TWI282080B - Circuit, driver circuit, electro-optical device, organic electroluminescent display device electronic apparatus, method of controlling the current supply to a current driven element, and method for driving a circuit - Google Patents

Description

1282080 ⑴ 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種驅動電路。此一驅動電路之特別應 用係用以驅動有機電發光元件。 【先前技術】 一有機電發光（OEL )元件包括一夾置於一陽極層與 一陰極層之間的發光材料層。電學上，此元件操作如一二 極體。光學上，此元件會發射光線，當被向前偏壓且其發 射之強度隨前向偏壓電流而增加時。可構成一種顯示面板 ，其具有一 OEL元件矩陣製作於一透明基底上且至少電 極層之一爲透明。亦可結合驅動電路於相同面板上，藉由 使用低溫多晶矽薄膜電晶體（TFT )技術。 於一種主動矩陣OEL顯示之基本類比驅動技術，則 需要每像素最少兩個電晶體。此一驅動方式係說明於圖1 中。電晶體Ti用於定址像素而T2用於將資料電壓信號 Vdata轉換爲電流，其驅動OEL元件以一指定的亮度。資 料信號係由Cst〃age所儲存，當像素未被定址時。雖然p 通道TFTs被顯示於圖形中，但相同原理亦可被應用於具 有η通道TFTs之電路。 有關TFT類比電路及OEL元件之問題在於其無法作 用如完美的二極體。然而，發光材料確實具有相當均勻的 特性。由於TFT製作技術之本質，故TFT特性之空間差 異存在於整個面板上。TFT類比電路之一最重要的考量在 -5- (2) (2)1282080 於臨限電壓之差異，△ VT，從裝置至裝置。〇el顯示中 之此差異的效果（其係由於非完美的二極體特性而惡化） 爲面板的顯示區域上之不均勻的像素亮度，其嚴重地影像 影像品質。因此，需要一種內建（b u i 11 - i η )電路以補償 電晶體特性之耗散。 圖2所示之電路係建議爲一種內建電路以補償電晶體 特性之差異。於此電路中，電晶體T i係以定址像素。電 晶體T2操作爲一類比電流控制以提供〇EL元件之驅動電 流。電晶體Τ3連接於電晶體Τ2之汲極與閘極之間以切換 電晶體τ2作用爲一二極體或者飽和。電晶體τ4作用爲一 開關以回應供應之波形VGP。Ti或Τ4可爲ON於任一時 刻。最初，於圖2所示之時序圖中，電晶體T i及T3爲 OFF，而Τ4爲ON。當電晶體Τ4爲OFF時，則電晶體Τ! 及T3爲ON，且一已知電流値之電流IDAT被容許流經電 晶體T2而至0EL元件。此係規程級（stage)，因爲電晶 體T2之臨限電壓被測量以T3爲ON (其將電晶體T2之汲 極與閘極短路）。因此，電晶體T 2操作爲一二極體，當 規程電流被容許流經T!及T2而至0EL元件時。電晶體 Τ2之檢測的臨限電壓係由電容C!所儲存，該電容G係連 接於T2的閘極與源極端之間，當電晶體T3及T!被關閉 時。接著電晶體Τ4被切換爲ON，藉由驅動波形VGP，而 流經OEL元件之電流現在由VDD所提供。假如電晶體T2 之輸出特性曲線之斜度係平坦的，則再生電流將相同與檢 測到且儲存於電容C i中之Τ2的任何臨限電壓之規程電流 (3) (3)1282080 。然而，藉由將T4切換爲〇N，則電晶體T2之汲極-源極 電壓被提升（pull up )，以致一平坦的輸出特性曲線將保 持再生電流與規程電流於相同位準。注意到圖2中所示之 △ VT2爲想像的，而非實際的。其僅用於代表電晶體T2之 臨限電壓。 理論上，一恆定電流被提供於接續之主動規程級，其 係於圖2中所示之時序圖的t2至t5。再生級開始自時刻 Ϊ6 ° 圖2之電路確實提供對於圖1所示之電路的改良，但 是控制電晶體之臨限値的變異未完全被補償，且仍存在有 面板之顯示區域上的影像亮度之變異。 【發明內容】 本發明欲提供一種增進的驅動器電路。於其應用於 OEL元件時，本發明欲提供一種增進之像素驅動器電路， 其中像素驅動器電晶體之臨限電壓的變異可被進一步補償 ，藉以提供更均勻的像素亮度於面板之顯示區域上，因而 增進影像品質。 依據本發明之第一*型態’提供一種電流驅動兀件之驅 動器電路，該電路包括一 η通道電晶體及一互補（ complementary) ρ通道電晶體，其被連接以操作性地共同 控制電流驅動元件之供應電流。 有利地，該電流驅動元件係電發光元件。 該驅動器電路最好是亦包括η通道及ρ通道電晶體之 -7- (4) 1282080 個別儲存電容及個別的切換機構，其被連接以於操作時建 立個別的路徑至個別資料電壓脈衝之η通道及p通道電晶 體。 有利地，該驅動器電路亦可包括：個別儲存電容，以 儲存η通道及ρ通道電晶體之個別操作電壓於規程級期間 、一第一切換機構，其被連接以於操作時建立一第一電流 路徑從電流資料信號之來源而通過η通道與ρ通道電晶體 及電流驅動元件於規程級期間、及一第二切換機構，其被 · 連接以於操作時建立一第二電流路徑通過η通道與ρ通道 電晶體及電流驅動元件於再生級期間。 於另一實施例中，第一切換機構與電流資料信號之來 源被連接以於操作時提供電流驅動元件之電流源。 於一替代實施例中，第一切換機構與電流資料信號之 來源被連接以於操作時提供電流驅動元件之電流槽。 依據本發明之第二型態，亦提供一種控制電流驅動元 件之供應電流的方法，其包括：提供一 η通道電晶體及一鲁 ρ通道電晶體’其被連接以操作性地共同控制電流驅動元 件之供應電流。 該方法最好是進一步包括提供η通道及ρ通道電晶體 之個別儲存電容及個別的切換機構，其被連接以於操作時 建立個別的路徑至個別資料電壓脈衝之η通道及ρ通道電 晶體，藉以（於操作時）建立電流驅動元件之電壓驅動器 電路。 有利地，該方法可包括提供：一規程級，於此期間η -8 - (5) (5)1282080 通道與P通道電晶體係操作以第一模式，且其中建立一電 流路徑從電流資料信號之來源通過η通道與p通道電晶體 及電流驅動元件，且其中η通道與ρ通道電晶體之個別操 作電壓被儲存於個別的儲存電容中；及一再生級，其中建 1 一弟一彳吴式及一第一電流路徑通過η通道電晶體與ρ通 道電晶體及電流驅動元件。 有利地，本發明提供一種控制電發光顯示之供應電流 的方法，其包括如上述之本發明的方法，其中電流驅動元 件爲電發光元件。 依據本發明之第三型態，亦提供一種有機電發光顯示 裝置’其包括如申請專利範圍第1至1 2項之任一項的驅 動器電路。 【實施方式】 圖3顯示依據本發明之第一實施例的像素驅動器電路 之槪念。一 〇E L元件被耦合於兩個電晶體T i 2與T i 5之間 ’其共同地操作爲流經OEL元件之電流的類比電流控制 ° Τη爲ρ通道電晶體而Tl5爲n通道電晶體，其因此共 同地作用而成爲流經OEL元件之類比控制的互補對。 如前所述，TFT類比電路設計中的最重要參數之一爲 臨限電壓VT。於一電路中之任何變化△ Vt具有顯著的效 果於整體電路性能。臨限電壓之變化可被視爲相關電晶體 之源極至汲極電流相對於閘極至源極電壓特性的固定水平 偏移’且係由電晶體之閘極上的介面電荷所引發。 -9- (6) 1282080 依據本發明已瞭解於TFT裝置之陣列中，根據所利 用之製造技術，相鄰的或相當接近的TFT5 s很可能顯現相 同或幾乎類似的臨限電壓△ VT之値。再者，已暸解當p 通道及η通道TFT’s上之相同△ VT的效果爲互補時，則 臨限電壓△ VT之變化的補償可藉由使用一對TF T ’ s、一 p 通道TFT及一 η通道TFT而達成，以提供流至OEL元件 之驅動電流的類比控制。因此，驅動電流可被提供而無關 於臨限電壓之任何變化。此一槪念被說明於圖3。 圖4說明電晶體T12及T15之各個臨限電壓位準△ VT 、△ VT1、△ VT2、的汲極電流（亦即流經圖3所示之OEL 元件的電流）之變化。電壓 V!、V2及VD係來自電壓源 VDD而個別跨越電晶體T12、T15及OEL元件的電壓。假 設其電晶體Τ12及Τ15具有相同的臨限電壓並假設AVT = 〇，則流經OEL元件之電流被決定爲圖4所示之ρ通道電 晶體Τ 1 2與η通道電晶體Τ 1 5的特性曲線的交叉點Α。此 係顯示爲値I 0。 現在假設其ρ通道及η通道電晶體之臨限電壓改變至 △VT，則OEL元件電流II係由交叉點Β所決定。同樣地 ’於臨限電壓改變至AVT2時，則OEL元件電流12被決 定於交叉點C。從圖4可看出即使臨限電壓有變化，其流 經Ο E L兀件之電流僅有微量的改變。 圖5顯示構成爲一電壓驅動器電路之像素驅動器電路 。該電路包括ρ通道電晶體Τ 1 2及η通道電晶體τ】5，其 作用爲一互補對以共同地提供OEL元件之類比電流控制 (7) 1282080 。該電路包含個別的儲存電容C 1 2及C 1 5，以及耦合至 晶體T 1 2與T 1 5之閘極的個別切換電晶體τ a及TB。 電晶體TA及TB被切換爲ON時，則資料電壓信號VI V2被個別地儲存於儲存電容C 1 2及C 1 5中，當像素未 定址時。電晶體TA及TB作用爲通過閘，於其供應至 晶體TA及TB之閘極的定址信號0 1及0 2之選擇性 制下。 圖6顯示依據本發明而構形爲電流規程之〇EL元 驅動器電路的驅動器。如同電壓驅動器電路，p通道電 體T12及η通道電晶體T15被耦合以作用爲OEL元件 類比電流控制。個別的儲存電容C 1、C2及個別的切換 晶體Τ 1及Τ6被提供給電晶體Τ 1 2及Τ 1 5。電路之驅動 形亦顯示於圖6。任一電晶體ΤΙ、Τ3及Τ6、或電晶體 均可於任一時刻爲ON。電晶體Τ 1及Τ6個別地連接於 晶體Τ 1 2與Τ 1 5的汲極與閘極之間，且回應於供應波 VSEL而切換以觸發電晶體T12及T15作用爲二極體或 飽和模式下之電晶體。電晶體T3亦被連接以接收波 VSEL。電晶體T1及T6均爲p通道電晶體以確保其經 這些電晶體而饋送之信號具有相同的量。此係用以確保 任何通過OEL元件之突波電流（於波形VSEL之轉變 間）被保持於最小値。 圖6中所示之電路以類似於已知之電流規程像素驅 器電路的方式操作，其中一規程級及一顯示級被提供於 個顯示週期中，但是其額外的優點在於OEL元件之驅 電 當 及 被 電 控 件 晶 之 電 波 T4 電 形 者 形 由 其 期 動 每 動 (8) 1282080 電流係由互補的相反通道電晶體τ 1 2及T 1 5所控制。參 考圖6中所示之驅動波形’驅動器電路之一顯示週期係從 to延伸至t6。起初’電晶體Τ4爲ON而電晶體Τ1、Τ3 及Τ6爲OFF。電晶體Τ4於時刻tl係由波形VGP切換爲 OFF而電晶體ΤΙ、T3及T6於時刻t3係由波形VSEL切 換爲ON。以電晶體T1及T6爲ON時，則p通道電晶體 Τ 1 2及互補之η通道電晶體Τ 1 5作用以第一模式爲二極體 。相關之框週期的驅動波形可得自電流源ID Ατ於時刻t2 ，且此係由電晶體T3所傳遞，當其於時刻t3開啓時。電 晶體Τ 1 2及Τ 1 5之檢測的臨限電壓被儲存於電容C 1及 C2。這些被顯示爲圖 6中之虛構的電壓源 AVT 12及 △ VT 1 5。 電晶體τι、T3及T6被接著切換爲OFF於時刻t4而 電晶體T4被切換爲ON於時刻t5，且通過OEL元件之電 流被接著提供自來源 VDD，於以第二模式（即，當作飽 和模式下之電晶體）操作之p通道及η通道電晶體T12及 Τ15的控制下。應理解當其通過OEL元件之電流係由ρ 通道及η通道電晶體τ 1 2及Τ 1 5所控制時，則於電晶體 之一中的臨限電壓之任何改變將被另一相反通道電晶體所 補償，如先前參考圖4所述。

於圖6所示之電流規程的驅動器電路中，切換電晶體 Τ3被耦合至ρ通道電晶體Τ12，以其驅動波形IDAT之來 源操作爲一電流源。然而，切換電晶體T 3亦可替代地被 耦合至η通道電晶體τ〗5，如圖7中所示，藉以其IDAT (9) 1282080 操作爲一電流槽。於所有其他方面，圖7中所示之電路的 操作係相同與圖6所示之電路。 圖8至1 1顯示依據本發明之一增進的像素驅動器電 路之S P I C E模擬。 參考圖8，此圖顯示驅動波形ID AT、VGP、VSEL及 臨限電壓之三個値（即，-lvolt，Ovolt及+ lvolt)，用於 模擬之目的，以顯示由於p通道及η通道電晶體之結合所 提供的補償效果，用以控制流經0EL元件之電流。從圖8 · 可看出，最初臨限電壓AVT被設定爲-1 volt，於0.3 X 1 0 -4秒增加至0 V ο 11 s且於0.6 X 1 CT 4秒再次增加至+ 1 V ο 11 。然而，可從圖9看出即使臨限電壓有此變化，其流經 0EL元件之驅動電流仍保持相對不變的其流經0EL元件 之驅動電流得相對穩定性可於圖1 〇中更淸楚看出，圖1 0 係顯示圖9之響應圖的放大版。 從圖10可看出，使用Ovolts之値爲臨限電壓AVT之 基礎時，假如臨限電壓 AVT改變至-lvolts，則其流經 修 0EL元件之驅動電流有約1 .2%之改變，而假如臨限電壓 △VT改變至+1 volts，則其驅動電流減小約1 .7%，相較於 當臨限電壓AVT爲0 volts時。8.7%之驅動電流的變化係 顯不以利參考，只因此一變化可由灰階校正（gamma correction )所補償，其係此技術中所已知者且因而將不 關連本發明以敘述。 圖11顯示從〇.2μΑ至Ι.ΟμΑ之IDAT的位準，藉由 使用依據本發明之ρ通道及相反的η通道電晶體而保持 -13- (10) 1282080 0 EL元件驅動電流之增進的控制。 從上述敘述可理解：使用p通道電晶體及相反的n通 道電晶體以共同地提供流經一電發光裝置的驅動電流之類 比控制可提供對於某些效應之增進的補償，該等效應將發 生於單一 ρ通道或η通道電晶體之臨限電壓的變化產生時 〇 TFT η通道及ρ通道電晶體被製造爲鄰近或鄰接的電 晶體（於OEL元件OEL顯示之製造期間）以將其具有相 同臨限電壓値AVT之互補的ρ通通道及η通道電晶體之 機率增至最大。Ρ通道及η通道電晶體可進一步藉由比較 其輸出特性曲線而匹配。 圖1 2係OEL元件結構中之像素驅動器電路的實體實 施之槪略橫斷面圖。於圖12中，數字1 3 2代表一電洞注 入層，數字1S3代表一有機EL層，而數字151代表一抗 蝕劑（re si st )或分離結構。切換薄膜電晶體1 2 1及η通 道型電流薄膜電晶體1 22採用其一般用於低溫多晶矽薄膜 電晶體之結構及方法，例如其用於已知的薄膜電晶體液晶 顯示裝置（如頂部閘極結構及製造方法），其中最大溫度 爲6 00 □以下。然而，亦可應用其他的結構及方法。 前定向有機E L顯示元件1 3 1被形成以：由A1所形 成之像素電極115、由ITO所形成之反向電極116、電洞 注入層I32、及有機EL層133。於前定向有機EL顯示元 件1 3 1中，有機E L顯示裝置之電流的方向可被設定爲從 其由ITO所形成之反向電極至其由A1所形成之像素 -14- (11) 1282080 電極1 1 5。 電洞注入層1 3 2及有機EL層1 3 3可使用一種噴墨印 刷方法而被形成，其利用抗蝕劑1 5 1爲一介於像素之間的 分離結構。由I Τ Ο所形成之反向電極1 1 6可使用濺射方法 而被形成。然而，其他方法亦可被使用以形成所有這些元 件。 利用本發明之一完整顯示面板的典型設計被槪略地顯 示於圖1 3。該面板包括一具有類比電流程式像素之主動 矩陣OEL元件200、一具有位準偏移器之積體TFT掃瞄 驅動器210、一撓性TAB帶220、及一具有積體RAM/控 制器之外界類比驅動器LSI 23 0。當然，此僅爲使用本發 明之可能面板配置的一種範例。 有機EL顯示裝置之結構不限定於此處所述者。而其 他結構亦可被應用。 本發明之增進的像素驅動器電路可被使用於結合眾多 型式之設備的顯示裝置中，該等設備包含如行動式顯示， 例如：行動電話、筆記型電腦、DVD播放機、相機、場 設備；可攜式顯示，例如：桌上型電腦、CCTV或電子相 簿；或者工業顯示，例如控制室設備顯示。 使用上述有機電發光顯示裝置之電子設備將被描述於 下。 < ]:行動式電腦〉 現在將敘述一範例，其中依據上述實施例之一的顯示 -15- (12)1282080 裝置 形中 1102 明而 <2 ： 電話 之架 1202 。此 實施 <3 ： 置爲 構及 s e n s i 物體 置（ 13 02 此， 被應用於行動式個人電腦。 圖1 4係一立體圖，其說明此個人電腦之架構。於圖 ’個人電腦1100設有一·主體1104，其包含一鍵盤 及一顯示單元1 1 06。顯示單元n 〇 6係使用依據本發 製作之顯示面板來實施，如上所述。 行動電話> 接下來，將敘述一範例，其中顯示裝置被應用於行動 之顯示部位。圖1 5係一立體圖，其說明此行動電話 構。於該圖形中，行動電話1200設有多數操作鍵 ' —耳機1204、一麥克風1206、及一顯示面板100 顯示面板1 00係使用依據本發明而製作之顯示面板來 ’如上所述。 數位相機> 接下來，將敘述一種數位相機，其使用 OEL顯示裝 一取景器。圖1 6係一立體圖，其說明數位向機之架 簡要的外界裝置連接。 傳統相機係根據來自物體之光學影像以使軟片敏化（ tize )，而數位相機1 3 00藉由光電轉換以產生來自 之光學影像的成像信號，其使用（例如）電荷耦合裝 C CD )。數位相機1 3 00設有一 OEL元件100於外殻 之背面以根據來自C CD之成像信號而執行顯示。因 顯示面板1 〇〇作用爲用以顯示物體之取景器。一包含 -16- (13) 1282080 光學透鏡及CCD之光接收單元1 3 04被設於外殼1 3 02之 前面（於圖形後面）。 當攝影者決定OEL元件面板100中所顯示之物體影 像並釋放快門時，則來自CCD之影像信號便被傳輸並儲 存至電路板1 3 08中之記憶體。於數位相機1 3 00中，用於 資料通訊之視頻信號輸出端13 12及輸入/輸出端13 14被 設於外殼1 3 02之一側邊上。如圖中所示，一電視監視器 1 43 0及一個人電腦144〇被個別地連接至視頻信號輸出端 13 12及輸入/輸出端1314，當需要時。其儲存於電路板 1 3 0 8之記憶體中的成像信號被輸出至電視監視器1 43 0及 個人電腦1 4 4 0，經由一既定之操作。 電子設備之範例還包含OEL元件電視機、觀景型及 監視型錄影機、汽車導航系統、呼叫器、電子筆記本、可 攜式計算機、文字處理器、工作站、TV電話、銷售點系 統（Ρ Ο S )終端機、及設有觸控板之裝置，除了圖1 4所 示之個人電腦、圖1 5所示之行動電話、及圖1 6所示之數 位相機以外。當然，上述OEL裝置亦可被應用於這些電 子設備之顯示部位。 本發明之驅動器電路不僅可配置於一顯示單元之像素 中，而亦可配置於一顯示單元外部之驅動器中。 於上述說明中，本發明之驅動器電路已參考數種顯示 裝置而被描述。本發明之驅動器電路的應用不僅止於顯示 裝置，而更包含（例如）結合使用與：磁阻RAM、電容 感應器、電荷感應器、DNA感應器、夜視相機及許多其 (14) . 1282080 他裝置。 圖1 7說明將本發明之驅動器電路應用至磁性RAM。 於圖1 7中，一磁頭係由參考數字MH所指示。 圖1 8說明將本發明之另一驅動器電路應用至磁性 RAM。於圖18中，一磁頭係由參考數字MH所指示。 圖1 9說明將本發明之驅動器電路應用至磁阻元件。 於圖1 9中，一磁頭係由參考數字ΜΗ所指示，而一磁電 阻係由參考數字MR所指示。 φ 上述說明僅提供以做爲解釋用之範例，且熟悉本項技 術人士將理解其修改可被實施而不背離本發明之範圍。 【圖式簡單說明】 現在將參考伴隨圖形而進一步藉由範例來說明本發明 ，其中 ： 圖1顯示一種使用兩個電晶體之傳統的OEL元件像 素驅動器電路； φ 圖2顯示一種具有臨限電壓補償之已知的電流規程 OEL元件驅動器； 圖3說明一驅動器電路之槪念，此驅動器電路包含一 互補對之驅動器電晶體以依據本發明而提供臨限電壓補償 圖4顯示圖3之互補驅動器電晶體於各種臨限電壓位 準時之特性曲線的圖形； 圖5顯示一依據本之第一實施例的驅動器電路，其被 -18- (15) 1282080 配置以操作爲一電壓驅動器電路； ® 6顯示一依據本之第二實施例的驅動器電路，其被 配置以操作爲一電流規程之驅動器電路； ® 7顯示依據本發明之第三實施例的電流規程驅動器 電路； 圖8至1 1顯示圖6所示之電路的SPICE模擬結果； 隆1 1 2係依據本發明之一實施例的OEL元件及驅動器 之實體實施的槪略橫斷面圖； φ 圖13係結合本發明之一 0EL元件OEL顯示面板的簡 化平面圖， 圖1 4係一結合其具有依據本發明之驅動器的顯示裝 置之行動式個人電腦的槪圖； 圖1 5係一結合其具有依據本發明之驅動器的顯示裝 置之fr動電話的槪圖， 圖1 6係一結合其具有依據本發明之驅動器的顯示裝 置之數位相機的槪圖； ^

圖1 7說明將本發明之驅動器電路應用至一磁性RAM ，及 圖1 8說明將本發明之驅動器電路應用至另一磁性 RAM，及 圖1 9說明將本發明之驅動器電路應用至一磁阻元件 元件對照表 -19- (16)1282080 1 00 顯示面板 115 像素電極 116 反向電極 12 1 切換薄膜電晶體 1 22 η通道型電流薄膜電晶 13 1 有機EL顯示元件 13 2 電洞注入層 13 3 有機EL層 200 主動矩陣OEL元件 2 10 積體TFT掃瞄驅動器 220 撓性TAB帶 23 0 外界類比驅動器L S I 1100 個人電腦 1102 鍵盤 1104 主體 1106 顯示單元 1200 行動電話 1202 操作鍵 1204 耳機 1206 麥克風 13 00 數位相機 13 02 外殼 13 04 光接收單元 13 08 電路板

-20 (17)1282080 13 12 視頻信號輸出端 13 14 輸入/輸出端 143 0 電視監視器 1440 個人電腦

-21 -

Claims (1)

1282080 ⑴ 二 9 拾、申請專利範圍 1 . 一種電流驅動元件之驅動器電路，包含： 一儲存電容； 一驅動電晶體，其閘極連接至儲存電容； 一 η通道電晶體；及 一 Ρ通道電晶體， 依據一資料信號之資料電流流經驅動電晶體以使得驅 動電晶體之一操作電壓係由儲存電容所設定，及 · 電流驅動元件被配置於η通道電晶體與ρ通道電晶體 之間。 2 .如申請專利範圍第1項之驅動器電路， Ρ通道電晶體及η通道電晶體係由同一信號所控制。 3. 一種驅動器電路，包含： 一第一儲存電容； 一第二儲存電容； 一 η通道電晶體，其閘極連接至第一儲存電容； · 一 Ρ通道電晶體，其閘極連接至第二儲存電容； 一電流驅動元件，其係配置於η通道電晶體與ρ通道 電晶體之間； 一第一切換電晶體，其係連接於η通道電晶體的汲極 與第一儲存電容之間；及 一第二電晶體，其係連接於ρ通道電晶體的汲極與第 二儲存電容之間。 4. 一種驅動器電路，包含： -22- (2) :: 1282080 一第一儲存電容； 一第二儲存電容； 一第一 η通道電晶體，其閘極連接至第一儲存電容； 一第一 Ρ通道電晶體，其閘極連接至第二儲存電容； 一第二η通道電晶體； 一第二Ρ通道電晶體； 一電流驅動元件，其係配置於第二η通道電晶體與第 二Ρ通道電晶體之間； ® 一第一切換電晶體，其係連接於第一 η通道電晶體的 汲極與第一儲存電容之間；及 一第二切換電晶體，其係連接於第一 Ρ通道電晶體的 汲極與第二儲存電容之間。 5 .如申請專利範圍第4項之驅動器電路， 第二η通道電晶體及第二ρ通道電晶體係由同一信號 所控制。 6.如申請專利範圍第4項之驅動器電路， ® 第一 η通道電晶體被連接至第一 ρ通道電晶體。 7 .如申請專利範圍第3或4項之驅動器電路， 電流驅動元件爲一有機電發光元件。 8 . —種包含如申請專利範圍第3或4項之驅動器電 路的光電裝置。 9 . 一種結合如申請專利範圍第8項之光電裝置的電 子設備。 - 23-