TW497263B - Bipolar transistor - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497263 A7 _______B7_ 五、發明說明（1 ) 本發明涉及一種雙載子電晶體。 雙載子電晶體通常由二個相鄰之ρ-η接面形成於半 導體晶體中。二個η-摻雜之區域由一個ρ-摻雜之區 域所隔開（所謂ρηρ電晶體），或二個ρ-摻雜之區域由 —個η-摻雜之區域所隔開（即，ρηρ電晶體）。這三個 不同之摻雜區稱爲射極（Ε)，基極（Β)和集極（〇。雙 載子電晶體長久以來已爲人所知且用在很多方面中。 雙載子電晶體區分爲所謂單一電晶體（其安裝在電路 板上且設置在特定之外殼中）以及積體式電晶體，其 與其它半導體組件一起製作在一個共同之半導體載體 (通常稱爲基板）上。 除了雙載子電晶體之轉換（transit frequency)頻率 (其與極限（linmit)頻率有關）之外，基極電阻及基極-集極-電容是重要之電晶體參數，其可決定主要之特 徵値（例如，最大之振盪頻率，功率放大，最小之雜 訊比，閘極延遲時間及其它類似値）。 , 因此，近似値例如是： f 一 厂 /r 工 max : I- \Β/Γ X Rff X Csc 其中fmax是最大之振盪頻率，fT是轉換頻率，Rb 是基極電阻，Cbc是基極-集極-電容。 該轉換頻率是由電晶體主動區中之摻雜物質外型所 決定。反之，RbxCbc之積會受到電晶體佈局（layout) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ---τ---------暾-丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497263 A7 ___ B7 __ 五、發明說明（2 ) (即，幾何構造）所影響。 在目前已知之雙載子電晶體（例如，所謂矽-微波-電晶體）中通常使用一種電晶體佈局（如第1圖所示 者）。此種雙載子電晶體具有：至少一個由一個或多 個射極元件所形成之射極；一個或多個基極接觸區； 一個或多個集極接觸區。因此，至少一個射極，至少 一個基極接觸區以及至少一個集極接觸區互相在一種 指定之配置中形成此電晶體之佈局。 如第1圖所示，射極（E)可以是條形的，此種射極 條寬度由最小可能之微影術寬度所設定。這樣會造成 一種儘可能小之內部基極軌道電阻。爲了使整個基極 電阻最小化，則每一個射極條須由二個基極連接條（B) 所圍繞。大部份之情況是使用二個射極條，因此只需 三個（不是四個）基極條，因爲中間之基極接觸區可用 於二個射極條中。集極接觸區（C)形成在二個基極接 觸區旁邊。 上述之電晶體佈局就所設定之最小之微影術寬度而 言可提供最小可能之基極電阻。 藉由射極條之延長可使基極電阻變小，這是因爲基 極電阻Rb是與1/1E成比例，其中1E是射極長度。 基極-集極-電容CBC當然是與射極長度1E成比例， 使R B x c B C在第一'近似値中是與射極長度1 E無關。 在習知之雙載子電晶體中須選取整個射極面積，以 便在使用此種雙載子電晶體時可達成所期望之電流。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]〇χ297公釐） IJ ^----------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497263 A7 B7 _ 五、發明說明（3 ) 此種習知之雙載子電晶體例如可用在所謂自我對準 之雙-多晶砂技術中。 由習知之先前技藝開始，本發明之目的是提供一種 雙載子電晶體，其就其電晶體參數而言具有一種對習 知之解法是最佳化之電晶體佈局。 依據本發明，此目的是以一種雙載子電晶體來達 成’其具有··至少一個由一個或多個射極元件所構成 之射極；一個或多個基極接觸區；一個或多個集極接 觸區，其中至少一個射極，至少一個基極接觸區及至 少一個集極接觸區互相在指定之配置中形成此電晶體 之佈局。本發明之雙載子電晶體之特徵是：射極具有 至少一種閉合之射極組態，至少一個射極組態鄰接於 至少一個射極內部空間，設有二個或多個基極接觸 區，至少一個基極接觸區是配置在射極內部空間中， 至少另一個基極接觸區及至少一個集極接觸區是配置 在射極組態之外部。 以此種方式可達成一種最佳化之電晶體構造，其在 相同之設計規則（即，對技術之產生有相同之需求）時 可使RBxCbc之乘積較目前一般所用之電晶體佈局 (如第1圖所示及如上所述）者小很多。因此可改良此 雙載子電晶體之特性。特別是可藉由本發明之雙載子 電晶體大大地改良這些電晶體之高頻（HF)特性，例 如，較高之轉換（transit)頻率，最大之振盪頻率，以 及較小之雜訊比。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497263 A7 _________Β7____ _ 五、發明說明（4 ) 本發明之雙載子電晶體和先前技藝中已爲人所知之 雙載子電晶體之主要不同點是：不選取最小之基極電 阻RB所需之解法，而是使RbxCbc之乘積適當地最 佳化。這會使RB値稍微變大（如以下之說明書所 述），當然使基極-集極-電容C b c之値小很多時仍可 達成本發明之目的。 與目前已知之電晶體佈局不同之處是，現在須構成 此射極，使其具有至少一種閉合之射極組態。即，此 射極具有至少一種一般之元件，此種一般之元件限制 或圍繞至少一個射極-內部空間。在此射極-內部空間 中可存在至少一個基極接觸區。 本發明不限於本發明之射極組態用之指定之構造形 式。一些非唯一之舉例用之實施形式將依據圖式來詳 述。 本發明雙載子電晶體之較佳之實施形式描述在申請 專利範圍各附屬項中。 射極組態可有利地具有二個或多個射極元件，其互 相連接以形成一種閉合式之射極組態。 射極組態因此可具有二個或多個條形之射極元件， 其互相平行且互相隔開。此外，這些條形之射極元件 在其空著的末端分別經由一種以外部射極條構成之射 極元件而互相連接。若此射極組態使用多於二個條形 之射極元件，則此外部射極條可由適當數目之單一組 件所構成，這些單一組件全體構成外部射極條。與習 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) IT r----------------t---------M (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（5 ) 知之電晶體不同之處是，現在此射極不再只以條形方 式構成，而是此二個射極條由中間條所連接。 在其它形式中，在此二個外部射極條之間設置至少 另一個內部射極條（其用來連接二個條形之射極元 件），此內部射極條使射極內部空間劃分成二個或多 個子（Sub)空間。在此種形式中，射極組態只使用唯 一之內部射極條即可具有形式是” 8 ”之俯視圖。本發 明不限於數目固定之內部射極條。在使用更多之條形 射極元件時，內部射極條又可由適當數目之射極-條-組件所構成。 在各別之射極條之間可分別設置基極接觸區。即， 基極接觸區可有利地配置在一個或多個子空間中。 須選取外部射極條之長度或選擇性地選取內部射極 條之長度以及選取條形之射極元件之間之距離使成較 小，就像基極接觸區之最小可能値所用之設計規則所 允許者一樣。 射極可具有一個或多個閉合之射極組態。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 有利之方式是在射極組態外部設置至少二個條形之 基極接觸區及/或二個條形之集極接觸區。 條形之基極接觸區可平行於外部之射極條且與其相 隔開。 條形之集極接觸區可平行於條形之射極元件且與其 相隔開。 基極接觸區及/或集極接觸區之此種對準方式所具 -7- 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） /263 有之優點將在以下之說明書中詳述。 有利之方法是使至少一個射極連接在第一金屬化平 面中。 在其它形式中，至少一個基極接觸區可在一種與第 一金屬化平面相平行且相隔開之第二金屬化平面中延 伸。 這可依據一個例子來說明。若射極連接在第一金屬 化平面中，則基極接觸區在第二金屬化平面中仍可向 上延伸且在該平面中可經由射極條而向上向下延伸至 各別之接觸區中。使用此二種佈線平面相對於習知之 雙載子電晶體而言不需額外之費用，這是因爲在這些 平面中亦需二個金屬化平面，以便與射極，基極及集 極相接觸且形成一種至所謂連結墊（pads)之接點。 基極接點在至少一個射極及至少一個集極接觸區之 間是藉由基極-多晶矽材料來達成。此種基極接點在 雙載子電晶體中之功能是作爲控制電極。利用此基極 接點可控制由射極流至集極之電流（稱爲轉移 (transfer)電流）。在本發明之雙載子電晶體之構造 中，在射極和至少一個集極接觸區之間不需特定之基 極接觸區，這在習知之先前技藝中之雙載子電晶體中 是需要的。在射極和集極接觸區之間之側邊上現在因 此經由基極-多晶矽材料而形成基極接點。 此材料以矽化物（silicide)構成是特別有利的。此 種雙載子電晶體因此可特別有效。在使用矽化物時’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i J---·-------%.丨丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497263 A7 --------B7__ 五、發明說明（7 ) 該層電阻須較多晶矽還低，使射極和集極接觸區之間 不需相接近之金屬接觸區即可形成一種低歐姆之基極 接點。 本發明之雙載子電晶體相較於目前已知之電晶體設 計（第1圖）而言在同樣大之射極面積時（即，在相同 之電流量時）可造成一種緊密很多之配置且因此造成 一種小很多之基極-集極-電容CBC。此外，集極電阻 Rc可大大地降低，這是因爲射極和集極接觸區不再 藉由基極接觸區而互相隔開。在相同之設計規則時， 可藉由佈局最佳化使電晶體面積減小大約40%。 在本發明之雙載子電晶體中，爲了對此種已進行之 佈局對基極電阻Rb及基極-集極-電容CBC所造成之 影響進行估計，須進行各種不同之模擬測試。這些模 擬之結果顯示在下列之表1中： 型 式 Rb[ Ω ] CBC[fF] RBxCec[fs] 標準 22.1 37.3 824 標準矽化 20.8 37.3 776 新佈局 25.2 23.8 600 新佈局之矽化 2 1.2 23.8 505 表1顯示基極電阻rb，基極-集極-電容cBC以及 RBxCB之値。這些値是針對先前技藝之電晶體及本 發明中最佳化設計而成之電晶體計算而得，此電晶體 所具有之射極遮罩面積是1 0 // m2。表1中先前已知 之組態所得之結果是以”標準”來表示’先前技藝中以 已矽化之基極-多晶矽所製成之組態是以”標準矽化” 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) --------t--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 來表示；本發明之最佳化之組態是以”新佈局”表示， 本發明中以已矽化之基極-多晶矽所製成之組態以”新 佈局之矽化”來表示。 不使用矽化物時，則本發明之雙載子電晶體-佈局 較先前技藝之電晶體佈局之RBxCbc乘積還小27%。 若使用矽化物，則仍然小3 5 %。 總之，藉由本發明之雙載子電晶體-佈局另外又可 達成以下之優點。首先，此積RbxCbc可大大地降 低。此外，亦可使集極電阻Rc降低。利用本發明之 雙載子電晶體亦可得到較高之轉換頻率，較大之最高 振盪頻率以及較小之雜訊比。此外，亦可使集極-基 板-電容降低，功率損耗亦因此降低。此外，本發明 之雙載子電晶體所需之空間較小，每單位面積因此可 製成較多之電晶體，這樣可造成更少之製造成本。藉 由完美之佈局可達成上述之優點，使成本可非常低。 其它之程序模組是不需要的。最後，本發明之雙載子 電晶體是很通常的，即，可用在所有之雙載子技術 中，因此可打開很大之市場。 特別有利的是可使用本發明之雙載子電晶體作爲微 波電晶體。但本發明不限於此種雙載子電晶體之型 式，其亦可用在積體電路中所有其它之雙載子電晶體 中〇 本發明以下將依據圖式中之實施例來描述。圖式簡 單說明： -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 x 297公f ) I Ί Γ * --------^--------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) ^7263 A7 --------B7_ 五、發明說明（9 ) 第1圖係先前技藝之雙載子電晶體之佈局。 第2圖係本發明之最佳化之電晶體配置之第一實施 例之佈局。 第3圖係本發明之最佳化之電晶體配置之另一實施 例之佈局。 第4圖係本發明之最佳化之電晶體配置之另一實施 例之佈局。 第5圖係本發明之最佳化之電晶體配置之另一實施 例之佈局。 第6 a，6 b圖係在相同之射極面積（g卩，相同之電流 量）時第1圖之先前技藝之電晶體之大小（第6a圖）相 對於第2圖之本發明之電晶體之大小（第6b圖）之依 比例尺而繪製之比較圖。 第1圖是一種分離式（d i s c r e t e)矽-微波電晶體形式 之雙載子電晶體10，其具有一種先前技藝中已爲人 所知之佈局。 雙載子電晶體1 0具有一種由二個條形之射極元件 2 2所形成之射極（E)。各別之射極條2 2之寬度是由 微影術最小可能之寬度所設定。爲了使雙載子電晶體 1 〇之整個基極電阻R b最小’則每一條形之射極元件 22在二側是由二個條形之基極接觸區（B)4〇所圍繞。 在第1圖之實施例中使用二個條形之射極元件2 2， 因此只需三個（不是四個）條形之基極接觸區4〇，這 是因爲中間之基極接觸區可用於二個射極元件2 2 -11- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂----------線 i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNSmlm (210 X 297 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 、 '----— B7_ 五、發明說明（10 ) 中。在外部之基極接觸區40旁分別設置二個條形之 集極接觸區（C ) 5 0。 爲了以如上所述之方式使此種雙載子電晶體-佈局 最佳化’則須在本發明中設置一種雙載子電晶體1 〇 用之佈局，如第2圖所示。雙載子電晶體1 〇具有射 極（1 〇) ’其由二個條形之射極元件22所構成，此二 個射極元件22互相平行且相隔開且在其空著的末端 23，24上此二個射極元件22分別經由外部之射極條 2 5而互相連接。因此會形成一種具有閉合式射極組 知2 1之射極2 0 ’其中此射極組態2 1限制或圍繞一 種射極-內部空間2 7。 在二個外部射極條2 5之間設置另一個內部射極條 26，其連接此二個條形之射極元件22。藉由另一內 部射極條26使射極-內部空間27劃分成二個子空間 28。射極20之俯視圖之形式因此是，，8”字形。 在射極條25，2 6之間（即，在子空間2 8中）設置基 極接觸區（B 1，B 2) 4 1。此二個條形之射極元件2 2之 距離（即，外部-和內部射極條25，26之長度）須選擇 成較小，就像子空間2 8中所存在之基極接觸區4 1之 可能之最小大小所需之設計規則所容許者一樣。 在閉合式射極組態2 1外部設置二個條形之基極接 觸區（B) 4 0使平行於外部射極條2 5且與其相隔開。 此外’在射極組態2 1外部設置二個條形之集極接觸 區（C)50使平行於條形之射極元件22且與其相隔 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --7---? —--------------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅心事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497263 A7 B7___ 五、發明說明（11 ) 開。 射極2 0接合在第一金屬化平面中。基極接觸區 40，41在第二金屬化平面中向上延伸且可在此平面 中經由射極條2 5，2 6向上或向下延伸至各別之接觸 區。 由第1圖及第2圖之比較可知，在第2圖之本發明 之雙載子電晶體佈局中在射極20和集極接觸區50之 間現在不存在特定之基極接觸區。基極接點在此位置 處因此是以基極-多晶矽材料構成，此種材料特別有 利的是一種矽化物。 本發明雙載子電晶體之示於第2圖中之實施例在與 第1圖之佈局相比較時在射極面積相同（β卩，電流相 同）時可造成一種緊密很多之配置且因此有較小之基 極-集極-電容。此外，集極電阻可大大地降低，這是 因爲射極2 0和集極接觸區5 0不再由基極接觸區隔 開。 由本發明之雙載子電晶體佈局所造成之可能之空間 節省時之周長由第6 a，6b圖中明顯可看出。此二個 圖是先前技藝之雙載子電晶體1〇(如第1圖所示）之 佈局與本發明者依比例繪製而成之比較圖。第6a圖 是先前技藝者之佈局，第6b圖者是本發明雙載子電 晶體1 〇 (如第2圖所示）之佈局。 由第6a，6b圖直接比較可知，在相同之射極面積 時藉由·佈局最佳化之相同設計規則可使電晶體面積減 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ? ---------------訂---------線 (請先閱讀背面之注咅心事項再填寫本頁) w/263 A7 _ B7 五、發明說明（12 ) 小 4 0%。 第3圖是本發明具有最佳化之電晶體佈局之雙載子 電晶體1 〇之另一實施形式。第3圖所示之射極20就 其基本構造及由_個條形之基極接觸區4 0及集極接 觸區50所形成之邊緣而言是與第2圖所不之雙載子 電晶體之構造相同的，因此不需重複描述。 與第2圖所示之實施形式不同的是，第3圖之雙載 子電晶體1 〇具有多於二個之內部射極條2 6，因此該 射極-內部空間2 7亦可形成多於二個之子空間2 8。 以此種方式所形成之子空間之數目是任意的且可依據 需求及應用情況而適當地選取。在每一子空間2 8中 設置一個基極接觸區4 1。爲了強調子空間2 8和其中 所存在之基極接觸區4 1之可自由變化之數目，則第 3圖中顯示一種未定系列之基極接觸區（B 1， B2，...，Bn)41 〇 第4圖是本發明雙載子電晶體10之另一實施形 式。雙載子電晶體10具有一種射極（E)20，其又具有 一種閉合式之射極組態2 1。但和先前所述實施例不 同之處是：設有多於二個之條形之射極元件22，其 互相平行且相隔開。爲了產生一種閉合式射極組態 2 1，則各別之射極條2 1在其各別之空著的末端23， 24經由外部射極條之各成份25a而互相連接。各別 之成份2 5 a共同形成外部射極條2 5。 在該外部射極條2 5之各別成份2 5 a之間同樣設置 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 擎裝--------訂---------線k 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 497263 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（13) 內部射極條26之各別之成份26a。第4圖之例子中 以此種方式只形成唯一之內部射極條2 6，因此該閉 合之射極組態2 1圍繞此射極-內部空間2 7中全部共 二列及任意行數之子空間2 8。在使用第3圖中所示 之基本組態時，列之數目同樣可任意擴大。 第4圖中所示之實施例可支配任意行數之子空間 28，子空間28中設有任意數目之基極接觸區（B1 1， B12 ； ...Bln ； B21，B22，…B2n)。 外部射極條2 5之二側設有二個條形之基極接觸區 (B)40。與外部之條形射極元件22相鄰處設有二個條 形之集極接觸區（C)50。 第5圖是另一個雙載子電晶體10，其射極（E)20具 有任意數目之相鄰而配置之閉合式射極組態（E 1， E2，...En)21。每一射極組態21具有如第2圖所示之 構造，但亦可具·有其它構造。每一射極組態2 1在其 外部射極條2 5外部分別設有一種條形之基極接觸區 (B)。每一射極組態2 1之各別之條形射極元件2 2之 旁側設有條形之集極接觸區（C)50。相鄰之射極組態 2 1可共用唯一之介於其間之集極接觸區5 0。以此種 方式，則射極2 0可具有η個閉合之射極組態（E 1， Ε2，...Εη)21，總共η+1個集極接觸區（Cl，C2，…， Cn ， Cn+1)50 。 參考符號說明 10.....雙載子電晶體 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —τ---r---------------訂----*-----線^^ (請先閱讀背面之注咅5事項再填寫本頁) 497263 A7 _B7 14 五、發明說明（） E，2 0.....射極 2 1.....射極組態 22.....射極元件 2 3,24 .....末端 2 5,26 .....射極條 27 .....射極內部空間 28 .....子空間 B，4 0，4 1.....基極接觸區 C，5 0.....集極接觸區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 訂----- 線 Λ - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 497263

   六、申請專利範圍 〜一 第90101919號「雙載子電晶體」專利案 (91年4月修正） 六申請專利範圍 1· 一種雙載子電晶體’其具有：至少一個由一個或多個射 極元件所形成之射極；一個或多個集極接觸區，其至少 一個射極’至少一個基極接觸區及至少一個集極接觸區 在一種指定之配置中共同形成此電晶體之佈局，其特徵 爲：射極（20)具有至少一個閉合之射極組態（21)，至少一 個射極組態（21)鄰接於至少一個射極-內部空間（27);設 有二個或更多之基極接觸區（40，41);至少一個基極接觸 區（41)配置在射極-內部空間（27)中；至少另一基極接觸 區（40)以及至少一個集極接觸區（50)配置在射極組態（21) 外部。 2·如申請專利範圍第1項之雙載子電晶體，其中此射極組 態（21)具有二個或更多之射極元件（22，25，26)，它們互 相連接。 3·如申請專利範圍第1項之雙載子電晶體，其中此射極組 態（21)具有二個或更多之條形之射極元件（22)，它們互相 平行且相隔開，條形之射極元件（22)在其空著的末端（23， 24)分別經由一種由外部射極條（25)所形成之射極元件而 互相連接。 4.如申請專利範圍第3項之雙載子電晶體，其中在二個外 部射極條（25)之間至少設置另一可連接此二個條形射極元 件（22)用之內部射極條（26)，藉此可使射極-內部空間（27) 六、申請專利範圍 賓1分成二個或多個子空間（28)。 5. 如申請專利範圍第4項之雙載子電晶體，其中在一個或 多個子空間（28)中配置基極接觸區（41)。 6. 如申請專利範圍第丨項之雙載子電晶體，其中射極（2〇)具 有二個或多個閉合之射極組態（21)。 7·如申請專利範圍第1項之雙載子電晶體，其中在至少一 個射極組態（21)外部設置至少二個條形之基極接觸區（40) 及/或至少二個條形之集極接觸區（50)。 8.如申請專利範圍第7項之雙載子電晶體，其中射極組態（2丄） 具有二個或更多之條形之射極元件（22)，它們互相平行且 相隔開，條形之射極元件（22)在其空著的末端（23,24)分別 經由一種由外部射極條（25)所形成之射極元件而互相連 接，條形之基極接觸區（40)平行於外部之射極條（25)且互 相隔開。 9_如申請專利範圍第7項之雙載子電晶體，其中射極組態（2 1) 具有二個或更多之條形之射極元件（22)，它們互相平行且 相隔開，條形之射極元件（22)在其空著的末端（23,24)分別 經由一種由外部射極條（25)所形成之射極元件而互相連 接，條形之集極接觸區（50)平行於條形之射極元件（22)且 互相隔開。 10. 如申請專利範圍第1項之雙載子電晶體，其中至少一個 射極（20)連接在第一金屬化平面中。 11. 如申請專利範圍第10項之雙載子電晶體，其中至少一個 基極接觸區（40，41)在一種與第一金屬化平面相平行且空 -2- 497263 六、申請專利範圍 間中相隔開之第二金屬化平面中延伸。 1Z如申請專利範圍第1至11項中任一項之雙載子電晶體， 其中此種介於至少一個射極（20)和至少一個集極接觸區 (50)之間之基極接點是以基極-多晶矽材料製成。 ia如申請專利範圍第12項之雙載子電晶體，其中此基極多 晶矽是一種矽化物。 14. 如申請專利範圍第12項之雙載子電晶體（10)，其係用作 微波-電晶體。 15. 如申請專利範圍第i3項之雙載子電晶體（10)，其係用作 微波-電晶體。