 이러한 점착력의 조정은 UV 조사 에너지나 시간 등에 의해 조절될 수 있다. 이에 비해, 링프레임 영역(114)의 다이싱 필름층(110) 부분에는 산소 유입에 의한 경화 작용 방해, 지연 등에 의해서, 점착력이 상대적으로 높은 상태로 유지된다. 이에 따라, 링프레임 영역(114)은 다이 어태치 과정 등에서 링프레임과 상대적으로 강한 결착력 또는 접착력을 유지할 수 있어, 링프레임의 이탈과 같은 불량이 유효하게 억제된다.
한편, UV 조사는 핸들링 필름(230) 방향으로 이루어지며, 또한, 링프레임 영역(114)를 가려주는 차광 블레이드(blade: 300))와 같은 마스크(mask)를 도입한 상태로 수행될 수도 있다. 이러한 경우, 링프레임 영역(114)에서의 점착력 유지 특성은 보다 신뢰성있게 구현될 수 있다.
도 5를 참조하면, 접착층(120) 상에 제2커버층(250)을 합지한다. 이때, 핸들 링 필름(230)은 제거된다. 이에 따라, 다이싱 필름층(110)의 링프레임 영역(114)은 상대적으로 높은 점착력이 유지되고, 내측의 접착층 영역(113)은 칩 픽업이 가능할 정도로 낮은 점착력을 유지하게 구비되는 다이싱 필름층(110)과 다이싱 필름층(110) 상의 웨이퍼 접착을 위한 접착층(120) 및 제2커버층(250)을 포함하는 형태의 다이접착필름(100)이 제조된다.
이하에서는 본 발명에 따른 다이접착필름에 대하여 보다 구체적인 실시예 및 비교예들을 들어 보다 구체적으로 설명한다.
실시예 1 : 비자외선형 다이접착필름 제조
도 1 내지 도 5에 제시된 바와 같이, 다이싱 필름층(110)의 접착층 영역(113)의 자외선 변성에 의해 점착력이 저하된 상태로 유지하고, 링프레임 영역(114)는 산소 스케벤저의 작용에 의해 초기 점착력 상태와 대등한 상태로 유지하게 다이접착필름을 제조한다.
비교예 1 : UV 후면 조사
접착층(도 3의 120) 옆으로 노출되는 링프레임 영역(114)이 대기 중 산소나 의도적으로 제공하는 산소 분위기에 노출되지 않은 상태에서 자외선 조사를 수행한 경우, 실시예 1과 달리 링프레임 영역(114)의 점착력이 유지되지 못한다.
도 6을 참조하면, 현재 다이 어태치 과정에 제공되는 다이접착필름 형태인, 다이싱 필름층(11) 및 접착층(12) 상에 접착층(12)과 다이싱 필름층(11)의 상면 모두가 커버층(15)에 의해 가려져, 다이싱 필름층(11)의 테두리 부분의 상면이 노출되지 않을 경우, 후면에 자외선 조사를 수행할 경우 다이싱 필름층(11) 전체에 대 해 점착력이 저하된다. 이는 산소 스케벤저에 의한 선택적 경화 지연 또는 방해 작용이 유도되지 못한 점에 기인한다.
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다이싱 필름층의 박리력 측정
실시예 1 및 비교예 1과 같이 제조된 경우에서의 점착 조성물 필름층의 물성시험을 위하여, 광경화형 점착조성물을 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름에 코팅하여 건조시키고, 도막이 8 ∼ 12um인 코팅 두께로 코팅한 다음, 폴리올레핀 필름에 전사하고 25∼ 60℃에서 3일∼7일 동안 에이징(aging)한 후, 점착 조성물 필름층의 점착력 및 박리력을 측정한다.
점착력 측정은 한국 공업 규격 KS-A-01107(점착 테이프 및 점착 시이트의 시험 방법)의 8항에 따라 시험한다. 이때, 실시예 1 및 비교예 1 각각에서와 같이 대등하게 제조되는 시편에 대해서, 폭 25mm, 길이 250mm의 시료를 붙인 후, 필름면에 접착 테이프를 붙인 후 2kg 하중의 압착 롤러를 이용하여 300mm/min의 속도로 1회 왕복시켜 압착한다. 압착 후 30분 경과 후에 시험편의 접은 부분을 180°로 뒤집어 약 25mm를 벗긴 후, 시험편을 인장강도기의 위쪽 클립에 다이 접착용 접착필름을 시험판 아래쪽 클립에 고정시키고, 300mm/min의 인장속도로 당겨 벗길 때의 하중을 측정한다.
인장 시험기는 인스트론 테스터(Instron Series lX/s Automated materials Tester-3343)를 사용하고, 고압 수은 램프를 이용하여 30mJ/cm2 ~ 300mJ/cm2의 에너지로 UV 조사를 수행하고 조사 전후를 측정한 결과를 표 1에 나타낸다.
다이싱 필름층의 점착성(tackiness) 측정
실시예 1 및 비교예 1와 같이 제조된 시험편을 이용하여, 프로브 택 측정기(probe tack tester ; tacktoc-2000)로 점착성(tackiness)을 측정하여 표 1에 제시한다. 측정방법은 ASTM D2979-71에 의거하여 깨끗한 프로브의 끝을 10+0.1mm/sec의 속도와 9.79+1.01kPa의 접촉 하중으로 1.0+0.01초 동안 다이싱 필름층의 점착제와 접촉시킨 다음 떼었을 때 필요한 최대 힘을 점착성(tackiness)값으로 한다.
픽업 성공률
실시예 1 및 비교예 1와 같이 제조된 다이접착필름을 사용하여 소잉 및 픽업 과정을 시험하여 픽업 성공율을 측정한다. 측정한 결과는 표 1에 제시된다.
물성 비교 실험 결과
실시예 1 비교예 1
광경화전 박리력
점착층 & 접착층
(N/25mm)		 1.188 1.184
광경화후 박리력
점착층 & 접착층
(N/25mm)		 0.0981 0.0995
광경화전 박리력
점착층 & SUS(스테인레스 스틸)
(N/25mm)		 1.068 1.054
광경화후 박리력
점착층 & SUS(스테인레스 스틸)
(N/25mm)		 0.7125 0.0895
Tackiness(UV전)
접착층부착부위		 112 98
Tackiness(UV후)
접착층부착부위		 13 15
Tackiness(UV전)
접착층부착 이외부위		 112 98
Tackiness(UV후)
접착층부착 이외부위		 73 14
Pick-Up 성공률(%) 100 0(평가불가)
링프레임 탈리여부 탈리미발생 탈리발생
표 1에 제시된 바와 같이 본 발명의 실시예 1의 다이싱 필름층(즉, 점착층)의 점착 특성은 비교예 1 의 점착특성과 실질적으로 동일한 것으로 평가된다. 또한, 접착층 부착 부위, 즉, 접착층 영역(도 5의 113)의 광경화 후의 점착 물성 역시 실질적으로 동일한 것으로 평가된다. 링프레임과 부착이 이루어지는 접착층 이외의 부위, 즉, 링프레임 영역(도 5의 114)에서는 광경화 후에는 실시예 1 경우에는 일정 수준 이상, 예컨대, 70 이상의 점착성을 유지하는 반면 비교예1의 경우에는 점착성을 실질적으로 상실하여 링프레임과의 탈리현상이 발생한다. 실시예1의 경우를 고려하면, 본 발명의 실시예에 따른 다이접착필름은 UV 조사 이후에 링프레임 영역은 초기 점착성에 대해 60% 이상의 점착성을 유지할 수 있고, 접착층 영역은 20% 이하의 점착성을 가지게 점착성이 저하될 수 있다. 이에 따라, 본원 발명은 광경화 이후에는 높은 픽업 성공률과 링프레임 부착력을 동시에 가지는 다이접착필름을 제공할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 일 실시예를 중심으로 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 비자외선형 다이접착필름 및 제조방법을 보여주는 도면들이다.
도 6 은 본 발명에 따른 실시예를 설명하기 위한 비교예들을 보여주는 도면들이다.

Claims (6)

  1. 웨이퍼와 접착될 접착층, 및
    상기 접착층과 중첩되는 영역의 접착층 영역 및 상기 접착층 옆으로 상면이 노출되는 링프레임(ring frame) 영역을 포함하는 광경화성 점착물의 다이싱(dicing) 필름층을 도입하는 단계; 및
    상기 다이싱 필름층 후면으로 자외선을 조사하여 상기 노출된 링프레임 영역의 상면으로 라디칼 스케벤저(radical scavenger)로서 산소의 유입을 유도하여 상기 링프레임 영역의 광경화를 억제하고, 상기 접착층에 의해 상기 산소의 유입이 차단된 상기 접착층 영역의 광경화를 유도하는 단계;를 포함하는 다이접착필름 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접착층 및 상기 다이싱 필름층은 상기 접착층 상에 커버층이 부착된 상태로 도입되고,
    상기 다이싱 필름층 후면에 투명한 핸들링(handling) 필름을 부착하는 단계; 및
    상기 커버층을 제거하여 상기 링프레임 영역의 상면을 상기 산소 유입을 위해 대기 또는 산소 분위기에 노출하는 단계를 더 포함하는 다이접착필름 제조방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 광경화를 유도하는 단계는
    상기 다이싱 필름층 후면에 상기 링프레임 영역 상을 차단하는 광차단 마스킹 블레이드(masking blade)를 도입하는 단계를 더 포함하는 다이접착필름 제조방법.
  4. 상기 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따르는 제조 방법에 의해 제조된 다이접착필름.
  5. 웨이퍼와 접착될 접착층; 및
    상기 접착층 아래에 도입된 광경화성 점착물의 다이싱(dicing) 필름층을 포함하고,
    상기 다이싱 필름층은 상기 접착층과 중첩되는 영역이고 광경화에 의해 상대적으로 낮은 점착성(tackiness)을 가지는 접착층 영역, 및 상기 접착층 옆으로 상면이 노출되는 영역이고 광경화가 억제되어 상기 접착층 영역에 비해 높은 점착성이 유지된 링프레임(ring frame) 영역을 포함하는 광경화성 점착물의 다이싱(dicing) 필름층을 포함하는 다이접착필름.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 링프레임 영역은 상기 다이싱 필름층의 초기 점착성에 비해 60% 이상의 점착성을 유지하고,
    상기 접착층 영역은 상기 다이싱 필름층의 초기 점착성에 비해 20% 이하의 점착력으로 저하된 점착력을 가지는 다이접착필름.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11567247B2 (en) 2018-11-09 2023-01-31 Lg Chem, Ltd. Plasma etching method using faraday cage
US11932784B2 (en) 2019-09-26 2024-03-19 Lg Chem, Ltd. Adhesive composition for dicing tape and dicing tape comprising the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120068453A (ko) * 2010-12-17 2012-06-27 제일모직주식회사 다이싱 다이 본딩 필름
JP7590332B2 (ja) 2019-02-15 2024-11-26 キューリック・アンド・ソファ・ネザーランズ・ベーフェー 個別構成要素を組み立てるための動的剥離テープ
JP2023507966A (ja) 2019-12-17 2023-02-28 キューリック・アンド・ソファ・ネザーランズ・ベーフェー 個別構成要素を受け入れるための接着テープ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024010A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2009170786A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JP3310576B2 (ja) * 1997-03-26 2002-08-05 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
US6235387B1 (en) * 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
JP2000223446A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2006206787A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。
WO2007139596A2 (en) * 2006-05-23 2007-12-06 Dow Corning Corporation Borane catalyst complexes with amide functional polymers and curable compositions made therefrom
KR100909169B1 (ko) * 2006-09-11 2009-07-23 제일모직주식회사 선 경화형 반도체 조립용 접착 필름 조성물
TW200842174A (en) * 2006-12-27 2008-11-01 Cheil Ind Inc Composition for pressure sensitive adhesive film, pressure sensitive adhesive film, and dicing die bonding film including the same
JP4955763B2 (ja) * 2007-05-17 2012-06-20 株式会社フジクラ 積層配線基板及びその製造方法
JP4880533B2 (ja) * 2007-07-03 2012-02-22 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 異方性導電膜及びその製造方法、並びに接合体
KR101161941B1 (ko) * 2007-09-14 2012-07-04 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 웨이퍼 가공용 테이프

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001024010A (ja) * 1999-07-08 2001-01-26 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JP2009170786A (ja) * 2008-01-18 2009-07-30 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11567247B2 (en) 2018-11-09 2023-01-31 Lg Chem, Ltd. Plasma etching method using faraday cage
US11932784B2 (en) 2019-09-26 2024-03-19 Lg Chem, Ltd. Adhesive composition for dicing tape and dicing tape comprising the same

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