KR100212538B1 - 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 상부 전극을 이루는 상부 전극층과 상부 접착층 사이에 국부적으로 형성되는 산화 돌기에 의해서 불균일하게 형성되는 상부 전극의 모폴러지를 향상시키기 위한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 상부 접착층을 티타늄(Ti)이나 탄탈륨(Ta)으로 형성하는 대신에, 산화 티타늄(Ti-Oxide)또는 산화 탄탈륨(Ta-Oxide)와 같은 산화층으로 형성하여, 상부 메탈층의 표면이나 상부 메탈층과 상부 접착층의 계면에 국부적으로 발생되는 산화 돌기의 형성을 방지하므로써, 미러면으로 작용하는 상부 전극의 표면을 평탄하게 형성하여 박광효율을 높은 박막형 광로 조절 장치를 제조 할 수 있다.

Description

박막형 광로 조절 장치의 제조 방법

제1도는 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 단위 픽셀을 도시한 단면도.

제2도는 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 액츄에이터의 일부분을 도시한 단면도.

제3도는 제2도의 상부 전극 및 상부 접착층에 국부적으로 나타나는 산화 돌기를 도시한 도면.

제4(a)도 내지 제4(j)도는 본 발명에 따른 광로 조절 장치의 제조 방법을 순차적으로 도시한 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

100 : 구동기판 200 : 액츄에이터

105 : 콘택 메탈 205 : 플러그 메탈

210 : 멤브레인 202 : 하부 전극

222 : 하부 접착층 224 : 하부 메탈층

230 : 변형부 240 : 상부 전극

242 : 상부 접착층 244 : 상부 메탈층

250 : 희생층 226 : 식각 보호층

본 발명은 투사형 화상 표시 장치에 사용되는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 상부 전극을 이루는 상부 전극층과 상부 접착층 사이에 국부적으로 형성되는 산화 돌기에 의해서 불균일하게 형성되는 상부 전극의 모폴러지를 향상시키기 위한 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 화상 표시 장치는 표시 방법에 따라, 직시형 화상 표시 장치와 투사형 화상 표시 장치로 구분된다.

직시형 화상 표시 장치는 CRT(Cathode Ray Tube)등이 있는데, 이러한 CRT화상 표시 장치는 화질은 좋으나 화면이 커짐에 따라 중량 및 두께의 증대와, 가격이 비싸지는 등의 문제점이 있어 대화면을 구비 하는데 한계가 있다.

투사형 화상 표시 장치는 대화면 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display : 이하 LCD라 칭함)등이 있는데, 이러한 대화면 LCD의 박형화가 가능하여 중량을 작게 할 수 있다. 그러나, 이러한 LCD는 편광판에 의한 광의 손실이 크고 LCD를 구동하기 위한 박막 트랜지스터가 화소 마다 형성되어 있어 개구율(광의 투과면적)을 높이는데 한계가 있으므로 광의 효율이 매우 낮다.

한편, AMA를 이용한 투사형 화상 표시 장치는 광원에서 발광된 백색광을 적색, 녹생 및 청색의 광으로 분리한 후, 이 광을 액츄에이터들로 이루어진 광로 조절 장치의 구동에 의해 광로를 변경 시킨다. 즉, 액츄에이터들에 실장되어 이 액츄에이터들이 개별적으로 구동되는 것에 의해 기울어지는 거울들에 각각 반사시켜 광로(light path)를 변경시키는 것에 의해 광의 양을 조절하여 화면으로 투사시킨다. 그러므로 화면에 화상이 나타나게 된다.

상기에서, 액츄에이터는 압전 또는 전왜세라믹으로 이루어진 변형부가 인가되는 접압에 의해 전계가 발생되어 변형되는 것을 이용하여 거울을 기울게 한다.

AMA는 구동방식에 따라 1차원 AMA와 2차원 AMA로 구별된다. 1차원 AMA는 거울들이 M × 1 어레이로 배열되고, 2차원 AMA는 거울들이 M × N 어레이로 배열되고 있다.

따라서, 1차원 AMA를 이용한 투사형 화상 표시 장치는 주사거울을 이용하여 M × 1 개 광속들을 선주사시키고, 2차원 AMA를 이용하는 투사형 화상 표시 장치는 M × N개의 광속들을 투사시켜 화상을 나타내게 된다.

또한, 액츄에이터는 변형부의 형태의 따라 벌크형(bulk type)과 박막형(thin film type)으로 구분된다.

상기 벌크형은 다층 세라믹을 얇게 잘라 내부에 금속전극이 형성된 세라믹 웨이퍼(ceramic wafer)를 구동 기판에 실장한 후 쏘잉(sawing)등으로 가공하고 거울을 실장한다.

그러나, 벌크형 액츄에이터는 액츄에이터들을 쏘잉에 의해 분리하여야 하므로 긴 공정시간이 필요하며, 또한, 변형부의 응답 속도가 느린 문제점이 있었다. 따라서, 반도체 공정을 이용하여 제조할 수 있는 박막형의 액츄에이터가 개발되었다.

한편, 종래의 일반적인 박막형 광로 조절 장치는 제1도에 도시된 바와 같고, 동도에 도시된 바와 같이, 종래의 박막형 광로 조절 장치는 능동 소자(도시 생략된)가 매트릭스 형태로 형성된 실리콘 기판(110), 능동 소자가 외부로부터 물리적, 화학적 손상을 입는 것을 방지하기 위한 패시베이션층(120) 및 상기 패시베이션층(120)이 이후의 식각 공정에 의해 손상되는 것을 방지하기 위한 식각 스톱층(130)을 구비한 구동 기판(100)과, 멤브레인(210), 하부 전극(220), 변형부(230), 상부 전극(240)이 소정 형상으로 적층되어 상기 구동 기판(100)에 캔틸레버 구조를 이루며 형성되어 있는 액츄에이터(200)로 이루어져 있다.

또한, 제2도는 상기 종래의 일반적인 박막형 광로 조절 장치의 액츄에이터(200)의 일부를 도시한 단면도로서, 동도에 도시된 바와 같이, 상부 전극(240)은 상부 메탈층(244)과 상부 접착층(242)으로 구성되며, 하부 전극(220)은 하부 메탈층(224)과 하부 접착층(222)으로 구성된다. 이들 접착층은 상부 및 하부 메탈층과 그들 제각기의 하부층과의 접착 특성(Adhesion Property)을 높이기 위한 것으로서, 이들 접착층의 재료로서는 탄탈륨(Ta)이나 티타늄(Ti)이 사용된다. 한편, 상부 및 하부 메탈층의 재료서는 백금(Pt)이 사용된다.

그러나, 상부 접착층(242)을 이루는 탄탈륨(Ta)이나 티타늄(Ti)은 산소 원자(O)와의 반응성이 크다. 따라서, 탄탈륨(Ta)이나 티타늄(Ti)은 이후 실시되는 산소 공정중(예를 들어, 반응성 이온 식각 공정)에서 상부 메탈층(244)을 이루는 백금(Pt)의 입계(粒界, Grain Boundary)를 따라 확산(Diffusion)된 산소 원자(O)와 반응하여, 제3도에 도시된 바와 같이 상부 메탈층(244)과 상부 접착층(242)의 계면이나 상기 상부 메탈층(244)의 표면에 국부적으로 탄탈 옥사이드(Ta-Oxide)나 티타늄 옥사이드(Ta-Oxide)의 산화 돌기를 형성하게 되고, 이들 산화 돌기는 상기 박막형 광로 조절 장치의 미러면으로서 작용하는 상부 전극(240)의 표면 모폴러지를 불량하게 만들어 즉 표면을 불균일하게 해서 광로 조절 장치의하는 광효율을 저하시키는 문제점이 있었다.

따라서, 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 상부 전극의 상부 접착층을 탄탈 옥사이드(Ta-Oxide)나 티타늄 옥사이드(Ti-Oxide)로 형성하여, 상부 메탈층과 상부 접착층 간의 계면이나 상부 메탈층의 표면에 산화 돌기가 발생하는 것을 방지함으로써, 미러면으로서 사용되는 상부 전극의 모폴러지를 개선하여 광효율을 증가시킬 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 제공하는데 있다.

이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법은 매트릭스 형태로 형성된 능동 소자, 패시베이션층 및 식각 스톱층을 구비한 구동 기판의 상부에 멤브레인, 하부 접착층, 하부 메탈층, 변형층, 상부 접착층 및 상부 메탈층으로 된 복수개의 층이 캔틸레버 구조로 형성된 액츄에이터를 구비하는 투사형 화상 표시 장치용의 박막형 광로 조절 장치를 제조하되, 상부 메탈층은 백금(Pt)으로 형성하고, 식각은 산소 분위기 하에서 수행하며, 상부 접착층은 산화 티타늄(Ti-Oxide) 또는 산화 탄탈륨(Ta-Oxide)으로 형성한다.

본 발명에서는 또한 상기 상부 접착층을 화학적 기상 증착법(CVD)으로 형성한다.

본 발명에서는 또한 상기 상부 접착층을 200∼500Å의 두께로 형성한다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 상세히 설명하기로 하며, 설명의 간략화 및 편의성을 위해 제1도 내지 제3도의 종래 구성과 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 사용하기로 한다.

먼저, 제4(a)도를 참조하면, 반도체 집적 회로 제조 공정에 의하여 실리콘 기판의 상부에 매트릭스 구조로 형성된 능동 소자(도시 생략된) 및 이후 수행되는 증착 공정의 고온 분위기하에서 상기 복수개의 능동 소자가 외부로부터 화학적 또는 물리적 손상을 받는 것을 방지시키기 위한 패시베이션층과 상기 패시베이션층이 이후 공정에 의해서 수행되는 식각 공정의 식각 용액으로부터 화학적 손상을 받는 것을 방지하기 위해 내식성이 양호한 물질로 이루어진 식각 스톱층을 구비한 제1도의 것과 유사한 통상적인 구동 기판(100)을 준비한 후, 상기 구동 기판(100)의 상부에 인이 함유된 실리콘 산화물(PSG) 또는 다결정 실리콘을 물리 기상 증착 공정(PVD) 또는 화학 기상 증착 공정 (CVD)에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로서 희생층(sacrificial layer)(250)을 형성시킨다.

이후, 미세 패턴 형성 공정에 의하여 상기 희생층(250)을 제4(b)도에 도시된 바와 같이 소정 선폭 크기의 패턴을 구비한 소정 형상으로 형성시킨다. 이때, 희생층(250)의 패턴을 통하여 노출되는 상기 구동 기판(100)의 일부는 액츄에터(200)의 지지부 및 브리지를 형성시키기 위한 장소로 제공된다.

그다음, 상기된 구동 기판(100)상에 소정 패턴의 선폭 크기를 갖는 소정 형상의 희생층(250) 및 상기 희생층(250)의 패턴을 통하여 노출된 상기 구동 기판(100)상에 절연 특성이 양호할 뿐만 아니라 불산(HF) 용액과 같은 식각 용액에 대한 내성이 양호한 절연 물질을 화학 기상 증착 공정(CVD)에 의하여 제4(c)도에 도시된 바와 같이 소정 두께로 증착시켜서 멤브레인(210)을 형성시킨다. 이러한 멤브레인(210)을 구성하는 절연 물질은 캔틸레버 구조를 갖는 액츄에이터(200)의 구동부가 반복적으로 틸팅될 때 피로 응력에 의한 취성을 견딜 수 있도록 내성이 우수한 금속 또는 실리콘 질화물(SiN_x)로 이루어진다.

한편, 상기 멤브레인(210)상에는 콘택홀 형성 공정에 의하여 상기 구동 기판(100)에 내장된 능동 소자(도시 생략된)에 전기적으로 연결된 메탈 패드(105)를 노출 시키기 위해 제4(d)도에 도시된 바와 같은 콘택홀을 형성한다.

상기에서, 상기 희생층(250)의 패턴을 통하여 노출된 상기 구동 기판(100)상에 형성된 상기 멤브레인(210)의 일부는 상기된 바와 같이 캔틸레버 구조로 형성되는 액츄에이터(200)의 지지부 및 이러한 지지부를 연결시키기 위한 브리지를 형성하기 위한 기저부로서 작용하는 반면에 상기 희생층(250)상에 형성된 상기 멤브레인(210)의 일부는 상기 액츄에이터(200)가 소정의 각도로 상하 변위로 나타내는 구동부를 형성하기 위한 기저부로서 작용한다.

이후, 상기 멤브레인(210)으로부터 메탈 패드(105)까지 관통된 콘택홀에 도전성 뿐만아니라 이후의 열공정에 의한 손상을 입지 않는 백금(Pt), 티타늄(Ti), 또는 탄탈륨(Ta)과 갖은 금속을 리프트 오프(Lift-Off) 등과 같은 공정으로 충진시켜 이후 공정에 의해 형성될 하부 전극(220)과 전기적으로 도통될 수 있도록 제4(e)도에 도시된 바와 같이 플러그 메탈(205)을 형성한다.

또한, 상기 멤브레인(210)상에 제4(f)도에 도시된 바와 같이 하부 접착층(222)과 하부 메탈층(224)을 순서적으로 적층시켜 하부 전극(220)을 형성한다. 하부 메탈층(224)은 하부 메탈층(224)과 멤브레인(210)간의 접착 특성(Adhesion Property)을 높이기 위한 것으로서 접착성이 양호하고 열특성이 좋은 금속인 티타늄(Ti)이나 탄탈륨(Ta)을 스퍼터링 공정에 의해 증착하여 형성된다.

하부 접착층(222)상의 하부 메탈층(224)은 백금(Pt)과 같이 양호한 도전 특성을 나타내는 도전성 금속을 스퍼터링 증착 공정과 같은 진공 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시킴으로써 형성된다. 하부 접착층(222)과 하부 메탈층(224)으로 구성된 하부 전극(220)은 상기된 바와 같이 멤브레인(210)으로부터 상기 구동 기판(100)의 메탈 패드(105)까지 연결된 플러그 메탈(205)에 의하여 구동 기판(100) 내부에 내장된 복수개의 능동 소자(도시 생략된)와 전기적으로 연결되어 있으며 이러한 하부 전극(220)은 이후의 액츄에이터를 구동 시키기위한 신호 전극으로서 작동된다.

이때, 상기 하부 전극(220)의 일부 특히 소정 형상으로 형성되는 액츄에이터(200)의 브리지(도시 생략된)를 구성하는 상기 하부 전극(220)의 일부를 반응성 이온 식각 공정(R.I.E)과 같이 이방성 에칭 특성이 양호한 건식 식각 공정에 의하여 제거 하여서 상기 복수개의 능동 소자를 통하여 하부 전극(220)에 유입되는 전기적 신호를 화소 단위로 분리시키기 위한 이소 컷팅부(Iso-Cutting)를 형성시킨다.

이후, 상기 이소 컷팅부(도시 생략된)를 통하여 노출되는 상기 멤브레인(210)의 일부 및 상기 하부 전극(220)의 상부에 압전 특성을 나타내는 세라믹 재료를 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시켜서 변형부(230)를 형성시키며 이러한 변형부(230)를 구성하는 세라믹 재료는 BaTiO₃, Pb(Zr,Ti)O₃, (Pb,La)(Zr,Ti)O₃조성의 압전 세라믹 또는 Pb(Mg, Nb)O₃조성의 전왜 세라믹으로 이루어져 있고 상기 증착 공정은 스퍼터링 증착 공정 또는 화학 기상 증착 공정 또는 졸-겔 공정에 의하여 형성된다.

상기된 바와 같이, 소정 두께로 적층되어 형성된 상기 변형부(230)는 고온 열처리 공정 특히 급가열 공정(Rapid Thermal Annealing System)에 의하여 열처리되며, 그 결과 상기 변형부(230)를 구성하고 있는 세라믹 조성물의 결정 구조를 페로브카이트(Perovskite) 결정 구조로 형성시킴으로써 상기 변형부(230)는 압전 특성을 양호하게 나타낸다.

이후, 상기 변형부(230)의 상부에 제4(f)도에 도시된 바와 같이 상부 접착층(242)과 상부 메탈층(244)을 순서적으로 적층시켜 상부 전극(240)을 형성한다. 상부 접착층(242)은 상부 메탈층(244)과 변형부(230)간의 접착 특성(Adhesion Property)을 높이기 위한 것이다. 이때, 전술한 바와 같이, 상부 접착층(242)의 재료로서 티타늄(Ti)이나 탄탈륨(Ta)을 사용할 경우에는, 탄탈륨(Ta)이나 티타늄(Ti)과 산소 원자(O) 간의 반응성이 크기 때문에, 이후 실시되는 산소 분위기하에서의 반응성 이온 식각 공정중에 탄탈륨(Ta)이나 티탄늄(Ti)과 산소 원자(O)간의 반응으로 인해서 상부 메탈층(244)과 상부 접착층(242)의 계면이나 상부 메탈층(244)으 표면에 국부적으로 탄탈 옥사이드(Ta-Oxide)나 티타늄 옥사이드(Ti-Oxide)의 바람직하지 못한 산화 돌기가 형성된다. 그러므로, 본원 발명에서는, 상부 접착층(242)은 화학기상 증착에 의해 탄탈 옥사이드(Ta-Oxide)나 티타늄 옥사이드(Ti-Oxide)를 소정 두께로 적층하여 형성시킨다.

상부 접착층(242)상의 상부 메탈층(244)은 백금(Pt)과 같이 양호한 도전 특성 및 반사 특성을 나타내는 도전성 금속을 스퍼터링 증착 공정과 같은 진공 증착 공정에 의하여 소정 두께로 적층시키는 것에 의해 형성된다. 상부 접착층(242)과 상부 메탈층(244)으로 구성된 상부 전극(240)은 액츄에이터(200)를 구동 시키기 위한 공통전극으로서 작용함과 동시에 상기 액츄에이터(200)의 미러면으로서 작용한다.

이때, 탄탈 옥사이드(Ta-Oxide)나 티타늄 옥사이드(Ti-Oxide)의 상부 접착층(242)과 백금(Pt)의 상부 메탈층(244)으로 구성된 상부 전극(240)은 전술한 종래 구성과는 달리 상부 메탈층(244)과 상부 접착층(242)의 계면이나 상부 메탈층(244)의 표면에 바람직하지 못한 국부적인 산화 돌기를 갖지 않아, 박막형 광로 조절 장치의 미러면으로서 작용하는 상부 전극의 표면이 평탄하므로 박막형 광로 조절 장치의 전체적인 광효율이 향상될 수 있다.

이후, 제4(g)도에 도시된 바와 같이, 상기 구동 기판(100)의 상부에 복수개의 층으로 형성된 액츄에이터(200)를 픽셀 단위로 형성하기 위하여, 상기 액츄에이터(200)를 이루는 상부 전극(240), 변형부(230), 하부 전극(240), 멤브레인(210)의 일부를 반응성 이온 식각(RIE) 공정에 의해 제거하여, 상기 희생층(250)의 일부를 노출시킨다.

한편, 상기와 같은 반응성 이온 식각(RIE) 공정은 산소 플라즈마하에서 CF₄또는 CHF₃으로 구성된 에천트(Etchant)의 에칭 작용에 의해 수행된다.

이후, 제4(h)도를 참조하면, 상기 픽셀 단위의 액츄에이터(200)를 캔틸레버 구조로 형성시키기 위하여 상기 구동 기판(100)의 상부에 소정 형상으로 잔존하는 상기 희생층(250)을 식각 공정에 의하여 제거할 때 상기 액츄에이터(200)의 측면이 상기 식각 용액에 노출되어서 액츄에이터(200)를 구성하는 복수개의 층들이 박리되는 것을 방지시키기 위하여 상기 액츄에이터(200)의 외부 표면상에 식각 보호막(260)을 형성시킨다.

이때, 식각 보호막(260)은 멤브레인(210)상에 형성된 노출 부위를 완전히 외부로부터 차단시킬 수 있도록 액츄에이터(200)의 외부 표면상에 절연 물질을 소정두께로 도포시킴으로써 형성되며, 이러한 식각 보호막(260)을 구성하는 절연 물질은 식각 공정에 사용되는 식각액 특히 불산(HF) 용액에 대한 내식성이 양호한 포토 레지스트(PR)로 이루어진다.

한편, 액츄에이터(200)의 패턴을 통하여 노출된 희생층(250)은 제4(i)도에 도시된 바와 같이 등방성 식각 특성이 양호하게 나타나는 식각 공정에 의하여 제거되지만 구동 기판(100) 내의 식각 스톱층(도시 생략된)은 손상받지 않은 상태로 유지되어 있으므로 패시베이션층(도시 생략된)은 능동 소자를 양호하게 보호하게 되며, 식각 공정에 사용되는 식각 용액은 희생층(250)을 구성하는 인이 함유된 실리콘 산화물(PSG)에 대한 식각 특성이 양호한 불산(HF) 용액으로 이루어져 있다.

이후에, 이온 밀링(Ion Milling) 공정과 같은 건식 식각 공정에 의하여 제4(j)도에 도시된 바와 같이 상기 액츄에이터(200)의 상부 전극(240)상에 소정 두게로 잔존하는 식각 보호막(260)을 제거하여서 상부 전극(240)을 노출시켜 액츄에이터(200)의 반사면으로 작동할 수 있게 한다.

따라서, 외부의 제어 시스템으로부터 구동 기판(100)에 내장되어 있는 능동소자를 통하여 액츄에이터(200)의 상부 전극(240)에 전기적 신호가 인가되면 하부 전극(220)과 상부 전극(240)사이에 소정 크기의 전위차가 발생되고 이러한 전위차발생에 의해 변형부(230)는 압전 변형을 나타내며 이에 의하여 복수개의 액츄에이터(200)가 개별적으로 구동하게 된다.

즉, 반사면으로서 작용하는 상부 전극(240)의 표면으로 입사된 광원의 백색광은 상기 액츄에이터(200)의 구동에 의하여 변경된 광로를 따라 반사되어서 도시되어 있지 않은 스크린상에 화상을 표시하게 된다.

상술한 바와 같은 본 발명에 따르면, 상부 전극(240)의 상부 접착층(242)을 탄탈 옥사이드(Ta-Oxide)나 티타늄 옥사이드(Ti-Oxide)로 형성시킴으로써, 종래 구성과는 달리 상부 메탈층(244)과 상부 접착층(242)의 계면이나 상부 메탈층(244)의 표면에 바람직하지 못한 국부적인 산화 돌기를 갖지 않아, 박막형 광로 조절 장치의 미러면으로서 작용하는 상부 전극의 표면이 평탄하므로 박막형 광로 조절 장치의 전체적인 광효율이 향상될 수 있다.

이상, 상기 내용은 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 단지 에시한 것으로 본 발명의 당업자는 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있다.

Claims (3)

1. 매트릭스 형태로 형성된 능동 소자, 패시베이션층 및 식각 스톱층을 구비한 구동 기판의 상부에 소정 두께의 절연물질을 적층하여 희생층을 형성하는 공정과, 상기 희생층을 소정 형상으로 패터닝하여 그 일부를 부분적으로 제거하는 공정과, 상기 희생층의 부분적 제거에 의해 노출된 구동 기판 및 희생층의 상부에 소정 두께의 절연 물질을 적층하여 멤브레인을 형성하는 공정과, 상기 멤브레인에 콘택홀을 형성하여 콘택 메탈을 노출시키는 공정과, 상기 콘택홀에 도전성 물질로 이루어진 플러그 메탈을 형성시키는 공정과, 상기 플러그 메탈 및 멤브레인의 상부에 소정 두께의 하부 접착층을 형성하는 공정과, 상기 하부 접착층의 상부에 소정 두께의 하부 메탈층을 형성하는 공정과, 상기 하부 메탈층의 상부에 소정 두께의 변형부를 형성하는 공정과, 상기 변형부의 상부 접착층을 형성하는 공정과, 상기 상부 접착층의 상부에 상부 메탈층을 형성하는 공정과, 상기 상부 메탈층, 상부 접착층, 변형부, 하부 메탈층, 하부 접착층, 멤브레인을 순차적으로 식각하여 픽셀 단위의 액츄에이터를 이루는 공정과, 상기 액츄에이터의 전면에 식각 보호층을 도포하는 공정과, 상기 희생층을 제거하여 상기 액츄에이터를 캔틸레버 구조로 형성시키는 공정과, 상기 식각 보호층을 제거하는 공정을 통해서, 상기 구동 기판상에 복수개의 층이 캔틸레버 구조로 형성된 액츄에이터를 구비한 투사형 화상 표시 장치에 사용되는 박막형 광로 조절 장치를 제조하되, 상기 상부 메탈층은 백금(Pt)으로 형성하고 상기 식각은 산소 분위기 하에서 수행하는, 상기 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 상부 접착층은, 산화 티타늄(Ti-Oxide) 또는 산화 탄탈륨(Ta-Oxide)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 상부 접착층은, 화학적 기상 증착법(CVD)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 상부 접착층은, 그 두께를 200-500Å으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치.