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TW201344998A - 波長變換構件及其製造方法，含有該波長變換構件之發光裝置及照明器具，暨樹脂組成物 - Google Patents

波長變換構件及其製造方法，含有該波長變換構件之發光裝置及照明器具，暨樹脂組成物 Download PDF

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TW201344998A
TW201344998A TW102107188A TW102107188A TW201344998A TW 201344998 A TW201344998 A TW 201344998A TW 102107188 A TW102107188 A TW 102107188A TW 102107188 A TW102107188 A TW 102107188A TW 201344998 A TW201344998 A TW 201344998A
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light
wavelength conversion
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resin
phosphor
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Application number
TW102107188A
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Hiroshi Nakano
Tadahiro Katsumoto
Toshiaki Yokoo
Hiroya Kodama
Hisashi Yoshida
Masami Suzuki
Daisuke Yamamoto
Original Assignee
Mitsubishi Chem Corp
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Publication date
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Abstract

本發明提供一種尤其於低色溫之白色LED中亦可確保充分之全光束的波長變換構件及其製造方法、含有該波長變換構件之發光裝置及照明器具、以及樹脂組成物。本發明係藉由如下波長變換構件而解決問題，該波長變換構件係對入射光之至少一部分進行波長變換而放出與上述入射光不同波長之出射光者，其特徵在於：該波長變換構件具有面狀構造，該面狀構造包含吸收上述入射光之至少一部分而放出與上述入射光不同波長之出射光之螢光體、及保持該螢光體之樹脂，且該面狀構造之至少一部分之全光線透過率為30%以上且70%以下。

Description

波長變換構件及其製造方法，含有該波長變換構件之發光裝置及照明器具，暨樹脂組成物
本發明尤其係關於一種含有螢光體與樹脂且應用於發光裝置或照明器具之波長變換構件及其製造方法、以及含有該螢光體與該樹脂之樹脂組成物。
使用半導體發光元件之發光裝置(以下亦簡稱為LED(Light Emitting Diode，發光二極體)發光裝置)作為節能發光裝置，其存在感提昇。LED發光裝置包含半導體發光元件，並且包含藉由半導體發光元件所發出之光而激發從而放出不同波長之光的螢光體。
LED發光裝置中所包含之螢光體係例如使螢光體分散於樹脂中而成之漿料成形，作為波長變換構件而包含於LED發光裝置中(例如，參照專利文獻1及2)。
作為LED發光裝置，一般要求更亮者，即要求較高之全光束，為了自LED發光裝置出射更多之光束，於構成波長變換構件之樹脂中使用透光性材料。例如，於專利文獻2中例示有聚矽氧樹脂，此外，有時亦使用環氧樹脂或陶瓷、玻璃等(例如，參照專利文獻3及4)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2007-95770號公報
[專利文獻2]日本專利特開2011-159813號公報
[專利文獻3]日本專利特開2012-9470號公報
[專利文獻4]日本專利特開2008-21868號公報
如上所述，LED發光裝置中要求較高之全光束。又，於白色LED發光裝置中，有放射色溫較高之晝光色之白色者與放射色溫較低之燈泡色之白色者，於放射低色溫之白光之白色LED發光裝置中，尤其有全光束容易降低之問題。
本發明係解決上述問題者，提供一種可構成如下波長變換構件之成形體，該波長變換構件尤其於低色溫之白色LED發光裝置中亦可確保充分之光束。
本發明者等人為解決上述問題而反覆研究，發現藉由將可構成波長變換構件之成形體之全光線透過率設為特定之範圍，自發光裝置出射之全光束提高，從而完成本發明。
本發明之第一實施樣態係一種波長變換構件，其係對入射光之至少一部分進行波長變換而放出與上述入射光不同波長之出射光者，其特徵在於：該波長變換構件具有面狀構造，該面狀構造包含吸收上述入射光之至少一部分而放出與上述入射光不同波長之出射光之螢光體、及保持該螢光體之樹脂，且該面狀構造之至少一部分之全光線透過率為30%以上且70%以下。又，上述全光線透過率較佳為42%以上且70%以下。
上述波長變換構件之厚度較佳為0.3 mm以上且5.0 mm以下。
又，上述波長變換構件中所包含之上述螢光體之含量較佳為15重量%以下，該螢光體之平均粒徑較佳為10 μm以上。
進而，上述波長變換構件較佳為進而含有透過率調整劑。
又，上述樹脂較佳為結晶性樹脂或非晶性樹脂，該非晶 性樹脂較佳為熱塑性樹脂，進而，上述樹脂亦可為合金。
進而，上述波長變換構件較佳為可於不具有保持構件之情況下以單體保持其形態，又，較佳為特徵在於藉由射出成形而成形。
本發明之第二實施樣態係一種波長變換構件之製造方法，其係製造上述之波長變換構件之方法，其特徵在於：包括混合樹脂與螢光體之步驟、及使藉由該步驟而獲得之混合物成形之步驟，並於惰性氣體環境下進行該混合步驟及/或該成形步驟。
上述波長變換構件之製造方法較佳為於上述混合步驟中進而添加透過率調整劑，又，上述樹脂較佳為結晶性樹脂或非晶性樹脂。
本發明之第三實施樣態係一種發光裝置，其特徵在於具備上述波長變換構件或藉由上述製造方法而製造之波長變換構件、及半導體發光元件。
上述發光裝置較佳為出射光之色溫為5500 K以下。
又，上述發光裝置較佳為上述波長變換構件與上述半導體發光元件呈分離，又，較佳為於該波長變換構件與該半導體發光元件之間具備透明樹脂，進而較佳為於上述波長變換構件與上述半導體發光元件之間具有空間。
又，上述發光裝置較佳為，具有配線基板，於該配線基板上設置有反射板，反射率為80%以上之部位之面積為該配線基板上之面積之50%以上。
進而，上述發光裝置較佳為，具有上述配線基板及機殼，於該配線基板及該機殼內壁面上設置有反射板，反射率為80%以上之部位之面積為該機殼內壁面上及該配線基板上之面積之50%以上。
本發明之第四實施樣態係一種LED照明器具，其特徵在於具有上述之發光裝置。
本發明之第五實施樣態係一種樹脂組成物，其係含有螢光體及樹脂者，其特徵在於：於使該樹脂組成物成形為具有面狀構造之成形體時之該面狀構造之至少一部分的全光線透過率為30%以上且 70%以下。
根據本發明之第一實施樣態，可使自發光裝置出射之全光束提高。尤其，於出射低色溫之白光之白色LED發光裝置之情形時，全光束容易降低，本發明之第一實施樣態之波長變換構件係於應用於出射低色溫之白光之白色LED發光裝置之情形時，亦可抑制全光束之降低。又，與先前存在之出射相同程度之全光束之發光裝置相比，可藉由將全光線透過率調整為特定之範圍，而減少必需之螢光體量。波長變換構件之全光線透過率例如可藉由樹脂種類之選擇、樹脂之合金化、複數種樹脂之不均質混合、波長變換構件之厚度、波長變換構件之表面處理、透過率調整劑之添加等而進行調整。因此，於出射低色溫之白光之白色LED發光裝置之情形時，亦可抑制全光束之降低，並且可減少所使用之螢光體量。
又，根據本發明之第二實施樣態，可製造上述波長變換構件。
進而，本發明之第三實施樣態係使用半導體發光元件及上述第一或第二實施樣態之波長變換構件之發光裝置，第四實施樣態係具備第三實施樣態之發光裝置之照明器具。
進而，根據本發明之第五實施樣態，可提供一種能夠製造可調節全光線透過率之波長變換構件之樹脂組成物。
1‧‧‧藍色半導體發光元件
2‧‧‧配線基板
2a‧‧‧晶片安裝面
3‧‧‧波長變換構件
4‧‧‧機殼
10‧‧‧發光裝置
圖1係表示本發明之實施樣態之半導體發光裝置之構成例的模式圖。
圖2係表示本發明之實施樣態之半導體發光裝置之構成例的模式圖。
圖3係表示實施例1~10及比較例1~2中之全光線透過率與Lumen比之關係之圖表。
<1-1.波長變換構件>
本發明之第一實施樣態係關於一種波長變換構件，其係對入射光之至少一部分進行波長變換而放出與上述入射光不同波長之出射光者，其特徵在於：該波長變換構件具有面狀構造，該面狀構造包含吸收上述入射光之至少一部分而放出與上述入射光不同波長之出射光之螢光體、及保持該螢光體之樹脂，且該面狀構造之至少一部分之全光線透過率為30%以上且70%以下。
所謂全光線透過率，係指全透過光束相對於試片之平行入射光束之比例。全光線透過率可依據JIS K7361進行測定。由於含有螢光體，故而成為著色之透明性較低之波長變換構件，因此必需利用入口開口為20 mmΦ、使用鹵素燈作為光源之裝置進行測定。波長變換構件之全光線透過率之調整可藉由例如下述之螢光體之使用量、選擇之樹脂之種類、樹脂之合金化、複數種樹脂之不均質混合、波長變換構件之厚度、波長變換構件之表面處理等而進行，又，可藉由含有透過率調整劑而進行。
一般認為，於LED發光裝置中，為了使全光束提高，必需使自作為發光源之半導體發光元件放出之光大量地透過含有螢光體之波長變換構件。因此，波長變換構件係使用聚矽氧或環氧等透過性較高之材料。
然而，本發明者等人經過研究後發現，於波長變換構件之全光線透過率過高之情形時，自發光裝置出射之光之全光束反而降低。繼而，進而推進研究後想到，藉由使用全光線透過率在不過高之範圍、具體為全光線透過率為30%以上且70%以下之範圍的波長變換構件，發光裝置可達成較高之全光束。而且，即便為出射全光束容易降低之低色溫之白光之發光裝置，亦可達成較高之全光束。
此處，如上所述，本發明之波長變換構件具有包含螢光體與保持該螢光體之樹脂之面狀構造。所謂面狀構造，意指發光裝置中成為發光面之部分，例如於波長變換構件設於發光裝置時，並非指與自其端部等可見之其他構件之結合部、接合部、嚙合部，而是指位於波長變換構件中央附近之主要接受激發光而可向外部出射光之部 位。
若使用圖1進行說明，則圖1中之波長變換構件3中之單點鏈線部均為面狀構造部分。另一方面，波長變換構件3中之配線基板2附近部分並非面狀構造。
於本實施形態中，只要波長變換構件之面狀構造之至少一部分滿足上述全光線透過率之範圍即可，較佳為主要部分滿足上述全光線透過率之範圍，更佳為波長變換構件之面狀構造之全部滿足上述全光線透過率之範圍。又，上述全光線透過率較佳為42%以上，更佳為45%以上，進而較佳為47%以上。另一方面，較佳為60%以下，更佳為55%以下。
此處，所謂該面狀構造之主要部分，意指組入半導體發光裝置中時放出光之上述面狀構造內成為主要之光放出部分。
<1-2.螢光體>
本實施樣態之波長變換構件包含螢光體。包含之螢光體之種類係適當選擇，但較佳為無機螢光體，關於紅色(橙色)、綠色、藍色、黃色螢光體，可列舉下述者作為代表之螢光體。
此時，螢光體可單獨使用1種，亦可組合2種以上。藉由使用2種以上之螢光體，可使色溫降低或使顯色性提高。
又，螢光體亦可藉由第三成分而實施表面處理。作為表面處理劑，並無特別限定，例如可使用與下述之透過率調整劑之表面處理劑同樣者。再者，本實施形態之螢光體可使用預先以表面處理劑進行處理者，亦可使用於混練時將表面處理劑直接添加於混練機中而於混練機內進行表面處理者。
<1-2-1.紅色螢光體>
紅色螢光體之發光峰波長適合在如下之波長範圍：通常為565 nm以上，較佳為575 nm以上，更佳為580 nm以上，又，通常為780 nm以下，較佳為700 nm以下，更佳為680 nm以下。
紅色螢光體之發光峰之半值寬通常為1 nm~120 nm之範圍。又，外部量子效率通常為60%以上，較佳為70%以上，重量中 值徑通常為0.1 μm以上，較佳為1.0 μm以上，進而較佳為5.0 μm以上，通常為40 μm以下，較佳為30 μm以下，進而較佳為20 μm以下。
作為此種紅色螢光體，例如亦可使用日本專利特開2006-008721號公報中所記載之CaAlSiN3：Eu(本案說明書中，有時亦記載為「CASN」)、日本專利特開2008-7751號公報中所記載之(Sr,Ca)AlSiN3：Eu、日本專利特開2007-231245號公報中所記載之Ca1-xAl1-xSi1+xN3-xOx：Eu等Eu賦活氧化物、氮化物或氮氧化物螢光體等、或日本專利特開2008-38081號公報(Sr,Ba,Ca)3SiO5：Eu(以下有時簡稱為「SBS螢光體」)。
此外，作為紅色螢光體，亦可使用(Mg,Ca,Sr,Ba)2Si5N8：Eu等Eu賦活鹼土類氮化矽系螢光體；(La,Y)2O2S：Eu等Eu賦活酸硫化物螢光體；(Y,La,Gd,Lu)2O2S：Eu等Eu賦活稀土類氧硫族元素化物系螢光體；Y(V,P)O4：Eu、Y2O3：Eu等Eu賦活氧化物螢光體；(Ba,Mg)2SiO4：Eu,Mn、(Ba,Sr,Ca,Mg)2SiO4：Eu,Mn等Eu,Mn賦活矽酸鹽螢光體；LiW2O8：Eu、LiW2O8：Eu,Sm、Eu2W2O9、Eu2W2O9：Nb、Eu2W2O9：Sm等Eu賦活鎢酸鹽螢光體；(Ca,Sr)S：Eu等Eu賦活硫化物螢光體；YAlO3：Eu等Eu賦活鋁酸鹽螢光體；Ca2Y8(SiO4)6O2：Eu、LiY9(SiO4)6O2：Eu等Eu賦活矽酸鹽螢光體；(Y,Gd)3Al5O12：Ce、(Tb,Gd)3Al5O12：Ce等Ce賦活鋁酸鹽螢光體；(Mg,Ca,Sr,Ba)2Si5(N,O)8：Eu、(Mg,Ca,Sr,Ba)Si(N,O)2：Eu、(Mg,Ca,Sr,Ba)AlSi(N,O)3：Eu等Eu賦活氧化物、氮化物或氮氧化物螢光體；(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2：Eu,Mn等Eu,Mn賦活鹵磷酸鹽螢光體；Ba3MgSi2O8：Eu,Mn、(Ba,Sr,Ca,Mg)3(Zn,Mg)Si2O8：Eu,Mn等Eu,Mn賦活矽酸鹽螢光體；3.5MgO-0.5MgF2-GeO2：Mn等Mn賦活鍺酸鹽螢光體；Eu賦活α賽隆等Eu賦活氮氧化物螢光體；(Gd,Y,Lu,La)2O3：Eu,Bi等Eu,Bi賦活氧化物螢光體；(Gd,Y,Lu,La)2O2S：Eu,Bi等Eu,Bi賦活酸硫化物螢光體；(Gd,Y,Lu,La)VO4：Eu,Bi等Eu,Bi賦活釩酸鹽螢光體；SrY2S4：Eu,Ce等Eu,Ce賦活硫化物螢光體；CaLa2S4：Ce等Ce賦活硫化物螢光體；(Ba,Sr,Ca)MgP2O7：Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg,Zn)2P2O7：Eu,Mn等Eu,Mn 賦活磷酸鹽螢光體；(Y,Lu)2WO6：Eu,Mo等Eu,Mo賦活鎢酸鹽螢光體；(Ba,Sr,Ca)xSiyNz：Eu,Ce(其中，x、y、z表示1以上之整數)等Eu,Ce賦活氮化物螢光體；(Ca,Sr,Ba,Mg)10(PO4)6(F,Cl,Br,OH)：Eu,Mn等Eu,Mn賦活鹵磷酸鹽螢光體；((Y,Lu,Gd,Tb)1-x-yScxCey)2(Ca,Mg)1-r(Mg,Zn)2+rSiz-qGeqO12+δ等Ce賦活矽酸鹽螢光體等。
此外，為了提高來自半導體發光裝置之放射光之顯色性，或提高發光裝置之發光效率，作為紅色螢光體，可單獨使用紅色發光光譜之半值寬為20 nm以下之紅色螢光體(以下有時稱為「窄頻帶紅色螢光體」)，或可與其他紅色螢光體、尤其紅色發光光譜之半值寬為50 nm以上之紅色螢光體混合而使用。作為此種紅色螢光體，可列舉由A2+xMyMnzFn(A為Na及/或K；M為Si及Al；-1≦x≦1且0.9≦y+z≦1.1且0.001≦z≦0.4且5≦n≦7)所表示之KSF、KSNAF及KSF與KSNAF之固溶體、由(k-x)MgO-xAF2-GeO2：yMn4+(其中，式中k為2.8~5之實數，x為0.1~0.7之實數，y為0.005~0.015之實數，A為鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鋅(Zn)或其等之混合物)之化學式所表示之3.5MgO-0.5MgF2-GeO2：Mn等錳活性之深紅色(600 nm~670 nm)鍺酸鹽螢光體、由(La1-x-y,Eux,Lny)2O2S(x及y分別表示滿足0.02≦x≦0.50及0≦y≦0.50之數，Ln表示Y、Gd、Lu、Sc、Sm及Er中之至少1種3價稀土類元素)之化學式所表示之LOS螢光體等。
又，亦可使用國際公開WO2008-096300號公報中所記載之SrAlSi4N7或美國專利7524437號公報中所記載之Sr2Al2Si9O2N14：Eu。
以上之中，作為紅色螢光體，較佳為CASN螢光體、SCASN螢光體、CASON螢光體、SBS螢光體。
以上例示之紅色螢光體可僅使用任一種，亦可以任意之組合及比率併用兩種以上。
<1-2-2.綠色螢光體>
綠色螢光體之發光峰波長通常大於500 nm，其中較佳為510 nm以上，進而較佳為515 nm以上，又，通常為550 nm以下，其中較佳為 540 nm以下，進而較佳為535 nm以下之範圍。該發光峰波長若過短則有帶藍色之傾向，另一方面，若過長則有帶黃色之傾向，均可能降低作為綠色光之特性。
綠色螢光體之發光峰之半值寬通常為1 nm~80 nm之範圍。又，外部量子效率通常為60%以上，較佳為70%以上，重量中值徑通常為0.1 μm以上，較佳為1.0 μm以上，進而較佳為5.0 μm以上，通常為40 μm以下，較佳為30 μm以下，進而較佳為20 μm以下。
作為此種綠色螢光體，例如可列舉國際公開WO2007-091687號公報中所記載之由(Ba,Ca,Sr,Mg)2SiO4：Eu(以下有時簡稱為「BSS螢光體」)所表示之Eu賦活鹼土類矽酸鹽系螢光體等。
又，此外，作為綠色螢光體，例如亦可使用專利第3921545號公報中所記載之Si6-zAlzN8-zOz：Eu(其中，0<z≦4.2；以下有時簡稱為「β-SiAlON螢光體」)等Eu賦活氮氧化物螢光體、國際公開WO2007-088966號公報中所記載之M3Si6O12N2：Eu(其中，M表示鹼土類金屬元素；以下有時簡稱為「BSON螢光體」)等Eu賦活氮氧化物螢光體、日本專利特開2008-274254號公報中所記載之BaMgAl10O17：Eu,Mn賦活鋁酸鹽螢光體(以下有時簡稱為「GBAM螢光體」)。
作為其他綠色螢光體，亦可使用(Mg,Ca,Sr,Ba)Si2O2N2：Eu等Eu賦活鹼土類氮氧化矽系螢光體；Sr4Al14O25：Eu、(Ba,Sr,Ca)Al2O4：Eu等Eu賦活鋁酸鹽螢光體；(Sr,Ba)Al2Si2O8：Eu、(Ba,Mg)2SiO4：Eu、(Ba,Sr,Ca)2(Mg,Zn)Si2O7：Eu、(Ba,Ca,Sr,Mg)9(Sc,Y,Lu,Gd)2(Si,Ge)6O24：Eu等Eu賦活矽酸鹽螢光體；Y2SiO5：Ce,Tb等Ce,Tb賦活矽酸鹽螢光體；Sr2P2O7-Sr2B2O5：Eu等Eu賦活硼酸磷酸鹽螢光體；Sr2Si3O8-2SrCl2：Eu等Eu賦活鹵矽酸鹽螢光體；Zn2SiO4：Mn等Mn賦活矽酸鹽螢光體；CeMgAl11O19：Tb、Y3Al5O12：Tb等Tb賦活鋁酸鹽螢光體；Ca2Y8(SiO4)6O2：Tb、La3Ga5SiO14：Tb等Tb賦活矽酸鹽螢光體；(Sr,Ba,Ca)Ga2S4：Eu,Tb,Sm等Eu,Tb,Sm賦活硫代五倍子酸鹽螢光體；Y3(Al,Ga)5O12：Ce、(Y,Ga,Tb,La,Sm,Pr,Lu)3(Al,Ga)5O12：Ce等Ce賦活鋁酸鹽螢光體；Ca3Sc2Si3O12：Ce、Ca3(Sc,Mg,Na,Li)2Si3O12：Ce等Ce 賦活矽酸鹽螢光體；CaSc2O4：Ce等Ce賦活氧化物螢光體；Eu賦活β-賽隆等Eu賦活氮氧化物螢光體、SrAl2O4：Eu等Eu賦活鋁酸鹽螢光體；(La,Gd,Y)2O2S：Tb等Tb賦活酸硫化物螢光體；LaPO4：Ce,Tb等Ce,Tb賦活磷酸鹽螢光體；ZnS：Cu,Al、ZnS：Cu,Au,Al等硫化物螢光體；(Y,Ga,Lu,Sc,La)BO3：Ce,Tb、Na2Gd2B2O7：Ce,Tb、(Ba,Sr)2(Ca,Mg,Zn)B2O6：K,Ce,Tb等Ce,Tb賦活硼酸鹽螢光體；Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu,Mn等Eu,Mn賦活鹵矽酸鹽螢光體；(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga,In)2S4：Eu等Eu賦活硫代鋁酸鹽螢光體或硫代五倍子酸鹽螢光體；(Ca,Sr)8(Mg,Zn)(SiO4)4Cl2：Eu,Mn等Eu,Mn賦活鹵矽酸鹽螢光體；M3Si6O9N4：Eu等Eu賦活氮氧化物螢光體等。
又，亦可使用國際公開WO2009-072043號公報中記載之Sr5Al5Si21O2N35：Eu或國際公開WO2007-105631號公報中記載之Sr3Si13Al3N21O2：Eu。
以上之中，作為綠色螢光體，較佳為BSS螢光體、β-SiAlON螢光體、BSON螢光體。
以上例示之綠色螢光體可僅使用任一種，亦可以任意之組合及比率併用兩種以上。
此外，為了提高來自半導體發光裝置之放射光之顯色性，或提高發光裝置之發光效率，可單獨使用綠色發光光譜之半值寬為20 nm以下之綠色螢光體(以下有時稱為「窄頻帶綠色螢光體」)作為綠色螢光體。
<1-2-3.藍色螢光體>
藍色螢光體之發光峰波長通常為420 nm以上，較佳為430 nm以上，更佳為440 nm以上，通常未滿500 nm，較佳為490 nm以下，更佳為480 nm以下，進而較佳為470 nm以下，特佳為460 nm以下之波長範圍。
藍色螢光體之發光峰之半值寬通常為10 nm~100 nm之範圍。又，外部量子效率通常為60%以上，較佳為70%以上，重量中值徑通常為0.1 μm以上，較佳為1.0 μm以上，進而較佳為5.0 μm以 上，通常為40 μm以下，較佳為30 μm以下，進而較佳為20 μm以下。
作為此種藍色螢光體，例如可列舉由(Ca,Sr,Ba)5(PO4)3Cl：Eu所表示之銪賦活鹵磷酸鈣系螢光體、由(Ca,Sr,Ba)2B5O9Cl：Eu所表示之銪賦活鹼土類氯硼酸鹽系螢光體、由(Sr,Ca,Ba)Al2O4：Eu或(Sr,Ca,Ba)4Al14O25：Eu所表示之銪賦活鹼土類鋁酸鹽系螢光體等。
又，此外，作為藍色螢光體，亦可使用Sr2P2O7：Sn等Sn賦活磷酸鹽螢光體；Sr4Al14O25：Eu、BaMgAl10O17：Eu、BaAl8O13：Eu等Eu賦活鋁酸鹽螢光體；SrGa2S4：Ce、CaGa2S4：Ce等Ce賦活硫代五倍子酸鹽螢光體；(Ba,Sr,Ca)MgAl10O17：Eu、BaMgAl10O17：Eu,Tb,Sm等Eu,Tb,Sm賦活鋁酸鹽螢光體；(Ba,Sr,Ca)MgAl10O17：Eu,Mn等Eu,Mn賦活鋁酸鹽螢光體；(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2：Eu、(Ba,Sr,Ca)5(PO4)3(Cl,F,Br,OH)：Eu,Mn,Sb等Eu,Tb,Sm賦活鹵磷酸鹽螢光體；BaAl2Si2O8：Eu、(Sr,Ba)3MgSi2O8：Eu等Eu賦活矽酸鹽螢光體；Sr2P2O7：Eu等Eu賦活磷酸鹽螢光體；ZnS：Ag、ZnS：Ag,Al等硫化物螢光體；Y2SiO5：Ce等Ce賦活矽酸鹽螢光體；CaWO4等鎢酸鹽螢光體；(Ba,Sr,Ca)BPO5：Eu,Mn、(Sr,Ca)10(PO4)6-nB2O3：Eu、2SrO-0.84P2O5-0.16B2O3：Eu等Eu,Mn賦活硼酸磷酸鹽螢光體；Sr2Si3O8-2SrCl2：Eu等Eu賦活鹵矽酸鹽螢光體等。
其中，可較佳地使用(Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2：Eu2+、BaMgAl10O17：Eu。又，由(Sr,Ca,Ba)10(PO4)6Cl2：Eu2+所表示之螢光體之中，可較佳地使用由SraBabEux(PO4)cCld(c、d及x係滿足2.7≦c≦3.3、0.9≦d≦1.1、0.3≦x≦1.2之數，x較佳為0.3≦x≦1.0；進而，a及b係滿足a+b=5-x且0.05≦b/(a+b)≦0.6之條件者，b/(a+b)較佳為0.1≦b/(a+b)≦0.6)所表示之螢光體。
此外，為了提高來自半導體發光裝置之放射光之顯色性，或提高發光裝置之發光效率，可單獨使用藍色發光光譜之半值寬為20 nm以下之藍色螢光體(以下有時稱為「窄頻帶藍色螢光體」)作為藍色螢光體。
<1-2-4.黃色螢光體>
黃色螢光體之發光峰波長通常為530 nm以上，較佳為540 nm以上，更佳為550 nm以上，通常為620 nm以下，較佳為600 nm以下，更佳為580 nm以下之波長範圍。
黃色螢光體之發光峰之半值寬通常為80 nm~130 nm之範圍。又，外部量子效率通常為60%以上，較佳為70%以上，重量中值徑通常為0.1 μm以上，較佳為1.0 μm以上，進而較佳為5.0 μm以上，通常為40 μm以下，較佳為30 μm以下，進而較佳為20 μm以下。
作為此種黃色螢光體，例如可列舉各種氧化物系、氮化物系、氮氧化物系、硫化物系、氧硫化物系等螢光體。尤其，可列舉由RE3M5O12：Ce(此處，RE表示選自由Y、Tb、Gd、Lu及Sm所組成之群中之至少1種元素，M表示選自由Al、Ga及Sc所組成之群中之至少1種元素)或Ma3Mb2Mc3O12：Ce(此處，Ma表示2價金屬元素，Mb表示3價金屬元素，Mc表示4價金屬元素)等所表示之具有石榴石構造之石榴石系螢光體；由AE2MdO4：Eu(此處，AE表示選自由Ba、Sr、Ca、Mg及Zn所組成之群中之至少1種元素，Md表示Si及/或Ge)等所表示之正矽酸鹽系螢光體；將該等系之螢光體之構成元素之氧之一部分以氮取代之氮氧化物系螢光體；AEAlSiN3：Ce(此處，AE表示選自由Ba、Sr、Ca、Mg及Zn所組成之群中之至少1種元素)等以Ce賦活具有CaAlSiN3構造之氮化物系螢光體而成之螢光體。
該等之中，較佳為使用石榴石系螢光體，其中，尤佳為使用Y3Al5O12：Ce(本案說明書中，有時亦記載為「YAG」)。
又，此外，作為黃色螢光體，亦可使用CaGa2S4：Eu、(Ca,Sr)Ga2S4：Eu、(Ca,Sr)(Ga,Al)2S4：Eu等硫化物系螢光體；Cax(Si,Al)12(O,N)16：Eu等具有SiAlON構造之氮氧化物系螢光體等以Eu賦活之螢光體；(M1-A-BEuAMnB)2(BO3)1-P(PO4)PX(其中，M表示選自由Ca、Sr及Ba所組成之群中之1種以上元素，X表示選自由F、Cl及Br所組成之群中之1種以上元素；A、B及P分別表示滿足0.001≦A≦0.3、0≦B≦0.3、0≦P≦0.2之數)等Eu賦活或Eu,Mn共賦活鹵化硼酸鹽螢光體；可含有鹼土類金屬元素且具有La3Si6N11構造之Ce賦活氮化物系螢光 體等。再者，關於上述Ce賦活氮化物系螢光體，其一部分亦可經Ca或O部分取代。
於本實施樣態中，將波長變換構件之合計重量設為100重量%時之螢光體含量較佳為0.5重量%以上，更佳為1重量%以上。另一方面，較佳為15重量%以下，更佳為10重量%以下。藉由設為該範圍，波長變換構件之厚度容易成為適當之範圍，可抑制波長變換構件之強度降低。
又，波長變換構件中所包含之螢光體之平均粒徑較佳為10 μm以上，更佳為15 μm以上。藉由設為該範圍，可抑制波長變換效率之降低。
此處，所謂上述平均粒徑，係指一次粒子之平均粒徑，係藉由雷射粒度計而測定之值。
<1-3.樹脂>
本實施樣態中使用之樹脂可為結晶性樹脂，亦可為非晶性樹脂。以下，對本實施樣態中可使用之結晶性樹脂及非晶性樹脂進行說明。
<1-3-1.結晶性樹脂>
作為本實施樣態中使用之具有結晶性之樹脂，只要為通常認知為結晶性樹脂之樹脂，則無特別限制，例如具有代表性的是，於示差掃描熱量測定中，觀察到伴隨以10℃/分鐘自熔融狀態冷卻至室溫時之結晶化熱或將固體狀態之樹脂以10℃/分鐘升溫時之融解熱之波峰的熱塑性樹脂，較佳為此時之熱量為2 J/g以上。
關於具有結晶性之熱塑性樹脂，玻璃轉移溫度Tg與熔點Tm之間之溫度差較大，因此與具有相同程度之耐熱性之非晶性樹脂相比，可於相對低溫下進行混練而成形。因此，於成形時不易著色，故而較佳。
具有結晶性之熱塑性樹脂之種類並無特別限定，具體而言，可列舉聚乙烯、聚丙烯、聚-3-甲基丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、聚乳酸、聚醯胺、聚縮醛、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、聚醚醚酮、含氟樹脂等。
該等之中，就耐久性之觀點而言，較佳為含氟樹脂，作為其具體 例，可列舉ETFE(乙烯-四氟乙烯共聚合體)、PTFE(聚四氟乙烯)、FEP(四氟乙烯-六氟丙烯共聚合體)、PFA(全氟烷氧基氟樹脂)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、PVF(聚氟化乙烯)、PCTFE(聚氯三氟乙烯)及四氟乙烯、六氟丙烯、偏二氟乙烯之共聚合體，該等之中，就耐久性與成形性之觀點而言，較佳為ETFE、FEP、PFA，最佳為ETFE。作為ETFE，除乙烯與四氟乙烯以外，含有具有體積較大之側鏈之少量第三成分的ETFE於透光性或色度穩定性之方面進而較佳。
可僅使用1種該等具有結晶性之熱塑性樹脂，亦可混合2種以上而使用，可藉由合金化而調整全光線透過率，有偏離本實施樣態中之全光線透過率之範圍之情況。
又，具有結晶性之熱塑性樹脂之熔點較佳為150℃以上，更佳為168℃以上。於熔點為150℃以上之情形時，成形體之耐熱性提高。另一方面，熔點較佳為350℃以下，進而較佳為320℃以下，最佳為300℃以下。若為熔點超出350℃之樹脂，則即便為結晶性樹脂，加工溫度亦較高，伴隨樹脂之著色或分解，故而欠佳。
<1-3-2.非晶性樹脂>
作為本實施樣態中使用之非晶性樹脂，可列舉熱硬化性樹脂、熱塑性樹脂、光硬化性樹脂，較佳為熱塑性樹脂。作為熱硬化性樹脂，例如較佳為使用環氧樹脂及聚矽氧系樹脂。
作為非晶性之熱塑性樹脂之例，可列舉：含有降烯等之脂環式聚烯烴樹脂等聚烯烴系樹脂；乙烯與甲基-、乙基-、丙基-、丁基-之各丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之共聚合體、乙烯-丙烯酸共聚合體等離子聚合物樹脂；聚苯乙烯樹脂、ABS樹脂、AS樹脂、AAS樹脂、AES樹脂、MBS樹脂等苯乙烯系樹脂；聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸酯等丙烯酸系樹脂；聚碳酸酯樹脂等聚酯系樹脂；改質聚苯醚樹脂；聚胺基甲酸酯樹脂；聚芳酯樹脂；聚醚醯亞胺樹脂；聚醯亞胺樹脂等，可列舉其等之1種或2種以上之混合品等。
又，樹脂亦可為合金，藉由以合金之形式使用，可調節螢光體量，其結果為，具有可調節全光線透過率之優點。
該等之中，於透明性、耐熱性、機械特性、難燃性優異之方面，可最佳地使用聚碳酸酯樹脂。以下對聚碳酸酯樹脂進行詳細說明。
本實施樣態中使用之聚碳酸酯樹脂係由下述之通常化學式(1)所表示之具有碳酸鍵之基本構造之聚合體。
化學式(1)中，X1一般為烴，為賦予各種特性，亦可使用導入雜原子、雜鍵之X1。
又，聚碳酸酯樹脂可分類為直接鍵結於碳酸鍵之碳分別為芳香族碳之芳香族聚碳酸酯樹脂及為脂肪族碳之脂肪族聚碳酸酯樹脂，可使用任一種。其中，就耐熱性、機械物性、電氣特性等觀點而言，較佳為芳香族聚碳酸酯樹脂。
聚碳酸酯樹脂之具體種類並無限制，例如可列舉使二羥基化合物與碳酸酯前驅物進行反應而成之聚碳酸酯聚合體。此時，除二羥基化合物及碳酸酯前驅物以外，亦可使聚羥基化合物等進行反應。又，亦可使用將二氧化碳作為碳酸酯前驅物與環狀醚進行反應之方法。又，聚碳酸酯聚合體可為直鏈狀，亦可為支鏈狀。進而，聚碳酸酯聚合體可為由1種重複單位構成之均聚合體，亦可為具有2種以上重複單位之共聚合體。此時，共聚合體可選擇無規共聚合體、嵌段共聚合體等各種共聚合形態。再者，此種聚碳酸酯聚合體通常為熱塑性樹脂。
成為芳香族聚碳酸酯樹脂之原料之單體之中，若列舉芳香族二羥基化合物之例，則可列舉：1,2-二羥基苯、1,3-二羥基苯(即間苯二酚)、1,4-二羥基苯等二羥基苯類；2,5-二羥基聯苯、2,2'二羥基聯苯、4,4'-二羥基聯苯等二羥基聯苯類；2,2'-二羥基-1,1'-聯萘、1,2-二羥基萘、1,3-二羥基萘、2,3-二羥基萘、1,6-二羥基萘、2,6-二羥基萘、1,7- 二羥基萘、2,7-二羥基萘等二羥基萘類；2,2'二羥基二苯醚、3,3'-二羥基二苯醚、4,4'-二羥基二苯醚、4,4-二羥基-3,3'二甲基二苯醚、1,4-雙(3-羥基苯氧基)苯、1,3-雙(4-羥基苯氧基)苯等二羥基二芳基醚類；2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷(即雙酚A)、1,1-雙(4-羥基苯基)丙烷、2,2-雙(3-甲基-4-羥基苯基)丙烷、2,2-雙(3-甲氧基-4-羥基苯基)丙烷、2-(4-羥基苯基)-2-(3-甲氧基-4-羥基苯基)丙烷、1,1-雙(3-第三丁基-4-羥基苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)丙烷、2,2-雙(3-環己基-4-羥基苯基)丙烷、2-(4-羥基苯基)-2-(3-環己基-4-羥基苯基)丙烷、α,α'-雙(4-羥基苯基)-1,4-二異丙基苯、1,3-雙[2-(4-羥基苯基)-2-丙基]苯、雙(4-羥基苯基)甲烷、雙(4-羥基苯基)環己基甲烷、雙(4-羥基苯基)苯基甲烷、雙(4-羥基苯基)(4-丙烯基苯基)甲烷、雙(4-羥基苯基)二苯基甲烷、雙(4-羥基苯基)萘基甲烷、1-雙(4-羥基苯基)乙烷、2-雙(4-羥基苯基)乙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-1-苯基乙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-1-萘基乙烷、1-雙(4-羥基苯基)丁烷、2-雙(4-羥基苯基)丁烷、2,2-雙(4-羥基苯基)戊烷、1,1-雙(4-羥基苯基)己烷、2,2-雙(4-羥基苯基)己烷、1-雙(4-羥基苯基)辛烷、2-雙(4-羥基苯基)辛烷、1-雙(4-羥基苯基)己烷、2-雙(4-羥基苯基)己烷、4,4-雙(4-羥基苯基)庚烷、2,2-雙(4-羥基苯基)壬烷、10-雙(4-羥基苯基)癸烷、1-雙(4-羥基苯基)十二烷等雙(羥基芳基)烷烴類；1-雙(4-羥基苯基)環戊烷、1-雙(4-羥基苯基)環己烷、4-雙(4-羥基苯基)環己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-3,3-二甲基環己烷、1-雙(4-羥基苯基)-3,4-二甲基環己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-3,5-二甲基環己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)-3,3,5-三丁基環己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-3-丙基-5-甲基環己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-3-第三丁基-環己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-3-第三丁基-環己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-3-苯基環己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-4-苯基環己烷等雙(羥基芳基)環烷烴類；9,9-雙(4-羥基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀等含有cardo構造之雙酚類；4,4'-二羥基二苯硫醚、4,4'-二羥基-3,3'-二甲基二苯硫醚等二羥基二芳基硫醚類；4,4'-二羥基二苯基亞碸、4,4'二羥基-3,3'-二甲基二苯基亞碸等二羥基二芳基亞碸類；4,4'-二羥基二苯基 碸、4,4'-二羥基-3,3'二甲基二苯基碸等二羥基二芳基碸類等。
該等之中，較佳為雙(羥基芳基)烷烴類，其中較佳為雙(4-羥基苯基)烷烴類，尤其，就耐衝擊性、耐熱性之觀點而言，較佳為2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷(即雙酚A)。
再者，芳香族二羥基化合物可僅使用1種，亦可將2種以上以任意組合及比率併用。
又，若列舉成為脂肪族聚碳酸酯樹脂之原料之單體之例，則可列舉：乙烷-1,2-二醇、丙烷-1,2-二醇、丙烷-1,3-二醇、2,2-二甲基丙烷-1,3-二醇、2-甲基-2-丙基丙烷-1,3-二醇、丁烷-1,4-二醇、戊烷-1,5-二醇、己烷-1,6-二醇、癸烷-1,10-二醇等烷烴二醇類；環戊烷-1,2-二醇、環己烷-1,2-二醇、環己烷-1,4-二醇、1,4-環己烷二甲醇、4-(2-羥基乙基)環己醇、2,2,4,4-四甲基-環丁烷-1,3-二醇等環烷烴二醇類；2,2'-氧基二乙醇(即乙二醇)、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、螺二醇等二醇類；1,2-苯二甲醇、1,3-苯二甲醇、1,4-苯二甲醇、1,4-苯二乙醇、1,3-雙(2-羥基乙氧基)苯、1,4-雙(2-羥基乙氧基)苯、2,3-雙(羥基甲基)萘、1,6-雙(羥基乙氧基)萘、4,4'聯苯二甲醇、4,4'-聯苯二乙醇、1,4-雙(2-羥基乙氧基)聯苯、雙酚A雙(2-羥基乙基)醚、雙酚S雙(2-羥基乙基)醚等芳烷基二醇類；1,2-環氧乙烷(即環氧乙烷)、1,2-環氧丙烷(即環氧丙烷)、1,2-環氧環戊烷、1,2-環氧環己烷、1,4-環氧環己烷、1-甲基-1,2-環氧環己烷、2,3-環氧降烷、1,3-環氧丙烷等環狀醚類，該等可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
成為香族聚碳酸酯樹脂之原料之單體之中，若列舉碳酸酯前驅物之例，則可列舉羰基鹵化物、碳酸酯等。再者，碳酸酯前驅物可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
作為羰基鹵化物，具體而言，例如可列舉碳醯氯、二羥基化合物之雙氯甲酸酯體、二羥基化合物之單氯甲酸酯體等鹵代甲酸酯等。
作為碳酸酯，具體而言，例如可列舉碳酸二苯酯、碳酸二甲苯酯等碳酸二芳基酯類；碳酸二甲酯、碳酸二乙酯等碳酸二烷基 酯類；二羥基化合物之雙碳酸酯體、二羥基化合物之單碳酸酯體、環狀碳酸酯等二羥基化合物之碳酸酯體等。
聚碳酸酯樹脂之製造方法並無特別限定，可採用任意方法。若列舉其例，則可列舉界面聚合法、熔融酯交換法、吡啶法、環狀碳酸酯化合物之開環聚合法、預聚物之固相酯交換法等。以下，對該等方法之中尤佳之界面聚合法及熔融酯交換法具體進行說明。
(界面聚合法)
界面聚合法中，於對反應為惰性之有機溶劑及鹼性水溶液之存在下，通常將pH值保持為9以上，使二羥基化合物與碳酸酯前驅物(較佳為碳醯氯)進行反應後，於聚合觸媒之存在下進行界面聚合，藉此獲得聚碳酸酯樹脂。再者，於反應系中，亦可視需要而存在分子量調整劑(末端封端劑)，為防止二羥基化合物之氧化，亦可存在抗氧化劑。
二羥基化合物及碳酸酯前驅物如上所述。再者，碳酸酯前驅物中亦較佳為使用碳醯氯，使用碳醯氯之情形時之方法尤其稱為碳醯氯法。
作為對反應為惰性之有機溶劑，例如可列舉二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、氯仿、單氯苯、二氯苯等氯化烴等；苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴等。再者，有機溶劑可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
作為鹼性水溶液中所含有之鹼性化合物，例如可列舉氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、碳酸氫鈉等鹼性金屬化合物或鹼土類金屬化合物，其中較佳為氫氧化鈉及氫氧化鉀。再者，鹼性化合物可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
鹼性水溶液中之鹼性化合物之濃度並無限制，通常，為了將反應之鹼性水溶液中之pH值控制為10~12，而以5~10重量%使用。又，例如於噴入碳醯氯時，為了以水相之pH值成為10~12、較佳為10~11之方式進行控制，較佳為將雙酚化合物與鹼性化合物之莫耳比通常設為1：1.9以上，其中較佳為1：2.0以上，又，通常設為1：3.2以下，其中較佳為1：2.5以下。
作為聚合觸媒，例如可列舉：三甲胺、三乙胺、三丁胺、三丙胺、三己胺等脂肪族三級胺；N,N'-二甲基環己基胺、N,N'-二乙基環己基胺等脂環式三級胺；N,N'-二甲基苯胺、N,N'-二乙基苯胺等芳香族三級胺；氯化三甲基苄基銨、氯化四甲基銨、氯化三乙基苄基銨等四級銨鹽、吡啶、鳥嘌呤、胍之鹽等。再者，聚合觸媒可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
作為分子量調整劑，例如可列舉具有一價酚性羥基之芳香族苯酚；甲醇、丁醇等脂肪族醇、硫醇、苯二甲醯亞胺等，其中較佳為芳香族苯酚。作為此種芳香族苯酚，具體而言，可列舉：間甲基苯酚、對甲基苯酚、間丙基苯酚、對丙基苯酚、對第三丁基苯酚、對長鏈烷基取代苯酚等烷基取代苯酚；異敵稗苯酚等含有乙烯基之苯酚、含有環氧基之苯酚、鄰8-羥基喹啉苯甲酸、2-甲基-6-羥基苯基乙酸等含有羧基之苯酚等。再者，分子量調整劑可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
分子量調整劑之使用量相對於二羥基化合物100莫耳，通常為0.5莫耳以上，較佳為1莫耳以上，又，通常為50莫耳以下，較佳為30莫耳以下。藉由將分子量調整劑之使用量設為該範圍，可使聚碳酸酯樹脂組成物之熱穩定性及耐水解性提高。
於反應時，只要可獲得所需之聚碳酸酯樹脂，則混合反應基質、反應媒、觸媒、添加劑等之順序為任意，可任意地設定適當之順序。例如，於使用碳醯氯作為碳酸酯前驅物之情形時，分子量調整劑只要於自二羥基化合物與碳醯氯之反應(碳醯氯化)時起至聚合反應開始時為止期間，則可於任意之時期進行混合。再者，反應溫度通常為0~40℃，反應時間通常為數分鐘(例如10分鐘)~數小時(例如6小時)。
(熔融酯交換法)
熔融酯交換法中，例如進行碳酸二酯與二羥基化合物之酯交換反應。
二羥基化合物如上所述。另一方面，作為碳酸二酯，例 如可列舉碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸二-第三丁酯等碳酸二烷基酯化合物；碳酸二苯酯；碳酸二甲苯酯等取代碳酸二苯酯等。其中，較佳為碳酸二苯酯及取代碳酸二苯酯，尤佳為碳酸二苯酯。再者，碳酸二酯可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
只要可獲得所需之聚碳酸酯樹脂，則二羥基化合物與碳酸二酯之比率為任意，相對於二羥基化合物1莫耳，較佳為使用等莫耳量以上之碳酸二酯，其中更佳為使用1.01莫耳以上。再者，上限通常為1.30莫耳以下。藉由設為此種範圍，可將末端羥基量調整為較佳之範圍。
若為聚碳酸酯樹脂，則有其末端羥基量對熱穩定性、水解穩定性、色調等造成較大影響之傾向。因此，亦可藉由公知之任意方法而視需要調整末端羥基量。酯交換反應中，通常可藉由調整碳酸二酯與芳香族二羥基化合物之混合比率、酯交換反應時之減壓度等，而獲得末端羥基量經調整之聚碳酸酯樹脂。再者，藉由該操作，通常亦可調整所獲得之聚碳酸酯樹脂之分子量。
於調整碳酸二酯與二羥基化合物之混合比率而調整末端羥基量之情形時，其混合比率如上所述。又，作為更積極之調整方法，可列舉於反應時另行混合末端封端劑之方法。作為此時之末端封端劑，例如可列舉一元酚類、一元羧酸類、碳酸二酯類等。再者，末端封端劑可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
於藉由熔融酯交換法而製造聚碳酸酯樹脂時，通常使用酯交換觸媒。酯交換觸媒可使用任意者。其中，較佳為使用例如鹼金屬化合物及/或鹼土類金屬化合物。又，亦可輔助地併用例如鹼性硼化合物、鹼性磷化合物、鹼性銨化合物、胺系化合物等鹼性化合物。再者，酯交換觸媒可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
熔融酯交換法中，反應溫度通常為100~320℃。又，反應時之壓力通常為2 mmHg以下之減壓條件。作為具體操作，可於上述條件下一面去除芳香族羥基化合物等副生成物，一面進行熔融聚縮合反應。
熔融聚縮合反應可以批次式、連續式中之任一方法而進行。於以批次式進行之情形時，只要可獲得所需之芳香族聚碳酸酯樹脂，則混合反應基質、反應媒、觸媒、添加劑等之順序為任意，可任意地設定適當之順序。但是，其中，若考慮聚碳酸酯樹脂及聚碳酸酯樹脂組成物之穩定性等，則熔融聚縮合反應較佳為以連續式進行。
於熔融酯交換法中，亦可視需要而使用觸媒失活劑。作為觸媒失活劑，可任意地使用中和酯交換觸媒之化合物。若列舉其例，則可列舉含硫之酸性化合物及其衍生物等。再者，觸媒失活劑可使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
觸媒失活劑之使用量相對於上述酯交換觸媒所含有之鹼金屬或鹼土類金屬，通常為0.5當量以上，較佳為1當量以上，又，通常為10當量以下，較佳為5當量以下。進而，相對於芳香族聚碳酸酯樹脂，通常為1 ppm以上，又，通常為100 ppm以下，較佳為20 ppm以下。
聚碳酸酯樹脂之分子量為任意，可適當選擇而決定，根據溶液黏度換算之黏度平均分子量[Mv]通常為10,000以上，較佳為16,000以上，更佳為18,000以上，又，通常為40,000以下，較佳為30,000以下。藉由將黏度平均分子量設為上述範圍之下限值以上，可更提高本發明之聚碳酸酯樹脂組成物之機械強度，於用於機械強度之要求較高之用途之情形時成為更佳者。另一方面，藉由將黏度平均分子量設為上述範圍之上限值以下，可抑制並改善本發明之聚碳酸酯樹脂組成物之流動性降低，提高成形加工性而容易進行成形加工。再者，亦可混合使用黏度平均分子量不同之2種以上之聚碳酸酯樹脂，於此情形時，亦可混合黏度平均分子量為上述較佳範圍外之聚碳酸酯樹脂。
再者，所謂黏度平均分子量[Mv]，意指將二氯甲烷用作溶劑，使用烏式黏度計(ubbelohde viscometer)求出溫度20℃下之極限黏度[η](單位dl/g)，根據Schnell之黏度式即η=1.23×10-4Mv0.83而算出之值。又，所謂極限黏度[η]，係測定各溶液濃度[C](g/dl)下之比黏度[ηsp]，藉由下述數式(1)而算出之值。
聚碳酸酯樹脂之末端羥基濃度為任意，可適當選擇而決定，通常為1,000 ppm以下，較佳為800 ppm以下，更佳為600 ppm以下。藉此，可更提高本發明之聚碳酸酯樹脂組成物之滯留熱穩定性及色調。又，其下限通常為10 ppm以上，較佳為30 ppm以上，更佳為40 ppm以上。藉此，可抑制分子量之降低，更提高本發明之聚碳酸酯樹脂組成物之機械特性。再者，末端羥基濃度之單位係將相對於聚碳酸酯樹脂之重量之末端羥基之重量以ppm表示者。該測定方法係利用四氯化鈦/乙酸法而進行之比色測定(Macromol.Chem.88 215(1965)中記載之方法)。
聚碳酸酯樹脂可單獨使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
聚碳酸酯樹脂可單獨(所謂單獨聚碳酸酯樹脂，係以並不限定於僅含有聚碳酸酯樹脂之1種之樣態，而包括含有例如單體組成或分子量相互不同之複數種聚碳酸酯樹脂之樣態的意思而使用)使用聚碳酸酯樹脂，亦可組合聚碳酸酯樹脂與其他熱塑性樹脂之合金(混合物)而使用。進而，例如，亦可為了進一步提高難燃性或耐衝擊性，將聚碳酸酯樹脂製成與具有矽氧烷構造之低聚物或聚合物之共聚合體；為了進一步提高熱氧化穩定性或難燃性，製成與具有磷原子之單體、低聚物或聚合物之共聚合體；為了提高熱氧化穩定性，製成與具有二羥基蒽醌構造之單體、低聚物或聚合物之共聚合體；為了改良光學性質，製成與聚苯乙烯等具有烯烴系構造之低聚物或聚合物之共聚合體；及為了提高耐化學品性，製成與聚酯樹脂低聚物或聚合物之共聚合體等以聚碳酸酯樹脂為主體的共聚合體而構成。於與其他熱塑性樹脂組合而使用之情形時，樹脂成分中之聚碳酸酯樹脂之比例較佳為50重量%以上，更佳為60重量%，進而較佳為70重量%以上。
又，為了謀求成形品之外觀之提昇或流動性之提高，聚 碳酸酯樹脂亦可含有聚碳酸酯低聚物。該聚碳酸酯低聚物之黏度平均分子量[Mv]通常為1,500以上，較佳為2,000以上，又，通常為9,500以下，較佳為9,000以下。進而，含有之聚碳酸酯低聚物較佳為聚碳酸酯樹脂(含有聚碳酸酯低聚物)之30重量%以下。
進而，聚碳酸酯樹脂不僅可為原始原料，亦可為自完成使用之製品再生之聚碳酸酯樹脂(即材料重複利用之聚碳酸酯樹脂)。作為上述完成使用之製品，例如可列舉：光碟等光記錄媒體；導光板；汽車窗玻璃、汽車前照燈配光鏡、風擋等車輛透明構件；水瓶等容器；鏡片；防音壁、玻璃窗、波紋板等建築構件等。又，亦可使用自製品之不合格品、澆道、流道等獲得之粉碎品或將其等熔融所得之顆粒等。
其中，經再生之聚碳酸酯樹脂較佳為本發明之聚碳酸酯樹脂組成物中所包含之聚碳酸酯樹脂中之80重量%以下，其中更佳為50重量%以下。其原因在於，經再生之聚碳酸酯樹脂受到熱劣化或經時劣化等劣化之可能性較高，因此於多於上述範圍而使用此種聚碳酸酯樹脂之情形時，有降低色相或機械物性之可能性。
作為本實施樣態中使用之樹脂之特性，於結晶性熱塑性樹脂之情形時，熔點通常為80℃以上，較佳為120℃以上。另一方面，通常為350℃以下，較佳為300℃以下。於非晶性熱塑性樹脂之情形時，玻璃轉移點通常為80℃以上，較佳為120℃以上。另一方面，通常為350℃以下，較佳為300℃以下。藉由為該範圍，而較佳地實施射出成形。
又，於熱塑性樹脂之情形時，較佳為彈性模數於室溫下為300 MPa以上，更佳為700 MPa以上，進而較佳為800 MPa以上。藉由為該範圍，即便於用於照明器具等之情形時，亦抑制因由點燈引起之溫度上升而導致剛性不足之狀況。
<1-4.透過率調整劑>
所謂透過率調整劑，係具有與樹脂所具有之折射率不同之折射率之物質，且係可使光分散之物質。此處作為對象之折射率可為可見光區域內之任一波長之折射率，具有代表性的是於可見光區域之任一波 長中折射率差之絕對值為0.005以上。測定方法並無特別限定，可以阿貝之折射率計或YOSHIYAMA等人之液浸法(AEROSOL研究Vol.9,No.1 Spring pp.44-50(1994))等進行測定。藉由使用透過率調整劑，可調節螢光體量，其結果為可調節全光線透過率。作為透過率調整劑，可列舉無機系光透過率調整劑、有機系光透過率調整劑或氣泡。
作為無機系光透過率調整劑，例如可使用含有矽、鋁、鈦、鋯、鈣、鎂、鋅及鋇等元素之無機系光透過率調整劑，又，較佳為使用含有由矽、鋁、鈦及鋯所組成之群中之至少1種元素之無機系光透過率調整劑。作為有機系光透過率調整劑材料，可使用丙烯酸系、苯乙烯系、聚醯胺系或者含有矽或氟作為元素之有機系光透過率調整劑，其中較佳為使用丙烯酸系光透過率調整劑或含有矽作為元素之有機系光透過率調整劑。
作為無機系光透過率調整劑之具體例，可列舉二氧化矽(silica)、白碳、熔融二氧化矽、滑石、氟化鈣或氟化鎂等金屬氟化物、氧化鎂、氧化鋅、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋯、氧化硼、氮化硼、氮化鋁、氮化矽、碳酸鈣、碳酸鋇、碳酸鎂、氫氧化鋁、氫氧化鈣、氫氧化鎂、氫氧化鋁、硫酸鋇、矽酸鈣、矽酸鎂、矽酸鋁、矽酸鋁化鈉、矽酸鋅、硫化鋅、玻璃粒子、玻璃纖維、玻璃薄片、雲母、矽灰石、沸石、海泡石、膨潤土、蒙脫石、水滑石、高嶺石、鈦酸鉀等材料。
該等無機系透過率調整劑亦可為以矽烷偶合劑、鈦酸酯偶合劑、甲基氫聚矽氧烷、聚矽氧油、含脂肪酸之烴化合物等各種表面處理劑進行處理者。該等之中，尤佳為如甲基三甲氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、辛基三甲氧基矽烷、十二烷基三甲氧基矽烷之烷基三甲氧基矽烷，動黏度於25℃下為5~1萬mm2/s之範圍之甲基氫聚矽氧烷，動黏度於25℃下為5~1萬mm2/s之二甲基聚矽氧油或甲基苯基聚矽氧油，進而較佳為於25℃下之動黏度為10~1000 mm2/s之甲基氫聚矽氧烷。本實施形態中，可使用預先以上述表面處理劑進行處理之透過率調整劑，亦可使用於混練時將表面處理劑直接添加於混練機中而於混練機內進行表面處理之透過率調整劑。
作為有機系光透過率調整劑，可列舉苯乙烯系(共)聚合體、丙烯酸系(共)聚合體、矽氧烷系(共)聚合體、倍半矽氧烷衍生物、聚醯胺系(共)聚合體等材料。該等有機系透過率調整劑之分子之部分或全部可交聯，亦可不交聯。此處，所謂「(共)聚合體」，意指「聚合體」及「共聚合體」之兩者。
作為透過率調整劑，較佳為包含選自由二氧化矽、玻璃、碳酸鈣、氧化鈦、倍半矽氧烷、聚矽氧、氟化鈣、氟化鎂及雲母所組成之群中之至少1種。
又，作為透過率調整劑，較佳為莫氏硬度未滿8，進而較佳為未滿7。藉由使用此種硬度之透過率調整劑，抑制波長變換構件之變色，又，不損及容器而不混入雜質。
又，作為透過率調整劑，較佳為其長徑L與短徑D之比L/D為200以下。藉由使用此種範圍之透過率調整劑，抑制波長變換構件之變色，又，不損及容器而不混入雜質。L/D更佳為50以下。
又，於藉由透過率調整劑而調整波長變換構件之透過率時，例如可藉由添加平均粒徑較小之透過率調整劑、添加與波長變換構件之折射率差較大之透過率調整劑、或增加透過率調整劑之添加量而降低波長變換構件之透過率，藉此而進行調整。
透過率調整劑之平均粒徑較佳為100 μm以下，更佳為0.1 μm以上且30 μm以下，進而較佳為0.1 μm以上且15 μm以下，進而更佳為1 μm以上且5 μm以下。
本實施樣態中，於使用透過率調整劑之情形時，將波長變換構件之合計重量設為100重量%，而通常含有0.1重量%以上，較佳為含有0.3重量%以上。又，通常含有70重量%以下，較佳為含有40重量%以下。
透過率調整劑係將成形前之樹脂組成物之合計重量設為100重量%，而通常含有0.1重量%以上，較佳為含有0.3重量%以上。又，通常含有70重量%以下，較佳為含有40重量%以下。
<1-5.其他添加劑>
作為其他添加劑，可於本實施形態之波長變換構件或樹脂組成物中使用有效量之通常用於樹脂之添加劑。具體而言，可列舉其他熱塑性樹脂、脫模劑、結晶成核劑、抗氧化劑、抗結塊劑、紫外線吸收劑、光穩定劑、可塑劑、熱穩定劑、著色劑、難燃劑、抗靜電劑、防霧劑、表面濕潤改善劑、煅燒輔助劑、滑劑、難燃劑、交聯劑、分散助劑或各種界面活性劑、滑澤劑、水解防止劑、中和劑、加強材、導熱材等。該等可單獨使用1種，亦可混合使用2種以上。
<1-5-1.抗氧化劑>
作為抗氧化劑之具體例，可列舉：2,6-二-第三丁基-4-羥基甲苯、2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、季戊四醇四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、3,3',3",5,5',5"-六-第三丁基-a,a',a"-(均三甲苯-2,4,6-三基)三-對甲酚、十八烷基-3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、1,3,5-三[(4-第三丁基-3-羥基-2,6-二甲苯基)甲基]-1,3,5-三-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、1,3,5-三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)-1,3,5-三-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、二乙基雙[[3,5-雙(1,1-二甲基乙基)-4-羥基苯基]甲基]膦酸鈣、雙(2,2'-二羥基-3,3'-二-第三丁基-5,5'-二甲基苯基)乙烷、N,N'-己烷-1,6-二基雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基丙醯胺等受阻酚系抗氧化劑；亞磷酸十三烷基酯、亞磷酸二苯基癸基酯、四(2,4-二-第三丁基苯基)[1,1-聯苯]-4,4'-二基雙亞膦酸二酯、亞磷酸雙[2,4-雙(1,1-二甲基乙基)-6-甲基苯基]乙酯、雙(2,4-二-第三丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯等磷系抗氧化劑；3-羥基-5,7-二-第三丁基-呋喃-2-酮與二甲苯之反應生成物等內酯系抗氧化劑；二月桂基硫代二丙酸酯、二硬脂基硫代二丙酸酯等硫系抗氧化劑等。該等抗氧化劑可單獨使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
抗氧化劑之使用量於不明顯損及本發明之效果之範圍內為任意，樹脂組成物中，通常為100重量ppm以上且50000重量ppm以下。若低於該範圍之下限，則有抗氧化劑之效果變小之虞，若超過上限，則有抗氧化劑滲出反而引起著色之虞。
<1-5-2.脫模劑>
於使用非晶性樹脂之情形時，較佳為添加脫模劑。作為脫模劑，可列舉高級脂肪酸、一元或多元醇之高級脂肪酸酯、蜜蠟等天然動物系蠟、巴西棕櫚蠟等天然植物系蠟、石蠟等天然石油系蠟、褐煤蠟等天然石炭系蠟、烯烴系蠟、聚矽氧油、有機聚矽氧烷等，特佳為高級脂肪酸、一元或多元醇之高級脂肪酸酯。
作為高級脂肪酸酯，較佳為經取代或未經取代之碳數1~碳數20之一元或多元醇與經取代或未經取代之碳數10~碳數30之飽和脂肪酸之部分酯或全酯。作為該一元或多元醇與飽和脂肪酸之部分酯或全酯，可列舉：硬脂酸單甘油酯、硬脂酸二甘油酯、硬脂酸三甘油酯、硬脂酸單山梨醇酯、硬脂酸硬脂基酯、二十二烷酸單甘油酯、二十二烷酸二十二烷基酯、季戊四醇單硬脂酸酯、季戊四醇四硬脂酸酯、季戊四醇四壬酸酯、丙二醇單硬脂酸酯、硬脂酸硬脂基酯、棕櫚酸棕櫚基酯、硬脂酸丁基酯、月桂酸甲酯、棕櫚酸異丙酯、聯苯雙酚酯、山梨醇酐單硬脂酸酯、硬脂酸2-乙基己基酯等。其中，較佳地使用硬脂酸單甘油酯、硬脂酸三甘油酯、季戊四醇四硬脂酸酯、二十二烷酸二十二烷基酯。
作為高級脂肪酸，較佳為經取代或未經取代之碳數10~碳數30之飽和脂肪酸。作為此種飽和脂肪酸，可列舉肉豆蔻酸、月桂酸、棕櫚酸、硬脂酸、二十二烷酸等。
該等脫模劑可單獨使用1種，亦可混合使用2種以上。該脫模劑之含量於樹脂組成物中較佳為0.0001重量%以上，進而較佳為0.01重量%以上，特佳為0.1重量%以上，另一方面，較佳為1重量%以下，進而較佳為0.7重量%以下，特佳為0.5重量%以下。
<1-5-3.結晶成核劑>
於使用結晶性樹脂之情形時，較佳為添加結晶成核劑。作為結晶成核劑之具體例，作為無機系成核劑，可列舉滑石、高嶺石、蒙脫石、合成雲母、黏土、沸石、二氧化矽、石墨、碳黑、氧化鋅、氧化鎂、氧化鈦、硫化鈣、氮化硼、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化釹及膦酸苯酯之金屬鹽等。又，該等無機系成核劑亦可以有機物進行改質，以 提高組成物中之分散性。
另一方面，作為有機系成核劑，可列舉：苯甲酸鈉、苯甲酸鉀、苯甲酸鋰、苯甲酸鈣、苯甲酸鎂、苯甲酸鋇、對苯二甲酸鋰、對苯二甲酸鈉、對苯二甲酸鉀、草酸鈣、月桂酸鈉、月桂酸鉀、肉豆蔻酸鈉、肉豆蔻酸鉀、肉豆蔻酸鈣、二十八酸鈉、二十八酸鈣、硬脂酸鈉、硬脂酸鉀、硬脂酸鋰、硬脂酸鈣、硬脂酸鎂、硬脂酸鋇、褐煤酸鈉、褐煤酸鈣、甲苯甲酸鈉、水楊酸鈉、水楊酸鉀、水楊酸鋅、二苯甲酸鋁、二苯甲酸鉀、二苯甲酸鋰、β-萘二甲酸鈉、環己烷羧酸鈉等有機羧酸金屬鹽；對甲苯磺酸鈉、磺基間苯二甲酸鈉等有機磺酸鹽；硬脂醯胺、伸乙基雙月桂醯胺、棕櫚醯胺、羥基硬脂醯胺、芥子醯胺、1,3,5-苯三甲酸三(第三丁基醯胺)等羧醯胺；低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、聚異丙烯、聚丁烯、聚-4-甲基戊烯、聚乙烯環烷烴、聚乙烯三烷基矽烷、高熔點聚乳酸等聚合物；乙烯-丙烯酸或甲基丙烯酸共聚物之鈉鹽、苯乙烯-順丁烯二酸酐共聚物之鈉鹽等具有羧基之聚合體之鈉鹽或鉀鹽(即離子聚合物)；亞苄基山梨醇及其衍生物、鈉-2,2'-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)磷酸酯等磷化合物金屬鹽；及2,2-甲基雙(4,6-二-第三丁基苯基)鈉；聚乙烯蠟等。
成核劑之平均粒徑於不明顯損及本發明之效果之範圍內為任意。較理想為，通常為50 μm以下，較佳為10 μm以下。成核劑之較佳調配量於樹脂組成物中通常為0.01重量%以上且5重量%以下。
<1-5-4.光穩定劑>
作為光穩定劑，可列舉：癸二酸雙(2,2,6,6-四甲基-1(辛基氧基)-4-哌啶基)酯、1,1-二甲基乙基氫過氧化物與辛烷之反應生成物、雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)[[3,5-雙(1,1-二甲基乙基)-4-羥基苯基]甲基]丁基丙二酸酯、雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基癸二酸甲酯、雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、1-[2-[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙醯氧基]乙基]-4-[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙醯氧基]-2,2,6,6-四甲基哌啶、聚[[6-(1,1,3,3-四甲 基丁基)胺基-1,3,5-三-2,4-二基][(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基]六亞甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亞胺基}]等受阻胺系穩定劑。
光穩定劑可單獨使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
進而，光穩定劑之使用量於樹脂組成物中通常為0.1重量%以上且5重量%以下。
<1-5-5.紫外線吸收劑>
作為紫外線吸收劑，除氧化鈰、氧化鋅等無機紫外線吸收劑以外，可列舉苯并三唑化合物、二苯甲酮化合物、三化合物等有機紫外線吸收劑。該等之中，較佳為選自苯并三唑化合物、2-(4,6-二苯基-1,3,5-三-2-基)-5-[(己基)氧基]-苯酚、2-[4,6-雙(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三-2-基]-5-(辛氧基)苯酚、2,2'-(1,4-伸苯基)雙[4H-3,1-苯并-4-酮]、[(4-甲氧基苯基)-亞甲基]-丙二酸-二甲酯之群中之至少1種。
作為苯并三唑化合物之具體例，可列舉甲基-3-[3-第三丁基-5-(2H-苯并三唑-2-基)-4-羥基苯基]丙酸酯-聚乙二醇之縮合物。又，作為其他苯并三唑化合物之具體例，可列舉：2-雙(5-甲基-2-羥基苯基)苯并三唑、2-(3,5-二-第三丁基-2-羥基苯基)苯并三唑、2-(3',5'-二-第三丁基-2'-羥基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(3-第三丁基5-甲基-2-羥基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2'-羥基-5'-第三辛基苯基)苯并三唑、2-(3,5-二-第三戊基-2-羥基苯基)苯并三唑、2-[2-羥基-3,5-雙(α,α-二甲基苄基)苯基]-2H-苯并三唑、2,2'-亞甲基-雙[4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-(2N-苯并三唑2-基)苯酚][甲基-3-[3-第三丁基-5-(2H-苯并三唑-2-基)-4-羥基苯基]丙酸酯-聚乙二醇]縮合物等。
紫外線吸收劑可單獨使用1種，亦可以任意之組合及比率併用2種以上。
又，紫外線吸收劑之使用量係將樹脂組成物之合計重量設為100重量%，通常為100 ppm以上且5重量%以下。
<1-5-6.難燃劑>
作為難燃劑，可列舉有機鹵素系、磷系、有機酸金屬鹽系、聚矽 氧系、氮化合物系之有機難燃劑及無機難燃劑，作為難燃助劑，可列舉氟樹脂系、銻化合物系難燃助劑。亦可併用難燃劑及難燃助劑，又，亦可組合複數種而使用。其中較佳為磷系難燃劑、有機酸金屬鹽系難燃劑、氟樹脂系難燃助劑。
作為有機鹵素化合物，例如可列舉溴化聚碳酸酯、溴化環氧樹脂、溴化苯氧基樹脂、溴化聚苯醚樹脂、溴化聚苯乙烯樹脂、溴化雙酚A、聚丙烯酸五溴苄酯等。
作為磷系難燃劑，可列舉芳香族磷酸酯、聚磷酸、聚磷酸銨、紅磷或於主鏈具有磷原子與氮原子之鍵之磷氮基化合物。作為磷酸酯系難燃劑之具體例，可列舉：磷酸三苯酯、間苯二酚雙(二(二甲苯)磷酸酯)、對苯二酚雙(二(二甲苯)磷酸酯)、4,4'-聯苯酚雙(二(二甲苯)磷酸酯)、雙酚A雙(二(二甲苯)磷酸酯)、間苯二酚雙(磷酸二苯酯)、對苯二酚雙(磷酸二苯酯)、4,4'-聯苯酚雙(磷酸二苯酯)、雙酚A雙(磷酸二苯酯)等。作為有機酸金屬鹽系難燃劑，較佳為有機磺酸金屬鹽，特佳為含氟之有機磺酸金屬鹽，具體而言可例示全氟丁磺酸鉀等。作為氮系化合物，例如可列舉三聚氰胺、三聚氰酸、三聚氰酸三聚氰胺等。作為無機難燃劑，例如可列舉氫氧化鋁、氫氧化鎂、矽化合物、硼化合物等。作為氟系難燃助劑，較佳為氟烯烴樹脂，可例示具有纖維構造之四氟乙烯樹脂。氟系難燃助劑既可為粉末狀，亦可為分散液狀，亦可為將氟樹脂以其他樹脂被覆之粉末狀，可為任一形態。作為銻化合物系難燃助劑，例如可列舉三氧化二銻、五氧化銻、銻酸鈉等。
該等難燃劑、難燃助劑之調配比率只要調配為達成所需之難燃級別所必需之量即可，通常較佳為，於樹脂組成物中，於磷系難燃劑之情形時以1~20重量%之範圍，於有機酸金屬鹽之情形時為0.01~1重量%之範圍，於氟樹脂系難燃助劑之情形時為0.01~1重量%之範圍調配。可於上述範圍內使用1種或2種以上難燃劑、難燃助劑。若少於該範圍，則不易產生難燃性之改良效果，若多於該範圍，則有熱穩定性、機械特性降低之傾向，故而欠佳。再者，難燃級別例如可藉由以UL94為代表之燃燒試驗等而判定。
<2.波長變換構件之製造方法>
製造第二實施樣態之波長變換構件之方法之特徵在於：包括混合樹脂與螢光體之步驟及使藉由該步驟而獲得之混合物成形之步驟，且於惰性氣體環境下進行上述混合步驟及/或上述成形步驟。該等步驟均無特別限定，只要按照慣例而製造即可。
關於混合樹脂與螢光體之步驟，例如，為了製造調配有樹脂與螢光體、較佳為透過率調整劑及視需要而調配之其他添加劑的波長變換構件，可使用單軸或雙軸擠出機作為混練機。樹脂與包含螢光體、透過率調整劑之其他添加劑可自一處一併供給，亦可於供給樹脂後依序供給螢光體等其他調配劑。又，亦可預先混合並混練選自各成分之2種以上之成分。尤其，螢光體較佳為與其他粉末成分混合後供給。再者，擠出機亦可為具備可脫揮揮發成分之通風口者。
又，螢光體及透過率調整劑亦可藉由第三成分而實施表面處理。關於使藉由上述混合步驟而獲得之混合物成形之步驟，可於上述混練後藉由加壓成形或射出成形、中空成形、擠出成形、壓縮成形、均衡加壓成形、轉移成形、旋轉成形等方法而成形。該等之中，若考慮對發光裝置或照明裝置之應用性，則就可成形之波長變換構件之形狀自由度之觀點而言，較佳為藉由射出成形。
作為射出成形，包括對聚矽氧等熱硬化性樹脂之反應射出(RIM，Reaction Injection Molding)成形及液體注射(LIM，Liquid Injection Molding)成形。作為對於一般之熱塑性樹脂之射出成形，藉由對樹脂組成物進行加溫而使其熔融，藉由將熔融之樹脂組成物射出至模具而成形。又，亦可以任意之比率乾摻組成物之調配不同之2種以上顆粒並進行供給，於射出成形機內熔融混合而成形。熔融之情形之溫度於非晶性樹脂之情形時較佳為玻璃轉移點以上之溫度，於結晶性樹脂之情形時較佳為熔點以上之溫度，例如為150℃以上，較佳為170℃以上。於成形溫度過高之情形時有成形體著色之情況，因此較佳為於170℃以上且320℃以下之溫度下進行成形。
再者，若射出成形使用附有熱流道之射出成形裝置，則可減少澆 道流道之損耗，故而較佳。
成形體只要為具有成為白色LED發光裝置中之發光面之面狀構造之形狀，則可為任意形狀。此時，波長變換構件亦可為可不具有保持構件而以單體保持其形態之樣態。但是，由此波長變換構件需要某種程度之厚度。該情形時之波長變換構件之厚度較佳為0.3 mm以上且5 mm以下，更佳為0.5 mm以上且3 mm以下。
又，本發明之波長變換構件係具有包含螢光體及保持該螢光體之樹脂之面狀構造者，該面狀構造之至少一部分之全光線透過率只要為30%以上，較佳為42%以上，更佳為45%以上，進而較佳為47%以上，另一方面為70%以下，較佳為60%以下，更佳為55%以下之範圍內，則可為單層構造，亦可為2層以上之多層積層構造。
又，該面狀構造之主要部亦可為全光線透過率為30%以上，較佳為42%以上，更佳為45%以上，進而較佳為47%，另一方面為70%以下，較佳為60%以下，更佳為55%以下之範圍內之情形。進而，表面可為鏡面，亦可具有褶皺等微細構造，亦可於外表面實施硬塗、印刷等。
混合上述樹脂與螢光體之步驟及使藉由該步驟而獲得之混合物成形之步驟時之環境並無特別限定，較佳為於惰性氣體環境下進行，更佳為於氮氣環境下進行。於使用聚芳酯樹脂、環烯烴共聚物樹脂等之情形時，藉由於氮氣環境下進行，尤其發光效率上升。又，於以玻璃轉移溫度Tg為150℃以上之樹脂且成形溫度為300℃以上之情形時，發光效率提高。
<3.發光裝置>
本發明之第三實施樣態係具備半導體發光元件及第一或第二實施樣態之波長變換構件之發光裝置。
本實施形態之發光裝置係至少含有藍色半導體發光元件及變換藍色光之波長之波長變換構件即本發明之第一或第二實施樣態之波長變換構件者。藍色半導體發光元件與本發明之第一或第二實施樣態之波長變換構件可密接，亦可分離，其間可具備透明樹脂，亦可具有空間。 較佳為如圖1中作為模式圖所示於發光元件與該波長變換構件之間具有空間之構造。
以下，使用圖1及圖2說明其構成。
圖1係本發明之第三實施形態之發光裝置之模式圖。
發光裝置10中，作為其構成構件，至少含有藍色半導體發光元件1及波長變換構件3。藍色半導體發光元件1係發出用以激發波長變換構件3中所含有之螢光體之激發光。
藍色半導體發光元件1通常發出峰波長為425 nm~475 nm之激發光，較佳為發出峰波長為430 nm~470 nm之激發光。藍色半導體發光元件1之數量可根據裝置所必需之激發光之強度而適當設定。
另一方面，可使用紫色半導體發光元件代替藍色半導體發光元件1。紫色半導體發光元件通常發出峰波長為390 nm~425 nm之激發光，較佳為發出峰波長為395~415 nm之激發光。
藍色半導體發光元件1安裝於配線基板2之晶片安裝面2a。於配線基板2形成用以對該等藍色半導體發光元件1供給電極之配線圖案(未圖示)，構成電路。圖1中顯示為於配線基板2載置有波長變換構件3，但並不限定於此，亦可配線基板2與波長變換構件3經由其他構件而配置。
例如於圖2中，配線基板2與波長變換構件3經由機殼4而配置。機殼4亦可為錐狀，以使光具有指向性。又，機殼4亦可為反射材料。
就提高發光裝置10之發光效率之觀點而言，配線基板2較佳為電氣絕緣性優異且具有良好之散熱性，且反射率較高，亦可於配線基板2之晶片安裝面上不存在藍色半導體發光元件1之面上、或連接配線基板2與波長變換構件3之其他構件之內面之至少一部分設置反射率較高之反射板。
作為此種配線基板中使用之反射板之反射率或覆蓋配線基板之一部分之反射板之反射率，較佳為80%以上，更佳為反射率為80%以上之部位之面積為配線基板之面積之50%以上，進而較佳為70%以上，特佳為80%以上，進而，較佳為具有反射率為90%以上之部位，更佳 為反射率為90%以上之部位之面積為配線基板之面積之50%以上，進而較佳為70%以上，特佳為80%以上。再者，反射率意指可見光區域光之反射率。
同樣地，於使用機殼之情形時，作為機殼中使用之反射板之反射率或覆蓋機殼之一部分之反射板之反射率，較佳為80%以上，更佳為反射率為80%以上之部位之面積為機殼及配線基板之面積之50%以上，進而較佳為70%以上，特佳為80%以上。進而，較佳為具有其反射率為90%以上之部位，更佳為反射率為90%以上之部位之面積為機殼及配線基板之面積之50%以上，進而較佳為70%以上，特佳為80%以上。再者，反射率意指可見光區域光之反射率。
作為用以達成此種反射率之材料，可列舉樹脂中含有填料之反射材料。具體而言，較佳為於聚矽氧樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚鄰苯二甲醯胺樹脂等中含有氧化鋁、氧化鈦、氧化矽、氧化鋅、氧化鎂等金屬氧化物填料之反射材料或於陶瓷中含有金屬氧化物之反射材料等。
作為於聚碳酸酯樹脂中含有氧化鈦等金屬氧化物之反射材料，例如可列舉Iupilon EHR3100、EHR3200等。
作為於聚矽氧樹脂中含有氧化鋁、氧化鈦等金屬氧化物之反射材料，例如可列舉WO2011/078239、WO2011/136302中記載之反射材料。
又，亦可較佳地例示於聚鄰苯二甲酸醯胺中含有氧化鋁、氧化鈦等金屬氧化物之反射材料。
波長變換構件3對藍色半導體發光元件1所發出之入射光之一部分進行波長變換，放射出與入射光不同波長之出射光。波長變換構件3含有樹脂及螢光體。螢光體(未圖示)之種類並無特別限定，若發光裝置為白色發光裝置，則可根據半導體發光元件之激發光之種類，以發出白光之方式適當調整螢光體之種類。
於半導體發光元件為藍色半導體發光元件之情形時，藉由使用黃色螢光體或使用綠色螢光體及紅色螢光體，可製成發出白光之發光裝置。
於半導體發光元件為紫色半導體發光元件之情形時，藉由使用藍 色螢光體、綠色螢光體及紅色螢光體，可製成發出白光之發光裝置。
又，於波長變換構件3中，較佳為含有螢光體並且含有少量透過率調整劑。作為透過率調整劑，可列舉無機系光透過率調整劑、有機系光透過率調整劑或氣泡。作為透過率調整劑，較佳為包含選自由二氧化矽、玻璃、碳酸鈣、氧化鈦、倍半矽氧烷、聚矽氧、氟化鈣、氟化鎂及雲母所組成之群中之1種以上。
又，波長變換構件3較佳為與藍色半導體發光元件1之間具有距離。波長變換構件3與藍色半導體發光元件1之間可為空間，亦可具備透明樹脂。如此，藉由於波長變換構件3與藍色半導體發光元件1之間具有距離之樣態，利用藍色半導體發光元件1所發出之熱可抑制波長變換構件3及波長變換構件中所包含之螢光體之劣化。藍色半導體發光元件1與波長變換構件3之間之距離較佳為10 μm以上，進而較佳為100 μm以上，特佳為1.0 mm以上，另一方面，較佳為1.0 m以下，進而較佳為500 mm以下，特佳為100 mm以下。
本發明之第三實施樣態之發光裝置較佳為放射出白光之發光裝置。放射出白光之發光裝置較佳為自發光裝置放射之光與自光色之黑體輻射軌跡之偏差duv為-0.0200~0.0200，且色溫為1800 K以上且7000 K以下。
第三實施樣態之發光裝置於發出低色溫之光之情形時亦可達成高光束。因此，尤佳為發出色溫為5500 K以下、5000 K以下、4500 K以下等低色溫之光之情形。
如此出射白光之發光裝置較佳地設於照明裝置。
<4.照明器具>
本發明之第四實施樣態係具備第三實施樣態之發光裝置之照明器具。如上所述，自第三實施樣態之發光裝置出射較高之全光束，又，即便為出射全光束容易降低之低色溫之白光之發光裝置，亦可達成較高之全光束，因此可獲得全光束較高之照明器具。照明器具較佳為以於熄滅時波長變換構件之顏色不顯眼之方式配置覆蓋發光裝置中之波長變換構件之擴散構件。作為擴散構件，只要霧度為40%以上、全光 線透過率為60%以上，則無特別限制，只要配置於波長變換構件之外側，則可作為照明器具而配置，亦可組入發光裝置中。一併包含擴散構件與波長變換構件之空間內之其他構件之至少一部分較佳為成為反射率較高之反射板。
<5.構成波長變換構件之樹脂組成物>
本發明之第五實施樣態之樹脂組成物係含有螢光體及樹脂者，其特徵在於：使該樹脂組成物成形於具有面狀構造之波長變換構件時之該面狀構造之至少一部分的全光線透過率為30%以上且70%以下。又，較佳為該面狀構造之主要部分之全光線透過率為30%以上且70%以下。
進而，上述全光線透過率較佳為42%以上，更佳為45%以上，進而較佳為47%以上。另一方面，較佳為60%以下，更佳為55%以下。
即，係可製造能夠調節該全光線透過率之波長變換構件之樹脂組成物，其原料之說明與<1-1.波長變換構件>中之說明同樣。
[實施例]
以下，藉由實施例詳細地說明本發明，當然本發明並非僅限定於以下之實施樣態。
<原料>
準備以下所示之樹脂、螢光體、透過率調整劑、氧化穩定劑、脫模劑。又，將透過率調整劑1~14之物性示於表1。
(非晶性熱塑性樹脂)
樹脂1：三菱工程塑膠股份有限公司製造 聚碳酸酯樹脂S-3000F玻璃轉移溫度=149℃
樹脂2：三菱麗陽股份有限公司製造PMMA樹脂ACRYPET VH001玻璃轉移溫度=100℃
樹脂3：JSR股份有限公司製造 環狀烯烴樹脂ARTON F5023玻璃轉移溫度=165℃
樹脂4：UNITIKA股份有限公司製造U polymer U100玻璃轉移溫度=198℃
(具有結晶性之熱塑性樹脂)
樹脂5：旭硝子股份有限公司製造Fluon ETFE C-88AXP彎曲彈性模數：880 MPa熔點：150℃以上且320℃以下
樹脂6：KUREHA股份有限公司製造PVDF KF polymer W#850彎曲彈性模數：1600 MPa熔點：150℃以上且320℃以下
樹脂7：三井化學股份有限公司製造PMP(聚甲基戊烯)TPX RT18彎曲彈性模數：1600 MPa熔點：150℃以上且320℃以下
樹脂8：日本聚乙烯股份有限公司製造PE(聚乙烯)高密度聚乙烯NOVATEC HD HB420R彎曲彈性模數：1300 MPa熔點：150℃以下
樹脂9：DAIKIN工業股份有限公司製造NEOFLON ETFE2 EP610彎曲彈性模數：840 MPa熔點：150℃以上且320℃以下
樹脂10：旭硝子股份有限公司製造Fulon LM-ETFE LM730AP彎曲彈性模數：650 MPa熔點：150℃以上且320℃以下
樹脂11：DAIKIN工業股份有限公司製造NEOFLON FEP NP101彎曲彈性模數：490 MPa熔點：150℃以上且320℃以下
(螢光體)
螢光體1：三菱化學股份有限公司製造YAG商品名BY102D平均粒徑=17 μm之聚矽氧油處理品
螢光體2：三菱化學股份有限公司製造CASN商品名BR101A平均粒徑=8.5 μm
螢光體3：三菱化學股份有限公司製造YAG平均粒徑=7 μm
(透過率調整劑)
透過率調整劑1：邁圖公司製造Tospearl 120平均粒徑=2.0 μm
透過率調整劑2：石原產業股份有限公司製造 氧化鈦CR60平均粒徑=0.21 μm
透過率調整劑3：電氣化學工業股份有限公司製造 熔融二氧化矽FB20D
透過率調整劑4：電氣化學工業股份有限公司製造 熔融二氧化矽FB5D
透過率調整劑5：日本電氣硝子股份有限公司製造 切股(chopped strands)T480H
透過率調整劑6：日本板硝子股份有限公司製造 玻璃薄片REF160
透過率調整劑7：日本板硝子股份有限公司製造 玻璃薄片REF015
透過率調整劑8：日本板硝子股份有限公司製造 玻璃薄片RCF160
透過率調整劑9：CO-OP CHEMICAL股份有限公司製造 合成雲母micro-mica MK300
透過率調整劑10：丸尾鈣股份有限公司製造 碳酸鈣N35
透過率調整劑11：丸尾鈣股份有限公司製造 碳酸鈣Calfine200
透過率調整劑12：第一稀土元素化學工業股份有限公司製造EP氧化鋯
透過率調整劑13：Ganz化成股份有限公司製造Ganzpearl SI-020
透過率調整劑14：UBE MATERIAL股份有限公司製造 矽酸鈣晶鬚Zonohigi
透過率調整劑15：以0.5%聚矽氧油SH1107(Dow Corning Toray公司製造)對透過率調整劑3進行處理
透過率調整劑16：以2%乙基三甲氧基矽烷對透過率調整劑3進行處理
(抗氧化劑)
抗氧化劑1：ADEKA股份有限公司製造 酚系抗氧化劑AO60
抗氧化劑2：ADEKA股份有限公司製造 磷系抗氧化劑Adekastab 2112
(脫模劑)
脫模劑1：日油股份有限公司製造Unistar H476
<實施例1~10、比較例1~2>
於80~120℃下對樹脂1~4進行4小時乾燥後，以表2之調配組成、加工條件進行混練。此處，混練條件如下所述。再者，使用惰性氣體時，於氮氣體環境下進行混練操作。
(混練條件)
混練條件1：使用東洋精機製作所股份有限公司製造之20 mmΦ單軸擠出機，以螺桿轉速30~50 rpm於表2記載之溫度下進行混練。
混練條件2：利用東洋精機製作所股份有限公司製造之密閉型混練機(laboplastomill)以轉速80 rpm進行3分鐘混練。
混練後，於表2所記載之溫度下進行成形。再者，射出成形係使用住友重機械工業股份有限公司製造之射出成形機Minimat M8/7A。
所獲得之波長變換構件之厚度為1 mm，係35 mmΦ以上且45 mmΦ以下之圓板形狀。關於所獲得之波長變換構件，以如下所示之方法實施全光線透過率測定、發光特性測定。將其結果示於表2，將表示全光線透過率(%)與Lumen比(%)之關係之圖表示於圖3。
<全光線透過率測定>
使用日本電色工業股份有限公司製造之濁度計NDH2000，使用鹵素燈作為光源，將入口開口設為20 mmΦ，依據JIS K7361進行測定。
<發光特性測定>
於以450 nm發光之LED發光元件上保持成形品，測定光束、色溫(K)、色度(x、y)、平均顯色評價數(Ra)作為透過成形品而經波長變換之光之特性。光束係將實施例1之材料之光束作為基準，以Lumen比(%)表示。
再者，LED發光元件與波長變換構件之間之距離約為2.6 cm，其間設為空間。
根據上述實施例及比較例可理解，包含螢光體及樹脂且全光線透過率為30%以上且70%以下之範圍之成形體的全光束較高。同時可理解，於發出4000 K~5500 K左右之較低色溫之光之情形時，全光束亦較高。
因此，使用本發明之成形體之發光裝置於發出低色溫之光之情形時，亦可達成較高之全光束。
<實施例11~13、比較例3>
以表3所記載之調配組成，利用東洋精機製作所股份有限公司製造之密閉型混練機以80 rpm進行3分鐘混練，獲得樹脂組成物。所獲得之樹脂組成物藉由加壓成形而成形，獲得波長變換構件。再者，成形溫度、混練溫度因樹脂而異，於實施例11及12中設為300℃，於實施例13中設為200℃，於比較例3中設為280℃。
關於所獲得之波長變換構件，以與上述同樣之方式實施全光線透過率測定、發光特性測定，以如下所示之方法實施色差測定。又，確認波長變換構件之變色之有無。再者，發光特性測定之結果(光束)係將實施例11之光束作為基準，以Lumen比(%)表示。
<色差測定>
使用日本電色工業股份有限公司製造之測色色差計ZE-2000，使用白板擠壓來測定反射之L、a、b，以不存在各組成之透過率調整劑之情形之色相(L0、a0、b0)與調配有透過率調整劑之情形之色相(L1、a1、b1)之Lab空間座標之距離⊿E={(L0-L1)2+(a0-a1)2+(b0-b1)2}0.5表示。
<實施例14~22、比較例4~5>
以表4所記載之調配組成，利用東洋精機製作所股份有限公司製造之密閉型混練機以80 rpm進行3分鐘混練，獲得樹脂組成物。所獲得之樹脂組成物藉由加壓成形而成形，獲得波長變換構件。再者，成形溫度、混練溫度設為300℃。
關於所獲得之波長變換構件，以與上述同樣之方法實施全光線透過率測定、色差測定、發光特性測定。再者，發光特性測定之結果(光束)係將實施例14之光束作為基準，以Lumen比(%)表示。
<實施例23~28、比較例6~7>
以表5所記載之調配組成，利用20 mm 端軸擠出機進行混練，獲得作為樹脂組成物之顆粒。所獲得之顆粒係使用住友重機械工業股份有限公司製造之射出成形機Minimat M8/7A，使3.5 mm 、1 mm厚之圓盤與3 mm 、1 mm厚之弓狀成形體射出成形。再者，成形溫度、混練溫度設為240℃。
所獲得之圓盤係用於全光線透過率測定、色差測定，弓狀成形體係用於發光特性測定。測定方法與上述方法同樣。再者，發光特性測定之結果(光束)係將實施例23之光束作為基準，以Lumen比(%)表示。
根據上述實施例及比較例可理解，包含具有結晶性之熱塑性樹脂且全光線透過率為30~70%之範圍之成形體的全光束較高。同時可理解，於發出3000 K~4000 K左右之較低色溫之光之情形時，全光束亦較高。
因此，使用本發明之成形體之發光裝置於發出低色溫之光之情形時，亦可達成較高之全光束。
<實施例29~33>
以表6所記載之調配組成，利用東洋精機製作所股份有限公司製造之密閉型混練機以80 rpm進行3分鐘混練，獲得樹脂組成物。所獲得之樹脂組成物藉由加壓成形而成形，獲得波長變換構件。再者，成形溫度、混練溫度設為300℃。
關於所獲得之波長變換構件，以與上述同樣之方法實施全光線透過率測定、色差測定、發光特性測定。再者，發光特性測定之結果(光束)係將實施例29之光束作為基準，以Lumen比(%)表示。
根據上述實施例可知，於使用實施表面處理之透過率調整劑之情形時，可使色溫不產生大幅變化而提高全光線透過率及全光束。
<使用反射率較高之反射材料之發光裝置> <參考例1~2>
使用相同之波長變換構件(全光線透過率50%)，於與上述同樣之發光測定方法中確認發光裝置之配線基板(反射率未滿80%)上及機殼(反射率未滿80%)上設置有反射率93~95%之反射材料(於配線基板之情形時於不存在半導體發光元件之面上)之情形之發光效率提高。將測定結果示於表7。反射率係使用日立高新公司製造之U-3310，將硫酸鋇作為標準試料進行測定。
可知，藉由使用一定比例以上之具有高反射率之反射材料，可於本波長變換構件中達成高效率。
1‧‧‧藍色半導體發光元件
2‧‧‧配線基板
2a‧‧‧晶片安裝面
3‧‧‧波長變換構件
10‧‧‧發光裝置

Claims (23)

  1. 一種波長變換構件，其係對入射光之至少一部分進行波長變換而放出與上述入射光不同波長之出射光者，其特徵在於：該波長變換構件具有面狀構造，該面狀構造包含吸收上述入射光之至少一部分而放出與上述入射光不同波長之出射光之螢光體、及保持該螢光體之樹脂，該面狀構造之至少一部分之全光線透過率為30%以上且70%以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之波長變換構件，其中，該面狀構造之至少一部分之全光線透過率為42%以上且70%以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之波長變換構件，其中，上述波長變換構件之厚度為0.3 mm以上且5.0 mm以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之波長變換構件，其中，上述波長變換構件中所包含之上述螢光體之含量為15重量%以下。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之波長變換構件，其中，上述波長變換構件中所包含之上述螢光體之平均粒徑為10 μm以上。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之波長變換構件，其進而含有透過率調整劑。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之波長變換構件，其中，上述樹脂為結晶性樹脂或非晶性樹脂。
  8. 如申請專利範圍第7項之波長變換構件，其中，上述非晶性樹脂為熱塑性樹脂。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之波長變換構件，其中，上述樹脂為合金。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之波長變換構件，其中，上述波長變換構件可於不具有保持構件之情況下以單體保持其形態。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之波長變換構件，其係藉由射出成形而成形。
  12. 一種波長變換構件之製造方法，其係製造申請專利範圍第1至11項中任一項之波長變換構件之方法，其特徵在於： 包括混合樹脂與螢光體之步驟、及使藉由該步驟而獲得之混合物成形之步驟，並於惰性氣體環境下進行該混合步驟及/或該成形步驟。
  13. 如申請專利範圍第12項之波長變換構件之製造方法，其中，於上述混合步驟中進而添加透過率調整劑。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之波長變換構件之製造方法，其中，上述樹脂為結晶性樹脂或非晶性樹脂。
  15. 一種發光裝置，其具備申請專利範圍第1至11項中任一項之波長變換構件或藉由申請專利範圍第12至14項中任一項之製造方法而製造之波長變換構件、及半導體發光元件。
  16. 如申請專利範圍第15項之發光裝置，其中，出射光之色溫為5500 K以下。
  17. 如申請專利範圍第15或16項之發光裝置，其中，上述波長變換構件與上述半導體發光元件呈分離。
  18. 如申請專利範圍第17項之發光裝置，其中，於上述波長變換構件與上述半導體發光元件之間具備透明樹脂。
  19. 如申請專利範圍第17項之發光裝置，其中，於上述波長變換構件與上述半導體發光元件之間具有空間。
  20. 如申請專利範圍第15至19項中任一項之發光裝置，其中，上述發光裝置具有配線基板，於該配線基板上設置有反射板，反射率為80%以上之部位之面積為該配線基板上之面積之50%以上。
  21. 如申請專利範圍第15至20項中任一項之發光裝置，其中，上述發光裝置具有上述配線基板及機殼，於該配線基板及該機殼內壁面上設置有反射板，反射率為80%以上之部位之面積係為機殼內壁面上及該配線基板上之面積之50%以上。
  22. 一種LED照明器具，其具有申請專利範圍第15至21項中任一項之發光裝置。
  23. 一種樹脂組成物，其係含有螢光體及樹脂者，其特徵在於：於使該樹脂組成物成形為具有面狀構造之成形體時之該面狀構造之至少一部分的全光線透過率為30%以上且70%以下。
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