TWI252364B - Display device, method of manufacturing the same and wiring board - Google Patents

Description

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[發明範疇] 4= 有關於顯示裝置，製造其之方法及接線板，且尤 引^' ^裝置具有短路接線以抑制接、線間的靜電崩潰 ::的短路’該靜電崩潰因爲與另-接線短路而產生； 坆其又万法及接線板。 [背景説明] 曰關於個人電腦或其他各種顯示器用的影像顯示裝置 曰日顯π (LCD)裝£已廣泛使用。通常液晶顯示裝置包括一液 :曰:：：板(具有驅動電路)，及背光單元在其背面，顯示板 精&制穿透其中的光而顯示影像，顯示板包括排成矩陣 ，複數個子像素組成的顯示區’及形成在其外圍的外周邊 區域，在液晶顯示裝置中有一主動矩陣1(：1)其中各子像素 具有一切換元件如薄膜電晶體（丁FT)及金屬絕屬 (MIM) 〇 臂 因爲主動矩陣LCD能執行精細的灰階顯示且具有高對比 性’因此廣泛用於高解析度顯示裝置或彩色LCD裝置，一 般用彩色濾波器，具有切換元件的陣列基材，及像素電極 等其以陣列形式形成，藉由封閉陣列基材與彩色濾波^材 間的液晶而形成彩色LCD裝置，彩色LCE)具有一彩色^波 器，各子像素中有R，G及B，且藉由控制各子像素的發光 量而執行彩色顯示，3個R，G及B子像素形成一像素，^意 在單色LCD中，各子像素對應該像素。 圖1的組成圖示意的顯示含TFT的子像素其作爲切換元 件’圖中僅顯示丁FT基材側形成的一子像素。圖1的底閘極 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1252364 A7 ______ B7 五、發明説明（2 ) 型TFT使用非晶矽（a-si)作爲半導體，此外也存在使用聚晶 石夕的底閘極型TFT作爲半導體，或是頂閘極型TFT等，底閘 極型TFT是指一種TFT其中TFT的閘極在低於汲極/源極層 的層中。 圖中的參考數字Π表示作爲切換元件的TFτ，數字丨2是 閘極，數字13是閘極絕緣層，數字14是非晶矽（a_si)層，數 丰15疋k姆層以改善層與電極間的歐姆接觸，數字μ 是源極，數字17是汲極，及數字18是像素電極以施加電場 到液叩。歐姆層15摻雜有p或As以作爲施子，閘極12經由閘 極線19而接到γ軸側的驅動IC(未示），而源極16經由信號線 20而接到X軸側驅動1(：(未示）。注意因爲打丁 u是交流驅動 ，所以源極16及汲極17的極性會隨著時間而相反。 以下説明子像素的操作，信號經由閘極線19而從γ軸驅 動1C傳送到各閘極12，藉由此信號，即可控制TFT丨丨的閘 極電壓以開啓或關閉叮丁 u。此外，信號經由信號線20而 從X軸驅動1C傳送到源極16，不論信號是是從源極16傳送 到汲極17,都由閘極12控制。將信號電壓値從χ軸驅動⑴ 變成源極16即可控制送入汲極17的信號電壓大小，具有從 汲極17送出信號電壓的像素電極18即施加電壓到液晶，其 在像素電極18與形成在相對基材上的共同電極（未示）之間 ，改變施加到液晶的電壓即可執行灰階顯示。 圖2的結構圖示意的顯示一TFT陣列基材，圖中的參考數 字21表示顯示區，數字22是外周圍區域，數字以是信號線 ，數字24是閑極線，及數字25是短路環，製造Μ障列基 -5- 1252364 A7 ____ B7 五、發明説明（3~ 材時’在顯示區2 1外部形成稱爲短路環的接線25，各短路 環是一種接線其中各信號線及閘極線的末端是互相短路， 以避免主動矩陣的靜電崩潰，惟，各短路環25僅於完成閘 極線24及信號線23之後才動作，因此尤其是當信號線23具 有複數個層時，才在連接信號線23的最上層之前在信號線 23與閘極線24之間發生短路的問題，此外，已知靜電崩潰 時常發生在顯示區2 1的最外信號線與其下面閘極線之間。 這是因爲產生靜電崩潰的電荷易於在基材端上累積，因爲 當承載基材時基材端會與裝置接觸，因此可知靜電崩潰易 於在外部導體之間發生。 爲了避兄在元成#號液晶前即發生這種靜電崩潰，在外 周圍區域上形成僞信號線，這是接線在電浮動狀態下其形 成於顯示區的最外信號線的更外面，此僞線具有與信號線 相同的結構，且在形成信號線的同時形成，藉由形成這種 僞信號線，因靜電崩潰而導致的短路即在閘極線與僞信號 線之間產生，因而可避免缺陷其導因於信號線與閘極線之 間的短路。 惟即使以上述方式形成僞線，也有問題即僞線會使至少2 個閘極線短路。在此一情況下短路發生在至少2處，2個互 連閘極線因而導致一種稱爲閘極線間短路的缺陷，爲了在 其間避免這種短路，可以將閘極線間的僞線先切斷，但是 當依照上述方式而切斷僞線時，因爲各切斷僞線的電容會 減少，所以會產生問題，即靜電崩潰不發生在僞線與閘極 線之間而是發生在最外信號線與閘極線之間。 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公复) --------------- 1252364 A7 B7 五、發明説明（4 [本發明欲解決之問題] 決上述問題，本發明的目的是得到-種顯示裝置 h其以法及接線板，其能避免接線間的短路，本 明的另一目的是得到一種顯示裝置， 發 板，即使在僞線及其他至少2個接線：：避：：線 2個接線間的短路，本發明的又-目的是得到—：：：；： 之方法及接線板’即使在僞線及其他至少 4時’仍能避免至少2個接線間的短路，且也能維持 大小以使僞接線短路。 、 。 [解決問題之方法] 製If造：示裝置的方法而言，本發明的第-特徵是-種 ==置的方法’該顯示裝置含有排成矩陣之複數個 J::、，且成之顯示區’該方法包括以下步驟：在基材上形 成下層接線，下層接線傳送電信號到複數個 數==個下層接線上形成—絕緣層；在絕緣層上形成複 線以傳送電信號到複數個子像素，及在複數個 =接、=邵與顯示區外部之短路接綠;及去除整個短路 二者去除其一部分，以使短路接線斷電。以液晶顯 馬例，顯示裝置包括所有的液晶顯示器，各具有一液 :顯：格：液晶則封閉在2個基材之間，-驅⑽在液晶 r、路^ = 他裝置如背光。注意，可同時與上層接線形成 短路接線及當蝕刻上層接線時將其去除。 :t路接線具有複數個下層，而去除步驟最好在 路接線之上層接線時，也去除其下層接線-部分， -7- X 297公釐） 本紙狀度適财S S家料(CNS) 1252364 五 、發明説明（ 二,短路接線斷電。此外，較佳的，短路接線具有與上層 要線相同之組成，具有相同組成表示由相同材料形成之相 :目！、仁不表不其結構相同。或者較佳的，短路接線 八有約等於（或大於）上層接線之電容。 s接、泉可以疋閘極線接到形成在子像素中的TFT閘極 二上層接線可以是信號線接到TFT的源極/没極，短路接線 :具有與信號線相同之組成，且能與信號線同時形成，而 #號線及短路接線能具有—Si下層及_A1上層，而且當蚀 相上層時可以將siT層切斷。信號線及短路接線更可包 中間層在81下層與A1上層之間，IT〇中間層可分離 形成在複數個接線中，而Si下層可以將—曝露部分與ιτ〇中 間層之分離部分分離。 :製造顯示裝置的方法而言，本發明的另—特徵是—種 裝置的方法’該顯示裝置含有排成矩陣之複數個 來成I赵f义顯不區’孩万法包括以下步驟：在—基材上 二^固下層接線，下層接線傳送電信號到複數個子像 2錢數個下層接線上形成一絕緣層；在絕緣層 線及一短路接線，上層接線傳送電信號到複 、子像素；及去除整個短路接線，或者去除其一部分， 線斷電’其中一短路因短路接線與下層接線間 A包朋戌，比在上層接線及下層接線之間易於發生， 者比在下層接線之間易於發生。 一 =示裝置而言，本發明的又一特徵是一種顯示裝置本 有排成矩陣之複數個子像素组成之顯示區，包括：_基ς -8 - X297^) 本紙張尺度適用中s S ^igNS) Α4_(2ιί 五 1252364 、發明説明（6 在2Γ層接線傳送電信號到複數個子像素，下層形成 二送==複數個下層接線上;複數個上 層上二：：個子像素，上層接線形成在絕緣 區外部，短:接在複數個上層接線外部及該顯示 接線，或者开《成後緣層上’其中去除整個短路 、、次者形成後去除其一部分，以便斷電。 言’本發明的又一特徵是-種接線板，包括 之二❹ （複油下層接線；形成在下層接線上 =士、曰’形成在絕緣層上之複數個上層接線·一短路接 、”-精通賴緣層而將下層接線短路以抑制上層接線間之 短或者下層接線間之短路’短路接線形成在絕緣層上 ’八中去除整個短路接線’或者形成後去除其一部分，以 便斷電。 以顯示裝置而言’本發明的又一特徵是一種顯示裝置含 有排成矩陣之複數個子像素组成之顯示區，包括：一基材 ’複數個下層接線傳送電信號到複數個子像素，下層形成 在基材上；一絕緣層形成在複數個下層接線上；複數個上 層接線傳送電信號到複數個子像素，上層接綠形成在絕緣 層上；及一短路接線形成在I緣層上，纟中藉由通過絕緣 層而將短路接線與下層接線短路，且在形成後將短路接線 斷電。 [附圖簡單説明] 圖1的結構圖示意的顯示一習用子像素。 圖2的結構圖示意的顯示一習用TFT陣列基材。 -9 本紙張尺度適财S目家標準(CNS) A4規格( X挪公董）

裝 訂

1252364 五、發明説明（ 圖3的結構圖示意的顯示實例丨中的咖陣列基材。 圖4的電路圖示意的顯示實例}中的短路環。 圖5 A及圖5 B的結構圖示意的顧 ^ , 、 〜、不开〉成貫例1的TFT陣列 基材接線的方法。 圖6 A及圖6B的結構圖示音的蕊 偁圏不思的顯不形成實例1的TFT陣列 基材接線的方法。 圖7A及圖7B的結構圖示意的顯 〜J顯不形成實例1的TFT陣列 基材接線的方法。 圖8A及圖8B的結構圖亍音沾點—…、 再®1不思的顯不形成實例1的丁FT陣列 基材接線的方法。 圖9A及圖9B的結構圖示音的顯 口丁 w的顯不形成實例1的TFT陣列 基材接線的方法。 圖10的結構圖7F意的顯示實例2的閘極接線圖。 [圖號説明] 11...TFT’ 12···閘極，13···閘極絕緣層，14••非晶矽卜叫 層’ 15···歐姆下層’ 16···源極，17···汲極，18…像素電極， 19···閘極線，21···顯示區，22••外周邊區域，23…信號線， 24···閘極線，25.··短路環，31.··顯示區，32·.·外周邊區域， 33···信號線，34···閘極線，35···短路環，36••僞信號線，53··· 閘極線，66···♦層，67···二氧化碎層，68··.ΙΤ〇層，71 ••像 素電極，72及73···第2層，81及82_八丨層，91及92···源極/ ;及極’ 93及94···最上層，…拉出線，1〇2···短路環，1〇3 · 石夕接線’ 104…共同圓周線，1 〇5…塾，1 〇6···閘極接線。 -10- ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公羡） 1252364

[較佳實例詳細説明] 實例1 、下參考附圖以说明本發明的實例，附圖是爲了説明實 U圖形大小及形狀不必正確的表示實際裝置及製造它的 方法。 ，實例中的薄膜電晶體（TFT)陣列基材包括—偽信號線 乍爲L路接..泉以避免因信號線（即上層接線）與閘極線（即下 層接線）間靜電崩潰而導致的短路，僞信號線形成在TF 丁陣 列基材的外周邊區4 ’此僞信號線具有三層結構，即一碎 下層’一氧化錫銦（IT0)中間層，及銘（A1)上層（由下層算起) 隹矽層在形成時疋形成爲_連續接線，但是當A1層於 圖:Φ成時矽層是與A1層同時蝕刻，而且在各閘極線中是 斷屯的名is]斷電是指藉由去除連續形成接線的一部 分而形成的分離部分，並不包括先前分離形成的接線。

圖3的結構圖示意的顯示此實例的TFT陣列基材基材，並 上面形成-接線圖案，圖中的數字31表示由排成矩陣的; 像素組成的顯示下I，數字33是信號線，各傳送信號到ΤΗ ·數字34是閘極線，各傳送信號到tft的問極；數 字32是顯^區31外的外周邊區域；數字35是短路環；及數 字36是僞信_。料環35及祕外周邊區域 32上，僞接線36形成在顯示區31的信號線的 外部，此實例中的僞接線36分別形成在顯示區31的^的 頌π區3 1的組成與習用的TFT陣列接線相同因而省去其詳 細沉明。注意，在彩色LCD中，各子像素設置有r，g，B

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，衫色濾波器，且藉由控制各子像素的發光量而執行彩色 F ’ 3個R’ g&b子像素形成_像纟，注意在單色乙⑶中 ，各子像素對應該像素。 一圖4的一電路圖顯示短路環的組成，各閑極線及信號線接到 一短路環，而各短路環接到一共同接、線，短路環由2個丁打 組成且具有2端，閘極線（或信號線）接到一端，而共同接線 妾J另知閘極線號線接到第一丁FT的源極/没極的一 端，及接到第二TFT的源極/汲極的一端。 ”同接線接到第二TFT的閘極的源極/汲極的一端，且更 接到第一 TFT的源極/汲極的一端，完成信號線後，即可抑 制=靜電崩潰而產生的短路因爲信號線及閘極線接到此短 路環。當施加高電壓到電路時，電路即因TFT的導通而成 爲低電阻狀悲、。當電壓變低時，電路即因TFT的關閉而成 爲鬲電阻狀態，因爲一般使用的電壓是約5伏，所以不會發 生因高電阻而產生的問題。 閘極線34是由鋁製造，信號線33是由矽層，氧化錫銦 (ITO)層，及鋁層組成（由下層算起）。矽層由下a_si層及上 n+a-Si層組成’僞信號線36具有的組成與信號線33相同， 且同時與#號線3 3形成，圖9B的剖面圖顯示僞線3 6的最後 結構，僞信號線具有三層結構，即矽層66，1丁〇層68及八1 層93 (或94)。矽層66由a-Si層及n + a-Si歐姆層組成，二氧化 石夕層67接到玻璃基材的整個表面，最後僞線的狀態使得所 有的三層在閘極線5 3間分離。 以下説明此實例中製造TFT陣列基材的方法，其中以説 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱) 1252364 A7 ------- B7 五、發明説明（1〇 ) 明具有底閘極型（逆階型）參考圖的TFT陣列接線爲主，在底 閘極型TFT中，閘極及閘極線形成在下層，而絕緣層沈積 在上面，在此絕緣層上設置有源極/汲極及信號線，而且使 用a-Si的半導體材料，可藉由材料的沈積，微影製程及蝕 刻製程而形成絕緣膜，藉由物理氣體沈積（如濺擊方法及眞 全洛發）或者藉由化學氣體沈積（如電漿CVD)而執行材料的 沈積，藉由光阻層的連接，通過光罩圖案的曝露，藉由顯 影光阻層圖案的形成，及光阻層脱離等製程而執行微影製 程。 、藉由乾蝕刻（如電漿濺擊及RIE濺擊）或者藉由使用蝕刻 液的濕蝕刻而執行蝕刻製程，在各步驟中選擇一較佳者， 攻些製程是習用的，所以省去其詳細説明。注意短路環h 形成在外周邊區域32上，其與打丁及各接線的形成同時（如 以下所述）。 以下藉由與TFT的形成而説明陣列基材上僞接線的形成 ，首先參考圖5以説明閘極線層的形成，在玻璃基材5丨的完 全表面上，藉由濺擊法而沈積…層其具有1〇〇〇到5〇〇〇埃 (最好是2000埃）的厚度，接著在刈層的完全表面上沈積光 阻層，且執行曝露及顯影製程，因而形成光阻層的圖案， 將此光阻層作爲保護膜，藉由濕蝕刻而蝕刻八丨層，因而形 成閘極52及閘極線53，閘極線53的線寬約爲10到3〇微米， 接著剥離光阻層而完成閘極線層的形成製程。 接著參考圖6來説明，先形成氧化絕緣層，使用電漿匚 而在基材的完全表面上沈積二氧化矽（Si〇x)膜，在tft中，

1252364 A7 _ B7 五、發明説明（11 ) 一氧化矽層的功能是閘極絕緣層6丨，在信號線中（或是在僞 接線中），二氧化矽層的功能是閘極線53與信號線/僞線間 的絕緣層66，沈積的8丨〇\膜厚約爲15〇〇到6〇〇〇埃，最好是 3 5 00埃接著使用電漿CVD而沈積一非晶矽層厚度是2〇〇 到1000埃，最好是5〇〇埃。 此外藉由電漿CVD而沈積一氮化矽63以作爲蝕 刻保護膜，沈積蝕刻保護膜以避免蝕刻下層的氧化膜，藉 由微影製程及濕蝕刻製程而將氮保護膜63作圖案成型，接 著藉由電漿CVD而沈積n+a-Si層作爲歐姆層，將a_Si層及 n+a-Si層同時作微影製程及蝕刻製程，因而形成心以層62 及n+a Si層64的圖案。形成的a_Si層及n + a_Si層也作爲信號 線及僞線中的第一層（Si層）67，信號線的線寬約爲5微米。 接著藉由濺擊法而在基材的完全表面上沈積1丁〇層65,68 其厚度爲300到2000埃，最好是4〇〇埃，藉由微影製程及乾 蝕刻製程而形成特定圖案（圖7)，IT〇層的功能是像素電極 7 1，也形成爲信號線及僞線的第二層72，73，在僞線中， 形成的ΙΤΟ層在閘極線53之間分離，當然在信號線中的ΙΤ〇 層不疋分離的，且形成爲一連續接線。如上所述，雖然ΙΤ〇 層是分離的，因而低Si層67接到僞接線，但是僞接線的電 容約等於信號線的電容。 接著藉由濺擊法而在基材的完全表面上沈積^層81，82 其厚度爲1000到3000埃（圖8)，藉由微影製程及濕蝕刻製程 而圖案开）成A1層（圖9)，形成A1層以作爲源極/没極9 1，92 。此外在信號線及僞線中，A1層也形成爲這些線的最上層 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1252364

在門扭在僞線中，將A1層作圖案成型，在該狀態下A1層 甲”接線間是分離的，A1接線間的間隙95約爲職米， 離：層二濕蝕刻製程中，蝕刻A1層之後，也經由1το層的分 77而1虫刻Sl層67的曝露部分，而且切斷，因此將Α1 :。’ 9’B案成型後，僞線即在閘極線53間成爲斷電狀 人上述接線圖案同時在外周邊區域上形成短路環，因此 乍爲最上層）已作圖案成型且完成信號線之後，短路 %即可^各信號線與閘極線之間動作，短路環開始動作後 路裒即可有效抑制閘極線與信號線之間因靜電崩潰而 產生的短路。 “ 品在此實例中，目爲僞信I線（作爲短路環）形成在外周邊 區域上，、因此能避免因閘極線（即下層接線）與信號線（即上 層接線）之間因靜電崩潰而產生的短路。因爲在特徵步驟後 =接、、泉即切斷’所以即使僞信號線與至少2個閘極線短路也 能避免閘極線之間的短路。藉由將閘極線之間的僞接線切 斷即使任何閘極接線及任何僞接線短路仍可避免閘極線

之間的短路。、，王意，較佳的，僞接線的電容約等於信號線 的電容或是更大。 、α P 在此實例中，當冗成信號線時僞接線即切斷，這是因爲 卜周邊區域上的短路環在旯成信號線後在各信號線與閘極 線之間動作，因而可避免因接線之間介電崩潰而產生的短 路。注意僞接線的此切斷製程不限於僅在完成信號線時執 行而疋可以在疋成最後產品（即顯示器）之前的任何充分 -15- 1252364 A7 ----------— —__Β7 ________ 五、發明説明（13 )' 一" 時間執行該切斷製程，除了出現短路環以外，藉由提供僞 接線，即能更加避免短路。惟，可以在信號線的最上層的 蝕刻步驟中使僞接線切斷，因而可以在不增加新步驟下切 斷。 >王意僞線不限於三層結構，它也可具有至多二層，或者 至少四層。在此實例中，可以不形成IT〇層作爲第二層，惟 ，僞接線最好具有等於或大於信號線的電容，以便在僞線 與閘極線之間比信號線與閘極線之間更容易發生介電崩溃 ，因此期望僞接線具有與信號線相同的組成。 在此貝例中，若以濺擊蝕刻鋁層，則也能在蝕刻Α1時蝕 刻ιτο及矽，而不是形成ΙΤ〇且將它分成複數個接線以使僞 信號線切斷，在此例中，ΙΤ〇層形成爲一連續接線與矽層類 似，此外即使銘層作濕蝕刻，若它的蝕刻劑也能蝕刻ιτ〇 及Α1，則ΙΤΟ不必分成數個而形成。也能藉由習用的μ蝕刻 劑而ϋ刻非晶ITQ，注意以_沈積後才沈積ΙΤΌ層爲例， ΙΤΟ層不必形成在僞信號線上，這是因爲當形成⑽時僞線 的電容夠大。 在此實例中，㈣層沈積後，即沈積僞線及信號線的αι 層’惟，也能在最後沈積IT0’在此例中，當蚀刻ιτ〇時也 可蚀刻ARSi，而且切斷僞接線。當然，並 分成複數個接線的形成例子，此外本發明也適用於階狀圖 形。 注意在上閘極型丁FT中，因爲形成太纽& r /风在絕緣層的接線是閘 極接線，所以在許多情況下上層接線且 、’果具有一層結構，以閘 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝 訂

1252364 A7 B7 14 五、發明説明（ 極線及僞信號線作爲上層接線且僅由乂層形成爲例，先將 僞信號線形成爲一連接A1接線，接著完成最後產品後，即 切斷僞信號線，例如在電氣檢查TFT陣列之前即切斷，在 此例中，需要-額外步驟即於切斷製程，注意本發明的僞 線特別適用於上層接線具有複數個層的情況。 實例2 以下説明-特徵其中短路接線適用於另—實例的閑極接 線的拉出部分，閘極接線的拉出部分表示_部分的接線其 中TFT陣列接線中的閘極接線接到外周邊區域上面的驅動 W °圖10的結構示意圖顯示閘極接線的拉出部分，其形成 始4陣列基材的外周S區域上，目中的數字1 〇 1是閘極接 ίϋ數字⑽是短路環，而數字⑼切接線，各短 路％ 102由圖4中串聯的2個短路環組成。 :信號線的形成説明所述，碎接線1〇3是由a_si層及㈣ ::形成以作爲TFT的歐姆層，形切接線ι〇3以經由氧化 過閘極接線拉出㈣^接線的厚度與偽線的梦 1曰04予矣又★員似’此外碎接線的綠寬约爲100到200微米’數字 ^共同圓周線以連接短路環，數字1()5是#，而數字 0疋問極接線’閘極接㈣6及共同圓周線H)4未互相連接。 生：：：；：線拉出線101是由高密度線形成，所以易於發 的拉出線之間的靜電介電崩潰，纟出、線之間 埃。,因此Γ Γ微米’而拉出線與矽線之間的間隙約爲3500 拉出線不會短路，但是在拉出線…接 g 111靜電朋潰而產生的短路。作爲短路接線

1252364 五 、發明説明（ 15 A7 B7 絕緣層而在閉極接線拉出線的 ，因此可避免問極接線之間的短路。 /成 的矽厗中：矽接線整個去除，如同實例1中使僞信號線 沾g刀辦’藉由整個去除碎接線，即可避免閘極接線間 一 用下層中的至少2個低拉出線而將矽接線 短路。 7 匕在、、’巴、彖層上的下層中的閘極線與上層中的信號線之 間形成閘極拉出線，在此例中 '經由-通孔而將下接線及 ^接、、泉％的互連。在此_例中，短路接線具有的組成與信 唬、、泉的類似’而且具有一 Si下層，一ιτ〇中間層及一 A1上層 此外未去除整個短路接線，.而是將它一部分去除及切斷 在閘極接線拉出線中將短路接線切斷，分離部分的寬度 約爲10微米，雖然它是依拉出線的密度而定。 在上述2個實例中，使用A1作爲金屬層，惟，除了 αι以外 也可使用Cr ’ Mo-Ta，Ta等作爲金屬接線層。因爲可正確 使用閘極絕緣膜或保護膜，：氧切或氮切，所以也能 使用Ta205，其藉由濺擊法而沈積爲絕緣膜。在此例中，使 用a Si作爲半導體，惟，也可使用聚晶石夕而形成丁π及接線。 本發明的短路接線不限於具有主動元件的陣列接線，它 也適用於播主動元件的裝置（如簡單矩陣型裝置），此外雖 然已用TF丁作爲主動元件而作説明，本發明的僞接線也適 用於具有其他主動元件（如MIM)的陣列接線。本發明適用 於其他顯示裝置如有機冷光型顯示裝置，而且不限於液晶 顯示裝置。 ______ -18- 本纸張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210X297公爱)

Claims (1)

1. 六、申請專利範圍 1 · 一種製造顯示裝置之方法，古玄顯一 個子像素組成之顯示區，該;=二含牛有矩… 形成複數個τ層接線，下層接:傳送心 唬到該複數個子像素； 吁疋电1口 在該絕緣層上形成複數個上層接線及_短 層接線傳送電信號到該複數個子 ' 複數個上層接線外部及該顯示區及而短路接線在該 去除該整個短路接線，或者去除苴一 接線斷電。 σ刀以使该紐路 2·如申請專利範圍第!項之製造顯示農置之方法 ” =線與該上層接線同時形成，且當_該上層接料 3. 如申請專利範圍第〗項之製造顯示裝置之方法， 其中该短路接線具有複數個下層，及 該去除步驟去除該短路接線之部分下層，以便餘刻其 上層時使該短路接線斷電。 八 4. 如申請專利g圍第i項之製造顯示|置之方法，其中該短 路接線具有與該上層接線相同之組成。 / 5·如申請專利範圍第丨項之製造顯示裝置之方法，其中該短 路接線具有之電容約等於或大於該上層接線之電容/ 6.如申請專利範圍第丨項之製造顯示裝置之方法， 其中该下層接線係閘極線，接到形成在該子像素上之 TFT閘極， μ 该上層接線係信號線，接到該TFT之源極/汲極， 本紙張尺度適财_家標準(CNS) Μ規格(⑽χ 297公發) 圍 I252364 、申請專利範 °亥短路接線具有與該信號峻> 線同時形成，a “虎線相问之組成，且與該信號 者該信號線及該短路接線具有—SiT層及—ai上層，且 田蝕刻該A1上層時切斷該Si下層.。 7.如申請專利範圍第6項之製造顯示裝置之方法， 其中該信號線及該短路接線更包括_ιτ〇中間層在該 Μ下層與該Α1上層之間， 该1丁0中間層形成為複數個分離之接線，及 斷4 slT層在一曝露部分與該ΙΤ〇中間層之分離部分切 個裝置之方法’該顯示裝置含有矩陣式複數 子像素組成之顯示區，該方法包括以下步驟·· 在一基材上形成複數個下層接線，該複數個下層接 傳送電信號到該複數個子像素； 在该複數個下層接線上形成一絕緣層； 在該絕緣層上形成複數個上層接線及一短路接線，上 層接線傳送電信號到該複數個子像素；及 去除該整個短路接線，或者去除其一部分以使該 接線斷電， Λ 其中一短路因該短路接線與下層接線間之介電崩潰， 比在该上層接線及該下層接線之間易於發生，或者比在 該下層接線之間易於發生。 9· 一種顯示裝置，其含有矩陣式複數個子像素組成之顯示 區，包括·· 、V' 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝 訂 1252364 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 一基材； 複數個下層接線傳送電信號到該複數個子像素，下層 接線形成在該基材上； ^ 一絕緣層形成在該複數個下層接線上； 複數個上層接線傳送電信號到該複數個子像素，上層 接線形成在該絕緣層上；及 曰 一短路接線形成在該複數個上層接線外部及該顯示 外部，短路接線形成在該絕緣層上， 分 其中去除該整個短路接線，或者形成後去除其一部 以便斷電。 八 ' 有 讥如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中該短路接線具 與該上層接線相同之組成。 ^ U·如申請專利範圍第9項之顯示裝置，其中該短路接線具有 之電容約等於或大於該上層接線之電容。 12. —種接線板，包括： 形成在一基材上之複數個下層接線； 形成在該下層接線上之絕緣層； 形成在該絕緣層上之複數個上層接線； -短路接線藉由通過該絕緣層而將該下層接線短路以 抑制該上層接線間或該下層接線間之短路，短路接線妒 成在該絕緣層上， 、y 其中去除該整個短路接線，或者形成後去除其一 以便斷電。 ϋ刀 13·-種顯示裝f ’其含有矩陣式複數個子像素組成之顯示 3- 本紙張尺度適用中關家標準(CNS) M規格(⑽χ 297公^y 1252364 申請專利範圍 區，包括： 一基材； 複數個下層接線傳送電信號到該複數個子像素，下声 接線形成在該基材上； θ 一絕緣層形成在該複數個下層接線上； 複數個上層接線傳送電信號到該複數個子像素 接線形成在該絕緣層上；及 /、 上層 一短路接線形成在該絕緣層上， ，：中通過該絕緣層而將該短路接線與該下層接線短路 在形成後將該短路接線斷電。 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐） 彳 .........-wm—。· fH約 1252364 M 一-一第供0册2子2號專利申請發 中文圖式替換頁(94年9 累積電容 閘極絕緣層閘極 13 〜 12· 源極 16 像素電極 18 a-Si KnSWs^v 汲極 ""Η~Ί7 I 1 a-Si 14 閘極線 19 信號線 20