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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1 ) 本發明係關於一棰光學投影条統，且尤指一棰供条统 使用之MX N薄膜致動鏡面陣列及其製法。 在本技藝中不得之各棰視頻顯示糸統中，據知一光學 投彩糸統可K一大規模方式提供高品質之顯示。在此一光 學投影条統中，來自一燈具之光線不均勻地照射在一，例 如，MXN致動鏡面陣列上，其中每一鏡面均與每一致動器 相連。致動器可由一電位移材料（例如一壓霣或一霣致伸 縮材料）所裂成而該材料會堪應一施加於該材料上之電場 而變形。 來自每一鏡面之反射光束係入射至，例如，一光學播 板之開口上。藉著施加一電氣信號至每一致動器之方式， 毎一鏡面相對於入射光束之位置即改變，藉此造成來自每 一鏡面之反射光束之光學路徑之傾移。當每一反射光束之 光學路徑變化時，由每一鏡面反射並通過開口之光線量即 改變，藉此可調制光東強度。經過開口之調制光束偽經由 一適當光學装置（例如一投彩鏡片）而傅送至一投彩螢幕上 ，以藉此於其上顙示一影像。 第1A至1G_中，係揭示裂造一MX N薄膜致動鑲面101 之陣列100時所涉及之製造步驟，其中Μ及N均為整數，該 等裂造步班係揭露於名稱為"THIN FILM ACTUATED MIRROR ARRAY”之共有申請中之美國申請案第08/430,628中。 陣列100之裂程Μ製備一主動矩陣10為始，該矩陣包 含一基質12，一 Mx 晶體陣列（未顯示）以及一MX Ν連接 端子14之陣列。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0'乂 297公釐） 4 裝------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7

Su5343 五、發明説明（2) 在一後繙步驟中，利用一嘖鍍或一蒸發法（假設薄膜 犧牲層24由金屬製成時），一化學氣相沈積（CVD)或一自 旋塗覆法（假設薄膜嫌牲層24由矽化磷玻璃（PSG)製成時 )，或一 CVD法（假設薄膜犧牲層24由一多晶矽製成時） 而於主動矩陣10之頂面上形成一薄膜犧牲層24。 接著，形成一支持層20其包括薄膜犧牲層24所圍包之 MX N支持構件22之陣列，其中支持層20乃藉Μ下方式形成 :利用光刻法於薄膜犧牲層24上產生一ΜΧΝ空槽陣列（未 顯示），每一空槽均圍繞連接端子14面設；Μ及利用一噴 鍍或一 CVD法於每一圍撓連接端子14而設之空槽内形成一 支持構件22,如第1Α圖所示。支持構件22乃由一絕緣材料 裂成。 在一後績步驟中，一Μ相同於支持構件22者之絕緣材 料所製成之彈性層30偽利用一Sol-Gel，一噴鍍或一 CVD法 而形成於支持層20之頂面上。 接著，一由金屬裂成之管道26係藉著以下方式形成於 每一支持構件22内：首先產生一MX N孔洞陣列（未顯示〉， 每一孔洞利用一蝕刻法由彈性層30之頂面延伸至連接端子 14之頂面；以及以金羼充填該孔洞内部Μ藉此形成管道26 ，如第1Β圖所示。 在次一步驟中，一由導電材料製成之第二薄膜層40係 利用噴鍍法形成於包括管道26之撣性層30之頂面上。第二 薄膜層40係經由支持構件22内所形成之管道26而霄連至電 晶齷。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） ! I II 裝— 訂 I 線 -* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 經濟部中央標準局員Η消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 接著，一由壓霣材料（例如鈦酸鉛锆（PZT )〉製成之薄 禊電位移層50係利用喷鍍法，CVD法或Sol-Gel法而形成於 第二薄膜層40之頂面上，如第1C躧所示。 在一隨後步驟中，薄膜電位移層50,第二薄膜層40侑 彈性層30係利用光刻法或雷射修整法直到支持層20中之薄 膜犧牲層24外露為止之方式而樣式化成一MX N薄膜電位移 構件55之陣列，一 MX N第二薄膜電極45之陣列，Μ及一 Μ X Ν彈性構件35之陣列，如第ID圖所示。每一第二薄膜霣 極4 5均經由每一支持構件22内所形成之管道26而電連至一 相關電晶體，並充作薄膜致動鏡面101中之一信號電極之 用。 其次，每一薄膜電位移構件55係在約65〇υ之高溫下 進行例如（ΡΖΤ)熱處理Μ容許產生相位轉換而藉此形成一Μ ΧΝ熱處理結構之陣列（未顯示）。因每一熱處理薄膜霣位 移構件55均足夠薄，所以在其由壓霣材料製成之情形下無 需將其棰化：此因其可Μ薄膜致動鏡面101蓮作期間所施 加之電氣信號加Μ極化之故。 以上步驟之後，一由導II及反光材料製成之ΜΧΝ第一 薄膜電極65之陣列係藉Μ下步驟形成於MX Ν熱處理結構陣 列中'之薄膜霣位移構件55之頂面上，即首先利用噴鍍法形 成一由導電及反光材料製成之層60,完全覆蓋MXN熱處理 结構之陣列之頂面，包括支持層20中之外露薄膜犧牲 24 ，如第1E圖所示，Μ及接著利用一蝕刻法'灌擇式移除層60 ，產生一 MX Ν致動鏡面结構111之陣列110,其中每一致動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） 6 I I II I 裝 訂 線 < (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) 鏡面结構111包括一頂面及四钿面，如第1F圏所示。每一 第一薄膜霣極65充作薄膜致動鏡面101中之一鏡面及一镅 蹏電極之用。 先前步驟隨後接著Μ—薄膜保護層（未顯示）完全覆蓋 每一致動鏡面結構111中之頂面及四側面。 接著支持層20中之薄膜犧牲層利用一蝕刻法移除。最 後，移除薄膜保護層以藉此形成MX Ν薄膜致動鏡面101之 陣列100，如第1G圖所示。 上述MX N薄膜致動鏡面101之陣列100之製法存有相關 之將定缺失。通常薄膜犧牲層24移除後，接著利用一沖洗 劑沖洗移除時所用之蝕刻劑或化學品，該沖洗劑依序藉蒸 發而移除。在沖洗劑移除期間*沖洗薄I之表面張力可能將 彈性構件35朝主動矩陣10下拉，藉此使彈性構件35黏著於 主動矩陣10而影逛個別薄膜致動鏡面101之性能。當足夠 之薄膜致動鏡面101因此受到影«時，且陣列100之整體性 能亦可能劣化。 此外，為利用蝕刻法程除支持層20中之薄膜播牲層24 Μ產生每一薄膜致動鏞面101之驅動空間，蝕刻劑或化學 品即經由一薄膜保護層加Μ覆蓋之致動鏡面結構111間之 間隙而嵌入。然而，需花費極長時間Μ完全移除支持層20 中之薄膜犧牲層24, Μ及此外薄膜犧牲層24可能無法被完 全移除，留下殘餘質於所欲之驅動空間中，此将依序劣化 受此影《之薄膜致動鏡面之性能。再度，酋足夠之薄膜致 動鏡面101受到如此之影堪時，陣列100之整醱性能亦會劣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） 7 ^ 裝 i 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（5 ) 化0 除上述製法中之缺失外，如此製備之陣列100具有一 主要缺酤，該缺點爲整體光學效率。當每一薄膜致動鏡面 101響醮横跨薄膜18位移構件55所施加之霄場而變形時， 連接至該處之第一薄膜電極65 (其亦充作一鏡面之'用）亦 會變形以藉此產生一彎曲頂面（而非產生一平面頂面）而 光束即由該彎曲頂面反射。因此，陣列100之整體光學效 率遞減。 因此，本發明之一主要目的係提供一種MX N薄膜致動 鏔面之陣列，每一薄膜致動鏡面均具有一新穎结構其易於 在製程中於程除沖洗劑期間防止發生揮性構件黏附至主動 矩陣之現象。 本發明之另一目的係提供一MX N薄膜致動鏡面之陣列 ，每一薄膜致動鏡面均具有一新穎結構其在製程中將易於 使薄膜犧牲層之移除作業完全且更具效率。 本發明之又一目的係提供一MX N具有改良光學效率之 薄膜致動鏡面之陣列。 本發明之再一目的係提供一種如此之MX N薄膜致動鏑 面之陣列的製法。 依據本發明之一觀點，係提供一種MX N薄膜致動鏡面 之陣列，其中Μ及N為整數，俾用於一光學投影糸統內，該 陣列包含：一主動矩陣其包括一基質，一 ^><(^霣晶龌之陣 列以及一MX Ν連接端子之陣列，其中每一連接端子均電連 至電晶體陣列中之一相關電晶體處；一鈍化層形成於主動 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公廣） 8 ---------抽衣------.玎------.^ - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（6 ) 矩陣之頂面上；一蝕刻劑止擋層形成於鈍化層之頂面上； Μ及一 MXN致動結構之陣列列，每一致動結構設有一近端 與一遠端，每一致動結構具有一位於遠端端頭及一播向貫 穿之蝕刻開口，每一致動結構包括一第一薄膜電極，一薄 膜電位移構件，一第二薄膜電極，一彈性構件及一管道， 其中第一薄膜霣極設於薄膜電位移構件之頂面且藉一水平 條紋件分成一致動部與一反光部，水平條紋件電氣式斷開 致動部與反光部，致動部電氣式接地，藉此容許致動部與 反光部分別充作一鏡面與一偏歷電極Μ及一鏡面，薄膜電 位移構件位於第二薄膜電極之頂面上，第二薄膜電極形成 於彈性構件之頂面上，第二薄膜電極經由管道與連接端子 而電連至一相關電晶體，並與其他薄膜致動鏡面中之第二 薄膜電極電氣式斷開，Μ藉此容許其充作一信號電極，彈 性構件設於第二薄膜電極之底部且遠端之一底部連至主動 矩陣之頂面而蝕刻劑止擋層與鈍化層則部分地插入於其間 ，藉此使致動結構呈懸臂狀，Μ及管道由薄膜電位移構件 之頂面延伸至一相關連接端子之頂面處，而將第二薄膜電 極電連接至連接端子處。 依本發明之另一觀點，係提供一種MX Ν薄膜致動鑌面 之陣列之製法*其中Μ與N為整數且每一薄膜致動鏡面相醑 於一圖元，俥使用於一光學投影条统中，該方法包含Μ下 步驟：提供一包括一基質之主動矩陣，一 MX Ν連接端子之 陣列及一MX 晶體之陣列，其中每一連接端子均電連至 電晶醱陣列中之一相鼷電晶體處；沈積一鈍化層至主動矩陣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Ί 線 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 9 3u5〇43 γ—~—_ 五、 發明説明（7 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 之頂面上；沈積一蝕刻劑止擋層至鈍化層之頂面上；沈積 一薄膜犧牲層至蝕刻劑止擋層之頂面上，其中薄膜犧牲層 具有一頂面，平坦化薄膜犧牲層之頂面；Μ如此之方式於 薄膜犧牲層内產生一 ΜΧΝ對稱空腔之陣列使得每對中之一 空槽圍包一連接端子；順序沈積一彈性層與一第二薄膜層 至包括空腔之薄膜犧牲層之頂面上；等同切割第二薄膜層 成一 MX Ν第二薄膜霣極之陣列，其中每一一第二薄膜電棰 均相互電氣式斷開；順序沈積一薄膜霣位移層與一第^薄 膜層至MX N第二薄膜電極之陣列之頂面上以藉此形成一多 層結構；以如此之方式將多層結構樣式化成一MX N致動鏡 面結構之陣列直到薄膜犧牲層外露爲止，使得每一致動鏡 面結構具有一位於遠端之端頭及一播向貫穿之蝕刻開口， 每一致動鏡面結構包括一第一薄膜電極，一薄膜霣位移構 件，一第二薄膜電極及一彈性構件，其中第一薄膜電極藉 一水平條紋件分成一致動評與一反光部，水平條紋件霣氣 式斷開致動部與反光部，致動部電氣式接地；產生一MX N 孔洞之陣列，每一孔洞由薄膜電位移構件之頂面延伸至一 相關連接端子之頂面；Μ金屬充缜每一孔洞Μ藉此於其内 形成一管道，並藉此形成一MX Ν半成品致動鏡面之陣列； 藉著在主動矩陣處形成一切口Μ半切割主動矩陣；以一薄 膜保護層完全覆蓋每一半成品致動鏡面；利用蝕刻劑或化 學品移除薄膜犧牲層，其中蝕刻劑或化學品嵌入每一半成 品致動鏡面中之蝕刻開口及半成品致動鏡面間之間隙内； 移除薄膜保護層；Μ及完全切割主動矩陣成一所希形狀Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 10 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· *-α 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明説明（8 ) 藉此形成MX N薄膜致動鏔面之陣列。 本發明之以上及其他目的與特點將由下列較佳實施例 配合隨附圖式之說明而成為明顯者，其中 第1A至1G圖為示意横截面視圖其揭示一先前揭露之Μ ΧΝ薄膜致動鏡面之陣列之製法； 第2圖爲横截面視圖其宣示本發明MX Ν薄膜致動鏡面 之陣列； 第3A至3N圖為示意横截面視圏其揭示第2圖所示MX N 薄膜致動鏡面之陣列之製法；以及 第4A至4D圖為構成第2圖所示每一薄膜致動鏡面之薄 膜層之頂視圖。 第2、3A至3N與4A至4D圖係分別提供一橫截面視圖其 宣示一 MX N薄膜致動鏡面301之陣列300，其中Μ與N為整數 ，俾使用於一光學投影条統，示意横截面視圖其揭示ΜΧΝ 薄膜致動鏡面301之陣列300之製法，Μ及構成本發明每一 薄膜致動鏡面301之薄膜層之頂視圈。吾人應注意第2、3Α 轾3Ν與4Α至4D中所顯現之類似零件均Μ類似參考號碼加以 代表。 第2圖中，提供一横截面視其宣示本發明一 MX Ν薄 膜致動鏡面301之陣列300，該陣列300包含一主動矩陣210 ，一鈍化層220，一蝕刻劑止擋層230及一 MX N致動結構200 之陣列。 主動矩陣210包括一基質212，一 MxNig晶體之陣列（ 未顯示）及一 MxN連接端子214之陣列。每一連接端子霄 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4规格（210X 297公釐） -_n - ---------批衣------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 連至電晶體陣列中之一相關電晶體處。 由，例如，矽化磷玻璃（PSG)或氮化矽製成且具有0.1 〜2 w m厚度之鈍化層220係位於主動矩陣210之頂面上。 由気化矽製成且具有0.1-2 厚度之蝕刻劑止擋層 230係位於鈍化層220之頂面上。 每一致動結構200具有一遠端與一近端，且另包括一 位於逮端之端頭（未顯示）與一橫向貫穿之蝕刻開口（未 顯示）。每一致動結構200設有一第一薄膜電極285 , 一薄 膜電位移構件275 , 一第二薄膜霣極265 , 一彈性構件255 及一管道295。由導電材料與反光材料例如鋁（A1)或銀（Ag> 製成之第一薄膜電極285係位於薄膜霉位移構件275之頂面 上，且藉一水平條紋件287分成一致動部與一反光部190， 195,其中水平條紋件287¾氣式斷開啟動部與反光部190 ，195。致動部190電氣式托接地，藉此充作一鏡面及一共 用«壓電極之用。反光部195充作鏡面之用。由材料 (例如钛酸鉛锆（PZT)或電致伸縮材料（例如鈮酸鉛鎂（P(»IN> 製成之薄膜霣位移構件275係置於第二薄膜霣極265之頂面 上。由導電材料 <例如鉑/妲（Pt/Ta>製成之第二薄膜電極 265係設於彈性構件255之頂面上，且經由管道295與建接 端子214而電連至一相關電晶體處並與其他薄膜致動鏡面 301中之第二薄膜霜極265電氣式斷開，藉此容許其充作一 倍號霄棰。由氣化物（例如気化矽）製成之彈性構件255係 位於第二薄膜電極265下侧。一位於近端之底部係連接至 主動矩陣210之頂面而蝕刻_止擋層與鈍化層220部分間插 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格U10 X 297公釐） -12- 裝 訂 I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（10 ) 於其間，藉此使致動結構200呈懸臂狀。由金羼（例如鎢（W) 裂成之管道295係自薄膜霣位移構件275之頂面延伸至一相 關連接端子214之頂面，藉此將第二薄膜電極265電連至連 接端子214。由薄膜電位移構件275之頂面朝下延伸之管道 295及每一薄膜致動鏡面301中之薄膜電位移構件275之頂 面上所置之第一薄膜電極285並未相互電氣式連接。 第3A至3N圖中，提供示意截面視圖其掲示第2所示之 MX N薄膜致動鏡面301之陣列300之製法。 陣列300之製程始於主動矩陣210之製備，該主動矩陣 包括一基質212, 一 MX N連接端子214之陣列及一 MX N電晶 體之陣列（未顯示），如第3A圖所示。基質212由一絕緣材 料（例如一矽薄片）製成。每一連接端子214均電連至電晶 體陣列中之一相關電晶體處。 在一後繙步驟中，利用，例如，一 CVD法成一自旋塗 覆法於主動矩陣210之頂面上形成一，例如，由PSG或氮化 矽製成且具0.1-2 厚度之鈍化層，如第3B圖所示。 接箸，利用，例如，一噴鍍法或一CVD法於鈍化層220 之頂面上沈積一由氦化矽製成且具0.1-2 厚度之蝕刻 劑止播層230，如第3C圖所示。 接箸，一薄膜犧牲層240形成至蝕刻劑止措層230之頂 上，如第3D圖所示。薄膜犧牲層240係利用噴鍍法或蒸發 法（假設薄膜犧牲層240由金羼製成時），CVD法或自旋塗 覆法（假設薄膜犧牲層240由PSG裂成時），或CVD法（假 設薄膜犧牲層240由多晶矽製成時）而形成。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 13 .. 1^ 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7

Su5G43 一 —— 1 五、發明説明（11 ) 其次，薄膜犧牲層240之頂面利用玻瑰自旋（SOG)法或 化學機械拋光（CMP)法而平坦化，接著進行一洗滌法*如 第3E圖所示。 接箸，一 MXN對空腔之陣列係以如此之方式產生於薄 膜犧牲層240内使得每對中之一空腔245利用一轉式或濕式 蝕刻法圍包一連接端子241，如第3F圖所示。 在次一步驟中，利用一 CVD法於包括空腔245之薄膜犧 牲層240之頂面上沈積一由気化物（例如第化矽）製成且具 有卜2 w m厚度之撣性層250，如第3G圖所示。沈積期間 ，彈性層250内側之應力係藉著改變氣睡比值為時間函數 之方式加以控制。 接箸*利用噴鍍或真空蒸發法於彈性層250之頂面上 形成一由導電材料（例如PI^Ta)製成且具有0.卜2 w m厚度 之第二薄膜層（未顯示）。接著第二薄膜層利用一乾式蝕刻 法等同切割成一MX N第二薄膜電極265之陣列，其中每一 第二薄膜電極265均與其他第二薄膜電極265電氣式斷閉， 如第3H圖所示。 接著，利用一蒸發法，一 Sol-Gel法，一噴鍍法或一 CVD法，於MX N第二薄膜電極265之陣列之頂面上沈積一由 壓電材料（例如PZT)或一電致伸缩材料（例如PMN〉製成且具 有0.1-2 wm厚度之薄膜電位移層270,如第31圖所示。接 著薄膜電位移層270利用快速熱退火（RTA)法進行熱處理Μ 容許發生相位轉換。 因薄膜罨位移層270足夠薄，所Μ在該層由壓電材料 -----.----f------IT------# (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 14 - 14 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 製成之情形下無需將該層極化；此因該層可以於薄膜致動 鏡面301之操作期間所施加之電氣信號加以棰化故也。 接著，利用噴鍍或真空蒸發法於薄膜霄位移層270之 頂面上形成一由導電與反光材料（例如鋁（A1〉或銀（Ag))製 成且具有0.卜2 wm厚度之第一薄膜層280 ,藉此形成一多 層結構350，如第3J圖所示。 在一隨後步驟中，如第3K圖所示，多層結構350係以 如此之方式利用光刻法或雷射修整法直到薄膜犧牲層240 外露為止而樣式化成一 MX N致動鏡面結構345之陣列340使 得每一致動鑌面結構345具有在遠端（未顯示）及一横向貫 穿之蝕刻開口（未顯示）。每一致動鏡面結構345包括一第 一薄膜電極285 , 一薄膜電位移構件275 ,第二薄膜電極265 及一彈性構件255。第一薄瞑電極285藉一水平條紋件分成 一致動部與一反光部190，195,其中水平條纹件287將致 動部與反光部190，195¾氣式斷開，致動部190電氣式接 地0 在後繙步驟中，利用一蝕刻法產生一 Μ X N孔洞290之 陣列，其中每一孔洞由薄膜電位移構件275之頂面延伸至 一相關連接端子214之頂面，如第3L圖所示。 在後續步想中，管道295係利用，例如，一舉離法Μ 一金屬（例如鎢（W)>充》每一孔洞290而形成，藉此形成一 MX N半成品致動鏡面335之陣列330，如第3M圖所示。 在Μ上步班之後，利用光刻法製成一具有深度的達主 動矩陣210之1/3厚度之切口（未顯示）°此步驟亦Μ半切割 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 15 ----------1衣------ΪΤ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（13 ) 作業而為人所知。 前項步想之後接著以一薄膜保護層（未顯示）完全覆蓋 每一半成品致動鏡面335。 接著利用一採用蝕刻劑或化學品（例如氟化氫（HF)蒸 汽）之濕式蝕刻法來移除薄膜犧牲層240,其中蝕刻劑或化 學品係經由蝕刻開口而嵌入每一半成品致動鏡面335及半 成品致動鏡面335間之間隙内Μ藉此形成每一薄膜致動鏡 面301之一驅動空間。 其次，移除薄膜保護層。 最後*主動矩陣利用光刻法或電射修整法完全切割成 一所希形狀以薙此形成MX Ν薄膜致動鏡面301之陣列300， 如第3N圖所示。 第4A至4D圖中，分別提供構成本發明每一薄膜致動鏡 面301之第一薄膜電極285 ,薄膜霣位移構件275 ,第二薄 膜霄極265與彈性構件255之頂視。每一薄膜層具有一在 遠端處之端頭205及一蝕刻開口 289。如第4C圖所示，第二 薄膜霣棰265與陣列300中之其他薄膜致動鏡面301中之第 二薄膜電極265係呈霣氣式斷開者。 本發明MXN薄膜致動鏡面301之陣列300及其製法中， 每一薄膜致動鏡面301中之第一薄犋霄極285係藉水平條紋 件287而分成致動部與反光部190，195,以及每一薄膜致 動鏡面301之操作期間，僅有薄膜霣位移構件275 ,第二薄 膜霣棰265與位於第一薄膜電極285之致動部190下侧之彈 性構件255之部分成變形，而其餘部分保持平坦，Μ容許 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） _ 16 - ------7----批衣------1Τ------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（Η) 反光部195更有效率地將射至其上之光束加Μ反射*藉此 提升陣列300之光學效率。 此外，通常薄膜犧牲層240移除後，利用一沖洗劑沖 洗移除作菜中使用之蝕刻劑或化學品，該沖洗劑依序藉蒸 發方式移除。移除沖洗劑期間，沖洗劑會聚集在每一薄膜 致動鏡面301之端頭205處而易於移除，藉此可降低彈性構 件255黏附至主動矩陣210之可能性，此舉將依序有肋於保 存結構完整性與薄膜致動鏡面301之性能，提升陣列300之 整體性能。 此外，因薄膜犧牲層240中所採用之蝕刻劑或化學品 係嵌入蝕刻開口 289及致動結構200間之間隙，所Μ薄膜犧 牲層240可Μ更有效率及完全之方式而被移除。 吾人應提及，即使薄膜致動鏑面301及其製法係相關 於每一薄膜致動鏡面均具有一單形結構之例子加以說明， Μ上呈現之觀念可等同地適用於每一薄膜致動鏡面均具有 雙形結構之例子上，此因後者僅包含一額外電位移與電極 層及其形成方式而已。 雖然本發明僅相關於特定較佳實施例加Μ說明，惟亦 可有其他改良及變化而不致《離本發明下列申請專利範圍 中所宣示之範躊。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -----^----t.------、玎------# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 17 五、發明説明（l5) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 元件欞號對照 10. ...主動矩陣 212. ...基質 12. ..·基質 214. ...連接端子 14. ...連接端子 220. ...鈍化層 20. ...支持層 230. ...蝕刻劑止擋層 22. ...支持構件 240. ...薄膜犧牲層 24. ...薄膜犧牲層 245. ...空腔 26. ..·管道 250. ...彈性層 30. ...彈性層 255. ...彈性構件 35. ...彈性構件 265. ...第二薄膜電極 40. ...第二薄膜層 270. ...薄膜電位移層 45. ...第二薄膜《極 275. ...薄膜電位移構件 50. ...薄膜電位移層 280. ...第一薄膜層 55. ...薄膜電位移構件 285. ...第一薄膜電極 60. ...導電與反光材料層 287. ...水平條紋件 65. ...第一薄膜霄極 289. ...蝕刻開口 100. ...陣列 290. ...孔洞 101. ...薄膜致動鏡面 295. ...管道 110. ...陣列 300. ...陣列 111. ...致動鏡面結構 301. ...薄膜致動鏡面 190. ...致動部 330. ...陣列 195. ...反光部 335. ...半成品致動鏡面 200. ...致動結構 340. ...陣列 205. ..·端頭 345. ...致動鏡面結構 210. ...主動矩陣 350. ...多層結構 ^ 裝 訂 务 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 18

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 申請專利範圍 1. 一棰MX N薄膜致動鏡面之陣列，其中Μ及N爲整數，俾 用於光學投影条統中，該陣列包含： —主動矩陣包含一基質，一 MXN電晶«之陣列及 一 MXN連接端子之陣列，其中每一連接端子電連至電 晶體陣列中之一相鼷電晶體處； 一鈍化層其形成於主動矩陣之頂面上； 一蝕刻劑止擋層其形成於鈍化層之頂面上；以及 一 MX N致動結構之陣列，每一致動結構設有一近 端與一遠端，每一致動結構具有一在逮端處之端頭及 一樓向貫穿之蝕刻開口，每一致動結構包括一第一薄 膜電極，一薄膜電位移構件，一第二薄膜電極，一彈 性構件及一管道，其中第一薄膜電極位於薄膜霣位移 構件之頂面上，且藉一水平條紋件分成一致動部與一 反光部，該水平條紋件電氣式斷開致動部與反光部， 致動部係電氣式接地，藉此容許致動部與反光部分別 充作一鏡面與一傾鼷電睡及充作一鏡面之用，薄膜霣 位移構件位於第二薄瞑電極之頂面上，第二薄膜電極 形成於揮性構件之頂面上，第二薄膜電極經由管道與 連接端子而電連至一相鼷電晶鼸處，並與其他薄膜致 動鏡面中之第二薄膜《極電氣式斷開，Μ藉此容許其 充作一信號電極之用，撣性構件位於第二薄膜霄極之 底部處且一在其近端處之底部係連接至主動矩陣之頂 面上而蝕刻剤止檔層與鈍化層部分地間插於其間，藉 此使致動結構呈懸臂狀，以及管道由薄膜電位移構件 本紙張尺度逋用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） I 訂 ^1 II I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 19 - A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 申請專利範圍 之頂面延伸至一相鼷連接端子之頂面處，將第二薄膜 «極電連至連接端子處。 2. 如申請專利範圍第1項之陣列，其中鈍化層由矽化磷 玻璃（PSG)或氣化矽製成。 3. 如申請專利範圍第丨項之陣列，其中蝕刻劑止擋層由 気化矽製成。 4_一種MX N薄膜致動鏡面之陣列之製法，其中Μ及N為整 數且每一薄膜致動鏡面相關於一圖元，俥用於光學投 影糸統中，該方法包含以下步驟： 提供一主動矩陣其包含一基質，一 MX Ν連接端子 之陣列及一 MXN電晶體之陣列，其中每一連接端子均 電連至電晶醱陣列中之一相關霣晶體處； 沈積一鈍化層至主動矩陣之頂面上； 沈積一蝕刻劑止擋層至鈍化層之頂面上； 沈積一薄膜犧牲層至蝕刻劑止播層之頂面上，其 中薄膜犧牲層具有一頂面； 平坦化薄膜犧牲層之頂面； 以如此之方式在薄膜犧牲層中產生一 MXN對空腔 之陣列使得每對中之一空腔用包一連接端子； 順序地沈積一彈性層與一第二薄膜層至包括空腔 之薄膜犧牲層之頂面上； 等同切割第二薄膜層成一 MX N第二薄膜霣極之陣 列，其中每一第二薄膜霣極相互電氣式斷開； 顒序地沈積一薄膜霉位移層與一第一薄膜層至Μ 本紙張尺度逋用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） . · 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 20 經濟部中央榡準局貝工消費合作、杜印製 A8 B8 C8 _ 申請專利範圍 XN第二薄膜電極之陣列之頂面上以藉此形成一多層 結構； Μ如此之方式樣式化多層結構成一 ΜΧΝ致動鏡面 結構之陣列，直到薄膜犧牲層外S為止，使得每一致 動鏡面結構具有一在遠端處之端頭及一横向貫穿之蝕 刻開口，每一致動鏡面結構包括一第一薄膜電極，一 薄膜霣位移構件，一第二薄膜電極及一彈性構件，其 中第一薄膜霣極藉一水平條紋件分成一致動部與一反 光部，該水平條紋件電氣式斷開致動部與反光部，致 動部乃電氣式接地； 產生一 MX Ν孔洞之陣列，每一孔洞由薄膜霣位移 構件之頂面延伸至一柑關連接端子之頂面處； Μ—金屬充埔每一孔洞Μ藉此於其内形成一管道 ，以藉此形成一 MX Ν半成品致動鏡面之陣列： 藉著在主動矩陣處形成一切口之方式半切割主動 矩陣； 以一薄膜保護層完全覆蓋每一半成品致動鏡面； 利用蝕刻劑或化學品移除薄膜犧牲層，其中蝕刻 剤或化學品係嵌入每一半成品致動鏡面中之蝕刻開口 及半成品致動鏡面間之間隙内； 移除薄膜保護層；Μ及 完全切割主動矩陣成一所希形狀以藉此形成ΜΧΝ 薄膜致動鏡面之陣列。 5.如申請專利範園第4項之製法，其中鈍化層由矽化磷 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ^ . 裝 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 21 經濟部中央棣率局貝工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 申请專利範圍 玻漓（PSG)或氮化矽製成。 6_如申請專利範圍第5項之製法，其中鈍化層形成〇·1_ 2 u m之厚度。 7.如申請專利範圍第6項之製法，其中鈍化層利用CVD 法或自旋塗覆法而形成。 8·如申請專利範圍第4項之製法，其中蝕刻劑止播層由 氮化矽製成。 9.如申請專利範圍第8項之製法，其中蝕刻劑播止播層 形成0.卜2 w m之厚度。 10.如申請專利範圍第9項之製法，其中蝕刻剤止擋層利 用噴鍍法或CVD法而形成。 Π.如申請專利範圍第4項之製法，其中薄膜犧牲層之頂 面係利用自旋玻璃（SOG)法或化學機械抛光（CMP)法及 隨後之洗滌法來加以平坦化。 12. 如申請專利範圍第4項之製法，其中空腔之陣列係利 用乾式或濕式蝕刻法加Μ產生。 13. 如申請專利範画第4項之裂法，其中第二薄膜層利用 乾式蝕刻法加Μ等同切割。 14. 如申請專利範圍第8項之製法，其中薄膜電位移層利 用快速熱退火（RTA)法加Μ熱處理。 15. 如申請專利範圍第4項之製法，其中主動矩陣處之切 口係形成一逹主動矩陣厚度之1/3之深度。 16. 如申請專利範園第4項之製法，其中切口係利用光刻 法加以形成。 本紙張尺度逋用中國國家榡率（CNS ) M規格（210X297公釐） 一 « n ^ 1111 n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -άό 22 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 17.如申請專利範圍第4項之製法，其中主動矩陣利用光 刻法或雷射修整法加Μ完全切割。 , 裝 訂 务 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局負工消费合作社印裳 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） 23