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TW202320371A - 發光模組及電子裝置 - Google Patents

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群創光電股份有限公司
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Abstract

提供一種發光模組，發光模組包括電路基板以及設置於電路基板上的第一發光元件。發光模組亦包括光學圖案，設置於電路基板上且鄰接於第一發光元件。發光模組更包括透鏡，覆蓋第一發光元件和光學圖案。

Description

發光模組及電子裝置
本揭露是關於發光模組及電子裝置，特別是關於一種包括覆蓋發光元件和光學圖案的透鏡的背光模組及電子裝置。
發光模組用於電子裝置中。在現有的發光模組中，可能會因相鄰發光元件之間的亮度差異而產生可視的亮度不均勻(mura)的問題。因此，如何降低相鄰發光元件之間的亮度差異是一個重要的課題。
本揭露之一些實施例提供一種發光模組，包括電路基板以及設置於電路基板上的第一發光元件。發光模組亦包括光學圖案，設置於電路基板上且鄰接於第一發光元件。發光模組更包括透鏡，覆蓋第一發光元件和光學圖案。
本揭露之一些實施例提供一種電子裝置，包括發光模組。發光模組包括電路基板以及設置於電路基板上的第一發光元件。發光模組亦包括光學圖案，設置於電路基板上且鄰接於第一發光元件。發光模組更包括透鏡，覆蓋第一發光元件和光學圖案。
為讓本揭露之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出一些實施例，並配合所附圖式，做詳細說明如下。
以下將對本揭露的背光模組和電子裝置進行詳細描述。 應理解的是，在以下詳細說明中，為了解釋的目的而闡述了許多具體細節和實施例，以便提供對本揭露的透徹理解。 為了清楚地描述本揭露，以下詳細描述了元件和配置。實施例僅用於示意的目的。此外，為了清楚地描述本揭露，不同實施例的圖式可以使用相同及/或對應的標號來表示相同及/或對應的元件。然而，在不同實施例的圖式中使用相似及/或對應的標號並不表示不同實施例之間具有任何關聯性。
本揭露通篇說明書與後附的申請專利範圍中會使用某些詞彙來指稱特定元件。所屬技術領域中具有通常知識者應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在以下說明書與申請專利範圍中，「包括」、「含有」、「具有」等詞彙為開放式詞彙，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或構件的存在。
此外，在此說明書中使用相對性的用語。舉例而言，使用「上」、「下」、「前」、「後」等來說明一元件相對於另一元件的位置。應理解的是，假如一裝置上下翻轉，則「較低」的元件會變為「較高」的元件。
當相應的構件(例如膜層或區域)被稱為「在另一個構件上」時，它可以直接在另一個構件上，或者兩者之間可存在有其他構件。另一方面，當構件被稱為「直接在另一個構件上」時，則兩者之間不存在任何構件。另外，當一構件被稱為「在另一個構件上」時，兩者在俯視方向上有上下關係，而此構件可在另一個構件的上方或下方，而此上下關係取決於裝置的取向(orientation)。
用語「大約」、「大致上」一般解釋為在所給定的值的20%以內，或解釋為在所給定的值的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內的範圍。
能理解的是，雖然在此可使用用語「第一」、「第二」等來敘述各種元件、層及/或部份，這些元件、層及/或部份不應被這些用語限定，且這些用語僅是用來區別不同的元件、層及/或部份。因此，以下討論的一第一元件、層及/或部份可在不偏離本揭露一些實施例之教示的情況下被稱為一第二元件、層及/或部份。另外，為了簡潔起見，在說明書中亦可不使用「第一」、「第二」等用語來區別不同元件。在不違背後附申請專利範圍所界定的範圍的情況下，申請專利範圍所記載的第一元件及/或第二元件可解讀為說明書中符合敘述的任何元件。
在本揭露中，厚度、長度和寬度的量測方式可採用光學顯微鏡量測而得，且厚度可由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但上述量測方式僅作為範例，本揭露不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可能存在著一定的誤差。如果第一值與第二值相等或相同，則表示第一值與第二值之間可能存在約10%的誤差。 如果第一方向垂直於第二方向，則第一方向和第二方向之間的角度可以在80度和100度之間。 如果第一方向平行於第二方向，則第一方向和第二方向之間的角度可以在0度和10度之間。
應注意的是，以下數個不同實施例中的特徵可相互替換、組合或混合使用，以在未違背本揭露精神的情況下形成其他實施例。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包括技術及科學用語)具有與此篇揭露所屬之一般技藝者所通常理解的相同涵義。能理解的是這些用語，例如在通常使用的字典中定義的用語，應被解讀成具有一與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在此特別定義。應注意的是，本文中「第一特徵是/可形成在第二特徵上」的敘述可包括第一特徵和第二特徵是設置以直接接觸的實施例，亦可包括在第一特徵和第二特徵之間設置附加特徵的實施例，使得第一特徵和第二特徵可未直接接觸。
第1圖顯示根據本揭露一些實施例之電子裝置10的剖視圖。應注意的是，電子裝置10可包括顯示裝置、天線裝置、感測裝置、觸控裝置或前述的組合。第2圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光模組的俯視圖。應注意的是，在本實施例中所示的發光模組可包括與第1圖所示的發光模組100相同或相似的元件及/或部分。電子裝置10可包括可彎折式、曲線式、可撓式電子裝置或前述的組合，但不限於此。電子裝置10可包括發光元件110，發光元件110可包括發光二極體、螢光、磷光、量子點(quantum dot；QD)、其他適合的電子介質或前述的組合，但不限於此。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、無機發光二極體、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED，亦被稱為QLED、QDLED)、其他適合的材料或前述的組合，且這些材料可任意地排列組合，但本揭露並不限於此。天線裝置可以包括液晶天線，但不限於此。在一些實施例中，電子裝置10的形狀可以是矩形、圓形、多邊形、曲線邊緣形狀或任何其他適合的形狀。
如第1圖和第2圖所示，電子裝置10可包括發光模組100及設置於發光模組100上的面板200。在本實施例中，發光模組100可包括電路基板112及設置在電路基板112上的複數個發光元件110。在一些實施例中，電路基板112可以包括可撓性電路板或剛性電路板，但不限於此。換言之，電路基板112可包括基板(未圖示)及設置於基板上的電路元件(例如主動元件、被動元件及/或導線)。
在一些實施例中(第2圖)，電路基板112可以包括複數個子電路基板112(例如子電路基板112A及/或子電路基板112B)。電路基板112(包括子電路基板112A及/或子電路基板112B)可以電性連接複數個發光元件110。
在一些實施例中，複數個發光元件110和複數個光學圖案115可以設置在電路基板112上。在一些實施例中，複數個光學圖案115的其中一者可以鄰近於複數個發光元件110的其中一者。在一些實施例中，複數個透鏡117可以設置在電路基板112上，且複數個透鏡117的其中一者可以覆蓋發光元件110的其中一者和光學圖案115的其中一者。在一些實施例中，透鏡117可以是光學元件，且光學元件可以改變入射光的光徑。透鏡117可以包括凸透鏡或凹透鏡，但不限於此。用語「A元件覆蓋B元件」是指A元件設置在B元件上且在電路基板112的表面的法線方向上與B元件重疊。在一些實施例中，發光元件110可配置為發射藍光，且光學圖案115可以包括波長轉換材料。在一些實施例中，光學圖案可以包括螢光、磷光或量子點，但不限於此。舉例而言，光學圖案115可以是黃色圖案(例如黃色螢光、黃色磷光或黃色量子點)或其他適合的顏色圖案，但本揭露並不限於此。在一些其他實施例中，發光元件110可配置為發射任何顏色的光，且光學圖案115可以包括具有不同顏色的另一種波長轉換材料。透過上述設計，可以減少發光元件周圍或鄰接於發光元件的色帶(例如藍色帶)，或者使不同發光元件之間的亮度更一致。
如第1圖所示，在一些實施例中，發光模組100可包括背板120、反射元件130、擴散件140、色彩轉換層145及/或至少一個光學膜150，但本揭露並不限於此。電路基板112可以設置在背板120中。反射元件130可以設置在背板120中且延伸至斜面122(見第2圖)上。在一些實施例中，反射元件130可以包括暴露電路基板112的一部分的複數個開口O，且發光元件110可以設置在電路基板112的上述暴露部分上，但本揭露並不限於此。
在一些實施例中，擴散件140可以設置在背板120和發光元件110上。在一些實施例中，色彩轉換層145可以設置在擴散件140上，但不限於此。在一些實施例中，色彩轉換層145可以包括磷光體、量子點、螢光、任何其他適合的材料或前述的組合，但不限於此。在一些實施例中，至少一個光學膜150可以設置在擴散件140上以優化發射光。應注意的是，雖然繪示了單層光學膜150，但是本技術領域中具有通常知識者可以根據需要採用多層光學膜。在一些實施例中，至少一個光學膜150可以包括增亮膜及/或光循環膜。在一些實施例中，可以根據需求調整上述膜層的數量及/或排列。發光元件110可被配置為發射光，且所發射的光的至少一部分可透過反射元件130被反射到擴散件140及/或光學膜150，但不限於此。
在一些實施例中，面板200可以設置在發光模組100上。面板200可以包括第一基板、第二基板和設置在第一基板和第二基板之間的液晶層(未單獨繪示)，但本揭露不限於此。
在一些實施例中，顯示裝置10更可以包括框架170及/或外殼160。外殼160的一部分可以設置在發光模組100和面板200之間，且外殼160可配置為支撐面板200。框架170可以設置在發光模組100及/或面板200之外。在一些實施例中，框架170可以選擇性地設置以保護發光模組100中的元件。
如第2圖所示，電路基板112可以包括沿第二方向Y延伸的複數個子電路基板112A。在一些實施例中，電路基板112可以包括不同於子電路基板112A的複數個子電路基板112B。在一些實施例中，發光元件110可以設置在子電路基板112A上，且發光元件110可以沿第二方向Y排列。在一些實施例中，發光元件110可以設置在子電路基板112B上，且部分發光元件110可沿第二方向Y排列，而部分發光元件110則不沿第二方向Y排列。在一些實施例中，子電路基板112A可為矩形，子電路基板112B可為非矩形，但不以此為限。
第3圖是根據本揭露一些實施例的第2圖所示區域A的放大俯視圖。在本實施例中，四個發光元件(例如第一發光元件110A、第二發光元件110B、第三發光元件110C及第四發光元件110D)顯示於區域A中。
在一些實施例中，發光元件110可以包括設置在電路基板112上的第一發光元件110A、第二發光元件110B、第三發光元件110C和第四發光元件110D。第一發光元件110A和第二發光元件100B(例如設置於兩個定位件125之間)可以沿著第一虛擬線L1排列且以第一間距P1分隔開，第一發光元件110A和第三發光元件110C沿第二虛擬線L2排列且以第二間距P2分隔開。換言之，第一虛擬線L1可以透過連接第一發光元件110A和第二發光元件110B來繪示，第二虛擬線L2可以透過連接第一發光元件110A和第三發光元件110C來繪示。在一些實施例中，第一虛擬線L1可大致穿過第一發光元件110A和第二發光元件110B的中心，而第二虛擬線L2可大致穿過第一發光元件110A和第三發光元件110C的中心，但本揭露並不限於此。在一些實施例中，第一虛擬線L1可實質上與第一發光元件110A和第二發光元件110B的同一側相切，而第二虛擬線L2可實質上與第一發光元件110A和第三發光元件110C的同一側相切。
此外，第一間距Pl可以由第一發光元件110A和第二發光元件110B之間的間距來定義，第二間距P2可以由第一發光元件110A和第三發光元件110C之間的間距來定義。舉例而言，第一間距P1可從第一發光元件110A的中心測量到第二發光元件110B的中心，但不限於此。在一些實施例中，第一間距P1可在第一發光元件110A與第二發光元件110B的相同側(例如右側或左側)之間來測量。舉例而言，第二間距P2可從第一發光元件110A的中心測量到第三發光元件110C的中心，但不限於此。在一些實施例中，第二間距P2可在第一發光元件110A與第三發光元件110C的相同側(例如右側或左側)之間來測量。在一些實施例中，第一間距P1可以不同於第二間距P2。
在一些實施例中，可在第一虛擬線L1和第二虛擬線L2之間形成第一角度θ1，且第一角度θ1可以大於0度，可在第三虛擬線L3和第一虛擬線L1之間形成第二角度θ2，可在第三虛擬線L3和第二虛擬線L2之間形成第三夾角θ3，第二夾角θ2與第三夾角θ3為第一夾角θ1的一半，第四虛擬線L4垂直於第三虛擬線L3。如第4圖所示，在一些實施例中，當發光元件以矩陣的型式排列時，第一虛擬線L1可垂直於第二虛擬線L2，第一夾角θ1可以是90度，但本揭露並不限於此。「發光元件以矩陣的型式排列」的記載是指發光元件可以沿第一方向X和第二方向Y排列，且第一方向X可垂直於第二方向Y。
在其他實施例中，當發光元件未以矩陣的型式排列 (例如pentile型式或其他適合的型式)時，第一虛擬線Ll可不垂直於第二虛擬線L2，且第一角度θ1可以不是90度，例如30度、45度、60度或其他適合的度數。
更詳細而言，當發光元件不以矩陣的型式排列時，第一發光元件110A、第二發光元件110B和第三發光元件110C可以下列方式來選擇。首先，我們可以選擇相鄰的發光元件作為第一發光元件110A和第二發光元件110B。接著，我們可以選擇其他發光元件中最接近第一發光元件110A的一者作為第三發光元件110C，而上述其他發光元件不包括第二發光元件110B。第一發光元件110A和第二發光元件110B可以沿一方向排列，第一發光元件110A和第三發光元件110C可以沿與上述方向不同的另一方向排列。當選定第一發光元件110A、第二發光元件110B及第三發光元件110BC時，可以透過上述方式得出第一虛擬線L1、第二虛擬線L2、第三虛擬線L3及第四虛擬線L4。第一虛擬線L1與第二虛擬線L2之間的第一夾角θ1可以大於0度，且第一夾角θ1可以不是90度。第一發光元件110A和第二發光元件100B可以沿著第一虛擬線L1排列且以第一間距P1分隔開，第一發光元件110A和第三發光元件110C沿著第二虛擬線L2排列，且以第二間距P2分隔開。
第4圖是根據本揭露一些實施例的第3圖所示區域B的放大俯視圖。如第4圖所示，電路基板112可以具有第一區域R1和第二區域R2，其中第一虛擬線L1和第二虛擬線L2可以定義第一區域R1和第二區域R2。第二區域R2可以包括第一子區域R21和第二子區域R22，第一區域R1可以包括第三子區域R11和第四子區域R12。更詳細而言，第三虛擬線L3和第四虛擬線L4可交叉以定義第二區域R2的第一子區域R21、第二區域R2的第二子區域R22、第一區域R1的第三子區域R11以及第一區域R1的第四子區域R12。第一虛擬線L1可以穿過第一區域R1，第二虛擬線L2可以穿過第二區域R2，使得第一虛擬線L1和第二虛擬線L2可以定義第一區域R1和第二區域R2。第一子區域R21與第二子區域R22可位於發光元件110A的相對兩側，且第二虛擬線L2可穿過第一子區域R21和第二子區域R22。第三子區域R11與第四子區域R12可位於發光元件110A的相對兩側，且第一虛擬線L1可穿過第三子區域R11和第四子區域R12。
如第3圖和第4圖所示，在一些實施例中，光學圖案115可以具有位於第一區域Rl中的第一總面積AX、位於第二區域R2中的第二總面積AY。在一些實施例中，第一總面積AX可以不同於第二總面積AY。在一些實施例中，第一間距P1、第二間距P2、第一總面積AX和第二總面積AY可以滿足以下關係式：P1＜P2，且AX＞AY，但不限於此。在一些實施例中，第一間距P1、第二間距P2、第一總面積AX和第二總面積AY可以滿足以下關係式：0＜P1/P2＜1，且1＜AX/AY≤20，但本揭露並不限於此。在一些實施例中，第一間距P1、第二間距P2、第一總面積AX和第二總面積AY可以滿足以下關係式：0＜P1/P2＜1，且2＜AX/AY≤18。在一些實施例中，第一間距P1、第二間距P2、第一總面積AX和第二總面積AY可以滿足以下關係式：0＜P1/P2＜1，且4＜AX/AY≤16。透過上述設計，可以減少發光元件周圍的色帶(例如藍色帶)，或者使不同發光元件之間的亮度更加一致。
在其他實施例(未圖示)中，第一間距P1、第二間距P2、第一總面積AX和第二總面積AY可以滿足以下關係式：P1＞P2，且AX＜AY，但本揭露不限於此。在一些實施例中，第一間距P1、第二間距P2、第一總面積AX和第二總面積AY可以滿足以下關係式：1＜P1/P2≤6、0＜AX/AY≤0.5，但本揭露不限於此。在一些實施例中，第一間距P1、第二間距P2、第一總面積AX和第二總面積AY可以滿足以下關係式：1＜P1/P2≤6，且0.05≤AX/AY≤0.45。在一些實施例中，第一間距P1、第二間距P2、第一總面積AX和第二總面積AY可以滿足以下關係式：1＜P1/P2≤6，且0.1≤AX/AY≤0.4。透過上述設計，可以減少發光元件周圍的色帶(例如藍色帶)，或者使不同發光元件之間的亮度更加一致。
在一些實施例中，光學圖案115可以具有在第一子區域R21中的第一面積A1和在第二子區域R22中的第二面積A2，第二總面積AY可以是第一面積A1和第二面積A2的總和。在一些實施例中，光學圖案115可以具有在第三子區域R11中的第三面積A3和在第四子區域R12中的第四面積A4，且第一總面積AX可以是第三面積A3和第四面積A4的總和。
在一些實施例中，第一面積A1和第二面積A2可以滿足以下關係式：0.6≤A1/A2≤1.4，但不限於此。在一些實施例中，第一面積A1和第二面積A2可以滿足以下關係式：0.7≤A1/A2≤1.3。在一些實施例中，第一面積A1和第二面積A2可以滿足以下關係式：0.8≤A1/A2≤1.2。透過上述設計，不同發光元件之間的亮度可以更一致。
在一些實施例中，第三面積A3和第四面積A4可以滿足以下關係式：0.6≤A3/A4≤1.4。在一些實施例中，第三面積A3和第四面積A4可以滿足以下關係式：0.7≤A3/A4≤1.3。在一些實施例中，第三面積A3和第四面積A4可以滿足以下關係式：0.8≤A3/A4≤1.2。透過上述設計，不同發光元件之間的亮度可以更一致。
此外，發光模組100可將黏著劑116設置於電路基板112上。在一些實施例中，黏著劑116可設置以鄰接於光學圖案115，且黏著劑116可配置為將透鏡117接合到電路基板112上。
在一些實施例中，黏著劑116可以位於第一區域Rl及/或第二區域R2中，但不限於此。在一些實施例中(如第4圖所示)，黏著劑116可位於第二區域R2中，且黏著劑116可位於第一子區域R21及/或第二子區域R22中，但本揭露不限於此。在一些實施例中，黏著劑116可以對稱地分佈在第一子區域R21和第二子區域R22中，但不限於此。在其他實施例(未圖示)中，黏著劑116可位於第一區域R1中，且黏著劑116可位於第三子區域R11及/或第四子區域R12中，但不以此為限。在一些實施例中，黏著劑116可以對稱地分佈在第三子區域R11和第四子區域R12中，但本揭露並不限於此。
第5圖是繪示根據本揭露一些實施例的電子裝置20的俯視圖。應注意的是，本實施例所示的電子裝置20可包括與第1圖所示的電子裝置10相同或相似的元件及/或部分，這些元件及/或部分將被標示為相同的標號且將不再詳細地說明。如第5圖所示，電子裝置20可以包括電路基板112，電路基板112可以包括複數個子電路基板112C，複數個子電路基板112C沿第一方向X和第二方向Y排列，第一方向X可以不同於第二方向Y，但本揭露不限於此。在一些實施例中，第一方向X可以垂直於第二方向Y。在一些實施例中，發光元件110設置在電路基板112的子電路基板112C上。在一些實施例中，沿第一方向X設置於子電路基板112C上的發光元件110的數量可與沿第二方向Y設置於子電路基板112C上的發光元件110的數量相同，但不以此為限。在其他實施例中，沿第一方向X設置於子電路基板112C上的發光元件110的數量可以不同於沿第二方向Y設置於子電路基板112C上的發光元件110的數量。
第6圖是本揭露一些實施例的第5圖所示區域C的放大俯視圖。應注意的是，本實施例所示的發光模組可包括與第3圖所示的發光模組相同或相似的元件及/或部分，這些元件及/或部分將被標示為相同的標號且將不再詳細地說明。如第6圖所示，在區域C中顯示出四個發光元件(例如第一發光元件110A、第二發光元件110B、第三發光元件110C和第四發光元件110D)。在一些實施例中，光學圖案115可設置於電路基板112上且鄰接於及/或圍繞發光元件(例如第一發光元件110A、第二發光元件110B、第三發光元件110C和第四發光元件110D)。在一些實施例中，透鏡117可覆蓋發光元件(例如第一發光元件110A、第二發光元件110B、第三發光元件110C及第四發光元件110D)和光學圖案115。在一些實施例中(例如第6圖)，第一虛擬線L1、第二虛擬線L2、第三虛擬線L3和第四虛擬線L4可以與第3圖所述類似的方式來定義，因此將不再詳細說明。
此外，發光元件110A和發光元件110B可以沿著第一虛擬線Ll排列且以第一間距Pl分隔開，發光元件110A和發光元件110C可以沿著第二虛擬線L2排列且以第二間距P2分隔開。
在一些實施例中(例如第6圖)，第一間距P1和第二間距P2可用類似於第3圖所述的方式來定義，因此將不再詳細地說明。
第7圖是本揭露一些實施例的第6圖所示區域D的放大俯視圖。如第7圖所示，第一虛擬線L1和第二虛擬線L2可以定義第一區域R1和第二區域R2，光學圖案115可以具有在第一區域R1中的第一總面積AX以及在第二區域R2中的第二總面積AY。在一些實施例中，第一區域R1可以包括第三子區域R11和第四子區域R12。第三子區域R11和第四子區域R12可以位於發光元件110A的相對兩側。在一些實施例中，光學圖案115可以具有在第三子區域R11中的第三面積A3和在第四子區域R12中的第四面積A4，且第三面積A3和第四面積A4可以滿足以下關係式：0.6≤A3/A4≤1.4。在一些實施例中，第三面積A3和第四面積A4可以滿足以下關係式：0.65≤A3/A4≤1.35。在一些實施例中，第三面積A3和第四面積A4可以滿足以下關係式：0.7≤A3/A4≤1.3。在一些實施例中，第三面積A3和第四面積A4可以滿足以下關係式：0.8≤A3/A4≤1.2。透過上述設計，不同發光元件之間的亮度可以更一致。
如第7圖所示，在一些實施例中，第二區域R2可以包括第一子區域R21和第二子區域R22。第一子區域R21和第二子區域R22可以位於發光元件110A的相對兩側。在一些實施例中，光學圖案115可以具有在第一子區域R21中的第一面積A1和在第二子區域R12中的第二面積A2，且第一面積A1和第二面積A2可以滿足以下關係式：0.6≤A1/A2≤1.4。在一些實施例中，第一面積A1和第二面積A2可以滿足以下關係式：0.65≤A1/A2≤1.35。在一些實施例中，第一面積A1和第二面積A2可以滿足以下關係式：0.7≤A1/A2≤1.3。在一些實施例中，第一面積A1和第二面積A2可以滿足以下關係式：0.8≤A1/A2≤1.2。透過上述設計，不同發光元件之間的亮度可以更一致。
在一些實施例中，光學圖案115可以具有在第一區域Rl中的第一總面積AX和在第二區域R2中的第二總面積AY，且第一總面積AX可以大致上等於第二總面積AY。第一總面積AX可以是第三面積A3和第四面積A4的總和。第二總面積AY可以是第一面積A1和第二面積A2的總和。
在一些實施例中，黏著劑116可以鄰接於及/或圍繞發光元件。在一些實施例中，黏著劑116在電路板112的法線方向Z上不與光學圖案115重疊，但不以此為限。在其他實施例(未圖示)中，黏著劑116可與光學圖案115的一部分在電路板112的法線方向Z上重疊。在一些實施例中，黏著劑116可位於第一區域R1及第二區域R2中，但不限於此。在一些實施例中，黏著劑116可以對稱地分佈在第一子區域R21和第二子區域R22中，但不限於此。在一些實施例中，光學圖案115可以具有複數個子圖案115S，以及/或者黏著劑116可以具有複數個子圖案116S。在一些實施例中，子圖案115S和子圖案116S可以相互交錯排列，但不限於此。在一些實施例中，子圖案115S的輪廓和子圖案116S的輪廓可以彼此不同。在一些實施例中，光學圖案115的子圖案115S的其中一者與第一發光元件110A之間的最小距離DM1可以不同於黏著劑116的子圖案116S的其中一者和第一發光元件110A之間的最小距離DM2。第一發光元件110A。在一些實施例中，光學圖案115的子圖案115S的其中一者與第一發光元件110A之間的最小距離DM1可以小於黏著劑116的子圖案116S的其中一者和第一發光元件110A之間的最小距離DM2。在其他實施例(未圖示)中，在X-Y平面上，光學圖案115的子圖案115S的其中一者與第一發光元件110A之間的最小距離DM1可以大於黏著劑116的子圖案116S的其中一者與第一發光元件110A之間的最小距離DM2。
在一些實施例中，在X-Y平面上，光學圖案115的子圖案115S的其中一者與第一發光元件110A之間的最小距離DMl可以與黏著劑116的子圖案116S另一者與第一發光元件110A之間的最小距離DMlA相同。在其他實施例(未圖示)中，在X-Y平面上，光學圖案115的子圖案115S的其中一者與第一發光元件110A之間的最小距離DM1可以不同於黏著劑116的子圖案116S另一者與第一發光元件110A之間的最小距離DM1A。
第8圖是繪示根據本揭露一些實施例的電子裝置30的俯視圖。應注意的是，本實施例所示的電子裝置30可包括與第1圖所示的電子裝置10相同或相似的元件及/或部分，這些元件及/或部分將被標示為相同的標號且將不再詳細地說明。如第8圖所示，電路基板112可以設置在背板120上，電路基板112可以包括複數個子電路基板112A和複數個子電路基板112B，子電路基板112A可沿著第二方向Y排列，且子電路基板112B可沿著第二方向Y排列。在一些實施例中，複數個子電路基板(例如子電路基板112A與子電路基板112B)透過連接結構50/連接器60相互電性連接。舉例而言，子電路基板112A的其中一者可以透過連接結構50電性連接到子電路基板112B的其中一者，但不限於此。在一些實施例中，連接結構50的延伸方向可以大致上垂直於子電路基板112A及/或子電路基板112B的延伸方向，但不限於此。在一些實施例中，反射層(未單獨繪示)可以設置在連接結構50上。
在本實施例中，可以選定第一發光元件110A、第二發光元件110B和第三發光元件110C，亦可以選定其他複數個發光元件(包括第一發光元件110D、第二發光元件110E和第三發光元件110F)。如第8圖所示，第一發光元件110D、第二發光元件110E和第三發光元件110F可以比第一發光元件110A、第二發光元件110B和第三發光元件110C更靠近連接結構50。此外，連接結構50設置於第一發光元件110D與第三發光元件110F之間。在本實施例中，第一發光元件110A與第二發光元件110B之間可沿第一虛擬線L1具有一間距P1，第一發光元件110D與第二發光元件110E之間可沿第一虛擬線L1'具有一間距Py，且第一虛擬線L1的延伸方向可大致平行於第一虛擬線L1'的延伸方向。在一些實施例中，間距P1和間距Py可以滿足以下關係式：0.7≤間距P1/間距Py≤1.3，但不限於此。在一些實施例中，間距P1和間距Py可以滿足以下關係式：0.75≤間距P1/間距Py≤1.25。在一些實施例中，間距P1和間距Py可以滿足以下關係式：0.8≤間距P1/間距Py≤1.2。在一些實施例中，間距P1可以大致上等於間距Py，但本揭露不限於此。
相似地，第一發光元件110A與第三發光元件110C之間可沿第二虛擬線L2具有一間距P2，第一發光元件110D與第三發光元件110E之間可以沿著第二虛擬線L2'具有一間距Px，且第二虛擬線L2的延伸方向可大致平行於第二虛擬線L2'的延伸方向。在一些實施例中，間距P2和間距Px可以滿足以下關係式：0.7≤間距P2/間距Px≤1.3，但不限於此。在一些實施例中，間距P2和間距Px可以滿足以下關係式：0.75≤間距P2/間距Px≤1.25。在一些實施例中，間距P2和間距Px可以滿足以下關係式：0.8≤間距P2/間距Px≤1.2。在一些實施例中，間距P2可以大致上等於間距Px，但本揭露不限於此。如上所述，連接結構50不會顯著影響相鄰發光元件之間的間距，可使電子裝置30的顯示性能一致。
第9圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光元件的俯視圖。應注意的是，本實施例所示的發光元件可以包括與第4圖所示的發光元件相同或相似的元件及/或部分，這些元件及/或部分將被標示為相同的標號且將不再詳細地說明。如第9圖所示，光學圖案115的其中一者可包括二個子圖案115S，且二個子圖案115S可位於對應的發光元件110的相對兩側。在一些實施例中，發光元件110可在第一方向X上設置於兩個子圖案115S之間，但不限於此。在其他實施例(未圖示)中，發光元件110可在第二方向Y上設置於兩個子圖案115S之間，但本揭露不以此為限。
在一些實施例中，子圖案115S可以是細長形或其他適合的形狀，但不限於此。在一些實施例中，子圖案115S可以大致上彼此平行，但不限於此。在一些實施例中，在垂直於電路基板112的子電路基板112S的延伸方向的一方向(例如第二方向Y)上，子電路基板112S的寬度WA可以與子圖案115S的寬度WB相同。在一些實施例中，光學圖案115的一部分可以不被透鏡117所覆蓋。在一些實施例中，黏著劑116可以包括複數個子圖案116S。在一些實施例中，黏著劑116的子圖案116S可以設置在發光元件110周圍。在一些實施例中，黏著劑116的子圖案116S可以排列成一三角形，此設計可以提高鏡片的穩定性，但不限於此。在其他實施例中，光學圖案115的子圖案115S可排列成一三角形。
在一些實施例中，光學圖案115的子圖案115S的其中一者與發光元件110之間的最小距離DM1可以不同於黏著劑的子圖案116S的其中一者與發光元件110之間的最小距離DM2。在一些實施例中，光學圖案115的子圖案115S中的其中一者與發光元件110之間的最小距離DM1可以大於黏著劑116的子圖案116S的其中一者與發光元件110之間的最小距離DM2。
第10圖是繪示根據本揭露一些實施例的電子裝置40的剖視圖。應注意的是，本實施例所示的電子裝置40可包括與第1圖所示的電子裝置10相同或相似的元件及/或部分，這些元件及/或部分將被標示為相同的標號且將不再詳細地說明。舉例而言，電子裝置40可以包括發光模組100以及設置在發光模組100上的面板200。發光模組100可以包括電路基板112和設置在電路基板112上的複數個發光元件110。此外，發光模組100可包括背板120、反射元件130、擴散件140及/或至少一光學膜150，但本揭露並不限於此。
在一些實施例中(第10圖)，發光元件110可配置為發射白光，且光學圖案115可以包括吸光材料，但不限於此。由於光學圖案115可配置為吸收發光元件所發射的光，因此可以縮小相鄰發光元件之間的亮度差(例如mura)。舉例而言，光學圖案115可包括黑色材料，例如黑色光阻、黑色樹脂、黑色墨水或前述的組合，但不限於此。在其他實施例中，發光元件110可以被配置為發出任何其他顏色的光，亦可以達到縮小相鄰發光元件之間的亮度差(例如mura)的效果。
第11圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光元件的俯視圖。應注意的是，本實施例所示的發光元件可以包括與第4圖所示的發光元件相同或相似的元件及/或部分，這些元件及/或部分將被標示為相同的標號且將不再詳細地說明。如第11圖所示，透鏡117可以具有凹槽119(由虛線所包圍)，且光學圖案115可以在電路基板112的法線方向Z上與凹槽119重疊。凹槽119可在剖視圖(未圖示)中具有尖峰(即最高點)，且凹槽119由透鏡117右側的尖峰117P和透鏡117左側的尖峰117P之間的區域所定義。如第11圖所示，光學圖案115可以包括複數個子圖案115S。在一些實施例中，子圖案115S可以圍繞發光元件110排列及/或以對稱方式排列。因此，可以均勻地縮小相鄰發光元件之間的亮度差(例如mura)，或者提升發光模組的性能。
第12圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光元件的俯視圖。應注意的是，本實施例所示的發光元件可以包括與第4圖所示的發光元件相同或相似的元件及/或部分，這些元件及/或部分將被標示為相同的標號且將不再詳細地說明。如第12圖所示，光學圖案115可包括複數個子圖案(例如子圖案115S-1或子圖案115S-2)。在一些實施例中，子圖案115S-1的形狀可以不同於子圖案115S-2的形狀。舉例而言，子圖案115S-1的形狀及/或子圖案115S-2的形狀可以是矩形、圓形、規則形狀或不規則形狀。應注意的是，本實施例所示的光學圖案115的配置僅作為範例，本技術領域中具有通常知識者可根據本揭露調整光學圖案115的大小、位置及/或形狀。
第13圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光元件的俯視圖。應注意的是，本實施例所示的發光元件可以包括與第11圖所示的發光元件相同或相似的元件及/或部分，這些元件及/或部分將被標示為相同的標號且將不再詳細地說明。如第13圖所示，透鏡117可具有一凹槽119，凹槽119的定義可參照上文。在本實施例中，光學圖案115可為環狀且圍繞發光元件110。在一些實施例中，光學圖案115可在電路基板112的法線方向Z上與凹槽119重疊。
如上所述，本揭露實施例提供了一種包括透鏡的發光模組和電子裝置，透鏡可以覆蓋發光元件110及/或光學圖案115。在一些實施例中，光學圖案115可以包括色彩轉換圖案，光學圖案115可以轉換發光元件所發射的光。因此，可以縮小相鄰發光元件之間的亮度差(例如mura)，以及/或者可以縮小發光元件周圍的色帶(例如藍色帶)。在一些實施例中，光學圖案可以包括被配置為吸收由發光元件所發射的光的吸光材料，且可以縮小相鄰發光元件之間的亮度差(例如mura)。此外，光學圖案可以對稱的方式排列。如此一來，可以均勻地縮小相鄰發光元件之間的亮度差(例如mura)，或提升發光模組的性能。
雖然本揭露的實施例及其優點已揭露如上，但應該瞭解的是，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作更動、替代與潤飾。此外，本揭露之保護範圍並未侷限於說明書內所述特定實施例中的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，任何所屬技術領域中具有通常知識者可從本揭露揭示內容中理解現行或未來所發展出的製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，只要可以在此處所述實施例中實施大抵相同功能或獲得大抵相同結果皆可根據本揭露使用。因此，本揭露之保護範圍包括上述製程、機器、製造、物質組成、裝置、方法及步驟，且各實施例間特徵只要不違背發明精神或相互衝突，均可任意混合搭配使用。另外，每一申請專利範圍構成個別的實施例，且本揭露之保護範圍也包括各個申請專利範圍及實施例的組合。
10,20,30,40:電子裝置 50:連接結構 60:連接器 100:發光模組 110:發光元件 110A:第一發光元件 110B:第二發光元件 110C:第三發光元件 110D:第四發光元件(第一發光元件) 110E:第二發光元件 110F:第三發光元件 112:電路基板 112A,112B,112C,112S:子電路基板 115:光學圖案 115S,115S-1,115S-2:子圖案 116:黏著劑 116S:子圖案 117:透鏡 117P:尖峰 119:凹槽 120:背板 122:斜面 125:定位件 130:反射元件 140:擴散件 145:色彩轉換層 150:光學膜 160:外殼 170:框架 200:面板 A,B,C,D:區域 DM1,DM1A,DM2:最小距離 L1,L1’:第一虛擬線 L2,L2’:第二虛擬線 L3:第三虛擬線 L4:第四虛擬線 O:開口 P1,P2,Px,Py:間距 R1:第一區域 R11:第三子區域 R12:第四子區域 R2:第二區域 R21:第一子區域 R22:第二子區域 WA,WB:寬度 X:第一方向 Y:第二方向 Z:法線方向 θ1:第一夾角 θ2:第二夾角 θ3:第三夾角
本案揭露之各面向可由以下之詳細說明並配合所附圖式來完整了解。應注意的是，依據在業界的標準做法，各種特徵並未按照比例繪製且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現出本揭露的特徵。 第1圖是繪示根據本揭露一些實施例的電子裝置的剖視圖。 第2圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光模組的俯視圖。 第3圖是繪示根據本揭露一些實施例的第2圖所示的區域A的放大俯視圖。 第4圖是繪示根據本揭露一些實施例的第3圖所示的區域B的放大俯視圖。 第5圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光模組的俯視圖。 第6圖是繪示根據本揭露一些實施例的第5圖所示的區域C的放大俯視圖。 第7圖是繪示根據本揭露一些實施例的第6圖所示的區域D的放大俯視圖。 第8圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光模組的俯視圖。 第9圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光元件的俯視圖。 第10圖是繪示根據本揭露一些實施例的電子裝置的剖視圖。 第11圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光元件的俯視圖。 第12圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光元件的俯視圖。 第13圖是繪示根據本揭露一些實施例的發光元件的俯視圖。
10:電子裝置
100:發光模組
110:發光元件
112:電路基板
115:光學圖案
117:透鏡
120:背板
130:反射元件
140:擴散件
145:色彩轉換層
150:光學膜
160:外殼
170:框架
200:面板
O:開口
X:第一方向
Y:第二方向
Z:法線方向

Claims (20)

  1. 一種發光模組，包括： 一電路基板； 一第一發光元件，設置於該電路基板上； 一光學圖案，設置於該電路基板上且鄰接於該第一發光元件； 以及 一透鏡，覆蓋該第一發光元件和該光學圖案。
  2. 如請求項1之發光模組，更包括： 一第二發光元件和一第三發光元件，設置在該電路基板上， 其中該第一發光元件與該第二發光元件沿一第一虛擬線排列且以一第一間距(P1)分隔開，該第一發光元件與該第三發光元件沿一第二虛擬線排列且以一第二間距(P2)分隔開，該第一虛擬線與該第二虛擬線定義一第一區域與一第二區域，該光學圖案具有在該第一區域中的一第一總面積(AX)與在該第二區域中的一第二總面積 (AY)，該第一間距、該第二間距、該第一總面積和該第二總面積滿足以下關係式： P1＞P2，且AX＜AY。
  3. 如請求項2之發光模組，其中該第一間距、該第二間距、該第一總面積和該第二總面積滿足以下關係式： 1＜P1/P2≤6，0＜AX/AY≤0.5。
  4. 如請求項2之發光模組，其中該第二區域包括一第一子區域和一第二子區域，該光學圖案具有在該第一子區域中的一第一面積(A1)和在該第二子區域中的一第二面積(A2)，且該第一面積和該第二面積滿足以下關係式： 0.6≤A1/A2≤1.4。
  5. 如請求項1之發光模組，更包括： 一第二發光元件和一第三發光元件，設置在該電路基板上， 其中，該第一發光元件與該第二發光元件沿一第一虛擬線排列且以一第一間距(P1)分隔開，該第一發光元件與該第三發光元件沿一第二虛擬線排列且以一第二間距(P2)分隔開，該第一虛擬線與該第二虛擬線定義一第一區域與一第二區域，該光學圖案具有在該第一區域中的一第一總面積(AX)與在該第二區域中的一第二總面積 (AY)，該第一間距、該第二間距、該第一總面積和該第二總面積滿足以下關係式： P1＜P2，且AX＞AY。
  6. 如請求項5之發光模組，其中該第一間距、該第二間距、該第一總面積和該第二總面積滿足以下關係式： 0＜P1/P2＜1，且1＜AX/AY≤20。
  7. 如請求項5之發光模組，其中該第一區域包括： 一第三子區域和一第四子區域，該光學圖案具有在該第三子區域中的一第三面積(A3)和在該第四子區域中的一第四面積(A4)，該第三面積和該第四面積滿足以下關係式： 0.6≤A3/A4≤1.4。
  8. 如請求項1之發光模組，其中該第一發光元件配置以發出藍光，且該光學圖案包括一波長轉換材料。
  9. 如請求項1之發光模組，其中該第一發光元件配置以發出白光，且該光學圖案包括一吸光材料。
  10. 如請求項1之發光模組，其中該透鏡具有一凹槽，且該光學圖案在該電路基板的一法線方向上與該凹槽重疊。
  11. 如請求項10之發光模組，其中該光學圖案呈環狀。
  12. 如請求項10之發光模組，其中該光學圖案包括複數個子圖案。
  13. 如請求項12之發光模組，其中該等子圖案圍繞該發光元件以對稱的方式排列。
  14. 如請求項1之發光模組，其中該光學圖案的一部分未被該透鏡所覆蓋。
  15. 如請求項1之發光模組，更包括一黏著劑，設置以鄰接於該光學圖案，其中該黏著劑配置為將該透鏡接合到該電路基板上。
  16. 一種電子裝置，包括： 一發光模組，包括： 一電路基板； 一第一發光元件，設置於該電路基板上； 一光學圖案，設置於該電路基板上且鄰接於該第一發光元件；以及 一透鏡，覆蓋該第一發光元件和該光學圖案。
  17. 如請求項16之電子裝置，更包括一面板，設置於該發光模組上。
  18. 如請求項16之電子裝置，其中該電路基板包括複數個子電路基板，且該等子電路基板透過一連接結構相互電性連接。
  19. 如請求項16之電子裝置，其中該發光模組更包括： 一第二發光元件和一第三發光元件，設置在該電路基板上， 其中該第一發光元件與該第二發光元件沿一第一虛擬線排列且以一第一間距(P1)分隔開，該第一發光元件與該第三發光元件沿一第二虛擬線排列且以一第二間距(P2)分隔開，該第一虛擬線與該第二虛擬線定義一第一區域與一第二區域，該光學圖案具有在該第一區域中的一第一總面積(AX)與在該第二區域中的一第二總面積 (AY)，該第一間距、該第二間距、該第一總面積和該第二總面積滿足以下關係式： P1＞P2，且AX＜AY。
  20. 如請求項16之電子裝置，其中該發光模組更包括： 一第二發光元件和一第三發光元件，設置在該電路基板上， 其中該第一發光元件與該第二發光元件沿一第一虛擬線排列且以一第一間距(P1)分隔開，該第一發光元件與該第三發光元件沿一第二虛擬線排列且以一第二間距(P2)分隔開，該第一虛擬線與該第二虛擬線定義一第一區域與一第二區域，該光學圖案具有在該第一區域中的一第一總面積(AX)和在該第二區域中的一第二總面積 (AY)，該第一間距、該第二間距、該第一總面積和該第二總面積滿足以下關係式： P1＜P2，且AX＞AY。
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