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TW201503330A - 有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法 Download PDF

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TW201503330A
TW201503330A TW103119397A TW103119397A TW201503330A TW 201503330 A TW201503330 A TW 201503330A TW 103119397 A TW103119397 A TW 103119397A TW 103119397 A TW103119397 A TW 103119397A TW 201503330 A TW201503330 A TW 201503330A
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TW
Taiwan
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region
electrode
light emitting
organic light
display device
Prior art date
Application number
TW103119397A
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English (en)
Inventor
Jong-Seok Kim
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201503330A publication Critical patent/TW201503330A/zh

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Abstract

本發明在一種有機發光顯示裝置中提供層間橋接連接及其製造法。該顯示裝置分成主內部、區域I、區域II及區域III，其中區域II至少局部地圍繞區域I延伸，且區域III至少局部地圍繞區域II延伸。此外，該顯示裝置包含基板、第一電極、第二電極、夾置發光結構、電源線、導電圖案及輔助電極。第一電極及發光結構二者皆設置於區域I中。電源線設置於區域III中。第二電極係至少局部透明的且設置於區域I中並延伸入區域II中。導電圖案使第二電極與電源線電性連接。輔助電極具有減小之每單位面積電阻率且直接接觸第二電極。輔助電極設置於區域II中。

Description

有機發光顯示裝置及製造有機發光顯示裝置之方法
本發明係關於有機發光顯示裝置及一種製造該等有機發光顯示裝置之方法。具體而言，實例性實施例係關於一種具有一改良發光均勻度之有機發光顯示裝置及其製造方法。
具體而言，在平板顯示裝置或其他薄面板顯示裝置中，有機發光顯示裝置(organic light emitting display device；OLEDD)利用有機發光二極體作為發光裝置而顯示一影像。因其優異之亮度及顏色純度，有機發光顯示裝置作為下一代顯示裝置已備受關注。
一典型之有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED)包含相面對之一陽極及一陰極，並有一夾置於該陽極與該陰極之間之有機發光層。該陽極及該陰極至少其中之一係由一透光性導電材料構成，俾使產生之光可被輸出。在有機發光二極體之發光操作期間，陽極連接至用於提供畫素電源之一相對高之電壓節點，且陰極連接至一相對低電位畫素電源節點。因此，可流過相對大之電流(電流=電壓/電阻(I=V/R))。 更具體而言，電洞及電子分別自陽極及陰極注射入有機發光層中。該等電子與該等電洞於有機發光層中組合(join)俾將分子激發至高能階狀態(high energy state)。隨著該等被激發之分子返回至其較正常且較低能階狀態，該等被激發之分子以光子之形式發出能量，故有機發光二極體發光。
在一典型之一般有機發光顯示裝置(OLEDD)中，各有機發光二極體(OLED)之陽極及陰極被形成為覆蓋對應畫素單元之全部區域。
當陽極經由一畫素開關電路連接至高電位畫素電源、且陰極直接連接至低電位畫素電源而不受經過畫素電路之電流控制時，陰極可形成於一整個畫素單元上。陰極連接至連接佈線(例如圍繞畫素單元之低電位畫素電源之匯流排(bus line))，並被供應以低電位畫素電源。
為減少無效空間(dead space)，換言之，為增大每一畫素單元之發光孔徑比(aperture ratio)，期望減小一陰極接觸區域及一匯流排區域，在該陰極接觸區域及匯流排區域中，陰極及低電位畫素電源之匯流排連接至低電位畫素電源。然而，由於低電位畫素電源之來源與低電位畫素電源經由陰極之導電材料被施加至發光層的點之間形成電流乘電阻的壓降(I*R drops)，故畫素單元內之亮度可能不均勻。
應理解，此技術背景部分係旨在為理解此處所揭露之技術提供有用之背景，因此，該技術背景部分可包含並非係為熟習相關技術者在本文所揭露主題之對應發明日期之前所習知或理解之觀點、概念或認識。
本發明揭露一種具有一改良之發光均勻度之有機發光顯示裝置。
本發明亦揭露製造各種實施例之具有改良之發光均勻度的有機發光顯示裝置之方法。
根據一實例性實施例，提供一種有機發光顯示裝置，該有機發光顯示裝置包含：一基板、一第一電極、一發光結構、一電源線、一第二電極、一導電圖案(conductive pattern)、及一輔助電極。該基板細分成一第一區域(I)、一第二區域(II)、及一第三區域(III)。該第二區域圍繞該第一區域，且該第三區域圍繞該第二區域。該第一電極及該發光結構二者皆設置於該第一區域中且位於該基板上。該電源線設置於該第三區域中且位於該基板上。該第二電極與該第一電極相對。該第二電極至少部分透光且設置於該基板之該第一區域中，同時亦延伸入該第二區域中。該導電圖案使該第二電極與該電源線電性連接。該輔助電極直接接觸該第二電極。該輔助電極設置於該基板之該第二區域中。
在某些實例性實施例中，該輔助電極具有一厚度，該厚度實質上大於該第二電極之一厚度。
在某些實例性實施例中，該輔助電極包含一材料，該材料實質上相同於該第二電極中所用之一材料。
在某些實例性實施例中，該輔助電極於該第二區域中完全覆蓋該第二電極之一部分之一頂面。
在某些(替代)實例性實施例中，該第二電極於該第二區域中完全覆蓋該輔助電極之一頂面。
在某些實例性實施例中，該第二電極包含鎂與銀之一合金，且鎂與銀之一重量比為約9：1。
在某些實例性實施例中，該電源線圍繞該第二區域之至少三側。
在某些實例性實施例中，該有機發光顯示裝置更包含一光阻擋畫素界定圖案(light blocking pixel defining pattern)，該光阻擋畫素界定圖案於該第二區域中被設置於該第二電極與該導電圖案之間。該畫素界定圖案可覆蓋該導電圖案之複數端部。
在實例性實施例中，該第一區域(I)用作為包含該發光結構之一影像顯示區域，而該第二區域及該第三區域係為非顯示區域。
根據實例性實施例，提供一種製造一有機發光顯示裝置之方法。在該方法中，提供一具有一第一區域、一第二區域及一第三區域之基板。該第二區域圍繞該第一區域，且該第三區域圍繞該第二區域。形成一電源線於該第三區域中及該基板上。同時地形成一第一電極及一導電圖案。該第一電極設置於該基板之該第一區域中。形成一發光結構於該第一電極上。藉由利用一第一遮罩執行一沈積製程而於該第二區域中形成一輔助電極，該輔助電極電性連接至該導電圖案。藉由利用一第二遮罩執行一沈積製程而形成與該第一電極相對之一第二電極。該第二電極設置於該基板之該第一區域中並電性連接至該輔助電極。
在實例性實施例中，該第一遮罩可被排列成局部地暴露出該基板之該第二區域，且該第二遮罩可被配置成暴露出該基板之該第一區域及該第二區域。
在實例性實施例中，利用該第一遮罩及該第二遮罩之該等沈積製程可包含一物理氣相沈積製程(physical vapor deposition process)。
在實例性實施例中，用以形成該輔助電極之一製程以及用以形成該第二電極之一製程可係於同一腔室(chamber)中利用同一來源氣體來執行。
在實例性實施例中，該電源線可圍繞該第二區域之至少三側。
在實例性實施例中，該輔助電極可具有一厚度，該厚度實質上大於該第二電極之一厚度。
在實例性實施例中，一畫素界定圖案在形成該發光結構之前，可更被形成於該第二區域中。
在實例性實施例中，該第一區域可為包含該發光結構之一影像顯示區域，且該第二區域及該第三區域係為非顯示區域。
根據實例性實施例，一種有機發光顯示裝置可包含：一第二電極，設置於一第一區域I及一第二區域II中；一電源線，設置於該第三區域III中；以及一導電圖案，設置於該第二區域II及該第三區域III中。該有機發光顯示裝置可更包含一輔助電極，該輔助電極位於該第二區域II中且處於該導電圖案與該第二電極之間。因此，該低電位畫素電源ELVSS可自該電源線經由該導電圖案及該輔助電極被傳送至該第二電極而不會引起一實質性I*R電壓降。該輔助電極可具有較該第二電極相對低之每單位面積電阻率，俾可減小用於耦合該低電位畫素電源ELVSS至該發光結構之I*R電壓降。此外，該輔助電極可設置於該第二區域II中且可能不設置於該第一區域I中，因此該有機發光顯示裝置之光輸出效率可不會降低。因此，可提高該有機發光顯示裝置之該發光均勻度。
I‧‧‧第一區域
II‧‧‧第二區域
III‧‧‧第三區域
IV‧‧‧第四區域
10‧‧‧掃描線驅動器
20‧‧‧發光線驅動器
30‧‧‧資料線驅動器
40‧‧‧畫素陣列單元
60‧‧‧定時控制器
100‧‧‧基板
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧第一半導體圖案
121‧‧‧第一源極區
122‧‧‧第一汲極區
123‧‧‧第一通道區域
125‧‧‧第二半導體圖案
126‧‧‧第二源極區
127‧‧‧第二汲極區
129‧‧‧第二通道區域
130‧‧‧閘極絕緣層
132‧‧‧第一閘極
134‧‧‧第二閘極
140‧‧‧層間絕緣層
150‧‧‧訊號線
152‧‧‧第一源極
154‧‧‧第一汲極
156‧‧‧第二源極
158‧‧‧第二汲極
160‧‧‧電源線
170‧‧‧絕緣層
175‧‧‧第一接觸孔
180‧‧‧第一電極
185‧‧‧導電圖案
190‧‧‧畫素界定圖案
200‧‧‧有機發光層
210‧‧‧輔助電極
212‧‧‧輔助電極
214‧‧‧輔助電極
220‧‧‧第二電極
222‧‧‧第二電極
224‧‧‧第二電極
250‧‧‧第一遮罩
251‧‧‧第一開口
252‧‧‧第一遮罩
253‧‧‧第一開口
254‧‧‧第一遮罩
255‧‧‧第一開口
260‧‧‧第二遮罩
261‧‧‧第二開口
262‧‧‧第二遮罩
263‧‧‧第二開口
264‧‧‧第二遮罩
265‧‧‧第二開口
D1~Dm‧‧‧資料線
E1~En‧‧‧發光控制線
ELVDD‧‧‧高電位畫素電源
ELVSS‧‧‧低電位畫素電源
S1~Sn‧‧‧掃描線
V-V’‧‧‧線
V1-V1’‧‧‧線
藉由結合圖式來閱讀以下詳細說明，將更清晰地理解本發明。第1圖至第21圖代表本文中所述之非限制性實例性實施例：第1圖為例示根據某些實施例，一有機發光顯示裝置之一電路結構之方塊圖；第2圖為例示根據一第一實施例之一有機發光顯示裝置之平面俯視圖；第3圖為例示根據第一實施例並沿第2圖中之線V-V’截取的一有機發光顯示裝置之局部剖視圖；第4圖為例示根據另一實施例之一有機發光顯示裝置之局部剖視圖；第5圖為例示根據再一實施例之一有機發光顯示裝置之局部剖視圖；第6圖至第13圖為例示根據某些實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法之平面圖及剖視圖；第14圖至第17圖為例示根據其他實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法之平面圖及剖視圖；以及第18圖至第21圖為例示根據其他實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法之平面圖及剖視圖。
以下，將參照用以顯示某些實例性實施例之圖式來更充分地闡述各種實例性實施例。然而，本發明概念之揭露內容可實施為諸多不同形式且不應視為僅限於本文中所述之實例性實施例。更確切而言，提供該等實施例是為了使本發明之揭露內容透徹且完整，並向熟習此項技術者充 分傳達本發明之範圍。在圖式中，為清晰起見，可誇大層及區域之尺寸及相對尺寸。通篇中相同之編號指代相同之元件。
應理解，儘管本文中可能使用用語第一、第二、第三等來描述各種元件，然而該等元件不應受限於該等用語。該等用語僅係用於區分各個元件。因此，在不背離本揭露內容之教示內容之條件下，下文中所論述之一第一元件可被稱為一第二元件。本文中所用之用語「及/或」包含相關列出項其中之一或多個項之任意及所有組合。
應理解，當闡述一元件「連接」或「耦合」至另一元件時，該元件可直接連接或耦合至該另一元件，或可存在中間元件。相反，當闡述一元件「直接連接」或「直接耦合」至另一元件時，則不存在中間元件。用以描述元件間關係之其他用語(例如，「位於...之間」與「直接位於...之間」，「鄰近」與「直接鄰近」等)應以相同之方式加以解釋。
本文中所用用語僅係用於描述特定實例性實施例，而並非旨在限制本發明之教示內容。除非上下文中清楚地另外指明，否則本文所用之單數形式「一(a、an)」及「該(the)」旨在亦包含複數形式。更應理解，當在本說明書中使用用語「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」時，係用於指明所述特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組之存在或添加。
除非另外定義，否則本文所用之全部用語(包括技術及科學用語)之意義皆與本發明所屬技術領域中之通常知識者所通常理解之意義相同。更應理解，該等用語(例如在常用字典中所定義之用語)應被解釋為具有與其在相關技術背景中之意義一致之一意義，且除非本文中進行明 確定義，否則不應將其解釋為具有理想化或過於正式之意義。
第1圖為例示根據某些本文所揭露之實施例，一有機發光顯示裝置之一電路結構之方塊圖。
參照第1圖，有機發光顯示裝置可包含：一掃描線驅動器10、一發光線驅動器20、一資料線驅動器30、一畫素陣列單元40及一定時控制器60。
掃描線驅動器10可被定時控制器60控制，且可依序供應掃描訊號至延伸穿過畫素陣列單元40之掃描線S1至Sn。畫素列可由該等掃描訊號選擇，且可依序接收資料訊號。
發光線驅動器20可被定時控制器60控制，且可依序供應光控制訊號至發光控制線E1至En。畫素可被該等發光控制訊號控制，並相應地發光。
掃描線驅動器10及發光線驅動器20可與包含於畫素陣列單元40中之驅動裝置一起安裝於一顯示面板(例如，一共用基板)上以形成一單片積體內建電路。作為另一選擇，掃描線驅動器10及/或發光線驅動器20可以單片積體晶片之形式被安裝以形成一內建電路。
在一類實施例中，如在第1圖中所示意性的顯示，掃描線驅動器10及發光線驅動器20可設置於面板之相對側，而畫素陣列單元40夾置於掃描驅動器10與發光線驅動器20之間。掃描線驅動器10與發光線驅動器20之排列並不僅限於此排列。
舉例而言，掃描線驅動器10與發光線驅動器20可形成於畫素陣列單元40之同一側上。作為另一選擇，掃描線驅動器10與發光線驅動器 20二者皆可分別形成於畫素陣列單元40之兩側上。
此外，根據供置於畫素陣列單元40中之該等畫素之配置，發光線驅動器20可被省略。
畫素陣列單元40可包含複數個畫素50。該等畫素可位於掃描線S1至Sn、發光控制線E1至En、及資料線D1至Dm之交叉位置處。資料線驅動器30可被定時控制器60控制，並供應資料訊號至該等資料線D1至Dm。每當有列激發(row-activating)掃描訊號被分別供應至由掃描訊號所選擇之一列畫素時，供應至資料線D1至Dm之該等資料訊號可被供應至該列畫素。該等所選擇之畫素可對應於該等資料訊號而被充電至各亮度控制電壓。
上述畫素陣列單元40可自外界被供應以高電位畫素電源ELVDD及低電位畫素電源ELVSS。畫素陣列單元40可傳遞高電位畫素電源ELVDD及低電位畫素電源ELVSS至各畫素。各畫素可對應於所供應之資料訊號而發出各亮度之光以顯示一所需影像。
各該畫素可包含一具有一第一電極及一第二電極之有機發光結構(第1圖中未顯示)。第一電極及第二電極至少其中之一係由一透光性導電材料(例如，氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO))構成。高電位畫素電源ELVDD可在所選擇畫素50之一發光週期期間被傳遞至一所選擇畫素中之一有機發光結構之一第一電極180(參見第3圖)。低電位畫素電源ELVSS可被傳遞至有機發光結構之第二電極220(參見第3圖)之一或多個連接點。
在一個實施例中，有機發光結構之整個第一電極180於畫素陣列單元40之一下側上被形成為一不透明金屬層。另一方面，有機發光結 構之第二電極220係由一設置於整個畫素陣列單元40之頂側之透光性導電材料形成。
具體而言，當有機發光結構之第一電極180經由畫素電路被連接至高電位畫素電源ELVDD、且有機發光結構之第二電極220不經由該等畫素電路而電性連接至低電位畫素電源ELVSS時，有機發光結構之第二電極220可形成於整個畫素陣列單元40之發光上側上。
上述第二電極220可經由佈線(例如圍繞畫素陣列單元40形成之匯流排(圖中未顯示))而被供應以低電位畫素電源ELVSS。
有機發光結構之第一電極180可被圖案化以對應於畫素陣列單元40內之一畫素陣列。
定時控制器60可因應於自外部供應之一同步訊號而產生控制訊號。該等所產生之控制訊號可被傳送至掃描線驅動器10、發光線驅動器20、及資料線驅動器30。藉由該等操作，定時控制器60可控制掃描線驅動器10、發光線驅動器20、及資料線驅動器30。此外，定時控制器60可遞送自外界饋送之資料至資料線驅動器30。資料線驅動器30可產生對應於所遞送資料之各資料訊號。
第2圖為例示根據一第一實施例之一有機發光顯示裝置之平面圖。第3圖為沿第2圖中之線V-V’截取之一局部剖視圖。
參照第2圖，有機發光顯示裝置，具體而言，一基板100，可被劃分成一第一區域I、一第二區域II、一第三區域III、及一第四區域IV。第一區域I在本文中亦被稱作主內部區域I。第二區域II在本文中亦被稱作輔助耦合區域II。第三區域III在本文中亦被稱作周邊電源線區域III。第四區域 IV在本文中亦被稱作匯流排導管區域(bus lines conduit region)IV。
更具體而言，在此處闡述之實例性實施例中，第一區域I(主內部區域I)可為一設置有一或多個畫素之發光或顯示區域。具有一相對大面積之第一區域I可被設置於第2圖所示之結構之一中心處。在此結構內之各該畫素可包含一各自之發光結構，該等發光結構分別具有一第一電極、一第二電極及一有機發光層。當有機發光顯示裝置係為一主動矩陣型裝置時，各該畫素可更包含一開關結構(例如一薄膜電晶體(thin film transistor；TFT))，且該開關結構可電性接觸發光結構。以下將參照第3圖闡述該等畫素之詳細構成。
第二區域II(輔助耦合區域II)用作一接觸橋接區域，俾設置一導電圖案以使發光結構之第二電極與一不同層之一電源線(160)電性連接，進而供應低電位畫素電源ELVSS。第二區域II可圍繞第一區域I之至少一側延伸。舉例而言，第二區域II可圍繞第一區域I之三或更多側。在一個實施例中，測試電路及驅動電路(例如一掃描線驅動器、發光線驅動器、及類似之驅動器)可被設置於第二區域II中(在本文中亦被另外稱作一非顯示周邊區域II及輔助電源耦合區域II)。
還有周邊第三區域III可為一匯流排區域，在該匯流排區域中設置有用於供應低電位畫素電源ELVSS之電源線(160)。第三區域III可圍繞第二區域II之至少一側延伸。舉例而言，第三區域III可環繞第二區域II之三或更多側。
在一組實例性實施例中，第二區域II及第三區域III可對應於整個顯示面板之非顯示周邊區域。
此外，第四區域IV可為另一周邊區域，在該周邊區域中安裝有或以單片積體形式設置有一或多個積體電路(integrated circuit；IC)晶片，該等積體電路晶片包含資料線驅動器及複數個用於自外部接收一訊號之焊墊。第四區域IV可接觸第三區域III之一側。舉例而言，如第2圖所示，第四區域IV可接觸第三區域III之一底側。
參照第3圖，有機發光顯示裝置可包含：一基礎基板100(圖中顯示為位於一多層結構之一最低層)、一第一開關結構、一第二開關結構、一電源線160(圖中顯示為位於該多層結構之一相對低但非最低層)、一第一電極180、一導電圖案185、一有機發光層200、一輔助電極210及一第二電極220(圖中顯示為位於該多層結構之一相對高層(若非為一最高層))。有機發光顯示裝置，具體而言，基板100，可被劃分成前面提及之第一區域I(主內部區域I)、第二區域II(輔助電源耦合區域II)及第三區域III(周邊電源線區域III)。
第一開關結構可於第一區域I中被設置於基礎基板100與一上伏第一電極180之間之一層中。發光層200可設置於第一區域I中且位於第一電極180與一上伏第二電極220之間。電源線160(設置於一相對低層處)與第二電極220(設置於一相對較高之上層處)可藉由一包含導電圖案185及一輔助電極210之層間橋接網路(inter-layer bridging network)而彼此電性連接。
基礎基板100可由一透明絕緣材料構成。舉例而言，基板100可包含一玻璃基板、一石英基板、一透明樹脂基板、及類似之基板。在其他實例性實施例中，基板100可係為一撓性基板。
一緩衝層110可設置於基板100上。緩衝層110可防止不良雜 質(污染物，例如，濕氣、氧氣等)自基板100擴散至該裝置之可能會因此等雜質而受損之部件中。緩衝層110亦可提供一平之頂面。
當有機發光顯示裝置為一主動矩陣型裝置時，第一開關結構可於基板100上設置於第一區域I中。在實例性實施例中，第一開關結構可包含一第一薄膜電晶體(TFT1)，該第一薄膜電晶體具有一包含非晶矽或晶矽其中之一之半導電圖案。作為另一選擇，第一開關結構可包含一薄膜電晶體，該薄膜電晶體具有一包含一半導電金屬材料(例如一氧化銦鎵鋅(InGaZnO))之半導電圖案。
在實例性實施例中，第一開關結構可包含：一第一半導體圖案120、一閘極絕緣層130、一第一閘極132、一第一源極152、一第一汲極154等。
第一半導體圖案120可設置於緩衝層110上，且閘極絕緣層130可設置於緩衝層110上以覆蓋第一半導體圖案120。第一半導體圖案120可包含一第一源極區121、一第一汲極區122及一第一通道區域123。
在實例性實施例中，第一半導體圖案120可包含多晶矽、摻雜多晶矽、非晶矽或摻雜非晶矽。可單獨或組合使用該等物質。在其他實例性實施例中，第一半導體圖案120可包含一三元系半導電氧化物或一四元系半導電氧化物，該三元系半導電氧化物及該四元系半導電氧化物包含AwBxCyOz(其中A、B、C為鋅、鎘、鎵、銦、錫、鉿或鋯；0w、x、y；0.01z0.1)之一組合。舉例而言，第一半導體圖案120可包含氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide；AlZnO)、氧化鋁鋅錫(aluminum zinc tin oxide；AlZnSnO)、氧化鎵鋅錫(gallium zinc oxide；GaZnSnO)、氧化銦鎵(indium gallium oxide；InGaO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide；InGaZnO)、 氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide；InSnZnO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；InZnO)、氧化鉿銦鋅(hafnium indium zinc oxide；HfInZnO)、或氧化鋯錫(ZrSnO)。此外，閘極絕緣層130可包含一氧化物或一有機絕緣材料。
第一閘極132可設置於鄰近於第一半導體圖案120之閘極絕緣層130上。舉例而言，第一閘極132可與第一半導體圖案120之第一通道區域123交疊。第一閘極132可包含：一金屬、一金屬氮化物、一導電金屬氧化物、一透明導電材料及類似物。
在實例性實施例中，一設置於閘極絕緣層130上之閘極線可電性連接至第一閘極132。因此，一閘極訊號可經由閘極線而被施加至第一閘極132。閘極線可包含一實質上相同於或實質上類似於第一閘極132之材料。
一層間絕緣層140可設置於閘極絕緣層130上以覆蓋第一閘極132。層間絕緣層140可包含：一氧化物、一氮化物、一氮氧化物(例如，SiOxNy)或一有機絕緣材料。
第一源極152及第一汲極154可穿透層間絕緣層140及閘極絕緣層130，俾使第一源極152及第一汲極154可分別接觸第一源極區121及第一汲極區122。第一源極152及第一汲極154可包含例如形成為一多層結構之一金屬(例如，鋁、銅、鉻)、一金屬氮化物(例如，氮化鈦)、一導電金屬氧化物、一透明導電材料(例如，氧化銦錫、氧化銦鋅)，以及類似物。
在實例性實施例中，一設置於層間絕緣層140上之資料線可電性連接至第一源極152。因此，一資料訊號可經由資料線被施加至第一源極152。閘極線與資料線可實質上成直角相交。一畫素區域可由閘極線與資 料線之相交部分界定。
第3圖所示之第一開關結構可包含一具有一頂部閘極結構之薄膜電晶體，在該薄膜電晶體中第一閘極132可設置於第一半導體圖案120之上方，然而本發明之揭露內容可不僅限於此。舉例而言，第一開關結構可包含一具有一底部閘極結構之薄膜電晶體，在該薄膜電晶體中一半導體圖案可設置於第一閘極132之上方。作為另一選擇，薄膜電晶體可包含上部閘極與下部閘極兩者。
現參照第3圖，第二開關結構及一包含資料線150之內部電路可於基板100上設置於第二區域II中。內部電路可用作一用於驅動畫素之電路。
在實例性實施例中，第二開關結構可包含一第二半導體圖案125、一閘極絕緣層130、一第二閘極134、一第二源極156、一第二汲極158及類似結構。第二開關結構可具有一實質上相同於或類似於第一開關結構之構成。
此外，訊號線150可設置於層間絕緣層140上。在實例性實施例中，該等訊號線150可包含一電性連接至該等開關結構之閘極132及134之閘極線、及/或一電性連接至源極152及156之資料線。
電源線160可設置於基板100之第三區域III(周邊電源線區域III)中，且與訊號線150、源極156及汲極158等處於同一層中。電源線160可供應低電位畫素電源ELVSS至第二電極220。在實例性實施例中，電源線160設置於層間絕緣層140上且圍繞第二區域II之至少一側延伸。舉例而言，電源線160可環繞第二區域II之三側(一頂側、一左側及一右側)，且如第2 圖及第3圖例示可包含一間隙俾使其不完全環繞第二區域II之一底側。電源線160可包含例如形成一多層結構之一金屬(例如，鋁、銅、鉻)、一金屬氮化物(例如，氮化鈦)、一導電金屬氧化物、一透明導電材料(例如，氧化銦錫、氧化銦鋅)、及類似材料。換言之，電源線160可利用相同於用於訊號線150、源極156及汲極158等之材料其中之一或多者而形成。電源線160可具有一單層結構或一多層結構其中之一。
一絕緣層170可設置於層間絕緣層140上以覆蓋源極152及156、汲極154及158及訊號線150。在實例性實施例中，絕緣層170可自第一區域I延伸至第二區域II及第三區域III。然而，絕緣層170可於第三區域III中局部地覆蓋或不覆蓋電源線160。舉例而言，絕緣層170可包含一透明絕緣材料(例如一透明塑膠或一透明樹脂)。
現參照第3圖，第一電極180(有機發光二極體之一下電極)、一導電圖案185及一畫素區域界定圖案190可設置於絕緣層170上。
第一電極180可於絕緣層170上設置於第一區域I中。第一電極180可經由穿透絕緣層170之一觸點175而接觸第一開關結構之第一汲極154。因此，第一電極180可電性連接至第一開關結構。
在實例性實施例中，第一電極180可用作一可對應於每一畫素而被圖案化之畫素電極，且第一電極180可為一可供應電洞至有機發光層200之陽極。
當有機發光裝置為一自頂部發光之類型時，第一電極180可為一反射性或不透明電極。另一方面，自頂部發光類型之有機發光二極體之第二電極220應為一透明電極或一半透明(例如，半反射性)電極。當第 一電極180為反射性電極時，第一電極180可包含可具有一優異反射性之一金屬或一合金。可基於在下部、完全反射性第一電極180與上部、局部反射性、局部透射性第二電極220之間形成之一光學諧振而發光。
此外，導電圖案185可設置於絕緣層170及電源線160上。在實例性實施例中，導電圖案185可於第三區域III(周邊電源線區域III)中直接接觸電源線160。
導電圖案185可包含一實質上相同於或實質上類似於第一電極180之材料。導電圖案185可包含一低電阻率之導電材料，俾使導電圖案185可被電性連接至電源線160而不引起任何實質性I*R電壓降。
畫素界定圖案190(例如，一黑色矩陣)可設置於絕緣層170及導電圖案185上。在第一區域I中，畫素界定圖案190可設置於絕緣層170上以局部地覆蓋第一電極180。亦即，畫素界定圖案190可將第一區域I中之每一畫素分離，且可防止在第一電極180之端部處一電位之集中。
在第二區域II及在第三區域III中，畫素界定圖案190可設置於導電圖案185上。畫素界定圖案190可於第三區域III中完全覆蓋導電圖案185，俾使畫素界定圖案190可保護並隔離導電圖案185。然而畫素界定圖案190可於第二區域II中局部地覆蓋導電圖案185。在實例性實施例中，複數個畫素界定圖案190可設置於第二區域II中。該等畫素界定圖案190可防止在導電圖案185之一端部處一電位之集中。
輔助電極210可設置於第二區域II(輔助電源耦合區域II)中且位於畫素界定圖案190及導電圖案185上。輔助電極210在未設置畫素界定圖案190之位置中可直接接觸導電圖案185以覆蓋導電圖案185。在實例性實 施例中，輔助電極210可鄰近於電源線160被設置於第二區域II中。舉例而言，輔助電極210可設置於第二區域II中，第二區域II可圍繞第一區域I(主內部區域I)之三側(一頂側、一左側及一右側)延伸。
在實例性實施例中，輔助電極210可藉由一氣相沈積製程(vapor deposition process)(例如利用一導電金屬之一蒸發製程)而形成。舉例而言，輔助電極210可包含鋁、鎂、銀、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦及/或鈀。可單獨或組合使用該等物質。舉例而言，輔助電極210可包含鎂與銀之一合金，且鎂與銀之一重量比為約9：1。
在其他實例性實施例中，輔助電極210可包含一不同於第二電極220(例如，具有一實質上低於第二電極220之電阻率)之材料。輔助電極210可直接接觸第二電極220以及導電圖案185，故輔助電極210可包含一可減小第二電極220與導電圖案185間之夾置接觸電阻(interposed contact resistance)之材料。
輔助電極210可設置於第二區域II中，即顯示面板之影像非顯示區域中。藉此，輔助電極210之一非透明性將不會影響有機發光顯示裝置之光效率。因此，輔助電極210之材料及厚度可不僅限於透明或半透明/半反射性材料。此外，輔助電極210可具有一實質上大於第二電極220之厚度，俾使輔助電極210之一電阻可相對小，且因此在形成電源線160與第二電極220間之層間連接橋之部分時不會由於輔助電極210之存在而產生一實質性I*R電壓降。
換言之，鑒於低電阻輔助電極210設置於較高電阻率之第二電極220與導電圖案185之間，相較於在第二區域II中省略輔助電極210之情形，可減小第二電極220與導電圖案185間之一電阻。因此，可防止電源線 160與第二電極220間之一實質性I*R電壓降，且可提高發光均勻度。
第二電極220可以適形形式(conformably)直接設置於輔助電極210上，以在適形於輔助電源耦合區域II中畫素界定圖案190之波動之同時最大化第二電極220與輔助電極210間之接觸面積。此外，第二電極220可被設置成於第一區域I中與第一電極180相對。
在所例示之實例性實施例中，第二電極220可用作一共用電極，且可發揮一可供應電子至有機發光層200之陰極之作用。
當第二電極220為一透明電極或一半透明電極時，第二電極220可包含一薄金屬層。在此種情形中，第二電極220可具有一預定之透明度及一預定之局部反射率。若第二電極220之金屬部分具有一相對大之厚度，則第二電極220之透明度可降低，且有機發光裝置之光輸出效率可降低。藉此，第二電極220可具有一低於約30奈米之相對小之厚度。具體而言，第二電極220可具有一約10奈米至約15奈米之厚度。第二電極220可包含：鋁、鎂、銀、鉑、金、鉻、鎢、鉬、鈦或鈀。可單獨使用或組合使用該等物質。舉例而言，第二電極220可包含鎂與銀之一合金，且鎂與銀之一重量比為約9：1。
在其他實例性實施例中，第二電極220可包含一實質上相同於或類似於輔助電極210中所使用之材料。因此，第二電極220與輔助電極210之一各自部分(子層)可一體成型。
有機發光層200可設置於第一電極180與第二電極220之間。有機發光層200可包含至少一個發光層。在實例性實施例中，有機發光層200可包含一藍色發光層、一綠色發光層或一紅色發光層。在其他實例性實施 例中，有機發光層200可包含依序堆疊之藍色發光層、綠色發光層、及紅色發光層。有機發光層200可更包含：一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子注入層及/或一電子傳輸層。
根據實例性實施例，有機發光顯示裝置可包含：第二電極220，設置於第一區域I及第二區域II中；電源線160，設置於第三區域III中；以及導電圖案185，設置於第二區域II及第三區域III中。有機發光顯示裝置可更於第二區域II中包含輔助電極210，以於導電圖案185與第二電極220之間提供橋接。因此，低電位畫素電源ELVSS可自電源線160經由導電圖案185及輔助電極210被傳遞至第二電極220，而不引起電流集中於輔助電極210與導電圖案185間之該等接觸點其中之任一者處，且不引發輔助電源耦合區域II中之一實質性I*R電壓降。輔助電極210可具有一相對低之電阻，因此可減小低電位畫素電源ELVSS之電壓降。此外，輔助電極210可設置於第二區域II中且可不會設置於第一區域I中，俾使有機發光顯示裝置之光輸出效率可不會由於輔助電極210之存在而減小。因此，可提高有機發光顯示裝置之發光均勻度。
第4圖為例示根據另一實施例之一有機發光顯示裝置之局部剖視圖。第4圖所示之有機發光顯示裝置可實質上相同於或類似於第2圖及第3圖中所例示之有機發光顯示裝置，只是各輔助電極212被置於各對應第二電極222之上方而非下方。因此，相同之參考編號指代相同之元件，且本文中可不對其予以贅述。
參照第4圖，有機發光顯示裝置可包含：一基礎基板100、第一開關結構及第二開關結構、一第一電極180、一有機發光層200、一第二電極222、一導電圖案185及一電源線160。有機發光顯示裝置可被劃分成一 第一區域I(主內部區域I)、一第二區域II(輔助電源耦合區域II)、及一第三區域III(周邊電源線區域III)。
一緩衝層110、第一開關結構及第二開關結構、一層間絕緣層140及訊號線150可被設置於基板100上，且一絕緣層170可被設置成覆蓋上述組件。在實例性實施例中，絕緣層170可自第一區域I延伸至第二區域II及第三區域III。此外，第三區域III中之電源線160可不完全被絕緣層170覆蓋。
一第一電極180可於絕緣層170上設置於第一區域I中，且一導電圖案185可於絕緣層170上設置於第二區域II及第三區域III中。
當有機發光顯示裝置係為一頂部發光類型時，第一電極180可為一反射性電極，該反射性電極包含具有一相對大之反射率之一金屬或一合金。導電圖案185可直接接觸電源線160，且可包含一實質上相同於反射性、金屬第一電極180之材料。
此外，畫素界定圖案190可設置於絕緣層170上以局部地覆蓋第一電極180及導電圖案185。
第二電極222可設置於畫素界定圖案190及導電圖案185上。第二電極222可被設置成於第一區域I中與第一電極180相對，且可於第二區域II中被設置於導電圖案185及畫素界定圖案190上。
當第二電極222係為一透明電極或一半透明、半反射性電極時，第二電極222可包含一金屬。第二電極222可包含一實質上相同於或類似於參照第2圖及第3圖闡述之第二電極220之材料。
輔助電極212可設置於第二區域II中且位於第二電極222之 上方。在實例性實施例中，輔助電極212可包含一實質上相同於或類似於第二電極222所使用之材料。
根據第4圖所示之實例性實施例，有機發光顯示裝置可包含位於第二區域II中且位於第二電極222上之輔助電極212。因此，低電位畫素電源ELVSS可自電源線160經由導電圖案185及輔助電極212被傳遞至第二電極222。輔助電極212可具有一相對低之電阻，因此可減小低電位畫素電源ELVSS之電壓降。
第5圖為例示根據再一實施例之一有機發光顯示裝置之局部剖視圖。除第5圖所示之輔助電極214以外，第5圖所示之有機發光顯示裝置可實質上相同於或類似於參照第2圖及第3圖所例示之該等有機發光顯示裝置，該輔助電極214厚於第二電極224但係為第二電極224之單片積體式延伸。因此，相同之參考編號指代相同之元件，且在本文中可不對其予以贅述。
參照第5圖，有機發光顯示裝置可包含：一基板100、第一開關結構及第二開關結構、一第一電極180、一有機發光層200、一第二電極224、一導電圖案185及一電源線160。有機發光顯示裝置可被劃分成一第一區域I、一第二區域II、及一第三區域III。
一緩衝層110、第一開關結構及第二開關結構、一層間絕緣層140及訊號線150可設置於基板100上，且一絕緣層170可被設置成覆蓋該等上述組件。在實例性實施例中，絕緣層170可自第一區域I延伸至第二區域II及第三區域III。此外，第三區域III中之電源線160可不會完全被絕緣層170覆蓋。
一第一電極180可於絕緣層170上設置於第一區域I中，且一導電圖案185可於絕緣層170上設置於第二區域II及第三區域III中。
導電圖案185可直接接觸電源線160，且可包含一實質上相同於第一電極180之材料。導電圖案185可電性連接電源線160且亦在分散接觸點處電性連接所例示之輔助電極214。
畫素界定圖案190可設置於絕緣層170上以局部地覆蓋第一電極180及導電圖案185。
第二電極224可於畫素界定圖案190上設置於第一區域I中。第二電極224可被設置成與第一電極180相對。第二電極224可包含一實質上相同於或類似於參照第2圖及第3圖所闡述之第二電極220之材料。
輔助電極214可於導電圖案185及畫素界定圖案190上設置於第二區域II中。在第5圖所示之實例性實施例中，輔助電極214利用一實質上相同於或類似於第二電極224之材料，只是該材料具有更大之厚度。作為另一選擇，輔助電極214可另外包含一不同於第二電極224之材料。輔助電極214可具有一係為第二電極224至少兩倍厚度(若非更厚)之厚度。
根據實例性實施例，有機發光顯示裝置可包含輔助電極214，輔助電極214位於第二區域II中且位於導電圖案185及畫素界定圖案190上。因此，低電位畫素電源ELVSS可自電源線160經由導電圖案185及輔助電極214被傳遞至第二電極224。輔助電極214可具有一相對低之電阻，因此可減小低電位畫素電源ELVSS之電壓降。
第6圖至第13圖包含例示根據上述某些實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法之平面圖及剖視圖。第6圖、第7圖、第8圖、第9 圖、第11圖及第13圖為例示根據某些實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法之剖視圖，且第10圖及第12圖為例示一用於製造一有機發光顯示裝置之遮罩之平面圖。
參照第6圖，可於一基板100上形成一緩衝層110、半導體圖案120及125、一閘極絕緣層130、閘極132及134、及一層間絕緣層140。
根據第2圖，基板100可被劃分成一第一區域I、一第二區域II、及一第三區域III。緩衝層110可形成於基板100上，且一半導體層可形成於緩衝層110上。半導體層可被局部移除，且雜質可被植入半導體層中以形成半導體圖案120及125。在實例性實施例中，半導體層可利用多晶矽、摻雜多晶矽、非晶矽、或摻雜非晶矽形成。在其他實例性實施例中，半導體層可利用一三元系半導電氧化物或一四元系半導電氧化物而形成，該三元系半導電氧化物及該四元系半導電氧化物包含AwBxCyO(其中A，B，C係為鋅、鎘、鎵、銦、錫、鉿或鋯；0w、x、y)之一組合。雜質可被植入第一半導體圖案120中，進而形成一第一源極區121及一第一汲極區122並於第一源極區121與第一汲極區122之間界定一第一通道區域123。此外，雜質可被植入第二半導體圖案125中，進而形成一第二源極區126及一第二汲極區127並於第二源極區126與第二汲極區127之間界定一第二通道區域129。
接著，可於緩衝層110上形成閘極絕緣層130以覆蓋半導體圖案120及125。可於閘極絕緣層130上形成閘極132及134及層間絕緣層140。
參照第7圖，可利用一或多種低電阻率導電材料於層間絕緣層140上形成源極152及156、汲極154及158、一訊號線150及一電源線160。
可局部移除閘極絕緣層130及層間絕緣層140以形成暴露出 源極121及123以及汲極122及127之開口，且可於層間絕緣層140上形成一第一導電層以填充該等開口。接著，可局部移除第一導電層以於第一區域I中形成第一源極152及第一汲極154，於第二區域II中形成第二源極156、第二汲極158及訊號線150，並於第三區域III中形成電源線160。
參照第8圖，可於層間絕緣層140上形成一絕緣層170，且絕緣層170可被平坦化以覆蓋源極152及156、汲極154及158、及訊號線150，並同時提供一本質上為平面之頂面。在汲極接觸孔175形成之後，可於絕緣層170上同時形成一第一電極180及一導電圖案185。
絕緣層170可自第一區域I延伸至第二區域II及第三區域III，且可局部地覆蓋或可不覆蓋電源線160。
接著，可於絕緣層170及電源線160上形成一第二導電層，且第二導電層可被圖案化以於第一區域I中形成第一電極180並於第二區域II及第三區域III中形成導電圖案185。在此種情形中，如第8圖中所示，導電圖案185可電性連接至電源線160。
此外，如上所述，在第一電極180形成之前可形成一第一接觸孔175貫穿絕緣層170。因此，第一接觸孔175可於第一汲極154與第一電極180之間提供電性連接。
參照第9圖，接著，可形成一畫素界定圖案190以覆蓋第一電極180及導電圖案185，接著可於第一電極180上形成一有機發光層200。
畫素界定圖案190可利用一光阻擋絕緣材料(例如，一染色光阻劑)而形成。在實例性實施例中，複數個畫素界定圖案190可形成於第一區域I、第二區域II及第三區域III中。畫素界定圖案190可被形成為覆蓋第 一電極180之端部以分離第一區域I中之每一畫素。此外，畫素界定圖案190可保護第三區域III中之導電圖案185及電源線160。
參照第10圖及第11圖，可形成一輔助電極210以利用暴露出第二區域II之一第一遮罩250覆蓋畫素界定圖案190及導電圖案185。
第一遮罩250可包含一第一開口251。第一開口251可局部地暴露出基板100之第二區域II。在實例性實施例中，第一開口251可暴露出第二區域II之環繞第一區域I之三側(一頂側、一左側、及一右側)之部分。
在實例性實施例中，第一遮罩250可包含複數個第一開口251，且各該第一開口251可對應於各該有機發光顯示裝置。
輔助電極210可藉由一物理氣相沈積製程(physical vapor deposition process)而形成。舉例而言，輔助電極210可利用第一遮罩250藉由一蒸發製程(evaporation process)或一濺鍍製程(sputtering process)形成。
在實例性實施例中，輔助電極210可藉由一蒸發製程形成，在該蒸發製程中，可同時加熱一銀來源及一鎂來源。在此種情形中，一用於接收銀來源及鎂來源之坩堝可設置於一真空腔室之一下部處，且基板100可設置於真空腔室之一上部處。第一遮罩250可被排列成暴露出基板100之第二區域II。作為另一選擇，輔助電極210可利用一銀靶及一鎂靶藉由一共濺鍍製程(co-sputtering process)而形成。
參照第12圖及第13圖，可藉由在沈積製程中使用一暴露出第一區域I及第二區域II之第二遮罩260形成一第二電極220，以覆蓋輔助電極210、畫素界定圖案190及有機發光層200。
第二遮罩260可包含一第二開口261。第二開口261可完全暴露出基板100之第一區域I及第二區域II。在實例性實施例中，第二遮罩260可包含複數個第二開口261。
除第二遮罩260以外，用於形成第二電極220之製程可實質上類似於用於形成輔助電極210之製程。
在實例性實施例中，第二電極220可藉由一利用銀來源及鎂來源之蒸發製程形成。因此，第二電極220及輔助電極210可藉由利用相同之蒸發源而形成於相同之真空腔室中。作為另一選擇，第二電極220可利用一不同於輔助電極210之蒸發源而形成。
根據實例性實施例，具有一相對低電阻之輔助電極210可形成於第二區域II中且位於導電圖案185與第二電極220之間。因此，可減小自導電圖案185至第二電極220之電壓降。
第14圖至第17圖為例示根據其他實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法之平面圖及剖視圖。
首先，可執行實質上相同於或類似於參照第6圖至第9圖所例示之製程。亦即，可於一基板100上形成第一開關結構及第二開關結構、一電源線160、一第一電極180及一畫素界定圖案190。
參照第14圖及第15圖，可藉由利用一暴露出第一區域I及第二區域II之第一遮罩252而首先形成一第二電極222，以覆蓋導電圖案185、畫素界定圖案190及有機發光層200。
第一遮罩252可包含一第一開口253，且第一開口253可完全暴露出基板100之第一區域I及第二區域II。用於形成第二電極222之製程可 實質上類似於參照第12圖及第13圖所闡述之第二電極220之該等製程。
參照第16圖及第17圖，隨後，可藉由利用一暴露出第二區域II之第二遮罩262於第二電極222之上方形成一輔助電極212。
第二遮罩262可包含一第二開口263，且第二開口263可局部地暴露出基板100之第二區域II。用於形成輔助電極212之製程可實質上類似於形成參照第10圖及第11圖所闡述之輔助電極210之該等製程。
根據實例性實施例，即使輔助電極212及第二電極222之一位置改變，具有一相對低電阻之輔助電極212仍可於第二區域II中形成於第二電極222上。因此，可減小自導電圖案185至第二電極222之一電壓降。
第18圖至第21圖為例示根據其他實施例，一種製造一有機發光顯示裝置之方法之平面圖及剖視圖。
首先，可執行實質上相同於或類似於參照第6圖至第9圖所例示之製程。亦即，可於一基板100上形成第一開關結構及第二開關結構、一電源線160、一第一電極180及一畫素界定圖案190。
參照第18圖及第19圖，可利用一暴露出第一區域I之第一遮罩254而形成一第二電極224，以覆蓋畫素界定圖案190及有機發光層200。
第一遮罩254可包含一第一開口255，第一開口255可完全暴露出基板100之第一區域I。在實例性實施例中，如第18圖中所示，第一遮罩254可包含複數個第一開口255。用於形成第二電極224之製程可實質上類似於參照第12圖及第13圖所闡述之形成第二電極220之製程。
參照第20圖及第21圖，可利用一暴露出第二區域II之第二遮罩264而於導電圖案185及畫素界定圖案190上形成一輔助電極214。
第二遮罩264可包含一第二開口265，且第二開口265可局部暴露出基板100之第二區域II。用於形成輔助電極214之製程可實質上類似於參照第10圖及第11圖所闡述之形成輔助電極210之製程。
根據實例性實施例，即使輔助電極214及第二電極224之位置改變，具有一相對低電阻之輔助電極214仍可形成於第二電極224與導電圖案185之間。因此，可減小自導電圖案185至第二電極224之一電壓降。
根據本文中所提供之實例性實施例，本發明可應用至各種其他電性設備。舉例而言，本發明不僅可被應用至一靜態電性設備中，例如一監視器、一電視、一數位資訊顯示(digital information display；DID)設備，而且可被應用至一可攜式電性設備中，例如一筆記型電腦、一數位照相機、一行動電話、一智慧型電話、一智慧型平板電腦、一個人數位助理(personal digital assistant；PDA)、一個人媒體播放機(personal media player；PMP)、一MP3播放機、一導航系統、一攝錄影機、一可攜式遊戲機、及類似電性設備。
上述內容係對實例性實施例之例示，而不應被視為用於限制該等實例性實施例。儘管已闡述某些實例性實施例，然而熟習此項技術者鑒於上述內容將理解，在不本質上背離本文中所揭露之發明之新穎教示內容及優點之條件下，可對實例性實施例進行諸多潤飾。藉此，所有該等潤飾係包含於本發明之教示內容之範圍內。因此，應理解，上述內容係對各種實例性實施例之例示，而不應被視為僅限於所揭露之特定實例性實施例，且對所揭露之實例性實施例以及其他實例性實施例之潤飾係包含於本發明之範圍內。
I‧‧‧第一區域
II‧‧‧第二區域
III‧‧‧第三區域
100‧‧‧基板
110‧‧‧緩衝層
120‧‧‧第一半導體圖案
121‧‧‧第一源極區
122‧‧‧第一汲極區
123‧‧‧第一通道區域
125‧‧‧第二半導體圖案
126‧‧‧第二源極區
127‧‧‧第二汲極區
129‧‧‧第二通道區域
130‧‧‧閘極絕緣層
132‧‧‧第一閘極
134‧‧‧第二閘極
140‧‧‧層間絕緣層
150‧‧‧訊號線
152‧‧‧第一源極
154‧‧‧第一汲極
156‧‧‧第二源極
158‧‧‧第二汲極
160‧‧‧電源線
170‧‧‧絕緣層
175‧‧‧第一接觸孔
180‧‧‧第一電極
185‧‧‧導電圖案
190‧‧‧畫素界定圖案
200‧‧‧有機發光層
210‧‧‧輔助電極
220‧‧‧第二電極

Claims (10)

  1. 一種有機發光顯示裝置，包含：一基板，具有一第一區域(區域I)、一第二區域(區域Ⅱ)、以及一第三區域(區域Ⅲ)，該第二區域(Ⅱ)至少局部地圍繞該第一區域延伸，且該第三區域(Ⅲ)至少局部地圍繞該第二區域延伸；一第一電極及一發光結構，該發光結構被耦合成由該第一電極驅動，該第一電極與該發光結構二者皆設置於該第一區域(I)中且位於該基板上；一電源線，設置於該第三區域(Ⅲ)中且位於該基板上；一第二電極，供置於該發光結構上且耦合至該發光結構，以與該第一電極相對，該第二電極設置於該基板之至少該第一區域(I)中；一導電圖案(conductive pattern)，用以使該第二電極與該電源線電性連接；以及一輔助電極，直接接觸該第二電極，該輔助電極設置於該基板之該第二區域(Ⅱ)中；其中該輔助電極具有之一每單位面積電阻係數小於該第二電極。
  2. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該輔助電極具有一厚度，該厚度實質上大於該第二電極之一厚度。
  3. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該輔助電極包含一材料，該材料實質上相同於該第二電極中所用之一材料。
  4. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該輔助電極於該第二區域中完全覆蓋該第二電極之一部分之一頂面。
  5. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極於該第二區域中完全覆蓋該輔助電極之一頂面。
  6. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，其中該第二電極包含鎂與銀之一合金，且鎂與銀之一重量比為約9：1。
  7. 如請求項1所述之有機發光顯示裝置，更包含一畫素界定圖案(pixel defining pattern)，該畫素界定圖案於該第二區域中被設置於該第二電極與該導電圖案之間，其中該畫素界定圖案覆蓋該導電圖案之複數端部。
  8. 一種製造一有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：提供一基板，該基板具有一第一區域(區域I)、一第二區域(區域Ⅱ)以及一第三區域(區域Ⅲ)，該第二區域(Ⅱ)至少局部地圍繞該第一區域延伸，且該第三區域(Ⅲ)至少局部地圍繞該第二區域延伸；形成一電源線於該第三區域中且於該基板上；同時地形成一第一電極及一導電圖案，該第一電極設置於該基板之該第一區域中；形成一發光結構於該第一電極上；藉由利用一第一遮罩執行一沈積製程而於該第二區域中形成一輔助電極，該輔助電極電性連接至該導電圖案；以及藉由利用一第二遮罩執行一沈積製程而形成耦合至該發光結構並與該第一電極相對之一第二電極，該第二電極設置於該基板之該第一區域中並電性連接至該輔助電極。
  9. 如請求項8所述之方法，其中該第一遮罩被排列成局部地暴露出該基板之該第二區域，且其中該第二遮罩被配置成暴露出該基板之該第一區域 及該第二區域。
  10. 如請求項8所述之方法，其中利用該第一遮罩及該第二遮罩之該等沈積製程包含一物理氣相沈積製程(physical vapor deposition process)，該物理氣相沈積製程經由各該遮罩之各該開口而沈積其氣相材料，以及其中，用以形成該輔助電極之一製程以及用以形成該第二電極之一製程係於同一腔室(chamber)中利用同一來源氣體來執行。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102237135B1 (ko) * 2014-07-14 2021-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102261610B1 (ko) * 2014-07-30 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102273654B1 (ko) * 2014-10-08 2021-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104393188A (zh) * 2014-11-28 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置
CN104953044B (zh) * 2015-05-06 2017-11-07 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled及其制作方法
KR102540372B1 (ko) * 2015-05-28 2023-06-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110164880B (zh) * 2015-06-09 2022-05-10 群创光电股份有限公司 显示装置
KR102383444B1 (ko) 2015-08-17 2022-04-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN105244365B (zh) * 2015-11-18 2018-09-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示装置、制造方法及显示设备
KR102642369B1 (ko) * 2016-03-25 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102627284B1 (ko) 2016-05-12 2024-01-22 엘지디스플레이 주식회사 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극의 접속구조 형성 방법과 그를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치
KR102457244B1 (ko) * 2016-05-19 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102654924B1 (ko) 2016-06-16 2024-04-05 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102572341B1 (ko) * 2016-07-29 2023-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102389346B1 (ko) * 2017-04-03 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109216403A (zh) * 2017-06-29 2019-01-15 昆山国显光电有限公司 电路基板和显示装置
TWI653747B (zh) * 2017-07-25 2019-03-11 友達光電股份有限公司 陣列基板及其製造方法
CN107819016B (zh) * 2017-10-30 2020-06-19 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR102441681B1 (ko) * 2017-12-05 2022-09-07 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치용 oled 패널 및 그 제조 방법
KR102503745B1 (ko) * 2017-12-14 2023-02-23 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102476562B1 (ko) * 2017-12-27 2022-12-09 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
US10916734B2 (en) 2018-02-07 2021-02-09 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing curved display, curved display and display
CN109037279B (zh) * 2018-07-23 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板
CN109713012B (zh) 2018-12-27 2020-11-20 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
KR102687429B1 (ko) * 2018-12-28 2024-07-22 엘지디스플레이 주식회사 조명 장치
KR102769670B1 (ko) * 2019-01-29 2025-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102707561B1 (ko) * 2019-04-02 2024-09-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110189639B (zh) * 2019-06-28 2020-12-04 昆山国显光电有限公司 显示基板、显示面板及显示装置
CN111477664B (zh) * 2020-04-26 2023-11-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN111668158B (zh) * 2020-06-15 2022-11-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN111668283A (zh) * 2020-07-02 2020-09-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
WO2022051994A1 (zh) * 2020-09-10 2022-03-17 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN115552654A (zh) * 2021-04-30 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置
WO2023206130A1 (zh) * 2022-04-27 2023-11-02 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、驱动方法和显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6777249B2 (en) * 2001-06-01 2004-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of repairing a light-emitting device, and method of manufacturing a light-emitting device
SG126714A1 (en) * 2002-01-24 2006-11-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
KR100700650B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 장치 및 그 제조 방법
JP2007287354A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR100875102B1 (ko) * 2007-09-03 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
KR101574210B1 (ko) * 2008-09-25 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
KR20100037876A (ko) * 2008-10-02 2010-04-12 삼성전자주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
KR20110019498A (ko) * 2009-08-20 2011-02-28 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR101519916B1 (ko) * 2011-04-07 2015-05-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101521676B1 (ko) * 2011-09-20 2015-05-19 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법

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KR20150006125A (ko) 2015-01-16
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