經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 314685 、A7 _B7__五、發明説明（l ) <發明之背景> <發明之領域〉 本發明係有關於一棰電漿處理裝置，該裝置用於在一樣 品表面上形成薄膜，或利用霜漿對該樣品的表面進行蝕刻 處理。 <背景之討論> 圄15a係傅統霣漿處理裝置的結構剖面視圖，該裝置譬 如是揭示在日本未審査專利公報4952/1990號。在圖15a中 ，參考編號1表示一真空容器，該容器包含有一個第一電 極3，一儒必須作蝕刻加工的樣品（此後將其稱之為工件） 被放置在該電極上面，並且一個第二電極4係設置在面對 著該第一電極3的位置。蝕刻用之氣體經由一氣體導引口 5 ，被導入該真空容器1内部，且該氣體通過一排氣口 6被排 出。一涸高頻窜源7經由一匹配電路8，連接到該第一電極 3。一個永久磁鐵9設置於第二電極4的靠近大氣環境之一 側。煸號10表示一個冷卻裝置，符號E代表一個電場，符 號B代表在由永久磁戡9感應產生的磁場内平行於第一電極 3的一向量。 現在將要說明傅統裝置的操作。當蝕刻用的氣體經由一 氣體導引管，被導入被當作為電漿室的真空容器1内部的 時候，由於一高頻電源被施加到第一電極3，而在該第一 霣極3和第二電極4之間產生電漿。 圖15a所示的裝置是要利用一磁控管，使得即使是在低 壓條件之下，也能夠達到高的電子密度，並且為了達到這 本紙張尺度適用中國囷家揉準（CNS ) A4規格（2丨0〆297公釐） _ _ (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 訂 λ 經濟部中央橾準局員工消费合作社印装 - 314685 A7 _B7__五、發明説明（2 ) 個目的，在第一電極3的表面處，磁通密度必需是大約200 高斯。在瑄種情形褢，在護套區域（在該處的電漿接觸到 第一 m極3)，由密封電埸和磁埸的效應引起帶電粒子（電 子和離子）沿著ExB方向溧移，作搌線移動。结果*在電子 和中性粒子（原子、分子）之間的撞擊或然率增加，因此加 速離子化作用。於是，即使是在低壓條件之下，仍可產生 高密度電漿，並且可獲得高的蝕刻速率。另外，在這種情 形裏，由永久磁鐡9形成的磁場降低了電漿的損失。於是 ，在工件2進行蝕刻的#候，可維持該高密度電漿。 在另一方面，當要加工一個像是8英吋或10英吋的大直 徑工件的時候，傳統技術需要形成大表面面積的均匀電漿 。然而，如圈158所示的傳統裝置，該裝置具有一棰利用 單一永久磁锇的構造，這種装置不能夠產生均勻的磁通密 度，亦即，它在沿著第二電極4的表面之側面方向上，產 生不均勻的磁通密度。換句話說，形成的磁通密度在中央 處是小的，並且朝外逐漸增加，如圖15b所示一般。因此 ，它對於工>，難Μ形成一個均匀磁場。雖然，由於電漿 的擴敗作用，可Μ獲得一個磁場等化效應，但要形成大面 積均匀的霣漿*依然是很困難的。圖15b說明磁場分佈的 圈形，該磁場係霹近第二鬣掻4的表面、在離磁鐵35πιρ位 置的倒向磁埸•其中，該磁戡的直徑是200πιπ、高度為 50dib，並且產生3kG的表面磁通密度，該磁通密度係均勻 分佈在整個磁箱内。在圓15b褢，縱座摞代表在側面方向 上的磁場密度：B丄（G)，而横座標代表離開中心點的距離 本紙張尺度適用中國國家標半（CNS ) A4規格（210X297公釐） c (請先閲讀背面之注^項再填寫本頁) 訂
A 經濟部中央梂準局β：工消費合作社印策 314685 A7 _B7__五、發明説明（3 ) :r (a a ) 0 另外，接近放置在第一電極3上面的工件表面之磁場分 佈也變得不均勻。因為帶電粒子的移動是實質受到磁場分 佈的影響，由於磁場分佈不均勻，被吸引到工件表面的帶 霄粒子流通最也變得不均勻。结果，帶電粒子的不均匀分 佈出‘現在靠近工件表面的部位，因而使欲生產的裝置受到 損害。 已有建議使用樺數個永久磁锇，將它們排列成相鄰磁鐵 具有相同極性的方式。即使在這種情形裏，磁場的分佈也 與前述使用單獨磁锇一樣地不均勻，因為即使將電漿擴散 所產生的磁場等化效應考慮在内，電漿的均勻性仍不夠。 此外*日本未審査專利公報編號9 4 5 2 / 1 9 9 0公開揭示： 複數個棒狀永久磁鐵被安排在相鄰磁鐵極性彼此相反的方 式，如豳16a所示一般。當極性是交替地改變的時候，靠 近第二電極4表面的側向分佈之磁通密度B_L在徑向的分佈 具有如圖16b所示的波形。可由圖16b看出，側向B丄上的 磁埸之密度在徑向上不是均勻的。然而，可由改變磁鐵之 間的距離而得以控制尖峰的位置。當電漿係產生在由此類 排列的磁鐵所生成的磁場褢的時候，該電漿由於電漿的擴 敗作用，而擴展到磁場的微弱部份，藉此，電漿能夠得到 等化。因為相較於沒有形成該磁場的情況，電漿的損失能 夠被減輕，因此可獲得高密度的均勻成分之電漿。 然而，當複數個棒狀永久磁鐵被排列成臀如圖16a所示 的平行狀II，因而形成磁場81和82。於是•由於帶電粒子 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' ~ -----Md--r-w—裝------訂^-----1^ ' --- (請先閲讀背面之注項再填寫本頁)
經濟部中央梂率局員工消费合作社印IL A7 _ B7__五、發明説明（4 ) 的ΕχΒ溧移，而在穿透圖中紙面的方向上引起電漿不均勻 的分佈，埴捶溧移是由電場Ε和接近工件的區域（Α)之磁場 B i產生。另外，由於電場Ε和在區域Β褢的磁埸Β 2，也引起 在穿透紙面方向的相反方向上的不均勻分佈。另外，注意 到在接近第二電極4表面密封區域内的帶電粒子之移動， 在相鄰磁锇之區域内的漂移方向（ΕχΒ溧移）是不同的，有 如圖17的箭頭記號所示一般，並且在漂移方向上，產生具 有高密度的電漿，因此，肜成斜影線所指示的高密度部份 。磁辙的平行排列易於造成電漿密度的非均勻性，因此， 蝕刻速率的均勻性受到破壊。這是磁鐵平行排列的基本問 題。 圆18係傅統電漿處理裝置的结構圓，該電漿處理裝置具 有一筲漿產生Ί室和一電漿處理室，這些小室是單獨分開設 立的。這樣的的裝置已被公開，譬如是日本未審.査專利公 報88182/1976。在圖18褢參考牖號21代表一個處理室，該 室經由一儸主閥31與一擴散泵32和一個旋轉泵33相連通， Μ供輔助用途。娌由.該主閥31，處理室內部的空氣被排放 掉*而成為真空狀態。一電漿產生室22係設置在處理室21 的上方。兩相對而立的電棰18、19被置於電漿產生室22褢 。該反向的電極19具有複數個開孔20，且電極19將電漿產 生室22和處理室21分隔開，其作用如同一塊隔板一樣。一 個未經調製氣«之圓简34係連接至一氣體専入管15。 現將說明該傅統裝置的掸作。當蝕刻用之氣體經由氣體 導入管15，被罈入該電漿產生室22的時候，氣體通過該霣 -----Λι-g--31C 裝------訂------^ (請先閲讀背面之注f項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國《家梯準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） 7 經濟部中央橾準局貞工消费合作社印装 A7 B7__五、發明説明（5 ) 漿產生室22，被供輸到處理室21，並且藉由一真空泵排放 出去。在瑄種情形之中，電漿產生室22和處理室21之間* 由於介於兩室之間的開孔20之傅導作用，而產生一壓力差 。在上述文獻褢所揭示的規格数值為：開孔直徑為0.1至 .0.8 開孔數目為7、排放糸統的有效排放速率是 1000L/sec、且氣«I的流動速率是50至lOOcc/min，在這些 條件之下18漿產生室的壓力係維持在1-5x10 — 1 Torr*而 處理室的壓力係維持在1x10 - 3 Torr或更低的数值。然後 ，當一高頻電源1 7將高頻電力供輸到該相對立的電極1 8、 19的時候，在電漿產生室22内部產生電漿。該電漿通過開 孔20，由此*對放置在處理室楢面26上的工件2進行蝕刻。 在具有上述结構的電漿處理装置褢，由於高頻電力的平 行平面間電氣釋放而在電漿產生室22内部產生的電漿，其 密度最多只有5xl08 (件/立方公分）至5x 109 (件/立方 公分）範圃內。在另一方面，工件2之加工處理速度是與傳 输給予工件的電漿密度成一比例值。於是，當所產生的電 漿密度的數量不足的時候，高密度電漿不能夠被専入處理 室21襄面，因而無法以高速加工處理該工件。另外•因為 必須在該電漿產生室22内部，維持高頻電力之平行平面間 的電氣釋放，所Μ在霣漿產生室22袠的壓力大約維持在 0 . ITorr *疽會存在一問題：即是無法在更進一步的高度 冥空條件之下，加工處理該工件。 在具有如圖15所示之普通使用單獨一個磁鐵的结構之傅 統電漿處理裝置褢，磁通密度是自中心點向外均勻增加， 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS〉A4規格（210X297公釐） 。 -----,4 — T-i—裝-------訂------^ -IJ (請先閏讀背面之注項再填寫本頁) 314685 經濟部中央梂半局貝工消费合作社印策 A7 _ B7 __五、發明説明（6 ) 並且因而無法形成磁場的均匀分佈，造成電漿密度的不均 勻性。 另外，複数個磁鐵排列成彼此平行狀，且它們的極性交 替地變動！如圓16所示一般，在這種情形之中*每一個相 鄰磁鐡間之帶電粒子的漯移方向是不相同的。更明確地說 ，在漯移方向上產生一部份具有高密度的電漿，因而引起 電漿密度的不均匀性。於是，存在一問題：即是無法均勻 地蝕刻具有大表面棟之工件。 另外*在如圖18所示的電漿處理裝置裏，其中，該電漿 產生室是與處理室分開單獨形成的，在電漿產生室裏產生 的電漿之密度是低的，高密度的電漿不能夠被導入處理室 ，因此，無法Μ高速加工處理工件。更進一步地，存在一 間題：當要提高電漿密度的時候，無法在高度異空狀態下 加工該工件。 <發明之概述〉 本發明之目的是要消除上述傳統裝置的問題，並且提供 一種霣漿處理裝置，該裝置能夠在大面積範圍内形成均勻 Ι·ι·ι_· 的電漿，並且能夠對大直徑的工件進行加工處理。 丨 本發明第二個目的是要提供一種電漿處理裝置*該裝置 能夠增加在霣漿產生室内部的電漿密度，使工件能夠Μ高 I. 1 ι_ 速在高真空狀況下進行加工處理。 另外，本發明之第三目的是要提供一種電漿處理裝置， 該裝置能夠在大面積範圍内，形成均匀的高密度電漿，使 得對於具有大面積的工件*能夠以高速在高度真空條件之 ----:3人裝—— (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) iM ' ____ 本紙垠尺度遑用中國囷寥標率（CNS ) A4規格（210XZ97公釐） 9 五、發明説明（7 A7 B7 經濟部中央梂準局員工消費合作社印袈 含之置一第 一磁半 電 更 鐵 .磁娥 產室個褢埸 包明位有該每形沿 二 β 或 磁 形磁 漿理数室磁 置發的含著-環鐵 第?>斯 形 環形 電處複生的 多 裝本極包向的該磁 近纟高 環 於環 一該有產成 理，電步面成且的 靠al20在 位於 有在具漿形 處件該一-組並鄰 是 ， ，大 含，個電锇 漿工，進面鐵，相 裏ail值 裏 裹度 包室 一該磁 電一極更表磁性得 構0®大 構 構強 置理由在一 之有電置後 形極使 結10極 结 結場 裝處係，用 明置二 裝的瑁 的， 種是度 種。種磁 理個室開利 發放第理極個同立 一值強 二 鐵三之 處一理分及 本 面個處電數 相對 第大場 第 磁第面 漿 有處室 Μ , 上 一漿二 複有向 在極磁 在 二在表 電含該生力 構極 有電第 由具相 ：之的 ：第：正 ..包 且產電 洁電含.該於係向- 。是度成 係個是鐵 是又並漿頻 棰該包 且置鐵方列反構強形 構一構磁 構，，¾ 高 一在又，設磁周排相结埸鐵 结有结個 结漿件與一 。 第，外極係該 圓式此 種磁磁 種置種二 種電 工它輪 理的極另電鐵，的方彼 二的的 三 設四第 五生一將供 處明電置一磁中它 圓性第‘成極 第，第的。第產有板由 Η 發 一 装.第該其在心極的形電 的份的份度的供置隔藉 加本第 理著， ，鐵 同之 明鐵一 明部明部強明 以放分係 行撺個班對鐡極磁 Κ 向發磁第 發央發央場發，，，的漿 進依一漿面磁霄形係方本的近。本中本中磁本室部孔霣 下 有電係個一環鐵徑 極寫少 的 繊的 生內開的 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 本紙張尺度遥用中國囤家標準（CMS ) Α4规格（210Χ297公釐） 10 314685 經濟部中央揉半局貝工消费合作社印装 A7 _B7__五、發明説明（8 )以產生所霈要的霣漿。 本發明的第六種結構係：在第五棰結構之中，在電漿產 生室內部、面對著隔板，設置有一個電極，使得一高頻電 力被施加到該霣極上，該磁鐵係由複敝個環形磁鐵所姐成 的，每個環形磁鐵在圓周方向上具有相同的極性，並且該 環形磁_係以同心圓方式設置在該電極的後側，相向對立 ，以致於相鄰的環形磁鐵在半徑方向上的極性圼彼此相反。 本發明之第七種结構是：在第六種結構裏，面向隔板設 置的®捶被施加一個第一高頻電力，且該隔板被施加一涸 第二高頻電力。 本發明之第八種結構係：在第t種結構裏，該隔板係被 施加一個高頻電力，該磁鐵係由複數個環形磁鐵組成，每 個環形磁趙在圓周方向上具有相同的極性，並且埴呰環形 磁撖係以同心圓方式設置於電漿產生室内部的一個與隔板 相對立的位置上，以致於相鄰環形磁鐵的半徑方向之相反 極性係彼此相對立。 本發明之第九種結構是：在第五種至第七種结構的其中 任一種结構衷，氣體係Μ —連串脈衝的方式，被供輸到電 漿產生室。 本發明之第十種结構是：在第五種至第七種結構的其中 任一種结構褢，高頻®力被供輸到一台階*在該台階上放 置有工件。 本發明之第十一種結構係：在第五棰至第七種結構的其 中任一種结構褢，高頻電力被供輸到一台階，在該台階上 本紙張尺度適用中國固家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） _ ·μ _ -----—rr—Γ 裝------訂------^ ΙΊ (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印袈 314685 A7 B7_五、發明説明(9) 放置有工件。 <圖式之簡單說明> 由下列參照随附圓式所作的詳细說明，將可更加瞭解本 發明之结構與伴随之優點。 圖1係本發明電漿蝕刻裝置第一實施例的剖面示意圖。 圖2係持性曲線圖，說明在本發明第一實施例之裝置裹 ，對於鋁材的蝕刻速率和側面方向磁場之間的關係。 圈3係本發明第一實施例之另一電漿蝕刻裝置的剖面示 意圓。 圖4係本發明電漿蝕刻裝置第二實施例的剖面示意圖。 圈5為一圈形，說明本發明第一實施洌和第二實腌例褢 沿鈾刻裝置半徑方向分佈的磁場強度關係。 圖6係本發明電漿蝕刻裝置第三實施例的示意圖。 圖7係本發明第三實施例另一電漿独刻裝置的剖面示意 圖。 圖8係一圔形•說明在本發明蝕刻裝置裏沿半徑方向分 佈的磁埸強度和磁锇排列的闞係。 困9係本發明電漿蝕刻裝置第四實施例的剖面示意圖。 鬮1 0係本發明電漿蝕刻裝置第五實施例的剖面示意圈。 圖U係本發明電漿蝕刻装置第六實施例的剖面示意豳。 圖1 2係本發明電漿蝕刻裝置第t實施例的剖面示意圈。 圖1 3係本發明堪漿蝕刻装置第八實施例的剖面示意圖。 圖14係本發明電漿蝕刻裝置第九實施例的剖面示意圃。 圖15a係一傳統霄漿處理裝置的剖面示意圖。 冢紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 1 9 _ -----装------訂------^ —Ϊ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 314685 _B7__ 五、發明説明（ίο ) 團15b係一圖形*說明該傳統電漿處理裝置的特性。 圖16a係另一個傳統電漿處理裝置的剖面示意國。 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 圖16b係一圖形，說明該傳铳電漿處理裝置的特性。 _ 17係一圖形*解釋在圖16電漿處理裝置内的電漿漂移 現象。 圖18係一國形，說明在傳統電漿處理裝置褢的乾煉鈾刻 裝置。 <較佳實施例之詳细說明> 現在舉例說明本發明之電漿蝕刻裝置較佳實施例•在這 些舉例性質的蝕刻裝置說明例中•相同的參考编號代表相 同或對應的元件。 第一實施例 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 圖1係本發明第一實施例的電漿蝕刻裝置剖面示意圖， 其中，一儸上視圔係被用來淸楚地顯示本發明之特激。一 處理室1包含有一個第一電極3，在該電極上面放置有一個 欲進行蝕刻加工的工件2，該處理室又包含有一個第二電 極4。該第二镊捶4設有開孔5a，以便將氣娌經由一蝕刻氣 艘導入口 5，.輸送進入電極3、4之間的空間。該處理室1也 設有一氣ffi排放口 6。該第二電極4係連接到處理室1>以 便保持在接地電位上。第一電極3與處理室1之間係圼電氣 上的絕緣 > 並且連接到一高頻電源7。複數個環形永久磁 鐵1 1 (在本案例中採用3個磁鐵）係以同心圓的方式排列在 --- 第二霣極4的辑近.大氣環境之一側。環形永久磁戡11的同 心圓中心對應到工件的中心。每一個永久磁鐵1 1在圓周方 本紙張尺度逍用中國國家梯準（CNS ) A4说格（210 X297公釐) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 314685 A7 _ B7__五、發明説明（u ) 向上具有相同的掻性和一個表面磁場強度。磁戡極性係如 _1所示一般，沿垂直方向判定。相鄰永久磁鐵的極性彼 此相反。所使用的永久磁鐵11可以是靥於SinCU;列或Hd糸 列。另外，永久磁鐵11可以塗佈以電鍍鎳或以合成樹脂横 製成型，以防止趣裂或腐蝕。較佳地是將磁鐵放置在一冷 卻的環境下，以避免磁鐵特性因為排放熱量而發生變化。 在上述結構的蝕刻裝置褢，當用於蝕刻的氣體經由氣體 引導口 5被専入時*該氣體通過氣體開孔5a，並且藉由一 排氣泵（圖中未顯示）被排放到外界。在該氣體的導入期間 ，由一個高頻電源7產生的高頻電力被施加到第一電極3， 藉此，在第一電搔3和第二電極4之間產生電漿。然後，三 個環形磁鐵11所形成的磁場可降低電漿的損失，並維持高 密度的電漿。產生磁場的原理係與傅統裝置中的原理相同。 另外，如同前述參照傳統裝置所作的描述 > 該E X B漂移 係由於電場和靠近工件2處所形成的磁埸造成。然而，在 傳統裝置褢不均勻分佈的電漿在此處將不會發生，因為該 環形永久磁鐵11係以同心圓方式排列，相向對立，其中， 相郯的永久磁鐵11半徑方向上的極性是彼此相反。 明確地說，因為該環形永久磁鐵11係Μ同心圓的方式.排 列 > 靠近工件的地方所產生的磁場，其中在對應於工件直 徑的圓周方向之磁場分量被抵消，而在工件之上 形成一均勻磁埸，因此，能夠在圓周方向上均匀地產生電 一 ___ -Γ 漿。因為帶電粒子係沿著圓周方向漂移，在同一圓周上可 獲得均勻的電漿密度。另外，藉由電漿的擴散作用而達到 本紙张尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4規格（210X297公釐） λ λ - ----Γτ — MJ-—^ Α衣-- (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) Λ 五、發明説明（12 ) A7 B7 排有均的 環控強等 1MK來 裝 被具夠勻 定來場法進。夠構 刻 係場能均 決，磁 方夠漿能機 蝕 鐵磁得成. 地，法向列能電片動 的 磁的使形 當方 徑排，勻晶驅 例 久上，内 適等在和化均的是 施。 永 向應圍 由等，鐵小的徑如 實業 形徑效範。賴»|)即磁極徑直譬 本fF 環Μ散積工夠 亦的異直大助 用形 為所擴面加能(1S。 用差大有藉 利成 因，的大刻場列置使的生具爾 於之 ’ 反漿一蝕磁排位所度產-無 闞線 地相電在行的和和.擇強夠等而 釋紹 步為於 Μ 進佈度 度選埸能等， ：解刻 一 性由 可 地分強 高地磁 且式理 要蝕 進極且 ,匀 形場 的當使 並方處 .將的 更的並是均波磁峰遵由 * 列 Η ，褢 。 鄰-於夠圼面尖由藉化排加 褢程 的相況。能 上表佈Μ。 勻鐵置 明過 目向狀漿得向11分可制均磁裝 說體 之徑佈電使方鐵 形異控漿定之。的導 漿使分 成這徑 磁波差 Μ 電決構.件下半 電為.的形，半久埸 的加使地结工Μ造 化成形地 漿在永 磁上來地當單動在製 等列波勻電 形制.度等步適簡驅 置 ---------Ti-------#------〇 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 所使用的工件2係屬於6英吋的大小。環形永久磁鐵1 1的 表面磁埸強度是3000高斯（Gausses)。相鄰環形永久磁餓 之間的距離是50ibb。在環形永久磁鐵11和第一電極4之間 的距離是40mai。第一電極3和第二電極4之間的距離是8〇ΠΠ 。C 1 ζ / Β C 1 3的氣®混合物被用作為蝕刻之氣體，在處理室 1內部的蝕刻作業之腰力是設定在5〇BT〇rr。在進行蝕刻鋁 線的作業裏，達到蝕刻速率1 0 0 0 η n / b i η和蝕刻速率均匀度 指數（係代表局部位置的蝕刻速率對工件總蝕刻速率的偏 本紙張尺度逍用中國國家標隼（CNS ) Α4规格（2丨0X297公釐） _ i r _ 經濟部中央橾準局®:工消費合作社印策 314685 A7 B7_五、發明説明U3) 離度或離敗度）5¾。 當使用上述的结構，並採用前述的表面磁場強度和環形 永久磁鐡1 1之排列方式的時候，在靠近第二電搔4‘的部位 形成一最大值為100高斯或更多的磁場強度，並且在靠近 第一電極3的部位處形成20高斯或更少的磁場強度。於是 ，由於高的磁場強度，在靠近第二電極4的區域褢之電漿 損失可以減少，並且維持高密度的電漿。另外，靠近工件 2的部位處形成低的磁場強度。藉此，可產生較少蝕刻損 傷和高品質的產品。 如圆2的特性曲線圖所示，該圖說明鋁線的蝕刻速率與 脚面方向磁埸強度B丄之間的關係•該蝕刻速率能夠以側 面方向磁埸（平行於電極表面的方向分量）B丄的基本函數 表達。其考慮如下：當側面方向的磁場強度增加的時候| 電漿向霣極的擴敗作用受到壓抑，並且電子密度增加•因 此投射到工件（晶片）上的離子數量增加。如同前述，為了 要增加鈾刻速率，需要增加B丄。譬如，對於鋁線的蝕刻 作業，為了要達到5 0 0 η m / id i η的實際使用之蝕刻速率，應 考慮磁場強度Β丄應該是100G或更多。在圖2裏，縱座標代 表對於鋁材的蝕刻速率Urn/siU) · Μ及横座標代表磁場強 度（G)。一特性曲線（a)說明在電極之間距離為37rani的情況 之下，該B丄對於鋁的蝕刻速率之相依關係。另一條特性 曲線（b)說明在霣捶間距離為57n!ffl的時候，該B丄與對鋁的 蝕刻速率之相依Μ係。當搏近晶片表面處形成一強烈磁場 的時候，然而，帶電粒子像是電子或離子等會由於磁場的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） _ 1R _ -------,τΉΓ 装------訂------^ - —1^--*10. (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印裝 A7 B7_五、發明説明（14 ) 影轚而移動，因此在局部區域引起一種充電現象，這種琨 象在蝕刻的時候可能會傷害到晶Η。為了防止因蝕刻而引 起此類傷害的發生，靠近第一電择3的部位形成一個低的 磁場，使得該磁場強度減'少到20高斯或更少，這被認為是 在寊際操作上較無問題。因此，工件能夠被加工處理，使 得具有高的品質。另外，可防止工件對裝置的傷害。在工 件（晶片）處形成均匀磁埸被視為是很困難的事，因為磁場 是由永久磁戡形成的，因而無法避免形成磁場的不均勻分 佈。在這種情形褢，當磁埸強度是大的時候，蝕刻速率為 一不均匀模式，該種不均勻模式可從磁場的不均勻分佈發 琨。然而根據本發明，此類問題不會發生，這是因為所形 成的是20G或強度更低的微弱磁場。 圖3係本發明電漿蝕刻裝置第一實施例之變化例的剖面 示意画和上視圆。在圖3褢，編號12表示永久磁戡，每一 磁鐵具有一個長方形的梭柱形狀，這些磁鐵係被使用作替 代第一實腌例褢的環形永久磁_。複數個長方形梭柱狀永 久磁鐵在第二電極靠近大氣環境之一側，排列成複數個同 心圆的形式。根據此一變化^施例，無需特別製備這些永 久磁鐵使它們配合蝕刻裝置的大小，而是將複数個長方形 的梭柱狀或圓柱體狀的永久磁鐵依照所想要有的方式排列 即可。而這些磁娥可Μ被標準化，因此是便宜的。當餺要 作設計（規格）上的改變的時候，這些永久磁鐵排列方式的 改變是很容易的。 在瑄個實施變化例的蝕刻裝置褢，因為長方形梭柱狀永 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS )八4規格（210X297公釐） —17 _ -------ΊΜ-C 裝------訂------J. (請先閲讀背面之注項再填寫本頁). 經濟部中央梂準局員工消費合作社印装 314685 A7 ' __B7 ·__ 五、發明説明（15) - %. 4> 久磁級12係排列在複數0同心圓的形狀，因此鄰近工件附 近所形成的塱個磁場，在對應於工件直徑的圓周方向上沒 有實質的磁場分量存在。於是，它能夠如同前述第一實施 例f所描述的相同方式，肜成均勻的電漿，該電漿中極少 有不均勻分佈現象，並且能夠達到與第一實施例褢實質相 同的蝕刻效果。在這個實施例裏，永久磁鐵的極性不是始 终應該在圖1和圖3所示的垂直方向 > 而是可Μ在測面的方 向。 第二實施例 ' 圖4係本發明電漿蝕刻裝置第二實施例的剖面示意圖和 上視圃。如同在第一例裏的相同方式，複數個（在圖4中有 三個）環形永久磁鐵1 1係以同心圓的方式排列在第二電極4 的锊近大氣環埦的一側。永久磁鐵1 1的同心圓中心對應到 工件的中心，並且每一個永久磁鐵1 1在圓周方向上具有相 同的極性和相同的磁埸強度。磁_的極性係形成在垂直的 方向上*並且相向對立，而使得相鄰永久磁鐵半徑方向上 之極性圼彼此相反。另外，圓柱形永久磁鐵.1 3係設置在環 形永久磁娥1 1的同心圓中心。於是，氣體専入口 5係設置 在餵離同心圓中心的位置上。 在具有上述结構的蝕刻裝置褢，蝕刻係以與第一實施例 相同的方式進行。然而在造第二實雎例寒 > 半徑方向的磁 場強度可以被進一步地均匀化，因為該圓柱形永久磁鐵1 3 係設置在環形永久磁鐵11的同心圓中心，因此接近中心遨 的磁場強度（平行於電極的磁場部份）增加。 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） _ , 8 _ I——裝------訂------Λ 11J (請先閲讀背面之注^項再填寫本頁)' 314685 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 A7 __五、發明説明（16 ) 圖5係一圖形，說明第二實施例的紬刻@置裏靠近第二 電極4表面的徑向磁場強度分佈，其中所顯示的磁埸強度 分佈係對懕於磁戡的排列。測量是在Μ下的條件之下進行 的：分別具有表面磁場強度3000高斯的環肜永久磁鐵11被 排列成如圈5所示的情形。在圖5褢，縱座標代表沿第二電 極表面的側面方向Β丄（G )之磁埸強度，以及横座標代表離 開中心點的距離r U π )。特性曲線（a )說明在中心處沒有設 置永久磁鐵13的情形褢磁場分佈的情形。這種情肜係對應 於第一實施例的情形。特性曲線（b )說明在屮心處設置有 表面磁場強度3000高斯的圓柱形永久磁鐵13時磁埸分佈的 情形，該磁場強度係與每一傾環形永久磁鐵1 1的表面磁埸 強度相同。自圖中可看出*在中心點四周的磁場強度增加 ，以致於能夠得到均勻的分佈，因此在一大衷面積範圍以 内產生均句的電漿，而可均勻地進行蝕刻作業。 特性曲線（c )代表位於中心點的永久磁鐵1 3之表面磁埸 強度是5 0 0 0高斯時磁場強度的分佈情形*該表面磁場強度 是大於環形永久磁鐵1 1的表面磁埸強度，而特性曲線（d ) 說明在位於中心點的永久磁_ 1 3表面磁場強度為7 5 0 0高斯 的時候磁場強度分佈的情形。當永久磁鐵1 3的表面磁場強 度大於環形永久磁鐵11的表面磁場強度的時候，相較於兩 永久磁鐵11、13具有相同的表面磁埸強度的情肜，此一情 況可更進一步地增加在中心點四周的磁場強度，因此在半 徑方向上均匀地生成一磁場。结果，生成更均勻的電漿， 而容許均勻的蝕刻作業。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4规格（ 210X297公釐） _ i q _ -----Ί.--: J--C ' 裝------訂------C .外 J (婧先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 314685 A7 _ Β7_五、發明説明（U ) 若是環形（同心圓）磁_ 1 1與中央磁鐵1 3的距離為 40-50mm -並且磁鐵11、13的表面和第二電極4表面之間的 距離是3 0 - 5 0 b m >並且當第二電極4表面的磁通密度係大約 1 0 0 - 1 5 0 G的時候，該環形磁鏹的表面磁通密度應該是 2-3 kG。在上述的安排褢，當想要在靠近第二電極4表面中 心處，形成100-150G或更大的尖峰值的時候，中央磁鐵13 的表面磁通密度應該是大約4 - 5 k G。目前可以很方便地取 得的永久磁鐵表面磁通密度的最大值是大約5 - 6 k G。 表1說明磁鐵排列（永久磁娥的表面磁埸強度和與中心點 之間的距離）和第二實施例的蝕刻特性之關係。 表1 M w .—Μ· L_^ 訂 (請先M讀背面之注^^項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 磁鐵的排列 A 1 的蝕刻速率 (A / m i η ) 均勻性（¾) 中央磁鐵 環形永久磁_ - 1kG 1kG 1 kG 4423 50.6 2 5mm 7 5 ia m 1 2 5 m hi - 3kG 3kG 5 5 2 2 39.4 25mm lOOsm 5kG 3kG 6 3 3 1 12.9 5 7 . 5 ffl is 第三實施例 圖6係本發明電漿蝕刻裝置第三貿施例的剖面示意圖和 上視圖。其中編號1 1代表如同第一實施例褢所使用的環形 本紙張尺度適用中國國家揉率（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 9 Λ 一 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 B7__五、發明説明（18 ) 永久磁鐵|而編號1 4代表設置在處理室1周圍牆壁上的棒 脒永久磁鐵，其設置的位置係對應於第一和第二電極之間 ;. 的空間。該棒狀永久磁鐵係環形壁磁鐵，並且在該環形牆 I. 壁四周設置的磁繊數目是12。 在具有上述结構的蝕刻裝置褢，蝕刻係以與第一實施例 相同的方式進行的。然而，在這第三實施例褢，當在電極 之間產生電漿的時候，在環形壁方向上的電漿損失能夠被 降低，這是因為排列在處理室1四周環形牆壁的環形壁磁 繊1 4形成一磁埸的緣故。於是，在電極之間的實質空間褢 均匀地生成高密度電漿，因此可均匀地進行蝕刻作業。在 第三實施例褢，瑁形壁磁鐵14的極性是决定在垂直方向的 極性，並且鄰接到最外側環肜永久磁鐵1 1的棒狀環形壁磁 撖1 4的極性是相同於最外側環形永久磁_ 1 1的極性。Μ這 種排列，電漿密度的均匀性被迆一步地增加，Μ容許均勻 的蝕刻作業。 棒狀環形壁磁鐵1 4的極性可以被決定於如圖7所示的側 II I nmm 面方向。即使在這種情形褢，在環形壁方向上的電漿損失—...................... 可Μ被降低，因而均勻地生成高密度的電漿，而容許均勻 的蝕刻作業。 圖8係一圖形，說明蝕刻裝置實施例的中央永久磁戡1 3 、環形永久磁鐵1 1、和環形壁磁鐵1 4的位置排列，與徑向 的磁埸強度分佈情肜之間的關係，其中，縱座標代表在側 面方向上的磁場強度Β丄（G )，横座標代表離開中心點的距 離r ( π in)。特性曲線（a )說明在第二遒極表面處的磁埸分佈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） _ _ 11-11 1-.1^ 1 I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A A7 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印装 _B7_五、發明説明（¾ ) ，特性曲線（b)說明在第一電極表面處的磁埸分佈。 第四實細例 围9為本發明電漿蝕刻裝置第四實施例的剖面示意圖和 上視圖。其中編號7 a代表一個連接到第二電極4的第二高 頻電源，該高頻電源係與連接到第一實施例褢的第一電極 之第一高頻電源相同。第二電極4係與處理室1圼電氣上的 絕緣。 在具有上述结構的蝕刻裝置袅，鈾刻係以與第一寊施例 相同的方式進行。當一高頻電力被供輸到第二電極4的時 候，離子化作用因帶®粒子的ExB漂移而被加速，這種漂 移是由於電場和鄰近第二電極4的磁場而發生的。结果， 產生高密度的電漿，而增加對工件的加工處理速率。 現在將說明第四實施例的一個變化例。在此一變化例之 中，與第二電極4相連接的第二高頻電源7 a所生成的高頻 電力之頻率係被決定為譬如是1 3 . 5 6 Μ Η z，而令連接至第一 電極3的第一高頻電源7所產生的高頻電力之頻率成為可改 變的，並且被決定為譬如是在自4 0 0 k Η Ζ至2 Μ 11 ζ的範圍。因 此，第一電極3和第二電極4是被施加κ不jgjj頻率的高頻 電力。 在此變化例的蝕刻裝置褢是以如第一質施例相同的方式 進行蝕刻作業的。然而，在造種情形之中，電極之間所產 生的電漿如下。因為1 3 . 5 6 Μ Η z的高頻電力是供輸到第二電 極4褒，由於在第二電極4四周的電埸和磁埸造成帶電粒子 的Ε X Β溧移，而加速離子化現象，因此生成高密度的電漿 本紙ί艮尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 〇 〇 ------裝—— (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁)
、1T -Ai 經濟部中央梯準局員工消費合作社印装 A7 B7 _五、發明説明（20 ) 。另一方面，因為第一高頻電源7是連接到第一 1極3，而 在第一高頻電源7褢的頻率是可改變的，所Μ電源的頻率 能夠視工件的材料、形狀等而改變，使得能夠達到適合蝕 刻作桊的電漿特性。例如*施加到工件上的雛子能量，該 能量是決定蝕刻特性的主要因素之一*這離子能量能夠藉 由改變頻率的方式來控制。結果，可達到一個在充分的控 制下高速的蝕刻作業。， 另外，藉由令第二高頻電源7 a的頻率成為可改變的，使 得除了離子能量的控制以外，電子的密度和溫度出能夠在 一寬廣的範圍内受到控制。 第五實施例 圆1 0是本發明第五實施例的電漿乾燥蝕刻裝置剖面示意 圖。參考編號2 1代表一個處理室，在該室的内部，放置有 一個工件2在台階2 6上面。編號2 2代表一個電漿產生室。 蝕刻用的氣雅經由一氣艘専管15被輸送到該電漿產生室22 。编號23代表一個隔板，該隔板具有複敝個開孔24，這些 _孔係設置在電漿產生室2 2和處理室2 1之間。在處理室2 1 裏的空氣藉肋於一真空泵（圖中未顯示出來），經由一排放 口 1 6排出。處理室2 1被保持在比電漿產生室2 2較高的真空 度。電極25係設置於電漿產生室22裏與隔板23相向對立的 位置上，並且來自於一高頻電源2 7的高頻電力被輸送到該 電極。複数個環形永久磁鐵設置於電極25靠近大氣環境之 一側。编號28代表一個支撐構件，該支撐構件將電極25與 電漿產生室22的猜壁隔離開來，Μ避免高頻電力的流入， 本紙張尺度適用中國囷家梯率（CNS ) Α4規格（210X297公釐> _ 〇 _ (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) —,J—ιΓ 裝------訂------^. 經濟部中央梂準局只工消资合作社印製 314685 • A7 _B7__五、發明説明（21 ) 並且該支撐構件係密封以確保電漿產生室2 2和電極2 5在一 真空狀態。 在具有上述结構的乾燥鈾刻裝置裏，被導人電漿產生室 2 2的用於蝕刻作業之氣體，經由設置在隔板2 3上的開孔 ，通過處理室2 1 *從排放口 5排放出去。在蝕刻作業之氣 體的導入和排放期間，當高頻電力被施加到電漿產生室22 褢的電極25的時候，由於1場和永久磁鐵11在電極2 5附近 所造成的磁場引起Ex B漂移，而加速離子化作用，藉此， - 產生高密度的電漿。在電漿產生室2 2内部生成的電漿經由 隔板23的開孔24，被輸送到處理室21，藉此，對台階26上 面的工件2進行蝕刻加工。 接著*將以蝕刻作業的數據，擧例說明適於蝕刻大直徑 之工件的蝕刻裝置结構。 與圃1之本發明第一實胞例相同的方式，三個環形永久 磁鐵1 1係以同心圓方式排列在電漿產生室2 2的電極2 5靠近 大氣瑁境之一側。以這樣的安排，由於電埸和在電極2 5附 近生成的磁場，因此在靠近電極2 5的部位產生E X B漂移。 然而，不會產生不均勻的電漿分佈。這是因為靠近電極2 5 生成的磁埸褢，由於環形磁鐵的同心圆排列，而使得在電 極25的圓周方向上沒有磁場分量存在。於是，能夠在大的 表面積範画内均勻地產生電漿。 在該裝置褢，環形永久磁鐵11的表面磁場強度是3000高 斯。相鄰環形永久磁鐵之間的距離是50mra。環形永久磁_ 1 1和電掻2 5之間的距離是4 0 π m。電極2 5和隔板2 3之間的距 -24 - 本紙張尺度適用中國圈家梯準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 裝------訂----- 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印装 A7 B7__五、發明説明（22 ) 離是8 Ο π Ε。®漿產生室2 2的容積βΐ 0公7丨·處理室2 1的容 積是5 0公升。真空有效排放速率是1 〇 0 〇公升/秒。隔板2 3 上的開孔2 4緦表面積大約是7 . 0平方公分。C U氣體被用來 作為蝕刻作業用之氣體。當電漿產生室的壓力被設定為 5fliT〇rr的時候，處理室21的壓力變成大約是IniTorr。當在 上述的條件下進行放電的時候，1漿產生室«生成的電漿 密度是在從大約5 X 1 0 9 (件/立方公分）至大約5 X〗0 μ (件 /立方公分）的範園Μ内，這比沒有磁埸肜成的情形高出 —涸等级（order)。另外，處理室21被保持在高度的真空 ，結果，能夠產生精迎的圓案。 利用具有上述结構的蝕刻裝置進行半導體裝置的製造作 業之中，在閘門電路的多晶硅材料蝕刻作業褢，具有六英 时直徑的工件2能夠Μ 1 0 0 n m / m ί η的蝕刻速率和5 %均匀度的 條件進行加工處理。 依照與圖4所示的本發明第二質施例相同的方式，當一 圓柱形永久磁鐵1 3被設置在環形永久磁鐵1 1的同心圓中心 點的時候，蝕刻速率的均勻度能夠被進一步地改善。在這 種情形之中，賴由決定圓柱形永久磁锹的表面磁埸強度是 高於或低於環形永久磁鐵表面磁場強度的3 0 0 0高斯•便能 夠控制磁埸的均勻度。结果，在電漿產生室裏可Μ均匀地 生成電漿，因此蝕刻能夠均匀地進行。 另外，當使用具有上述结構的裝置並採用上述瑁形永久 磁戡11表面磁場強度的時候 > 在電漿產生室22裏形成100 高斯或更高的磁埸強度，Μ及在靠近處理室21的台階26的 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0><297公釐） _ 2 5 - -----Μ1 ^—,J--C 裝------訂------C"、} 5---JI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 314685 A7 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印策 _B7__五、發明説明（23 ) 部位處產生20高斯或更低的磁場強度。結果，靠近電漿產 生室22的電極25之高磁場褢加速形成電漿，並且可維持高 密度的電漿。另外，因為靠1工.„件2的..1览龙—成^低磁-ϋ ，所Μ能夠Μ高速達到較無蝕刻損傷並具有高品質的產品。 'll.Μ I.. — 一•一 第六實施例 圖1 1係本發明第六實施例的電漿蝕刻裝置剖面示意圖。 編號23a代表設在電漿產生室22褢的一個隔板，該隔板係 固定到一個對高頻電力具有絕緣特性的支撐構件28 a。隔 板23a係被施加Μϋ第二高頻fiZU的高頻電力。環形 磁鐵11係安排在與電漿產生室2 2裏的隔板2 3相向對立的位 置上。 蝕刻作業係以與第五實施例相同的方式進行。在電漿產 生室2 2褢，由於施加到隔板2 3 a的高頻電力，而在隔板2 3 a 的四周生成電漿。高頻放電出現在隔板3a靠近電漿產生室 2 2的一側和靠近處理室2 1的一側。在這種情形之中，因為 在電漿產生室22裒的壓力大於處理室21裏的壓力，因此在 處理室21—側的放電小。另外，與電漿產生室22的隔板 23a圼相向對立的磁鍇11控制了電漿向電漿產生室22牆壁 的擴散作用。结果，在靠近隔板2 3區域中生成的簧質電漿 快速地從隔板2 3 a輸送到處理室2 1，而無劣化發生。fi〗是 ，能夠以高密度電漿對工件2進行快速地蝕刻。 第七賁施例 圈12係本發明第t實施例的電漿蝕刻裝置剖面示意圔， 該賁施例係第六賁施例之一變化例。於是，相同的編號代 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4C格（210X297公釐) ~ -------Μ *----裝------訂------Hi--- J7 (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 A7 _B7_ 五、發明説明（鉍） 表相同的或對應的部件。電漿產生室2 2的隔板2 3 a係固定 於支撐構件2 8 a，該支撐構件2 8 a具有對高頻電力的絕緣特 性。第二高頻電源2 7 a將高頻電力施加到隔板2 3 a。另外， 第一高頻霣源27將高頻電力施加到電極2.5，其中，該電極 ------ . — - . . _ . - · —-- 25係設置在與電漿產生室22的隔板23相向對立的位置，並 且固定於對高頻電力有絕緣作用的支撐構件2 8。環形磁鐵 11係排列在電極25靠近大氣環境之一側。在具有上述结構 之蝕刻裝置裏，係以與第五實施例相同的方式進行独刻加 工。當在電漿產生室2 2褢生成電漿的時候，由於第一高頻 電源2 7生成的電場和在電極2 5附近的磁鐵11，產生E X B漂 移，而加速了離子化作用，藉此產生高密度的電漿。另外 ，由於第二高頻電力被施加到隔板23，而在隔板23附近生 成電漿。结果，與第五實施例相較，形成高密度的電漿， 並且能夠以高速進行工件2的蝕刻加工。 第八實施例 圖1 3係本發明第八實施例的電漿蝕刻裝置剖面示意圖。 蝕刻作業之氣體係自氣體導入管15，經由一脈衝氣體閥門 〜-- -.- 2 9，引入到電漿產生室2 2裏，該脈衝氣體閥2 9是一個由致 動裝置30啟動的脈衝氣體供輸裝置。 在具有上述结構的蝕刻装置褢|蝕刻作業係以與第五實 施例相同的方式進行。在這種情形之中，脈衝氣體閥29依 照來自致動裝置3 0的訊號，而作打開（Ο N )和關閉（0 F F )的 動作。當脈衝氣體蹐29被打開在0N的狀態的時候，氣體被 引人，當它被W閉在OFF的狀態的時候，氣體的供輸即行 -----^ --^4—裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
，1T λ 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS ) Α4規格（210Χ297公簸） 27 314685 A7 B7 五、發明説明（25 ) 2 力 室壓 理 使 處 而 和 ’ 22應 室反 生生 產 產 漿作 電 動 ’ 的 變29 不閥 持體 維氣 為衡 行脈 氣對 排因 如龠 假力 。 壓 止的 停裏 的理供 褢處镇‘ 22和持 室22的 生室例 產生施 漿產實 ©漿五 人 電 第 導且輿 被 ， · 體加是 氣增於 當地。 , 性 大 即時變 亦暫異 ο 力 差 化壓力 變的壓 生内的 發室間 間 ，之 時候21 随時室 室裏 理置 處裝 和的 2 1 2 用 室 所 生例 產施 漿踅 電 五 持第 維當 夠 -能如 例例 施 。 實異 本差 , 力 較壓 比的 相大 體間 氣之 _21
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本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 28 經濟部中央橾準局負工消費合作社印策 A7 B7_五、發明説明（) 在具有上述结構的妯刻裝置衷，蝕刻作業是以與第五實 施例相同的方式進行。電漿產生室1生成的電漿被輸送到 處理室2 1，以便對工件2進行独刻加工。在電漿的供_期 間，一高頻電力被施加到台階2 6。然後，靠近工件2附近 的電漿特性被改變。亦即，當高頻電力被施加到工件2的 時候，電漿的離子能量發生變化。該能量係決定蝕刻作業 的特性。因此，藉由改變胞加到台階2 6的高頻電力，便能 夠依照工件的材料，使蝕刻作業特性達到極佳化。 在上述的實施例褢，已經解釋過蝕刻裝置的使用。然而 ，本發明也適用於電漿c v D裝置或m漿喷濺裝置，以達到 相同的效果。例如，當矽烷類的S i丨丨4被導入作為CVD氣體 的時候，該氣體被放電分解，使得在工件上形成一層沉澱 的矽嗣。 在本發明電漿處理裝置的第一種結構中 > 因為複數個永 久磁鐵為圓環形狀，並且它們是排列在同心圓的方式，所 Μ在工件附近形成的所有磁場分量褢，對應於工件直徑的 圓周方向之磁場分量被抵消掉，藉此，在圓周方向上能夠 形成均勻的磁埸，並在該方向上生成均勻的電漿。因為帶 電粒子沿圓周方向溧移，所Κ在同一圓周方向上的電漿密 度是均匀的，而由於電漿的擴散作用使得電漿變得均勻。 另外，因為在相鄰磁鐵在半徑方向上的極性是被定為彼此 相反，並且該永久磁锹之間的距離和表面磁埸强度是被適 當池選擇•在磁場徑向上分佈成波形的磁埸波峰位置因此 可Κ受到控制。另外，可以讓磁場強度在徑向上的差異變 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ~ I------Μ4—^ 裝-------訂------C" i 十y--fi (請先閲讀背面之注^h項再填寫本頁) 314685
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