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TWI479425B - 詢答機及冊子體 - Google Patents

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TWI479425B
TWI479425B TW097139127A TW97139127A TWI479425B TW I479425 B TWI479425 B TW I479425B TW 097139127 A TW097139127 A TW 097139127A TW 97139127 A TW97139127 A TW 97139127A TW I479425 B TWI479425 B TW I479425B
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TW
Taiwan
Prior art keywords
antenna
substrate
module
opening
sealing material
Prior art date
Application number
TW097139127A
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English (en)
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TW200937303A (en
Inventor
Junsuke Tanaka
Akihisa Yamamoto
Makoto Maehira
Yoshiyuki Mizuguchi
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Publication of TW200937303A publication Critical patent/TW200937303A/zh
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Description

詢答機及冊子體
本發明係有關於詢答機及冊子體。
從以往，已知形成非接觸型通信單元的技術(例如，參照專利文獻1)，而該非接觸型通信單元係將繞組天線線圈舖設於基板上，並和IC模組連接，而和外部的讀寫裝置進行資料通信。
又，近年來，為了商品管理或提高安全性的目的而使用採用非接觸IC卡或非接觸IC標籤的系統。為了將這種非接觸IC卡或IC標籤等所具有優異特性應用於電子護照或存款存摺等之冊子體，提議將天線已和非接觸IC模組連接之IC鑲嵌片夾入外裝基材而形成非接觸型資訊媒體，藉由將該資訊媒體黏貼於該冊子體的封面等而裝填。
在這種冊子體，因為可對IC鑲嵌片記入電子資料或印字，所以可得到更高之安全特性等。
作為如上述之冊子體，有列舉在專利文獻2所記載的冊子體。在該冊子體，非接觸型資訊媒體係黏貼於背封面的內面。而，該非接觸型資訊媒體在構造上將具有既定之寬度的開口部之第二基材片黏接於第一基材片之上面側，而形成凹部，在該凹部內具備有IC晶片和與IC晶片連接的天線線圈，並將黏接劑層設置於第一基材片的下面側。
[專利文獻1]專利第3721520號公報[專利文獻2]特開2002-42068號公報
可是，在上述以往之技術，在對將IC模組組裝於具備有天線線圈的天線片之鑲嵌片，黏貼絕緣性基材等並用作鑲嵌的情況，由於將IC晶片密封之密封樹脂部等的厚度，而黏貼之基材膨脹。因而，如第20圖所示，在以往之鑲嵌400，對將IC模組20組裝於天線片1的鑲嵌片30，黏貼具備有和密封樹脂部23對應之開口部42h的基材42，而將密封樹脂部23收容於基材42的開口部42h並使露出。
此時，若在密封樹脂部23和開口部42h的內側面之間發生間隙D時，具有因開口部42h而鑲嵌片30之配線的一部分等露出而靜電侵入的課題。靜電侵入鑲嵌片30之配線的一部分時，有對IC模組20有不良影響之虞。
因此，為了防止形成這種間隙D，想到基材42使用具撓性及柔軟性的材料，使開口部42h的外形比密封樹脂部23之外形更小，再將密封樹脂部23壓入開口部42h並加壓。
可是，雖然在這種情況可防止間隙D的發生，但是在將密封樹脂部23壓入開口部42h時，外力作用而可能破壞IC模組20。又，藉由將密封樹脂部23壓入開口部42h而變成基材42的一部分位於密封樹脂部23上之狀態，可能因壓印測試等所引起的外力而破壞IC模組20。
因此，將IC模組20之密封樹脂部23收容於開口部42h並使露出，不得不將開口部42h之外形形成為比密封樹脂部23的外形更大，而難防止間隙D的發生。
又，因為對鑲嵌400要求外表面的平坦性，所以應用原子筆測試等之平坦性測試。在這種情況，因為在間隙D發生卡住，或在基材42之外表面42a和IC模組20的外表面20a之間發生階差g，而有無法滿足合格基準的情況。
又，一般如上述之冊子體，大部分係使用紙等形成。因此，因為使氯化物離子或水等易透過，所以所透過之這些物質可能使所黏貼之非接觸型資訊媒體的天線等劣化。結果，對非接觸型資訊媒體之電氣通信特性、物理耐久性有不良影響，在冊子體之使用期間中，具有非接觸型資訊媒體之性能降低的可能性等問題。
因此，本發明提供鑲嵌、具有蓋之鑲嵌以及具有非接觸型IC的資料載具，其可防止靜電的侵入，又可滿足外表面之平坦性的要求。
為了解決上述的課題，本發明之詢答機，係於具備有具撓性之第一基材上備有天線線圈的天線片及和該天線線圈連接之IC模組的鑲嵌片上，黏貼具有使該IC模組之至少一部分露出用的開口部之第二基材的詢答機，其特徵為：於該IC模組和該開口部的內側面之間配置具有電絕緣性之密封材料。
藉由如此地構成，即使係將開口部的外形形成為比從IC模組的開口部露出之部分的外形更大，而在開口部的內側面和IC模組之間發生間隙的情況，亦可利用絕緣性的密封材料將間隙填平。因此，防止在外部所產生之靜電從間隙侵入，而可防止IC模組因外部的靜電而受到不良影響。又，即使係曝露於高溫環境下或藥品用液之狀態，亦因為利用密封材料防止外氣或水分等外部之物質的侵入，所以可防止IC模組因水分等外部之物質而受到不良影響。
又，藉由利用密封材料將開口部之內側面和從開口部露出的IC模組之間的間隙填平，而在原子筆測試等之平坦性測試，可防止因間隙而發生卡住，而可提高詢答機之外表面的平坦性、平滑性。
本發明之詢答機的特徵為：該密封材料係以覆蓋透過該開口部而露出之該IC模組的外表面之方式配置，該第二基材之外表面和該密封材料的外表面連續地形成大致平坦。
藉由如此地構成，即使係第二基材的外表面和從開口部露出之IC模組的外表面之間發生階差的情況，亦藉由大致平坦地形成第二基材之外表面和密封材料的外表面，而可使詢答機的外表面變成平坦。因此，可提高詢答機之外表面的平坦性、平滑性。
又，本發明之詢答機的特徵為：該第二基材之外表面和該密封材料的外表面之階差係20μm以下。
藉由如此地構成，而可使詢答機的外表面變成大致平坦且大致同一平面，而可滿足原子筆測試等之平坦性測試的合格基準。
又，本發明之詢答機的特徵為：該密封材料係形成覆蓋該天線線圈和該IC模組之連接部、或連接該該天線線圈和該IC模組之跳線配線。
藉由如此地構成，利用密封材料可補強天線線圈和IC模組之連接部，而可提高連接部之機械強度。並提高連接部的可靠性。
又，本發明之詢答機的特徵為：該IC模組係具有導線架、組裝於該導線架上的IC晶片以及將該IC晶片密封的密封樹脂部；該密封材料的縱彈性係數比該密封樹脂部之縱彈性係數更小。
藉由如此地構成，將施加於詢答機之撞擊以彈性能量分散於密封材料。因而，可降低施加於IC模組之撞擊。
又，密封材料比IC模組之密封樹脂部易於彈性變形。因此，在原子筆測試，即使係第二基材的外表面因從原子筆筆尖所承受之外力而比密封材料的外表面更向鑲嵌片側變形並沈入的情況，亦在筆尖從第二基材的外表面上向密封材料的外表面上移動時，密封材料朝向減少第二基材的外表面和密封材料的外表面之階差的方向(鑲嵌片方向)彈性變形。
因而，可減少由第二基材的外表面和密封材料的外表面之階差所引起的朝向原子筆筆尖前進方向之應力。
又，本發明之詢答機的特徵為：該密封材料係具有黏接材料及支持體的樹脂膠帶。
藉由如此地構成，可使密封材料之配置變得容易，並簡化詢答機之製程，而降低製造費用。
又，本發明之詢答機的特徵為：該IC模組係具有導線架、組裝於該導線架上的IC晶片以及將該IC晶片密封的密封樹脂部；該黏接材料及該支持體之至少一方的縱彈性係數比該密封樹脂部之縱彈性係數更小。
藉由如此地構成，將施加於詢答機之撞擊以彈性能量分散於密封材料。因而，可降低施加於詢答機之撞擊。
又，密封材料係比IC模組之密封樹脂部更易於彈性變形。因此，在原子筆測試，即使係第二基材的外表面因從原子筆筆尖所承受之外力而比密封材料的外表面更向鑲嵌片側變形並沈入的情況，亦在筆尖從第二基材的外表面上向密封材料的外表面上移動時，密封材料朝向減少第二基材的外表面和密封材料的外表面之階差的方向(鑲嵌片方向)彈性變形。
因而，可減少由第二基材的外表面和密封材料的外表面之階差所引起的朝向原子筆筆尖前進方向之應力。
又，本發明之詢答機的特徵為：該第一基材係蓋材料。
藉由如此地構成，可提供具有蓋之詢答機，其防止靜電的侵入，且外表面之平坦性、平滑性提高。又，藉由將第一基材作為蓋，而和將蓋材料和第一基材之外表面接合的情況相比，可使具有蓋之詢答機變薄。
又，本發明之詢答機的特徵為：蓋材料和該第一基材之外表面及該第二基材的外表面之至少一方接合。
藉由如此地構成，可提供具有蓋之詢答機，其防止靜電的侵入，且外表面之平坦性提高。
又，本發明之詢答機的特徵為：該天線片和該密封材料係一體成形。
藉由如此地構成，可防止在詢答機之外部所產生的靜電從天線片和密封劑的間隙侵入，而可防止IC模組因外部的靜電而受到不良影響。
又，本發明之詢答機的特徵為：具備有耐氯化物離子層，其形成被覆該天線線圈、該IC模組、連接該天線線圈和該IC模組之跳線配線的至少一者以上。
藉由如此地構成，而可防止天線線圈、IC模組以及跳線配線的任一者因從詢答機之外部所侵入的氯化物離子而劣化。
又，本發明之詢答機的特徵為：具備有耐水層，其形成被覆該天線線圈、該IC模組、連接該天線線圈和該IC模組之跳線配線的至少一者以上。
藉由如此地構成，而可防止天線線圈、IC模組以及跳線配線的任一者因從詢答機之外部所侵入的水分而劣化。
又，本發明之冊子體，其特徵為：具有詢答機，其於具備有具可撓性之第一基材上備有天線線圈的天線片及和該天線線圈連接之IC模組的鑲嵌片上，黏貼具有使該IC模組之至少一部分露出用的開口部之第二基材，且詢答機於該IC模組和該開口部的內側面之間配置具有電絕緣性之密封材料。
若依據本發明，可提供詢答機及冊子體，其可防止靜電的侵入，且可滿足外表面之平坦性的要求。
 <第1實施形態>
以下，根據圖式說明本發明之第1實施形態。
(天線片)
第1A圖係本實施形態之天線片1的平面圖，第1B圖係底視圖。如第1A圖所示，天線片1例如具備有利用PEN(Polyethylene naphthalate)或PET(Polyethylene terephthalate)所形成之具撓性的基板(第一基材)2。基板2之厚度係例如由約0.02mm~約0.10mm之範圍適當地選擇。天線電路3形成於基板2的表面。
天線電路3具備有和基板2的形狀對應之約矩形的形成螺旋形之天線線圈4。天線線圈4例如利用蝕刻等產生形成於基板2的表面之鋁薄膜的圖案，藉此，形成厚度約0.02mm~0.05mm左右的薄膜狀。天線線圈4之內側的端部將面積擴大成大致圓形，而形成端子部5。又，天線線圈4之彎曲部分(矩形的角部)形成大致圓弧形。
向基板2之一角落拉出天線線圈4之外側的端部6。於基板2之一角落的稍靠天線線圈4側，形成大致矩形的開口部7。開口部7設置成可收容後述之IC模組的一部分並露出。
向基板2的一角落所拉出之天線線圈4之外側的端部6，係被拉向開口部7的一邊7a，而和沿著此一邊7a所形成的天線連接座(連接部)8連接。天線連接座8係將天線線圈4的寬度W1放大而形成之大致矩形的端子部。
於和形成天線連接座8的開口部7之一邊7a相對向的一邊7b，形成天線連接座(連接部)9。於和天線連接座8相對向地形成之天線連接座9，連接有係天線線圈4之一部分的配線10。天線連接座9係藉由將配線10之寬度W2放大，而和相對向的天線連接座8一樣地沿著開口部7之一邊7b形成大致矩形。一端和天線連接座9連接之配線10的另一端側將面積放大成大致圓形，而形成端子部11。
又，於基板2之和形成天線電路3的面相反側之面，如第1B圖所示，對應於天線連接座8、9的形成區域，形成於將天線連接座8、9補強的補強用圖案12、13(補強部)。補強用圖案12、13例如係和天線電路3一樣地以金屬薄膜的蝕刻等或一樣的方法所形成，在平面圖上沿著天線連接座8、9的外形線，形成為對應於天線連接座8、9之形狀的矩形。
又，於和基板2之形成天線電路3的面相反側之面，形成用以連接天線線圈4之端子部5和端子部11的跳線配線14。跳線配線14例如係以和天線電路3一樣的方法所形成。跳線配線14的兩端設置將面積放大成大致圓形的端子部15、16。跳線配線14的各端子部15、16，各自和天線線圈4之端子部5和端子部11的形成區域對應地設置。跳線配線14之各端子部15、16和天線線圈4的端子部5、端子部11係在各端子部15、16的形成區域所形成之複數個點狀的導電部17以電氣連接。
導電部17例如如第2A圖所示，利用以從兩側夾住跳線配線14之端子部15(端子部16)和天線線圈4的端子部5(端子部11)之方式施加壓力並歛縫的擠壓加工，而弄破基板2，使端子部5、15(端子部11、16)彼此進行物理性接觸而形成。
又，導電部17除了上述之藉擠壓加工的連接以外，亦可作成例如如第2B圖所示，於端子部5、15(端子部11、16)的形成區域形成貫穿基板2的通孔19A，並將銀膏等之導電膏19充填於此通孔19A，而將跳線配線14之端子部15(端子部16)和天線線圈4的端子部5(端子部11)以電氣連接。
(IC模組)
其次，說明和上述之天線片1的天線電路3連接的IC模組20。
第3A圖係本實施形態之IC模組20的平面圖，第3B圖係沿著第3A圖之A-A’線的剖面圖。
如第3A圖及第3B圖所示，IC模組20係利用導線架21、組裝於導線架21上的IC晶片22以及將IC晶片22密封的密封樹脂部23所形成。
導線架21係形成為在平面圖上使角部圓滑成圓弧形的大致矩形。導線架21係例如利用由銅線編成薄膜狀並鍍銀之銅線金屬薄膜等形成。
導線架21具備有：晶片基座24，係支持固定IC晶片22；及天線座25(端子部)，係和IC晶片22的輸出入基座連接。
晶片基座24形成為比IC晶片22的外形更大一圈，並固定於IC晶片22的底部。間隙S形成於晶片基座24和天線座25之間，並在電氣絕緣。
天線座25係例如經由金(Au)等之接合線26而和IC晶片22的輸出入基座連接。天線座25為了用作和外部電路連接之IC模組20的端子部，朝向IC模組20之長度方向(長度L方向)延伸而形成。
密封樹脂部23係形成為在平面圖上使角部圓滑成圓弧形的大致正方形。密封樹脂部23係例如由環氧樹脂等之樹脂材料所形成，形成覆蓋IC晶片22、IC晶片22的輸出入基座、接合線26、以及天線座25和接合線26的連接部等。又，密封樹脂部23充填於晶片基座24和天線座25之間隙S，而且跨兩者而形成。在此，IC模組20之厚度T1例如形成為約0.3mm。
(鑲嵌片(亦稱為詢答機))
如第4A圖及第4B圖所示，將IC模組20之天線座25和天線片1的天線連接座8、9以電氣連接，並將IC模組20固定於天線片1，藉此，形成具備有天線片1和IC模組20的鑲嵌片30。
在此，天線片1的開口部7係為了可收容形成為大致正方形之IC模組20的密封樹脂部23並使露出，而對應於密封樹脂部23開口成大致正方形，且開口比密封樹脂部23的外形更大一輪。
又，和天線片1之開口部7的兩側相對向地設置之一對天線連接座8、9的寬度W3形成為和IC模組20之天線座25的寬度W4大致相等，或稍小。
又，天線片1之天線連接座8、9的長度L3形成為比IC模組20的天線座25和天線連接座8、9之重疊部分的長度L4更長。在本實施形態，天線連接座8、9的長度L3形成為天線座25和天線連接座8、9之重疊部分的長度L4的約2倍。
鑲嵌(Inlay)
其次，使用第5A圖及第5B圖，說明具備有上述之鑲嵌片30的鑲嵌40。此外，不僅鑲嵌片30，具備有鑲嵌片30之鑲嵌40亦稱為詢答機。
如第5A圖及第5B圖所示，本實施形態的鑲嵌40具備有鑲嵌片30、夾持鑲嵌片30之基材41以及基材(第二基材)42。鑲嵌40係將鑲嵌片30夾入一對基材41、42之間，並將基材41、42和鑲嵌片30疊層接合而變成一體，藉此形成為所要之厚度。
此外，亦可作成在基材41之和基材42相對向的面、及基材42之和基材41相對向的面之一方的面或雙方的面，塗敷包含具有耐氯化物離子特性之物質等的黏接劑。藉由作成這種構造，而可使從外部侵入IC模組20之氯化物離子減少。
作為基材41、42，例如使用絕緣性塑膠薄膜(PET-G：非結晶共聚酯、PVC；氯化乙烯樹脂等)、或者絕緣性的合成紙(PPG公司製的聚烯屬烴系合成紙商品名稱「Teslin」(登記商標)，或者YUPO公司製的聚丙烯系合成紙商品名稱「YUPO」(登記商標))等。在此，上述的塑膠薄膜較佳係撓性塑膠薄膜。
又，基材41、42之厚度例如可使用約100μm~約1000μm左右者。又，基材41、42之厚度係約100μm~約500μm之範圍更佳。因而，不僅可充分發揮強度等作為基材之功能，而且亦可應用於使基材41、42具備充分的柔軟性，冊子形狀的用途。
如第5B圖所示，收容密封樹脂部23並使其外表面露出之開口部42h形成於基材42。開口部42h的外形形成為比密封樹脂部23之外形更大一圈，在開口部42h的內側面和密封樹脂部23之間形成間隙D。於開口部42h內，以覆蓋包含有利用開口部42h而露出之密封樹脂部23的外表面之IC模組20的外表面20a之方式充填密封材料43。然後，將密封材料43配置於開口部42h的內側面和密封樹脂部23之間，並利用密封材料43埋入間隙D。此外，作為密封材料43，亦可使用具有氯化物離子特性的物質。
又，本實施形態的密封材料43係基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a連續地形成大致平坦，而基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a形成為大致同一平面。在本實施形態，大致平坦或大致同一平面意指基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a之階差係20μm以下。
在此，密封材料43例如利用具有電絕緣性、耐熱性、耐濕性的樹脂材料形成。作為這種樹脂材料，可使用聚酯系樹脂、或聚丙烯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚醯亞胺樹脂等，尤其使用二軸延伸聚酯樹脂較佳。又，亦可使用環氧樹脂等之黏接劑。
又，密封材料的介質常數例如係約1~5εS 較佳。
又，作為密封材料43，亦可使用由上述之材料所構成之帶支持體和黏接材料所構成的樹脂膠帶。在使用樹脂膠帶的情況，樹脂膠帶之厚度例如係約25μm~100μm左右較佳。這是由於在樹脂膠帶之厚度為此範圍以下的情況，密封效果降低，而在超過此範圍的情況，可能產生階差。
又，在密封材料43使用樹脂材料的情況，使用縱彈性係數比IC模組20之密封樹脂部23的縱彈性係數小者較佳。又，在密封材料43使用樹脂膠帶的情況，使用構成樹脂膠帶之支持體和黏接材料的至少一方之縱彈性係數比IC模組20之密封樹脂部23的縱彈性係數小者較佳。
又，在此雖省略圖示，於基材41，亦可將開口部或凹部設置於和導線架21對應的位置。藉由如此做，在將基材41、42相黏時將導線架21收容於開口部或凹部，而可消除由導線架21之厚度所引起的基材41之凹凸。又，因為未產生由導線架21之厚度所引起的間隙，所以可實現鑲嵌40之更薄型化和厚度的均勻化。又，防止局部性應力作用，亦提高對彎曲的耐性。又，藉由將導線架收容於開口部或凹部，而可固定IC模組。
這種基材41之開口部可利用沖孔加工等形成。此外，亦可將基材41、42相黏後，和基材42之開口部42h一樣地將基材41的開口部密封。基材41之開口部的密封材料可使用和上述之密封材料43一樣的材料。又，亦可使用二液硬化型之環氧樹脂等的黏接劑。尤其，藉由使用耐撞擊性之彈性環氧樹脂，而可在受到撞擊時保護IC模組20。
又，基材41的凹部係可利用熱壓印加工、銑加工、壓花加工等形成。
其次，說明本實施形態的作用。
在本實施形態的鑲嵌40，如第5B圖所示，開口部42h的外形形成為比密封樹脂部23之外形更大一輪，在開口部42h的內側面和密封樹脂部23之間形成間隙D，而以填平此間隙D之方式配置具有電絕緣性的密封材料43。因而，防止外部的靜電從間隙D侵入，並可防止對IC模組20之不良影響。
又，藉由密封材料43密接地覆蓋因間隙D而露出之係IC模組20的導電部的導線架21，而可得到高的絕緣效果。又，具有提高IC模組20和天線線圈4之接合強度的效果。
又，利用密封材料43填平間隙D，藉此防止在原子筆測試等之平坦性測試時因間隙D而發生卡住，並可提高由基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a所構成之鑲嵌40的外表面之平坦性、平滑性。
又，密封材料43係以覆蓋因開口部42h而露出之IC模組20的外表面20a之方式配置，基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a形成連續之大致平坦且大致同一平面。因而，即使係在基材42之外表面42a和包含有密封樹脂部23的外表面之IC模組20的外表面20a之間發生階差g的情況，亦可使基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a變成大致同一平面。因此，可提高由基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a所構成之鑲嵌40的外表面之平坦性、平滑性。
又，因為基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a之階差形成為20μm以下，所以可使由基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a所構成之鑲嵌40的外表面變成大致平坦且同一平面，並可充分地滿足原子筆測試等之平坦性測試的合格基準。又，更佳階差係15μm以下。因而，可減少在原子筆測試之不良率。
又，在密封材料43使用樹脂膠帶的情況，可使密封材料43的配置變得容易，簡化鑲嵌40的製程，提高良率，並降低製造費用。
又，作為密封材料43，在使用縱彈性係數比IC模組20之密封樹脂部23的縱彈性係數更小之樹脂材料，或支持體和黏接材料之至少一方的縱彈性係數比IC模組20之密封樹脂部23的縱彈性係數更小之樹脂膠帶的情況，施加於鑲嵌40之撞擊以彈性能量分散於密封材料43。因而，可降低施加於IC模組20的撞擊。
又，密封材料43比IC模組20之密封樹脂部23更容易彈性變形。因此，在原子筆測試，即使係基材42之外表面42a因從原子筆尖所承受的外力而比密封材料43之外表面43a更向鑲嵌片30側變形而沈入的情況，亦在筆尖從基材42之外表面42a上向密封材料43的外表面43a上移動時，密封材料43係朝向減少基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a之階差的方向(鑲嵌片30方向)彈性變形。因而，可減少基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a之階差所引起的朝向原子筆尖前進方向之應力。
如以上之說明所示，若依據本實施形態的鑲嵌40，可防止靜電的侵入，及可滿足外表面之平坦性的要求。
又，在本實施形態，對第4A圖及第4B圖所示之鑲嵌片30重複彎曲時，對連接IC模組20之天線座25和天線片1的天線連接座8、9之部分施加重複彎曲所引起的應力。此時，因為天線線圈4係藉由將形成於基板2上之鋁薄膜予以圖案化而形成，所以和以往之利用繞組所形成的天線線圈相比，撓性提高，而防止應力集中於特定的部位。
又，和IC模組20的天線座25連接之天線線圈4的天線連接座8、9之寬度W3形成為比天線線圈4的寬度W1、W2更寬，而和IC模組20之天線座25的寬度W4大致相等或稍小。因而，使應力朝向寬度W3方向分散，而可防止應力集中。又，可在天線座25之寬度W4方向的全寬連接天線連接座8、9，而可利用天線座25確實地連接天線連接座8、9，可提高天線線圈4及鑲嵌片30的可靠性。
又，天線片1之天線連接座8、9的長度L3形成為比IC模組20的天線座25和天線連接座8、9之重疊部分的長度L4更長。又，在本實施形態，天線連接座8、9的長度L3形成為天線座25和天線連接座8、9之重疊部分的長度L4的約2倍。因而，天線座25之邊25e連接成位於比天線連接座8、9之天線線圈4側的端部更靠內側之約中央部。因而，天線座25的邊25e抵接於和寬度W3比天線線圈4之寬度W1、W2更寬的天線連接座8、9的約中央部。
因此，在對IC模組20之天線座25和天線線圈4的天線連接座8、9之連接部分施加重複彎曲的情況，可利用寬度W3變寬之天線連接座8、9的約中央部承受天線座25的邊25e。因而，可防止應力集中於天線線圈4，而可防止天線線圈4的斷線。
此外，因為天線線圈4及天線連接座8、9形成於基板2上，所以基板2作為這些元件的補強材料並發揮功能。因而，防止寬度W1、W2小之天線線圈4碰到IC模組20之天線座25的邊25e，而可防止天線線圈4的斷線。
又，於和基板2之形成天線電路3的面係反側之面，對應於天線連接座8、9的形成區域，形成將天線連接座8、9補強的補強用圖案12、13。因而，利用基板2和形成於其背面的補強用圖案12、13之雙方支持天線連接座8、9，而可將天線連接座8、9補強。
因此，天線達接座8、9之對彎曲的強度提高，即使係對IC模組20之天線座25和天線線圈4的天線連接座8、9之連接部分施加重複彎曲的情況，亦防止天線連接座8、9斷線，並可防止天線線圈4斷線。
又，即使係基板2受到應力破壞的情況，亦例如使補強用圖案12、13和天線連接座8、9連接，並利用補強用圖案12、13輔助天線連接座8、9，而可防止天線線圈4斷線。
又，因為本實施形態之薄膜狀的天線線圈4可利用例如蝕刻等同時製造，所以和在製程上將繞組之天線線圈逐個配線下去的情況相比，可顯著提高天線片1的生產力。
又，在將IC模組20固定於基板2時，藉由將可收容IC模組20之密封樹脂部23的開口部7形成於天線片1，而可藉由將IC模組20之密封樹脂部23的厚度收容於基板2之開口部7而吸收，可使鑲嵌片30變得薄型。
又，因為天線連接座8、9的長度L3形成為比朝向長度L方向延伸設置之天線座25的長度更長，所以可藉天線連接座8、9而擴大IC模組20及基板2的支持面積。因而，可提高對應力的耐久性，即使係彎曲作用於天線連接座8、9的情況，亦可防止天線線圈4斷線。
又，補強用圖案12、13形成於天線片1的基板2之和形成天線連接座8、9的面係相反側之面的天線連接座8、9之形成區域。可使電阻熔接時之熱傳散到補強用圖案12、13，而釋放到外部。藉此，可防止基板2因過熱而融化。因而，不僅可防止污物附著於電阻焊接裝置或產品，而且可防止天線片1之彎曲強度降低。
又，因為鑲嵌片30具備有上述的天線片1，所以利用天線片1可防止天線線圈4斷線，而可提高資料通信的可靠性，及提高鑲嵌片30的生產力。因此，可提供防止天線線圈4斷線、資料通信的可靠性高、而且生產力高的鑲嵌片30。
又，因為鑲嵌40具有具備有上述之天線片1的鑲嵌片30，所以利用天線片1可防止天線線圈4斷線、提高資料通信的可靠性、以及提高生產力。又，利用基材41、42可將天線片1之天線連接座8、9和IC模組20的天線座25之連接處補強。
因此，可提供一種鑲嵌40，其防止天線線圈4的斷線、而資料通信的可靠性高、且生產力高。
(鑲嵌的製造方法)
其次，說明本實施形態之鑲嵌40的製造方法。
首先，將鑲嵌片30夾入一對基材41、42之間，再將鑲嵌片30和基材41、42接合。此時，於一方的基材42，預先將比密封樹脂部23之外形更大一圈的開口部42h，形成於和鑲嵌片30所具備之IC模組20的密封樹脂部23對應的位置。
在此，作為第1製造方法，首先，在利用基材42的開口部42h收容IC模組20之密封樹脂部23並使露出的狀態將基材41、42和鑲嵌片30接合。接著，將密封材料43充填於開口部42h所收容之IC模組20的密封樹脂部23和開口部42h的內側面之間的間隙D。又，在密封材料43使用樹脂膠帶、熱熔片等的情況，作成和間隙D的形狀對應之在平面圖上大致矩形的框形之形狀，再埋入間隙D。因而，可將密封材料43配置於間隙D。此時，密封材料43的份量係調整成在經過後述之壓製製程後，基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a形成大致平坦而且大致同一平面的量。
接著，進行從外側推壓基材41、42並相壓住而壓縮的壓製步驟。利用此壓製步驟，將基材41、42及開口部42h內的密封材料43壓縮，而且基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a形成大致平坦且大致同一平面。
又，作為第2製造方法，有將基材41、42和鑲嵌片30接合之前，預先利用密封材料43覆蓋鑲嵌片30所具備之IC模組20的密封樹脂部23，然後，將基材41、42接合的方法。
在此情況，預先利用由樹脂膠帶等之樹脂材料所構成的密封材料43覆蓋鑲嵌片30的IC模組20中之從開口部42h露出的部分。此時的樹脂膠帶等之樹脂材料的份量係和第1製造方法一樣地調整。在此，在使用樹脂膠帶的情況，可使密封材料43的配置變得容易，而簡化鑲嵌40的製程，並降低製造費用。
接著，和上述之第1製造方法一樣，將基材41、42和鑲嵌片30接合。此時，將覆蓋密封樹脂部23之密封材料43充填於基材42的開口部42h。然後，經由和上述之第1製造方法一樣的壓製步驟，基材42之外表面42a和密封材料43的外表面43a形成大致平坦而且大致同一平面。
在第2製造方法，較佳將樹脂材料設為半熔化狀態並將基材42和鑲嵌片30接合。因而，可更易於將密封材料43充填於開口部42h。
又，在基材41、42使用上述之合成紙的情況，作為鑲嵌片30和基材41、42的接合方法，使用預先將黏接劑塗敷於和鑲嵌片30之天線片1或基材41、42的天線片1接觸之面，並使用例如在約70℃~140℃左右之比較低的溫度接合之黏接疊層法。
作為黏接劑，例如可使用EVA(乙基乙烯乙酸樹脂)系、EAV(乙烯丙烯酸共聚合樹脂)系、聚乙烯系、聚氨基甲酸乙酯系等。
又，替代塗敷黏接劑，亦可將已使用上述之黏接劑所使用之樹脂的黏接片夾入天線片1和基材41、42之間來使用。
在基材41、42使用上述之熱可塑性的塑膠薄膜之情況，作為鑲嵌片30和基材41、42的接合方法，使用藉由一面將兩者加壓一面加熱至超過基材41、42的軟化溫度之例如約130℃~170℃的溫度而進行熔化接合之熱疊層法。又，即使在使用熱疊層法的情況，亦為了使熔化接合變得確實，亦可併用上述的黏接劑。
在將鑲嵌片30和基材41、42接合後，將一體化之基材41、42和鑲嵌片30的外形加工成所要之形狀。
根據以上，可製造如第5A圖及第5B圖所示的鑲嵌40。
在此，關於基材41、42的軟化溫度，PET-G時約100℃~150℃，PVC時約80℃~100℃左右。
另一方面，天線片1的基板2如在上述之第1實施形態的說明所示，利用PEN或PET形成。PEN的軟化溫度係約269℃左右，PET的軟化溫度係約258℃左右。即，和以往之用作天線片之基板的PET-G等之低軟化點的熱可塑性材料相比，可提高基板2的耐熱溫度。
因而，將基材41、42和鑲嵌片30加熱至約130℃~170℃左右時，雖然基材41、42變軟，但是天線片1的基板2不會變軟。因而，在將具備有天線片1之鑲嵌片30和基材41、42疊層並利用熱疊層法接合時，即使係對天線片1之基板2加熱的情況，亦可防止基板2變成可塑化而流動。因此，可防止基板2之流動所引起的天線線圈4之移動，而提高資料通信的可靠性。
又，萬一基板2超過軟化溫度而變成過熱，在基板2因熱而可塑化並流動的情況，因為如上述所示天線線圈4形成為膜狀，所以和以往之繞組天線線圈相比，天線線圈4之和基板2的接觸面積增大，而可使天線線圈4的流動阻力變大。因此，防止天線線圈4隨著基板2的流動而移動，而可提高資料通信的可靠性。
<第2實施形態>
其次，沿用第1A圖~第5A圖，並使用第6圖，說明本發明之第2實施形態。本實施形態的鑲嵌40B，在IC模組20之外表面20a(密封樹脂部23之外表面)形成為和基材42的外表面42a大致同一平面上之事項，係和在上述之第1實施形態所說明的鑲嵌40相異。因為其他的事項係和第1實施形態一樣，所以對相同的部分附加相同之符號並省略說明。
如第6圖所示，在本實施形態，和上述的第1實施形態一樣，密封材料43配置於開口部42h的內側面和密封樹脂部23之間，並利用密封材料43埋入間隙D。又，和上述之第1實施形態相異，係IC模組20之外表面20a的一部分之密封樹脂部23的外表面形成為和基材42之外表面42a大致同一平面。因此，在本實施形態，由基材42的外表面42a、密封材料43的外表面43a以及密封樹脂部23的外表面(IC模組20的外表面20a)所構成之鑲嵌40B的外表面形成大致平坦且大致同一平面。這種鑲嵌40B可和在上述之第1實施形態所說明的第1製造方法一樣地製造。
若依據本實施形態的鑲嵌40B，和第1實施形態一樣，因為利用密封材料43埋入間隙D，所以防止外部的靜電從間隙D侵入，並可防止對IC模組20之不良影響。又，藉由利用密封材料43埋入間隙D，而和第1實施形態一樣，在原子筆測試等之平坦性測試時防止因間隙D而發生卡住，並可提高鑲嵌40B之外表面的平坦性及平滑性。
<第3實施形態>
其次，沿用第1A圖~第5A圖，並使用第7圖，說明本發明之第3實施形態。本實施形態的鑲嵌40C，在利用密封材料43覆蓋天線線圈4和IC模組20的連接部上之事項，係和在上述之第1實施形態所說明的鑲嵌40相異。因為其他的事項係和第1實施形態一樣，所以對相同的部分附加相同之符號並省略說明。
如第7圖所示，在本實施形態的鑲嵌40C，天線線圈4(參照第4A圖)的天線連接座8、9和IC模組20之天線座25的連接部係被隔著基板2而形成於相反側的密封材料43所覆蓋。
又，形成於基材42的開口部42H係鑲嵌片30側的開口比外表面42a的開口更擴大，而凹部42b形成於基材42的鑲嵌片30側。
這種鑲嵌40C預先將開口部42H形成於基材42，在上述之第1實施形態所說明的第2製造方法，可利用隔著基板2而形成於相反側的密封材料43覆蓋天線線圈4的天線連接座8、9和IC模組20之天線座25的連接部，藉此製造。
在本實施形態，因為密封材料43形成為覆蓋天線線圈4和IC模組20的連接部，所以利用密封材料43可補強天線連接座8、9和天線座25的連接部，而可提高連接部的機械強度，並可提高連接部的可靠性。
又，本實施形態亦可應用於如第6圖所示，IC模組20之外表面20a和基材42的外表面42a形成為大致同一平面的情況。
(電子護照)
其次，作為具有蓋之鑲嵌、具有非接觸型之IC的資料載具之一例，說明電子護照100。
如第8圖所示，電子護照100具備有上述的鑲嵌40，作為封面。成電子護照100之封面的蓋材料和44鑲嵌40的一個面接合。
如此，藉由將蓋材料44和鑲嵌40接合，而可使具備有鑲嵌40之電子護照100的外觀及質感變成和以往之護照一樣。又，因為鑲嵌40防止靜電的侵入，且外表面的平坦性提高，所以可提供資料通信的可靠性高、文子之記入性或壓印器的印字性提高以及外觀良好之電子護照100。
此外，本發明未限定為上述的實施形態，例如天線線圈亦可係如在日本專利第3721520號公報所記載之針狀的繞組線圈。在此情況，作為天線片的基板(第一基材)，可使用和在上述的實施形態夾持鑲嵌片之基材一樣的材料，並可省略黏貼於鑲嵌片之外側的基材之一個。因此，和將蓋材料和天線片之基板的外表面接合之情況相比，可使具有蓋之鑲嵌變薄。
又，藉由天線片的基板(第一基材)使用蓋材料，第二基材使用和在上述的實施形態所說明之具有開口部的基材一樣之材料，而可使具有蓋之鑲嵌變更薄，可具備更大的柔軟性。
又，在上述的實施形態，雖然在鑲嵌的製造時引入壓製步驟，但是亦可不進行壓製步驟。不進行壓製步驟，亦可利用密封材料埋入IC模組和基材之開口部的內面側之間的間隙。除了壓製步驟以外，例如藉由使用輥或刮刀等而平坦地形成基材之外表面和密封材料的外表面。
又，天線線圈之形狀亦可不是矩形。又，天線線圈之圈數未限定為上述的實施形態。又天線電路的材質，除了鋁以外，亦可利用例如金、銀、銅等之材料形成。
又，在上述的實施形態，雖然以電子護照為例，說明具備有鑲嵌之非接觸型IC資料載具，但是本發明的鑲嵌，除了電子護照以外，亦可用於例如電子身份證明文件、各種活動履歷電子確認文件、存摺(pass book)等之冊子等。
[第1實施例]
基材41使用厚度178μm的聚烯屬烴系合成紙，基材42使用厚度178μm之於配置IC模組的部分具有開口部之聚烯屬烴系合成紙，並使用具有IC模組及天線電路的天線片。
密封材料使用厚度50μm之具有由聚酯樹脂所構成之帶支持體和黏接材料的樹脂膠帶。此外，密封材料使用帶支持體之聚酯樹脂的縱彈性係數比IC模組之密封樹脂部的縱彈性係數更小者。
預先將水系乳化黏接劑(EAA)各自塗敷於基材41、42，將由樹脂膠帶所構成之密封材料配置於天線片的IC模組上，並以IC模組和基材42之開口部的位置一致之方式，按照基材41、天線片、基材42之順序相黏並加壓，藉此作為第1實施例的樣品。
製作6個樣品，而得到樣品1-1、1-2、1-3、1-4、1-5、1-6。
以電子顯微鏡測量所得之鑲嵌的截面時，在任一個樣品，基材之開口部的內側面和IC模組的密封樹脂部之間都無間隙，覆蓋IC模組之密封材料的外表面和具有開口部之基材的外表面之階差係如以下所示。
樣品1-1：4μm樣品1-2：11μm樣品1-3：10μm樣品1-4：15μm樣品1-5：9μm樣品1-6：9μm
(靜電測試)
依據ISO10373-7、JIS X6305-7，進行靜電測試。
首先，將第5A圖所示之鑲嵌40翻面，使具有開口部之基材在上。然後，配置成鑲嵌之長方形的長邊方向位於左右方向，而短邊方向位於上下方向，且開口部在平面圖上位於長方形之右上角。然後，從形成開口部之基材的外表面，依序施加+6kV、-6kV、+8kV、-8kV的電壓。此時，每次施加相異的電壓值，就確認IC晶片的動作，並測量鑲嵌的通信響應。
施加電壓的位置係將以天線線圈為外周之橫長的長方形之區域朝向縱向4分割，並朝向橫向5分割的縱×橫為4×5之共20個的區域之各個(位置20)、IC模組之密封樹脂部的中央(位置中央)、開口部之左側的基材上(位置左)、開口部之右側的基材上(位置右)、開口部之上側的基材上(位置上)以及開口部之下側的基材上(位置下)之共25處，並依序測量。
第1表表示靜電測試的量測效果。第1表中，「P」記號表示2秒以上通信響應良好，「F」記號表示發生通信響應不良。又，「20」表示位置20、「M」表示位置中央、「L」表示位置左、「R」表示位置右、「Up」表示位置上，「Un」表示位置下的資料。
此外，通信響應所使用的裝置係DENSO WAVE製PR-450UDM的非接觸讀寫器，以10mm的距離進行通信響應的確認。
如第1表所示，在本實施例，從樣品1-1至樣品1-6，在全部的施加電壓及全部的場所都得到良好的通信響應。
(原子筆測試)
在基材42的外表面，使用原子筆，使原子筆沿著天線線圈之長邊方向，並通過IC模組上而遊走。
所使用的原子筆係市面上之球直徑為1mm的原子筆，以負荷600g、速度25mm/sec行走原子筆，在往返25次後，確認IC晶片的基本動作，並測量鑲嵌的通信響應。
第2表表示原子筆測試之測試結果。第2表中，「OK」表示通信響應係良好，「NG」表示發生通信響應不良。
此外，通信響應所使用的裝置係DENSO WAVE製PR-450UDM的非接觸讀寫器，以10mm的距離進行通信響應的確認。
如第2表所示，在本實施例，從樣品1-1至樣品1-6，全部得到良好的通信響應。
(壓印測試)
使用壓印器對形成開口部之基材的外表面施加負荷。
所使用之壓印器的衝頭前端直徑為10mm，以負荷250g、落下高度320mm撞擊50次後，確認IC晶片的基本動作，並測量鑲嵌的通信響應。
第3表表示壓印器測試之測試結果。第3表中，「OK」表示通信響應係良好，「NG」表示發生通信響應不良。
此外，通信響應所使用的裝置係DENSO WAVE製PR-450UDM的非接觸讀寫器，以10mm的距離進行通信響應的確認。
如第3表所示，在本實施例，從樣品1-1至樣品1-6，全部得到良好的通信響應。
<第1比較例>
除了未使用密封材料以外，以和第1實施例一樣的方法製作樣品。
製作6個樣品，而得到樣品A-1、A-2、A-3、A-4、A-5、A-6。
以電子顯微鏡測量所得之鑲嵌的截面時，在任一個樣品，基材之開口部的內側面和IC模組之間都發生約50μm的間隙，IC模組之密封樹脂部的外表面和具有開口部之基材的外表面之階差係如以下所示。
樣品A-1：26μm樣品A-2：21μm樣品A-3：22μm樣品A-4：27μm樣品A-5：26μm樣品A-6：25μm
又，進行上述之靜電測試時，如第1表所示，在樣品A-1，在位置下(Un)之施加+6kV時，發生通信響應不良。又，在樣品A-2，在位置左(L)之施加-6kV時，發生通信響應不良。又，在樣品A-3，在位置右(R)之施加+8kV時，發生通信響應不良。又，在樣品A-4，在位置下(Un)之施加+8kV時，發生通信響應不良。又，在樣品A-5，在位置右(R)之施加+8kV時，發生通信響應不良。又，在樣品A-6，在位置下(Un)之施加+8kV時，發生通信響應不良。
又，進行原子筆測試時，如第2表所示，雖然在樣品A-1、樣品A-2、樣品A-5以及樣品A-6發生通信響應不良，但是在樣品A-3及樣品A-4得到良好的通信響應。
又，進行壓印器測試時，如第3表所示，從樣品A-1至樣品A-6全部發生通信響應不良。
由以上之結果，若依據使用密封材料之本實施例，可防止靜電從間隙侵入，而可使在靜電測試之不良率變成約0%。此外，藉由滿足外表面之平坦性的要求，而可使在原子筆測試或壓印器測試之不良率變成約0%。另一方面，在未使用密封材料的第1比較例，在實施各測試後，發生通信響應不良的機率極高。
<第4實施形態>
以下，參照圖式，說明本發明之第4實施形態的非接觸型資訊媒體(以下僅稱為「資訊媒體」)。
第9圖係表示安裝本實施形態之資訊媒體110的冊子體101之立體圖。資訊媒體110係在夾入構成冊子體101之封面及背封面之封面元件102的一方、和黏貼於該一方之封面元件102的內黏貼用紙103之間的狀態被黏接。在封面和背封面之間，裝訂入複數張本文用紙104，可用於電子護照、或存款存摺等之各種用途。
此外，亦可作成將資訊媒體110安裝於冊子體101之封面元件102的一個面。在此情況，將資訊媒體110安裝於封面元件102之內側的面(封面元件102和本文用紙104接觸的面)，而不是外側的面較佳。藉由採用這種構造，而可在外部撞擊施加於冊子體101時，保護資訊媒體110。
又，亦可作成將資訊媒體110安裝於冊子體101之本文用紙104的任一頁。例如，亦可作成使本文用紙104之既定的頁之面積比其他的頁更大，並將該既定的頁折疊成面積變成和其他的頁一樣大，而將資訊媒體110收容於藉此折疊所形成之空間內。在此情況，所折疊的部分係藉由以膠水黏或相縫而密封。
第10圖係表示構成資訊媒體110之一部分的IC鑲嵌片111之模型圖。IC鑲嵌片111具備有絕緣性的片112、形成於片112之雙面的天線線圈113以及安裝於片112的IC晶片114。
作為片112的材料，可適合採用Polyethylene terephthalate(PET)等之各種樹脂。天線線圈113係使用鋁或銀等之導體並利用蝕刻、打線、印刷等之方法形成。其中尤其鋁係便宜，從製造費用的觀點較佳。天線線圈113具有：天線環113A，係設置於一個面；跳線配線113B，係形成於另一面。跳線配線113B的端部係使用對片所加工之未圖示的貫穿孔，或歛縫而和天線環113A以電氣達接。
IC晶片114係利用焊接等而和天線線圈113以電氣連接，並安裝於片112。因而，IC鑲嵌片111可在和外部的資料讀取裝置等之間以非接觸進行資料的收發。
第11圖係冊子體101所安裝之資訊媒體110的剖面圖。資訊媒體110係利用2片片狀的多孔質性基材115從上下夾入IC鑲嵌片111而形成。IC鑲嵌片111和多孔質性基材115係利用黏接劑116而一體地接合。
考慮後述之資訊媒體110的製程時，多孔質性基材115具有熱可塑性較佳。具體而言，可利用如下的方法得到，將聚乙烯、聚丙烯、聚氯化乙烯、聚氯化伸乙烯基、聚苯乙烯、聚醋酸乙烯、聚酯等之樹脂以單體或組合，和矽膠等之多孔質粒子混合，在樹脂之揉和時添加空氣而使發泡，在延展後進行鑽孔加工等。又，因為這種基材在市面上以對噴墨或凸板等之賦與可印刷性的樹脂片或合成紙販賣，所以亦可利用之。
一樣地，黏接劑116亦具有熱熔性者較佳。具體而言，可適當地採用由乙醋酸乙烯共聚合物(EVA)系、乙丙烯酸共聚合物(EAA)系、乙甲基丙烯酸共聚合物(EMAA)系、聚酯系、聚醯胺系、聚氨基甲酸乙酯系、烯屬烴系等各種熱可塑性樹脂所構成者。
對黏接劑116，混合具有抑制氯化物離子之透過的耐氯化物離子特性之物質。即，由黏接劑116所構成之層，被覆形成於IC鑲嵌片111上的天線線圈113，而抑制氯化物離子接觸天線線圈113，亦作為防止腐蝕等之劣化的耐氯化物離子層發揮功能。作為這種黏接劑116，例如對EAA系之水系乳化黏接劑添加環氧系橋接劑，或以凹版塗敷器將丙烯酸系的乳化黏接劑等塗敷成既定之塗敷厚度，藉此可易於得到。
在使用利用蝕刻法形成鋁薄膜之天線的情況，因為鋁對氯化物離子特別弱，所以使用耐氯化物離子層係有效。
為了使用黏接劑116來形成耐氯化物離子層，除了材質以外，亦需要考慮由黏接劑116所形成之層的厚度。為了明白其等關係而進行實驗。
以下，說明實驗方法。
(實驗樣品)
多孔質性基材使用商品名稱「TESLIN片」(厚度380μm、PPG Industry公司製)，隔著具有鋁製之天線線圈的IC鑲嵌片黏接於PET製的片上。
作為黏接劑，使用以往所使用之EMAA系黏接劑、對EMAA系黏接劑添加環氧系橋接劑者、以及丙烯酸系黏接劑之3種，各自改變塗敷厚度或添加量。對這些樣品進行後述之鹽水噴霧測試。
又，不由多孔質性基材夾住，而製作將相同條件之各黏接劑直接塗敷於IC鑲嵌片的樣品，使用該樣品進行後述的鹽酸測試。
(實驗1：鹽水噴霧測試)
根據ISO 10373-1進行鹽水噴霧測試，以下的3階段判定結果。
A：完全未看到腐蝕，B：局部地看到腐蝕，C：全面地看到腐蝕，而在性能發生不良。
(實驗2：鹽酸測試)
係獨自設定之測試方法，按照以下的順序進行。
(1)對將各種黏接劑直接塗敷於IC鑲嵌片的各樣品，滴下一滴2N的鹽酸(HCl)，並以PET製之薄膜覆蓋其上，以免乾燥。
(2)然後，將各樣品投入80℃的烤箱，並測量至鋁熔解的時間。
在第4表表示在各樣品之實驗1及實驗2的結果。
如第4表所示，實驗1及實驗2的結果表示大致良好的相關。如以往所示，僅以EMAA系熱可塑性黏接劑進行接合的樣品，即使增加黏接劑塗敷厚度，亦無法得到對鹽水噴霧之充分的耐久性。
而，表示藉由對EMAA系熱可塑性黏接劑添加環氧系橋接劑，對黏接劑賦予耐氯化物離子特性。而且，其耐久性係藉由提高環氧系橋接劑的混合比例而增強。
又，丙烯酸系黏接劑對鹽水噴霧的耐久性比EMAA系接劑更高，而表示具有耐氯化物離子特性。而且，其耐化物離子特性係藉由增加塗敷厚度而增強。
由以上之結果，表示藉由調整具有耐氯化物離子特之物質的混合比例，或選擇由具有耐氯化物離子特性之質所構成的黏接劑，並調整其塗敷厚度，而可形成具有要之耐氯化物離子特性的耐氯化物離子層。
說明如以上所示構成之資訊媒體110的製造方法。
首先，將天線環113A及跳線配線113B形成於片112上，而設置天線線圈113。然後，將IC晶片114和天線線圈113連接，而形成IC鑲嵌片111。至此為止，和一般之IC鑲嵌片的製造方法一樣。
接著，為了將IC鑲嵌片111和多孔質性基材115良好地接合，如第12圖所示，切掉片112的周邊，再除去天線環113A之內側的區域，而設置在厚度方向貫穿片112的貫穿孔112A。
在形成貫穿孔112A時，可適合利用藉模具之沖孔。因此，即使在對一片大片形成多個天線線圈而將IC鑲嵌片進行量產的情況等，亦可利用沖孔，而易於製作多個貫穿孔。
關於貫穿孔112A的大小，從將多孔質性基材良好地接合之觀點，將貫穿孔112A之和厚度方向正交的截面之面積設定成佔天線環113A之最內側的天線所包圍之區域的60%以上較佳。又，從一樣之觀點，將片112的面積設定成所接合之多孔質性基材115的面積之3%以上且未滿20%較佳。
然後，對形成所要之大小的2片多孔質性基材115之各自的一面，如上述所示塗敷賦予耐氯化物離子特性的黏接劑116。接著，使塗敷黏接劑116的面和IC鑲嵌片111相對向，再以多孔質性基材115從上下夾入IC鑲嵌片111並加壓。依此方式，以被覆天線線圈113之方式形成由黏接劑116所構成之耐氯化物離子層。
在以熱可塑性樹脂形成多孔質性基材115的情況，藉由和加壓同時進行加熱，多孔質性基材115變軟而變形，利用多孔質性基材115吸收由IC晶片114等所引起之IC鑲嵌片111表面的凹凸。結果，可得到上面及下面平坦的資訊媒體110。
在上述之加工，可應用以往之IC卡的製造方法等，例如，可使用熱壓機等來執行。
將依此方式所得的資訊媒體110如第11圖所示夾入封面元件102和內黏貼用紙103之間，並使用未圖示的黏接劑一體地接合，而可得到具備有資訊媒體110的冊子體101。
因為形成於資訊媒體110之外面的多孔質性基材115顯示各種型式的黏接劑和良好的密接性，即使使用如在一般冊子體之接合所使用的水系乳化黏接劑等，亦可無問題並適當地接合。又，因為資訊媒體110的外面係無凹凸、平坦地形成，所以可安裝成不會損害冊子體101之外觀。
此外，將封面元件102和資訊媒體110接合時，使用無體積變化之反應硬化式黏接劑較佳。在使用有體積變化之乾燥硬化式黏接劑的情況，若資訊媒體的一部分有凹凸，則在凹部黏接劑的使用量變多。結果，乾燥時之體積減少變大，和該凹部重疊之封面元件102等的一部分凹陷，而可能損害外觀。
作為無體積變化之黏接劑，例如可採用2液混合式環氧系黏接劑、濕氣硬化式矽系黏接劑、1液硬化式氨基甲酸乙酯系黏接劑等。又，亦可使用EVA系、EAA系、聚酯系、聚醯胺系、聚氨基甲酸乙酯系、烯屬烴系等各種熱熔黏接劑等。以上之黏接劑中，從作業性或耐久性的觀點，反應硬化式的熱熔黏接劑更佳。
以下，使用實施例，進一步說明本實施形態的資訊媒體110及冊子體101。
(實施例) 1.IC鑲嵌片的製作
片112使用厚度38微米(μm)的PET片。對片112的雙面進行鋁蒸鍍及印刷形狀和天線線圈113相同的遮罩層，利用圖案蝕刻將天線環113A形成於一個面，並將跳線配線113B形成於另一面。在此，利用歛縫接合，將天線環113A和跳線配線113B接合，並將IC晶片114焊接於天線線圈113的連接端子部。
第13圖表示在實施例之資訊媒體110A的各部之尺寸。大致四角形之天線環113A的外圈係80毫米(mm)×48mm，內圈係67mm×37mm。
接著，將天線環113A之內側的片112之一部分沖孔，而形成65mm×35mm之大致四角形的貫穿孔112A。再留下天線環113A之外周及距離IC晶片114為2mm的輪廓，將比其更外側的片112沖孔而除去。因而，和貫穿孔112A之厚度方向正交的截面積變成天線環113A之內周的區域之約91%。依以上之方式製作IC鑲嵌片111。
2.準備多孔質性基材
多孔質性基材115的材料使用商品名稱「TESLIN片」(厚度380μm、PPG Industry公司製)。對此片的一個面，以5g/m2 (塗敷厚度約5μm)塗敷將水溶性環氧硬化劑1重量部和EMAA系水性乳化黏接劑(商品名稱：AC-3100，中央理化工業(股份有限公司)製)20重量部混合的黏接劑。在乾燥後，裁斷2片150mm×200mm的片，而得到多孔質性基材115。在此時刻，IC鑲嵌片111的面積為多孔質性基材115之面積的15%。
然後，對一方的多孔質性基材115，進行相當於IC晶片114之導線架尺寸的鑽孔加工，並對另一方的多孔質性基材115，進行相當於IC晶片114之模尺寸的鑽孔加工。
3.製作資訊媒體
對形成於各個多孔質性基材115之上述的孔，為了收容IC晶片114的導線架及模，而配置IC鑲嵌片111及多孔質性基材115。然後，以多孔質性基材115從上下夾入IC鑲嵌片111並疊層，再利用點加熱而暫時固定。
將利用點加熱而暫時固定的多孔質性基材115及IC鑲嵌片111夾入2片不銹鋼板，再加熱加壓並完全接合，而得到資訊媒體110A。加熱加壓條件係在加熱部溫度100℃~160℃、壓力5KgF/cm2 ~30KgF/cm2 、處理時間15秒~120秒之間適當地調整。
4.安裝於冊子體
作為封面元件102的材料，準備冊子封面用cross(商品名稱：Enviromate H，ICG Holliston公司製)。將其裁成和資訊媒體110A一樣的尺寸，而得到封面元件102。
以熱滾塗敷器使濕氣硬化式熱熔黏接劑(商品名稱：Esdyne-9635，積水fuller(股份有限公司)製)熔化，並以20g/cm2 塗敷於封面元件。使資訊媒體110A之多孔質性基材115的外面黏接於已塗敷熱熔黏接劑的封面元件102，再以輥加壓，然後進行老化。
接著，收集複數張本文用紙104和1張內黏貼用紙103，並以縫紉機將中央縫合，藉此製作將內黏貼用紙103安裝於最外的本文部分。然後，對黏接於封面元件102的資訊媒體110A之和封面元件102相反側的多孔質性基材115以20g/cm2 塗敷水系乳化黏接劑(商品名稱：SP-2850，Nicon(股份有限公司)製)，並將該多孔質性基材115和內黏貼用紙103黏接。在將所得之冊子展開之狀態裁成125mm×180mm，而得到冊子體101。即，在第13圖之多孔質性基材115的尺寸係表示在將冊子體101A彎曲之狀態的尺寸。
(比較例)
在比較例，雖然以和實施例一樣的方法製作IC鑲嵌片111，但是貫穿孔112A的尺寸設為40mm×30mm。因而，和貫穿孔112A之厚度方向正交的截面積變成天線環113A之內周的區域之約48%。
再按照和實施例一樣的順序安裝於冊子體，而得到具有大致相同之外觀的冊子體。
如上述所示製作之實施例的冊子體101A之封面及背封面係平滑地形成，未看到安裝資訊媒體110A所引起之凹凸的發生。又，即使在高溫多濕環境下之保管或彎曲測試等的各種耐久性評估測試，亦未看到IC鑲嵌片111，尤其天線線圈113的劣化，表示良好的結果。
從比較例之冊子體分別要只取出IC鑲嵌片時，在比較例之冊子體，不和多孔質性基材分離地取出IC鑲嵌片，並不會破壞天線線圈。另一方面，在實施例的冊子體101A，想要剝離多孔質性基材115時，因為在面積大之貫穿孔112A或IC鑲嵌片111的周圍多孔質性基材115彼此直接堅固地接合，所以多孔質性基材115及天線線圈113的一部分受到破壞，而無法在可再利用之狀態取出IC鑲嵌片111。
若依據本實施形態的資訊媒體110，以塗敷具有耐氯化物離子特性之黏接劑116的多孔質性基材115夾入IC鑲嵌片111並一體地接合，藉此，以被覆包含有天線環113A及跳線配線113B之天線線圈113的方式形成耐氯化物離子層。因此，即使係安裝於冊子體的情況，亦抑制透過封面元件102或內黏貼用紙103之氯化物離子到達天線線圈113而產生之作用，而可適當地防止天線線圈113劣化。因此，即使應用於冊子體，亦可構成長期間在高可靠性之狀態發揮功能的資訊媒體。
又，因為利用多孔質性基材115從上下夾入IC鑲嵌片111，所以利用多孔質性基材115吸收由IC晶片114等所引起的凹凸，而可構成上面及下面平滑的資訊媒體。結果，即使應用於冊子體，亦不會損害該冊子體的外觀。
此外，因為貫穿孔112A設置於IC鑲嵌片111的片112，所以在貫穿孔112A處，多孔質性基材115彼此未經由片112，而利用黏接劑116堅固地黏接。因此，將資訊媒體110整體安定地接合，而且難於為了偽造等而僅取出IC鑲嵌片，可更提高安全性。
<第5實施形態>
其次，說明本發明之第5實施形態。
第15圖係本發明之第5實施形態的鑲嵌40D之沿著C-C’線(第5A圖)的部分剖面圖。此外，對於鑲嵌40D之和第1實施形態的鑲嵌40(第5B圖)相同構成的部分附加相同之符號，省略其說明。
在第5B圖，具有電絕緣性之密封材料43配置於IC模組20和開口部42h的內側面之間。而，第15圖的密封材料50係利用具有電絕緣性的物質將第5B圖之天線片1和密封材料43一體形成。作為密封材料50的材質，可使用和上述之密封材料43一樣的材質。
藉由採用如第15圖之構造，如第5B圖的形態所示，因為天線片1和密封材料43之間無間隙，所以可更確實地防止靜電侵入IC模組20，而可提高IC模組20之動作的可靠性。
此外，即使在第2實施形態(第6圖)或第3實施形態(第7圖)，亦和在第15圖的說明一樣，亦可利用具有電絕緣性的物質將天線片1和密封材料43一體形成。
<第6實施形態>
其次，說明本發明之第6實施形態。
第16圖係本發明之第6實施形態的鑲嵌40E之平面圖。第16圖所示之平面圖係和第1實施形態之鑲嵌40的平面圖(第5A圖)一樣。因而，對於採取相同之構造的部分，附加相同之符號，省略其說明。
第17圖係本發明之第6實施形態的鑲嵌40E之沿著D-D’線(第16圖)的部分剖面圖。在第17圖，對於採取和第1實施形態之鑲嵌40的部分剖面圖(第5B圖)相同之構造的部分，附加相同之符號，省略其說明。
在第17圖的鑲嵌40E，和第5B圖一樣，基材41和基材42夾入鑲嵌片30。可是，在第17圖，於基材41和基材42之各自和天線片1接觸的面，塗敷黏接劑51。將具有抑制氯化物離子之透過的耐氯化物離子特性之物質和黏接劑51混合。
第18圖係本發明之第6實施形態的鑲嵌40E之沿著E-E’線(第16圖)的部分剖面圖。如第18圖所示，天線線圈4設置於天線片1之一個面上。又，跳線配線14設置於天線片1之另一面上。
基材41配置於天線片1之設置天線線圈4的面上。又，基材42配置於天線片1之設置跳線配線14的面上。
對基材41之和基材42相對向之面上、及基材42之和基材41相對向的面上，各自塗敷黏接劑51。
第19圖係本發明之第6實施形態的鑲嵌40E之沿著F-F’線(第16圖)的部分剖面圖。跳線配線14設置於天線片1之一個面上。又，和天線連接座9連接之配線10設置於天線片1之另一面上。利用設置於天線片1的開口部之導電性的連接部52將跳線配線14和配線10以電氣連接。
開口部形成於天線片1，經由此開口部，將跳線配線14和配線10以電氣連接。
基材41配置於天線片1之設置跳線配線14的面上。又，基材42配置於天線片1之設置配線10的面上。
對基材41之和基材42相對向之面上、和基材42之和基材41相對向的面上，各自塗敷黏接劑51。
若依據上述本發明之第6實施形態，因為作成對基材41之和基材42相對向之面上、和基材42之和基材41相對向的面上，塗敷混合了具有抑制氯化物離子之透過的耐氯化物離子特性之物質的黏接劑51，所以可防止氯化物離子從鑲嵌40E的外部侵入，而可防止設置於天線片1上之天線線圈4、跳線配線14、配線10等之金屬劣化。
此外，在本實施形態，雖然說明以被覆天線線圈4之方式形成黏接劑51之層的情況(第18圖)、以被覆IC模組20之方式形成黏接劑51之層的情況(第17圖)、以被覆連接天線線圈4和IC模組20的跳線配線14之方式形成黏接劑51之層的情況(第18圖、第19圖)，但是未限定如此。例如，亦可作成以被覆連接天線線圈4、IC模組20以及跳線配線14之至少一個以上的方式形成黏接劑51之層。尤其藉由以被覆跳線配線14的方式形成黏接劑51之層，而可保護強度比其他的配線部分弱之跳線配線14，免於受到氯化物離子的侵入，而可提高鑲嵌40E之動作的可靠性。
雖然以上說明本發明之實施形態，但是本發明之技術範圍未限定為上述的實施形態，在未超出本發明之主旨的範圍，可施加各種變更。
此外，以一對基材(第3及第4基材)夾入第1實施形態之第4B圖所示的天線片1並製成產品的情況，亦可作成對安裝於天線座25側的基材，形成形狀和天線座25之在平面圖上的形狀大致相同之收容部(開口部或凹部)，並將天線座25收容於該收容部。又，對安裝於和天線座25側相反側的基材，形成形狀和IC晶片22的封裝樹脂之在平面圖上的形狀大致相同之收容部(開口部或凹部)，並將IC晶片22的封裝樹脂收容於該收容部。
藉由採用這種構造，在以一對基材夾入天線片1而製成產品的情況，可使該產品之厚度變薄，而且能以一對基材更確實地固定天線片1。
例如，在上述的第4實施形態，雖然說明黏接劑116具有耐氯化物離子特性的例子，但是亦可替代之，除了黏接劑以外，還使用例如環氧系樹脂等之具有耐氯化物離子特性的物質，形成耐氯化物離子層。
在此情況，耐氯化物離子層亦可以塗敷等方法形成於IC鑲嵌片111上，亦可形成於多孔質性基材115之和IC鑲嵌片111接合的面。後者的情況，因為可使用可彩色印刷的印刷裝置等，將耐氯化物離子層及黏接劑層形成於多孔質性基材的表面，所以不必大為變更步驟，就可高效率地形成2層。
又，形成於片112之貫穿孔亦未限定為在上述之實施形態所說明之單一者，例如亦可如第14A圖或第14B圖之變形例所示，設置複數個貫穿孔112B或112C。依此方式，多孔質性基材彼此直接堅固地接合處分散成複數個，而更難剝離，可作為安全性高的資訊媒體。
此外，在上述之各實施形態，雖然說明將IC鑲嵌片夾入多孔質性基材之資訊媒體的例子，但是亦可採用未具備有多孔質性基材，而將耐氯化物離子層直接形成於IC鑲嵌片上的資訊媒體。這種資訊媒體，和具備有多孔質性基材者相比，雖然平滑性稍降低，但是藉由適當地選擇封面元件及內黏貼用紙之用以接合的黏接劑，而可應用於冊子體。而且，可在抑制天線線圈的劣化，而確保資訊媒體之功能下，長期使用冊子體。
又，亦可將上述之第4或第6實施形態應用於其他的任一個實施形態。例如，亦可以第4實施形態之係耐氯化物離子層的黏接劑116被覆之方式製作第1~第3實施形態的天線線圈4。
又，亦可以塗敷未具有耐氯化物離子特性之黏接劑，並以耐氯化物離子層被覆該黏接劑上的方式製作天線線圈4。
又，在上述的第4實施形態，亦可作成設置以被覆天線線圈113之方式夾入片112的雙面整體之片狀的多孔質性基材115，並將係耐氯化物離子層之黏接劑116形成於多孔質性基材115之和片112相對向的面。在此情況，可易於形成耐氯化物離子層，而且可平坦地形成非接觸型資訊媒體110的雙面，即使安裝於冊子體，亦可使所安裝之頁難產生凹凸。
又，如在第4實施形態的說明所示，利用黏接劑116將多孔質性基材115黏接接片112，藉此，因為黏接劑116具有耐氯化物離子特性，所以作為耐氯化物離子層發揮功能。因而，可同時進行耐氯化物離子層之形成和多孔質性基材的黏接，而可提高製造效率。
又，如在第4實施形態的說明所示，片112具有厚度方向貫穿的貫穿孔112A，且多孔質性基材115在貫穿孔112A未經由片112而接合，藉此，因為在貫穿孔的部分，多孔質性基材115彼此直接黏接，所以可將多孔質性基材115更堅固地接合，而且可提高安全性。
又，如在第4實施形態的說明所示，藉由將和貫穿孔112A之軸線正交的方向之截面積設為天線線圈113之環的內側之區域的面積之60%以上的值，或將片112的面積設為在和多孔質性基材115接合時，多孔質性基材115之面積的3%以上且未滿20%，而可將多孔質性基材115更堅固地接合。
又，如在第4實施形態的說明所示，藉由以含有鋁之方式形成天線線圈113，而可便宜且確實地形成天線線圈113。
又，如在第4實施形態的說明所示，藉由將非接觸型資訊媒體110應用於冊子體101，而安裝於冊子體101之非接觸型資訊媒體110的天線線圈113變得難劣化，而可長期安定地使用。
此外，在上述的第4實施形態，雖然說明以被覆天線線圈113的方式形成係耐氯化物離子層之黏接劑116的層之情況，但是未限定如此。例如，亦可作成和耐氯化物離子層一起，或者替代耐氯化物離子層，以被覆天線線圈113之方式形成耐水層。
作為耐水層的材質，可使用天然橡膠乳膠、苯乙烯、丁二烯共聚合乳膠等之橡膠乳膠、氯化乙烯、醋酸乙烯系樹脂、聚酯系樹脂、聚氨基甲酸乙酯系樹脂、苯乙烯(甲基)丙烯酸烷酯、(甲基)丙烯酸烷酯共聚合物等之(甲基)丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂等。
[產業上之可應用性]
本發明可應用於詢答機及冊子體等，其可防止靜電的侵入，又可滿足外表面之平坦性的要求。
1．．．天線片
2．．．基板(第一基材)
4．．．天線線圈
20．．．IC模組
20a．．．外表面
21．．．導線架
22．．．IC晶片
23．．．密封樹脂部
30．．．鑲嵌片
40、40B、40C、40D、40E．．．鑲嵌
42．．．基材(第二基材)
42a．．．外表面
42h、42H．．．開口部
43．．．密封材料
43a．．．外表面
44．．．蓋材料
50．．．密封材料
51．．．黏接劑
100．．．電子護照(具有蓋之鑲嵌、非接觸型之具有IC的資料載具)
101、101A．．．冊子體
110、110A．．．非接觸型資訊媒體
112．．．片
112A．．．貫穿孔
113．．．天線線圈
114．．．IC晶片
115．．．多孔質性基材
116．．．黏接劑(耐氯化物離子層)
第1A圖係本發明之第1實施形態的天線片之平面圖。
第1B圖係本發明之第1實施形態的天線片之底視圖。
第2A圖係表示本發明之第1實施形態的天線片之天線電路和跳線配線的連接部之剖面圖。
第2B圖係表示本發明之第1實施形態的天線片之天線電路和跳線配線的連接部之剖面圖。
第3A圖係本發明之第1實施形態的IC模組之平面圖。
第3B圖係本發明之第1實施形態的IC模組之沿著A-A’線的剖面圖。
第4A圖係本發明之第1實施形態的鑲嵌片之放大平面圖。
第4B圖係本發明之第1實施形態的鑲嵌片之沿著B-B’線的剖面圖。
第5A圖係本發明之第1實施形態的鑲嵌之放大平面圖。
第5B圖係本發明之第1實施形態的鑲嵌之沿著C-C’線的剖面圖。
第6圖係本發明之第2實施形態的鑲嵌片之對應於第5B圖的部分剖面圖。
第7圖係本發明之第3實施形態的鑲嵌片之對應於第5B圖的部分剖面圖。
第8圖係表示本發明之實施形態的電子護照之示意構造的立體圖。
第9圖係表示本發明的第4實施形態之安裝非接觸型資訊媒體的冊子體之圖。
第10圖係表示該非接觸型資訊媒體之IC鑲嵌片的模型圖。
第11圖係該冊子體101所安裝之該非接觸型資訊媒體的剖面圖。
第12圖係表示在製造該非接觸型資訊媒體時切掉該IC鑲嵌片之狀態的圖。
第13圖係表示在實施例之該非接觸型資訊媒體的各部之尺寸圖。
第14A圖係表示在本發明之變形例的非接觸型資訊媒體之IC鑲嵌片的圖。
第14B圖係表示在本發明之變形例的非接觸型資訊媒體之IC鑲嵌片的圖。
第15圖係本發明之第1實施形態的變形例之鑲嵌40D的沿著C-C’線(第5A圖)的部分剖面圖。
第16圖係本發明之第6實施形態的鑲嵌40E之平面圖。
第17圖係本發明之第6實施形態的鑲嵌40E之沿著D-D’線(第16圖)的部分剖面圖。
第18圖係本發明之第6實施形態的鑲嵌40E之沿著E-E’線(第16圖)的部分剖面圖。
第19圖係本發明之第6實施形態的鑲嵌40E之沿著F-F’線(第16圖)的部分剖面圖。
第20圖係以往的鑲嵌之對應於第5B圖的部分剖面圖。
1．．．天線片
20．．．IC模組
20a．．．外表面
23．．．密封樹脂部
30．．．鑲嵌片
40．．．鑲嵌
41．．．基材
42．．．基材
42a、43a．．．外表面
42h．．．開口部
D．．．間隙
g．．．階差

Claims (16)

  1. 一種詢答機，其特徵為具備：第一基材，其係具有可撓性；天線片，其係設置於該第一基材上，具備天線線圈，並具有第一開口部；IC模組，其係連接於該天線線圈，且至少一部分被配置於該第一開口部內；第二基材，其係具有使該IC模組之至少一部分曝露之第二開口部；及密封材料，其係設置於該IC模組與該第二開口部之內側面之間，並具有電氣絕緣性。
  2. 如申請專利範圍第1項之詢答機，其中該密封材料係以覆蓋透過該開口部而曝露之該IC模組的外表面之方式配置，該第二基材之外表面和該密封材料的外表面連續而形成大致平坦。
  3. 如申請專利範圍第2項之詢答機，其中該第二基材之外表面和該密封材料的外表面之階差係20μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之詢答機，其中該密封材料係以覆蓋該天線線圈和該IC模組之連接部、或覆蓋連接該天線線圈和該IC模組之跳線配線的方式形成。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之詢答機，其中該IC模組係具有導線架、組裝於該導線架上的IC 晶片以及將該IC晶片密封的密封樹脂部；該密封材料的縱彈性係數小於該密封樹脂部之縱彈性係數。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之詢答機，其中該密封材料係具有黏接材料及支持體的樹脂膠帶。
  7. 如申請專利範圍第6項之詢答機，其中該IC模組係具有導線架、組裝於該導線架上的IC晶片以及將該IC晶片密封的密封樹脂部；該黏接材料及該支持體之至少一方的縱彈性係數係小於該密封樹脂部之縱彈性係數。
  8. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之詢答機，其中該第一基材係蓋材料。
  9. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之詢答機，其中蓋材料係和該第一基材之外表面及該第二基材的外表面之至少一方接合。
  10. 如申請專利範圍第1項之詢答機，其中該天線片和該密封材料係一體成形。
  11. 如申請專利範圍第1項之詢答機，其中具備有耐氯化物離子層，其以被覆該天線線圈、該IC模組、連接該天線線圈和該IC模組之跳線配線的至少一者以上之方式形成。
  12. 如申請專利範圍第1項之詢答機，其中具備有耐水層，其以被覆該天線線圈、該IC模組、連接該天線線圈和該IC模組之跳線配線的至少一者以上之方式形成。
  13. 如申請專利範圍第1項之詢答機，其中該第一基材在與該IC模組之導線架對應的位置具有第三開口部。
  14. 如申請專利範圍第1項之詢答機，其中該天線片在與該天線線圈之迴路內的區域對應之位置具有第四開口部。
  15. 如申請專利範圍第13項之詢答機，其中該第三開口部之面積大於該第二開口部之面積。
  16. 一種冊子體，其特徵為具有一詢答機，該詢答機之特徵為具備：第一基材，其係具有可撓性；天線片，其係設置於該第一基材上，具備天線線圈，並具有第一開口部；IC模組，其係連接於該天線線圈，且至少一部分被配置於該第一開口部內；第二基材，其係具有使該IC模組之至少一部分曝露之第二開口部；及密封材料，其係設置於該IC模組與該第二開口部之內側面之間，並具有電氣絕緣性。
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