TW576754B - Catalysts for oxychlorination of ethylene to 1,2-dichloroethane - Google Patents

Description

576754 五、 發明說明 ( 1 ) 本 發 明 係 關 於用 於將乙烯氧氯化成二氯乙院（D c E)之 觸 媒 其 藉 由 在局 溫於流體床中作業可提供高轉化率而 不 犧 牲 •ί巳B 进 擇 性 ，及 使用此觸媒之方法。 二 氯 乙 院 爲 用於 製造氯乙稀及其PVC過程中之重要中 間 產 物 而 PVC係 最廣爲使用之塑膠材料之一。 各 種 技 術 已 用於 氧氯化反應。反應器可爲固定床或流 體 化 床 型 式 > 及使 用空氣及/或氧作爲氧化劑。 流 體 化 床 法 優於 固定床法，因爲其提供許多優點：較低 之 反 應 器 投 資 成本 (因爲其不由鋼製成）、幾乎是等溫地 熱 〇 分佈 而 Μ 熱 點（ 3此具有高選擇性及有限之老化現象） 流 體 化 床 法 使用 以銅鹽爲主之觸媒（較佳爲CuCl2) 混 合 各 促 進 劑 ，如 鹼金屬、鹼土金屬與烯土金屬之鹽。 撐 體 係 基 於 氧 化鋁 或各種矽酸鋁（矽鎂土、微晶高嶺土 矽 膠 黏 土 等） ;具有適合良好流體化之粒徑度之氧 化 鋁 通 常 較 佳 〇 觸 媒 必 須 提 供以 下之性能： — 藉 令 人 滿 意之 選擇性及高活性（氫氯酸之高轉化率 ) 確 定 二 氯 乙 院之 最高可能產率； — 可 以 良 好 流體 化條件作業，避免黏附（由於具有低 熔 點 之 聚 合 形 式C uCl2所造成之黏附）；黏附可藉由降 低 HC1 與 乙 烯 間之 比例而避免，但是顯然其不可避免地 降 低 二 氯 乙 烷 產率 > 避 免 活 性 元素 及促進劑之損失，除了降低觸媒活性 -3- 576754 五、 發明說明 ( 2) 之 外 1 亦 爲 考 里 處 理 放 流 水 之污染 問 題； 一 提 供 高 彈 性 其 爲 可 局 度適應 市 場需求之製造；在 此 情 形 使 觸 媒 可 在 較 局 溫 度作業 而 不犧牲選擇性及不 增 加 活性 元 素 與 促 進 劑 之 損 失爲必 要 的。 巨 刖 5 最 具 兄兄 爭 性 之 流 體 化床法 爲 使用氧作爲氧化劑 • 在 此 情 形 反 應 以 部 份 轉 化進行 9 因此再循環未轉化 乙 烯 及 氧 氯 化 反 應 中 之 副 產 物二氧 化 碳。此技術具有一 些 重 要 之 優 點 ： 實 質 上 完 全 氫氯酸 之 轉化；乙烯之效率 平 均 比 在 空 氣 中 之 方 法 所 得 到爲高 ( 因爲乙烯完全轉化 ) 急 劇 性地 減 少 散 發 至 大 氣中（ 通 氣）之不可冷凝氣 體 Μ立 因 爲 其 不 需 如 空 氣 法 之 情形一 樣 自循環氣體中排除 ， 而 是 氮 隨 著 空 氣 — 起 供 應 0 由 於 低 量 ^rrr Μ 毒 性 氯 化 之 氮 化合物 散 發至大氣中，此態 樣 對 環 境 影 響 特 別 重 要 9 通 氣輸出 可 無需其他昂貴之處 理 而 送 至 大 氣 中 〇 相 對 於 空 氣法， 另 一個優點爲排除吸 收 及 汽 提 含 於 離 開 系 統 之 氣 體中之 二 氯乙烷之部份。 影 響 反 應 產 率 之 —* 個 重 要 參數爲 進 入反應器之反應氣 體 混 合 物 中 之 HC1/C 2H4之莫耳比例： 此比例並非化學 計 量 (2)， 但是在空 1秦 ；中 丨接 ?近化學 丨計 •量係數（1.9-1.96)及 在 氧 法 中 1 .7 至 1.9, 因爲乙烯濃度亦包括隨再循環 氣 體 反 饋 至 反 應 器 之 乙 烯 Ο 在 空 ：氣 ，法 :中 高 HC1/C 2 Η 4比例： ，則選擇性通常很高 5 但 其 氫 氯 酸 轉 化 率 及 去 流 體化性 受 到限制。 在低 HC1/C 2H 4莫耳比例之氧法中， -4- 氫氯酸轉化率受

576754 五、發明說明（3) 益，但是不幸地亦助長燃燒成碳氧化物之反應，如此造 成選擇性之損失，而其導致較高之乙烯比消耗量。 爲了補償此態樣，流體化床之溫度通常保持低溫（2 1 0-225°C):以此方式，反應之最終產率高於98莫耳％(所 製造DCE莫耳數相對於進料乙烯莫耳數）。此系統之比 生產力爲低。 此事實與目前之技術趨勢對比：D C E製造者趨於增加 系統之比生產力而不憑藉繁重之新穎反應器投資。因此 ，輸入反應器之試劑之流率增加，結果降低試劑轉化率 (特別是氫氯酸），而且如此造成方法產率降低亦造成由 未轉化氫氯酸引起之嚴重腐蝕問題。爲了克服此問題， 流體化床之溫度增加，但是如此造成燃燒反應增加及形 成不希望之氯化副產物，其係無法以減少停留時間作爲 補償。 因此，在此領域仍有得到在氧法及空氣法中均可在高 溫（> 23 0 °C)下提供高選擇性之氧氯化觸媒之強烈需求。 各種專利文獻中公告之專利曾揭示在高溫具有高選擇 性之觸媒。 例如，EP-A-5 82 1 65申請案揭示一種基於銅鹽之觸媒 ，其包括各種促進劑（Mg、K與烯土族之鹽）。據稱三種 促進劑之協同作用可得到良好之選擇性。 最大作業溫度爲240 °C ;乙烯相對於純二氧乙烷之選 擇性爲94.98莫耳％ ;相對於燃燒產物之選擇性爲3.86 莫耳％。相對於三烷（1,1,2-三氯乙烷一乙烷，最重要氯 576754 五、發明說明（4) 化副產物）之選擇性爲0.7 1 %。在空氣法之條件下進行催 化測試；關於氧法則無資料。撐體浸漬法爲”濕式"（即 ’不使用以等於或小於基質孔隙度之水溶液體積的乾燥 浸漬法）。 美國專利5,227,548揭示一種包括氯化銅及Mg與K 之氯化物之觸媒，其具有降低乙烯燃燒成C0與C02之 協同效果。用於此實例之製法爲濕式浸漬；使用具有 0.3之Mg/Cu比例之觸媒。 美國專利夂5 27,73 4揭示一種包括支撐在γ-氧化鋁上 之氯化銅及Mg與Cs之氧化物之觸媒，其中Mg/Cu之 原子比例爲至少〇. 3且可達2.6，但是較佳爲不超過1 . 5 而且更佳爲1。 爲了避免弄髒用以冷卻流體化床之管表面，組合使用 M g與C s氯化物爲必要的。 觸媒之Cu含量較佳爲5-6重量％。此含量高：其利於 黏附及不希望之反應（燃燒及形成豐富之1，1，2-三氯乙烷 ;觸媒以乾燥浸漬法製備，但是不使用酸溶液（氫氯酸 或其他之酸））。 美國專利4,587,230揭示一種包括0.2-1.1之Mg/Cu 比例之氯化銅及Mg氯化物之觸媒，其中Cu原子配置 於觸媒顆粒較內部而非在其表面（X/Y比例爲至少1 .4 ’ 其中χ =觸媒中之Al/Cu’及Y =在表面之Al/Cu)。 使用Cu與Mg之鹽於氫氯酸或其他酸之酸溶液（每克-原子Cu爲1當量之量），或藉由以Mg氯化物之酸溶液處 576754 五、發明說明（5) 理含商業型式Cu之觸媒，而藉乾燥浸漬實行製備。 Mg/Cu比例較佳爲0.5-0.8:1 觸媒在至多23 0°C之溫度具有良好之DCE選擇性。 現在已令人驚奇地發現，可得到用於將乙烯流體化床 氧氯化成1,2-二氯乙烷（DCE)之觸媒，其可提供比迄今 已知觸媒較佳之性能（特別是在高溫之選擇性）。 依照本發明之觸媒包括支撐在氧化鋁上，以Cu表示 爲2至6量重％之銅化合物，較佳爲氯化銅，及鎂化合 物，較佳爲氯化物，其特徵爲： 一等於或大於1.2，較佳爲1.3至2之Mg/Cu莫耳比 例； -較多在觸媒顆粒內部而非在表面上（20-30埃之層） 之銅原子分布，及較多在顆粒表面（20-3 0埃之層）而非 在內部之鎂原子分布； —30至130平方米/克，較佳爲70至100平方米/克 之觸媒比表面積。 此外，已發現使用含少於50ppm源自鈉化合物（以Na 表示）之雜質之γ-氧化鋁，較佳爲少於lOppm，提供更 穩定（較不易粉碎）、具有高耐磨性、在反應時不產生因 旋風分離器及/或沉積在床冷卻管上而損失因此阻礙熱 交換及反應之控制之細粒觸媒。 如已所示，觸媒可在非常高之溫度作業，較佳爲高於 235 °C，特別是240至265 t，而不損及觸媒之DCE選擇 性。在較高溫可提供比通常所使用爲大之熱交換可大爲 576754 五、發明說明（6) 增加系統之生產力。對於同等之生產力，所使用冷卻管 之表面較小因此反應器較小。該觸媒在高溫下製得而不 配合D CE之選擇性。其觸媒之較高活性僅可使用在少 數之觸媒中。 此外，觸媒可： -在工業使用中亦藉由以高Cu/C莫耳比例作業而避 免黏附，及活性化合物與促進劑之損失； -經旋風分離器而在操作時降低細粒及銅化合物之損 失； -無需修改反應器，藉由增加試劑之總流率而增加二 氯乙烷製造。 觸媒較佳爲以乾燥浸漬法製備，即，藉由使用等於或 小於基質多孔度之溶液體積。 使用較佳爲每克-莫耳Cu等於1-2當量之氫氯酸及/ 或其他強酸之酸溶液。 將溶液噴灑在置於保持轉動下之容器中之氧化鋁上， 或亦在流體化床中作業。 浸漬後，例如，觸媒在1 3 (TC乾燥一夜。 使用之鹽較佳爲氯化物，但是亦可使用其他鹽，如硝 酸鹽與碳酸鹽，只要其可溶解。 銅與鎂分布之測定以XPS(X-射線光穿透光譜術）法實 行。此法測量Cu與Mg原子之表面濃度（20-30埃之層） ，即，Al/Cu與Al/Mg之表面比例。 對於此方法之其他資訊，可參考美國專利4,5 8 7,23 0 576754 五、發明說明（7) 與 4,8 7 1 ,7 0 7。 特別地，在依照本發明之觸媒中，X =表面之Al/Cu 及Y =觸媒內之Al/Cu，使得X/Y比例大於ΐ·2且可達 2·7(對於2之Mg/Cii原子比例）；表面之Al/Mg = Z及V = 觸媒內之Al/Mg，使得V/Z比例爲1.5至3。特別地， 對於約4重量°/〇之C u含量及2 . 1至2 · 3重量％之M g含 量及1.3至1.4之Mg/Cu比例，X/Y比例爲1.4至1.6。 觸媒中銅化合物之含量以Cu表示較佳爲4-5重量％。 作爲撐體之氧化鋁具有80至200平方米/克之表面積 ，並且選擇使得觸媒具有60至110平方米/克之面積。 孔之體積爲0.4-0.5克/公升；粒徑分布較佳爲使得觸媒 中40微米以下之部分爲50至80重量°/◦，及實質上排除 2 0微米以下之部份。 本發明範圍之方式提供以下之實例但不限於該描述。 觸媒製法之說明 各種觸媒係藉由使用具有指定特徵之γ-氧化鋁製備， 如表面積（80至200平方米/克）、孔體積（0.4-0.5克/公 升）、純度（Na<2ppm，Fe<15ppm)，及粒徑分布’如 表中所定義。將氧化鋁稱重然後以相當於孔體積之約 90%之體積之含銅鹽與促進劑溶液浸漬。使用之鹽通常爲二 水合氯化銅（CuC12*2H20)及六水合氯化鎂（MgCl2*6H20)。 將對100克氧化鋁爲2.5克之量之HC1(3 7重量％之HC1)加 入溶液。 鹽溶液係藉由將該鹽溶於蒸餾水及藉由以摻合加熱利 576754 五、發明說明（8) 於溶解而製備；然後將溶液噴灑在置於藉燈籠齒輪保持 轉動之圓柱形廣口瓶（容積10公升，由玻璃或石英製成） 中之氧化鋁上。緩慢地實行操作以利於完全均化。 在浸漬後，觸媒在130°c乾燥一夜然後裝入反應器中。 使用之鹽通常爲氯化物，但是可使用其他鹽，如硝酸 鹽、碳酸鹽等，只要其可溶解。 浸漬可在圓柱形容器中或在流體化床中實行。 將如此製備之觸媒化學上及物理上特徵化；其特徵列於 表1。此外，以XPS法實行測定以證驗銅與鎂之分布。 用於催化測試之裝置之說明 用以測定各種觸媒之性能之裝置由玻璃反應器、控制 進料及試劑劑量之系統、冷凝及回收可冷凝產物（DCE、 含HC1之H20、氯化副產物）之冷卻系統組成。測量不 可冷凝產物（N2、02、CO、C02、Ar)，以氣相層析術分 析及釋放至大氣中。在測試中（持續至少1小時），在二 相收集冷凝產物，水相與有機相。將二相分離及稱重： 藉酸性滴定測定水相中之未回收氫氯鹽，及藉氣相層析 術分析有機相以測定DCE純度且證驗所形成氯化副產 物之量（特別是1，1，2-三氯乙烷）。如所述，測量不可冷 凝氣體及藉氣相層析術分析以測定C2H4、C02、CO、〇2 與N2。以此方式可得完全平衡及測定觸媒性能，如氫氯 酸與乙烯之轉化、乙烯與氫氯酸成爲DCE之選擇性、及 DCE之純度。 反應器之尺寸爲：內徑37毫米，高度300公分。 -10- 576754 五、發明說明（9) 測定在壓力下（4 at a)，9-1 1公分/秒之線性速度，及 200至265 °C之作業溫度進行。以0.97-0.99之C1/C莫耳 t匕例進行以空氣作爲氧化劑之測試，及以〇2爲氧化劑（ 有再循環之方法）則爲〇.88_0.92。 此實驗級反應器可供作推及工業級反應器之性能。 實例1 依照上述方法製備具有4.1 5%之Cu含量與2.12%之 Mg含量之觸媒。Mg/Cu比例爲1.336。 使用之撐體（對所有比較實例之觸媒均相同）具有以下 之特徵： 一表面積：1 80平方米/克； 一孔體積·· 0.45毫升/克； 一粒徑在63至40微米之部份：40重量％ 一粒徑小於4 0微米之部份：3 2 % 觸媒之特徵歸納於表1，其亦列出關於實例2與3及 比較例1與2之觸媒體之數據。此表亦報告關於以χρ S 測定之C u與M g原子分布之値’其顯不隨M g / C11比例 增加，較不利於在顆粒內部（在任何情形均偏好分布於 顆粒內部）而非在表面上之銅分布’而鎂則與Cu相反， 分布較偏好於在表面上。 所有觸媒在以下之條件下於試行設備中測試： 一 Cl/C = 0.89-0.9 一 O2/C2 = 0.53-0.56 一壓力=4 ata -11- 576754 五、發明說明（1〇) 一接觸時間=18-20秒 一線性速度=1 〇公分/秒 反應條件爲典型氧化法；其在各種觸媒之測試時儘可 能保持固定以獲得有意義之比較。 在三種溫度（23 5、24 5與2 5 5 °c)進行之各種測試之結 果列於表2。Mg/ Cu比例增加之正面影響明顯：氫氯酸 之轉化增加，DCE選擇性由於減少燃燒反應及形成氯化 副產物而改良：以此方式可在較高溫度作業而不犧牲選 擇性。 以實例2與3之觸媒已得到其他之改良。 1 .以如實例1及比較例1與2之觸媒之相同撐體製備 實例2之觸媒，差別爲表面積降至8 3平方米/克。 2.以具有不同粒徑之撐體製備實例3之觸媒，其中小 於40微米之部份爲59重量°/。。 亦列於表2之結果顯示兩種變化進一步改良性能。 比較例1與2 如實例1製備及測試觸媒，唯一之差別爲，在比較例 1，Mg/Cu比例爲0.676，及在比較例2爲0.988(相同之 化學、物理與粒徑特徵參見表1，及催化測試之結果參 見表2)。 實例2與3 如實例1製備及測試觸媒；唯一之差別爲，在實例2 ，Mg/Cu比例爲1.402，及在實例3爲1.391，及在實 例3之觸媒，小於4 0微米之顆粒部份爲5 9重量％，而 -12- 576754 五、發明說明（11 ) 且兩種觸媒之表面積各爲83與98.7平方米/克（兩種撐 體之表面積爲150平方米/克）。 實例3之觸媒3亦比較實例1之觸媒。在空氣法之條 件以0·97-0·99之C1/C莫耳比例作業而進行測試。測試 結果證實小於40微米之部份之正面影響。發現觸媒之 流體動力行爲令人滿意：未發現到黏附。 -13- 576754 五、發明說明（12) Γ5 實例3 4.33 2.30 1.391 22.82 38.47 1.69 16.40 8.83 0.54 1.86 |98.7 1.77 丨 2.77 0.20 40.53 cn 〇 寸· — un m On (N rn 實例2 4.29 m <N 1.402 23.06 33.4 16.45 6.68 0.41 2.46 m oo f-H 2.75 0.20 149.29 oo … :23.2 38.4 |31.6 O o 實例1 i 4.15 2.12 1.336 24.13 38.8 1.61 18.07 7.00 0.39 2.58 m CN H 1.79 2..85 0.21 (33.79 Ο rn |21.5 r—H 29.4 o o 比較2 4.10 1.55 0.988 25.12 m vn 2.11 25.41 9.14 0.36 2.78 (N vq r^H 13.15 |〇.308 49.2 ν〇 d o 23.8 41.7 28.9 o o 比較1 3.92 1.013 0.676 27.05 |52.4 寸 On 43.83 9.73 0.22 4.50 沄 r-H 00 in t—H 3.19 0.32 ▼Η Os 00 〇· 寸· [19.2 37.2 o o 觸媒 化學組成 %W %W 原子比例 CO Ph >< 陌 1原子比例 原子比例 原子比例 原子比例 物理特徵 ___________________ (N B |i 1 Ή Ξ 'Sb I ε < 顆粒分佈 =1 du =1 =L =L =i. P U u 1 m m Wn u < X 〇 < X/Y m tspn m c IS) 00 toO < z/v V/Z 表面積 視密度 實際密度 孔體積 平均半徑 > 125 125-90 90-63 63-40 <40 <20

-14- 576754 五、發明說明（13 ) 表2 測試之固定條件 壓力(ata) 4 C1/C，莫耳比例 0.89-0.9 〇2/c，莫耳比例 0.53-0.56 接觸時間(S) 18-20 線性速度(cm/s) 10 溫度。C 235 觸媒 轉化率 選擇性 DCE純度 l g率％ % C2H4化爲以下之莫：! ϊ% 莫耳0/〇 ] 莫耳 HC1 DCE COx ( :2¾化爲 I )CE 比較例1 99.76 94.6 4.81 ( 3.221 99.42 S )4.5 比較例2 99.64 95.7 3.79 ( 3.219 99.53 S )5.6 實例1 99.78 96.6 2.93 ( ).208 99.53 S )6.5 實例2 99.01 98.1 1.01 ( ).164 99.56 S )8.0 溫度 °C 245 觸媒 轉化率 選擇性 純度 產率 % C2H4化爲以下之莫ί Ρ/ο DCE % HC1 DCE COx 三烷 C2H4代爲 DCE 比較例1 99.4 94.2 5.09 0.298 99.29 94.1 比較例2 99.4 94.7 4.68 0.278 99.33 94.6 實例1 99.6 95.6 3.76 0.287 99.35 95.5 實例2 99.3 97.0 2.43 0.285 99.38 96.9 實例3 99.2 97.6 1.81 0.26 99.39 97,5 溫度 °C 235 觸媒 轉化率 乙烯選擇性 DCE純度 產率％ % 莫耳％ 莫耳 HC1 DCE COx 三烷 C2H4 化 爲 DCE 比較例1 97.7 93.6 5.52 0.428 99.04 93.5 比較例2 98.9 94.6 4.49 0.375 99.20 94.5 實例1 99.0 94.6 4.76 0.373 99.29 94.5 實例2 98.9 96.5 2.80 0.368 99.26 96.4 實例3 98.9 96.66 2.70 0.320 99.35 96.6 -15-

Claims (1)

1. 576754

   六、申請專利範圍 第91 121841號「用於將乙烯氧氯化成1 ,2-二氯乙烷之觸 媒」專利案 (9 2年1月修正） 六申請專利範圍： 1. 一種用於將乙烯氧氯化成1，2 -二氯乙烷之觸媒，其 包括支撐在氧化鋁上之Cu與Mg化合物’並且具有 以Cu表示爲2至8重量％之銅含量，其特徵在於 Mg/Cu原子比例爲1 . 2至2 . 5，其具有較多在觸媒顆 粒內部而非在表面上（ 20 - 30埃厚之層）之銅原子， 及較多在顆粒表面上（20-30埃厚之層）而非在內部 之鎂原子分布，又觸媒之比表面積爲30至130平方 米/克。 2. 如申請專利範圍第1項之觸媒，其中Mg / Cu比例爲 1 . 3至2，及銅原子分布爲使得X/Y比例爲1 . 2至 2 . 7(X爲表面之A1/Cu比例而Y爲觸媒顆粒內部之 A1 /Cu比例），及鎂分布爲使得V/Z比例爲1 . 5至 3(V爲觸媒顆粒內部之A1/Mg比例，Z爲表面之 A 1 / M g 比例）。 3. 如申請專利範圍第1或2項之觸媒，其中觸媒之比 表面積爲70 -1 00平方米/克。 4. 如申請專利範圍第1或2項之觸媒，其中觸媒之粒 徑分布爲小於40微米之部份佔50至80重量％，而 小於20微米之部份實際上不存在。 576754 六、申請專利範圍 5. 如申請專利範圍第1或2項之觸媒，其中銅化合物 爲氯化銅而鎂化合物爲氯化鎂。 6. 如申請專利範圍第1或2項之觸媒，其中撐體爲具 有使得雜質含量（以Na表示）小於1〇 ppm之γ_氧化 鋁。 7· —種藉流體化床氧氯化製備二氯乙烷之方法，其係 藉由使用進入反應器之反應氣體混合物中HC1/C2H4 之莫耳比例，當混入空氣中時爲1 · 9 - 1 9 · 6而混入氧 氣中時爲1 · 7 - 1 · 9，且係於空氣及/或氧作爲氧化劑 ，及在23 5至26 5 °C間之反應溫度作用，其中氧氯化 反應在如申請專利範圍第1至6項中任何一項之觸 媒存在下進行。 8. —種製備如申請專利範圍第1至6項中任一項之觸 媒之方法，其中氧化鋁以藉氫氯酸或其他強酸酸化 之C u與M g鹽水溶液，使用等於或小於氧化鋁多孔 度之水溶液體積浸漬。