JP5524154B2

JP5524154B2 - 液処理装置及び液処理方法

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Publication number: JP5524154B2
Application number: JP2011196685A
Authority: JP
Inventors: 勇一吉田; 康治 ▲高▼▲柳▼
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2011-09-09
Filing date: 2011-09-09
Publication date: 2014-06-18
Anticipated expiration: 2031-09-09
Also published as: JP2013058655A

Description

この発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理体表面にレジスト液や現像液等の処理液を供給して塗布する液処理装置及び液処理方法に関する。

一般に、半導体デバイスの製造のフォトリソグラフィ技術においては、半導体ウエハやＦＰＤ基板等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。

このようなフォトリソグラフィ工程において、ウエハ等に供給されるレジスト液や現像液等の処理液には、様々な原因によって窒素ガス等の気泡や異物が混入しており、気泡や異物が混在した処理液がウエハ等に供給されると塗布ムラや欠陥が発生する虞がある。このため、処理液中に混在する気泡や異物を除去するための装置を処理液の管路に介設する。

従来、この種の装置として、処理液貯留槽に、処理液供給口と、処理液排出口と、排気口とを備え、処理液貯留槽における処理液供給口と処理液の供給源とを接続する処理液の供給路と、処理液貯留槽における処理液排出口と基板処理装置とを接続する処理液の排出路と、処理液貯留槽における排気口と減圧機構としての排気ポンプとを接続する排気路とを備える脱気装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

この脱気装置においては、処理液の供給源から供給された処理液を、一旦、処理液貯留槽に貯留し、その後、排気ポンプの作用により処理液貯留槽内を減圧することにより、処理液貯留槽に貯留された処理液中から気体成分を除去する。

また、ポンプの上流側に、レジスト液を貯留するためのバッファタンクを設け、バッファタンク内に所定量のレジスト液が貯留された際に、配管開閉弁を開いてバッファタンク内を減圧し、レジスト液内混入気体が分岐管を介して配管に排出する薬液供給システムが知られている（例えば、特許文献２参照）。

この薬液供給システムにおいては、バッファタンクの下流側にレジスト液を吸引して圧送するためのポンプが設けられ、更にその下流側にフィルタが設けられる。

特開２００４−１２２０６６号公報特開２０００−１１４１５４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の脱気装置においては、レジスト液や現像液等の処理液に混入する気泡が５０μｍ以下のマイクロバブルになると気泡の浮力が小さく、処理液貯留槽に貯留された処理液の上層に浮上しなくなるので、上層以外の処理液中のマイクロバブルを除去できない懸念がある。

また、特許文献２に記載の薬液供給システムにおいても、特許文献１に記載のものと同様に、バッファタンク内の上層以外に貯留されたレジスト液に混入する５０μｍ以下のマイクロバブルを除去することができない懸念がある。

更に、特許文献２に記載のものにおいては、バッファタンクの下流側に設けられたフィルタでは、レジスト液吐出ノズルからのレジスト液の吐出に対応した単位時間当たりの濾過量にてレジスト液が濾過される。このため、レジスト液中に混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートにて濾過されていない懸念があり、フィルタにてレジスト液中に混在する異物や気泡が除去されない虞がある。

この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、処理液中の異物を除去する清浄性能と、処理液中に混入している気泡を除去する脱気性能を同時に向上させることができる液処理装置及び液処理方法を提供することを目的とするものである。

上記課題を解決するために、この発明の液処理装置は、処理液供給源に第１管路を介して接続する一時貯留容器と、上記一時貯留容器に第２管路を介して接続され、被処理基板に処理液を吐出する供給ノズルと、上記第２管路に介設され、上記一時貯留容器から上記第２管路を介して上記供給ノズルに処理液を供給する吐出用ポンプと、上記一時貯留容器内を負圧にして、上記一時貯留容器内の処理液内に混入した気泡を排出するための脱気機構と、上記一時貯留容器内に形成され、上記処理液供給源から上記第１管路を介して供給される処理液を貯留可能な流入槽と、上記一時貯留容器内に形成され、上記流入槽からオーバーフローした処理液を貯留すると共に、上記第２管路に接続する流出槽と、上記流出槽と上記第１管路を接続する第３管路と、上記第１管路と上記第３管路の接続部に介設され、上記流入槽と、上記処理液供給源側又は上記流出槽側との連通を選択的に切り換え可能な切換弁と、上記切換弁の二次側の上記第１管路に介設され、上記処理液供給源から上記第１管路を介して上記流入槽への処理液の供給と、上記流出槽から上記第３管路及び上記第１管路を介して上記流入槽への処理液の供給を行う供給・循環用ポンプと、上記第３管路もしくは上記切換弁の二次側の上記第１管路の少なくともいずれか一方に介設され、処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、を具備する、ことを特徴とする（請求項１）。

この場合、上記供給・循環用ポンプは、上記流出槽から上記第３管路及び上記第１管路を介して上記流入槽への処理液の供給を行う際、上記フィルタにおける処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するために適した単位時間当たりの濾過量を、処理液の単位時間当たりの供給量として供給する方がよい。この場合、フィルタにおける処理液の単位時間当たりの濾過量をフィルトレーションレートといい、供給・循環用ポンプの処理液の単位時間当たりの供給量を供給レートという。

この場合、上記供給・循環用ポンプは、処理液の単位時間当たりの供給量が調整可能に形成され、上記切換弁及び上記供給・循環用ポンプを制御する制御部を更に具備し、上記制御部は、上記切換弁を制御して、上記流入槽と、上記処理液供給源側又は上記流出槽側との連通を選択的に切り換えると共に、上記供給・循環用ポンプを制御して、上記流入槽と、上記処理液供給源側又は上記流出槽との連通毎に処理液の単位時間当たりの供給量を変更する方が好ましい（請求項２）。

また、この発明の液処理装置は、処理液供給源に第１管路を介して接続する一時貯留容器と、上記一時貯留容器に第２管路を介して接続され、被処理基板に処理液を吐出する供給ノズルと、上記第２管路に介設され、上記一時貯留容器から上記第２管路を介して上記供給ノズルに処理液を供給する吐出用ポンプと、上記一時貯留容器内を負圧にして、上記一時貯留容器内の処理液内に混入した気泡を排出するための脱気機構と、上記一時貯留容器内に形成され、上記処理液供給源から上記第１管路を介して供給される処理液を貯留可能な流入槽と、上記一時貯留容器内に形成され、上記流入槽からオーバーフローした処理液を貯留すると共に、上記第２管路に接続する流出槽と、上記流出槽と上記流入槽を接続する循環管路と、上記第１管路に介設され、上記処理液供給源から上記第１管路を介して上記流入槽に処理液を供給する供給用ポンプと、上記循環管路に介設され、上記流出槽から上記循環管路を介して上記流入槽に処理液を供給する循環用ポンプと、を具備する、ことを特徴とする（請求項３）。
この場合、上記循環管路に介設され、処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタを更に具備するのが好ましい（請求項４）。

この発明において、上記一時貯留容器内の上記流入槽と上記流出槽の間に、処理液を貯留可能な中間槽が配置され、上記中間槽は、上記流入槽からオーバーフローした処理液を貯留すると共に、上記中間槽からオーバーフローした処理液が上記流出槽に貯留する方が好ましい（請求項９）。

この発明において、上記一時貯留容器に、上記一時貯留容器内の処理液を加熱するための加熱部を備える構造としてもよい（請求項６）。

この発明において、上記一時貯留容器に、上記一時貯留容器内の処理液を超音波振動させる超音波発生部を備える構造としてもよい（請求項７）。

この発明の液処理方法は、請求項１記載の液処理装置を具現化するもので、処理液供給源に貯留された処理液を、供給・循環用ポンプにより、第１管路を介して一時貯留容器内に形成される流入槽に供給し、上記一時貯留容器内を脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記一時貯留容器内に形成される流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する供給工程と、上記流出槽に貯留された処理液を、上記供給・循環用ポンプにより、上記第１管路に接続する第３管路及び上記第１管路を介して、処理液を濾過して異物を除去すると共に処理液中に混入している気泡を除去するフィルタを通して上記流入槽に供給し、上記一時貯留容器内を上記脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する循環工程と、上記流入槽と、上記処理液供給源側又は上記流出槽側との連通を、上記第１管路と上記第３管路の接続部に介設される切換弁により選択的に切り換え、上記供給工程又は上記循環工程のいずれか一方の実行を選択する切換工程と、上記流出槽に貯留された処理液を、吐出用ポンプにより、第２管路を介して被処理基板に処理液を吐出する供給ノズルに供給する吐出工程と、を具備する、ことを特徴とする（請求項８）。

また、この発明の基板の液処理方法は、請求項５記載の液処理装置を具現化するもので、処理液供給源に貯留された処理液を、供給用ポンプにより、第１管路を介して一時貯留容器内に形成される流入槽に供給し、上記一時貯留容器内を脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記一時貯留容器内に形成される流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する供給工程と、上記流出槽に貯留された処理液を、循環用ポンプにより、循環管路を介して上記流入槽に供給し、上記一時貯留容器内を上記脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する循環工程と、上記流出槽に貯留された処理液を、吐出用ポンプにより、第２管路を介して被処理基板に処理液を吐出する供給ノズルに供給する吐出工程と、を具備する、ことを特徴とする（請求項９）。
この場合、上記循環工程は、上記流出槽に貯留された処理液を濾過して異物を除去すると共に処理液中に混入している気泡を除去するフィルタを通して上記流出槽に供給する方がよい（請求項１０）。

この場合、上記供給工程又は上記循環工程の少なくともいずれか一方を、上記吐出工程と同時に実行する方がよい（請求項１１）。

この発明において、上記一時貯留容器内の上記流入槽と上記流出槽の間に、処理液を貯留可能な中間槽が配置され、上記供給工程及び上記循環工程において、上記一時貯留容器内を脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記中間槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去すると共に、上記中間槽から上記流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する方が好ましい（請求項１２）。

請求項１，８記載の発明によれば、一時貯留容器内において、脱気機構による負圧下で、処理液は流入槽から流出槽にオーバーフローにより流通して、処理液が空気層付近を流通して空気に触れることができるので、浮力が小さい例えば５０μｍ以下のマイクロバブルであっても処理液から脱気することができる。また、処理液を、流出槽から第３管路及び第１管路を介して流入槽へ供給することにより循環させ、流入槽から流出槽へのオーバーフローと、フィルタによる濾過を繰り返すことにより、処理液中に混入している異物や気泡の除去の精度を高めることができる。

請求項１１記載の発明によれば、供給工程又は循環工程のいずれか一方を、吐出工程と同時に実行することにより、処理時間を短縮化することができる。

請求項２記載の発明によれば、流入槽と処理液供給源側とが連通する場合の供給レートから調整して、流入槽と流出槽とが連通する場合の供給レートを、処理液中に混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートに合わせることができる。

請求項３，９記載の発明によれば、一時貯留容器内において、脱気機構による負圧下で、処理液は流入槽から流出槽にオーバーフローにより流通して、処理液が空気層付近を流通して空気に触れることができるので、浮力が小さい例えば５０μｍ以下のマイクロバブルであっても処理液から脱気することができる。更に、処理液を、流出槽から循環管路を介して流入槽へ供給することにより循環させ、流入槽から流出槽へのオーバーフローを繰り返すことにより、処理液中に混入している異物や気泡の除去の精度を高めることができる。この場合、フィルタによる濾過を繰り返すことにより、更に処理液中に混入している異物や気泡の除去の精度を高めることができる。

また、第１管路と独立した循環管路を設けることにより、流出槽から循環管路を介して流入槽に処理液を供給して行う処理液の循環と、処理液供給源から第１管路を介して流入槽に処理液を供給して行う処理液の供給と、を同時に行うことができるため、処理時間を短縮化することができる。

請求項１１記載の発明によれば、供給工程又は循環工程の少なくともいずれか一方を、吐出工程と同時に実行することにより、処理時間を短縮化することができる。

請求項５，１２記載の発明によれば、オーバーフロー回数の増加により、処理液が空気層付近を流通して空気に触れることができる回数が増えるので、更に浮力が小さい５０μｍ以下のマイクロバブルを処理液から脱気することができる。

請求項６記載の発明によれば、処理液を加熱部により加熱して、この処理液に含まれる気泡の体積を増加して浮力を増加させることができるため、脱気を促進することができる。

請求項１１記載の発明によれば、一時貯留容器内の処理液に超音波振動を与えて撹拌することで、処理液内の気泡の移動を促進させ、脱気を促進することができる。

この発明の液処理装置によれば、処理液を循環させ、流入槽から流出槽へのオーバーフローと、処理液中に混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートで行われるフィルタによる濾過を繰り返すことにより、処理液中に混入している異物や気泡の除去の精度を高めることができるため、処理液中の異物を除去する清浄性能と、処理液中に混入している気泡を除去する脱気性能を同時に向上させることができる。

この発明に係る液処理装置を適用した塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムの全体を示す概略斜視図である。上記処理システムの概略平面図である。上記液処理装置の構成を示す概略断面図である。上記液処理装置の要部を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図（ｂ）である。第２実施形態の液処理装置の要部を示す概略断面図である。第３実施形態の液処理装置の要部を示す概略断面図である。第４実施形態の液処理装置の要部を示す概略断面図である。第５実施形態の液処理装置の要部を示す概略断面図である。第６実施形態の液処理装置の要部を示す概略断面図である。

以下、この発明の実施形態について、添付図面に基づいて説明する。ここでは、この発明に係る液処理装置（レジスト液処理装置）を塗布・現像処理装置に適用した場合について説明する。

上記塗布・現像処理装置は、図１及び図２に示すように、基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を複数枚例えば２５枚密閉収納するキャリア１０を搬出入するためのキャリアステーション１と、このキャリアステーション１から取り出されたウエハＷにレジスト塗布，現像処理等を施す処理部２と、ウエハＷの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハＷの表面を液浸露光する露光部４と、処理部２と露光部４との間に接続されて、ウエハＷの受け渡しを行うインターフェース部３とを具備している。

キャリアステーション１は、キャリア１０を複数個並べて載置可能な載置部１１と、この載置部１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。

インターフェース部３は、処理部２と露光部４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにて構成されており、それぞれに第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂが設けられている。

また、キャリアステーション１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部２が接続されており、この処理部２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び液処理ユニットＵ４，Ｕ５の各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３が交互に配列して設けられている。また、主搬送手段Ａ２，Ａ３は、キャリアステーション１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２１により囲まれる空間内に配置されている。また、キャリアステーション１と処理部２との間、処理部２とインターフェース部３との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット２２が配置されている。

棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット（図示せず）、ウエハＷを冷却する冷却ユニット（図示せず）等が含まれる。また、ウエハＷに所定の処理液を供給して処理を行う液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部の上に反射防止膜を塗布する反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３，ウエハＷにレジスト液を塗布する塗布ユニット（ＣＯＴ）２４、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）２５等を複数段例えば５段に積層して構成されている。塗布ユニット（ＣＯＴ）２４は、この発明に係るレジスト液処理装置を具備する。

上記のように構成される塗布・現像処理装置におけるウエハの流れについて一例について、図１及び図２を参照しながら簡単に説明する。まず、例えば２５枚のウエハＷを収納したキャリア１０が載置部１１に載置されると、開閉部１２と共にキャリア１０の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そして、ウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われた後、塗布ユニットＣＯＴにてレジスト液が塗布される。次いで、主搬送手段Ａ２によりウエハＷは棚ユニットＵ１〜Ｕ３の一の棚をなす加熱ユニットで加熱（ベーク処理）され、更に冷却された後棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェース部３へと搬入される。このインターフェース部３において、第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂの第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂによって露光部４に搬送され、ウエハＷの表面に対向するように露光手段（図示せず）が配置されて露光が行われる。露光後、ウエハＷは逆の経路で主搬送手段Ａ２まで搬送され、現像ユニットＤＥＶにて現像されることでパターンが形成される。しかる後ウエハＷは載置部１１上に載置された元のキャリア１０へと戻される。

次に、この発明の第１実施形態に係るレジスト液処理装置について説明する。この発明に係るレジスト液処理装置は、主に、図３，図４（ａ）に示すように、処理液供給源であるレジスト容器１３に第１管路２６を介して接続する一時貯留容器４０と、一時貯留容器４０に第２管路２７を介して接続され、被処理基板（ウエハＷ）に処理液であるレジスト液Ｒを吐出する供給ノズル６と、第２管路２７に介設される吐出用ポンプＰ１と、を備える。

この場合、一時貯留容器４０は、一時貯留容器４０内に、流入槽４１と、中間槽４２と、流出槽４３が形成されており、その上部には一時貯留容器４０内を負圧にするための脱気機構３２が接続される。

また、流出槽４３と第１管路２６は、第３管路２８によって接続されており、その接続部には、連通を選択的に切り換え可能な切換弁３１が介設される。切換弁３１の二次側の第１管路２６には、供給・循環用ポンプＰ２が介設され、第３管路２８にはフィルタ５０が介設される。

上記レジスト容器１３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５の収納部１４に載置されており（図１参照）、レジスト容器１３内に貯留されたレジスト液Ｒは、加圧源１６の加圧により第１管路２６を介してリキッドエンドタンク（ＬＥタンク１７）に向けてレジスト液Ｒを圧送する。この場合、加圧源１６とレジスト容器１３を接続する加圧管路１５には、レジスト容器１３内の圧力を大気圧に回復可能な電磁式の切換弁１５ａが介設されている。また、第１管路２６のレジスト容器１３とＬＥタンク１７との間には電磁式の開閉弁１３ａが介設されている。

ＬＥタンク１７は、レジスト液Ｒを一時貯留可能な容器であって、気液分離機能のほか、レジスト容器１３から供給されるレジスト液Ｒが無くなった場合でも、ＬＥタンク１７内に貯留されているレジスト液ＲをウエハＷに供給する間に、レジスト容器１３を交換することができるため、予備容器としての役割を果たす。ＬＥタンク１７の上部には、ＬＥタンク１７内の雰囲気を排気するためのドレイン管１７ａが設けられ、ドレイン管１７ａには電磁式の開閉弁１７ｂが介設されている。

図３に示すように、レジスト容器１３とＬＥタンク１７を接続する第１管路２６は、更にＬＥタンク１７と一時貯留容器４０を接続する。これにより、レジスト容器１３と一時貯留容器４０は、第１管路２６を介して接続される。また、ＬＥタンク１７の二次側の第１管路２６には、後述する第３管路２８との接続部に電磁式の切換弁３１が介設されており、流入槽４１とレジスト容器１３側又は第三管路２８を介した流出槽４３側との連通を選択的に切り換えることができる。

更に、切換弁３１の二次側の第１管路２６には、供給・循環用ポンプＰ２が介設されており、切換弁３１の連通の切り換えにより、レジスト容器１３から第１管路２６を介して流入槽４１へのレジスト液Ｒの供給と、流出槽４３から第３管路２８及び第１管路２６を介して流入槽４１へのレジスト液Ｒの供給を行うことができる。

供給・循環用ポンプＰ２は、例えば、吐出ストロークを代えることで供給レートを調節可能なベローズポンプ又はダイアフラムポンプで構成されている。供給・循環用ポンプＰ２は、制御部１００の入力部（図示せず）から、後述するレジスト液Ｒの供給時、レジスト液Ｒの循環時のそれぞれの供給レートが設定可能であり、作業者は、例えば使用されるフィルタの種類、濾過される処理液の種類、要求される濾過の精度等を考慮してレジスト液Ｒの循環時の供給レートを設定することができる。このように供給・循環用ポンプＰ２の供給レートを調整可能に形成することにより、流出槽４３から第３管路２８及び第１管路２６を介して流入槽４１へ供給されるレジスト液Ｒの供給レートを、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートに合わせて設定することができる。また、レジスト容器１３から第１管路２６を介して流入槽４１へ供給されるレジスト液Ｒの供給レートを調整することにより、一時貯留容器４０内にレジスト液Ｒを短時間で貯留することができる。

一時貯留容器４０は、図４（ａ），（ｂ）に示すように、有底状の筒体４４と、筒体の上部を塞ぐ蓋体４６と、筒体４４内に嵌合される有底筒状のカスケード容器４５から主に形成される。カスケード容器４５には、カスケード容器４５内の空間を縦に３区画に仕切るように、第１壁体４５ａ及び第２壁体４５ｂが形成されている。この場合、第１壁体４５ａの高さは、第２壁体４５ｂより高く形成される。

この場合、カスケード容器４５の壁面と底面と第１壁体４５ａで仕切られた空間が、一時貯留容器４０内に形成され、レジスト容器１３から第１管路２６を介して供給されるレジスト液Ｒを貯留可能な流入槽４１を形成する。また、カスケード容器４５の壁面と底面と第１壁体４５ａと第２壁体４５ｂで仕切られた空間が、一時貯留容器４０内に形成され、流入槽４１からオーバーフローしたレジスト液Ｒを貯留する中間槽４２を形成する。更に、カスケード容器４５の壁面と底面と第２壁体４５ｂで仕切られた空間が、一時貯留容器４０内に形成され、中間槽４２からオーバーフローしたレジスト液Ｒを貯留すると共に、第２管路２７に接続する流出槽４３を形成する。

また、蓋体４６には第１管路２６を接続するための挿入孔４６ａ、第３管路２８を接続するための挿入孔４６ｂ及び後述する脱機機構３２の排気管３３を接続するための挿入孔４６ｃが形成されており、筒体４４及びカスケード容器４５の側壁には、第２管路２７と流出層４３を接続するための挿入孔４４ａが連通して形成されている。図４（ａ）に示すように、第１管路２６の供給口２６ａは、流入槽４１の下層に配置される。また、第２配管２７の吸引口２７ａ及び、第３配管２８の吸引口２８ａは、後述する下限センサ３５ａより下部に配置される。

また、一時貯留容器４０には、図４（ａ），（ｂ）に示すように、流出槽４３に貯留されるレジスト液Ｒの液面の位置を検出する液面検出センサ３５が設けられている。この場合、液面検出センサ３５は例えば投光と受光で判定する反射型の光センサにより形成され、レジスト液Ｒが流出槽４３の下限位置であることを検出する下限センサ３５ａと、レジスト液Ｒが流出槽４３の上限位置であることを検出する上限センサ３５ｂからなる。下限センサ３５ａ及び上限センサ３５ｂは、検出した検出信号を後述する制御部１００に送信する。

図３，図４（ａ）に示すように、一時貯留容器４０の流出槽４３には、第３管路２８の一端が接続されており、他端は第１管路２６に介設された切換弁３１に接続されている。このように構成することにより、流出槽４３から第３管路２８及び第１管路２６を介して流入槽４１へ供給して行うレジスト液Ｒの循環のための経路を形成することができる。

図３，図４（ａ）に示すように、第３管路２８には、フィルタ５０が介設されている。フィルタ５０は、レジスト液Ｒを濾過して異物を除去すると共に、レジスト液Ｒ中に混入している気泡を除去することができる。フィルタ５０の上部には、フィルタ５０内の雰囲気を排気するためのドレイン管５０ａが設けられ、ドレイン管５０ａには電磁式の開閉弁５０ｂが介設されている。

図３，図４（ａ）に示すように、一時貯留容器４０には、一時貯留容器４０内を負圧にして、一時貯留容器４０内のレジスト液Ｒ内に混入した気泡を排出するための脱気機構３２が設けられている。脱気機構３２は、上述した挿入孔４６ｃに挿入される排気管３３と、排気管３３を介して一時貯留容器４０と接続される排気用ポンプＤと、一時貯留容器４０と排気用ポンプＤの間の排気管３３に介設され、一時貯留容器４０内の圧力を大気圧に回復可能な電磁式の切換弁３４と、切換弁３４の二次側に介設され、一時貯留容器４０内の負圧を調整可能な電磁式の絞り弁３６と、から主に構成されている。

図３に示すように、一時貯留容器４０の流出槽４３には、第２管路２７の一端が接続されており、他端はウエハＷにレジスト液Ｒを吐出する供給ノズル６に接続されている。第２管路２７には、吐出側フィルタ９が介設されており、レジスト液Ｒを濾過して異物を除去すると共に、レジスト液Ｒ中に混入している気泡を除去することができる。吐出側フィルタ９の上部には、吐出側フィルタ９内の雰囲気を排気するためのドレイン管９ａが設けられ、ドレイン管９ａには電磁式の開閉弁９ｂが介設されている。

また、吐出側フィルタ９の二次側の第２管路２７には、吐出用ポンプＰ１が介設されており、一時貯留容器４０から第２管路を介して供給ノズル６にレジスト液Ｒの供給を行うことができる。更に、吐出用ポンプＰ１の二次側の第２管路２７には、開閉バルブ７及びサックバックバルブ８が介設されている。

図３に示すように、供給ノズル６は、塗布ユニットＣＯＴ内に配設されるスピンチャック５に水平保持されたウエハＷにレジスト液Ｒを吐出する。

図３，図４（ａ）に示すように、上述した切換弁１５ａ、３１、３４，開閉弁９ｂ、１３ａ、１７ｂ、５０ｂ，絞り弁３６，開閉バルブ７，サックバックバルブ８，吐出用ポンプＰ１及び供給・循環用ポンプＰ２は、制御部１００と電気的に接続されており、制御部１００からの制御信号に基づいて、切換動作，開閉動作，絞り動作及び吐出ストロークが行われるようになっている。

次に、上記レジスト液処理装置の動作態様について説明する。

◎循環工程について
循環工程では、流出槽４３に貯留されたレジスト液Ｒを、供給・循環用ポンプＰ２により、第１管路２６に接続する第３管路２８及び第１管路２６を介して、フィルタ５０を通して流入槽４１に供給し、一時貯留容器４０内を脱気機構３２により負圧にして、流入槽４１から、流出槽４３にオーバーフローしたレジスト液Ｒに混入している気泡を除去する。

レジスト液Ｒがレジスト容器１３から一時貯留容器４０に供給され、一時貯留容器４０内の流出槽４３に順次貯留されると（供給工程）、上限センサ３５ｂはレジスト液Ｒの液面が流出槽４３の上限位置であることを検出し、信号を制御部１００に送信する。制御部１００は、上限センサ３５ｂの検出した検出信号を受け、切換弁３１を制御して流入槽４１と流出槽４３との連通に切り換え（切換工程）、流出槽４３に貯留されたレジスト液Ｒを、供給・循環用ポンプＰ２により、第３管路２８及び第１管路２６を介して、フィルタ５０を通して流入槽４１に供給する。この切換工程により供給工程が停止すると共に、循環工程が開始する。

この際、制御部１００は、切換弁３１を制御すると共に、供給・循環用ポンプＰ２を制御して、レジスト液Ｒの供給レートを変更する。この変更により、供給・循環用ポンプＰ２は、流出槽４３から第３管路２８及び第１管路２６を介して流入槽４１へのレジスト液Ｒの供給を行う際、フィルタ５０におけるレジスト液Ｒを濾過して異物を除去すると共に、レジスト液Ｒ中に混入している気泡を除去するために適したフィルトレーションレートを、供給レートとして供給する。

このため、第３管路２８に介設されたフィルタ５０により、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートにてレジスト液Ｒを濾過することができるため、フィルタ５０により効率良くレジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡を除去することができる。

また、切換弁３１を制御すると共に、供給・循環用ポンプＰ２を制御して、レジスト液Ｒの供給レートを変更することにより、上述した好適なフィルトレーションレートとは関係なく、流入槽４１とレジスト容器１３側とが連通する場合のレジスト液Ｒの供給レートを設定することができる。よって、一時貯留容器４０内へのレジスト液Ｒの供給を効率的に行うことができる。

第３管路２８を流通し、フィルタ５０により、混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートにて濾過されたレジスト液Ｒは、第１管路２６を介して、一時貯留容器４０内の流入槽４１に供給される。そして、流入槽４１にレジスト液Ｒが供給されると、流入槽４１からレジスト液Ｒが溢れて中間槽４２にオーバーフローする。一時貯留容器４０内は、排気用ポンプＤにより負圧にされており、レジスト液Ｒは流入槽４１から中間槽４２にオーバーフローにより流通して、レジスト液Ｒが空気層付近を流通して空気に触れることができるので、浮力が小さい５０μｍ以下のマイクロバブルであってもレジスト液Ｒから脱気される。

次に、流入槽４１からのオ−バーフローにより中間槽４２にレジスト液Ｒが供給されると、中間槽４２からレジスト液Ｒが溢れて流出槽４３にオーバーフローする。中間槽４２から流出槽４３へのオーバーフローにおいても、レジスト液Ｒが空気層付近を流通して空気に触れることができるので、浮力が小さい５０μｍ以下のマイクロバブルであってもレジスト液Ｒから脱気することができる。このように、オーバーフロー回数を２回設けることにより、レジスト液Ｒが空気層付近を流通して空気に触れることができる回数が増えるので、更に浮力が小さい５０μｍ以下のマイクロバブルをレジスト液Ｒから脱気することができる。

中間槽４２からのオ−バーフローにより流出槽４３に供給されたレジスト液Ｒは、再び第３管路２８の吸引口２８ａから吸引される。これにより、レジスト液Ｒを、流出槽４３から第３管路２８及び第１管路２６を介して流入槽４１へ供給することにより循環させ、流入槽４１から流出槽４３へのオーバーフローと、フィルタ５０による濾過を繰り返すことにより、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡の除去の精度を高めることができる。上述した循環工程は後述する吐出工程が開始するまで継続して実行される。

上述した循環工程の実行中は、流出槽４３に貯留されたレジスト液Ｒを、吐出用ポンプＰ１により、第２管路２７を介してウエハＷにレジスト液Ｒを吐出する供給ノズル６に供給する吐出工程を停止してもよいが、第１実施形態に係るレジスト液処理装置は、循環工程と吐出工程を同時に行うことができる。なぜならば、循環工程と吐出工程は、協働して実行されるのではなく、それぞれ独立して実行されるからである。このように循環工程と吐出工程を同時に行うことにより、処理時間を短縮化することができる。したがって、制御部１００は、循環工程を実行中であっても、第２管路２７を介して供給ノズル６にレジスト液Ｒを供給する吐出用ポンプＰ１を制御して、供給ノズル６からウエハＷにレジスト液Ｒを吐出する吐出工程を実行することができる。

なお、吐出工程が実行される際には、制御部１００は、脱機機構３２の排気管３３を介設される絞り弁３６を制御し、一時貯留容器４０内の負圧を調整してもよい。このように構成することにより、ウエハＷへの供給ノズル６からのレジスト液の吐出時に、供給ノズル６からウエハＷに吐出されるレジスト液Ｒに、一時貯留容器４０内の負圧による吸引力が発生するのを防止することができる。

◎供給工程について
供給工程では、レジスト容器１３に貯留されたレジスト液Ｒを、供給・循環用ポンプＰ２により、第１管路２６を介して一時貯留容器４０内に形成される流入槽４１に供給し、一時貯留容器４０内を脱気機構３２により負圧にして、流入槽４１から、一時貯留容器４０内に形成される流出槽４３にオーバーフローしたレジスト液Ｒに混入している気泡を除去する。

ウエハＷへのレジスト液Ｒの塗布処理（吐出工程）が繰り返されると、下限センサ３５ａはレジスト液Ｒの液面が流出槽４３の下限位置であることを検出し、信号を制御部１００に送信する。制御部１００は、下限センサ３５ａの検出した検出信号を受け、切換弁３１を制御して流入槽４１とレジスト容器１３との連通に切り換え（切換工程）、レジスト容器１３に貯留されたレジスト液Ｒを、供給・循環用ポンプＰ２により、第１管路２６を介して流入槽４１に供給する。この切換工程により循環工程が停止すると共に、供給工程が開始する。

この際、制御部１００は、切換弁３１を制御すると共に、供給・循環用ポンプＰ２を制御して、レジスト液Ｒの供給レートを変更する。供給レートは、流出槽４３の上限位置までレジスト液Ｒを貯留するための供給レートであって、上述したレジスト液Ｒの循環の際の供給レートより大きく設定してある。

流入槽４１にレジスト液Ｒが供給されると、上述したレジスト液Ｒの循環と同様に、流入槽４１からレジスト液Ｒが溢れて中間槽４２、次いで流出槽４３にオーバーフローする。一時貯留容器４０内は、排気用ポンプＤにより負圧にされており、レジスト液Ｒは流入槽４１から中間槽４２及び中間槽４２から流出槽４３にオーバーフローにより流通して、レジスト液Ｒが空気層付近を流通して空気に触れることができるので、浮力が小さい５０μｍ以下のマイクロバブルであってもレジスト液Ｒから脱気される。

流出槽４３の上限位置までレジスト液Ｒが貯留されると、上述したように上限センサ３５ｂが液面を検出し、制御部１００は上限センサ３５ｂの検出した検出信号を受け、切換弁３１の連通を切り換える（切換工程）。この切換工程により供給工程が停止すると共に、循環工程が再度開始する。

このように、制御部１００は、下限センサ３５ａの検出した検出信号を受け、切換弁３１を制御して流入槽４１とレジスト容器１３側との連通に切り換え、上限センサ３５ｂの検出した検出信号を受け、切換弁３１を制御して流入槽４１と流出槽４３側との連通に切り換えることにより、一時貯留容器４０内のレジスト液Ｒの貯留量を常に最適な状態にすることができる。

上述した供給工程の実行中は、吐出工程を停止してもよいが、第１実施形態に係るレジスト液処理装置は、供給工程と吐出工程を同時に実行することができる。なぜならば、供給工程と吐出工程は、協働して実行されるのではなく、それぞれ独立して実行されるからである。このように供給工程と吐出工程を同時に行うことにより、処理時間を短縮化することができる。したがって、制御部１００は、供給工程を実行中であっても、第２管路２７を介して供給ノズル６にレジスト液Ｒを供給する吐出用ポンプＰ１を制御して、供給ノズル６からウエハＷにレジスト液Ｒを吐出することができる。

上述した第１実施形態におけるレジスト液処理装置によれば、レジスト液Ｒを、流出槽４３から第３管路２８及び第１管路２６を介して流入槽４１へ供給することにより循環させ、流入槽４１から中間槽４２へのオーバーフロー及び中間槽４２から流出槽４３へのオーバーフローと、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートで行われるフィルタ５０による濾過を繰り返すことにより、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡の除去の精度を高めることができるため、レジスト液Ｒ中の異物を除去する清浄性能と、レジスト液Ｒ中に混入している気泡を除去する脱気性能を同時に向上させることができる。

なお、上記第１実施形態では、第２管路２７に、吐出側フィルタ９を介設したが、吐出側フィルタ９はなくてもよい。上述した循環工程において、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡の除去を行うことができるからである。

また、第２管路２７にレジスト液Ｒ中の異物や気泡を検出するパーティクルカウンター（図示せず）を介設してもよい。この場合、制御部１００は、パーティクルカウンターの検出した検出信号を受け、レジスト液処理装置を停止させてもよい。

また、上記第１実施形態では、一時貯留容器４０内の流入槽４１と流出槽４３の間に、レジスト液Ｒを貯留可能な中間槽４２を配置したが、中間槽４２はなくてもよい。このように構成しても、レジスト液Ｒは流入槽４１から流出槽４３にオーバーフローにより流通して、レジスト液Ｒが空気層付近を流通して空気に触れることができるので、浮力が小さい５０μｍ以下のマイクロバブルであってもレジスト液Ｒから脱気することができるため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

＜第２実施形態＞
上述した第１実施形態では、一時貯留容器４０内の流入槽４１と流出槽４３の間に、レジスト液Ｒを貯留可能な中間槽４２を配置したが、中間槽を複数配置し、流入槽側の中間槽から、流出槽側の上記中間槽にオーバーフローしたレジスト液Ｒが順次貯留してもよい。例えば、図５に示すように、複数例えば３つの中間槽である第１中間槽６２Ａ，第２中間槽６２Ｂ，第３中間槽６２Ｃを配置し、流入槽６１側の第１中間槽６２Ａから、流出槽６３側の第２，第３中間槽６２Ｂ，６２Ｃにオーバーフローしたレジスト液Ｒが順次貯留してもよい。

第２実施形態における、一時貯留容器６０は、図５に示すように、有底状の筒体６４と、筒体６４の上部を塞ぐ蓋体６６と、筒体６４内に嵌合される有底筒状のカスケード容器６５から主に形成される。カスケード容器６５には、カスケード容器６５内の空間を縦に５区画に仕切るように、第１壁体６５ａ，第２壁体６５ｂ，第３壁体６５ｃ，第４壁体６５ｄが形成されている。この場合、壁体の高さは、第１壁体６５ａ，第２壁体６５ｂ，第３壁体６５ｃ，第４壁体６５ｄの順に低く形成される。

この場合、カスケード容器６５の壁面と底面と第１壁体６５ａで仕切られた空間が、流入槽６１を形成する。また、カスケード容器６５の壁面と底面と第１壁体６５ａと第２壁体６５ｂで仕切られた空間が、第１中間槽６２Ａを形成する。カスケード容器６５の壁面と底面と第２壁体６５ｂと第３壁体６５ｃで仕切られた空間が、第２中間槽６２Ｂを形成する。カスケード容器６５の壁面と底面と第３壁体６５ｃと第４壁体６５ｄで仕切られた空間が、第３中間槽６２Ｃを形成する。更に、カスケード容器６５の壁面と底面と第４壁体６５ｄで仕切られた空間が、流出槽６３を形成する。

なお、第２実施形態において、その他の構成は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

第２実施形態に係るレジスト液処理装置における循環工程及び供給工程では、第１実施形態と同様に、一時貯留容器６０内の流入槽６１にレジスト液Ｒが供給されると、流入槽６１からレジスト液Ｒが溢れて第１中間槽６２Ａにオーバーフローし、その後、第２中間槽６２Ｂ，第３中間槽６２Ｃ，流出槽６３の順にオーバーフローする。流入槽６１から第１中間槽６２Ａのオーバーフロー，第１中間槽６２Ａから第２中間槽６２Ｂのオーバーフロー，第２中間槽６２Ｂから第３中間槽６２Ｃのオーバーフロー及び第３中間槽６２Ｃから流出槽６３へのオーバーフローにおいても、レジスト液Ｒが空気層付近を流通して空気に触れることができるので、浮力が小さい５０μｍ以下のマイクロバブルであってもレジスト液Ｒから脱気される。このように、オーバーフロー回数を複数回（４回）に増加させることにより、レジスト液Ｒが空気層付近を流通して空気に触れることができる回数が増えるので、更に浮力が小さい５０μｍ以下のマイクロバブルをレジスト液Ｒから脱気することができる。

上述した第２実施形態におけるレジスト液処理装置によれば、レジスト液Ｒを、流出槽６３から第３管路２８及び第１管路２６を介して流入槽６１へ供給することにより循環させ、流入槽６１から第１中間槽６２Ａへのオーバーフロー，第１中間槽６２Ａから第２中間槽６２Ｂのオーバーフロー，第２中間槽６２Ｂから第３中間槽６２Ｃのオーバーフロー及び第３中間槽６２Ｃから流出槽６３へのオーバーフローと、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートで行われるフィルタ５０による濾過を繰り返すことにより、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡の除去の精度を高めることができるため、レジスト液Ｒ中の異物を除去する清浄性能と、レジスト液Ｒ中に混入している気泡を除去する脱気性能を同時に向上させることができる。

＜第３実施形態＞
上述した第１実施形態では、フィルタ５０は、第３管路２８に介設されていたが、第３管路２８もしくは切換弁３１の二次側の第１管路２６の少なくともいずれか一方に介設されていればよい。例えば、図６に示すように、フィルタ５１を、切換弁３１及び供給・循環用ポンプＰ２の二次側の第１管路２６に介設してもよい。

第３実施形態におけるフィルタ５１は、図６に示すように、切換弁３１及び供給・循環用ポンプＰ２の二次側の第１管路２６に介設されている。フィルタ５１は、レジスト液Ｒを濾過して異物を除去すると共に、レジスト液Ｒ中に混入している気泡を除去することができる。フィルタ５１の上部には、フィルタ５１内の雰囲気を排気するためのドレイン管５１ａが設けられ、ドレイン管５１ａには電磁式の開閉弁５１ｂが介設されている。

なお、第３実施形態において、その他の構成は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

上述した第３実施形態におけるレジスト液処理装置によれば、第１実施形態の効果に加え、レジスト容器１３から第１管路２６を介して一時貯留容器４０の流入槽４１へ供給されるレジスト液Ｒを、フィルタ５１により濾過することができる。また、フィルタ５１は、供給・循環用ポンプＰ２の二次側の第１管路２６に介設されているため、供給・循環用ポンプＰ２で発生したパーティクルを除去することができる。このため、レジスト液Ｒ中の異物を除去する清浄性能と、レジスト液Ｒ中に混入している気泡を除去する脱気性能を更に向上させることができる。

＜第４実施形態＞
上述した第１実施形態では、第３管路２８を第１管路２６に接続し、第３管路２８及び第１管路２６を介してレジスト液Ｒの循環を行ったが、例えば、図７に示すように、流出槽４３と流入槽４１を接続する循環管路２９により、レジスト液Ｒの循環を行ってもよい。

第４実施形態に係るレジスト液処理装置は、主に、図３，図７に示すように、レジスト容器１３に第１管路２６を介して接続する一時貯留容器４０Ａと、一時貯留容器４０Ａに第２管路２７を介して接続され、ウエハＷにレジスト液Ｒを吐出する供給ノズル６と、第２管路２７に介設される吐出用ポンプＰ１と、第１管路２６に介設される供給用ポンプＰ３と、を備える。

この場合、一時貯留容器４０Ａは、一時貯留容器４０Ａ内に、流入槽４１と、中間槽４２と、流出槽４３が形成されており、その上部には一時貯留容器４０内を負圧にするための脱気機構３２が接続される。

また、流出槽４３と流入槽４１は、循環管路２９によって接続されており、循環管路２９には、流出槽４３から循環管路２９を介して流入槽４１にレジスト液Ｒを供給する循環用ポンプＰ４とフィルタ５０が介設されている。

図７に示すように、第１管路２６には、供給用ポンプＰ３が介設されており、第１管路２６を介して、一時貯留容器４０Ａ内の流入槽４１へのレジスト液Ｒの供給を行うことができる。この場合、供給用ポンプＰ３は、例えば、吐出ストロークを代えることで供給レートを調節可能なベローズポンプ又はダイアフラムポンプで構成されている。供給用ポンプＰ３は、制御部１００の入力部（図示せず）から、レジスト液Ｒの供給時の供給レートが設定可能であり、作業者は、任意に循環時の供給レートを設定することができる。このように、レジスト容器１３から第１管路２６を介して流入槽４１へ供給される供給レートを調整することにより、一時貯留容器４０Ａ内にレジスト液Ｒを短時間で貯留することができる。

一時貯留容器４０Ａは、図７に示すように、筒体４４の上部を塞ぐ蓋体４７には第１管路２６を接続するための挿入孔４７ａ、循環管路２９を接続するための挿入孔４７ｂ，４７ｃ及び脱機機構３２の排気管３３を接続するための挿入孔４７ｄが形成されている。また、第１管路２６の供給口２６ａ及び循環管路２９の供給口２９ｂは、流入槽４１の下層に配置される

図７に示すように、一時貯留容器４０Ａの流出槽４３には、循環管路２９の一端が接続されており、他端は流入槽４１に接続されている。このように構成することにより、流出槽４３から循環管路２９を介して流入槽４１へ供給して行うレジスト液Ｒの循環のための経路を形成することができる。

図７に示すように、循環管路２９には、フィルタ５０が介設されている。フィルタ５０は、レジスト液Ｒを濾過して異物を除去すると共に、レジスト液Ｒ中に混入している気泡を除去することができる。

図７に示すように、循環管路２９には、循環用ポンプＰ４が介設されており、循環管路２９を介して、流出槽４３から流入槽４１にレジスト液Ｒの供給を行うことができる。この場合、循環用ポンプＰ４は、例えば、吐出ストロークを代えることで供給レートを調節可能なベローズポンプまたはダイアフラムポンプで構成されている。循環用ポンプＰ４は、制御部１００の入力部（図示せず）から、レジスト液Ｒの循環時の供給レートが設定可能であり、作業者は、例えば使用されるフィルタの種類、濾過される処理液の種類、要求される濾過の精度等を考慮してレジスト液Ｒの循環時の供給レートを設定することができる。このように、流出槽４３から循環管路２９を介して流入槽４１へ供給されるレジスト液Ｒの供給レートを、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートに合わせて設定することができる。

上述した、供給用ポンプＰ３及び循環用ポンプＰ４は、制御部１００と電気的に接続されており、制御部１００からの制御信号に基づいて、吐出ストロークが行われるようになっている。なお、循環用ポンプＰ４は、レジスト液Ｒが流出槽４３の下限位置であることを検出する下限センサ３５ａが、下限位置であることを検出した場合にのみ、制御部１００により制御されて、レジスト液Ｒの供給を停止する。すなわち、循環用ポンプＰ４は、流出槽４３において、レジスト液Ｒが下限センサ３５ａの検出する下限位置より上層に貯留されていれば、制御部１００により制御されて、レジスト液Ｒの供給を行う。

なお、第４実施形態において、その他の構成は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。

次に、第４実施形態におけるレジスト液処理装置の動作態様について説明する。

◎循環工程について
循環工程では、流出槽４３に貯留されたレジスト液Ｒを、循環用ポンプＰ４により、循環管路２９を介してフィルタ５０を通して流入槽４１に供給し、一時貯留容器４０Ａ内を脱気機構３２により負圧にして、流入槽４１から、流出槽４３にオーバーフローしたレジスト液Ｒに混入している気泡を除去する。

流出槽４３において、レジスト液Ｒが下限センサ３５ａの検出する下限位置より上層まで貯留されていると、制御部１００は、循環用ポンプＰ４を制御して、循環管路２９を介して流出槽４３から流入槽４１にレジスト液Ｒの供給を行う。循環用ポンプＰ４は、流出槽４３から循環管路２９を介して流入槽４１へのレジスト液Ｒの供給を行う際、フィルタ５０におけるレジスト液Ｒを濾過して異物を除去すると共に、レジスト液Ｒ中に混入している気泡を除去するために適したフィルトレーションレートを、供給レートとして供給する。

このため、循環管路２９に介設されたフィルタ５０により、レジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートにてレジスト液Ｒを濾過することができるため、フィルタ５０により効率良くレジスト液Ｒ中に混入している異物や気泡を除去することができる。

循環管路２９を流通し、フィルタ５０により、混入している異物や気泡を除去するために適したフィルトレーションレートにて濾過されたレジスト液Ｒは、一時貯留容器４０Ａ内の流入槽４１に供給される。そして、第１実施形態と同様にして、流入槽４１から中間槽４２，中間槽４２から流出槽４３にオーバーフローし、その後、再び循環管路２９の吸引口２９ａから吸引される。

上述した循環工程の実行中は、流出槽４３に貯留されたレジスト液Ｒを、吐出用ポンプＰ１により、第２管路２７を介してウエハＷにレジスト液Ｒを吐出する供給ノズル６に供給する吐出工程を停止してもよいが、第４実施形態に係るレジスト液処理装置は、第１実施形態と同様に、循環工程と吐出工程を同時に行うことができる。このように循環工程と吐出工程を同時に行うことにより、処理時間を短縮化することができる。

◎供給工程について
供給工程では、レジスト容器１３に貯留されたレジスト液Ｒを、供給用ポンプＰ３により、第１管路２６を介して一時貯留容器４０Ａ内に形成される流入槽４１に供給し、一時貯留容器４０Ａ内を脱気機構３２により負圧にして、流入槽４１から、一時貯留容器４０Ａ内に形成される流出槽４３にオーバーフローしたレジスト液Ｒに混入している気泡を除去する。

ウエハＷへのレジスト液Ｒの塗布処理（吐出工程）が繰り返されると、下限センサ３５ａはレジスト液Ｒの液面が流出槽４３の下限位置であることを検出し、信号を制御部１００に送信する。制御部１００は、下限センサ３５ａの検出した検出信号を受け、供給用ポンプＰ３を制御して、レジスト液Ｒをレジスト容器１３から第１管路２６を介して一時貯留容器４０Ａの流入槽４１へ供給する（供給工程の開始）。供給用ポンプＰ３は、流出槽４３の上限位置までレジスト液Ｒを貯留するために設定された任意の供給レートでレジスト液Ｒを供給する。

流出槽４３の上限位置までレジスト液Ｒが貯留されると上限センサ３５ｂは液面を検出し、制御部１００は上限センサ３５ｂの検出した検出信号を受け、供給用ポンプＰ３を制御して、レジスト液Ｒの供給を停止する（供給工程の停止）。

このように、制御部１００は、供給用ポンプＰ３を制御して、下限センサ３５ａの検出した検出信号を受け、レジスト容器１３から第１管路２６を介して流入槽４１へのレジスト液Ｒの供給を開始し、上限センサ３５ｂの検出した検出信号を受け、レジスト容器１３から第１管路２６を介して流入槽４１へのレジスト液Ｒの供給を停止することにより、一時貯留容器４０Ａ内のレジスト液Ｒの貯留量を常に最適な状態にすることができる。

上述した供給工程の実行中は、吐出工程を停止してもよいが、第４実施形態に係るレジスト液処理装置は、第１実施形態と同様に、供給工程と吐出工程を同時に実行することができる。このように供給工程と吐出工程を同時に行うことにより、処理時間を短縮化することができる。

更に、供給工程の実行中は、上述した循環工程を停止してもよいが、第４実施形態に係るレジスト液処理装置は、供給工程を実行中であっても、循環工程を行うことができる。循環管路２９に循環用ポンプＰ４を介設し、第１管路２６に供給用ポンプＰ３を介設することにより、循環工程と供給工程を独立して行うことができるためである。このため、第４実施形態に係るレジスト液処理装置は、吐出工程と供給工程と循環工程を同時に実行することができる。このように吐出工程と供給工程と循環工程を同時に行うことにより、処理時間を短縮化することができる。

上述した第４実施形態におけるレジスト液処理装置によれば、第１実施形態の効果に加え、第１管路２６と独立した循環管路２９を設けることにより、流出槽４３から循環管路２９を介して流入槽４１にレジスト液Ｒを供給して行うレジスト液Ｒの循環と、レジスト容器１３から第１管路２６を介して流入槽４１にレジスト液Ｒを供給して行うレジスト液Ｒの供給と、を同時に行うことができるため、処理時間を短縮化することができる。

＜その他の実施形態＞
上述した第１実施形態において、一時貯留容器４０に、一時貯留容器４０内のレジスト液Ｒを加熱するための加熱部６８を備えてもよい。

第５実施形態に係るレジスト液処理装置は、例えば図８に示すように、一時貯留容器４０の底面及び側面に、一時貯留容器４０内のレジスト液Ｒを加熱するための例えばヒータによって形成される加熱部６８を備える。加熱部６８は、制御部１００と電気的に接続されており、制御部１００からの制御信号に基づいて、温度制御が行われるようになっている。制御部１００は、加熱部６８を制御して例えば上述した供給工程及び循環工程において、一時貯留容器４０内のレジスト液Ｒを加熱する。

上述した第５実施形態におけるレジスト液処理装置によれば、第１実施形態の効果に加え、レジスト液Ｒを加熱部６８により加熱して、このレジスト液Ｒに含まれる気泡の体積を増加して浮力を増加させることができるため、脱気を促進することができる。

なお、上記第５実施形態では、第１実施形態に係るレジスト液処理装置に加熱部６８を備える場合について説明したが、第２〜第４実施形態においても同様に加熱部６８を備えることができる。

また、上述した第１実施形態において、一時貯留容器４０に、一時貯留容器４０内のレジスト液Ｒを超音波振動させる超音波発生部６９を備えてもよい。

第６実施形態に係るレジスト液処理装置は、例えば図９に示すように、一時貯留容器４０に、一時貯留容器４０内のレジスト液Ｒを超音波振動させる超音波発生部６９を備えている。この場合、超音波発生部６９は、例えば一時貯留容器４０の底面に接着される振動板６９ａと、振動板６９ａを駆動し、超音波電源６９ｃを具備する超音波発生器６９ｂと、から主に構成されている。超音波発生器６９ｂは、制御部１００と電気的に接続されており、制御部１００からの制御信号に基づいて、出力制御が行われるようになっている。制御部１００は、超音波発生器６９ｂを制御して例えば上述した供給工程及び循環工程において、一時貯留容器４０内のレジスト液Ｒを超音波振動する。

上述した第６実施形態におけるレジスト液処理装置によれば、第１実施形態の効果に加え、一時貯留容器内４０のレジスト液Ｒに超音波振動を与えて撹拌することで、レジスト液Ｒ内の気泡の移動を促進させ、脱気を促進することができる。

なお、上記第６実施形態では、第１実施形態に係るレジスト液処理装置に超音波発生部６９を備える場合について説明したが、第２〜第５実施形態においても、同様に超音波発生部６９を備えることができる。

以上、この発明の実施の形態の一例について説明したが、この発明はこの形態に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば、上記実施形態ではレジスト液ＲをウエハＷに供給する場合について説明したが、これに限定されることなく、処理液についてはレジスト液Ｒのほか、現像液等を使用する場合にも適用することができる。また、被処理基板としてウエハＷを用いたが、これに限定されることなく、例えばＬＣＤ用ガラス基板であっても適用することができる。

Ｒレジスト液（処理液）
Ｗウエハ（被処理基板）
Ｐ１吐出用ポンプ
Ｐ２供給・循環用ポンプ
Ｐ３供給用ポンプ
Ｐ４循環用ポンプ
６供給ノズル
１３レジスト容器（処理液供給源）
２６第１管路
２７第２管路
２８第３管路
２９循環管路
３１切換弁
３２脱気機構
３５液面検出センサ
３５ａ下限センサ
３５ｂ上限センサ
４０，４０Ａ，６０一時貯留容器
４１，６１流入槽
４２中間槽
６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ第１中間槽，第２中間槽，第３中間槽（複数の中間槽）
４３，６３流出槽
５０，５１フィルタ
６８加熱部
６９超音波発生部
１００制御部

Claims

処理液供給源に第１管路を介して接続する一時貯留容器と、
上記一時貯留容器に第２管路を介して接続され、被処理基板に処理液を吐出する供給ノズルと、
上記第２管路に介設され、上記一時貯留容器から上記第２管路を介して上記供給ノズルに処理液を供給する吐出用ポンプと、
上記一時貯留容器内を負圧にして、上記一時貯留容器内の処理液内に混入した気泡を排出するための脱気機構と、
上記一時貯留容器内に形成され、上記処理液供給源から上記第１管路を介して供給される処理液を貯留可能な流入槽と、
上記一時貯留容器内に形成され、上記流入槽からオーバーフローした処理液を貯留すると共に、上記第２管路に接続する流出槽と、
上記流出槽と上記第１管路を接続する第３管路と、
上記第１管路と上記第３管路の接続部に介設され、上記流入槽と、上記処理液供給源側又は上記流出槽側との連通を選択的に切り換え可能な切換弁と、
上記切換弁の二次側の上記第１管路に介設され、上記処理液供給源から上記第１管路を介して上記流入槽への処理液の供給と、上記流出槽から上記第３管路及び上記第１管路を介して上記流入槽への処理液の供給を行う供給・循環用ポンプと、
上記第３管路もしくは上記切換弁の二次側の上記第１管路の少なくともいずれか一方に介設され、処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタと、を具備する、
ことを特徴とする液処理装置。
請求項１記載の液処理装置において、
上記供給・循環用ポンプは、処理液の単位時間当たりの供給量が調整可能に形成され、上記切換弁及び上記供給・循環用ポンプを制御する制御部を更に具備し、上記制御部は、上記切換弁を制御して、上記流入槽と、上記処理液供給源側又は上記流出槽側との連通を選択的に切り換えると共に、上記供給・循環用ポンプを制御して、上記流入槽と、上記処理液供給源側又は上記流出槽側との連通毎に処理液の単位時間当たりの供給量を変更する、ことを特徴とする液処理装置。
処理液供給源に第１管路を介して接続する一時貯留容器と、
上記一時貯留容器に第２管路を介して接続され、被処理基板に処理液を吐出する供給ノズルと、
上記第２管路に介設され、上記一時貯留容器から上記第２管路を介して上記供給ノズルに処理液を供給する吐出用ポンプと、
上記一時貯留容器内を負圧にして、上記一時貯留容器内の処理液内に混入した気泡を排出するための脱気機構と、
上記一時貯留容器内に形成され、上記処理液供給源から上記第１管路を介して供給される処理液を貯留可能な流入槽と、
上記一時貯留容器内に形成され、上記流入槽からオーバーフローした処理液を貯留すると共に、上記第２管路に接続する流出槽と、
上記流出槽と上記流入槽を接続する循環管路と、
上記第１管路に介設され、上記処理液供給源から上記第１管路を介して上記流入槽に処理液を供給する供給用ポンプと、
上記循環管路に介設され、上記流出槽から上記循環管路を介して上記流入槽に処理液を供給する循環用ポンプと、を具備する、
ことを特徴とする液処理装置。
請求項３記載の液処理装置において、
上記循環管路に介設され、処理液を濾過して異物を除去すると共に、処理液中に混入している気泡を除去するフィルタを更に具備する、ことを特徴とする液処理装置。
請求項１ないし４のいずれかに記載の液処理装置において、
上記一時貯留容器内の上記流入槽と上記流出槽の間に、処理液を貯留可能な中間槽が配置され、上記中間槽は、上記流入槽からオーバーフローした処理液を貯留すると共に、上記中間槽からオーバーフローした処理液が上記流出槽に貯留する、ことを特徴とする液処理装置。
請求項１ないし５のいずれかに記載の液処理装置において、
上記一時貯留容器に、上記一時貯留容器内の処理液を加熱するための加熱部を備える、ことを特徴とする液処理装置。
請求項１ないし６のいずれかに記載の液処理装置において、
上記一時貯留容器に、上記一時貯留容器内の処理液を超音波振動させる超音波発生部を備える、ことを特徴とする液処理装置。
処理液供給源に貯留された処理液を、供給・循環用ポンプにより、第１管路を介して一時貯留容器内に形成される流入槽に供給し、上記一時貯留容器内を脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記一時貯留容器内に形成される流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する供給工程と、
上記流出槽に貯留された処理液を、上記供給・循環用ポンプにより、上記第１管路に接続する第３管路及び上記第１管路を介して、処理液を濾過して異物を除去すると共に処理液中に混入している気泡を除去するフィルタを通して上記流入槽に供給し、上記一時貯留容器内を上記脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する循環工程と、
上記流入槽と、上記処理液供給源側又は上記流出槽側との連通を、上記第１管路と上記第３管路の接続部に介設される切換弁により選択的に切り換え、上記供給工程又は上記循環工程のいずれか一方の実行を選択する切換工程と、
上記流出槽に貯留された処理液を、吐出用ポンプにより、第２管路を介して被処理基板に処理液を吐出する供給ノズルに供給する吐出工程と、を具備する、
ことを特徴とする液処理方法。
処理液供給源に貯留された処理液を、供給用ポンプにより、第１管路を介して一時貯留容器内に形成される流入槽に供給し、上記一時貯留容器内を脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記一時貯留容器内に形成される流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する供給工程と、
上記流出槽に貯留された処理液を、循環用ポンプにより、循環管路を介して上記流入槽に供給し、上記一時貯留容器内を上記脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する循環工程と、
上記流出槽に貯留された処理液を、吐出用ポンプにより、第２管路を介して被処理基板に処理液を吐出する供給ノズルに供給する吐出工程と、を具備する、
ことを特徴とする液処理方法。
請求項９記載の液処理方法において、
上記循環工程は、上記流出槽に貯留された処理液を、循環用ポンプにより、循環管路を介して処理液を濾過して異物を除去すると共に処理液中に混入している気泡を除去するフィルタを通して上記流入槽に供給する、ことを特徴とする液処理方法。
請求項８又は９に記載の液処理方法において、
上記供給工程又は上記循環工程の少なくともいずれか一方を、上記吐出工程と同時に実行する、ことを特徴とする液処理方法。
請求項８ないし１１のいずれかに記載の液処理方法において、
上記一時貯留容器内の上記流入槽と上記流出槽の間に、処理液を貯留可能な中間槽が配置され、上記供給工程及び上記循環工程において、上記一時貯留容器内を脱気機構により負圧にして、上記流入槽から上記中間槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去すると共に、上記中間槽から上記流出槽にオーバーフローした処理液に混入している気泡を除去する、ことを特徴とする液処理方法。