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TWI406938B - 化學溶液及使用該溶液處理基板之方法 - Google Patents

化學溶液及使用該溶液處理基板之方法 Download PDF

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TWI406938B
TWI406938B TW096131459A TW96131459A TWI406938B TW I406938 B TWI406938 B TW I406938B TW 096131459 A TW096131459 A TW 096131459A TW 96131459 A TW96131459 A TW 96131459A TW I406938 B TWI406938 B TW I406938B
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thin film
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Kido Shusaku
Suzuki Seiji
Yasue Hidekuni
Nishijima Yoshitaka
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Nlt Technologies Ltd
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Description

化學溶液及使用該溶液處理基板之方法
本發明係關於處理如半導體基板與液晶基板之基板的方法，以及於該方法中所採用之化學溶液。
導線迴路通常，例如，藉由於半導體晶圓或如液晶顯示基板(LCD)或其他基板之基板上形成有機薄膜圖案，然後蝕刻有機薄膜圖案下之薄膜而產生，亦即，具有機薄膜圖案之基板係做為光罩來於下方之薄膜上構成圖案。
當於下方薄膜構成圖案後，便除去有機薄膜圖案。
例如，日本專利第8-23103號(1996年1月發表)揭露處理用以製造具高介電崩潰電阻之導線迴路的基板的方法，包括於基板上形成有機薄膜圖案(專利文件中稱為抗蝕圖案)，以有機薄膜圖案為光罩來蝕刻配置於有機薄膜圖案下之薄膜(單層或雙層)，而於下方薄膜上構成圖案，再顯影有機薄膜圖案，並再以過度顯像或變形成新圖案之有機薄膜圖案為光罩來於下方薄膜上構成如錐狀或階梯狀之圖案，再次於下方薄膜構成圖案後，接著於另一步驟中，除去有機薄膜圖案。
日本專利第2005-159294號揭露處理基板的方法，包括類似於上述方法之處理有機薄膜圖案的步驟。
日本專利第2005-159292號揭露處理有機薄膜圖案的方法，另外包括混合並使有機薄膜圖案變形的步驟，於此 混合並使有機薄膜圖案變形的步驟中，因有機薄膜圖案(特別是正型電阻圖案)與有機溶劑接觸、覆蓋(具體而言，有機薄膜圖案暴露於氣體溶劑所形成之環境中)而混合。
第6圖舉例說明上述日本專利第8-23103號所揭露之處理基板的方法，包括形成有機薄膜圖案、以蝕刻法於下方薄膜構成圖案、再顯影有機薄膜圖案(抗蝕圖案)並再於下方薄膜構成圖案。
首先，如第6(A)圖所示，於基板101上形成導電薄膜102，然後於導電薄膜102上形成有機薄膜103(專利文件中稱為“光阻薄膜”)。
然後依序進行曝光步驟、顯影步驟及預烘乾之加熱步驟而使有機薄膜轉變成起始有機薄膜圖案104，如第6(B)圖所示。
接著，採用有機薄膜圖案104為光罩而於基板101上蝕刻出導電薄膜102，而將導電薄膜102製成第一圖案，如第6(C)圖所示。
再顯影有機薄膜圖案104後，再進行第二預烘乾之加熱有機薄膜圖案104的步驟，將有機薄膜圖案104製成第二圖案，如第6(D)圖所示。
然後，以再形成之有機薄膜圖案104為光罩蝕刻導電薄膜102使導電薄膜102的厚度減少至起始厚度的一半，如第6(E)圖所示，如此，導電薄膜102具有如階梯狀之剖面圖形，所以，導電薄膜102便不致有垂直分布之剖面圖形或倒錐狀之剖面圖形。
接著，如第6(F)圖所示，移除有機薄膜圖案104。
然而，日本專利第8-23103號未提及蝕刻基板101上之導電薄膜102的步驟(於第6(B)圖所示之步驟與第6(C)圖所示之步驟間所進行之步驟)會造成起始有機薄膜圖案損壞，因而於有機薄膜圖案104上形成變形層與/或沉積層。
於有機薄膜圖案上形成之變形層與/或沉積層(以下此兩者稱為“阻隔層”)抑制有機薄膜圖案104的第二次顯影，亦即，於第6(C)圖所示之步驟與第6(D)圖所示之步驟間所進行之顯影步驟，所以，通常有機薄膜圖案104的第二次顯影無法順利完成。
有機薄膜圖案104的第二次顯影程度取決於阻隔層的狀態。
若於第6(B)圖所示之步驟與第6(C)圖所示之步驟間所進行之蝕刻步驟為濕蝕刻，於濕蝕刻時所採用之化學溶液與濕蝕刻進行時的溫度大大影響阻隔層的狀態。
換言之，若於第6(B)圖所示之步驟與第6(C)圖所示之步驟間所進行之蝕刻步驟為乾蝕刻，則乾蝕刻時所採用之氣體種類、乾蝕刻進行時的壓力及所生成氣體的排出過程皆大大影響阻隔層的狀態，有機薄膜圖案的化學性損壞取決於氣體種類，而由離子化或自由基氣體造成之有機薄膜圖案的物理性衝擊則大部份取決於乾蝕刻進行時的壓力及所生成氣體的排出過程，通常，因濕蝕刻不會對有機薄膜圖案造成物理性衝擊，所以採用濕蝕刻對有機薄膜圖案造 成的損害較乾蝕刻少，且阻隔層抑制有機薄膜圖案顯影的程度，也是濕蝕刻較乾蝕刻少。
如果因阻隔層使有機薄膜圖案的再顯影無法順利進行，則有機薄膜圖案的第二次顯影(過度顯影)將不均勻，而產生下層薄膜的再製圖案不均勻的問題。
著眼於上述問題，本發明揭露一標準處理基板的方法，藉此可使第二次或往後之有機薄膜圖案的顯影程序順利完成。
本發明亦揭露於上述方法中所採用之有機溶液。
於半導體基板、液晶顯示基板或其他基板上形成有機薄膜圖案，且再處理有機薄膜圖案後，可不處理配置於有機薄膜圖案下之下層薄膜而直接使用此有機薄膜圖案，例如，當有機薄膜圖案係由絕緣材料構成時，有機薄膜圖案可做為絕緣薄膜圖案。
本發明的第一部份揭露用以去除至少形成於基板上之有機薄膜圖案表面的阻隔層之化學溶液，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案表面變化而形成之變形層，與沉積物沉積於有機薄膜圖案表面而形成之沉積層之一，化學溶液包含至少具有羥基胺衍生物與肼衍生物之一的第一成分水溶液，以及具顯影功能之第二成分。
亦揭露採用化學溶液製造有機薄膜圖案的方法，該方法包括，依序為，至少去除形成於基板上之有機薄膜圖案 表面的阻隔層之去除步驟，以及處理有機薄膜圖案的主步驟，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案表面變化而形成之變形層，與沉積物沉積於有機薄膜圖案表面而形成之沉積層之一，化學溶液係用於去除步驟，化學溶液包含至少具有羥基胺衍生物與肼衍生物之一的第一成分水溶液，以及具顯影功能之第二成分。
本發明的第二部份揭露處理基板的方法，包括於基板上形成有機薄膜圖案，並至少去除形成於有機薄膜圖案表面之阻隔層，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案表面變化而形成之變形層，與沉積物沉積於有機薄膜圖案表面而形成之沉積層之一，至少去除阻隔層係採用上述之化學溶液。
亦揭露處理基板的方法，包括，依序為，於基板上形成有機薄膜圖案之第一步驟，至少去除形成於有機薄膜圖案表面的阻隔層之去除步驟，以及處理有機薄膜圖案的主步驟，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案表面變化而形成之變形層，與沉積物沉積於有機薄膜圖案表面而形成之沉積層之一，至少去除阻隔層係採用上述之化學溶液。
本發明的第三部份揭露製造具有基板之元件的方法，包括完成上述處理基板的方法以製造具有基板之顯示元件與具有基板之半導體元件之一。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
以下將配合圖示說明依據本發明之實施例。
[第一實施例]
於第一實施例，第1圖繪示出處理基板之方法中完成個別步驟之狀態。
第6圖所示之方法，為於第6(C)圖所示之步驟與第6(D)圖所示之步驟間所完成之第二顯影步驟(過度顯影)，第一實施例之方法不同於第6圖所示之方法，其中去除步驟與第二顯影步驟皆於第1(C)圖所示之步驟與第1(D)圖所示之步驟間完成。
首先，如第1(A)圖所示，於基板1上形成導電薄膜2，然後於導電薄膜2上形成有機薄膜3。
接著，於有機薄膜3上依序進行曝光步驟、顯影步驟以及預烘乾之加熱步驟以於有機薄膜3上製圖而使有機薄膜3變成起始有機薄膜圖案4，如第1(B)圖所示。
然後，以起始有機薄膜圖案4為光罩蝕刻於基板1上形成之導電薄膜2，將導電薄膜2製成第一圖案，如第1(C)圖所示，具體而言，導電薄膜2中不為有機薄膜圖案4所覆蓋的部分以濕或乾蝕刻來去除而將導電薄膜2製成如第1(C)圖所示之圖案。
製成導電薄膜2之圖案的結果，於有機薄膜圖案4的表面形成阻隔層，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案4表面變化而形成之變形層，以及沉積物沉積於有機薄膜圖案4表面而形成之沉積層之一。
接著，採用第一實施例之化學溶液於有機薄膜圖案4完成去除步驟，以選擇性去除阻隔層，使有機薄膜圖案4中無阻隔層的區域呈現，然後，於有機薄膜圖案4上進行第二顯影步驟與另外做為第二預烘乾步驟之加熱步驟，即於有機薄膜圖案4上完成主步驟，以使起始有機薄膜圖案4轉變成具新面貌(圖案)之有機薄膜圖案5，如第1(D)圖所示。換言之，處理有機薄膜圖案4使有機薄膜圖案4轉變成新有機薄膜圖案5，且於導電薄膜2上之有機薄膜圖案4的區域亦變小。
如上所述，部分有機薄膜圖案4於主步驟中被去除，意即有機薄膜圖案4整個被縮小。
然後，以有機薄膜圖案5為光罩來濕或乾蝕刻導電薄膜2而使導電薄膜2中未被有機薄膜圖案5覆蓋的部份變薄，如第1(E)圖所示，例如，導電薄膜2經蝕刻後的厚度為原有的一半，所得之導電薄膜2具有如階梯狀之剖面圖形。
接著，如第1(F)圖所示，去除有機薄膜圖案5。
由於導電薄膜2具有如階梯狀之剖面外形，導電薄膜2便不致有垂直分布之剖面圖形或倒錐狀之剖面圖形。
以下將說明於去除步驟中所採用之化學溶液。
第一實施例的去除步驟中所採用之化學溶液包含至少具有羥基胺衍生物與肼衍生物之一的第一成分水溶液，以及具顯影功能之第二成分。
第一實施例中之化學溶液所含的羥基胺衍生物為 [(R1-)(R2-)]NOH，其中每一R1與R2分別為C1至C4之烷基或羥基烷基，且羥基胺衍生物最好至少為羥基胺及N,N-二乙基羥基胺之一。
第一實施例中之化學溶液所含的肼衍生物為[(R1-)(R2-)]NN[(-R3)(-R4)]，其中每一R1、R2、R3與R4分別為氫原子、甲基、乙基及苯基之一，且肼衍生物最好至少為肼、甲基肼、1,1-二甲基肼及苯基肼之一。
第一實施例中之化學溶液所含的第二成分最好至少含有氫氧化四烷基銨、氫氧化鹼金屬及碳酸鹼金屬之一。
第二成分中所定義之氫氧化四烷基銨為[(R1-)(R2-)(R3-)(R4-)]N+OH-，其中每一R1、R2、R3與R4分別為C1至C4之烷基或羥基烷基，且氫氧化四烷基銨最好至少為氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼及氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨之一。
第二成分中所定義之氫氧化鹼金屬最好至少為氫氧化鈉與氫氧化鉀之一。
第二成分中所定義之碳酸鹼金屬最好至少為碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀與碳酸氫鉀之一。
第一實施例中之化學溶液中之第一成分的含量最好介於0.5至30%重量百分比的範圍內，若化學溶液中之第一成分的含量為X%重量百分比，且X小於0.5，或Y%重量百分比，且Y大於30，則除變形層外，亦會除去部份有機薄膜圖案。
第一實施例中之化學溶液中之第二成分的含量最好介 於0.2至10%重量百分比的範圍內，若化學溶液中之第二成分的含量為X%重量百分比，且X小於0.2，則化學溶液將無法去除於有機薄膜圖案表面形成之阻隔層，而若化學溶液中之第二成分的含量為Y%重量百分比，且Y大於10，則除變形層外，亦會除去部份有機薄膜圖案。
例如，於第一實施例之化學溶液中，羥基胺衍生物最好至少含有[(R1-)(R2-)]NOH，其中每一R1與R2分別為C1至C4之烷基或羥基烷基、羥基胺與N,N-二乙基羥基胺之一，肼衍生物最好至少含有[(R1-)(R2-)]NN[(-R3)(-R4)]，其中每一R1、R2、R3與R4分別為氫原子、甲基、乙基及苯基之一、肼、甲基肼、1,1-二甲基肼與苯基肼之一，且化學溶液中之第一成分的含量最好介於0.5至30%重量百分比的範圍內。
例如，於第一實施例之化學溶液中，第二成分最好至少含有氫氧化四烷基銨、氫氧化鹼金屬及碳酸鹼金屬之一，氫氧化四烷基銨為[(R1-)(R2-)(R3-)(R4-)]N+OH-，其中每一R1、R2、R3與R4分別為C1至C4之烷基或羥基烷基，或至少含有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼及氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨之一，氫氧化鹼金屬至少含有氫氧化鈉與氫氧化鉀之一，碳酸鹼金屬至少含有碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀與碳酸氫鉀之一，且化學溶液中之第二成分的含量最好介於0.2至10%重量百分比的範圍內。
例如，於第一實施例之化學溶液中，最佳情形為，羥基胺衍生物至少含有[(R1-)(R2-)]NOH，其中每一R1與R2 分別為C1至C4之烷基或羥基烷基、羥基胺與N,N-二乙基羥基胺之一，肼衍生物至少含有[(R1-)(R2-)]NN[(-R3)(-R4)]，其中每一R1、R2、R3與R4分別為氫原子、甲基、乙基及苯基之一、肼、甲基肼、1,1-二甲基肼與苯基肼之一，化學溶液中之羥基胺衍生物與/或肼衍生物的含量最好介於0.5至30%重量百分比的範圍內，第二成分至少含有氫氧化四烷基銨、氫氧化鹼金屬及碳酸鹼金屬之一，氫氧化四烷基銨為[(R1-)(R2-)(R3-)(R4-)]N+OH-，其中每一R1、R2、R3與R4分別為C1至C4之烷基或羥基烷基，或至少含有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼及氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨之一，氫氧化鹼金屬至少含有氫氧化鈉與氫氧化鉀之一，碳酸鹼金屬至少含有碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀與碳酸氫鉀之一，且化學溶液中之第二成分的含量最好介於0.2至10%重量百分比的範圍內。
於第一實施例之化學溶液中，有機薄膜圖案中除了變形層外的部分最好以小於或等於每分鐘1000Å的速度混合，小於或等於每分鐘100Å的速度更好，尤以小於或等於每分鐘50Å的速度最佳，以此設定的速度，完成去除步驟後，因有機薄膜圖案4的殘餘量足夠用以在於有機薄膜圖案4上製圖。
於第一實施例之化學溶液中，V1/V2的比例最好大於或等於0.5，其中V1係為變形層(或阻隔層)的混合速度，而V2為有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合速 度，例如，V1/V2的比例小於或等於1000，V1/V2的比例最好小於或等於5.0。
於第一實施例之化學溶液中，V1/V2的比例最好大於或等於0.5(例如，小於或等於1000)，其中V1係為變形層(或阻隔層)的混合速度，而V2為有機薄膜圖案中除了變形層的部分外的混合速度，且有機薄膜圖案中除了變形層的部分外的混合速度小於或等於每分鐘1000Å。
於第一實施例之化學溶液中，V1/V2的比例最好大於或等於0.5(例如，小於或等於1000)，且有機薄膜圖案中除了變形層的部分外的混合速度小於或等於每分鐘100Å。
於第一實施例之化學溶液中，V1/V2的比例最好大於或等於0.5(例如，小於或等於1000)，且有機薄膜圖案中除了變形層的部分外的混合速度小於或等於每分鐘50Å。
第一實施例之化學溶液最好具有顯影有機薄膜圖案4的功能。
第一實施例之化學溶液內的氫氧化四烷基銨最好含有具有顯影有機薄膜圖案4功能的成分。
以下將說明於第1(C)圖所示之階段之形成於有機薄膜圖案4表面的阻隔層。
阻隔層使有機薄膜圖案4無法再顯影(過度顯影)，如上所述，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案4表面變化而形成之變形層，以及沉積物沉積於有機薄膜圖案4表面而形成之沉積層之一。
如果阻隔層包括變形層，變形層至少包括因熟化、熱 氧化與熱硬化所導致之有機薄膜圖案4表面變形、濕蝕刻所導致之有機薄膜圖案4表面變形、或乾蝕刻或灰化所導致之有機薄膜圖案4表面變形之一，如果阻隔層包括沉積層，則沉積層係因乾蝕刻沉積物沉積於有機薄膜圖案4表面所造成。
於上述第一實施例中，去除步驟促使第二成分於主步驟之第二顯影(過度顯影)步驟進行時更容易滲入有機薄膜圖案4，確保顯影效用的均勻度。
當於有機薄膜圖案4上採用不具顯影功能，但具有用以清除之混合有機薄膜圖案4的功能之化學溶液進行主步驟時，同樣具有上述提及之優點。
[第二實施例]
於第二實施例，第2圖繪示出處理基板之方法中完成個別步驟之狀態。
於第二實施例中，以微影技術製成起始有機薄膜圖案4，因此一些部位具有多種(例如，兩種)厚度。
首先，如第2(A)圖所示，於基板1上形成導電薄膜2，然後於導電薄膜2上形成有機薄膜3。
接著，於有機薄膜3上依序進行二或多重曝光步驟、顯影步驟以及預烘乾之加熱步驟以於有機薄膜3上製圖而使有機薄膜3變成部分區域具有兩種厚度之起始有機薄膜圖案4，如第2(B)圖所示。
例如，如第2(B)圖所示，有機薄膜圖案4包括中央部分，與環繞中央部分的兩邊緣部分，且其厚度小於中央部 分的厚度。
例如，曝光步驟可將有機薄膜3於不同程度的曝光量下進行兩次，讓光線透過具二或多種透光率薄膜圖案的半色調光罩，或使光線透過具有原本圖案以及具透光率小於或等於曝光量上限之細微圖案之灰色調光罩來使有機薄膜3曝光。
然後，以起始有機薄膜圖案4為光罩蝕刻於基板1上形成之導電薄膜2，將導電薄膜2製成第一圖案，如第2(C)圖所示，具體而言，導電薄膜2中不為有機薄膜圖案4所覆蓋的部分以濕或乾蝕刻來去除而將導電薄膜2製成如第2(C)圖所示之圖案。
製成導電薄膜2之圖案的結果，於有機薄膜圖案4的表面形成阻隔層，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案4表面變化而形成之變形層，以及沉積物沉積於有機薄膜圖案4表面而形成之沉積層之一。
接著，採用上述第一實施例之化學溶液於有機薄膜圖案4完成去除步驟，以選擇性去除阻隔層，使有機薄膜圖案4中無阻隔層的區域呈現，然後，於有機薄膜圖案4上進行第二顯影步驟與另外做為第二預烘乾步驟之加熱步驟，即於有機薄膜圖案4上完成主步驟，以使起始有機薄膜圖案4轉變成具新面貌(圖案)之有機薄膜圖案5，如第2(D)圖所示，特別是，去除有機薄膜圖案4中厚度小於中央部分之邊緣部分，使有機薄膜圖案5具單一厚度。
如上所述，例如，部分有機薄膜圖案4於主步驟中移 除，且因部分有機薄膜圖案4被去除使有機薄膜圖案4變小。
然後，以有機薄膜圖案5為光罩來濕或乾蝕刻導電薄膜2而使導電薄膜2中未被有機薄膜圖案5覆蓋的部份變薄且具單一厚度，如第2(E)圖所示，所得之導電薄膜2具有如階梯狀之剖面圖形。
接著，如第2(F)圖所示，去除有機薄膜圖案5。
由於導電薄膜2具有如階梯狀之剖面外形，導電薄膜2便不致有垂直分布之剖面圖形或倒錐狀之剖面圖形。
第二實施例具有與第一實施例所揭露之相同優點。
[第三實施例]
於第三實施例，第3圖繪示出處理基板之方法中完成個別步驟之狀態。
於第三實施例中，以微影技術製成起始有機薄膜圖案4，因此，與第二實施例類似，一些部位具有多種(例如，兩種)厚度。
首先，如第3(A)圖所示，於基板1上形成半導體薄膜6，然後於半導體薄膜6上形成導電薄膜2，再於導電薄膜2上形成有機薄膜3。
接著，於有機薄膜3上依序進行二或多重曝光步驟、顯影步驟以及預烘乾之加熱步驟以於有機薄膜3上製圖而使有機薄膜3變成部分區域具有兩種厚度之起始有機薄膜圖案4，如第3(B)圖所示。
例如，如第3(B)圖所示，有機薄膜圖案4包括中央部 分，與環繞中央部分的兩邊緣部分，且其厚度大於中央部分的厚度。
例如，曝光步驟可將有機薄膜3於不同程度的曝光量下進行兩次，讓光線透過具二或多種透光率薄膜圖案的半色調光罩，或使光線透過具有原本圖案以及具透光率小於或等於曝光量上限之細微圖案之灰色調光罩來使有機薄膜3曝光。
然後，以起始有機薄膜圖案4為光罩濕或乾蝕刻於基板1上形成之導電薄膜2及半導體薄膜6，將導電薄膜2與半導體薄膜6製成第一圖案，如第3(C)圖所示，具體而言，濕或乾蝕刻去除導電薄膜2與半導體薄膜6中不為有機薄膜圖案4所覆蓋的部分。
濕或乾蝕刻導電薄膜2，且於蝕刻導電薄膜2後接著乾蝕刻半導體薄膜6。
製成導電薄膜2與半導體薄膜6之圖案的結果，於有機薄膜圖案4的表面形成阻隔層，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案4表面變化而形成之變形層，以及沉積物沉積於有機薄膜圖案4表面而形成之沉積層之一。
接著，採用上述第一實施例之化學溶液於有機薄膜圖案4完成去除步驟，以選擇性去除阻隔層，使有機薄膜圖案4中無阻隔層的區域呈現，然後，於有機薄膜圖案4上進行第二顯影步驟與另外做為第二預烘乾步驟之加熱步驟，即於有機薄膜圖案4上完成主步驟，以使起始有機薄膜圖案4轉變成具新面貌(圖案)之有機薄膜圖案5，如第 3(D)圖所示，特別是，去除有機薄膜圖案4中厚度小於邊緣部分之中央部分，使形成之有機薄膜圖案5具相互分離且厚度相同的兩區域。
如上所述，例如，部分有機薄膜圖案4於主步驟中移除，且因部分有機薄膜圖案4被去除使有機薄膜圖案4變小，於第三實施例中，上述去除部分有機薄膜圖案4的步驟即為申請專利範圍中所定義之“選擇步驟”。
然後，以單一厚度之有機薄膜圖案5為光罩來第二次蝕刻(濕或乾蝕刻)導電薄膜2而去除導電薄膜2中未被有機薄膜圖案5覆蓋的部份，如此，便可得到具兩相互分離區域的導電薄膜2，如第3(E)圖所示。
如此一來，導電薄膜2與半導體薄膜6的圖案便不同，如第3(E)圖所示。
接著，如第3(F)圖所示，去除有機薄膜圖案5。
第三實施例適用於製造源極、汲極、導線與TFT(薄膜電晶體)基板電路的方法，其中半導體薄膜6由n+ a-Si(歐姆接觸用之高強化半導體)或a-Si(非晶矽)構成。
第二實施例於製造源極、汲極、導線與TFT(薄膜電晶體)基板電路的方法具有與第一實施例所揭露之相同優點，其中半導體薄膜6由n+ a-Si或a-Si(非晶矽)構成。
[第四實施例]
於第四實施例，第4圖繪示出處理基板之方法中完成個別步驟之狀態。
於第四實施例中，以微影技術製成起始有機薄膜圖案 4，因此，與第二及第三實施例類似，一些部位具有多種(例如，兩種)厚度。
首先，如第4(A)圖所示，於基板1上形成半導體薄膜6，然後於半導體薄膜6上形成導電薄膜2，再於導電薄膜2上形成有機薄膜3。
接著，於有機薄膜3上依序進行二或多重曝光步驟、顯影步驟以及預烘乾之加熱步驟以於有機薄膜3上製圖而使有機薄膜3變成具有兩相互分離部分的有機薄膜圖案4，其中每一兩相互分離部分皆具有兩種厚度，如第4(B)圖所示。
例如，如第4(B)圖所示，有機薄膜圖案4具有兩相鄰部分，且每一部分具有緊鄰另一部分的第一區塊，以及遠離另一部分的第二區塊，且第二區塊的厚度小於第一區塊。
例如，曝光步驟可將有機薄膜3於不同程度的曝光量下進行兩次，讓光線透過具二或多種透光率薄膜圖案的半色調光罩，或使光線透過具有原本圖案以及具透光率小於或等於曝光量上限之細微圖案之灰色調光罩來使有機薄膜3曝光。
然後，以起始有機薄膜圖案4為光罩濕或乾蝕刻於基板1上形成之導電薄膜2，將導電薄膜2製成第一圖案，如第4(C)圖所示，具體而言，去除導電薄膜2中不為有機薄膜圖案4所覆蓋的部分，如第4(C)圖所示。
製成導電薄膜2之圖案的結果，於有機薄膜圖案4的表面形成阻隔層，阻隔層至少包括因有機薄膜圖案4表面 變化而形成之變形層，以及沉積物沉積於有機薄膜圖案4表面而形成之沉積層之一。
接著，採用上述第一實施例之化學溶液於有機薄膜圖案4完成去除步驟，以選擇性去除阻隔層，使有機薄膜圖案4中無阻隔層的區域呈現，然後，於有機薄膜圖案4上進行第二顯影步驟與另外做為第二預烘乾步驟之加熱步驟，即於有機薄膜圖案4上完成主步驟，以使起始有機薄膜圖案4轉變成具新面貌(圖案)之有機薄膜圖案5，如第4(D)圖所示，特別是，每一有機薄膜圖案4中兩部分的第二區塊，如此一來，有機薄膜圖案4便轉變成具單一厚度之有機薄膜圖案，如第4(D)圖所示。
如上所述，例如，部分有機薄膜圖案4於主步驟中移除，且因部分有機薄膜圖案4被去除使有機薄膜圖案4變小，於第三實施例中，上述去除部分有機薄膜圖案4的步驟即為申請專利範圍中所定義之“選擇步驟”。
由於迴焊具單一厚度之有機薄膜圖案5，兩有機薄膜圖案5中所定義的部分相互連結成一新有機薄膜圖案7，如第4(E)圖所示，如此一來，暴露於導電薄膜2的兩部分間之半導體薄膜6區域為有機薄膜圖案7所覆蓋。
藉由加熱有機薄膜圖案5或使有機薄膜圖案5暴露於有機溶劑蒸氣中可使有機薄膜圖案5迴焊。
然後，以有機薄膜圖案7與導電薄膜2為光罩來乾蝕刻半導體薄膜6而使半導體薄膜6的圖案(單一圖案)不同於導電薄膜2的圖案(即，兩部分相互分離)，如第4(E)圖 所示。
接著，如第4(F)圖所示，去除有機薄膜圖案7。
第四實施例具有與第三實施例所揭露之相同優點。
於上述實施例中，為過度曝光有機薄膜圖案，必需避免有機薄膜圖案因熱而損壞，且使有機薄膜圖案於進行第二次顯影前所進行的所有步驟皆保持顯影功能，如烘乾步驟或蝕刻步驟，具體而言，必需使有機薄膜圖案維持在150℃以下的狀態中，因為有機薄膜圖案在150℃或更高的溫度下容易產生交連現象，最好將有機薄膜圖案保持在140℃或更低溫度的狀態中。
若有機薄膜圖案係由在不同於150℃的溫度下容易產生交連現象的材料所構成，則必需將有機薄膜圖案保持在低於那個溫度的狀態中。
一開始，可採用微影技術或印刷的方式於基板1上形成有機薄膜圖案4。
最好以光敏性有機薄膜構成有機薄膜圖案4，其中，光敏性有機薄膜為正型光敏性有機薄膜或負型光敏性有機薄膜。
如果有機薄膜圖案4由正型光敏性有機薄膜構成，酚醛樹脂最好為有機薄膜圖案4的主要成分。
若暴露於光線中，光敏性有機薄膜最好可溶於鹼中。
第四實施例所採用的化學溶液不僅適用於上述去除步驟，亦可用於去除形成在基板1上之所有有機薄膜圖案4，其中，形成於基板1上之有機薄膜圖案4最好為光敏性有 機薄膜，且至少在有機薄膜圖案4暴露於光線後再採用化學溶液來進行去除步驟。
於去除步驟後進行主步驟，可完全除去形成於基板1上之有機薄膜圖案4。
主步驟中所採用之化學溶液最好具有顯影有機薄膜圖案4的功能，但剝色劑可做為主步驟中所採用之化學溶液。
主步驟可包括能使有機薄膜圖案4至少部分縮小的步驟。
以下將說明於每一上述實施例的去除步驟中所採用之化學溶液範例。
以下說明之化學溶液不僅使用於上述實施例的方法中，亦可用於處理基板的任何方法。
於稍後提及之範例中，由以下敘述可得知去除形成於有機薄膜圖案4表面之阻隔層的難度，與部分除變形層外之有機薄膜圖案4的殘餘特性，而列出去除步驟中所採用之化學溶液的最佳範例。
首先，製備含7%硝酸銨、18%硝酸鈰銨及75%水之蝕刻劑。
以玻璃基質為基板1，並於其上形成做為導電薄膜2之鉻薄膜，厚度為200奈米。
於基板1上形成有機薄膜3(酚醛樹脂抗蝕劑)(例如，參見第1(A)圖)，然後將有機薄膜3暴露於光線中、顯影並預烘乾來製圖使有機薄膜3變成有機薄膜圖案4(例如，參見第1(B)圖)。
接著，將於基板1上形成之有機薄膜3浸泡於40℃的上述蝕刻劑中，經恰當之蝕刻時間以蝕刻鉻薄膜(例如，參見第1(C)圖)，其中，“恰當之蝕刻時間”係指去除未被有機薄膜圖案4覆蓋之鉻薄膜(導電薄膜2)部分所需的時間。
然後，以水清洗基板1並乾燥。
稍後提及之範例說明製造基板1的實驗，特別是，具有阻隔層形成於有機薄膜圖案4上之基板1。
然後，將基板1浸泡於30℃的化學溶液中60秒，以完成範例1-8與對照範例1-11的去除步驟，範例1-8與對照範例1-11所採用之化學溶液成分詳列於下表A中。
表A中所提及之化學成分縮寫對照如下。
HA：羥基胺
TMAH：氫氧化四甲基銨
TEAH：氫氧化四乙基銨
DEHA：N,N-二乙基羥基胺
MEA：一乙醇胺
BDG：二乙二醇單丁醚
PW：水
INH.：去除阻隔層之困難度
A1：有機薄膜圖案4以化學溶液施作後
A2：有機薄膜圖案浸泡顯影劑後
如表A所示，範例1之化學溶液含有5%重量百分比的羥基胺水溶液、2%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及93%重量百分比的水。
範例2之化學溶液含有0.5%重量百分比的羥基胺水溶液、2%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及97.5%重量百分比(第6圖所示之“98”為四捨五入的數值)的水。
範例3之化學溶液含有30%重量百分比的羥基胺水溶 液、10%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及60%重量百分比的水。
範例4之化學溶液含有5%重量百分比的羥基胺水溶液、0.5%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及94.5%重量百分比(表A所示之“95”為四捨五入的數值)的水。
範例5之化學溶液含有5%重量百分比的羥基胺水溶液、2%重量百分比的氫氧化四乙基銨以及93%重量百分比的水。
範例6之化學溶液含有5%重量百分比的羥基胺水溶液、10%重量百分比的膽鹼以及93%重量百分比的水。
範例7之化學溶液含有5%重量百分比的N,N-二乙基羥基胺水溶液、2%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及93%重量百分比的水。
範例8之化學溶液含有5%重量百分比的肼水溶液、2%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及93%重量百分比的水。
對照範例1之化學溶液含有2.38%重量百分比(表A所示之“2.4”為四捨五入的數值)的氫氧化四甲基銨水溶液。
對照範例2之化學溶液含有20%重量百分比的氫氧化四甲基銨水溶液。
對照範例3之化學溶液含有5%重量百分比的羥基胺水溶液。
對照範例4之化學溶液含有20%重量百分比的一乙醇胺、60%重量百分比的有機溶劑(二乙二醇單丁醚)以及20 %重量百分比的水。
對照範例5之化學溶液含有40%重量百分比的一乙醇胺以及60%重量百分比的有機溶劑(二乙二醇單丁醚)。
對照範例6之化學溶液由有機溶劑(二乙二醇單丁醚)構成。
對照範例7之化學溶液含有5%重量百分比的羥基胺、5%重量百分比的有機溶劑(二乙二醇單丁醚)以及90%重量百分比的水。
對照範例8之化學溶液含有5%重量百分比的羥基胺、15%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及80%重量百分比的水。
對照範例9之化學溶液含有5%重量百分比的羥基胺、0.1%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及94.9%重量百分比(表A所示之“95”為四捨五入的數值)的水。
對照範例10之化學溶液含有40%重量百分比的羥基胺、2%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及58%重量百分比的水。
對照範例11之化學溶液含有0.2%重量百分比的羥基胺、2%重量百分比的氫氧化四甲基銨以及97.8%重量百分比(表A所示之“98”為四捨五入的數值)的水。
將範例1-8與對照範例1-11之化學溶液用於基板1上，去除步驟完成後以純水清洗基板1，以空氣槍噴出氮氣(N2)將基板1上的純水吹乾，如此便製得乾燥之基板1。
有機薄膜圖案4於每一基板1的殘留程度可由光學顯 微鏡觀察有機薄膜圖案4的變化情形而得知。
觀察結果詳列於表A之“A1”(有機薄膜圖案4以化學溶液施作後)一欄中。
鑑定標準如下。
“○”：有機薄膜圖案幾乎沒變化。
“△”：部分除了變形層外之有機薄膜圖案被除去，但變形層殘留，有機薄膜圖案混合不均勻。
“X”：有機薄膜圖案與變形層完全混合。
符號“○”表示有部分除了變形層外之有機薄膜圖案沒被除去，且僅除去變形層(例如，因蝕刻鉻薄膜所造成之變形層或沉積層)，由於蝕刻鉻薄膜所造成之變形層非常薄，顯微鏡影像上幾乎沒變化，如果部分除了變形層外之有機薄膜圖案4與因蝕刻鉻薄膜所造成之變形層於去除步驟中並未被除去，顯微鏡影像上便幾乎沒變化。
將於上述去除步驟前後幾乎沒變化之具有機薄膜圖案4之基板1(即於A1欄位中標示“○”的基板1)浸泡於含2.38%重量百分比氫氧化四甲基銨水溶液的顯影劑中，室溫60秒，以過度顯影有機薄膜圖案4。
用純水清洗基板1，然後以空氣槍噴出氮氣(N2)將基板1上的純水吹乾，如此便製得乾燥之基板1。
有機薄膜圖案4於每一基板1的殘留程度可由光學顯微鏡觀察有機薄膜圖案4的變化情形而得知。
觀察結果詳列於表A之“A2”(有機薄膜圖案浸泡顯影劑後)一欄中。
鑑定標準如下。
“○”：有機薄膜圖案混合均勻。
“△”：有機薄膜圖案混合不均勻。
“-”：有機薄膜圖案未浸入顯影劑中。
由於蝕刻鉻薄膜，造成於有機薄膜圖案4表面形成變形層，當於去除步驟中採用含表A所示之成分的化學溶液完全除去有機薄膜圖案4時，化學溶液具有去除因蝕刻鉻薄膜而造成之變形層的功能，但作用太強，因此，亦除去部分除了變形層外之有機薄膜圖案4，如此一來，便無法在有機薄膜圖案4上再製圖，雖然主要目的為於有機薄膜圖案4上再製圖。
如果去除步驟中採用含表A所示之成分的化學溶液可除去部分除了變形層外之有機薄膜圖案4，但無法除去因蝕刻鉻薄膜而造成之變形層，可能是化學溶液穿透較弱的變形層區域而混合部分除了變形層外之有機薄膜圖案所造成，此化學溶液並不適用於用來在有機薄膜圖案4上再製圖的主步驟。
如果有機薄膜圖案4經於去除步驟中採用含表A所示之成分的化學溶液後仍不均勻或僅部分混合，化學溶液無法去除變形層，但穿透因蝕刻鉻薄膜而造成之較弱變形層區域，並於較弱變形層區域混合部分除了變形層外之有機薄膜圖案，由於變形層並未除去，此化學溶液並不適用於用來在有機薄膜圖案4上再製圖的主步驟。
若有機薄膜圖案4經採用含表A所示之成分的化學溶 液之去除步驟後幾乎沒變化，表示有機薄膜圖案4並未被除去，僅除去因蝕刻鉻薄膜而造成之變形層，由於蝕刻鉻薄膜所造成之變形層非常薄，顯微鏡影像上幾乎沒變化，如果部分除了變形層外之有機薄膜圖案4與因蝕刻鉻薄膜所造成之變形層於去除步驟中並未被除去，顯微鏡影像上便幾乎沒變化。
如此一來，去除因蝕刻鉻薄膜所造成之變形層與否可由採用顯影劑來顯影有機薄膜圖案4此一步驟的功效來判定，上述顯影劑無法除去因蝕刻鉻薄膜所造成之變形層，因此，若將顯影劑應用於具有因蝕刻鉻薄膜所造成之變形層的有機薄膜圖案4時，有機薄膜圖案4不均勻或僅部分混合，換言之，若將顯影劑應用於無變形層形成的有機薄膜圖案4時，有機薄膜圖案4便可混合均勻，因無變形層變避免顯影劑滲入有機薄膜圖案4。
由表A所示，於去除步驟中採用範例1-8中之化學溶液可以僅去除阻隔層而不除去部分除了變形層外之有機薄膜圖案。
相對地，2.38%重量百分比的氫氧化四甲基銨水溶液(對照範例1)、5%重量百分比的羥基胺水溶液(對照範例3)、含一乙醇胺及有機溶劑(二乙二醇單丁醚)之化學溶液(對照範例5)、有機溶劑構成之化學溶液(對照範例6)、羥基胺與一乙醇胺水溶液(對照範例7)以及含適當濃度羥基胺，但氫氧化四甲基銨濃度不足之化學溶液(對照範例9)缺乏去除阻隔層的功能。
20%重量百分比的氫氧化四甲基銨水溶液(對照範例2)、含一乙醇胺、有機溶劑(二乙二醇單丁醚)及水之化學溶液(對照範例4)、適當濃度羥基胺水溶液，但氫氧化四甲基銨濃度太高(對照範例8)、適當濃度氫氧化四甲基銨水溶液，但羥基胺濃度太高(對照範例10)以及適當濃度氫氧化四甲基銨水溶液，但羥基胺濃度不足之化學溶液(對照範例11)皆不適用於去除步驟，因其去除變形層外，更完全除去有機薄膜圖案4的未變形部分。
由上述分析，上述實施例之化學溶液最好含有介於0.5至30%重量百分比的範圍內之第一成分(至少含有羥基胺衍生物與肼衍生物之一)，且上述實施例之化學溶液最好含有介於0.2至10%重量百分比的範圍內之第二成分(介於0.5至10%重量百分比的範圍內更佳)。
以下將說明第5圖。
第5圖繪示出當用於去除步驟之化學溶液中的羥基胺衍生物與第二成分(例如，氫氧化四烷基銨)混合比例改變時，去除形成於有機薄膜圖案4上之阻隔層的第一去除速度(Å/分鐘)，以及去除起始有機薄膜圖案中除了變形層外的部分第二去除速度(Å/分鐘)如何變化。
如第5圖所示，當羥基胺衍生物的混合比例增加時(即，氫氧化四烷基銨的混合比例降低)，第一去除速度也隨著增加。
如第5圖所示，當羥基胺衍生物的混合比例為零時(即，氫氧化四烷基銨的混合比例為一)，第二去除速度相 對較高；當羥基胺衍生物的混合比例增加，介於0至0.3的範圍內時(即，氫氧化四烷基銨的混合比例介於1至0.7的範圍內)，第二去除速度變小；當羥基胺衍生物的混合比例介於0.3至0.7的範圍內時(即，氫氧化四烷基銨的混合比例介於0.7至0.3的範圍內)，第二去除速度相對較低；換言之，若羥基胺衍生物的混合比例介於0.3至0.7的範圍內時，有機薄膜圖案中除了變形層外的部分幾乎不會被除去；當羥基胺衍生物的混合比例增加，介於0.7至1的範圍內時(即，氫氧化四烷基銨的混合比例介於0.3至0的範圍內)，第二去除速度又變大。
如此一來，為避免有機薄膜圖案中除了變形層外的部分被除去，用於去除步驟中之化學溶液混合物內的羥基胺衍生物比例最好介於0.3至0.7的範圍內，也可在上述混合物比例範圍內，藉由提高第一去除速度來縮短完成去除步驟所需的時間，亦即，增加羥基胺衍生物的混合比例。
甚至就算第一去除速度低於第二去除速度，適當的控制進行去除步驟的時間亦可完美的完成去除步驟。
如此一來，如果V1/V2的比例大於或等於0.5，其中V1係為形成於有機薄膜圖案4上之阻隔層(變形層)的混合速度，而V2為有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合速度，亦即，用於去除步驟中之化學溶液混合物內的羥基胺衍生物比例大於或等於約0.23，便可能得到最佳之去除步驟結果。
有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的較慢混合速度 可使得較易控制完成去除步驟所需的時間，因此，有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合速度最好小於或等於每分鐘1000Å，小於或等於每分鐘100Å的速度更好，尤以小於或等於每分鐘50Å的速度最佳。
上述第四實施例包括(a)於有機薄膜圖案4上再製圖之主步驟，與後續的稍後敘述之混合/變形步驟，(b)於去除形成於有機薄膜圖案4表面上之阻隔層步驟之後，以及於有機薄膜圖案4上再製圖之主步驟之前進行稍後敘述之混合/變形步驟，或(c)於去除形成於有機薄膜圖案4表面上之阻隔層步驟之前完成後敘述之混合/變形步驟。
以下將敘述於上述第四實施例中所進行之混合/變形步驟的範例。
於有機薄膜圖案的的混合與相對應之變形步驟中(混合/變形步驟)，係因有機薄膜圖案與有機溶劑接觸，例如，將有機薄膜圖案暴露於有機溶劑的氣體環境中，而混合並迴焊有機薄膜圖案。
完成混合/變形步驟，例如，將基板1連同有機薄膜圖案4浸泡於有機溶液(主要為有機溶劑)中而使有機薄膜圖案4變形(主要為混合與迴焊)。
混合/變形步驟包括氣體處理步驟，其中採用惰性氣體(例如，氮氣(N2))使有機溶液(主要為有機溶劑)沸騰氣化，並將基板暴露於氣化之有機溶液的大氣環境中。
在用以使形成於基板上之有機薄膜圖案混合及變形之混合/變形步驟完成前，可先進行前處理，藉由濕步驟來至 少完成用以去除阻隔層的部分去除步驟，亦即，使用化學溶液來處理有機薄膜圖案，此前處理可去除阻隔層而不損壞基板與/或有機薄膜圖案，確保可均勻的完成接續之混合/變形步驟。
於混合/變形步驟中，例如，由於兩相鄰之有機薄膜圖案結合成單一有機薄膜圖案而使其區域變大，將有機薄膜圖案平坦化，或使有機薄膜圖案變形以做為絕緣薄膜而覆蓋在基板上之電路圖案上。
進行混合/變形步驟之前，至少可於有機薄膜圖案4上完成曝光、顯影、濕蝕刻及乾蝕刻之一。
於氣體環境施行步驟中，基板上之有機薄膜圖案因暴露於各種氣體(例如，有機溶劑揮發而產生之氣體)中而混合變形，亦即，氣體環境施行步驟係於有機溶劑的氣體環境中完成。
表1為氣體環境施行步驟中所採用之較佳有機溶劑。
[表1]醇類(R-OH)烷氧基醇類醚類(R-O-R，Ar-O-R，Ar-O-Ar)酯類酮類乙二醇類亞烷基乙二醇類乙二醇醚類
於表1中，R為烷基或具取代基之烷基，而Ar為苯基或苯基外之芳香族基團。
表2為氣體環境施行步驟中所採用之較佳有機溶劑的具體範例。
[表2]CH3OH，C2H5OH，CH3(CH2)XOH異丙醇(IPA)乙二醇乙醚甲氧基醇類長鏈烷基酯類一乙醇胺(MEA)一乙基胺二乙基胺三乙基胺一異丙基胺二異丙基胺三異丙基胺一丁基胺二丁基胺三丁基胺羥基胺二乙基羥基胺二乙基羥基胺酐吡啶 甲基吡啶丙酮乙醯丙酮二氧陸圜乙酸乙酯乙酸丁酯甲苯甲基乙基酮(MEK)二乙基酮二甲基亞甲碸(DMSO)甲基異丁基酮(MIBK)丁基二甘醇正乙酸丁酯(nBA)丁內酯乙二醇醚醋酸(ECA)乳酸乙酯丙酮酸乙酯2-庚酮醋酸3-甲氧基丁酯乙二醇丙二醇丁二醇乙二醇單乙醚二乙二醇單乙醚 乙二醇單乙醚醋酸乙二醇單甲醚乙二醇單甲醚醋酸乙二醇單正丁醚聚乙二醇聚丙二醇聚丁二醇聚乙二醇單乙醚聚二乙二醇單乙醚聚乙二醇單乙醚醋酸聚乙二醇單甲醚聚乙二醇單甲醚醋酸聚乙二醇單正丁醚3-甲氧基丙酸甲酯(MMP)丙二醇單甲醚(PGME)丙二醇單甲醚醋酸(PGMEA)丙二醇單丙醚(PGP)丙二醇單乙醚(PGEE)3-乙氧基丙酸乙酯(FEP)二丙二醇單乙醚三丙二醇單乙醚聚丙二醇單乙醚丙二醇單甲醚丙酸丙酸3-甲氧基甲酯 丙酸3-乙氧基甲酯N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)
當有機溶劑滲入而使有機薄膜圖案變形時，便完成以由有機溶劑產生之氣體施行於有機薄膜圖案之氣體環境施行步驟。
例如，有機薄膜圖案可溶於水、酸或鹼中，便可採用水溶液、酸溶液或鹼溶液產生之氣體來完成氣體環境施行步驟。
於上述實施例中，化學溶液用於去除整個有機薄膜之前，或用以去除整個有機薄膜，化學溶液亦可用以清洗無有機薄膜形成之表面，或清洗掉去除整個有機薄膜後的殘餘物。
化學溶液可用以清除基版表面的殘餘物，或於上述處理基板的方法中的任一階段來清洗基板。
所有上述提及之處理基板的方法、化學溶液、清洗基板表面的方法以及清洗掉去除整個有機薄膜後的殘餘物的方法皆適用於如液晶顯示器(LCD)(包括垂直電場型液晶顯示器、水平電場型(橫向電場型)液晶顯示器、背光型液晶顯示器與半發射型液晶顯示器)、電致發光(EL)顯示器、場發射(FED)顯示器、螢光顯示器與半導體顯示器之顯示元件，電漿顯示平面(PDP)之主動元件的製造方法，或含積體電路之基板的製造方法等。
上述實施例之化學溶液最好可於主步驟中將整個有機薄膜圖案去除。
上述有機薄膜圖案含有有機光敏薄膜之實施例中，最好至少於光活化有機薄膜圖案後才在去除步驟中採用化學溶液。
上述實施例之化學溶液中的羥基胺衍生物最好為[(R1-)(R2-)]NOH，其中每一R1與R2分別為C1至C4之烷基或羥基烷基，且羥基胺衍生物至少含有羥基胺及N,N-二乙基羥基胺之一更佳。
上述實施例之化學溶液中的肼衍生物最好為[(R1-)(R2-)]NN[(-R3)(-R4)]，其中每一R1、R2、R3與R4分別為氫原子、甲基、乙基及苯基之一，且肼衍生物至少含有肼、甲基肼、1,1-二甲基肼及苯基肼之一更佳。
上述實施例之化學溶液中的第二成分最好至少含有氫氧化四烷基銨、氫氧化鹼金屬及碳酸鹼金屬之一。
上述實施例之化學溶液中的氫氧化四烷基銨最好為[(R1-)(R2-)(R3-)(R4-)]N+OH-，其中每一R1、R2、R3與R4分別為C1至C4之烷基或羥基烷基之一，且氫氧化四烷基銨最好至少含有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼及氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨之一更佳。
上述實施例之化學溶液中的氫氧化鹼金屬最好至少含有氫氧化鈉與氫氧化鉀之一。
上述實施例之化學溶液中的碳酸鹼金屬最好至少含有碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀與碳酸氫鉀之一。
上述實施例之化學溶液中的第一成分的含量最好介於0.5至30%重量百分比的範圍內，若化學溶液中之第一成 分的含量為X%重量百分比，且X小於0.5，或Y%重量百分比，且Y大於30，則除變形層外，亦會除去部份有機薄膜圖案。
上述實施例之化學溶液中的第二成分的含量最好介於0.2至10%重量百分比的範圍內，若化學溶液中之第二成分的含量為X%重量百分比，且X小於0.2，則化學溶液將無法去除於有機薄膜圖案表面形成之阻隔層，而若化學溶液中之第二成分的含量為Y%重量百分比，且Y大於10，則除變形層外，亦會除去部份有機薄膜圖案。
上述實施例之化學溶液中的羥基胺衍生物最好至少含有一種[(R1-)(R2-)]NOH，其中每一R1與R2分別為C1至C4之烷基或羥基烷基、羥基胺與N,N-二乙基羥基胺之一，肼衍生物最好至少含有一種[(R1-)(R2-)]NN[(-R3)(-R4)]，其中每一R1、R2、R3與R4分別為氫原子、甲基、乙基及苯基之一、肼、甲基肼、1,1-二甲基肼與苯基肼之一，且化學溶液中之第一成分的含量最好介於0.5至30%重量百分比的範圍內。
上述實施例之化學溶液中的第二成分最好至少含有氫氧化四烷基銨、氫氧化鹼金屬及碳酸鹼金屬之一，氫氧化四烷基銨為[(R1-)(R2-)(R3-)(R4-)]N+OH-，其中每一R1、R2、R3與R4分別為C1至C4之烷基或羥基烷基，或至少含有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼及氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨之一，氫氧化鹼金屬至少含有氫氧化鈉與氫氧化鉀之一，碳酸鹼金屬至少含有碳酸鈉、碳酸氫鈉、 碳酸鉀與碳酸氫鉀之一，且化學溶液中之第二成分的含量最好介於0.2至10%重量百分比的範圍內。
上述實施例之化學溶液中的羥基胺衍生物最好至少含有一種[(R1-)(R2-)]NOH，其中每一R1與R2分別為C1至C4之烷基或羥基烷基、羥基胺與N,N-二乙基羥基胺之一，肼衍生物至少含有一種[(R1-)(R2-)]NN[(-R3)(-R4)]，其中每一R1、R2、R3與R4分別為氫原子、甲基、乙基及苯基之一、肼、甲基肼、1,1-二甲基肼與苯基肼之一，化學溶液中第一成分含量最好介於0.5至30%重量百分比的範圍內，第二成分至少含有氫氧化四烷基銨、氫氧化鹼金屬及碳酸鹼金屬之一，氫氧化四烷基銨為[(R1-)(R2-)(R3-)(R4-)]N+OH-，其中每一R1、R2、R3與R4分別為C1至C4之烷基或羥基烷基之一，或至少含有氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、膽鹼及氫氧化二甲基雙(2-羥基乙基)銨之一，氫氧化鹼金屬至少含有氫氧化鈉與氫氧化鉀之一，碳酸鹼金屬至少含有碳酸鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀與碳酸氫鉀之一，且化學溶液中之第二成分的含量最好介於0.2至10%重量百分比的範圍內。
去除步驟最好包括以化學溶液清洗基板的步驟，其僅去除有機薄膜圖案表面之阻隔層而不會去除部分除變形層外之有機薄膜圖案。
上述實施例之化學溶液中，有機薄膜圖案中除了變形層外的部分最好以小於或等於每分鐘1000Å的速度混合，小於或等於每分鐘100Å的速度更好，尤以小於或等於每分 鐘50Å的速度最佳，以此設定的速度，完成去除步驟後，因有機薄膜圖案的殘餘量足夠用以在於有機薄膜圖案上製圖。
上述實施例之化學溶液中的V1/V2的比例最好大於或等於0.5，其中V1係為阻隔層的混合速度，而V2為有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合速度，V1/V2的比例最好小於或等於5.0。
例如，V1/V2的比例最好大於或等於0.5(例如，小於或等於1000)，其中V1係為阻隔層的混合速度，而V2為有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合速度，且有機薄膜圖案中除了變形層的部分的混合速度小於或等於每分鐘1000Å。
V1/V2的比例最好大於或等於0.5(例如，小於或等於1000)，其中V1係為阻隔層的混合速度，而V2為有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合速度，且有機薄膜圖案中除了變形層的部分的混合速度小於或等於每分鐘100Å。
V1/V2的比例最好大於或等於0.5(例如，小於或等於1000)，其中V1係為阻隔層的混合速度，而V2為有機薄膜圖案中除了變形層外的部分的混合速度，且有機薄膜圖案中除了變形層的部分的混合速度小於或等於每分鐘50Å。
例如，變形層至少包括因熟化、熱氧化與熱硬化之一所導致之有機薄膜圖案表面變形。
變形層包括因濕蝕刻所導致之有機薄膜圖案表面變形。
變形層包括因乾蝕刻或灰化所導致之有機薄膜圖案表面變形。
例如，沉積層包括因乾蝕刻所產生之沉積物沉積於有機薄膜圖案表面所造成之薄層，而變形層包括因乾蝕刻所產生之沉積物所導致之有機薄膜圖案表面變形。
上述實施例之化學溶液中，最好原本形成於基板上之有機薄膜圖案包括以印刷或微影技術的方式形成之有機薄膜圖案。
上述實施例之化學溶液中，有機薄膜圖案最好含有光敏性有機薄膜，例如，光敏性有機薄膜包括正型光敏性有機薄膜與負型光敏性有機薄膜。
上述實施例之化學溶液中，例如，正型光敏性有機薄膜最好以酚醛樹脂為主要成分。
上述實施例之化學溶液中，若暴露於光線中，光敏性有機薄膜最好可溶於鹼中。
化學溶液最好具有顯影有機薄膜圖案的功能。
上述實施例之化學溶液中之氫氧化四烷基銨最好含有具有顯影有機薄膜圖案功能的成分。
例如，基板為半導體基板或顯示器單元採用之基板。
依據上述實施例，於處理基板的方法中，最好至少部分有機薄膜圖案在主步驟中被縮小或去除。
依據上述實施例，於處理基板的方法中，最好整個有機薄膜圖案在主步驟中被縮小或去除。
依據上述實施例，於處理基板的方法中，最好採用剝 色劑或具顯影功能之化學溶液來完成主步驟，具顯影功能之化學溶液可為市售之顯影劑。
依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括於去除步驟前，採用有機薄膜圖案為光罩，在配置於有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之第一薄膜處理步驟，以及緊接於第一薄膜處理步驟或主步驟後之第二薄膜處理步驟，其以有機薄膜圖案為光罩，再於下方薄膜上製圖。
依據上述實施例，於處理基板的方法中之下方薄膜最好於第二薄膜處理步驟中製成錐狀或階梯狀之圖案。
依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括至少緊接於去除步驟或主步驟之一後之有機薄膜圖案製程的有機薄膜圖案處理步驟，有機薄膜圖案處理步驟包括混合有機薄膜圖案並變形之混合/變形步驟。
依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括至少緊接於去除步驟或主步驟之一後之有機薄膜圖案製程的有機薄膜圖案處理步驟，有機薄膜圖案處理步驟包括加熱有機薄膜圖案之加熱步驟，與混合有機薄膜圖案並變形之混合/變形步驟。
依據上述實施例，於處理基板的方法中於有機薄膜圖案處理步驟之前最好於有機薄膜圖案上至少施行曝光、顯影、濕或乾蝕刻之一。
依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括於混合/變形步驟前，採用有機薄膜圖案為光罩，在配置於有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟。
依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括於混合/變形步驟後，採用有機薄膜圖案為光罩，在配置於有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟。
依據上述實施例，於處理基板的方法中有機薄膜圖案的區域最好於混合/變形步驟中增加。
依據上述實施例，於處理基板的方法中兩相鄰之有機薄膜圖案最好在混合/變形步驟中相互結合。
依據上述實施例，於處理基板的方法中有機薄膜圖案最好在混合/變形步驟中平坦化。
依據上述實施例，於處理基板的方法中有機薄膜圖案最好在混合/變形步驟中變形，使有機薄膜圖案做為絕緣薄膜而覆蓋在基板上之電路圖案上。
依據上述實施例，於處理基板的方法中，因於混合/變形步驟中採用有機溶液而使有機薄膜圖案混合/迴焊。
依據上述實施例，於處理基板的方法中所採用之有機溶液最好至少含有下述有機溶劑之一：
(a)醇類(R-OH)
(b)醚類(R-O-R，Ar-O-R，Ar-O-Ar)
(c)酯類
(d)酮類及
(e)乙二醇醚類
其中，R為烷基或具取代基之烷基，而Ar為苯基或苯基外之芳香族基團。
依據上述實施例，於處理基板的方法中因有機薄膜圖 案與有機溶液接觸而造成混合/迴焊現象。
依據上述實施例，於處理基板的方法中因將有機薄膜圖案浸泡於有機溶液中而造成混合/迴焊現象。
依據上述實施例，於處理基板的方法中因將有機薄膜圖案暴露於有機溶液蒸氣中而造成混合/迴焊現象。
依據上述實施例，於處理基板的方法中之混合/變形步驟包括將有機薄膜圖案暴露於氣化之有機溶液的大氣環境中之氣體環境施行步驟。
依據上述實施例，於處理基板的方法中之大氣環境係採用惰性氣體使有機溶液沸騰氣化而成。
依據上述實施例，於處理基板的方法中，有機薄膜圖案最好至少具有兩種不同厚度的部分。
依據上述實施例，於處理基板的方法中，有機薄膜圖案最好因不同曝光程度而至少具有兩種不同厚度的部分。
為製造具有二或多種不同厚度之有機薄膜圖案，用以製造有機薄膜圖案之第一曝光步驟係用二或多種曝光程度於有機薄膜圖案上進行，例如，於起始曝光中，採用可使二或多種程度光線通過的光罩，顯影(此“顯影”係用以製造起始有機薄膜圖案，與主步驟時所進行之顯影不同)已控制在二或多種曝光程度的有機薄膜圖案，如果抗蝕圖案為正型抗蝕圖案，高程度曝光之有機薄膜圖案部分會變薄，如果抗蝕圖案為負型抗蝕圖案，則低程度曝光之有機薄膜圖案部分會變薄，如此一來，所得之有機薄膜圖案便具有二或多種不同厚度。
由起始曝光的由來，可藉由主步驟的顯影來決定保留較薄的部份或去除有機薄膜圖案中厚度較小的部份。
就主步驟的顯影中所採用之顯影溶液而言，若用以製造起始有機薄膜圖案之顯影步驟中所使用的為正型顯影試劑，則此時亦採用正型顯影試劑，而若用以製造起始有機薄膜圖案之顯影步驟中所使用的為負型顯影試劑，則此時亦採用負型顯影試劑。
用以決定保留較薄的部份或去除有機薄膜圖案中厚度較小的部份之主步驟，最好避免使有機薄膜圖案曝光，而於處理有機薄膜圖案步驟完成前，且於基板上形成起始有機薄膜圖案後來進行。
依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括採用有機薄膜圖案為光罩，在配置於有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟，以及在不同厚度的部分中去除具相對較薄厚度的有機薄膜圖案部分之選擇步驟，如此便可留下較去除部份厚的有機薄膜圖案。
依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括在選擇步驟後的在配置於有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之第二下方薄膜製圖步驟。
藉由避免使有機薄膜圖案曝光，而於處理有機薄膜圖案步驟完成前，且於基板上形成起始有機薄膜圖案後來進行有機薄膜圖案處理步驟中之曝光步驟，可製得具新面貌(圖案)之有機薄膜圖案。
依據上述實施例，於處理基板的方法中，阻隔層最好 可選擇性於去除步驟中去除。
依據上述實施例，於處理基板的方法中，於去除步驟中去除阻隔層使得有機薄膜圖案中除了變形層外的部分殘留並裸露。
依據上述實施例，於處理基板的方法中最好另外包括採用有機薄膜圖案為光罩，在配置於有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟，且於去除步驟前進行。
此去除步驟可於有機薄膜圖案的曝光步驟(此步驟不同於有機薄膜的起始曝光步驟)後、去除步驟進行間或去除步驟與主步驟間完成。
有機薄膜圖案的曝光步驟最好僅於基板中所需區域(前表面)之有機薄膜圖案部分上進行。
完成有機薄膜圖案的曝光步驟可使整個基板充分曝光，或依據照光的區域來決定有機薄膜圖案的新面貌(圖案)。
例如，當依據照光的區域來決定有機薄膜圖案的新面貌(圖案)，便可至少將一個有機薄膜圖案分成複數個區域。
於半導體基板、液晶顯示器基板或其他基板上形成有機薄膜圖案且再次處理有機薄膜圖案後，可不處理配置於有機薄膜圖案下之下方薄膜而直接使用有機薄膜圖案，例如，當有機薄膜圖案由絕緣材料構成時，有機薄膜圖案可做為絕緣薄膜圖案。
化學溶液可含有如抗蝕劑或安定劑之添加劑。
於製造具基板之元件的方法中，顯示器可為液晶顯示 器、電致發光(EL)顯示器、場發射顯示器或電漿顯示器。
以下將敘述上述實施例的優點。
於上述實施例中，去除步驟可除去形成於有機薄膜圖案表面之阻隔層而不需混合有機薄膜圖案，因此，便可順利進行第二或往後之有機薄膜圖案顯影，或順利進行去除步驟後之用以處理有機薄膜圖案之主步驟。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以定義本發明，任何熟習此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
1‧‧‧基板
2‧‧‧導電薄膜
3‧‧‧有機薄膜
4‧‧‧有機薄膜圖案
5‧‧‧有機薄膜圖案
6‧‧‧半導體薄膜
7‧‧‧有機薄膜圖案
101‧‧‧基板
102‧‧‧導電薄膜
103‧‧‧有機薄膜
104‧‧‧有機薄膜圖案
第1(A)~(F)圖係依據第一實施例，繪示出處理基板之方法中完成個別步驟之狀態。
第2(A)~(F)圖係依據第二實施例，繪示出處理基板之方法中完成個別步驟之狀態。
第3(A)~(F)圖係依據第三實施例，繪示出處理基板之方法中完成個別步驟之狀態。
第4(A)~(F)圖係依據第四實施例，繪示出處理基板之方法中完成個別步驟之狀態。
第5圖繪示出當用於去除步驟之化學溶液中的羥基胺衍生物與第二成分(例如，氫氧化四烷基銨)混合比例改變時，去除形成於有機薄膜圖案4上之阻隔層的第一去除速度(Å/分鐘)，以及去除起始有機薄膜圖案中除了變形層外 的部分第二去除速度(Å/分鐘)如何變化。
第6(A)~(F)圖繪示出處理基板之相對應方法中完成個別步驟之狀態。
1‧‧‧基板
2‧‧‧導電薄膜
5‧‧‧有機薄膜圖案
6‧‧‧半導體薄膜

Claims (38)

  1. 一種處理基板的方法，包括，依序為：於基板上形成有機薄膜圖案的步驟；至少去除形成於該有機薄膜圖案表面的阻隔層的去除步驟；以及處理該有機薄膜圖案的主步驟，其中，該阻隔層包括因該有機薄膜圖案表面變化而形成之變形層，與沉積物沉積於該有機薄膜圖案表面而形成之沉積層之至少一種，該去除步驟使用包含0.5重量%~30重量%之由羥基胺衍生物與肼衍生物之至少其中一種所構成之第一成分，且顯影功能液成分包含0.5重量%~10重量%之水溶液而進行。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中，於該主步驟中，該有機薄膜圖案的至少一部分被縮小或去除。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中，於該主步驟中，整個該有機薄膜圖案被縮小或去除。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中該主步驟可採用剝色劑或具顯影功能之化學溶液來完成，其中該剝色劑或具顯影功能之化學溶液作為用於製造起始有機薄膜圖案顯影之顯影劑。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，更包括：於該去除步驟前，以該有機薄膜圖案為光罩，在配置 於該有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之第一薄膜處理步驟；以及緊接於該第一薄膜處理步驟或該主步驟的以該有機薄膜圖案為光罩，在配置於該有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之第二薄膜處理步驟。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之處理基板的方法，其中該下方薄膜於該第二薄膜處理步驟中製成錐狀或階梯狀之圖案。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，更包括於該去除步驟與該主步驟之至少一個步驟後，處理該有機薄膜圖案之有機薄膜圖案處理步驟，該有機薄膜圖案處理步驟包括混合有機薄膜圖案並變形之混合/變形步驟。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，更包括於該去除步驟與該主步驟之至少一個步驟後，處理該有機薄膜圖案之有機薄膜圖案處理步驟，該有機薄膜圖案處理步驟包括加熱有機薄膜圖案之加熱步驟，與混合有機薄膜圖案並變形之混合/變形步驟。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，其中於該有機薄膜圖案處理步驟之前，於該有機薄膜圖案上至少施行曝光、顯影、濕與乾蝕刻之至少一種。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，更包括於該有機薄膜圖案上進行該混合/變形步驟前，以該有機薄膜圖案為光罩，在配置於該有機薄膜圖案下之下方 薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，更包括於該有機薄膜圖案上進行該混合/變形步驟後，以該有機薄膜圖案為光罩，在配置於該有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟。
  12. 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，其中於該混合/變形步驟中，該有機薄膜圖案的區域增加。
  13. 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，其中於該混合/變形步驟中，相鄰之有機薄膜圖案合而為一。
  14. 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，其中該有機薄膜圖案於該混合/變形步驟中平坦化。
  15. 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，其中該有機薄膜圖案於該混合/變形步驟中變形，使該有機薄膜圖案做為絕緣薄膜而覆蓋在基板上之電路圖案上。
  16. 如申請專利範圍第8項所述之處理基板的方法，其中於該混合/變形步驟中採用有機溶液而使有機薄膜圖案混合/迴焊。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之處理基板的方法，其中於該有機溶液至少含有下述有機溶劑之一：(a)醇類(R-OH)；(b)醚類(R-O-R，Ar-O-R，Ar-O-Ar)；(c)酯類；(d)酮類；以及 (e)乙二醇醚類；其中，R為烷基或具取代基之烷基，而Ar為苯基或苯基外之芳香族基團。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之處理基板的方法，其中該有機薄膜圖案與該有機溶液接觸而造成混合/迴焊現象。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之處理基板的方法，其中該有機薄膜圖案浸泡於該有機溶液中而造成混合/迴焊現象。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之處理基板的方法，其中該有機薄膜圖案暴露於該有機溶液蒸氣中而造成混合/迴焊現象。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之處理基板的方法，其中該混合/變形步驟包括將該有機薄膜圖案暴露於氣化之該有機溶液的大氣環境中之氣體環境施行步驟。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之處理基板的方法，其中該大氣環境係採用惰性氣體使該有機溶液沸騰氣化而成。
  23. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中該有機薄膜圖案至少具有兩種不同厚度的部分。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之處理基板的方法，其中該有機薄膜圖案因不同曝光程度而至少具有兩種不同厚度的部分。
  25. 如申請專利範圍第23項所述之處理基板的方 法，更包括：以該有機薄膜圖案為光罩，在配置於該有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟；以及在該不同厚度的部分中去除具相對較薄厚度的該有機薄膜圖案部分之選擇步驟，如此可留下較去除部份厚的有機薄膜圖案。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之處理基板的方法，更包括在該選擇步驟後，在配置於有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之第二下方薄膜製圖步驟。
  27. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中該去除步驟中選擇性去除該阻隔層。
  28. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中該去除步驟中選擇性去除該阻隔層使得該有機薄膜圖案中除了該變形層外的部分殘留並裸露。
  29. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中該變形層包括因熟化、熱氧化與熱硬化之至少一種所導致該有機薄膜圖案表面變形。
  30. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中該變形層包括因濕蝕刻所導致之該有機薄膜圖案表面變形。
  31. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中該變形層包括因乾蝕刻或灰化所導致之該有機薄膜圖案表面變形。
  32. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法， 其中沉積層包括因乾蝕刻所產生之沉積物沉積於有機薄膜圖案表面所造成之薄層。
  33. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中該沉積層係因乾蝕刻所導致而形成於該有機薄膜圖案表面。
  34. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中原本形成於基板上之有機薄膜圖案包括由印刷所製成之有機薄膜圖案。
  35. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，其中原本形成於基板上之有機薄膜圖案包括由微影技術所製成之有機薄膜圖案。
  36. 如申請專利範圍第1項所述之處理基板的方法，更包括於該去除步驟前，以該有機薄膜圖案為光罩，在配置於該有機薄膜圖案下之下方薄膜上製圖之下方薄膜製圖步驟。
  37. 一種製造包含基板之裝置的方法，包括進行如申請專利範圍第1至36項所述之處理基板的方法以製得包含基板之顯示器或包含基板之半導體元件。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之製造具基板之元件的方法，其中該顯示器為液晶顯示器、電致發光(EL)顯示器、場發射顯示器或電漿顯示器。
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