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TW201922500A - 含量子點之樹脂片或膜、及其製造方法、及波長轉換構件 - Google Patents

含量子點之樹脂片或膜、及其製造方法、及波長轉換構件 Download PDF

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TW201922500A
TW201922500A TW107136377A TW107136377A TW201922500A TW 201922500 A TW201922500 A TW 201922500A TW 107136377 A TW107136377 A TW 107136377A TW 107136377 A TW107136377 A TW 107136377A TW 201922500 A TW201922500 A TW 201922500A
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resin
film
quantum dots
dots
sub
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TW107136377A
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TWI827556B (zh
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飯田和則
堤絵美
庭木美佳
金野潤
荷方惣一朗
田中秀敏
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日商Ｎｓ材料股份有限公司
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Publication date
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Abstract

本發明之目的在於提供一種尤其可解決量子點之凝集之問題或散射劑使用之問題，抑制光轉換效率之降低，謀求含有量子點之樹脂成形體之光轉換效率之提高的含量子點之樹脂片或膜，及其製造方法，以及波長轉換構件。本發明之含量子點之樹脂片或膜之特徵在於積層有複數層樹脂層，於至少一層樹脂層含有量子點，上述複數層樹脂層利用共擠壓成形而一體化。

Description

含量子點之樹脂片或膜、及其製造方法、及波長轉換構件
本發明係關於一種含量子點之樹脂片或膜、及其製造方法、及波長轉換構件。
量子點係包含數百～數千個左右之原子的粒徑為數nm～數十nm左右之奈米粒子。量子點亦被稱為螢光奈米粒子、半導體奈米粒子、或奈米結晶。
量子點可藉由奈米粒子之粒徑或組成對峰值發光波長進行各種變更，因此可調整為目標波長。可使量子點分散於樹脂中，製成波長轉換材料使用，例如專利文獻1中記載有一種使量子點分散於樹脂中而得之膜。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-167320號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，專利文獻1所示之膜存在貼合有膜而必需複雜之作業，又，光轉換效率容易降低之問題。
本發明係鑒於該方面而完成者，其目的在於提供一種尤其可謀求含有量子點之樹脂成形體之光轉換效率之提高的含量子點之樹脂片或膜、及其製造方法、以及波長轉換構件。
[解決問題之技術手段]
本發明之含量子點之樹脂片或膜之特徵在於：積層有複數層樹脂層，於至少一層樹脂層含有量子點，且上述複數層樹脂層利用共擠壓成形而一體化。
於本發明中，較佳為包含上述量子點之樹脂層、與不含上述量子點之樹脂層被一體化。
於本發明中，較佳為於不含上述量子點之樹脂層包含功能性添加劑。
於本發明中，較佳為螢光波長不同之複數個量子點分別含有於不同之上述樹脂層。
於本發明中，較佳為上述量子點至少包含發綠光之量子點、與發紅光之量子點。
於本發明中，較佳為具有包含上述發綠光之量子點但不含上述發紅光之量子點之第1樹脂層，包含上述發紅光之量子點但不含上述發綠光之量子點之第2樹脂層，及位於上述第1樹脂層與上述第2樹脂層之間且包含上述發紅光之量子點與上述發綠光之量子點兩者之中間樹脂層，且自上述第1樹脂層朝向上述第2樹脂層，形成有上述發綠光之量子點及上述發紅光之量子點各自之濃度梯度。
於本發明中，較佳為包含上述發紅光之量子點之上述樹脂層配置於激發光側，包含上述發綠光之量子點之上述樹脂層配置於遠離上述激發光之側。
於本發明中，較佳為於上述樹脂層使用非晶性樹脂。
本發明之含量子點之樹脂片或膜之特徵在於：於樹脂層含有量子點，且上述量子點於上述樹脂層之膜厚方向偏集存在。
本發明之含量子點之樹脂片或膜之特徵在於：於樹脂層含有螢光波長不同之複數個量子點，且不同之上述量子點於上述樹脂層之膜厚方向分別具有不同之濃度梯度。
於本發明中，較佳為量子點占上述樹脂層整體之濃度為0.05%以上且1.5%以下。
於本發明中，較佳為上述樹脂層之總厚度為50 μm以上且500 μm以下。
於本發明中，較佳為綠光強度相對於藍光強度之比、及紅光強度相對於藍光強度之比分別為0.3以上。
於本發明中，較佳為藍光強度、綠光強度、及紅光強度之各螢光半值寬為100 nm以下。
本發明之波長轉換構件之特徵在於使用如上述中之任一項之含量子點之樹脂片或膜進行成形加工而成。
本發明之含量子點之樹脂片或膜之製造方法之特徵在於：具有形成含有量子點之樹脂顆粒之步驟，及藉由共擠壓成形將2層以上之樹脂層一體化之步驟。
[發明之效果]
根據本發明之含量子點之樹脂片或膜，藉由利用共擠壓進行一體成形，而無需複雜之製造步驟，可提高光轉換效率。
又，藉由使用本發明之含量子點之樹脂片或膜，可製造使用量子點之高效波長轉換構件。
又，根據本發明之含量子點之樹脂片或膜之製造方法，可不插入複雜之貼合步驟而製造。
以下，對本發明之一實施形態(以下簡記為「實施形態」)詳細地進行說明。再者，本發明並不限定於以下之實施形態，可於其主旨之範圍內進行各種變化而實施。
圖1表示第1實施形態中之含量子點之樹脂膜之剖視圖。此處，所謂「膜」，定義為具有可撓性之片狀物。又，所謂「片」，一般而言，設為其厚度小於長度及寬度之比例之構成。尤其是含量子點之樹脂膜或片之長度尺寸L、寬度尺寸W、及厚度尺寸T並無限定，根據製品變更各種尺寸。例如，有用作如電視之類之大型製品之背光源用之情況，亦有用作如智慧型手機之類之小型行動裝置之背光源用之情況。因此，配合製品確定大小。
以下，作為含量子點之樹脂膜進行說明，亦可改稱為含量子點之樹脂片。
如圖1所示，含量子點之樹脂膜1例如為3層膜結構。圖1所示之中層1b為含有量子點(QD)之層。對量子點進行說明。
量子點具有帶端發光之螢光特性，根據其粒子之大小呈現量子尺寸效果。
量子點係指具有數nm～數十nm左右之粒徑之奈米粒子。例如，量子點由CdS、CdSe、ZnS、ZnSe、ZnSeS、ZnTe、ZnTeS、InP、AgInS2 、CuInS2 等、或者將該等量子點作為核利用殼被覆而得之結構之量子點等形成。Cd因其毒性而於各國之使用有限制，因此較佳為量子點中不含Cd。
如圖2A所示，較佳為於量子點10之表面配位有多個有機配位基11。藉此，可抑制量子點10彼此之凝集，呈現目標光學特性。可用於反應之配位基並無特別限定，例如可列舉以下之配位基作為代表性者。
脂肪族一級胺系、油胺：C18 H35 NH2 、硬脂基(十八烷基)胺：C18 H37 NH2 、十二烷基(月桂基)胺：C12 H25 NH2 、癸基胺：C10 H21 NH2 、辛基胺：C8 H17 NH2
脂肪酸、油酸：C17 H33 COOH、硬脂酸：C17 H35 COOH、棕櫚酸：C15 H31 COOH、肉豆蔻酸：C13 H27 COOH、月桂基(十二烷)酸：C11 H23 COOH、癸酸：C9 H19 COOH、辛酸：C7 H15 COOH
硫醇系、十八烷硫醇：C18 H37 SH、十六烷硫醇：C16 H33 SH、十四烷硫醇：C14 H29 SH、十二烷硫醇：C12 H25 SH、癸硫醇：C10 H21 SH、辛硫醇：C8 H17 SH
膦系、三辛基膦：(C8 H17 )3 P、三苯基膦：(C6 H5 )3 P、三丁基膦：(C4 H9 )3 P
氧化膦系、三辛基氧化膦：(C8 H17 )3 P=O、三苯基氧化膦：(C6 H5 )3 P=O、三丁基氧化膦：(C4 H9 )3 P=O
又，圖2B所示之量子點10係具有核10a、及被覆於核10a之表面之殼10b之核殼結構。如圖2B所示，較佳為於量子點10之表面配位有多個有機配位基11。圖2B所示之量子點10之核10a係圖2A所示之奈米粒子。因此，核10a例如由上述中列舉之材質形成。殼10b之材質不限，例如由硫化鋅(ZnS)等形成。殼10b亦與核10a相同，較佳為不含鎘(Cd)。
再者，殼10b亦可為固溶化於核10a之表面之狀態。於圖2B中，利用虛線表示核10a與殼10b之邊界，其係指藉由分析可確認、不可確認核10a與殼10b之邊界均可。
中層1b中所含之量子點10並非1種，可視需要含有螢光波長不同之2種以上之QD。
中層1b由分散有量子點10之樹脂組合物形成。上層1a、中層1b及下層1c均為樹脂層，於樹脂層，較佳為使用非晶性樹脂。非晶性樹脂並無特別限定，使用透明度較高之樹脂。通常較佳為全光線透過率為85%以上之樹脂，但並無特別限定。作為非晶性樹脂，可使用：環狀聚烯烴聚合物(Cyclic Olefin Polymer：COP)、環狀聚烯烴共聚物(Cyclic Olefin Copolymer：COC)、聚苯乙烯(Poly(styrene)：PS)、丙烯酸系樹脂(Acrylic resin)、聚碳酸酯(Poly(carbonate)：PC)、改性聚苯醚(modified-Poly(phenyleneether)：PPE)、聚對苯二甲酸乙二酯(Poly(ethylene terephthalate)：PET)、乙烯-乙烯醇(EVAL)、聚甲基戊烯(Polymethylpentene：PMP)，作為透明度較高之半結晶樹脂，可使用聚乙烯(Polyethylene：PE)、聚丙烯(Polypropylene：PP)、聚偏二氟乙烯(Poly(vinylidene fluoride)：PVDF)等可進行熔融擠出成形之樹脂。
又，本實施形態中使用之非晶性樹脂之組合配合構件所必需之物性或功能而進行，因此並無特別限定。
又，作為構成使量子點分散之樹脂成形體之非晶性樹脂，就量子點向樹脂之分散性或分散後之螢光強度而言，較佳為丙烯酸系樹脂或環狀烯烴樹脂之均聚物(COP)或共聚物(COC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)，或者就耐熱性之觀點而言，較佳為聚碳酸酯(PC)。
圖1所示之上層1a與下層1c成為不含量子點10之樹脂層，發揮作為中層1b之保護層之作用。上層1a及下層1c由上述中列舉之樹脂材料等形成。上層1a及下層1c例如利用丙烯酸系樹脂等，形成於中層1b之外層，藉此可保護中層1b免受外傷。或者，上層1a及下層1c利用聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET)或乙烯-乙烯醇(EVAL)等形成於中層1b之外層，藉此而作為隔絕水或氧之障壁層發揮功能。或，上層1a及下層1c利用PET或聚碳酸酯(PC)、或者環狀聚烯烴(COP)或環狀聚烯烴共聚物(COC)等，用於中層1b之外層，藉此可使膜不易破裂，並可提高膜之操作性。
又，形成於含有量子點10之中層1b之上下的外層(上層1a及下層1c)亦用於膜之平坦化或膜總厚度之調整。
再者，上層1a及下層1c未必必須以相同之厚度形成，又，亦未必必須為相同之樹脂材料。就功能性而言，上層1a及下層1c亦可為非對稱結構。
又，於上層1a或者下層1c、或上層1a及下層1c，亦可包含量子點以外之螢光顏料或螢光染料等螢光體。
圖1所示之含量子點之樹脂膜1利用共擠壓成形將包含量子點10之樹脂層(中層1b)、與不含量子點10之樹脂層(上層1a與下層1c)一體化。即，於中層1b與上層1a之界面、及中層1b與下層1c之界面無接著層，各樹脂層直接接合。因此，可將含量子點之樹脂膜1適當地薄型化，又，可提高光轉換效率。
於圖1中，亦可將包含量子點之樹脂層用於上層1a或者下層1c。藉此，可使量子點於膜厚方向上偏集存在。
圖3所示之第2實施形態之含量子點之樹脂膜2係包含量子點10之中層2b、與形成於中層2b之上下之不含量子點10之上層2a及下層2c的3層膜結構。
於含量子點之樹脂膜2之上層2a及下層2c，分別含有添加劑。添加劑包含1種以上。添加劑之種類並無限定，例如作為添加劑，可添加二氧化矽(SiO2 )、氧化鋅(ZnO)等光散射劑、或滑石及金屬皂等潤滑劑、抗黏連劑、或者玻璃纖維或珠粒等補強劑等，使之具有各種功能。又，於上層1a或下層1c，亦可包含量子點以外之螢光顏料或螢光染料等螢光體。再者，於上層1a與下層1c，亦可未必包含相同之添加劑。
圖4所示之第3實施形態之含量子點之樹脂膜3分別於上層3a及中層3b包含量子點。又，下層3c係不含量子點之樹脂層。可將上層3a中所含之量子點、與中層3b中所含之量子點設為不同種類。再者，於下層3c，亦可包含量子點以外之螢光顏料或螢光染料等螢光體。
例如，可於上層3a含有發紅光之量子點，於中層3b含有發綠光之量子點。亦可於中層3b含有發紅光之量子點，於上層3a含有發綠光之量子點。
例如，於使用含量子點之樹脂膜3作為波長轉換構件之情形時，為避免發紅光之量子點吸收發綠光之量子點之螢光，較佳為將含有發紅光之量子點之層配置於激發光側，使遠離激發光之側之層含有發綠光之量子點。
即，於使用量子點作為波長轉換材料之情形時，使用2種以上之螢光波長不同之量子點。例如，於顯示器用途之波長轉換構件，採用如下方法：使用藍色LED光作為背光源之激發光，藉由2種之發綠光之量子點與發紅光之量子點轉換激發光。
此時，發紅光之量子點不僅吸收激發光，亦可吸收發綠光之量子點之螢光，因此綠色螢光之強度降低。
為彌補該綠色發光之強度降低，即為將綠色之光轉換效率保持得較高，必須以更高濃度使用量子點。於該情形時，變得容易產生粒子之凝集，亦產生綠色單色之自我吸收，因此隨著變為高濃度，有量子點之光轉換效率變低之問題。
又，通常採用併用光散射劑，而將量子點之濃度保持得較低之方法，但由於全部光經散射，故而散射效果增大並且綠光被發紅光之量子點吸收而轉換為紅色，其結果為有對色度造成影響之危害。因此，即便可藉由散射劑之使用而提高光轉換效率，亦不充分。
相對於此，於本實施形態中，於上層3a含有發紅光之量子點，於中層3b含有發綠光之量子點。因此，可將各層中之量子點濃度抑制得較低。此時，將含有發紅光之量子點之層配置於激發光側，使遠離激發光之側之層含有發綠光之量子點，藉此可避免發紅光之量子點吸收發綠光之量子點之螢光，可提高光轉換效率。
圖4所示之下層3c與圖3之上層2a或下層2c相同，亦可包含功能性添加劑。又，圖4之含量子點之樹脂膜3亦可由上層3a與中層3b之2層形成，而不形成下層3c。
又，亦可於圖4所示之上層3a與下層3c含有量子點，中層3b設為不含量子點之樹脂層。此時，亦可於中層3b包含量子點以外之螢光顏料或螢光染料等螢光體。
再者，考慮層間之界面上之光之反射或折射等，不含量子點之層較佳為適當選擇光線透過率或折射率。
圖5所示之第4實施形態之含量子點之樹脂膜4由作為包含第1量子點之樹脂層之上層4a、作為包含第2量子點之樹脂層之下層4c、及位於上層4a與下層4c之間且包含第1量子點與第2量子點之兩者之中層4b的積層膜結構形成。例如，第1量子點為發綠光之量子點，第2量子點為發紅光之量子點。因此，於中層4b，包含發綠光之量子點與發紅光之量子點之兩者。
發綠光之量子點不包含於下層4c，而包含於中層4b與上層4a之兩者，且上層4a較中層4b更多地包含。因此，發綠光之量子點具有自下層4c朝向上層4a而濃度變大之濃度梯度(gradient)。
另一方面，發紅光之量子點不包含於上層4a，而包含於中層4b與下層4c之兩者。下層4c較中層4b更多地包含。因此，發紅光之量子點具有自上層4a朝向下層4c而濃度變大之濃度梯度(gradient)。
再者，於圖5中，使用2種不同之量子點，但例如亦可於各樹脂層以不同之濃度含有1種量子點，僅對1種量子點賦予濃度梯度(gradient)。
再者，圖1、圖3至圖5所示之各實施形態為3層膜結構，但層數並無限定。又，只要用於各層之樹脂層亦為2種以上即可。
又，較重要為樹脂成形體為2層、3層以上之積層體，且量子點分散於各個樹脂層中。應用該結構，可顯現抑制量子點之自我吸收、或抑制發光波長不同之量子點之螢光吸收、隔絕氧或水之保護、光轉換效率之增大、光散射等功能。必需之功能可藉由各層之厚度或組合進行調整。視為必需之功能因用途而異，因此於本實施形態中未嚴格限定多層膜之層結構。
於本實施形態中，量子點占樹脂層整體之濃度較佳為0.05%以上且1.5%以下。如此，於本實施形態中，可減少量子點之含量，因此可根本上避免量子點之凝集之問題。
又，於本實施形態中，較佳為樹脂層之總厚度為50 μm以上且500 μm以下。於本實施形態中，可將各樹脂層一體化而無需接著層，故而可薄型化。
又，於本實施形態中，可將綠光強度相對於藍光強度之比、及紅光強度相對於藍光強度之比分別設為0.3以上。尤其是藉由於激發光側形成包含發紅光之量子點之樹脂層，於遠離激發側之樹脂層含有發綠光之量子點，可避免發紅光之量子點吸收發綠光之量子點之螢光，並可適當獲得上述強度比。
又，於本實施形態中，可將藍光強度、綠光強度、及紅光強度之各螢光半值寬設為100 nm以下。
繼而，對本實施形態之含量子點之樹脂膜及波長轉換構件之製造方法進行說明。如圖6所示，首先，將量子點溶液與樹脂顆粒混合，並使之乾燥(步驟ST1、ST2)。藉此，獲得於表面塗有量子點之樹脂顆粒。
繼而，對樹脂顆粒例如藉由雙軸擠出機進行混練，利用造粒機切割所獲得之線料，藉此獲得量子點分散於樹脂中之樹脂顆粒(步驟ST3、ST4)。
繼而，將複數種樹脂顆粒投入至成形機之各個原料投入口，一面利用共擠壓成形機熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有積層結構之含量子點之樹脂膜(步驟ST5)。
然後，對含量子點之樹脂膜進行成形加工而可獲得所需之波長轉換構件(步驟ST6)。
於本實施形態中，可利用共擠壓成形等通常之樹脂成形使2種以上之層分離之樹脂層成形，因此若改變T型模頭之尺寸，則可進行廣泛之膜成形。又，由於可自由變更樹脂層之排列，故而可進行自由度較高之功能性多層膜之設計。
又，於本實施形態中，由於與貼合之積層膜不同，不使用光學接著劑，故而因接著層引起之光線透過率之降低等受到抑制。又，不必要之厚度增大亦被抑制。
又，利用本實施形態之製造方法形成之含量子點之膜，可抑制因量子點之自我吸收引起之轉換效率之降低，而提高發光效率。
於本實施形態中，可使2種以上之量子點分別獨立地分散於2種以上之樹脂層，自由地設計各樹脂層之積層之順序。例如，於用作波長轉換構件之情形時，為避免發紅光之量子點吸收發綠光之量子點之螢光，較佳為將含有發紅光之量子點之層配置於激發光側，於其上配置含有發綠光之量子點之層。
於本實施形態中，除含有量子點之樹脂層以外，可適當配置具有光擴散功能之層或成為膜保護之外層等。於不含量子點之樹脂層，可包含量子點以外之螢光顏料或螢光染料等螢光體。
又，可於本實施形態中使用之樹脂基本上為折射率不同之透明樹脂，亦可於各層使用同一材料。由於該等樹脂之種類之組合有多種，故而有於進行目標製品設計時獲得較多選項之優點。
於本實施形態中，藉由利用擠出機進行之混練，將量子點機械混練至樹脂中，因此無需分散之預處理。因此，所使用之量子點之組成或形狀、殼結構並無特別限定，可使用含有鎘(Cd)之Cd系量子點、或不含Cd之無Cd之量子點等。
本實施形態中使用之樹脂層為非晶性之透明樹脂，由於該等之折射率不同，故而於樹脂層之界面產生光之反射。藉由調節樹脂層之界面上之2種樹脂之折射率差，可抑制經量子點進行過波長轉換之光發生洩漏，或效率良好地進行提取。
於本實施形態中，除包含量子點之樹脂層之多層化以外，可追加必需之功能，如圖3所說明，可使用各種添加劑。例如，可列舉光散射劑、穩定劑或抗氧化劑、潤滑劑或抗黏連劑、塑化劑等作為代表性添加劑，但並不限定於該等。
於本實施形態中，可使用有機系或無機系之光散射劑等。於該情形時，光散射劑亦可於擠出成形時以粉末與樹脂顆粒之形式直接混練，但為使之分散為特定之相，可使用預先混練有光散射劑之樹脂作為原料，藉此形成光擴散層。
又，於在使量子點分散之樹脂層以外配置最外層之情形時，例如於設為隔絕氧或水而保護之情形時，較理想為使用氧或水之透過率相對較低之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等樹脂、聚乙烯醇(Poly(vinylalchol)：PVA)或聚乙烯-乙烯醇(Poly(ethylenevinylalchol)：EVAL)等。
如此，於本實施形態中，可使含有量子點之透明樹脂成形為任意之尺寸、形狀。成形方法為應用先前之擠出成形之共擠壓成形，因此可進行連續生產，若與包含膜之貼合步驟之製造方法等相比，則可廉價地製造具備光學功能之多層膜。
又，作為構成使量子點分散之多層膜之非晶性樹脂，較理想為所使用之樹脂之折射率差較大。因此，較佳為折射率較低之樹脂與折射率較高之樹脂之組合。作為代表性者，較佳為丙烯酸系樹脂與環狀聚烯烴聚合物之組合、丙烯酸系樹脂與聚對苯二甲酸乙二酯樹脂等之組合等。藉此，藉由樹脂層之界面上之光之反射、折射，可不使用散射劑而增大光之轉換效率。
於本實施形態中，樹脂成形體包含2層或3層以上之透明樹脂，層結構藉由共擠壓成形於1個步驟中製造，因此成為剖面或切割面基本上無剝離之一體結構。該層結構可利用顯微鏡等光學設備進行確認。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例說明本發明之效果。再者，本發明之實施形態不受以下之實施例之任何限定。
[材料]
實驗中，於製作樹脂成形體時，使用以下之材料。再者，任一原料於使用前，均於真空乾燥烘箱內，於減壓下、80℃以上之條件下乾燥1天以上。
樹脂：
環狀烯烴聚合物(COP)：日本ZEON股份有限公司 ZEONOR(註冊商標)1060R
丙烯酸系樹脂(PMMA)：Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司 Optimas(註冊商標)7500FS
聚酯系樹脂(PET)：Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司 ALTESTER(註冊商標)4203F
添加劑：
硬脂酸鋅(ZnSt)：Aldrich股份有限公司製造
於實驗中，使用以下之材料作為量子點(QD)。再者，任一量子點(QD)均於分散於己烷(Hexane：C6 H12 )溶劑中之狀態下使用。又，濃度係藉由使用日本分光股份有限公司製造之紫外-可見分光光度計(UV-Vis Spectrophotometer)V-770定量吸收率而光學性地求出。
Cd系量子點(QD)：具有核/殼結構之發綠光之量子點(以下稱為G-QD)與發紅光之量子點(以下稱為R-QD)
無Cd之量子點(QD)：具有核/殼結構之發綠光之量子點(G-QD)與發紅光之無Cd之量子點(R-QD)
[擠出機]
顆粒製造用擠出機
製造商名 Technovel股份有限公司
規格 螺桿直徑：25 mm之雙軸擠出機
L/D：40
最高混練溫度：400℃
共擠壓用膜擠出機
製造商名 Technovel股份有限公司
規格 螺桿直徑：15 mm之雙軸擠出機、15 mm之單軸擠出機2台，共計3台
L/D：40
最高射出溫度：400℃
T型模頭寬度200 mm
[光學測定設備]
分光放射計
製造商名 TOPCON TECHNOHOUSE股份有限公司 SR3-AR、及SR3A
[光學測定設備]
顯微鏡
製造商名 KEYENCE股份有限公司 VHX-5000
[實施例1]
將丙烯酸系樹脂2 kg與Cd系G-QD之己烷分散溶液30 mL(濃度根據光學吸收率求出，根據該值計算必需之溶液量)混合，將分散溶液塗滿整個顆粒。藉由使己烷溶液蒸發，獲得於表面塗有QD之樹脂顆粒。
於其中添加ZnSt(6.0 g：0.3 wt%)，對顆粒與粉末進行乾式混合，藉此將ZnSt塗於顆粒表面。
對以此種方式獲得之顆粒，藉由雙軸擠出機，於成形溫度200～230℃下進行混練，利用造粒機切割所獲得之線料，藉此獲得QD分散於樹脂中之丙烯酸系樹脂顆粒。
所獲得之含G-QD之丙烯酸系樹脂顆粒係利用真空乾燥烘箱於60℃下乾燥24小時以上，製成含Cd系G-QD之丙烯酸系樹脂母料，而於下一步驟中使用。
[實施例2]
將丙烯酸系樹脂2 kg與Cd系R-QD之己烷分散溶液25 mL混合，將分散溶液塗滿整個顆粒。藉由使己烷溶液蒸發，獲得於表面塗有QD之丙烯酸系樹脂顆粒。
於其中添加ZnSt(4.0 g：0.2 wt%)，對顆粒與粉末進行乾式混合，藉此將ZnSt塗於顆粒表面。
對以此種方式獲得之顆粒，藉由雙軸擠出機，於成形溫度200～230℃下進行混練，利用造粒機切割所獲得之線料，藉此獲得QD分散於丙烯酸系樹脂中之丙烯酸系樹脂顆粒。
所獲得之含R-QD之丙烯酸系樹脂顆粒係利用真空乾燥烘箱於60℃下乾燥24小時以上，製成含Cd系R-QD之丙烯酸系樹脂母料，而於下一步驟中使用。
[實施例3]
將COP 2 kg與Cd系G-QD之己烷分散溶液30 mL混合，一面使己烷溶液快速蒸發，一面獲得於顆粒表面塗有QD之COP樹脂顆粒。
於其中添加ZnSt(6.0 g：0.3 wt%)，對顆粒與粉末進行乾式混合，藉此將ZnSt塗於顆粒表面。
對以此種方式獲得之顆粒，藉由雙軸擠出機，於成形溫度200～220℃下進行混練，利用造粒機切割所獲得之線料，藉此獲得QD分散於COP樹脂中之顆粒。
所獲得之含G-QD之COP樹脂顆粒係利用真空乾燥烘箱於60℃下乾燥24小時以上，製成含Cd系G-QD之COP樹脂母料，而於下一步驟中使用。
[實施例4]
將COP 2 kg與Cd系R-QD之己烷分散溶液25 mL混合，一面使己烷溶液快速蒸發，一面獲得於顆粒表面塗有QD之COP樹脂顆粒。
於其中添加ZnSt(4.0 g：0.2 wt%)，對顆粒與粉末進行乾式混合，藉此將ZnSt塗於顆粒表面。
對以此種方式獲得之顆粒，藉由雙軸擠出機，於成形溫度200～220℃下進行混練，利用造粒機切割所獲得之線料，藉此獲得QD分散於COP樹脂中之顆粒。
所獲得之含R-QD之COP樹脂顆粒係利用真空乾燥烘箱於60℃下乾燥24小時以上，製成含Cd系R-QD之COP樹脂母料，而於下一步驟中使用。
[實施例5]
將PET樹脂2 kg與Cd系G-QD之己烷分散溶液30 mL混合，獲得於顆粒表面塗有QD之PET樹脂顆粒。
於其中添加ZnSt(6.0 g：0.3 wt%)，對顆粒與粉末進行乾式混合，藉此將ZnSt塗於顆粒表面。
對以此種方式獲得之顆粒，藉由雙軸擠出機，於成形溫度220～230℃下進行混練，利用造粒機切割所獲得之線料，藉此獲得QD分散於PET樹脂中之顆粒。
所獲得之含G-QD之PET樹脂顆粒係利用真空乾燥烘箱於60℃下乾燥24小時以上，製成含Cd系G-QD之PET樹脂母料，而於下一步驟中使用。
[實施例6]
將PET樹脂2 kg與Cd系G-QD之己烷分散溶液25 mL混合，獲得於顆粒表面塗有QD之PET樹脂顆粒。
於其中添加ZnSt(4.0 g：0.2 wt%)，對顆粒與粉末進行乾式混合，藉此將ZnSt塗於PET顆粒表面。
將其投入至雙軸擠出機之原料投入口，於220℃～230℃之溫度下進行混練。利用造粒機切割所獲得之線料，藉此獲得QD分散於PET樹脂中之顆粒。
所獲得之含R-QD之PET樹脂顆粒係利用真空乾燥烘箱進行乾燥，製成含Cd系R-QD之PET樹脂母料，而於下一步驟中使用。
[實施例7]
將丙烯酸系樹脂2 kg與無Cd之G-QD之己烷分散溶液40 mL混合，將分散溶液塗滿整個顆粒。藉由使己烷溶液蒸發，獲得於表面塗有QD之樹脂顆粒。
於其中添加ZnSt(10.0 g：0.5 wt%)，對顆粒與粉末進行乾式混合，藉此將ZnSt塗於顆粒表面。
對以此種方式獲得之顆粒，藉由雙軸擠出機，於成形溫度200～230℃下進行混練，利用造粒機切割所獲得之線料，藉此獲得QD分散於樹脂中之丙烯酸系樹脂顆粒。
所獲得之含G-QD之丙烯酸系樹脂顆粒係利用真空乾燥烘箱於60℃下乾燥24小時以上，製成含無Cd之G-QD之丙烯酸系樹脂母料，而於下一步驟中使用。
[實施例8]
將丙烯酸系樹脂2 kg與無Cd之R-QD之己烷分散溶液60 mL混合，將分散溶液塗滿整個顆粒。藉由使己烷溶液蒸發，獲得於表面塗有QD之樹脂顆粒。
於其中添加ZnSt(6.0 g：0.3 wt%)，對顆粒與粉末進行乾式混合，藉此將ZnSt塗於顆粒表面。
對以此種方式獲得之顆粒，藉由雙軸擠出機，於成形溫度200～230℃下進行混練，利用造粒機切割所獲得之線料，藉此獲得QD分散於丙烯酸系樹脂中之顆粒。
所獲得之含R-QD之丙烯酸系樹脂顆粒係利用真空乾燥烘箱於60℃下乾燥24小時以上，製成含無Cd之R-QD之丙烯酸系樹脂母料，而於下一步驟中使用。
將實施例1至實施例8彙總於表1。再者，表1所示之QD濃度係根據光學性地求出之濃度與利用熱重量分析(Thermo Gravimetric Analysis：TGA)所得之QD重量(wt%)之相關而求出之計算值。
[表1]
[實施例9]
將PET樹脂顆粒原料1 kg投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例1中製作之含Cd系G-QD之丙烯酸系樹脂母料400 g與丙烯酸系樹脂原料600 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將PET樹脂顆粒原料1 kg投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度320 μm之膜。所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例10]
將PET樹脂顆粒原料1 kg投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例2中製作之含Cd系R-QD之丙烯酸系樹脂母料800 g與丙烯酸系樹脂原料200 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將PET樹脂顆粒原料投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度350 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例11]
將PET樹脂顆粒原料500 g投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例1中製作之含Cd系G-QD之丙烯酸系樹脂母料250 g、實施例2中製作之含Cd系R-QD之丙烯酸系樹脂母料500 g、與丙烯酸系樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將丙烯酸系樹脂顆粒原料投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度360 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例12]
將實施例2中製作之含Cd系R-QD之丙烯酸系樹脂母料500 g投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例1中製作之含Cd系G-QD之丙烯酸系樹脂母料250 g與丙烯酸系樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將丙烯酸系樹脂顆粒原料500 g投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度350 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例13]
將丙烯酸系樹脂顆粒原料1 kg投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例1中製作之含Cd系G-QD之丙烯酸系樹脂母料250 g、實施例2中製作之含Cd系R-QD之丙烯酸系樹脂母料500 g與丙烯酸系樹脂顆粒原料250 g混合而得之合計1 kg之顆粒混合物投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將丙烯酸系樹脂顆粒原料1 kg投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度380 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例14]
將實施例4中製作之含Cd系R-QD之COP樹脂顆粒原料母料500 g投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例3中製作之含G-QD之COP樹脂母料250 g與COP樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將COP樹脂顆粒原料500 g投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度320 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例15]
將PET樹脂顆粒原料500 g投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例4中製作之含Cd系R-QD之COP樹脂母料250 g與COP樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將PET樹脂顆粒原料500 g投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度360 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例16]
將使實施例6中製作之含Cd系R-QD之PET樹脂母料250 g與PET樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例1中製作之含Cd系G-QD之丙烯酸系樹脂母料250 g與丙烯酸系樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將PET樹脂顆粒原料500 g投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度200 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例17]
將使實施例4中製作之含Cd系R-QD之COP樹脂母料250 g與COP樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例3中製作之含Cd系G-QD之COP樹脂母料250 g與實施例4中製作之含Cd系R-QD之COP樹脂母料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將使實施例3中製作之含Cd系G-QD之COP樹脂母料250 g與COP樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形厚度140 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例18]
將實施例8中製作之含無Cd之R-QD之丙烯酸系樹脂母料500 g投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例7中製作之含無Cd之G-QD之丙烯酸系樹脂母料250 g與丙烯酸系樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將PET樹脂顆粒原料500 g投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度240 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
[實施例19]
將使實施例8中製作之含無Cd之R-QD之丙烯酸系樹脂母料250 g與丙烯酸系樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口1(樹脂層1)，將使實施例1中製作之含Cd系G-QD之丙烯酸系樹脂母料250 g與丙烯酸系樹脂顆粒原料250 g混合而得者投入至成形機之原料投入口2(樹脂層2)，將丙烯酸系樹脂顆粒原料500 g投入至原料投入口3(樹脂層3)。
一面藉由共擠壓成形機於成形溫度200～240℃下使其熔融，一面自T型模頭擠出，藉此獲得具有3層結構之膜。
藉由擠出速度或捲取速度之調節，成形總厚度220 μm之膜。
所獲得之膜利用輥捲取，利用分光放射計對切割為必需之尺寸者進行光譜測定。
將實施例9至實施例19彙總於表2。此處，表2所示之QD濃度係根據光學性地求出之濃度與利用熱重量分析(Thermo Gravimetric Analysis：TGA)所得之QD重量(wt%)之相關而求出之計算值。又，表2所示之總厚度係使用測微計測得之實測值。
[表2]
根據圖7至圖13之膜剖面之放大觀察之結果，證明膜變為實際上包含3層、目標量子點(QD)均勻地分散之結構。
又，實施例9至實施例19中之3層膜除實施例15以外，均採用一體結構，即使細小地粉碎亦完全不會產生自成為片段之膜之表層之剝離。僅實施例15若施加力，則於層間剝離，認為其原因在於PET樹脂與COP樹脂之相溶性較低。
圖14至圖26係對含量子點之樹脂膜點亮背光源時之RGB(red green blue，紅綠藍)光譜。測定係利用TOPCON TECHNOHOUSE公司之SR3-A進行。再者，使用3M公司製造之增亮膜(Brightness Enhancement Film：BEF)進行測定。
圖14、圖15、圖22分別為將Cd系G-QD(實施例9)、Cd系R-QD(實施例10)、Cd系R-QD(實施例15)分別以單色含有於中層之膜之光譜。確認到激發光(450 nm)藉由QD而分別轉換為綠色、紅色之波峰。藉此，確認確實含有QD，且進行激發光之波長轉換。
圖16、圖17、圖19、圖20分別為實施例11、實施例12、實施例13、實施例14之膜之光譜。任一膜均於膜內之同一層、或不同層含有G-QD與R-QD之兩者。根據各圖之波峰確認，藉由單一膜，激發光轉換為綠色與紅色之兩者。
實施例11、及實施例13係於中層分散有G-QD與R-QD之兩者，以激發光之吸收率(absorbance)成為同等之方式調整各QD之濃度。如此，G-QD與R-QD以理想上成為同等強度之峰值強度之方式設計。然而，於圖16、及圖19中，紅色之螢光波峰之強度與綠色相比，壓倒性地變大。其原因在於R-QD吸收G-QD之螢光，因此，綠色之螢光強度大幅降低，紅色之螢光強度同等程度地增大。作為膜整體，較大地損及亮度，該情況為於開頭記述之使用QD膜之光轉換效率之降低之問題。
另一方面，於實施例12、及實施例14中，G-QD與R-QD存在於不同層。於圖17、及圖20中，綠色之螢光波峰與紅色之螢光波峰成為相近之強度。即，藉由使G-QD與R-QD存在於不同層，證明可以相當程度改善上述問題。
圖18、及圖21係將實施例12、及實施例14之膜之正面與背面反過來而於背光源上進行測定者。即，圖17與圖18為實施例12之膜之光譜，圖18為將圖17之實施例12之膜之正面與背面反過來而進行測定者。又，圖20與圖21為實施例14之膜之光譜，圖21為將圖20所示之實施例14之正面與背面反過來而進行測定者。
藉由將實施例12之膜之正面與背面反過來而進行測定，綠色與紅色之螢光之強度比不同。即，於包含R-QD之層較G-QD層靠上方之情形時(圖17)，於相反地G-QD層較R-QD層靠上方之情形時(圖18)，光譜無變化，RGB比變得相等。
同樣地，關於實施例14之膜，膜之層結構亦為非對稱，但於光學特性未見到背面與正面之差異(圖20、圖21)。
作為其原因，認為係使用增亮膜(BEF)進行測定。認為藉由安裝BEF進行測定，光於膜內重複幾次進行反射，即，光不僅自下至上、亦自上至下地一面進行吸收、散射、波長轉換一面透過，因此膜結構之非對稱性於光學特性不顯現。
為確認膜結構之非對稱性對光學特性有影響，對實施例12中製作之膜，不使用BEF而進行同樣之測定。圖27與圖28之光譜之G/R之比實際上不同，證明膜之光學特性因正面與背面而異。
關於實施例14中製作之膜，亦同樣地確認正面與背面之不同(圖29與圖30)。認為配置於激發光側之QD最初進行光轉換，與R-QD不僅吸收激發光亦吸收綠色之螢光並轉換為紅色之兩者產生影響。
圖23係實施例16之光譜。成為自下層朝向上層R-QD之濃度增加之設計。
圖25係實施例18中製作之包含無Cd之G-QD與無Cd之R-QD之3層結構之膜之光譜。根據光譜明確證明，膜包含綠色之螢光與紅色之螢光。
圖26係實施例19中製作之於中層包含Cd系之G-QD、於外層包含無Cd之R-QD的3層結構之混合QD膜的光譜。根據光譜明確證明，膜包含經Cd系之G-QD轉換之綠色之螢光與紅色之螢光。
[產業上之可利用性]
根據本發明，可將光轉換效率優異之含量子點之樹脂片或膜較佳地用作波長轉換構件。
本申請係基於2017年10月16日提出申請之日本專利特願2017-200602。其內容全部包含於本文中。
1‧‧‧含量子點之樹脂膜
1a‧‧‧上層
1b‧‧‧中層(含有量子點之層)
1c‧‧‧下層
2‧‧‧含量子點之樹脂膜
2a‧‧‧上層
2b‧‧‧中層
2c‧‧‧下層
3‧‧‧含量子點之樹脂膜
3a‧‧‧上層
3b‧‧‧中層
3c‧‧‧下層
4‧‧‧含量子點之樹脂膜
4a‧‧‧上層
4b‧‧‧中層
4c‧‧‧下層
10‧‧‧量子點
10a‧‧‧核
10b‧‧‧殼
11‧‧‧有機配位基
圖1係第1實施形態中之含量子點之樹脂片或膜之剖視圖。
圖2A係本實施形態中之量子點之模式圖。圖2B係本實施形態中之量子點之模式圖。
圖3係第2實施形態中之含量子點之樹脂片或膜之剖視圖。
圖4係第3實施形態中之含量子點之樹脂片或膜之剖視圖。
圖5係第4實施形態中之含量子點之樹脂片或膜之剖視圖。
圖6係表示本實施形態中之含量子點之樹脂片或膜之製造步驟的流程圖。
圖7係實施例9中之含量子點之樹脂膜之剖視圖之放大照片。
圖8係實施例10中之含量子點之樹脂膜之剖視圖之放大照片。
圖9係實施例11中之含量子點之樹脂膜之剖視圖之放大照片。
圖10係實施例12中之含量子點之樹脂膜之剖視圖之放大照片。
圖11係實施例13中之含量子點之樹脂膜之剖視圖之放大照片。
圖12係實施例14中之含量子點之樹脂膜之剖視圖之放大照片。
圖13係實施例15中之含量子點之樹脂膜之剖視圖之放大照片。
圖14係實施例9中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖15係實施例10中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖16係實施例11中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖17係實施例12中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖18係實施例12中之含量子點之樹脂膜之光譜(使於圖17中測定之實施例12上下翻過來而進行測定)。
圖19係實施例13中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖20係實施例14中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖21係實施例14中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖22係實施例15中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖23係實施例16中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖24係實施例17中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖25係實施例18中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖26係實施例19中之含量子點之樹脂膜之光譜。
圖27係實施例12中之含量子點之樹脂膜之光譜(其中，以無BEF進行測定)。
圖28係實施例12中之含量子點之樹脂膜之光譜(其中，以無BEF進行測定)(使於圖27中測定之實施例12上下翻過來而進行測定)。
圖29係實施例14中之含量子點之樹脂膜之光譜(其中，以無BEF進行測定)。
圖30係實施例14中之含量子點之樹脂膜之光譜(其中，以無BEF進行測定)(使於圖29中測定之實施例14上下翻過來而進行測定)。

Claims (16)

  1. 一種含量子點之樹脂片或膜，其特徵在於：其積層有複數層樹脂層，於至少一層樹脂層含有量子點，且 上述複數層樹脂層利用共擠壓成形而一體化。
  2. 如請求項1之含量子點之樹脂片或膜，其中包含上述量子點之樹脂層、與不含上述量子點之樹脂層被一體化。
  3. 如請求項2之含量子點之樹脂片或膜，其於不含上述量子點之樹脂層包含功能性添加劑。
  4. 如請求項1至3中任一項之含量子點之樹脂片或膜，其中螢光波長不同之複數個量子點分別含有於不同之上述樹脂層。
  5. 如請求項4之含量子點之樹脂片或膜，其中上述量子點至少包含發綠光之量子點、與發紅光之量子點。
  6. 如請求項5之含量子點之樹脂片或膜，其具有包含上述發綠光之量子點但不含上述發紅光之量子點之第1樹脂層，包含上述發紅光之量子點但不含上述發綠光之量子點之第2樹脂層，及位於上述第1樹脂層與上述第2樹脂層之間且包含上述發紅光之量子點與上述發綠光之量子點之兩者之中間樹脂層；且 自上述第1樹脂層朝向上述第2樹脂層，形成上述發綠光之量子點及上述發紅光之量子點各自之濃度梯度。
  7. 如請求項5或6之含量子點之樹脂片或膜，其中包含上述發紅光之量子點之上述樹脂層配置於激發光側，包含上述發綠光之量子點之上述樹脂層配置於遠離上述激發光之側。
  8. 如請求項1至7中任一項之含量子點之樹脂片或膜，其於上述樹脂層使用非晶性樹脂。
  9. 一種含量子點之樹脂片或膜，其特徵在於：於樹脂層含有量子點，且上述量子點於上述樹脂層之膜厚方向上偏集存在。
  10. 一種含量子點之樹脂片或膜，其特徵在於：於樹脂層含有螢光波長不同之複數種量子點，且不同之上述量子點於上述樹脂層之膜厚方向分別具有不同之濃度梯度。
  11. 如請求項1至10中任一項之含量子點之樹脂片或膜，其中量子點占上述樹脂層整體之濃度為0.05%以上且1.5%以下。
  12. 如請求項1至11中任一項之含量子點之樹脂片或膜，其中上述樹脂層之總厚度為50 μm以上且500 μm以下。
  13. 如請求項1至12中任一項之含量子點之樹脂片或膜，其中綠光強度相對於藍光強度之比、及紅光強度相對於藍光強度之比分別為0.3以上。
  14. 如請求項1至13中任一項之含量子點之樹脂片或膜，其中藍光強度、綠光強度、及紅光強度之各螢光半值寬為100 nm以下。
  15. 一種波長轉換構件，其特徵在於：其係使用如請求項1至14中任一項之含量子點之樹脂片或膜進行成形加工而成。
  16. 一種含量子點之樹脂片或膜之製造方法，其特徵在於：具有形成含有量子點之樹脂顆粒之步驟； 藉由共擠壓成形將2層以上之樹脂層一體化之步驟。
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