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KR940022841A - 반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법 Download PDF

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KR940022841A
KR940022841A KR1019930004396A KR930004396A KR940022841A KR 940022841 A KR940022841 A KR 940022841A KR 1019930004396 A KR1019930004396 A KR 1019930004396A KR 930004396 A KR930004396 A KR 930004396A KR 940022841 A KR940022841 A KR 940022841A
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capacitor
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semiconductor device
etching
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KR1019930004396A
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Inventor
최용진
이태우
오용철
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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Abstract

반도체장치의 신규한 구조를 갖는 커패시터 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 반도체기판상의 소정부분과 접속하고 있는 스토리지전극과, 상기 스토리지전극상에 유전체막을 개재하여 형성된 플레이트전극을 구비하는 반도체장치의 커패시터에 있어서, 상기 스토리지전극은 상기 반도체기판상에 접속된 하부와, 상부가 원통형상이며, 상기 상부와 하부를 연결하는 중간부위는 볼록부를 가지고 그 표면적이 증가한 화병형상을 이룬다. 상기 볼록부는, 반도체기판상에 순차적으로 적층되어 형성된, 소정의 습식식각에 대해 서로 다른 식각율을 가지는 두 물질층 중 한가지 물질층만을 식각함으로써 이루어진다. 상기 스토리지전극은 하나의 도전층만으로 형성되며, 상기 두 물질층을 모두 제거함으로써 스토리지전극의 상면, 측면 및 하면까지 유효커패시터 면적으로 사용하게 된다. 따라서, 셀커패턴스의 증가를 용이하게 달성할 수 있으며 신뢰성있는 커패시터를 얻을 수 있다.

Description

반도체장치의 커패시터 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명의 방법에 의해 제조된 반도체 메모리장치를 도시한 단면도, 제6도 내지 제10도는 본 발명에 의한 반도체장치의 커패시터 제조방법의 제1실시예를 설명하기 위한 단면도들.

Claims (14)

  1. 반도체기판상의 소정부분과 접속하고 있는 스토리지전극과, 상기 스토리지전극상에 유전체막을 개재하여 형성된 플레이트전극을 구비하는 반도체장치의 커패시터에 있어서, 상기 스토리지전극은, 상기 반도체기판상에 접속된 하부와, 상부가 원통형상이며, 상기 상부와 하부를 연결하는 중간부위는 볼록부를 가지며 그 표면적이 증가한 화병형상을 띠는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 원통형상의 상부표면이 수평방향으로 소정길이만큼 확장된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터.
  3. 제1항에 있어서, 상기 볼록부가 적어도 하나이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터.
  4. 제1항에 있어서, 상기 볼록부의 폭은 상기 스토리지전극의 두께보다 2배이상의 폭으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터.
  5. 스토리지전극, 유전체막 및 플레이트전극을 포함하는 반도체장치의 커패시터 제조방법에 있어서, 상기 스토리지전극을 형성하는 공정은, 반도체기판 전면에 제1습식식각에 대해 서로 다른 식각율을 갖는 제1물질층과 제2물질층을 순차적으로 적층하는 공정; 트랜지스터의 소오스영역을 부분적으로 노출시키는 접촉창을 형성하는 공정; 상기 제1물질층을 부분적으로 제거하여 볼록한 공간부를 형성하는 공정; 상기 접촉창 및 공간부를 포함한 결과물 전면에 제1도전층을 침적하는 공정; 상기 제1도전층을 각 셀 단위로 한정하는 공정; 및 상기 제1물질층과 제2물질층이 비슷한 식각율을 갖는 제2습식식각으로 상기 제1 및 제2물질층을 전부 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 반도체기판 전면에 제1물질층과 제2물질층을 순차적으로 적층하는 공정전에, 제3물질층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제3물질층을 구성하는 물질로, 임의의 습식식각에 대하여 상기 제1물질층 및 제2물질층을 구성하는 물질과는 그 식각율이 다른 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제1물질층을 구성하는 물질로, 소정의 건식식각에대해 상기 제2물질층을 구성하는 물질과는 그 식각율이 같고, 소정의 습식식각에 대해 상기 제2물질층을 구성하는 물질과는 그 식각율이 다른 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  9. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2습식식각에 대해 상기 제1물질층 및 제2물질층을 구성하는 물질의 식각율의 차이가 크거나 작음을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  10. 제5항에 있어서, 상기 제1 물질층 및 제2물질층의 두께가 상기 제1도전층의 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  11. 제5항에 있어서, 제1 물질층과 제2물질층을 순차적으로 적층하는 공정전에, 상기 제2물질층을 적층하는 공정이 선행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  12. 제5항에 있어서, 제1 물질층과 제2물질층을 순차적으로 적층하는 공정은 1회이상 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  13. 제5항에 있어서, 상기 제1습식식각공정은 1회이상 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
  14. 제5항에 있어서, 상기 접촉창은 건식식각에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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