KR0179618B1 - 광로조절장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 투사형 화상표시장치에 채용되는 광로조절장치로서의 AMA를 제조하는 방법에서 변형부의 손상을 최소화할 수 있는 광로조절장치의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 제조방법은, 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 상기 트랜지스터와 전기적으로 접속된 패드(33)가 표면에 형성된 구동기판(31)의 상부에 상기 패드와 접촉되지 않도록 희생막(35)을 형성하고, 상기 기판(31)상의 희생막(35)이 형성되지 않은 부분에 상기 패드(33)를 에워싸는 지지부(37)를 형성하는 제1공정과, 상기 희생막(35)과 상기 지지부(37)의 상부에 멤브레인(39)을 퇴적하고 상기 멤브레인(39)과 상기 지지부(37)의 소정부분에 상기 패드(33)가 노출되도록 접촉홈을 형성하는 제2공정, 상기 접촉홈의 내부에 상기 패드(33)와 접촉되도록 플러그(41)를 형성하고 상기 멤브레인(39)의 상부에 신호전극(43)을 상기 플러그(41)와 접촉되도록 도포하는 제3공정, 상기 신호전극(43)의 표면에 변형부(45)를 퇴적하고 상기 신호전극(43)과 변형부(45)를 지지부(37)와 대응하는 부분만이 잔존하도록 패터닝하는 제4공정, 전표면에 절연막(47)을 퇴적형성하고 상기 절연막(47)과 상기 멤브레인(39)을 패터닝하여 상기 희생막(35)이 노출되도록 하여 액츄에이터를 분리하는 제5공정 및, 상기 절연막(47)을 마스크로 이용하여 상기 희생막(35)을 제거한 후 상기 희생막(35)이 제거된 공간에 폴리머층(49)을 채우고, 상기 변형부(45)상의 절연막(47)을 제거한 다음에 전표면에 반사막(51)을 형성하고 나서 상기 폴리머층(49)을 제거하는 제6공정을 포함하여 이루어진다.
Description
제1도(a)∼(d)는 종래 기술에 따른 광로조절장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.
제2도(a)∼(i)는 본 발명의 1실시예에 따른 광로조절장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.
제3도는 제2도의 제조방법에 의해 제조된 광로조절장치를 나타낸 단면사시도.
제4도(a)∼(c)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 광로조절장치의 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
31 : 구동기판 33 : 패드
35 : 희생막 37 : 지지부
39 : 멤브레인 41 : 플러그
43 : 신호전극 45 : 변형부
47 : 절연막 49 : 폴리머층
51 : 반사막 50 : 액츄에이터
본 발명은 광로조절장치의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 투사형 화상표시장치에 채용되는 광로조절장치로서의 액츄에이티드 미러 어레이(Actuated Mirror Array:이하, AMA라 약칭한다)를 제조하는 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 화상표시장치는 그 표시방법에 따라 CRT(Cathode Ray Tube)등과 같은 직시형 화상표시장치와 액정표시장치(Liquid Crystal Display;LCD)등과 같은 투사형 화상표시장치로 구별된다.
CRT는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께가 증대되고 또한 가격이 비싸다는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비하는데 한계가 있다. 그리고, LCD는 박형화 및 저중량화가 가능하여 대화면을 구비할 수 있으나, 편광판에 의한 광손실이 크고, 화상구동용 박막트랜지스터가 화소마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로, 광효율이 낮다는 문제가 있다.
따라서, 미합중국 Aura사에 의해 액츄에이티드 미러 어레이를 이용한 투사형 화상표시장치가 개발되었다. 그 AMA를 이용한 화상표시장치는 1차원 AMA를 이용하는 것과 2차원 AMA를 이용하는 것으로 구별된다. 1차원 AMA는 M×1 어레이로 배열되어 있다. 따라서, 1차원 AMA를 이용하는 투사형 화상표시장치는 주사거울을 이용하여 M×1개의 광속들을 선주사시키고, 2차원 AMA를 이용하는 투사형 화상표시장치는 M×N개의 광속들을 투사시켜 M×N 화소의 어레이를 가지는 형상을 나타내게 된다.
상기한 AMA를 구성하는 광로조절장치를 제조하는 제조방법에 대하여 제1도를 참조하여 설명하기로 한다.
제1도(a)∼(d)는 종래 기술에 따른 광로조절장치의 제조공정을 나타낸 단면도이다.
먼저, 도시하지 않은 트랜지스터들이 매트릭스 형태로 내장되고, 상부에 트랜지스터와 전기적으로 연결된 접속단자(13)를 갖는 구동기판(11)의 표면에 1∼2μm 정도의 두께의 희생막(15)을 형성한다. 여기서, 상기 구동기판(11)은 유리 또는 알루미늄(Al2O3) 등의 절연물질이나, 또는 실리콘 등의 반도체로 이루어진다. 그리고, 상기 희생막(15)은 Mo, Cr, Fe, Ni 또는 Ti 등의 금속이나, PSG(Phospho-Silicate Glass) 또는 다결정실리콘으로 형성되는데, 금속이면 스퍼터링(sputtering)법이나 진공증착법으로, PSG이면 스핀 코팅(spin coating)법 혹은 상암CVD법으로, 다결정실리콘이면 화학적 기상침적(Chemical Vapor Deposition;CVD)법으로 형성된다. 그후, 상기 희생막(15)의 소정 부분을 통상의 포토리소그래피(photolithograpy) 방법으로 제거하여 접속단자(13)과 그 주위의 구동기판(11)을 노출시킨다. 그 다음, 상술한 구조의 전표면에 질화실리콘(Si3N4) 또는 산화실리콘(SiO2) 등의 규화물을 스퍼터링법 또는 CVD법 등에 의해 1∼2μm 정도의 두께로 적층한 후, 희생막(15)의 상부에 침적된 규화물을 제거하여 지지부(17)를 형성함으로써, 제1도(a)의 구조를 얻는다.
이어서, 상기 희생막(15) 및 지지부(17)의 상부에 멤브레인(19)을 형성한다. 여기서, 상기 멤브레인(19)은 상기 지지부(17)와 동일한 물질을 스퍼터링법 또는 CVD법에 의해 0.7∼2μm 정도의 두께로 적층하여 형성한다. 그 후, 접속단자(13) 상에 존재하는 소정 부분의 멤브레인(19) 및 지지부(17)을 제거하여 접촉홈(21)을 형성한다. 이어, 상기 접촉홈(21)의 내부에 텅스텐 또는 티타늄 등의 도전성 금속을 채워 상기 접속단자(13)와 전기적으로 연결되는 플러그(23)를 형성한다. 다음에, 상기한 구조의 전표면에 백금 또는 백금/티타늄 등을 진공증착법 또는 스퍼터링법에 의해 500∼2000Å 정도의 두께로 도포하여 신호전극(25)을 형성함으로써, 제1도(b)의 구조를 얻는다.
다음으로, 상기 신호전극(25)의 전표면에 변형부(27) 및 반사막(29)을 순차로 적층형성한다. 여기서, 상기 변형부(27)는 BaTiO3, PZT((Zr,Ti)O3) 또는 PLZT((Pb,La)(Zr,Ti)O2) 등의 압전세라믹이나 또는 PMN(Pb(Mg,Nb)O2) 등의 전왜세라믹을 Sol-Sel법, 스퍼터링법 또는 CVD법 등에 의해 0.7∼2μm 정도의 두께로 형성한다. 상기 반사막(29)은 금, 백금 또는 티타늄 등과 같은 반사특성 및 전기적 특성이 양호한 금속물질을 진공증착법 또는 스퍼터링법 등에 의해 500∼2000Å 정도의 두께로 도포하여 형성한다. 그 후, 상기 지지부(17)의 일측 끝에 모서리가 일치되도록 상기 반사막(29)과 변형부(27) 및 멤브레인(19)의 소정 부분을 레이저에 의한 절단이나 포토리소그래피 방법으로 제거하여 희생막(15)을 노출시켜서 액츄에이터를 분리한다. 이어서, 상술한 구조의 전표면에 포토레지스트 또는 질화실리콘을 CVD법 등으로 적층하여 보호층(31)을 형성한 다음, 상기 희생막(15)상의 보호층(31)을 제거한다[제1도(c)].
계속해서, 상기 희생막(15)을 HF 등의 에칭용액으로 습식 에칭하여 제거한 다음, 보호층(31)을 마스크를 사용하지 않고 건식 에칭하여 제거함으로써 액츄에이터(20)를 완성한다[제1도(d)].
상기한 종래 기술에 따른 광로조절장치의 제조방법에 있어서는, 반사막(29)과 변형부(25)를 동시에 보호하기 위한 보호층으로서 포토레지스트나 또는 질화실리콘(Si3N4)을 도포한 상태에서 습식 에칭법으로 희생막을 제거한다. 그러나, 보호막으로서 포토레지스트를 사용하는 경우에는 습식 에칭시에 포토레지스트의 두께차로 인하여 두께가 얇은 부분에서 에칭 용액의 누수현상에 의해 변형부(25)가 손상된 우려가 있다. 또한, 보호막으로서 질화실리콘을 사용하는 경우에는 습식 에칭시에 에칭용액의 누수현상 등을 방지할 수 있어서 변형부(25)의 손상을 방지할 수는 있지만, 희생막의 제거공정 후에 상기 보호막으로서의 질화실리콘을 제거를 위한 건식 에칭시에 에어갭상의 멤브레인(19)에서 스트레스가 발생함에 따라 멤브레인(19)과 지지부(17), 신호전극(25) 및 플러그(23)의 접속부위에서 결함이 발생할 우려가 있는 등에 질화실리콘의 제거가 곤란하다는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 상기한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 투사형 화상표시장치에 채용되는 광로조절장치로서의 AMA를 제조하는 방법에서 변형부의 손상을 방지할 수 있는 광로조절장치의 제조방법을 제공하고자 함에 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 광로조절장치의 제조방법의 바람직한 실시양태에 따르면, 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 상기 트랜지스터와 전기적으로 접속된 패드가 표면에 형성된 구동기판의 상부에 상기 패드와 접촉되지 않도록 희생막을 형성하고, 상기 기판상의 희생막이 형성되지 않은 부분에 상기 패드를 에워싸는 지지부를 형성하는 제1공정과; 상기 희생막과 상기 지지부의 상부에 멤브레인을 퇴적하고 상기 멤브레인과 상기 지지부의 소정부분에 상기 패드가 노출되도록 접촉홈을 형성하는 제2공정; 상기 접촉홈의 내부에 상기 패드와 접촉되도록 플러그를 형성하고 상기 멤브레인의 상부에 신호전극을 상기 플러그와 접촉되도록 도포하는 제3공정; 상기 신호전극의 표면에 변형부를 퇴적하고 상기 신호전극과 변형부를 지지부와 대응하는 부분만이 잔존하도록 패터닝하는 제4공정; 전표면에 절연막을 퇴적형성하고 상기 절연막과 상기 멤브레인을 패터닝하여 상기 희생막이 노출되도록 하여 액츄에이터를 분리하는 제5공정 및; 상기 절연막을 마스크로 이용하여 상기 희생막을 제거한 후 상기 희생막이 제거된 공간에 폴리머층을 채우고, 상기 변형부상의 절연막을 제거한 다음에 전표면에 반사막을 형성하고 나서 상기 폴리머층을 제거하는 제6공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 제6공정에서 폴리머층을 채우고 반사막을 형성하는 공정은, 희생막을 제거한 상태의 전표면에 폴리머층을 도포하는 공정과, 상기 변형부상의 절연막만이 노출되도록 상기 폴리머층을 패터닝하고 상기 패터닝된 폴리머층을 마스크로 이용하여 상기 노출된 절연막을 에칭제거하는 공정 및, 상기 잔존하는 절연막상에 존재하는 폴리머층을 제거한 다음에 전표면에 반사막을 도포하고 상기 절연막과 변형부상에만 상기 반사막이 존재하도록 패터닝하는 공정으로 이루어진다.
또한, 상기 제6공정에서 폴리머층을 채우고 반사막을 형성하는 공정은, 희생막을 제거한 상태의 전표면에 폴리머층을 도포하는 공정과, 상기 변형부상의 절연막만이 노출되도록 상기 폴리머층을 패터닝하고 상기 패터닝된 폴리머층을 마스크로 이용하여 상기 노출된 절연막을 에칭제거하는 공정, 상기 잔존하는 절연막상에 존재하는 폴리머층을 제거한 다음에 상기 절연막을 패터닝하여 상기 변형부와 신호전극의 측부에만 절연막이 잔존하도록 하는 공정, 전표면에 반사막을 도포하고 상기 절연막과 변형부 및 멤브레인의 표면상에만 상기 반사막이 존재하도록 패터닝하는 공정으로 이루어져도 된다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명에 따른 광로조절장치의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
제2도(a)∼(i)는 본 발명의 1실시예에 따른 광로조절장치의 제조공정을 나타낸 단면도이다.
먼저, 트랜지스터(도시하지 않음)가 매트릭스 형태로 내장되고, 상부에 각 트랜지스터와 전기적으로 연결된 패드(33)가 형성된 구동기판(31)의 표면에 희생막(35)을 1∼2μm 정도의 두께로 형성한다. 상기에서 희생막(35)은 Mo, Cu, Fe, Ni 등의 금속물질 또는 PSG 또는 다결정실리콘 등으로 형성하는 것이 바람직한데, 금속물질로 형성할 때에는 스퍼터링법으로, PSG로 형성될 때는 스핀 코팅(Spin Coating)법 또는 CVD법으로, 다결정실리콘으로 형성할 때는 CVD법으로 형성한다. 그후, 상기 패드(33)가 형성된 부분의 희생막(35)을 통상의 포토리소그래피 방법으로 제거하여 패드(33)와 주위의 구동기판(31)을 노출시킨 다음, 상기한 구조의 전표면에 질화실리콘(Si3N4), 산화실리콘(SiO2) 또는 탄화실리콘 등의 규화물을 스퍼터링법 또는 CVD법 등으로 1∼2μm 정도의 두께로 침적형성하고, 이어 통상의 포토리소그래피 방법으로 상기 희생막(35)상에 침적된 규화물을 제거하여 지지부(17)를 형성함으로써, 제2도(a)에 나타낸 바와 같은 구조를 얻는다.
이어서, 상기한 구조의 전표면에 상기 지지부(37)와 동일한 물질을 스퍼터링법 또는 CVD법에 의해 0.7∼2μm 정도의 두께로 침적하여 멤브레인(39)을 형성한다. 그 후, 상기 패드(33) 상의 소정 부분에 멤브레인(39)과 지지부(37)를 관통하는 접촉홈을 형성한 다음, 그 접촉홈 내에 텅스텐(W) 또는 티타늄 (Ti) 등의 도전성 금속물질을 채워서 상기 패드(33)와 전기적으로 연결되는 플러그(41)를 형성한다. 이어, 상기한 구조의 전표면에 백금(Pt) 또는 백금/티타늄(Pt/Ti) 등을 진공증착법 또는 스퍼터링법 등으로 500∼2000Å 정도의 두께로 신호전극(43)을 도포하여 제2도(b)에 나타낸 바와 같은 구조를 형성한다.
다음으로, 상기 신호전극(43)의 전표면에 BaTiO3, PZT(Pb(Zr,Ti)O2) 또는 PLZT((Pb,La)(Zr,Ti)O2) 등의 압전세라믹이나 또는 PMN(Pb(Mg,Nb)O2) 등의 전왜세라믹을 Sol-Gel법, 스퍼터링법 또는 CVD법 등으로 0.7∼2μm 정도의 두께로 도포한 다음, 상기 도포된 변형부(45)를 소결하여 페로브스카이트(Perovskaite)로 상변이(Phase Transition)시켜서 변형부(45)를 형성한다. 이어, 상기 신호전극(43)과 변형부(25)를 동일한 마스크를 사용하여 지지부(17)와 대응하는 부분만이 잔존하도록 패터닝한다. 그 다음에, 상기한 구조의 전표면에 절연막(47)으로서의 질화실리콘(Si3N4)을 스퍼터링법이나 CVD법 등에 의해 2000∼5000Å 정도의 두께로 퇴적형성함으로써 제2도(c)에 나타낸 바와 같은 구조를 형성한다.
계속해서, 상기 변형부(45)의 직하에 있는 희생층(35)의 단부와는 반대쪽의 단부에 대응하는 상기 절연막(47)과 멤브레인(39)을 통상의 건식 에칭법이나 습식 에칭법으로 제거하여 그 부분에서 상기 희생층(35)이 노출되도록 한다. 그후, HF 등과 같은 용액을 이용한 습식 에칭법으로 상기 희생막(35)을 제거하여 제3도(d)에 나타낸 바와 같은 구조를 형성한다. 이때, 상기 변형부(45)의 전표면에 절연막(47)이 도포되어 있으므로 HF 등과 같은 에칭용액에 의해 상기 변형부(45)는 손상받지 않게 된다.
이어서, 상기한 구조상에 매우 낮은 회전수의 스핀코팅법으로 포토레지스트등과 같은 폴리머(Polymer)를 1∼2μm 정도의 두께로 형성함으로써 제3도(e)에 나타낸 바와 같이 상기 희생층이 제거된 에어갭에 폴리머층(49)을 채움과 더불어 상기 절연막(47)상에도 폴리머층(49)이 도포되도록 한다.
다음으로, 통상의 포토리소그래피법에 의해 상기 폴리머층(49)를 패터닝하여 상기 변형부(45)상의 절연막(47)만이 노출되도록 한 다음, 상기 잔존하는 폴리머층(49)를 마스크로 하여 건식 에칭에 의해 상기 노출된 절연막(47)을 제거해서, 제2도(f)에 나타낸 바와 같은 구조를 형성한다.
계속해서, 상기 절연막(47)상에 잔존하는 폴리머층(49)을 제거하는데, 이때 상기 폴리머층(49)이 에어갭내에는 잔존하도록 한다. 그후, 전표면에 은(Ag) 또는 알루미늄 등과 같이 반사특성 및 전기적 특성이 좋은 물질을 스퍼터링법 또는 진공증착법으로 500∼2000Å 정도의 두께로 도포하여 반사막(51)을 형성함으로써, 제2도(g)와 같은 구조를 형성한다.
그후, 상기 반사막(51)을 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 패터닝하여 상기 멤브레인(39)의 윗쪽에 존재하는 반사막(51)만이 잔존하도록 함으로써 제2도(h)에 나타낸 바와 같이 폴리머층(49)이 노출되도록 한다.
이어서, 에어갭에 채워져 있는 폴리머층(49)을 O2를 이용한 플라즈마 에칭법으로 제거하여 제2도(i)와 같은 액츄에이터(50)를 완성한다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 1실시예에 따르면, 제2도(d)에서 희생층(35)의 습식 에칭제거공정시 절연막(47)이 변형부(45)와 멤브레인(39)의 표면에 도포되어 있으므로, 변형부(45)가 에칭용액에 의해 손상받지 않게 된다. 또한, 상기 절연막(47)은 상기 반사막(29)과 신호전극(23)을 전기적으로 격리하는 기능도 하게 된다.
제3도는 상기한 제2도를 참조하여 설명한 제조방법에 의한 완성된 광로조절장치를 나타낸 단면사시도이다.
상기와 같이 구성된 광로조절장치에 있어서는, 플러그(41)와 패드(33)를 매개로 구동기판(31)의 트랜지스터와 전기적으로 접속된 신호전극(43)에 화상신호가 인가되고 상기 반사막(51)에 바이어스전압이 인가됨에 따라 상기 신호전극(43)과 반사막(51) 사이에 개재되어 있는 변형부(45)에 전계가 발생되며, 이에 따라 변형부(45)는 전계에 수직한 방향으로 팽창되고 수평방향으로 수축되어 멤브레인(39)과의 계면에 응력이 발생하게 되므로, 변형부(45)가 상기 멤브레인(39)의 반대방향으로 휘어지게 된다. 따라서, 지지부(37)상의 멤브레인(39)이 상기 변형부(45)와의 스트레인(Strain) 차이에 의해 휘어지고, 이 휘어짐에 의해 지지부(37)상에서 돌출된 멤브레인(39)이 평탄하게 경사지게 되므로, 반사막(51)도 멤브레인(39)과 동일하게 경사지게 되어 입사되는 광의 경로를 바꾸어 반사시키게 된다.
다음으로, 제4도(a)∼(c)를 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 광로조절장치의 제조방법을 설명하기로 한다.
본 실시예에서는 상술한 제2도(a)∼(f)의 공정을 행한 다음, 상기 절연막(47)상에 잔존하는 폴리머층(49)을 제거하는데, 이때 상기 폴리머층(49)이 에어갭내에는 잔존하도록 한다. 그후, 전표면에 포토레지스트를 도포한 다음에 이 포토레지스트를 패터닝하여 상기 변형부(45) 위쪽에 대응하는 부분에만 포토레지스트(61)가 잔존하도록 한다[제4도(a)].
이어서, 상기 잔존하는 포토레지스트(61)를 마스크로 이용한 건식 에칭법에 의해 상기 절연막(47)를 에칭함으로써 상기 변형부(45)와 신호전극(43)의 측부에만 절연막(47A)이 잔존하도록 한다. 이때, 멤브레인(39)의 하측의 에어갭에 폴리머층(49)이 채워져 있는 상태이므로 건식 에칭시에 멤브레인(39)에서의 스트레스를 방지할 수 있게 된다. 그후, 상기한 구조의 전표면에 은(Ag) 또는 알루미늄 등과 같이 반사특성 및 전기적 특성이 좋은 물질을 스퍼터링 또는 진공증착법으로 500∼2000Å 정도의 두께로 도포하여 반사막(51)을 형성한다[제4도(b)].
다음으로, 상기 반사막(51)을 통상의 포토리소그래피 방법에 의해 패터닝하여 상기 멤브레인(39)의 윗쪽에 존재하는 반사막(51)만이 잔존하도록 함으로써 제4도(c)에 나타낸 바와 같이 폴리머층(49)이 노출되도록 한다.
이어서, 상술한 제2도(i)와 마찬가지로 에어갭에 채워져 있는 폴리머층(49)를 O2를 이용한 플라즈마 에칭법으로 제거하여 액츄에이터(50A)를 완성한다[제4도(c)].
이상 설명한 바와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기한 실시예와 마찬가지로 희생층(35)의 습식 에칭제거공정시 절연막(47)이 변형부(45)와 멤브레인(39)의 측면을 에워싸고 있으므로, 변형부가 에칭용액에 의해 손상받지 않게 된다. 그리고, 제4도(a)에 나타낸 바와 같이 절연막(47)의 건식 에칭에 의한 제거공정에서 멤브레인(39)의 하측의 에어갭에 폴리머층(49)이 채워져 있는 상태이므로 멤브레인(39)에서의 스트레스를 방지할 수 있게 된다.
Claims (13)
- 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 상기 트랜지스터와 전기적으로 접속된 패드(33)가 표면에 형성된 구동기판(31)의 상부에 상기 패드와 접촉되지 않도록 희생막(35)을 형성하고, 상기 기판(31)상의 희생막(35)이 형성되지 않은 부분에 상기 패드(33)를 에워싸는 지지부(37)를 형성하는 제1공정과, 상기 희생막(35)과 상기 지지부(37)의 상부에 멤브레인(39)을 퇴적하고 상기 멤브레인(39)과 상기 지지부(37)의 소정부분에 상기 패드(33)가 노출되도록 접촉홈을 형성하는 제2공정, 상기 접촉홈의 내부에 상기 패드(33)와 접촉되도록 플러그(41)를 형성하고 상기 멤브레인(39)의 상부에 신호전극(43)을 상기 플러그(41)와 접촉되도록 도포하는 제3공정, 상기 신호전극(43)의 표면에 변형부(45)를 퇴적하고 상기 신호전극(43)과 변형부(45)를 지지부(37)와 대응하는 부분만이 잔존하도록 패터닝하는 제4공정, 전표면에 절연막(47)을 퇴적형성하고 상기 절연막(47)과 상기 멤브레인(39)을 패터닝하여 상기 희생막(35)이 노출되도록 하여 액츄에이터를 분리하는 제5공정 및, 상기 절연막(47)을 마스크로 이용하여 상기 희생막(35)을 제거한 후 상기 희생막(35)이 제거된 공간에 폴리머층(49)을 채우고, 상기 변형부(45)상의 절연막(47)을 제거한 다음에 전표면에 반사막(51)을 형성하고 나서 상기 폴리머층(49)을 제거하는 제6공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 희생막(35)은 Mo, Cu, Fe, Ni의 금속을 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 희생막(35)은 PSG를 스핀코팅법 또는 CVD법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 멤브레인(39)은 산화실리콘 또는 질화실리콘을 스퍼터링법 또는 CVD법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 신호전극(43)은 백금 또는 백금/티타늄을 진공증착법 또는 스퍼터링법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 변형부(45)는 압전세라믹 또는 전왜세라믹을 Sol-Gel법 또는 스퍼터링법 또는 CVD법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 변형부(45)를 도포한 다음에 소결하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막(47)은 질화실리콘을 스퍼터링법이나 CVD법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6공정에서 폴리머층(49)을 채우고 반사막(51)을 형성하는 공정은, 상기 희생막(35)을 제거한 상태의 전표면에 폴리머층(49)을 도포하는 공정과, 상기 변형부(45)상의 절연막(47)만이 노출되도록 상기 폴리머층(49)을 패터닝하고 상기 패터닝된 폴리머층(49)을 마스크로 이용하여 상기 노출된 절연막(47)을 에칭제거하는 공정 및, 상기 잔존하는 절연막(47)상에 존재하는 폴리머층(49)을 제거한 다음에 전표면에 반사막(51)을 도포하고 상기 절연막(47)과 변형부(45)상에만 상기 반사막(51)이 존재하도록 패터닝하는 공정으로 이루어진것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6공정에서 폴리머층(49)을 채우고 반사막(51)을 형성하는 공정은, 상기 희생막(35)을 제거한 상태의 전표면에 폴리머층(49)을 도포하는 공정과, 상기 변형부(45)상의 절연막(47)만이 노출되도록 상기 폴리머층(49)을 패터닝하고 상기 패터닝된 폴리머층(49)을 마스크로 이용하여 상기 노출된 절연막(47)을 에칭제거하는 공정, 상기 잔존하는 절연막(47)상에 존재하는 폴리머층(49)을 제거한 다음에 상기 절연막(47)을 패터닝하여 상기 변형부(45)와 신호전극(43)의 측부에만 절연막(47A)이 잔존하도록 하는 공정, 전표면에 반사막(51)을 도포하고 상기 절연막(47A)과 변형부(45) 및 멤브레인(39)의 표면상에만 상기 반사막(51)이 존재하도록 패터닝하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 폴리머층(49)은 포토레지스트를 스핀코팅법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 반사막(51)은 은(Ag) 또는 알루미늄을 스퍼터링법 또는 진공증착법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6공정에서 O2를 이용한 플라즈마 에칭법에 의해 상기 폴리머층(49)을 제거하는 것을 특징으로 하는 광로조절장치의 제조방법.
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