TW201529142A

TW201529142A - 處理液供給裝置及處理液供給方法

Info

Publication number: TW201529142A
Application number: TW103133983A
Authority: TW
Inventors: Yuichi Terashita; Kousuke Yoshihara; Koji Takayanagi; Toshinobu Furusho; Takashi Sasa
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2013-10-02
Filing date: 2014-09-30
Publication date: 2015-08-01
Also published as: US20150092167A1; KR20150039569A; CN104517814B; US11342198B2; JP5967045B2; JP2015073007A; US10074546B2; US20200227286A1; TWI621472B; CN104517814A; KR101872056B1

Abstract

本發明旨在提供一種處理液供給裝置及處理液供給方法。其中，依本發明之處理液供給裝置，包含：處理液供給源，供給用來處理被處理體之處理液；噴吐部，經由供給通道連接該處理液供給源，對被處理體噴吐該處理液；過濾裝置，設於該供給通道，以去除處理液中之異物；供給泵及噴吐泵，分別設於該供給通道中過濾裝置之一次側及二次側；及控制部，輸出控制信號，俾使用該供給泵及噴吐泵中至少一方，使由該處理液供給源供給之處理液減壓而除氣，接著使用該供給泵及噴吐泵，使經除氣之處理液自該過濾裝置之一次側經由該過濾裝置朝二次側通過。

Description

處理液供給裝置及處理液供給方法

本發明係關於一種處理液供給裝置及處理液供給方法，對例如半導體晶圓或LCD用玻璃基板等被處理體供給處理液，以進行處理。

一般而言，製造半導體元件之光微影技術中，係將光阻塗布於半導體晶圓或FPD基板等(以下稱為晶圓等)，並將藉此形成的光阻膜因應於既定電路圖案予以曝光，對於此曝光圖案進行顯影處理，進而於光阻膜形成電路圖案。

此種光微影程序中，供給至晶圓等的光阻液及顯影液等處理液有可能因為各種原因而混入有氮氣等氣泡或微粒(異物)，若將混雜有氣泡或微粒的處理液供給至晶圓等，有可能產生塗布不均或缺陷。因此於處理液的管路插設有一種裝置，用來去除混雜於處理液中的氣泡或微粒。

以往，就此種裝置而言，已知有一種處理液供給裝置，係將暫時儲存容器、過濾器與泵插設於將供給噴嘴與處理液儲存容器加以連接的供給管路，並包含：循環管路，連接於處理液儲存容器與暫時儲存容器之間的供給管路及過濾器；及可變節流閥，設於循環管路(例如參照專利文獻1)。此處理液體供給裝置為了光微影程序所進行的處理之效率及達成多樣化而具有複數之供給噴嘴，並因應於目的而選擇供給噴嘴來使用。

此處理液體供給裝置中，藉由可變節流閥使得利用過濾器脫泡的處理液體之液壓降低，以使溶解於處理液的氣體氣泡化，並使此氣泡自循環通道經由供給管路再度通過過濾器而去除。因此可有效率地去除溶解於處理液體中的氣體。【先前技術文獻】【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2010-135535號公報(申請專利範圍、圖3、圖4)

【發明所欲解決之課題】

又，在具有複數之供給管路的處理液體供給裝置中，會在插設於與未使用的供給噴嘴相連接之供給管路的過濾器，產生處理液的滯留。在此，若使處理液長時間滯留於過濾器等容量大的場所，即特別是可觀察到滯留於過濾器的氣泡或凝膠在過濾器與處理液之界面成長、增加成微粒之傾向。因此考慮一種方法，於晶圓等以外之場所，藉由定期地噴吐處理液，使得處理液體不會長時間滯留於過濾器等容量較大之場所(模擬噴吐)，來作為防止混雜於處理液中的微粒之增加的方法。然而，模擬噴吐係將噴吐的處理液予以拋棄，故有處理液消耗量增大之問題。且上述專利文獻1之處理液供給裝置中，以過濾器去除氣泡，故氣泡可能殘留於過濾裝置，使過濾裝置之性能降低。

本發明有鑑於上述問題，其目的在於有效率地抑制處理液中的微粒之增加而不會無謂地消耗處理液。【解決課題之手段】

本發明之處理液供給裝置，包含：處理液供給源，供給用來處理被處理體之處理液；噴吐部，經由供給通道連接該處理液供給源，對被處理體噴吐該處理液；過濾裝置，設於該供給通道，以去除處理液中之異物；供給泵及噴吐泵，分別設於該供給通道中過濾裝置之一次側及二次側；及控制部，輸出控制信號，俾使用該供給泵及噴吐泵中至少一方，使由該處理液供給源供給之處理液減壓而除氣，接著使用該供給泵及噴吐泵，使經除氣之處理液自該過濾裝置之一次側經由該過濾裝置朝二次側通過。

本發明之另一處理液供給裝置，包含：處理液供給源，供給用來處理被處理體之處理液；噴吐部，經由供給通道連接該處理液供給源，對被處理體噴吐該處理液；過濾裝置，設於該供給通道，以去除處理液中之異物；除氣機構，使由該處理液供給源供給之處理液除氣；及液體輸送用泵，用來使由該除氣機構除氣之處理液自該過濾裝置之一次側經由該過濾裝置朝二次側通過。【發明之效果】

依本發明，由除氣機構除氣之處理液，自過濾裝置之一次側朝二次側通過。過濾裝置所含有之氣泡，高效率地溶解於該處理液，朝該過濾裝置之二次側高效率地被去除。因此，可抑制通過過濾裝置而廢棄之處理液之量。且可高效率地抑制殘留於過濾裝置之氣泡成為微粒而混入對被處理體噴吐之處理液中。

以下，根據附圖說明關於本發明之實施形態。在此，說明關於依本發明之處理液供給裝置(光阻液體處理裝置)適用於塗布、顯影裝置之情形。

上述塗布、顯影裝置，如圖1及圖2所示，包含：載具站1，用來送入送出密封收納有複數片，例如25片作為基板的晶圓W之載具10；處理部2，對於自此載具站1取出的晶圓W施行光阻塗布、顯影處理等；曝光部4，在晶圓W表面形成有透光液層的狀態下，對於晶圓W之表面進行液浸曝光；介面部3，連接於該處理部2與曝光部4之間，進行晶圓W之傳遞。

載具站1設有：載置部11，可排列載置複數個載具10；開合部12，設於自該載置部11觀察之前方壁面；傳遞機構A1，用於經由開合部12而自載具10取出晶圓W。

介面部3藉由在處理部2與曝光部4之間設成前後的第1搬運室3A及第2搬運室3B所構成，分別設有第1晶圓搬運部30A及第2晶圓搬運部30B。

且載具站1的內側連接有以框體20包圍周圍的處理部2，該處理部2自前側起依序交互排列設有：將加熱、冷卻系單元予以多段化的棚架單元U1、U2、U3、液體處理單元U4、U5、及用來在各單元間進行晶圓W之傳遞的主搬運機構A2、A3。且主搬運機構A2、A3配置在分隔壁21所包圍的空間內，該分隔壁21藉由下列者構成：棚架單元U1、U2、U3側的一面部，自載具站1觀察而言配置成前後方向；後述例如右側液體處理單元U4、U5側的一面部；及背面部，形成左側的一面。且載具站1與處理部2之間、處理部2與介面部3之間配置有溫濕度調節單元22，其具有各單元所用的處理液之溫度調節裝置或溫濕度調節用之導管等。

棚架單元U1、U2、U3構成為堆疊有複數段，例如10段用於進行在液體處理單元U4、U5所進行的處理之前處理及後處理的各種單元，其組合包含加熱(烘烤)晶圓W的加熱單元(未圖示)，冷卻晶圓W的冷卻單元(未圖示)等。且將既定處理液供給至晶圓W進行處理的液體處理單元U4、U5，例如圖2所示，構成為在光阻或顯影液等化學液儲存部14之上，堆疊有複數段，例如5段下述者：塗布抗反射膜的抗反射膜塗布單元(BCT)23、將光阻液塗布至晶圓W的塗布單元(COT)24、將顯影液供給至晶圓W並進行顯影處理的顯影單元(DEV)25等。塗布單元(COT) 24，係光阻液供給裝置。

參照圖1及圖2簡單說明關於如上述構成的塗布、顯影處理裝置中的晶圓流動之一例。塗布，顯影處理裝置中，依每一批次連續搬運晶圓W。亦即，持續搬運相同批次之晶圓W。首先，將例如收納有25片晶圓W的載具10載置於載置部11後，即將載具10的蓋體與開合部12一齊卸除，並藉由傳遞機構A1取出晶圓W。又，晶圓W經由形成棚架單元U1之一段的傳遞單元(未圖示)傳遞往主搬運機構A2，進行例如抗反射膜形成處理、冷卻處理作為塗布處理的前處理之後，在塗布單元(COT)24塗布光阻液。接著，利用主搬運機構A2將晶圓W在形成棚架單元U1或U2之一個棚架的加熱單元予以加熱(烘烤處理)再予以冷卻之後，經由棚架單元U3的傳遞單元而送入介面部3。在該介面部3中，藉由第1搬運室3A及第2搬運室3B的第1晶圓搬運部30A及第2晶圓搬運部30B來搬運至曝光部4，並配置有曝光機構(未圖示)相向於晶圓W表面來進行曝光。曝光後，晶圓W於相反通道搬運至主搬運機構A3為止，在顯影單元(DEV)25顯影，藉以形成圖案。然後晶圓W回到載置於載置部11上之原來的載具10。

＜第1實施形態＞其次，參照圖3，同時說明關於依本發明之處理液供給裝置之第1實施形態。依第1實施形態之光阻液供給裝置5，由複數之光阻液供給系500構成。光阻液供給系500，包含：光阻容器60，儲存作為處理液之光阻液L；及處理液供給管路51，連接該光阻容器60與用來對晶圓W噴吐(供給)光阻液L之噴嘴。且光阻液供給系500包含過濾裝置52a，其插設於處理液供給管路51，過濾光阻液L而去除微粒，並去除混入光阻液L中之氣泡或微粒等異物。且光阻液供給系500，包含：泵P1、P2，分別插設於該過濾裝置52a之一次側、二次側之處理液供給管路51；供給控制閥57，插設於該泵P2之二次側之處理液供給管路51；及緩衝槽61，插設於該泵P1之一次側之處理液供給管路51。

該處理液供給管路51，由下列者構成：第1處理液供給管路51a，連接作為處理液供給源之該光阻容器60、與暫時儲存自該光阻容器60導出之處理液之該緩衝槽61；及第2處理液供給管路51b，連接該緩衝槽61與噴嘴。亦即，上述之過濾裝置52a、泵P1、P2及供給控制閥57，插設於第2處理液供給管路51b。且泵P1、P2，除由此第2處理液供給管路51b相互連接外，亦由回歸用管路(循環通道)55相互連接。

該泵P1，係用來對過濾裝置52a供給光阻液L之泵，為便於說明，有時記載為供給泵P1。泵P2在對晶圓W進行液體處理時，朝對晶圓W噴吐光阻液L之噴嘴輸送液體，故為便於說明，有時記載為噴吐泵P2。圖4，顯示該供給泵P1之概略縱剖面圖。供給泵P1包含：框體101，下側開口；及隔膜102，形成為阻塞該框體101之下方側。隔膜102內，於此例中，上側封閉之筒之外緣部朝上方翻折，連接該框體101之緣部。

藉由該框體101與隔膜102，形成儲存光阻液L之泵室103。圖中104係驅動機構，藉由該驅動機構104，如圖4上段、下段分別所示，隔膜102變形，泵室103之容積變化。藉此，可進行來自泵室103之光阻液L之噴吐動作，與朝泵室103之光阻液L之吸液動作。

於供給泵P1之吸入側(一次側)，設置可使光阻液L自第2處理液供給管路51b流入該供給泵P1之電磁式開合閥V31。於供給泵P1之噴吐側(二次側)設置電磁式開合閥V32。且該回歸用管路55之下游端，連接該泵室103。

噴吐泵P2，與供給泵P1大致相同。作為差異點，如圖3所示設置開合閥V33，經由此開合閥V33連接該回歸用管路55之上游端。且於噴吐泵P2，設置偵測該噴吐泵P2中泵室103之壓力之感測器105。根據由感測器105偵測之壓力，以控制器200，藉由該驅動機構104控制泵P1、P2之動作。又，未以開合閥相互分隔時泵P1、P2各泵室103之壓力，同樣地變化，故該感測器105亦用來偵測供給泵P1之泵室103之壓力。惟亦可於泵P1亦設置感測器105，分別依感測器105之偵測結果控制泵室103之壓力。且顯示對應供給泵P1之開合閥V31、V32之噴吐泵P2之開合閥，於圖3作為開合閥V34、V35。

作為該供給控制閥57，使用例如，具有配料閥之流量控制閥。且圖中70，係由該噴嘴構成之噴嘴單元。該噴嘴單元70中，設置分別個別連接光阻液供給系500之複數根(圖式中顯示4根之情形)之噴嘴。圖中顯示各噴嘴為7(7a~7d)，連接此等噴嘴7a~7d之各光阻液供給系500之該光阻容器60中，儲存相互不同種類之光阻液L。因此，可自各噴嘴7a~7d對晶圓W噴吐相互不同之光阻液L。藉由控制器200，選擇於每一晶圓W之批次噴吐之光阻液L，亦即使用之光阻液之供給系500。

光阻容器60之上部，連接有連接惰性氣體例如氮(N₂ )氣之氣體供給源62之第1氣體供給管路8a。且於此第1氣體供給管路8a，插設作為可可變調整之壓力調整機構之電子氣動調節器R。此電子氣動調節器R，包含：操作部，例如比例螺線管，因來自控制器200之控制信號作動；及閥機構，因該螺線管作動而開合；藉由閥機構之開合調整壓力。

上述第1氣體供給管道8a中，於電子氣動調節器R與光阻容器60之間插設有電磁式切換閥V1。且於第1處理液供給管路51a的光阻容器60與緩衝槽61之間插設有電磁式切換閥V2。切換閥V1，將光阻容器60內，切換為朝大氣氛圍開放之狀態、連接氣體供給源62之狀態、自該大氣氛圍及氣體供給源62隔斷之狀態中任一狀態。此等切換閥V1、V2及電子氣動調節器R，亦分別構成光阻液供給系500。例如氣體供給源62，共用於各光阻液供給系500。

緩衝槽61中，設置檢測其內部之光阻液L之上限液面及下限液面之上限液面感測器61a及下限液面感測器61b，形成為對控制器200傳達由此等上限液面感測器61a及下限液面感測器61b檢測到的信號。根據此檢測信號，自光阻容器60供給光阻液L，控制緩衝槽61內之液面。且於緩衝槽61之上部，設置用來去除緩衝槽61內之氣層及緩衝槽61內之光阻液之排洩管路61c，於該排洩管路61c插設電磁式切換閥V6a。

於過濾裝置52a之上部，設置用來去除過濾裝置52a內之氣相氛圍(排氣)之排氣用管路51c，於該排氣用管路51c插設電磁式切換閥V4a。根據圖5，說明關於過濾裝置52a之構成。過濾裝置52a，主要由下列者構成：過濾器52f，呈圓筒狀形成；固持部52i，固持成包圍過濾器52f；及外壁部52o。且於過濾器52f之內周側，設置充滿經過濾之光阻液L之空間部52s。於過濾裝置52a之外壁部52o與固持部52i之間，設置光阻液通路52p。且光阻液通路52p之二次側經由過濾器52f連通空間部52s。且空間部52s之一次側及二次側連通第2處理液供給管路51b，光阻液通路52p之二次側連通該排氣用管路51c。

此過濾裝置52a，可自第2處理液供給管路51b及排氣用管路51c卸除，可任意更換。且上述之過濾器52f，由例如以不織布構成之膜構件構成，具有多數之細微的孔。此過濾器52f，在安裝過濾裝置52a於光阻液供給系500之際雖乾燥，但安裝後浸漬於光阻液L，光阻液於各孔流通，去除各孔所含有的氣泡及微粒而使用。藉此，防止因過濾器52f本身所含有的異物(氣泡及微粒)，對晶圓W供給之光阻液被污染。且光阻液對該孔之填充率愈高，亦即該氣泡之去除率愈高，對晶圓W供給光阻液L時，過濾器52f之一次側之光阻液L，因移動至過濾器52f之二次側，而通過大量的孔，該光阻液L所含有之異物，愈難以通過而往過濾器52f之二次側。亦即，可提升過濾器52f之異物之去除性能。

在此，於光阻液供給系500中，進行除氣液供給處理，於該供給系中形成減壓氛圍，使該供給系中之光阻液L除氣，使如此除氣之光阻液L自過濾器52f之一次側往二次側流通，去除過濾器52f之該氣泡。此處理中，供給經除氣之光阻液，藉此，過濾器52f之該孔內之氣泡，高效率地溶入該光阻液中，光阻液於該孔內流通。又，溶入之氣泡，與光阻液一齊被朝過濾器52f之二次側排出。且光阻液供給系500中，除此除氣液供給處理外亦進行循環過濾處理。此循環過濾處理，係用來使於減壓氛圍下不進行除氣之光阻液L，至自噴嘴7a~7d對晶圓W噴吐止，於包含過濾裝置52a之循環通道中重複循環，以該過濾裝置52a，確實去除異物之處理。

說明關於做為控制部之控制器200。控制器200係電腦，包含程式、記憶體、CPU所構成之資料處理部等。該程式，藉由對各光阻液供給系500發送控制信號，可控制各閥之開合、電子氣動調節器R之動作及各泵P1、P2之動作等，控制各管路中光阻液或氣體之流通、流通之停止及此等光阻液及氣體之流量。藉此，可進行上述之除氣液供給處理、循環過濾處理、及對晶圓W之光阻液之噴吐處理。

控制器200，可獨立控制光阻液供給系500，控制成於一光阻液供給系500進行該噴吐處理，另一方面，並行地於其他3個光阻液供給系500進行除氣液供給處理或循環過濾處理。該程式，由電腦之記憶媒體例如軟碟、光碟、硬碟、MO(磁光碟)及記憶卡等記憶媒體儲存，安裝於控制器200。

其次，參照作為光阻液供給系500之概略圖之圖6至圖11，說明關於在一光阻液供給系500安裝過濾裝置52a後，以該光阻液供給系500對晶圓W進行處理前，進行該除氣液供給處理之程序。圖6~圖11中，關於因泵P1、P2之動作、各閥之開合及光阻液供給系500內之壓力之變化，光阻液L流動，或可流動之管路，顯示地較未發生如此之流動之管路粗。且為避免圖之煩雜化，關於連接光阻容器60之氣體供給管路8a等，以圖3顯示之一部分之構成，則省略。且圖12~圖16，係顯示進行該除氣液供給處理之各程序中泵P1、P2及過濾裝置52a之狀態之說明圖，亦適當參照此等圖12~圖16。

在開放緩衝槽61之排洩管路61c之切換閥V6a之狀態下，藉由來自氮氣之氣體供給源62(參照圖3)之氮氣於光阻容器60內加壓，自光阻容器60對緩衝槽61內供給光阻液L。然後，關閉切換閥V6a，就緩衝槽61內亦加壓，對供給泵P1供給光阻液L。其後，停止該氮氣之供給，藉由供給泵P1之動作，對過濾裝置52a及噴吐泵P2供給緩衝槽61之光阻液L。藉由噴吐泵P2之動作，對自該泵P2至噴嘴7a之第2處理液供給管路51b及回歸用管路55供給光阻液L，光阻液供給系500呈待命狀態(圖6、步驟S1)。

於該待命狀態下，泵P1、P2之各開合閥V31~V35、供給控制閥57、過濾裝置52a之排氣用管路51c之切換閥V4a、緩衝槽61之排洩管路61c之切換閥V6a關閉。且此待命狀態中，供給泵P1之泵室103，如圖4上段所示呈擴張之狀態，噴吐泵P2之泵室103，如圖4下段所示，呈收縮之狀態。

接著，如圖7所示，閥V4a、供給泵P1之二次側(噴吐側)之閥V32開放，且供給泵P1進行光阻液L之噴吐動作，其泵室103稍微收縮，使過濾裝置52a排氣(步驟S2)。然後，噴吐動作停止，該閥V32關閉，排氣結束。圖12，顯示此排氣結束時之泵P1、P2及過濾裝置52a。

接著，如圖8所示，在供給泵P1之動作停止之狀態下，噴吐泵P2之一次側(吸入側)之閥V34及供給泵P1之二次側之閥V32開啟，且該噴吐泵P2開始吸液動作。亦即，在供給泵P1之泵室103之容積一定之狀態下，噴吐泵P2之泵室103擴張。此時，圖8中以虛線包圍之區域，亦即泵P1、P2之泵室103、過濾裝置52a內、第2處理液供給管路51b中泵P1至P2之區域及回歸用管路55，形成密封空間，藉由該噴吐泵P2之泵室103擴張，此密封空間內減壓(步驟S3)。藉由如此減壓，如圖13所示，析出溶解於此密封空間內之光阻液L之氣泡L1，該光阻液L之除氣獲得進展。

接著，如圖9所示，噴吐泵P2之吸液動作保持持續，進行供給泵P1之噴吐動作，使該供給泵P1之光阻液L，通過過濾裝置52a而過濾，對噴吐泵P2輸送液體(步驟S4)。因供給泵P1之泵室103收縮，解除該密封空間之減壓狀態。在此，於過濾器52f之上游側，對過濾器52f供給經除氣之光阻液L，藉此，如已述過濾器52f所含有之氣泡L1溶解於此光阻液L，此光阻液L通過過濾器52f之孔，對二次側(噴吐泵P2側)供給光阻液。附著於該過濾器52f之微粒亦因該光阻液L，朝過濾器52f之二次側被沖走。如圖14所示，過濾器52f，不使自其一次側與光阻液L一齊流動而來的該氣泡L1通過，該氣泡L1，儲存於過濾器52f之一次側之光阻液通路52p，於光阻液通路52p之上方形成氣層。

例如，供給泵P1噴吐光阻液L完，且噴吐泵P2吸乾光阻液L後，供給泵P1之二次側之閥V32、噴吐泵P2之一次側之V34即關閉。接著，噴吐泵P2連接回歸用管路55之閥V33及供給泵P1之一次側之閥V31開放，如圖10所示，開始噴吐泵P2之噴吐動作。藉此噴吐泵P2內之光阻液L，如圖15所示，與該氣泡L1或自過濾器52f流出之該微粒一齊，經由回歸用管路55，朝過濾器52f之上游側，具體而言，供給泵P1之泵室103及供給泵P1之上游側之第2處理液供給管路51b被沖洗(步驟S5)。

例如噴吐泵P2噴吐光阻液L完後，該閥V33即關閉，如圖11所示，開始供給泵P1之吸液動作，於供給泵P1內再填充自一次側供給之光阻液L(步驟S6)。供給泵P1吸取光阻液L完後，泵P1之一次側之閥V31即關閉，光阻液供給系500呈步驟S1之待命狀態。

此步驟S1以下，同樣地進行步驟S2~S6。說明關於第2次之步驟S2即知，已述之第1次之步驟S3、S4中，藉由進行減壓及過濾，如以圖14所說明，於過濾裝置52a累積氣泡L1而形成氣層。關於此氣層，藉由進行該第2次之步驟S2，經由排氣用管路51c自過濾裝置52a被去除(圖16)。且如以圖15所說明，於第1次之步驟S5，對供給泵P1供給含有微粒之光阻液L，於此第2次之步驟S2中進行排氣時，對過濾裝置52a供給該光阻液L，與該氣層一齊自排氣用管路51c去除之。

第2次之步驟S3中，與第1次之步驟S3相同，形成之關閉空間減壓，於光阻液L析出氣泡L1。又，第2次之步驟S4中，與第1次之步驟S4同樣地進行過濾。此過濾時，如已述氣泡L1無法通過過濾器52f，於過濾裝置52a之流路內形成氣層而存留。此氣層，藉由第3次之步驟S2之排氣自過濾裝置52a去除。且此第2次之步驟S4中，使於該第2次之步驟S2未自供給泵P1轉移至過濾裝置52a之光阻液L，轉移至該過濾裝置52a，關於此光阻液L中之微粒，無法通過過濾器52f，而由該過濾器52f捕集。又，因此第2次之步驟S4之過濾，與第1次之步驟S4相同，過濾器52f之氣泡L1亦溶於經除氣之光阻液L，光阻液L朝過濾器52f之孔內流通而進展。

進行第2次之步驟S5、S6後，更進行步驟S1~S6。如此重複步驟S1~S6，自過濾器52f去除異物獲得進展。步驟S1~S6重複預先設定之次數後，此除氣液供給處理結束，光阻液供給系500維持於例如後述之步驟S11之待命狀態。又，步驟S2之排氣不限於每次進行。每當進行步驟S3，於該步驟S3析出之氣泡L1之量即告減少。在此為實現處理速度之提升，亦可隨著此除氣液供給處理進展，進行該排氣之次數減少。具體而言，亦可例如若重複進行步驟S1、S3~S6 20次，亦即20週期，即於第1~10次之週期中每次實行步驟S2，於第11~20次之週期中，僅偶數次之週期進行步驟S2。

接著，參照圖17~圖21，同時說明關於除氣液供給處理後進行之對晶圓W噴吐光阻液L之噴吐處理。圖17~圖21中，亦與圖6~圖11相同，就發生光阻液L流通之管路，顯示較未發生流通之管路粗。此噴吐處理之說明中，舉例說明將設定成以連接噴嘴7a之光阻液供給系500處理之晶圓W搬運至光阻液供給裝置5時，該光阻液供給系500之動作。

圖17，顯示該除氣液供給處理後，處於待命狀態之該光阻液供給系500(步驟S11)。此噴吐處理時之待命狀態S11，與該除氣液供給處理時之待命狀態S1，就各開合閥之開合狀態相同。已述之待命狀態S1中，雖已說明噴吐泵P2呈噴吐完光阻液之狀態，但此待命狀態S11中，為於接下來的步驟S12可對晶圓W噴吐光阻液，呈自例如S1之待命狀態，藉由泵P1、P2之動作及各閥之開合，供給泵P1之既定量光阻液L經由過濾裝置52a移至噴吐泵P2之狀態。

將該晶圓W送入光阻液供給裝置5後，如圖18所示，光阻液供給系500之噴吐泵P2即開始噴吐動作，且該噴吐泵P2之二次側之閥V35及供給控制閥57開啟，對晶圓W噴吐光阻液L。對晶圓W噴吐光阻液L之噴吐量設定為例如1mL。對1片晶圓W噴吐結束後，閥V35及供給控制閥57即關閉。逐一連續將與此處理結束之晶圓W同批次之晶圓W搬運至光阻液供給裝置5，每當此時，閥V35及供給控制閥57即開合，且進行噴吐泵P2之噴吐動作，對此等晶圓W噴吐光阻液。與對此等晶圓W噴吐光阻液並行，供給泵P1之一次側之閥V31開啟，該供給泵P1進行吸液動作，自光阻容器60對該供給泵P1供給光阻液L(步驟S12)。

該批次之晶圓W完全處理結束，或噴吐泵P2噴吐完光阻液L後，即與已述之除氣液供給處理之步驟S4相同，進行各閥之開合及泵P1、P2之動作，以過濾裝置52a過濾供給泵P1之光阻液L，對噴吐泵P2供給(圖19、步驟S13)。該批次之晶圓W完全處理結束，進行該步驟S13後，與該除氣液供給處理之步驟S2相同，進行各閥之開合及供給泵P1之噴吐動作，進行過濾裝置52a之排氣(圖20、步驟S14)。

其後，與除氣液供給處理之步驟S5相同，進行各閥之開合及噴吐泵P2之噴吐動作，自噴吐泵P2對供給泵P1進行光阻液L之沖洗(圖21、步驟S15)。為更確實地防止異物混入噴吐至晶圓W之光阻液，進行此沖洗。步驟S15結束後，光阻液供給系500呈步驟S11之待命狀態。然後，將設定成以此噴嘴7a之光阻液供給系500進行處理之後續之批次之晶圓W送入光阻液供給裝置5時，同樣地進行步驟S12~S15之處理。

又，此光阻液之噴吐處理中，該步驟S14之排氣亦不限於每當進行步驟S11~ S13即實行。亦即，亦可通常設定成在步驟S11~S13後進行步驟S15，進行1次或複數次此週期後，於下一週期中即設定成在步驟S13與步驟S15之間進行該步驟S14。藉由如此進行處理，可抑制處理速度降低。

接著，參照圖22~圖25，同時說明關於循環過濾處理。關於呈上述之步驟S11(參照圖17)之待命狀態之光阻液供給系500，如圖22所示，供給泵P1之一次側之閥V31開啟，且進行該供給泵P1之吸液動作(步驟S21)。其後，與已述之步驟S4、S13相同，以過濾裝置52a過濾供給泵P1之光阻液L，對噴吐泵P2供給(圖23、步驟S22)。

然後，與步驟S2、S14相同，進行過濾裝置52a之排氣(圖24、步驟S23)。其後，與已述之步驟S5相同，自噴吐泵P2朝供給泵P1，進行光阻液L之沖洗(圖25、步驟S24)。各步驟S22~S24中，與已述之除氣液供給處理及噴吐處理對應之各步驟S相同，控制各閥之開合及泵P1、P2之動作。該步驟S24後，重複進行步驟S21~ S24。例如若步驟S21~S24為1個週期，即於一週期結束後，隔著既定之間隔，例如約15分鐘之間隔進行下一週期。

藉由如此進行步驟S21~S24，可防止於發明所欲解決之課題之項目所述，過濾器52f中發生光阻液滯留。因此，可防止滯留於該過濾器52f之氣泡或凝膠，於過濾器52f與光阻液L之界面作為微粒成長、增加。且重複該步驟S21~S24，光阻液L重複通過過濾裝置52a，故可更確實地以過濾裝置52a去除光阻液L中之異物。

又，該步驟S24中，控制噴吐泵P2之動作，俾自噴吐泵P2沖洗之光阻液L之量(沖洗量)，與該噴吐處理中對1片之晶圓W噴吐光阻液之噴吐量相同，或更多。如此控制沖洗量之目的在於，為確實獲得抑制上述之微粒增加之效果，相對地更增加於過濾器52f流通之光阻液之量。又，此循環過濾處理中，該步驟S23之排氣，亦不限於每當進行步驟S21、S22即實行，亦可進行複數次步驟S21、S22、S24後，於進行該步驟S22、S24之期間進行1次。

參照圖26之流程圖，同時說明關於進行上述之循環過濾處理之時機之一例。控制器200，判定是否於一光阻液供給系500，自最近對晶圓W噴吐光阻，已再經過預先設定之時間。亦即判定是否於最近之該步驟S12(參照圖18)，最後為令噴吐泵P2噴吐光阻液L而發送控制信號後，已再經過設定時間(步驟S31)。判定未經過設定時間時，即重複進行此步驟S31之判定。

判定已經過該設定時間時，於此光阻液供給系500，開始循環過濾處理。亦即進行於步驟S21~S24(圖22~圖25)說明之動作(步驟S32)。又，判定是否已將設定成以此循環過濾處理實行中之光阻液供給系500進行處理之晶圓W，搬運至光阻液供給裝置5(步驟S33)。判定未搬運該晶圓W時，重複進行此步驟S33之判定，另一方面，繼續進行循環過濾處理。即使例如到了因此循環過濾處理，步驟S24之沖洗結束後(參照圖24)，進行下一步驟S21對供給泵P1填充液體(參照圖22)之時機，仍判定未搬運該晶圓W至光阻液供給裝置5時，進行該步驟S21。亦即重複進行步驟S21~S24。

於該步驟S33判定搬運晶圓W至光阻液供給裝置5時，停止此循環過濾處理，判定是否到了可轉移至噴吐處理之轉移許可期間(步驟S34)。轉移許可期間係例如，該步驟S24之沖洗結束後，開始下一步驟S21止之期間，判定到了該期間，循環過濾處理即結束。又，按照已述之步驟S11~S15(圖17~圖21)，對經搬運之晶圓W進行光阻液L之噴吐處理(步驟S35)。

於該步驟S34判定例如在該轉移許可期間外時，繼續循環過濾處理，另一方面，重複實行該步驟S34之判定。循環過濾處理進展，上述之步驟S24之沖洗結束後，即於該步驟S34判定到了轉移許可期間，開始該步驟S35之光阻液之噴吐處理。

作為該轉移許可期間不限於上述之例，亦可例如係於1個週期之步驟S21至S24之期間中，自一步驟轉移至下一步驟之期間，亦即各步驟S之實行中以外之期間。

又，持續使用過濾裝置52a後，有時於過濾器52f會累積氣泡L1。為去除此氣泡L1，亦可沿上述之流程圖之步驟S31~S35，不進行循環過濾處理，代之以上述之除氣液供給處理。亦即除氣液供給處理，不限於過濾裝置52a安裝於光阻液供給系500時進行。如此不進行循環過濾處理，代之以上述之除氣液供給處理時，該光阻液轉移至噴吐處理之轉移許可期間，係例如呈步驟S1(圖6)之待命狀態時。

且雖已揭示關於噴吐處理後經過設定時間後進行循環過濾處理之例，但進行循環過濾處理之時機，不限於此例。例如，亦可實施判定是否除氣液供給處理結束，已再經過預先設定之時間之步驟，於該步驟判定已經過設定時間時，亦實施圖26之流程之步驟S32以下之步驟，進行循環過濾處理。

依此光阻液供給裝置5，藉由閥關閉以泵P1、P2、過濾裝置52a與處理液供給管路51構成之空間，形成密封空間，藉由噴吐泵P2之吸液動作使該密封空間減壓。藉此使存在於光阻液中之細微之氣泡顯在化，使該光阻液除氣。使此除氣之光阻液自過濾裝置52a之一次側朝二次側流通，使過濾器52f所含有之氣泡溶解於該光阻液。藉此，可高效率地去除該氣泡，抑制該氣泡成為微粒混入對晶圓W噴吐之光阻液，及因該氣泡過濾裝置52a之異物之捕集性能降低。且相較於進行使光阻液自光阻容器60經由過濾裝置52a持續對噴嘴單元70流動之模擬噴吐，去除該氣泡，可抑制光阻液之浪費，可降低裝置之運用成本。

且光阻液供給裝置5中，重複進行複數次重複已述之步驟S1~S6，藉此以該減壓使光阻液除氣，及經由回歸用管路55與處理液供給管路51所構成之循環流路時該光阻液朝過濾裝置52a流通。因此，可更確實地去除該過濾器52f中之氣泡。

且不進行光阻液之噴吐處理及除氣液供給處理時，進行該循環過濾處理。藉由此循環過濾處理，如已述，可更確實地去除過濾裝置52a之氣泡，抑制微粒混入對晶圓W噴吐之光阻液。且以此處理可更確實地抑制用來去除該氣泡之該模擬噴吐之量。

作為進行該循環過濾處理之時機，不限於上述之例。例如，亦可在搬運晶圓W至光阻液供給裝置5後，進行此循環過濾處理，進行例如1次步驟S21~S24後，進行步驟S11~S15之光阻液之噴吐處理。惟如以圖26之流程所說明，對晶圓W噴吐光阻液後，經過設定時間後進行該循環過濾處理，較可減少開始光阻液之噴吐處理止之時間之損失，可實現處理能力之提升。

且可與於一光阻液供給系500進行循環過濾處理或除氣液供給處理並行，在其他光阻液供給系500中對晶圓W進行光阻液之噴吐處理。如此控制各光阻液供給系500，藉此，可防止因循環過濾處理及除氣液供給處理，光阻液之噴吐處理之開始時機延遲，防止光阻液供給裝置5之生產力降低。

且光阻液供給裝置5中，於過濾裝置52a之一次側、二次側分別配置泵P1、P2，故可輕易調整過濾裝置52a之內壓。更具體說明即知，除氣液供給處理時如已述可形成減壓空間，光阻液之噴吐處理中進行過濾之際，於過濾裝置52a之一次側供給泵P1進行噴吐動作，同時於過濾裝置52a之二次側噴吐泵P2進行吸液動作，故可防止因過濾裝置52a之內壓降低，於該過濾裝置52a內光阻液發泡。亦即，可抑制對晶圓W噴吐光阻液時，氣泡混入該光阻液。

＜第2實施形態＞根據圖27，說明作為第2實施形態之光阻液供給裝置511。又，第2實施形態及以下各實施形態中，就與第1實施形態同一之構成，對同一部分賦予同一符號，省略說明。光阻液供給裝置511中，不設置光阻液供給系500，代之以光阻液供給系501。光阻液供給系501，包含：插設於過濾裝置52a之二次側之處理液供給管路51之補集槽53、插設於補集槽53之二次側之處理液供給管路51之泵P、及連接泵P之噴吐側與過濾裝置52a之吸入側之回歸用管路55。

該回歸用管路55，由下列者構成：連接補集槽53與泵P之第1回歸用管路55a、及連接補集槽53與過濾裝置52a之一次側之第2處理液供給管路51b之第2回歸用管路55b。且於第2回歸用管路55b插設切換閥56。於處理液供給管路51中，第2回歸用管路55b之連接部與過濾裝置52a之間插設切換閥58。

作為補集液體貯存部之補集槽53，與緩衝槽61同樣地儲存光阻液，於其內部之上方累積補集之氣體。於補集槽53之上部，設置用來去除槽內之該氣體之排氣用管路51d，於該排氣用管路51d插設切換閥V5a。且圖中8b，係經由電子氣動調節器R連接氣體供給源62與緩衝槽61之第2氣體供給管路，於該第2氣體供給管路8b插設切換閥V3。圖中61d，係用來防止緩衝槽61內過剩地被加壓之管路，雖插設有閥但於後述之各步驟中經常呈開啟之狀態，故省略該閥之圖示。

作為泵P，使用吸入、噴吐第2處理液供給管路51b內之處理液之隔膜泵。此泵P中，以作為可撓性構件之隔膜71分隔為相當於泵部分之泵室72，與相當於驅動部分之作動室73。於此泵P之一次側，形成用來吸入第2處理液供給管路51b內之處理液之吸入口，於此泵P之一次側(吸入口側)，設置電磁式開合閥V36。

為便於說明，雖顯示圖中泵P之噴吐口形成為2處，但實際上噴吐口為1處，連接此噴吐口之管路分支，構成處理液供給管路51b及回歸用管路55。又，於如此分支之管路，在分支點附近分別設置電磁式開合閥V37、V38，控制自泵P對各管路51b、55光阻液之供給。作動室73，連接包含根據來自控制器200之信號，控制作動室73內之氣體之減壓及加壓之電子氣動調節器之驅動機構74。此泵P，兼用為使光阻液自過濾裝置52a之一次側朝二次側通過之液體輸送用泵，及用來形成減壓空間之減壓用泵。

就此光阻液供給裝置511之各光阻液供給系501，亦與第1實施形態同樣地進行除氣液供給處理、光阻液之噴吐處理及循環過濾處理。根據已述之圖27及圖28~圖34說明關於該除氣液供給處理。圖27顯示光阻液供給系501之待命狀態，此待命狀態中圖所示之各閥關閉。自光阻容器60至噴嘴單元70供給光阻液L，泵P呈吸收光阻液L之狀態(步驟S41)。

自該待命狀態，泵P之二次側之閥V38、補集槽53之排氣用管路51d之閥V5a開啟，且進行泵P之噴吐動作(圖28)。藉此自排氣用管路51d去除由補集槽53補集之氣體(步驟S42)。

接著，該閥V5a關閉，泵P之一次側之閥V36開啟，且進行泵P之吸液動作。此時，藉由回歸用管路55b中補集槽53至閥56之區域、回歸用管路55a、補集槽53、過濾裝置52a及切換閥58構成密封空間。圖29中，以虛線包圍顯示形成此密封空間之範圍。因泵P之吸液動作該密封空間擴張，如以第1實施形態所說明，密封空間中光阻液L之氣泡顯在化(步驟S43)。

然後，持續保持泵P之吸液動作，過濾裝置52a之一次側之閥58開放，自緩衝槽61將光阻液L導入減壓氛圍而流動，解除該減壓狀態。以該光阻液將過濾裝置52a內過濾器52f之微粒朝泵P沖走，自過濾器52f去除之。該密封空間中於補集槽53之一次側產生之氣泡，由此補集槽53捕集。於補集槽53之二次側產生之氣泡，與該光阻液一齊流入泵P(圖30、步驟S44)。

其後，進行上述之圖28所示之步驟S42，對補集槽53供給含有泵P之氣泡之光阻液，以排氣用管路51d自補集槽53去除該氣泡。且亦藉由此補集槽53之排氣，與該光阻液一齊去除該光阻液所含有之微粒。此第2次之步驟S42後，進行步驟S43、S44，然後，更進行步驟S42~S44。如此重複進行步驟S42~S44。重複步驟S42~S44既定之次數後，自步驟S44之狀態關閉過濾裝置52a之一次側之閥58、泵P之一次側之V36，光阻液供給系501呈步驟S41之待命狀態。

接著如圖31所示，泵P連接回歸用管路之閥V38、回歸用管路55中之閥56開啟，且進行泵P之噴吐動作，泵P之光阻液L經由回歸用管路55回到緩衝槽61(步驟S45)。回到此緩衝槽61之光阻液L，係因重複上述之步驟S42~S44而除氣之液體。又，該閥V38、56關閉，如圖32所示，泵P之一次側之閥V36開放，且進行泵P之吸液動作。藉此，與步驟S43同樣地形成減壓空間，於該空間內光阻液之除氣更獲得進展(步驟S46)。

又，如圖33所示，在進行該吸液動作之狀態下，過濾裝置52a之一次側之閥58開啟，與步驟S44同樣地，光阻液自緩衝槽61經由過濾裝置52a流入泵P(步驟S47)。對過濾裝置52a供給之光阻液L，係如上述於步驟S41~S44除氣之液體，可高效率地溶解過濾器52f之氣泡。

其後，重複進行步驟S45~S47之步驟。於該步驟S46經除氣之光阻液L，在下一進行之步驟S45回到緩衝槽61，於步驟S47流通至過濾裝置52a，過濾裝置52a之氣泡溶解於此光阻液L中。重複進行步驟S45~S47既定之次數後，光阻液供給系501回到步驟S41(圖27)之待命狀態。

其後，過濾裝置52a之一次側之閥58、過濾裝置52a之排氣用管路51c之閥V4a開啟。且氣體供給管路8b之閥V3開啟，以自氣體供給源62供給之氣體加壓緩衝槽61內，對過濾裝置52a供給該緩衝槽61內之光阻液L，過濾裝置52a排氣(圖34 步驟S48)。然後，該閥58、V4a、V3關閉，光阻液供給系501回到該待命狀態。

接著，說明關於以光阻液供給系501進行光阻液之噴吐處理即知，自圖27之待命狀態之光阻液供給系501，泵P之二次側之閥V37、57開啟，泵P進行噴吐動作，自噴嘴單元70噴吐光阻液。泵P噴吐完光阻液後，在該閥V37、57關閉之狀態下，泵P之一次側之閥V36、過濾裝置52a之閥58即開啟，泵P進行吸液動作，自緩衝槽61經由過濾裝置52a、補集槽53對泵P供給光阻液。

接著，說明關於光阻液供給系501中之循環過濾處理。自各閥關閉之該待命狀態，與上述之除氣液供給處理之步驟S45(圖31)同樣地進行閥之開合，且進行泵P之噴吐動作，泵P之光阻液L經由回歸用管路55回到緩衝槽61(圖35 步驟S 51)。此步驟S51中泵P之噴吐量，為於下一步驟S52過濾相對較多之量之光阻液，設定為與噴吐處理時針對1片晶圓W之噴吐量相同，或更大。接著，回歸用管路55之閥56關閉，過濾裝置52a之一次側之閥58、泵P之一次側之閥V36開啟。如此控制閥之開合，並進行泵P之吸液動作，以過濾裝置52a過濾緩衝槽61之光阻液，使其通過補集槽53，回到泵P(圖36 步驟S52)。

重複進行此步驟S51、S52。若此步驟S51、S52係1週期，即於例如連續進行之複數次週期中之1次週期中，不進行步驟S52，代之以使補集槽53排氣之步驟S53。此步驟S53中，與除氣液供給處理之步驟S42同樣地控制各閥之開合，且進行泵P之噴吐動作(圖37)。藉此，泵P之光阻液L經由補集槽53流往排氣用管路51d，去除補集槽53之氣層。

此第2實施形態之光阻液供給裝置511中，亦與第1實施形態之光阻液供給裝置5相同，可以除氣液供給處理高效率地去除過濾裝置52a中之氣泡。且可以循環過濾處理抑制過濾裝置52a中微粒之成長。

＜第3實施形態＞圖38，顯示依第3實施形態之光阻液供給裝置512。該光阻液供給裝置512，不包含於第2實施形態說明之光阻液供給系501，代之以光阻液供給系502。該光阻液供給系502中，與光阻液供給系501之差異點在於，回歸用管路55，不分為55a、55b。回歸用管路55之一端，經由閥V38連接泵P，另一端連接第2處理液供給管路51b中緩衝槽61與閥58之間。除此回歸用管路55之構成外，光阻液供給系502與光阻液供給系501相同。

第3實施形態之光阻液供給系502中，亦進行除氣液供給處理、對晶圓W之光阻液之噴吐處理及循環過濾處理。與光阻液供給系501同樣地控制各閥之開合及泵P之動作，實施於第2實施形態說明之各步驟S。惟於步驟S51(圖35)等，泵P之光阻液回到緩衝槽61時，光阻液供給系502中，於回歸用管路55未設置閥56，故不開放該閥56。依此第3實施形態，亦可獲得與第2實施形態相同之效果。

＜第4實施形態＞不限於使用用於光阻液之噴吐處理之泵P、P1，使光阻液除氣。圖39所示之光阻液供給裝置513之光阻液供給系503，與光阻液供給系502大致相同。作為差異點，在處理液供給管路51b中緩衝槽61與相對於回歸用管路55之連接點之間，朝下游側，依下列順序插設除氣機構80、該切換閥58。

該除氣機構80，如圖40(a)所示，包含容器81及半透膜管82，可去除存在於光阻液L中之氣體。且容器81，包含連接處理液供給管路51之流入用埠83及流出用埠84。且容器81，包含用來將存在於光阻液L中之氣體朝外部排出之排出管86連接之排氣用埠85。又，排出管86連接未圖示之排氣泵或是排氣噴射器。

另一方面，半透膜管82配置於容器81內，且連接兩埠83、84。又，其整體以例如四氟化乙烯類或是聚烯烴類之中空纖維薄膜形成。因此，驅動泵P時光阻液L流入半透膜管82內，驅動未圖示之排氣泵而使容器81內半透膜管82周邊之空氣排氣，藉此使半透膜管82周邊之空氣減壓。藉由驅動上述排氣泵，朝半透膜管82之外側排出光阻液L中之氣體，經由排出管86朝除氣機構80之外部排出。

藉由設置如此之除氣機構80，可供給於此除氣機構80之下游側除氣之光阻液L。藉由泵P，吸取如此除氣之光阻液，將其導入處理液供給管路51及回歸用管路55所構成之環狀通道，控制各閥之開合，俾自泵P噴吐之該光阻液可於該環狀通道循環。又，重複進行泵P之噴吐動作、吸液動作複數次，除氣之光阻液於此環狀通道內重複循環複數次(圖41)。亦即，與第2實施形態相同，藉由泵P之噴吐動作使光阻液L自泵P回到緩衝槽61，接著以泵P之吸液動作將此回來的光阻液L導入泵P。重複此動作。圖41中較粗地顯示因此噴吐動作及吸液動作，光阻液流動之管路。

該環狀通道中插設過濾裝置52a，故自此過濾裝置52a之一次側朝二次側，重複供給經除氣之光阻液。藉此，與已述之各實施形態之除氣液供給處理相同，過濾裝置52a之氣泡溶解於光阻液，可自過濾裝置52a高效率地去除該氣泡。

作為設置除氣機構80之位置，於圖39之例中雖係環狀通道之外側，但亦可如圖42所示，插設於該環狀通道。圖42之裝置514之光阻液供給系504中，在過濾裝置52a之一次側，及第2處理液供給管路51b中相對於回歸用管路55之連接點之間，設置除氣機構80。又，與圖41所示之例相同，於該環狀通道使光阻液循環。

又，為以泵之動作使光阻液除氣，第1實施形態中，於泵P1、P2及過濾裝置52a形成減壓空間。第2、第3實施形態中，於過濾裝置52a、補集槽53及泵P形成減壓空間。作為形成減壓空間之區域，不限於此等例。

圖43之光阻液供給裝置515，係第3實施形態之變形例。光阻液供給裝置515之光阻液供給系505，與第3實施形態之光阻液供給系502不同，在過濾裝置52a與補集槽53之間之管路插設切換閥87。使光阻液除氣之際，泵P之一次側之閥V36開啟，且泵P之二次側之閥V37、V38、切換閥87、補集槽53之閥V5a、過濾裝置52a之閥V4a關閉。藉此，泵P、補集槽53及處理液供給管路51之該泵P至切換閥87之區域係密封空間，泵P進行抽吸動作，藉此，該密封空間減壓。其後，與其他實施形態相同，於密封空間經除氣之光阻液，經由回歸用管路55，自過濾裝置52a之一次側朝二次側流通，去除過濾裝置52a之氣泡。

此外，亦可僅以泵P內為密封空間，使光阻液除氣。於例如該光阻液供給系505，在泵P未噴吐完內部之光阻液之狀態下，關閉閥V36、V37、V38，進行泵P之吸液動作。藉此，可以泵P內為減壓空間，使光阻液除氣。惟減壓空間愈寬廣，可以1次泵之動作除氣之光阻液之量愈多，藉此可在較短之時間內對過濾裝置52a供給愈多之經除氣之光阻液，迅速去除氣泡。因此，宜如上述之各實施形態構成光阻液供給系，俾除泵P外，就過濾裝置52a或補集槽53亦可係減壓空間。

又，已述之各實施形態之除氣液供給處理中，雖使用在處理液供給管路51之外另外設置之回歸用管路55，使過濾裝置52a之二次側之經除氣之光阻液回到過濾裝置52a之一次側，使其自該一次側朝過濾裝置52a之二次側流通，但不限於如此使用回歸用管路55使該光阻液回到過濾裝置52a之一次側。

圖44，顯示第1實施形態之光阻液供給系500之泵P1、P2及過濾裝置52a。在光阻液儲存於噴吐泵P2之狀態下，關閉噴吐泵P2之閥V33~V35，以該噴吐泵P2內為密封空間，進行噴吐泵P2之吸液動作(圖44上段)。藉此，使噴吐泵P2內之光阻液除氣。接著，開啟閥V34，與供給泵之閥V32。又，進行供給泵P1之吸液動作，並進行噴吐泵P2之噴吐動作，使經除氣之光阻液自噴吐泵P2經由過濾裝置52a朝供給泵P1流通(圖44中段)。然後，進行供給泵P1之噴吐動作，並進行噴吐泵P2之吸液動作，使經除氣之光阻液自過濾裝置52a之一次側朝二次側流通。惟依此流通方法，光阻液自過濾裝置52a之二次側流往一次側，故就防止微粒自過濾裝置52a流出之觀點而言，如已述宜使用回歸用管路55。

關於光阻液供給系之構成，不限於上述之各例。例如圖3之第1實施形態中，亦可在光阻容器60與供給泵P1之間設置補集槽53。該補集槽53，可設於各泵P1、P2與過濾裝置52a之間，亦可設於泵P2與供給控制閥57之間。且圖27之第2實施形態中，亦可於圖所示之位置無補集槽53，自泵P直接朝過濾裝置52a之一次側供給光阻液，亦可更在泵P與供給控制閥57之間，設置補集槽53。如此補集槽53，可配置於各光阻液供給系中任意之位置。且圖27中，雖於泵P之上游側配置過濾裝置52a，但亦可於泵P之下游側配置過濾裝置52a。

此外作為使光阻液除氣之手法，例如第1實施形態(參照圖3)中，為於供給泵P1及緩衝槽61形成密封空間，呈開放閥V31，關閉閥V32、V33、V6a、V2之狀態。又，進行供給泵P1之吸液動作，使該密封空間減壓，使光阻液除氣。亦即，第1實施形態中，亦可使用泵P1、P2中任一泵，使光阻液除氣。且第1實施形態中，形成密封空間時，雖使用噴吐泵P2附近之閥V35，但亦可不設置此閥V35，使用供給控制閥57形成密封空間。惟為防止於泵P2至供給控制閥57之管路因減壓產生氣泡，對晶圓W供給此氣泡，宜使用更接近噴吐泵P2之閥，亦即該閥V35，形成密封空間。

又，上述實施形態中，雖已說明關於依本發明之處理液供給裝置適用於光阻塗布處理裝置之情形，但亦可適用於光阻液以外之處理液，例如顯影液等之供給裝置或清洗處理之供給裝置。

＜第5實施形態＞第5實施形態，如圖45所示，顯示於噴吐泵P2之二次側，更另外設置與已述之過濾裝置52a不同之另一過濾裝置300之例。於此過濾裝置300與供給控制閥57之間之第2處理液供給管路51b，連接回歸用管路201之一端側，此回歸用管路201之另一端側，隔著閥V51，連接在緩衝槽61與供給泵P1之間之第2處理液供給管路51b。又，圖45中202係用來自過濾裝置300排出氣泡之排氣管，V52係設於此排氣管202之閥。

圖45，顯示第5實施形態中自噴嘴7a噴吐光阻液L，且自緩衝槽61對供給泵P1補充光阻液L之情形。此時，分別關閉閥V51、V52。又，關於光阻液L之噴吐動作後接著進行之光阻液L通往過濾裝置52a之通液動作，或各動作中閥V31~ V34及供給控制閥57之開合之說明，與已述之第1實施形態重複，故省略。惟此例中不設置噴吐泵P2之閥V35，代之以藉由供給控制閥57形成密封空間。

又，光阻液L回到供給泵P1之一次側時，如圖46所示，開放回歸用管路201之閥V51，且關閉其他閥V31~V33及供給控制閥57。在此狀態下進行噴吐泵P2之噴吐動作，該噴吐泵P1內之光阻液L，通過過濾裝置300，經由回歸用管路201，到達緩衝槽61之二次側。

第5實施形態中，光阻液L於噴嘴7a流通時，光阻液L通過過濾裝置300，故即使於例如噴吐泵P2產生微粒，亦可捕集此微粒，對晶圓供給潔淨之光阻液L。且噴吐泵P2內之光阻液L回到供給泵P1之一次側時，光阻液L亦通過過濾裝置300，故同樣地即使於噴吐泵P2產生微粒，亦可捕集該微粒。

P1‧‧‧供給泵
P2‧‧‧噴吐泵
R‧‧‧電子氣動調節器
V1、V2‧‧‧切換閥
V31~V35‧‧‧開合閥
V4a‧‧‧切換閥
V6a‧‧‧切換閥
W‧‧‧晶圓
5‧‧‧光阻液供給裝置
7(7a~7d)‧‧‧噴嘴
8a‧‧‧第1氣體供給管路
51‧‧‧處理液供給管路
51c‧‧‧排氣用管路
51a‧‧‧第1處理液供給管路
51b‧‧‧第2處理液供給管路
52a‧‧‧過濾裝置
52f‧‧‧過濾器
55‧‧‧回歸用管路
57‧‧‧供給控制閥
60‧‧‧光阻容器
61‧‧‧緩衝槽
61c‧‧‧排洩管路
61a‧‧‧上限液面感測器
61b‧‧‧下限液面感測器
62‧‧‧氣體供給源
70‧‧‧噴嘴單元
105‧‧‧感測器
200‧‧‧控制器
500‧‧‧光阻液供給系

【圖1】係顯示適用依本發明之液體處理裝置之塗布、顯影處理裝置連接曝光處理裝置之處理系統整體之概略俯視圖。【圖2】係上述處理系統之概略立體圖。【圖3】係依本發明之液體處理裝置之第1實施形態之構成圖。【圖4】係構成該液體處理裝置之泵之概略動作圖。【圖5】係構成該液體處理裝置之過濾裝置之縱剖側視圖。【圖6】係構成該液體處理裝置之光阻液供給系之動作之說明圖。【圖7】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖8】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖9】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖10】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖11】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖12】係顯示泵及過濾裝置之狀態之說明圖。【圖13】係顯示泵及過濾裝置之狀態之說明圖。【圖14】係顯示泵及過濾裝置之狀態之說明圖。【圖15】係顯示泵及過濾裝置之狀態之說明圖。【圖16】係顯示泵及過濾裝置之狀態之說明圖。【圖17】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖18】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖19】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖20】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖21】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖22】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖23】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖24】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖25】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖26】係用來使該光阻液供給系動作之控制器之判斷之流程圖。【圖27】係依另一液體處理裝置之光阻液供給系之構成圖。【圖28】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖29】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖30】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖31】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖32】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖33】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖34】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖35】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖36】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖37】係該光阻液供給系之動作之說明圖。【圖38】係依另一液體處理裝置之光阻液供給系之構成圖。【圖39】係依另一液體處理裝置之光阻液供給系之構成圖。【圖40】(a)、(b)係構成該液體處理裝置之除氣機構之構成圖。【圖41】係該液體處理裝置之光阻液供給系之動作之說明圖。【圖42】係顯示該除氣機構之配置例之說明圖。【圖43】係依另一液體處理裝置之光阻液供給系之構成圖。【圖44】係光阻液供給系之動作之說明圖。【圖45】係依另一液體處理裝置之光阻液供給系之構成圖。【圖46】係該光阻液供給系之構成圖。

P1‧‧‧供給泵

P2‧‧‧噴吐泵

R‧‧‧電子氣動調節器

V1、V2‧‧‧切換閥

V31~V35‧‧‧開合閥

V4a‧‧‧切換閥

V6a‧‧‧切換閥

W‧‧‧晶圓

5‧‧‧光阻液供給裝置

7(7a~7d)‧‧‧噴嘴

8a‧‧‧第1氣體供給管路

51‧‧‧處理液供給管路

51c‧‧‧排氣用管路

51a‧‧‧第1處理液供給管路

51b‧‧‧第2處理液供給管路

52a‧‧‧過濾裝置

55‧‧‧回歸用管路

57‧‧‧供給控制閥

60‧‧‧光阻容器

61‧‧‧緩衝槽

61c‧‧‧排洩管路

61a‧‧‧上限液面感測器

61b‧‧‧下限液面感測器

62‧‧‧氣體供給源

70‧‧‧噴嘴單元

105‧‧‧感測器

200‧‧‧控制器

500‧‧‧光阻液供給系

L‧‧‧光阻液

Claims

一種處理液供給裝置，包含：處理液供給源，供給用來處理被處理體之處理液；噴吐部，經由供給通道連接該處理液供給源，對被處理體噴吐該處理液；過濾裝置，設於該供給通道，以去除處理液中之異物；供給泵及噴吐泵，分別設於該供給通道中過濾裝置之一次側及二次側；及控制部，輸出控制信號，俾使用該供給泵及噴吐泵中至少一方，使由該處理液供給源供給之處理液減壓而除氣，接著使用該供給泵及噴吐泵，使經除氣之處理液自該過濾裝置之一次側經由該過濾裝置朝二次側通過。
如申請專利範圍第1項之處理液供給裝置，其中該控制部輸出控制信號，俾於該供給泵、過濾裝置及噴吐泵充滿處理液後，為使處理液減壓而除氣，將該供給泵至噴吐泵為止之空間確立為封閉之減壓空間，停止該供給泵及噴吐泵中一方之泵之驅動部的移動，令另一方之泵進行抽吸動作。
一種如申請專利範圍第1或2項之處理液供給裝置，其中於該噴吐泵之噴吐側與供給泵之吸入側之間設置循環通道，該控制部輸出控制信號，俾經減壓而除氣之處理液，自噴吐泵經由該循環通道回到供給泵。
一種如申請專利範圍第3項之處理液供給裝置，其中該控制部輸出控制信號，俾重複進行複數次下述步驟：使處理液減壓而除氣，接著使除氣之處理液自噴吐泵經由該循環通道回到供給泵，其次自過濾裝置之一次側朝二次側通過之一連串之步驟。
如申請專利範圍第2項之處理液供給裝置，其中該控制部輸出控制信號，俾經減壓而除氣之處理液，自噴吐泵經由該過濾裝置回到供給泵。
一種處理液供給裝置，包含：處理液供給源，供給用來處理被處理體之處理液；噴吐部，經由供給通道連接該處理液供給源，對被處理體噴吐該處理液；過濾裝置，設於該供給通道，以去除處理液中之異物；除氣機構，使由該處理液供給源供給之處理液除氣；及液體輸送用泵，用來使由該除氣機構除氣之處理液自該過濾裝置之一次側經由該過濾裝置朝二次側通過。
如申請專利範圍第6項之處理液供給裝置，其中該除氣機構包含使處理液減壓之減壓機構。
如申請專利範圍第7項之處理液供給裝置，其中該減壓機構，包含用來抽吸處理液以形成減壓空間之減壓用泵，設置控制部，輸出控制信號，俾關閉該減壓用泵之噴吐側，開啟吸入側，以進行吸入動作。
如申請專利範圍第8項之處理液供給裝置，其中該減壓用泵之吸入側，連接用來補集而排出氣泡之補集液體貯存部，該控制部輸出控制信號，俾關閉該減壓用泵之噴吐側，開啟吸入側以進行吸入動作，且使該減壓用泵至該補集液體貯存部之空間為減壓空間。
如申請專利範圍第9項之處理液供給裝置，其中該補集液體貯存部，連接該過濾裝置，該控制部輸出控制信號，俾關閉該減壓用泵之噴吐側，開啟吸入側以進行吸入動作，且使自該減壓用泵經由該補集液體貯存部至該過濾裝置為止之空間為減壓空間。
如申請專利範圍第8項之處理液供給裝置，其中該減壓用泵之吸入側，連接該過濾裝置，該控制部輸出控制信號，俾關閉該減壓用泵之噴吐側，開啟吸入側以進行吸入動作，且使該減壓用泵至該過濾裝置為止之空間為減壓空間。
如申請專利範圍第6至11項中任一項之處理液供給裝置，其中包含：循環通道，用來使該過濾裝置之二次側之處理液回到一次側而循環；及控制部，輸出控制信號，俾令由該除氣機構除氣之處理液於該循環通道循環。
如申請專利範圍第12項之處理液供給裝置，其中該除氣機構設於該循環通道中。
如申請專利範圍第8至11項中任一項之處理液供給裝置，其中包含：循環通道，用來使該過濾裝置之二次側之處理液回到一次側而循環；及控制部，輸出控制信號，俾令由該除氣機構除氣之處理液於該循環通道循環；且該液體輸送用泵，設於過濾裝置之二次側，該循環通道，連接在該液體輸送用泵之噴吐側與該過濾裝置之一次側之間，該液體輸送用泵兼作為該減壓用泵。
如申請專利範圍第12項之處理液供給裝置，其中該控制部輸出控制信號，俾使經除氣之處理液於循環通道循環複數次。
如申請專利範圍第6至11項中任一項之處理液供給裝置，其中包含：控制部，輸出控制信號，俾使由該除氣機構除氣之處理液自該過濾裝置之二次側經由該過濾裝置朝一次側通過，且使該送往一次側之處理液經由過濾裝置朝二次側通過。
如申請專利範圍第6至11項中任一項之處理液供給裝置，其中設置控制部，輸出控制信號，俾於自噴吐部噴吐該處理液後，經過預先設定之時間時，進行以該除氣機構使處理液除氣，及令處理液自該過濾裝置之一次側朝二次側通過。
一種處理液供給方法，使用來處理被處理體之處理液，在通過用來去除異物之過濾裝置之後，供給至被處理體，其特徵在於包含下列程序：使用分別設於過濾裝置之一次側及二次側的供給泵及噴吐泵中至少一方，令由處理液供給源供給之處理液減壓而除氣；接著使用該供給泵及噴吐泵，使經除氣之處理液自該過濾裝置之一次側經由該過濾裝置朝二次側通過；及其後，藉由該噴吐泵，將該過濾裝置之二次側之處理液經由噴吐部對被處理體噴吐。
如申請專利範圍第18項之處理液供給方法，其中該減壓而除氣之程序，係於該供給泵、過濾裝置及噴吐泵充滿處理液後，確立該供給泵至噴吐泵之空間為封閉之減壓空間，使該供給泵及噴吐泵中一方之泵之驅動部之移動停止，令另一方之泵進行抽吸動作的程序。
如申請專利範圍第18或19項之處理液供給方法，其中於該噴吐泵之噴吐側與供給泵之吸入側之間設置循環通道，該處理液供給方法包含下列程序：使經減壓而除氣之處理液，自噴吐泵經由該循環通道回到供給泵。
如申請專利範圍第20項之處理液供給方法，其中重複複數次下述步驟：使該處理液減壓而除氣，接著使除氣之處理液自噴吐泵經由該循環通道回到供給泵，其次於過濾裝置自一次側朝二次側通過之一連串之步驟。
如申請專利範圍第18或19項之處理液供給方法，其中包含下列程序：使經減壓而除氣之處理液，自噴吐泵經由該過濾裝置回到供給泵。
一種處理液供給方法，令用以處理被處理體之處理液，通過用來去除異物之過濾裝置後，而供給至被處理體，其特徵在於包含下列程序：以除氣機構使由處理液供給源送出之處理液除氣；接著使經除氣之處理液，以液體輸送用泵，自該過濾裝置之一次側經由該過濾裝置朝二次側通過；及令自該過濾裝置之一次側朝二次側通過之處理液，經由噴吐部對被處理體噴吐。
如申請專利範圍第23項之處理液供給方法，其中以除氣機構使該處理液除氣之程序，係為以減壓機構使處理液減壓之程序。
如申請專利範圍第24項之處理液供給方法，其中以減壓機構使該處理液減壓之程序，係將用來抽吸處理液以形成減壓空間之減壓用泵之噴吐側關閉，而開啟吸入側以該泵進行吸入動作之程序。
如申請專利範圍第25項之處理液供給方法，其中該減壓用泵之吸入側，連接用來補集而排出氣泡之補集液體貯存部，以減壓機構使該處理液減壓之程序，係將該減壓用泵之噴吐側關閉，而開啟吸入側以進行吸入動作，且確立自該減壓用泵至該補集液體貯存部為止之空間為封閉之減壓空間的程序。
如申請專利範圍第26項之處理液供給方法，其中該補集液體貯存部，連接該過濾裝置，以減壓機構使該處理液減壓之程序，係將該減壓用泵之噴吐側關閉，而開啟吸入側以進行吸入動作，且確立自該減壓用泵經由該補集液體貯存部至該過濾裝置為止之空間為封閉之減壓空間的程序。
如申請專利範圍第25項之處理液供給方法，其中該減壓用泵之吸入側，連接該過濾裝置，以減壓機構使該處理液減壓之程序，係將該減壓用泵之噴吐側關閉，而開啟吸入側以進行吸入動作，且確立由該減壓用泵至該過濾裝置為止之空間為封閉之減壓空間的程序。
如申請專利範圍第23至28項中任一項之處理液供給方法，其中使用用來使該過濾裝置之二次側之處理液回到一次側而循環之循環通道，使由該除氣機構除氣之處理液於該循環通道循環。
如申請專利範圍第29項之處理液供給方法，其中該除氣機構，設於該循環通道中。
如申請專利範圍第25至28項中任一項之處理液供給方法，其中於該液體輸送用泵之噴吐側與該過濾裝置之一次側之間連接循環通道，使用此循環通道使該過濾裝置之二次側之處理液回到一次側而循環，該液體輸送用泵兼作為該減壓用泵。
如申請專利範圍第23至28項中任一項之處理液供給方法，其中使由該除氣機構除氣之處理液，自該過濾裝置之二次側經由該過濾裝置朝一次側通過，令該送往一次側之處理液經由過濾裝置朝二次側通過。
如申請專利範圍第23至28項中任一項之處理液供給方法，其中於自噴吐部噴吐該處理液後，經過預先設定之時間時，進行以該除氣機構使處理液除氣，及令處理液自該過濾裝置之一次側朝二次側通過。