TW200424690A - Liquid crystal display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

200424690 玖、發明說明： I：發明所屬之技術領域3 發明領域 本發明有關一種作為資料設備或類似物的顯示部分之 5 液晶顯示裝置及其製造方法，且特別有關一種使用於諸如 可攜式資訊終端等低耗電設備之透射反射型液晶顯示裝置 及其製造方法。 發明背景 10 近年來，已經對於任意用途廣泛地使用一種在各像素 中包括一薄膜電晶體(TFT)的主動矩陣型液晶顯示裝置來 作為顯示裝置。液晶顯示裝置依其照明系統分類成透射 型、反射型及透射反射型。在透射型中，利用來自一背光 板單元的透射光提供顯示之用。在反射型中，利用外部光 15 的反射光提供顯示之用。在透射反射型中，在陰暗處利用 一背光板單元的透射光提供顯示之用，在明亮處利用外部 光的反射光提供顯示之用。近年來，已經使用能夠以反射 及透射模式進行顯示之透射反射型（反射性及透射性）液晶 顯示裝置來作為行動終端或筆記型電腦的顯示裝置。 20 現在描述一習知的液晶顯示裝置。第74圖顯示非專利 文件1(見下文）中所揭露之一反射型液晶顯示裝置的一剖面 結構。如第74圖所示，將一液晶1〇6密封在一對彼此相對配 置之基材102及104之間。液晶106的對準狀態是稱為 ROCB(反射性光學補償雙折射)之彎折對準。一具有一鏡狀 5 200424690 扁平反射表面之反射電極116係形成於液晶106側之一基材 102表面上。一由一透明電極膜製成的共同電極丨42係形成 於液晶106側之另一基材1〇4表面上。一相位差膜（四分之一 波板）120、一偏光板122及一光徑控制膜124係依此次序配 5置在另一基材104之面板外側(觀察者側）。 入射的外側光之光徑係被光徑控制膜124加以彎折、抵 達反射電極116、受到反射、而朝向觀察者側發射。因為提 供了用於擴散及透射光之光徑控制膜124，在光徑控制膜 124的表面上被反射之光線的光徑係與已經透射通過光徑 1〇 控制膜124且在反射電極116的表面被反射之光線的光徑不 同。然後，當觀察者看見顯示螢幕時，顯示器及外部光彼 此不重疊，且可觀察到一清晰的顯示影像。 第75A及75B圖顯示揭露於非專利文件2(見下文）中之 一透射反射型液晶顯示裝置的一結構。第75A圖顯示透射反 15 射型液晶顯示裝置之近似一個像素的一結構，第75B圖顯示 反射透射型液晶顯示裝置沿著第75A圖的線X-X所取之一 剖面結構。如第75A及75B圖所示，一像素區域分割成一透 射區域T及一反射區域R。一絕緣材料(樹脂層）130形成於一 TFT基材102的反射區域R中，以使反射區域R的晶胞厚度變 20 成透射區域T中之一半。一具有一不平表面之反射電極116 係形成於絕緣體130上。一用以對準控制一經垂直對準的液 晶106之突部132係形成於一相對基材104之透射區域T的中 心部分上。一對四分之一波板120分別配置於TFT基材102 的面板外側上及相對基材104的面板外側上。一對偏光板 6 200424690 122分別配置於各別四分之一波板120的進一步外側上。 雖然此液晶顯示裝置與第74圖所示的液晶顯示裝置相 同點在於反射電極116形成在位於液晶106側之基材102表 面上，反射電極116的反射表面並不平整。來自觀察者側之 5 入射的外側光係在反射電極116上散射及反射，並朝向觀察 者側發射。

第76A圖顯示一種未將電壓施加至液晶106之狀態，而 第76B圖顯示一種將一預定電壓施加至液晶106之狀態。如 第76A圖所示，在未施加電壓之狀態中，因為一液晶分子垂 10 直對準於基材表面，液晶106對於光並未施加光學效應。當 進行一反射性顯示時，已經透射過偏光板122之光係透射經 過四分之一波板120並入射在液晶106上，且光在反射電極 116上反射之後，其再度透射通過四分之一波板120。亦即， 光透射經過四分之一波板120兩次，使其偏光狀態旋轉 15 90°。為此，此光被偏光板122吸收。因此，在反射模式中

顯示黑色。 此外，當進行透射性顯示時，已經透射過一背光板單 元188側的偏光板122之光係透射經過四分之一波板120、入 射在液晶106上、並在觀察者側透射經過四分之一波板 20 120。亦即，光透射經過四分之一波板120兩次，使其偏光 狀態旋轉90°。為此，此光被觀察者側之偏光板122吸收。 因此，在透射模式中顯示黑色。 另一方面，在施加預定電壓之狀態中，因為液晶分子 相對於基材表面傾斜，液晶106對於光施加一預定光學效 7 200424690 應。如第76B圖所示，已經透射過偏光板122之光係藉由液 晶106改變其偏光狀態。因此，在反射及透射模式兩者中顯 示白色。 [專利文件 1] JP-A-2000-56323 5 [專利文件2] JP-A-2000-171789 [專利文件3] JP-A-2002-202511 [專利文件4] JP-A-6-175126 [專利文件5] JP-A-7-311383 [專利文件6] JP-A-11-281972 10 [專利文件7] JP-A-2000-47251 [非專利文件1]内田（Uchida)等人的“一具有灰階能力 及快速反應之使用光學補償雙折射晶胞之明亮反射型 LCD，，，SID 96 DIGEST，ρ·618-621 [非專利文件2]次崎(Jisaki)等人的“利用垂直配向之高 15 對比及寬視角的透射反射型LCD發展”，Asia Display/ IDW，01，ρ·ΐ33 在如第74圖所示的反射型液晶顯示裝置之結構中，尚 未實現與透射型合併之使用方式。這是因為在反射型中， 基於使光透射經過液晶1〇6兩次之前提下，液晶106的對準 20 狀態為一複合對準。在複合對準中，具有當使用於透射型 中時雙折射很小且無法進行夠白的顯示之問題。此外，當 使用於透射型中時，具有視角特徵很低之問題。 另一方面，在第75A至76B圖所不的透射反射型液晶顯 示裝置中，提出將反射電極116的表面形成為不平整狀。然 8 而’為了製造具有不平整的反射電極116之透射反射型液晶 顯示裝置，除了一正常透射型液晶顯示裝置的製程外，進 —步需要一諸如形成及圖案化一樹脂層及形成反射電極 之程序。因此，產生了液晶顯示裝置的製造成本升高之 問題。 【智^明内溶L】 發明概要 本發明之一目的係提供一可獲得優良顯示特徵而不升 高製造成本之液晶顯示裝置及其製造方法。 藉由一液晶顯示裝置來達成上述目的，此液晶顯示裝 置係包括一對基材，其配置為彼此相對；一液晶，其密封 於該對基材之間且當未施加電壓時幾乎垂直地對準於基 材；一對四分之一波板，其分別配置於該對基材的外側； 一對偏光板，其分別配置於該對四分之一波板的外側；及 一像素區域，其包括一反射區域及一透射區域，其中該反 射區域設有一反射板且該反射板具有一幾乎扁平的反射表 面並用於反射從該對基材的一者入射之光，且其中該透射 區域用於造成從該對基材的另一者入射之光透射往該對基 材的一者。 圖式簡單說明 第1A及1B圖顯示根據本發明第一實施例之一液晶顯 示裝置的一基本結構； 第2圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-1之一液晶 顯示裝置的一示意結構； 200424690 第3圖示意性顯示根據本發明第一實施例的範例M之 液晶顯示裝置的一等效電路； 第4圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-1之液晶顯 示裝置的結構； 5 第5圖顯示一習知的液晶顯示裝置之一結構； 第6圖顯示根據本發明第一實施例的範例丨_丨之液晶顯 示裝置的結構之一經修改範例； 第7圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-2之一液晶 顯示裝置的一結構； 10 第8圖顯示一習知的液晶顯示裝置之一結構； 第9圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-2之液晶顯 示裝置的一偏光板及類似物之一配置； 第10圖為顯示根據本發明第一實施例的範例1_3之一 液晶顯示裝置的一驅動方法之方塊圖； 15 第11圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-4之一液 晶顯示裝置的一結構； 第12圖顯示根據本發明第一實施例的範例卜4之液晶 顯示裝置的結構之一經修改範例； 第13圖為顯示作為本發明第二實施例的前提之一液晶 20顯示裝置的一結構之剖視圖； 第14圖為顯示作為本發明第二實施例的前提之液晶顯 示裝置的一結構之剖視圖； 第15圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 10 200424690 第16圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第17圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 5 第18圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第19圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第20圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 10 的一結構之剖視圖； 第21圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第22圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 15 第23圖說明根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置； 第24圖說明根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置； 第25圖顯示根據本發明第二實施例的範例2-1之一液 晶顯示裝置的一反射突部之一配置； 第26圖為顯示根據本發明第二實施例的範例2-1之液 20 晶顯不裝置的一結構之照片， 第27圖為當以反射模式顯示白色時之一對準照片； 第28圖為當以透射模式顯示白色時之一對準照片； 第29圖顯示根據本發明第二實施例的範例2-1之液晶 顯示裝置的反射特徵之一測量結果； 11 200424690 第30圖顯示根據本發明第二實施例的範例2-1之液晶 顯示裝置的反射特徵之一測量結果； 第31圖顯示根據本發明第二實施例的範例2-1之液晶 顯示裝置的透射特徵之一測量結果； 5 第32圖為顯示一習知的液晶顯示裝置之一像素的一結 構之平面圖； 第3 3圖為顯示根據本發明第三實施例的一液晶顯示裝 置之一像素的一結構之平面圖； 第34圖為顯示根據本發明第三實施例之液晶顯示裝置 10 的一結構之剖視圖； 第35圖顯示根據本發明第三實施例之液晶顯示裝置的 一偏光板及類似物之一配置； 第36圖為顯示一種其中一電極單元只由梳電極製成之 案例中之一像素的一結構之平面圖； 15 第37圖為相對於一梳電極的一延伸部分寬度變異之明 度(brightness)變化率之測量圖； 第38A至38D圖為顯示根據本發明第三實施例之液晶 顯示裝置的一製造方法之程序剖視圖（No.1); 第3 9 A至3 9 C圖為顯示根據本發明第三實施例之液晶 20 顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.2); 第40A至40C圖為顯示根據本發明第三實施例之液晶 顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.3); 第41A至41N圖為顯示根據本發明第三實施例的一經 修改範例之一液晶顯示裝置的電極單元形狀之平面圖； 12 200424690 第42圖為顯示根據本發明第四實施例之一液晶顯示裝 置的一像素之一結構的平面圖； 第43圖為顯示根據本發明第五實施例之一液晶顯示裝 置的一像素之一結構的平面圖； 5 第4 4 A至4 4 C圖為顯示根據本發明第五實施例的一經 修改範例之一液晶顯示裝置的電極單元形狀之平面圖； 第45圖為顯示根據本發明第六實施例之一液晶顯示裝 置的一像素之一結構的平面圖； 第46圖為顯示根據本發明第七實施例之一液晶顯示裝 10 置的一像素之一結構的平面圖； 第47圖為顯示根據本發明第八實施例之一液晶顯示裝 置的一像素之一結構的平面圖； 第48A及48B圖為顯示根據本發明第八實施例之液晶 顯示裝置的一結構之剖視圖； 15 第49圖顯示根據本發明第八實施例之液晶顯示裝置的 一偏光板及類似物之一配置； 第50圖為顯示根據本發明第八實施例之一種其中使反 射區域層數在液晶顯示裝置中改變之案例中之一像素的一 結構之平面圖； 20 第51圖為顯示根據本發明第八實施例之一種其中使一 反射電極形成於液晶顯示裝置中設有一儲存電容器電極的 一區域中之案例中之一像素的一結構之平面圖； 第52A及52B圖顯示根據本發明第八實施例之液晶顯 示裝置中一反射區域的面積比與反射率（reflectivity)之間之 13 200424690 關係，以及反射區域的面積比與透射率（transmissivity)之間 之關係； 第53A及53B圖顯示根據本發明第八實施例之液晶顯 示裝置中一透射區域的面積比與反射率之間之關係，以及 5 透射區域的面積比與透射率之間之關係； 第54A至54D圖為顯示根據本發明第八實施例之液晶 顯示裝置的一製造方法之程序剖視圖（No.1); 第55A至55C圖為顯示根據本發明第八實施例之液晶 顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.2); 10 第56圖為顯示根據本發明第九實施例的一液晶顯示裝 置之一像素的一結構之平面圖； 第57A及57B圖為顯示根據本發明第九實施例之液晶 顯示裝置的一結構之平面圖； 第58圖為根據本發明第十實施例沿著一液晶顯示裝置 15 的一閘匯流排線之方向所取的剖視圖； 第59圖為根據本發明第十實施例的一經修改範例沿著 一液晶顯示裝置的一閘匯流排線之方向所取的剖視圖； 第60圖為根據本發明第十一實施例沿著一液晶顯示裝 置的一閘匯流排線之方向所取的剖視圖； 20 第61A至61C圖為顯示根據本發明第十一實施例之液 晶顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.l); 第62A至62C圖為顯示根據本發明第十一實施例之液 晶顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.2); 第63A至63C圖為顯示根據本發明第十一實施例之液 14 200424690 晶顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.3); 第64圖為根據本發明第十一實施例沿著一經修改範例 之一液晶顯示裝置的一閘匯流排線之方向所取的剖視圖； 第65圖為顯示根據本發明第十二實施例的一液晶顯示 5 裝置之一像素的一結構之平面圖； 第66圖為顯示根據本發明第十二實施例之液晶顯示裝 置的一結構之剖視圖； 第67A至67D圖為顯示根據本發明第十二實施例之液 晶顯示裝置的一製造方法之程序剖視圖（No.l); 10 第68A至68C圖為顯示根據本發明第十二實施例之液 晶顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.2); 第69圖為顯示根據本發明第十三實施例的一液晶顯示 裝置之一像素的一結構之平面圖； 第70圖為顯示根據本發明第十三實施例之液晶顯示裝 15 置的一結構之剖視圖； 第71圖為顯示根據本發明第十四實施例的一液晶顯示 裝置之一像素的一結構之平面圖； 第72圖為顯示根據本發明第十四實施例之液晶顯示裝 置的一結構之平面圖； 20 第73A及73B為顯示本發明的液晶顯示裝置中一電極 單元之一分支部分的其他形狀之平面圖； 第74圖為顯示一習知的液晶顯示裝置之一結構的剖視 圖； 第75A及75B圖為顯示一習知的液晶顯示裝置之一結 15 200424690 ίο 15 20 構； 第76A及76B圖為顯示 構的剖視圖。 C實方式;j 較佳實施例之詳細說明 [第一實施例] 現在參照第1A至12圖描述根據本發明第一實施例之一 液晶顯示裝置及其製造方法。此實施例中，已經將如相關 技術所述之兩液晶_裝置的優點加简取如合，並制 訂一種不需要改變正常透射型液晶顯示裝置的製程之方 法。 第1A及1B圖示意性顯錄據此實施例H曰日㈣ 裝置的-基本結構之剖視圖。第以圖顯示反射性顯示時之 -光徑’而第1B圖顯示透射性顯示時之—光後。如第⑽ 1B圖所示，將—液晶6密封在彼此相對配置之—TFT基材2 與-相對基材(CF基材)4之間。&晶6的—對準狀能係土為一 垂直對準。TFT基材2形成於—玻璃基材1()上，並:括二具 有-幾乎爲平的反射表面之金屬反射板54。譬如，使用一 諸如儲存電容H電極等電極㈣為反射板…―絕緣獅 係形成於反射板54上。—幾乎扁平及透明的像素電極關 成於絕賴30上。相對基材4包括—形成於—玻璃基材社 之透明共同電極42。 一四分之—波板5卜—偏光板86及-紐控制膜(光散 射層）52係依此次序配置於相對電極*的面板外側(觀察者侧） 習知的液晶顯示裝置之 結 16 200424690 上。一四分之一波板50及一偏光板87依此次序配置於TFT 基材2的面板外侧上。偏光板86及87兩者之偏光軸線係彼此 正父。一背光板單元88配置於偏光板87的進一步外側上。 因為一液晶分子在未施加電壓狀態中幾乎垂直地對準 5於一基材表面，液晶6對於光不施加光學效應。當進行反射 性顯示時，入射的外部光被反射板54反射。此處，已經透 射過偏光板86之光係透射經過四分之一波板51，並入射在 液晶6上，且在光於反射電極16上被反射之後，其再度透射 經過四分之一波板51。亦即，光透射經過四分之一波板51 10兩次，使其偏光狀態旋轉90。。為此，此光被偏光板86吸收。 因此，在反射模式中顯示黑色。 此外，當進行透射性顯示時，已經透射過一背光板單 元88側的偏光板87之光係透射經過四分之一波板5〇、入射 在液晶6上、並透射經過四分之一波板51。亦即，光透射經 15過四分之一波板50及51兩次，使其偏光狀態旋轉90。。為 此，此光被觀察者側之偏光板86吸收。因此，在透射模式 中顯示黑色。 另一方面，在施加一預定電壓之狀態中，液晶分子相 對於基材表面傾斜。因此，身為光學效應之雙折射係發生 2〇於液晶6中，且透射光的偏光狀態產生改變。當進行反射性 顯示時，入射的外部光透射經過液晶6使其偏光狀態改變， 且此光透射經過偏光板86。因此，在反射模式中顯示白或 灰色。當進行透射性顯示時，來自背光板單元88之入射光 亦透射經過液ΒΘ 6使其偏光狀態改變，且此光透射經過偏光 17 200424690 板86。因此，在透射模式中顯示白或灰色。 此實施例中，因為使用一諸如形成於一般TFT基材2上 之儲存電容器電極等電極作為反射板54，故不會增加製 程。此處，在透射模式中，當背光板單元88接通時在反射 5 板54上之外部光的反射並不會很令人困擾。這是因為在透 射模式中顯示黑色之狀態及在反射模式中顯示黑色之狀態 兩者皆為未施加電壓狀態，且當在透射模式中顯示黑色 時，並無外部光的反射。 利用一用於只散射具有一預定範圍中的一入射角之入 10 射光之膜來作為光徑控制膜52。譬如，來自太陽的入射光 係被光徑控制膜52所散射並被反射板54所反射。反射光係 用來顯示並發射往觀察者側。藉此，譬如，即便在諸如太 陽等光源之案例中，可利用反射板54上的反射光來進行顯 示同時避免表面反射。附帶說明，當反射光再度透射經過 15 光徑控制膜52時，最好不發生散射。 下文將描述特定的範例。 (範例1-1) 現在參照第2至6圖描述根據此實施例的範例1β1之一 液晶顯示裝置。第2圖顯示根據此範例之液晶顯示裝置的一 20 示意結構。如第2圖所示，液晶顯示裝置包括一TFT基材2， 此TFT基材2設有形成為經由一絕緣膜彼此相交之閘匯流排 線及汲匯流排線、以及形成於各像素中之一TFT及一像素電 極。此外，液晶顯示裝置包括一其中形成有一共同電極及 一CF之相對電極4、及一密封於基材2與4之間的液晶（未圖 18 200424690 示）〇 第3圖示意性顯示一形成於TFT基材2上之元件的一等 效電路。在圖式水平方向延伸之複數個閘匯流排線12係在 TFT基材2上彼此平行地形成。複數個經由一絕緣膜與閘匯 5流排線12相交且在圖式垂直方向延伸之汲匯流排線14係彼 此平行地形成。由複數個閘匯流排線12及汲匯流排線14圍 繞之各別區域係變成像素區域。一TFT 2〇及一像素電極16 形成於以一矩陣形式配置之各像素區域中。各TFT 2〇的一 汲電極係連接至相鄰的汲匯流排線14，一閘電極連接至相 10鄰的閘匯流排線12，而一源電極連接至像素電極16。儲存 電谷益匯流排線18在各別像素區域的幾乎中心處與閘匯流 排線平行地形成。 並且，第2圖中，TFT基材2設有一閘匯流排線驅動電 路80，其中安裝一用於驅動複數個閘匯流排線之驅動器 15 ic ;並設有一汲匯流排線驅動電路82，其中安裝一用於驅 動複數個及匯流排線之驅動器1C。這些驅動電路及μ基 於自一控制電路84輸出的預定訊號而將掃描訊號及資料訊 號輸出至預定的閘匯流排線或汲匯流排線。一偏光板87在 與一元件形成表面相對之側上配置於T F τ基材2的一基材表 20面上，且一背光板單元88在與TFT基材2相對之側上附接至 偏光板87的一表面。另一方面，一相對於偏光板87呈直交 偏光(crossed Nicols)配置之偏光板86係在與一共同電極形 成表面相對之側上結合至相對電極4的一表面。 第4圖顯示根據此範例之液晶顯示裝置的近似一個像 19 200424690 素之一結構。如第4圖所示，在圖式水平方向延伸之複數個 閘匯流排線12(第4圖中為兩個）係在液晶顯示裝置的TFT基 材2上幾乎彼此平行地形成。在圖式垂直方向延伸之複數個 ίο 没匯流排線14(第4圖中為兩個)係幾乎彼此平行地形成而經 由一未圖示的絕緣膜與閘匯流排線12相交。TFT 2〇形成於 閘匯流排線12政匯流排線14的各交會位置附近。一被間 匯流排線12歧匯流排線14圍繞之區域係為—像素區域。 幾乎與_流排線12平行延狀料電容_流排線職 形成為幾乎與像純域的中Μ又。—料電容器電極Η 形成於各像素區域中之儲存電容器匯流排線“上。 15 由-譬如m>(氧化銦錫）„翻導電膜製成之像素 電極I6係形成於像純域中。像錢極10包括複數個電極 單元60，其各具有—長方形外周邊且小於像素區域；一電 極空白部（狹縫Μ2，其形成於相鄰的電極單元6〇之間；及一 連接電極64 ’其用於將被狹賊分隔之電轉元⑼彼此電 性連接。在第4圖所示的結構中，十二個各具有幾乎正方形 外周邊之電極單元6〇係形成於—個像料。幾乎與問匯流 20 排線12或㈣流排㈣平行之自各別，切下的複數個* 間66係形成於電極單祕的外周邊上。m __ 祕像素區域外的區域之BM_形成於相對電極上。 第5圖顯示可供此範例比較之一習知的液晶顯示裝置 的-結構。不㈣第5圖所示之習知的液晶顯示裝置此範 例的液晶㈣裝置之特徵在於：並未在與—抓獅一源/ 没電極相同之形撕料製狀—儲存電容器電卵（或是 20 200424690 與TFT 20的-閘電極相同之形成材料製成之一儲存電容器 匯流排線18)上形成-BM68，。習知的結構中，雖然提供· 68以防止外部光被儲存電容n電極19(或儲存電容器匯流 排線1S)反射，此範例中，使用儲存電容器電極⑼或储存電 5 谷裔匯流排線18)作為反射板。 第6圖顯示根據此範例之液晶顯示裝置的結構之一經 修改範例。如第6圖所示，此經修改範例中，使用儲存電容 器電極19(或儲存電容器匯流排線18)作為反射板，尚且，圓 形反射板54分開地設置於像素區域中。各反射板54由與閘 10電極或TFT 20的源/汲電極相同之形成材料形成，並配置為 對於與基材表面垂直方向觀看時幾乎與電極單元6〇的中心 重疊。此外，反射板54在電性方面處於浮動狀態。雖然未 圖示，使用住友化學有限公司（Sumitomo Chemical Co”Ltd·) 的LUMISTY(商標）作為光徑控制膜52。 15 (範例 1-2) 接著，參照第7至9圖描述根據此實施例的範例卜2之一 液晶顯示裝置。第7圖顯示根據此範例的液晶顯示裝置之近 似一個像素的一結構。第8圖顯示可供此範例比較之一習知 的液晶顯示裝置之一結構。不同於習知的液晶顯示裝置， 20在此範例中，在由與一TFT2〇的一源/汲電極相同之形成材 料製成之一儲存電容器電極19上並未形成一bm 68,。此 外，在此範例中，一用於對準控制用之突部7〇係設置於相 對電極側上。突部70幾乎配置在一電極單元6〇的中心上。 此外，儲存電容器電極19上之突部70形成為十字形。藉此， 21 2|〇〇42469〇 液晶的對準分割係在用來作為反射板之儲存電容器電極19 上進行，且可實現具有優良視角特徵之反射性顯示。 第9圖顯示根據此範例之液晶顯示裝置的一偏光板及 類似物之一配置。如第9圖所示，呈直交偏光配置之一偏光 5 板（譬如 SEG 1425，AG150)86 及一偏光板（譬如 SEG 1425)87 係配置於一液晶層6的兩端。一四分之一波板5丨配置於液晶 層6與偏光板86之間。此外，一四分之一波板5〇配置於液晶 層6與偏光板87之間。譬如，對於各四分之一波板5〇及51使 用一具有140奈米的平面内相差之ARTON膜。一具有負相 10 位差的TAC膜72係配置於液晶層6與四分之一波板51之間 籍以改善視角特徵。此外，PCF 350或類似物之一光學膜74 係配置於偏光板87的外側。附帶說明，圖式的上部為觀察 者側，而圖式下部為光源側。 四分之一波板50的一光軸91與偏光板87的一吸收軸線 15 20

90之間的角度近似為45。。亦即，光源發射的光依照此次序 透射經過偏光板87及四分之一波板50時將變成一圓形偏振

的光。此外，四分之一波板51的一光軸94與偏光板％的一 吸收軸線95之間的角度近似為45。。四分之一波板5〇及51之 光軸91與94幾乎彼此正交。為了實現視角的對稱性並在相 對於顯示螢幕的垂直與水平方向中使視角達到最佳化，將 偏光板86及87以及四分之一波板50及51如下述方式配置。 偏光板87的吸收軸線90相對於顯示螢幕右部配置於、， 時針方向150。。四分之一波板50的光軸…相對於顯示螢幕 右部配置於逆時針方向15。。四分之一波板51的光軸94相對 22 200424690 於顯示螢幕右部配置於逆時針方向105。。偏光板86的吸收 軸線95相對於顯示螢幕右部配置於逆時針方向6〇。。 (範例1-3) 接著，參照第10圖描述根據此實施例的範例卜3之一液 5晶顯示裝置。上述範例中，在反射型及透射型中施加相同 的電壓。然而，在透射區域中光只透射一次，但在反射區 域中光則往返透射兩次。因此，反射區域中的光學效應係 為透射區域中之兩倍’且譬如當在透射區域中顯示白色 時，反射區域略帶黃色。在透射區域中，因為反射區域被 10 儲存電容器電極19所隱藏而未看見，所以並無問題。然而， 在反射性顯示中，略帶黃色的現象將產生問題。因此，此 範例中，當進行反射性顯示時，驅動電壓將降低。 第10圖為顯示根據此範例之液晶顯示裝置的一驅動方 法之方塊圖。對於透射型與反射型之間的變換，具有一種 15藉由使用者進行之案例以及一種與背光板單元的開/關 (ΟΝ/OFF)同步進行之案例，而第10圖顯示兩種案例。在使 用液晶顯示裝置作為透射型之案例中，產生等於正常驅動 電壓譬如5伏特之最大驅動電壓，在其用來作為反射型之案 例中，產生低於正常驅動電壓譬如3伏特之最大驅動電壓。 2〇 選擇這些驅動電壓藉以在顯示相同漸層時，反射型中的△!! 變成透射型中之△!!的幾乎一半。此外，當只進行電壓調整 時，漸層特徵在透射性顯示與反射性顯示之間變得不同。 因此’適當地調整漸層與施加電壓之間的關係，以使漸層 特徵在透射性顯示與反射性顯示之間變得相同。 23 ‘呼 (範例1-4) 接著’參照第11及12圖描述根據此實施例的範例i_4之 、、θ曰·、、員示1置及其製造方法。第11圖顯示根據此範例之 液晶顯示擊要 一 衣置的一像素之一部分的一結構。如第U圖所 ^ 其中開啟一保護膜(未圖示）之開口部分(接觸孔)76係 10 ’;一由鋁（A1)與鈦(Ti)依此次序成長的疊層膜製成之 =電各器電極19的大部份上。在開口部分76中，儲存電 厣=、極19之上層的丁丨層亦由餘刻加以移除，而下層的μ ^暴硌出來作為反射表面。此外，一形成於保護膜上 =極單，。(第U圖中的像素電極16或一連接電極:;係 "'由開°部分76電性連接至儲存電容ϋ電極19。 岸儲存電容器電極19及開口部分76如下述般形成。一αι 15 照此次序成長在一形成於—閘匯流排線及 裔匯/瓜排線整體表面上之絕緣膜上，並形成一聶 20 1 ’將疊層膜圖案化成為—指定形狀，且形成儲 奋益電極19。接下來，一作為絕緣層的保護膜係 =存電容H電極·整體紐表面上。接著，將儲存電 谷杰電極19上的保護膜移除以形成開口部分％，隨後，妙 由開口部分76暴露之Ti層制祕刻加以移除 ::電:器電一層暴露出來。隨後，^ ^進仃成長及圖案化，以使如圖中的像素電邮或連接 '、極64形成為譬如覆蓋住暴露的A】層。 24 200424690 相當高。因此，可利用A1的高反射率，且可在反射性顯示 時獲得高的顯示特徵。 接著，描述根據此範例之液晶顯示裝置的結構之一經 修改範例。第11圖所示的結構中，ITO層及A1層彼此直接地 5 接觸。因此’具有擔心發生晶胞效應(cell effect)而造成侵 餘之問題。第12圖顯示不存在此問題之根據此經修改範例 之液晶顯示裝置的結構。如第12圖所示，此經修改範例中， 當在垂直於基材表面的方向觀看時，形成一不與一ITO製成 的電極單元60及一連接電極64重疊之反射板54。反射板54 10 係由與TFT 20的閘電極相同之形成材料或與源/汲電極相 同之形成材料所構成。此外，反射板54在電性方面處於浮 動狀態。在反射板54的形成方式中，譬如，A1層及Ti層的 疊層膜圖案化之後，在一用於在TF 20的源電極上或儲存電 容器電極19上形成接觸孔之程序中將上層的Ti層加以移 15 除。為此，反射板54的反射表面由A1層形成。在此經修改 範例中，可能防止ΓΓΟ層及A1層彼此起反應。反射板54上的 液晶係由一來自電極單元60的歪斜電場所驅動。 如上述，根據此實施例，可利用與透射型液晶顯示裝 置成乎相同的製程製造出可在透射及反射模式進行顯示之 20透射反射型液晶顯示裝置。藉此，不用提高製造成本即可 以貫現不昂貴的透射反射型液晶顯示裝置。 [第二實施例] 接著，參照第13至31圖描述根據本發明第二實施例之 一液晶顯示裝置。一透射反射型（反射及透射型）液晶顯示襄 25 200424690 置係在明亮場所利用外部光進行反射性顯示，並在陰暗場 所利用背光板單元進行透射性顯示。反射型液晶顯示裝置 中難以在陰暗場所看見顯示内容，透射型液晶顯示裝置中 則難以在明亮場所看見顯示内容。在透射反射型液晶顯示 5 裝置中’因此可在不同明度的場所選擇容易觀看的顯示， 故其廣泛使用於可攜式資料終端及類似物。 在反射型液晶顯示裝置中，將一反射膜（反射電極）製成 為具有一扁平鏡面表面時，顯示内容將在一規則的反射區 域中變亮，且顯示内容將在其他區域中變暗。因此，對於 10 視角具有咼的依存性（dependency)且顯示内容帶有金屬性 光澤。因此，已知具有一種將具有點狀平面形狀的不平整 I成於反射膜表面上之技術，以使反射光受到擴散，且實 現不具有金屬光澤之顯示（譬如請見專利文件4)。在上述反 射型液晶顯示裝置中，因為反射表面以隨機方向導引，在 15光從所有方向入射之案例中，其以高效率反射至觀察者 側，且可獲得明亮的顯示。然而，在光從譬如在室内場所 等一指定方向入射之案例中，產生了光具有低的使用效率 之問題，且顯示内容將變暗。 在透射型液晶顯示裝置中，已知具有一種藉由一液晶 2〇層來部份地提升或凹陷一接觸表面將一對準控制傾斜部形 成於至少一透明電極上之技術，且液晶的對準係由對準控 制傾斜部（譬如請見專利文件5)加以控制。在上述的透射型 液晶顯示裝4中，如第13及14圖所示，因為一液晶分子8受 到-對準控制傾斜部78之對準方向（由冑頭八顯示）及一 ^ 26 晶分子8受到一電場扭曲之對準方向（由箭頭B代表）係變成 彼此相反，產生了液晶6的對準無法變得穩定、發生不良對 準且透射率降低之問題。 在透射反射型液晶顯示裝置中，已知具有一種使一反 射部分及一透射部分被分割且建造在一像素中之技術，其 中將反射部分的電極表面形成為一連續褶縐形狀（譬如請 見專利文件6)。在上述的透射反射型液晶顯示裝置中，除 了上列液晶顯示裝置產生之問題外，產生了因為液晶的對 準方向無法在一像素中被分割而尤其是在透射部分中使視 角特徵降低之問題。 —此實施例之一目的係在於提供一可在透射及反射模式 中獲得優良的顯示特徵之液晶顯示裝置。 此貝靶例之特徵在於：在一透射反射型液晶顯示裝置 中’ -作為對準控制結構之直線型突部（具有由直線構成的 平面形狀之突柱)係設置於_基材的_透明電極上，且一反 射膜係選擇性形成於-包括直線型突部的_傾斜狀表面之 表面上。此處，只要平面形狀由直線形成，對準控制結構 可為一框架狀突部而非直線型突部（同理適用於—下述的 中二4 )田選擇垂直對準作為液晶的對準狀態時，不會發 生此種使姻在-基材介面上之—液晶在顯示黑色時並未 切換而保持原狀之狀態。因此，對比值將變高，且可實現 容易觀看的顯示内容。此外，_直線型突部係設置於一背 光板單元側之-基材的-透明電極上，且_反射膜選擇性 形成於直線型突部表面上，所以可利用直線型突部的傾斜 200424690 狀表面將從一前方方向及一歪斜方向入射的光有效率地反 射往觀察者側。並且，可藉由使直線型突部上方的一區域 變成一反射區域而將透射率損失抑制為最小值。此外，因 為在反射區域與透射區域之間具有不同的液晶層厚度，將 5可使反射性顯示及透射性顯示的漸層特徵相符合。 此外，此實施例之特徵在於：提供一在一基材上線性 延伸之中空部，且將一反射膜選擇性形成於一包括中空部 的一傾斜狀表面之表面上。亦即，液晶的對準方向係由中 空部而非直線型突部所控制。雖然反射區域中液晶層的剖 ίο面形狀及厚度變成與直線型突部之案例中相反，可預期具 有一類似於直線型突部之效應。 业且，此貫施例之特徵在於 15 20 一個基材的一透明電極上，且將一反射膜選擇性形成為直 線型突部的一底側層。第15圖為一具有上述結構的液晶顯 示裝置之剖視圖。如第15圖所示…反射膜56形成為—直 線型突部70的一底侧層。因為直線型突部7〇作為—介“ 質，-液晶分子8受到直線型突部7〇的—傾斜狀表面之j 準方向箭頭A代表)係與—液晶分子8受到1場扭曲， 一對準方向重合，且液晶6的對準變得更穩定。 曲之 並且，此實施例之特徵在於：將—諸如 中空部等對準控制結構形成為在一相對於—像素/部或 端側傾斜45。之方向、-大致與其平行之方向i電極的- 正交之方向中延伸。藉此，從這些方向人射的=致與其 地反射往觀察者側。 、〃可有效率 28 200424690 此外，此實施例之特徵在於：一反射膜及一透明電極 係彼此電性分離。譬如’當能夠在反射性顯示的時候使一 電壓只施加至反射膜時以及透射性顯示的時候能夠使一電 壓只施加至透明電極時，一歪斜電場可產生於一透射區域τ 5 與一反射區域R之間的一邊界部分上，且可使液晶的對準方 向均勻地成為與邊界部分正交之方向。此外，具有不同離 子化傾向之反射膜及透明電極可彼此絕緣，且亦可防止由 於電性侵蝕造成之劣化。 第16及17圖為具有上述結構之液晶顯示裝置的剖視 10圖。第16圖顯示一種將一電壓施加至一像素電極16且未將 電壓施加至一直線型突部70上的一反射膜56之狀態。第17 圖顯示一種將一電壓施加至一中空部71上的一反射膜56且 未將電壓施加至一像素電極16之狀態。如第16及17圖所 示，一液晶分子8受到直線型突部70的一傾斜狀表面之對準 15方向（由箭頭A代表）係與一液晶分子8受到電場扭曲之對準 方向重合（由箭頭B代表），且液晶6的對準變得更穩定。 並且，此實施例之特徵在於··可使對準控制結構的一 傾斜狀表面相對於基材表面之一平均傾斜角的範圍不小於 約0。且小於20°。第18圖顯示在前方方向外出之光與反射膜 20 56的一傾斜狀表面的平均傾斜角0之間的關係。雖然在前 方方向受到反射膜56的傾斜狀表面反射之光係以一歪斜方 向入射，入射角依據傾斜狀表面的傾斜角而定。一構成透 射反射型液晶顯示裝置之構件的折射率近似為15，且依照 司乃耳定律，在反射膜56上入射之光的最大入射角0c變成 29 200424690 近似，。因為人射光在反_6地4〇。入射角入射之光反射往前方方向 ^將0到 紐又而使傾斜狀表面的 1 4 ’當顯示出傾斜分佈的平均值 位於此範圍t時，歪仙、， ι斜的人射光可在以方向中有效率地 反射。 10 15 20 -科2 ’此實施例之特徵在於··將另—對準控制結構(第 二對準控制結構)形錢在基材域此平彳㈣伸之對準控 制結構的-間隙部分中。第19圖為一具有上述結構的液晶 顯不褒置之剖視圖。如第19圖所示，當-反射膜56電性連 Ϊ至I像素電極16時，反射膜56及直線型突部70作為一傳 ' 卩在此例中，如上述，因為液晶分子8受到傾斜狀 表面之對準方向以及液晶分子8受到電場扭曲之對準方向 係變成彼此相反，液晶6的對準並未變得穩定，且發生不良 的對準，然後，-狹縫62形成於相鄰直線型突部7〇之間的 間隙部分中。藉此’將_對準控制力施加在基材平面方向 中且反射膜56及直線型突部7〇上之液晶對準係由於電場 杻曲而對準於此方向中。附帶說明，未將反射膜％形成於 上層之對準控制結構係作為一介電質。因此，液晶分子8受 到傾斜狀表面之對準方向以及液晶分子8受到電場扭曲之 對準方向係重合，且液晶6的對準變得穩定。 此外，此貫施例之特徵在於··形成了一藉由移除一對 準控制結構上之一反射膜的_部分而獲得之狹縫。第2〇圖 為具有上述結構之一液晶顯示裝置的剖視圖。如第2〇圖所

30 200424690 示，移除了一直線型突部70的一幾乎扁平表面上之一反射 膜56，且形成一狹縫62。並且，此實施例之特徵在於：將 另一對準控制結構（第二對準控制結構)在一經由一液晶與 一對準控制結構相反之區域中形成於另一基材上。第21圖 5為一具有上述結構的液晶顯示裝置之剖視圖。如第21圖所 不，一狹縫62在一與一中空部71相反的區域中形成於一相 對基材4上。藉由狹縫62使一對準控制力以一基材垂直方向 施加，且反射膜56及直線型突部7〇上或反射膜56及中空部 71上之液晶對準由於電場扭曲而在此方向中呈均勻狀。藉 10 此’液晶6的對準變得穩定。 並且，此實施例之特徵在於：一直線型突部具有凸剖 面形狀，並由一比液晶具有更大折射率的透明材料形成。 第22圖為一具有上述結構的液晶顯示裝置之部分剖視圖。 如第22圖所示，一反射膜56形成為一直線型突部7〇的一底 U側層。直線型突部70具有一凸（梯形)剖面形狀並由一比液晶 6具有更大折射率的透明樹脂形成。 第23圖為一液晶顯示裝置之剖視圖，其中一直線型突 4 70具有長方形剖面形狀並由具有與液晶6幾乎相同折射 率之透明樹脂形成。第24圖為一液晶顯示裝置之剖視圖， 2〇其中一直線型突部70具有長方形剖面形狀並由比液晶6具 有更大折射率之透明樹脂形成。如第23及24圖所示，在直 線型突部70的剖面形狀為長方形之案例中，不論形成材料 具有何種折射率，一入射角6»丨及一外出角02變成幾乎彼 此相等且獲得鏡反射。另一方面，如第22圖所示，在直線 31 200424690 型突部70具有凸剖面形狀且由比液晶6具有更大折射率之 透明樹脂形成之案例中，一相對於反射膜56之外出角將 變成小於一相對於反射膜56之入射角0 1。為此，從歪斜方 向入射之光係在前方方向中反射。 5 下文將描述特定的範例。 (範例2-1) 現在參照第25至31圖描述根據此實施例的範例2-1之 一液晶顯示裝置。第25圖顯示根據此範例之液晶顯示裝置 的一反射突部之一配置。第26圖為顯示根據此範例之液晶 10顯示裝置的-結構之照片。如第25及％圖所示，一直線型 突部70及一作為其上層之反射膜56係形成為一TFT基材2上 之反射突部。利用一阻劑（由遠東須普利公司（Shipley Far East Ltd·)製造)將直線型突部70形成於一像素電極16上。直 線型突部70的剖面形狀為凸形，平均傾斜角為8。，且峰值 15 高度為1.5微米。將直線型突部70形成為相對於像素電極16 的一端側幾乎呈平行或傾斜45°角。反射膜56選擇性形成於 直線型突部70上。反射膜56電性獨立地形成於各像素中並 電性連接至各像素電極16。此外，一狹縫62形成於相鄰直 線型突部70之間的一間隙部分中。直線型突部70及狹縫62 20 皆形成於TFT基材2上。 在TFT基材2及一相對基材4形成之後，將一垂直對準 膜(JSR公司製造)施加至兩基材2及4。隨後，散佈一具有4.5 微米圓珠直徑之間隔件（由關水精密化學公司（Sekisui Fine Chemical C〇.，Ltd)製造），且兩基材2及4皆彼此結合以形成 32 200424690 一中空面板。將一具有負介電異向性的液晶（由日本默克公 司（MERCK JAPAN LTD)製造）注入中空面板内，且製備一 液晶顯示組件。將一右側圓形偏光板（一偏光板及一四分之 一波板)及一左側偏光板結合至液晶顯示組件的兩表面，使 5得四分之一波板的遲滞轴線(lag axis)彼此正交，而製成一 透射反射型液晶顯示裝置。在反射及透射顯示模式中進行 對準觀察。第27圖為在反射模式中顯示白色時之一對準a、g 片’而第28圖為在透射模式中顯示白色時之一對準照片。 在各別顯示模式中，並未看到不良對準的發生。這是因為 10狹縫62形成於直線型突部70的間隙部中、在平行於基材的 方向中施加對準控制力、及對準方向受到穩定所導致。 第29及30圖顯示根據此範例之液晶顯示裝置的反射特 徵之測量結果。第29圖顯示相對於方向角變化之反射率變 化。水平軸線代表方向角，而垂直軸線代表反射率。一條 15線A1顯示根據此範例的液晶顯示裝置之反射特徵，而一條 線A2顯示一種設有一 A1(鋁）鏡反射膜之習知的液晶顯示裝 置之反射特徵。光係從30。極角的方向入射，並在〇。極角的 方向被接收。第30圖顯示相對於入射角（極角）變化之反射率 變化。水平減顯示人㈣及-對應傾斜狀表面的傾斜 20角，而垂直軸線顯示反射率。一條線則顯示當光從一 方向角的方向入射至根據此範例的液晶顯示裝置時之反射 特徵，且-條線B2顯示當光從9〇。方向角的方向人射至根據 此範例的液晶顯示裝置時之反射特徵。一條線卿示設有 A1鏡反射膜之習知的液晶顯示裝置之反射特徵。 33 200424690 如第29圖所示，發生了方向角依存性所以當光從45。方 向、90。方向及135。方向入射時，反射率將變高。此外，已 經發現如第30圖所示，發生了入射角依存性，所以當光的 入射角變小時，反射率將變高，且即使在相當大的入射角， — 5 15至30%的光在前方方向被反射。此範例中，雖然反射膜 、 56及直線型突部70相對於像素電極16端側形成幾乎平行或 呈45。角，當反射膜56及直線型突部70形成幾乎正交於像素 電極16的端側時，即便光從〇。方向及18〇。方向入射，仍具 有南的反射率。 10 第31圖顯示根據此範例的液晶顯示裝置之透射特徵的 測量結果。水平軸線代表電壓，而垂直軸線代表透射率。 一條線C1顯示根據此範例的透射反射型液晶顯示裝置之透 射特徵，且一條線C2顯示一未設有反射膜56之習知的透射 型液晶顯示裝置之透射特徵。光以180。極角入射，且以〇〇 15 極角被接收。如第31圖所示，在根據此範例的液晶顯示裝 置中，因為反射膜56形成於直線型突部70上，相較於習知 φ 的透射型液晶顯示裝置，藉由透射過直線型突部70的光量 使透射率降低。然而，在一飽和電壓附近具有輕微之透射 . 率降低率，且獲得可與透射型液晶顯示裝置相提並論之透 2〇 射特徵。為此，根據此範例，可能實現可進行反射性顯示 同時可抑止透射特徵降低之透射反射型（細微反射型 (minute reflection type))液晶顯示裝置。 (範例2-2) 接著，現在描述根據此實施例的範例2-2之一液晶顯示 34 裝置。此範例中，取代突部70的一部分，形成一中空部71， 且一反射膜56及一像素電極16彼此電性分離。此外，一狹 鏠62經由一液晶6形成於與相鄰突部7〇或中空部71之間的 〜間隙部分相對之一區域的一相對電極4上。製造出除了上 述外與範例2-1相似之液晶顯示裝置。利用一阻劑來形成中 空部71，所以剖面形狀為凹形，平均傾斜角為8。，峰值高 度差變成1.5微米。此外，一反射膜56形成於突部7〇及中空 部71上的方式可使得膜與像素電極16電性分離。在反射及 透射顯示模式中進行對準觀察。結果，在突部7〇附近之透 射性顯示中，及中空部71附近之反射性顯示中，類似於第 27及28圖所示的對準照片，獲得一種並無不良對準之對準 狀態。已經確認，藉由將中空部71及突部7〇上的反射膜56 與像素電極16電性分離並加以分開驅動，受到中空部71及 突部7 0的傾斜狀表面之對準方向係與受到電場扭曲之對準 方向重合，且液晶6的對準變得穩定。 (範例2-3) 接著，描述根據此實施例的範例2-3之一液晶顯示裝 置。此範例中，一狹縫62經由一液晶ό形成於與相鄰突部70 之間的一間隙相對之一區域的一相對基材4上，且狹縫62未 形成於突部70的一間隙部分之一TFT基材2上。製造出除了 上述外與範例2-1相似之液晶顯示裝置。在反射及透射顯示 模式中進行對準觀察。結果，在各別的顯示模式中，類似 於第27及28圖所示的對準照片，獲得一種並無不良對準之 對準狀態。已經確認，因為狹縫62形成於突部70上的反射 200424690 臈56中，受到突部70的傾斜狀表面之對準方向係與受到電 場扭曲之對準方向重合，且液晶6的對準變得穩定。 (範例2-4) 接著，描述根據此實施例的範例2-4之一液晶顯示裝 5置。此實施例中，除了一中空部71上的一反射膜56電性連 接至一像素電極16外，此液晶顯示裝置的製造方式與範例 2-2相似。在反射及透射顯示模式中進行對準觀察。結果， 在各別的顯示模式中，類似於第27及28圖所示的對準照 片，獲得並無不良對準之對準狀態。已經確認，因為狹缝 10 62經由液晶6形成於與中空部71相對之區域的相對電極4 上，受到中空部71的傾斜狀表面之對準方向係與受到電場 扭油之對準方向重合，且液晶6的對準變得穩定。 (範例2-5) 接著，描述根據此實施例的範例2-5之一液晶顯示裝 l5 f。此範例中’利用一比液晶折射率具有更大折射率1.7的 遂明樹脂（JSR公司製造）形成一具有凸剖面形狀的突部 ，旅將一反射膜56選擇性形成為突部7〇的一底側層。此 外，〆狹縫62經由一液晶6形成於與相鄰突部7〇之間的一間 陣邡分相對之一區域的一相對基材4上，且狹縫62未形成於 突鄯70之間的間隙部分之一 TFT基材2上。製造出除了上述 2〇 ’ 外與範例2-1相似之液晶顯示裝置。在反射及透射顯示模式 中進行對準觀察。結果，在各別的顯示模式中，類似於第 27反28圖所示的對準照片，獲得並無不良對準之對準狀 態。反射膜56選擇性形成為突部7〇的底側層，所以突部7〇 36 200424690 及反射膜56作為一絕緣突部。因此，已經確認，受到突部 70的傾斜狀表面之對準方向係與受到電場杻曲之對準方向 重合，且液晶6的對準變得穩定。 如上述，在根據此實施例的液晶顯示裝置中，可以極 5 小透射率損失來實現明亮的反射性顯示，且可實現耳有= 廣視角之透射性顯示。藉此，可能實現具有容易在任何場 所觀看的顯示内容之液晶顯示裝置。 [第三實施例] 10 15 接者，描述根據本發明第三實施例 ,、叫不裝置 在一垂直對準型液晶顯示裝置中，一具有負介電異 性之液θθ係在未施加電壓時利用一垂直對準膜對準/ 方向中，並在施加一電壓時對準成為傾斜狀。在垂直垂、 型液晶顯示裝置中，因為液晶在未施加電壓時對準於^ 方向中，其好處在於具有優良之黑色顯示品f、可外垂-高對比之顯相容、視角寬廣且反應快速。 也具: 在垂直對準魏㈣轉置中，提供—種用 行液晶的對準控制之方法，其中在—像素中提 t =像素更小之電極單元，且使其成為像素電極以構^

20 像素 譬^專利文件7揭露一種在一像素中形成 更小的貫心電極單元之方法。 第32圖為顯轉利文件7所揭露之—液晶顯⑸ 一像素之一結構的平φρι * '"Μ 再们十面圖。如圖式所示，在 延伸之閘匯流排線 料成於-TFT基材上以預心 37 200424690 乎彼此平行。並且，經由一絕緣膜幾乎與閘匯流排線12垂 直相交且在圖式垂直方向延伸之汲匯流排線14係以預定間 隔幾乎彼此平行地形成。被複數個閘匯流排線12及汲匯流 排線14圍繞之區域係為像素區域。一幾乎與閘匯流排線12 5 平行延伸之儲存電容器匯流排線18係形成為幾乎與各像素 區域的中心相交。一儲存電容器電極19在各像素中經由一 絕緣膜形成於儲存電容器匯流排線18上。 一TFT 20係形成於閘匯流排線12及汲匯流排線14的各 交會位置附近。 10 15 20 1豕I篆極16包括複數個各比像素區域更小之正方形電 極單元60、形成於相鄰電極單元6〇之間的電極空白部（狹 縫)62、及用於將由狹縫62分離的電極單元6〇加以電性連接 之連接電極64。第32圖中，在平行於閘匯流排線12的方向 中之三條線及平行於減流排線14的方向中之兩條線之六 個電極單S6G(共十二個單元)係在圖式垂直方向中配置於 儲存電容器匯流排線18的兩側各者上。 在第32圖所示及專利文件7揭露之液晶顯示裝置中，一 未設有電極之部分係設置於電極單元6〇之一側或一角的附 近，且在施加電壓時，垂直對準絲材之液晶分子係在其 他方向中傾斜並受到此部分中產生之歪斜f場所對準。 =敎件7揭露之液晶顯示裝置中，電極單元6〇的圖 電= ^ &為實心’只有電極單元6G外周圍部分之 =公分子呈現傾斜並朝向電極單元6。的中心部分 對準。⑽’可藉由_元_外物分之歪斜電場 38 200424690 造成液晶分子傾斜及朝向中心部分對準之電極單元60的尺 寸係有其限制。具體言之，在電極單元60尺寸為50微米或 更大之案例中，液晶顯示裝置的一對準向量之一奇異點 (singularpoint)將變得難以控制。特定言之，在電極單元6〇 5外側，因為不具有固定奇異點之手段，奇異點的發生位置 將產生變動。因此，變得難以從外側將液晶分子朝向電極 單元60中心均勻地對準，且顯示内容發生粗糙現象。此外， S方也加外力時，譬如當液晶面板被手指壓抵時，將難以使 一旦破裂的奇異點回到原始狀態。 · 1〇 另一方面，當試圖實現一具有反射型及透射型的兩功 能之液晶顯示裝置時，非專利文件丨及非專利文件2所揭露 之液晶顯示裝置具有如下述的困難。 首先，對於非專利文件2揭露之反射型液晶顯示裝置， 尚未實現與透射型合併之使用方式。這是因為基於光線透 15射經過液晶層兩次之假設而液晶層呈複合式對準所導致。 當對於透射型使用複合對準之液晶層時，其具有小的雙折 射’且無法貫現足夠的白色顯示。此外，在透射型中斗有 · 視角特徵較差之困難。 此外’非專利文件2中揭露之透射反射型液晶顯示裝置 、 20 係包括具有不平整反射表面之反射電極。為了形成具有不 ， 平整反射表面之反射電極，除了一正常透射型液晶顯示裝 置之製程外，進一步需要諸如形成一樹脂層、將樹脂層圖 案化及形成反射電極等之程序。故具有製造成本提高之缺

Si 〇 39 200424690 5 10 15 20 此外，一般而言，在對於透射型及反射型使用一浪晶 顯示裝置之案例中，透射區域及反射區域中的光徑變成彼 此不同。在透射區域中，來自在一液晶面板下部提供的〆 背光板單元之光係從液晶面板下部透射至上部，故實現此 顯示。亦即，在透射區域中，光只透射經過液晶層一次。 另~方面，在反射區域中，從液晶面板上部入射之光係在 ，曰曰面板下部被反射、且再度透射至液晶面板上部，藉以 貧現此& _ ”、、不。亦即’在反射區域中，光透射經過液晶層雨 二欠。51 d：卜 %，在反射區域中，相較於透射區域，液晶声造成 之光織 曰 +攻應變成兩倍，且具有反射區域略帶黃色之問題。 it 示且。汽施例之一目的係在於提供一可抑止發生不平整顯 ϋ獲彳于優良顯示品質之液晶顯示裝置及其製造方法。 及反2外，此實施例之另一目的係在於提供一具有透射韶 程且了罡兩者功能、可以低成本製造而不增加透射型的製 二乂得優良顯示品質之液晶顯示裝置及其製造方法。 曰由一包括下列各物之液晶顯示裝置來達成上述目 匯流拆線一基材’其包括複數個配置為幾乎彼此平行之問 交之沒匯$複數個配置為幾乎彼此平行而與『紐流排線相 梆線之間^泉、複數個分別設置於閘匯流排線與汲匯流 於被間匯=交會部分上之薄膜電晶體、及複數個分別形成 媒電晶體7線及沒匯流排線圍繞且分別連接至複數個薄 為與第1像素區域中之像素電極；—第二基材，其配置 電極；及二材相對且具有—與複數個像素電極相對之相對 ，一液晶層，其密封在第一基材與第二基材之間並

的

40 200424690 具有-負介電異向性，且特徵在於 1豕素電極包括複數個 配置l過狹縫且彼此電性連接之電極單元，且各電極时元 包括一實心部分及複數個從實心 早70 刀住冤極早元的一外周 圍方向延伸之延伸部分。 5 _，藉由一包括下列各物之液晶顯示裝置來達成上

述目的：一第一基材，其包括複數個配置為幾乎彼此平行 之閘匯流排線、複數個配置為幾乎彼此平行而與閑匯流排 線相交之没匯流排線、複數個分別設置於閑匯流排線與没 匯流排線之間的交會部分上之薄膜電晶體、及複數個分別 10形成於被閘匯流排線及沒匯流排線圍繞且分別連接至複數 個薄膜電晶體的像素區域中之像素電極；_第二笑材，其 配置為與第一基材相對且具有一與複數個像素電極相對之 相對電極；及一液晶層，其密封在第一基材與第二基材之 間並具有一負介電異向性，且特徵在於各像素電極包括複 15數個配置經過狹縫而具有實心部分且彼此電性連接之電極 單元，且第一基材進一步包括形成於設有所有或部分複數 個電極早元之區域底下之反射電極。 此外’藉由一包括下列各物之液晶顯示裝置來達成上 述目的：一第一基材，其包括複數個配置為幾乎彼此平行 20 之閘匯流排線、複數個配置為幾乎彼此平行而與閘匯流排 線相交之汲匯流排線、複數個分別設置於閘匯流排線與汲 匯流排線之間的交會部分上之薄膜電晶體、複數個分別形 成於被閘匯流排線及汲匯流排線圍繞且分別連接至複數個 薄膜電晶體的像素區域中之像素電極、及在設有複數個像 41 200424690 素電極之區域底下部份地形成之反射電極；一第二基材， 其配置為與第一基材相對且具有一與複數個像素電極相對 之相對電極；及一液晶層，其密封在第一基材與第二基材 之間並具有負介電異向性，且特徵在於設有反射電極之反 5 射區域中的液晶厚度係比其他區域中更薄。 此外，藉由一包括下列各物之液晶顯示裝置來達成上 述目的：一第一基材，其包括複數個配置為幾乎彼此平行 之閘匯流排線、複數個配置為幾乎彼此平行而與閘匯流排 線相交之汲匯流排線、複數個分別設置於閘匯流排線與汲 10 匯流排線之間的交會部分上之薄膜電晶體、及複數個分別 形成於被閘匯流排線及没匯流排線圍繞且分別連接至複數 個薄膜電晶體的像素區域中之像素電極；一第二基材，其 配置為與第一基材相對且具有一與複數個像素電極相對之 相對電極；及一液晶層，其密封在第一基材與第二基材之 15 間並具有一負介電異向性，且特徵在於各像素電極包括複 數個配置經過狹縫而具有實心部分且彼此電性連接之電極 單元，且第一基材進一步包括一反射電極，此反射電極係 形成於一未使電極單元形成於各像素區域中之區域的底 下。 20 現在參照第33至40C圖描述根據此實施例之液晶顯示 裝置及其製造方法。 首先，參照第33至37圖描述根據此實施例之液晶顯示 裝置。第33圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置之一像 素的一結構之平面圖，第34圖為沿著第33圖的線A-A’所取 42 200424690 之剖視圖，第35圖顯示根據此實施例之液晶顯示裝置的一 偏光板及類似物之一配置，第36圖為顯示一種使一電極單 元只由一梳電極製成之案例中之一個像素的一結構之平面 圖，而第37圖為相對於梳電極之一延伸部分的寬度變異之 5 明度變化率之測量。 第33圖顯示根據此實施例的液晶顯示裝置之一個像素 的一結構。如此圖所示，複數個在圖式水平方向延伸之閘 匯流排線12係形成於一tft基材2上而以譬如3〇〇微米間隔 彼此平行（第33圖顯示兩個閘匯流排線）。譬如，經由一諸如 10氧化矽膜等絕緣膜幾乎與閘匯流排線12垂直相交且在圖式 垂直方向延伸之複數個汲匯流排線14係譬如以1〇〇微米的 間隔彼此平行地形成（第33圖顯示兩個汲匯流排線）。閘匯流 排線12及汲匯流排線14兩者的寬度譬如為7微米。被複數個 閘匯流排線12及汲匯流排線14圍繞之區域係為像素區域。 15形成一幾乎與各像素區域中心交叉且幾乎與閘匯流排線12 平行延伸之儲存電容器匯流排線18。一儲存電容器電極19 經由一絕緣膜在儲存電容器匯流排線18上形成於各像素 中。 一 TFT 20形成於閘匯流排線12與汲匯流排線14之間的 20各交會位置附近。TFT 20的一汲電極36從汲匯流排線14延 伸，並形成定位在一形成於閘匯流排線12上之主動層的一 端側及一在其上形成的縫道保護膜之側上。另一方面，TFT 20的一源電極38經由一預定間隙與汲電極36相對，並形成 定位在主動層的另一端侧及縫道保護膜之側上。汲電極 43 36、主動層及«極骑如係由相同的铸體層形成，而 以局濃度注射雜質的區域係為沒電㈣及源電_。一位 於問匯流排線12的縫道保護膜正下方之區域係作為爪2〇 的一閘電極。 :由一 (氧化銦錫）等透明傳導膜製成之像素 電極係形成於像素區域中。 像素電極16包括複數個電極單元6()，其各具有一正方 科周邊且小於像魏域；電極^部其形成於 相鄰的電極單元6〇之間；及連接電極64，其驗將狹縫62 所分隔的電極單元60彼此電性連接。第33圖中，在平行於 ;机排線12的方向巾之二條線及平行於㈣流排線14的 向+中之兩條線之六個電極單元6()(共十二個料)係在圖 、“直方向中配置於儲存電容器匯流排線18的兩侧各者 ★構成像素電極16之複數個電極單元$ 〇係由相同的傳導 膜形成。 仏…各電極單⑽包括—幾近正方形的實心部似其具有 幾乎平行於或垂直於_流排線12及㈣流排線14之側 邊正方形實心部46的一側邊之長度譬如為25微米。 匕卜電極單元60包括從實心部46各側中心分支出來 且成乎平行或垂直於閘匯流排線12及汲匯流排線14而延伸 之衿部48。桿部48的尺寸譬如為5微米長及5微米寬。 並且，電極單元60包括從實心部46及桿部48分支出來 且相對於桿部48歪斜地延伸以形成梳形之複數個分支部 49，以及相鄰分支部49之間的電極空白部（空間）66。在相鄰 200424690 桿部48所分隔之一區域中，從實心部46及桿部佔分支出來 之各別分支部49幾乎在相同方向延伸。第33圖中，兩個小 为支部49從一朴部48分支出來，而兩個大分支部49從實心 部46—側分支出來。亦即，在相鄰桿部料所分隔之區域中， 5四個分支部49在相同方向延伸。附帶說明，此說明書中， 其中使作為延伸部分的桿部48及作為延伸部分的分支部49 形成通過空白部之電極單元6()的—梳部係稱為—梳電極 53 〇 杯部48及分支49之間的一角度，亦即分支部*她電極 1〇單元6〇外周邊的側邊之間的一角度譬如係為45。。分m49 的見度譬如為3微米，且空白部66的寬度譬如為3微米。 將各分支部49的端點形成為幾乎平行或垂直於問匯流 排線12及沒匯流排線14，且藉此使電極單元60的外周邊幾 乎為正方形。正方形電極單元6〇的一側之長度譬如為纖 ^ $丹有25微米長度的一凋又正方形實” ^係形成於具有_㈣如妨微米的正林外周邊之$ 單疋60的中心部分上，而梳電極％形成於一從電極單; 20

°邊在内側具有5微米寬度之區域中。附帶說明，雖, 較:=5二=的寬度不在此限，設有梳電極53之[ 7 κ電極早讀外周邊往内側之5微米或】 的見度。這是因為去 小於此寬糾，難以將梳❾ 積確地圖案化之緣故。 相鄰的電極單元60藉由連接電祕彼此電性連接 45 200424690 接電極64係形成為連接至位於各別面對側中心處之桿部 46。如上述，藉由提供連接電極64以連接相鄰電極單元6〇 的各別面對側之中心，可確定地固定住奇異點。 此外，在圖式像素區域的下部，與下部相鄰之像素區 5域的TFT 20之汲電極36形成為突起狀。當以垂直於基材表 面的方向觀看時像素電極16形成為與汲電極36重疊時，此 區域中液晶分子的對準發生一擾動，且可能發生串擾 talk)。因此，需要將像素電極16及汲電極36形成為彼此不 重:£因此，將對應於此區域之電極單元的外周邊（第3 3圖 左下方）之形狀構成為可依據没電極36形狀來切除正方形 一部分之形狀。具體言之，雖然其他電極單元6〇的外周邊 形狀譬如具有35微米x35微米的正方形，此區域中電極單元 60的形狀具有可切除正方形一部分之形狀，故使其與汲電 極36分隔譬如7微米。 15 像素電極16經由一在接近TFT 20之電極單元6〇的實心 部46底下（第33圖左上方）形成於一絕緣膜中之接觸孔而電 性連接至源電極38。接觸孔的形狀譬如為具有5微米側邊之 正方形。此處，在形成了接近TFT 2〇的電極單元6〇之區域 中之源電極38的傳導膜上部較佳係覆蓋有像素電極^的傳 20導膜。這是因為當源電極38的傳導膜定位在電極單元_ 狹縫62區域中時未充分產生狹縫Μ造成之歪斜電場而且擔 心對於液晶對準之控制作用在此區域中變得不足所致。 此外，-長方形接觸區域67經由一絕緣膜形成於儲存 電容器電極19上之像素電極对。接觸區域67經由連接電 46 200424690 極64電性連接至相鄰電極單元60的桿部48。像素電極職 由在接觸區域67底下形成於絕緣膜中之接觸孔電性連接至 儲存電容器電極19。 -作為用於親像素區域端部之光遮蔽層之腦(黑矩 5陣）係形成於一配置為與TFT基材2相對之CF基材4側上。 BM形成為一具有譬如23微米寬度之格構(iattice)。在閘匯流 排線12的延伸方向中之一格構間隔係為1〇〇微米，而在汲匯 流排線14的延伸方向中之一格構間隔為3〇〇微米。屬於紅 (R)、綠(G)及藍(B)其中一者之一CF樹脂層係形成於8]^的 10開口部中。譬如由ΓΓΟ製成之相對電極（共同電極)形成kCF 樹脂層的整體表面上。 第34圖為沿著第33圖的線A-A’所取之剖視圖。如圖所 示，汲匯流排線14形成於一構成TFT基材2之玻璃基材10 上。一絕緣膜30形成於設有汲匯流排線14之玻璃基材1〇 15上。像素電極16在汲匯流排線14之間形成於絕緣膜3〇上。 另一方面，配置為與TFT基材2相對之CF基材4係包括 一玻璃基材11及一形成於與TFT基材2相對之玻璃基材11表 面上之相對電極42。附帶說明，CF樹脂層（未圖示）形成於 玻璃基材11與相對電極42之間。 20 並且’如第33及34圖所示，一圓柱形突起結構73設置 於與TFT基材2相對之表面上，故使其幾乎定位在TFT基材2 的各電極單元60中心。突起的結構73譬如由丙烯樹脂製 成，且其尺寸為10微米直徑及2微米高度。 此外，對準膜（未圖示）形成於基材2及4兩者之面對表面 47 200424690 上。對準膜具有一垂直對準，並造成液晶分子以一穩態對 準於與基材表面（對準膜表面）垂直之方向。藉由將具有一負 介電異向性的液晶注入可使基材2與4彼此結合之液晶胞内 並加以密封來製造出此液晶顯示裝置。 5 第35圖顯示根據此實施例之液晶顯示裝置的一偏光板 及類似物之一配置。如圖所示，呈直交偏光配置之偏光板 86及87係配置於一由其中密封有液晶之液晶胞所製成的液 晶層6兩側上。一四分之一波板5〇配置於液晶層6與偏光板 87之間。此外，一四分之一波板51配置於液晶層6與偏光板 1〇 86之間。至於四分之一波板5〇及51，譬如可採用JSR公司製 造之ARTON板(平面内相位差為140奈米）。可將一具有負相 位差之層諸如TAC(三乙醯基纖維素）膜72配置於液晶層6與 四分之一波板51之間，藉以改良視角特徵。附帶說明，圖 式上部為一觀察者侧，而圖式下部為一配置有一背光板單 15元之光源側。一反射偏光板75配置於偏光板87與光源側之 間。至於反射偏光板75 ’譬如可採用Nitto Denko Co.，Ltd 製造之PCF 350d。 四分之一波板50的光軸（遲滯軸線）與偏光板87的吸收 軸線之間的一角度係近似為45。。亦即，當自一光源發射的 2〇光依知下述次序透射經過偏光板87及四分之一波板5〇時， 其變成一圓形偏振的光。此外，四分之一波板51的光軸與 偏光板86的吸收轴線之間的一角度係近似為45。。四分之一 波板50及51的光軸幾乎彼此正交。為了實現視角的對稱性 並使相對於顯示螢幕的垂直及水平方向之視角特徵達到最 48 200424690 佳化，偏光板86及87以及四分之—波板5〇及51具有如下述 的配置方式。 偏光板87的吸收軸線係配置在相對於顯示螢幕右部之 逆時針方向15〇。(三點鐘方向）。四分之—波板5〇的光轴配置 、 5在相對於顯示螢幕右部之逆時針方心。。配置 的觀察者側之TAC膜72的光軸及四分之—波板_光曰曰轴曰係 配置在相對於顯示螢幕右部之逆時針方向1〇5。。偏光板％ 的吸收軸線配置在相對於顯示螢幕右部之逆時針方向6〇〇。 利用此方式，構成了根據此實施例之液晶顯示裝置。 着 1〇 在根據如上述構成的此實施例之液晶顯示裝置中，當 一電壓施加至相對電極42與像素電極16之間時，將液晶放 入一下述的對準狀態。 在設有梳電極53之電極單元60區域中，液晶分子藉由 梳電極53在分支部49之間對準於空白部66的延伸方向中。 15另一方面，在設有實心部46之電極單元60的中心部分區域 中，液晶分子藉由實心部46的外周邊部之歪斜電場且藉由 因為梳電極5 3導致來自外側之液晶對準而對準於朝向電極 單元60中心部分之方向中。亦即，粗略地實現了四個方向 之對準分割。 20 根據此實施例之液晶顯示裝置的一主要特性係在於： · 用於構成一像素之像素電極16之複數個電極早凡60係各包 括正方形實心部46 ;桿部47，其從實心部46各侧中心分支 出來且幾乎與閘匯流排線12及汲匯流排線14呈平行或垂直 延伸；及複數個分支部49，其從實心部46及桿部48分支出 49 來且相對於桿部姆斜地延伸以形成梳形。 10 f垂直料魏晶顯轉置中，可想歸於一用以進 灯攻B日對準㈣之方法，如第36_示，將狹縫設置於一 電極單核)㈣乎錄^上，縣設置和料，且電 極單元6G只由分支部49及桿部做-梳電極53形成。在此 例中，如第36圖所示，電極單元6〇包括兩個幾乎與問匯流 排線12及没匯流排線14呈平行或垂直延伸且彼此交叉狀相 交之桿部48。並且，電極單㈣係包括複數個分支部49， 其從桿部48分支出來並相對於桿部斜地延伸以形成梳 形；及電極空白部66 ’其介於相鄰的分支部49之間。在被 相鄰的桿部48分隔之輯t，自桿和分支出來之各別的 分支部49係幾乎在相同方向中延伸。 然而，如第36圖所示，當電極單元6〇受到圖案化時， 就製程而言難以使得狹縫的寬度在所有區域皆為固定。此 15外，在圖案化的時候，所有顯示區域分割成複數個區域， 且當對於各經分割區域進行像素電極的圖案化時，狹縫寬 度的變異將在經分割區域之間的邊界部分變大。在狹縫寬 度發生變異之案例中，亦即在分支部49及桿部48的寬度發 生變異之案例中，當實際進行顯示時將發生明度差異，結 20 果發生不平整的顯示。 另一方面，在根據此實施例的液晶顯示裝置中，正方 形實心部46設置於電極單元60的中心，且桿部48及分支部 49從實心部46分支出來。因此，相較於第36圖所示的案例， 桿部48及分支部49對於電極單元60之比值，亦即梳電極53 50 2(00424690 的比值為較小。為此，可能抑止由於桿部48及分支部49寬 度變異而發生明度差異’以降低不平整的顯示並獲得優良 的顯示品質。 附^兄明，為了充分地抑止由於桿部48及分支部49寬 5度變異而發生明度差異，實心部46的正方形測量值對於電 極單元60外周邊内的區域之正方形測量值之比值係為5〇% 或更大。 第37圖為明度變化相對於梳電極^之桿部⑽及分支部 49(X伸的見度變異之比值的測量值。第π圖巾，圖形上 1〇係顯示實心部46的正方形測量值對於電極單元瓣周邊内 之區域的正方形測χ值具有58%比值之案例。圖形纖示實 心部46的正方關量值對於電極單以叫周邊内之區域的 正方形測量值具有5G%比值之案例。圖形3顯示實心部私的 2方形測量值對於電極單論外周邊内之區域的正方形測 15篁值具有33%比值之案例。圖形4顯示第36圖所示只由梳電 極53形成電極單元6〇且並未設置實心部邾之案例。 可從第37圖所示的圖形瞭解到，相較於電極單元⑼只 由梳電極53形成之第36圖所示的案例，可藉由提供實心部 46來抑止明度變化。並且，如上述，可瞭解到，當令實心 20 #46的正方n彳量值對於電極單元6叫周邊内之區域的正 方形測里值之比值成為5〇%或更大時，可充分地抑止明度 變化。 此外，在根據此實施例的液晶顯示裝置中，因為實心 邛6叹置於電極單元⑼的中心部分，相較於電極單元6〇只 51 200424690 由梳電極53形成之第36圖所示的案例，梳電極％的桿部⑽ 及分支部49具有短的長度。因此，相較於第％圖所示之案 例，根據此貫施例的液晶顯示裝置可改善液晶分子的回應 速度。理由如下。亦即，在如第36圖所示梳電極53具有長 5的長度之案例中，一很少受周遭歪斜電場所影響之液晶部 分係產生於梳電極53的-中途位置上。在此位置，將難以 決定液晶所對準的方向是相對於梳電極53朝向中心之方 向、或是朝向外周邊部分之方向。另一方面，如同在根據 此實施例之液晶顯示裝置中，當因為形成實心部46而使梳 10電極長度很短時，液晶易受周遭歪斜電場所影響，且可 供液晶分子對準之對準角將變得容易決定。結果，液晶分 子的回應速度變快。 此外’在根據此實施例的液晶顯示裝置中，四分之一 波板50及51及偏光板87及86依照此次序配置於基材2及4兩 15者之外側上。如此一來，相較於只使用呈直交偏光配置之 偏光板87及86之案例，配置了具有彼此正交的光軸之四分 之一波板50及51藉以改善顯示白色時之光透射率，並可能 實現高明度及可獲得清晰顯示之液晶顯示裝置。在並未配 置四分之-波板5〇及51之案例中，一暗線產生於未使分域 20 (d〇main)方向分成四個之—邊界位置上。此外，在一不存在 梳電極之區域中，不同於存在梳電極53之區域，將難以提 供-特定方向之-方向角。因此，相較於梳電的存在整 體區域中之案例，明度將降低。因為可藉由配置四分之一 波板50及51使得這些部分產生的所有暗線皆為透明，故可 52 200424690 改良透射率。 接著，參照第38A至40C圖描述根據此實施例的液晶顯 示裝置之一製造方法。第38A至40C圖為顯示根據此實施例 的液晶顯示裝置之製造方法的程序剖視圖，且其對應於沿 5 著第33圖的汲匯流排線14之方向的剖面。附帶說明，下文 描述將像素電極16形成於TFT基材2的玻璃基材1〇上為止之 方法。 首先，譬如藉由一濺鍍方法將一由一鋁膜製成的閘層 21形成於玻璃基材1〇上(請見第38A圖）。 10 接著，閘層21受到圖案化，藉以形成一閘匯流排線12 及一儲存電容器匯流排線18(見第38B圖）。附帶說明，第38A 至40C圖中，省略了儲存電容器匯流排線18。 接著，譬如藉由一CVD(化學氣相沉積）方法將—由氧 化矽膜製成的絕緣膜22形成於整體表面上（見第38C圖）。 15 接著，譬如藉由CVD方法將一由一多晶矽膜製成的半 導體層23形成於絕緣膜22上（見第38D圖）。 接著，一雜質係離子植入不含閘匯流排線12上的區域 以外之半導體層23内，閘匯流排線12上的區域變成〜主動 層24(見第39A圖）。 20 接著’供雜質離子植入之半導體層23係受到圖案化， 藉以形成一汲匯流排線14、一汲電極36、一源電極38及一 儲存電容器電極19(見第39B圖）。利用此方式，將一TFT 2q 形成於閘匯流排線12與没匯流排線14的一交會位置附近。 接著’譬如藉由CVD方法將一由氧化矽膜製成的絕緣 53 200424690 膜25形成於整體表面上（見第39C圖）。 接著，選擇性蝕刻絕緣膜25，藉以形成一抵達TFT 2() 的源電極38之接觸孔26(見第40A圖）。 接著，譬如藉由濺鍍方法將一由IT〇製成的透明傳導膜 - 5 27形成於整體表面上（見第40Β圖）。 接著，將透明傳導膜27圖案化，藉以形成一電極單元 60、一連接電極64及一接觸區域67(見第40C圖）。利用此方 式，將一經由接觸孔26電性連接至源電極38之像素電極16 形成於TFT基材2的玻璃基材1〇上。 鲁 10 雖然未圖示，在此之後進行一類似正常液晶顯示裝置 的製程之程序，藉以完成根據此實施例的液晶顯示裝置。 如上述，根據此實施例，正方形實心部46設置於電極 單元60的中心，且梳電極53對於電極單元60具有小的比 值，故抑止由於梳電極53寬度變異而發生明度差異，並可 15 降低不平整的顯示。藉此，可提供具有優良顯示品質之液 晶顯示裝置。 (經修改範例） ^ 參照第41A至41N圖描述根據此實施例的一經修改範 例之一液晶顯不裝置。第41A至41N圖為顯不根據此經修改 20 範例的液晶顯示裝置中之電極單元的形狀之平面圖。 · 上文中，如第33圖所示，雖然正方形實心部46設置於 電極單元60的中心部分上，可使電極單元60的形狀具有另 外的各種形狀。 譬如，如第41A圖所示，可使實心部46的形狀成為藉由 54 200424690 狀 所示’可使實心部鄉 此外，可使實心部46形狀成為橢圓形。 _ ,此外，如第41C圖所示，可使實心部46形狀成為凸幻 心此處凸夕角形係為所有角度小於⑽。之多角形。 此外，如第41D圖所示，可使實心部％形狀成為比桿名 48更寬的十字件。 ίο 15

此外，如第41E圖所示，可使實心部46形狀成為凹多角 形。此處，凹多角形係為至少一角大於18〇0之多角形。 此外’上文中，雖然實心部46設置於電極單元6〇的幾 乎中心處’實心部46的設置位置並不限於中心部分。

譬如，如第41F及41G圖所示，實心部46連續地形成於 電極單元60外周圍的兩相對側之間，梳電極53可形成在另 兩側上-亦即在連續地形成於兩相對側之間的實心部46兩 側上。使實心部46連續形成之方向係可幾乎平行於汲匯流 排線14或可平行於閘匯流排線12。 此外，如第41H圖所示，將梳電極53形成於接近電極單 20 元60外周邊的一側之區域中，且可使另一區域成為實心部 46。附帶說明，在第四實施例中描述包括呈現第41H圖形狀 的電極單元60之液晶顯示裝置。 此外，如第411圖所示，類似於第41D圖，可使實心部 46形狀成為十字形，且實心部46可在十字的一方向中連續 55 200424690 地形成於電極單元60外周邊的兩相對側之間。 此外，如第41J圖所示，梳電極53形成於電極單元⑼的 一半區域中’且可使另-半區域成為實心部46。 此外，如第41K圖所示，在從電極單元的中心往電極單 . 5元60外周邊中心點呈交叉狀延伸之桿部卿斤分割之四個區 域之間，可使一對對角狀定位之區域成為實心部46，且梳 電極53可形成於另—對對角狀定位之區域各者中。如: 述，四個區域係被十字形邊界線界定在電極單元60中，梳 電極53形成於四個區域的至少一者中，且實心部仏可賴 # 10 於其他區域中。 卜 文中雖然已經描述電極單元6〇被從電極單 元60中心往電極單元6〇外周邊中心點呈交叉狀延伸的桿部 48刀割成四個正方形區域之案例電極單元⑹的分割形狀 可為另一形狀。 15 / #如，如第41L圖所示，電極單元被從電極單元6〇中心 在電極單元60外周邊極點呈交叉狀延伸的桿部48分割成四 们-角形區域，且正方形實心部46可設置於電極單元⑼的 _ 中^邛分上。在此例中，分支部49從實心部仆及桿部料分 2Q ^出來，且相對於桿部48歪斜地延伸以形成梳形。在被相 郴杯448分割之三角形區域中，自實心部46及桿部料分支 - 出來之分支部49係幾乎在相同方向延伸。桿部48與分支部 Y之間的一角度譬如近似為45。，易言之，分支部49及電極 早凡6〇外周邊的側邊之間的一角度譬如近似為90。。 此外’如第41M圖所示，電極單元被設置於具有正方 56 $外周邊之電極單元60的對角線上之桿部48分割成四個三 角开> 區域，且實心部46可設置於其中一區域中。在此例中， 其他三角形區域中，分支部49從桿部48分支出來，並相對 5 於桿部48歪斜地延伸以形成梳形。在被相鄰桿部48分隔之 〜角形區域中，自實心部46及桿部48[分支出來之分支部49 係在幾乎相同方向延伸。桿部48及分支部49之間的一角度 譬如近似為45。。 此外’如第41N圖所示，電極單元被設置於具有正方形 外周邊之電極單元60的對角線上之桿部48分割成四個三角 1〇形區域，且實心部46可設置於一對相對於電極單元6〇中心 點呈現對稱之區域中。在此例中，在另一對相對於該點呈 對稱之區域中，分支部49自桿部48分支出來，並相對於桿 部48歪斜地延伸以形成梳形。在被相鄰桿部佔分隔之三角 形中，從實心部46及桿部48分支出來之分支部49係在幾乎 15相同方向延伸。桿部48與分支部49之間的一角度譬如近似 為45。。 如第41M及41N圖所示，四個區域被電極單元6〇外周邊 之對角線界定於電極單元60中，梳電極53形成於四個區域 的至少一者中’且實心部46可形成於另一區域中。附帶說 2〇明，如第41N圖所示，在四個區域中，梳電極53形成於一對 對角性定位之區域中且實心部46形成於另一對區域中，而 -對設有梳電極53之區域係可變成包括與電極單元6〇外周 邊的汲匯流排線14幾乎平行的侧邊之區域。 此外’如第41A至41_所示’電極單祕的形狀並不 57 200424690 限於在被相鄰桿部48分隔的區域中八 行延伸之形狀。譬如，在電極單元支#49幾乎彼此平 實心部46分支出來之延伸部(桿物，分支 方向從電極單元60中心部分往電極單元 二 [第四實施例] 胃邊I伸。 ίο 參照第42圖描述根據本發明第四實施例的 裝置。第42圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置之L像 ^的之平面圖。附帶說明’將與第三實施例的液晶 之結構性元件標示為相同的編號，並省略或 間化其描述。 15 根據此實施例的液晶顯示裝置之基本結構係與根據第 二貫施例的液晶顯示裝置幾乎相同，唯一差異在於構成一 像^電極Μ之電極單元60的形狀。根據此實施例的液晶顯 不衣置之一主要特性在於··在電極單元60中，-梳電極53 係在-汲匯流排線14側上形成於一接近一正方形外周邊一 側之區域中，且另一區域係為一實心部如。 20 在根據此實施例的液晶顯示裝置中，如第42圖所示， 有正方形外周邊之電極單元60中，由一桿部⑽及分支 P49衣成之梳電極53係形成在與平行於汲匯流排線14之外 胃排線14相鄰的—側附近之區域中。電極 單凡60的另一區域為實心部46。實心部46形成為對於與汲 排線Η平行的外周邊之側中距離汲匯流排線14最遠之 側具有譬如28微米的寬度。在此例中，具有35微米χ35微米 正方形外周邊之電極單元60的80%區域為實心部46。 58 相W的電極單元60係被一形… 連接電極64^：^^^。 料連接之 在根據此貝施例的液晶顯示裝置 梳電極53纽匯流彳 1極早兀60中，將 近之:惻的區域中：如下成於正方，周邊的-側附 類似於第三實施例的案例，將相鄰電極單元60配置為 :::隔，且將連_64形成為連接相鄰電二 兀60外周邊側之中心部分。 干 電極單元6〇巾，在連接電極&連 10 電極單元’卜周邊的四側之中’對於可:連:電祕= 之二側的奇異點適當地進行控制。 15 在没匯流排線14附近之液晶的分域係被此奇異點流所 拉^且—傾斜對準發生於-意外的垂直方向中。結果， 液B曰的對準分割失去平衡，騎内料生錄現象且在 液晶面板被手指壓抵之案例中將留有痕記。 20

在根據此貫施例的液晶顯示裝置中，因為梳電極53的 區域沿著汲匯流排線14設置，在汲匯流排線14端點部分上 之液晶的對準係被此梳電極53清楚地分割成上方向（第42 圖中，右上方向/左上方向）及下方向（第42圖中，右下方向/ 左下方向）之兩區域。因為提供兩對準區域，分割成上及下 部之液晶的分域係穿過桿部48部分而無失誤。藉此，可能 獲知下列效果：可防止沿著沒匯流排線14之液晶分域的擾 動’抑止顯示的粗糙現象，且在譬如液晶面板被手指壓柢 等施加外力之案例中不會留有痕記。 59 200424690 此外，相較於根據第三實施例的液晶顯示裝置，在根 據此貝施例之液晶顯示裝置中，因為電極單元60中實心部 46的正方形測量值拫大，可進一步有效地抑止由於梳電極 53尺寸變異而發生明度差異或不平整顯示。 5 [第五實施例] 參照第43圖描述根據本發明第五實施例之一液晶顯示 裝置。第43圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置之一像 素的-結構之平面圖。附帶說明，將與根據第三實施例的 液晶顯示裝置中相似之結構性元件標示為相同編號，且省 10 略或簡化其描述。 根據此實施例的液晶顯示裝置之基本結構係與根據第 二貫施例的液晶顯示裝置幾乎相同，唯一差異在於構成一 像素電極16之一電極單元6〇的形狀。根據此實施例的液晶 顯不裝置與根據第三實施例的液晶顯示裝置之差異在於電 15極單元60具有長方形外周邊。 如第43圖所示，根據此實施例的液晶顯示裝置中之像 素電極16具有長方形外周邊，並包括複數個比像素區域更 小之電極單元60、一形成於相鄰電極單元60之間的狹縫 62、及一用於將被狹縫62電極單元60彼此電性連接之連接 20電極64。第43圖中，平行於一閘匯流排線12的方向中之三 條線及平行於一汲匯流排線14的方向中之一條線之三個電 極單元60(共六個單元）係在圖式垂直方向中配置於一儲存 電谷益匯流排線18之兩側各者上。 電極單元60包括一幾乎長方形實心部46且其具有幾乎 60 200424690 平灯或垂直於開匯流排線12及没匯流排線η之側 。長方形 實〜部46在平行於閘匯流排線12的方向之寬度譬如為60微 米此外，平行於汲匯流排線14之長方形實心部46的寬度 譬如為25微米。 5 此外電極單元60包括一從實心部46各側中心分支出 來且與閘匯流排線12及汲匯流排線I4幾乎呈平行或垂直延 伸之桿部48。幾乎與閘匯流排線Π呈平行延伸之桿部48尺 寸二如係為9¼米長度及5微米寬度。幾乎與没匯流排線μ 呈平行L伸之;^部48的尺寸譬如係為5微米長度及5微米寬 10 度。

15 亚且，電極單元60係包括從實心部46及桿部48分支出 來且相對於桿部48歪斜地延伸以形成梳形之複數個分支部 49 ’以及位於相鄰分支部49之間的電極空白部％。在被相 鄰桿部48分隔之-區域巾，從實心、部46及桿糊分支出來 之分支部49係在幾乎相同方向延伸。第43圖中，六個分支 部49在被相鄰桿部48分隔之區域中於相同方向延伸。 20 桿部48及分支部49之__錢譬如係為—。分支部 49的寬度譬如為3微米且空白部66的寬度譬如為3微米。 類似於根據第三實施例的液晶顯示裝置，將各分支 49的端部軸為幾乎平行或《於__線12及沒匯i 排線14，藉此，電極單元_外周邊變成幾乎為長方形。 在平行於閘匯流排線12的方向中之電極單_外周 譬如係為78微米。此外，在平行於㈣流排線Η的方向; 之寬度譬如係為35微米。

61 200424690 相鄰的電極單元_藉由形成為與位於電極單元60外 周邊各側中心的桿部48連接之連接電極64加以彼此電性連 妾口為:位於-條線中的電極單元_設置在與汲匯流 #之^向巾’連接電極64只形成於歧匯流排線 5 Η平行之方向中。 此外，在圖式的像素區域下部中，將一下方相鄰像素 :域之TFT 20的—汲電極％形成為突起狀。基於與第三

=施例的案例相同之理由七立在此區域中之電極單元⑼ 的形狀（第43圖的下部）係構成為將對應於汲電極36形狀之 Γ方开7 ^刀予以切除之形狀。具體言之，雖然另-電極 早兀60的外周邊形狀為％微米—微米的長方形，此區域中 ^單f的外周邊形狀係具有可使長方形一部分被切除 故與汲電極分隔7微米之形狀。 /艮據此實施例的液晶顯示裝置之-主要特性在於：電 極早7060包括了與長方形外周邊具有相同長軸線方向之長 方形實心部46。

在電極單元60的外周邊形狀為長方形之案例中，當只 如同根據第三實施例的案例般地形成正方形實心部46日^，、 貫心部46對於電極單元60的面積比將變小。因此，可相見 ^ =成實心部* ’仍無法充分獲得抑止因為梳咖的 免度=異而使明度變化之效果。另一方面，在使電極單元 60的幾乎所有區域成為實心部狀案例中，因為電極單元 6〇的外周邊形狀為長方形，可想見奇異點將變得難以控制。 在根據此實施例的液晶顯示裝置中，在具有長方形外 62 200424690 周邊之電極單元60中，與外周邊具有相同的長軸線方向之 長方形實心部46係形成為符合長方形外周邊的形狀。因 此，可，分地抑止由於梳電極η寬度變異所導致之明度變 化’且奇異點的控制並不困難。 5 ㈣說明，在根據此實施例料晶顯示裝置，亦類似 於使電極單元60外周邊為正方形之根據第三實施例的液晶 顯不裝置之案例，為了充分地抑止由於分支部49的寬度變 異而發生明度差異，實心部46的正方形測量值對於電極單 元60外周邊内之區域的正方形測量值之比值較佳係為一預 10 定值或更大，譬如50%或更大。 (經修改範例） 麥照第44A至44C圖描述根據本發明第五實施例的一 經修改範例之一液晶顯示裝置。第44A至44C圖為顯示根據 此經修改範例的液晶顯示裝置中之電極單元的形狀之平面 15 圖。 上文中，如第43圖所示，雖然長方形實心部46設置於 具有長方形外周邊之電極單元6〇的中心部分上，類似於根 據第41A至41N圖所示第三實施例的經修改範例之案例，可 使電極單元60的形狀具有另外的各種形狀。 20 譬如，如第44A圖所示，可使實心部46的形狀成為擴圓 形。 此外’如弟44B圖所不’可使實心部46成為藉由將電極 單元60外周邊的各側中心點連接而成之菱形。附帶說明， 菱形實心部46可小於第44B圖所示者，且可扭曲其形狀。 63 200424690 此外，譬如，如第44C圖所示，可使實心部46形狀成為 抵達電極單元60外周邊的兩相對側之帶形，且梳電極53可 形成於另兩側上，亦即帶形實心部46的兩側上。附帶說明， 在第六實施例中詳細地描述包括具有第44c圖所示形狀的 5 電極單元60之液晶顯示裝置。 [第六實施例] 參照第45圖描述根據本發明第六實施例的一液晶顯示 裝置。第45圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置之一像 素的一結構之平面圖。附帶說明，將與根據第五實施例的 10液晶顯示裝置相似之結構性元件標示為相同的編號，並省 略或簡化其描述。 根據此實施例的液晶顯示I置之基本結構係與根據 五實施例的液晶顯示裝置幾乎相同，唯—差異在於構成 像素電極16之電極單元60的形狀1據此實施例的液晶! 15 20

示裝置之-主要特性在於：在電極單元60中，梳電極53

在没匯流㈣14側上形成於接近長方料周邊兩側之區 中，且另一區域係為一實心部46。 如第45圖所示，在具有長方形外周邊之電極單元, 中’各由-桿部做分支部卿k梳電極53係形成在 平行於㈣流排線14之外周邊側兩側附近之區域中。在 :於根據第五實施例的液晶顯示裝置使電極單元料周 為35微米x78微米之案例中，設有梳電極42處 «的見度譬如分別係為與平行於&匯流排線14的電極 兀60外周邊之兩側相距7微米。在此例中，實心料在平 64 200424690 於閘匯流排線12的方向中之寬度為料微米。 在根據此實施例的液晶顯示裝置中，類似於第四實施 例的液晶顯不裝置，因為梳電極53的區域形成於沿著汲匯 流排線14之區域中，藉由此梳電極53，在汲匯流排線14端 5點部分上之液晶的對準係被清楚地分割成上方向（第4 5圖 中，右上方向/左上方向）及下方向（第45圖中，右下方向/左 下方向）之兩區域。因為如上述提供兩對準區域，經垂直分 割之液晶的分域係穿過桿部48部分而無失誤。藉此，可能 獲知下列效果·可防止沿著汲匯流排線14之液晶分域的擾 1〇動，抑止顯不内容的粗糙現象，且在譬如液晶面板被手指 壓抵等施加外力之案例中不會留有痕記。 此外，相較於包括具有長方形外周邊的電極單元6〇之 根據第五實施例的液晶顯示裝置，在根據此實施例之液晶 顯示裝置中，因為電極單元6〇中實心部46的正方形測量值 15很大，可進一步有效地抑止由於梳電極53尺寸變異而發生 之明度差異及不平整顯示。 [第七實施例] 參照第46圖描述根據本發明第七實施例之—液晶顯示 裝置。第46圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置之一像 20素的一結構之平面圖。附帶說明，將與根據第五實施例的 液晶顯示裝置中相似之結構性元件標示為相同編號，且省 略或簡化其描述。 根據此實施例的液晶顯示裝置之基本結構係舆根據第 五實施例的液晶顯示裝置幾乎相同，唯一差異在於構成一 65 200424690 像素電極16之-電極單元60的形狀。根據此實施例的液晶 顯示裝置之-主要特性在於電極單祕a形成於一健^ 電谷裔電極19上。 如第46圖所示，根據此實施例的液晶顯示裝置之像素 5電極16係包括：電極單元60a，其形成於設有儲存電容器電 極19之像素區域的中心上、具有長方形外周邊且比像素區 域更小；及複數個電極單元60b，其形成於電極單元6〇a與 上及下閘匯流排線12之間並各具有長方形外周邊且小於像 素區域。電極單元60a及60b由一狹縫62分隔。並且，像素 1〇電極16包括一用於將被狹縫62分隔的電極單元60a及60b彼 此電性連接之連接電極64。第46圖中，在平行於汲匯流排 線14之方向中，配置有一個電極單元6〇a、及設置於電極單 元60a與上及下閘匯流排線23之間的兩個（共四個）電極單元 60b ° 15 電極單元60a經由一在電極單元60a底下形成於一絕緣 膜中之接觸孔而電性連接儲存電容器電極19。 電極單元60a包括一長方形部96，其具有幾乎平行或垂 直於閘匯流排線12及汲匯流排線14之側；及一實心部46， 其具有自平行於一汲匯流排線14之長方形部96側邊突起之 20凸部97並覆蓋住儲存電容器電極19兩端之上側。 此外，電極單元60a包括一從實心部46的長方形部96側 邊中心分支出來而平行於閘匯流排線12且與汲匯流排線14 幾乎呈平行延伸之桿部48，而桿部48的尺寸譬如為5微米長 度及5微米寬度。 66 200424690 並且，電極單元60a係包括從實心部46的長方形部96及 凸部97分支出來且相對於桿部48歪斜地延伸以形成梳形之 複數個分支部49，以及位於相鄰分支部49之間的電極空白 部66。在被相鄰桿部48及長方形部96分隔之一區域中，從 5實心部46分支出來之各別分支部49係在幾乎相同方向延 · 伸0 另一方面，電極單元6〇b包括一長方形實心部46且其具 有幾乎平行或垂直於閘匯流排線12及汲匯流排線14之側 邊。在平行於閘匯流排線21的方向中之電極單元6〇b的長方 ® 1〇形貫心部46寬度譬如為60微米。此外，在平行於汲匯流排 線14之方向中的寬度譬如為39微米。 此外’電極單元60b包括一從實心部46各側中心分支出 來且與閘匯流排線12及汲匯流排線14幾乎呈平行或垂直延 伸之桿部48。與閘匯流排線12幾乎呈平行延伸之桿部48的 尺寸4如係為9微米長度及5微米寬度。與汲匯流排線14幾 乎呈平行延伸之桿部48的尺寸譬如為5微米長度及5微米寬 度。 並且’電極單元6〇b係包括從實心部46分支出來且相對 ;知。卩48至斜地延伸以構成梳形之複數個分支部49，以及 ;相4卩刀支49之間的電極空白部66。在一被相鄰桿部 /刀「阳之區域中，從實心部46及桿部48分支出來之分支部 系在幾乎相同的方向中延伸。 辟電極單元6〇a及60b中桿部48與分支部49之間的一角度 ㊁如係為45。。分支部49的寬度譬如為3微米，而分支部的 67 的寬度譬如為3微米。 電極單元60a及60b之各別分支部49的端點係形成幾乎 平行或垂直於閘匯流排線12及汲匯流排線14，且藉此，電 極單元60a及60b的外周邊幾乎為長方形。電極單元6〇a外周 邊在平行於閘匯流排線12的方向中之寬度譬如為78微米， 而在平行於汲匯流排線14的方向中之寬度譬如為料微米。 電極單元6Gb外周邊在平行於閘匯流排線12的方向中之寬 度譬如為12微米，而在平行於汲匯流排線14的方向中之寬 度譬如為49微米。 相鄰的電極單元6〇a及60b係由與位於對於閘匯流排線 呈平行之長方开》電極單元6〇a及6〇b側邊的中心之桿部48 相連接之連接電極64加以彼此電性連接。 此外，在圖式像素區域下部中，將—下相鄰像素區域 的一TFT 20之一汲電極36形成為突起狀。基於與第三實施 例的案例相同之原因，對應於此區域之電極單元齡(第如 圖中最下者）的形狀係構成為可使長方形-部分被切除而 符合没電極36之形狀。具體言之，雖然另—電極單元嶋外 周邊的I狀為49微米><78微米的長方形，在此區域中電極單 兀60外周邊的形狀係具有可使長方形—部分被切除故其與 汲電極36相隔7微米之形狀。 如上述，構成像素電極10之電極單元可形成於在像 素區域中Ί情所構成之儲存電容器電極上。 雖然形成於儲存電容器電極I9上之電極單元6〇a的形 狀不限於第46ϋ所示者，其形狀較佳滿足下列條件。 200424690 "先電極單元6〇a需要包括實心部以覆蓋住儲存電容 器電極19上的所有區域。 此外’在形成有儲存電容器電極19之區域中，與閘匯 流排線12及及匯流排線14相同的傳導層係經由一絕緣膜形 5成疊層狀態。因此，光難以穿過形成有儲存電容器電極19 之區域。為此，電極單元6〇a在除了儲存電容器電極19上的 區域以外之一區域中亦需要包括一實心部。 [第八實施例] 參照第47至55C圖描述根據本發明第八實施例之一液 1°晶顯示裝置及其製造方法。附帶說明，將與根據第五實施 例的液晶顯示裝置中相似之結構性元件標示為相同編號， 且省略或簡化其描述。 首先，參照第47至53B圖描述根據此實施例之液晶顯示 裝置。第47圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置之一像 15素的一結構之平面圖，第48A圖為沿著第47圖的線A-A，所取 之刳視圖，第48B圖為沿著線B_B，所取之剖視圖，第49圖顯 示根據此實施例的液晶顯示裝置之一偏光板及類似物之一 配置，第50圖為顯示在根據此實施例的液晶顯示裳置中使 反射電極層數改變之案例中之一像素的一結構之平面圖， 20 第51圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置中將一反射電 極形成於一設有一儲存電容器電極之區域中之一案例中之 一像素的一結構之平面圖，第52A及52B圖顯示根據此實施 例的液晶顯示裝置中BM的開口率（opening rate)與反射率 之間的關係以及BM的開口率與透射率之間的關係，且第 69 200424690 53A及53B圖顯示根據此實施例的液晶顯示裝置中一反射 區域的面積比與反射率之間的關係以及反射區域的面積比 與透射率之間的關係。 根據此實施例的液晶顯示裝置係為具有透射型與反射 5 型功能之液晶顯示裝置，其中將一反射電極進一步設置於 · 根據第五實施例的液晶顯示裝置中之TFT基材2側上。 如第47圖所示，一類似於根據第五實施例的液晶顯示 裝置之像素電極16係形成於一被一閘匯流排線12及一汲匯 流排線14圍繞之像素區域中。 Φ 10 類似於第五實施例的液晶顯示裝置，將一TFT 20形成 於閘匯流排線12與汲匯流排線14之間的一交會位置附近。 此處，一汲電極36及一源電極38由一傳導膜製成，譬如一 鋁膜及一鈦膜之一疊層膜，且其由相同傳導膜形成。一位 於閘匯流排線12的一縫道保護膜正底下之區域係作為TFT 15 20的一閘電極。 並且，一與一實心部46具有幾乎相同形狀之反射電極 55係形成於一電極單元60底下以經由一絕緣膜與實心部如 Φ 重疊。反射膜55在平行於閘匯流排線12的方向中之寬度學 如為60微米。在平行於汲匯流排線14的方向中之寬度孽如 · 20 為25微米。附帶說明，反射電極55只須具有幾乎等於咬小 · 於其上形成之電極單元60的實心部46之形狀。 電極單元60及反射電極55經由一接觸孔28彼此電性連 接。接觸孔28形成於從反射電極55外周邊往内譬如分隔5微 米之一 15微米x50微米的長方形區域中。 70 200424690 反射電極55譬如由與源電極38相同的傳導膜形成。然 後，TFT 20附近之反射電極55(第47圖的上方者)與源電極38 形成一體。藉此，像素電極丨6電性連接至源電極38。 第48A及48B圖顯示電極單元60及反射電極55形成處 5 之區域的剖面結構。如圖所示，由譬如一|呂膜29及一鈦膜 31之一疊層膜製成之反射電極55係形成於在一設有閘匯流 排線12及類似物之玻璃基材10上所構成之一絕緣膜22上。 一絕緣膜25形成於絕緣膜22及反射電極55上。抵達銘膜29 之接觸孔28係形成於絕緣膜25及鈦膜31中。電極單元60形 10 成於設有接觸孔28之絕緣膜25上。將電極單元60形成為可 使其底下的反射電極55及實心部46的位置對準，且實心部 46中心部分經由接觸孔28電性連接至反射電極55的鋁膜 29。利用此方式形成於反射電極55上之電極單元6〇係由連 接電極64彼此電性連接，如第47及48B圖所示。 15 第49圖顯示根據此實施例的液晶顯示裝置之偏光板及 類似物的配置。如圖所示，在根據此實施例的液晶顯示裝 置中，除了根據第35圖所示的第三實施例之液晶顯示裝置 之偏光板的配置外，一作為光學散射層之光徑控制膜79係 配置於觀察側之一偏光板86上。光徑控制膜79係為用於在 2〇 一指定方向將光散射之膜。 利用此方式，構成根據此實施例之液晶顯示裴置。 接著，描述根據此實施例之液晶顯示裝置的操作。 在未將電壓施加至像素電極16與相對電極42之間之狀 悲中，液晶分子幾乎垂直對準於基材表面。 71 200424690 首先’在以未將電壓施加至像素電極16與相對電極42 之間的狀態使外部光入射在像素區域上之案例中，光被形 成於反射區域中的反射電極55所反射。相對於反射光來 說，因為液晶分子垂直對準，其偏光狀態不變，且光在觀 5 察者側被偏光板86吸收。利用此方式，實現一零色顯示。 接著’在未將電壓施加至像素電極16與相對電極42之 間的狀態使一背光板接通之案例中，已經透射過形成於液 晶面板背表面上的偏光板87之來自背光板單元的光係透射 經過一未設有反射電極55之透明區域。此處，相對於來自 10背光板單元之光而言，因為液晶分子垂直對準，其偏光狀 心不麦，且光在觀察者側被偏光板86吸收。利用此方式， 貫現一黑色顯示。 另一方面，當一電壓施加至像素電極16與相對電極C 之間時，液晶分子歪斜地對準，造成作為光學效應之雙折 15 射’並改變了光的偏光狀態。 在以將電極施加轉素電極16與㈣電極42 態使外部光入射在像素區域上之案例中，相對於被反射電 極反射之光來說，因為其偏光狀態改變，光係在觀察者側 透射經過偏光板86。利用此方式，實現—從灰色到白色之 20 顯示。 此處’在根據此實施例的液晶顯示裝置中，對於光徑 控制膜79使用用來將一預定角度入射的光加以散射之膜作 為光學散射層。藉由此光徑控制膜79，譬如，來自太陽的 入射光係與非專利文件1所揭露的液晶顯示裝置相似地被 72 200424690 散射，而被反射電極55反射且抵達觀察者之光係可供顯示 之用。藉此，即使在諸如太陽等光源之案例中，仍可避免 表面反射，且來自反射電極55之反射光可被觀察到以供顯 示用。 5 此外，在將電壓施加至像素電極16與相對電極42之狀 態中使背光板接通之案例中，亦相對於來自背光板單元的 入射光來說，其偏光狀態改變且光係在觀察者側透射經過 偏光板86。利用此方式’實現一灰色到白色之顯示。 附帶說明，在透射型中將背光板接通之案例中，外部 10光的反射很少會影響到顯示品質。這是因為在未施加電壓 的時候實現了透射型的黑色顯示及反射型的黑色顯示所 致，而且在透射型之黑色顯示的時候，不具有來自外部光 之反射。 根據此實施例的液晶顯示裝置之特徵在於：反射電極 15 55由與在TFT基材2上所形成之源電極38相同之傳導膜構 成。藉此，因為反射電極55亦可在形成源電極38的步驟中 同時地形成，可製造出具有反射型及透射型功能之液晶顯 示裝置而不增加透射型液晶顯示裝置之製程步驟數。 附帶說明，在第47圖所示的案例中，雖然將反射電極 2〇 55設置於一像素中所有電極單元60底下，反射電極55可能 未設置於所有電極單元60底下。藉由改變設置反射電極55 之區域數及面積，可改變液晶面板的反射率及透射率。 譬如，如第50圖所示，反射電極55相對於儲存電容器 匯流排線18設置在圖中的上電極單元60底下，且反射電極 73 200424690 55可能未設置於圖中的下電極單元60底下。在此例中，相 較於如第47圖所示將反射電極55設置於一像素的所有電極 早元60底下之案例’因為反射電極55數減半，液晶面板的 透射率係增高，且反射率減小。 5 為了有效地利用一像素中的面積並降低一反射區域及 一透射區域之浪費，譬如，在下列條件下形成反射電極55 將是有效的方式。 首先，需要無失誤地電性連接源電極38及像素電極 16。然後，將反射電極55形成在與源電極38呈直接電性連 10 接之電極單元60底下。 此外，在形成儲存電容器電極19之案例中，儲存電容 器電極19形成處之區域不可變成供光透射經過之區域。因 此，反射電極55形成於設有儲存電容器電極19之區域中。 藉由將反射電極55形成為滿足此等條件，可有效地利 15 用一像素中的面積。 第51圖為顯示將反射電極55形成於一設有儲存電容器 電極19的區域中之案例中之一像素的結構之平面圖。在此 例中，譬如，像素電極16係由與將電極單元60a形成於儲存 電容器電極19上之根據第七實施例的液晶顯示裝置相同之 20材料所製成。與實心部46具有幾乎相同形狀之反射電極55 係形成於此電極單元60a底下以經由絕緣膜與實心部46重 疊。電極單元60a及其下形成的反射電極55係經由接觸孔28 彼此電性連接。 此外，在第51圖中的上TFT 20附近之電極單元60b底 74 200424690 下，與實心部46具有幾乎相同形狀之反射電極55係形成為 經由絕緣膜與實心部46重疊。在TFT 20附近形成於電極單 元60b底下之反射電極55係與源電極38形成一體。TFT 20 附近之電極單元60b及其底下形成的反射電極55經由接觸 5 孔28彼此電性連接，藉此，TFT 20附近之電極單元60b及源 電極38彼此電性連接。 反射電極55並未在經由接觸孔28與源電極38電性連接 的電極單元60b以及儲存電容器電極19上的電極單元6(^之 間形成於電極單元60b底下。此外，圖中，反射電極55並未 10在儲存電容器電極匯流排線18下方形成於兩電極單元60a 底下。 如上述，藉由改變形成反射電極55處之區域數及面 積，可改變液晶面板的反射率及透射率。亦即，可藉由在 像素區域中適當地設定像素區域中形成有反射電極55的反 15射區域之面積比以及未形成反射電極55的透射區域之面積 比來設定理想的反射率及透射率。 譬如’在用於遮蔭像素區域的端部之BM的開口部98 之區域中，反射區域的面積比相對於透射率及反射率之關 係變成如第52A及52B圖的圖形所顯示。第52A圖顯示反射 20區域的面積比相對於反射率之關係，而第52B圖顯示反射區 域的面積比相對於透射率之關係。 可伙弟52A及52B圖所示的圖形瞭解到，譬如，為了獲 得5%或更大的反射率及5%或更大的透射率，用於遮蔭像素 區域端部之BM的開口部98的區域中之反射區域的面積比 75 200424690 只需被設定在10到25%的範圍中。 此外，用於遮蔭像素區域端部之BM的開口部98之區域 中之透射區域的面積比相對於反射率及透射率係變成如第 53A及53B圖的圖形所顯示。第53A圖顯示透射區域的面積 5比相對於反射率之關係，而第53B圖顯示透射區域的面積比 相對於透射率之關係。 可從第53A及53B圖的圖形瞭解到，譬如，為了獲得5% 或更大的反射率及5°/。或更大的透射率，用於遮蔭像素區域 端點之BM的開口部98的區域中之透射區域的面積比只需 10 被設定在50到90%的範圍中。 接著’參照第54A至55C圖描述根據此實施例的液晶顯 不裝置之一製造方法。第54A至55C圖為顯示根據此實施例 之液晶顯示裝置的製造方法之程序剖視圖，且其對應於沿 著第47圖的汲匯流排線14方向中之剖面。附帶說明，下文 15描述將像素電極16形成於TFT基材2的玻璃基材10上為止之 方法。 首先’類於於第三實施例的案例，一閘匯流排線12及 儲存電容器匯流排線18形成於玻璃基材1〇上。 接著’譬如在設有閘匯流排線丨2及類似物之玻璃基材 2〇 1〇上經由一未圖示的絕緣膜利用一濺鍍方法形成一鋁膜 29(凊見第54A圖）。 接著’譬如藉由濺鍍方法將一鈦膜31形成於鋁膜29上 (見第54B圖）。 接著，將鈦膜31及鋁膜29圖案化，藉以形成一反射電 76 200424690 極55(見第54C圖）。在此時，同時形成一汲匯流排線14、一 汲電極36、一源電極38及一儲存電容器電極19。利用此方 式，反射電極55由與汲匯流排線14、汲電極36、源電極38 及儲存電容器電極19相同之傳導膜形成。 5 接著，譬如藉由一CVD方法將一由氧化矽膜製成的絕 緣膜25形成於整體表面上（見第54D圖）。 接著，絕緣膜25及鈦膜31受到選擇性蝕刻，藉以形成 一可抵達反射電極55的鋁膜29之接觸孔28(見第55A圖）。 接著，譬如藉由濺鍍方法將一由ITO製成之透明傳導膜 10 27形成於整體表面上（見第55Β圖）。 接著，將透明傳導膜27圖案化，藉以形成一電極單元 60、一連接電極64及一接觸孔67(見第55C圖）。利用此方 式，將像素電極16形成於TFT基材2的玻璃基材1〇上。 然後，雖然未圖示，在其後進行一類似於正常液晶顯 15示裝置的製程之程序，藉以完成根據此實施例之液晶顯示 裝置。 、 如上述，根據此實施例，因為可在形成源電極％及， 似物之程序的同時形成反射區域55，可製造出具有反射型 及透射型功能之液晶顯示裝置而不增加透射型液晶顯示壯 20 置的製程之步驟數。 ^ [第九實施例] 爹照第56至57B圖描述根據本發明第九實施例的—夜 晶顯不裝置。第56圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置 之一像素的一結構之平面圖，第57A圖為沿著第56圖的線 77 200424690 a-a’所取之剖視圖，而第57B圖為沿著線B_B，所取之剖視 圖。附甲說明，將與根據第八實施例的液晶顯示裝置中相 似之結構性元件標示為相同編號，且省略或簡化其描述。 在根據第八實施例的液晶顯示裝置中，構成像素電極 · 5 16的電極單元60係藉由形成於與一電極單元60相同的層中 · 之連接電極64加以彼此電性連接。 根據此實施例的液晶顯示裝置之一主要特性在於：一 連接電極64並未形成於與一電極單元6〇相同的層中，且一 連接電極57形成於與—反射電極55烟的層巾，而反射冑 _ 10極55彼此電性連接。藉此，經由接觸孔28電性連接至反射 電極55之電極單元60係彼此電性連接。 亦即，如第56圖所示，雖然與根據第47圖所示的第八 實施例的液晶顯示裝置中類似之電極單元6〇係形成於像素 區域中，並未形成用以將其電性連接之連接電極料。 15 另方面，如弟及57B圖所示，由一銘膜29及一鈦 膜31的-叠層膜製成之反射電極55係在電極單元6〇底下經 由一絕緣膜25形成。絕緣膜譬如由丙烯樹脂製成，且其厚 _ 度為2微米。電極單元6〇經由接觸孔28電性連接至反射電極 55的鋁膜29。 . 0 亚且，如第57B圖所示，反射電極55係被與反射電極55 · 的鋁膜29相同之層製成的連接電極57加以彼此電性連接。 絕緣膜25形成於連接電極57上。利用此方式，反射電極％ 經由連接電極57彼此電性連接，藉以將經由接觸孔28與反 射電極55電性連接之電極單元6〇加以彼此電性連接。 78 200424690 在根據此實施例的液晶顯示裝置中，用於將電極單元 60彼此電性連接之連接電極57係覆蓋有由一厚樹脂或類似 物製成之絕緣膜25，且未在液晶側上暴露出來。因此，抑 止了由於存在連接電極57所導致之一奇異點的移動。為 . 5此，即便突起結構73不像根據第八實施例的液晶顯示裝置 . 般地没置於CF基材4側上，仍可能使奇異點的發生穩定下 來。藉此，可省略一項將突起結構73形成KCF基材4側上之 程序，且可以利用較簡單的製程及低成本來製造液晶顯示 裝置。 _ 10 [第十實施例] 參照第58圖描述根據本發明第十實施例的一液晶顯示 裝置。弟58圖為根據此實施例的液晶顯示裝置沿著一閘匯 流排線的方向之剖視圖。附帶說明，將與根據第八實施例 的液晶顯示裝置中相似之結構性元件標示為相同編號，且 15 省略或簡化其描述。 根據此實施例的液晶顯示裝置之基本結構幾乎與根據 第八實施例的液晶顯示裝置相同。根據此實施例的液晶顯 · 示裝置之一主要特性在於：一與一反射電極55具有幾乎相 同尺寸之堰(bank)形結構係形成於一CF基材4側上，且形成 · 20 在與一 TFT基材2上所生成的反射電極55幾乎相同之位置。 . 亦即，如第58圖所示，一與反射電極55具有幾乎相同 尺寸之堰形結構69係幾乎在與反射電極55相同的位置上形 成於一在與TFT基材2相對之CF基材4的一表面上所生成之 相對電極42上。堰形結構69在平行於閘匯流排線12的方向 79 200424690 中之寬度譬如為60微米。此外，在平行於汲匯流排線14的 方向中之I度譬如為25微米。堪形結構69的厚度幾乎為cf 基材4與TFT基材2之間的一晶胞間隙之一半。 如上述，在根據此實施例的液晶顯示裝置中，與反射 5電極55具有幾乎相同尺寸之堪形結構69係在與TFT基材2上 所生成之反射電極55幾乎相同的位置形成於cf基材4側 上。藉由此堰形結構69而與形成有突起結構73之根據第八 實施例的液晶顯示裝置相類似。 並且，在根據此實施例之液晶顯示裝置中，藉由堰形 10 結構69，反射區域中之液晶層的厚度幾乎為其他區域中之 一半。因此’當入射在設有反射電極55之反射區域上之光 從觀察者側入射時將被反射電極55反射、並朝向觀察者側 發射，此光係透射經過與可在一未設有反射電極55之透射 區域中供來自一背光板單元的光透射通過之液晶具有幾乎 15 相同厚度之液晶。藉此’可降低反射區域中之著色 (coloring)。 (經修改範例） 參照第59圖描述根據本發明第十實施例的一經修改範 例之一液晶顯示裝置。第59圖為根據此經修改範例的液晶 20 顯示裝置沿著一閘匯流排線的方向所取之剖視圖。 根據此經修改範例的液晶顯示裝置中，一突部結構73 進一步設置於一堰形結構69上。根據此經修改範例之液晶 顯示裝置中的突起結構7 3係類似於根據第五實施例之液晶 顯示裝置中的突起結構73，並形成於堰形結構69上使其幾 80 200424690 乎定位在電極單元60的中心。 如上述，亦可藉由將堰形結構69及突起結構73設置在 CF基材4側上，來降低反射區域中之著色。 [第十一實施例] 5 參照第60至63C圖描述根據本發明第十一實施例的一 液晶顯示裝置。附帶說明，將與根據第八實施例的液晶顯 示裝置中相似之結構性元件標示為相同編號，且省略或簡 化其描述。 首先’參照第60圖描述根據此實施例的液晶顯示裝 10置。第60圖為根據此實施例的液晶顯示裴置在沿著一閘匯 流排線的方向所取之剖視圖。 根據此實施例的液晶顯示裝置之基本結構係與根據第 八實施例之液晶顯示裝置幾乎相同。在根據此實施例的液 晶顯示裝置中，一與一反射電極55具有幾乎相同尺寸且具 15 有一平面形狀之堰形結構65係形成於反射電極55底下。亦 即，一主要特性在於：反射電極55及一電極單元60形成於 一TFT基材2側上所生成之堰形結構65的一上表面及一側表 面上。 如第60圖所示，堰形結構65形成於一玻璃基材1〇上所 2〇 生成之一絕緣膜22上，且在其上形成一閘匯流排線12及類 似物。由一紹膜29及一鈦膜31的一疊層膜製成之反射電極 55係形成於一包括堰形結構65上表面及側表面之區域中。 電極單元60經由一絕緣膜25形成於反射電極55上。電極單 元60經由堪形結構65上表面之一接觸孔28電性連接至反射 81 200424690 電極55的鋁膜29。 如上述，在根據此實施例的液晶顯示裝置中，與反射 電極55具有相同尺寸之堰形結構65係形成於反射電極55底 下。藉由此堰形結構65，而與將堰形結構69形成於CF基材4 5 側上之根據第十實施例的液晶顯示裝置相類似。 並且，在根據此實施例之液晶顯示裝置中，類似於根 據第十實施例之液晶顯示裝置，因為藉由堰形結構69使得 設有反射電極55的反射區域中之液晶層的厚度幾乎為其他 區域中之一半，可降低反射區域中之著色。 10 接著，參照第61A至63C圖描述根據此實施例的液晶顯 示裝置之一製造方法。第61A至63C圖為顯示根據此實施例 的液晶顯示裝置之製造方法的程序剖視圖。附帶說明，下 文描述將像素電極16形成於TFT基材2的玻璃基材10上為止 之方法。 15 首先，類似於第三實施例的案例，一閘匯流排線12及 一儲存電容器匯流排線18係形成於玻璃基材1〇上。 接著，將一由丙烯樹脂、清漆型酚醛樹脂或類似物製 成之樹脂層32形成於玻璃基材10上，且在其上經由一未圖 示的絕緣膜形成閘匯流排線12及類似物（見第61A圖）。 20 接著，將樹脂層32圖案化，藉以形成一堰形結構65(見 第61B圖）。 接著，譬如藉由一濺鍍方法將一鋁膜29形成於整體表 面上（見第61C圖）。 接著，譬如藉由丨賤鑛方法將一鈦膜31形成於銘膜29上 82 200424690 (見第62A圖）。 接著，將鈦膜31及鋁膜29圖案化，以使一反射電極Μ 形成於堰形結構65的一上表面及一側表面上（見第咖 圖）。在此時，同時形成了一汲匯流排線14、一汲電極36、 - 5 一源電極38及一儲存電容器電極19。利用此方式，反射電 · 極55由與汲匯流排線14、汲電極36、源電極％及儲存電容 器電極19相同之傳導膜形成。 接著，譬如藉由一CVD方法將一由氧化矽膜製成之絕 緣膜25形成於整體表面上（見第62c圖）。 # 10 接著，選擇性蝕刻絕緣膜25及鈦膜31，藉以形成一抵 達反射電極55的一鋁膜29之接觸孔28(見第63A圖）。 接著，譬如藉由濺鍍方法將一由ITO製成的透明傳導膜 27形成於整體表面上（見第63B圖）。 接著，將透明傳導膜27圖案化，藉以形成一電極單元 15 60、一連接電極64及一接觸區域67(見第63C圖）。利用此方 式，將像素電極16形成於TFT基材2的玻璃基材10上。 然後，雖然未圖示，在此之後進行一類似正常液晶顯 示裝置的製程之程序，藉以完成根據此實施例的液晶顯示 裝置。 20 (經修改範例） _ 參照第64圖描述根據本發明第十一實施例的一經修改 範例之一液晶顯示裝置。第64圖為根據此經修改範例的液 晶顯示裝置沿著一閘匯流排線的一方向所取之剖視圖。 在根據此經修改範例的液晶顯示裝置中，如第64圖所 83 200424690 示，類似於根據第五實施例之液晶顯示裝置，將一突起結 構73設置於與一TFT基材2相對之一CF基材4的一表面上所 形成之一相對電極42上。 [第十二實施例] 5 參照第6 5至6 8 C圖描述根據本發明第十二實施例的〜 液晶顯示裝置。附帶說明，將與根據第八實施例的液晶顯 示裝置中相似之結構性元件標示為相同編號，且省略或簡 化其描述。 首先’參照第65及66圖描述根據此實施例的液晶顯示 10裝置。第65圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置之一像 素的一結構之平面圖，而第66圖為沿著第65圖的線B-B，所 取之剖視圖。 根據此實施例的液晶顯示裝置之基本結構係與根據第 八實施例之液晶顯示裝置幾乎相同，唯一差異在於一形成 15 有反射電極5 5之區域。 在根據此實施例的液晶顯示裝置中，如第65圖所示， 反射電極55係形成於一使一狹縫62生成在電極單元6〇之間 之區域中。類似於根據第八實施例之液晶顯示裝置，反射 電極55由與一源電極38相同之傳導膜製成。 20 反射電極55的寬度稍微小於狹縫62的寬度，所以電極 單元60較佳不與反射電極55重疊。譬如，狹縫62的寬度為8 微米，且反射電極55的寬度為6微米。 另一方面，反射電極55並未形成在一與電極單元6〇在 同層中生成且用以電性連接電極單元6〇之連接電極64底 84 200424690 下。 如第66圖所示，反射電極55形成於一在一玻璃基材ι〇 上生成之絕緣膜22上，且其上形成一絕緣膜12及類似物。 一絕緣膜25形成於反射電極55及絕緣層22上，且電極單元 5 06形成於絕緣膜25上。 位於設有狹縫62的區域中之反射電極55係彼此電性分 離且處於電性浮動狀態。 根據此實施例的液晶顯示裝置之一主要特性係在於： 反射電極55形成於設有電極單元60之間的狹縫62之區域 10 中，且反射電極55並未彼此電性連接，而是處於使其電性 分離之浮動狀態。 藉由如上述形成反射電極55，不同於一設有電極單元 60之透射區域中之所施加的電壓，只從電極單元6〇周圍的 電場造成了一施加至反射電極55上的液晶分子之有效電 15 壓。因此，施加至反射電極上55的液晶分子之電壓將變低。 為此’在反射區域中抑止了由於液晶造成之光學效應，且 即便在使反射區域中的液晶層厚度與透射區域中的厚度相 同之區域中，仍可降低反射區域之著色。 接著，參照第67A至68C圖描述根據此實施例之液晶顯 20示裝置的一製造方法。第67A至68C圖為顯示根據此實施例 的液晶顯示裝置之製造方法之程序剖視圖，且對應於沿著 第65圖的汲匯流排線14之方向所取之剖面。附帶說明，下 文中描述到將像素電極16形成在TFT基材2的玻璃基材1〇上 為止之方法。 85 200424690 首先，類似於第三實施例的案例，一閘匯流排線12及 一儲存電容器匯流排線18形成於玻璃基材1〇上。 接著，譬如藉由一濺鍍方法，將一鋁膜29形成於玻璃 基材10上，在其上經由一未圖示的絕緣膜形成閘匯流排線 5 12及類似物（見第67A圖）。 接著’譬如藉由濺鍍方法將一鈦膜31形成於鋁膜29上 (見第67B圖）。 接著，將鈦膜31及鋁膜29圖案化，藉以形成一反射電 極55(見第67C圖）。在此時，同時形成一汲匯流排線14、一 10没電極36、一源電極38及一儲存電容器電極19。利用此方 式，藉由與汲匯流排線14、一汲電極36、一源電極38及一 儲存電容器電極19相同的傳導膜來形成反射電極55。 接著’譬如藉由一CVD方法將一由氧化矽膜製成的絕 緣膜25形成於整體表面上（見第67D圖）。 15 接著，將一絕緣膜25及鈦膜31圖案化，藉以形成一抵 達反射電極55的鋁膜29之開口部33(見第68A圖）。 接著，譬如藉由濺鍍方法將一由ITO製成的透明傳導膜 27形成於整體表面上（見第68B圖）。 接著，將透明傳導膜27圖案化，藉以形成一電極單元 20 60、一連接電極64及一接觸孔67(見第68C圖）。利用此方 式，將像素電極16形成於TFT基材2的玻璃基材10上。 雖然未圖示，在此之後，進行一類似於正常液晶顯示 裝置的製程之程序，藉以完成根據此實施例之液晶顯示裝 置。 86 200424690 [第十三實施例] 參照第69及70圖描述根據本發明第十三實施例之一液 晶顯示裝置。第69圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置 之一像素的一結構之平面圖，而第70圖為沿著第69圖的線 5 A-A’所取之剖視圖。附帶說明，將與根據第三及第八實施 例的液晶顯不裝置中相似之結構性元件標不為相同編號， 且省略或簡化其描述。 根據此實施例的液晶顯示裝置係包括一類似於根據第 三實施例的液晶顯示裝置之像素電極16，且類似於根據第 10 十二實施例的液晶顯示裝置將一反射電極55形成於一使一 狹縫62在電極單元60之間生成而構成像素電極16之區域 中。 亦即’如弟69及70圖所不’反射電極55係形成於使配 置在與一閘匯流排線12平行的方向及與一汲匯流排線14平 15 行的方向中之複數個電極單元60之間的狹缝62生成之區域 中。 在根據此實施例的液晶顯示裝置中，相較於根據第十 二實施例的液晶顯示裝置，因為在電極單元60之間形成的 狹縫62之面積很大，反射電極55的正方形測量值亦很大。 20 [第十四實施例] 參照第71及72圖描述根據本發明第十四實施例之一液 晶顯示裝置。第71圖為顯示根據此實施例的液晶顯示裝置 之一像素的一結構之平面圖，而第72圖為沿著第71圖的線 A_A’所取之剖視圖。附帶說明，將與根據第十二實施例的 87 200424690 液晶顯示裝置中相似之結構性 略或間化其描述。 元件4示示為相同編號，且省 根據此實施例的液晶顯壯 + 一每方mη —…、衣置之基本結構係與根據第 十一貝施例之液晶顯示骏 a ,g - ^ ^ ^ ,置成手相同。在根據此實施例的 液日日顯不裝置中，相較於根 — 康苐十一貫施例之液晶顯示裝 置，將一電極単元60形成為# — 為軚小。譬如，電極單元60在平 行於閘匯流排線12之方向中 π中的外周邊寬度譬如為66微米。 此外，在平行於汲匯流排繞 琛丨4之方向中的寬度譬如為33微

10 目為如上述將電極單摘形成為較小，電極單元砸 未形成在-相距與-沒匯流排線Μ平行之一用於雜一像 素區域的-端部之ΒΜ的一開口部98一側具有一預定寬度 之區域"中。譬如，電極單元6〇並未形成於相距與没匯流 排線14平行之βμ的開口部98側具有6微米寬度之區域99 15 中。

如第71及72圖所示，在根據此實施例的液晶顯示裝置 中’反射電極55不但形成於使電極單元6〇之間的狹縫62生 成之區域中、亦形成於相距與汲匯流排線14平行之ΒΜ的開 口部98側具有預定寬度且未設有電極單元60之區域99中。 -0 如上述，亦藉由將反射電極55形成於電極單元60周圍 之區域中，類似於根據第十二實施例的液晶顯示裝置，只 藉由電極單元60周圍之電場造成了施加至反射電極55上液 晶分子之有效電壓。因此，施加至反射電極55上的液晶分 子之電壓將變小。藉此，在反射區域中抑止了由於液晶造 88 200424690 成之光學效應，且可降低反射區域中之著色。 如上述，根據第三至第十四實施例，像素電極16係包 括複數個配置通過狹縫且彼此電性連接之電極單元60，且 各電極單元60包括實心部46及從實心部46在電極單元6〇外 5 周邊方向延伸之複數個延伸部，藉以抑止由於延伸部的寬 度變異而發生明度差異，且可降低不平整的顯示，並可獲 得優良的顯示品質。 此外，根據第八至第十四實施例，因為藉由將與TFT 20 的基材或電極上所生成的匯流排線12、14相同之傳導膜加 10 以圖案化來形成反射電極55，可以低成本製造出具有反射 型及透射型功能之液晶顯示裝置而不增加透射型液晶顯示 裝置之製程步驟數。 此外，根據第十及第十一實施例，在設有反射電極55 之反射區域中，因為液晶層的厚度比其他區域更薄，可降 15 低反射區域中之著色。 (經修改範例） 本發明不限於上述實施例，可有各種不同的修改。 譬如’上述實施例中，雖然已經描述將電極單元6〇之 各別分支部49的端部形成為幾乎平行或垂直於閘匯流排線 2〇 12及汲匯流排線14且電極單元60外周邊幾乎為正方形或長 方形之案例，各別分支部49的端部形狀不在此限。譬如， 如第73A圖所示’分支部的的端部可形成為垂直於延伸方 向。此外，如第73B圖所示，可將分支部49的形狀製成為使 見度從連接至桿部48或實心部46之根部往梢部逐漸變薄。 89 此外，上述實施例中，雖然已經描述分支部49歪斜地 延伸以使桿部48與分支部49之間角度亦即電極單元的外周 邊側與分支部49之間角度變成45。之案例，分支部49的延伸 方向不限於上述案例。分支部49的延伸方向相對於電極單 元6叫周邊一側只須具有0到90。的角度。同樣地，雖然已 經描述電極單元6G的外周邊側及桿部48為90。之案例，桿部 48的延伸方向相對於電極單元6G外周邊-側只須具有〇到 90的角度。亦即，梳電極53的延伸方向相對於電極單元6〇 外周邊的一側只須具有0到90。的角度。 此外，在上述實施例中，雖然已經描述將具有幾乎相 同形狀的電極單元60配置於像素區域中之案例，可合併及 配置複數個具有彼此不同形狀的電極單元60。 此外，上述實施例中，雖說已經描述具有正方形或長 方形外周邊的電極單元60之案例，電極單元6〇的外周邊形 狀不在此限。譬如，電極單元60的外周邊形狀可為凸多角 形，在此時，實心部46可具有幾乎平行於電極單元6〇外周 邊側之側邊。 此外，上述實施例中，雖然已經描述一像素中的電極 單元60數為12、6或5個之案例，一像素中的電極單元6〇數 不在此限。可根據像素區域的尺寸適當地形成預定數量的 電極單元60。 此外，上述實施例中，雖然已經描述將像素電極16製 成為由ITO構成的透明電極之案例，像素電極16的材料不限 於1το。此外，第三至第七實施例中’像素電極16可由一諸 200424690 如鋁等具有光學反射率的傳導膜形成，且可構成反射型液 晶顯示裝置。 此外，上述實施例中，雖然已經描述將TFT 20形成為 一用於驅動液晶層6之主動元件之案例，主動元件不限於 5 TFT 2〇。譬如，可使用一MIM(金屬絕緣體金屬）電晶體或 類似物作為主動元件。此處，在如同第八到第十四實施例 的案例般地形成反射電極5 5之案例中，反射電極5 5可由與 主動元件的電極相同之傳導膜形成。 此外，上述實施例中，雖然已經描述將CF形成於與TFT 10基材2呈相對配置之CF基材4上之液晶顯示裝置，本發明不 在此限，而是可適用於使CF形成於TFT基材2上之所謂CF 搭覆TFT (CF-on-TFT)式結構液晶顯示裝置。 此外，第八至第十四實施例中，雖說已經描述使反射 區域55由與源電極38或類似物相同的傳導膜所形成之案 15例，用於形成反射電極55之傳導膜不在此限。反射電極55 可由與閘匯流排線12、汲匯流排線14、TFT 20的汲電極36 及其源電極38其中任一者相同之傳導膜形成。此外，反射 電極55可由一與其不同之傳導膜形成。 此外’第八至第十四實施例中’雖說已經描述使電極 20 單元60形狀類似於根據第三至第七實施例的任一液晶顯示 裝置，電極單元60的形狀不在此限。 此外，第十及第十一實施例中，藉由將堰形結構69及 65設置於形成有反射電極55之反射區域中，使得液晶層的 厚度比其他區域中更薄，然而，用於使液晶層變薄之結構 91 200424690 的形狀不限於堰形。 如上述，根據本發明，可能實現可獲得優良顯示特徵 而不增加製造成本之液晶顯示裝置。 I：圖式簡單說明3 5 第1A及1B圖顯示根據本發明第一實施例之一液晶顯 示裝置的一基本結構； 第2圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-1之一液晶 顯示裝置的一示意結構； 第3圖示意性顯示根據本發明第一實施例的範例1-1之 10 液晶顯示裝置的一等效電路； 第4圖顯示根據本發明第一實施例的範例1 -1之液晶顯 示裝置的結構； 第5圖顯示一習知的液晶顯示裝置之一結構； 第6圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-1之液晶顯 15 示裝置的結構之一經修改範例； 第7圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-2之一液晶 顯示裝置的一結構； 第8圖顯示一習知的液晶顯示裝置之一結構； 第9圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-2之液晶顯 20 示裝置的一偏光板及類似物之一配置； 第10圖為顯示根據本發明第一實施例的範例1 - 3之一 液晶顯示裝置的一驅動方法之方塊圖； 第11圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-4之一液 晶顯示裝置的一結構； 92 200424690 第12圖顯示根據本發明第一實施例的範例1-4之液晶 顯示裝置的結構之一經修改範例； 第13圖為顯示作為本發明第二實施例的前提之一液晶 顯示裝置的一結構之剖視圖； 5 第14圖為顯示作為本發明第二實施例的前提之液晶顯 示裝置的一結構之剖視圖； 第15圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第16圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 10 的一結構之剖視圖； 第17圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第18圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 15 第19圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第20圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第21圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 20 的一結構之剖視圖； 第22圖為顯示根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第23圖說明根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置； 第24圖說明根據本發明第二實施例之液晶顯示裝置； 93 200424690 第2 5圖顯示根據本發明第二實施例的範例2 -1之一液 晶顯示裝置的一反射突部之一配置； 第26圖為顯示根據本發明第二實施例的範例2-1之液 晶顯示裝置的一結構之照片； 5 第27圖為當以反射模式顯示白色時之一對準照片； 第28圖為當以透射模式顯示白色時之一對準照片； 第2 9圖顯示根據本發明第二實施例的範例2 -1之液晶 顯示裝置的反射特徵之一測量結果； 第3 0圖顯示根據本發明第二實施例的範例2 -1之液晶 10 顯示裝置的反射特徵之一測量結果； 第31圖顯示根據本發明第二實施例的範例2 -1之液晶 顯示裝置的透射特徵之一測量結果； 第32圖為顯示一習知的液晶顯示裝置之一像素的一結 構之平面圖， 15 第33圖為顯示根據本發明第三實施例的一液晶顯示裝 置之一像素的一結構之平面圖； 第34圖為顯示根據本發明第三實施例之液晶顯示裝置 的一結構之剖視圖； 第35圖顯示根據本發明第三實施例之液晶顯示裝置的 20 一偏光板及類似物之一配置； 第36圖為顯示一種其中一電極單元只由梳電極製成之 案例中之一像素的一結構之平面圖； 第37圖為相對於一梳電極的一延伸部分寬度變異之明 度(brightness)變化率之測量圖； 94 200424690 第38A至38D圖為顯示根據本發明第三實施例之液晶 顯示裝置的一製造方法之程序剖視圖（No.l); 第3 9 A至3 9 C圖為顯示根據本發明第三實施例之液晶 顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（Νο·2); 5 第4 0 Α至4 0 C圖為顯示根據本發明第三實施例之液晶 顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.3); 第41A至41N圖為顯示根據本發明第三實施例的一經 修改範例之一液晶顯示裝置的電極單元形狀之平面圖； 第42圖為顯示根據本發明第四實施例之一液晶顯示裝 10 置的一像素之一結構的平面圖； 第43圖為顯示根據本發明第五實施例之一液晶顯示裝 置的一像素之一結構的平面圖； 第44A至44C圖為顯示根據本發明第五實施例的一經 修改範例之一液晶顯示裝置的電極單元形狀之平面圖； 15 第4 5圖為顯示根據本發明第六實施例之一液晶顯示裝 置的一像素之一結構的平面圖； 第46圖為顯示根據本發明第七實施例之一液晶顯示裝 置的一像素之一結構的平面圖； 第47圖為顯示根據本發明第八實施例之一液晶顯示裝 20 置的一像素之一結構的平面圖； 第48A及48B圖為顯示根據本發明第八實施例之液晶 顯示裝置的一結構之剖視圖； 第49圖顯示根據本發明第八實施例之液晶顯示裝置的 一偏光板及類似物之一配置； 95 200424690 第50圖為顯示根據本發明第八實施例之一種其中使反 射區域層數在液晶顯示裝置中改變之案例中之一像素的一 結構之平面圖； 第51圖為顯示根據本發明第八實施例之一種其中使一 5反射電極形成於液晶顯示裝置中設有一儲存電容器電極的 一區域中之案例中之一像素的一結構之平面圖； 弟52A及52B圖顯示根據本發明第八實施例之液晶顯 示裝置中一反射區域的面積比與反射率(re£lectivity)之間之 關係，以及反射區域的面積比與透射率(transmissivity)之間 10 之關係； 第53A及53B圖顯示根據本發明第八實施例之液晶顯 示裝置中一透射區域的面積比與反射率之間之關係，以及 透射區域的面積比與透射率之間之關係； 第54A至54D圖為顯示根據本發明第八實施例之液晶 15顯示裝置的一製造方法之程序剖視圖（No.l) ·, 第55A至55C圖為顯示根據本發明第八實施例之液晶 顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（Ν〇·2); 第56圖為顯示根據本發明第九實施例的一液晶顯示裝 置之一像素的一結構之平面圖； 20 第57Α及57Β圖為顯示根據本發明第九實施例之液晶 顯示裝置的一結構之平面圖； 第58圖為根據本發明第十實施例沿著一液晶顯示裝置 的一閘匯流排線之方向所取的剖視圖； 第59圖為根據本發明第十實施例的一經修改範例沿著 96 200424690 一液晶顯示裝置的一閘匯流排線之方向所取的剖視圖； 第6 0圖為根據本發明第十一實施例沿著一液晶顯示裝 置的一閘匯流排線之方向所取的剖視圖； 第61A至61C圖為顯示根據本發明第十一實施例之液 5 晶顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.l); 第62A至62C圖為顯示根據本發明第十一實施例之液 晶顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（No.2); 第63A至63C圖為顯示根據本發明第十一實施例之液 晶顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（Νο·3); 10 第64圖為根據本發明第十一實施例沿著一經修改範例 之一液晶顯示裝置的一閘匯流排線之方向所取的剖視圖； 第65圖為顯示根據本發明第十二實施例的一液晶顯示 裝置之一像素的一結構之平面圖； 第66圖為顯示根據本發明第十二實施例之液晶顯示裝 15 置的一結構之剖視圖； 第67Α至67D圖為顯示根據本發明第十二實施例之液 晶顯示裝置的一製造方法之程序剖視圖（No.l); 第68A至68C圖為顯示根據本發明第十二實施例之液 晶顯示裝置的製造方法之程序剖視圖（Νο·2); 20 第69圖為顯示根據本發明第十三實施例的一液晶顯示 裝置之一像素的一結構之平面圖； 第70圖為顯示根據本發明第十三實施例之液晶顯示裝 置的一結構之剖視圖； 第71圖為顯示根據本發明第十四實施例的一液晶顯示 97 200424690 裝置之一像素的一結構之平面圖； 第7 2圖為顯示根據本發明第十四實施例之液晶顯示裝 置的一結構之平面圖； 第73A及73B為顯示本發明的液晶顯示裝置中一電極 5 單元之一分支部分的其他形狀之平面圖； 第74圖為顯示一習知的液晶顯示裝置之一結構的剖視 圖； 第75A及75B圖為顯示一習知的液晶顯示裝置之一結 構； 10 第76A及76B圖為顯示一習知的液晶顯示裝置之一結 構的剖視圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 2，102...TFT 基材 24···主動層 4，104...相對基材 26,28,67...接觸孔 6...液晶層 27…透明傳導膜 8...液晶分子 29...铭膜 10，11...玻璃基材 31…鈦膜 12...閘匯流排線 36...汲電極 14...汲匯流排線 38...源電極 16…像素電極 42...相對電極 18...儲存電容器匯流排線 46···實心部 19...儲存電容器電極 48…桿部 20 …TFT 49...分支部 22,25,30…絕緣膜 50,51..·四分之一波板 23…半導體層 52,79，124...光徑控制膜 200424690 53.. .梳電極 54.. .金屬反射板 55，116…反射電極 56.. .反射膜 57,64…連接電極 60,60a，60b···電極單元 65,69…堰形結構 62···電極空白部(狹缝） 66···電極空白部(空間） 67.. .長方形接觸區域 68,68’···ΒΜ(黑矩陣） 70.. .直線型突部 71.. .中空部 72.. . TAC(三乙醯基纖維素)膜 73.. .圓柱形突起結構 74.. .光學膜 75.. .反射偏光板 76.. ·開口部分(接觸孔） 78.. .對準控制傾斜部 80.. .閘匯流排線驅動電路 82.. .汲匯流排線驅動電路 84.. .控制電路 86,87，122...偏光板 88，188…背光板單元 90···偏光板87的吸收軸線 91…四分之一波板50的光轴 94···四分之一波板51的光軸 95…偏光板86的吸收轴線 96.. .長方形部 97…凸部 98…ΒΜ的開口部 99.. .區域 106.. .液晶 120···相位差膜（四分之一波 板） 130···絕緣材料(樹脂層） 132.. .突部 142…共同電極 Α，Β…前頭 A1，Α2，Β 1，B2，B3，C 1，C2 …線 R...反射區域 T...透射區域 0…反射膜的傾斜狀表面的 平均傾斜角 01.. .入射角 02.. .外出角 0c.··最大入射角

99

Claims (1)

1. 200424690 拾、申請專利範圍： 1. 一種液晶顯示裝置，包含： 一對基材，其配置為彼此相對； 一液晶，其密封於該對基材之間且當未施加電極時 5 幾乎垂直地對準於該基材； 一對四分之一波板，其分別配置於該對基材的外側 上； 一對偏光板，其分別配置於該對四分之一波板的外 側上；及 10 一像素電極，其包括一設有一反射板之反射區域， 其中該反射板具有一反射表面且用於反射從該對基材 的一者入射之光，並包括一透射區域，其中該透射區域 用於造成從該對基材的另一者入射之光透射往該對基 材的一者。 15 2.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，進一步包含一 配置於該對基材的一者之一外側上之光學散射層。 3. 如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中該光學散 射層只散射以一指定範圍中的一入射角入射之光。 4. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該反射板 20 係藉由一與該像素區域中生成之一薄膜電晶體的一電 極相同之形成材料所形成。 5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該反射板 為一儲存電容器的一電極或形成於該像素區域中之源/ 汲部。 100 200424690 6. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中當在一垂 直於一基材表面的方向觀看時該反射板配置為與一形 成於該像素區域中之像素電極重疊。 7. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其中該反射板 5 電性連接至該像素電極。 8. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其中該反射板 與該像素電極電性分離。 9. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中當在一垂 直於一基材表面的方向觀看時該反射板配置為不與一 10 形成於該像素區域中之像素電極重疊。 10. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該反射表 面的至少一部分由铭形成。 11. 如申請專利範圍第10項之液晶顯示裝置，其中該反射板 係包括一由鋁以外的一材料製成之傳導層，以及一形成 15 為該傳導層的一底層並具有在一使該傳導及/或絕緣層 被移除之區域中暴露出來的表面之鋁層。 12. 如申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置，其中形成一透 明電極以覆蓋住該鋁層。 13. 如申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置，其中該傳導層 20 為一欽層。 14. 一種液晶顯示裝置之製造方法，包含以下步驟： 依此次序形成一鋁層及一由鋁以外的一材料製成 之傳導層； 將該傳導層及該鋁層圖案化； 101 200424690 將一絕緣層形成於該經圖案化的傳導層上；及 移除該傳導層上的絕緣層以形成一開口部，移除經 由該開口部暴露出來的該傳導層以暴露出該鋁層，及形 成一反射板的一反射表面。 5 15.如申請專利範圍第14項之液晶顯示裝置之製造方法，進 一步包含一用於形成一覆蓋住該鋁層之透明電極之步 驟。 16. —種液晶顯示裝置，包含： 一對基材，其配置為彼此相對； 10 一液晶，其密封於該對基材之間且具有一負介電異 _ .. ..........................—........威-......—_________________—__________________________________________________________________.......------------------------一— ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------— —......-—----------------— —--------------------- 向性； 一像素電極，其形成於該對基材的一者之各像素區 域中； 一對準控制結構，其配置於該對基材的至少一者上 15 且其平面形狀包括一直線；及 一反射膜，其選擇性形成於該對準控制結構上且包 括該對準控制結構的一傾斜狀表面上。 17. 如申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，其中該對準控 制結構為一突部。 20 18·如申請專利範圍第17項之液晶顯示裝置，其中該對準控 制結構為一中空部。 19.如申請專利範圍第18項之液晶顯示裝置，進一步包含一 經由該液晶配置為與該中空部相對之第二對準控制結 構0 102 2〇·如申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，該傾斜狀表面 的一平均傾斜角係大約不小於0。且小於2〇。。 21·如申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，進一步包含一 形成於該等相鄰的對準控制結構之一間隙部中之第三 對準控制結構。 22·如申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，進一步包含一 狹縫且在其中移除該反射膜的一部分。 23 · —種液晶顯示裝置，包含： 一對基材，其配置為彼此相對； 一液晶，其密封於該對基材之間且具有一負介電異 向性； ' 一像素電極，其形成於該對基材的一者之各像素區 域中； ” 一對準控制結構，其配置於該對基材的至少一者上 且其平面形狀包括一直線；及 一反射膜，其選擇性形成為該對準控制結構的一底 層。 24·如申凊專利範圍第23項之液晶顯示裝置，其中該對準控 制結構為一突部。 25·如申晴專利範目第24項之液晶顯示裝置，其中該突部具 有凸"彳面形狀並由一具有比該液晶更大的折射率之 透明材料形成。 士申:專利範圍第16至25項中任-項之液晶顯示裝 八中忒對準控制結構相對於該像素電極的一端側幾 200424690 乎平行延伸、幾乎垂直延伸或以一近似45°的角度延伸。 27. 如申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，其中該反射膜 與該像素電極電性分離。 28. 如申請專利範圍第16項之液晶顯示裝置，其中該反射膜 5 電性連接至該像素電極。 29. —種液晶顯示裝置，包含： 一第一基材，其包括配置於幾乎彼此平行之複數個 閘匯流排線、配置為幾乎彼此平行而與該等閘匯流排線 交會之複數個汲匯流排線、分別設置於該等閘匯流排線 10 及該等汲匯流排線的交會部上之複數値切換元件、及分 別形成且連接至該等複數個切換元件之複數個像素電 極； 一第二基材，其設置為與該第一基材相對且具有一 與該等複數個像素電極相對之相對電極；及 15 一液晶層，其密封於該第一基材與該第二基材之間 且具有一負介電異向性， 其中各該等像素電極係包括配置經過一狹縫且彼 此電性連接之複數個電極單元，及 各該等電極單元包括一實心部及從該實心部往該 20 電極單元的一外周邊方向延伸之複數個延伸部。 30. 如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中該等複數 個電極單元由一相同傳導膜形成。 31. 如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中該實心部 的一正方形測量值對於該電極單元的一外周邊内之一 200424690 區域的一正方形測量值之比值係為50%或更大。 32. 如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中至少部分 的該等複數個延伸部係幾乎彼此平行。 33. 如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中該等複數 5 個延伸部從該電極單元之一中心部的一起點徑向延伸 至該電極單元的一外周邊。 34·如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中該延伸部 的一延伸方向相對於該電極單元的一外周邊之一側具 有0到90°之一角度。 10 35·如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中將該實心 部定位在該電極單元的幾乎一中心上。 36·如申請專利範圍第35項之液晶顯示裝置，其中該實心部 的形狀為一凸多角形。 37. 如申請專利範圍第36項之液晶顯示裝置，其中 15 該電極單元包括一凸多角形外周邊，及 該實心部包括一幾乎平行於該電極單元外周邊的 一側之側。 38. 如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中 該實心部連續地形成於該電極單元的一外周邊之 20 兩相對側之間，及 該等複數個延伸部係形成於並未設有該實心部之 該電極單元一外周邊的一側上之一區域中。 39. 如申請專利範圍第38項之液晶顯示裝置，其中該等兩相 對側之一面對方向係幾乎平行於該等閘匯流排線或該 105 200424690 等汲匯流排線。 40. 如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中 該等複數個延伸部形成在位於該電極單元的一外 周邊一側上之區域中，及 5 該實心部形成於一並未設有該電極單元的複數個 延伸部之區域中。 41. 如申請專利範圍第40項之液晶顯示裝置，其中該等複數 個延伸部形成在一位於與該等閘匯流排線或該等汲匯 流排線相對之該電極單元的一外周邊一側上之區域中。 10 42.如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中將四個區 域界定於該電極單元中，該等複數個延伸部形成於該等 四個區域的至少一者上，且該實心部形成於該等其他區 域中。 43. 如申請專利範圍第42項之液晶顯示裝置，其中該等複數 15 個延伸部係形成於對角狀定位在該等四個區域間之一 對區域中，且該實心部形成於對角狀定位之另一對區域 中。 44. 如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中在該電極 單元中，四個區域係由該電極單元的一外周邊之對角線 20 所界定，該等複數個延伸部配置於該等四個區域的至少 一者中，且該實心部形成於該等其他區域中。 45. 如申請專利範圍第44項之液晶顯示裝置，其中該等複數 個延伸部係形成於對角狀定位在該等四個區域間之一 對區域中，該實心部形成於對角狀定位之另一對區域 106 200424690 中’且該一對區域係為該汲匯流排線的一側上包括該電 極早元的外周邊一側之區域。 46·如申請專利範圍第29項之液晶顯示裝置，其中該等延伸 部形成於一從該電極單元的一外周邊往内延伸5微米或 5 更多之區域中。 _ 47. 一種液晶顯示裝置，包含： 一第一基材，其包括配置於幾乎彼此平行之複數個 閘匯流排線、配置為幾乎彼此平行而與該等閘匯流排線 交會之複數個汲匯流排線、分別設置於該等閘匯流排線 · 10 及5亥寺/及匯流排線的交會部上之複數個切換元件、及分 別形成且連接至該等複數個切換元件之複數個像素電 極； 一第二基材，其設置為與該第一基材相對且具有— 與該等複數個像素電極相對之相對電極；及 15 一液晶層，其密封於該第一基材與該第二基材之間 且具有一負介電異向性， 其中各該等像素電極係包括配置經過一狹縫及包 · 括貫心部且彼此電性連接之複數個電極單元，及 該第一基材進一步包括形成於設有所有或部份該 j 20 等複數個電極單元的實心部之區域底下之反射層。 〜 48·如申請專利範圍第47項之液晶顯示裝置，其中各該等電 極單兀包括從該實心部往該電極單元的一外周邊方向 延伸之複數個延伸部。 49·如申請專利範圍第47項之液晶顯示裝置，其中該反射層 107 200424690 具有一幾乎等於或小於其上形成之該電極單元的實心 部之形狀。 50. 如申請專利範圍第47項之液晶顯示裝置，其中該像素區 域中未形成該反射層之一透射區域相對於一覆蓋住該 5 像素區域的一端部之光遮蔽層的一開口部之一比值係 位於50至90%的範圍中，及該像素區域中形成該反射 電極之一反射區域相對於該光遮蔽層的開口部之一比 值係位於10至25%的範圍中。 51. 如申請專利範圍第47項之液晶顯示裝置，其中該等複數 10 個電極單元的一個電極係經由形成於該實心部底下的 反射層電性連接至該薄膜電晶體之一源電極。 52. 如申請專利範圍第51項之液晶顯示裝置，其中該形成於 一電極單元的實心部底下之反射層係與該薄膜電晶體 之源電極形成一體。 15 53.如申請專利範圍第47項之液晶顯示裝置，進一步包含一 配置為與該閘匯流排線幾乎平行之儲存電容器匯流排 線以及一經由一絕緣膜形成於該儲存電容器匯流排線 上之儲存電容器電極， 其中該反射電極係形成於該形成於儲存電容器電 20 極上之電極單元的實心部底下。 54. —種液晶顯示裝置，包含： 一第一基材，其包括配置於幾乎彼此平行之複數個 閘匯流排線、配置為幾乎彼此平行而與該等閘匯流排線 交會之複數個汲匯流排線、分別設置於該等閘匯流排線 108 200424690 及該等汲匯流排線的交會部上之複數個切換元件、分別 形成且連接至該等複數個切換元件之複數個像素電 極、及部份地形成於設有該等像素電極的區域底下之反 射電極； 5 一第二基材，其設置為與該第一基材相對且具有一 與該等複數個像素電極相對之相對電極；及 一液晶層，其密封於該第一基材與該第二基材之間 且具有一負介電異向性， 其中在形成有該等反射層之反射區域中，該液晶層 10 的厚度係比其他區域中更薄。 55. 如申請專利範圍第54項之液晶顯示裝置，其中 各該等像素電極係包括配置經過一狹缝及包括實 心部且彼此電性連接之複數個電極單元，及 該等反射層經由一絕緣膜在設有全部或部份該等 15 複數個電極單元的實心部之區域底下形成。 56. 如申請專利範圍第54項之液晶顯示裝置，進一步包含形 成於與該第一基材相對之該第二基材的一表面上及該 等反射層上方的區域中之結構， 其中在形成有該等反射層之反射區域中，該液晶層 20 的厚度係藉由該等結構而比其他區域中更薄。 57. 如申請專利範圍第56項之液晶顯示裝置，其中該等結構 形成於相對電極上。 58. 如申請專利範圍第56項之液晶顯示裝置，進一步包含形 成於該等結構上之突部。 109 59·如申請專利範圍第54項之液晶顯示裝置，進一步包含一 形成於該第一基材上以及可供形成該反射電極的一上 表面及一側表面上之結構， 其中在一形成有該反射層之反射區域中，該液晶層 的厚度係藉由該等結構而比另一區域中更薄。 60.—種液晶顯示裝置，包含： 一第一基材，其包括配置於幾乎彼此平行之複數個 閘匯流排線、配置為幾乎彼此平行而與該等閘匯流排線 交會之複數個汲匯流排線、分別設置於該等閘匯流排線 及該等没匯流排線的交會部上之複數個切換元件、及分 別形成且連接至該等複數個切換元件之複數個像素電 極； 一第二基材，其設置為與該第一基材相對且具有— 與該等複數個像素電極相對之相對電極；及 一液晶層，其密封於該第一基材與該第二基材之間 且具有一負介電異向性， 其中各該等像素電極係包括配置經過一狹縫及包 括實心部且彼此電性連接之複數個電極單元，及 该弟一基材進一步包括一形成於一未設有各該等 像素區域的電極單元之區域底下之反射層。 61·如申請專利範圍第60項之液晶顯示裝置，其中各該等電 極單元包括從該實心部往該電極單元的一外周邊方向 延伸之複數個延伸部。 62·如申請專利範圍第6〇項之液晶顯示裝置，其中該反射層 110 形成於一設有該狹縫之區域底下。 63.如申請專利範圍第62項之液晶顯示裝置，其中該形成於 一設有狹縫的區域中之反射層係彼此電性分離。 64·如申請專利範圍第6〇項之液晶顯示裝置，其中各今等 像素電極形成有一比一用於遮蔭各該等像素區域的一 端部之光遮蔽層的一開口部更窄之寬度，及該反射層形 成於一位在該電極單元周圍之區域底下。 65· —種液晶顯示裝置之製造方法，其中將一具有負介電異 向性的液晶層密封在一對基材之間，此方法包含以= 10 驟： 下步 將一傳導膜形成於基材上；及 藉由將該傳導膜圖案化形成一具有複數個電極單 疋之像素電極，該等複數個像素單元各包括一^^、、立 攸该實心部往一外周邊方向延伸之複數個延伸部。 15 66· 一種液晶顯示裝置，包含·· 一第一基材，其包括配置為幾乎彼此平行之複數個 閘匯流排線； 配置為幾乎彼此平行以與該·等閘匯流排線交會之 複數個汲匯流排線； 20 分別設置於該等閘匯流排線及該等汲匯流排線的 交會部上之複數個切換元件，以及分別形成於像素區域 中而分別連接至該等複數個切換元件之複數個像素電 極； ' 一第二基材，其設置為與該第一基材相對且具有一 111 200424690 與該等複數個像素電極相對之相對電極；及 一液晶層，其密封於該第一基材與該第二基材之 間， 其中利用與閘層或汲層所用相同的層來製造用於 5 反射入射光之層， 閘層或汲層的一部分被一絕緣層所覆蓋， 該等用於反射入射光之層的一部分並未被該絕緣 層覆蓋。 67. 如申請專利範圍第66項之液晶顯示裝置，其中該等用於 10 反射入射光且未鋪設絕緣層之層的一部分係具有含鋁 之表面或具有使鋁層暴露出來之表面。 68. 如申請專利範圍第66項之液晶顯示裝置，其中該等用於 反射入射光之層的一部分係被一透明電極層所覆蓋。 69. 如申請專利範圍第66項之液晶顯示裝置，其中利用與汲 15 層所用相同的層來製造用於反射入射光之層，且將利用 該與閘層所用相同的層製成之一層放置或製作在該用 於反射入射光之層下方。 70. 如申請專利範圍第66項之液晶顯示裝置，其中該等像素 電極具有一實心部，且將該用於反射入射光之層製作在 20 該實心部中。 71. 如申請專利範圍第68項之液晶顯示裝置，其中該等用於 反射入射光之層係在表面上具有IS層及鈦或钥層並被 透明電極所覆蓋，且該透明電極經由鈦或鉬層連接至該 用於反射入射光之層。 112 200424690 72. 5 73. 如申請專利_第71項1㈣示裝置，其中該等用於 反射入射先之層係包含上方製作有鈦或糾之紹層，將 孔製作在該絕緣層及鈦或銦層以讓雜層暴露出來，並 將該透明電極電性連接至觀邊緣處之該鈦或鋼層。 如申請專利範圍第66項之液晶顯示裝置，其中將該等用 於反射入射光之層的至少一部分製作在該用於實現補 助性電容（subsidiary capacitance)之區域中。

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