TW307893B - - Google Patents

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307893 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A? B7 _五、發明説明（/ ) 〔發明之背最〕 〔發明之領域〕 本發明係闞於一種用Μ钃進半導黼襄置之電容器的方 法•且尤指一種用以在一高度薩合的i尊鐮裝置中侬據一 触刻製程，使用攥雜與未摻雜·閬鈾刻蓮揮寒之夔來製造 具增加表面積的電容器的方法*鞴此確保一裹霜容篇。 〔前技之描述〕 半導艚裝置近來的商度轚俞钃費不可蒙免地牽涉到格 尺寸的滅小。然而，此一格尺寸的滅小専致在形成具足构 容量的電容時遇到酿難。缠是因為電容量饑興霉容的表面 稹成比例。 在一包括一金氣半導《 (MOS)電晶_輿一籩容器 的動戆随櫬存取紀憧ff (DRAM)的情況下•特別係對 於D RAM装置的高度聱合·滅少霣容所佔的面積兹且獲 得一高的霣容器容量係十分邐聲的。 為了增大霣容量，各種研究巳被作出。例如，考窳到 電容器的容ft與霣容器的表面糠成正比且輿構成轚容器之 絕緣膜的厚度成反比的事實，使用一里現商嫌緣常數之絕 緣材科、形成一薄的辑緣膜、及形成具一增大的表面積的 霣容器已成為從所周知。 然而，所有埴些方法有其自身的禰麵。儘管各喔材料 如Ta2 0S 、Ti02或SrTi03已作為里現一高絕緣常黻的級 緣材料被提出，但其可靠性與薄_特性《未戡証寶。蠢於 -4- ---------ί裝-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本筲) 訂 線 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS) Α4規格（210X297公1 ) A7 307893 B7 五、發明説明（i) 此原因，在實陳情況中儺Μ使用软筹«緣材料Μ用於半導 艚装置。鱷緣膜摩度的滅小導致轚臞格膨響刺電容器可靠 性的絕緣膜埴成撰害。 為了壜大電容器的_面積，又有柱狀罨容器链 構被提出。現在，將描逑一種用於製遺該一圈柱狀爾容器 结櫛的方法。 依據此方法*準備一半導讎基片，其具一下鱺權層。 一接觸孔其後依據一使用接觸光》的触刻翳程而形成於該 半導艚基月以便暴鼸出半導體基片之一欲求的部份。於所 獲的结構上，形成一第一専霣靥。該第一導電曆傈遒《接 觸孔與半導鰻基片接觸。一氣化臢花攥其後侬鐮一使用接 觸光罩的蝕刻製程而形成於該第一導電»上。使用氣化_ 花樣作為一光罩後•該第一導電曆其後被触刻。此時•下 絕緣曆被用作一蝕刻阻播暦。於所獲的结構之上* 一第二 導《曆被沈積至一欲求的厚度後•第二馨爾靥被各向 異性地触刻，鶊此形成分別位於翥化屬之儒臞上的第二導 霣靥的隔難靥。埴些隔雛層輿第一導霣靥接牖，此後，氣 化膜被去除，藉此肜成一園柱黻髄存電槿。在鼸後的步骤 中•一絕嫌膜與板極形成於該_柱狀黼存爾釀上。翻此* 獲得一圓柱狀霣容器。使用陔一方法，一具多數麵柱《鮪 a ..... '"I： :, 構的霣容器可被形成。然而，此方法涉及到蘭保用於离度 ^“半-導、麗莱置的.1..11.1.%的。 〔發明之概饔] -5 ** --------—裝------訂-----(-線 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準K?貝工消费合作社印袈 本纸伕尺度適用中国國家橾準（CNS ) ( 210X297公釐） A7 307S93 B7 五、發明説明（3 ) 因此*本發明之一目的係在於提供一繾用於製嫿一半 導β装置之電容器的方法，該方法可依雒一使用灌法靥豔 選揮比之差的鼬刻製程而形成锡插一具壜大之表面積的齙 存電極的電容器结構•鷓此嫌薄离度轚备之半導鱷裝置所 需的足狗的電容ft。 依據一方面》本發明提供一種用於製It半•鱺裝置之 電容器的方法*其包括步骤：部份地去除一形成於半導β 基片上的下涵緣靥•藉此形成一 ϋ _ ft •半導鱺基片一欲 求部份逋過該接觸孔暴ΙΚ出；以一交替形式於肜成孩接觸 孔後所獲得的结梅上形成搛蠊的宑晶導電Μ興未鐮繡的非 晶導電膜，藉此形成一具多曆鑪構的第一非矗導電歷以使 摻雜的非晶導電臢的最上面一躧顧姐成該多層鰌檷的最上 部；依據使用髓存電«光罩之一蝕刻軀程》形成一涵緣腰 花攧於該最上面一靥雒雜的非岛導電臢上；Μ-交替形式 於形成該涵緣膜花樣之後所獲得的结檐上形成来播轤的非 晶導霣膜與癢雜的非岛導電顏，_此形成一第二非晶的導 霣曆；在該絕緣膜花樣與下絕嫌暦被用作一__阻雄暦的 條件下，於形成該第二非晶的導爾曆後所獾链備的轚儒表 面處触刻掉該第一輿第二非晶導電靥的繡厚度；依據一溼 法蝕劑製程去除該絕緣旗花樣；於—所两的》度下退火該 第一與第二非晶的導電層達一所霱時閱•鞴此形成未搪散 雜質的第一與第二晶《化的導爾靥；於一濯法触刻製程中 ，於一欲求*度上触刻該第一興第二晶驩化導爾暦，鞴此 -* 6 ~ 本紙法尺度逍用中國國家梂準（CNS ) Α4规格（210Χ 297公瘦） --------ί _裝------訂-----/線 (請先Μ讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央搮牟局負工消费合作社印装 經濟部中央搮準局負工消费合作社印装 307893 A 7 B7 五、發明説明（4 ) 於該第一與第二矗β化的導電爾處提供一不规則鮪構；及 將鎗質離子摻入該第一興第二曷鱷化導電層的未攮雜部份 •藉此形成一於其各侧握上具不规則鑲構的臞柱狀鶼存電 -! 極。 依據另一方面》本發明提供一種用於製遣半導讎装置 之電容器的方法，其包括步驟；部份地去除一形成於半導 _基片上的下结緣曆•藉此形成一接觸孔*半導靨*片一 欲求部份遒遢該接觸孔暴霱出；Μ—交替形式於形成該接 觴孔後所獲得的结構上形成摻鳙的非晶導爾_輿未繼蠊的 非晶導電膜•鞴此形成一具多層鏟構的第一非晶導爾暦Μ 使一播雜的非晶導鬌_的最上面一靥膜姐成該多層餹«的 最上部；依攆使用雜存電極光軍之一豔菊製程*形成多數 絕緣臢花樣於該最上面一層嫌艙的非晶導爾黼上；以一交 替形式於形成該等絕緣膜花櫬之後所獲搏的结梅上形成未 摻雜的非晶導霣臢與播雜的非蠤_電膜·_此形成一第二 非晶的導霣靥；在該等鰌緣臢花樣輿下雄緣層被用作一触 刻阻擄層的條件下，於形成該第二非晶的«罨靥後所獾结 擁的第二非晶専霄臛之整個表面處之第一興第二非晶導« 歷的總厚度；依據一溼法齙繭製程去除該等糴緣Bt花樣； 於一所需的溫度下退火該第一興第二非晶的導電層缠一所 播時闢•藉此形成未攘數蟾《的該第一與第二晶》化的導 «靥；於一溼法»刻製程中，於一欲求寬度上錶刻該第一 與第二晶《I化導爾臞，II此於該第一與第二晶Η化的導爾 _ 7 - 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4現格（210Χ 297公f ) --------Λ丨裝-------訂-----h線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 中 央 揉 .準 局 貝 工 消 费 合 作 社 印 製 A 7 B7 五、發明説明（r ) 層處提供一不規w结構；及賻_«雛子播入該第一與第二 晶》化導電靥的未播输部份，_此形成分別於其侧蟹上具 不規則结構的多柱型雠存電檯。 〔财·之籣要描述〕 ~ i 本發明的其他目的輿方面在κ下參考附醑的實嫌例的 描述下將十分》楚*其中： 第一至第八_為剖視•分別銳明依娜本讎明之一種 用於製埴半等腰裝置之電容器的方法。 〔較佳實施例的詳细說明〕 第一至第八為剖視_ *分別銳明依據本發明之一種 用於製埴半辱《裝置之電容器的方法。 如第一鼷所示，依據本發明之方法，牵儀——半導鼉基 片1 1且其後一下絕緣靥1 3形成於該半導跚基片1 1上 。該*下絕緣層13包括一元伴播雛的維嫌鼷（_中未示 )、一閘極（_中未示）及一雑質攘敝驅（_中未示）° 此後，該下涵緣暦1 3依據一使用接觸光覃（騙中未示） 的蝕刻製程而被触刻，鞴此形成一接觸孔1 5。通過該接 觸孔1 5，半導鼸基片1 1暴»出其欲求的部份。 於所獲的结構之上· 一第一非晶矽靥形成*其繾通接 觸孔1 5輿半麵鱷基片1 1接臞。該第一非蕞矽雇具一包 括交替的播雜與未摻嫌之非矗-¾里顧结構 。各摻雜的非晶矽臢17被摻Μ—高澹度的η型蟾質_子 。第一非晶矽靥的多暦结構具攀鶼及未攥鐮之非晶砂臢1 一 8 — (請先Μ讀背面之注f項再填寫本JT) -裝. 訂 線 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（2丨0><297公釐} 經濟部中央搮準局負工消費合作社印«. 307893 A7 B7 五、發明説明（έ ) 7與1 9的欲求數目輿厚度*Ηί —多層弗晶砂層的最上面 ：. mm II.

................ "+ ''^'N 一雇膜儀由一摻艙的非晶矽膜形釀。 ...... 摻禳輿未捿蠊之非晶矽臢1 7與1 9的形成僳婕用一 矽滙氣髓如Situ 、Si 2 H 6或Si 3 Η 8及一雑黌灝氣 髓如 ΡΗ3 ，於一450〜550Ό的湩度下，Μ留在原 位的方式，依據一低懕化畢氣相灘積（LPCVD)的方 法來進行。在此情況下，ΡΗ3氣的開一圔灌量以一原位 方式來控制。在有ΡΗ3氣*的情況下，含括於PH3氣_内 的三儷《被用作蠊質。 摻嫌輿未摻雑之非晶矽臢17與19的形成又可依搛 —電漿增強型化學氣相_穩（PECVD)法來進行。於 此情形下，非晶矽讓1 7興1 9分刖使用不同的沈獼狡備 來形成。 於第一非晶矽臢1 7之上（該第一非ft儀係第二鼸所 示结構之最上面一曆膜），二氧化膜21其後形成，如第 三所示。該氣化膜2 1係由比低鮰緣靥1 3里現一更高 …一一.一:…—: 一 一 .…——一…一....---------------------- g刻$的nmmm。例如，當下絕緣j»i 3係由一高溫 氣化物（HTO)製成時，該氣化删2 1由麟砂酸玻鵰（ PSG)製成。氧化膜2 1具比第一非晶矽臢17興19 的鐮厚度更大的厚度。醣後，光阻繭Λ花饑2 3侬據使 用脯存霣欐光犟（_中未示）之一触刻澹稷而形成於氣化 臢2 1上。 使用光姐_顏花樣2 3作為一光罩後，翁化黼其後被 本纸張尺度適用中矚國家梂準（CNS)A4规狢（210X297公§ ) -----------.裝------訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再樓寫本頁) 307893 A7 B7 經濟部中央揉率局負工消费合作社印製 五、發明説明（q ) 蝕刻，藉此形成一氣化膜花櫬2 1 ’ ，如第四钃所示者。 此後，光阻_膜花樣23被去除。 於所得的结構之上•一第二非轟矽層形成，如第五· 所示者。該第二非晶矽靥具一由交替雑_播雑之非 •Μ1» ... I，..·. ....”>—1 - . 1 ^ k· —- - „ ,. ,., ,u.t 晶矽膜25與27形成0¾歹層魅犧。各播嫌的非晶砂臢2 7被摻以一离«度的η型蟪霣雄子。非晶孩鹏2 5與2 7 的形成係Μ相同於非晶ρ膜1 7、1 9形成的方式來逢行 。第二非晶矽靥的多暦结構具有播雑及未攤雑之非黑矽膜 >r 3"·?與的欲求數目輿摩度。考處到興未撬譫興繼_之 非晶矽膜2 5與2 7相鼷設置的格的距黼•未镰軀興縑雄 之非晶矽膜2 5與2 7的»目輿厚度為確定的。特別地· 第二非晶矽膜2 5興2 7的總摩度應小於輿设置於其供旁 的格的二分之一距鼸以防止其與《近的格形成短路。 第二非晶矽縝2 5與2 7的多層结備其後依據一乾法 蝕刻製程於其整儷表面處被鍤刻其厚度以暴霣出氣化鼸花 樣21’ ，如第六黼中所示。此後，第一非晶砂膜17與 1 9的多靥结構於其螫偏表面處被触刻，鵜此暴露出下絕 緣曆1 3。於曲JI髮：f，氣化臟花樣2 1/ *乎牵被鼓翅 ，因為其呈現一與非晶矽膜1 T、1 9、g 5、2 7之触 ,... --------. 卜...... ...... ............... . 刻遘擇率的高差異。因此，氧化膜花樣21 *充當一光罩 ....— ..........................................................."......* 〇 黼後，氣化臢花欏2 1 1侬據利用氣ft儀花樣2 1 1 興非晶矽臢1 7、1 9、25、27聞触刻麵揮率之差的 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4规格（210X297公釐） -- (請先閾讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 五、發明説明（δ ) 1 1 —— m 法 腐 鍤 製 程 而 被 去 除 » 如 第 七 _ 所示 。於此 情 形 下 I 1 氧 化 膜 花 欏 2 1 9 的 去 除 係 使 用 m 化籯 (H F ) 溶 液 或 1 1 — BUFFERED 氧化物触瓣繭 (Β 0 Ε ) 溶液來道行 請 1 I 第 七 _ 中 之 整 «9 结 m 其 後 於 溫廑 m ύ 為6 0 0 7 0 元 Η 讀 酵 1 背 1 0 c 下 於 —* 通 入 的 氣 麵 瑁 境 中 Htit 俄 退 火3 0分鐮 S 5 小 時 dEr 之 1 I 如 第 八 所 示 0 雜 由 退 火 摻 雜 的 非晶 砂顏1 7 與 2 7 、 注 1 1 中 所 含 的 雜 質 被 激 膽 〇 於 此 m 程基 閜 ，非 廉的矽 麟 1 7 > 項 再 填 卜 1 9 2 5 與 2 7 被 晶 Λ 化 為 多 晶 矽 0 ...... 寫 ▲ 装 頁 1 Η .此 覆 靥 於 半 導《 基 片 1 1 上 的多 Α矽膜 1 7 \ 1 1 I 9 、 2 5 輿 2 7 的 整 俚 结 櫳 具 一 η 柱 狀》 1 1 此 後 摻 雑 的 多 晶 矽 鱒 1 7 驄 2 7使 用其餘 刻 m 揮 率 1 1 之 差 而 於 一 欲 求 的 X 度 上 被 蝕 m 如 第八 _所示 〇 於 此 情 訂 1 形 下 — HN〇3 /CB3 C00H/HF溶液被用於»麴。因此 圃柱 1 I 狀 结 m 的 俩 m 具 有 含 多 數 腳 的 不 规 則 性0 所麵的 裢 構 經 歷 1 I 一 溫 度 範 _ 6 0 0 7 0 0 的 熱 處 理Μ 使多晶 矽 膜 1 7 1 與 2 7 内 含 括 的 雜 質 離 子 可 攘 敝 到 多 晶砂 m i g 與 2 5 中 線 1 ， 箱 此 摻 鎗 埴 些 膜 1 9 與 2 5 〇 m lb ，獾 傅一具 堆 大 的 表 1 I 面 積 的 圓 柱 狀 緘 存 電 槿 2 9 〇 1 I 摻 雜 多 晶 矽 膜 1 9 與 2 5 的 步 骤 使用 P0C13 來 進 行 0 1 1 I 或 者 m 離 子 藉 由 在 一 6 0 0 1 5 0 0 υ的高 瀣 下 Λ 人 1 1 作 為 雜 霣 源 氣 鱷 的 PH3 氣 黼 來 嫌 入 多 Α矽 顧1 9 輿 2 5 〇 1 1 於 — 随 後 的 步 鼸 中 — 结 緣 _ ( 中 未示） 與 板 極 ( 1 I 中 未 示 ) 順 序 地 形 成 於 髓 存 霉 極 的 表面 。因此 可 獾 搏 1 1 I - 1 1 1 1 1 本纸*尺度遑用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公ft > 307893 A? B7 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 五、發明説明（？） 一具有用於高蹩合半導鐮装置之足轉電容的電容器。於 此情況下，絕缘膜係由一呈規優良絕緣特性的材料製成。 例如，涵嫌膜具一NO或ΟΝΟ的合成结構。板極可由多 晶矽、P0LYCIDE或一類似的導霣材科。 依據本發明，一多柱型儲存霍檯可被彤成。於此慵形 下，若干氣化臢鷗由控制依據使用鯓存霣極光罩之触鋤製 程而形成的氧化膜2 1的尺寸來形成。其》果係*形成一 具二或四個園柱黼•各具Μ上所述之不規則形式的黼存電 。極 儘管依據本發明所述之寶嫌儒*第一非晶矽層的最上 面一層係由一摻雜的非晶矽膜形成•且第二非晶矽靥的最 下面一層係由一未摻蟾的非晶矽_形成，但ΒΛ亦可形成 為一與Κ上情形相反的形式。 如Μ上所述可清楚地見及•本發明提供一種用於製造 半導髓装置之霣容器的方法，m據攄黑播普黌秦播雜-矽膜間《刻率之差的一敗刻製舉面肜酿一设在其籌钃上提 供增大的皂麗遺的義不規贩性賴鳙存電播，蠤此不儀獲得 半導《装置之高整合所釋的足_的雪容，县鳙成可_性的 提升。 儸管本發明的較隹實施例B用於說明的目的被播示* 那些热悉此項技軀之人士可K理解•未脫離如«附之申請 専利範園所述本發明之鲰_與糖》的各種變更、添加與替 代為可能的。 -12- (請先閎讀背面之注$項再填寫本頁) -麥· ·」 " t_

L 本纸張尺度逍用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Λ8 BS C8 D8 六、申請專利範圍 1 * 一種用於製進半導鱷襞置之電容讎的方法包括步 驟： 部份地去除一形成於半導餐基片上的下緬緣暦•糴此 形成一接觴孔，半辱鼉基片一欲求部份該攮餺孔暴霣 出； 以一交替形式於形成該捩觸孔後所爾得的餹櫳上形成 摻雜的非晶導霣膜輿未摻鐮的#轟導竃_·蘑此形成一具 多靥结構的第一非晶導霣暦Μ使播蟾的非&導電膜的最上 面一靥臢组成該多靥结溝的最上部； 依據使用》存霣槿光軍之一鱸刻製程*形成一糴嫌膜 花樣於該最上部的癬雑的非晶導轚臢上： 以一交替形式於形成該絕縿願花欏之後所獮得的《構 上形成未摻雑的非晶導爾膜輿攥雑的非晶導爾臢，藉此形 成一第二非晶的導電層； 在該涵緣膜花嫌興下絕鑤層被用作一賊刺姐叢靥的絛 件下，於形成該第二非晶的導電靥後，於所義结讎的轚個 表面處蝕刻掉該第一輿第二非晶導電層的鐮厚度； 依據一灌法蝕孀製程去除駭絕緣臢花嫌； 於一所需的溫度下退火該第一與第二非晶的導爾臞達 一所需的時閜•藉此形成未擴黪_質的篇一輿第二晶鱷化 的導霣靥； 於一溼法餿刻製程中，於一欲求寬度上齣刻該第一與 第二晶鱧化導霣暦的摻雜部位，艚此於該第一輿第二晶體 -1- 本纸伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公t.) (請先W婧背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 AS B8 C8 D8 ‘ 七、申請專利範圍 化的導電暦處搛供一不規則结及 將雄質雛子摻入該第一輿第二11鑾化馨鬌靥的未籲雑 部份，蕕此形成一於其各供璧上具不规厢繽構的圈柱賦鶬 存電檯。 2 ·如申謂専利鼸_1所述之方法，其中該等第一輿 第二非晶導電靥之未摻雜鼸係依據一低臛化畢氣枏賺獼法 •於一矽缠氣鱺的環境中形成。 3 ·如申請專利耱醒2所述之方法•其中該矽源氣* 包括 SiH4 · Si2 Hs ，或 Si3 Hs 。 4 ·如申鱅專利耱_1所继之方法，其中該等第一輿 第二非晶導鼋曆之播雑膜係依據一低壓化學氣相讖積法· 於一矽灌氣黼K及作為一癱質灌氣臞的PH3的環境下形成 〇 5.如申請専利鳙_1所述之方法•其中該等第一與 第二非晶導電層的膜僳依據一霉嫌螬酱型化學氣相鼸積法 形成。 6 .如申請専利鼸圃1所逑之方法，其中該糴緣膜花 樣包括一比下絕緣層里現更离独繒寒的氣化膜。 7 .如申請専利轘麵1所述之方法，其中該下絕緣曆 包括一高滬氣化物，且該鱷蝝麟花濉包括一纗矽酸玻*。 8 .如申請專利糴_1所逑之方法，其中該鱷緣_花 搛之厚度大於該第一非晶導爾層的厚度。 9 ·如申請専利鳙醒1所述之方法，其中該第二非晶 -2 - 本纸法尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨〇:<297公瘦） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本I) 裝. 訂 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 307893 as B8 C8 D8 六、申請專利範圍 導電暦之厚度小於設在其鄰近的格的1/2艇雛。 1 0 .如申謫専利镛 1所逑之方法*其中該將艙質 離子摻入該第一興第二晶鱺化•爾層之未鎌_都份的步籌 :,ϊ 包括於一 6 0 0〜1 5 ο ου的濃度糴幽内_«未鐮鐮部 份通入一雜質源氣臁的步鼸。 1 1 .如申嫌專利鐮_1所逑之方法·其中該將鏽質 鼸子播入該第一與第二晶體化導電層之未黴鰌部份的步驟 包括將P0C13摻入未搛雑部份的步骤。 12·如申鯽専利範麵1所述之方法*其中該第一非 晶導電曆之最上一跚騰包括未癬鏽的非晶寒電臢。 1 3 ·如申臃專利範匾1所述之方法，其中該第二非 晶導霣層之最下一靥顔包括摻雑的非晶導霉鼸。 14·如申請專利範麵1所述之方法*其中繽用於第 —與第二晶«化導電曆之播蠊鯽份的灌法触刻製程包括依 據其輿第一及第二晶體化導電層之未摻雜部份的蝕刻邏揮 率之差Μ-ΗΝ03 /CH3 C00H/HF 港液蝕刻嫌雖部份的步》 0 1 5 ·-種用於製埴半導讎装置之電容器的方法包括 步驟： 部份地去除一形成於半導鼸綦片上的下《緣爾•鶫此 形成一接觸孔，半導《碁Η —欲求部份逸瓛該接觸孔暴露 出； Μ—交替肜式於形成該捿鼸孔後所獲得的结構上形成 -3 - 本紙&尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0>< 297公釐） --------/ 裝------訂------^.%. (請先閱讀背面之注恚事項再填寫本I) 蛵濟部中央標隼局員工消費合作社印製 Α8 88 C8 D8 六、申請專利範圍 接雜的非晶導爾臢興未摻繡的非*導霪膜•藉此形成一具 多暦结構的第一非晶導電曆κ使鏞雜的非*霉電親的最上 面一暦膜組成該多曆结構的最上部； 依據使用鱸存霣極光覃的一蝕《 ϋ·形成多數鱷緣 _花搛於該最上面一曆的攆雑的非晶導霣顧上； Μ—交替形式於形成該等糴饑臢花樣之饞所獲薄的踣 構上形成未播籟的非晶導霣膜輿搛譫的非晶導霄臢•鶊此 形成一第二非晶的導電暦； 在該等涵緣膜花樣興下鱺雔層被用作一餘刻阻擋層的 條件下，於形成該第二非晶的導*履後所藝结姆的該第二 非晶専電暦之蹵價表面處銭刻禅第一與第二非矗導霉靥的 總厚度； 依據一溼法触两褽程去除該等_緣鼸花樣； 於一所需的灌度下退火該第一與第二非晶的導霣層達 一所需的時間，鞴此形成未攘雕_質的第一與第二晶嫌化 的導霣曆： 於一溼法鍤刻襲程中，於一欲求霣度上鍤梅該第一與 第二晶體化導電牖的搛蠊部位•蘅此於該第一輿第二晶黼 化的導«靥處提供一不規則结嫌；及 將镰質離子摻入該第一與第二晶髓化專爾靥的未嬝雑 部份•藹此形成分別於其傷鑒上具不規則餹構的多柱型齙 存«檯。 1 6 .如申請専利第1 5項所述之方法，其中該等維 本紙张尺度適用中國國家櫟準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） ί .»-------訂------{ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 307893 六、申請專利範圍 緣臢花樣的數目為2至4。 8 88 8 ABCD 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 5 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁)

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