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TW202335330A - 電子裝置 - Google Patents

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TW202335330A
TW202335330A TW111135324A TW111135324A TW202335330A TW 202335330 A TW202335330 A TW 202335330A TW 111135324 A TW111135324 A TW 111135324A TW 111135324 A TW111135324 A TW 111135324A TW 202335330 A TW202335330 A TW 202335330A
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許瑋宗
陳春芳
施崴甯
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群創光電股份有限公司
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Abstract

本公開提供一種電子裝置，包含：一基板；多個第一檔牆，設置於該基板上；一第二檔牆，設置於該基板上，且位於該多個第一檔牆之一者內；以及一發光元件，設置於該基板上，且位於該第二檔牆和與該第二檔牆相鄰的該多個第一檔牆之一者之間，其中，於一剖面中，該發光元件與該多個第一檔牆之該者之間具有一第一距離，該發光元件與該第二檔牆之間具有一第二距離，該第二距離小於該第一距離。

Description

電子裝置
本公開係關於一種電子裝置，尤指一種具有可提高出光效率的電子裝置。
隨著科技進步及為了滿足消費者的需求，市場上對電子裝置的解析度和對比度要求不斷提升。直下式背光模組可透過區域控光改善電子裝置的對比度，或可透過調整二極體尺寸改善電子裝置的解析度，較側入式背光模組更具應用。
然而，應用直下式背光模組的電子裝置仍存在光暈、出光效率不佳、暗紋區明顯等顯示品味問題。
因此，目前亟需要提供一種電子裝置，可改善光暈現象、出光效率不佳或暗紋區明顯等問題。
本公開提供一種電子裝置，包含：一基板；多個第一檔牆，設置於該基板上；一第二檔牆，設置於該基板上，且位於該多個第一檔牆之一者內；以及一發光元件，設置於該基板上，且位於該第二檔牆和與該第二檔牆相鄰的該多個第一檔牆之一者之間，其中，於一剖面中，該發光元件與該多個第一檔牆之該者之間具有一第一距離，該發光元件與該第二檔牆之間具有一第二距離，該第二距離小於該第一距離。
以下將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
本公開通篇說明書與所附的申請專利範圍中會使用某些詞匯來指稱特定組件。本領域技術人員應理解，電子裝置製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的組件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的組件。在下文說明書與申請專利範圍中，「含有」與「包含」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
本文中所提到的方向用語，例如：“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本公開。在附圖中，各圖式繪示的是特定實施例中所使用的方法、結構及/或材料的通常性特徵。然而，這些圖式不應被解釋為界定或限制由這些實施例所涵蓋的範圍或性質。舉例來說，為了清楚起見，各膜層、區域及/或結構的相對尺寸、厚度及位置可能縮小或放大。
本公開中所叙述之一結構(或層別、組件、基材)位於另一結構(或層別、組件、基材)之上/上方，可以指二結構相鄰且直接連接，或是可以指二結構相鄰而非直接連接。非直接連接是指二結構之間具有至少一中介結構(或中介層別、中介組件、中介基材、中介間隔)，一結構的下側表面相鄰或直接連接於中介結構的上側表面，另一結構的上側表面相鄰或直接連接於中介結構的下側表面。而中介結構可以是單層或多層的實體結構或非實體結構所組成，並無限制。在本公開中，當某結構設置在其它結構「上」時，有可能是指某結構「直接」在其它結構上，或指某結構「間接」在其它結構上，即某結構和其它結構間還夾設有至少一結構。
術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值或範圍的20%以內，或解釋為在所給定的值或範圍的10%、5%、3%、2%、1%或0.5%以內。
說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意含及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。申請專利範圍與說明書中可不使用相同用詞，據此，說明書中的第一構件在申請專利範圍中可能為第二構件。
在本公開中，高度、長度、寬度及角度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，高度或角度可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此為限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。另外，本公開中所提到的術語“等於”、“相等”、“相同”、“實質上”或“大致上”通常代表落在給定數值或範圍的10%範圍內。此外，用語“給定範圍為第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
須知悉的是，以下所舉實施例可以在不脫離本公開的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、混合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意混合搭配使用。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本公開所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本公開的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本公開實施例有特別定義。
圖1為本公開之一實施例之部分電子裝置之示意圖。圖2為圖1之線段A-A’之剖面示意圖。
如圖1及圖2所示，本公開之電子裝置可包含：一基板1；多個第一檔牆2，設置於基板1上，例如圖1所示，於俯視圖中，多個第一檔牆2分別環繞設置於基板1上；一第二檔牆3，設置於基板1上，且位於第一檔牆2內；以及一發光元件4，設置於基板1上，且位於第二檔牆3和與第二檔牆3相鄰的多個第一檔牆2之一者之間，其中，於一剖面中，如圖2所示，發光元件4與多個第一檔牆2之該者之間具有一第一距離D1，發光元件4與第二檔牆3之間具有一第二距離D2，第二距離D2小於第一距離D1。本公開之電子裝置藉由第一檔牆2和第二檔牆3的設置，可提高電子裝置的出光效率或改善光暈現象、暗紋區明顯等品味問題。
於本公開中，基板1可為硬性基板或軟性基板。基板1的材料可為玻璃、金屬、合金、陶瓷材料、塑膠材料，但本揭露並不局限於此。塑膠材料例如可為聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚乙烯對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate, PMMA)等，但本公開並不限於此。此外，基板1上可更包含一電路層，以形成印刷電路板(PCB, printed circuit board)或軟性印刷電路板(FPC, flexible printed circuit board)。於本公開中，可使用相同或不相同的材料來製備第一檔牆2和第二檔牆3，第一檔牆2和第二檔牆3可分別包含膠體材料和反射材料，膠體材料的具體例子可包含環氧樹脂、酚醛樹脂、橡膠、矽膠、聚氨酯、聚丙烯酸酯、或其組合，但本公開並不限於此。反射材料可包括色素(pigment)，例如，可包括白色色素。反射材料的具體例子可包含二氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化鋯、及其混合物，但本公開並不限於此。於本公開中，第一檔牆2和第二檔牆3可分別以合適的塗佈方法(例如旋塗法、點膠等塗佈方法)設置於基板1上。於本公開中，雖然圖未示，發光元件可包含一晶片；以及一封裝層，設置於晶片上，其中，封裝層中可包含螢光粉或量子點。因此，於本公開中，發光元件4可為發光二極體，例如可為次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)、量子點發光二極體(quantum dot LED)，但本公開並不限於此。封裝層的材料可為透明材料，用以保護晶片和內部線路等，且不影響螢光粉或量子點所發出的光；合適的材料包含環氧樹脂、矽膠、壓克力、聚甲基丙烯酸甲酯、或其組合，但本公開並不限於此。
於本公開中，如圖1所示，基板1可具有多個區域，例如可包含一第一區域R1、一第二區域R2、一第三區域R3及一第四區域R4，且第一區域R1、第二區域R2、第三區域R3及第四區域R4可以2x2矩陣方式排列。其中，於俯視方向Z上，每一區域分別對應多個第一檔牆2之一者，如圖1所示，第一區域R1、第二區域R2、第三區域R3及第四區域R4分別對應多個第一檔牆2之一者。於本公開的其他實施例中，基板1的多個區域可以M x N矩陣方式排列，其中，M和N各自獨立為正整數，例如3x3、4x4等，以形成正矩形的基板1，或者也可為2x3、3x5等，以形成非正矩形的基板1，但本公開並不限於此。第一檔牆2可設置於每一區域的周圍，更具體地，如圖1所示，每一區域的第一檔牆2分別環繞形成一矩形，且多個區域中的相鄰兩者可共用部分第一檔牆2。第二檔牆3可設置於每一區域中，且第二檔牆3設置於每一區域中的相鄰兩發光元件4之間。於本實施例中，每一區域可分別包含4個發光元件，但本公開並不限於此。
於本公開中，如圖1所示，相鄰的兩發光元件4之間可設置有第一檔牆2或第二檔牆3，而由於第一檔牆2和第二檔牆3可分別包含反射材料，可用於提高出光效率或改善暗紋區明顯的現象。於本公開中，第一檔牆2或第二檔牆3也可提供光阻擋效果，改善相鄰發光元件4的光干擾，可提供準直型光源，改善光暈現象。此外，於本公開中，第一檔牆2與第二檔牆3可彼此連接形成一體，以進一步提升出光效率。於本實施例中，如圖1所示，第一檔牆2具有矩形外觀，第二檔牆3具有十字形外觀，但本公開並不限於此。
於本公開中，如圖2所示，所述「第一距離D1」為第一檔牆2與發光元件4之間的一距離(例如沿著X方向延伸的最小距離)；所述「第二距離D2」為第二檔牆3與發光元件4之間的一距離(例如沿著X方向延伸的最小距離)。在一些實施例中，所述「第一距離D1」為第一檔牆2的高度15%處與發光元件4之間的距離(例如沿著X方向延伸的最小距離)；所述「第二距離D2」為第二檔牆3的高度15%處與發光元件4之間的距離(例如沿著X方向延伸的最小距離)。在此，「高度15%處」是指自第一檔牆2或第二檔牆3的底面至所對應的高度15%的位置；或者也可指自基板1的上表面11至第一檔牆2或第二檔牆3所對應的高度15%的位置。於本公開之一實施例中，第二距離D2與第一距離D1的比值可介於0.25至0.65之間，例如可介於0.28至0.62之間，例如可為0.3、0.35、0.4、0.45、0.5、0.55以及0.6，但本公開不限於此。於本公開之一實施例中，第一距離D1可為1.45至1.6毫米(mm)，例如可為1.48、1.51、1.54以及1.57毫米(mm)，第二距離D2可為0.45至0.9毫米(mm)，例如可為0.5、0.55、0.6、0.65、0.7、0.75、0.8以及0.85毫米(mm)。當第一距離D1和第二距離D2符合上述範圍時，可獲得較佳的出光效率或品味效果。
於本公開中，第一檔牆2具有一第一高度H1，第二檔牆3具有一第二高度H2，第二高度H2與第一高度H1的比值介於0.35至0.7之間，例如可介於0.38至0.65之間，例如可為0.4、0.45、0.5、0.55以及0.6，但本公開不限於此。所述「第一高度H1」和「第二高度H2」分別是指第一檔牆2的高度(例如自第一檔牆2底部沿著Z方向延伸的最大高度)和第二檔牆3的高度(例如自第二檔牆3底部沿著Z方向延伸的最大高度)。於本公開中，第一高度H1可為0.25至0.4毫米(mm)，例如可為0.28、0.31、0.34以及0.37毫米(mm)，第二高度H2可為0.12至0.2毫米(mm)，例如可為0.13、0.14、0.15、0.16、0.17以及0.18毫米(mm)。當第一高度H1和第二高度H2符合上述範圍時，可獲得較佳的出光效率或品味效果。
於本公開之一剖面圖中，如圖2所示，第一檔牆2具有一第一頂邊21、一第一底邊22及一第一側邊23，第一側邊23連接第一頂邊21和第一底邊22，其中，第一頂邊21的寬度可為0.2至0.3毫米(mm)，例如可為0.22、0.24、0.26以及0.28毫米(mm)，第一底邊22的寬度可為0.5至0.8毫米(mm)，例如可為0.55、0.6、0.65、0.7、0.75毫米(mm)。於本公開之一實施例中，第一頂邊21與第一底邊22的寬度比值介於0.25至0.5之間，例如可為0.3、0.35、0.4以及0.45。第二檔牆3具有一第二頂邊31、一第二底邊32及一第二側邊33，第二側邊33連接第二頂邊31和第二底邊32，其中，第二頂邊31的寬度可為0.85至0.95毫米(mm)，例如可為0.87、0.89、0.91以及0.93毫米(mm)，第二底邊32的寬度可為1.8至2.8毫米(mm)，例如可為1.9、2、2.1、2.2、2.3、2.4、2.5、2.6以及2.7毫米(mm)。於本公開之一實施例中，第二頂邊31與第二底邊32的寬度比值介於0.3至0.46之間，例如可為0.32、0.34、0.36、0.38、0.4、0.42以及0.44。當第一頂邊21、第一底邊22、第二頂邊31和第二底邊32符合上述範圍時，可獲得較佳的出光效率或品味效果。於本公開之一實施例中，第一檔牆2的第一底邊22和第二檔牆3的第二底邊32可以是所對應的檔牆的高度的15%處。於本公開之一實施例中，如圖2所示，第一檔牆2的頂表面24和第二檔牆3的頂表面34可分別為一大致平坦的表面，可進一步改善出光效率或品味效果。於本公開之一實施例中，第一檔牆2的頂表面24和第二檔牆3的頂表面34也可分別為弧形表面，當第一檔牆2的頂表面24和第二檔牆3的頂表面34為弧形表面時，第一檔牆2的第一頂邊21和第二檔牆3的第二頂邊31可以是所對應的檔牆的高度的80%至90%處，例如81%、82%、83%、84%、85%、86%、87%、88%以及89%。
此外，如圖2所示，第一檔牆2的第一底邊22與第一側邊23之間可形成一第一角度θ1，第一角度θ1可介於50°至65°之間，例如可為53°、56°、59°以及62°。第二檔牆3的第二底邊32與第二側邊33之間可形成一第二角度θ2，第二角度θ2可介於10°至20°之間，例如可為12°、14°、16°以及18°。當第一角度θ1和第二角度θ2符合上述範圍時，可獲得較佳的出光效率或品味效果。
於本實施例中，圖2係為圖1之線段A-A’之剖面示意圖。然而，於本公開的其他實施例中，當對圖1之線段B-B’進行剖面，或對圖1之線段C-C’進行剖面時，也可獲得類似於圖2的剖面示意圖，因此，線段B-B’之剖面圖及線段C-C’之剖面圖的特徵與圖2相似，在此不再贅述。
圖3A為本公開之一實施例之第一檔牆2之剖面示意圖。其中，圖3A之第一檔牆2與圖2相似，除了以下差異。
如圖3A所示，第一檔牆2的第一側邊23可為弧形。此外，於剖面圖中，第一檔牆2的第一頂邊21具有一第一端點E1，第一底邊22具有一第二端點E2，第一端點E1與第二端點E2可連成一參考線L1，所述「第一角度θ1」可為第一檔牆2的第一底邊22與參考線L1之間所形成的角度。相似地，雖然圖未示，第二檔牆3的第二側邊33也可為弧形，因此，所述「第二角度θ2」可為第二檔牆3的第二底邊32與另一參考線之間所形成的角度，而另一參考線可為第二檔牆3的第二頂邊31的端點至第二檔牆3的第二底邊32的端點之間的連線。
圖3B為本公開之另一實施例之第一檔牆2之剖面示意圖。其中，圖3B之第一檔牆2與圖3A相似，除了以下差異。
於本公開之一實施例中，如圖3B所示，第一檔牆2的頂表面24為一弧形表面。當第一檔牆2的頂表面24為弧形表面時，所述第一檔牆2的第一頂邊21可以是指第一檔牆2的高度的80%至90%處，例如81%、82%、83%、84%、85%、86%、87%、88%以及89%。更具體地，如圖3B所示，第一頂邊21是在第一檔牆2的高度的80%至90%處且平行於X方向上的邊。因此，於剖面圖中，第一檔牆2的第一頂邊21的第一端點E1與第一底邊22的第二端點E2可連成參考線L1，所述「第一角度θ1」可為第一檔牆2的第一底邊22與參考線L1之間所形成的角度。相似地，雖然圖未示，第二檔牆3的頂表面34也可為一弧形表面，因此，第二頂邊31和第二角度θ2等之定義如第一頂邊21和第一角度θ1等所定義，在此不再贅述。
圖4為本公開之另一實施例之部分電子裝置之示意圖。其中，圖4之電子裝置與圖1相似，除了以下差異。
如圖4所示，於本實施例中，基板1可具有多個區域，例如可包含一第一區域R1’及一第二區域R2’，且第一區域R1’及第二區域R2’相鄰設置，但本公開並不限於此。雖然圖未示，於本實施例之其他態樣中，基板1可更包含一第三區域及一第四區域，且第一區域R1’、第二區域R2’、第三區域及第四區域可以3x3矩陣方式排列。於本公開的其他實施例中，基板1的多個區域可以M x N矩陣方式排列，其中，M和N各自獨立為正整數，例如2x2、4x4等，以形成正矩形的基板1，或者也可為2x3、3x5等，以形成非正矩形的基板1，但本公開並不限於此。於本實施例中，如圖4所示，每一區域可分別包含9個發光元件，第一檔牆2可設置於每一區域的周圍，且第二檔牆3設置於每一區域中的相鄰兩發光元件4之間，因此，第一檔牆2可具有矩形外觀，第二檔牆3可具有井字形外觀，但本公開並不限於此。
於本公開中，電子裝置可更包含一光學膜片(圖未示)，設置於基板1上，其中，基板1、第一檔牆2、第二檔牆3、發光元件4及光學膜片可形成一背光模組。於本公開中，電子裝置可更包含一顯示面板(圖未示)，顯示面板可與背光模組對組形成一顯示裝置。顯示裝置可應用於本技術領域已知之任何需要顯示螢幕之裝置上，如顯示器、手機、筆記型電腦、攝影機、照相機、音樂播放器、行動導航裝置、電視等需要顯示影像之電子裝置上。此外，顯示面板也可以與觸控面板共同使用，以形成觸控顯示裝置。
以上的具體實施例應被解釋為僅僅是說明性的，而不以任何方式限制本公開的其餘部分。
1:基板 11:上表面 2:第一檔牆 21:第一頂邊 22:第一底邊 23:第一側邊 24:頂表面 3:第二檔牆 31:第二頂邊 32:第二底邊 33:第二側邊 34:頂表面 4:發光元件 R1、R1’:第一區域 R2、R2’:第二區域 R3:第三區域 R4:第四區域 E1:第一端點 E2:第二端點 D1:第一距離 D2:第二距離 H1:第一高度 H2:第二高度 θ1:第一角度 θ2:第二角度 L1:參考線 X、Y、Z:方向
圖1為本公開之一實施例之部分電子裝置之示意圖。 圖2為圖1之線段A-A’之剖面示意圖。 圖3A為本公開之一實施例之第一檔牆之剖面示意圖。 圖3B為本公開之另一實施例之第一檔牆之剖面示意圖。 圖4為本公開之另一實施例之部分電子裝置之示意圖。
無
1:基板
11:上表面
2:第一檔牆
21:第一頂邊
22:第一底邊
23:第一側邊
24:頂表面
3:第二檔牆
31:第二頂邊
32:第二底邊
33:第二側邊
34:頂表面
4:發光元件
D1:第一距離
D2:第二距離
H1:第一高度
H2:第二高度
θ1:第一角度
θ2:第二角度
X、Y、Z:方向

Claims (10)

  1. 一種電子裝置，包含： 一基板； 多個第一檔牆，設置於該基板上； 一第二檔牆，設置於該基板上，且位於該多個第一檔牆之一者內；以及 一發光元件，設置於該基板上，且位於該第二檔牆和與該第二檔牆相鄰的該多個第一檔牆之一者之間，其中，於一剖面中，該發光元件與該多個第一檔牆之該者之間具有一第一距離，該發光元件與該第二檔牆之間具有一第二距離，該第二距離小於該第一距離。
  2. 如請求項1所述之電子裝置，其中，該第二距離與該第一距離的比值介於0.25至0.65之間。
  3. 如請求項1所述之電子裝置，其中，該第一距離為該多個第一檔牆之該者的高度15%處與該發光元件之間的距離，該第二距離為該第二檔牆的高度15%處與該發光元件之間的距離。
  4. 如請求項1所述之電子裝置，其中，該多個第一檔牆之該者具有一第一高度，該第二檔牆具有一第二高度，其中，該第二高度與該第一高度的比值介於0.35至0.7之間。
  5. 如請求項1所述之電子裝置，其中，於該剖面中，該多個第一檔牆之該者具有一第一底邊及一第一側邊，該第一底邊與該第一側邊之間形成一第一角度，其中，該第一角度介於50°至65°之間。
  6. 如請求項1所述之電子裝置，其中，於該剖面中，該第二檔牆具有一第二底邊及一第二側邊，該第二底邊與該第二側邊之間形成一第二角度，其中，該第二角度介於10°至20°之間。
  7. 如請求項1所述之電子裝置，其中，於該剖面中，該多個第一檔牆之該者具有一第一頂邊及一第一底邊，其中，該第一頂邊與該第一底邊的寬度比值介於0.25至0.5之間。
  8. 如請求項1所述之電子裝置，其中，於該剖面中，該第二檔牆具有一第二頂邊及一第二底邊，其中，該第二頂邊與該第二底邊的寬度比值介於0.3至0.46之間。
  9. 如請求項1所述之電子裝置，其中，該多個第一檔牆或該第二檔牆的至少其中一者包含反射材料。
  10. 如請求項1所述之電子裝置，其中，該多個第一檔牆或該第二檔牆的至少其中一者包含膠體材料。
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