JP5167685B2 - アクティブマトリクス基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法に関するものである。

現在、有機トランジスタは、低コストが可能な液層プロセスを用いて、有機半導体層、ゲート絶縁層をインクジェットに代表される印刷法、あるいはスピンコート法を用いて形成されている。このような有機トランジスタの製造方法が、例えば特許文献１に記載されている。
特開２００４−２１８８７２号公報

しかしながら、有機薄膜トランジスタを形成する基板として、特にフレキシブル性を有するプラスチック基板を用いる場合には、製造工程において生じた静電気によって有機薄膜トランジスタ素子が静電破壊を起こし、有機薄膜トランジスタ素子として機能しなくなるという問題がある。

つまり、フレキシブル基板に多く用いられるプラスチック材料は、その優れた絶縁性が逆に静電気を帯電しやすい。そのため、この静電気に伴う高電圧が素子に印加されることで静電破壊（絶縁破壊）を引き起こしてしまっていた。また、有機薄膜トランジスタは、ゲート絶縁層の材料としてポリマーを用いているので、無機物と比較して絶縁耐圧が低いことも要因となっている。

本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、静電気対策が十分なアクティブマトリクス基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的としている。

本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、上記課題を解決するために、基板と、複数の画素部と、複数の画素部をスイッチングする薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続される複数のソース線及び複数のゲート線と、を備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、ソース線及びゲート線のいずれか一方の形成と同時に、ソース線とゲート線とを導通させる導通部を有機導電性材料により形成する第１の工程と、前記導通部の導通を遮断する第２の工程と、を含むことを特徴とする。

本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、導通部を介してソース線とゲート線とを等電位にしているためこれらの間に電界が生じず、ソース線とゲート線との間において静電気に起因する絶縁破壊を防止することができる。さらに、静電気による影響をなくした状態でソース線及びゲート線の導通を遮断することにより、アクティブマトリクス基板として所望の機能を得ることができる。
また、具体的な内容は後述するが、導通部を有機導電性材料により構成することで、この導通部の導通状態を、物理的に遮断する方法の他に化学的な方法によっても遮断することができる。よって、ソース線とゲート線との導通状態を簡単且つ確実に遮断させることが可能となる。

また、前記第１の工程において、導通部を、印刷法により形成することが好ましい。
このような製造方法によれば、導通部を印刷法により形成することによって、低コスト化が可能となる。

また、前記第２の工程において、前記導通部の少なくとも一部を、有機溶媒により溶解除去することが好ましい。
このような製造方法によれば、有機溶剤を用いて、導通部の少なくとも一部を溶解除去することによって、基板等を傷付けることなく、簡単且つ容易にソース線とゲート線との導通を遮断することができる。

本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板と、複数の画素部と、前記複数の画素部をスイッチングする薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続される複数のソース線及び複数のゲート線と、を備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、導電部を有する基板上に絶縁層を形成する第３の工程と、絶縁層上に前記ソース線及び前記ゲート線を形成する第４の工程と、ソース線及び前記ゲート線を、コンタクト部を介して前記導電部と導通させる第５の工程と、前記ソース線と前記ゲート線との導通を遮断する第６の工程と、を含むことが好ましい。

本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、ソース線及びゲート線を、基板上の導通部と導通させることで、これらソース線及びゲート線を等電位にすることができる。これにより、ソース線及びゲート線間に電界が生じないため、ソース線とゲート線との間において、静電気に起因する絶縁破壊を防止することができる。また、アクティブマトリクス基板の構成要素でもある基板に導電部を設けることによって、基板上に配線等を引き廻すことなくソース線及びゲート線を容易に導通させることができる。
さらに、静電気による画素部への影響が心配なくなった状態で、ソース線とゲート線との導通を遮断することにより、アクティブマトリクス基板として所望の機能を得ることができる。また、具体的な内容は後述するが、導通部を有機導電性材料により構成することで、ソース線及びゲート線の導通状態を、物理的に遮断する方法の他に化学的な方法によっても遮断することができる。よって、ソース線とゲート線との導通状態を簡単且つ確実に遮断させることが可能となる。

本発明のアクティブマトリクス基板は、基板と、複数の画素部と、複数の画素部をスイッチングする薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続される複数のソース線及び複数のゲート線と、複数のソース線と複数のゲート線とを連結する連結部と、を備え、連結部は導電性のあるものを絶縁性のあるものに変えたものであることを特徴とする。
本発明のアクティブマトリクス基板によれば、ソース線とゲート線とを導通させていた連結部を有していることから、これらソース線及びゲート線を等電位にした状態で製造することができる。すなわち、製造工程中にソース線及びゲート線間に電界が生じないため、ソース線とゲート線との間において、静電気に起因する絶縁破壊を防止することができる。完成状態において、連結部は絶縁性に変化しており、ソース線とゲート線との導通は遮断されている。

本発明のアクティブマトリクス基板は、基板と、複数の画素部と、複数の画素部をスイッチングする薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタに電気的に接続される複数のソース線及び複数のゲート線と、複数のソース線と複数のゲート線とを導通させていた導通部と、を備え、前記導通部には複数のソース線と複数のゲート線との導通を切断する切断部が設けられていることを特徴とする。

本発明のアクティブマトリクス基板によれば、ソース線とゲート線とを導通させていた導通部を有していることから、これらソース線及びゲート線を等電位とすることが可能となる。これにより、製造工程中にソース線及びゲート線間に電界が生じないので、ソース線とゲート線との間において、静電気に起因する絶縁破壊を防止することができる。
さらに、本発明においては、導通部が、ソース線とゲート線との導通を切断する切断部を備えることからこれらが電気的に分離され、ソース線及びゲート線に、画像信号、走査信号をそれぞれ供給することができる。その結果、アクティブマトリクス基板として所望の機能を得ることができる。このように、静電気に起因する絶縁破壊の防止を可能とする、信頼性に優れたアクティブマトリクス基板を得ることができる。

また、導通部が有機導電性材料から構成されていることが好ましい。
本発明のアクティブマトリクス基板によれば、導通部が有機導電性材料から構成されているので、例えば、有機溶剤によって導通部を溶解させるなどして切断部を容易に形成することができる。このような方法によって形成可能な切断部は、ソース線とゲート線との導通を確実に切断すべく機能し、アクティブマトリクス基板上におけるソース線及びゲート線の役割を確実に確保することができる。

本発明のアクティブマトリクス基板は、導電部を有する基板と、基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された複数の画素部と、画素部をスイッチングする薄膜トランジスタと、絶縁層上に形成され、薄膜トランジスタに電気的に接続される複数のソース線及び複数のゲート線と、絶縁層に設けられ、複数のソース線と複数のゲート線とを導電部を介して導通させるためのコンタクト部と、複数のソース線と複数のゲート線との導通を切断する切断部と、を備えていることを特徴とする。

本発明のアクティブマトリクス基板によれば、導電部を有する基板及びコンタクト部を介してソース線とゲート線とを導通させることで、これらソース線及びゲート線を等電位とすることが可能となる。これにより、製造工程中、ソース線及びゲート線間に電界が生じないため、ソース線とゲート線との間において静電気に起因する絶縁破壊を防止することができる。
また、導電部を有する基板であることから、ソース線及びゲート線を導通するための配線を基板上に引き廻す必要がなくなるので構成を簡素化することができる。
さらに、本発明においては、ソース線とゲート線との導通を切断する切断部を備えることから、ソース線とゲート線との導通が確実に切断されている。そのため、ソース線及びゲート線に、画像信号、走査信号をそれぞれ供給することができ、アクティブマトリクス基板として所望の機能を得ることができる。このように、静電気に起因する絶縁破壊の防止を可能とする、信頼性に優れたアクティブマトリクス基板を得ることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は、上記したアクティブマトリクス基板の製造方法によって得られたアクティブマトリクス基板と対向基板との間に電気光学材料を挟持する工程を備えることを特徴とする。
本発明のアクティブマトリクスの製造方法によれば、複数のソース線及び複数のゲート線の導通が予め遮断されたアクティブマトリクス基板を用いているので、表示素子を組み立てた後に複数のソース線及び複数のゲート線の導通を遮断する手間を省くことができる。つまり、表示素子を組み立てた後にソース線及びゲート線の導通を遮断する作業は困難を要する場合があるが、基板状態でソース線及び複数のゲート線導通を遮断することでその作業が容易となり、歩留まりが向上する。

本発明の電気光学装置の製造方法は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に電気光学材料を挟持して構成される電気光学装置の製造方法であって、複数のソース線と複数のゲート線とが導通部を介して導通状態にあるアクティブマトリクス基板と対向基板との間に、電気光学材料を挟持してなる表示素子を形成する工程と、ソース線とゲート線との導通を遮断する工程とを、この順で行うことを特徴とする。
本発明のアクティブマトリクスの製造方法によれば、例えば表示素子を構成した後にソース線とゲート線との導通を遮断しているので、たとえ、表示素子の組立作業中に静電気が発生したとしてもソース線及びゲート線間には電界が生じない。そのため、ソース線とゲート線との間において、静電気に起因する絶縁破壊を防止することができる。これにより、信頼性に優れた電気光学装置を得ることができる。

また、導通部が有機導電性材料からなり、ソース線とゲート線との導通を遮断する工程において、有機溶剤により、導通部の少なくとも一部を溶解除去することが好ましい。
このような方法によれば、導通部が有機材料から構成されているので、有機溶剤により、基板等を傷付けることなく容易に溶解除去することができる。

また、ソース線とゲート線との導通を遮断する工程において、導通部の少なくとも一部の導電性を消失させることが好ましい。
このような方法によれば、有機材料から構成されている導通部の少なくとも一部を改質させることによりその部分の導電性を消失させ、ソース線とゲート線との導通を遮断することができる。例えば、溶剤を用いて導通部の少なくとも一部を酸化させることで劣化状態となり、導電性を消失させることができる。

また、前記ソース線と前記ゲート線との導通を遮断する工程において、光照射を行うことにより導電性を消失させることが好ましい。
この方法によれば、光照射を用いることで導通部の有機材料の導電に寄与する共役部を開環、あるいは酸化させることで、導電性を消失させることができる。

また、基板が、多面取り可能なマザー基板であり、ソース線とゲート線との導通を遮断する工程において、マザー基板を分断して個片化するのと同時に、導通部を切断することが好ましい。
このような方法によれば、マザー基板を分断して複数の電気光学装置を形成するのと同時にソース線とゲート線との導通を遮断することができるので、作業工程が削減されて歩留まりが向上する。

本発明の電気光学装置は、上記アクティブマトリクス基板と対向基板との間に、電気光学材料を挟持してなる表示素子を備えたことを特徴とする。
本発明の電気光学装置によれば、複数のソース線と複数のゲート線とを導通させるための導通部を有した表示素子を備えることから、製造工程中において、画素部における静電破壊の発生確率が低減され、画素欠陥を低減することができる。

本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、上記した電気光学装置を備えることから、画素部における静電破壊の発生確率が低減され、画素欠陥を低減することができる。よって優れた表示特性を有する電気光学装置を備えた電子機器とすることができる。

以下、本発明を図面を用いて詳しく説明する。
以下に示す実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。なお、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。

［アクティブマトリクス基板］
図１は、本発明の電気光学装置の製造方法に用いられるアクティブマトリクス基板の一実施形態を示す図であり、図１中符号１０はアクティブマトリクス基板である。図２（ａ）は図１のゲート線３４ａに沿う断面図、（ｂ）は図１のソース線３３ａに沿う断面図である。
なお、本実施形態のアクティブマトリクス基板１０は、例えば電気泳動表示装置等に好適に用いられる。

図１に示すように、アクティブマトリクス基板１０は、可撓性を備えた、例えばポリカーボネイト等からなる平面視矩形状の基板２０上の略中央部に、平面視マトリクス状に配設された複数の画素電極９と、各画素電極９に対応して設けられたスイッチング素子としての有機薄膜トランジスタ１０ａと、を備えている。有機薄膜トランジスタ１０ａは、フレキシブル基板２０上で互いに交差する方向に延びる複数のゲート線３４ａ及び複数のソース線３３ａと電気的に接続されている。

また、アクティブマトリクス基板１０における長辺方向に沿う一方の外周部２０ｂ側には、ゲート線３４ａの一方の端部が接続する複数の第１のゲート線接続部３４ｂが形成され、長辺方向に沿う他方の外周部２０ｄ側には、ゲート線３４ａの他方の端部が接続する複数の第２のゲート線接続部３４ｄが形成されている。また、各ゲート線接続部３４ｂから引き出されたゲート線引出線３４ｃと、各ソース線３３ａから引き出されたソース線引出線３０ｃとが接続する外部接続端子３５は、アクティブマトリクス基板１０の短辺方向に沿う一方の外周部２０ｃ側に複数形成されたものとなっている。

本実施形態のアクティブマトリクス基板１０は、上記したゲート線３４ａとソース線３３ａとを導通させる導通配線３６（導通部）を備えている。導通配線３６は、アクティブマトリクス基板１０の短辺方向に沿う外周部２０ａから長辺方向に沿う外周部２０ｄにかけて配線されており、全てのソース線３３ａ及び第２のゲート線接続部３４ｄを接続するべく、これらソース線３３ａ及び第２のゲート線接続部３４ｄと同一面上に形成されたものである。この導通配線３６は、後述する有機導電性材料から構成されている。

図２（ａ）に示すように、アクティブマトリクス基板１０は、基板２０と、基板２０の上に形成された後述するゲート電極に接続されるゲート線接続部３４ｂと、このゲート線接続部３４ｂの上に積層された絶縁層（層間膜）３２と、この絶縁層３２の上に形成されたゲート線３４ａとを備えたものである。

そして、ゲート線接続部３４ｂの上に設けられた絶縁層３２には、コンタクトホールＨ内に導電性材料が埋め込まれたコンタクト部３００Ａと、コンタクトホールＩ内に導電性材料が埋め込まれたコンタクト部３００Ｂとが形成されている。

ゲート電極３４は、後述するようにインクジェット法によって形成されるゲート線３４ａとコンタクト部３００Ａとを介して第１のゲート線接続部３４ｂに接続されるとともに、ゲート線３４ａとコンタクト部３００Ｂとを介して第２のゲート線接続部３４ｄに接続されたものとなっている。この第１のゲート線接続部３４ｂは、図１に示したようにゲート線引出線３４ｃを介して外部接続端子３５に電気的に接続されている。
ここで、ゲート電極３４の下側の基板２０上には、ソース及びドレイン電極３０を備えており、所謂トップゲート構造の有機薄膜トランジスタ１０ａとなっている。

この有機薄膜トランジスタ１０ａのソース及びドレイン電極３０には、図２（ｂ）に示すようなソース線３３ａが接続されている。後述するインクジェット法によってパターン形成されるソース線３３ａは、当該ソース線３３ａから引き出されたソース線引出線３０ｃを介して外部接続端子３５に電気的に接続されている。一方、ソース線３３ａのソース線引出線３０ｃとは反対側の端部は、同じくパターニングによって形成された導通配線３６と電気的に接続されたものとなっている。

そして、図１に示すように、導通配線３６は、同一面上に形成された上記第２のゲート線接続部３４ｄ（図２（ａ）参照）の各々を接続するように配線され、各第２のゲート線接続部３４ｄとこれに接続するコンタクト部３００Ｂを介してゲート線３４ａに電気的に接続されている。したがって本実施形態では、導通配線３６によってソース線３３ａとゲート線３４ａとが電気的に接続されて、これらが互いに導通した構成となっている。このように、ソース線３３ａとゲート線３４ａとを等電位にして相互間に電界が生じないようにする。

また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁層３２の上には保護膜４０が積層され、この保護膜４０上に、有機薄膜トランジスタ１０ａのソース・ドレイン電極３０に接続される画素電極９が形成されることでアクティブマトリクス基板１０が構成されている。
なお、導通配線３６は、ゲート線３４ａと同一面上に形成してもよい。

［アクティブマトリクス基板の製造方法］
次に、図３〜図７を参照にして、アクティブマトリクス基板１０を製造する工程の中で、導通配線３６を形成する方法について説明するとともに、アクティブマトリクス基板１０の各構成要素について説明する。ここで、図７は、図４（ａ）の工程における図１に示したアクティブマトリクス基板１０の平面図に対応するものである。
なお、図３〜図６においては、アクティブマトリクス基板１０の構成を簡略化して示し、図中左側がアクティブマトリクス基板１０のゲート線３４ａに沿う方向の側部断面図、図中右側がアクティブマトリクス基板１０のソース線３３ａに沿う方向の側部断面図である。

（導通配線の製造工程）
まず、図３（ａ）に示すように、基板２０を十分に洗浄した後に基板２０を脱ガスし、この基板２０上に有機導電性材料からなる有機導電性膜３０ａを全面に印刷法を用いて形成する。有機導電性膜３０ａとしては、導電性に優れた種々の材料を利用することができる。本実施形態においては、有機樹脂材料中に金属粉等を混ぜ合わせるなどして導電性が付与された有機導電性材料が用いられている。有機樹脂材料としては、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ポリスチレン、ポリビニルアルコール等が挙げられる。

次に、図３（ｂ）に示すように、有機導電性膜３０ａ上に全面にフォトレジストをスピンコートによって塗布し、熱処理によって硬化させ、更に、露光処理及び現像処理を施すことによりマスクＭを形成する。

次に、図３（ｃ）に示すように、マスクＭを介してエッチング処理を施すことにより、当該マスクＭの開口パターンに応じて、有機導電性膜パターン３０ｂを形成する。

次に、図４（ａ）に示すように、マスクＭを除去することにより、基板２０上に有機導電性膜パターン３０ｂのみが残留する。有機導電性膜パターン３０ｂは、ソース線３３ａ及び導通配線３６となる。またこれ以外にも、有機導電性膜パターン３０ｂにより、有機薄膜トランジスタ１０ａのソース及びドレイン電極３０、図７に示すように、第１のゲート線接続部３４ｂと、第２のゲート線接続部３４ｄと、ゲート線引出線３４ｃと、外部接続端子３５と、ソース線引出線３０ｃと、が構成される。

（半導体層の製造工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、スピンコート法によって、ソース及びドレイン電極３０の上に半導体層３１を形成する。半導体層３１の材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料を用いるのが好ましい。

そして、第１のゲート線接続部３４ｂ、ゲート線引出線３４ｃ、導通配線３６、及びソース線３３ａ上の半導体層３１をパターニングすることで除去し、ソース及びドレイン電極３０上の半導体層３１とは分離した状態にする。

なお、パターニングによって半導体層３１を除去する代わりに、インクジェット法によって半導体層３１を所望の位置にのみ形成することで、工程を少なくするようにしてもよい。

（絶縁層の製造工程）
次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁性のポリマーをスピンコートで塗布し、絶縁層３２を形成する。ポリマーとしては、ポリビニルフェノール又は、フェノール樹脂（別名ノボラック樹脂）を使用する。その他にもポリビニルフェノール、ポリメチルメタアクリレートを始めとするアクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポレオレフィン、ポリビニルアルコール、ポリイミド、フッ素系樹脂等を使うことができる。

ここで、溶液の塗布によって絶縁層３２を作製する場合、絶縁層３２の溶液の溶媒が、半導体層３１や基板２０を膨潤させたり、溶解させたりしないことが必要である。半導体層３１自体が溶媒に可溶である場合は特に注意が必要である。半導体層３１が芳香環を含む共役性分子、又は、共役性高分子であるため芳香系炭化水素には溶けやすい。従って、絶縁層３２の塗布には芳香系炭化水素以外の炭化水素、或いは、水系、アルコール系の溶媒を使うことが望ましい。

また、絶縁層３２は、後述するゲート電極３４の液体材料に対して非溶解性の特性を有していることが好ましい。そこで、後の工程で形成されるゲート電極３４やゲート線３４ａに対する濡れ性や接触角を良好にするために、絶縁層３２の上部に受容層（図示せず）が形成されている。

次に、絶縁層３２の上に形成されるゲート線３４ａ（ゲート電極３４）と第１のゲート線接続部３４ｂとを導通可能とするコンタクト部３００Ａ（図２（ａ）参照）と、ゲート線３４ａ（ゲート電極３４）と第２のゲート線接続部３４ｄとを導通可能とするコンタクト部３００Ｂ（図２（ａ）参照）を形成する。

まず、コンタクト部３００Ａ及びコンタクト部３００Ｂを形成するべく、図５（ａ）に示すように、絶縁層３２に、例えば針Ｐを挿入するなどして微細孔を穿設する。その結果、図５（ｂ）に示すように、絶縁層３２には、第１のゲート線接続部３４ｂの表面上まで達するコンタクトホールＨと、第２のゲート線接続部３４ｄの表面上まで達するコンタクトホールＩとが形成される。

次に、図５（ｃ）に示すように、コンタクトホールＨ及びコンタクトホールＩ内にインクジェット法を用いて導電性材料を吐出して埋め込んで、コンタクト部３００Ａ及びコンタクト部３００Ｂを形成する。

このとき、コンタクトホールＨは、前述したようにゲート線接続部３４ｂの表面まで達しているので、このコンタクトホールＨ内に埋め込まれた導電性材料からなるコンタクト部３００を介すことでゲート線接続部３４ｂと導通をとることが可能となる。

また、コンタクトホールＩは、前述したようにゲート線接続部３４ｄの表面まで達しているので、このコンタクトホールＩ内に埋め込まれた導電性材料からなるコンタクト部３００Ｂを介すことでゲート線接続部３４ｄと導通をとることが可能となる。

インクジェット法においては、インクジェットヘッド（図示せず）と、インクジェットヘッドと基板２０とを相対移動させる移動機構（図示せず）が作動することにより、絶縁層３２の所定位置に導電性材料を吐出することが可能となる。なお、液体材料が吐出されるパターンは、液滴吐出装置に記憶されたビットマップパターン等の電子データに基づいて形成されるので、電子データを作製するだけで、所望の位置に液体材料を塗布することができる。

（ゲート電極の製造工程）
次に、図６（ａ）に示すように、導電性材料をインクジェット法を用いて絶縁層３２上に吐出して、ソース及びドレイン電極３０の間（チャネル上）を覆うようにゲート電極３４を形成し、有機薄膜トランジスタ１０ａが形成される。

続けて、インクジェット法により導電性材料を吐出することで、各コンタクト部３００Ａ，３００Ｂと、ゲート電極３４と、を接続するゲート線３４ａを形成する。なお、図６（ａ）において、ゲート線３４ａの一部分を示しており、実際にはゲート電極３４に接続されたものとなっている。

ゲート線３４ａは、図１に示したように複数のゲート電極３４を接続するようになっている。また、ゲート線３４ａはＸ方向に延在する直線であるので、インクジェット法によって形成する際には、吐出ヘッドと基板２０を単一方向に走査させながら吐出することで行われる。

最後に、図６（ｂ）に示すように、絶縁層３２上に高分子溶液をスピンコートすることによって、ゲート線３４ａ及びゲート電極３４を覆うようにして保護膜４０を形成する。更に、保護膜４０上に、有機トランジスタ１０ａに対応するように画素電極９を形成してもよい（図１参照）。また、有機ＥＬ装置のような電流駆動装置に電流を流す必要がある場合、あるいは液晶装置のような電圧駆動装置に電圧をかける必要がある場合には、画素電極９を保護膜４０の上に形成し、前述の手順でコンタクト部３００Ａ，３００Ｂを形成し、画素電極と有機トランジスタ１０ａとを接続するようにする。
以上の工程により、本実施形態のアクティブマトリクス基板１０が得られた。

本発明のアクティブマトリクス基板１０によれば、ソース線３３ａとゲート線３４ａとが導通配線３６を介して導通していることから、これらソース線３３ａ及びゲート線３４ａが等電位となる。これにより、アクティブマトリクス基板１０の製造工程中、特に薄膜トランジスタ１０ａの製造工程中はソース線３３ａ及びゲート線３４ａ間に電位差が生じないので、ソース線３３ａとゲート線３４ａとの間において、静電気に起因する絶縁破壊を防止することができる。よって、所望の機能を有するアクティブマトリクス基板１０を得ることができる。
［電気光学装置］
図８は、本発明の電気光学装置の実施形態を示す断面図であり、符号２００は、電気泳動表示装置である。
電気泳動表示装置２００は、アクティブマトリクス基板１０（回路基板）と電気泳動表示部１００とアクティブマトリクス基板１０に接続されるフレキシブルプリント基板５０（Flexible Printed Circuit、以下、ＦＰＣと略記する）とを備えたものである。ここで、アクティブマトリクス基板１０は、上記実施形態と同一のものである。

（電気泳動表示部）
図８に示したように、電気泳動表示部１００は、アクティブマトリクス基板１０に対向するように設けられた対向基板６５と、これら両基板１０、６５の間に設けられた電気泳動層７０とから構成されている。
ここで、対向基板６５は、アクティブマトリクス基板１０の導通配線３６上を避けるようにして配置されており、導通配線３６が外部に露出した状態となっている。

電気泳動層７０は、マイクロカプセル７０ａを複数備えた構成となっている。
マイクロカプセル７０ａは樹脂皮膜によって形成されており、マイクロカプセル７０ａの大きさは１画素の大きさと同程度とされ、表示領域全域を覆うように複数配置されている。また、マイクロカプセル７０ａは、実際には隣接するマイクロカプセル７０ａ同士が密着するため、表示領域はマイクロカプセル７０ａによって隙間なく、覆われている。マイクロカプセル７０ａには、分散媒７１、電気泳動粒子７２等を有する電気泳動分散液７３が封入されている。

次に、分散媒７１、電気泳動粒子７２を有する電気泳動分散液７３について説明する。
電気泳動分散液７３は、染料によって染色された分散媒７１中に電気泳動粒子７２を分散させた構成となっている。
電気泳動粒子７２は、無機酸化物又は無機水酸化物からなる直径０．０１μｍ〜１０μｍ程度の略球状の微粒子であり、上記分散媒７１と異なる色相（白色及び黒色を含む）を有している。このように酸化物又は水酸化物からなる電気泳動粒子７２には固有の表面等電点が存在し、分散媒７１の水素イオン指数ｐＨによってその表面電荷密度（帯電量）が変化するようになる。

ここで、表面等電点とは、水溶液中における両性電解質の電荷の代数和がゼロとなる状態を水素イオン指数ｐＨによって示したものである。例えば、分散媒７１のｐＨが電気泳動粒子７２の表面等電点に等しい場合には、粒子の実効電荷はゼロとなり、粒子は外部電界に対して無反応な状態となる。また、分散媒７１のｐＨが粒子の表面等電点よりも低い場合には、粒子の表面は下式（１）によりプラスの電荷を帯びる。逆に、分散媒７１のｐＨが粒子の表面等電点よりも高い場合には、粒子の表面は下式（２）によりマイナスの電荷を帯びる。
ｐＨ低：Ｍ−ＯＨ＋Ｈ＋（過剰）＋ＯＨ−→Ｍ−ＯＨ２＋＋ＯＨ− ・・・（１）
ｐＨ高：Ｍ−ＯＨ＋Ｈ＋＋ＯＨ−（過剰）→Ｍ−ＯＨ―＋Ｈ＋ ・・・（２）

なお、分散媒７１のｐＨと粒子の表面等電点との差を大きくしていった場合、反応式（１）又は（２）に従って粒子の帯電量は増加していくが、この差が所定値以上となると略飽和し、ｐＨをそれ以上変化させても帯電量は変化しない。この差の値は、粒子の種類、大きさ、形状等によって異なるものの、概ね１以上であればどのような粒子においても帯電量は略飽和すると考えられる。

電気泳動粒子７２としては、例えば、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、ベンガラ、酸化アルミニウム、黒色低次酸化チタン、酸化クロム、ベーマイト、ＦｅＯＯＨ、二酸化珪素、水酸化マグネシウム、水酸化ニッケル、酸化ジルコニウム、酸化銅等が用いられている。

また、このような電気泳動粒子７２は、単独の微粒子としてだけでなく、各種表面改質を施した状態でも用いることが可能である。このような表面改質の方法としては、例えば、粒子表面をアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等のポリマーでコーティング処理する方法や、シラン系、チタネート系、アルミニウム系、弗素系等のカップリング剤でカップリング処理する方法や、アクリル系モノマー、スチレンモノマー、エポキシ系モノマー、イソシアネート系モノマー等とグラフト重合処理する方法等があり、これらの処理を単独又は二種類以上組み合わせて行うことができる。

分散媒７１には、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、エーテル等の非水系有機溶媒が用いられており、スピリトブラック、オイルイエロー、オイルブルー、オイルグリーン、バリファーストブルー、マクロレックスブルー、オイルブラウン、スーダンブラック、ファーストオレンジ等の染料によって染色されて、電気泳動粒子７２と異なる色相を呈している。

図８に示したように、アクティブマトリクス基板１０の外部接続端子３５にＦＰＣ５０が接続されている。
ＦＰＣ５０は、アクティブマトリクス基板１０の有機トランジスタ１０ａ（図２参照）を駆動するための駆動回路（図示せず）を備える回路基板であって、アクティブマトリクス基板１０のソース線に電力を供給し、またゲート線３４ａに駆動信号を供給することによって、有機薄膜トランジスタ１０ａを駆動させるようになっている。

ＦＰＣ５０をアクティブマトリクス基板１０に接続する際には、外部接続端子３５上の半導体層３１及び絶縁層３２及び保護膜４０をフォトリソグラフィ法やエッチング法を用いて剥離した後に、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を介して接続されている。

［電気光学装置の製造方法］
次に、本実施形態の電気光学装置の一実施例である電気泳動表示装置の製造方法について図８及び図９を用いて述べる。

（パネル組立工程）
まず、上記した製造方法によって得られたアクティブマトリクス基板１０と、これに対向配置される対向基板６５を用意する。そして、対向基板６５の内面全体にＩＴＯからなる共通電極７を蒸着法等により形成する。

そして、対向基板６５の共通電極１２の表面に、バインダを用いて多数のマイクロカプセル７０ａをインクジェット法等によって固着する。

（導通遮断工程）
続けて、図９に示したアクティブマトリクス基板１０のゲート線３４ａとソース線３３ａとの導通状態を遮断する。これは、ゲート線３４ａとソース線３３ａとが導通しないように、導通配線３６の少なくとも一部を除去・改質させることによって可能となる。
ゲート線３４ａとソース線３３ａとの導通状態を遮断する方法としては、例えば以下のような方法が挙げられる。
（１）導通配線３６の少なくとも一部を、有機溶剤により溶解除去する（化学的）。
（２）導通配線３６の少なくとも一部を改質させて導電性を消失させる（化学的）。
（３）導通配線３６（単層）の少なくとも一部を、針、カッター、ブラシ等により機械的に除去する（物理的）。
（４）導通配線３６を、基板ごと切断して全て除去する（物理的）。
以上、（１）〜（４）のいずれかの方法を用いて導通配線３６のゲート線３４ａ及びソース線３３ａの導通を遮断する。

（１）の場合、有機導電性材料からなる導通配線３６を、有機溶剤を用いて化学的に除去することになる。この場合、導通配線３６が形成されたアクティブマトリクス基板１０の外周部２０ａ，２０ｄ側を、有機溶剤が入ったタンク等に含浸させることも考えられるが、他の配線や素子等への影響を考慮すると、有機溶剤をエッチング液として、導通配線３６に対してエッチングを施すことによって、アクティブマトリクス基板１０上から当該導通配線３６の少なくとも一部を溶解除去することが好ましい。先に述べたように、導通配線３６が有機溶媒によって溶解可能な有機導電性材料から構成されているので、基板を傷付けることなく、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａの導電を容易且つ確実に遮断することができる。

有機溶剤の種類について以下に述べる。
有機導電性材料がアクリル系樹脂の場合、酢酸エチル等のエステル類、アセトン等のケトン類の溶剤を用いる。

有機導電性材料がエポキシ系樹脂の場合、アクリル酸ブチル、アセトン、アニリン、イソプロピルアルコール、エタノール、塩化エチル、塩化ベンジル、塩素化溶剤、蟻酸、クロロアセトン、クロロトルエン、酢酸、酢酸アミル、酢酸イソプロピル、酢酸エチル、酢酸セロソルブ、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸メチル、ジイソプロピルケトン、ジエチルエーテル、シクロヘキサン、ジクロロベンゼン、ジブチルエーテル、ジベンジルエーテル、ジメチルホルムアルデヒド、テトラヒドロフラントリクロロエチレン、二塩化エチレン、ニトロベンゼン、フェノール、フロロベンゼン、無水酢酸、メタクリル酸メチル、メチルアルコール、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、モノクロル酢酸、モノクロロベンゼン等の溶剤を用いる。

有機導電性材料がポリビニルフェノール、ポリビニルアルコールの場合、水、アルコール系の溶剤を用いる。

有機導電性材料がポリスチレンの場合、ジイソプロピルケトン、四塩化炭素、シクロヘキサン、シクロヘキサンノン、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、テトラクロロエタン、テトラクロロエチレン、トルエン、ニトロ化溶剤、ベンゼン、メタクリル酸メチル、メチルエチルケトン、モノクロロベンゼンなどの溶剤を用いる。

有機導電性材料がポリビニルアルコールの場合、水、アルコール系の溶剤を用いる。

有機溶剤として以上のような種類が挙げられる。
なお、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることも可能である。

（２）の場合、導通配線３６を酸化反応させて改質させる。上記した有機導電性材料からなる導通配線３６を、塩酸、硫酸、硝酸などの強酸を用いて酸化反応させる。すると、酸化反応が生じた箇所ではポリマーが分解して劣化状態となり、事実上、導電性が消失することになる。また、前記有機導電性材料に光（可視光、ＵＶ光）を照射することでもポリマーが開環、酸化反応し、導電性を消失する。この方法を用いた場合には、導通配線３６がそのままの配線状態で基板２０上に残存することになる。つまり導通配線３６は、見かけ上、ゲート線３４ａとソース線３３ａとを連結する連結部として基板２０上に残存することになるが、上記したように導電性が消失して絶縁性に改質されたことで、ゲート線３４ａとソース線３３ａとを電気的に分離している。
上記した（１），（２）に示すような化学的な方法を用いれば、基板２０を傷付けることなくソース線３３ａ及びゲート線３４ａの導通を遮断することができる。

（３）の場合、アクティブマトリクス基板１０上の導通配線３６を、上記した針、カッター、ブラシなどによって削り取ることで除去する。従来法をそのまま用いることができるので、新たな除去装置を別途用意する必要もなく、導通配線３６の一部または全体を簡単に除去することができる。

（４）の場合、例えば図９に示すように、アクティブマトリクス基板１０の外周部２０ａ，２０ｄに沿うダイシングラインＤ，Ｄに沿って切断することによって、導通配線３６を他の有機材料とともに機械的（物理的）に除去する。このように、導通配線３６を基板２０ごと切断することによって、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａから導通配線３６を確実に断線させることができる。
なお、（３），（４）のような物理的に導通配線３６を除去する場合には、導通配線３６を無機導電性材料で形成してもよい。

次に、ゲート線３４ａとソース線３３ａとの導通状態を遮断したアクティブマトリクス基板１０上にマイクロカプセル７０ａを備えた対向基板６５を対向配置し、アクティブマトリクス基板１０の画素電極９（図８では不図示）側に、対向基板６５の共通電極１２側を押し当てて基板１０，６５同士をラミネートする。このようにしてアクティブマトリクス基板１０と対向基板６５との間に電気泳動層７０を挟持させて表示パネルを構成する。

本実施形態における電気泳動表示装置２００の製造方法にあっては、まず、アクティブマトリクス基板１０のゲート線３４ａとソース線３３ａとの導通状態を遮断する工程を執り行った後、当該アクティブマトリクス基板１０と対向基板６５との間に電気泳動層７０を挟持させて表示パネルを作成するとした。このように組み立ての前工程において、ゲート線３４ａとソース線３３ａとの導通状態を遮断することによって、ゲート線３４ａとソース線３３ａとを確実に電気的に分離できるとともに、作業がし易い。したがって、静電気による絶縁破壊のないアクティブマトリクス基板１０を用いることから、優れた信頼性を有する電気泳動表示装置２００を得ることができる。

なお、上記実施形態においては、ゲート線３４ａとソース線３３ａとの導通遮断工程を表示パネルの組み立て前に行うこととしたが、これに限らず、アクティブマトリクス基板１０と対向基板６５との間に電気泳動層７０を挟持させるまでの製造工程を執り行い、その後、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａの導電を容易且つ確実に遮断するようにしてもよい。従来、製造工程において生じた静電気がソース線３３ａ及びゲート線３４ａに入ることで絶縁破壊を引き起こすことが懸念されていたが、組立工程中においても、導通配線３６によりソース線３３ａ及びゲート線３４ａを等電位としておくことによって、静電気耐性の低い有機薄膜トランジスタ１０ａの素子破壊を確実に回避することができる。そして、表示パネルを構成した後、つまり、静電気による素子破壊の心配がなくなった後に、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａの導電を容易且つ確実に遮断する処理を行うことによって、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａが電気的に分離され、それぞれ異なる信号が供給されることになる。これにより、画素欠陥のない、優れた画像表示を可能とする電気泳動表示装置２００を得ることができる。このように、静電気による影響を確実に避けるためには、製造工程のできる限り後段階に導通遮断工程を行うことが好ましい。

また、上述したように導通配線３６を部分的に除去した場合には、除去された箇所が複数のゲート線３４ａと複数のソース線３３ａとの導通を切断する切断部（不図示）として機能するべく、アクティブマトリクス基板１０上に導通配線３６の一部が残存することになる。このように、ゲート線３４ａとソース線３３ａとの導通を切断するには、必ずしも導通配線３６の全体を除去する必要はなく、複数のゲート線３４ａ及び複数のソース線３３ａに対応した導通配線３６の所定箇所を部分的に除去することによって、これら複数のゲート線３４ａ及び複数のソース線３３ａと、導通配線３６との接続を切断する。その結果、複数のゲート線３４ａと複数のソース線３３ａとの導通を遮断することが可能となり、複数のゲート線３４ａと複数のソース線３３ａとが電気的に分離される。

また、導通配線３６の少なくとも一部を除去することによって、複数のゲート線３４ａと複数のソース線３３ａとの導通を遮断する方法について述べたが、複数のゲート線３４ａ及び複数のソース線３３ａの一部（導通配線３６との接続端部の一部）をそれぞれ除去することによって、導通配線３６との接続を切断し、複数のゲート線３４ａと複数のソース線３３ａとの導通を遮断するとしてもよい。

また、上記実施形態においては、アクティブマトリクス１０に対向基板６５を対向配置する前に導通遮断工程を行うとしたが、導通遮断工程を行う時期は、電気光学装置の構成によって適宜変更しても良い。

［第２の実施形態］
次に、本発明の電気光学装置の製造方法における第２の実施形態について述べる。
図１０は、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板８０の概略構成を示す平面図であって、図１１（ａ）は図１０のゲート線３４ａに沿う断面図、図１１（ｂ）は図１０のソース線３３ａに沿う断面図である。

本実施形態のアクティブマトリクス基板８０は、上記第１の実施形態と略同様であるが、導電性を有する基板を備えている点において異なる。本実施形態は、アクティブマトリクス基板８０に金属材料からなる可撓性の基板８１を用い、この基板８１がソース線３３ａとゲート線３４ａとを導通させる導通部として機能するというものである。
よって以下では、ソース線３３ａとゲート線３４ａとが導電性を有する基板を介して導通する具体的な構成と、この構成に応じたソース線３３ａとゲート線３４ａとの導通遮断工程についてのみ説明し、共通部分に関しては省略する。

本実施形態のアクティブマトリクス基板８０は、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、導電性を有する基板８１上に、絶縁層８２を介して、有機薄膜トランジスタ１０ａ、ソース線３３ａ、ゲート線３４ａ、画素電極９を備えて構成されている。また、絶縁層８２には、コンタクトホールＫ内に導電性材料が埋め込まれたコンタクト部３００Ｄ（図１１（ａ）参照）と、コンタクトホールＪ内に導電性材料が埋め込まれたコンタクト部３００Ｃ（図１１（ｂ）参照）とが複数形成されている。

図１０に示すように、コンタクト部３００Ｃは、基板８１の外周部８１ａに沿って形成され、ソース線３３ａの外部接続端子３５側の端部とは反対側の端部に接続されている。一方、コンタクト部３００Ｄは、基板８１の外周部８１ｄに沿って形成され、ゲート線３４ａの外部接続端子３５側の端部とは反対側の端部に接続されている。

これにより、ゲート線３４ａ（ゲート電極３４）がコンタクト部３００Ｄを介して基板８１に接続され、ソース線３３ａがコンタクト部３００Ｃを介して基板８１に接続されたものとなっている。先に述べたように、本実施形態の基板８１は、導電性を有する材料から構成されていることから、この基板８１を介してゲート線３４ａとソース線３３ａとが導通することになる。したがって本実施形態においても、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａが等電位とされたアクティブマトリクス基板８０を得ることができ、静電気に起因する絶縁破壊を防止することができる。

そして、本実施形態のアクティブマトリクス基板８０を用いて電気泳動表示装置を製造する際には、上記パネル組立工程と同様にして表示パネルを形成した後に、ソース線３３ａとゲート線３４ａとの導通を遮断する導通遮断工程において、基板８１を切断することによってコンタクト部３００Ｃ，３００Ｄを物理的に除去する方法が取られる。具体的には、図１０に示すように、基板８１の外周部８１ａ，８１ｄにそれぞれ沿うダイシングラインＤ，Ｄにしたがって切断することによって、他の有機材料とともにコンタクト部３００Ｃ，３００Ｄを除去する。これにより、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａと、基板との接続が切断され、これに伴い、ソース線３３ａとゲート線３４ａとの導通が遮断される。ここで、ダイシングラインＤ，Ｄは、コンタクト部３００Ｃ，３００Ｄを確実に除去するべく、これらコンタクト部３００Ｃ，３００Ｄよりも基板内側に設定される。

本実施形態におけるアクティブマトリクス基板８０によれば、導電性を有する基板８１を用いていることから、基板８１上にソース線３３ａとゲート線３４ａとを導通させる配線等を引き廻す必要がないため、製造工程数が削減されるとともに薄型化が可能となる。

なお、導電性を有する基板８１として、金属薄膜を用いるとしても良い。また、上記実施形態においては、コンタクト部３００Ｃ，３００Ｄをソース線３３ａ及びゲート線３４ａの端部にそれぞれ設けたが、これに限ったものではなく、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａ上のどこかに配置してもよい。

［第３の実施形態］
次に、本発明の電気光学装置の製造方法における第３の実施形態について述べる。
一般に、小型の表示パネルを製造する場合においては、複数のパネル相当部分を含む大判パネル（マザーパネル）を形成し、このマザーパネルを分割して複数の表示パネルを形成すること場合がある。この場合、マザーパネルには、例えば上記した第１実施形態のアクティブマトリクス基板１０上に形成された配線パターンが上下左右に連続するように形成される。そのため、このマザーパネルにおいては、大判パネルの分割時にダイシングラインに沿って破断することによって、上記の電気泳動表示装置が形成されることになる。

本実施形態の特徴としては、マザーパネルの破断と同時に、ソース線３３ａとゲート線３４ａとの導通を遮断させている点にある。

例えば、図１２に示すように、マザーパネル８７の各仮パネル領域８８における導通配線３６上をダイシングラインＤ１，Ｄ２に設定している。マザーパネル８７上において隣接している仮パネル領域８８には、同様の配線パターンが形成される。そのため、各仮パネル領域８８における導通配線３６の配線部３６Ａの位置とこれに直交する配線部３６Ｂの位置とが、上下左右においてそれぞれ一致した配線構成となり、これら各仮パネル領域８８における配線部３６Ａ及び配線部３６Ｂ上をそれぞれダイシングラインＤ１，Ｄ２に設定することによって、マザーパネル８７の小判化と同時にソース線３３ａとゲート線３４ａとの導通を遮断させることが可能となる。

これにより、マザーパネル８７の小判化と導通配線３６の断線を同時に行なうことができるので、作業工程が削減されて歩留まりが向上するとともに、マザーパネル８７の分割前における静電破壊を、確実に防止することができる。したがって、電気泳動表示装置の表示画像において、画素欠陥が生じることなく良好な画像が可能な装置を得ることができる。

なお、図１３に示すアクティブマトリクス基板９０のように、外部接続端子３５に接続するゲート線引出線３４ｃ及びソース線引出線３０ｃとは異なる引出線を、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａから引き出すようにしてもよい。例えば、ソース線３３ａ及びゲート線３４ａのゲート線引出線３４ｃ及びソース線引出線３０ｃとは反対側の端部から、ゲート線引出線３４ｅとソース線引出線３０ｅとを引き出すようにする。そして、ゲート線３４ａから引き出されたゲート線引出線３４ｅとソース線３３ａから引き出されたソース線引出線３０ｅとを基板９１上の一部に集約させて配線し、全て短絡させてもよい。こうすることによって、ゲート線３４ａ及びソース線３３ａを同電位とすることができる。この様に集約させることで、この部分のみに化学的、あるいは物理的な加工を施すことで導通を断線させることが可能になり、歩留まり、スループットが向上する。

また、基板９１から引き出したゲート線引出線３４ｅ及びソース線引出線３０ｅの端部に集約した集約部（導通部９２）を設け、この導通部９２を基板９１から切断することで、ゲート線３４ａ及びソース線３３ａの導通を遮断するようにしても良い。

また、上記実施形態においては、導通配線３６をソース線３３ａ等と同じ材料（有機導電性材料）を用いて形成したが、導通配線３６を有機導電性材料を用いて形成し、ソース線３３ａなどのその他配線を従来同様の金属で形成するようにしてもよい。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもなく、上記各実施形態を組み合わせても良い。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

（電子機器）
上述した電気泳動表示装置は、表示部を備えた様々な電子機器に適用される。以下、上述の電気泳動表示装置を備えた電子機器の例について図１４及び図１５を参照して説明する。
まず、電気泳動表示装置をフレキシブルな電子ペーパーに適用した例について説明する。図１４はこの電子ペーパーの構成を示す斜視図であり、電子ペーパー１４００は、本発明の電気泳動表示装置を表示部１４０１として備える。電子ペーパー１４００は、従来の紙と同様の質感及び柔軟性を有する書き換え可能なシートからなる本体１４０２を備えて構成されている。

また、図１５は、電子ノートの構成を示す斜視図であり、電子ノート１５００は、図１４で示した電子ペーパー１４００が複数枚束ねられ、カバー１５０１に挟まれているものである。カバー１５０１は、例えば外部の装置から送られる表示データを入力する不図示の表示データ入力手段を備える。これにより、その表示データに応じて、電子ペーパーが束ねられた状態のまま、表示内容を変更したり更新したりできる。

また、上述した例に加えて、他の例として、液晶テレビ、ビューファインダ型やモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。本発明に係る電気光学装置は、こうした電子機器の表示部としても好適に用いることができる。

第１の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の平面図。 （ａ）は図１のゲート線に沿う断面図、（ｂ）は図１のソース線に沿う断面図。 第１の実施形態に係る電気泳動表示装置の製造方法を示す工程図。 図３に続く工程図。 図４に続く工程図。 図５に続く工程図。 回路基板の途中工程における正面図。 本発明の電気泳動表示装置の実施形態を示す断面図。 導通遮断工程におけるダイシングラインを示す平面図。 第２の実施形態に係るアクティブマトリクス基板の平面図。 （ａ）は図８のゲート線に沿う断面図、（ｂ）は図８のソース線に沿う断面図。 第３の実施形態に係るマザーパネルを示す平面図。 アクティブマトリクス基板の他の実施形態を示す平面図。 電子機器の一実施例を示す概略構成図。 電子機器の他の実施例を示す概略構成図。

符号の説明

１０，８０，９０…アクティブマトリクス基板、３３ａ…ソース線、３４ａ…ゲート線、３６…導通配線（導通部）、３００Ａ，３００Ｂ，３００Ｃ，３００Ｄ…コンタクト部、６５…対向基板、７０…電気泳動層、２００…電気泳動表示装置（電気光学装置）

Claims (4)

1. 基板と、複数のソース線と、複数のゲート線と、複数の画素電極と、該複数の画素電極のうち一の画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタと、を備え、該薄膜トランジスタが該複数のソース線のうち一のソース線および該複数のゲート線のうち一のゲート線に電気的に接続されたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
   前記複数のソース線及び前記複数のゲート線のいずれか一方と同層であり、かつ、前記複数のソース線と前記複数のゲート線とを互いに導通させる導通部を有機導電性材料により形成する第１の工程と、
   前記導通部の導通を遮断する第２の工程と、
   を含み、
   前記第２の工程において、前記導通部の少なくとも一部を、有機溶媒により溶解除去することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
2. 基板と、複数のソース線と、複数のゲート線と、複数の画素電極と、該複数の画素電極のうち一の画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタと、を備え、該薄膜トランジスタが該複数のソース線のうち一のソース線および該複数のゲート線のうち一のゲート線に電気的に接続されたアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
   前記複数のソース線及び前記複数のゲート線のいずれか一方と同層であり、かつ、前記複数のソース線と前記複数のゲート線とを互いに導通させる導通部を有機導電性材料により形成する第１の工程と、
   前記導通部の導通を遮断する第２の工程と、
   を含み、
   前記第２の工程において、前記導通部を酸化反応させて改質させることで当該導通部の少なくとも一部の導電性を消失させることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
3. 前記第１の工程において、
   前記導通部を、印刷法により形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
4. 前記請求項１から３のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法によって得られたアクティブマトリクス基板と対向基板との間に電気光学材料を挟持する工程を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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