TWI236320B - Method of forming sheet having foreign material portions used for forming multilayer wiring board and sheet having foreign portion - Google Patents

Description

1236320 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種以積層電感器及積層電容器作爲 代表而內藏有被動元件等的所謂的多層配線基板爲例的積 層型的電子零件，更詳細地說係有關於一種在製造多層配 線基板時所使用的所謂的陶瓷原薄片（g r e e η sheet)，以及有關於包含由各種的材質所構的部分 之單一的陶瓷原薄片之製造方法。 · 【先前技術】 近年來，隨著電子機器的高性能化、或攜帶機器的急 速的普及，電子零件除了高密度安裝化外，也要求改善高 頻特性。爲了要因應該要求，即使是在電子零件的生產過 程中’也要檢討元件的微細化或高精度製造的製造方法。 揭露該些的文獻則有例如，特開2 0 0 1 - 8 5 2 6 4號 公報、特開2 0 0 1 — 1 1 0 6 6 2號公報、特開 # 2001—76959號公報、特開2000— 331865號公報、特開2001—111223號公 報、特開2 〇 〇 〇 — 1 8 3 5 3 0號公報及特開平1 0 — 12455號公報。 例如以所謂的積層的陶瓷電感器作爲電子零件爲例， · 簡單地說明其製造方法。首先，將由具有一定之電氣特性 ^ 的陶瓷粉末與有機系的黏合劑（b i n d e r )混合而成 的糊以厚膜方式塗佈在PET薄膜等的支撐體上，在如此 -5- (2) 1236320 所得到的絕緣體層上將由金屬粉末與有機系黏合劑所形成 的金屬糊印刷成一定的圖案而形成電極層。該電極層則構 成在陶瓷電感器中的電感器本體的一部分。 將在如此所得到的絕緣體上已形成有電感器的一部分 的薄片與只由絕緣體所構的薄片加以積層。此時，藉著經 由設在絕緣體薄片之中的導電部（柱）將在各薄片中的各 電極層在電氣上加以連接，而形成成爲陶瓷電感器本體的 積層體。在形成該積層體後，更藉著實施燒成、端面電極 的形成等的處理，而得到積層陶瓷電感器。即使是在陶瓷 電感器以外的積層型的電子零件的製造方法中，基本上也 是根據以上述的製造過程爲準的過程來進行。 然而，在上述的製造過程中，會因爲各層的形狀、厚 度、燒成時之收縮率等的變動兒導致在提供具有更高性能 的電子零件時會有其極限。在此，乃提出開示在上述之特 開2〇0 1 — 8 5 2 6 4號公報或特開2 0 0 1 — 1 1 0 6 6 2號公報中的電子零件之製造方法，而應付所 要求之電子零件的高性能化。 例如在特開2 0 0 1 — 8 5 2 6 4號公報中則開示有 作爲電子零件之一之所謂的積層陶瓷電感器之製造方法。 在該製造方法中，具體地說，首先，針對事先已經過導電 處理的支撐體表面，塗佈一定厚度之由具有感光性的有機 系黏合物與陶瓷粉末混合而成的感光性糊料。此外，該感 光性糊料也可以藉由電著技術而形成。接著，經由光罩而 實施針對該感光性糊料之紫外線的曝光處理及顯像液的顯 -6 - (3) 1236320 像處理，而在支撐體上形成由空間部與陶瓷部所構成的層 〇 在此，藉由電著技術針對該空間部析出大約與陶瓷部 厚度相同之由N i粉末與丙烯酸系樹脂所構成的共析覆膜 。將由陶瓷部與含有Ni粉末的共析覆膜部所構成的薄片 當作一體而叢支撐體剝離，而針對該薄片實施積層、燒成 、端面電極之形成的處理而得到積層陶瓷電感器。又’在 特開2 0 0 1 - 1 1 0 6 6 2號公報中則開示有所謂的積 層陶瓷電感器的形成方法，在該製造方法中乃敘述有將陶 瓷部與空間部形成在支撐體上以及將具有Ag粉末的共析 覆膜形成在該空間部等。 若根據上述特開2 0 0 1 - 8 5 2 6 4號公報及特開 2 0 0 1 - 1 1 06 6 2號公報之電子零件等的製造方法 ，在被形成在支撐體上之薄片本身，則在陶瓷部與共析覆 膜部中的膜厚並無不同，而是一大略均勻的厚度。因此， 相較於以往將單純的陶瓷圖案與電極圖案加以積層的方法 ，可以減少因爲燒成處理所導致的電氣特性的變化，而能 夠再現性優良地得到具有所期望之電氣特性的電子零件。 現在應用在電子機器等的信號的高頻化已經到達GHz 頻域’即使是在上述之電子零件等，爲了要應付此一情形 ’乃希望能夠達成傳送線路的低電容化、在接合部的低電 阻化、更高性能化。同時，爲了要提供攜帶用終端機，也 希望能夠達成高積體化、小型化。由上述之製造方法所得 到的薄片，藉著與其薄膜化或是導電性糊料等得材料的最 (4) 1236320 佳化同時進行’可以達成某種程度的對應。 然而’由上述之製造方法所得到的薄片，是一只由陶 瓷部與共析覆膜部的2種的材料所構成。因此，在電子零 件製造上常會受到是單一薄片或是由絕緣體一種與導電體 一種所構成的限制。結果，1 )在電路設計上會產生限制， 而阻礙從某個等級的高積體化。2)當想要形成例如包含電 感器在內的電子零件時，所積層的層數會極端地增加，而 阻礙從某個等級的小型化。3 )由於層數的增加會導致層間 連接部得增加，而有信賴性降低之虞。 又’感光性糊料，如先前所述，是由將具有感光性的 有機系黏合物與陶瓷粉末混合而得到。該陶瓷粉末混在曝 光時通吊具有讓紫外線散射等的效果。因此，在曝光時會 產生圖案端緣滲入的現象。結果，以往當將所應形成的配 線圖案的厚度與其寬度的比例設爲縱橫比（厚度+寬度）時 ，則其上限約爲0.5 - 0.6 7。 在特開2 0 〇 1 - 1 1 〇 6 6 2號公報中則開示有爲 了要應付此一狀況的方法。具體地說，針對只由被形成在 基台上的負片型光阻層實施圖案化，除去經過圖案化的光 阻層’針對在除去後所形成的空間藉由電著技術來形成具 有導電性的部分。 根據該方法，並不會產生上述之圖案端緣的滲入現象 等’因此’可以形成圖案精度高的薄片。然而，在該方法 中’ ®是常常會受到是上述的單一薄片或是由絕緣體一種 與導電體一種所構成的限制。因此，會發生上述之1)_3) (5) 1236320 等之狀況的必然性則在該方法中亦相同。 【發明內容】 發明之揭露 本發明即是有鑒於上述狀況而硏發出，其目的在於提 供一種針對積層陶瓷電感器積層陶瓷電容器等之所謂的積 層型的電子零件製造出能夠有貢獻於其高積體化、小型化 、糕信賴化等的方法。 隹 爲了要解決上述的課題，本發明之薄片形成方法，主 要是一在形成積層型的電子零件時用作爲各層的薄片形成 方法，其特徵在於： 在支撐體上附著一定厚度之經曝光的部分可藉由顯像 液而被除去之感光性物質的過程、針對上述感光性物質實 施用於形成一定圖案的曝光處理，且實施將經過曝光處理 的圖案藉由上述顯像液進行顯像除去的處理，實施可針對 已除去上述感光性物質的部分附著具有所希望之電氣特性 # 的物質，而在上述支撐體上形成上述薄片或上述薄片的一 部分的過程、以及從上述薄片除去上述支撐體的過程。 此外，在上述方法中，最好由上述曝光處理、顯像處 理及附著處理所構成的過程反覆進行多次。又，在由上述 曝光處理、顯像處理及附著處理所構成的過程中最好包含 有換成上述具有所希望之電氣特性的物質，而附著上述感. . 光性的物質的處理。 更且，在上述的方法中’更包含有：未被曝光的部分 -9- (6) 1236320 可藉由顯像液來除去，而讓具有所希望之電氣特性的感光 性的物質附著的過程、以及由讓上述具有所希望之電氣特 性的感光性的物質曝光及顯像，而形成圖案空間的處理、 與讓具有所希望之電氣特性的物質更者感光性的物質附著 在上述圖案空間的處理所構成的過程。 爲了要解決上述的課題，本發明之薄片，主要是一在 形成積層型的電子零件時用作爲各層的薄片，具有至少具 有3種不同的物性的部分，在形成上述部分之際，進行經 · 曝光的部分可藉由顯像液而被除去之感光性的物質的附著 處理、上述感光性物質的顯像處理、以及可將上述部分的 至少一個附著到由上述顯像處理所得到的空間部的附著形 成處理，在部分之內，在厚度最厚的部分的厚度與寬度的 比在1以上。 此外，在上述的薄片中，在薄片延伸的平面方向形成 上述具有不同之物性的部分。又，在上述的薄片中，在薄 片的厚度方向形成上述具有不同之物性的部分。 · 爲了要解決上述的課題，本發明之薄片，主要是一在 形成積層型的電子零件時用作爲各層的薄片，具有： 具有第1厚度，且被形成在第1領域的導電性的內部 電極、具有第2厚度，且被形成在位於上述第1領域上， 而較上述第1領域爲小的第2領域的導電性的柱、以及包 括有上述內部電極及上述柱的絕緣性的物質， β 至少上述柱是藉由由被曝光的部分可藉由顯像液來除 去之感光性的物質附著的過程、上述感光性的物質的曝光 -10- (7) 1236320 處理、及上述感光性的物質的顯像處理、以及將導電性的 物質附著在由上述顯像處理所構成的空間部的附著處理所 形成的過程所形成，上述內部電極及上述柱內之至少一者 的形成厚度與其寬度的比例在1以上。 【實施方式】 將本發明之實施形態之薄片形成方法以流程圖的方式 表示在圖1，此外，圖1則表示針對在各過程中得薄片， 將此在其厚度方向加以切斷時的斷面構造。又，在所示的 例子中，在XY(平面）方向及Z(厚度方向）乃區劃有由不同 的材料所構成的部分。以下，請參照圖面來說明薄片形成 方法之詳細的內容。 首先，在已實施了導電處理的支撐體1的表面上藉由 電著處理形成一定厚度的由正片型光阻層所構成的層3, 而得到步驟1之狀態的薄片。此外，本發明的正片型光阻 層是指藉由光的照射而曝光的部分會藉著以顯像液的顯像 處理來除去的感光性的物質。接著，則進行經由未圖示的 第1掩罩而以紫外線等所進行之正片型光阻層3的曝光處 理及顯像液的顯像處理。藉由該處理只會除去在正片型光 阻層中之被曝光的部分，而在支撐體1上形成未曝光的正 片型光阻層3與第1空間5 (步驟2)。針對第丨空間5藉 由電者處理形成絕緣材部。在本實施例中，絕緣材則形成 例如由低介電率材料所構成的部分7(步驟3)。此外，在 本實施例巾，低介電率材料部分7的形成厚度大略是與正 -11- (8) 1236320 片型光阻層3的厚度一致。 在形成好低介電率材料部分7後，針對未曝光的正片 型光阻層3進行經由未圖示的第2掩罩的曝光處理及顯像 液的藏像處理。藉由該處理，可以除去在正片型光阻層3 中的曝光部分，更且則形成第2空間部分9(步驟4)。針 對第2空間部分9藉由電著處理形成絕緣材部。在本實施 例中，絕緣材則形成例如由高介電率材料所構成的部分 11 (步驟5)。此外，在本實施例中，高介電體材部分u的 形成厚度大略是與正片型光阻層3的厚度一致。 接著，針對殘存的未曝光的正片型光阻層3更進行經 由未圖示的第3掩罩的曝光處理及顯像液的顯像處理。藉 由該處理，可以除去在正片型光阻層3中的曝光部分，更 形成第3空間部分1 3。針對第3空間部分1 3藉由電著處 理形成由第1導電體部分所構成的部分1 5。此外，在本 實施例中，在形成第1導電體部分1 5時，其形成厚度則 設成較正片型光阻層3的厚度爲薄，而讓第3空間部分 1 3殘留在第1導電體部分丨5的上部（步驟7)。 針對該第3空間部分1 3的殘存部分，藉由電著處理 再度形成由正片型光阻層所構成的第2層17(步驟8)。此 時’第2正片型光阻層17最好是被形成爲大略與低介電 率材料部分7等的厚度成一致。針對第2正片型光阻層 1 7進行經由未圖示的第4掩罩的曝光處理及顯像液的顯 像處理。藉由該處理，可以除去在第2正片型光阻層17 中的曝光部分，而形成第4空間部分19(步驟9)。 1236320 Ο) 針對第4空間部分i 9藉由電著處理形成絕緣材部。 在本貫施例中，例如由低透磁率材料所構成的部分2 1作 爲該絕緣材（步驟i 〇)。此外，在本實施例中，低透磁率材 部分2 1則被形成爲使其最表面大致與正片型光阻層3、 低介電率材料部分7等的表面成一致。之後，針對殘存的 2正片型光阻層i 7進行經由曝光處理及顯像液的顯像處 理。藉由g亥處理，可以除去殘存的第2正片型光阻層17 ，而形成第5空間部分23(步驟u)。 φ 針對第5空間部分23藉由電著處理形成由第2導電 體所構成的部分2 5。此外，在本實施例中，第2導電體 部分2 5則被形成爲使其最表面大致與正片型光阻層3、 低介電率材料部分7等的表面成一致。又，在本實施例中 ’構成第1導電體部分丨5的材料與成第2導電體部分25 的材料是相同。藉著從經由以上的過程所得到的薄片將支 撐體1剝離，而得到實際上在形成電子零件時成爲素材的 薄片。 (變形例） 接著’則本發明之薄片形成方法針對在內部具有電路 圖案（所謂的圖案）及層間連接材（所謂的柱）的薄片來加以 說明。圖2爲將該薄片形成方法以流程圖來表示。此外， 在圖中，在各步驟所示的圖則與圖i同樣地表示在各過程 中的薄片的斷面。 首先，在已實施了導電處理的支撐體1的表面上藉由 -13- (10) 1236320 電者處理形成一疋厚度的由正片型光阻層所構成的層3， 而得到步ϋ 1之狀態的薄片。接著，則進行經由未圖示的 弟1掩罩而以紫外線等所進行之正片型光阻層3的曝光處 理及頒像液的顯像處理。藉由該處理只會除去在正片型光 阻層中之被曝光的部分，而在支撐體1上形成未曝光的正 片型光阻層3與第1空間5(步驟2)。針對第丨空間5藉 由電著處理形成絕緣材部。在本實施例中，絕緣材則形成 例如由低介電率材料料所構成的部分7 (步驟3 )。此外， 在本貫施例中’低介電率材料部分7的形成厚度大略是與 正片型光阻層3的厚度一致。 在形成好低介電率材料部分7後，針對未曝光的未曝 光的正片型光阻層3進行經由未圖示的第2掩罩的曝光處 理及顯像液的顯像處理。藉由該處理，可以除去在正片型 光阻層3中的曝光部分，更形成第2空間部分9。針對第 3空間部分9藉由電著處理形成新的絕緣材部。在本實施 例中，形成例如由高透磁率材料所構成的部分1 1作爲絕 緣材（步驟5)。此外，在本實施例中，高透磁率材部分i i 的形成厚度也大略是與正片型光阻層3的厚度一致。 接著，針對殘存的未曝光的片型光阻層3更經由未圖 示的第3掩罩的曝光處理及顯像液的顯像處理。藉由該處 理，可以除去在正片型光阻層3中的曝光部分，更形成第 3空間部分1 3 (步驟6)。針對第3空間部分1 3藉由電著處 理形成由第1導電體所構成的部分1 5。第1導電體部分 1 5具有作爲該薄片之圖案的功能。此外，在本實施例中 -14- (11) 1236320 ，在形成第1導電體部分1 5時，其形成厚度則設成較正 片型光阻層3的厚度爲薄，而讓第3空間部分1 3殘留在 第1導電體部分1 5的上部（步驟7)。 針對該第3空間部分1 3的殘存部分，藉由電著處理 再度形成由正片型光阻層所構成的第2層1 7 (步驟8)。此 時，第2正片型光阻層17最好是使其最表面大致與正片 型光阻層3、低介電率材料部分7等的表面成~致。針對 第2正片型光阻層17進行經由未圖示的第4掩罩的曝光 處理及顯像液的顯像處理。藉由該處理，可以除去在第2 正片型光阻層17中的曝光部分，而形成第4空間部分 1 9 (步驟9 )。 針對第4空間部分1 9藉由電著處理形成絕緣材部。 在本實施例中，例如由低透磁率材料所構成的部分21作 爲該絕緣材（步驟1 〇)。此外，在本實施例中，低透磁率材 部分2 1則被形成爲使其最表面大致與正片型光阻層3、 低介電率材料部分7等的表面成一致。之後，針對殘存的 2正片型光阻層1 7進行經由曝光處理及顯像液的顯像處 理。藉由該處理，可以除去殘存的第2正片型光阻層17 ，恧形·成第5空間部分2 3 (步驟1 1 )。 針對第5空間部分23藉由電著處理形成由第2導電 體所構成的ρβ分2 5 (步驟1 2)。此外，在本實施例中，第2 導電體部分2 5則在該薄片中具有作爲柱的功能。此外， 在本貫施例中’構成第1導電體部分1 5的材料與成第2 導電體部分2 5的材料是相同。藉著從經由以上的過程所 -15- (12) 1236320 得到的薄片將支撐體1剝離，而得到在其內部具有圖案與 柱的薄片。 如上所述，根據實施本發明，可以形成在XY方向 及Z方向區劃而具有低介電率材料、低透磁率材料、高透 磁率材料、導電體等多種的材料（此時爲3種以上）的薄片 或是形成在其內部具有圖案與柱的薄片。又，在本發明中 ，針對未具有讓光等散射的元件之由正片型光阻劑單體所 構成的層實施曝光及顯像的處理，結果利用所得到的圖案 來形成由各材料所構成的部分。 因此’可以得到圖案精度高且在圖案端緣不會有任何 的渗入現象而具有良好的區劃狀態的薄片。又，由於使用 由正片型光阻劑單體所構成的層，因此可藉由曝光處理進 行曝光的層的厚度只受到正片型光阻劑之特性的影響。 具體地說，藉著使用以上的方法，具有以往技術完全 不可能之由不同的物性所構成的3種以上的部分，且當將 在該些之中在最厚的部分的厚度與其寬度的比例當作縱橫 比（厚度？寬度）時，可以提供一該縱橫比的値在1以上的 薄片。又，當爲一包含圖案與柱的薄片時，也可以形成包 含形成厚度與其寬度的比成爲1以上之柱的薄片。 此外’在本實施例中，雖然作爲構成各部分的材料、 亦即，具有所期望之電氣特性的物質是使用低介電率材料 、低透磁率材料、高透磁率材料 '導電體，但本發明並不 限定於該些材料，最好能根據所欲得到的薄片的構成等而 適當地變更。亦即，將具有多種、至少3種之不同物性的 -16- (13) 1236320 部分形成在平面方向或厚度方向。因此，反覆曝光、顯像 以及電著之各處理的次數最好是根據薄片的構成而較本實 施例減少或增加。 更且，在電著處理時，可以對含有具有期望之電氣特 性的粉體的具有正片型或負片型物質之特性的光阻劑（感 光性物質）實施電著。此時，在接下來的過程等中，更 針對該些光阻劑實施曝光、顯像等的處理。此外，在此所 謂的負片型光阻劑是指藉由光的照射而曝光的部分以外的 部分會藉著顯像液而被顯像之感光性的物質。 具體地說，例如將由以低透磁率爲特性的絕緣粉與負 片型光阻劑混合而成的負片型材料實施電著形成在圖1中 之步驟7的第3空間部分1 3。藉著針對該負片型材料實 施曝光及顯像，可以一次就形成低透磁率部分2 1及第5 空間部分2 3 (步驟11 )。如先前所述，已包含有粉體的負 片型光阻劑則可以想成在圖案精度等方面乃相對於正片型 光阻劑爲差。然而，在考慮到圖案精度的容許値等因素時 ，在本發明的製造方法中，藉著部分地使用由負片型光阻 劑所構成的材料可以縮短過程。 又’藉由電著處理之各部分的形成厚度並不限定於如 本實施例所示的正片型光阻層3的厚度，可以根據所欲得 的薄片的構成等而適當地決定。例如，在經過積層-壓著 的過程時，可以改變各部分的形成狀態以使得在所積層之 薄片間的導電體部分的連接狀態能成爲良好，且追加的導 電體部分能從陶瓷部分3的上面突出。 -17- (14) 1236320 乂 雖然苐1及第2導電體部分爲相同的材料，但也 可以由不同的材料所形成。更且，在形成該些導電體部分 時可以不使用電著處理，而使用鍍覆法等與本實施例不同 的手法來形成。又，在形成導電體部分時，更可以反覆地 實施正片型光阻層的電著、曝光、顯像、導電體的電著的 各處理’而在Z(厚度）方向附加其他的構造。 (利用由本發明所得到的薄片所製作的電子零件的具體例） 將針對以上所述之本發明的方法加上適當的變更而得 到之多種的薄片實施積層而形成的陶瓷電感器的一例表示 在圖3。圖3爲將陶瓷電感器在其積層方向加以切斷之斷 面的構成圖。該電感器是由將薄片L 1 - L 8積層而構成。各 薄片任意含有導電體部分（Al、A2)、由低介電率材料所構 成的第1絕緣體部分B、由高透磁率材料所構成的第2絕 緣體部分C (C 1、C 2)、由具有較第2絕緣體部分C爲低之 透磁率的材料所構成的第3絕緣體部D。針對各薄片構成 ，以下簡單地以薄片L4爲例加以說明。 在圖3中，在平面4A-4 A處將薄片L4切斷，而將由 圖中箭頭方向所看到的圖表示在圖4A，在平面4 B-4 B處 將薄片L4切斷，而將由圖中箭頭方向所看到的圖表示在 圖4 B。如圖4 A所示，在該薄片下部。中央部的高透磁率 材部分C 1則當作電感器中的芯材來使用。導電體部分A 1 則被形成爲可包圍住高透磁率材部分C1的大略半周，而 形成電感電路的一部分。 -18- (15) 1236320 在高透磁率材部分C 1之剩下來的周圍則形成有低透 磁率材部分D。該低透磁率材部分D在作薄片積層時則當 作用於使在上下方向彼此重疊之導電體部分A1之間產生 絕緣的絕緣部來使用。在該些導電體部分A 1及低透磁率 材部分彈性異方導電膜的周圍則配置有高透磁率材部分 C 2，該部分則當作具有可與高透磁率材部分C 1 一起增加 磁束量之效果的絕緣體部分來使用。更且，在其周圍形成 有用於保護爲低透磁率材料之第1絕緣體部B的保護層。 · 如圖4B所示，在薄片L4上部則形成有由低透磁率 材D所構成的絕緣體部分可包圍住作爲芯材之高透磁率 材部分C 1之幾乎整周。該低透磁率材部分D在作薄片積 層時則當作用於使在上下方向彼此重疊之導電體部分A 1 之間產生絕緣的絕緣部來使用。又，只在芯材之周圍的一 部分形成導電體部分A2。該導電體部分A2則當作用於將 在各薄片所形成的電感器中的電路的一部分加以連接之連 接用的導電體部分，亦即，所謂的柱（POST)來使用。 · 如上所述，薄片L4在其內部具有芯材、被捲繞在芯 材之大略半周之電感器中的電路的一部分、用於將該電路 的一部分與其他薄片之電路的一部分加以連接的柱、使在 各薄片之電路部彼此之間產生絕緣的絕緣體、用於與芯材 一起增加磁束量而被配置在電感器之周圍的絕緣體、以及 其周圍的保護材部分。事先製作多個具有該構成的薄片， 、 藉著將各薄片中的電路部的端部與柱之端部分別呈連續地 加以連接而積層。而形成如圖3所示的電感器。 -19- (16) 1236320 (電子零件製造用的薄片形成方法具體例） 接著請參照圖5 A-圖5 C所示之流程圖來說明在實際 上形成圖4A及圖4B所示之薄片L4時的過程。在流程圖 中所示之各圖，如圖4A及圖4B所示，表示在各過程中 的薄片的斷面。亦即，圖5 A爲沿著在圖4A及圖4B的線 I-Ι來切斷薄片L4時的斷面、圖5B爲在線II-II的斷面、 圖5C爲在線ΙΙΙ-ΙΠ的斷面，分別表示各形狀的變化。又 ’至於與在上述之圖1或圖2我示之實施例中的構成同樣 的構成則使用相同的符號。 首先’在已經實施了導電處理的支撐體1的表面上藉 由電著處理形成有由正片型光阻劑所構成的層3，而得到 步驟1 〇 1之狀態的薄片。接著則進行經由未圖示之第1 掩罩而藉由紫外線等實施之正片型光阻層3的曝光處理、 以及顯像液的顯像處理。第1掩罩具有讓與在圖4A及圖 4B中的低介電體率材部分B對應的領域曝光的形狀。藉 由該處理只除去在正片型光阻層3中被曝光的部分，而在 支撐體1上形成未曝光的正片型光阻層3與第1空間部分 5 (步驟1〇2)。針對第1空間部分5，藉由電著處理形成由 低介電體率材料所構成的部分7 (步驟1 〇 3 )。此外，低介 電體率材部分7的形成厚度則大略與正片型光阻層3的厚 度相同。該低介電體率材部分7則對應於薄片L4中的低 介電體率材部分B。 在形成好低介電體率材部分7後，則針對未曝光的正 片型光阻層3進行經由未圖示之第2掩罩的曝光處理、以 -20- (17) 1236320 及顯像液的顯像處理。第〗掩罩具有讓與在圖4 A及圖4 B 中的高透磁率材部分C 1及C2對應的領域曝光的形狀。 藉由該處理除去在正片型光阻層3中之被曝光的部分，更 形成有第2空間部分9(步驟104)。 針對第2空間部分9，藉由電著處理形成由高透磁率 材料所構成的部分1 1 (步驟1 〇 5 )。此外，高透磁率材部分 1 1的形成厚度則大略與正片型光阻層3的厚度相同。在 斷面II-II中之中央部的高透磁率材部分1 1則對應於在薄 片L4中之電感器等的外周的部分C2。 接著·，針對殘存之未曝光的正片型光阻層3，更進行 經由未圖示之第2’掩罩的曝光處理、以及顯像液的顯像 處理。第2’掩罩具有讓與在圖4A中的低透磁率材部分 〇對應的領域曝光的形狀。藉由該處理除去在正片型光阻 層3中之被曝光的部分，而在支撐體1上形成未曝光的正 片型光阻層3與第1空間部分5(步驟102)，更形成第2’ 空間部分12(步驟106)。針對第2’空間部分12藉由電著 處理形成由低透磁率材部分14(步驟107)。此外，低透磁 率材部分14 ,則在薄片L 4中，對應於圖4 Α中的低透磁 率材部分D以及位在其上面的圖4B中的低透磁率材部分 D 〇 更且，針對殘存之未曝光的正片型光阻層3，更進行 經由未圖示之第3掩罩的曝光處理、以及顯像液的顯像處 理。第3掩罩具有讓與在圖4A中的導電體部分A1對應 的領域曝光的形狀。藉由該處理除去在正片型光阻層3中 -21 - (18) 1236320 之被曝光的部分，更形成第3空間部分1 3 (步驟1 0 8 )。 針對第3空間部分1 3藉由電著處理形成由第1導電 ^ 體所形成的部分1 5。此外，在本實施例中，在形成第1 導電體部分1 5時，其形成厚度則較正片型光阻層3的厚 度爲薄，而讓第3空間部分1 3殘存在第1導電體部分1 5 的上部（步驟109)。第1導電體部分15則對應於薄片L4 中之導電體部分A 1。 針對該第3空間部分i 3的殘存部分，藉由電著處理 鲁 再度形成由正片型光阻劑所形成的第2層17(步驟110)。 此時’第2正片型光阻層17最好是被形成爲使其最表面 ㊆夠與低介電體率材部分7等的表面成爲一致爲止。針對 第2正片型光阻層17進行經由未圖示之第4掩罩的曝光 處理、以及顯像液的顯像處理。第4掩罩具有讓與在圖 4B中的低透磁率材部分d對應的領域曝光的形狀。藉由 該處理除去在正片型光阻層3中之被曝光的部分，更形成 第4空間部分19(步驟1 1 1)。 鲁 針對第4空間部分i 9藉由電著處理形成由低透磁率 材料所形成的部分2 1 (步驟1 1 2 )。此外，在本實施例中， 低透磁率材部分2 1則被形成爲使其最表面能夠與正片型 光阻層3、低介電體率材部分7等的表面大略呈一致爲止 。低透磁率材部分2 1在薄片L4中，對應於圖4B中的低 透磁率材部分D。之後，針對殘存的第2正片型光阻層 、 1 7進行曝光處理、以及顯像液的顯像處理。藉由該處理 除去殘存的第2正片型光阻層1 7中，而形成第5空間部 -22- (19) 1236320 分2 3 (步驟1 1 3 )。 針對第5空間部分2 3藉由電著處理形成由第2導電 體所形成的部分2 5。此外，在本實施例中，第2導電體 部分2 5則被形成爲使其最表面能夠與正片型光阻層3、 低介電體率材部分7等的表面大略呈一致爲止。又，在本 實施例中，構成第1導電體部分1 5的材料與構成第2導 電體部分2 5的材料是相同。從由以上的過程所得到的薄 片，藉著除去已剝離及殘存支撐體1之正片型光阻層3, 可得到在實際上形成電子零件時會成爲素材的薄片L4。 藉著得到以上的構成，可以提供具有較以往的積層陶瓷電 感器更優良特性的電感器。 根據本發明，可將不同之各種的材料形成在同一個的 薄片內。因此，可以構成如圖3所示之電感器，可以製造 出浮游電容、串擾等更降低，且可達成小型化及高積體化 之積層型的電子零件。又，雖然在圖中未明示，但藉著利 用本發明之薄片，可以在形成電感器時，用於將電感器本 體端部連接到外部端子之配線的配置則可依據任意的配置 來拉線。 因此，很容易將該些配線部的配置加以最佳化。亦即 ，藉著使用本發明的薄片， 具有a)可提高電路設計得自由度而能高積體化。b) 即使是在形成複合電路零件時，即使在製造具有同等特性 的電子零件時，可以減少積層層數，也可以達成作爲電子 零件的小型化。更且，c)隨著層數的減少，可以減少層間 -23- (20) 1236320 的配線的連接’而提高信賴性，更者，可以縮短到完成電 子零件爲止的過程數的效果。 此外，有關本發明的薄片的形成方法雖然已經說明， 但在此所述的支撐體等、各種材料並未特別限定。支撐體 可以使用不銹鋼系的薄板、在表面上已經過導電處理的 PET薄膜、在表面上已經過導電處理的玻璃基板等的各種 的材料。又，雖然對支撐體表面實施脫模用的處理，但該 處理也可以是形成Ni-PTFE、不銹鋼粉末與鐵弗龍樹脂或 矽樹脂等的混合複合覆膜的表面。 又，在形成導電體部之電著過程中所使用的金屬粉可 以使用Ag、Cu、Ni等的粉體。有關正片型光阻劑，在本 實施例中雖未特別限定，但最好是考慮到其黏度、感光性 等因素，而從各種的材料適當地選擇導電體、絕緣體等的 材料。又，在上述的薄片形成方法中，連形成導電體部分 也可以採電著形成方式。然而，當不需要形成材料時，則 可以藉著以作爲電著技術之一的鍍覆來形成該導電體部分 ，而導電體部分幾乎只由金屬所構成。 又，本發明之薄片中的各部分及正片型光阻層則分別 利用電著技術進行其形成過程。然而，本發明並不限定於 此，也可以採用塗佈糊料等一般在形成膜時所使用的各種 的方法。然而，如上所述，有關形成導電體部分，就提高 導電性的觀點來看，最好是使用鍍覆等的技術。而最好是 構築出其製造過程以利用鍍覆等來形成導電體部。 又，’本發明之薄片形成方法’雖然是藉著使用正片型 -24- (21) 1236320 光阻劑而得到上述各種的效果，但本發明的內容並不限定 於上述的實施例。例如在形成元件時，針對未特別要求圖 案精度的部分，也可以部分地與以往技術同樣地利用負片 型光阻劑的圖案來形成，也可以同時利用正片型光阻劑與 負片型光阻劑。 本發明的薄片形成方法，亦即，藉著針對正片型光阻 層進行曝光、顯像以及針對由顯像所得到的圖案空間實施 電著形成所期望的材料而反覆地實施各處理的方法，可以 得到一將在XY方向上3種以上或Z方向上多種的不同材 質所構成的部分高精度地配置在其內部的薄片。又，針對 由正片型光阻劑單體所構成的層實施曝光及顯像的處理而 形成圖案空間，藉此，圖案的厚度與其寬度的比，亦即， 縱橫比在1以上，而爲1.0 - 1 . 5，亦即，相較於以往可得 到約1.5-3.0倍的圖案。 又，根據本發明，由於可以高精度地及高的位置精度 地形成各種圖案，因此，具有a)可提高電路設計得自由 度而能高積體化、b)針對薄片層，藉由電路的高積體化 可以減少積層層數，而達成作爲電子零件的小型化、c)隨 著層數的減少，可以減少在各層間的連接位置，而提高信 賴性，更者，可以縮短過程、d)可將各種材料形成在更 適當的位置，而能夠提高作爲積層型電子零件的性能、e) 藉由該些的效果的累積可以提高在電子零件之製程中的成 本執行效·率的效果。 更且，由於可以得到尺寸經度等高的薄片，因此，更 -25- (22) 1236320 具有f)也可以提高在各薄片中之層間連接構件間的位置 精度，而提高連接信賴性、g )可以將層間連接構件的形 狀最佳化成更小、以及h)可將層間連接構件設在具有厚 度的薄片內，相較於以往考慮與層間連接構件有關之部分 的強度的設計等，可以提高其自由度，更且，藉由操作 (handling)安定化，更可以提高積層精度等的效果。 又，由於藉由電著等的處理只在必要的部分形成層， 因此不會浪費材料，且可降低成本。更且，由於是在形成 好各種的薄片後，將該些實施積層而得到電子零件，因此 ’可以根據電子零件所要求的特性來變更所積層之薄片的 種類或是積層形式。因此，藉著利用本發明，很容易構築 出能夠應付多樣少量之生產的電子零件的製程。 此外，利用由具有所期望之電氣特性的粉末與有機系 的黏合劑所構成之所謂的負片型光阻劑所構成的糊料，而 進行圖案化與電著處理的習知技術，其所得到的圖案精度 相較於本發明明顯爲差。然而，藉著根據製品的要求精度 ，例如電氣特性之變動的容許値，而部分地使用利用本發 明之正片型光阻劑的過程，則可以部分地得到上述的效果 【圖式簡單說明】 圖1爲表示本發明之薄片形成方法的流程圖。 圖2表示本發明之薄片形成方法的流程圖。 圖3表示利用由本發明所得到之薄片來製作之積層電 -26- (23) 1236320 感器的斷面槪略的說明圖。 圖4A表示將圖3所示之電感器在線4A_4A所切斷而 從上面來看時所得到之狀態的槪略情形的說明圖。 圖4B表示將圖3所示之電感器在線4B-4B所切斷而 從上面來看時所得到之狀態的槪略情形的說明圖。 圖5 A表示形成圖3所示之薄片L4之過程的流程圖 〇 圖5 B表示形成圖3所示之薄片L4之過程的流程圖 〇 圖5 C表示形成圖3所示之薄片L4之過程的流程圖 $要元件對照表 1 3 支 正 7 低 9 第 1 1 高 13 第 1 5 第 17 第 1 9 第 21 低 23 .第 撑體 片型光阻層 介電率材料部分 2空間部分 透磁率材部分 3空間部分 1導電體部分 2層 4空間部分 透磁率材部分 5空間部分

-27- (24) (24)1236320 25 第2導電體部分 L 1〜L 8 薄片 A (Al、A2) 導電體部分 B 第1絕緣體部分 C (Cl、C2) 第2絕緣體部分

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Claims (1)

1. (1) 1236320 拾、申請專利範圍 1. 一種薄片形成方法，主要是一在形成積層型的電子 零件時用作爲各層的薄片形成方法，其特徵在於： 在支撐體上附著一定厚度之經曝光的部分可藉由顯像 液而被除去之感光性物質的過程； 針對上述感光性物質實施用於形成一定圖案的曝光處 理，且實施將經過曝光處理的圖案藉由上述顯像液進行顯 像除去的處理，實施可針對已除去上述感光性物質的部分 附著具有所希望之電氣特性的物質，而在上述支撐體上形 成上述薄片或上述薄片的一部分的過程及； 從上述薄片除去上述支撐體的過程。 2 .如申請專利範圍第1項所記載之薄片形成方法，由 上述曝光處理、顯像處理及附著處理所構成的過程乃反覆 多次。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載之薄片形成方法，在 由上述曝光處理、顯像處理及附著處理所構成的過程中包 含有換成上述具有所希望之電氣特性的物質，而附著上述 感光性的物質的處理。 4 .如申請專利範圍第1項所記載之薄片形成方法，更 包含有： 未被曝光的部分可藉由顯像液來除去，而讓具有所希 望之電氣特性的感光性的物質附著的過程及； 由讓上述具有所希望之電氣特性的感光性的物質曝光 及顯像，而形成圖案空間的處理、與讓具有所希望之電氣 -29 - (2) 1236320 特性的物質更者感光性的物質附著在上述圖案空間的處理 所構成的過程。 5. —種薄片，主要是一在形成積層型的電子零件時用 作爲各層的薄片， 具有由磁性體材料、介電體材料、導電體材料或光阻 材料之中選擇之至少3種不同物性的材料所形成之部分， 在形成上述部分之際，進行經曝光的部分可藉由顯像液而 被除去之感光性的物質的附著處理、上述感光性物質的顯 像處理、以及可將上述部分的至少一個附著到由上述顯像 處理所得到的空間部的附著形成處理， 在上述部分之內，在厚度最厚的部分的厚度與寬度的 比在1以上。 6. 如申請專利範圍第5項所記載之薄片，在上述薄片 延伸的平面方向分別形成由磁性體材料、介電體材料、導 電體材料或光阻材料之中選擇之至少3種不同物性的材料 所形成之部分。 7·如申請專利範圍第5項所記載之薄片，在上述薄片 的厚度方向形成由磁性體材料、介電體材料、導電體材料 或光阻材料之中選擇之至少3種不同物性的材料所形成之 部分。 8.—種溥片，主要是一在形成積層型的電子零件時用 作爲各層的薄片， 具有： 具有較正片型阻劑層之厚度爲薄之厚度，且被形成在 -30- (3) 1236320 第1導電體部分的導電性的內部電極； 具有第2導電體部分之厚度，且被形成在上述第1導 電體部分上’而較上述第1導電體部分爲小的第2導電體 部分的導電性的柱及； 包括有上述內部電極及上述柱的絕緣性的物質， 至少上述柱是藉由由被曝光的部分可藉由顯像液來除 去之感光性的物質附著的過程、上述感光性的物質的曝光 處理、及上述感光性的物質的顯像處理、以及將導電性的 物質附著在由上述顯像處理所構成的空間部的附著處理所 形成的過程所形成， 上述內部電極及上述柱內之至少一者的形成厚度與其 寬度的比例在1以上。

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