TWI422440B - 清潔方法及系統 - Google Patents
清潔方法及系統 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI422440B TWI422440B TW100122012A TW100122012A TWI422440B TW I422440 B TWI422440 B TW I422440B TW 100122012 A TW100122012 A TW 100122012A TW 100122012 A TW100122012 A TW 100122012A TW I422440 B TWI422440 B TW I422440B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- chemical composition
- particles
- deposits
- enclosure
- filter
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 109
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title description 73
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 215
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 211
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 188
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Substances [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 82
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 45
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims description 40
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 29
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910017053 inorganic salt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 3
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 claims description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002352 surface water Substances 0.000 claims 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 24
- 238000001246 colloidal dispersion Methods 0.000 description 13
- 229910001570 bauxite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 8
- -1 amine salt Chemical class 0.000 description 6
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000527 sonication Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001471 micro-filtration Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Chemical group 0.000 description 2
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 2
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 2
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 1-O-galloyl-3,6-(R)-HHDP-beta-D-glucose Natural products OC1C(O2)COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC1C(O)C2OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 TUSDEZXZIZRFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N Biguanide Chemical compound NC(N)=NC(N)=N XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940123208 Biguanide Drugs 0.000 description 1
- 239000001263 FEMA 3042 Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N Penta-digallate-beta-D-glucose Natural products OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-PPKXGCFTSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical group [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000003670 easy-to-clean Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 238000005816 glass manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 239000010805 inorganic waste Substances 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010213 iron oxides and hydroxides Nutrition 0.000 description 1
- 239000004407 iron oxides and hydroxides Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229960003975 potassium Drugs 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001508 potassium citrate Substances 0.000 description 1
- 229960002635 potassium citrate Drugs 0.000 description 1
- QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K potassium citrate (anhydrous) Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O QEEAPRPFLLJWCF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000011082 potassium citrates Nutrition 0.000 description 1
- JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M potassium iodate Chemical compound [K+].[O-]I(=O)=O JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001230 potassium iodate Substances 0.000 description 1
- 235000006666 potassium iodate Nutrition 0.000 description 1
- 229940093930 potassium iodate Drugs 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000009182 swimming Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N tannic acid Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)OC=2C(=C(O)C=C(C=2)C(=O)OC[C@@H]2[C@H]([C@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)[C@@H](OC(=O)C=3C=C(OC(=O)C=4C=C(O)C(O)=C(O)C=4)C(O)=C(O)C=3)O2)OC(=O)C=2C=C(OC(=O)C=3C=C(O)C(O)=C(O)C=3)C(O)=C(O)C=2)O)=C1 LRBQNJMCXXYXIU-NRMVVENXSA-N 0.000 description 1
- 229940033123 tannic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000015523 tannic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920002258 tannic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000004753 textile Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D41/00—Regeneration of the filtering material or filter elements outside the filter for liquid or gaseous fluids
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D41/00—Regeneration of the filtering material or filter elements outside the filter for liquid or gaseous fluids
- B01D41/04—Regeneration of the filtering material or filter elements outside the filter for liquid or gaseous fluids of rigid self-supporting filtering material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D29/00—Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
- B01D29/62—Regenerating the filter material in the filter
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
- B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/43—Solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
本揭示概括有關一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之方法。譬如化學溶液及混合物等化學組成物係用來部份地或完全地溶解顆粒或沉積物，並與表面相容。此揭示亦有關於一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之用於特殊設計式設備之系統。該揭示係譬如可用來清潔多孔表面、用於匣的媒體、打褶及薄膜表面、及貯槽或濾器殼體的內部壁。
在數種工業應用中，多孔表面及媒體係使用在其接觸於含有顆粒的媒體之處。一明顯範例係為許多應用中所使用的濾器。水濾器係為困住大於其孔隙尺寸的顆粒之多孔媒體。化學濾器具有相同作用。具有其中顆粒負載會很高之許多應用。許多膠體散佈物具有顯著的顆粒負載。諸如奈可(Nalco)或亞克左諾柏公司(Akzo Noble Corporation)所製造的膠體矽土散佈物係具有超過20重量百分比之很高的顆粒負載。其他散佈物係包含漆料、殺生物劑、藥劑及食物散佈物。這些散佈物變成接觸於諸如反應器及儲存貯槽、管件、泵、濾器、及類似物等許多的多孔表面。一般而言，這些表面係為聚合性，例如高密度聚乙烯。但亦可使用陶瓷、彈性體及金屬表面。
這些膠體散佈物與多孔媒體之不斷接觸係導致表面的污染及孔隙的阻塞。在過濾的典型範例中，濾器媒體係為多孔性並困住大於孔隙尺寸的顆粒。這些顆粒終將充滿並阻塞孔隙，而降低過濾效率且增高強迫膠體散佈物經過媒體所需要的差壓。在特定的點，壓力過高而無法繼續作任何過濾並更換濾器。
膠體散佈物亦被製作或儲存於具有多孔表面的貯槽中。許多反應器或儲存貯器終將發展出身為固體化顆粒的頑固膜或沉積物之受顆粒污染的多孔表面。為了移除這些膜，可使用很高壓力的水洗，或有時為機械磨除方法。這些方法的主要功能在於機械性放鬆顆粒然後攜帶其離開。
貯槽及濾器殼體係為複雜的包圍件且不易近接。強力清洗大貯槽或殼體係需要精細的設備，且很多時候難以觸及某地點或無法妥當地清潔“死”區位。因為此問題，貯槽未被完全地清潔。
濾器可能是被顆粒所阻塞的最常見產品。已多方嘗試回復濾器的過濾效率。在反方向以高壓水回沖媒體藉以作出這些嘗試。這些嘗試並未導致完全回復。此失敗的一主要原因在於：變成因在濾器孔隙內側之很小顆粒係與濾器表面形成強烈的機械性及有時化學性結合。這顯示於第1及2圖中。這些濾器的聚合表面係粗獷且在內側具有小裂縫，其中累積有小顆粒。將很難從這些粗獷區域機械性移除顆粒。
該技藝中已描述數種濾器清潔方法。譬如，美國專利案No.5,776,876係描述一用於特別是從泳池濾器移除有機雙胍沉積物之水性酸性濾器清潔組成物。該濾器清潔組成物含有5%至60%的一強酸，1%至40%的一介面活性劑，及0.5%至20%的一螯合劑/輔助劑。濾器清潔組成物係選用性包括0.5%至10%的一水溶性有機溶劑，及/或0.5%至10%的一非離子介面活性劑。並未提及清潔組成物-特別是具有高濃度的強酸者-與濾器之化學或機械相容性。
美國專利案No. 6,723,246描述一用於清潔受到凝聚物質所阻塞的濾器之方法。該方法係涉及決定濾器上所阻塞之凝聚物質的本質以及添加一散佈劑來破解凝聚物質以形成散佈的沉澱物。散佈的沉澱物隨後在一諸如回沖等規律清潔中從濾器被移除。散佈劑係為一聚丙烯酸或聚丙烯酸的一衍生物，包含酸型，鈉鹽，銨鹽，及胺鹽。散佈劑溶液的pH可介於從約2到約7.5之間。未提及散佈劑溶液-特別是具有高pH者-與濾器之化學或機械相容性。
一種其中微過濾變得很重要的產業領域係在於半導體業。用來製作晶圓的重要製程步驟之一者係包括以稱為漿體(slurries)的先進膠體散佈物作拋光。譬如請見美國專利案No. 6,083,840。這些漿體含有研磨性顆粒及概呈水性的化學物例如氧化劑、腐蝕抑制劑、移除速率增強劑、及類似物。這些漿體係為該技藝習知之習見材料。這些CMP(化學機械拋光)漿體中使用許多不同型的研磨物。鋁土、鈰土及矽土係為常見。最常見的研磨物是矽土，其中主要是膠體矽土以及火成矽土。這些物質係為具有介於10至200nm間的均值顆粒尺寸之奈米顆粒。
這些漿體中的較大顆粒因為會在晶圓表面上生成瑕疵而為不良。譬如請見美國專利案No. 6,749,488。在漿體製造製程中利用廣泛過濾、及/或在晶圓製造廠以額外的微過濾於使用點移除這些較大顆粒。
此先進過濾是一種昂貴的製程。諸如安特古若思(Entegrus)或珀爾公司(Pall Corporation)所製造的這些濾器係為使用具有受小心控制之奈米孔隙的聚丙烯媒體之深度濾器。未過濾的漿體或膠體散佈物被迫經過這些孔隙並阻止大顆粒通過。這些被困住的大顆粒最終將堵塞孔隙，而降低可供過濾用之數量。驅迫這些膠體散佈物經過濾器所需要之壓力係上升並抵達一必須更換濾器之點。濾器更換會花費一段長時間，藉此增加製程循環時間。阻塞的顆粒係強力黏著至孔隙及濾器表面而無法單純以高壓水迫使其放鬆。
一旦這些阻塞的濾器被取出，其以廢棄產物被拋棄。由於這些物質具聚合性，其生成長期而言“不符合綠色”、不可生物分解的廢物。
因此，需要發展一用於清潔受顆粒污染的表面之方法，特別是一容許重新使用濾器以降低製程成本、且藉由降低拋棄在掩埋場的濾器數來盡量減低環境衝擊之清潔方法。需要一對於環境友善且不會對於受清潔媒體造成任何化學及/或機械損害之清潔方法。
本揭示係有關於一用於一諸如多孔表面、用於匣的媒體、打褶及薄膜表面、及貯槽或濾器殼體的內部壁等受顆粒污染的表面之清潔方法。使用譬如化學溶液及混合物等清潔組成物來部份地或完全地溶解顆粒而不對於受顆粒污染的表面造成任何損害。如此係容許譬如濾器等受污染媒體之有效清潔及重新使用。
該揭示係部份地有關於一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之方法，該方法包含使表面接觸於一足以從該表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物，其中化學組成物係與該表面相容。
該揭示亦部份地有關於一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之系統，該系統包含至少一容器，至少一含有一具有顆粒或沉積物的表面之包圍件，一或多個泵，及一或多個閥；該至少一容器適合於固持一化學組成物；其中至少一容器係流體導通於至少一包圍件，且至少一包圍件流體導通於至少一容器，以形成至少一初級化學組成物流通迴路。
該揭示進一步部份地有關於一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之方法，該方法包含：
(i)提供至少一適合於固持一化學組成物之容器；至少一含有一具有顆粒或沉積物的表面之包圍件；及一或多個泵以及一或多個適合於控制化學組成物流之閥；
(ii)將化學組成物從至少一容器傳送到至少一含有一具有顆粒或沉積物的表面之包圍件；
(iii)使表面接觸於足以從表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物，其中化學組成物係與表面相容；及
(iv)將用過的化學組成物從至少一包圍件傳送到至少一容器。
該揭示又進一步部份地有關於一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之組成物，該組成物包含一足以從表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物，其中化學組成物係與表面相容。
該揭示亦部份地有關於一藉由一方法所處理之媒體，該媒體包含一具有顆粒或沉積物的表面，該方法包含藉由使表面接觸於一足以從表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物而從表面移除顆粒或沉積物，其中化學組成物係與表面相容。
該揭示進一步部份地有關於一用於預先調控一媒體之方法，該媒體包含一具有顆粒或沉積物的表面，該方法包含使表面接觸於一足以從表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物，其中化學組成物係與表面相容。
參照下列圖式及詳細描述將瞭解本揭示之其他目的、特徵構造及優點。
第1圖描繪一濾器媒體中之一受顆粒污染的多孔表面之示意圖，圖式描繪一典型深度濾器而顯示多孔濾器媒體，多孔濾器媒體的一橫剖面，及被顆粒阻塞之孔隙；
第2圖描繪一具有表面粗度之受顆粒污染的多孔表面之示意圖；
第3圖描繪一過濾系統的製程流程圖，化學組成物係流通經過一加熱器，然後以動態方式接觸於受顆粒污染的多孔表面；
第4圖以圖形描繪經過一濾器的差壓隨著時間而增大；
第5圖描繪一包括特殊設計式設備的過濾系統之製程流程圖；
第6圖以圖形描繪根據範例5的一動態濾器清潔製程後之對於100μL>0.56μm之經過濾漿體的大顆粒計數；
第7圖以圖形描繪根據範例5的各清潔循環後之漿體鉀離子含量；
第8圖以圖形描繪根據範例5的清潔循環使漿體已經由相同濾器被過濾之時間的分鐘數；
第9圖以圖形描繪根據範例5的清潔循環後之漿體的資料；
第10圖以圖形描繪相較於根據範例5的工廠及先導工廠對照組而言使用相同濾器在13清潔循環後之漿體的拋光速率及瑕疵率；
第11圖以圖形描繪根據範例6以RO/DI(逆滲透/去離子)水及KOH溶液作音波處理(sonication)的清潔方法之使漿體經由相同濾器被過濾之時間的分鐘數；
第12圖以圖形描繪根據範例6的各清潔循環後之對於100μL>0.56μm之經過濾漿體的大顆粒計數；
第13圖顯示具有圍繞於濾器的音波或超音波設備之一濾器殼體中的一濾器；
第14圖顯示濾器媒體中的電解質顆粒及濾器媒體中的經包封顆粒，其輔助以一較高速率從濾器媒體移除顆粒或沉積物且使之加快溶解。
此揭示有關於一用於譬如多孔表面、用於匣的媒體、打褶及薄膜表面、及貯槽或濾器殼體的內部壁等受顆粒污染的表面之清潔方法，並解決先前清潔方法相關聯的問題。此揭示的清潔方法係具有使受顆粒污染的表面恢復至其原始狀況使其可再使用之利益，藉以提供一顯著的環境利益。過濾區域中，此揭示的方法具有另一項可縮短循環時間之利益。
特別來說，此揭示係有關於一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之方法。該方法包含使該表面接觸於一足以從該表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物。化學組成物係與該表面相容。該方法係選用性涉及使用一適合於供應能量至化學組成物之加熱源。並且，該方法亦選用性涉及使用至少一適合於使化學組成物再生之離子交換系統。
表面上的顆粒及沉積物可譬如包括半導體廢水中常產生之有機及無機顆粒及沉積物。此揭示的方法可移除諸如介面活性劑、聚合物、生物化合物、光阻處理殘留物、漆固體、塑膠殘留物、染料、洗衣固體、及紡織殘留物等有機物質。此揭示的方法亦可移除諸如三價鐵(ferric)或鐵氧化物及氫氧化物、鋁及其氧化物及氫氧化物、鈣鹽、矽土及矽、背磨殘留物、金屬顆粒、金屬鹽、含磷化合物、礦冶固體、來自半導體製造的CMP固體、玻璃處理固體、及類似物等無機物質。
半導體製造廠是CMP溶液的大型用戶。其他使用者係包括玻璃業、金屬拋光業、及類似物。CMP溶液常是膠體性或矽土或鋁土或鈰氧化物的很小顆粒尺寸懸浮物或其他研磨物。CMP溶液亦可含有氧化劑，諸如硝酸鐵或碘酸鉀或過氧化氫。CMP溶液可進一步含有pH調整劑，諸如氫氧化銨，氫氧化鈉，氫氧化鉀，有機酸，及類似物。其亦可含有抗銹劑諸如羧苯基三唑(carboxybenzotriazxole)；墊殘留物；矽顆粒；金屬顆粒諸如鎢，鉭，銅，鋁，砷及砷化鎵；光阻殘留物；有機及無機低k層殘留物；及類似物。
此揭示係有關於用於譬如多孔表面、用於匣的媒體、打褶及薄膜表面、及貯槽或濾器殼體的內部壁等受顆粒污染的表面之清潔方法。濾器媒體是此表面的一範例。濾器常使用於許多工業應用中。一典型深度濾器顯示於第1圖。其由一聚合材料製成且其中具有數百萬個微孔隙。膠體散佈物穿過此媒體，而大於孔隙尺寸的顆粒被困在孔隙中。因此，若使用一1μm絕對濾器，則大於約1μm尺寸的大部份顆粒將被捕捉於孔隙中。過濾效率係由被捉住的顆粒量vs.逃逸的顆粒量所定義。良好的濾器具有超過95%效率。隨著這些孔隙愈來愈多被顆粒堵塞，有較少數量的孔隙可供用來過濾膠體散佈物。因此，迫使這些膠體散佈物經過濾器之壓力係上升。這顯示於第4圖。一旦此差壓抵達一上限，則過濾製程係停止並更換濾器。阻塞的濾器隨後以廢料被棄置。
此揭示對於這個問題提供一解決方案。一旦抵達極限壓力，膠體散佈物流則從過濾殼體轉向離開。啟動另一化學物配送迴路(請見第3圖)。一經加熱化學組成物隨後被送到殼體且流通經過殼體。此化學組成物係配製成部份地或完全地溶解這些顆粒而不損害濾器媒體。一旦溶解製程開始，顆粒係從孔隙被移位及攜離。化學組成物的流通係確保孔隙的完全清潔。一旦孔隙為潔淨，則恢復過濾效率。
此揭示係有關於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之組成物。組成物係包含一足以從表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物。化學組成物與表面相容。此揭示的方法中所使用之化學組成物係以表面上之顆粒或沉積物的本質、且亦以其與表面的相容性為基礎作選擇。
從一媒體清潔或移除顆粒或沉積物之作用完成後，應至少部份地或完全地恢復媒體的原始功能。譬如，若一濾器媒體在清潔前被指定具有95%過濾效率，則經處理的媒體將較佳回復約相同的效率。雖欲使過濾效率回復至其原始位準，部份性回復亦可為有利且位於此揭示的範圍內。
特別來說，此揭示可使用的化學組成物係可包括與具有顆粒或沉積物的表面相容之溶劑或蝕刻劑。溶劑或蝕刻劑可譬如包括有機酸，無機酸，強鹼，無機鹽，有機鹽，。表面活性劑，及其混合物。化學組成物亦可譬如包括無機鹼，有機鹼，及其混合物。
此揭示所使用的化學組成物應該適合於孔隙中顆粒的類型。對於矽土顆粒導致之污染，強鹼及其化合物或HF或氟化物化合物係為適合。適合的化合物係包括但不限於NaOH，KOH，NH4
OH，或其化合物，或其混合物。其他適合的材料包括HF，氟化物溶液，及類似物。亦可使用身為可部份地溶解顆粒之化學物的混合物之蝕刻劑。對於金屬顆粒，可使用如ASM的金屬手冊中所描述之酸、酸性化合物或蝕刻劑。務必選擇化學組成物使其不會影響濾器媒體。範例2所使用的KOH滿足這兩項需求。
示範性化學組成物、譬如液體、氣體或蒸氣、及其所適合之表面上的顆粒或沉積物係包括下列：
此揭示使用一只與顆粒或沉積物起反應且不與這些顆粒或沉積物所附接的表面起反應之化學組成物。該化學組成物係與表面相容。若表面為聚合性，則許多有機溶劑會侵襲該聚合物。這並不理想。因此，必須選擇化學組成物使其只溶解顆粒或沉積物而對於基材無任何影響。矽土散佈物的過濾中之一範例將是會溶解矽土但不影響濾器媒體(聚丙烯)之NaOH或KOH溶液。
化學組成物溶液的pH應足以使得化學組成物溶液只溶解顆粒或沉積物而對於媒體表面並無任何不利影響。化學組成物溶液的pH對於所有顆粒及沉積物較佳係為從約1至約6，及從約8至約14。
此揭示的化學組成物可為液體、蒸氣或氣體。示範性液體化學組成物係描述於本文。蒸氣及氣體可用來選擇性溶解表面上之顆粒或沉積物的至少一部分。適當的蒸氣及氣體係與表面相容。示範性蒸氣及氣體係包括氨氣，HCl，SO2
，及類似物。如同液體化學組成物，應選擇蒸氣及氣體使得其只溶解顆粒或沉積物而對於基材無任何不利影響。
具有顆粒或沉積物的表面係接觸於足以從該表面選擇性溶解及移除該等顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物。此處所用的“溶解(dissolve，dissolution)”係指分離成為組份部份或造成通至溶液內並且包括溶化(solubilize，solubilization)。
化學組成物係與具有顆粒或沉積物的表面相容。本文所用的“相容”係指化學組成物實質不與表面本身起反應，亦即表面實質不具有化學或機械性更改。
具有顆粒或沉積物的示範性表面係譬如包括多孔表面，諸如濾器、用於匣的媒體、打褶及薄膜表面、及貯槽或濾器殼體的內部壁。此揭示的方法可用來清潔已經受到累積其上的顆粒或沉積物所阻塞之大部份任何表面。用於過濾諸如CMP溶液、玻璃製造溶液、金屬拋光溶液、及類似物等溶液之液體過濾系統係會隨時間經過而在濾器表面上累積顆粒或沉積物。這些顆粒或沉積物可根據此揭示的方法從濾器表面被移除。
可根據此揭示的方法被清潔之示範性濾器係譬如包括中空纖維薄膜，次微米位準過濾裝置，平片薄膜或其他薄膜組態。薄膜可由PVDF(聚偏氟乙烯)聚合物、聚碸、聚乙烯、聚丙烯、聚丙烯腈(PAN)、氟化薄膜、醋酸纖維素薄膜、上述各物的混合物、暨常用薄膜聚合物形成。複數個薄膜可一起/平行運作以形成一個濾器堤堆。亦可使用多重濾器堤堆。
此揭示的方法係適合於在許多工業應用中清潔濾器。此等應用譬如包括膠體矽土CMP濾器，用於包括膠體散佈劑的墨水印表機之濾器，及類似物。
根據此揭示可作處理之具有顆粒或沉積物的表面係可廣泛地不同。具有顆粒或沉積物之實質上任何類型的表面、譬如多孔表面係可由此揭示之化學組成物的一或多者作處理，以從表面溶解或移除顆粒或沉積物的至少一部分。表面可包括不同媒體的外或外部表面，不同媒體的內或內部表面，及/或其混合物。譬如，一固體多孔媒體可包括外表面及內表面兩者。此揭示無意以任何方式受限於可根據其作處理之表面。
一實施例中，此揭示係有關於由此揭示的方法所處理之一媒體。該媒體係包含一具有顆粒或沉積物的表面。該方法包含藉由使表面接觸於一足以從表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分而從表面移除顆粒或沉積物之化學組成物。化學組成物係與表面相容。此揭示的方法所處理之媒體相較於未經處理的媒體、譬如濾器係可展現出增大的使用能力及壽命。
此揭示亦有關於一用於預先調控一媒體之方法。該媒體包含一具有顆粒或沉積物的表面。該方法包含使該表面接觸於一足以從表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物。化學組成物係與表面相容。此揭示之經預先調控的媒體相較於未經處理的媒體、譬如濾器係可展現出增高的效率。
清潔時間及化學組成物溫度係由製程的實際態樣所決定。時間過長將增加製程循環時間。增高的化學組成物溫度將加快溶解製程。化學組成物較佳被加熱至大於約20℃的一溫度。所想要的溫度範圍係為室溫至約60℃。增大的化學組成物流亦將使顆粒及沉積物的溶解加速。化學組成物一般具有大於約0.1加侖每分鐘的流通流率。化學組成物的pH對於所有顆粒及沉積物較佳係為從約1至約6以及從約8至約14。
雖然較佳係加熱化學組成物，此揭示亦包括加熱具有顆粒或沉積物之媒體表面的至少一部份。溫度可在此揭示的系統之任何區位中升高，包括化學組成物、受污染的媒體表面、或系統中其他某處之一分離的加熱。
對於化學組成物與顆粒或沉積物的反應之反應條件-諸如溫度、壓力及接觸時間-亦可大幅改變。本文可採用足以從具有顆粒或沉積物的表面-譬如多孔表面、用於匣的媒體、打褶及薄膜表面、及貯槽或濾器殼體的內部壁-移除顆粒或沉積物的至少一部分之此等條件的任何適當組合。清潔製程期間的壓力可介於從約0.1至約10托耳，較佳從約0.1至約1.0托耳。清潔製程期間的溫度可介於從約20℃至約100℃，較佳從約22℃至約60℃。化學組成物與顆粒或沉積物的反應時間可介於從約30秒至約45分鐘。較佳反應時間係依據使用者實行的清潔頻率而變。化學組成物的流通流率可介於從約0.1至約10加侖每分鐘，較佳從約0.1至約5加侖每分鐘。
在化學組成物與顆粒或沉積物起反應並從表面移除顆粒或沉積物的至少一部分之後，顆粒或沉積物係藉由其溶解於化學組成物中而從表面被移除。特定表面-譬如貯槽或濾器殼體的內部壁-可隨後被排空，且以所需要次數重覆進行清潔製程。經排空的用過化學組成物可被導引至一離子交換系統以供再生。藉由重覆清潔製程可提供相較於未重覆進行清潔製程的媒體而言展現出增高效率之媒體。
顆粒或沉積物可在靜態或動態條件下從表面被移除。特別來說，此揭示的一模式(譬如靜態條件)係針對用於清潔在一先前製程期間被形成後之顆粒及沉積物的作用。一替代性模式(譬如動態條件)中，可在主製程-譬如一使用過濾的化學機械拋光(CMP)漿體製造製程-進行之同時連續地供應化學組成物。
可藉由諸如表面的超音波或音波輔助式振動等移除增強方法作為輔助而從表面移除顆粒或沉積物。音波或超音波設備可放置在濾器殼體外側或內側。請見第16圖。利用音波或超音波設備係可改良顆粒及沉積物移除效率。譬如，可利用超音波設備搖晃濾器，並配合使用KOH。對於膠體矽土漿體，從過濾隔室瀝排漿體，將KOH饋送至其中，過濾隔室以超音波經歷搖晃以加快從濾器孔隙移除膠體的作用，連帶利用KOH予以溶解，選用性加熱過濾隔室或KOH，以水沖洗過濾隔室然後補充使用過的膠體矽土漿體。
另一實施例中，可藉由電解過濾來移除媒體中之帶電顆粒及沉積物。請見第17圖。電解過濾涉及譬如藉由在聚丙烯酸纖維分子上合成電解質顆粒以將電解質顆粒添加至濾器媒體。具有相反電荷-譬如與矽土電荷相反-的顆粒將排斥諸如矽土等過濾顆粒。飽滿狀態(repletion)係生成一高度動態的環境，其幫助矽土以一遠為更快的速率移出濾器媒體外，這轉而加快矽土溶解。帶電顆粒係幫助化學組成物增強溶解。
此揭示中亦可使用諸如濾器媒體內的鐵等經完全包封的奈米金屬顆粒。可藉由使濾器曝露於諸如百萬或超音波等聲音，以鉅幅地增強濾器清潔。聲音造成經包封的鐵顆粒在濾器媒體內振動而生成一高度均勻的動態運動。運動以一較高速率將矽土顆粒引出濾器媒體外，其加快矽土溶解。經包封的顆粒應永久性內建於媒體纖維內以確保其將不會被釋入化學組成物內。
此揭示的方法係包括在一靜態容器中清潔媒體的表面。譬如，阻塞的濾器可從主製程被移除，被運送至一含有化學組成物之靜態容器，並在靜態容器中作清潔。靜態清潔中，譬如濾器等媒體可以20℃或高於20℃浸潤在化學組成物中一段足以溶解及移除顆粒或沉積物之時間長度。經清潔的濾器隨後可返回至主製程。可在現場或在現場之外執行清潔。如上述，可以一利用一譬如濾器等在製程期間累積有顆粒或沉積物的媒體之主製程，在當場進行此揭示的方法。動態條件中，譬如濾器等媒體可以流動的化學組成物作清潔。
化學組成物溶解顆粒之後，可藉由將化學組成物傳送經過一離子交換製程而被進一步再生。譬如，範例中所使用的KOH將溶解矽土以形成矽酸鉀。一標準離子交換製程中，可回復K離子且取回KOH，而只拋棄對於環境友善之矽酸凝膠。
參照第5圖，此揭示係有關於一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之方法。下列設備使用於此方法中：至少一容器，譬如貯槽，其適合於固持一化學組成物；選用性地，至少一加熱源，譬如加熱器，其適合於供應能量至化學組成物或迴路的任何其他部份，包括但不限於受顆粒或沉積物污染的多孔表面；至少一包圍件，其含有一具有顆粒或沉積物的表面，譬如受顆粒污染的包圍件；一或多個泵及一或多個閥，其適合於控制化學組成物流。化學組成物係從至少一容器被傳送到至少一加熱源，且化學組成物受到加熱。經加熱的化學組成物隨後從至少一加熱源被傳送到含有一具有顆粒或沉積物的表面之至少一包圍件。表面係接觸於足以從表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之經加熱的化學組成物。經加熱的化學組成物係與表面相容。用過的化學組成物隨後從至少一包圍件被傳送到至少一加熱源。
此揭示的方法係有關於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物。該方法包括提供至少一容器，其適合於固持一化學組成物；至少一包圍件，其含有一具有顆粒或沉積物的表面；及一或多個泵與一或多個閥，其適合於控制化學組成物流；將化學組成物從至少一容器傳送到含有一具有顆粒或沉積物的表面之至少一包圍件；使表面接觸於足以從表面選擇性溶解及移除顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物，其中化學組成物與表面相容；及將用過的化學組成物從至少一包圍件傳送到至少一容器。
一實施例中，此揭示的方法進一步包括提供適合於將能量供應至該化學組成物之至少一加熱源；將該化學組成物從該至少一容器傳送到該至少一加熱源；將該化學組成物從該至少一加熱源傳送到含有一具有顆粒或沉積物的表面之該至少一包圍件；將用過的化學組成物從該至少一包圍件傳送到該至少一加熱源；及將該用過的化學組成物從該至少一加熱源傳送到該至少一容器。
另一實施例中，此揭示的方法進一步包括提供適合於再生該化學組成物之至少一離子交換系統；將該用過的化學組成物從該至少一包圍件傳送到該至少一離子交換系統，及再生該用過的化學組成物；及將經再生的化學組成物從該至少一離子交換系統傳送到該至少一容器。
又另一實施例中，此揭示的方法進一步包括提供適合於再生該化學組成物之至少一離子交換系統；將該用過的化學組成物從該至少一加熱源傳送到該至少一離子交換系統，及再生該用過的化學組成物；及將經再生的化學組成物從該至少一離子交換系統傳送到該至少一容器。
參照第5圖，該方法選用性涉及：使用適合於再生化學組成物之至少一離子交換系統。用過的化學組成物從至少一加熱源傳送到至少一離子交換系統，其在該處被再生。經再生的化學組成物隨後從至少一離子交換系統傳送到至少一容器。經再生的化學組成物從至少一容器傳送到至少一加熱源。
此揭示亦可用來清潔貯槽表面。譬如，膠體散佈物係儲存在高密度聚乙烯貯槽中，且在一時間期間，一薄塗層的矽形成於表面上。這很難清潔，尤其在難以觸及的地方。可藉由此揭示之經加熱的化學組成物容易地達成清潔。
此揭示具有數項利益，包括但不限於經濟及環境方面。經濟利益不證自明。重覆使用濾器將降低製程成本。環境衝擊可更為顯著。成百上千個濾器被丟棄在掩埋場。其不可生物分解。重覆使用相同濾器將具有很顯著的環境保育作用。
此揭示係有關於一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之特殊設計式設備的系統。第5圖顯示一具有特殊設計式設備之示範性系統。
特別來說，此揭示係有關於一用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之系統。該系統係包含至少一容器，至少一含有一具有顆粒或沉積物的表面之包圍件，一或多個泵，及一或多個閥。至少一容器係適合於固持一化學組成物。至少一容器流體導通於至少一包圍件。至少一包圍件流體導通於至少一容器。此配置形成至少一初級化學組成物流通迴路。包括初級化學組成物流通迴路的此系統係可為可攜式或永久式。
此系統選用性包括至少一加熱源。至少一加熱源適合於供應能量至化學組成物。至少一容器流體導通於至少一加熱源。至少一加熱源流體導通於至少一包圍件。至少一包圍件流體導通於至少一加熱源。至少一加熱源流體導通於至少一容器。此配置形成至少一次級化學組成物流通迴路。請見第5圖。包括次級化學組成物流通迴路的此系統亦可為可攜式或永久式。
此系統選用性包括至少一離子交換系統。離子交換系統適合於再生化學組成物。至少一容器流體導通於至少一包圍件。至少一包圍件流體導通於至少一離子交換系統。至少一離子交換系統流體導通於至少一容器。此配置形成至少一次級化學組成物流通迴路。請見第5圖。包括次級化學組成物流通迴路的此系統亦可為可攜式或永久式。
另一實施例中，此揭示的系統選用性包括一加熱源及一離子交換系統兩者。至少一離子交換系統適合於再生化學組成物。至少一加熱源適合於供應能量至化學組成物。至少一容器流體導通於至少一加熱源。至少一加熱源流體導通於至少一包圍件。至少一包圍件流體導通於至少一加熱源。至少一加熱源流體導通於至少一離子交換系統。至少一離子交換系統流體導通於至少一容器。此配置形成至少一三級化學組成物流通迴路。請見第5圖。包括三級化學組成物流通迴路的此系統亦可為可攜式或永久式。
一化學組成物排放線路可從至少一容器的至少一出口開口在外部延伸到至少一加熱源的至少一入口開口。化學組成物排放線路中可含有至少一化學組成物流控制閥以供控制所經過的化學組成物液體流。
一化學組成物排放線路可從至少一加熱源的至少一出口開口在外部延伸到至少一包圍件的至少一入口開口，化學組成物可經由其被配送至具有顆粒或沉積物的表面。化學組成物排放線路中可含有至少一化學組成物流控制閥以供控制所經過的化學組成物液體流。
一用過的化學組成物排放線路可從至少一包圍件的至少一出口開口在外部延伸到至少一加熱源的至少一入口開口。用過的化學組成物排放線路中可含有至少一用過的化學組成物流控制閥以供控制所經過之用過的化學組成物液體流。
一用過的化學組成物排放線路可從至少一加熱源的至少一出口開口在外部延伸到至少一離子交換系統的至少一入口開口。用過的化學組成物排放線路中可含有至少一用過的化學組成物流控制閥以供控制所經過之用過的化學組成物液體流。
一經再生的化學組成物排放線路可從至少一離子交換系統的至少一出口開口在外部延伸到至少一容器的至少一入口開口。經再生的化學組成物排放線路中可含有至少一用過的化學組成物流控制閥以供控制所經過之經再生的化學組成物液體流。
受顆粒污染的包圍件(諸如濾器，殼體或貯槽)係設計成用於兩不同流通迴路。標準散佈迴路係為散佈物被帶入及取出之處。若這是濾器殼體，則膠體散佈物將被推過一泵及一閥，且經過濾的散佈物將經由一出口離開殼體。
當殼體之受顆粒污染的多孔表面需要清潔時，僅單純關閉用於散佈迴路之閥且接通用於清潔迴路之閥。此迴路含有一貯槽以儲存化學組成物，一加熱源，譬如一加熱器，一離子交換系統，閥及泵。設備亦可包括用於製程中控制之量測術。流通經過包圍件後之化學組成物可被送到離子交換以供再生。離子交換迴路係為選用性。
化學清潔迴路可為可攜式或永久式。離子交換迴路亦可為可攜式或永久式。
另一實施例中，參照第3圖，矽土從一矽土散佈貯槽被散佈經過濾器且來到一矽土封裝站上直到濾器堵塞為止(請見步驟1及2)。可使用15psi的差壓作為濾器堵塞的一指示器。一旦濾器堵塞，步驟1及2停止，且矽土散佈物被泵送至濾器殼體外回到矽土散佈貯槽。經加熱的KOH重新流通經過濾器約10分鐘或直到所有矽土溶解為止(請見步驟3)。KOH隨後被泵送至濾器外並回到KOH貯槽。步驟3隨後停止，且利用步驟4沖洗濾器直到pH降低至所想要位準為止。水被泵送至濾器外並回到水貯槽。步驟1至4重覆約10次或直到KOH以約10%矽土所飽和為止。所有步驟隨後停止，並測量KOH貯槽中的百分比總固體。若KOH中的百分比總固體高於約10百分比，利用步驟5將KOH作離子交換回到其新鮮狀況。整個過濾系統隨後就緒可供重覆步驟1至5。
在被組構成能夠自動、即時最適化及/或調整操作參數以達成所想要或最適操作條件之一清潔系統的操作中，可選用性利用一控制系統及量測術。適當的控制構件係為該技藝所習知並譬如包括一可程式化邏輯控制器(PLC)或一微處理器。
可選用性使用一電腦實行式系統來控制化學組成物的供應速率、化學組成物的加熱、壓力及洩壓閥的設定、及類似物。電腦控制系統可能能夠調整不同參數以試圖將顆粒或沉積物從具有顆粒或沉積物的表面之移除予以最適化。系統可被實行成自動地調整參數。可利用習見硬體或軟體實行式電腦及/或電子控制系統、連同多種不同電子感測器，達成清潔系統的控制。控制系統可被組構成控制化學組成物的供應速率、化學組成物的加熱、壓力及洩壓閥的設定、及類似物。
清潔系統可進一步包含用於測量諸如化學組成物供應速率、化學組成物的加熱、壓力及洩壓閥、及類似物等數個參數之感測器。一控制單元可連接至感測器以及入口開口與出口開口的至少一者，以根據經測量的參數值將化學組成物徹底傳送於系統中。
電腦實行式系統可選用性身為清潔系統的部份或與其耦合。該系統可被組構或被程式化以控制及調整系統的操作參數暨分析與計算數值。電腦實行式系統可傳送及接收控制信號以設定並控制系統的操作參數。電腦實行式系統可相對於清潔系統被遠端式定位。其亦可被組構為經由間接或直接構件、諸如經由一乙太網路連接或無線式連接從一或多個遠端清潔系統接收資料。控制系統可被遠端式操作，諸如經由乙太網路。
可達成清潔系統的部份或全部控制而不需要一電腦。可以物理控制達成一型控制。一案例中，一控制系統可身為由一使用者所操作之一人工系統。另一範例中，一使用者可如同描述般提供輸入至一控制系統。可使用一適當的壓力錶計來監視供應速率(譬如，化學組成物輸送速率)。
將瞭解可使用習見設備進行循環性製程的不同功能，諸如監視及自動調節循環性吸附系統內的氣體流使其可完全自動化以有效率方式連續地運轉。
熟習該技術者將得知此揭示的不同修改及變異並瞭解此等修改及變異被包括在此申請案的界限及申請專利範圍的精神與範圍內。
一火成矽土散佈物被流通經過三個具有介於0.1至1微米間尺寸的濾器孔隙之濾器殼體。與高於1微米尺寸的孔隙相形之下，這些緊密孔隙被認為在重新調控方面更具挑戰性。一旦濾器堵塞，使加壓水流通經過濾器。火成矽土散佈物被重新過濾。然而，差壓尚未降下來，表示孔隙仍然阻塞。
經由範例1所描述的相同濾器，一經加熱(50℃)KOH水性溶液流通10分鐘。然後進行水沖洗以沖除KOH並降低pH。唯有此時，濾器才被重新調控且就緒可重新使用。火成散佈物隨後經由相同濾器被過濾。火成矽土的LPC(大顆粒計數)、MPS(均值顆粒尺寸)、%TS(總固體)資料係顯示出完全清潔及過濾效率的回復。
在相同濾器上重覆範例2的製程數次。每次清潔係導致過濾效率的完全回復。
重覆範例2的製程。驚人地，對於每個新沖洗循環，注意到過濾效率的逐漸改良。對於各循環，LPC皆較低。
對於各實驗，將一匣濾器(珀爾(Pall) 0.5μm A)裝設在一標準10吋濾器殼體中。一漿體(亦即，火成矽土散佈物)以1.2升/分鐘的穩態速率被泵送經過殼體。漿體繼續泵送直到任一濾器上達成12psi的差壓為止。拉取一進入未經過濾材料內之浸管，而殼體被泵送經過並瀝排殘留漿體。隨後使一第一水沖洗被推押經過。一處於50℃溫度的22.5%KOH溶液係重新流通經過10分鐘然後被推押經過。使一第二水沖洗被推押經過，且殼體瀝排任何殘留的水。以漿體再度開始過濾，並重覆上述步驟直到過濾一所想要數量為止(此例中是300公斤)。漿體的各切割係在達成12psi差壓之前被放置經過濾器。複合的經過濾漿體對於LPC(大顆粒計數)作取樣。對於漿體的各切割取得pH、MPS(均值顆粒尺寸)、LPCs及鉀離子含量。對於對照組測試，樣本以上述相同的濾器建置被過濾，但未發生濾器的沖洗或清潔。一旦濾器達成12psi的差壓，則將其拋棄並更換。結果顯示於第6至10圖。
如第6至10圖所用，MPS是以奈米為單位的均值顆粒尺寸。LPC是大顆粒計數。K是鉀。A/min係指埃每分鐘。RR是移除速率。TEOS RR是氧化物(TEOS)層的移除速率。濾器A是一購自珀爾公司(Pall Corporation)的0.5微米濾器，濾器B是一購自珀爾公司的1.0微米濾器，而濾器C是一購自珀爾公司的0.5μm濾器。IPEC是製造第10圖中的拋光工具之公司名稱。藉由如同經由一部200x放大顯微鏡觀看一8吋銅晶圓上的9個部位並取得瑕疵的平均數，藉以決定Cu瑕疵率。
第6圖以圖形描繪動態過濾製程之後對於100μL>0.56μm的經過濾漿體大顆粒計數。第7圖以圖形描繪各清潔循環後之漿體鉀離子含量。第8圖以圖形描繪漿體以清潔循環被過濾之時間的分鐘數。第9圖以圖形描繪清潔循環後之漿體的資料。第10圖以圖形描繪相較於工廠及先導工廠對照組採用相同濾器在13清潔循環後之漿體的拋光速率及瑕疵率。
從第6至10圖的資料可決定：對於測試批次的LPC係隨著各清潔循環而繼續改良。漿體在12psi差壓前被過濾的分鐘數係傾向於隨著清潔循環數增多而增加。鉀離子位準在該測試批次上之整個清潔循環中皆不變。對於來自標準工廠生產的材料及經清潔的濾器而言，並未影響到移除速率或瑕疵率。對於來自清潔溶液的最終產品不具有影響。資料係顯示：可利用此揭示的清潔方法在過濾前預先調控一濾器。
對於各實驗，將一匣濾器裝設在一標準1吋濾器殼體中。一漿體(亦即，火成矽土散佈物)以120毫升/分鐘的穩態速率被泵送經過殼體。漿體繼續泵送直到任一濾器上達成15psi的差壓為止。拉取一進入未經過濾材料內之浸管，而殼體被泵送經過並瀝排殘留漿體。將濾器取出殼體外，且進行一第一人工水沖洗。濾器隨後被放置在一處於50℃溫度的22.5%KOH溶液中並作音波處理10分鐘。移除濾器，並進行一第二水沖洗，然後以漿體再度開始過濾。重覆上述步驟直到過濾一所想要數量為止。漿體的各切割係在達成15psi差壓前被放置經過濾器。對於漿體的各切割，取得pH、MPS(均值顆粒尺寸)、LPCs(大顆粒計數)及鉀離子。對於對照組測試，樣本以上述相同的濾器建置及漿體被過濾，但以DI/RO(去離子化/逆滲透)水發生音波處理。結果顯示於第11至12圖。
第11圖以圖形描繪對於DI/RO及KOH音波處理兩者之經過濾器的各清潔之分鐘數。第12圖以圖形描繪每清潔循環對於各DI/RO及KOH音波處理切割之LPC。
從第11及12圖所示的資料可決定：易於以KOH清潔濾器。濾器能夠在以KOH的各清潔製程之後重覆數次，顯示出漿體及製程的良好可重覆性。對於RO/DI清潔的LPC係嚴重地受到沖洗所影響。
雖已顯示及描述根據吾人揭示之數項實施例，顯然可瞭解其易作出熟習該技術者知曉的許多變化。因此，並無意受限於所顯示及描述的細節，而是預定顯示位於申請專利範圍的範疇內之所有變化及修改。
第1圖描繪一濾器媒體中之一受顆粒污染的多孔表面之示意圖，圖式描繪一典型深度濾器而顯示多孔濾器媒體，多孔濾器媒體的一橫剖面，及被顆粒阻塞之孔隙；
第2圖描繪一具有表面粗度之受顆粒污染的多孔表面之示意圖；
第3圖描繪一過濾系統的製程流程圖，化學組成物係流通經過一加熱器，然後以動態方式接觸於受顆粒污染的多孔表面；
第4圖以圖形描繪經過一濾器的差壓隨著時間而增大；
第5圖描繪一包括特殊設計式設備的過濾系統之製程流程圖；
第6圖以圖形描繪根據範例5的一動態濾器清潔製程後之對於100μL>0.56μm之經過濾漿體的大顆粒計數；
第7圖以圖形描繪根據範例5的各清潔循環後之漿體鉀離子含量；
第8圖以圖形描繪根據範例5的清潔循環使漿體已經由相同濾器被過濾之時間的分鐘數；
第9圖以圖形描繪根據範例5的清潔循環後之漿體的資料；
第10圖以圖形描繪相較於根據範例5的工廠及先導工廠對照組而言使用相同濾器在13清潔循環後之漿體的拋光速率及瑕疵率；
第11圖以圖形描繪根據範例6以RO/DI(逆滲透/去離子)水及KOH溶液作音波處理(sonication)的清潔方法之使漿體經由相同濾器被過濾之時間的分鐘數；
第12圖以圖形描繪根據範例6的各清潔循環後之對於100μL>0.56μm之經過濾漿體的大顆粒計數；
第13圖顯示具有圍繞於濾器的音波或超音波設備之一濾器殼體中的一濾器；
第14圖顯示濾器媒體中的電解質顆粒及濾器媒體中的經包封顆粒，其輔助以一較高速率從濾器媒體移除顆粒或沉積物且使之加快溶解。
Claims (25)
- 一種用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之方法，該方法包含使該表面接觸於一足以從該表面選擇性溶解及移除該等顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物，以及在之後使該表面接觸於足以從該表面移除該化學組成物之水，其中該化學組成物係與該表面相容。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該化學組成物包含一化學溶液或一化學混合物。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該化學組成物包含一液體，一蒸氣，或一氣體。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該表面選自一多孔表面，一用於匣的媒體、打褶或薄膜表面、及一貯槽或濾器殼體的一內部壁。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等顆粒或沉積物在靜態或動態條件下被移除。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該化學組成物被加熱至大於約20℃的一溫度。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該化學組成物包含一溶劑或蝕刻劑，該溶劑或蝕刻劑選自一有機酸，一無機酸，一強鹼，一鹽，一表面活性劑，及其混合物。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等顆粒或沉積物係包含矽土，鋁土、鈰土，金屬及金屬氧化物，有機顆粒，或其混合物。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等顆粒或沉積物係包含矽土，且該化學化合物係包含一含有NaOH、KOH、或其化合物或混合物之強鹼。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該化學組成物係包含(i)一無機酸，一有機酸，一有機鹽，一無機鹽，或其混合物，或(ii)一無機鹼，一有機鹼，一有機鹽，一無機鹽，或其混合物。
- 如申請專利範圍第1項之方法，進一步包含使該化學組成物在顆粒或沉積物溶解後穿過一離子交換系統以再生該化學組成物。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該等顆粒或沉積物係來自一CMP(化學機械拋光)漿體或溶液。
- 如申請專利範圍第1項之方法，其中該移除係以音波能作輔助。
- 一種用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之系統，該系統包含至少一容器，至少一含有一具有顆粒或沉積物的表面之包圍件，一或多個泵，及一或多個閥；該至少一容器適合於固持一化學組成物；其中該至少一容器係流體導通於該至少一包圍件，而該至少一包圍件流體導通於該至少一容器，以形成至少一初級化學組成物流通迴路。
- 如申請專利範圍第14項之系統，進一步包含至少一加熱源，該至少一加熱源適合於供應能量至該化學組成物；其中該至少一容器流體導通於該至少一加熱源，該至少 一加熱源流體導通於該至少一包圍件，該至少一包圍件流體導通於該至少一加熱源，且該至少一加熱源流體導通於該至少一容器，以形成至少一次級化學組成物流通迴路。
- 如申請專利範圍第14項之系統，進一步包含至少一離子交換系統，該離子交換系統適合於再生該化學組成物；其中該至少一容器流體導通於該至少一包圍件，該至少一包圍件流體導通於該至少一離子交換系統，且該至少一離子交換系統流體導通於該至少一容器，以形成至少一次級化學組成物流通迴路。
- 如申請專利範圍第15項之系統，進一步包含至少一離子交換系統，該離子交換系統適合於再生該化學組成物；其中該至少一容器流體導通於該至少一加熱源，該至少一加熱源流體導通於該至少一包圍件，該至少一包圍件流體導通於該至少一加熱源，該至少一加熱源流體導通於該至少一離子交換系統，且該至少一離子交換系統流體導通於該至少一容器，以形成至少一三級化學組成物流通迴路。
- 如申請專利範圍第14項之系統，其係為可攜式或永久式。
- 一種用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之方法，該方法包含：(i)提供至少一適合於固持一化學組成物之容器；至少一含有一具有顆粒或沉積物的表面之包圍件；及一或 多個泵以及一或多個適合於控制該化學組成物流之閥；(ii)將該化學組成物從該至少一容器傳送到該至少一含有一具有顆粒或沉積物的表面之包圍件；(iii)使該表面接觸於足以從該表面選擇性溶解及移除該等顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物，以及在之後使該表面接觸於足以從該表面移除該化學組成物之水，其中該化學組成物係與該表面相容；及(iv)將用過的化學組成物從該至少一包圍件傳送到該至少一容器。
- 如申請專利範圍第19項之方法，進一步包含：(v)提供至少一適合於供應能量至該化學組成物之加熱源；(vi)將該化學組成物從該至少一容器傳送至該至少一加熱源；(vii)將該化學組成物從該至少一加熱源傳送至該至少一含有一具有顆粒或沉積物的表面之包圍件；(viii)將用過的化學組成物從該至少一包圍件傳送至該至少一加熱源；及(ix)將該用過的化學組成物從該至少一加熱源傳送至該至少一容器。
- 如申請專利範圍第19項之方法，進一步包含：(x)提供至少一適合於再生該化學組成物之離子交換系統；(xi)將該用過的化學組成物從該至少一包圍件傳送 至該至少一離子交換系統，且再生該用過的化學組成物；(xii)將經再生的化學組成物從該至少一離子交換系統傳送至該至少一容器。
- 如申請專利範圍第20項之方法，進一步包含：(x)提供至少一適合於再生該化學組成物之離子交換系統；(xi)將該用過的化學組成物從該至少一加熱源傳送至該至少一離子交換系統，且再生該用過的化學組成物；(xii)將經再生的化學組成物從該至少一離子交換系統傳送至該至少一容器。
- 一種用於從一具有顆粒或沉積物的表面移除顆粒或沉積物之組成物，該組成物包含一足以從該表面選擇性溶解及移除該等顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物，其中該化學組成物係與該表面相容。
- 一種由一方法所處理之媒體，該媒體包含一具有顆粒或沉積物的表面，該方法包含藉由使該表面接觸於一足以從該表面選擇性溶解及移除該等顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物且在之後使該表面接觸於足以從該表面移除該化學組成物之水，而從該表面移除顆粒或沉積物，其中該化學組成物係與該表面相容。
- 一種用於預先調控一媒體之方法，該媒體包含一具有顆粒或沉積物的表面，該方法包含使該表面接觸於一足以 從該表面選擇性溶解及移除該等顆粒或沉積物的至少一部分之化學組成物，其中該化學組成物係與該表面相容。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US37957710P | 2010-09-02 | 2010-09-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201210708A TW201210708A (en) | 2012-03-16 |
| TWI422440B true TWI422440B (zh) | 2014-01-11 |
Family
ID=45769891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW100122012A TWI422440B (zh) | 2010-09-02 | 2011-06-23 | 清潔方法及系統 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20120055865A1 (zh) |
| EP (1) | EP2611741A4 (zh) |
| JP (1) | JP2014508629A (zh) |
| KR (1) | KR101277562B1 (zh) |
| TW (1) | TWI422440B (zh) |
| WO (1) | WO2012030423A1 (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104524980A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-22 | 北京碧水源膜科技有限公司 | 一种膜元件的后处理系统及其方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI506129B (zh) * | 2011-09-15 | 2015-11-01 | Planar Solutions Llc | 均質摻合技術 |
| CN103151423B (zh) * | 2013-02-28 | 2015-09-16 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种多晶硅片制绒清洗工艺方法 |
| US10730774B1 (en) * | 2013-05-10 | 2020-08-04 | M. Eugene Evans | Waste water treatment system and method |
| US9719535B1 (en) * | 2015-08-10 | 2017-08-01 | Reladyne, LLC | Varnish mitigation process |
| USD805342S1 (en) | 2016-03-31 | 2017-12-19 | Whirlpool Corporation | Water filtration pitcher |
| US10081036B2 (en) | 2016-09-19 | 2018-09-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for liquid particle prequalification |
| KR102046973B1 (ko) * | 2018-04-10 | 2019-12-02 | 세메스 주식회사 | 기판의 세정방법 및 세정장치 |
| TWI816502B (zh) * | 2022-04-21 | 2023-09-21 | 陳嘉朗 | 清洗設備 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0497247A1 (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning semiconductor wafers using mixer and its arrangement |
| US5639311A (en) * | 1995-06-07 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Method of cleaning brushes used in post CMP semiconductor wafer cleaning operations |
| US20030062068A1 (en) * | 2001-07-10 | 2003-04-03 | Ko Hyung-Ho | Method of and system for cleaning a semiconductor wafer simultaneously using electrolytically ionized water and diluted hydrofluoric acid |
| TW583019B (en) * | 2001-07-19 | 2004-04-11 | Bayer Ag | Process for the removal of deposits on chemical reactors |
| TW200415686A (en) * | 2002-11-25 | 2004-08-16 | Applied Materials Inc | Method of cleaning a coated process chamber component |
| TW200802564A (en) * | 2006-04-26 | 2008-01-01 | Advanced Tech Materials | Cleaning of semiconductor processing systems |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2101012A (en) * | 1937-05-11 | 1937-11-30 | Texas Co | Cleaning of filter surfaces |
| JPH0649141B2 (ja) * | 1986-01-31 | 1994-06-29 | オルガノ株式会社 | 限外濾過膜の回生処理方法 |
| JPH038419A (ja) * | 1989-03-02 | 1991-01-16 | Yamada Mekki Kogyosho:Kk | 液体濾過装置の濾過膜の目詰り防止方法及び液体濾過装置 |
| US5776876A (en) * | 1996-07-18 | 1998-07-07 | Bio-Lab, Inc. | Aqueous acidic filter cleaning composition for removing organic biguanide deposits |
| US5888401A (en) * | 1996-09-16 | 1999-03-30 | Union Camp Corporation | Method and apparatus for reducing membrane fouling |
| CA2186963C (en) * | 1996-10-01 | 1999-03-30 | Riad A. Al-Samadi | High water recovery membrane purification process |
| WO1999016531A1 (en) * | 1997-09-30 | 1999-04-08 | Anheuser Busch | Regeneration of filter media |
| FR2772636B1 (fr) * | 1997-12-19 | 2000-07-21 | Alfa Laval Moatti Snc | Ensemble pour l'epuration automatique d'un fluide pollue et procede de mise en oeuvre |
| JPH11333266A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-07 | Mitsubishi Rayon Eng Co Ltd | 自動薬洗／熱水消毒型の逆浸透膜分離装置 |
| JP2000218107A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-08 | Ebara Corp | フィルタ装置及び砥液供給装置 |
| US6280300B1 (en) * | 1998-11-25 | 2001-08-28 | Ebara Corporation | Filter apparatus |
| US6328633B1 (en) * | 2000-01-14 | 2001-12-11 | Agere Systems Guardian Corp. | Polishing fluid, polishing method, semiconductor device and semiconductor device fabrication method |
| JP2002153735A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-28 | Kurita Water Ind Ltd | 膜モジュールの洗浄方法および膜分離装置 |
| JP4309596B2 (ja) | 2001-03-01 | 2009-08-05 | 株式会社東芝 | 化学洗浄装置 |
| JP2002331456A (ja) * | 2001-05-08 | 2002-11-19 | Kurita Water Ind Ltd | 研磨材の回収装置 |
| JP3804009B2 (ja) * | 2001-10-01 | 2006-08-02 | 触媒化成工業株式会社 | 研磨用シリカ粒子分散液、その製造方法および研磨材 |
| US7169236B2 (en) * | 2002-03-28 | 2007-01-30 | Nalco Company | Method of monitoring membrane cleaning processes |
| AU2004216334A1 (en) * | 2003-02-25 | 2004-09-10 | Kurita Water Industries Ltd. | Detergent for selectively permeable film and method of cleaning |
| US7282147B2 (en) * | 2003-10-07 | 2007-10-16 | Phase Inc. | Cleaning hollow core membrane fibers using vibration |
| FR2864457B1 (fr) | 2003-12-31 | 2006-12-08 | Commissariat Energie Atomique | Procede de nettoyage par voie humide d'une surface notamment en un materiau de type silicium germanium. |
| JP2005238135A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Nitto Denko Corp | 膜分離装置の洗浄方法 |
| US20050224099A1 (en) * | 2004-04-13 | 2005-10-13 | Luckman Joel A | Method and apparatus for cleaning objects in an automatic cleaning appliance using an oxidizing agent |
| US20070210002A1 (en) * | 2004-08-04 | 2007-09-13 | Siemens Water Technologies Corp | Chemical and process for cleaning membranes |
| JP2006159124A (ja) * | 2004-12-09 | 2006-06-22 | Kurita Water Ind Ltd | 選択性透過膜の洗浄方法 |
| US8147696B1 (en) * | 2006-09-19 | 2012-04-03 | Pandya Ken V | High-efficiency water-softening process |
| JP2009113148A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-05-28 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 研磨スラリーのろ過方法並びに研磨材の回収方法及び回収装置 |
| WO2009135273A1 (en) * | 2008-05-08 | 2009-11-12 | Cavitus Pty Ltd | Methods and apparatus for ultrasonic cleaning |
-
2011
- 2011-06-14 WO PCT/US2011/040305 patent/WO2012030423A1/en active Application Filing
- 2011-06-14 EP EP11822274.4A patent/EP2611741A4/en not_active Withdrawn
- 2011-06-14 US US13/159,915 patent/US20120055865A1/en not_active Abandoned
- 2011-06-14 JP JP2013527073A patent/JP2014508629A/ja active Pending
- 2011-06-23 TW TW100122012A patent/TWI422440B/zh active
- 2011-07-21 KR KR1020110072425A patent/KR101277562B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-05-13 US US14/276,369 patent/US20140238441A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0497247A1 (en) * | 1991-01-28 | 1992-08-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of cleaning semiconductor wafers using mixer and its arrangement |
| US5639311A (en) * | 1995-06-07 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Method of cleaning brushes used in post CMP semiconductor wafer cleaning operations |
| US20030062068A1 (en) * | 2001-07-10 | 2003-04-03 | Ko Hyung-Ho | Method of and system for cleaning a semiconductor wafer simultaneously using electrolytically ionized water and diluted hydrofluoric acid |
| TW583019B (en) * | 2001-07-19 | 2004-04-11 | Bayer Ag | Process for the removal of deposits on chemical reactors |
| TW200415686A (en) * | 2002-11-25 | 2004-08-16 | Applied Materials Inc | Method of cleaning a coated process chamber component |
| TW200802564A (en) * | 2006-04-26 | 2008-01-01 | Advanced Tech Materials | Cleaning of semiconductor processing systems |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104524980A (zh) * | 2014-11-28 | 2015-04-22 | 北京碧水源膜科技有限公司 | 一种膜元件的后处理系统及其方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140238441A1 (en) | 2014-08-28 |
| EP2611741A4 (en) | 2016-10-05 |
| KR20120024373A (ko) | 2012-03-14 |
| TW201210708A (en) | 2012-03-16 |
| US20120055865A1 (en) | 2012-03-08 |
| KR101277562B1 (ko) | 2013-06-24 |
| JP2014508629A (ja) | 2014-04-10 |
| WO2012030423A1 (en) | 2012-03-08 |
| EP2611741A1 (en) | 2013-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI422440B (zh) | 清潔方法及系統 | |
| TWI231770B (en) | Method for removing foreign matter from a fluid flow | |
| TWI484999B (zh) | A filtration method, a method of purifying a filter for use, a method for regenerating a filter used for filtration, and a regeneration device for a filter | |
| TWI417949B (zh) | 矽表面的製備 | |
| TWI774733B (zh) | 中空纖維薄膜裝置之清洗方法、超過濾透膜裝置、超純水製造裝置及中空纖維薄膜裝置之清洗裝置 | |
| JP5873020B2 (ja) | 半導体処理プロセス、特に化学機械研磨プロセスからのスラリーを含有する廃水をリサイクルするためのリサイクル方法および装置 | |
| CN1225408C (zh) | 用于回收磨料的设备 | |
| JP2010167551A (ja) | 使用済みスラリーの再生方法 | |
| JP2015506826A (ja) | フィルタを洗浄する方法 | |
| TWI751126B (zh) | 半導體處理用組成物及處理方法 | |
| JP2009135174A (ja) | 研磨装置とその方法、及び研磨液再生装置とその方法 | |
| JP2009023061A (ja) | 金属イオン成分の除去・低減方法及び装置 | |
| JP2006528553A (ja) | 超臨界二酸化炭素を用いた、ワークピースの洗浄システムおよび方法 | |
| TW200419662A (en) | Wet cleaning cavitation system and method to remove particulate wafer contamination | |
| US20150047674A1 (en) | Method and apparatus for removal of photoresist using improved chemistry | |
| JP6964148B2 (ja) | 部材の再生方法及び海水の淡水化方法 | |
| JP2005142301A (ja) | 高圧処理方法、及び高圧処理装置 | |
| JP2010022902A (ja) | 磁気フィルター装置の洗浄方法 | |
| JP7244896B2 (ja) | Ｃｍｐスラリー再生方法 | |
| JP2005131630A (ja) | 逆浸透膜の洗浄方法およびこの方法を用いた廃水回収方法 | |
| JP2001252536A (ja) | 濾過膜洗浄方法およびこれを利用した海水濾過装置 | |
| JP4849660B2 (ja) | スラリ再生方法 | |
| JP2007157750A (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
| JP2010253393A (ja) | 排スラリー中の有用固形成分の回収方法 | |
| JP4311559B2 (ja) | 表面処理液中の沈澱物の除去装置 |